JPH1148388A - Transparent conductive film - Google Patents
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- JPH1148388A JPH1148388A JP9218988A JP21898897A JPH1148388A JP H1148388 A JPH1148388 A JP H1148388A JP 9218988 A JP9218988 A JP 9218988A JP 21898897 A JP21898897 A JP 21898897A JP H1148388 A JPH1148388 A JP H1148388A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は透明導電性フィルム
に関する。詳しくは本発明はエレクトロルミネッセンス
ディスプレイの透明電極に好適に使用できる透明導電性
フィルムに関する。[0001] The present invention relates to a transparent conductive film. More specifically, the present invention relates to a transparent conductive film that can be suitably used for a transparent electrode of an electroluminescence display.
【０００２】[0002]
【従来の技術】透明導電性フィルムは、液晶ディスプレ
イ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、エレクト
ロクロミックディスプレイ等の表示素子の電極、電磁波
シールドフィルム、あるいは、透明タッチパネルに代表
される入力装置の電極として使用されている。従来の公
知の透明導電層としては、金、パラジウム、白金などの
金属薄膜や、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛などを
主成分とする酸化物薄膜などが挙げられる。2. Description of the Related Art A transparent conductive film is used as an electrode of a display element such as a liquid crystal display, an electroluminescence display, an electrochromic display, an electromagnetic shielding film, or an electrode of an input device represented by a transparent touch panel. Examples of the conventionally known transparent conductive layer include a metal thin film such as gold, palladium, and platinum, and an oxide thin film mainly containing indium oxide, tin oxide, zinc oxide, and the like.
【０００３】一方、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）
ディスプレイは、透明基体上に透明導電性薄膜を積層し
た透明導電性基体上をベースに、前記透明導電性薄膜上
に発光体層、絶縁層および背面電極を順次形成し、更に
全体を透明防湿層で被覆した構造のものがよく知られて
いる。発光体層には硫化亜鉛・硫化カドミウム・セレン
化亜鉛などが用いられ、絶縁層には酸化イットリウム・
窒化シリコン・酸化タリウムなどが、背面電極にはアル
ミニウムが用いられている。On the other hand, electroluminescence (EL)
The display is based on a transparent conductive substrate in which a transparent conductive thin film is laminated on a transparent substrate, and a luminous layer, an insulating layer and a back electrode are sequentially formed on the transparent conductive thin film, and the entire transparent moisture-proof layer is formed. A structure coated with a well is well known. Zinc sulfide, cadmium sulfide, zinc selenide, etc. are used for the luminous body layer, and yttrium oxide,
Silicon nitride and thallium oxide are used, and aluminum is used for the back electrode.
【０００４】従来、ＥＬディスプレイ用電極としてはガ
ラス基板上に前記酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛な
どを主成分とする酸化物薄膜を積層したものが主に用い
られてきたが、近年ＥＬ素子に求められている軽量化・
薄型化・折り曲げ性等の要求には答えることが出来な
い。そこで、プラスチックフィルムを基材として用いた
透明導電性フィルムが注目されるようになった。このた
め、近年では折り曲げ性・加工性に加えて耐衝撃性・軽
量化が可能であるなどの利点から、ポリエチレンテレフ
タレート（ＰＥＴ）フィルムをはじめとするプラスチッ
クフィルムを基材として用いた透明導電性基板が用いら
れるようになった。Conventionally, as an electrode for an EL display, a laminate of an oxide thin film containing indium oxide, tin oxide, zinc oxide, or the like as a main component on a glass substrate has been mainly used. Light weight required
It cannot meet the demands for thinning and bending. Therefore, a transparent conductive film using a plastic film as a base material has been attracting attention. For this reason, in recent years, a transparent conductive substrate using a plastic film such as a polyethylene terephthalate (PET) film as a base material has been recently used because of its advantages such as impact resistance and light weight in addition to bendability and workability. Came to be used.
【０００５】しかしながら、プラスチックフィルムを基
材として用いた場合、ガラスを基材として用いた場合と
比較して次のような問題点が発生した。 プラスチックフィルムと透明導電層の密着性が悪く透
明導電層が剥離しやすい。エレクトロルミネッセンス
素子の寿命が短い。 エレクトロルミネッセンス素子を長時間使用している
と透明導電層が黒変する。高温下、高温高湿下におい
て、プラスチックフィルムを通過およびプラスチックフ
ィルム自身から放出される酸素・水蒸気によるエレクト
ロルミネッセンス発光層の劣化が起こる。However, when a plastic film is used as a substrate, the following problems occur as compared with a case where glass is used as a substrate. The adhesion between the plastic film and the transparent conductive layer is poor, and the transparent conductive layer is easily peeled off. The life of the electroluminescent element is short. When the electroluminescent element is used for a long time, the transparent conductive layer turns black. Under high temperature and high temperature and high humidity, the electroluminescent light emitting layer is deteriorated by oxygen and water vapor passing through the plastic film and released from the plastic film itself.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】そこで、特開平２−７
２９４０に示されるようにプラスチックフィルム上に易
接着性の樹脂を塗布してプラスチックフィルムとＥＬ発
光素子との密着性を向上させたものや特開平４−１６３
１４１に示されるようにプラスチックフィルムと透明導
電層の界面にパラジウム金属薄膜層を形成して透明導電
層の密着性を向上させたもの等が提案された。しかしな
がら、易接着性の樹脂を用いて密着性を向上させた場
合、高温高湿にさらした場合に易接着層に変化が生じ、
耐熱性に乏しくなり、耐熱性が要求される用途では使用
することが出来なかった。また、パラジウム金属を積層
する場合では、パラジウム金属による光線の吸収・反射
が起こり、ＥＬ素子にした場合に、発光強度が弱くなる
という欠点が生じていた。また、いずれの場合において
もガスバリア性が充分でないためにエレクトロルミネッ
センス発光素子の耐環境性が充分とはいえなかった。The problem to be solved by the present invention is disclosed in
As shown in 2940, a plastic film is coated with an easily-adhesive resin to improve the adhesion between the plastic film and the EL light emitting element.
As shown in 141, a palladium metal thin film layer is formed at the interface between the plastic film and the transparent conductive layer to improve the adhesion of the transparent conductive layer. However, when the adhesion is improved by using an easily adhesive resin, a change occurs in the easily adhesive layer when exposed to high temperature and high humidity,
Heat resistance was poor, and it could not be used in applications requiring heat resistance. Further, in the case where palladium metal is stacked, light rays are absorbed and reflected by the palladium metal, and when it is used as an EL element, there is a disadvantage that the emission intensity is weakened. Further, in each case, the gas barrier properties were not sufficient, so that the environment resistance of the electroluminescent light emitting element was not sufficient.
【０００７】したがって、本発明の目的は、高透明性・
透明導電層の密着性・耐環境性に優れた透明導電性フィ
ルムを提供することにある。Accordingly, an object of the present invention is to provide a high transparency
An object of the present invention is to provide a transparent conductive film excellent in adhesion and environmental resistance of a transparent conductive layer.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明者らは前記の問題
を解決するために鋭意検討した結果、透明プラスチック
フィルムの片面上に金属酸窒化物からなる透明薄膜層を
積層し、更にその上に透明導電層を積層することによ
り、高透明性・透明導電層の密着性および耐環境性に優
れた透明導電層が得られることを見いだし本発明を完成
させた。The present inventors have conducted intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, laminated a transparent thin film layer made of metal oxynitride on one side of a transparent plastic film, and furthermore, It has been found that by laminating a transparent conductive layer on a transparent conductive layer, a transparent conductive layer having high transparency and excellent adhesion and environmental resistance to the transparent conductive layer can be obtained, and the present invention has been completed.
【０００９】すなわち、本発明は、透明プラスチックフ
ィルムの片面上に透明導電層を積層してなる透明導電性
フィルムにおいて、その透明プラスチック／透明導電層
界面に金属酸窒化物からなる透明薄膜層を積層してなる
ことを特徴とする透明導電性フィルムである。また、金
属酸窒化物からなる透明薄膜層が酸窒化珪素または酸窒
化インジウムであることを特徴とし、金属酸窒化物から
なる透明薄膜層の厚みが０．１〜１００ｎｍであること
を特徴とする。That is, the present invention provides a transparent conductive film having a transparent conductive layer laminated on one surface of a transparent plastic film, and a transparent thin film layer made of metal oxynitride laminated on the transparent plastic / transparent conductive layer interface. It is a transparent conductive film characterized by the following. Further, the transparent thin film layer made of metal oxynitride is silicon oxynitride or indium oxynitride, and the thickness of the transparent thin film layer made of metal oxynitride is 0.1 to 100 nm. .
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】透明プラスチックフィルムとして
は特に限定はしないが、例えば、ポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥ
Ｎ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリアリレ
ート（ＰＡＲ）、ポリアクリレート、ポリカーボネート
（ＰＣ）、ポリエチレン、ポリプロピレン等のホモポリ
マー、およびこれらの樹脂と共重合可能なモノマーとの
コポリマーからなる樹脂が挙げられる。一般的には、価
格、耐熱性、寸法安定性、透明性等からＰＥＴフィルム
が用いられることが多い。これら透明プラスチックフィ
ルムは、製膜後の延伸処理がなされていないものでもか
まわないし、一軸または二軸方向に延伸されたものであ
ってもかまわない。また、製膜後に熱的安定性を向上さ
せる目的のためにアニール処理を施してもかまわない。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The transparent plastic film is not particularly limited, but examples thereof include polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PE).
N), polyethersulfone (PES), polyarylate (PAR), polyacrylate, polycarbonate (PC), homopolymers such as polyethylene and polypropylene, and resins composed of copolymers of monomers copolymerizable with these resins. No. Generally, a PET film is often used because of its price, heat resistance, dimensional stability, transparency, and the like. These transparent plastic films may be unstretched after film formation or may be uniaxially or biaxially stretched. After the film formation, an annealing treatment may be performed for the purpose of improving the thermal stability.
【００１１】また、透明プラスチックフィルム中もしく
は表面上に公知の添加剤、例えば易滑剤、ハードコート
剤、防湿剤、腐食防止剤等が添加もしくはコートされて
いてもよい。また、透明プラスチックフィルム上に公知
の表面処理、例えばコロナ処理、粗面化処理、アンカー
コート処理がなされていてもよい。透明プラスチックフ
ィルムの厚みとしては、特に制限はないが、ハンドリン
グ性から１０〜２５０μｍが好ましい。Further, known additives such as a lubricant, a hard coat agent, a moisture proof agent, a corrosion inhibitor and the like may be added or coated in or on the transparent plastic film. Further, a known surface treatment such as a corona treatment, a roughening treatment, and an anchor coat treatment may be performed on the transparent plastic film. The thickness of the transparent plastic film is not particularly limited, but is preferably from 10 to 250 μm from the viewpoint of handleability.
【００１２】また、透明導電層としては、従来公知の
１）金、銀、銅、アルミニウム、パラジウム等の金属お
よびこれらの合金の単層、積層体、２）酸化錫、酸化イ
ンジウム、酸化インジウム−錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛な
どの化合物半導体およびそれらの混合物の単層、積層
体、３）前記１）、２）の積層体等からなる薄膜が用い
られる。一般的には透明性、耐環境性などからＩＴＯが
用いられる。透明導電層の形成方法としては、公知の方
法が用いられる。例えば、透明導電層として一般的に用
いられるＩＴＯの場合、真空蒸着法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法などにより薄膜層を形成す
ることが出来る。スパッタリング法により形成する場
合、原料としては、インジウム−錫合金および酸化イン
ジウム−錫を使用する場合が多い。例えば、ＩＴＯ薄膜
をスパッタリング法にて作成する方法は、減圧下でアル
ゴン、酸素ガス等の酸素発生物質を導入しながら、イン
ジウム−錫合金もしくは、酸化インジウム−錫からなる
ターゲットを用いてＩＴＯ薄膜を形成する。透明導電層
の厚みとしては、通常５〜１００ｎｍである。Further, as the transparent conductive layer, there are conventionally known 1) single layers and laminates of metals such as gold, silver, copper, aluminum and palladium and alloys thereof, and 2) tin oxide, indium oxide and indium oxide. A thin film composed of a single layer or a laminate of a compound semiconductor such as tin (ITO) or zinc oxide or a mixture thereof, and 3) a laminate of the above 1) and 2) is used. Generally, ITO is used because of its transparency and environmental resistance. As a method for forming the transparent conductive layer, a known method is used. For example, in the case of ITO generally used as a transparent conductive layer, a thin film layer can be formed by a vacuum evaporation method, a sputtering method, an ion plating method, or the like. When formed by a sputtering method, an indium-tin alloy and indium-tin oxide are often used as raw materials. For example, a method for forming an ITO thin film by a sputtering method is to introduce an ITO thin film using a target made of an indium-tin alloy or an indium oxide-tin while introducing an oxygen generating substance such as argon and oxygen gas under reduced pressure. Form. The thickness of the transparent conductive layer is usually 5 to 100 nm.
【００１３】また、透明導電層の表面抵抗値としては、
通常１０〜１０００Ω／□である。また、本発明では透
明プラスチックフィルムと透明導電層の界面に金属酸窒
化物からなる透明薄膜層を形成する。金属酸窒化物は、
ガスバリア能が高く、フィルムを通過する酸素・水蒸気
が少ないために、高温・高温高湿時にプラスチックフィ
ルムを通過するもしくはプラスチックフィルムから放出
される酸素・水蒸気が少ない。透明プラスチックフィル
ムの片面上に透明導電層を積層してなる透明導電性フィ
ルムであって、その透明プラスチックフィルム／透明導
電層界面に金属酸窒化物からなる透明薄膜層を積層して
得た透明導電性フィルムは、エレクトロルミネッセンス
発光素子用透明電極として用いた場合に高温・高温高湿
時でのエレクトロルミネッセンス層の劣化が起こらず、
良好な耐環境性を発揮する。また、金属酸窒化物層は単
独でも透明であり、また、屈折率がプラスチックフィル
ムに近いので透明性を損なうことが無い。また、有機
物、無機物との密着性がともに高い。そのために、プラ
スチックフィルムと透明導電層の密着力が飛躍的に向上
し、透明導電層の剥離等が生じなくなる。また、薄膜層
の柔軟性が高いために、折り曲げ性も良好であり、ピン
ホール・クラック等が発生しにくい。The surface resistance of the transparent conductive layer is as follows:
Usually, it is 10 to 1000 Ω / □. In the present invention, a transparent thin film layer made of metal oxynitride is formed at the interface between the transparent plastic film and the transparent conductive layer. Metal oxynitride
Since the gas barrier capability is high and the amount of oxygen and water vapor passing through the film is small, the amount of oxygen and water vapor that passes through or is released from the plastic film at high temperature, high temperature and high humidity is small. A transparent conductive film obtained by laminating a transparent conductive layer on one side of a transparent plastic film, wherein the transparent conductive film is obtained by laminating a transparent thin film layer made of metal oxynitride on the transparent plastic film / transparent conductive layer interface. When the electroluminescent film is used as a transparent electrode for an electroluminescence light emitting element, the electroluminescence layer does not deteriorate at high temperature, high temperature and high humidity,
Demonstrate good environmental resistance. Further, the metal oxynitride layer alone is transparent, and the refractive index is close to that of a plastic film, so that the transparency is not impaired. In addition, the adhesion to organic and inorganic substances is high. For this reason, the adhesion between the plastic film and the transparent conductive layer is dramatically improved, and peeling of the transparent conductive layer does not occur. Further, since the flexibility of the thin film layer is high, the bendability is good, and pinholes and cracks are hardly generated.
【００１４】金属酸化物を用いた場合は、透明性、密着
性、ガスバリア性に関しては、金属酸窒化物と同等の性
能を示すものの、薄膜自身が堅くなるために、折り曲げ
加工性に劣るという欠点がある。また、金属酸窒化物が
充分なガスバリア層を発揮するにはある程度の厚みが必
要となり、生産性が悪くなる。また、金属窒化物では、
屈折率が高いために、プラスチックフィルムとの界面で
光の反射が起こり、透明性が悪くなると言う欠点があ
る。また、金属酸窒化物としては、酸窒化珪素、酸窒化
インジウムが特に好ましい。これらの金属酸窒化物は特
に有機物との密着力が良好なため、透明導電層とプラス
チックフィルムとの界面に存在すると密着力が向上す
る。When a metal oxide is used, transparency, adhesion, and gas barrier properties are the same as those of a metal oxynitride, but the thin film itself is hard, so that it is inferior in bending workability. There is. Further, the metal oxynitride needs a certain thickness in order to exhibit a sufficient gas barrier layer, and the productivity is deteriorated. In metal nitride,
Since the refractive index is high, light is reflected at the interface with the plastic film, and there is a disadvantage that transparency is deteriorated. As the metal oxynitride, silicon oxynitride and indium oxynitride are particularly preferable. Since these metal oxynitrides have particularly good adhesion to an organic substance, if they are present at the interface between the transparent conductive layer and the plastic film, the adhesion will be improved.
【００１５】金属酸窒化物薄膜層の形成方法としては、
例えば、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッ
タリング法、分子線エピタキシー法、ＣＶＤ法、ＭＯＣ
ＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の真空中で形成する方法が
挙げられる。例えば、スパッタリング法では、減圧下に
アルゴンガス、酸素などの酸素発生物質ガス、窒素・ア
ンモニアガスなどの窒素発生物質ガスを導入しながら、
シリコン、インジウムなどからなるターゲットを用いて
形成する。これら金属酸窒化物の厚みとしては、０．１
〜１００ｎｍであることが、０．５〜２５ｎｍであるこ
とが更に好ましい。As a method of forming the metal oxynitride thin film layer,
For example, vacuum deposition, ion plating, sputtering, molecular beam epitaxy, CVD, MOC
A method of forming in a vacuum, such as a VD method or a plasma CVD method, may be used. For example, in the sputtering method, argon gas, oxygen-generating material gas such as oxygen, and nitrogen-generating material gas such as nitrogen / ammonia gas are introduced under reduced pressure,
It is formed using a target made of silicon, indium, or the like. The thickness of these metal oxynitrides is 0.1
More preferably, it is from 0.5 to 25 nm.
【００１６】金属酸窒化物の厚みが上記の範囲内にある
場合、ガスバリア性が充分に高く、薄膜自体に柔軟性が
有るためにピンホール・クラック等の欠陥が生じにくく
良好な密着性改良層となりうる。金属酸窒化物の厚みが
上記の値より小さい場合には薄膜層の厚みが充分でな
い。そのため、透明導電層とフィルムの密着性が悪くな
る。一方、フィルムの厚みが上記の範囲より大きくなる
場合、薄膜の柔軟性が失われ、フィルムにストレスが加
わった場合にクラックなどの欠陥が入りやすくなる。ま
た、光の吸収が大きくなるために光線透過率が低くな
る。また、前記の金属の酸窒化物を積層して用いてもか
まわない。When the thickness of the metal oxynitride is within the above range, the gas barrier property is sufficiently high, and the thin film itself has flexibility, so that defects such as pinholes and cracks are hardly generated, and a good adhesion improving layer is obtained. It can be. When the thickness of the metal oxynitride is smaller than the above value, the thickness of the thin film layer is not sufficient. Therefore, the adhesion between the transparent conductive layer and the film is deteriorated. On the other hand, when the thickness of the film is larger than the above range, the flexibility of the thin film is lost, and when a stress is applied to the film, defects such as cracks are easily caused. In addition, the light transmittance is reduced due to the increased light absorption. Further, the above-mentioned metal oxynitrides may be stacked and used.
【００１７】[0017]
【実施例】実施例中の評価項目に関しては以下の方法で
行った。 透明導電層とプラスチックフィルムとの密着力の測定：
密着力の測定は、透明導電性フィルムの透明導電層面と
アルミ板とをエポキシ系接着剤（昭和高分子（株）製ア
ラルダイド）を用いて接着し、接着剤が充分に硬化した
後にテンシロン（（株）オリエンテック製ＲＴＡ−１０
０型）を用いて透明導電性フィルムとアルミ板との密着
力を測定し、その測定値を薄膜の密着力とした。 全光線透過率の測定：ヘーズメーター（日本電色（株）
製ＮＤＨ−３００型）を用いて測定した。 折り曲げ性の測定：透明導電性フィルムを縦５０ｍｍ横
１５０ｍｍの大きさにカットし、横方向に銀ペースト
（三井東圧化学（株）製ＭＳＰ−６００）を用いて両端
に幅１０ｍｍの電極を平行に作成し試験片とする。その
試験片を直径２０ｍｍの金属ロッドに巻き付けた。巻き
付ける前後での抵抗変化を測定し、変化率をもって折り
曲げ性の評価項目とした。 ガスバリア性の測定：モダンコントロール（株）社製Ｏ
Ｘ−ＴＲＡＮ１００型酸素透過率測定装置を用いて２３
℃、相対湿度１００％の条件下で測定した。 薄膜の酸素と窒素の含有量：酸素の含有量（Ｘ）および
窒素の含有量（Ｙ）は、アルバック−ファイ（株）製積
層構造測定装置を用いて測定した。EXAMPLES Evaluation items in the examples were evaluated by the following methods. Measurement of adhesion between transparent conductive layer and plastic film:
The adhesion was measured by bonding the transparent conductive layer surface of the transparent conductive film to the aluminum plate using an epoxy adhesive (Araldide manufactured by Showa Polymer Co., Ltd.), and after the adhesive was sufficiently cured, Tensilon (( Orientec RTA-10
(Type 0) was used to measure the adhesion between the transparent conductive film and the aluminum plate, and the measured value was used as the adhesion of the thin film. Measurement of total light transmittance: Haze meter (Nippon Denshoku Co., Ltd.)
NDH-300). Bending property measurement: A transparent conductive film is cut into a size of 50 mm in length and 150 mm in width, and electrodes having a width of 10 mm are parallel at both ends using silver paste (MSP-600 manufactured by Mitsui Toatsu Chemicals, Inc.) in the horizontal direction. And prepare a test piece. The test piece was wound around a metal rod having a diameter of 20 mm. The resistance change before and after winding was measured, and the rate of change was used as an evaluation item of the bending property. Measurement of gas barrier property: O manufactured by Modern Control Co., Ltd.
23 using an X-TRAN100 type oxygen permeability measuring device
The measurement was performed under the conditions of ° C and 100% relative humidity. Oxygen and nitrogen contents of the thin film: The oxygen content (X) and the nitrogen content (Y) were measured using a laminated structure measuring device manufactured by ULVAC-PHI, Inc.
【００１８】実施例１ 厚み１２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム
（以下、ＰＥＴと略する。帝人（株）製ＨＳＡ）の片面
に、酸窒化珪素からなる透明薄膜層をＤＣマグネトロン
スパッタリング法により厚みが１０ｎｍとなるように作
成した。更に詳しく説明すると、真空槽を０．１３Ｐａ
まで排気した後にアルゴンガスを圧力０．４Ｐａまで導
入し、続いて全圧が０．５３Ｐａになるように酸素ガス
を導入し、更に全圧が０．６７Ｐａになるように窒素ガ
スを導入して、金属シリコンターゲットを用いてＤＣマ
グネトロンスパッタリング法により該ＰＥＴフィルムの
片面に１０ｎｍ厚みの酸窒化珪素薄膜層を形成した。得
られた透明薄膜層上に酸化インジウム−錫（以下ＩＴＯ
と略する。）層をＤＣマグネトロンスパッタリング法に
より作成した。更に詳しく説明すると、真空槽を０．１
３Ｐａまで排気した後にアルゴンガスを圧力０．４Ｐａ
まで導入し、続いて全圧が０．５３Ｐａになるように酸
素ガスを導入し、インジウム−錫合金ターゲットを用い
てＤＣマグネトロンスパッタリング法により２０ｎｍの
厚みの透明導電性フィルムを作成した。得られた透明導
電性フィルムの透明導電層とプラスチックフィルムとの
密着力、全光線透過率、折り曲げ性、表面抵抗値および
Ｘ、Ｙを上述の通り測定した。結果を表１に示す。Example 1 A transparent thin film layer made of silicon oxynitride was formed to a thickness of 10 nm on one side of a 125 μm-thick polyethylene terephthalate film (hereinafter abbreviated as PET; HSA manufactured by Teijin Limited) by DC magnetron sputtering. Created as follows. More specifically, the vacuum chamber is set at 0.13 Pa
After evacuation, argon gas was introduced to a pressure of 0.4 Pa, oxygen gas was introduced so that the total pressure became 0.53 Pa, and nitrogen gas was further introduced so that the total pressure became 0.67 Pa. A silicon oxynitride thin film layer having a thickness of 10 nm was formed on one surface of the PET film by DC magnetron sputtering using a metal silicon target. On the obtained transparent thin film layer, indium-tin oxide (hereinafter referred to as ITO)
Abbreviated. ) Layer was prepared by DC magnetron sputtering method. More specifically, the vacuum chamber is set at 0.1
After evacuating to 3 Pa, argon gas is supplied at a pressure of 0.4 Pa.
Then, oxygen gas was introduced so that the total pressure became 0.53 Pa, and a 20 nm thick transparent conductive film was formed by DC magnetron sputtering using an indium-tin alloy target. The adhesion between the transparent conductive layer of the obtained transparent conductive film and the plastic film, the total light transmittance, the bending property, the surface resistance value, and X and Y were measured as described above. Table 1 shows the results.
【００１９】実施例２ 透明薄膜層を形成する際に用いたターゲットをインジウ
ムとし、透明薄膜層を酸窒化インジウムとした以外は、
実施例１と同様にして透明導電性フィルムを得た。得ら
れた透明導電性フィルムの透明導電層とプラスチックフ
ィルムの密着力、全光線透過率、折り曲げ性、表面抵抗
値および、Ｘ、Ｙを実施例１と同様にして測定した。結
果を表１に合わせて示す。Example 2 A target used for forming a transparent thin film layer was indium, and the transparent thin film layer was indium oxynitride,
A transparent conductive film was obtained in the same manner as in Example 1. The adhesion, the total light transmittance, the bendability, the surface resistance, and the X and Y values of the transparent conductive layer and the plastic film of the obtained transparent conductive film were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
【００２０】実施例３ 酸窒化珪素薄膜の厚みを２５ｎｍとした以外は実施例１
と同様にして透明導電性フィルムを得た。得られた透明
導電性フィルムの透明導電層とプラスチックフィルムの
密着力、全光線透過率、折り曲げ性、表面抵抗値およ
び、Ｘ、Ｙを実施例１と同様に測定した。結果を表１に
合わせて示す。Example 3 Example 1 except that the thickness of the silicon oxynitride thin film was 25 nm.
In the same manner as in the above, a transparent conductive film was obtained. The adhesion between the transparent conductive layer of the obtained transparent conductive film and the plastic film, the total light transmittance, the bending property, the surface resistance value, and X and Y were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
【００２１】実施例４ 実施例１において作成した酸窒化珪素薄膜上に実施例２
と同様にして酸窒化インジウム薄膜を作成したものを透
明薄膜層として用いた以外は実施例１と同様にして透明
導電性フィルムを得た。得られた透明導電性フィルムの
透明導電層とプラスチックフィルムの密着力、全光線透
過率、折り曲げ性、表面抵抗値および、Ｘ、Ｙを実施例
１と同様に測定した。結果を表１に合わせて示す。Example 4 Example 2 was formed on the silicon oxynitride thin film prepared in Example 1.
A transparent conductive film was obtained in the same manner as in Example 1 except that a thin film of indium oxynitride was prepared as in Example 1 and used as a transparent thin film layer. The adhesion between the transparent conductive layer of the obtained transparent conductive film and the plastic film, the total light transmittance, the bending property, the surface resistance value, and X and Y were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
【００２２】実施例５ 実施例１において酸素を全圧が０．６Ｐａになるように
導入し、更に窒素を全圧が０．６７Ｐａになるように導
入した以外は実施例１と同様にして透明導電性フィルム
を得た。得られた透明導電性フィルムの透明導電層とプ
ラスチックフィルムの密着力、全光線透過率、折り曲げ
性、表面抵抗値および、Ｘ、Ｙを実施例１と同様に測定
した。結果を表１に合わせて示す。Example 5 The procedure of Example 1 was repeated, except that oxygen was introduced so that the total pressure became 0.6 Pa and nitrogen was further introduced so that the total pressure became 0.67 Pa. A conductive film was obtained. The adhesion between the transparent conductive layer of the obtained transparent conductive film and the plastic film, the total light transmittance, the bending property, the surface resistance value, and X and Y were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
【００２３】比較例１ 実施例１において使用したＰＥＴフィルムの片面に酸化
珪素からなる透明薄膜層をＤＣマグネトロンスパッタリ
ング法により厚みが１０ｎｍになるように作成した。詳
しく説明すると、真空槽を０．１３Ｐａまで排気した後
にアルゴンガスを圧力０．４Ｐａまで導入し、続いて全
圧が０．５３Ｐａになるように酸素ガスを導入し、金属
シリコンターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタ
リング法により該ＰＥＴフィルムの片面に１０ｎｍ厚み
の酸化珪素薄膜層を形成した。得られた透明薄膜層上に
実施例１と同様にして透明導電層を積層した。得られた
透明導電性フィルムの透明導電層とプラスチックフィル
ムの密着力、全光線透過率、折り曲げ性、表面抵抗値お
よび、Ｘ、Ｙを実施例１と同様にして測定した。結果を
表１に合わせて示す。Comparative Example 1 A transparent thin film layer made of silicon oxide was formed on one side of the PET film used in Example 1 by DC magnetron sputtering so as to have a thickness of 10 nm. More specifically, after evacuation of the vacuum chamber to 0.13 Pa, argon gas is introduced to a pressure of 0.4 Pa, oxygen gas is introduced so that the total pressure becomes 0.53 Pa, and DC gas is introduced using a metal silicon target. A silicon oxide thin film layer having a thickness of 10 nm was formed on one side of the PET film by magnetron sputtering. A transparent conductive layer was laminated on the obtained transparent thin film layer in the same manner as in Example 1. The adhesion, the total light transmittance, the bendability, the surface resistance, and the X and Y values of the transparent conductive layer and the plastic film of the obtained transparent conductive film were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
【００２４】比較例２ 実施例１において使用したＰＥＴフィルムの片面に窒化
珪素からなる透明薄膜層をＤＣマグネトロンスパッタリ
ング法により厚みが１０ｎｍになるように作成した。詳
しく説明すると、真空槽を０．１３Ｐａまで排気した後
にアルゴンガスを圧力０．４Ｐａまで導入し、続いて全
圧が０．５３Ｐａになるように窒素ガスを導入し、金属
シリコンターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタ
リング法により該ＰＥＴフィルムの片面に１０ｎｍ厚み
の酸化珪素薄膜層を形成した。得られた透明薄膜層上に
実施例１と同様にして透明導電層を積層した。得られた
透明導電性フィルムの透明導電層とプラスチックフィル
ムの密着力、全光線透過率、折り曲げ性、表面抵抗値お
よび、Ｘ、Ｙを実施例１と同様にして測定した。結果を
表１に合わせて示す。Comparative Example 2 A transparent thin film layer made of silicon nitride was formed on one surface of the PET film used in Example 1 so as to have a thickness of 10 nm by a DC magnetron sputtering method. More specifically, after evacuating the vacuum chamber to 0.13 Pa, an argon gas is introduced to a pressure of 0.4 Pa, a nitrogen gas is introduced so that the total pressure becomes 0.53 Pa, and DC gas is introduced using a metal silicon target. A silicon oxide thin film layer having a thickness of 10 nm was formed on one side of the PET film by magnetron sputtering. A transparent conductive layer was laminated on the obtained transparent thin film layer in the same manner as in Example 1. The adhesion, the total light transmittance, the bendability, the surface resistance, and the X and Y values of the transparent conductive layer and the plastic film of the obtained transparent conductive film were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
【００２５】比較例３ 実施例１において用いたＰＥＴフィルム上に実施例１と
同様にしてＩＴＯからなる透明導電層を形成して透明導
電性フィルムを得た。得られた透明導電性フィルムの透
明導電層とプラスチックフィルムの密着力、全光線透過
率、折り曲げ性、表面抵抗値を実施例１と同様にして測
定した。結果を表１に合わせて示す。Comparative Example 3 A transparent conductive layer made of ITO was formed on the PET film used in Example 1 in the same manner as in Example 1 to obtain a transparent conductive film. The adhesion between the transparent conductive layer of the obtained transparent conductive film and the plastic film, total light transmittance, bendability, and surface resistance were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
【００２６】比較例４ 実施例１において使用したＰＥＴフィルムの片面にパラ
ジウム金属からなる透明薄膜層をＤＣマグネトロンスパ
ッタリング法により厚みが１ｎｍになるように作成し
た。詳しく説明すると、真空槽を０．１３Ｐａまで排気
した後にアルゴンガスを圧力０．４Ｐａまで導入し、金
属パラジウムターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパ
ッタリング法により該ＰＥＴフィルムの片面に１ｎｍ厚
みの酸化珪素薄膜層を形成した。得られた透明薄膜層上
に実施例１と同様にして透明導電層を積層した。得られ
た透明導電性フィルムの透明導電層とプラスチックフィ
ルムの密着力、全光線透過率、折り曲げ性、表面抵抗値
を実施例１と同様にして測定した。結果を表１に合わせ
て示す。Comparative Example 4 A transparent thin film layer made of palladium metal was formed on one surface of the PET film used in Example 1 so as to have a thickness of 1 nm by DC magnetron sputtering. More specifically, after evacuation of the vacuum chamber to 0.13 Pa, argon gas was introduced to a pressure of 0.4 Pa, and a 1 nm thick silicon oxide thin film layer was formed on one side of the PET film by DC magnetron sputtering using a metal palladium target. Formed. A transparent conductive layer was laminated on the obtained transparent thin film layer in the same manner as in Example 1. The adhesion between the transparent conductive layer of the obtained transparent conductive film and the plastic film, total light transmittance, bendability, and surface resistance were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
【００２７】[0027]
【表１】 単位 ： 光線透過率 ： ％ 密着性 ： kg/25mm 折り曲げ性 ： 無単位 酸素透過率 ： cc/m2/24hr X,Y : 無単位[Table 1] Unit: light transmittance:% adhesion: kg / 25 mm bending resistance: no unit oxygen permeability: cc / m 2 / 24hr X , Y: no unit
【００２８】[0028]
【発明の効果】プラスチックフィルム上に金属酸窒化物
からなる透明薄膜層および、その上に透明導電層を積層
することにより作成した透明導電性フィルムを用いる
と、透明性、密着性、折れ曲げ性、耐環境性に優れたエ
レクトロルミネッセンス発光素子を形成することが出来
る。According to the present invention, when a transparent thin film layer made of a metal oxynitride and a transparent conductive layer formed by laminating a transparent conductive layer on the plastic film are used, transparency, adhesion, and bending property are improved. Thus, an electroluminescence light emitting element having excellent environmental resistance can be formed.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原田 祐一郎 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内 (72)発明者 鈴木 彰 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内 (72)発明者 中島 明美 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yuichiro Harada 2-1-1 Tango-dori, Minami-ku, Nagoya-shi, Aichi Inside Mitsui Toatsu Chemicals Co., Ltd. (72) Akira Suzuki 2-chome Tango-dori, Minami-ku, Nagoya-shi, Aichi No. 1 Mitsui Toatsu Chemical Co., Ltd. (72) Inventor Akemi Nakajima 2-1-1 Tango-dori, Minami-ku, Nagoya-shi, Aichi Prefecture
Claims (4)
導電層を積層してなる透明導電性フィルムにおいて、そ
の透明プラスチックフィルム／透明導電層界面に金属酸
窒化物からなる透明薄膜層を積層することを特徴とする
透明導電性フィルム。1. A transparent conductive film comprising a transparent conductive film laminated on one surface of a transparent plastic film, wherein a transparent thin film layer composed of metal oxynitride is laminated on the transparent plastic film / transparent conductive layer interface. Characteristic transparent conductive film.
酸窒化珪素または、酸窒化インジウムからなることを特
徴とする請求項１の透明導電性フィルム。2. A transparent thin film layer comprising the metal oxynitride,
2. The transparent conductive film according to claim 1, comprising silicon oxynitride or indium oxynitride.
みが、０．１〜１００ｎｍであることを特徴とする請求
項１記載の透明導電性フィルム。3. The transparent conductive film according to claim 1, wherein said transparent thin film layer made of metal oxynitride has a thickness of 0.1 to 100 nm.
用いることを特徴とする請求項１記載の透明導電性フィ
ルム。4. The transparent conductive film according to claim 1, which is used for an electrode for an electroluminescence element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9218988A JPH1148388A (en) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | Transparent conductive film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9218988A JPH1148388A (en) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | Transparent conductive film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1148388A true JPH1148388A (en) | 1999-02-23 |
Family
ID=16728518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9218988A Pending JPH1148388A (en) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | Transparent conductive film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1148388A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006512482A (en) * | 2002-12-20 | 2006-04-13 | エーブリー デニソン コーポレイション | Composite barrier film and method |
| JP2009301830A (en) * | 2008-06-12 | 2009-12-24 | Nitto Denko Corp | Transparent conductive film, transparent conductive laminate, and touch panel |
| JP2010005817A (en) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Oike Ind Co Ltd | Laminated film |
| US8216684B2 (en) | 2005-02-01 | 2012-07-10 | Mitsu Chemicals, Inc. | Method for bonding members, composite film and use thereof |
| JP2014053313A (en) * | 2013-10-15 | 2014-03-20 | Nitto Denko Corp | Transparent conductive film, transparent conductive laminate, and touch panel |
| WO2015159804A1 (en) * | 2014-04-15 | 2015-10-22 | 旭硝子株式会社 | Laminate, conductive laminate and electronic device |
-
1997
- 1997-07-31 JP JP9218988A patent/JPH1148388A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2014053313A (en) * | 2013-10-15 | 2014-03-20 | Nitto Denko Corp | Transparent conductive film, transparent conductive laminate, and touch panel |
| WO2015159804A1 (en) * | 2014-04-15 | 2015-10-22 | 旭硝子株式会社 | Laminate, conductive laminate and electronic device |
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