JP2001110931A - Manufacturing method of 2-layer metal film carrier - Google Patents
Manufacturing method of 2-layer metal film carrierInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は２層メタルフイルム
キャリアの製造方法に関する。The present invention relates to a method for manufacturing a two-layer metal film carrier.
【０００２】[0002]
【従来の技術】２層メタルフイルムキャリアは、絶縁フ
イルムの表裏面に、絶縁フイルムを貫通するスルーホー
ルめっき皮膜により電気的に接続された配線パターンを
有し、この配線パターンの一方に、デバイスホールに突
出するビームリードが形成されたものである。デバイス
ホール内に半導体チップを配置し、半導体チップとビー
ムリードとを接続し、他方の配線パターンにはんだボー
ルを取り付けて、Ｔ−ＢＧＡとして使用できる。この２
層メタルフイルムキャリアは、絶縁フイルムの表裏面に
形成した配線パターンのどちらかを例えばグランドプレ
ーンとして利用することにより電気的特性の優れた半導
体装置として利用可能である。あるいはどちらかの配線
パターンに放熱板を取り付けることにより放熱性に優れ
る半導体装置としても利用可能である。2. Description of the Related Art A two-layer metal film carrier has a wiring pattern electrically connected by a through-hole plating film penetrating the insulating film on the front and back surfaces of the insulating film. In this case, a beam lead is formed to protrude. A T-BGA can be used by disposing a semiconductor chip in a device hole, connecting the semiconductor chip to a beam lead, and attaching a solder ball to the other wiring pattern. This 2
The layer metal film carrier can be used as a semiconductor device having excellent electrical characteristics by using one of the wiring patterns formed on the front and back surfaces of the insulating film as, for example, a ground plane. Alternatively, by attaching a heat radiating plate to one of the wiring patterns, it can be used as a semiconductor device having excellent heat radiation.
【０００３】図１１ａ〜図１１ｇに従来の２層メタルフ
イルムキャリアの製造工程の一例を示す。まず、一方の
面に第１の銅箔１０が形成され、他方の面に接着剤層１
１が形成された絶縁フイルム１２（図１１ａ）に、スル
ーホール１３とデバイスホール１４とを形成する（図１
１ｂ）。次に絶縁フイルム１２の他方の面に、第２の銅
箔１５を、接着剤層１１により接着する（図１１ｃ）。
該接着された第２の銅箔１５を覆って第１の保護レジス
ト層１６を形成する（図１１ｄ）。FIGS. 11a to 11g show an example of a manufacturing process of a conventional two-layer metal film carrier. First, a first copper foil 10 is formed on one surface, and an adhesive layer 1 is formed on the other surface.
1 are formed in the insulating film 12 (FIG. 11a) on which the through holes 13 and the device holes 14 are formed (FIG. 1).
1b). Next, a second copper foil 15 is adhered to the other surface of the insulating film 12 by the adhesive layer 11 (FIG. 11c).
A first protective resist layer 16 is formed so as to cover the adhered second copper foil 15 (FIG. 11D).
【０００４】次に、第１の銅箔１０上、スルーホール１
３内およびデバイスホール１４内に無電解銅めっき皮膜
１７を形成する（図１１ｄ）。前記デバイスホール１４
以外の絶縁フイルム１２の一方の面を覆って第２の保護
レジスト層１８を形成する（図１１ｅ）。該第２の保護
レジスト層１８をマスクとしてデバイスホール１４内の
無電解銅めっき皮膜１７をエッチングにより除去する
（図１１ｅ）。デバイスホール１４内に第３の保護レジ
スト層１９を形成する（図１１ｄ）。Next, on the first copper foil 10, the through hole 1
An electroless copper plating film 17 is formed in 3 and in the device hole 14 (FIG. 11D). The device hole 14
A second protective resist layer 18 is formed so as to cover one surface of the insulating film 12 other than the other (FIG. 11E). Using the second protective resist layer 18 as a mask, the electroless copper plating film 17 in the device hole 14 is removed by etching (FIG. 11e). A third protective resist layer 19 is formed in the device hole 14 (FIG. 11D).
【０００５】次いで、第１の保護レジスト層１６を所要
パターンに形成して、該第１の保護レジスト層１６をマ
スクとして第２の銅箔１５をエッチングして配線パター
ン２０およびデバイスホール１４に突出するビームリー
ド２１を形成する（図１１ｆ）。そして第１、第２、第
３の保護レジスト層１６、１８、１９を除去して２層メ
タルフイルムキャリア２２に形成する。Next, a first protective resist layer 16 is formed in a required pattern, and the second copper foil 15 is etched using the first protective resist layer 16 as a mask to project into the wiring pattern 20 and the device hole 14. A beam lead 21 is formed (FIG. 11F). Then, the first, second, and third protective resist layers 16, 18, and 19 are removed to form a two-layer metal film carrier 22.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記２層メ
タルフイルムキャリア２２の製造方法によるときは次の
ような課題がある。すなわち、図１１ｅの、デバイスホ
ール１４内の無電解めっき皮膜１７を除去するエッチン
グ工程において、第２の銅箔１５上に形成された無電解
銅めっき皮膜１７のみを選択的にエッチングして除去す
ることは困難であり、第２の銅箔１５をもエッチングし
てしまう可能性があり、またデバイスホール１４内の無
電解銅めっき皮膜１７を均一にエッチングすることも難
しく、したがって、ビームリード２１の厚さが不均一に
なるという課題がある。However, there are the following problems in the method of manufacturing the two-layer metal film carrier 22 described above. That is, in the etching step of removing the electroless plating film 17 in the device hole 14 of FIG. 11E, only the electroless copper plating film 17 formed on the second copper foil 15 is selectively etched and removed. It is difficult to etch the second copper foil 15, and it is also difficult to uniformly etch the electroless copper plating film 17 in the device hole 14. There is a problem that the thickness becomes uneven.
【０００７】そこで本発明は上記課題を解決すべくなさ
れたものであり、その目的とするところは、厚さの均一
なビームリードを形成でき、あるいは工程の簡略化が可
能となる２層メタルフイルムキャリアの製造方法を提供
するにある。Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a two-layer metal film capable of forming a beam lead having a uniform thickness or simplifying the process. A method for manufacturing a carrier is provided.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、本発明に係る２
層メタルフイルムキャリアの製造方法では、絶縁フイル
ムの両面に、該絶縁フイルムを貫通するスルーホールめ
っき皮膜によって電気的に接続する配線パターンが形成
され、該配線パターンの一方に前記絶縁フイルムのデバ
イスホールに突出するビームリードが形成された２層メ
タルフイルムキャリアの製造方法において、一方の面に
第１の銅箔が形成され、他方の面に接着剤層が形成され
た絶縁フイルムに、スルーホールおよびデバイスホール
を形成する工程と、前記絶縁フイルムの他方の面に、片
面に銅のエッチング液によっては侵食されない金属膜が
形成された第２の銅箔を、前記接着剤層により金属膜側
を接着剤層に向けて接着する工程と、該接着された第２
の銅箔を覆って第１の保護レジスト層を形成する工程
と、前記第１の銅箔上、前記スルーホール内および前記
デバイスホール内に無電解銅めっき皮膜を形成する工程
と、前記デバイスホール以外の前記絶縁フイルムの一方
の面を覆って第２の保護レジスト層を形成する工程と、
該第２の保護レジスト層をマスクとして前記デバイスホ
ール内の無電解銅めっき皮膜を除去するエッチング工程
と、該デバイスホール内に第３の保護レジスト層を形成
する工程と、前記第１の保護レジスト層を所要パターン
に形成して、該第１の保護レジスト層をマスクとして前
記第２の銅箔および前記金属膜をエッチングして前記配
線パターンおよび前記デバイスホールに突出するビーム
リードを形成する工程と、前記第１、第２および第３の
保護レジスト層を除去する工程とを含むことを特徴とし
ている。The present invention has the following arrangement to achieve the above object. That is, 2 according to the present invention
In the method for manufacturing a layer metal film carrier, a wiring pattern electrically connected to a through hole plating film penetrating the insulating film is formed on both surfaces of the insulating film, and one of the wiring patterns is formed in a device hole of the insulating film. In a method of manufacturing a two-layer metal film carrier having projecting beam leads, a through-hole and a device are formed in an insulating film having a first copper foil formed on one surface and an adhesive layer formed on the other surface. Forming a hole, and forming a second copper foil having a metal film formed on one surface of the insulating film, which is not eroded by a copper etchant, on the other surface of the insulating film. Bonding to the layer, the bonded second
Forming a first protective resist layer over the copper foil, forming an electroless copper plating film on the first copper foil, in the through hole and in the device hole, Forming a second protective resist layer covering one surface of the insulating film other than the above,
An etching step of removing the electroless copper plating film in the device hole using the second protective resist layer as a mask, a step of forming a third protective resist layer in the device hole, and a step of forming the first protective resist Forming a layer into a required pattern and etching the second copper foil and the metal film using the first protective resist layer as a mask to form a beam lead projecting into the wiring pattern and the device hole; Removing the first, second, and third protective resist layers.
【０００９】また本発明に係る２層メタルフイルムキャ
リアの製造方法では、絶縁フイルムの両面に、該絶縁フ
イルムを貫通するスルーホールめっき皮膜によって電気
的に接続する配線パターンが形成され、該配線パターン
の一方に前記絶縁フイルムのデバイスホールに突出する
ビームリードが形成された２層メタルフイルムキャリア
の製造方法において、一方の面に第１の銅箔が形成さ
れ、他方の面に接着剤層が形成された絶縁フイルムに、
スルーホールおよびデバイスホールを形成する工程と、
前記絶縁フイルムの他方の面に、両面に銅のエッチング
液によっては侵食されない金属膜が形成された第２の銅
箔を、前記接着剤層により接着する工程と、前記第１お
よび、第２の銅箔上、前記スルーホール内および前記デ
バイスホール内に無電解銅めっき皮膜を形成する工程
と、前記デバイスホール以外の前記絶縁フイルムの一方
の面を覆って第４の保護レジスト層を形成する工程と、
該第４の保護レジスト層をマスクとして前記デバイスホ
ール内および前記第２の銅箔上の無電解銅めっき皮膜を
除去するエッチング工程と、該デバイスホール内に第５
の保護レジスト層を形成し、前記第２の銅箔上に第６の
保護レジスト層を形成する工程と、前記第６の保護レジ
スト層を所要パターンに形成して、該第６の保護レジス
ト層をマスクとして前記金属膜および前記第２の銅箔を
エッチングして前記配線パターンおよび前記デバイスホ
ールに突出するビームリードを形成する工程と、前記第
４、第５および第６の保護レジスト層を除去する工程と
を含むことを特徴としている。In the method for manufacturing a two-layer metal film carrier according to the present invention, a wiring pattern electrically connected to the insulating film by a through-hole plating film penetrating the insulating film is formed on both surfaces of the insulating film. In the method for manufacturing a two-layer metal film carrier having a beam lead projecting into a device hole of the insulating film, a first copper foil is formed on one surface and an adhesive layer is formed on the other surface. Insulated film
Forming a through hole and a device hole;
Adhering, with the adhesive layer, a second copper foil having a metal film that is not eroded by a copper etchant on both surfaces to the other surface of the insulating film; Forming an electroless copper plating film on the copper foil in the through hole and the device hole, and forming a fourth protective resist layer covering one surface of the insulating film other than the device hole; When,
An etching step of removing the electroless copper plating film in the device hole and on the second copper foil using the fourth protective resist layer as a mask;
Forming a protective resist layer on the second copper foil and forming a sixth protective resist layer on the second copper foil; and forming the sixth protective resist layer in a required pattern to form the sixth protective resist layer. Forming a beam lead projecting into the wiring pattern and the device hole by etching the metal film and the second copper foil using the mask as a mask, and removing the fourth, fifth and sixth protective resist layers And the step of performing
【００１０】さらに本発明に係る２層メタルフイルムキ
ャリアの製造方法では、絶縁フイルムの両面に、該絶縁
フイルムを貫通するスルーホールめっき皮膜によって電
気的に接続する配線パターンが形成され、該配線パター
ンの一方に前記絶縁フイルムのデバイスホールに突出す
るビームリードが形成された２層メタルフイルムキャリ
アの製造方法において、一方の面に第１の銅箔が形成さ
れ、他方の面に接着剤層が形成された絶縁フイルムにデ
バイスホールを形成する工程と、前記絶縁フイルムの他
方の面に、片面に銅のエッチング液によっては侵食され
ない金属膜が形成された第２の銅箔を、前記接着剤層に
より金属膜側を接着剤層に向けて接着する工程と、前記
第２の銅箔と前記絶縁フイルムとを貫通し、底面に前記
第１の銅箔が露出するスルーホールを形成する工程と、
前記第１および第２の銅箔上、前記デバイスホール内お
よび前記スルーホール内に無電解銅めっき皮膜を形成す
る工程と、前記デバイスホール以外の前記絶縁フイルム
の一方の面を覆って第７の保護レジスト層を形成する工
程と、前記第２の銅箔を覆って第８の保護レジスト層を
形成する工程と、該第８の保護レジスト層を所要パター
ンに形成して、該第８および前記第７の保護レジスト層
をマスクとして前記第２の銅箔、前記無電解銅めっき皮
膜および前記金属膜をエッチングして前記配線パターン
および前記デバイスホールに突出するビームリードを形
成する工程と、前記第７および第８の保護レジスト層を
除去する工程とを含むことを特徴としている。Further, in the method of manufacturing a two-layer metal film carrier according to the present invention, a wiring pattern electrically connected to a through-hole plating film penetrating the insulating film is formed on both surfaces of the insulating film. In the method for manufacturing a two-layer metal film carrier having a beam lead projecting into a device hole of the insulating film, a first copper foil is formed on one surface and an adhesive layer is formed on the other surface. Forming a device hole in the insulating film, and a second copper foil having a metal film formed on one surface of the insulating film, which is not eroded by a copper etchant on one surface, is metallized by the adhesive layer. Bonding the film side to the adhesive layer, and penetrating the second copper foil and the insulating film, and exposing the first copper foil on the bottom surface A step of forming a through-hole that,
Forming an electroless copper plating film on the first and second copper foils, in the device holes and in the through holes, and forming a seventh surface covering one surface of the insulating film other than the device holes. Forming a protective resist layer, forming an eighth protective resist layer over the second copper foil, forming the eighth protective resist layer into a required pattern, Etching the second copper foil, the electroless copper plating film, and the metal film using a seventh protective resist layer as a mask to form a beam lead projecting into the wiring pattern and the device hole; Removing the seventh and eighth protective resist layers.
【００１１】また本発明に係る２層メタルフイルムキャ
リアの製造方法では、絶縁フイルムの両面に、該絶縁フ
イルムを貫通するスルーホールめっき皮膜によって電気
的に接続する配線パターンが形成され、該配線パターン
の一方に前記絶縁フイルムのデバイスホールに突出する
ビームリードが形成された２層メタルフイルムキャリア
の製造方法において、一方の面に第１の銅箔が形成さ
れ、他方の面に接着剤層が形成された絶縁フイルムにデ
バイスホールを形成する工程と、絶縁フイルムの他方の
面に、両面に銅のエッチング液によっては侵食されない
金属膜が形成された第２の銅箔を、前記接着剤層により
接着する工程と、前記第２の銅箔と前記絶縁フイルムと
を貫通し、底面に前記第１の銅箔が露出するスルーホー
ルを形成する工程と、前記第１および第２の銅箔上、前
記デバイスホール内および前記スルーホール内に無電解
銅めっき皮膜を形成する工程と、前記デバイスホール以
外の前記絶縁フイルムの一方の面を覆って第９の保護レ
ジスト層を形成する工程と、前記第２の銅箔の前記スル
ーホールおよびその周辺を覆って第１０の保護レジスト
層を形成する工程と、前記第９および第１０の保護レジ
スト層をマスクとしてエッチングし、該両保護レジスト
層によって覆われていない前記無電解めっき皮膜部分を
除去する工程と、前記第９および第１０の保護レジスト
層を除去する工程と、前記第１の銅箔上および前記デバ
イスホール内に第１１の保護レジスト層を形成する工程
と、前記第２の銅箔上を覆って第１２の保護レジスト層
を形成する工程と、該第１２の保護レジスト層を所要パ
ターンに形成して、該第１２の保護レジスト層および前
記第１１の保護レジスト層をマスクとして前記第２の銅
箔および前記金属膜をエッチングして前記配線パターン
および前記デバイスホールに突出するビームリードを形
成する工程と、前記第１１および第１２の保護レジスト
層を除去する工程とを含むことを特徴としている。Further, in the method for manufacturing a two-layer metal film carrier according to the present invention, a wiring pattern electrically connected by a through-hole plating film penetrating the insulating film is formed on both surfaces of the insulating film. In the method for manufacturing a two-layer metal film carrier having a beam lead projecting into a device hole of the insulating film, a first copper foil is formed on one surface and an adhesive layer is formed on the other surface. Forming a device hole in the insulating film, and bonding the second copper foil having a metal film which is not eroded by a copper etchant on both surfaces to the other surface of the insulating film by the adhesive layer. Forming a through hole that penetrates through the second copper foil and the insulating film and exposes the first copper foil on a bottom surface; Forming an electroless copper plating film on the first and second copper foils, in the device holes and in the through holes, and forming a ninth film covering one surface of the insulating film other than the device holes. A step of forming a protective resist layer, a step of forming a tenth protective resist layer covering the through hole of the second copper foil and its periphery, and using the ninth and tenth protective resist layers as masks Etching, removing a portion of the electroless plating film that is not covered by the two protective resist layers; removing the ninth and tenth protective resist layers; A step of forming an eleventh protective resist layer in the device hole, a step of forming a twelfth protective resist layer over the second copper foil, and a step of forming the twelfth protective resist layer. Forming a first layer in a required pattern, etching the second copper foil and the metal film by using the twelfth protective resist layer and the eleventh protective resist layer as a mask, and forming the wiring pattern and the device holes. The method is characterized by including a step of forming a projecting beam lead and a step of removing the eleventh and twelfth protective resist layers.
【００１２】またさらに本発明に係る２層メタルフイル
ムキャリアの製造方法では、絶縁フイルムの両面に、該
絶縁フイルムを貫通するスルーホールめっき皮膜によっ
て電気的に接続する配線パターンが形成され、該配線パ
ターンの一方に前記絶縁フイルムから突出するビームリ
ードが形成された２層メタルフイルムキャリアの製造方
法において、一方の面に第１の銅箔が形成され、他方の
面に接着剤層が形成された絶縁フイルムにビームリード
用ホールおよびスルーホールを形成する工程と、前記絶
縁フイルムの他方の面に、片面に銅のエッチング液によ
っては侵食されない金属膜が形成された第２の銅箔を、
前記接着剤層により金属膜側を接着剤層に向けて接着す
る工程と、該接着された第２の銅箔を覆って第１３の保
護レジスト層を形成する工程と、前記第１の銅箔上、前
記ビームリード用ホール内および前記スルーホール内に
無電解銅めっき皮膜を形成する工程と、前記ビームリー
ド用ホール以外の前記絶縁フイルムの一方の面を覆って
第１４の保護レジスト層を形成する工程と、該第１４の
保護レジスト層をマスクとして前記ビームリード用ホー
ル内の無電解銅めっき皮膜を除去するエッチング工程
と、該ビームリード用ホール内に第１５の保護レジスト
層を形成する工程と、前記第１３の保護レジスト層を所
要パターンに形成して、該第１３の保護レジスト層をマ
スクとして前記第２の銅箔および前記金属膜をエッチン
グして前記配線パターンおよび前記ビームリード用ホー
ルに突出するビームリードを形成する工程と、前記第１
３、第１４および第１５の保護レジスト層を除去する工
程とを含むことを特徴としている。Further, in the method of manufacturing a two-layer metal film carrier according to the present invention, a wiring pattern electrically connected to a through-hole plating film penetrating the insulating film is formed on both surfaces of the insulating film. In a method for manufacturing a two-layer metal film carrier having a beam lead projecting from the insulating film on one side, a first copper foil is formed on one side and an adhesive layer is formed on the other side. Forming a beam lead hole and a through hole in the film; and forming, on the other surface of the insulating film, a second copper foil in which a metal film that is not eroded by a copper etchant on one surface is formed.
A step of adhering the metal film side to the adhesive layer by the adhesive layer, a step of forming a thirteenth protective resist layer over the adhered second copper foil, and a step of forming the first copper foil A step of forming an electroless copper plating film in the beam lead hole and the through hole; and forming a fourteenth protective resist layer covering one surface of the insulating film other than the beam lead hole. Performing an etching step of removing the electroless copper plating film in the beam lead hole using the fourteenth protective resist layer as a mask; and forming a fifteenth protective resist layer in the beam lead hole. Forming the thirteenth protective resist layer in a required pattern, etching the second copper foil and the metal film using the thirteenth protective resist layer as a mask, and forming the wiring pattern. Forming a beam leads projecting down and the beam lead Hall, the first
And a step of removing the fourteenth and fifteenth protective resist layers.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は第１の実
施の形態を示す。図１ａ、図１ｂに示すように、一方の
面に第１の銅箔２５が形成され、他方の面に接着剤層２
６が形成された絶縁フイルム２７に、スルーホール２８
とデバイスホール２９とを形成する。接着剤層２６表面
には剥離紙が貼着されている。絶縁フイルム２７には、
ポリイミド、エポキシ等の樹脂フイルムを用いることが
できる。スルーホール２８、デバイスホール２９はプレ
ス加工、レーザー加工等により形成することができる。Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows a first embodiment. As shown in FIGS. 1A and 1B, a first copper foil 25 is formed on one surface, and an adhesive layer 2 is formed on the other surface.
6 are formed in the insulating film 27 on which the through holes 28 are formed.
And a device hole 29 are formed. A release paper is adhered to the surface of the adhesive layer 26. Insulating film 27
Resin films such as polyimide and epoxy can be used. The through hole 28 and the device hole 29 can be formed by press working, laser processing, or the like.
【００１４】次に、図１ｃに示すように、絶縁フイルム
２７の他方の面に、片面に銅のエッチング液によっては
侵食されない金属膜３０が形成された第２の銅箔３１
を、接着剤層２６により金属膜３０側を接着剤層２６に
向けて接着する。金属膜３０としては、クロム、チタ
ン、アルミニウムなどの金属膜が好適である。なお、ス
ルーホール２８、デバイスホール２９は第２の銅箔３１
を接着後に絶縁フイルム２７にあけてもよい。この場合
はレーザー加工によりあけると好適である。Next, as shown in FIG. 1C, a second copper foil 31 having a metal film 30 formed on one surface of the insulating film 27, which is not eroded by a copper etchant, on one surface.
Are bonded by the adhesive layer 26 with the metal film 30 side facing the adhesive layer 26. As the metal film 30, a metal film of chromium, titanium, aluminum, or the like is preferable. Note that the through hole 28 and the device hole 29 are formed in the second copper foil 31.
May be opened on the insulating film 27 after bonding. In this case, it is preferable to open by laser processing.
【００１５】次に、図１ｄに示すように、第２の銅箔３
１を覆って感光性樹脂からなる第１の保護レジスト層３
３を形成し、この第１の保護レジスト層３３をマスクと
して、無電解銅めっきを施す。これにより、第１の銅箔
２５上、スルーホール２８内およびデバイスホール２９
内に無電解めっき皮膜３４が形成される。Next, as shown in FIG. 1D, the second copper foil 3
1 and a first protective resist layer 3 made of a photosensitive resin
Then, electroless copper plating is performed using the first protective resist layer 33 as a mask. Thus, the first copper foil 25, the inside of the through hole 28 and the device hole 29
An electroless plating film 34 is formed therein.
【００１６】次いで、デバイスホール２９以外の絶縁フ
イルム２７の一方の面を覆って第２の保護レジスト層３
５を形成し（図１ｅ）、該第２の保護レジスト層３５を
マスクとしてエッチングし、デバイスホール２９内の無
電解銅めっき皮膜３４を除去する。第２の銅箔３１のデ
バイスホール２９側の面には銅のエッチング液には侵食
されない金属膜３０が形成されているので、無電解めっ
き皮膜３４をエッチングするとこの金属膜３０が露出し
てきて、それ以上はエッチングされない。したがって、
デバイスホール２９内において、第２の銅箔３１は当初
のままの厚さが確保されている。Next, a second protective resist layer 3 covering one surface of the insulating film 27 except for the device hole 29 is formed.
5 is formed (FIG. 1e), etching is performed using the second protective resist layer 35 as a mask, and the electroless copper plating film 34 in the device hole 29 is removed. Since the metal film 30 that is not eroded by the copper etchant is formed on the surface of the second copper foil 31 on the device hole 29 side, the metal film 30 is exposed when the electroless plating film 34 is etched, No further etching is performed. Therefore,
In the device hole 29, the thickness of the second copper foil 31 remains as it was at the beginning.
【００１７】次に、図１ｆに示すように、デバイスホー
ル２９内に第３の保護レジスト層３７を形成し、またフ
ォトリソグラフィーにより第１の保護レジスト層３３を
所要パターンに形成して、この第１の保護レジスト層３
３をマスクとして第２の銅箔３１および金属膜３０をエ
ッチングして配線パターン３９およびデバイスホール２
９内に突出するビームリード４０を形成し、次いで図１
ｇに示すように、第１、第２、第３の保護レジスト層３
３、３５、３７を除去して２層メタルフイルムキャリア
４１に完成するのである。金属膜３０のエッチングと第
２の銅箔３１のエッチングとは異なるエッチング液を用
いるので２段階のエッチング工程となる。なお、第１，
第２、第３の保護レジスト層３３、３５、３７を除去し
て後、ビームリード４０の片側表面に露出した金属膜３
０をエッチングにより除去する。その際のエッチング液
は銅を侵食しない液を用いる。Next, as shown in FIG. 1F, a third protective resist layer 37 is formed in the device hole 29, and a first protective resist layer 33 is formed in a required pattern by photolithography. 1 protective resist layer 3
3 is used as a mask to etch the second copper foil 31 and the metal film 30 to form a wiring pattern 39 and a device hole 2.
9, a beam lead 40 projecting into FIG.
g, the first, second and third protective resist layers 3
By removing 3, 35 and 37, the two-layer metal film carrier 41 is completed. Since an etching solution different from the etching of the metal film 30 and the etching of the second copper foil 31 is used, a two-stage etching process is performed. In addition, the first,
After removing the second and third protective resist layers 33, 35, and 37, the metal film 3 exposed on one surface of the beam lead 40 is removed.
0 is removed by etching. At this time, an etchant that does not attack copper is used.
【００１８】また、第２の保護レジスト層３５をフォト
リソグラフィーにより所要パターンに形成し、この第２
の保護レジスト層３５をマスクとして第１の銅箔２５を
エッチングして所要の配線パターンとしてもよい。第１
の銅箔２５はエッチングせず、そのままグランドランド
プレーン等として使用することもできる。もちろんグラ
ンドプレーン等も配線パターンの概念である。配線パタ
ーン３９、ビームリード４０等にはニッケルめっきを下
地とする金めっきなど必要なめっきを施す。A second protective resist layer 35 is formed in a required pattern by photolithography.
The first copper foil 25 may be etched using the protective resist layer 35 as a mask to form a required wiring pattern. First
The copper foil 25 can be used as it is as a ground land plane without etching. Of course, the ground plane is also a concept of the wiring pattern. Necessary plating such as gold plating with nickel plating as a base is applied to the wiring pattern 39, the beam leads 40, and the like.
【００１９】図２は、上記第１の銅箔２５をエッチング
して配線パターンに形成した２層メタルフイルムキャリ
ア４１に半導体チップ４２を搭載して半導体装置（Ｔ−
ＢＧＡ）４３に形成した例を示す。半導体チップ４２は
デバイスホール２９内に収納し、ビームリード４０と電
気的に接続し、封止樹脂４４により封止する。第１の銅
箔２５側にははんだボール４５を取り付ける。４６はソ
ルダーレジスト層である。FIG. 2 shows a semiconductor device (T-type) in which a semiconductor chip 42 is mounted on a two-layer metal film carrier 41 formed by etching the first copper foil 25 to form a wiring pattern.
BGA) 43 is shown. The semiconductor chip 42 is housed in the device hole 29, electrically connected to the beam lead 40, and sealed with a sealing resin 44. A solder ball 45 is attached to the first copper foil 25 side. 46 is a solder resist layer.
【００２０】図３は、上記２層メタルフイルムキャリア
４１を用いた他の半導体装置（Ｔ−ＢＧＡ）４３の例を
示す。この例でははんだボール４５を配線パターン３９
側に形成し、第１の銅箔２５側には放熱板４７を固定し
たものである。FIG. 3 shows an example of another semiconductor device (T-BGA) 43 using the two-layer metal film carrier 41. In this example, the solder balls 45 are connected to the wiring patterns 39.
The heat radiation plate 47 is fixed to the first copper foil 25 side.
【００２１】図４は第２の実施の形態を示す。図４ａ、
図４ｂに示すように、一方の面に第１の銅箔２５が形成
され、他方の面に接着剤層２６が形成された絶縁フイル
ム２７に、前記実施の形態と同様にしてスルーホール２
８とデバイスホール２９とを形成する。FIG. 4 shows a second embodiment. FIG. 4a,
As shown in FIG. 4B, an insulating film 27 having a first copper foil 25 formed on one surface and an adhesive layer 26 formed on the other surface is provided with a through-hole 2 in the same manner as in the previous embodiment.
8 and a device hole 29 are formed.
【００２２】次に図４ｃに示すように、絶縁フイルム２
７の他方の面に、両面に銅のエッチング液によっては侵
食されない前記と同様な金属膜３０、３２が形成された
第２の銅箔３１を、接着剤層２６により接着する。次い
で、図４ｄに示すように、第１の銅箔２５、第２の銅箔
３１、スルーホール２８内およびデバイスホール２９内
に無電解銅めっき皮膜３４、３４を形成する。Next, as shown in FIG.
A second copper foil 31 having the same metal films 30 and 32 formed on both surfaces thereof, which is not eroded by the copper etchant, is adhered to the other surface of the substrate 7 by an adhesive layer 26. Next, as shown in FIG. 4D, electroless copper plating films 34, 34 are formed in the first copper foil 25, the second copper foil 31, the through hole 28, and the device hole 29.
【００２３】次に、図４ｅに示すように、デバイスホー
ル２９以外の絶縁フイルム２５の一方の面を覆って第４
の保護レジスト層５０を形成し、この第４の保護レジス
ト層５０をマスクとしてデバイスホール２９内の無電解
銅めっき皮膜３４および第２の銅箔３１上の無電解銅め
っき皮膜３４をエッチングにより除去する。このエッチ
ング工程の際、前記のように、第２の銅箔３１の両面に
は銅のエッチング液には侵食されない金属膜３０、３２
が形成されているから、第２の銅箔３１が侵食されるこ
とはない。前記第１の実施の形態と比較して，第１の保
護レジスト層３３を形成する工程を省略できる。Next, as shown in FIG. 4E, a fourth surface is covered by covering one surface of the insulating film 25 except the device hole 29.
Is formed, and the electroless copper plating film 34 in the device hole 29 and the electroless copper plating film 34 on the second copper foil 31 are removed by etching using the fourth protection resist layer 50 as a mask. I do. In this etching step, as described above, the metal films 30 and 32 that are not eroded by the copper etchant are formed on both surfaces of the second copper foil 31.
Is formed, the second copper foil 31 is not eroded. As compared with the first embodiment, the step of forming the first protective resist layer 33 can be omitted.
【００２４】次に、図４ｆに示すように、デバイスホー
ル２９内に第５の保護レジスト層５１を形成し、第２の
銅箔３１上に第６の保護レジスト層５２を形成し、第６
の保護レジスト層５２を所要パターンに形成して、該第
６の保護レジスト層５２をマスクとして金属膜３０、３
２および第２の銅箔３１をエッチングして配線パターン
３９およびデバイスホール２９内に突出するビームリー
ド４０を形成し、次いで図４ｇに示すように、第４、第
５、第６の保護レジスト層５０、５１、５２を除去して
２層メタルフイルムキャリア４１に完成するのである。
金属膜３０、３２のエッチングと無電解銅めっき皮膜の
エッチングとは異なるエッチング液を用いるので２段階
のエッチング工程となる。なお、第４、第５、第６の保
護レジスト層５０、５１、５２を除去して後、ビームリ
ード４０の表面に露出した金属膜３０、３２をエッチン
グにより除去する。その際のエッチング液は銅を侵食し
ない液を用いる。Next, as shown in FIG. 4F, a fifth protective resist layer 51 is formed in the device hole 29, a sixth protective resist layer 52 is formed on the second copper foil 31, and a sixth protective resist layer 52 is formed.
Is formed in a required pattern, and the metal films 30, 3 are formed using the sixth protective resist layer 52 as a mask.
The second and second copper foils 31 are etched to form the wiring patterns 39 and the beam leads 40 projecting into the device holes 29, and then, as shown in FIG. 4g, the fourth, fifth and sixth protective resist layers. The two-layer metal film carrier 41 is completed by removing 50, 51 and 52.
Since different etching solutions are used for the etching of the metal films 30 and 32 and the etching of the electroless copper plating film, a two-stage etching process is performed. After removing the fourth, fifth, and sixth protective resist layers 50, 51, and 52, the metal films 30, 32 exposed on the surface of the beam lead 40 are removed by etching. At this time, an etchant that does not attack copper is used.
【００２５】また、第４の保護レジスト層５０をフォト
リソグラフィーにより所要パターンに形成し、この第４
の保護レジスト層５０をマスクとして第１の銅箔２５を
エッチングして所要の配線パターンとしてもよい。第１
の銅箔３５はエッチングせず、そのままグランドランド
プレーン等として使用することもできる。もちろんグラ
ンドプレーン等も配線パターンの概念である。配線パタ
ーン３９、ビームリード４０等にはニッケルめっきを下
地とする金めっきなど必要なめっきを施す。A fourth protective resist layer 50 is formed in a required pattern by photolithography.
The first copper foil 25 may be etched using the protective resist layer 50 as a mask to form a required wiring pattern. First
The copper foil 35 can be used as it is as a ground land plane without etching. Of course, the ground plane is also a concept of the wiring pattern. Necessary plating such as gold plating with nickel plating as a base is applied to the wiring pattern 39, the beam leads 40, and the like.
【００２６】この第２の実施の形態でも、無電解銅めっ
き皮膜３４、３４をエッチングにより除去する際、第２
の銅箔３１が侵食されないから、均一厚さのビームリー
ド４０を形成することができる。本実施の形態の２層メ
タルフイルムキャリアの場合も図２、図３に示す半導体
装置用として用いることができる。Also in this second embodiment, when removing the electroless copper plating films 34, 34 by etching, the second
Therefore, the beam lead 40 having a uniform thickness can be formed. The two-layer metal film carrier of the present embodiment can also be used for the semiconductor device shown in FIGS.
【００２７】図５は第３の実施の形態を示す。図５ａ、
図５ｂに示すように、一方の面に第１の銅箔２５が形成
され、他方の面に接着剤層２６が形成された絶縁フイル
ム２７に前記と同様にしてデバイスホール２９を形成す
る。そして、絶縁フイルム２７の他方の面に、片面に銅
のエッチング液によっては侵食されない前記と同様な金
属膜３０が形成された第２の銅箔３１を、接着剤層２６
により金属膜３０側を接着剤層２６に向けて接着する。
デバイスホール２９の開口は第２の銅箔３１を接着した
後であってもよい。FIG. 5 shows a third embodiment. FIG. 5a,
As shown in FIG. 5B, a device hole 29 is formed in an insulating film 27 having a first copper foil 25 formed on one surface and an adhesive layer 26 formed on the other surface in the same manner as described above. Then, on the other surface of the insulating film 27, a second copper foil 31 on which a metal film 30 similar to the above which is not eroded by a copper etchant on one surface is formed, and an adhesive layer 26 is formed.
Thereby, the metal film 30 is bonded to the adhesive layer 26.
The opening of the device hole 29 may be after the second copper foil 31 is bonded.
【００２８】次に、図５ｃに示すように、第２の銅箔３
１と絶縁フイルム２７を貫通し、底面に第１の銅箔２５
が露出するスルーホール２８を形成する。このスルーホ
ール２８はレーザー加工によって形成するとよい。次い
で、図５ｄに示すように、第１の銅箔２５上、第２の銅
箔３１上、デバイスホール２９内およびスルーホール２
８内に無電解銅めっき皮膜３４を形成する。Next, as shown in FIG. 5C, the second copper foil 3
1 and the insulating film 27, and the first copper foil 25
Are formed to expose through holes 28. This through hole 28 may be formed by laser processing. Next, as shown in FIG. 5D, the first copper foil 25, the second copper foil 31, the inside of the device hole 29 and the through hole 2
An electroless copper plating film 34 is formed in 8.
【００２９】次に、図５ｅに示すように、デバイスホー
ル２９以外の絶縁フイルム２７の一方の面を覆って第７
の保護レジスト層５５を形成し、また第２の銅箔３１を
覆って第８の保護レジスト層５６を形成する。次いで、
第８の保護レジスト層５６を所要パターンに形成して、
該第８の保護レジスト層５６および第７の保護レジスト
層５５をマスクとして第２の銅箔３１、無電解銅めっき
皮膜３４および金属膜３０をエッチングして配線パター
ン３９およびデバイスホール２９に突出するビームリー
ド４０を形成する。無電解銅めっき皮膜３４のエッチン
グと金属膜３０のエッチングは異なるエッチング液を用
いるので２工程となる。Next, as shown in FIG. 5E, one side of the insulating film 27 other than the device hole 29 is covered with the seventh film.
Is formed, and an eighth protective resist layer 56 is formed so as to cover the second copper foil 31. Then
Forming an eighth protective resist layer 56 in a required pattern,
Using the eighth protective resist layer 56 and the seventh protective resist layer 55 as a mask, the second copper foil 31, the electroless copper plating film 34, and the metal film 30 are etched to project into the wiring pattern 39 and the device hole 29. A beam lead 40 is formed. The etching of the electroless copper plating film 34 and the etching of the metal film 30 are performed in two steps because different etching solutions are used.
【００３０】そして図５ｇに示すように、第７、第８の
保護レジスト層５５、５６を除去して２層メタルフイル
ムキャリア４１に形成する。なお、第７、第８の保護レ
ジスト層５５、５６を除去して後、ビームリード４０の
表面に露出した金属膜３０をエッチングにより除去す
る。その際のエッチング液は銅を侵食しない液を用い
る。Then, as shown in FIG. 5G, the seventh and eighth protective resist layers 55 and 56 are removed to form the two-layer metal film carrier 41. After removing the seventh and eighth protective resist layers 55 and 56, the metal film 30 exposed on the surface of the beam lead 40 is removed by etching. At this time, an etchant that does not attack copper is used.
【００３１】また、第７の保護レジスト層５５をフォト
リソグラフィーにより所要パターンに形成し、この第７
の保護レジスト層５５をマスクとして第１の銅箔２５を
エッチングして所要の配線パターンとしてもよい。第１
の銅箔２５はエッチングせず、そのままグランドランド
プレーン等として使用することもできる。もちろんグラ
ンドプレーン等も配線パターンの概念である。配線パタ
ーン３９、ビームリード４０等にはニッケルめっきを下
地とする金めっきなど必要なめっきを施す。A seventh protective resist layer 55 is formed in a required pattern by photolithography.
Using the protective resist layer 55 as a mask, the first copper foil 25 may be etched to form a required wiring pattern. First
The copper foil 25 can be used as it is as a ground land plane without etching. Of course, the ground plane is also a concept of the wiring pattern. Necessary plating such as gold plating with nickel plating as a base is applied to the wiring pattern 39, the beam leads 40, and the like.
【００３２】この第３の実施の形態では、保護レジスト
層を２層形成するだけでよいので、工程を簡略化でき
る。またデバイスホール29内の無電解銅めっき皮膜３４
を除去する際、第２の銅箔３１がエッチングされないの
で、均一厚さのビームリード４０を形成することができ
る。なお、ビームリード４０には無電解銅めっき皮膜３
４がそのまま残るので暑さが若干増加し、それだけファ
インなパターンには形成しにくくなる。In the third embodiment, since only two protective resist layers need to be formed, the process can be simplified. Also, the electroless copper plating film 34 in the device hole 29
Is removed, the second copper foil 31 is not etched, so that the beam lead 40 having a uniform thickness can be formed. The beam lead 40 has an electroless copper plating film 3
Since 4 remains as it is, the heat slightly increases, and it becomes difficult to form a fine pattern.
【００３３】図６は第４の実施の形態を示す。図６ａ、
図６ｂに示すように、一方の面に第１の銅箔２５が形成
され、他方の面に接着剤層２６が形成された絶縁フイル
ム２７にデバイスホール２９を前記と同様にして形成
し、絶縁フイルム２７に、両面に銅のエッチング液によ
っては侵食されない前記と同様の金属膜３０、３２が形
成された第２の銅箔３１を、接着剤層２６により接着す
る。デバイスホール２９の開口は第２の銅箔３１を接着
した後であってもよい。FIG. 6 shows a fourth embodiment. FIG. 6a,
As shown in FIG. 6B, a device hole 29 is formed in the same manner as described above on an insulating film 27 having a first copper foil 25 formed on one surface and an adhesive layer 26 formed on the other surface. A second copper foil 31 having the same metal films 30 and 32 formed on both sides of the film 27 that is not eroded by a copper etchant is adhered to the film 27 by an adhesive layer 26. The opening of the device hole 29 may be after the second copper foil 31 is bonded.
【００３４】次に図６ｃに示すように、第２の銅箔３１
と絶縁フイルム２７を貫通し、底面に第１の銅箔２５が
露出するスルーホール２８を形成する。スルーホール２
８はレーザー加工によって形成すると好適である。次い
で図６ｄに示すように、第１の銅箔２５上、第２の銅箔
３１上、デバイスホール２９内およびスルーホール２８
内に無電解銅めっき皮膜３４を形成する。Next, as shown in FIG. 6C, the second copper foil 31
And an insulating film 27, and a through hole 28 is formed on the bottom surface where the first copper foil 25 is exposed. Through hole 2
8 is preferably formed by laser processing. Next, as shown in FIG. 6D, on the first copper foil 25, on the second copper foil 31, in the device hole 29 and in the through hole 28.
An electroless copper plating film 34 is formed therein.
【００３５】次に、図６ｅに示すように、デバイスホー
ル２９以外の絶縁フイルム２７の一方の面を覆って第９
の保護レジスト層５８を形成し、第２の銅箔３１のスル
ーホール２８およびその周辺を覆って第１０の保護レジ
スト層５９を形成する。そして，図６ｆに示すように、
第９、第１０の保護レジスト層５８、５９をマスクとし
てエッチングし、該両保護レジスト層５８、５９によっ
て覆われていない無電解めっき皮膜３４部分を除去す
る。次いで第９および第１０の保護レジスト層５８、５
９を除去する。第２の銅箔３１の両面に前記金属膜３
０、３２が形成されているので、ビームリードとなる部
位の第２の銅箔３１部分は侵食されない。Next, as shown in FIG. 6E, one surface of the insulating film 27 other than the device hole 29 is covered with a ninth film.
Is formed, and a tenth protective resist layer 59 is formed to cover the through hole 28 of the second copper foil 31 and its periphery. Then, as shown in FIG.
Etching is performed using the ninth and tenth protective resist layers 58 and 59 as a mask, and portions of the electroless plating film 34 that are not covered by the protective resist layers 58 and 59 are removed. Next, the ninth and tenth protective resist layers 58, 5
9 is removed. The metal film 3 is formed on both surfaces of the second copper foil 31.
Since the 0 and 32 are formed, the portion of the second copper foil 31 which is to be the beam lead is not eroded.
【００３６】次に、図６ｇに示すように、第１の銅箔２
５上およびデバイスホール２９内に第１１の保護レジス
ト層６０を形成し、第２の銅箔３１上を覆って第１２の
保護レジスト層６１を形成する。そして、第１２の保護
レジスト層６１を所要パターンに形成して、該第１２の
保護レジスト層６１および第１１の保護レジスト層６０
をマスクとして第２の銅箔３１および金属膜３０、３２
をエッチングして配線パターン３９およびデバイスホー
ル２９に突出するビームリード４０を形成する。無電解
銅めっき皮膜３４のエッチングと金属膜３０、３２のエ
ッチングは異なるエッチング液を用いるので２工程とな
る。Next, as shown in FIG. 6g, the first copper foil 2
An eleventh protective resist layer 60 is formed on 5 and in the device hole 29, and a twelfth protective resist layer 61 is formed covering the second copper foil 31. Then, a twelfth protective resist layer 61 is formed in a required pattern, and the twelfth protective resist layer 61 and the eleventh protective resist layer 60 are formed.
Copper foil 31 and metal films 30 and 32 using
Is etched to form a wiring pattern 39 and a beam lead 40 projecting into the device hole 29. The etching of the electroless copper plating film 34 and the etching of the metal films 30 and 32 are performed in two steps because different etching solutions are used.
【００３７】そして図６ｈに示すように、第１１、第１
２の保護レジスト層６０、６１を除去して２層メタルフ
イルムキャリア４１に形成する。なお、第１１、第１２
の保護レジスト層６０、６１を除去して後、ビームリー
ド４０の表面に露出した金属膜３０、３２をエッチング
により除去する。その際のエッチング液は銅を侵食しな
い液を用いる。Then, as shown in FIG.
The two protective resist layers 60 and 61 are removed to form the two-layer metal film carrier 41. The eleventh and twelfth
After the protective resist layers 60 and 61 are removed, the metal films 30 and 32 exposed on the surface of the beam lead 40 are removed by etching. At this time, an etchant that does not attack copper is used.
【００３８】また、第１１の保護レジスト層６０をフォ
トリソグラフィーにより所要パターンに形成し、この第
１１の保護レジスト層６０をマスクとして第１の銅箔２
５をエッチングして所要の配線パターンとしてもよい。
第１の銅箔２５はエッチングせず、そのままグランドラ
ンドプレーン等として使用することもできる。もちろん
グランドプレーン等も配線パターンの概念である。配線
パターン３９、ビームリード４０等にはニッケルめっき
を下地とする金めっきなど必要なめっきを施す。本実施
の形態でも無電解銅めっき皮膜３４をエッチングにより
除去する際、第２の銅箔３１が侵食されないから、均一
な厚さのビームリード４０を形成することができる。本
実施の形態の２層メタルフイルムキャリア４１も図２、
図３に示す半導体装置に用いることができる。Further, an eleventh protective resist layer 60 is formed in a required pattern by photolithography, and the first copper foil 2 is formed using the eleventh protective resist layer 60 as a mask.
5 may be etched to form a required wiring pattern.
The first copper foil 25 can be used as it is as a ground land plane without etching. Of course, the ground plane is also a concept of the wiring pattern. Necessary plating such as gold plating with nickel plating as a base is applied to the wiring pattern 39, the beam leads 40, and the like. Also in the present embodiment, when the electroless copper plating film 34 is removed by etching, the second copper foil 31 is not eroded, so that the beam lead 40 having a uniform thickness can be formed. The two-layer metal film carrier 41 of the present embodiment is also shown in FIG.
It can be used for the semiconductor device shown in FIG.
【００３９】図７は第５の実施の形態を示す。図７ａ、
図７ｂに示すように、一方の面に第１の銅箔２５が形成
され、他方の面に接着剤層２６が形成された絶縁フイル
ム２７にビームリード用ホール６３を形成する。このビ
ームリード用ホール６３はプレス加工によって形成する
と好適である。そして、図７ｃに示すように、絶縁フイ
ルム２７の他方の面に、片面に銅のエッチング液によっ
ては侵食されない金属膜３０が形成された第２の銅箔３
１を、接着剤層２６により金属膜３０側を接着剤層２６
に向けて接着し、次いで第１の銅箔２５、絶縁フイルム
２７、接着剤層２６を貫通し、第２の銅箔３１が底面に
露出するスルーホール２８をビームリード用ホール６３
の内側のエリアに形成する。スルーホール２８はレーザ
ー加工によって形成すると好適である。なお、第２の銅
箔３１を絶縁フイルム２７に接着した後に、ビームリー
ド用ホール６３とスルーホール２８とをレーザー加工に
よってあけてもよい。FIG. 7 shows a fifth embodiment. FIG. 7a,
As shown in FIG. 7B, a beam lead hole 63 is formed in an insulating film 27 having a first copper foil 25 formed on one surface and an adhesive layer 26 formed on the other surface. This beam lead hole 63 is preferably formed by press working. Then, as shown in FIG. 7C, the second copper foil 3 on which the metal film 30 which is not eroded by the copper etchant on one side is formed on the other side of the insulating film 27.
1, the metal film 30 side by the adhesive layer 26
And then penetrate the first copper foil 25, the insulating film 27 and the adhesive layer 26 and expose the second copper foil 31 to the bottom surface through the through hole 28 to the beam lead hole 63.
Formed in the area inside. The through hole 28 is preferably formed by laser processing. After bonding the second copper foil 31 to the insulating film 27, the beam lead hole 63 and the through hole 28 may be opened by laser processing.
【００４０】次に，図７ｄに示すように、第２の銅箔３
１を覆って第１３の保護レジスト層６４を形成し、また
同図ｄに示すように、第１の銅箔２５上、ビームリード
用ホール６３およびスルーホール２８内に無電解銅めっ
き皮膜３４を形成する。Next, as shown in FIG. 7D, the second copper foil 3
1 and a thirteenth protective resist layer 64 is formed, and an electroless copper plating film 34 is formed on the first copper foil 25, in the beam lead holes 63 and the through holes 28 as shown in FIG. Form.
【００４１】次に、図７ｅに示すように、ビームリード
用ホール６３以外の絶縁フイルム２７の一方の面を覆っ
て第１４の保護レジスト層６５を形成し、第１４の保護
レジスト層６５をマスクとしてビームリード用ホール６
３内の無電解銅めっき皮膜３４をエッチングにより除去
する。このエッチングの際も、第２の銅箔３１の面に金
属膜３０が形成されているから、第２の銅箔３１が侵食
されることはない。Next, as shown in FIG. 7E, a fourteenth protective resist layer 65 is formed covering one surface of the insulating film 27 other than the beam lead hole 63, and the fourteenth protective resist layer 65 is masked. As beam lead hole 6
The electroless copper plating film 34 in 3 is removed by etching. Also in this etching, since the metal film 30 is formed on the surface of the second copper foil 31, the second copper foil 31 is not eroded.
【００４２】次に、図７ｆに示すように、ビームリード
用ホール６３内に第１５の保護レジスト層６６を形成
し、第１３の保護レジスト層６４、第１４の保護レジス
ト層６５を所要パターンに形成して、該第１３の保護レ
ジスト層６４、第１４の保護レジスト層６５をマスクと
して第２の銅箔３１、金属膜３０、および第１の銅箔２
５（無電解銅めっき皮膜３４を含む）をエッチングして
配線パターン３９、ビームリード用ホール６３に突出す
るビームリード４０、および配線パターン６７を形成す
る。無電解銅めっき皮膜３４のエッチングと金属膜３０
のエッチングは異なるエッチング液を用いるので２工程
となる。Next, as shown in FIG. 7F, a fifteenth protective resist layer 66 is formed in the beam lead hole 63, and the thirteenth protective resist layer 64 and the fourteenth protective resist layer 65 are formed into a required pattern. The second copper foil 31, the metal film 30, and the first copper foil 2 are formed using the thirteenth protective resist layer 64 and the fourteenth protective resist layer 65 as masks.
5 (including the electroless copper plating film 34) is etched to form a wiring pattern 39, a beam lead 40 projecting into the beam lead hole 63, and a wiring pattern 67. Etching of electroless copper plating film 34 and metal film 30
Is performed in two steps because different etching solutions are used.
【００４３】そして図７ｇに示すように、第１３、第１
４、第１５の保護レジスト層６４、６５、６６を除去し
て２層メタルフイルムキャリア４１に形成する。なお、
第１３、第１４、第１５の保護レジスト層６４、６５，
６６を除去して後、ビームリード４０の表面に露出した
金属膜３０をエッチングにより除去する。その際のエッ
チング液は銅を侵食しない液を用いる。配線パターン３
９、ビームリード４０等にはニッケルめっきを下地とす
る金めっきなど必要なめっきを施す。なお、第１の銅箔
２５をエッチングせず、グランドプレーン等として用い
てもよい。本実施の形態でも無電解銅めっき皮膜３４を
エッチングにより除去する際、第２の銅箔３１が侵食さ
れないから、均一な厚さのビームリード４０を形成する
ことができる。Then, as shown in FIG.
4. The fifteenth protective resist layers 64, 65 and 66 are removed to form the two-layer metal film carrier 41. In addition,
The thirteenth, fourteenth, and fifteenth protective resist layers 64, 65,
After removing 66, the metal film 30 exposed on the surface of the beam lead 40 is removed by etching. At this time, an etchant that does not attack copper is used. Wiring pattern 3
9, necessary plating such as gold plating with nickel plating as a base is applied to the beam leads 40 and the like. Note that the first copper foil 25 may be used as a ground plane without being etched. Also in the present embodiment, when the electroless copper plating film 34 is removed by etching, the second copper foil 31 is not eroded, so that the beam lead 40 having a uniform thickness can be formed.
【００４４】図８は、第５の実施の形態の２層メタルフ
イルムキャリア４１を用いて半導体装置（μＢＧＡ）４
３に形成した例を示す。すなわち、半導体チップ４２を
エラストマー６９を介して配線パターン６７の存在する
側の絶縁フイルム２７に取り付け、ビームリード４０と
半導体チップ４２とを電気的に接続し、配線パターン３
９側にはんだバンプ４５を取り付けている。４４は封止
樹脂、４６はソルダーレジスト層である。FIG. 8 shows a semiconductor device (μBGA) 4 using a two-layer metal film carrier 41 of the fifth embodiment.
3 shows an example formed. That is, the semiconductor chip 42 is attached to the insulating film 27 on the side where the wiring pattern 67 exists via the elastomer 69, and the beam lead 40 and the semiconductor chip 42 are electrically connected.
The solder bump 45 is attached to the 9th side. 44 is a sealing resin, and 46 is a solder resist layer.
【００４５】また、図９は、さらに他の半導体装置（μ
ＢＧＡ）４３に形成した例を示す。本例では、半導体チ
ップ４２をエラストマー６９を介して配線パターン３９
が存在する側の絶縁フイルム２７に取り付け、ビームリ
ード４０と半導体チップ４２とを電気的に接続し、配線
パターン６７側にはんだバンプ４５を取り付けている。
４４は封止樹脂、４６はソルダーレジスト層である。FIG. 9 shows a further semiconductor device (μ
BGA) 43 is shown. In this example, the semiconductor chip 42 is connected to the wiring pattern 39 via the elastomer 69.
The beam lead 40 and the semiconductor chip 42 are electrically connected to each other, and the solder bump 45 is mounted on the wiring pattern 67 side.
44 is a sealing resin, and 46 is a solder resist layer.
【００４６】図１０は、デバイスホール２９とビームリ
ード用ホール６３とが形成され、該デバイスホール２
９，ビームリード用ホール６３に突出するビームリード
４０を有する２層メタルフイルムキャリア４１を示す。
この２層メタルフイルムキャリア４１５も上記と同様に
して形成することができる。FIG. 10 shows a device hole 29 and a beam lead hole 63 formed therein.
9, a two-layer metal film carrier 41 having a beam lead 40 projecting into a beam lead hole 63 is shown.
This two-layer metal film carrier 415 can be formed in the same manner as described above.
【００４７】以上本発明につき好適な実施例を挙げて種
々説明したが、本発明はこの実施例に限定されるもので
はなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を
施し得るのはもちろんである。Although the present invention has been described in detail with reference to the preferred embodiments, the present invention is not limited to these embodiments, and it is noted that many modifications can be made without departing from the spirit of the invention. Of course.
【００４８】[0048]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、均一厚さ
のビームリードを有する２層メタルフイルムキャリアを
提供できる。As described above, according to the present invention, a two-layer metal film carrier having a beam lead having a uniform thickness can be provided.
【図１】第１の実施の形態による工程図である。FIG. 1 is a process chart according to a first embodiment.
【図２】第１の実施の形態による２層メタルフイルムキ
ャリアを用いた半導体装置の一例を示す。FIG. 2 shows an example of a semiconductor device using a two-layer metal film carrier according to the first embodiment.
【図３】第１の実施の形態による２層メタルフイルムキ
ャリアを用いた半導体装置の他の一例を示す。FIG. 3 shows another example of the semiconductor device using the two-layer metal film carrier according to the first embodiment.
【図４】第２の実施の形態による工程図である。FIG. 4 is a process chart according to a second embodiment.
【図５】第３の実施の形態による工程図である。FIG. 5 is a process chart according to a third embodiment.
【図６】第４の実施の形態による工程図である。FIG. 6 is a process chart according to a fourth embodiment.
【図７】第５の実施の形態による工程図である。FIG. 7 is a process chart according to a fifth embodiment.
【図８】第５の実施の形態による２層メタルフイルムキ
ャリアを用いた半導体装置の一例を示す。FIG. 8 shows an example of a semiconductor device using a two-layer metal film carrier according to a fifth embodiment.
【図９】第５の実施の形態による２層メタルフイルムキ
ャリアを用いた半導体装置の他の一例を示す。FIG. 9 shows another example of a semiconductor device using a two-layer metal film carrier according to the fifth embodiment.
【図１０】他の２層メタルフイルムキャリアの例を示す
説明図である。FIG. 10 is an explanatory view showing an example of another two-layer metal film carrier.
【図１１】従来の２層メタルフイルムキャリアの製造方
法を示す工程図である。FIG. 11 is a process chart showing a conventional method for manufacturing a two-layer metal film carrier.
２５ 第１の銅箔 ２６ 接着剤層 ２７ 絶縁フイルム ２８ スルーホール ２９ デバイスホール ３０ 金属膜 ３１ 第２の銅箔 ３２ 金属膜 ３３ 第１の保護レジスト層 ３４ 無電解銅めっき皮膜 ３５ 第２の保護レジスト層 ３７ 第３の保護レジスト層 ３９ 配線パターン ４０ ビームリード ４１ ２層メタルフイルムキャリア ４２ 半導体チップ ４３ 半導体装置 ４５ はんだボール ５０ 第４の保護レジスト層 ５１ 第５の保護レジスト層 ５２ 第６の保護レジスト層 ５５ 第７の保護レジスト層 ５６ 第８の保護レジスト層 ５８ 第９の保護レジスト層 ５９ 第１０の保護レジスト層 ６０ 第１１の保護レジスト層 ６１ 第１２の保護レジスト層 ６３ ビームリード用ホール ６４ 第１３の保護レジスト層 ６５ 第１４の保護レジスト層 ６６ 第１５の保護レジスト層 ６７ 配線パターン 25 First Copper Foil 26 Adhesive Layer 27 Insulating Film 28 Through Hole 29 Device Hole 30 Metal Film 31 Second Copper Foil 32 Metal Film 33 First Protective Resist Layer 34 Electroless Copper Plating Film 35 Second Protective Resist Layer 37 Third protective resist layer 39 Wiring pattern 40 Beam lead 41 Two-layer metal film carrier 42 Semiconductor chip 43 Semiconductor device 45 Solder ball 50 Fourth protective resist layer 51 Fifth protective resist layer 52 Sixth protective resist layer 55 seventh protective resist layer 56 eighth protective resist layer 58 ninth protective resist layer 59 tenth protective resist layer 60 eleventh protective resist layer 61 twelfth protective resist layer 63 beam lead hole 64 thirteenth Protective resist layer 65 Fourteenth protective resist layer 66 Fifteenth protection Resist layer 67 Wiring pattern
Claims (5)
を貫通するスルーホールめっき皮膜によって電気的に接
続する配線パターンが形成され、該配線パターンの一方
に前記絶縁フイルムのデバイスホールに突出するビーム
リードが形成された２層メタルフイルムキャリアの製造
方法において、 一方の面に第１の銅箔が形成され、他方の面に接着剤層
が形成された絶縁フイルムに、スルーホールおよびデバ
イスホールを形成する工程と、 前記絶縁フイルムの他方の面に、片面に銅のエッチング
液によっては侵食されない金属膜が形成された第２の銅
箔を、前記接着剤層により金属膜側を接着剤層に向けて
接着する工程と、 該接着された第２の銅箔を覆って第１の保護レジスト層
を形成する工程と、 前記第１の銅箔上、前記スルーホール内および前記デバ
イスホール内に無電解銅めっき皮膜を形成する工程と、 前記デバイスホール以外の前記絶縁フイルムの一方の面
を覆って第２の保護レジスト層を形成する工程と、 該第２の保護レジスト層をマスクとして前記デバイスホ
ール内の無電解銅めっき皮膜を除去するエッチング工程
と、 該デバイスホール内に第３の保護レジスト層を形成する
工程と、 前記第１の保護レジスト層を所要パターンに形成して、
該第１の保護レジスト層をマスクとして前記第２の銅箔
および前記金属膜をエッチングして前記配線パターンお
よび前記デバイスホールに突出するビームリードを形成
する工程と、 前記第１、第２および第３の保護レジスト層を除去する
工程とを含むことを特徴とする２層メタルフイルムキャ
リアの製造方法。1. A wiring pattern electrically formed on both sides of an insulating film by a through-hole plating film penetrating the insulating film, and a beam lead protruding into a device hole of the insulating film on one of the wiring patterns. In the method for manufacturing a two-layer metal film carrier having a through hole, a through hole and a device hole are formed in an insulating film having a first copper foil formed on one surface and an adhesive layer formed on the other surface. A second copper foil having a metal film formed on one surface of the insulating film, which is not eroded by a copper etchant, on the other surface of the insulating film, with the metal film side facing the adhesive layer by the adhesive layer. Adhering; forming a first protective resist layer covering the adhered second copper foil; and Forming an electroless copper plating film in the device hole, forming a second protective resist layer covering one surface of the insulating film other than the device hole, and forming the second protective resist. An etching step of removing an electroless copper plating film in the device hole using the layer as a mask, a step of forming a third protective resist layer in the device hole, and forming the first protective resist layer in a required pattern do it,
Etching the second copper foil and the metal film using the first protective resist layer as a mask to form a beam lead projecting into the wiring pattern and the device hole; Removing the protective resist layer of (3).
を貫通するスルーホールめっき皮膜によって電気的に接
続する配線パターンが形成され、該配線パターンの一方
に前記絶縁フイルムのデバイスホールに突出するビーム
リードが形成された２層メタルフイルムキャリアの製造
方法において、 一方の面に第１の銅箔が形成され、他方の面に接着剤層
が形成された絶縁フイルムに、スルーホールおよびデバ
イスホールを形成する工程と、 前記絶縁フイルムの他方の面に、両面に銅のエッチング
液によっては侵食されない金属膜が形成された第２の銅
箔を、前記接着剤層により接着する工程と、 前記第１および第２の銅箔上、前記スルーホール内およ
び前記デバイスホール内に無電解銅めっき皮膜を形成す
る工程と、 前記デバイスホール以外の前記絶縁フイルムの一方の面
を覆って第４の保護レジスト層を形成する工程と、 該第４の保護レジスト層をマスクとして前記デバイスホ
ール内および前記第２の銅箔上の無電解銅めっき皮膜を
除去するエッチング工程と、 該デバイスホール内に第５の保護レジスト層を形成し、
前記第２の銅箔上に第６の保護レジスト層を形成する工
程と、 前記第６の保護レジスト層を所要パターンに形成して、
該第６の保護レジスト層をマスクとして前記金属膜およ
び前記第２の銅箔をエッチングして前記配線パターンお
よび前記デバイスホールに突出するビームリードを形成
する工程と、 前記第４、第５および第６の保護レジスト層を除去する
工程とを含むことを特徴とする２層メタルフイルムキャ
リアの製造方法。2. A wiring pattern electrically formed on both surfaces of an insulating film by a through-hole plating film penetrating the insulating film, and a beam lead protruding into a device hole of the insulating film on one of the wiring patterns. In the method for manufacturing a two-layer metal film carrier having a through hole, a through hole and a device hole are formed in an insulating film having a first copper foil formed on one surface and an adhesive layer formed on the other surface. Bonding a second copper foil having a metal film that is not eroded by a copper etchant on both surfaces to the other surface of the insulating film with the adhesive layer; A step of forming an electroless copper plating film on the copper foil, in the through-hole and in the device hole, other than the device hole Forming a fourth protective resist layer covering one surface of the insulating film; and an electroless copper plating film in the device hole and on the second copper foil using the fourth protective resist layer as a mask. An etching step of removing a fifth protective resist layer in the device hole;
Forming a sixth protective resist layer on the second copper foil; forming the sixth protective resist layer into a required pattern;
Etching the metal film and the second copper foil using the sixth protective resist layer as a mask to form a beam lead projecting into the wiring pattern and the device hole; 6. A method for manufacturing a two-layer metal film carrier, comprising the steps of:
を貫通するスルーホールめっき皮膜によって電気的に接
続する配線パターンが形成され、該配線パターンの一方
に前記絶縁フイルムのデバイスホールに突出するビーム
リードが形成された２層メタルフイルムキャリアの製造
方法において、 一方の面に第１の銅箔が形成され、他方の面に接着剤層
が形成された絶縁フイルムにデバイスホールを形成する
工程と、 前記絶縁フイルムの他方の面に、片面に銅のエッチング
液によっては侵食されない金属膜が形成された第２の銅
箔を、前記接着剤層により金属膜側を接着剤層に向けて
接着する工程と、 前記第２の銅箔と前記絶縁フイルムとを貫通し、底面に
前記第１の銅箔が露出するスルーホールを形成する工程
と、 前記第１および第２の銅箔上、前記デバイスホール内お
よび前記スルーホール内に無電解銅めっき皮膜を形成す
る工程と、 前記デバイスホール以外の前記絶縁フイルムの一方の面
を覆って第７の保護レジスト層を形成する工程と、 前記第２の銅箔を覆って第８の保護レジスト層を形成す
る工程と、 該第８の保護レジスト層を所要パターンに形成して、該
第８および前記第７の保護レジスト層をマスクとして前
記第２の銅箔、前記無電解銅めっき皮膜および前記金属
膜をエッチングして前記配線パターンおよび前記デバイ
スホールに突出するビームリードを形成する工程と、 前記第７および第８の保護レジスト層を除去する工程と
を含むことを特徴とする２層メタルフイルムキャリアの
製造方法。3. A wiring lead electrically formed by a through-hole plating film penetrating the insulating film on both surfaces of the insulating film, and a beam lead protruding into a device hole of the insulating film on one of the wiring patterns. Forming a device hole in an insulating film in which a first copper foil is formed on one side and an adhesive layer is formed on the other side; Bonding a second copper foil having a metal film formed on one surface of the insulating film, which is not eroded by the copper etchant, on the other surface of the insulating film with the adhesive layer facing the metal film side toward the adhesive layer; and Forming a through hole that penetrates through the second copper foil and the insulating film and exposes the first copper foil on a bottom surface; A step of forming an electroless copper plating film in the device hole and the through hole; and a step of forming a seventh protective resist layer covering one surface of the insulating film other than the device hole, Forming an eighth protective resist layer covering the second copper foil, forming the eighth protective resist layer in a required pattern, and using the eighth and seventh protective resist layers as masks Etching the second copper foil, the electroless copper plating film and the metal film to form a beam lead projecting into the wiring pattern and the device hole; and forming the seventh and eighth protective resist layers. A method of manufacturing a two-layer metal film carrier.
を貫通するスルーホールめっき皮膜によって電気的に接
続する配線パターンが形成され、該配線パターンの一方
に前記絶縁フイルムのデバイスホールに突出するビーム
リードが形成された２層メタルフイルムキャリアの製造
方法において、 一方の面に第１の銅箔が形成され、他方の面に接着剤層
が形成された絶縁フイルムにデバイスホールを形成する
工程と、 前記絶縁フイルムの他方の面に、両面に銅のエッチング
液によっては侵食されない金属膜が形成された第２の銅
箔を、前記接着剤層により接着する工程と、 前記第２の銅箔と前記絶縁フイルムとを貫通し、底面に
前記第１の銅箔が露出するスルーホールを形成する工程
と、 前記第１および第２の銅箔上、前記デバイスホール内お
よび前記スルーホール内に無電解銅めっき皮膜を形成す
る工程と、 前記デバイスホール以外の前記絶縁フイルムの一方の面
を覆って第９の保護レジスト層を形成する工程と、 前記第２の銅箔の前記スルーホールおよびその周辺を覆
って第１０の保護レジスト層を形成する工程と、 前記第９および第１０の保護レジスト層をマスクとして
エッチングし、該両保護レジスト層によって覆われてい
ない前記無電解めっき皮膜部分を除去する工程と、 前記第９および第１０の保護レジスト層を除去する工程
と、 前記第１の銅箔上および前記デバイスホール内に第１１
の保護レジスト層を形成する工程と、 前記第２の銅箔上を覆って第１２の保護レジスト層を形
成する工程と、 該第１２の保護レジスト層を所要パターンに形成して、
該第１２の保護レジスト層および前記第１１の保護レジ
スト層をマスクとして前記第２の銅箔および前記金属膜
をエッチングして前記配線パターンおよび前記デバイス
ホールに突出するビームリードを形成する工程と、 前記第１１および第１２の保護レジスト層を除去する工
程とを含むことを特徴とする２層メタルフイルムキャリ
アの製造方法。4. A wiring pattern electrically formed on both surfaces of the insulating film by a through-hole plating film penetrating the insulating film, and a beam lead protruding into a device hole of the insulating film on one of the wiring patterns. Forming a device hole in an insulating film in which a first copper foil is formed on one side and an adhesive layer is formed on the other side; Adhering, with the adhesive layer, a second copper foil having a metal film that is not eroded by a copper etchant on both sides of the other surface of the insulating film; Forming a through hole that penetrates the film and exposes the first copper foil on the bottom surface; and on the first and second copper foils and in the device hole. A step of forming an electroless copper plating film in the through hole; a step of forming a ninth protective resist layer covering one surface of the insulating film other than the device hole; and a step of forming the second copper foil. Forming a tenth protective resist layer covering the through hole and the periphery thereof; etching using the ninth and tenth protective resist layers as masks; Removing the electrolytic plating film portion, removing the ninth and tenth protective resist layers, and removing eleventh on the first copper foil and in the device hole.
Forming a protective resist layer, and forming a twelfth protective resist layer over the second copper foil, forming the twelfth protective resist layer into a required pattern,
Etching the second copper foil and the metal film using the twelfth protective resist layer and the eleventh protective resist layer as a mask to form a beam lead projecting into the wiring pattern and the device hole; Removing the eleventh and twelfth protective resist layers.
を貫通するスルーホールめっき皮膜によって電気的に接
続する配線パターンが形成され、該配線パターンの一方
に前記絶縁フイルムから突出するビームリードが形成さ
れた２層メタルフイルムキャリアの製造方法において、 一方の面に第１の銅箔が形成され、他方の面に接着剤層
が形成された絶縁フイルムにビームリード用ホールおよ
びスルーホールを形成する工程と、 前記絶縁フイルムの他方の面に、片面に銅のエッチング
液によっては侵食されない金属膜が形成された第２の銅
箔を、前記接着剤層により金属膜側を接着剤層に向けて
接着する工程と、 該接着された第２の銅箔を覆って第１３の保護レジスト
層を形成する工程と、 前記第１の銅箔上、前記ビームリード用ホール内および
前記スルーホール内に無電解銅めっき皮膜を形成する工
程と、 前記ビームリード用ホール以外の前記絶縁フイルムの一
方の面を覆って第１４の保護レジスト層を形成する工程
と、 該第１４の保護レジスト層をマスクとして前記ビームリ
ード用ホール内の無電解銅めっき皮膜を除去するエッチ
ング工程と、 該ビームリード用ホール内に第１５の保護レジスト層を
形成する工程と、 前記第１３の保護レジスト層を所要パターンに形成し
て、該第１３の保護レジスト層をマスクとして前記第２
の銅箔および前記金属膜をエッチングして前記配線パタ
ーンおよび前記ビームリード用ホールに突出するビーム
リードを形成する工程と、 前記第１３、第１４および第１５の保護レジスト層を除
去する工程とを含むことを特徴とする２層メタルフイル
ムキャリアの製造方法。5. A wiring pattern that is electrically connected by a through-hole plating film penetrating the insulating film is formed on both sides of the insulating film, and a beam lead protruding from the insulating film is formed on one of the wiring patterns. Forming a beam lead hole and a through hole in an insulating film having a first copper foil formed on one surface and an adhesive layer formed on the other surface in the method for manufacturing a two-layer metal film carrier. A second copper foil having a metal film formed on one surface of the insulating film, the metal film being not eroded by a copper etchant on one surface, is bonded by the adhesive layer with the metal film side facing the adhesive layer. Forming a thirteenth protective resist layer over the adhered second copper foil; and forming a thirteenth protective resist layer on the first copper foil, in the beam lead hole, and the like. Forming an electroless copper plating film in the through hole; and forming a fourteenth protective resist layer covering one surface of the insulating film other than the beam lead hole. An etching step of removing an electroless copper plating film in the beam lead hole using the protective resist layer as a mask; a step of forming a fifteenth protective resist layer in the beam lead hole; and a thirteenth protective resist Forming a layer in a required pattern, and using the thirteenth protective resist layer as a mask,
Etching the copper foil and the metal film to form a beam lead projecting into the wiring pattern and the beam lead hole; and removing the thirteenth, fourteenth, and fifteenth protective resist layers. A method for manufacturing a two-layer metal film carrier, comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28501899A JP2001110931A (en) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | Manufacturing method of 2-layer metal film carrier |
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|---|---|---|---|
| JP28501899A JP2001110931A (en) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | Manufacturing method of 2-layer metal film carrier |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|
| JP (1) | JP2001110931A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003077960A (en) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Method of manufacturing tape carrier for semiconductor device and tape carrier provided using same |
-
1999
- 1999-10-06 JP JP28501899A patent/JP2001110931A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003077960A (en) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Method of manufacturing tape carrier for semiconductor device and tape carrier provided using same |
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