JP2001110830A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2001110830A JP2001110830A JP28842699A JP28842699A JP2001110830A JP 2001110830 A JP2001110830 A JP 2001110830A JP 28842699 A JP28842699 A JP 28842699A JP 28842699 A JP28842699 A JP 28842699A JP 2001110830 A JP2001110830 A JP 2001110830A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- die pad
- semiconductor device
- heat sink
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
止し、外部に露出することを最小限に抑えた樹脂封止型
半導体装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 放熱板1を有する樹脂封止型半導体装置
およびその製造方法において、複数の凸部11が形成さ
れた放熱板1と複数の凹部12が形成されたリードフレ
ーム2とを、これらの凸部11と凹部12とを嵌め合わ
せる様にして上下の金型9、10内に配置し、実際はリ
ードフレーム2から独立している放熱板1が、リードフ
レーム2に固定された状態で軟化状態の樹脂4を注入す
る様にしている。
Description
樹脂封止型半導体装置に関し、自動車におけるエンジン
制御ECU、ABS用ECU等に用いられるドライバI
Cあるいは電源ICのような電力用半導体装置に用いて
好適である。
プを搭載するような半導体装置にあっては、半導体チッ
プの放熱を促進するための放熱板を備えたパッケージ形
態を採用している。この様なものとして、特開昭60−
110145号公報および特開昭61−194861号
公報に記載の発明がある。
ば、従来の一般的な樹脂封止型半導体装置を模式的な断
面図として示す図13のようなパッケージ構造をとって
いる。即ち、従来の放熱板のない樹脂封止型半導体装置
を模式的な断面図として示す図14のパッケージに対
し、放熱板J1をリードフレームJ2のダイパッドJ3
に接触させるような構造をとることによって放熱を促進
するものである。
導体素子J6が搭載されたダイパッドJ3を有するリー
ドフレームJ2と、放熱板J1とを備え、これら半導体
素子J6とリードフレームJ2と放熱板J1とを成形樹
脂J7によって封止した構成となっている。以下、この
様な構成のものを放熱板を有する樹脂封止型半導体装置
という。ここで、半導体素子J6はリードフレームJ2
のダイパッドJ3に、半田または導電性ペーストJ8等
を介して搭載されており、半導体素子J6とインナーリ
ードJ9とがボンディングワイヤJ10によって電気的
に接続されている。そして、この放熱板J1はリードフ
レームJ2と独立したものであり、樹脂封止前に先に放
熱板J1をモールド金型に投げ込みでセットし、その後
チップを搭載したリードフレームJ2をセットし、同時
に樹脂封止してなるものである。
み)方式といわれるパッケージ構造であり、以下にその
製造方法を述べる。樹脂注入用の注入口を有する上金型
J4と下金型J5により形成される空間内に、半導体素
子J6が搭載されたダイパッドJ3を有するリードフレ
ームJ2と放熱板J1とを配置した後、軟化状態の樹脂
J7を注入口から注入して、上下の金型J4、J5内に
充填する。以下、この製造方法をドロップイン方式を用
いた樹脂封止型半導体装置の製造方法とする。この製造
方法によれば、通常のリードフレームと通常の成形金型
がそのまま適用できるので、コストアップを最小限に抑
えて放熱性が向上できるというメリットがある。
リードフレームJ2から独立しているため、樹脂注入時
に放熱板が樹脂J7に押されることで容易に回転、移動
し、最終的に金型と接触した部分が外部に露出するとい
う問題がある。これは、製品として外観上問題となるだ
けでなく、信頼性上も耐湿性の面で問題となる。上述の
特開昭61−194861号公報に記載の発明では、ダ
イパッド保持用の導体部の一部に突出部を設けて放熱板
を固定するようにしているが、その突出部をいずれかの
部位に嵌め込んでいるわけではないため、樹脂注入時に
放熱板が動いてしまうことが懸念される。
の発明では、金型に放熱板を嵌め込むことにより樹脂注
入時の放熱板の移動を抑えているが、放熱板のうち金型
に嵌め込んでいた部分が樹脂から露出してしまう。そし
て、この発明では放熱板を金型に対して面で接触させて
いるため露出面積が大きく、上述の様に耐湿性の面で問
題となる。
に放熱板が回転、移動するのを防止し、外部に露出する
ことを最小限に抑えた樹脂封止型半導体装置およびその
製造方法を提供する。
め、請求項1に記載の発明では、上記放熱板(1)を有
する樹脂封止型半導体装置において、放熱板(1)とダ
イパッド(5)のうち、一方に複数の凸部(11)を形
成し、他方に複数の凹部(12)を形成し、これらの凸
部(11)と凹部(12)とを嵌め合わせていることを
特徴としている。これにより、リードフレーム(2)か
ら独立している放熱板(1)が、固定された状態となる
ため、樹脂注入時に放熱板(1)が回転、移動するのを
防止し、外部に露出することを最小限に抑えた樹脂封止
型半導体装置を提供することができる。
(1)を有する樹脂封止型半導体装置において、放熱板
(1)に複数の凸部(11)を形成し、ダイパッド
(5)に複数の凹部(12)を形成し、これらの凸部
(11)と凹部(12)とを嵌め合わせていることを特
徴としている。これにより、請求項1に記載の発明と同
様の理由から、樹脂注入時に放熱板(1)が回転、移動
するのを防止し、外部に露出することを最小限に抑えた
樹脂封止型半導体装置を提供することができる。
記載の発明の複数の凹部(12)を、ダイパッド(5)
における半導体素子(3)が搭載されている面とは反対
側の面内に形成することができる。
の凹部(12)を、ダイパッド(5)の各面のうち、半
導体素子(3)および放熱板(1)と接触しない面であ
る端面において、相対するように少なくとも1組形成す
ることができる。
イン方式を用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いて、複数の凸部(11)を形成した放熱板(1)と、
ダイパッド(5)に対して複数の凹部(12)を形成し
たリードフレーム(2)とを、凸部(11)と凹部(1
2)とを嵌め合わせる様に空間内に配置し、続いて、軟
化状態の樹脂(4)の注入を行うことを特徴としてい
る。
立している放熱板(1)が、固定された状態となるた
め、樹脂注入時に放熱板(1)が回転、移動するのを防
止し、外部に露出することを最小限に抑えた樹脂封止型
半導体装置の製造方法を提供することができる。
(1)を有する樹脂封止型半導体装置において、放熱板
(1)のダイパッド(5)側の面に対して、ダイパッド
(5)が嵌められて固定される凹形状部(18)を形成
していることを特徴としている。これにより、請求項1
に記載の発明と同様の理由から、樹脂注入時に放熱板
(1)が回転、移動するのを防止し、外部に露出するこ
とを最小限に抑えた樹脂封止型半導体装置を提供するこ
とができる。
イン方式を用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いて、放熱板(1)のダイパッド(5)側の面に対し
て、ダイパッド(5)の大きさに対応した形状をなす凹
形状部(18)を有する放熱板(1)を用意し、ダイパ
ッド(5)をこの凹形状部(18)に嵌め合わせて固定
した状態となるようにリードフレーム(2)と放熱板
(1)とを上記空間内に配置した後、軟化状態の樹脂
(4)の注入を行うことを特徴としている。これによ
り、請求項5に記載の発明と同様の理由から、樹脂注入
時に放熱板(1)が回転、移動するのを防止し、外部に
露出することを最小限に抑えた樹脂封止型半導体装置の
製造方法を提供することができる。
方式を用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法におい
て、放熱板(1)におけるダイパッド(5)とは反対側
の面に、この面から突出する凸部(15)を形成し、放
熱板(1)の配置にあたっては、この凸部(15)と、
上金型(10)および下金型(9)のいずれか一方に設
けられ半導体装置を離型する際に用いるエジェクタ(1
7)とを互いに引っ掛かる様にして、エジェクタ(1
7)に放熱板(1)を固定し、続いて、軟化状態の樹脂
(4)の注入を行うことを特徴としている。
(17)によって放熱板(1)が固定されているため、
放熱板(1)が回転、移動するのを防止し、外部に露出
することを最小限に抑えた樹脂封止型半導体装置の製造
方法を提供することができる。
(5)とは反対側の面に形成された凸部(15)とし
て、その一部に穴(16)が形成されたものを用い、こ
の穴(16)に、エジェクタ(17)の一部を嵌め込む
ようにすることができる。
記載の発明において、エジェクタ(17)が上金型(1
0)に設けられており、放熱板(1)におけるダイパッ
ド(5)側の面に、この面から突出する複数の凸部(1
4)を形成し、下金型(9)内に、リードフレーム
(2)を半導体素子(3)が搭載された面を下向きにし
て配置した後、放熱板(1)を、ダイパッド(5)側の
面を下向きにして、複数の凸部(14)をダイパッド
(5)の周囲に位置させることにより、複数の凸部(1
4)によって放熱板(1)を位置決めするようにし、そ
の後、上金型(10)と下金型(9)によってリードフ
レーム(2)を狭持する際に、エジェクタ(17)の先
端が、ダイパッド(5)とは反対側の面に形成された凸
部(15)の穴(16)に嵌まるようにし、続いて、軟
化状態の樹脂(4)の注入を行うことを特徴としてい
る。
同様の効果を発揮することができ、さらに、下金型
(9)内にてダイパッド(5)側に形成された凸部(1
4)によって放熱板(1)を予め仮固定できるため、ダ
イパッド(5)とは反対側の面に形成された凸部(1
5)の穴(16)にエジェクタ(17)を嵌め込む時の
位置決めが容易になる。
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すも
のである。
第1実施形態に係る樹脂封止型半導体装置(以下、半導
体装置という)の模式的な断面図であり、図2は第1実
施形態における放熱板1の上面図である。本例の半導体
装置は、例えば、自動車におけるエンジン制御ECU、
ABS用ECU等に用いられるドライバICあるいは電
源ICのような電力用半導体装置に用いられる。
は、Cu(銅)やAl(アルミニウム)等の熱伝導性に
優れた金属(熱良導性金属)からなる放熱板1と、Cu
やCu合金または42合金(42アロイ金属)からなる
リードフレーム2と、半導体素子3とが収納され、これ
ら部材はエポキシ樹脂等からなるモールド樹脂(以下、
単に樹脂とする)4によって封止され一体化されてい
る。
するダイパッド5と半導体素子3や基板の電極と接続す
るリード部とから構成されている。リード部は、樹脂4
内に位置する部分である複数のインナーリード6と、樹
脂4外部に引き出された部分である複数のアウターリー
ド6aとからなる。なお、ダイパッド5はリードフレー
ム2のうち樹脂4外部の図示しない部分と連結されてい
る。
には、半導体素子3が半田または導電性ペースト等の接
続部材7を介して搭載されており、半導体素子3とイン
ナーリード6とは、Au(金)線またはAl線等のボン
ディングワイヤ8によって電気的に接続されている。ま
た、放熱板1は、半導体素子3から発生する熱を効率良
く逃すために、ダイパッド5の半導体素子3が搭載され
ている面と反対側の面において接触する構造となってい
る。
熱板1のダイパッド5と接触する面において、5つの凸
部(突起)11が形成され、ダイパッド5の放熱板1と
接触する面において、5つの凹部(穴)12が形成さ
れ、この凸部11と凹部12とが嵌め合わされる形で、
放熱板1とダイパッド5が接触している。具体的には、
この凸部11の高さはダイパッド5の厚さの1/2程度
であり、一般的には0.05〜0.1mmとすることが
できる。一方、凹部12の深さは、凸部11の高さ以上
となるようにし、放熱板1とダイパッド5が必ず面で接
触できるようになっている。
ついて、樹脂注入時の様子を示す模式的な断面図である
図3を参照して述べる。初めに、リードフレーム2を金
属板(例えばリール状の素材)に対して、プレス加工等
の機械加工、または、エッチング加工等により形成した
後、例えば十数個単位の個片にする。リードフレーム2
のダイパッド5に設ける凹部12は、この機械加工また
はエッチング加工と同時に形成しても良いし、個片にし
た後、機械加工やエッチング加工等により形成しても良
い(リードフレーム形成工程)。
材等)に対して、プレス加工等の機械加工により形成す
る。放熱板1に設ける凸部11は上述の凹部12と同様
に、放熱板1を形成する時に同時に形成しても良いし、
個片にした後形成しても良い。ここで、後述の様に放熱
板1を下金型9にセットする時に、放熱板1を下金型9
と点で接触させるための突出部13が、放熱板1の凸部
11と反対側の面に突出して4ヶ所に形成されている
(放熱板形成工程)。
された面と反対側の面において、半田または導電性ペー
スト等の接続部材7を用いて半導体素子3を接着する。
ここで、導電性ペースト7を用いて接着する場合には、
接着性を向上させるためにダイパッド5の半導体素子3
の搭載領域に、予めAg(銀)等のめっきを施しておく
ことが有効である。その後、半導体素子3に設けられた
ボンディングパッド(図示せず)とインナーリード6と
をAlあるいはAu等からなるボンディングワイヤ8を
用いて電気的に接続する。ここで、Auワイヤを用いる
場合には、接合性を向上させるためにインナーリード6
のボンディング領域(図示せず)にAg等のめっきを施
しておくことが有効である(半導体素子搭載工程)。
金型(以下、単に金型とする)9、10の下金型9に上
述の様に加工した放熱板1を凸部11を上側にして、つ
まり放熱板1の突出部13が下金型9と接するように落
とし込む(ドロップイン)。
イヤボンディングされたリードフレーム2を、ダイパッ
ド5の凹部12と放熱板1の凸部11とが嵌め合わさ
れ、ダイパッド5の凹部12が形成された面であって凹
部12以外の部分が放熱板1と接触するように下金型9
上にセットする。続いて、上金型10と下金型9によっ
てクランプ(狭持)することによりリードフレーム2を
固定する。
内に樹脂4を軟化状態で注入、充填することにより樹脂
封止を行う(樹脂封止工程)。そして、金型9、10か
ら樹脂封止された半導体装置を取り出し、最後に、マー
キング処理とリードの表面処理(半田等)をした後、プ
リント基板等に実装できる形態にするためにリードフレ
ーム2より切り離し、樹脂ボディより突き出したリード
を所定の形状に形成する(後処理工程)ことにより半導
体装置が完成する。
の凸部11とダイパッド5の凹部12とが嵌め合わされ
ているため、もともと独立した別個の部品である放熱板
1が固定された状態となり、樹脂4を注入する際に樹脂
4により押圧されても放熱板1は移動や回転をすること
がない。そのため、その押圧のために放熱板1が移動し
て下金型9と接触することにより、その接触した部分が
完成した半導体装置において露出してしまうことはな
い。また、放熱板1が移動してインナーリード6と接触
するようなこともない。
下金型9と接触しているが、これは点で接触しているた
め、半導体装置の完成時における放熱板1の露出は僅か
である。さらに、樹脂注入時に上記突出部13と下金型
9の間に樹脂4が入り込み、その結果、放熱板1の露出
がないことも考えられる。従って、樹脂注入時に放熱板
1が回転、移動するのを防止し、外部に露出することを
最小限に抑えた半導体装置およびその製造方法を提供す
ることができる。
2をそれぞれ5つずつ設けた例について示したが、凸部
11と凹部12はそれぞれ2つ以上あれば、放熱板1の
移動や回転を抑えることができる。
形態に係る半導体装置の模式的な断面図であり、図5は
第2実施形態における放熱板1の上面図である。本例の
半導体装置の具体的な用途の例は、第1実施形態と同様
である。
いて述べるが、本実施形態の半導体装置は、その構成に
おいて、第1実施形態の半導体装置と放熱板1およびダ
イパッド5の形状が異なるものであるため、主として放
熱板1とダイパッド5について第1実施形態と異なる点
について述べる。図4に示す様に、ダイパッド5には第
1実施形態のような凹部12は形成されておらず、ダイ
パッド5の半導体素子3が搭載されている面と反対側の
面は平面となっている。また、図4および図5に示すよ
うに、放熱板1に対しては、放熱板1のダイパッド5側
の面から突出した4つの凸部(以下、仮固定用凸部とす
る)14が形成されている。
様にダイパッド5と放熱板1とが接触した時に、ダイパ
ッド5の放熱板1が接触する面における各辺の中央部付
近において、ダイパッド5の外縁に位置するように形成
される。また、仮固定用凸部14の高さは、リードフレ
ーム2におけるダイパッド5とリードとの段差の寸法で
あるダウンセット寸法以下にする。一般的には、0.1
5〜0.2mm以下にする。
放熱板1のダイパッド5とは反対側の面から突出した4
つの凸部(以下、位置決め用凸部とする)15が形成さ
れ、この位置決め用凸部15の先端から放熱板1の法線
方向に向けて放熱板1を貫通する穴16が設けられてい
る。ここで、上記穴16の断面形状は円や矩形等どのよ
うな形状でも良い。そして、ダイパッド5の半導体素子
3が搭載されている面とは反対側の面と、放熱板1のダ
イパッド5側の面のうち4つの仮固定用凸部14の内側
にある部分とが接触し、仮固定用凸部14がダイパッド
5の外縁に位置している。その他、リードフレーム2に
対する半導体素子3の搭載方法等、上記していない構成
については、第1実施形態と同じである。
方法について述べる。初めに、第1実施形態と同様にリ
ードフレーム形成工程、放熱板形成工程および半導体素
子搭載工程を行う。ただし、リードフレーム形成工程に
おいては、上記凹部12を形成しない様にし、放熱板形
成工程においては、上記凸部11の代わりに仮固定用凸
部14と位置決め用凸部15と穴16とを形成し、上記
突出部13を形成しない。ここで、仮固定用凸部14
は、この仮固定用凸部14の詳細図である図5(b)に
示すように、例えば、放熱板1に切欠きを入れ、爪を折
り曲げる様にして形成することができる。
的な断面図である。図6(a)に示すように、下金型9
にリードフレーム2をダイパッド5の半導体素子3が搭
載されている面を下向きにして配置する。次に、図6
(b)に示すように、専用治具(図示せず)等を用いて
放熱板1の仮固定用凸部14がダイパッド5の外周に嵌
合し、ダイパッド5の半導体素子3が搭載されている面
とは反対側の面と、放熱板1のダイパッド5側の面のう
ち仮固定用凸部14の内側にある部分とが接触するよう
に、ダイパッド5上に仮位置決めして配置する。
0と下金型9によりリードフレーム2をクランプする。
この時、上金型10に設けられ、半導体装置を金型9、
10から離型する際に用いるピン状のエジェクタ(以
下、エジェクタピンとする)17の先端に形成されたテ
ーパー部17aが放熱板1の位置決め用凸部15に形成
された穴16に嵌まるようにする。その後、樹脂封止工
程と後処理工程を行うことにより半導体装置が完成す
る。
がエジェクタピン17によって位置決めされているた
め、樹脂4を注入する際に樹脂4により押圧されても放
熱板1は移動や回転をすることがない。そのため、その
押圧のために放熱板1が移動して金型9、10と接触す
ることにより、その接触した部分が完成した半導体装置
において露出してしまうことはない。また、放熱板1に
おける位置決め用凸部15とエジェクタピン17とが接
触している部分は、最終的に外部に露出することになる
が、点あるいは線で接触させることができるため、外部
に露出する面積は僅かである。従って、樹脂注入時に放
熱板1が回転、移動するのを防止し、外部に露出するこ
とを最小限に抑えた半導体装置の製造方法を提供するこ
とができる。
ト寸法にばらつきがある場合は、放熱板1がダイパッド
5を押し上げてボンディングワイヤ8がダメージを受け
る問題がある。しかし、本実施形態によれば、放熱板1
をダイパッド5上に載せる時は、ダイパッド5に力が加
わることはないため、ダウンセット寸法のばらつきが大
きくても問題ない。そして、上下の金型9、10によっ
てリードフレーム2をクランプして、エジェクタピン1
7を位置決め用凸部15に形成された穴16に嵌め合わ
せる時も、エジェクタピン17と穴16とのクリアラン
ス量を、ダイパッド5のダウンセット寸法のばらつきを
十分吸収できる寸法設計とすることにより、上記の問題
を防ぐことができる。
間が発生する場合は、その隙間に樹脂4が侵入して熱抵
抗(とくに過渡的な熱抵抗)を増加させてしまう問題が
ある。しかし、本実施形態によれば、放熱板1をダイパ
ッド5に載せた状態で樹脂封止するため、その様な隙間
の発生を抑えることができる。また、上述のエジェクタ
ピン17と穴16とのクリアランスにより僅かに隙間が
生じることも考えられるが、その場合も隙間の発生は最
小限に留めることができるため、この隙間に樹脂4が侵
入することはない。
形状とエジェクタピン17のテーパー部17aの断面形
状において、例えば、穴16の断面形状を正方形にし、
テーパー部17aの断面形状を円形にすることにより、
それぞれのエジェクタピン17において位置決め用凸部
15と4点のみで接触させることができる。その他、位
置決め用凸部15の穴16の断面形状とテーパー部17
aの断面形状において、例えば、一方の断面形状が曲線
からなり他方の断面形状が直線からなる様にすれば、接
触面積を低減させることができる。また、位置決め用凸
部15に形成された穴16は、本実施形態では貫通して
いるが、エジェクタピン17を穴16に嵌めた時にエジ
ェクタピン17の先端が放熱板1と接触しないような寸
法であれば良い。
形態に係る半導体装置の模式的な断面図であり、樹脂4
を注入する途中の状態にて示す図である。また、図8は
図7を上方から見た模式的な図である。本例の半導体装
置の具体的な用途の例は、第1実施形態と同様である。
いて述べるが、本実施形態の半導体装置は、その構成に
おいて、第1実施形態の半導体装置と放熱板1およびダ
イパッド5の形状が異なるものであるため、主として放
熱板1とダイパッド5について第1実施形態と異なる点
について述べる。図7に示すように、ダイパッド5には
第1実施形態のような凹部12は形成されておらず、ダ
イパッド5の半導体素子3を搭載している面と反対側の
面は平面となっている。
板1においては、ダイパッド5が接触する矩形状領域の
四隅の外側に、ダイパッド5と接触する面とは反対側に
突出するように4つの位置決め用凸部15が形成されて
いる。また、この位置決め用凸部15において、放熱板
1の中心側に位置する側面(突起側面)15aが斜面
(傾斜部)となっており、この側面15aとエジェクタ
ピン17とが接触して放熱板1が固定されている。その
他、リードフレーム2に対する半導体素子3の搭載方法
等、上記していない構成については、第1実施形態と同
じである。
方法について述べる。初めに、第1実施形態におけるリ
ードフレーム形成工程、放熱板形成工程および半導体素
子搭載工程を、第1実施形態と同様に行う。ただし、リ
ードフレーム形成工程においては、上記凹部12を形成
しない様にし、放熱板形成工程においては、プレス加工
等により上記凸部11の代わりに上記位置決め用凸部
(突起)15を形成し、上記突出部13は形成しない。
9から例えば円柱状のエジェクタピン17を、予め所定
の高さだけ突き出しておき、位置決め用凸部15の側面
15aのうち放熱板1の中心側に位置する部分と、エジ
ェクタピン17とが点接触する(内接する)ように放熱
板1をセットし、下金型9内で仮固定する。
ン17の先端までの長さであるエジェクタピン17の突
き出し高さLは、後述の様に、リードフレーム2を金型
9、10内にセットした際に、ダイパッド5の半導体素
子3を搭載している面とは反対側の面(下面)と放熱板
1の位置決め用凸部15が形成されている面とは反対側
の面(上面)とが接する程度にする。この際、ボンディ
ングワイヤ8が切れるのを防ぐために、決して、ダイパ
ッド5を持ち上げるまでエジェクタピン17の突き出し
高さLを多くしない様にする。その後、リードフレーム
2を下金型9上にセットした後、上金型10および下金
型9でクランプする。そして、樹脂封止工程と後処理工
程を行うことにより半導体装置が完成する。
タピン17が放熱板1の位置決め用凸部15の側面15
aと接触しているため、エジェクタピン17によって放
熱板1の横方向の動きを拘束することができる。従っ
て、樹脂注入時に放熱板1が回転、移動するのを防止
し、外部に露出することを最小限に抑えた半導体装置の
製造方法を提供することができる。また、放熱板1を横
(略水平)方向の動きから拘束することで、上方向に押
し上げる力を最小限に低減することができる。つまり、
上下方向に抑える圧力により放熱板1を固定する必要が
ない。従って、その圧力によりインナーリード6と放熱
板1とが接触してショート不良になることがなく、ダイ
パッド5と放熱板1との間隙を最小限にできる半導体装
置を得ることができる。
凸部15の断面形状とエジェクタピン17の断面形状に
おいて、一方の断面形状が曲線からなりで他方の断面形
状が曲線または直線からなる様にすれば、接触面積を低
減させることができる。また、本実施形態ではエジェク
タピン17と位置決め用凸部15が4組ある例について
述べたが、3組以上あれば放熱板1を固定することがで
きる。
を位置決め用凸部15の側面15aのうち、放熱板1の
中心側に位置する部分に接触させているが、外縁側に接
触させても良い。ただし、エジェクタピン17の少なく
とも3つが、ともに外縁側で接触しているか、あるい
は、少なくとも3つが、ともに中心側で接触している
等、放熱板1が略水平方向に動かない状態にある必要が
ある。
形態に係る半導体装置の模式的な断面図であり、図10
は第4実施形態における放熱板1の上面図である。本例
の半導体装置の具体的な用途の例は、第1実施形態と同
様である。
いて述べるが、本実施形態の半導体装置は、その構成に
おいて、第1実施形態の半導体装置と放熱板1およびダ
イパッド5の形状が異なるものであるため、主として放
熱板1とダイパッド5について第1実施形態と異なる点
について述べる。図9に示すように、ダイパッド5には
第1実施形態のような凹部12は形成されておらず、ダ
イパッド5の半導体搭載面と反対側の面は平面となって
いる。
熱板1に対しては、後述の様に放熱板1とダイパッド5
とを接触させた時にダイパッド5と接触する面におい
て、ダイパッド5全体が嵌まり込む形状の凹形状部18
が形成されている。ここで、凹形状部18の深さは、ダ
イパッド5の厚さ以下であり、一般的には0.075〜
0.1mmの寸法にすることができる。そして、放熱板
1の凹形状部18にダイパッド5が嵌まった状態で樹脂
封止されている。
方法について述べる。初めに、第1実施形態におけるリ
ードフレーム形成工程、放熱板形成工程および半導体素
子搭載工程を、第1実施形態と同様に行う。ただし、リ
ードフレーム形成工程においては、上記凹部12を形成
しない様にし、放熱板形成工程においては、上記凸部1
1の代わりに凹形状部18を形成し、上記突出部13を
4ヶ所に形成する。
凹形状部18が上側にあるように落とし込む。その後、
ダイパッド5が凹形状部18に嵌まるようにリードフレ
ーム2を下金型9上にセットし、この状態でリードフレ
ーム2を上下の金型9、10でクランプする。その後、
樹脂封止工程と後処理工程を行うことにより半導体装置
が完成する。
の凹形状部18がダイパッド5に嵌め合わされているた
め、第1実施形態と同様の効果を発揮することができ
る。
施形態に係る半導体装置の模式的な断面図であり、図1
2は第5実施形態における放熱板1の上面図である。本
例の半導体装置の具体的な用途の例は、第1実施形態と
同様である。
いて述べるが、本実施形態の半導体装置は、その構成に
おいて、第1実施形態の半導体装置と放熱板1およびダ
イパッド5の形状が異なるものであるため、主として放
熱板1とダイパッド5について第1実施形態と異なる点
について述べる。
ッド5においては、放熱板1および半導体素子3と接触
しない面である端面に凹部12を用いたものである。即
ち、凹部12は各端面の中央部付近において、ダイパッ
ド5の中心方向に向けて窪んで形成されている。また、
放熱板1にはこのダイパッド5に形成された凹部12に
嵌まる位置に凸部11が形成されている。ここで、凸部
11の高さはダイパッド5の厚さの1/2程度であり、
一般的には0.05〜0.1mmとすることができる。
そして、ダイパッド5の凹部12と放熱板1の凸部11
が嵌まり合った状態で樹脂封止されている。
方法について述べる。初めに、第1実施形態におけるリ
ードフレーム形成工程、放熱板形成工程および半導体素
子搭載工程を第1実施形態と同様に行う。ただし、ダイ
パッド5の凹部12と放熱板1の凸部11を形成する位
置は上述のとおりである。次に下金型9に凸部11が上
側にあるように放熱板1をセットした後、ダイパッド5
に形成した凹部12と放熱板1に形成した凸部11とを
嵌め合わせ、かつ、放熱板1の凸部11が形成された面
であって、凸部11で囲まれた部分とダイパッド5とが
接触するように、リードフレーム2を下金型9上にセッ
トする。そして、この状態でリードフレーム2を上下の
金型9、10でクランプする。続いて、樹脂封止工程と
後処理工程を行うことにより半導体装置が完成する。
形態と同様の効果を発揮することができる。なお、本実
施形態では、ダイパッド5の放熱板1および半導体素子
3と接触しない各面において凹部12を形成し、計4つ
の凹部12を設けたが、ダイパッド5の放熱板1および
半導体素子3と接触しない面のうち少なくとも相対する
2面に設ければ、放熱板1の移動や回転を抑えることが
できる。
図である。
を示す模式的な断面図である。
図である。
である。
図である。
図である。
る。
面図である。
る。
面図である。
な断面図である。
…樹脂、5…ダイパッド、9…下金型、10…上金型、
11…凸部、12…凹部、14…仮固定用凸部、15…
位置決め用凸部、16…穴、17…エジェクタピン、1
8…凹形状部。
Claims (10)
- 【請求項1】 半導体素子(3)と、この半導体素子
(3)が搭載されたダイパッド(5)を有するリードフ
レーム(2)と、放熱板(1)とを備え、これら半導体
素子(3)とリードフレーム(2)と放熱板(1)とを
成形樹脂(4)によって封止するようにした樹脂封止型
半導体装置において、 前記放熱板(1)と前記ダイパッド(5)のうち、一方
に複数の凸部(11)が形成され、他方に複数の凹部
(12)が形成され、前記凸部(11)と前記凹部(1
2)とが嵌め合わせられていることを特徴とする樹脂封
止型半導体装置。 - 【請求項2】 半導体素子(3)と、この半導体素子
(3)が搭載されたダイパッド(5)を有するリードフ
レーム(2)と、放熱板(1)とを備え、これら半導体
素子(3)とリードフレーム(2)と放熱板(1)とを
成形樹脂(4)によって封止するようにした樹脂封止型
半導体装置において、 前記放熱板(1)に複数の凸部(11)が形成され、前
記ダイパッド(5)に複数の凹部(12)が形成され、
前記凸部(11)と前記凹部(12)とが嵌め合わせら
れていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項3】 前記複数の凹部(12)は、前記ダイパ
ッド(5)における前記半導体素子(3)が搭載されて
いる面とは反対側の面に形成されていることを特徴とす
る請求項2に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項4】 前記複数の凹部(12)は、前記ダイパ
ッド(5)の各面のうち、前記半導体素子(3)および
前記放熱板(1)と接触しない面である端面において、
相対するように少なくとも1組形成されていることを特
徴とする請求項2に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項5】 樹脂注入用の注入口を有する上金型(1
0)と下金型(9)により形成される空間内に、半導体
素子(3)を搭載したダイパッド(5)を有するリード
フレーム(2)と放熱板(1)とを配置した後、軟化状
態の樹脂(4)を前記注入口から注入して、前記空間内
に充填するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法
において、 複数の凸部(11)が形成された前記放熱板(1)と、
前記ダイパッド(5)に対して複数の凹部(12)が形
成された前記リードフレーム(2)とを、前記凸部(1
1)と前記凹部(12)とを嵌め合わせる様に前記空間
内に配置し、続いて、前記軟化状態の樹脂(4)の注入
を行うことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
法。 - 【請求項6】 半導体素子(3)と、この半導体素子
(3)が搭載されたダイパッド(5)を有するリードフ
レーム(2)と、放熱板(1)とを備え、これら半導体
素子(3)とリードフレーム(2)と放熱板(1)とを
成形樹脂(4)によって封止するようにした樹脂封止型
半導体装置において、 前記放熱板(1)の前記ダイパッド(5)側の面に対し
て、前記ダイパッド(5)が嵌められて固定される凹形
状部(18)が形成されていることを特徴とする樹脂封
止型半導体装置。 - 【請求項7】 樹脂注入用の注入口を有する上金型(1
0)と下金型(9)により形成される空間内に、半導体
素子(3)を搭載したダイパッド(5)を有するリード
フレーム(2)と放熱板(1)とを配置した後、軟化状
態の樹脂(4)を前記注入口から注入して、前記空間内
に充填するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法
において、 前記放熱板(1)の前記ダイパッド(5)側の面に対し
て、前記ダイパッド(5)の大きさに対応した形状をな
す凹形状部(18)を有する前記放熱板(1)を用意
し、 前記ダイパッド(5)をこの凹形状部(18)に嵌め合
わせて固定した状態となるように前記リードフレーム
(2)と前記放熱板(1)とを前記空間内に配置した
後、前記軟化状態の樹脂(4)の注入を行うことを特徴
とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項8】 樹脂注入用の注入口を有する上金型(1
0)と下金型(9)により形成される空間内に、半導体
素子(3)を搭載したダイパッド(5)を有するリード
フレーム(2)と放熱板(1)とを配置した後、軟化状
態の樹脂(4)を前記注入口から注入して、前記空間内
に充填して凝固させ、その後、前記上金型(10)およ
び前記下金型(9)のいずれか一方に設けられたエジェ
クタ(17)によって、前記放熱板(1)を押すことに
より離型させるようにした樹脂封止型半導体装置の製造
方法において、 前記放熱板(1)における前記ダイパッド(5)とは反
対側の面に、この面から突出する凸部(15)を形成
し、 前記放熱板(1)の配置にあたっては、前記凸部(1
5)と前記エジェクタ(17)とを互いに引っ掛かる様
にして、前記エジェクタ(17)に前記放熱板(1)を
固定し、 続いて、前記軟化状態の樹脂(4)の注入を行うことを
特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項9】 前記ダイパッド(5)とは反対側の面に
形成された前記凸部(15)として、その一部に穴(1
6)が形成されたものを用い、この穴(16)に、前記
エジェクタ(17)の一部を嵌め込むようにしたことを
特徴とする請求項8に記載の樹脂封止型半導体装置の製
造方法。 - 【請求項10】 前記エジェクタ(17)が前記上金型
(10)に設けられており、 前記放熱板(1)における前記ダイパッド(5)側の面
に、この面から突出する複数の凸部(14)を形成し、 前記下金型(9)内に、前記リードフレーム(2)を前
記半導体素子(3)が搭載された面を下向きにして配置
した後、 前記放熱板(1)を、前記ダイパッド(5)側の面を下
向きにして、前記複数の凸部(14)を前記ダイパッド
(5)の周囲に位置させることにより、前記複数の凸部
(14)によって前記放熱板(1)を位置決めするよう
に配置し、 その後、前記上金型(10)と前記下金型(9)によっ
て前記リードフレーム(2)を狭持する際に、前記エジ
ェクタ(17)の先端が、前記ダイパッド(5)とは反
対側の面に形成された前記凸部(15)の前記穴(1
6)に嵌まるようにし、 続いて、前記軟化状態の樹脂(4)の注入を行うことを
特徴とする請求項9に記載の樹脂封止型半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28842699A JP4273592B2 (ja) | 1999-10-08 | 1999-10-08 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28842699A JP4273592B2 (ja) | 1999-10-08 | 1999-10-08 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001110830A true JP2001110830A (ja) | 2001-04-20 |
JP4273592B2 JP4273592B2 (ja) | 2009-06-03 |
Family
ID=17730074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28842699A Expired - Fee Related JP4273592B2 (ja) | 1999-10-08 | 1999-10-08 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4273592B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003031736A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US6821822B1 (en) * | 1998-03-26 | 2004-11-23 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, molding device for semiconductor device, and semiconductor device |
KR100809821B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2008-03-04 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
KR100848746B1 (ko) | 2006-08-25 | 2008-07-25 | 토와 가부시기가이샤 | 전자 부품의 수지 밀봉 성형 장치 |
JP2008177461A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Denso Corp | 電子装置およびその製造方法 |
JP2013171857A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 基板ユニット、基板モールド成形体、及び基板モールド成形体の製造方法 |
JP5320612B2 (ja) * | 2007-06-29 | 2013-10-23 | コーア株式会社 | 抵抗器 |
JP2014154696A (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Toyota Motor Corp | 半導体装置、及びその製造方法 |
JP2015225874A (ja) * | 2014-05-26 | 2015-12-14 | アサヒ・エンジニアリング株式会社 | 半導体装置の樹脂成形装置及び半導体装置の樹脂成形方法 |
WO2022249388A1 (ja) * | 2021-05-27 | 2022-12-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1999
- 1999-10-08 JP JP28842699A patent/JP4273592B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6821822B1 (en) * | 1998-03-26 | 2004-11-23 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, molding device for semiconductor device, and semiconductor device |
KR100809821B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2008-03-04 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2003031736A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100848746B1 (ko) | 2006-08-25 | 2008-07-25 | 토와 가부시기가이샤 | 전자 부품의 수지 밀봉 성형 장치 |
JP2008177461A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Denso Corp | 電子装置およびその製造方法 |
JP5320612B2 (ja) * | 2007-06-29 | 2013-10-23 | コーア株式会社 | 抵抗器 |
JP2013171857A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 基板ユニット、基板モールド成形体、及び基板モールド成形体の製造方法 |
JP2014154696A (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Toyota Motor Corp | 半導体装置、及びその製造方法 |
JP2015225874A (ja) * | 2014-05-26 | 2015-12-14 | アサヒ・エンジニアリング株式会社 | 半導体装置の樹脂成形装置及び半導体装置の樹脂成形方法 |
WO2022249388A1 (ja) * | 2021-05-27 | 2022-12-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP7520228B2 (ja) | 2021-05-27 | 2024-07-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4273592B2 (ja) | 2009-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6638790B2 (en) | Leadframe and method for manufacturing resin-molded semiconductor device | |
EP1335428B1 (en) | Resin-moulded semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP2003243600A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US6184575B1 (en) | Ultra-thin composite package for integrated circuits | |
JP2001237361A (ja) | 小さな持上げマウントパッドを有するリードフレーム | |
JP3866127B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4273592B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JP2002026044A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JP3606078B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH08139218A (ja) | 混成集積回路装置およびその製造方法 | |
JP4732138B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2002093982A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2001035985A (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
JP2003197663A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JP2008283138A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5119092B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20240071780A1 (en) | Electronic package and manufacturing method therefor | |
JP2003007933A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
KR200179419Y1 (ko) | 반도체패키지 | |
JP3747991B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH10209194A (ja) | 半導体装置、その製造方法およびそれに用いる樹脂モールド工程装置 | |
JP2006216979A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3599566B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20080224280A1 (en) | Lead frame, semiconductor device, and method of manufacturing the semiconductor device | |
KR100418512B1 (ko) | 반도체 팩키지 몰딩용 금형 및 그 금형의 사용 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051213 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071113 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080109 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080422 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080521 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080630 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081104 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081222 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090210 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090223 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120313 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |