JP3039989B2 - Radiation imaging device - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION 【産業上の利用分野】[Industrial applications]

放射線撮像装置に係り，特に医療用Ｘ線診断装置に好
適な大面積２次元放射線撮像装置に係る。The present invention relates to a radiation imaging apparatus, and particularly to a large-area two-dimensional radiation imaging apparatus suitable for a medical X-ray diagnostic apparatus.

【従来の技術】[Prior art]

薄膜フォトダイオードや薄膜トランジスタの技術進歩
に伴い，薄膜撮像素子アレイが実用化されている。従来
主に開発された薄膜撮像素子アレイはファックス用ライ
ンセンサであり，その使用状況は光強度の強い場合に,2
値画像を得ることにあった。また近年薄膜アクティブマ
トリクスを用いた２次元撮像素子が検討されるようにな
ってきた。その部分断面図を第２図に示した。この撮像
素子の動作方法を述べる。放射線，または可視光がフォ
トダイオードに到達する。フォトダイオード内部に侵入
した光は光電変換され，生成された電荷は透明電極と画
素電極に蓄えられる。その後，薄膜トランジスタのゲー
ト電極に印加される信号読みだし信号により画素電極に
蓄積された電荷は絵素電極から読みだし電極へ移動し検
出回路に導かれる。 このような撮像素子の各絵素からの読みだし方法は原
理的に結晶SiによるMOS撮像素子のそれと同じで良い。M
OS撮像素子の場合の信号読みだし回路と動作シークエン
スを第３図（ａ），（ｂ）に示した。第３図（ｂ）に示
した動作シークエンスに現れるスパイク状ノイズはMOS
スイッチオン状態を挾む形で後段の積分回路（第３図
（ａ）には図示していない）で積分することにより除去
できることが知られている。しかし薄膜素子の電気的特
性は結晶のそれと著しく異なるので,MOS撮像素子の場合
の信号読みだし回路と動作シークエンスをTFTアクティ
ブマトリクス利用撮像素子に，ただちには適用出来なか
った。 そのためMOS撮像素子の場合の信号読みだし回路や動
作シークエンスと異なる読みだし方法を検討したり，光
検出素子の検出感度が低くなり,X線増倍感を用いること
により感度低下を補うなどの必要があった。 これら従来技術については、「特開昭62−23162」、
「特開昭62−2933」、「三村他（テレビジョン学会技術
報告,12巻,50号,pp.50〜60;ITEJ Technical Report Vo
l.12,No.50,pp.50〜60,ED′88−70,ID′88−70,ID′88
−106（Nov.1988））」、「大場他（アイイーイーイーE
D−27巻,1980年８月号 1682−1687頁）IEEE trans.,E
D−271682−1687（1980）」などに記載される。2. Description of the Related Art Along with technological progress of a thin film photodiode and a thin film transistor, a thin film imaging device array has been put to practical use. Conventionally, the thin-film imaging device array mainly developed is a line sensor for facsimile.
To get the value image. In recent years, a two-dimensional imaging device using a thin film active matrix has been studied. FIG. 2 shows a partial cross-sectional view thereof. An operation method of this imaging device will be described. Radiation or visible light reaches the photodiode. The light that has entered the inside of the photodiode is photoelectrically converted, and the generated charges are stored in the transparent electrode and the pixel electrode. Thereafter, the charge stored in the pixel electrode by the signal read signal applied to the gate electrode of the thin film transistor moves from the pixel electrode to the read electrode and is guided to the detection circuit. The method of reading such an image sensor from each picture element may be the same as that of a MOS image sensor using crystalline Si in principle. M
FIGS. 3A and 3B show a signal reading circuit and an operation sequence in the case of an OS image sensor. The spike noise appearing in the operation sequence shown in FIG.
It is known that the signal can be removed by integrating a switch-on state by a downstream integration circuit (not shown in FIG. 3A). However, since the electrical characteristics of the thin film device are significantly different from those of the crystal, the signal readout circuit and operation sequence in the case of the MOS image sensor could not be immediately applied to the TFT active matrix image sensor. Therefore, it is necessary to consider a signal reading circuit and a reading method different from the operation sequence in the case of a MOS image sensor, and to lower the detection sensitivity of the photodetector and compensate for the sensitivity drop by using X-ray multiplication. was there. Regarding these conventional techniques, “Japanese Patent Laid-Open No.
"Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-2933", "Mimura et al. (The Institute of Television Engineers of Japan, Vol. 12, No. 50, pp. 50-60; ITEJ Technical Report Vo
l.12, No.50, pp.50-60, ED'88-70, ID'88-70, ID'88
−106 (Nov. 1988)) ”,“ Ooba et al.
D-27, August 1980, pp. 1682-1687) IEEE trans., E
D-271682-1687 (1980) ".

【発明が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the invention]

このような大面積薄膜撮像素子にシンチレータを組み
合わせて大面積放射線撮像素子として動作させることが
原理的に可能である。この方法に依れば，即時に動画像
を検出できたり，素子が全固体化され占有体積が著しく
小さくなり扱いやすい装置を提供できる。しかし，実際
にはこのような検出素子は感度が低く画質が悪いという
問題があり現在まで実用化されていない。そのため現在
では，未だに即時性が無いＸ線フィルムや，大型のＸ線
テレビを用いて放射線画像を検出している。In principle, it is possible to combine such a large-area thin-film imaging element with a scintillator to operate as a large-area radiation imaging element. According to this method, it is possible to provide a device that can detect a moving image immediately or that the elements are all solidified and the occupied volume is extremely small, so that it is easy to handle. However, in practice, such a detection element has a problem of low sensitivity and poor image quality, and has not been put to practical use until now. Therefore, at present, a radiation image is detected using an X-ray film, which is not yet immediate, or a large-sized X-ray television.

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

本発明は上記検出感度が低く画質が悪いという問題点
をTFTアクティブマトリクスからの信号読みだし方法を
最適化することにより解決する。より具体的には，複数
の薄膜光電変換素子と該素子のそれぞれに対応し該素子
の出力をスイッチングする複数の薄膜トランジスタ（TF
T），該TFTを制御するための複数の薄膜制御信号線，該
TFTからの出力信号を検出するための複数の薄膜信号検
出線が積層してなる大面積２次元画像検出部と，該薄膜
制御信号線に電圧パルスを印加するための制御信号発生
部，該薄膜信号検出線からの信号を積分し検出するため
の検出回路からなる放射線撮像装置において，該薄膜制
御信号線に印加する電圧パルス幅を20μｓ〜100μｓと
し，該検出回路において該薄膜制御信号線に印加する該
電圧パルスの印加開始以前に積分を開始し，該薄膜制御
信号線に印加する該電圧パルス印加終了後５μｓ〜100
μｓ後に，積分を終了することにより達成される。The present invention solves the above-mentioned problem of low detection sensitivity and poor image quality by optimizing a method for reading signals from a TFT active matrix. More specifically, a plurality of thin film photoelectric conversion elements and a plurality of thin film transistors (TFs) corresponding to each of the elements and switching the output of the element.
T), a plurality of thin film control signal lines for controlling the TFT,
A large-area two-dimensional image detecting section in which a plurality of thin film signal detecting lines for detecting an output signal from a TFT are stacked; a control signal generating section for applying a voltage pulse to the thin film control signal line; In a radiation imaging apparatus including a detection circuit for integrating and detecting a signal from a signal detection line, a voltage pulse width applied to the thin film control signal line is set to 20 μs to 100 μs, and applied to the thin film control signal line in the detection circuit. Integration starts before the start of the application of the voltage pulse, and 5 μs to 100
This is achieved by terminating the integration after μs.

【作用】[Action]

該薄膜制御信号線に印加する電圧パルス幅を20μｓ〜
100μｓと長時間に設定することにより薄膜光電変換素
子からの電流信号を効率的に該薄膜制御信号線に導くこ
とが出来信号量が大きくなる。また該薄膜制御信号線に
印加する該電圧パルス印加終了後５μｓ〜100μｓ後
に，該検出回路の積分を終了することにより，該薄膜制
御信号線から該検出回路に効率的に信号を導くことが出
来信号量が大きくなる。従って検出信号のS/Nが向上し
検出画像の画質が向上する。The voltage pulse width applied to the thin film control signal line is 20 μs or more.
By setting the time as long as 100 μs, the current signal from the thin-film photoelectric conversion element can be efficiently guided to the thin-film control signal line, and the signal amount increases. By terminating the integration of the detection circuit 5 μs to 100 μs after the application of the voltage pulse applied to the thin film control signal line, a signal can be efficiently guided from the thin film control signal line to the detection circuit. The signal amount increases. Therefore, the S / N of the detection signal is improved, and the image quality of the detected image is improved.

【実施例】【Example】

本発明を実施例を用いて詳細に説明する。第１図はＸ
線照射とＸ線照射後の画像情報の読みだしのタイミング
を模式的に示したものである。図ではＸ線照射後第１列
のTFT群にゲート信号を与える。このゲート信号は該薄
膜制御信号線を介してTFT群のゲート電圧に電圧パルス
を与える。このパルス幅は20μｓ〜100μｓである。20
μｓより短いと検出される信号は小さくなりS/Nが低下
する。また100μｓより長いとフォトダイオードのリー
ク電流によるオフセットが大きくなりやはりS/Nが低下
する。ゲートパルスをはさんで各行の出力信号をそれぞ
れの薄膜信号線を介して各々個別に用意された積分検出
回路に導き積分する。積分のタイミングは該薄膜制御信
号線に印加する該電圧パルスの印加開始以前に積分を開
始し該薄膜制御信号線に印加する該電圧パルス印加終了
後５μｓ〜100μｓ後に，該検出回路の積分を終了する
ようにする。電圧パルス印加後５μｓより短い時間で積
分を終了すると検出信号が小さくなりS/Nが低下する。
この傾向は絵素数が多くなったり，画面サイズが大きく
なるに従って著しくなる。即ち大面積撮像素子を薄膜回
路を用いて実現する際の本質的な問題であった。電圧パ
ルス印加後100μｓより長い時間で積分を終了するとオ
フセット成分が大きくなりやはりS/Nが低下する。この
傾向は絵素数が多くなり１画像の読みだし時間が長くな
るに従って著しくなる。従って薄膜回路用いた大面積撮
像素子を高空間解像度にする際に基本的な問題であっ
た。本発明によれば最適の信号読みだしのタイミングを
設定したのでこれらの問題が発生しないため，放射線撮
像装置の性能が大幅に向上する。 第４図は本発明の放射線撮像素子の全体構成図であ
る。画面サイズは例えば６インチ角から14インチ角程度
である。絵素サイズは100μｍ角から400μｍ角程度であ
る。絵素数は500×500から4000×4000程度である。垂直
走査回路は薄膜制御信号線に電圧パルスを印加するため
の制御信号発生部として作用する。積分器を含む増幅回
路は各列ごとに並列に接続される。従って増幅回路は50
0〜4000個ある。増幅された信号はマルチプレクサに入
った後AD変換器でデジタル信号に変換される。AD変換器
は例えば８ビットから16ビット程度の精度のものを使用
する。第５図は本発明における１絵素の構造の１実施例
を示した断面図である。絵素は例えばゲート電極，信号
電極，絵素電極からなる逆スタガ型TFT,光電変換素子
（例えばpin非晶質Siフォトダイオード）及びTFTを保護
する絶縁膜，光電変換素子を保護する透明保護膜，螢光
体からなる。 具体的な検出回路及び素子の等価回路を第６図に示し
た。第７図にこの時の実際の検出信号波形を示す。TFT
のゲート電圧を20μｓに設定する。ゲート電圧オン状態
は＋8Vであり，ゲート電圧オフ状態は−5Vである。ゲー
トオン電圧は＋5V以下では信号量が小さくなる。またゲ
ートオン電圧＋10V以上では出力のノイズが増しS/Nが低
下する。従って最適ゲートオン電圧は＋５から＋10Vで
ある。積分回路のゲート電圧はTFTがオンになる５μｓ
前にオン状態（＋5V）からオフ状態（−5V）に切り換え
信号を積分する。その後30μｓオフ状態に積分した後，
オン状態に戻しリセットする。従ってTFTがオフになっ
てから５μｓ後に積分回路のゲート電圧はオフになる。
このとき出力信号はほぼ飽和しているので信号検出が可
能である。この出力波形を積分回路のゲート電圧をオフ
にする直前にサンプルホールドしAD変換器にてデジタル
化する。 第８図は他の１実施例である。本実施例で前述の実施
例と異なる点は積分回路のゲート電圧のタイミングを変
えた点にある。即ちTFTがオフになってから14μｓ後に
積分回路のゲート電圧をオフにした。本実施例では出力
信号は完全に飽和しているので高精度の信号検出が可能
である。 次に本発明の他の実施例を説明する。Ｘ線診断用放射
線診断装置では透視モードと撮影モードを有することが
望ましい。透視モードはリアルタイムで動画像を検出す
るモードである。撮影モードは高濃度高空間分解能の画
像を比較的ゆっくりと撮影するモードである。従って透
視モードの絵素信号の読みだしは完全でなくとも速く，
撮影モードの絵素信号の読みだしは速くなくとも完全に
行う必要がある。この要求に答えるためには上述の実施
例の説明から明らかなように，複数の薄膜光電変換素子
と該素子のそれぞれに対応し該素子の出力をスイッチン
グする複数の薄膜トランジスタ（TFT），該TFTを制御す
るための複数の薄膜制御信号線，該TFTからの出力信号
を検出するための複数の薄膜信号検出線が積層してなる
大面積２次元画像検出部と，該薄膜制御信号線に電圧パ
ルスを印加するための制御信号発生部，該薄膜信号検出
線からの信号を積分し検出するための検出回路からなる
放射線撮像装置において，該薄膜制御信号線に印加する
電圧パルス幅を20μｓ〜100μｓの範囲とし，かつ該検
出回路において該薄膜制御信号に印加する該電圧パルス
の印加開始以前に積分を開始し，該薄膜制御信号線に印
加する該電圧パルス印加終了後５μｓ〜100μｓの範囲
で，積分を終了するとともに，該薄膜制御信号線に印加
する電圧パルス幅，もしくは該薄膜制御信号線に印加す
る該電圧パルス印加終了から検出回路の積分を終了する
までの時間が異なる複数の撮像モードを有することによ
り達成される。具体的には例えば，透視モードとして該
薄膜制御信号線に印加する電圧パルス幅を20μs,該薄膜
制御信号線に印加する該電圧パルス印加終了から検出回
路の積分を終了するまでの時間を５μｓとする。撮影モ
ードとしては該薄膜制御信号線に印加する電圧パルス幅
を30μs,該薄膜制御信号線に印加する該電圧パルス印加
終了から検出回路の積分を終了するまでの時間を20μｓ
とする。このように設定すれば透視モードは１画素の信
号読みだしシークエンスを60μｓ以下で行えるので500
×500の画像を読むために30ms以下で読み取れ，テレビ
レートで動画像を表示できる。また撮影モードは１画素
の信号読みだしに十分時間をかけられるので高精度の信
号検出が可能である。The present invention will be described in detail with reference to examples. FIG. 1 shows X
4 schematically shows the timing of reading image information after irradiation with X-rays and X-rays. In the figure, a gate signal is given to the TFT group in the first column after X-ray irradiation. This gate signal gives a voltage pulse to the gate voltage of the TFT group via the thin film control signal line. This pulse width is 20 μs to 100 μs. 20
If the time is shorter than μs, the detected signal is small and the S / N is reduced. If the time is longer than 100 μs, the offset due to the leak current of the photodiode increases, and the S / N also decreases. With the gate pulse interposed, the output signals of each row are guided and integrated via the respective thin film signal lines to individually provided integration detection circuits. The integration is started before the application of the voltage pulse applied to the thin-film control signal line. The integration of the detection circuit ends 5 μs to 100 μs after the application of the voltage pulse applied to the thin-film control signal line. To do it. When the integration is completed in less than 5 μs after the application of the voltage pulse, the detection signal becomes small and the S / N is reduced.
This tendency becomes remarkable as the number of picture elements increases or the screen size increases. That is, this is an essential problem in realizing a large-area imaging device using a thin film circuit. If the integration is completed in a time longer than 100 μs after the application of the voltage pulse, the offset component increases and the S / N also decreases. This tendency becomes remarkable as the number of picture elements increases and the reading time of one image increases. Therefore, this is a fundamental problem when a large-area imaging device using a thin film circuit has a high spatial resolution. According to the present invention, since these problems do not occur because the optimal signal reading timing is set, the performance of the radiation imaging apparatus is greatly improved. FIG. 4 is an overall configuration diagram of the radiation imaging device of the present invention. The screen size is, for example, about 6 inches square to 14 inches square. The picture element size is about 100 μm square to 400 μm square. The number of picture elements is about 500 × 500 to 4000 × 4000. The vertical scanning circuit functions as a control signal generator for applying a voltage pulse to the thin film control signal line. The amplifier circuits including the integrator are connected in parallel for each column. Therefore, the amplifier circuit is 50
There are 0-4000. After the amplified signal enters the multiplexer, it is converted to a digital signal by an AD converter. For example, an AD converter having an accuracy of about 8 to 16 bits is used. FIG. 5 is a sectional view showing one embodiment of the structure of one picture element in the present invention. The picture element is, for example, an inverted staggered TFT composed of a gate electrode, a signal electrode, and a picture element electrode, a photoelectric conversion element (for example, a pin amorphous Si photodiode), an insulating film for protecting the TFT, and a transparent protective film for protecting the photoelectric conversion element. , Consisting of phosphor. FIG. 6 shows a specific detection circuit and an equivalent circuit of the element. FIG. 7 shows an actual detection signal waveform at this time. TFT
Is set to 20 μs. The gate voltage on state is + 8V, and the gate voltage off state is -5V. When the gate-on voltage is less than + 5V, the signal amount becomes small. If the gate-on voltage is +10 V or more, output noise increases and S / N decreases. Therefore, the optimum gate-on voltage is from +5 to + 10V. The gate voltage of the integration circuit is 5μs when the TFT is turned on.
Before switching from the on state (+ 5V) to the off state (-5V), the signal is integrated. Then, after integrating for 30μs off state,
Return to ON state and reset. Therefore, the gate voltage of the integration circuit is turned off 5 μs after the TFT is turned off.
At this time, since the output signal is almost saturated, signal detection is possible. This output waveform is sampled and held just before the gate voltage of the integration circuit is turned off, and digitized by an AD converter. FIG. 8 shows another embodiment. This embodiment is different from the above-described embodiment in that the timing of the gate voltage of the integration circuit is changed. That is, the gate voltage of the integration circuit was turned off 14 μs after the TFT was turned off. In this embodiment, since the output signal is completely saturated, highly accurate signal detection is possible. Next, another embodiment of the present invention will be described. It is desirable that the radiation diagnostic apparatus for X-ray diagnosis has a fluoroscopic mode and an imaging mode. The fluoroscopy mode is a mode for detecting a moving image in real time. The photographing mode is a mode for photographing an image with high density and high spatial resolution relatively slowly. Therefore, the reading of the picture element signal in the fluoroscopic mode is fast even if it is not complete.
It is necessary to completely read out the picture element signal in the photographing mode even if it is not fast. In order to respond to this demand, as is apparent from the description of the above-described embodiment, a plurality of thin film photoelectric conversion elements, a plurality of thin film transistors (TFTs) corresponding to each of the elements, and switching the output of the element, A large-area two-dimensional image detection unit in which a plurality of thin film control signal lines for controlling, a plurality of thin film signal detection lines for detecting an output signal from the TFT are stacked, and a voltage pulse is applied to the thin film control signal line In a radiation imaging apparatus comprising a control signal generation unit for applying a signal and a detection circuit for integrating and detecting a signal from the thin film signal detection line, a voltage pulse width applied to the thin film control signal line is set to 20 μs to 100 μs. Range, and the detection circuit starts integration before the application of the voltage pulse applied to the thin film control signal, and 5 μs to 100 μs after the application of the voltage pulse applied to the thin film control signal line In the range, the integration of the thin-film control signal line and the voltage pulse width applied to the thin-film control signal line or the time from the end of the application of the voltage pulse applied to the thin-film control signal line to the end of the integration of the detection circuit are different. This is achieved by having the imaging mode of Specifically, for example, in the fluoroscopic mode, the voltage pulse width applied to the thin film control signal line is 20 μs, and the time from the end of the application of the voltage pulse applied to the thin film control signal line to the end of the integration of the detection circuit is 5 μs. I do. In the imaging mode, the voltage pulse width applied to the thin film control signal line is 30 μs, and the time from the end of the application of the voltage pulse applied to the thin film control signal line to the end of the integration of the detection circuit is 20 μs.
And With this setting, in the fluoroscopy mode, the signal reading sequence of one pixel can be performed in 60 μs or less, so 500
In order to read a × 500 image, it can be read in less than 30 ms and can display moving images at a television rate. In the photographing mode, a sufficient time is required for reading out a signal of one pixel, so that highly accurate signal detection is possible.

【発明の効果】【The invention's effect】

本発明によれば，薄膜光電変換素子からの電流信号を
効率的に該薄膜制御信号線に導くことが出来信号量が大
きくなる。また該薄膜制御信号線から該検出回路に効率
的に信号を導くことが出来信号量が大きくなる。従って
検出信号のS/Nが向上し検出画像の画質が向上する。According to the present invention, the current signal from the thin-film photoelectric conversion element can be efficiently guided to the thin-film control signal line, and the signal amount increases. Further, a signal can be efficiently guided from the thin film control signal line to the detection circuit, and the signal amount increases. Therefore, the S / N of the detection signal is improved, and the image quality of the detected image is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第１図は本発明の実施例を示すタイムチャートである。
第２図は従来例を示す断面図である。第３図は他の従来
例を示す等価回路図及びタイムチャートである。第４図
は本発明の１実施例の等価回路図である。第５図は本発
明の１実施例の部分断面図である。第６図は本発明の１
実施例を示す等価回路図である。第7,8図は本発明の実
施例を示すタイムチャート及び検出信号を示す図であ
る。FIG. 1 is a time chart showing an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a sectional view showing a conventional example. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram and a time chart showing another conventional example. FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of one embodiment of the present invention. FIG. 5 is a partial sectional view of one embodiment of the present invention. FIG. 6 shows one embodiment of the present invention.
FIG. 4 is an equivalent circuit diagram showing an example. FIGS. 7 and 8 are a time chart showing an embodiment of the present invention and a diagram showing a detection signal.

フロントページの続き (72)発明者 松本 信三 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日 立製作所茂原工場内 (56)参考文献 特開 昭59−211262（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−192732（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−211263（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−171964（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−146876（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/339 H01L 27/14 - 27/148 H01L 29/762 - 29/768 Continuation of front page (72) Inventor Shinzo Matsumoto 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba Pref. In the Mochi factory of Hitachi Co., Ltd. (56) JP, A) JP-A-59-211263 (JP, A) JP-A-3-171964 (JP, A) JP-A-2-146876 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. ⁷ , (DB name) H01L 21/339 H01L 27/14-27/148 H01L 29/762-29/768

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】蛍光体層と，該蛍光体層に光学的に密着し
前記蛍光体層で発生する蛍光を検出する複数の薄膜光電
変換素子と，該各薄膜光電変換素子に対応して配置され
前記薄膜光電変換素子の出力をスイッチングする薄膜ト
ランジスタと，該複数の薄膜トランジスタを制御する複
数の薄膜制御信号線と，前記複数の薄膜トランジスタか
らの出力信号を検出する複数の薄膜信号検出線とを有す
る２次元放射線画像検出部と，前記複数の薄膜制御信号
線に電圧パルスを印加するための制御信号発生部と，前
記複数の薄膜信号検出線からの検出信号を検出する複数
の検出回路とを具備し，前記検出信号の積分を前記電圧
パルスの印加の以前に開始し，前記検出信号の積分を前
記電圧パルスの印加の終了後に終了することを特徴とす
る放射線撮像装置。1. A phosphor layer, a plurality of thin-film photoelectric conversion elements which are optically adhered to the phosphor layer and detect fluorescence generated in the phosphor layer, and are arranged corresponding to each of the thin-film photoelectric conversion elements. A thin film transistor for switching the output of the thin film photoelectric conversion element, a plurality of thin film control signal lines for controlling the plurality of thin film transistors, and a plurality of thin film signal detection lines for detecting output signals from the plurality of thin film transistors. A control signal generator for applying a voltage pulse to the plurality of thin film control signal lines; and a plurality of detection circuits for detecting detection signals from the plurality of thin film signal detection lines. A radiation imaging apparatus, wherein the integration of the detection signal is started before the application of the voltage pulse, and the integration of the detection signal is completed after the application of the voltage pulse is completed. 【請求項２】前記電圧パルスの幅，又は前記電圧パルス
の終了後から前記検出信号の積分を終了するまでの時間
が異なる複数の撮影モードを有することを特徴とする請
求項１に記載の放射線撮像装置。2. The radiation according to claim 1, wherein the plurality of imaging modes have different widths of the voltage pulse or different times from the end of the voltage pulse to the end of integration of the detection signal. Imaging device. 【請求項３】複数の薄膜光電変換素子と，該各薄膜光電
変換素子に対応して配置され前記薄膜光電変換素子の出
力をスイッチングする薄膜トランジスタと，該複数の薄
膜トランジスタを制御する複数の薄膜制御信号線と，前
記複数の薄膜トランジスタからの出力信号を検出する複
数の薄膜信号検出線とを有する２次元放射線画像検出部
と，前記複数の薄膜制御信号線に電圧パルスを印加する
ための制御信号発生部と，前記複数の薄膜信号検出線か
らの検出信号を検出する複数の検出回路とを具備する放
射線像撮像装置において，前記電圧パルスの幅が20μｓ
〜100μｓであり，前記検出信号の積分を前記電圧パル
スの印加の以前に開始し，前記検出信号の積分を前記電
圧パルスの印加の終了後に終了することを特徴とする放
射線撮像装置。3. A plurality of thin film photoelectric conversion elements, a thin film transistor arranged corresponding to each of the thin film photoelectric conversion elements, for switching an output of the thin film photoelectric conversion element, and a plurality of thin film control signals for controlling the plurality of thin film transistors. A two-dimensional radiation image detecting unit having a line and a plurality of thin film signal detecting lines for detecting output signals from the plurality of thin film transistors; and a control signal generating unit for applying a voltage pulse to the plurality of thin film control signal lines. And a plurality of detection circuits for detecting detection signals from the plurality of thin film signal detection lines, wherein the width of the voltage pulse is 20 μs.
放射線 100 μs, wherein the integration of the detection signal is started before the application of the voltage pulse, and the integration of the detection signal is ended after the application of the voltage pulse. 【請求項４】前記電圧パルスの幅，又は前記電圧パルス
の終了後から前記検出信号の積分を終了するまでの時間
が異なる複数の撮影モードを有することを特徴とする請
求項３に記載の放射線撮像装置。4. The radiation according to claim 3, wherein the plurality of imaging modes have different widths of the voltage pulse or different times from the end of the voltage pulse to the end of the integration of the detection signal. Imaging device. 【請求項５】複数の薄膜光電変換素子と，該各薄膜光電
変換素子に対応して配置され前記薄膜光電変換素子の出
力をスイッチングする薄膜トランジスタと，該複数の薄
膜トランジスタを制御する複数の薄膜制御信号線と，前
記複数の薄膜トランジスタからの出力信号を検出する複
数の薄膜信号検出線とを有する２次元放射線画像検出部
と，前記複数の薄膜制御信号線に電圧パルスを印加する
ための制御信号発生部と，前記複数の薄膜信号検出線か
らの検出信号を検出する複数の検出回路とを具備する放
射線像撮像装置において，前記検出信号の積分を前記電
圧パルスの印加の以前に開始し，前記検出信号の積分を
前記電圧パルスの印加の終了後５μｓ〜100μｓの間に
終了することを特徴とする放射線撮像装置。5. A plurality of thin film photoelectric conversion elements, a thin film transistor arranged corresponding to each of the thin film photoelectric conversion elements, for switching the output of the thin film photoelectric conversion element, and a plurality of thin film control signals for controlling the plurality of thin film transistors. A two-dimensional radiation image detecting unit having a line and a plurality of thin film signal detecting lines for detecting output signals from the plurality of thin film transistors; and a control signal generating unit for applying a voltage pulse to the plurality of thin film control signal lines. And a plurality of detection circuits for detecting detection signals from the plurality of thin film signal detection lines, wherein the integration of the detection signal is started before the application of the voltage pulse, and the detection signal is detected. The radiation imaging apparatus terminates the integration of 5 to 100 μs after the application of the voltage pulse is completed. 【請求項６】前記電圧パルスの幅，又は前記電圧パルス
の終了後から前記検出信号の積分を終了するまでの時間
が異なる複数の撮影モードを有することを特徴とする請
求項５に記載の放射線撮像装置。6. The radiation according to claim 5, wherein the plurality of imaging modes have different widths of the voltage pulse or different times from the end of the voltage pulse to the end of integration of the detection signal. Imaging device. 【請求項７】前記電圧パルスの波高値がオン状態で＋5V
以上＋10V以下であることを特徴とする請求項1,3,5の何
れかに記載の放射線撮像装置。7. The method according to claim 7, wherein the peak value of the voltage pulse is +5 V in an on state.
The radiation imaging apparatus according to any one of claims 1, 3, and 5, wherein the radiation imaging apparatus has a voltage of not less than + 10V.