JP2001113635A - Transparent conductive film - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する分野】本発明は透明導電性フィルムに関
し、更に詳しくは液晶ディスプレイ、透明タッチパネ
ル、エレクトロルミネッセンス等の透明電極や電磁波シ
ールド材として好適に使用される透明導電性フィルムに
関するものである。The present invention relates to a transparent conductive film, and more particularly to a transparent conductive film suitably used as a transparent electrode for a liquid crystal display, a transparent touch panel, an electroluminescence or the like, or an electromagnetic wave shielding material.
【０００２】従来より、液晶ディスプレイ、透明タッチ
パネル、エレクトロルミネッセンス等の透明電極や電磁
波シールド材として、透明導電性フィルムが好適に用い
られている。これら透明導電性フィルムとしては、ポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の透明高分子フィ
ルム表面の少なくとも片面に、酸化インジウム（Ｉｎ 2
Ｏ3）、酸化すず（ＳｎＯ2）、およびＩｎ2Ｏ3とＳｎＯ
2の混合焼結体（ＩＴＯ）を設けたものや、透明高分子
フィルムに、導電性塗料を塗布したものなどが知られて
いる。Conventionally, liquid crystal display, transparent touch
Panels, transparent electrodes such as electroluminescence, electromagnetic
Transparent conductive film is preferably used as wave shielding material
Have been. These transparent conductive films include poly
Transparent polymer film such as ethylene terephthalate (PET)
At least one surface of the aluminum film is coated with indium oxide (In). Two
OThree), Tin oxide (SnO)Two) And InTwoOThreeAnd SnO
TwoProvided with mixed sintered body (ITO), transparent polymer
Films coated with conductive paint are known.
I have.
【０００３】これらの透明導電性フィルムには、長尺の
連続加工や、打ち抜き加工が可能であり、フレキシブル
な形状を得ることができるという特徴があり、この特徴
から、加工工程途中で折り曲げられたり湾曲した状態で
用いられたりしている。しかしながら、実際上、従来の
透明導電性フィルムの場合には、加工途中において透明
導電層にクラックが発生し、表面抵抗が増大したり、導
電層が断線することがあり、加工歩留の低下に大きな影
響を与えていた。[0003] These transparent conductive films are characterized in that they can be continuously processed in a long length or punched out, and can be obtained in a flexible shape. It is used in a curved state. However, in practice, in the case of a conventional transparent conductive film, cracks occur in the transparent conductive layer during processing, and the surface resistance increases or the conductive layer may be disconnected, resulting in a reduction in processing yield. Had a big impact.
【０００４】そこで、このような従来の透明導電性フィ
ルムの欠点を解消し、耐屈曲性を向上させる為の方策と
して、透明高分子フィルム上にアンカーコート（ＡＣ）
層を設ける方法（特開平１−１２６６５号公報）、透明
導電層上にトップコート（ＴＰ）層を設ける方法等が提
案されている。しかしながら、透明高分子フィルム上に
ＡＣ層を設ける方法では、耐屈曲性が多少向上するもの
の、依然として、不十分であった。又、透明導電層上に
ＴＰ層を設けたものは、ＴＰ層が導電性の無い有機系高
分子で形成されたものは、耐屈曲性は向上するものの透
明導電層表面からの導通が得られなかった。又、従来の
透明導電性高分子を使用した場合は、耐屈曲性が向上
し、かつ透明導電層表面から導通が得られるものの透明
導電性高分子特有の可視光領域での吸収が生ずる為、着
色して見られる等の問題点を有していた。Therefore, as a measure for solving the drawbacks of the conventional transparent conductive film and improving the bending resistance, an anchor coat (AC) is applied on the transparent polymer film.
A method of providing a layer (Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-126565), a method of providing a top coat (TP) layer on a transparent conductive layer, and the like have been proposed. However, the method of providing an AC layer on a transparent polymer film is still insufficient, although the bending resistance is somewhat improved. Further, in the case where the TP layer is provided on the transparent conductive layer, the one in which the TP layer is formed of an organic polymer having no conductivity has improved bending resistance, but conduction from the surface of the transparent conductive layer is obtained. Did not. In addition, when a conventional transparent conductive polymer is used, the bending resistance is improved, and although conduction is obtained from the surface of the transparent conductive layer, absorption occurs in a visible light region specific to the transparent conductive polymer, There were problems such as being seen colored.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、耐屈
曲性に優れ、着色が少なく、かつ、透明導電層表面側か
ら導通が得られ、波長５５０ｎｍでの光線透過率が７０
％以上の透明導電性フィルムを提供するものである。本
発明者らは、上記の課題を解決する為、透明導電性フィ
ルムの一面上に、可視光領域において着色の無い透明導
電性高分子層を設けることにより、着色を少なくし、透
明導電層表面側から導通が得られ、波長５５０ｎｍでの
光線透過率が７０％以上であり、かつ耐屈曲性が良好と
なることを見出し、本発明を完成するに至った。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a film having excellent bending resistance, less coloring, conduction from the transparent conductive layer surface side, and a light transmittance of 70 at a wavelength of 550 nm.
% Or more of the transparent conductive film. The present inventors have solved the above problem by providing a transparent conductive polymer layer having no coloring in the visible light region on one surface of the transparent conductive film, thereby reducing coloring and reducing the surface of the transparent conductive layer. It was found that conduction was obtained from the side, the light transmittance at a wavelength of 550 nm was 70% or more, and the bending resistance was good, and the present invention was completed.
【０００６】[0006]
【課題を解決する為の手段】上記課題を解決するため、
本発明にかかる透明導電性フィルムは下記のような特徴
を有する。 （１）透明高分子フィルムの少なくとも一面上に厚さ１
０〜５００ｎｍの透明導電層を設け、更に、その透明導
電層上にポリチオフェン系透明導電性高分子層を設けた
透明導電性フィルム。 （２）前記透明高分子フィルムは、厚さ２５〜２５０μ
ｍのポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レート、ポリエーテルサルフォン、ポリアリレート、ポ
リカーボネイト等の耐熱性フィルムである前項（１）に
記載の透明導電性フィルム。 （３）前記の透明導電層が圧力勾配型放電によるイオン
プレーティング法により成膜された前項（１）に記載の
透明導電性フィルム （４）前記のポリチオフェン系透明導電性高分子が、
３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンであり、その
厚さが０．０３〜５μｍの範囲である前項（１）〜
（３）のいずれか１項に記載の透明導電性フィルム。Means for Solving the Problems To solve the above problems,
The transparent conductive film according to the present invention has the following features. (1) A thickness of 1 on at least one surface of the transparent polymer film
A transparent conductive film provided with a transparent conductive layer of 0 to 500 nm, and further provided with a polythiophene-based transparent conductive polymer layer on the transparent conductive layer. (2) The transparent polymer film has a thickness of 25 to 250 μm.
m. The transparent conductive film according to the above item (1), which is a heat-resistant film such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyether sulfone, polyarylate, and polycarbonate. (3) The transparent conductive film according to the above (1), wherein the transparent conductive layer is formed by an ion plating method using pressure gradient discharge. (4) The polythiophene-based transparent conductive polymer is:
3,4-polyethylenedioxythiophene whose thickness is in the range of 0.03 to 5 μm.
The transparent conductive film according to any one of (3).
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】透明高分子フィルムの材料として
は、耐熱性を有する透明な高分子フィルムであれば特に
制限はなく、１００℃以上においても耐熱性を有するも
のが好ましく、たとえばポリエチレンテレフタレートや
ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリアミ
ド、芳香族ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテ
ルイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、
ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリレート、ポリカ
ーボネイト、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニ
レンオキサイド、ポリパラバン酸等が例示できる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The material of the transparent polymer film is not particularly limited as long as it is a transparent polymer film having heat resistance, and is preferably a material having heat resistance even at 100 ° C. or higher. Polyester such as polyethylene naphthalate, polyamide, aromatic polyamide, polyamide imide, polyether imide, polyether sulfone, polysulfone,
Examples thereof include polyether ether ketone, polyarylate, polycarbonate, polyphenylene sulfide, polyphenylene oxide, and polyparabanic acid.
【０００８】その中でも耐熱性、透明性の点からポリエ
チレンテレフタレートやポリエチレンナフタレート等の
ポリエステル、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネ
イト、ポリアリレートが好適に用いられる。また透明高
分子フィルムの厚さは、２５〜２００μｍである。前記
透明高分子フィルム上に密着性向上の為,予めコロナ放
電処理、表面改質を行うプラズマ処理やサンドブラスト
を用いた粗面化処理等の表面処理、または有機系樹脂に
よる公知のアンカーコート処理を施してもよい。Among them, polyesters such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, polyether sulfone, polycarbonate, and polyarylate are preferably used from the viewpoint of heat resistance and transparency. The thickness of the transparent polymer film is 25 to 200 μm. In order to improve the adhesion on the transparent polymer film, a corona discharge treatment, a surface treatment such as a plasma treatment for performing surface modification or a surface roughening treatment using sand blast, or a known anchor coat treatment with an organic resin is performed. May be applied.
【０００９】透明導電性フィルムは、上記透明高分子フ
ィルムの一面上に透明導電膜を形成したものが広く使用
されている。この透明高分子フィルム上に形成する透明
導電膜については、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウ
ム（Ｐｄ）等の金属薄膜タイプ、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、
ＩＴＯ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの金属酸化物薄膜タイ
プ、さらに酸化チタン（ＴｉＯ2）／Ａｇ／ＴｉＯ2など
の金属／金属酸化物による多層薄膜タイプ等の各種が知
られている。中でも透明性、導電性の面からＩＴＯが好
適である。透明高分子フィルム上に設ける透明導電層の
厚さは、１０〜５００ｎｍが好ましく、より好ましくは
１５〜４００ｎｍが好ましい。透明導電層の厚さが１０
ｎｍ以下であると、均一な表面抵抗が得られず。５００
ｎｍ以上であると上層塗工時にクラックを生じやすくな
る等の問題を生じる。As the transparent conductive film, a transparent conductive film formed on one surface of the transparent polymer film is widely used. Regarding the transparent conductive film formed on the transparent polymer film, a metal thin film type such as gold (Au), silver (Ag), palladium (Pd), In 2 O 3 , SnO 2 ,
Various types such as a metal oxide thin film type such as ITO and zinc oxide (ZnO), and a multilayer thin film type using a metal / metal oxide such as titanium oxide (TiO 2 ) / Ag / TiO 2 are known. Among them, ITO is preferable from the viewpoint of transparency and conductivity. The thickness of the transparent conductive layer provided on the transparent polymer film is preferably from 10 to 500 nm, more preferably from 15 to 400 nm. The thickness of the transparent conductive layer is 10
If it is less than nm, uniform surface resistance cannot be obtained. 500
If it is not less than nm, problems such as cracks are likely to occur during the coating of the upper layer.
【００１０】このような金属酸化物薄膜は、真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ある
いはＣＶＤ法等の各種成膜法により作成されている。な
かでも、陰極と陽極の間に中間電極を設ける圧力勾配型
放電方式によるイオンプレーティング法は、成膜速度が
速く透明導電膜の作成には好適である。Such a metal oxide thin film is prepared by various film forming methods such as a vacuum evaporation method, a sputtering method, an ion plating method, and a CVD method. Above all, the ion plating method using a pressure gradient discharge method in which an intermediate electrode is provided between a cathode and an anode has a high film forming rate and is suitable for forming a transparent conductive film.
【００１１】透明導電層上に設けられる透明導電性高分
子としては、ポリアセチレン、ポリ（パラフェニレ
ン）、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、
ポリ（パラフェニレンビニレン）等が例示できる。中で
も透明性、導電性の面からポリチオフェン系透明導電性
高分子が好適である。ポリチオフェン系透明導電性高分
子としては、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェ
ン、ポリ（３−ヘキシル）チオフェン、ポリ（３−オク
チル）チオフェン、ポリ（３−ドデシル）チオフェン、
ポリ（３−オクタデシル）チオフェン、ポリ（３−アイ
コシル）チオフェン等が例示できる。The transparent conductive polymer provided on the transparent conductive layer includes polyacetylene, poly (paraphenylene), polypyrrole, polythiophene, polyaniline,
Examples thereof include poly (paraphenylene vinylene). Among them, a polythiophene-based transparent conductive polymer is preferable from the viewpoint of transparency and conductivity. Examples of the polythiophene-based transparent conductive polymer include 3,4-polyethylenedioxythiophene, poly (3-hexyl) thiophene, poly (3-octyl) thiophene, poly (3-dodecyl) thiophene,
Examples thereof include poly (3-octadecyl) thiophene and poly (3-icosyl) thiophene.
【００１２】このなかでも透明性、導電性の面から３，
４−ポリエチレンジオキシチオフェンが好適である。ポ
リチオフェン系透明導電性高分子層の厚さは、０．０３
〜５μｍが好ましくより好ましくは、０．０５〜３μｍ
が好ましい。この層の形成方法としては、ロールコー
タ、グラビアコーター、バーコーター等の方法によって
塗布することができる。ポリチオフェン系透明導電性高
分子層の厚さが、０．０３μｍ以下であると、十分な耐
屈曲性が得られず。５μｍ以上であると塗工量が増える
為、乾燥時間が長くなりコストが上昇し、塗工後の透明
導電性フィルムに着色をおびる等の問題点を生じる。
又、透明導電性フィルムの光線透過率は、明所視の分光
視感効率の最も高い波長、５５０ｎｍで７０％以上が好
ましい。光線透過率が７０％未満であると４００ｎｍ付
近での着色が生ずる為、明度がさがり、好ましくない。
前記性能を有する透明導電性フィルムは、透明高分子フ
ィルムと、その透明高分子フィルムの一面上に、透明導
電膜、さらにその上にポリチオフェン系透明導電性高分
子を設けることによって得られる。Among them, from the viewpoints of transparency and conductivity,
4-Polyethylenedioxythiophene is preferred. The thickness of the polythiophene-based transparent conductive polymer layer is 0.03
Preferably 5 to 5 μm, more preferably 0.05 to 3 μm
Is preferred. The layer can be formed by a roll coater, a gravure coater, a bar coater, or the like. If the thickness of the polythiophene-based transparent conductive polymer layer is 0.03 μm or less, sufficient bending resistance cannot be obtained. When the thickness is 5 μm or more, the amount of coating increases, so that the drying time is prolonged, the cost is increased, and problems such as coloring of the transparent conductive film after coating occur.
The light transmittance of the transparent conductive film is preferably 70% or more at a wavelength of 550 nm at which the spectral luminous efficiency of photopic vision is highest. If the light transmittance is less than 70%, coloring occurs at around 400 nm, and thus the brightness decreases, which is not preferable.
The transparent conductive film having the above performance can be obtained by providing a transparent polymer film, a transparent conductive film on one surface of the transparent polymer film, and a polythiophene-based transparent conductive polymer thereon.
【００１３】[0013]
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はこれによって限定されるものでは
ない。尚、実施例および比較例で得られた透明導電性フ
ィルムの評価は以下のように行った。 ａ．耐屈曲性 １０ｍｍ幅×１００ｍｍ長にサンプリングした透明導電
性フィルムの長辺の両端間の抵抗を横河インスツルメン
ツ(株)製デジタルマルチメーター（型式；７５３３−０
５）にて測定を行い、その試料を透明導電層を上にし、
１００ｇの荷重を掛けて、直径１０ｍｍのＳＵＳ棒に沿
って１８０°に屈曲させ、１分間静置した。その静置後
の表面抵抗も同様に測定し、測定前後の表面抵抗の変化
を算出した。屈曲前後の表面抵抗の変化値が、１．０〜
１．２倍のものを良好と判定した。 ｂ． 光線透過率 (株)島津製作所製自記分光光度計（型式；ＵＶ−３１０
０ＰＣ）を用い、波長５５０ｎｍでの光線透過率の測定
を行った。７０％以上のものを良好と判断した。The present invention will be described more specifically with reference to the following examples, but the present invention is not limited thereto. The evaluation of the transparent conductive films obtained in Examples and Comparative Examples was performed as follows. a. Flex resistance The resistance between both ends of the long side of the transparent conductive film sampled to 10 mm width × 100 mm length is measured by a digital multimeter (model: 7533-0) manufactured by Yokogawa Instruments Inc.
Perform the measurement in 5), place the sample on the transparent conductive layer,
A load of 100 g was applied, and the sheet was bent at 180 ° along a SUS rod having a diameter of 10 mm and allowed to stand for 1 minute. The surface resistance after the standing was similarly measured, and the change in the surface resistance before and after the measurement was calculated. The change value of the surface resistance before and after bending is 1.0 to
1.2 times was determined to be good. b. Light transmittance Self-recording spectrophotometer (model: UV-310 manufactured by Shimadzu Corporation)
0PC), and the light transmittance at a wavelength of 550 nm was measured. Those with 70% or more were judged to be good.
【００１４】実施例１ 厚さ１２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）フィルム（帝人(株)製テイジンテトロンフィルム）
上にＳｎＯ2を５重量％含むＩＴＯを使用し、圧力勾配
型放電によるイオンプレーティング法により透明導電膜
を１５ｎｍの厚さに形成し、更にその透明導電層上に
３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン透明導電性高
分子層（帝国化学産業(株)製デナトロン）を０．０５μ
ｍの厚さに形成した。Example 1 A polyethylene terephthalate (PE) having a thickness of 125 μm
T) Film (Teijin Tetron Film manufactured by Teijin Limited)
Using ITO containing SnO 2 5 wt% above, the transparent conductive film by an ion plating method to a thickness of 15nm by a pressure gradient type discharge, further 3,4-polyethylenedioxythiophene in that the transparent conductive layer 0.05μ of thiophene transparent conductive polymer layer (Denatron manufactured by Teikoku Chemical Industry Co., Ltd.)
m.
【００１５】実施例２ 厚さ１２５μｍのＰＥＴフィルム（帝人(株)製テイジン
テトロンフィルム）上にＳｎＯ2を５重量％含むＩＴＯ
を使用し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング
法により透明導電膜を４００ｎｍの厚さに形成し、更に
その透明導電層上に３，４−ポリエチレンジオキシチオ
フェン透明導電性高分子層（帝国化学産業(株)製デナト
ロン）を０．０５μｍの厚さに形成した。Example 2 ITO containing 5% by weight of SnO 2 on a PET film having a thickness of 125 μm (Teijin Tetron film manufactured by Teijin Limited)
, A transparent conductive film is formed to a thickness of 400 nm by an ion plating method using a pressure gradient discharge, and a 3,4-polyethylenedioxythiophene transparent conductive polymer layer (Teikoku Chemical Co., Ltd.) is formed on the transparent conductive layer. (Denatron manufactured by Sangyo Co., Ltd.) to a thickness of 0.05 μm.
【００１６】実施例３ 厚さ１２５μｍのＰＥＴフィルム（帝人(株)製テイジン
テトロンフィルム）上にＳｎＯ2を５重量％含むＩＴＯ
を使用し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング
法により透明導電膜を１５ｎｍの厚さに形成し、更にそ
の透明導電層上に３，４−ポリエチレンジオキシチオフ
ェン透明導電性高分子層（帝国化学産業(株)製デナトロ
ン）を３μｍの厚さに形成した。Example 3 ITO containing 5% by weight of SnO 2 on a PET film having a thickness of 125 μm (Teijin Tetron film manufactured by Teijin Limited)
, A transparent conductive film is formed to a thickness of 15 nm by an ion plating method using a pressure gradient discharge, and a 3,4-polyethylenedioxythiophene transparent conductive polymer layer (Teikoku Chemical Co., Ltd.) is formed on the transparent conductive film. (Denatron manufactured by Sangyo Co., Ltd.) was formed to a thickness of 3 μm.
【００１７】実施例４ 厚さ１２５μｍのＰＥＴフィルム（帝人(株)製テイジン
テトロンフィルム）上にＳｎＯ2を５重量％含むＩＴＯ
を使用し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング
法により透明導電膜を４００ｎｍの厚さに形成し、更に
その透明導電層上に３，４−ポリエチレンジオキシチオ
フェン透明導電性高分子層（帝国化学産業(株)製デナト
ロン）を３μｍの厚さに形成した。Example 4 ITO containing 5% by weight of SnO 2 on a PET film having a thickness of 125 μm (Teijin Tetron film manufactured by Teijin Limited)
, A transparent conductive film is formed to a thickness of 400 nm by an ion plating method using a pressure gradient discharge, and a 3,4-polyethylenedioxythiophene transparent conductive polymer layer (Teikoku Chemical Co., Ltd.) is formed on the transparent conductive film. (Denatron manufactured by Sangyo Co., Ltd.) was formed to a thickness of 3 μm.
【００１８】実施例５ 厚さ７５μｍのポリアリレート（ＰＡＲ）フィルム（鐘
淵化学工業(株)製エルメック）上にＳｎＯ2を５重量％
含むＩＴＯを使用し、圧力勾配型放電によるイオンプレ
ーティング法により透明導電膜を１５ｎｍの厚さに形成
し、更にその透明導電層上に３，４−ポリエチレンジオ
キシチオフェン透明導電性高分子層（帝国化学産業(株)
製デナトロン）を０．０５μｍの厚さに形成した。Example 5 5% by weight of SnO 2 on a polyarylate (PAR) film having a thickness of 75 μm (Elmec manufactured by Kaneka Chemical Co., Ltd.)
Using ITO, a transparent conductive film is formed to a thickness of 15 nm by an ion plating method using a pressure gradient discharge, and a 3,4-polyethylenedioxythiophene transparent conductive polymer layer ( Teikoku Chemical Industry Co., Ltd.
Denatron) was formed to a thickness of 0.05 μm.
【００１９】比較例１ 厚さ１２５μｍのＰＥＴフィルム（帝人(株)製）上にＳ
ｎＯ2を５重量％含むＩＴＯを使用し、圧力勾配型放電
によるイオンプレーティング法により透明導電膜を１５
ｎｍの厚さに形成した。Comparative Example 1 S on a 125 μm-thick PET film (manufactured by Teijin Limited)
Using ITO containing 5% by weight of nO 2 , a transparent conductive film was formed by ion plating using pressure gradient discharge.
It was formed to a thickness of nm.
【００２０】比較例２ 厚さ１２５μｍのＰＥＴフィルム（帝人(株)製テイジン
テトロンフィルム）上にＳｎＯ2を５重量％含むＩＴＯ
を使用し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング
法により透明導電膜を４００ｎｍの厚さに形成した。Comparative Example 2 ITO containing 5% by weight of SnO 2 on a PET film having a thickness of 125 μm (Teijin Tetron film manufactured by Teijin Limited)
Was used to form a transparent conductive film to a thickness of 400 nm by an ion plating method using pressure gradient discharge.
【００２１】比較例３ 厚さ１２５μｍのＰＥＴフィルム（帝人(株)製テイジン
テトロンフィルム）上にＳｎＯ2を５重量％含むＩＴＯ
を使用し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング
法により透明導電膜を１５ｎｍの厚さに形成し、更にそ
の透明導電層上に３，４−ポリエチレンジオキシチオフ
ェン透明導電性高分子層（帝国化学産業(株)製デナトロ
ン）を０．０１μｍの厚さに形成した。Comparative Example 3 ITO containing 5% by weight of SnO 2 on a PET film having a thickness of 125 μm (Teijin Tetron film manufactured by Teijin Limited)
, A transparent conductive film is formed to a thickness of 15 nm by an ion plating method using a pressure gradient discharge, and a 3,4-polyethylenedioxythiophene transparent conductive polymer layer (Teikoku Chemical Co., Ltd.) is formed on the transparent conductive film. (Denatron manufactured by Sangyo Co., Ltd.) to a thickness of 0.01 μm.
【００２２】比較例４ 厚さ１２５μｍのＰＥＴフィルム（帝人(株)製テイジン
テトロンフィルム）上にＳｎＯ2を５重量％含むＩＴＯ
を使用し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング
法により透明導電膜を４００ｎｍの厚さに形成し、更に
その透明導電層上に３，４−ポリエチレンジオキシチオ
フェン透明導電性高分子層（帝国化学産業(株)製デナト
ロン）を０．０１μｍの厚さに形成した。Comparative Example 4 ITO containing 5% by weight of SnO 2 on a PET film having a thickness of 125 μm (Teijin Tetron film manufactured by Teijin Limited)
, A transparent conductive film is formed to a thickness of 400 nm by an ion plating method using a pressure gradient discharge, and a 3,4-polyethylenedioxythiophene transparent conductive polymer layer (Teikoku Chemical Co., Ltd.) is formed on the transparent conductive layer. (Denatron manufactured by Sangyo Co., Ltd.) to a thickness of 0.01 μm.
【００２３】比較例５ 厚さ１２５μｍのＰＥＴフィルム（帝人(株)製テイジン
テトロンフィルム）上にＳｎＯ2を５重量％含むＩＴＯ
を使用し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング
法により透明導電膜を１５ｎｍの厚さに形成し、更にそ
の透明導電層上に３，４−ポリエチレンジオキシチオフ
ェン透明導電性高分子層（帝国化学産業(株)製デナトロ
ン）を８μｍの厚さに形成した。Comparative Example 5 ITO containing 5% by weight of SnO 2 on a PET film having a thickness of 125 μm (Teijin Tetron film manufactured by Teijin Limited)
, A transparent conductive film is formed to a thickness of 15 nm by an ion plating method using a pressure gradient discharge, and a 3,4-polyethylenedioxythiophene transparent conductive polymer layer (Teikoku Chemical Co., Ltd.) is formed on the transparent conductive film. (Denatron manufactured by Sangyo Co., Ltd.) was formed to a thickness of 8 μm.
【００２４】比較例６ 厚さ１２５μｍのＰＥＴフィルム上（帝人(株)製テイジ
ンテトロンフィルム）にＳｎＯ2を５重量％含むＩＴＯ
を使用し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング
法により透明導電膜を４００ｎｍの厚さに形成し、更に
その透明導電層上に３，４−ポリエチレンジオキシチオ
フェン透明導電性高分子層（帝国化学産業(株)製デナト
ロン）を８μｍの厚さに形成した。Comparative Example 6 ITO containing 5% by weight of SnO 2 on a PET film having a thickness of 125 μm (Teijin Tetron film manufactured by Teijin Limited)
, A transparent conductive film is formed to a thickness of 400 nm by an ion plating method using a pressure gradient discharge, and a 3,4-polyethylenedioxythiophene transparent conductive polymer layer (Teikoku Chemical Co., Ltd.) is formed on the transparent conductive layer. (Denatron manufactured by Sangyo Co., Ltd.) was formed to a thickness of 8 μm.
【００２５】上記、実施例１〜５、比較例1〜６の結果
を表1に示した。The results of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 6 are shown in Table 1.
【００２６】[0026]
【表１】 [Table 1]
【００２７】実施例１〜５より、厚さ１０〜５００ｎｍ
の透明導電層上に厚さ０．０３〜５μｍのポリチオフェ
ン系透明導電性高分子層を設けることにより、波長５５
０ｎｍでの光線透過率が７０％以上であり、屈曲前後の
表面抵抗の変化値が１．０〜１．２倍の間にある透明導
電性フィルムが得られた。一方、比較例１，２は、透明
導電層上に透明導電性高分子層を設けていない為、良好
な耐屈曲性が得られず。比較例３，４では、透明導電性
高分子層の厚みが薄い為、良好な耐屈曲性が得られなか
った。比較例５，６では、透明導電性高分子層の厚みが
厚い為十分な光線透過率が得られなかった。According to Examples 1 to 5, the thickness is 10 to 500 nm.
By providing a polythiophene-based transparent conductive polymer layer having a thickness of 0.03 to 5 μm on the transparent conductive layer of
A transparent conductive film having a light transmittance at 0 nm of 70% or more and a change in surface resistance before and after bending between 1.0 and 1.2 times was obtained. On the other hand, in Comparative Examples 1 and 2, since no transparent conductive polymer layer was provided on the transparent conductive layer, good bending resistance was not obtained. In Comparative Examples 3 and 4, good flexibility was not obtained because the thickness of the transparent conductive polymer layer was small. In Comparative Examples 5 and 6, a sufficient light transmittance was not obtained because the thickness of the transparent conductive polymer layer was large.
【００２８】[0028]
【発明の効果】本発明による透明導電性フィルムは、透
明高分子フィルム上に厚さ１０〜５００ｎｍの透明導電
層を圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法によ
り成膜を行い、更にその透明導電層上に、ポリチオフェ
ン系透明導電性高分子層を０．０３〜５μｍの厚さに設
けることにより、波長５５０ｎｍでの光線透過率が７０
％以上であり、屈曲による抵抗値の変化値が１．０〜
１．２倍であり、実用上極めて有効である。The transparent conductive film according to the present invention is formed by forming a transparent conductive layer having a thickness of 10 to 500 nm on a transparent polymer film by an ion plating method using a pressure gradient discharge, and further forming the transparent conductive layer. By providing a polythiophene-based transparent conductive polymer layer with a thickness of 0.03 to 5 μm thereon, the light transmittance at a wavelength of 550 nm is 70%.
% Or more, and the change in resistance value due to bending is 1.0 to
1.2 times, which is extremely effective in practical use.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F100 AK01A AK42A AK45A AK55A AK80C BA03 BA07 BA10A BA10C EH66 GB41 GB90 JG01 JG01B JG01C JK17 JN01 JN01A JN01B JN01C YY00B 4K029 AA11 AA25 BA15 BA47 BA50 BA62 BB02 BC08 BC09 CA03 5G307 FA02 FB01 FB03 FC03 FC09 FC10 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page F term (reference) 4F100 AK01A AK42A AK45A AK55A AK80C BA03 BA07 BA10A BA10C EH66 GB41 GB90 JG01 JG01B JG01C JK17 JN01 JN01A JN01B JN01C YY00B 4K029 AA11 BA03BAB02BA03BA02 FC09 FC10
Claims (4)
厚さ１０〜５００ｎｍの透明導電層を設け、更に、その
透明導電層上にポリチオフェン系透明導電性高分子層を
設けたことを特徴とする透明導電性フィルム。1. A transparent conductive layer having a thickness of 10 to 500 nm is provided on at least one surface of a transparent polymer film, and a polythiophene-based transparent conductive polymer layer is further provided on the transparent conductive layer. Transparent conductive film.
５０μｍのポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン
ナフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリアリレー
ト、ポリカーボネイト等の耐熱性フィルムであることを
特徴とする請求項１に記載の透明導電性フィルム。2. The transparent polymer film has a thickness of 25 to 2
The transparent conductive film according to claim 1, wherein the transparent conductive film is a heat-resistant film such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyether sulfone, polyarylate, and polycarbonate having a thickness of 50 µm.
イオンプレーティング法により成膜されたことを特徴と
する請求項１又は２に記載の透明導電性フィルム。3. The transparent conductive film according to claim 1, wherein the transparent conductive layer is formed by an ion plating method using a pressure gradient discharge.
が、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンであり、
その厚さが０．０３〜５μｍの範囲であることを特徴と
する請求項１〜３のいずれか１項に記載の透明導電性フ
ィルム。4. The polythiophene-based transparent conductive polymer is 3,4-polyethylenedioxythiophene,
The transparent conductive film according to any one of claims 1 to 3, wherein the thickness is in a range of 0.03 to 5 µm.
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| JP30102099A JP2001113635A (en) | 1999-10-22 | 1999-10-22 | Transparent conductive film |
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|---|---|
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