JP2001124538A - Method and device for detecting defect in surface of object - Google Patents
Method and device for detecting defect in surface of objectInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は物体の表面の欠陥を
検査する方法および装置に関する。特に半導体ウェーハ
のような鏡面仕上げの表面に生じたスリップ等の段差の
ある欠陥を検査するに好適な方法および装置に関するも
のである。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a method and an apparatus for inspecting a surface of an object for defects. More particularly, the present invention relates to a method and an apparatus suitable for inspecting a stepped defect such as a slip generated on a mirror-finished surface such as a semiconductor wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】半導
体ウェーハの製造の過程でウェーハ表面にはスリップラ
イン（以下スリップという）と呼ばれる直線状の傷が生
じる。このスリップはウェーハ表面に対して段差のある
欠陥である。表面に対する段差は数１０ｎｍ〜数１００
ｎｍのオーダーである。2. Description of the Related Art In the process of manufacturing a semiconductor wafer, a linear scratch called a slip line (hereinafter referred to as "slip") occurs on the wafer surface. This slip is a defect with a step relative to the wafer surface. Steps with respect to the surface are several tens nm to several hundreds
on the order of nm.
【０００３】ウェーハ表面のスリップ検査は、専門の検
査員によって目視で行われている。[0003] Slip inspection of a wafer surface is performed visually by a specialized inspector.
【０００４】しかしつぎのような問題点がある。However, there are the following problems.
【０００５】１）専門検査員の養成が必要で長期間を要
する。[0005] 1) Training of specialized inspectors is required, and it takes a long time.
【０００６】２）専門検査員の熟練度の違いによって検
査結果に個人差が生じる。[0006] 2) Individual differences occur in the test results due to differences in the skill levels of the specialized inspectors.
【０００７】３）検査結果を客観的尺度で定量化するこ
とが難しい。[0007] 3) It is difficult to quantify test results on an objective scale.
【０００８】４）検査結果の定量化が不十分であるた
め、過去の検査結果の蓄積を工程改善へ充分に反映する
ことができない。4) Since the quantification of inspection results is insufficient, the accumulation of past inspection results cannot be sufficiently reflected in process improvement.
【０００９】そこで従来よりウェーハ表面のスリップ検
査を人手に頼ることなく自動化する試みがなされてい
る。Therefore, attempts have been made to automate the slip inspection of the wafer surface without relying on humans.
【００１０】特開平４−４２９４５号公報には、ウェー
ハ表面に光を照射し散乱方向に反射した光を検出するこ
とによりスリップの位置、長さを自動的に検査するとい
う発明が記載されている。Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-42945 discloses an invention in which the position and length of a slip are automatically inspected by irradiating light on a wafer surface and detecting light reflected in a scattering direction. .
【００１１】この発明はウェーハ表面にスリップがあれ
ば、結晶面方位（結晶軸の方向）で定まる特定の方向に
確実に散乱光が生じるという現象を利用している。The present invention utilizes the phenomenon that if there is a slip on the wafer surface, scattered light is surely generated in a specific direction determined by the crystal plane orientation (the direction of the crystal axis).
【００１２】しかし散乱光の強度は非常に小さい。この
ため散乱光を検出するために感度の高い光センサ、カメ
ラ等を使用する必要がある。このため検査装置のコスト
が上昇するという問題がある。またスリップで発生した
散乱光を検出しているためスリップ以外の欠陥（物体表
面のスクラッチ傷、ゴミ等の異物など）の検査を行うこ
とができない。また検査に当たり事前にウェーハの結晶
面方位の情報を入手してデータとして入力する必要があ
る。このため検査に伴う作業が煩わしいという問題があ
る。However, the intensity of the scattered light is very small. For this reason, it is necessary to use a highly sensitive optical sensor, camera, or the like to detect scattered light. Therefore, there is a problem that the cost of the inspection apparatus increases. Further, since the scattered light generated by the slip is detected, it is not possible to inspect for defects other than the slip (scratch scratches on the object surface, foreign substances such as dust, etc.). In addition, it is necessary to obtain information on the crystal plane orientation of the wafer beforehand and to input the information as data. Therefore, there is a problem that the work involved in the inspection is troublesome.
【００１３】したがって事前にデータの入力が不要で高
感度の光センサ、カメラ等が不要でスリップのみならず
スリップ以外の欠陥をも精度よく検査することができる
ことが望まれている。Therefore, it is desired that it is possible to accurately inspect not only slips but also defects other than slips without the need for inputting data in advance and using high-sensitivity optical sensors and cameras.
【００１４】また特開平１０−１９７９１号公報には、
ウェーハ表面に光を照射して半導体に光を一旦吸収させ
半導体で発生したルミネッセンス光の強度の分布をＣＣ
Ｄカメラで撮像し、撮像画像を画像処理することにより
ウェーハ表面のスリップ等の欠陥の有無を検査するとい
う発明が記載されている。Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 10-19971 discloses that
The intensity distribution of the luminescence light generated by the semiconductor by irradiating the wafer surface with the light and once absorbing the light by the semiconductor
An invention is described in which an image is taken by a D camera, and an image processing is performed on the taken image to check for a defect such as a slip on a wafer surface.
【００１５】しかしルミネッセンス光の強度の分布を画
像処理してスリップ等の欠陥の有無を判別する処理は非
常に煩雑なものとなる。However, the process of determining the presence or absence of a defect such as a slip by performing image processing on the distribution of the intensity of the luminescent light becomes very complicated.
【００１６】したがって煩雑な画像処理が不要で簡易に
検査できることが望まれている。Therefore, it is desired that a simple inspection can be performed without complicated image processing.
【００１７】本発明はこうした実状に鑑みてなされたも
のであり、半導体ウェーハ等の物体の表面に生じたスリ
ップ等のあらゆる欠陥を、簡易な構成で、しかも精度よ
く検査できるようにすることを解決課題とするものであ
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and solves the problem that any defect such as slip generated on the surface of an object such as a semiconductor wafer can be inspected with a simple structure and with high accuracy. It is an issue.
【００１８】[0018]
【課題を解決するための手段および効果】本発明の第１
発明は、上記解決課題を達成するために、物体表面で、
光を反射させて、前記物体表面で反射した光を捕らえる
ことにより前記物体表面の欠陥を検査する物体表面の欠
陥検査方法において、前記光を正反射方向から捕らえた
ときに物体表面の欠陥がない表面部分と欠陥がある欠陥
部分とで結像状態の差が生じるように所定の像を、像空
間に形成し、前記像空間に形成された前記所定の像を、
正反射方向から捕らえることにより、前記結像状態差に
応じて前記表面部分と欠陥部分とを判別することを特徴
とする。Means and Effects for Solving the Problems The first aspect of the present invention.
The present invention provides, on an object surface,
In a defect inspection method for an object surface, which inspects a defect on the object surface by reflecting light and capturing light reflected on the object surface, there is no defect on the object surface when the light is captured from a regular reflection direction. A predetermined image is formed in an image space so that a difference in imaging state occurs between a surface portion and a defective portion having a defect, and the predetermined image formed in the image space is formed.
It is characterized in that the surface portion and the defective portion are distinguished according to the difference in the imaging state by capturing from the regular reflection direction.
【００１９】第１発明を図３、図４（ｂ）、図１０を参
照して説明する。The first invention will be described with reference to FIGS. 3, 4B and 10. FIG.
【００２０】第１発明によれば、物体表面４を正反射方
向Ａから捕らえたときに物体表面４の欠陥がない表面部
分５と欠陥がある欠陥部分６とで結像状態の差が生じる
ように所定の像７が、像空間１５に形成される。According to the first aspect, when the object surface 4 is captured in the regular reflection direction A, a difference in imaging state occurs between the defect-free surface portion 5 and the defect-free surface portion 6 of the object surface 4. A predetermined image 7 is formed in the image space 15.
【００２１】そして像空間１５に形成された所定の像７
が、正反射方向Ａから捕らえられることにより、結像状
態差に応じて表面部分５と欠陥部分６とが判別される。
具体的にはスリット３の像が良好に結像している部分５
ではスリップ６が無いと判別され、スリット３の像が結
像していない部分６（ないしは結像されているものの結
像状態が良好でない部分）ではスリップ６が存在してい
ると判別される。The predetermined image 7 formed in the image space 15
Are detected from the specular reflection direction A, so that the surface portion 5 and the defective portion 6 are determined according to the imaging state difference.
Specifically, a portion 5 where the image of the slit 3 is well formed
It is determined that the slip 6 does not exist, and the slip 6 is determined to be present in a portion 6 where the image of the slit 3 is not formed (or a portion where the image is formed but the image formation state is not good).
【００２２】このように第１発明によれば上記所定の像
７を像空間１５に形成してこれを正反射方向Ａから捕ら
えるという簡易な構成で、精度よく欠陥６の有無を検査
することができる。また正反射方向Ａで光を捕らえれば
よく、従来技術のようにスリップで発生した散乱光を特
定方向から捕らえる必要がないので、事前に結晶面方位
のデータを入力する必要がない。またスリップ以外の欠
陥をも検査することができる。As described above, according to the first aspect, the presence or absence of the defect 6 can be inspected accurately with a simple configuration in which the predetermined image 7 is formed in the image space 15 and captured from the regular reflection direction A. it can. In addition, light only needs to be captured in the regular reflection direction A, and it is not necessary to capture scattered light generated by slipping from a specific direction as in the related art, so that it is not necessary to input crystal plane orientation data in advance. Defects other than slip can also be inspected.
【００２３】また第２発明は、第１発明において、前記
所定の像は、像の形成状態に応じて焦点調節が可能な所
定パターンの像であることを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the predetermined image is an image having a predetermined pattern whose focus can be adjusted according to an image forming state.
【００２４】第２発明によれば、所定パターン３（スリ
ット３）の像７が、像空間１５に形成されたときに、そ
のパターン３の像７の形成状態つまりエッジ部分が明瞭
になったことを確認することで容易に焦点を合わせるこ
とができる。According to the second aspect, when the image 7 of the predetermined pattern 3 (slit 3) is formed in the image space 15, the formation state of the image 7 of the pattern 3, that is, the edge portion becomes clear. Can be easily focused.
【００２５】また第３発明は、物体表面で、光を反射さ
せて、前記物体表面で反射した光を捕らえることにより
前記物体表面の欠陥を検査する物体表面の欠陥検査装置
において、前記光を正反射方向から捕らえたときに物体
表面の欠陥がない表面部分と欠陥がある欠陥部分とで結
像状態の差が生じるように所定の像を、像空間に形成す
る像形成手段と、前記像空間に形成された前記所定の像
を、正反射方向で撮像する撮像手段とを具え、前記撮像
手段で撮像された前記所定の像の結像状態差に応じて前
記表面部分と欠陥部分とを判別することを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, there is provided a defect inspection apparatus for inspecting a defect on the surface of an object by reflecting light on the surface of the object and capturing the light reflected on the surface of the object. Image forming means for forming a predetermined image in an image space so that a difference in imaging state occurs between a surface portion having no defect on the object surface and a defective portion having a defect when captured from the reflection direction; and Imaging means for imaging the predetermined image formed in the image in the regular reflection direction, and discriminating between the surface portion and the defective portion according to an image formation state difference of the predetermined image imaged by the imaging means. It is characterized by doing.
【００２６】第３発明を図１、図２（ｂ）を参照して説
明する。The third invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2 (b).
【００２７】第３発明によれば、物体表面４で反射され
た反射光Ｌ2を正反射方向Ａで検出したときに物体表面
４の欠陥がない表面部分５と欠陥がある欠陥部分６とで
結像状態の差が生じるように所定の像７が、像空間１５
に形成される。According to the third aspect, when the reflected light L2 reflected on the object surface 4 is detected in the regular reflection direction A, the surface portion 5 having no defect on the object surface 4 and the defect portion 6 having the defect are connected. The predetermined image 7 is placed in the image space 15 so that a difference in image state occurs.
Formed.
【００２８】そして像空間１５に形成された所定の像７
が、正反射方向Ａで撮像手段９によって撮像される。The predetermined image 7 formed in the image space 15
Is imaged by the imaging means 9 in the regular reflection direction A.
【００２９】そして撮像手段９で撮像された所定の像７
の結像状態差に応じて欠陥のない表面部分５と欠陥部分
６とが判別される。The predetermined image 7 picked up by the image pickup means 9
The defect-free surface portion 5 and the defect portion 6 are determined according to the difference in the imaging state.
【００３０】このように第３発明によれば第１発明と同
様に上記所定の像７を像空間１５に形成してこれを正反
射方向Ａで撮像するという簡易な構成で、精度よく欠陥
６の有無を検査することができる。また正反射方向Ａで
光を撮像すればよく、従来技術のようにスリップで発生
した散乱光を特定方向から検出する必要がないので、事
前に結晶面方位のデータを入力する必要がない。またス
リップ以外の欠陥をも検査することができる。As described above, according to the third aspect, similarly to the first aspect, the predetermined image 7 is formed in the image space 15 and is picked up in the regular reflection direction A. Can be inspected. In addition, light may be imaged in the regular reflection direction A, and it is not necessary to detect scattered light generated by slipping from a specific direction as in the related art, so that there is no need to input crystal plane orientation data in advance. Defects other than slip can also be inspected.
【００３１】さらに正反射方向Ａで光強度の大きい正反
射光Ｌ2の像７を撮像できればよい。このため光強度の
小さい散乱光を撮像する場合と比較して撮像手段９とし
ては感度が低くても済む。このため検査装置のコストを
低減することができる。Further, it is sufficient that the image 7 of the regular reflection light L2 having a large light intensity in the regular reflection direction A can be captured. For this reason, the sensitivity of the imaging unit 9 may be lower than in the case of imaging scattered light with low light intensity. For this reason, the cost of the inspection device can be reduced.
【００３２】また第４発明は、第３発明において、前記
投影手段は、前記物体表面に向けて光を照射する光照射
手段と、前記光照射手段と前記物体表面との間に介在さ
れ前記所定の像に対応するパターンの光を透過させる光
透過手段とからなることを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect, the projecting means includes a light irradiating means for irradiating the object surface with light, and the predetermined means interposed between the light irradiating means and the object surface. And a light transmitting means for transmitting light of a pattern corresponding to the image of (1).
【００３３】第４発明によれば、光照射手段１によって
光が物体表面４に向けて光が照射される。そして光透過
手段２によって所定パターン３（スリット３）の光が透
過され、像空間１５に所定の像７が形成される。According to the fourth aspect, the light is irradiated by the light irradiation means 1 toward the object surface 4. Then, the light of the predetermined pattern 3 (slit 3) is transmitted by the light transmitting means 2, and the predetermined image 7 is formed in the image space 15.
【００３４】また第５発明は、第３発明または第４発明
において、前記所定の像は、像の形成状態に応じて焦点
調節が可能な所定パターンの像であることを特徴とす
る。According to a fifth aspect of the present invention, in the third or fourth aspect, the predetermined image is an image having a predetermined pattern whose focus can be adjusted according to an image forming state.
【００３５】第５発明によれば、所定パターン３（スリ
ット３）の像７が、像空間１５に形成されたときに、そ
のパターン３の像７の形成状態つまりエッジ部分が明瞭
になったことを確認することで容易に焦点を合わせるこ
とができる。According to the fifth aspect, when the image 7 of the predetermined pattern 3 (slit 3) is formed in the image space 15, the formation state of the image 7 of the pattern 3, that is, the edge portion becomes clear. Can be easily focused.
【００３６】[0036]
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明に係る
物体表面の検査方法および検査装置の実施の形態につい
て説明する。なお本実施形態では物体表面として半導体
ウェーハの表面を想定している。また欠陥としては半導
体ウェーハの表面に生じたスリップを想定している。し
かし本発明としてはスリップ以外のあらゆる欠陥の検査
に適用可能である。たとえばウェーハ表面に生じたスク
ラッチ傷、またゴミ等の異物の検査に適用可能である。
また本発明としては半導体ウェーハに限定されることな
くあらゆる鏡面仕上げの物体表面で生じた欠陥の検査に
適用可能である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of an object surface inspection method and apparatus according to the present invention; In this embodiment, the surface of the semiconductor wafer is assumed as the object surface. The defect is assumed to be a slip generated on the surface of the semiconductor wafer. However, the present invention is applicable to inspection of any defect other than slip. For example, the present invention can be applied to inspection of foreign substances such as scratches and dust generated on the wafer surface.
The present invention is not limited to semiconductor wafers and is applicable to inspection of defects generated on any mirror-finished object surface.
【００３７】図１は実施形態の半導体ウェーハ検査装置
の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a semiconductor wafer inspection apparatus according to the embodiment.
【００３８】この装置は半導体ウェーハの表面４に生じ
たスリップ６の有無、その位置、その長さを検査する装
置である。This apparatus is for inspecting the presence or absence, the position, and the length of the slip 6 generated on the surface 4 of the semiconductor wafer.
【００３９】同図１に示すように光源１はウェーハ表面
４に向けて入射光Ｌ1を照射する。光源１はたとえば蛍
光灯を使用することができる。As shown in FIG. 1, the light source 1 emits incident light L 1 toward the wafer surface 4. As the light source 1, for example, a fluorescent lamp can be used.
【００４０】光源１とウェーハ表面４との間には、スリ
ット３が印刷され光Ｌ1を透過させるシート２が介在さ
れている。Between the light source 1 and the wafer surface 4, there is provided a sheet 2 on which a slit 3 is printed and which transmits the light L1.
【００４１】シート２は透明のＯＨＰ（オーバーヘッド
プロジェクタ）用シートを使用することができる。スリ
ット３は黒ライン３ａを平行に一定間隔で配列してなる
ものである。黒ライン３ａの幅と下地の透明ラインの幅
はたとえば１：１に設定されている。黒ライン３ａの幅
はたとえば０．５ｍｍに設定される。なお１ｍｍ、２、
０ｍｍ、３．０ｍｍであってもよい。As the sheet 2, a transparent OHP (overhead projector) sheet can be used. The slit 3 is formed by arranging black lines 3a in parallel at regular intervals. The width of the black line 3a and the width of the underlying transparent line are set to, for example, 1: 1. The width of the black line 3a is set to, for example, 0.5 mm. Note that 1 mm, 2,
It may be 0 mm or 3.0 mm.
【００４２】なおシート２の表面に印刷するパターンと
しては、上記スリット３のごとき黒ライン３ａを平行に
一定間隔で配列したものに限定されるわけではない。た
とえば図６（ａ）に示すようにシート２に印刷すべきパ
ターンとしては、同心円状に黒色の円を配列したもので
もよい。また図６（ｂ）に示すようにシート２に印刷す
べきパターンとしては、放射状に黒ラインを配列したも
のでもよい。The pattern to be printed on the surface of the sheet 2 is not limited to a pattern in which the black lines 3a such as the slits 3 are arranged in parallel at regular intervals. For example, as shown in FIG. 6A, the pattern to be printed on the sheet 2 may be a pattern in which black circles are arranged concentrically. As shown in FIG. 6B, the pattern to be printed on the sheet 2 may be a pattern in which black lines are radially arranged.
【００４３】要するにシート２に印刷すべきパターンと
しては、図１０に示すように当該パターンの像７を像空
間１５に形成したときに、そのパターンの輪郭（図１０
の場合にはスリット３の輪郭）が明瞭になったことを確
認することで焦点を合わせることができるようなパター
ンであればよい。そして正反射方向Ａで像７を撮像した
ときにウェーハ表面４のスリップ６がない部分５とスリ
ップ６がある部分６とで結像状態の差が明確にでる一定
規則のパターンであればよい。In short, as a pattern to be printed on the sheet 2, when the image 7 of the pattern is formed in the image space 15 as shown in FIG.
In this case, any pattern can be used as long as it can be focused by confirming that the outline of the slit 3 is clear. Then, when the image 7 is captured in the regular reflection direction A, a pattern having a regular rule can be used so that the difference in the imaging state between the portion 5 having no slip 6 and the portion 6 having the slip 6 on the wafer surface 4 is clear.
【００４４】さらにいえば何らかの手段でパターンの焦
点を合わせることができれば、シート２に印刷されるべ
きパターンとしては規則正しいことは要求されない。た
とえば図６（ｃ）に示すようにシート２に一面黒色に塗
りつぶされた四角形を印刷しておいてもよい。この場合
も正反射方向Ａで像７を撮像したときにウェーハ表面４
のスリップ６がない部分５とスリップ６がある部分６と
で結像状態に差を生じさせることができる。Furthermore, if the pattern can be focused by any means, it is not required that the pattern to be printed on the sheet 2 be regular. For example, as shown in FIG. 6C, a square which is painted black on one surface may be printed on the sheet 2. Also in this case, when the image 7 is captured in the regular reflection direction A, the wafer surface 4
It is possible to cause a difference in the imaging state between the portion 5 having no slip 6 and the portion 6 having the slip 6.
【００４５】以上述べた光源１とシート２とによって像
形成手段が構成される。The light source 1 and the sheet 2 described above constitute an image forming means.
【００４６】図１０は図１の構成においてシート２の像
７が形成される様子を示す図である。FIG. 10 is a view showing a state in which the image 7 of the sheet 2 is formed in the configuration of FIG.
【００４７】光源１からシート２に入射光Ｌ1に照射さ
れると、ウェーハ表面４を反射鏡として光が反射され
る。ここで反射光Ｌ2は、反射の法則によると、シート
２のウェーハ表面４に対して対称な場所７から出るよう
な方向Ａをとる。よって正反射方向Ａに反射される反射
光Ｌ2を捕らえることで、実際のシート２の対称点に虚
像７としてのシート２が存在するように撮像される（見
える）。すなわち図１０において実際のシート２が存在
する空間を実空間１４としたとき、ウェーハ表面４に対
して対称な空間に、虚空間としての像空間１５が形成さ
れる。像空間１５に、実空間１４の実際のシート２と大
きさが等しく形態が対称なシート２の像７が形成され
る。When the sheet 2 is irradiated with the incident light L 1 from the light source 1, the light is reflected using the wafer surface 4 as a reflecting mirror. Here, according to the law of reflection, the reflected light L2 has a direction A such that the reflected light L2 leaves a place 7 symmetrical with respect to the wafer surface 4 of the sheet 2. Therefore, by capturing the reflected light L2 reflected in the regular reflection direction A, an image is taken (visible) so that the sheet 2 as the virtual image 7 exists at the symmetrical point of the actual sheet 2. That is, assuming that the space where the actual sheet 2 exists in FIG. 10 is a real space 14, an image space 15 as an imaginary space is formed in a space symmetrical with respect to the wafer surface 4. In the image space 15, the image 7 of the sheet 2 having the same size and the symmetrical shape as the actual sheet 2 in the real space 14 is formed.
【００４８】光を正反射する方向Ａには、像７を撮像す
るＣＣＤカメラ９が設けられている。つまりＣＣＤカメ
ラ９としては光強度の大きい正反射光Ｌ2を検出できれ
ばよい。このため光強度の小さい散乱光を検出する従来
の場合と比較して感度が低くても済む。このため検査装
置全体のコストを低減することができる。ＣＣＤカメラ
９としてはキーエンス社製の型式ＨＶ−７０００のマイ
クロスコープを使用することができる。このマイクロス
コープは１５０万画素であり倍率は５倍である。In the direction A for regular reflection of light, a CCD camera 9 for picking up an image 7 is provided. That is, the CCD camera 9 only needs to detect the regular reflection light L2 having a large light intensity. For this reason, the sensitivity may be lower than in the conventional case of detecting scattered light with low light intensity. For this reason, the cost of the entire inspection apparatus can be reduced. As the CCD camera 9, a microscope of model HV-7000 manufactured by Keyence Corporation can be used. This microscope has 1.5 million pixels and a magnification of 5 times.
【００４９】ＣＣＤカメラ９の撮像信号は表示装置１０
に入力される。この表示装置１０の表示画面１０ａには
像空間１５上の像７が表示される。The image pickup signal of the CCD camera 9 is transmitted to the display device 10.
Is input to The image 7 in the image space 15 is displayed on the display screen 10a of the display device 10.
【００５０】表示内容を図２（ａ）、（ｂ）に示す。図
２（ａ）はウェーハ表面４にスリップ６が無い場合の表
示結果である。図２（ｂ）はウェーハ表面４にスリップ
６が存在している場合の表示結果である。The display contents are shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b). FIG. 2A is a display result when the slip 6 does not exist on the wafer surface 4. FIG. 2B is a display result when the slip 6 exists on the wafer surface 4.
【００５１】つぎに上記検査装置の動作について説明す
る。Next, the operation of the inspection apparatus will be described.
【００５２】まずオペレータとしては、光源１の焦点距
離の調整処理を行う。具体的には像７を撮像してシート
２の表面のスリット３の形成状態を基準にして焦点を合
わせる処理を行う。スリット３を示す像７は表示装置１
０の表示画面１０ａに表示される。表示画面１０ａ上で
スリット３のエッジ部分が背景に対して明瞭になったと
きをもって焦点が合ったものと判断する。この焦点距離
の調整処理は自動的に行ってもよく手動で行ってもよ
い。First, as an operator, the focal length of the light source 1 is adjusted. More specifically, a process of capturing an image 7 and focusing on the basis of the state of formation of the slit 3 on the surface of the sheet 2 is performed. The image 7 showing the slit 3 is the display device 1
0 is displayed on the display screen 10a. It is determined that focus has been achieved when the edge portion of the slit 3 becomes clear with respect to the background on the display screen 10a. The processing for adjusting the focal length may be performed automatically or manually.
【００５３】図７は焦点１１がシート２の表面のスリッ
ト３に合わせられた状態を示している。このときスリッ
ト３の像７はそのエッジ部分が最も明瞭となっている。
なお図７において実線で示す１２は実像であり破線で示
す１３は虚像である。FIG. 7 shows a state where the focal point 11 is set to the slit 3 on the surface of the sheet 2. At this time, the edge portion of the image 7 of the slit 3 is clearest.
In FIG. 7, 12 indicated by a solid line is a real image, and 13 indicated by a broken line is a virtual image.
【００５４】つぎにウェーハ表面４と光源１との相対位
置を変化させることによりウェーハ表面４の各部でのス
リップ６の有無の検査が逐次行われる。具体的にはウェ
ーハをステージ上に搭載しこのステージを順次移動させ
ることによりウェーハ表面４の各部に対応する像７が表
示装置１０の表示画面１０ａに順次表示される。Next, by changing the relative position between the wafer surface 4 and the light source 1, the inspection for the presence or absence of the slip 6 at each part of the wafer surface 4 is sequentially performed. Specifically, an image 7 corresponding to each part of the wafer surface 4 is sequentially displayed on the display screen 10a of the display device 10 by mounting the wafer on the stage and sequentially moving the stage.
【００５５】図２（ａ）はスリップ６が無い状態を示し
ている。表示画面１０ａには、規則正しく配列されたス
リット３を示す像７が表示される。すなわちスリット３
の結像状態は全体的に良好となっている。このようにス
リット３の結像状態が全体的に良好でありスリット３が
規則正しく配列されている表示内容からオペレータは、
スリップ６が無いと判断することができる。FIG. 2A shows a state where there is no slip 6. On the display screen 10a, an image 7 showing the regularly arranged slits 3 is displayed. That is, slit 3
Is generally good. From the display contents in which the image forming state of the slit 3 is generally good and the slits 3 are regularly arranged in this manner, the operator
It can be determined that there is no slip 6.
【００５６】図２（ｂ）はスリップ６が存在している状
態を示している。このとき同図２（ｂ）に示すように表
示画面１０ａには、スリップ６が生じている部分とスリ
ップ６が無い部分５とで結像状態に差が生じる。これは
つぎの理由による。FIG. 2B shows a state where the slip 6 exists. At this time, as shown in FIG. 2B, on the display screen 10a, there is a difference in the imaging state between the portion where the slip 6 occurs and the portion 5 where the slip 6 does not exist. This is for the following reason.
【００５７】１）ウェーハ表面４が鏡面状態であること
を前提としてシート２の表面のスリット３に焦点が合わ
せられているので、ウェーハ表面４に対して段差のある
スリップ６の部分では鏡面ではなくなり、スリップ６で
反射された光線は焦点が合わなくなる。このためスリッ
プ６の無いスリップ無し部分５ではスリット３が明瞭に
表示され、スリップ６がある部分ではスリット３はぼや
けて表示される。1) Since the slit 3 on the surface of the sheet 2 is focused on the premise that the wafer surface 4 is in a mirror state, the portion of the slip 6 having a step with respect to the wafer surface 4 is not a mirror surface. The light rays reflected by the slip 6 are out of focus. Therefore, the slit 3 is clearly displayed in the non-slip portion 5 where no slip 6 is present, and the slit 3 is displayed blurred in the portion where the slip 6 exists.
【００５８】２）またＣＣＤカメラ９では鏡面仕上げの
ウェーハ表面４で正反射した光Ｌ2が検出される。逆に
鏡面ではない段差のあるスリップ６では散乱されるた
め、正反射した光Ｌ2を検出することができない。この
ためスリップ６の無いスリップ無し部分５では光強度が
大きくなりスリップ６がある部分では光強度は小さくな
る。2) The CCD camera 9 detects light L2 that is specularly reflected from the mirror-finished wafer surface 4. On the other hand, since the light is scattered by the slip 6 having a step which is not a mirror surface, the light L2 reflected specularly cannot be detected. For this reason, the light intensity increases in the non-slip portion 5 where no slip 6 exists, and the light intensity decreases in the portion where the slip 6 exists.
【００５９】この結果図８（ａ）に示すようにウェーハ
表面４で反射した光線Ｓ1、Ｓ2に対応する部分Ｒ1、Ｒ2
ではスリット３の像７が良好に結像される。しかし段差
６（スリップ）で反射した光線Ｓ3に対応する部分Ｒ3で
はスリット３の像７は結像されない。As a result, as shown in FIG. 8A, the portions R1, R2 corresponding to the light beams S1, S2 reflected on the wafer surface 4
Thus, the image 7 of the slit 3 is favorably formed. However, the image 7 of the slit 3 is not formed in the portion R3 corresponding to the light beam S3 reflected by the step 6 (slip).
【００６０】以上の理由から図２（ｂ）に示すように、
スリップ６が生じている部分とスリップ６が無い部分５
とで結像状態差が生じ、スリップ６のある部分ではスリ
ット３が欠落して（白く浮き出て）表示される。しかも
スリット３は規則正しいパターンで配列されているの
で、スリップ６が生じている部分では規則正しさが崩れ
て表示される。よってオペレータは上記結像状態差の違
いとあいまってパターンの規則正しさが崩れたことをも
ってスリップ６を明確に認識することができる。For the above reasons, as shown in FIG.
Part where slip 6 occurs and part 5 where no slip 6 occurs
And a difference in the imaging state occurs, and the slit 3 is missing (appears white) and displayed at a portion where the slip 6 exists. In addition, since the slits 3 are arranged in a regular pattern, the regularity is distorted and displayed in a portion where the slip 6 occurs. Therefore, the operator can clearly recognize the slip 6 when the regularity of the pattern is broken due to the difference in the imaging state difference.
【００６１】このようにオペレータは、スリット３の像
が良好に結像された部分５ではスリップ６が無いと判別
し、スリット３の像が結像していない欠落部分６ではス
リップ６が存在していると判別することができる。As described above, the operator determines that there is no slip 6 in the portion 5 where the image of the slit 3 is well formed, and the slip 6 exists in the missing portion 6 where the image of the slit 3 is not formed. Can be determined.
【００６２】なおスリット３の代わりに図６（ａ）、
（ｂ）に示す規則正しいパターンを使用しても同様の効
果が得られる。さらにスリット３の代わりに図６（ｃ）
に示す一面黒色に塗りつぶされた四角形を使用しても、
スリップ６が生じている部分とスリップ６が無い部分５
とで結像状態差が生じ、スリップ６がスリット３の欠落
部分として白く浮き出て表示されるので、スリップ６を
明確に認識することができる。It should be noted that, instead of the slit 3, FIG.
The same effect can be obtained by using the regular pattern shown in FIG. 6C instead of the slit 3
Even if you use the square that is painted black on one side shown in
Part where slip 6 occurs and part 5 where no slip 6 occurs
And a difference in the imaging state occurs, and the slip 6 is displayed in white as a missing portion of the slit 3, so that the slip 6 can be clearly recognized.
【００６３】以上のようにして表示装置１０の表示画面
１０ａを目視することによりスリップ６が生じたウェー
ハ上の位置、スリップ６の長さを認識することができ
る。スリップ６の位置はステージの移動位置に基づいて
計測することができる。またスリップ６の長さは、スリ
ット３に対する相対的な大きさから認識することができ
る。具体的には白く浮き出ている部分（スリップ６）に
対応する黒ライン３ａの本数を求めるとともに、白く浮
き出ている部分（スリップ６）が黒ライン３ａに交差す
る角度を求め、これら黒ライン３ａの本数と黒ライン３
ａの幅と黒ライン３ａに交差する角度とに基づいてスリ
ップ６の長さを計算することができる。As described above, the position on the wafer where the slip 6 has occurred and the length of the slip 6 can be recognized by visually observing the display screen 10a of the display device 10. The position of the slip 6 can be measured based on the movement position of the stage. Further, the length of the slip 6 can be recognized from the size relative to the slit 3. More specifically, the number of black lines 3a corresponding to the white protruding portion (slip 6) is determined, and the angle at which the white protruding portion (slip 6) intersects the black line 3a is determined. Number and black line 3
The length of the slip 6 can be calculated based on the width of a and the angle intersecting the black line 3a.
【００６４】なおＣＣＤカメラ９の撮像結果に基づいて
画像処理を施すことによってスリップ６の位置、長さを
自動的に計測してもよい。The position and length of the slip 6 may be automatically measured by performing image processing based on the image pickup result of the CCD camera 9.
【００６５】図５（ａ）はＣＣＤカメラ９で実際に撮像
された画像を示している。スリップ６がスリット３上に
明確に白く浮かび上がっているのが確認された。FIG. 5A shows an image actually picked up by the CCD camera 9. It was confirmed that the slip 6 clearly appeared white on the slit 3.
【００６６】図５（ｂ）は図５（ａ）の画像に対して明
度差を強調処理するエッジ処理を施した後の画像を示し
ている。エッジ処理の程度を大きくする程スリップ６を
より明確に認識することができた。FIG. 5B shows an image after edge processing for enhancing the brightness difference is performed on the image of FIG. 5A. The slip 6 could be more clearly recognized as the degree of edge processing was increased.
【００６７】図５（ｃ）は図５（ａ）の画像に対して明
暗を逆転させるレリーフ処理を施した後の画像を示して
いる。レリーフ処理後の画像ではスリップ６の存在の確
認が逆に難しくなった。レリーフ処理の程度を大きくす
る程スリップ６の存在の確認がより難しくなった。FIG. 5 (c) shows an image after the relief processing for inverting the brightness is performed on the image of FIG. 5 (a). On the image after the relief processing, it was difficult to confirm the existence of the slip 6. The greater the degree of the relief processing, the more difficult it was to confirm the presence of the slip 6.
【００６８】上記実施形態ではＣＣＤカメラ９の撮像画
像を表示してスリップ６の検査を行うようにしている。
しかし像７を目視することによってスリップ６の検査を
行うようにしてもよい。In the above embodiment, the image of the CCD camera 9 is displayed and the slip 6 is inspected.
However, the inspection of the slip 6 may be performed by viewing the image 7.
【００６９】図３は図１の構成と比較してＣＣＤカメラ
９、表示装置１０を設けることなく目視で検査を行う装
置を示している。ＣＣＤカメラ９の代わりに、正反射方
向Ａに反射した光Ｌ2が目視で捕らえられる。FIG. 3 shows an apparatus for performing a visual inspection without providing a CCD camera 9 and a display device 10 as compared with the configuration of FIG. Instead of the CCD camera 9, light L2 reflected in the regular reflection direction A is captured visually.
【００７０】＿図４（ａ）はスリップ６が無い状態を示
している。スリット３の結像状態が全体的に良好であり
スリット３が規則正しく配列されていることを目視で確
認して、オペレータは、スリップ６が無いと判断するこ
とができる。FIG. 4A shows a state where there is no slip 6. By visually checking that the imaging state of the slits 3 is generally good and the slits 3 are regularly arranged, the operator can determine that there is no slip 6.
【００７１】図４（ｂ）はスリップ６が存在している状
態を示している。FIG. 4B shows a state where the slip 6 exists.
【００７２】このとき同図４（ｂ）に示すように人間の
眼でみたときに、図２（ｂ）のＣＣＤカメラ９で撮像し
たときと同様に、スリップ６が生じている部分とスリッ
プ６が無い部分５とで結像状態に差が生じる。すなわち
図８（ａ）に示すようにウェーハ表面４で反射した光線
Ｓ1、Ｓ2に対応する部分Ｒ1、Ｒ2ではスリット３の像７
が良好に結像される。しかし段差６（スリップ）で反射
した光線Ｓ3に対応する部分Ｒ3ではスリット３の像は良
好には結像されない。At this time, as seen from the human eye as shown in FIG. 4B, in the same manner as when the image was taken by the CCD camera 9 in FIG. There is a difference in the image formation state between the portion 5 having no mark and the portion 5 having no mark. That is, as shown in FIG. 8 (a), in the portions R1 and R2 corresponding to the light beams S1 and S2 reflected on the wafer surface 4, the image 7 of the slit 3 is formed.
Are imaged well. However, the image of the slit 3 is not well formed in the portion R3 corresponding to the light beam S3 reflected by the step 6 (slip).
【００７３】以上の理由から図４（ｂ）に示すように人
間の眼でみたときに、スリップ６が生じている部分とス
リップ６が無い部分５とで結像状態差が生じ、スリップ
６のある部分ではスリット３のパターンがずれて表示さ
れる。しかもスリット３は規則正しいパターンで配列さ
れているので、スリップ６が生じている部分では規則正
しさが崩れて表示される。よってオペレータは上記結像
状態差の違いとあいまってパターンの規則正しさが崩れ
たことをもってスリップ６を明確に認識することができ
る。For the above reasons, as shown in FIG. 4 (b), when viewed with human eyes, a difference in imaging state occurs between the portion where the slip 6 occurs and the portion 5 where the slip 6 does not exist. In a certain portion, the pattern of the slit 3 is displayed with a shift. In addition, since the slits 3 are arranged in a regular pattern, the regularity is distorted and displayed in a portion where the slip 6 occurs. Therefore, the operator can clearly recognize the slip 6 when the regularity of the pattern is broken due to the difference in the imaging state difference.
【００７４】ところで図２（ｂ）と図４（ｂ）を比較す
ると、ＣＣＤカメラ９の撮像画像ではスリップ６はスリ
ット３の欠落部分として白く浮き出たものとして観察さ
れるのに対して、目視ではスリップ６はスリット３のず
れとして観察されるという違いがある。これはＣＣＤカ
メラ９の分解能、焦点深度等が人間の眼よりも劣るため
であると考えられる。しかしＣＣＤカメラ９の分解能、
焦点深度等を人間の眼と同等に設定すれば、人間の眼で
みたのと同等の図４（ｂ）に示す画像を撮像することが
できる。またＣＣＤカメラ９の倍率を上げることによっ
て人間の眼以上の計測が可能となる。By the way, comparing FIG. 2B and FIG. 4B, in the image picked up by the CCD camera 9, the slip 6 is observed as a white portion as a missing portion of the slit 3, whereas the slip 6 is visually observed. There is a difference that the slip 6 is observed as a shift of the slit 3. This is considered to be because the resolution, the depth of focus, and the like of the CCD camera 9 are inferior to those of human eyes. However, the resolution of the CCD camera 9
If the depth of focus or the like is set equal to that of the human eye, the image shown in FIG. 4B equivalent to that seen by the human eye can be captured. In addition, by increasing the magnification of the CCD camera 9, it becomes possible to perform measurement beyond human eyes.
【００７５】以上のように本実施形態によれば、シート
２の表面の像７を像空間１５に形成してこの像７を正反
射方向Ａで目視したりＣＣＤカメラ９等の撮像手段で撮
像するという簡易な構成で、精度よくスリップ６等の欠
陥の有無、位置、長さ等を検査することができる。また
正反射方向Ａで光を捕らえればよく、従来技術のように
スリップ６で発生した散乱光を特定方向で捕らえる必要
がないので、事前に結晶面方位（特定方向）のデータを
入力する必要がない。As described above, according to the present embodiment, the image 7 of the surface of the sheet 2 is formed in the image space 15 and the image 7 is visually observed in the specular reflection direction A or imaged by the imaging means such as the CCD camera 9. With such a simple configuration, the presence / absence, position, length and the like of a defect such as the slip 6 can be inspected with high accuracy. Further, it is only necessary to catch light in the regular reflection direction A, and it is not necessary to catch the scattered light generated by the slip 6 in a specific direction as in the prior art. Therefore, it is necessary to input crystal plane orientation (specific direction) data in advance. There is no.
【００７６】またスリップ６以外の欠陥をも検査するこ
とができる。たとえば図８（ｂ）はウェーハ表面４に生
じた凸状の異物６′を検査する様子を示している。同図
８（ａ）に示すようにウェーハ表面４で反射した光線Ｓ
1、Ｓ2に対応する部分Ｒ1、Ｒ2ではスリット３の像７が
良好に結像される。しかし異物６′で反射した光線Ｓ3
に対応する部分Ｒ3ではスリット３の像は結像されない
か良好には結像されない。この結果図２（ｂ）に示すよ
うに、異物６′のある部分ではスリット３が欠落して
（白く浮き出て）表示される。あるいは図４（ｂ）に示
すように、異物６′のある部分ではスリット３のパター
ンがずれて表示される。Further, defects other than the slip 6 can be inspected. For example, FIG. 8B shows a state in which a convex foreign matter 6 ′ generated on the wafer surface 4 is inspected. As shown in FIG. 8A, the light beam S reflected on the wafer surface 4
In the portions R1 and R2 corresponding to 1 and S2, the image 7 of the slit 3 is favorably formed. However, the ray S3 reflected by the foreign matter 6 '
In the portion R3 corresponding to the above, the image of the slit 3 is not formed or is not formed well. As a result, as shown in FIG. 2B, the slit 3 is missing (displayed in white) at a portion where the foreign matter 6 'is present. Alternatively, as shown in FIG. 4 (b), the pattern of the slit 3 is displayed with a shift in a portion where the foreign matter 6 'exists.
【００７７】さらにＣＣＤカメラ９のような撮像手段を
用いる場合には、光強度の大きい正反射方向Ａで像７を
撮像することができればよい。このため光強度の小さい
散乱光を撮像する場合と比較して撮像手段としては感度
が低くてもよい。このため検査装置のコストを低減する
ことができる。Further, when an image pickup means such as a CCD camera 9 is used, it is sufficient that the image 7 can be picked up in the regular reflection direction A where the light intensity is high. For this reason, the sensitivity of the imaging means may be lower than in the case of imaging scattered light with low light intensity. For this reason, the cost of the inspection device can be reduced.
【００７８】なお本実施形態では図９（ａ）に示すよう
に透明のシート２の背面から光源１の光を照射して透明
シート２を透過した光をウェーハ表面４で反射させこれ
を正反射方向Ａで捕らえることにより像７を撮像したり
直接目視できるようにしている。しかし本発明としては
像７を像空間１５に形成し像７を正反射方向Ａで捕らえ
ることができる構成であればよい。たとえば図９（ｂ）
に示すように透明シート２の代わりに不透明の板２′を
使用し、任意の位置に設けた光源１の光により不透明板
２′の表面を照射し、不透明板２′の表面の像７を正反
射方向Ａで捕らえるようにしてもよい。In this embodiment, as shown in FIG. 9A, light from the light source 1 is irradiated from the back of the transparent sheet 2 and the light transmitted through the transparent sheet 2 is reflected on the wafer surface 4 and is specularly reflected. By capturing in the direction A, the image 7 can be captured or directly viewed. However, the present invention may have any configuration as long as the image 7 can be formed in the image space 15 and the image 7 can be captured in the regular reflection direction A. For example, FIG.
As shown in FIG. 7, an opaque plate 2 'is used in place of the transparent sheet 2 and the surface of the opaque plate 2' is illuminated by the light of the light source 1 provided at an arbitrary position to form an image 7 on the surface of the opaque plate 2 '. You may make it catch in the regular reflection direction A.
【図１】図１は実施形態のスリップ検査装置の構成例を
示す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of a slip inspection device according to an embodiment;
【図２】図２（ａ）、（ｂ）は、図１に示す表示装置で
表示される内容を示す図である。FIGS. 2A and 2B are diagrams showing contents displayed on the display device shown in FIG. 1. FIG.
【図３】図３は実施形態のスリップ検査装置の他の構成
例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing another configuration example of the slip inspection device of the embodiment.
【図４】図４（ａ）、（ｂ）は目視で捕らえられる内容
を示す図である。FIGS. 4 (a) and 4 (b) are diagrams showing contents visually captured. FIG.
【図５】図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は図１に示すＣＣ
Ｄカメラの撮像画像および撮像画像に所定の処理を施し
た後の処理画像を示す図である。5 (a), 5 (b) and 5 (c) show CCs shown in FIG.
It is a figure which shows the picked-up image of the D camera, and the processed image after performing predetermined processing to the picked-up image.
【図６】図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は実施形態の像の
パターンを例示した図である。FIGS. 6A, 6B, and 6C are diagrams exemplifying an image pattern according to the embodiment;
【図７】図７は焦点に合った状態を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a state in focus.
【図８】図８（ａ）、（ｂ）はウェーハ表面上の欠陥が
ない部分と欠陥がある部分との結像状態差を説明する図
である。FIGS. 8A and 8B are diagrams for explaining an imaging state difference between a portion having no defect on a wafer surface and a portion having a defect. FIG.
【図９】図９（ａ）、（ｂ）は欠陥検査装置の構成例を
説明する図である。FIGS. 9A and 9B are diagrams illustrating a configuration example of a defect inspection apparatus.
【図１０】図１０は像空間に形成される像を説明する図
である。FIG. 10 is a diagram illustrating an image formed in an image space.
１ 光源 ２ シート ３ スリット ４ ウェーハ表面 ５ スリップ無し部分 ６ スリップ ７ 像 ９ ＣＣＤカメラ １０ 表示装置 １５ 像空間 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light source 2 Sheet 3 Slit 4 Wafer surface 5 Non-slip part 6 Slip 7 Image 9 CCD camera 10 Display device 15 Image space
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA49 BB03 BB13 BB25 CC19 DD00 DD10 FF04 FF10 FF44 GG03 HH02 HH06 JJ03 JJ12 JJ26 LL25 LL28 QQ31 SS13 2G051 AA51 AB07 BB07 CA03 CA04 CB01 4M106 AA01 BA04 BA10 BA20 CA38 CA46 CA70 DB04 DB07 DB30 5B057 DA03 DB05 DC16 DC22 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2F065 AA49 BB03 BB13 BB25 CC19 DD00 DD10 FF04 FF10 FF44 GG03 HH02 HH06 JJ03 JJ12 JJ26 LL25 LL28 QQ31 SS13 2G051 AA51 AB07 BB07 CA03 CA04 CB01 BA04CA10 DB30 5B057 DA03 DB05 DC16 DC22
Claims (5)
物体表面で反射した光を捕らえることにより前記物体表
面の欠陥を検査する物体表面の欠陥検査方法において、 前記光を正反射方向から捕らえたときに物体表面の欠陥
がない表面部分と欠陥がある欠陥部分とで結像状態の差
が生じるように所定の像を、像空間に形成し、 前記像空間に形成された前記所定の像を、正反射方向か
ら捕らえることにより、前記結像状態差に応じて前記表
面部分と欠陥部分とを判別することを特徴とする物体表
面の欠陥検査方法。An object surface defect inspection method for inspecting a defect on an object surface by reflecting light on the object surface and capturing light reflected on the object surface, wherein the light is captured from a regular reflection direction. Forming a predetermined image in an image space such that a difference in imaging state occurs between a surface portion having no defect on the object surface and a defective portion having a defect when the predetermined image is formed in the image space. Detecting the surface portion from the specular reflection direction to determine the surface portion and the defect portion according to the imaging state difference.
じて焦点調節が可能な所定パターンの像であることを特
徴とする請求項１記載の物体表面の欠陥検査方法。2. The method according to claim 1, wherein the predetermined image is an image of a predetermined pattern whose focus can be adjusted in accordance with an image formation state.
物体表面で反射した光を捕らえることにより前記物体表
面の欠陥を検査する物体表面の欠陥検査装置において、 前記光を正反射方向から捕らえたときに物体表面の欠陥
がない表面部分と欠陥がある欠陥部分とで結像状態の差
が生じるように所定の像を、像空間に形成する像形成手
段と、 前記像空間に形成された前記所定の像を、正反射方向で
撮像する撮像手段とを具え、前記撮像手段で撮像された
前記所定の像の結像状態差に応じて前記表面部分と欠陥
部分とを判別することを特徴とする物体表面の欠陥検査
装置。3. An object surface defect inspection apparatus for inspecting a defect on an object surface by reflecting light on the object surface and capturing light reflected on the object surface, wherein the light is captured from a regular reflection direction. Image forming means for forming a predetermined image in an image space so that a difference in imaging state occurs between a surface portion having no defect on the object surface and a defective portion having a defect when the image surface is formed. Imaging means for imaging the predetermined image in a specular reflection direction, wherein the surface part and the defect part are distinguished according to an imaging state difference of the predetermined image imaged by the imaging means. Defect inspection device for object surface.
定の像に対応するパターンの光を透過させる光透過手段
とからなることを特徴とする請求項３記載の物体表面の
欠陥検査装置。4. The image forming unit includes: a light irradiating unit that irradiates light toward the surface of the object; and a light having a pattern corresponding to the predetermined image interposed between the light irradiating unit and the surface of the object. 4. An apparatus for inspecting defects on an object surface according to claim 3, further comprising light transmitting means for transmitting light.
て焦点調節が可能な所定パターンの像であることを特徴
とする請求項３または４記載の物体表面の欠陥検査装
置。5. The apparatus according to claim 3, wherein the predetermined image is an image having a predetermined pattern whose focus can be adjusted according to an image forming state.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30548199A JP2001124538A (en) | 1999-10-27 | 1999-10-27 | Method and device for detecting defect in surface of object |
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|---|---|---|---|
| JP30548199A JP2001124538A (en) | 1999-10-27 | 1999-10-27 | Method and device for detecting defect in surface of object |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001124538A true JP2001124538A (en) | 2001-05-11 |
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| JP30548199A Withdrawn JP2001124538A (en) | 1999-10-27 | 1999-10-27 | Method and device for detecting defect in surface of object |
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|---|---|
| JP (1) | JP2001124538A (en) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100387396C (en) * | 2004-04-01 | 2008-05-14 | 上海宏力半导体制造有限公司 | Sliding-vane detecting method for chemical-mechanical grinder platform |
| WO2008116917A1 (en) * | 2007-03-28 | 2008-10-02 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Method for detecting surface defects on a substrate and device using said method |
| JP2010190896A (en) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Carl Zeiss Oim Gmbh | Method and device for optically inspecting surface of object |
| WO2012014092A2 (en) * | 2010-07-30 | 2012-02-02 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and method for three dimensional inspection of wafer saw marks |
| CN103208444A (en) * | 2013-03-15 | 2013-07-17 | 上海华力微电子有限公司 | Monitoring method for preventing wafer crack |
| CN104330061A (en) * | 2014-11-13 | 2015-02-04 | 山东温声玻璃有限公司 | Device for detecting glass flatness |
| CN104458764A (en) * | 2014-12-14 | 2015-03-25 | 中国科学技术大学 | Curved uneven surface defect identification method based on large-field-depth stripped image projection |
| JP2016112947A (en) * | 2014-12-12 | 2016-06-23 | 三菱航空機株式会社 | Method and system for appearance inspection of aircraft |
| CN112986258A (en) * | 2021-02-09 | 2021-06-18 | 厦门威芯泰科技有限公司 | Surface defect detection device and method for judging surface where surface defect is located |
| CN117558645A (en) * | 2024-01-09 | 2024-02-13 | 武汉中导光电设备有限公司 | Big data Wafer defect determination method, device, equipment and storage medium |
-
1999
- 1999-10-27 JP JP30548199A patent/JP2001124538A/en not_active Withdrawn
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100387396C (en) * | 2004-04-01 | 2008-05-14 | 上海宏力半导体制造有限公司 | Sliding-vane detecting method for chemical-mechanical grinder platform |
| JP2015028482A (en) * | 2007-03-28 | 2015-02-12 | エス．オー．アイ．テック シリコン オン インシュレーター テクノロジーズＳ．Ｏ．Ｉ．Ｔｅｃ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ | Method and device for inspecting substrate surface defect |
| WO2008116917A1 (en) * | 2007-03-28 | 2008-10-02 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Method for detecting surface defects on a substrate and device using said method |
| FR2914422A1 (en) * | 2007-03-28 | 2008-10-03 | Soitec Silicon On Insulator | METHOD FOR DETECTING SURFACE DEFECTS OF A SUBSTRATE AND DEVICE USING THE SAME |
| JP2010522872A (en) * | 2007-03-28 | 2010-07-08 | エス．オー．アイ．テック シリコン オン インシュレーター テクノロジーズ | Substrate surface defect inspection method and apparatus |
| US7812942B2 (en) | 2007-03-28 | 2010-10-12 | S.O.I. Tec Silicon On Insulator Technologies | Method for detecting surface defects on a substrate and device using said method |
| KR101408597B1 (en) | 2007-03-28 | 2014-06-17 | 소이텍 | Method for Detecting Surface Defects on a Substrate and Device Using Said Method |
| JP2010190896A (en) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Carl Zeiss Oim Gmbh | Method and device for optically inspecting surface of object |
| WO2012014092A2 (en) * | 2010-07-30 | 2012-02-02 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and method for three dimensional inspection of wafer saw marks |
| WO2012014092A3 (en) * | 2010-07-30 | 2012-04-05 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and method for three dimensional inspection of wafer saw marks |
| US9140546B2 (en) | 2010-07-30 | 2015-09-22 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and method for three dimensional inspection of wafer saw marks |
| CN103208444A (en) * | 2013-03-15 | 2013-07-17 | 上海华力微电子有限公司 | Monitoring method for preventing wafer crack |
| CN104330061A (en) * | 2014-11-13 | 2015-02-04 | 山东温声玻璃有限公司 | Device for detecting glass flatness |
| JP2016112947A (en) * | 2014-12-12 | 2016-06-23 | 三菱航空機株式会社 | Method and system for appearance inspection of aircraft |
| CN104458764A (en) * | 2014-12-14 | 2015-03-25 | 中国科学技术大学 | Curved uneven surface defect identification method based on large-field-depth stripped image projection |
| CN112986258A (en) * | 2021-02-09 | 2021-06-18 | 厦门威芯泰科技有限公司 | Surface defect detection device and method for judging surface where surface defect is located |
| CN112986258B (en) * | 2021-02-09 | 2023-12-22 | 厦门威芯泰科技有限公司 | Surface defect detection device and method for judging surface where surface defect is located |
| CN117558645A (en) * | 2024-01-09 | 2024-02-13 | 武汉中导光电设备有限公司 | Big data Wafer defect determination method, device, equipment and storage medium |
| CN117558645B (en) * | 2024-01-09 | 2024-03-29 | 武汉中导光电设备有限公司 | Big data Wafer defect determination method, device, equipment and storage medium |
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