JP2001126911A - 低損失の酸化物磁性材料 - Google Patents
低損失の酸化物磁性材料Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で高効率な電源トランス用の磁性材料を
提供するために、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトの損失
を低減すること。 【解決手段】 本発明の低損失酸化物磁性材料は、Ｆｅ
２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯを主成分とするＮｉ−
Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトであって、結晶粒度分布のＤ５
０、即ち累積度数５０％での結晶粒径が１３〜５０μｍ
であり、かつＤ１０、即ち累積度数１０％での結晶粒径
が５μｍより大きく、かつＤ９０、即ち累積度数９０％
での結晶粒径が８０μｍより小さい結晶粒度分布を有す
ることを特徴とする。また、本発明による低損失酸化物
磁性材料の製造方法おいては、焼結後の結晶粒径を制御
するために、焼結雰囲気の酸素分圧を大気圧の２５％以
上とすることを特徴とする。
提供するために、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトの損失
を低減すること。 【解決手段】 本発明の低損失酸化物磁性材料は、Ｆｅ
２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯを主成分とするＮｉ−
Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトであって、結晶粒度分布のＤ５
０、即ち累積度数５０％での結晶粒径が１３〜５０μｍ
であり、かつＤ１０、即ち累積度数１０％での結晶粒径
が５μｍより大きく、かつＤ９０、即ち累積度数９０％
での結晶粒径が８０μｍより小さい結晶粒度分布を有す
ることを特徴とする。また、本発明による低損失酸化物
磁性材料の製造方法おいては、焼結後の結晶粒径を制御
するために、焼結雰囲気の酸素分圧を大気圧の２５％以
上とすることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として、電源ト
ランス用あるいはインダクタ用の材料に係わり、特に、
小型で高効率な電源トランスに好適な磁性材料とその製
造方法に関する。
ランス用あるいはインダクタ用の材料に係わり、特に、
小型で高効率な電源トランスに好適な磁性材料とその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯機器を始めとして、近年、電子機器
の小型化が急速に進んでいる。それらで使用される電源
において、トランスは、体積的にも、電力損失において
も重要な位置を占める。そのため、トランスの小型化、
高効率化が求められている。トランス材料の損失が大き
いと電源としての効率が悪いだけでなく、自己発熱によ
る熱暴走の危険が生じる。それゆえ、トランス用材料と
しては、一般に低損失で飽和磁束密度が高く（約５００
ｍＴ）、低価格なＭn-Ｚn系フェライトが用いられてい
る。
の小型化が急速に進んでいる。それらで使用される電源
において、トランスは、体積的にも、電力損失において
も重要な位置を占める。そのため、トランスの小型化、
高効率化が求められている。トランス材料の損失が大き
いと電源としての効率が悪いだけでなく、自己発熱によ
る熱暴走の危険が生じる。それゆえ、トランス用材料と
しては、一般に低損失で飽和磁束密度が高く（約５００
ｍＴ）、低価格なＭn-Ｚn系フェライトが用いられてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｍｎ−
Ｚｎ系フェライトは、比抵抗が小さく、絶縁性の確保の
ために、ボビンの巻線用部品を介し、巻線を行わなけれ
ばならない。よって、トランス材料として、Ｍｎ−Ｚｎ
系フェライトを用いては、小型化に対し、一定の限界が
ある。一方、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトは、比抵抗
が高く、巻線の直巻きが可能である。また、比抵抗が高
いことに加え、Ｃｕ添加により低温焼成が可能であるこ
とより、導体と磁性体の一体焼成が可能であり、高度な
小型化が実現できる。しかしながら、従来のＮｉ−Ｚｎ
−Ｃｕ系フェライトは、高損失であるため、効率が悪
く、かつ、熱暴走など、安全性に劣るため、トランス用
材料として、商品化が困難であった。
Ｚｎ系フェライトは、比抵抗が小さく、絶縁性の確保の
ために、ボビンの巻線用部品を介し、巻線を行わなけれ
ばならない。よって、トランス材料として、Ｍｎ−Ｚｎ
系フェライトを用いては、小型化に対し、一定の限界が
ある。一方、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトは、比抵抗
が高く、巻線の直巻きが可能である。また、比抵抗が高
いことに加え、Ｃｕ添加により低温焼成が可能であるこ
とより、導体と磁性体の一体焼成が可能であり、高度な
小型化が実現できる。しかしながら、従来のＮｉ−Ｚｎ
−Ｃｕ系フェライトは、高損失であるため、効率が悪
く、かつ、熱暴走など、安全性に劣るため、トランス用
材料として、商品化が困難であった。
【０００４】そこで、本発明は、小型で高効率な電源ト
ランス用の磁性材料を提供するために、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃ
ｕ系フェライトの損失を低減することを課題としてい
る。
ランス用の磁性材料を提供するために、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃ
ｕ系フェライトの損失を低減することを課題としてい
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】我々は、種々の実験検討
を行った結果、Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯを
主成分とするＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトにおいて、
焼結雰囲気の酸素分圧が大気圧の２５％以上で焼結さ
れ、結晶粒度分布のＤ５０が１３〜５０μｍであり、か
つＤ１０が５μｍより大きく、Ｄ９０が８０μｍより小
さいことを特徴とする結晶粒度分布において、低損失を
実現できることを見出した。ここで、Ｄ１０、Ｄ５０お
よびＤ９０とは、それぞれ、累積度数が１０％、５０
％、および９０％の時の結晶粒径を示している。
を行った結果、Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯを
主成分とするＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトにおいて、
焼結雰囲気の酸素分圧が大気圧の２５％以上で焼結さ
れ、結晶粒度分布のＤ５０が１３〜５０μｍであり、か
つＤ１０が５μｍより大きく、Ｄ９０が８０μｍより小
さいことを特徴とする結晶粒度分布において、低損失を
実現できることを見出した。ここで、Ｄ１０、Ｄ５０お
よびＤ９０とは、それぞれ、累積度数が１０％、５０
％、および９０％の時の結晶粒径を示している。
【０００６】一般に、フェライトの損失は、ヒステリシ
ス損失、渦電流損失、残留損失に大別できる。本発明品
と従来のＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトの損失を比較す
ると、主に、ヒステリシス損失の低減により損失が低減
されていることが分かった。ヒステリシス損失は、主
に、結晶粒径と結晶磁気異方性エネルギー（Ｋ１）に依
存する。結晶粒界は、磁壁移動に対して摩擦力として作
用するため、通常の均一な粒成長となる焼成条件では、
結晶粒径が大きいほどヒステリシス損失は低下する。し
かしながら、異常粒成長により、局所的に粗大粒が発生
すると逆にヒステリシス損失は増大する。通常、Ｎｉ−
Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトは、大気中（酸素分圧〜２０
％）で焼成される。本発明品の結晶粒度分布は、従来品
と比較して、より均一であり、本発明の方法によれば、
焼成温度を高くしても、局所的な粗大粒を発生すること
なく、均一に粒成長させることができる。また、１２５
０℃以上の温度で焼成すると、従来品の比抵抗は低下す
るが、本発明品は高温で焼成しても、高比抵抗を維持で
きる。
ス損失、渦電流損失、残留損失に大別できる。本発明品
と従来のＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトの損失を比較す
ると、主に、ヒステリシス損失の低減により損失が低減
されていることが分かった。ヒステリシス損失は、主
に、結晶粒径と結晶磁気異方性エネルギー（Ｋ１）に依
存する。結晶粒界は、磁壁移動に対して摩擦力として作
用するため、通常の均一な粒成長となる焼成条件では、
結晶粒径が大きいほどヒステリシス損失は低下する。し
かしながら、異常粒成長により、局所的に粗大粒が発生
すると逆にヒステリシス損失は増大する。通常、Ｎｉ−
Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトは、大気中（酸素分圧〜２０
％）で焼成される。本発明品の結晶粒度分布は、従来品
と比較して、より均一であり、本発明の方法によれば、
焼成温度を高くしても、局所的な粗大粒を発生すること
なく、均一に粒成長させることができる。また、１２５
０℃以上の温度で焼成すると、従来品の比抵抗は低下す
るが、本発明品は高温で焼成しても、高比抵抗を維持で
きる。
【０００７】即ち、本発明の低損失酸化物磁性材料は、
Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯを主成分とするＮ
ｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトであって、結晶粒度分布の
Ｄ５０、即ち累積度数５０％での結晶粒径が１３〜５０
μｍであり、かつＤ１０、即ち累積度数１０％での結晶
粒径が５μｍより大きく、かつＤ９０、即ち累積度数９
０％での結晶粒径が８０μｍより小さい結晶粒度分布を
有することを特徴としている。
Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯを主成分とするＮ
ｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトであって、結晶粒度分布の
Ｄ５０、即ち累積度数５０％での結晶粒径が１３〜５０
μｍであり、かつＤ１０、即ち累積度数１０％での結晶
粒径が５μｍより大きく、かつＤ９０、即ち累積度数９
０％での結晶粒径が８０μｍより小さい結晶粒度分布を
有することを特徴としている。
【０００８】また、本発明の製造方法は、Ｆｅ２Ｏ３、
ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯを主成分とするＮｉ−Ｚｎ−Ｃ
ｕ系フェライトの製造方法において、焼結後の結晶粒径
を制御するために、焼結雰囲気の酸素分圧を大気圧の２
５％以上とすることを特徴としている。
ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯを主成分とするＮｉ−Ｚｎ−Ｃ
ｕ系フェライトの製造方法において、焼結後の結晶粒径
を制御するために、焼結雰囲気の酸素分圧を大気圧の２
５％以上とすることを特徴としている。
【０００９】
【発明の実施の形態】まず、主成分であるＦｅ２Ｏ３、
ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯの粉末を所定の量だけ秤量す
る。次に、混合、造粒、仮焼を行い、得られた粉末を解
砕し、再び造粒し、所定の形状にプレスし、９５０〜１
３００℃で焼成する。そのとき、焼成時の酸素分圧は、
大気圧の２５％以上の範囲で変化させる。作製したＮｉ
−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトについては、結晶粒度分布を
調べる。また、周波数５０ｋＨｚ、磁束密度１５０ｍＴ
の磁気的条件で、温度範囲２５〜１４０℃において損失
を測定する。
ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯの粉末を所定の量だけ秤量す
る。次に、混合、造粒、仮焼を行い、得られた粉末を解
砕し、再び造粒し、所定の形状にプレスし、９５０〜１
３００℃で焼成する。そのとき、焼成時の酸素分圧は、
大気圧の２５％以上の範囲で変化させる。作製したＮｉ
−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトについては、結晶粒度分布を
調べる。また、周波数５０ｋＨｚ、磁束密度１５０ｍＴ
の磁気的条件で、温度範囲２５〜１４０℃において損失
を測定する。
【００１０】損失は、焼成時の雰囲気の酸素分圧が高く
なると、より低くなるが、最小の損失をもたらす焼成温
度は酸素分圧が高いほど高温側へ移動するので、他の条
件を勘案して決めると良い。一例として、４９ｍｏｌ％
のＦｅ２Ｏ３、１９ｍｏｌ％のＮｉＯ、２５ｍｏｌ％の
ＺｎＯ、残部をＣｕＯとするＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェラ
イトにおいては、焼成温度１２５０℃、酸素分圧９５％
の焼成条件で、優れた損失値が得られる。
なると、より低くなるが、最小の損失をもたらす焼成温
度は酸素分圧が高いほど高温側へ移動するので、他の条
件を勘案して決めると良い。一例として、４９ｍｏｌ％
のＦｅ２Ｏ３、１９ｍｏｌ％のＮｉＯ、２５ｍｏｌ％の
ＺｎＯ、残部をＣｕＯとするＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェラ
イトにおいては、焼成温度１２５０℃、酸素分圧９５％
の焼成条件で、優れた損失値が得られる。
【００１１】他方、焼成雰囲気の酸素分圧が高いほど、
損失が最小となるＤ５０（累積度数５０％での結晶粒
径）は、粒径が大きい側に移動し、粒径は均一化され
る。そして、Ｄ５０が１３〜５０μｍであり、かつＤ１
０（累積度数１０％での結晶粒径）が５μｍより大き
く、かつＤ９０（累積度数９０％での結晶粒径）が８０
μｍより小さいときに優れた損失値が得られる。
損失が最小となるＤ５０（累積度数５０％での結晶粒
径）は、粒径が大きい側に移動し、粒径は均一化され
る。そして、Ｄ５０が１３〜５０μｍであり、かつＤ１
０（累積度数１０％での結晶粒径）が５μｍより大き
く、かつＤ９０（累積度数９０％での結晶粒径）が８０
μｍより小さいときに優れた損失値が得られる。
【００１２】以上、Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯ、Ｃｕ
Ｏを主成分としたＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトについ
て説明したが、Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯを主成分と
するＮｉ−Ｚｎ系フェライトにおいても、酸素分圧と温
度による結晶粒度分布の制御は損失の低減に対して同様
の効果をもたらす。
Ｏを主成分としたＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトについ
て説明したが、Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯを主成分と
するＮｉ−Ｚｎ系フェライトにおいても、酸素分圧と温
度による結晶粒度分布の制御は損失の低減に対して同様
の効果をもたらす。
【００１３】
【実施例】本発明の実施例について、図表を参照して説
明する。主成分組成として、４９ｍｏｌ％のＦｅ
２Ｏ３、１９ｍｏｌ％のＮｉＯ、２５ｍｏｌ％のＺｎ
Ｏ、残部のＣｕＯを所定の量だけ秤量し、アトライター
を用いて、２時間混合した。混合の後、スプレードライ
アーで造粒した。造粒した粉末をロータリーキルンで仮
焼した。得られた粉末をアトラターを用いて解砕した。
その後、スプレードライアーにて造粒し、トロイダル形
状にプレスし、９５０〜１３００℃で焼成した。
明する。主成分組成として、４９ｍｏｌ％のＦｅ
２Ｏ３、１９ｍｏｌ％のＮｉＯ、２５ｍｏｌ％のＺｎ
Ｏ、残部のＣｕＯを所定の量だけ秤量し、アトライター
を用いて、２時間混合した。混合の後、スプレードライ
アーで造粒した。造粒した粉末をロータリーキルンで仮
焼した。得られた粉末をアトラターを用いて解砕した。
その後、スプレードライアーにて造粒し、トロイダル形
状にプレスし、９５０〜１３００℃で焼成した。
【００１４】表１に、焼成時の酸素分圧ＰO２を大気圧
の２０％から９５％まで変化させた時の発明品、比較
品、および従来品における結晶粒度分布、５０ｋＨｚ−
１５０ｍＴ−８０℃での損失Ｐcv（即ち周波数５０ｋＨ
ｚ、磁束密度１５０ｍＴでの８０℃における損失）、お
よび比抵抗を示す。ここで、従来品とは、酸素分圧ＰO
２＝２０％の雰囲気中で焼結した試料であり、焼結温度
に応じて１〜８の番号を付けた。他方、酸素分圧ＰO２
が２５％以上で作製された試料のうち、損失Ｐcvが実用
的に良好なものを発明品と呼び、焼結温度に応じて１〜
８の番号を付け、また損失Ｐcvが実用的に良好でないも
の比較品と呼び、１〜１６の番号を付けた。
の２０％から９５％まで変化させた時の発明品、比較
品、および従来品における結晶粒度分布、５０ｋＨｚ−
１５０ｍＴ−８０℃での損失Ｐcv（即ち周波数５０ｋＨ
ｚ、磁束密度１５０ｍＴでの８０℃における損失）、お
よび比抵抗を示す。ここで、従来品とは、酸素分圧ＰO
２＝２０％の雰囲気中で焼結した試料であり、焼結温度
に応じて１〜８の番号を付けた。他方、酸素分圧ＰO２
が２５％以上で作製された試料のうち、損失Ｐcvが実用
的に良好なものを発明品と呼び、焼結温度に応じて１〜
８の番号を付け、また損失Ｐcvが実用的に良好でないも
の比較品と呼び、１〜１６の番号を付けた。
【００１５】
【表１】
【００１６】表１から、発明品は、従来品と比べ、結晶
粒度分布がより均一であり、また比抵抗は同等または、
それ以上であることが分かる。また、発明品の結晶粒度
分布は、Ｄ５０が１３〜５０μｍであり、かつＤ１０が
５μｍより大きく、Ｄ９０が８０μｍより小さいことが
分かる。
粒度分布がより均一であり、また比抵抗は同等または、
それ以上であることが分かる。また、発明品の結晶粒度
分布は、Ｄ５０が１３〜５０μｍであり、かつＤ１０が
５μｍより大きく、Ｄ９０が８０μｍより小さいことが
分かる。
【００１７】図１に、酸素分圧を変化させた場合の５０
ｋＨｚ−１５０ｍＴ−８０℃での損失と焼成温度との関
係を示す。酸素分圧が高いほど損失が最小となる焼成温
度は、高温側にシフトし、そのときの損失は、酸素分圧
が高いほど低いことが分かる。
ｋＨｚ−１５０ｍＴ−８０℃での損失と焼成温度との関
係を示す。酸素分圧が高いほど損失が最小となる焼成温
度は、高温側にシフトし、そのときの損失は、酸素分圧
が高いほど低いことが分かる。
【００１８】図２に、焼成時の酸素分圧を変化させた場
合の５０ｋＨｚ−１５０ｍＴ−８０℃の損失Ｐcvと結晶
粒度分布のＤ５０との関係を示す。酸素分圧が高いほど
損失が最小となるＤ５０は、粒径が大きい側にシフト
し、そのときの最小の損失は、酸素分圧が高いほど低い
ことがわかる。また、従来品の最良値である３００ｍＷ
/ccよりも低損失な試料のＤ５０は、１３〜５０μｍで
あることもわかる。
合の５０ｋＨｚ−１５０ｍＴ−８０℃の損失Ｐcvと結晶
粒度分布のＤ５０との関係を示す。酸素分圧が高いほど
損失が最小となるＤ５０は、粒径が大きい側にシフト
し、そのときの最小の損失は、酸素分圧が高いほど低い
ことがわかる。また、従来品の最良値である３００ｍＷ
/ccよりも低損失な試料のＤ５０は、１３〜５０μｍで
あることもわかる。
【００１９】図３に、発明品８と従来品３の５０ｋＨｚ
−１５０ｍＴでの損失Ｐcvの温度特性を示す。発明品８
は、従来品３と比べ、全温度範囲で損失が小さいことが
わかる。ここで、従来品３とは、従来品の中で５０ｋＨ
ｚ−１５０ｍＴ−８０℃での損失が最も小さい値を示し
たサンプルである。
−１５０ｍＴでの損失Ｐcvの温度特性を示す。発明品８
は、従来品３と比べ、全温度範囲で損失が小さいことが
わかる。ここで、従来品３とは、従来品の中で５０ｋＨ
ｚ−１５０ｍＴ−８０℃での損失が最も小さい値を示し
たサンプルである。
【００２０】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明による酸化物
磁性材料は、低損失であり、高効率の電源トランス用と
して好適である。
磁性材料は、低損失であり、高効率の電源トランス用と
して好適である。
【００２１】また、本発明品は、従来のＭｎ−Ｚｎ系フ
ェライトと比較し、比抵抗が著しく高い。そのため、巻
線のコアへの直巻きが可能であり、ボビン等の巻線用部
品が不要であり、コストの低減が図れる。また、比抵抗
が高いことにより導体との一体焼成が可能であり、高度
な小型化が可能である。
ェライトと比較し、比抵抗が著しく高い。そのため、巻
線のコアへの直巻きが可能であり、ボビン等の巻線用部
品が不要であり、コストの低減が図れる。また、比抵抗
が高いことにより導体との一体焼成が可能であり、高度
な小型化が可能である。
【図１】酸素分圧を変化させた場合の５０ｋＨｚ−１５
０ｍＴ−８０℃での損失Ｐcvと焼成温度との関係を示す
図。
０ｍＴ−８０℃での損失Ｐcvと焼成温度との関係を示す
図。
【図２】酸素分圧を変化させた場合の５０ｋＨｚ−１５
０ｍＴ−８０℃での損失Ｐcvと結晶粒度分布のＤ５０と
の関係を示す図。
０ｍＴ−８０℃での損失Ｐcvと結晶粒度分布のＤ５０と
の関係を示す図。
【図３】発明品８と従来品３における５０ｋＨｚ−１５
０ｍＴでの損失Ｐcvの温度特性を示す図。
０ｍＴでの損失Ｐcvの温度特性を示す図。
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｆe２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯを
主成分とするＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトであって、
結晶粒度分布のＤ５０、即ち累積度数５０％での結晶粒
径が１３〜５０μmであり、かつＤ１０、即ち累積度数
１０％での結晶粒径が５μmより大きく、かつＤ９０、
即ち累積度数９０％での結晶粒径が８０μmより小さい
結晶粒度分布を有することを特徴とする低損失酸化物磁
性材料。 - 【請求項２】 請求項１記載の低損失酸化物磁性材の製
造方法であって、焼結雰囲気の酸素分圧を大気圧の２５
％以上とすることを特徴とする低損失酸化物磁性材料の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30203699A JP2001126911A (ja) | 1999-10-25 | 1999-10-25 | 低損失の酸化物磁性材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30203699A JP2001126911A (ja) | 1999-10-25 | 1999-10-25 | 低損失の酸化物磁性材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001126911A true JP2001126911A (ja) | 2001-05-11 |
Family
ID=17904142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30203699A Withdrawn JP2001126911A (ja) | 1999-10-25 | 1999-10-25 | 低損失の酸化物磁性材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001126911A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006298725A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Neomax Co Ltd | Ｎｉ系フェライトおよびそれを用いた電力線通信用伝送トランスの磁心 |
| JP2008214161A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Hitachi Metals Ltd | Ｎｉ系スピネルフェライト焼結体およびその製造方法 |
-
1999
- 1999-10-25 JP JP30203699A patent/JP2001126911A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
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