JP2001108752A - Radiographic image picking-up device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make an X-ray image of a subject hardly affected even when excessive X-rays get incident directly on both sides of the subject and the like. SOLUTION: A bias voltage is applied to sensor picture elements E of an X-ray face sensor 1 from a variable electric power source 10, trigger signals are transmitted in order from gate wires 71-75 of a gate driver circuit 2 arranged horizontally (row-directionally) to transistor switches of the picture elements E, charge signals generated in the picture elements E in response to incident X-ray intensity are taken in order into a reading amplifier circuit 3 through data wires 61-65 arranged vertically (column-directionally) to be output as a two-dimensional image data to an outside.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、放射線撮像装置に
係わり、特に、医用放射線撮像装置もしくは産業用非破
壊検査装置として用いられる固体撮像装置の信号読出デ
ータ線の配列に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a radiation imaging apparatus, and more particularly to an arrangement of signal read data lines of a solid-state imaging apparatus used as a medical radiation imaging apparatus or an industrial nondestructive inspection apparatus.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、単純Ｘ線撮影装置に使用されてい
たＸ線フィルムやイメージングプレートに代わり半導体
のＸ線面センサーを用いた放射線撮像装置が開発されて
いる。このＸ線面センサーは、放射線に感応し入射線量
に対応した電荷信号を直接出力する変換膜からなる放射
線センサーアレイを有し、その直下に行列状に配置され
た電極にＴＦＴスイツチが接続され、照射時に各ＴＦＴ
スイツチを順次ＯＮすることで、各画素に蓄積された信
号電荷を読み出しＸ線画像を形成するタイプのものと、
通常、Ｘ線を光に変換するＸ線変換膜と、その直下に行
列状に配置されたフォトダイオードアレイと、各フオト
ダイオードアレイに接続されたＴＦＴスイツチとによっ
て構成され、Ｘ線照射後、各ＴＦＴスイツチを順次ＯＮ
することで各画素に蓄積された信号電荷を読み出しＸ線
画像を形成するタイプとの２種類のものがある。ここで
は前者のタイプのものについて説明する。2. Description of the Related Art In recent years, a radiation imaging apparatus using a semiconductor X-ray surface sensor instead of an X-ray film or an imaging plate used in a simple X-ray imaging apparatus has been developed. This X-ray surface sensor has a radiation sensor array composed of a conversion film which is responsive to radiation and directly outputs a charge signal corresponding to an incident dose, and a TFT switch is connected to electrodes arranged in a matrix immediately below the radiation sensor array, Each TFT at the time of irradiation
By sequentially turning on the switches, a signal charge stored in each pixel is read out to form an X-ray image;
Normally, it is composed of an X-ray conversion film for converting X-rays into light, a photodiode array arranged directly below the X-ray conversion film, and a TFT switch connected to each photodiode array. Turn on TFT switches sequentially
By doing so, there are two types, one of which reads out signal charges accumulated in each pixel and forms an X-ray image. Here, the former type will be described.

【０００３】図３に前者のタイプの従来のＸ線面センサ
ーを有する放射線撮像装置を示す。この装置は、読出デ
ータ線６１〜６５が被写体の長軸と直角方向に配列され
た放射線撮像装置で、Ｘ線面センサー１と、そのセンサ
画素Ｅにバイアス電圧を供給する可変電源１０と、各セ
ンサ画素Ｅからの信号を順次取り出すためのゲート・ド
ライバー回路２と、各センサ画素Ｅからの信号を読み込
むための読出アンプ回路３と、ゲート・ドライバー回路
２及び読出アンプ回路３を制御する制御回路４とから構
成されている。そして読出アンプ回路３から外部に、Ｘ
線面センサー１からの映像デジタルデータ信号が画像デ
ータ出力として送り出される。Ｘ線面センサー１は縦横
にセンサ画素Ｅが規則正しく配列されており、制御回路
４からの信号でゲート・ドライバー回路２が駆動され、
ゲート線７１〜７５を介して列方向から各センサ画素Ｅ
にパルス信号が順次に送られ、一方、制御回路４からの
信号で読出アンプ回路３が駆動され、データ線６１〜６
５を介して行方向から各センサ画素Ｅの映像電荷信号が
順次に読出される。図４にセンサ画素Ｅの構造を示す。
センサ画素Ｅは、Ｘ線の照射強度に応じて電荷信号を発
生するＸ線変換層９として、例えばアモルファス・セレ
ン膜などが用いられ、そのＸ線入射側の面にはＸ線変換
層９の共通電極８が形成され、Ｘ線入射側とは反対の側
には各センサ画素Ｅに対応する位置に画素電極１２１が
形成されている。その画素電極１２１に接続され接地側
との間に蓄積容量１２２が接続されている。そして、可
変電源１０からＸ線変換層９にバイアス電圧が印加さ
れ、Ｘ線照射強度に応じてＸ線変換層９で発生した電荷
が、蓄積容量１２２のコンデンサに蓄積される。そして
トランジスタースイッチ１２３、例えば、信号読出しス
イッチ機能を有するＴＦＴが、各センサ画素Ｅ毎に２次
元に配列され、ゲート線に接続されたゲート線端子７１
からのスイッチパルスにより、蓄積容量１２２の電荷信
号がデータ線に接続されたデータ線端子６２を介して読
出アンプ回路３に読出される。FIG. 3 shows a radiation imaging apparatus having a conventional X-ray surface sensor of the former type. This apparatus is a radiation imaging apparatus in which read data lines 61 to 65 are arranged in a direction perpendicular to the long axis of a subject, and includes an X-ray surface sensor 1, a variable power supply 10 for supplying a bias voltage to its sensor pixel E, A gate driver circuit 2 for sequentially taking out signals from the sensor pixels E, a readout amplifier circuit 3 for reading in signals from each sensor pixel E, and a control circuit for controlling the gate driver circuit 2 and the readout amplifier circuit 3 And 4. Then, from the read amplifier circuit 3 to the outside, X
A video digital data signal from the line surface sensor 1 is sent out as an image data output. In the X-ray surface sensor 1, sensor pixels E are regularly arranged vertically and horizontally, and a gate driver circuit 2 is driven by a signal from a control circuit 4,
Each sensor pixel E from the column direction via the gate lines 71 to 75
Pulse signals are sequentially sent to the read-out amplifier circuit 3. On the other hand, the read-out amplifier circuit 3 is driven by a signal from the control circuit 4, and the data lines 61 to 6
The video charge signal of each sensor pixel E is sequentially read out from the row direction via 5. FIG. 4 shows the structure of the sensor pixel E.
The sensor pixel E uses, for example, an amorphous selenium film or the like as the X-ray conversion layer 9 that generates a charge signal according to the irradiation intensity of X-rays. A common electrode 8 is formed, and a pixel electrode 121 is formed at a position corresponding to each sensor pixel E on the side opposite to the X-ray incidence side. A storage capacitor 122 is connected between the pixel electrode 121 and the ground side. Then, a bias voltage is applied from the variable power supply 10 to the X-ray conversion layer 9, and the charges generated in the X-ray conversion layer 9 according to the X-ray irradiation intensity are stored in the capacitor of the storage capacitor 122. A transistor switch 123, for example, a TFT having a signal readout switch function is two-dimensionally arranged for each sensor pixel E, and a gate line terminal 71 connected to a gate line.
, The charge signal of the storage capacitor 122 is read out to the read amplifier circuit 3 via the data line terminal 62 connected to the data line.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来の放射線撮像装置
は以上のように構成されているが、上記のような読出し
用のデータ線方向８４が水平であるＸ線面センサ１を、
胸部単純撮影に用いた場合、図５に示すように、被写体
８１の首から腹部までが撮影の対象になり、撮影画面中
央部に肺野がくるように撮影位置が調整される。したが
って、通常、人体の両脇の部分にはＸ線が減弱せずに直
接照射される直接Ｘ線入射領域８３が発生し、その部分
はセンサにとって過剰な信号が入力されることになる。
この場合、過剰なＸ線が照射されたセンサ画素Ｅには、
大量の信号電荷が蓄積容量１２２に溜まるため、やがて
トランジスタスイッチ１２３（ＴＦＴスイッチ）のＯＦ
Ｆ状態が維持できなくなり、データラインにオーバフロ
ーしてしまうという問題がある。これは画像上では、画
像の明るい個所（Ｘ線透過の大きい個所）からの漏れ信
号が、画像の暗い個所（Ｘ線透過の小さい個所）へのア
ーティファクトとなって現れることになる。この状態を
図５ではデータ線方向８４の横方向に太枠線で示した。
このように被写体８１を透過した適正な信号に、直接Ｘ
線入射領域８３からのオーバフローした信号が重畳し、
適正な画像が得られないという問題がある。The conventional radiation imaging apparatus is configured as described above. However, the X-ray surface sensor 1 in which the data line direction 84 for reading is horizontal as described above is used.
When used for simple chest imaging, as shown in FIG. 5, the imaging position is adjusted so that the subject from the neck to the abdomen is to be imaged, and the lung field comes to the center of the imaging screen. Therefore, a direct X-ray incident area 83 where the X-rays are directly irradiated without attenuating occurs on both sides of the human body, and an excessive signal is input to the part in the area.
In this case, the sensor pixel E irradiated with excessive X-rays has
Since a large amount of signal charges accumulate in the storage capacitor 122, the OF of the transistor switch 123 (TFT switch) is eventually formed.
There is a problem that the F state cannot be maintained and the data line overflows. This means that on the image, a leak signal from a bright part of the image (a part with a large X-ray transmission) appears as an artifact to a dark part (a part with a small X-ray transmission) of the image. This state is shown by a bold line in the horizontal direction of the data line direction 84 in FIG.
The proper signal transmitted through the subject 81 in this way is directly X
The overflowed signal from the line incident area 83 is superimposed,
There is a problem that an appropriate image cannot be obtained.

【０００５】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、直接Ｘ線入射領域８３が両側に存在し
ても、被写体８１のＸ線画像が影響を受けることが少な
くなるような放射線撮像装置を提供することを目的とす
る。[0005] The present invention has been made in view of such circumstances, so that the X-ray image of the subject 81 is less affected even when the direct X-ray incident regions 83 are present on both sides. It is an object of the present invention to provide a simple radiation imaging apparatus.

【０００６】[0006]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明の放射線撮像装置は、放射線に感応し入射線量
に対応した電荷信号を出力する変換膜の両側にそれぞれ
電極を接続してなる二次元の放射線センサーアレイと、
その直下に行列状に配置され前記電極に接続されたＴＦ
Ｔスイツチと、信号読み出し時に各ＴＦＴスイツチを順
次ＯＮするゲートドライバー回路と、各画素に蓄積され
た電荷信号を読出す読出アンプ回路と、前記両回路を制
御する制御回路と、前記放射線センサーアレイにバイア
ス電圧を供給する電源部とから構成される放射線撮像装
置において、各画素に蓄積された電荷信号を読出すデー
タ線が被写体の長軸と略平行に配置されるものである。In order to achieve the above object, a radiation imaging apparatus according to the present invention comprises electrodes connected to both sides of a conversion film which is sensitive to radiation and outputs a charge signal corresponding to an incident dose. A two-dimensional radiation sensor array,
TFs arranged in a matrix immediately below and connected to the electrodes
A T switch, a gate driver circuit for sequentially turning on each TFT switch at the time of signal reading, a read amplifier circuit for reading charge signals stored in each pixel, a control circuit for controlling both circuits, and a radiation sensor array. In a radiation imaging apparatus including a power supply unit for supplying a bias voltage, a data line for reading out a charge signal stored in each pixel is arranged substantially parallel to a long axis of a subject.

【０００７】また、本発明の放射線撮像装置は、放射線
を光に変換する変換膜と、その直下に行列状に配置され
たフォトダイオードアレイと、各フォトダイオードアレ
イに接続されたＴＦＴスイッチによって構成され、信号
読み出し時に各ＴＦＴスイツチを順次ＯＮするゲートド
ライバー回路と、各画素に蓄積された電荷信号を読出す
読出アンプ回路と、前記両回路を制御する制御回路とか
ら構成される放射線撮像装置において、各画素に蓄積さ
れた電荷信号を読出すデータ線が被写体の長軸と略平行
に配置されるものである。Further, the radiation imaging apparatus according to the present invention comprises a conversion film for converting radiation into light, a photodiode array disposed immediately below the conversion film, and a TFT switch connected to each photodiode array. A gate driver circuit for sequentially turning on each TFT switch at the time of signal readout, a readout amplifier circuit for reading out charge signals accumulated in each pixel, and a control circuit for controlling both circuits; A data line for reading out the charge signal stored in each pixel is arranged substantially parallel to the long axis of the subject.

【０００８】本発明の放射線撮像装置は上記のように構
成されており、各画素に蓄積された電荷信号を読出すデ
ータ線が被写体の長軸と略平行に配置されるので、直接
Ｘ線入射領域が被写体の両側に存在しても、被写体のＸ
線画像に影響を受けることが少なくなる。The radiation imaging apparatus according to the present invention is configured as described above, and since the data line for reading out the charge signal stored in each pixel is arranged substantially in parallel with the long axis of the object, direct X-ray incidence is possible. Even if the region exists on both sides of the subject, the X of the subject
It is less affected by line images.

【０００９】[0009]

【発明の実施の形態】本発明の放射線撮像装置の一実施
例を図１を参照しながら説明する。図１は本発明の放射
線撮像装置のＸ線面センサ１からの信号読出し回路のブ
ロック図を示す。本装置は、従来装置と構成部品は同じ
であるが、Ｘ線面センサ１のセンサ画素Ｅからの信号読
出し方向が、従来装置では水平方向に走査し、順次縦方
向に移動して読み出す方法であったが、本装置では垂直
方向に走査し、順次横方向に移動して読み出す方法を実
施している。本装置は、Ｘ線面センサー１と、そのセン
サ画素Ｅにバイアス電圧を供給する可変電源１０と、各
センサ画素Ｅからの信号を順次取り出すためのゲート・
ドライバー回路２と、各センサ画素Ｅからの信号を読み
込むための読出アンプ回路３と、ゲート・ドライバー回
路２及び読出アンプ回路３を制御する制御回路４とから
構成されている。そして読出アンプ回路３から外部に、
Ｘ線面センサー１からの映像デジタルデータ信号が２次
元画像データ出力として送り出される。Ｘ線面センサー
１は、縦横にセンサ画素Ｅが５×５の行列状（ここでは
説明を簡単にするために５×５の行列とした）に規則正
しく配列され、２５個のセンサ画素１１、１２、…、５
５を有しており、制御回路４からの信号でゲート・ドラ
イバー回路２が駆動され、各行共通に入力されるゲート
線７１、７２、…、７５を介して行方向（横方向）から
各センサ画素Ｅにパルス信号が順次に送られる。一方、
制御回路４からの信号で読出アンプ回路３が駆動され、
各列共通のデータ線６１、６２、…、６５を介して列方
向（縦方向）から各センサ画素Ｅの映像電荷信号が順次
に読出される。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the radiation imaging apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a block diagram of a circuit for reading out signals from the X-ray surface sensor 1 of the radiation imaging apparatus according to the present invention. The present device has the same components as the conventional device, but the signal read direction from the sensor pixel E of the X-ray surface sensor 1 is such that the conventional device scans in the horizontal direction and sequentially moves in the vertical direction to read. However, this apparatus implements a method of scanning in the vertical direction and sequentially moving and reading in the horizontal direction. The apparatus includes an X-ray surface sensor 1, a variable power supply 10 for supplying a bias voltage to the sensor pixel E, and a gate for sequentially extracting signals from each sensor pixel E.
It comprises a driver circuit 2, a read amplifier circuit 3 for reading signals from each sensor pixel E, and a control circuit 4 for controlling the gate driver circuit 2 and the read amplifier circuit 3. Then, from the read amplifier circuit 3 to the outside,
An image digital data signal from the X-ray surface sensor 1 is sent out as a two-dimensional image data output. The X-ray surface sensor 1 has a regular arrangement of sensor pixels E vertically and horizontally in a 5 × 5 matrix (here, a 5 × 5 matrix for simplicity of explanation), and 25 sensor pixels 11 and 12 are arranged. , ..., 5
, And the gate driver circuit 2 is driven by a signal from the control circuit 4, and each sensor is driven in a row direction (lateral direction) through gate lines 71, 72,... The pulse signals are sequentially sent to the pixels E. on the other hand,
The read amplifier circuit 3 is driven by a signal from the control circuit 4,
The image charge signal of each sensor pixel E is sequentially read from the column direction (vertical direction) via the data lines 61, 62,..., 65 common to each column.

【００１０】センサ画素Ｅの構造は従来型のものと同じ
であり、図４に示すように、センサ画素Ｅは、バイアス
電圧を印加するための共通電極８と、Ｘ線の照射強度を
電荷信号に変換するＸ線変換層９と、Ｘ線変換層９内で
発生した電荷信号を収集するための画素電極１２１と、
収集された電荷信号を蓄積するための蓄積容量１２２
と、蓄積容量１２２に蓄積された電荷を外部回路に導入
するためのトランジスタスイッチ１２３（ＴＦＴ）とか
ら構成されている。そして、可変電源１０からＸ線変換
層９にバイアス電圧が印加され、Ｘ線照射強度に応じて
Ｘ線変換層９で発生した電荷が、蓄積容量１２２のコン
デンサに蓄積される。そしてトランジスタースイッチ１
２３、例えば、信号読出しスイッチ機能を有するＴＦＴ
が各センサ画素Ｅ毎に２次元に配列されており、一例と
してセンサ画素１２は、ゲート線７１に接続されたゲー
ト線端子７１ａからのスイッチパルスにより、蓄積容量
１２２の電荷信号がデータ線６２に接続されたデータ線
端子６２ａを介して読出アンプ回路３に読出される。The structure of the sensor pixel E is the same as that of the conventional type. As shown in FIG. 4, the sensor pixel E has a common electrode 8 for applying a bias voltage and a charge signal indicating the X-ray irradiation intensity. An X-ray conversion layer 9 for converting the image into a pixel signal; a pixel electrode 121 for collecting a charge signal generated in the X-ray conversion layer 9;
Storage capacitor 122 for storing collected charge signals
And a transistor switch 123 (TFT) for introducing the charge stored in the storage capacitor 122 into an external circuit. Then, a bias voltage is applied from the variable power supply 10 to the X-ray conversion layer 9, and the charges generated in the X-ray conversion layer 9 according to the X-ray irradiation intensity are stored in the capacitor of the storage capacitor 122. And transistor switch 1
23, for example, a TFT having a signal readout switch function
Are two-dimensionally arranged for each sensor pixel E. As an example, the sensor pixel 12 outputs the charge signal of the storage capacitor 122 to the data line 62 by a switch pulse from the gate line terminal 71 a connected to the gate line 71. The data is read out to the readout amplifier circuit 3 via the connected data line terminal 62a.

【００１１】今、例えば、センサ画素１２に過剰なＸ線
照射があり、蓄積容量１２２に信号電荷が一杯になり、
トランジスタスイッチ１２３からの信号電荷がオーバフ
ローしてしまうことがあると、共通のデータ線６２に接
続されている縦方向一列（センサ画素２２、３２、４
２、５２）の画素出力にアーティファクトが発生する。
そこで、本発明においては、図２に示すように、データ
線６１〜６５の配置方向（データ線方向８４）を、被写
体８１である人体体軸に対して略平行に設定している。
このように設定すれば、人体の脇の直接Ｘ線入射領域８
３で発生した過剰照射によるデータ線６１〜６５への信
号漏れは、縦方向のアーティファクトとなるため、人体
中央部の肺野への影響を回避することができる。Now, for example, the sensor pixel 12 is irradiated with excessive X-rays, and the storage capacitor 122 is full of signal charges.
When the signal charge from the transistor switch 123 may overflow, one column in the vertical direction connected to the common data line 62 (the sensor pixels 22, 32, 4
An artifact occurs in the pixel output of (2, 52).
Therefore, in the present invention, as shown in FIG. 2, the arrangement direction of the data lines 61 to 65 (data line direction 84) is set substantially parallel to the body axis of the subject 81.
With this setting, the direct X-ray incidence area 8 beside the human body
The signal leakage to the data lines 61 to 65 due to the excessive irradiation generated in 3 becomes an artifact in the vertical direction, so that the influence on the lung field in the central part of the human body can be avoided.

【００１２】[0012]

【発明の効果】本発明の放射線撮像装置は上記のように
構成されており、Ｘ線面センサ１のセンサ画素Ｅからの
信号読出し方向が、従来装置では水平方向に走査し、順
次縦方向に移動して読み出す方法であったが、本装置で
は、各画素に蓄積された電荷信号を読出すデータ線が被
写体の長軸と略平行に配置されて、垂直方向に走査し、
順次横方向に移動して読み出す方法を実施しているの
で、人体の両脇等に直接Ｘ線が入射し過剰照射されて
も、データ線への信号漏れは、縦方向のアーティファク
トとなるため、人体中央部の肺野への影響を受けること
を回避し、最小限に低減することができる。According to the radiation imaging apparatus of the present invention, the signal reading direction from the sensor pixel E of the X-ray surface sensor 1 scans in the horizontal direction in the conventional apparatus and sequentially in the vertical direction. Although the method of moving and reading was performed, in the present apparatus, a data line for reading out the charge signal accumulated in each pixel is arranged substantially parallel to the long axis of the subject, and scans in the vertical direction.
Since the method of sequentially moving in the horizontal direction and reading out is implemented, even if X-rays are directly incident on both sides of the human body and over-irradiated, signal leakage to the data line becomes a vertical artifact, The influence on the lung field in the central part of the human body can be avoided and reduced to a minimum.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】 本発明の放射線撮像装置の一実施例を示す図
である。FIG. 1 is a diagram showing one embodiment of a radiation imaging apparatus of the present invention.

【図２】 本発明の放射線撮像装置を用いて被写体を撮
像する状態を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a state in which a subject is imaged using the radiation imaging apparatus of the present invention.

【図３】 読出データ線が被写体の長軸と直角方向に配
列された放射線撮像装置を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a radiation imaging apparatus in which read data lines are arranged in a direction perpendicular to a long axis of a subject.

【図４】 放射線撮像装置の一画素の構造を示す図であ
る。FIG. 4 is a diagram showing a structure of one pixel of the radiation imaging apparatus.

【図５】 読出データ線が被写体の長軸と直角方向に配
列された放射線撮像装置を用いて撮像する状態を示す図
である。FIG. 5 is a diagram illustrating a state where an image is captured using a radiation imaging apparatus in which read data lines are arranged in a direction perpendicular to the long axis of a subject.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…Ｘ線面センサ ２…ゲートドラ
イバー回路 ３…読出アンプ回路 ４…制御回路 ８…共通電極 ９…Ｘ線変換層 １０…可変電極 １１〜５５…画
素 ６１〜６５…データ線 ７１〜７５…ゲ
ート線 ６２ａ…データ線端子 ７１ａ…ゲート
線端子 ８１…被写体 ８２…一画素の
構造 ８３…直接Ｘ線入射領域 ８４…データ線
方向 １２１…画素電極 １２２…蓄積容
量 １２３…トランジスタスイッチ Ｅ…センサ画
素DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... X-ray surface sensor 2 ... Gate driver circuit 3 ... Readout amplifier circuit 4 ... Control circuit 8 ... Common electrode 9 ... X-ray conversion layer 10 ... Variable electrode 11-55 ... Pixel 61-65 ... Data line 71-75 ... Gate Line 62a Data line terminal 71a Gate line terminal 81 Subject 82 One pixel structure 83 Direct X-ray incidence area 84 Data line direction 121 Pixel electrode 122 Storage capacitor 123 Transistor switch E Sensor pixel

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】放射線に感応し入射線量に対応した電荷信
号を出力する変換膜の両側にそれぞれ電極を接続してな
る二次元の放射線センサーアレイと、その直下に行列状
に配置され前記電極に接続されたＴＦＴスイツチと、信
号読み出し時に各ＴＦＴスイツチを順次ＯＮするゲート
ドライバー回路と、各画素に蓄積された電荷信号を読出
す読出アンプ回路と、前記両回路を制御する制御回路
と、前記放射線センサーアレイにバイアス電圧を供給す
る電源部とから構成される放射線撮像装置において、各
画素に蓄積された電荷信号を読出すデータ線が被写体の
長軸と略平行に配置されることを特徴とする放射線撮像
装置。1. A two-dimensional radiation sensor array in which electrodes are connected to both sides of a conversion film which outputs a charge signal corresponding to an incident dose in response to radiation, and a two-dimensional radiation sensor array disposed immediately below the two-dimensional radiation sensor array in a matrix. A connected TFT switch, a gate driver circuit for sequentially turning on each TFT switch when reading signals, a read amplifier circuit for reading charge signals accumulated in each pixel, a control circuit for controlling both circuits, In a radiation imaging apparatus including a power supply unit for supplying a bias voltage to a sensor array, a data line for reading out a charge signal stored in each pixel is arranged substantially parallel to a long axis of a subject. Radiation imaging device. 【請求項２】放射線を光に変換する変換膜と、その直下
に行列状に配置されたフォトダイオードアレイと、各フ
ォトダイオードアレイに接続されたＴＦＴスイッチによ
って構成され、信号読み出し時に各ＴＦＴスイツチを順
次ＯＮするゲートドライバー回路と、各画素に蓄積され
た電荷信号を読出す読出アンプ回路と、前記両回路を制
御する制御回路とから構成される放射線撮像装置におい
て、各画素に蓄積された電荷信号を読出すデータ線が被
写体の長軸と略平行に配置されることを特徴とする放射
線撮像装置。2. A photoelectric conversion device comprising: a conversion film for converting radiation into light; a photodiode array disposed in a matrix below the conversion film; and a TFT switch connected to each photodiode array. In a radiation imaging apparatus including a gate driver circuit that is sequentially turned on, a readout amplifier circuit that reads out a charge signal stored in each pixel, and a control circuit that controls both circuits, a charge signal stored in each pixel A radiation line for reading the data is arranged substantially in parallel with the long axis of the subject.