JP2001102289A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】液切りローラやリンス液の汚染を防止できると
ともに、処理能力が高い基板処理装置を提供することを
目的とする。 【解決手段】処理部２の基板搬入口上部には、基板表面
に現像液を供給して、現像液の液層２０を形成するため
のスリットノズル５が設けられている。スリットノズル
５には、搬送方向と直交する方向に沿って処理液供給口
が設けられており、スリットノズル５は、処理液供給口
が基板Ａの搬送方向に向くように傾斜配置されている。
また、スリットノズル５の下流位置であって、基板Ａの
搬送方向長さより下流位置には、現像処理された基板Ａ
表面の液層２０に向けて現像液を供給し、基板Ａ上の現
像液を液置換するためのスリットノズル６が設けられて
いる。スリットノズル６には、搬送方向と直交する方向
に沿って処理液供給口が設けられており、スリットノズ
ル６は、処理液供給口が基板Ａの搬送方向と対向する方
向に傾斜配置されている。また、スリットノズル６の下
流には、液置換された基板Ａ上に残留する現像液を除去
するための液切りローラ１５が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置用角
形ガラス基板、プリント基板、プラズマディスプレイ用
基板等の板状の基板（以下、基板と呼ぶ）に対し、処理
液を供給して処理をおこなう基板処理装置に関し、さら
に詳しくは、基板の表面に現像液、エッチング液、剥離
液、リンス液、等の処理液を供給して基板上に液層を形
成し、形成された液層の処理液により基板を処理する基
板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、基板表面に処理液の液層を形成し
て基板処理をおこなう装置として、搬送される基板上に
スプレーを用いて処理液を供給し、基板上に液層を形成
して処理をおこなうとともに、基板処理が終了すると、
基板上の処理液を液切りローラで除去しながらリンス部
へ搬送してリンスをおこなう基板処理装置が知られてい
る。

【０００３】このように基板を水平方向に搬送しながら
処理をおこなう装置では、連続して基板処理が行えるの
で処理能力が高い反面、基板処理を終了して疲労した処
理液を液切りローラで液切りすると、液切りローラに付
着した疲労液が、濃縮化や固形化し、次に処理される基
板表面に付着して、処理品質が劣化する問題があった。
さらに、リンス部へ搬送された基板表面には、疲労した
処理液が残留しており、疲労した処理液をリンス処理す
るため、リンス液が短時間で汚染されるので頻繁にリン
ス液を取り替える必要があった。

【０００４】このような問題点を解決する手段として、
回転台上に載置された基板表面に、スリットノズルを平
行移動させながら処理液を供給してパドルを形成し、基
板の処理が終了後に回転台を回転させて液切りをおこな
い、その後、回転台を回転させつつ、基板上にリンス液
を供給して洗浄をおこなう基板処理装置が提案されてい
る。図５はこのような従来装置を示した模式図である。

【０００５】図５において、基板Ｗは、ロボット等の搬
送手段により、回転台４０上に載置され、図示しない吸
引機構により回転台４０上に固定される。次にスリット
ノズル４２が、基板Ｗ表面に処理液を供給しながら、図
示右方向から左方向へと平行移動し、基板Ｗ表面に処理
液の液層４３を形成する。

【０００６】基板Ｗ上に形成された処理液層４３により
基板Ｗの処理が終了すると、回転軸４１が高速回転して
基板Ｗ上の処理液を遠心力により除去する。液切りが終
了して回転軸４１の回転が停止すると、リンスノズル４
４が実線位置から破線位置まで移動し、リンスノズル４
４の処理液供給口からリンス液を基板Ｗの表面に供給す
る。リンス液の供給と同時に、回転軸４１が低速回転を
開始して、基板Ｗの表面がリンス処理される。リンス処
理が終了すると、リンスノズル４４はリンス液の供給を
停止し、リンスノズル４４が破線位置から実線位置へと
待避するとともに、回転軸４１が高速回転し、基板Ｗの
表面に残留したリンス液を遠心力により除去する。液切
りが終了すると、回転軸４１は回転を停止し、基板Ｗは
図示しないロボットにより後工程へと搬送されて基板処
理を終了する。

【０００７】このように、上記の従来装置では、基板Ｗ
に供給する処理液やリンス液の使用量が節約できるとと
もに、処理により疲労した処理液は、回転台の回転によ
りきれいに除去できる等の優れた効果を奏する。

【０００８】しかし、上記の従来装置はこのような優れ
た効果を奏する反面、基板Ｗを１枚毎にしか処理できな
いため、処理枚数を増加させるには処理装置を複数台用
意しなければならないという問題があった。

【０００９】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたものであり、液切りローラやリンス液の
汚染を防止できるとともに、処理能力が高い基板処理装
置を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基板を所定の方向に搬送して処理をおこなう基板処
理装置において、基板を搬送する搬送手段と、搬送され
る基板表面に処理液を供給して基板表面上に処理液の液
層を形成する液層形成手段と、処理液により処理された
基板表面にさらに処理液を供給して処理液の液層を液置
換する液置換手段と、液置換された基板表面の処理液を
除去する処理液除去手段と、を備えたことを特徴とす
る。

【００１１】請求項２に記載の発明は、液層形成手段
は、基板の搬送方向と直交する方向に沿って処理液供給
口が延設されるとともに、処理液供給口が基板の搬送方
向に向けて傾斜配置されたスリットノズルであることを
特徴とする。

【００１２】請求項３に記載の発明は、液置換手段は、
基板の搬送方向と直交する方向に沿って処理液供給口が
延設されるとともに、処理液供給口が基板の搬送方向と
対向する方向に傾斜配置されたスリットノズルであるこ
とを特徴とする。

【００１３】請求項４に記載の発明は、液置換手段は、
基板搬送手段により搬送される基板を、水平姿勢から傾
斜姿勢に変更する姿勢変更手段と、傾斜姿勢で搬送され
る基板の上方に配置されるとともに、搬送方向に沿って
処理液供給口が形成されたスリットノズルとからなるこ
とを特徴とする。

【００１４】請求項５に記載の発明は、処理液除去手段
は、基板の搬送方向と直交する方向に配置された液切り
ローラからなることを特徴とする。

【００１５】請求項６に記載の発明は、処理液除去手段
は、液切り後の液切りローラ表面に処理液を供給する処
理液供給手段を備えることを特徴とする。

【００１６】請求項７に記載の発明は、所定方向に搬送
される基板表面に処理液の液層を形成して処理をおこな
う基板処理方法において、搬送される基板表面に処理液
を供給して液層を形成し基板を処理する工程と、処理液
の液層により処理された基板表面にさらに処理液を供給
して基板表面に形成された処理液の液層を液置換する工
程と、液置換された基板表面の処理液を除去する工程
と、からなることを特徴とする。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明を液晶用角形ガラス
基板の現像処理をおこなう基板処理装置に適用した場合
を例として、図面に基づいて実施の形態を説明する。

【００１８】図１は本発明に係る基板処理装置１の一実
施形態を示す概略構成図である。図１において、基板処
理装置１００は、前工程から搬送されてきた基板Ａを受
け入れる基板導入部１と、基板導入部１から水平姿勢で
搬送されてきた基板Ａの表面に現像液を供給して現像処
理をおこなう処理部２と、現像処理された基板表面にシ
ャワーノズル８からリンス液を供給してリンス処理をお
こなうリンス部３と、リンス処理された基板Ａの表面に
高圧エア（または窒素ガス）を吹き付けて乾燥処理をお
こなう乾燥部４とが直列に配設されて構成されている。

【００１９】そして基板処理装置１は、基板導入部１、
処理部２、リンス部３、乾燥部４の順に基板Ａを搬送し
つつ基板Ａに所定の処理を施すものである。

【００２０】また、処理部２の下には現像液槽９が配置
されており、現像液槽９に貯留された現像液は、送液ポ
ンプ１１により液層形成手段となるスリットノズル５へ
と送られ、スリットノズル５に設けられた処理液供給口
より、基板Ａの表面へ現像液を供給して液層２０を形成
する。また、現像液槽９にはもう１つの送液ポンプ１３
が設けられており、送液ポンプ１３により送られた現像
液は、３方電磁弁により液置換用のスリットノズル６、
または処理液除去手段である上下１対の液切りローラ１
５に向けて処理液供給口が形成された処理液供給ノズル
７、のいずれかに現像液を切替供給するように構成され
ている。処理部２において、基板Ａまたは液切りローラ
１５に供給された現像液は、処理部２の底部に設けられ
たドレン１２から、現像液槽９へ回収されて循環使用さ
れるようになっている。

【００２１】同様に、リンス部３の下にはリンス液槽１
６が設けられており、リンス液槽１６に貯留されたリン
ス液は、リンス液送液ポンプ１７によりシャワーノズル
８を介して基板Ａ表面へと供給され、基板Ａの表面がリ
ンス処理される。基板Ａの表面に供給されたリンス液
は、リンス部３の底部に設けられたドレン１８から、リ
ンス液槽１６へ回収されて循環使用されるようになって
いる。また、本実施形態ではシャワーノズル８を基板Ａ
の上部面側のみに設けているが、基板Ａの下部面側にも
設けて、基板Ａの両面をリンス処理するように構成して
もよい。

【００２２】次に、本実施形態では、基板Ａを搬送する
基板搬送手段としてローラコンベアーが適用されてい
る。このローラコンベアーは、基板Ａの搬送方向（図１
の左方から右方に向かう方向）と直交する方向に支持軸
を配した複数の搬送ローラ１０が、等ピッチで搬送方向
に並設配置されている。

【００２３】そして、回転駆動している複数の搬送ロー
ラ１０上に基板Ａを載置することにより、基板Ａは各搬
送ローラ１０の同期回転に伴って搬送方向（図１の右
方）に向けて搬送されるようになっている。

【００２４】基板Ａは、前工程からコンベアあるいはロ
ボット等の上流側引継手段を介して基板導入部１に移さ
れ、ついで搬送ローラ１０の駆動によって、基板導入部
１から処理部２へと移送される。処理部２では、スリッ
トノズル５から基板Ａ表面に現像液が供給されて所定の
処理が施された後に、リンス部３に移送されて基板Ａに
付着した現像液がリンス処理される。リンス処理された
基板Ａは乾燥部４へと移送され、乾燥部４で基板Ａを搬
送ローラ１０により搬送しながら、乾燥部４に設けられ
たエアーナイフ１９によって、基板Ａの表面に付着した
リンス液を乾燥させる。その後、乾燥部４の下流側で、
コンベアあるいはロボット等からなる下流側引継手段を
介して、次行程に向けて導出されるようになっている。

【００２５】次に図２は、本発明に係る基板処理装置１
の処理部２の詳細を説明するための模式図であり、図２
の（ａ）は基板Ａの表面に現像液の液層２０を形成する
様子を表し、図２（ｂ）は基板表面に形成された液層２
０に、さらに現像液を供給して液置換を行っている様子
を表したものである。

【００２６】図２の（ａ）において、処理部２には、搬
送方向と直交する方向に複数の搬送ローラ１０が並設配
置されている。基板導入部１から処理部２へと搬送され
てきた基板Ａは、搬送ローラ１０上に載置されて、搬送
ローラ１０の同期回転により、処理部２内を搬送され
る。処理部２の基板搬入口上部には、基板表面に現像液
を供給して、現像液の液層２０を形成するためのスリッ
トノズル５が設けられている。スリットノズル５には、
搬送方向と直交する方向に沿って処理液供給口が設けら
れており、スリットノズル５は、処理液供給口が基板Ａ
の搬送方向に向くように傾斜配置されている。

【００２７】また、スリットノズル５の下流位置であっ
て、基板Ａの搬送方向長さより下流位置には、現像処理
された基板Ａ表面の液層２０に向けて現像液を供給し、
基板Ａ上の現像液を液置換するためのスリットノズル６
が設けられている。スリットノズル６には、搬送方向と
直交する方向に沿って処理液供給口が設けられており、
スリットノズル６は、処理液供給口が基板Ａの搬送方向
と対向する方向に傾斜配置されている。

【００２８】また、スリットノズル６の下流には、液置
換された基板Ａ上に残留する現像液を除去するための液
切りローラ１５が設けられている。液切りローラ１５
は、搬送方向と直交する方向に設けられた上下一対の液
切りローラ１５ａ、１５ｂとで構成されており、搬送ロ
ーラ１０によって搬送されてきた基板Ａが、この液切り
ローラ１５の間を搬送されることにより、基板Ａの表面
に残留した現像液が除去されるように構成されている。

【００２９】液切りローラ１５ａの上部と、液切りロー
ラ１５ｂの下部には、基板Ａ表面から現像液を除去した
後に、液切りローラ１５ａ、１５ｂに向けて現像液を供
給して、液切りローラ１５ａ、１５ｂに付着し、疲労し
た現像液を洗い流すための処理液ノズル７ａ、７ｂが配
置されている。処理液ノズル７ａ、７ｂは、基板Ａの搬
送方向と直交する方向に沿って、液切りローラ１５ａ、
１５ｂと平行に配置されたパイプからなり、パイプに設
けられた処理液供給口から、液切りローラ１５ａ、１５
ｂに向けて処理液を供給するように構成されている。

【００３０】基板導入部１に基板Ａが搬入されると、処
理部２の送液ポンプ１１（図１参照）が運転を開始し、
現像液槽９の現像液をスリットノズル５に供給する。基
板導入部１から処理部２へ搬送ローラ１０により基板Ａ
が搬送されてくると、基板Ａの搬送方向先端部から後端
部まで、スリットノズル５から現像液が供給され、基板
Ａの表面に現像液の液層２０が形成される。

【００３１】この時、スリットノズル５は、基板Ａの搬
送方向に傾斜姿勢で配置されているので、スリットノズ
ル５から基板Ａの表面へと供給された現像液は、基板Ａ
の搬送方向への移動と、スリットノズル５から供給され
る現像液の流速とが同期して、基板Ａの表面に静的に供
給される。そのため、現像液が基板Ａの表面からこぼれ
落ちにくくなり、現像液の表面張力によって基板Ａの表
面に均一な現像液の液層２０が形成される。

【００３２】基板Ａの表面に現像液の液層２０が形成さ
れると、図示しない制御手段により送液ポンプ１１が停
止して、スリットノズル５からの現像液供給が停止する
とともに、搬送ローラ１０の駆動が停止し、基板Ａはそ
の表面に形成された現像液の液層２０により現像処理が
行われる。

【００３３】次に図２（ｂ）を用いて、現像処理後に、
基板表面に形成された液層２０を液置換する様子を説明
する。所定の処理時間が経過して基板Ａの現像処理が終
了すると、制御手段により送液ポンプ１３が運転を開始
するとともに、電磁弁１４が切り替えられて、現像液槽
９の現像液はスリットノズル６へと供給を開始する。そ
れと同時に、制御手段により搬送ローラ１０の駆動が開
始され、基板Ａがスリットノズル６に向けて搬送され
る。基板Ａの先端がスリットノズル６の現像液供給位置
まで達すると、スリットノズル６から供給された現像液
により、基板Ａの表面に形成された現像液の液層２０は
基板Ａの表面から洗い流され、現像処理により疲労した
現像液が現像液槽９に貯留されていた現像液に液置換さ
れる。

【００３４】この時、スリットノズル６は基板Ａの搬送
方向と対向する方向に傾斜して配置されているので、ス
リットノズル６から供給される現像液の流れと、基板Ａ
の搬送方向への移動との相互作用により、基板Ａの表面
は短時間で疲労した現像液が洗い流されて液置換され
る。

【００３５】基板Ａ表面の液置換が終了すると、基板Ａ
は搬送ローラ１０により液切りローラ１５へと搬送さ
れ、液切りローラ１５ａ、１５ｂにより、基板Ａの表面
に残留した現像液が除去される。液切りローラ１５に搬
送されてきた時点で、基板Ａの表面に残留した現像液
は、現像槽９に貯留されていた疲労していない現像液に
液置換されているので、液切りローラの汚染をかなり軽
減することができる。また液切り後の基板表面に残留し
た現像液も、疲労していない現像液に液置換されている
ので、リンス部３におけるリンス液の汚染が少なくな
り、リンス液の寿命を延ばすことができる。

【００３６】次に図３は、液切りローラ１５を洗浄して
いる様子を表した模式図である。図３において、液切り
ローラ１５により、基板Ａに残留した現像液の除去が終
了すると、図示しない制御手段により、送液ポンプ１３
が運転を開始するとともに、電磁弁１４が切り替えられ
て、現像液槽９の現像液は処理液ノズル７ａ、７ｂへと
供給を開始する。所定時間現像液が供給されて、液切り
ローラ１５の表面が洗浄されると、制御手段により送液
ポンプ１３が停止して、液切りローラ１５の洗浄処理を
終了する。この洗浄処理により、液切りローラ１５の表
面に現像液が濃縮されて固形化し、基板Ａ表面に液切り
時のムラや傷が発生するのを防止することができる。

【００３７】次に図４は、本実施形態における処理液置
換手段の、他の実施形態を説明するための模式図であ
る。

【００３８】図４の実施形態では、処理部２における基
板Ａを載置搬送する複数の搬送ローラ１０の後半部分、
すなわち現像処理後の液置換をおこなう部分が、図示し
ない駆動手段により水平姿勢から傾斜姿勢に姿勢変更可
能に設けられているとともに、姿勢変更後に傾斜姿勢で
搬送される基板Ａの、搬送方向と直交する方向の上部位
置に、搬送方向に沿って処理液供給口が形成されたスリ
ットノズル６が配置されている点が、前述の実施形態と
異なる。本実施形態では前述の実施形態と異なるところ
のみを説明する。

【００３９】スリットノズル６は前述の実施形態と同様
に、現像液槽９に貯留された現像液が、送液ポンプ１１
により供給されるようになっている。 基板Ａは、搬送
ローラ１０に設けられた中央支持ローラ１３０上に載置
されるとともに、基板Ａの下端縁部を支持する支持ロー
ラ１５０の周面に、基板Ｐの下端縁部を支持されながら
処理部２内を搬送するように構成されている。

【００４０】水平姿勢で搬送されてきた基板Ａの現像処
理が終了し、基板Ａが処理部２の後半部へ到達すると、
一旦搬送を停止し、図示しない制御手段により、搬送ロ
ーラ１０が水平姿勢から傾斜姿勢へと姿勢変更される。
姿勢変更が完了すると図示しない制御手段により搬送ロ
ーラ１０による搬送を開始するとともに、基板Ａの上部
に配置されたスリットノズル６から現像液の供給を開始
する。これにより、基板Ａ上に残留していた疲労現像液
が基板上から流れ落ちるとともに、基板表面の液置換が
おこなわれる。このように本実施形態では、液置換時に
基板Ａを傾斜させるようにしたので、より短時間に液置
換をおこなうことができる。

【００４１】また、本実施形態においては、液切りロー
ラ１５も傾斜姿勢で配置されており、リンス部３も傾斜
姿勢でリンス処理が行われるように構成されているが、
リンス終了後は、基板Ａを水平姿勢に姿勢変更してエア
ーナイフ１９により乾燥処理がおこなわれるように構成
されている。

【００４２】本発明は、上記の実施形態に限定されるも
のではなく、以下の内容をも包含するものである。

【００４３】（１）本実施形態においては、基板Ａの表
面に液層２０を形成後、搬送ローラ１０を停止して現像
処理をおこなったが、スリットノズル５とスリットノズ
ル６との搬送方向における配置間隔を長くとり、基板Ａ
の表面に現像液の液層２０が形成された時点で搬送ロー
ラ１０の搬送速度を低速に切替て、基板Ａがスリットノ
ズル６の配置位置に達するまでに現像処理を終了するよ
うにすれば、基板Ａの搬送を停止することなく処理する
ことができる。

【００４４】（２）本実施形態においては、現像液槽９
に貯留された現像液を、送液ポンプ１１及び、送液ポン
プ１３と電磁弁１４との組み合わせにより、スリットノ
ズル５及び、スリットノズル６、処理液ノズル７ａ、７
ｂへと供給するように構成したが、単一の送液ポンプ
と、３組の電磁弁を用いて、電磁弁の切替により供給す
るようにしても良い。また、電磁弁を用いずに３組の送
液ポンプにより供給するようにしても良い。

【００４５】（３）本実施形態においては、基板Ａの液
切りの都度、処理液ノズル７ａ、７ｂに現像液を供給し
て、液切りローラ１５を洗浄するように構成したが、基
板Ａを複数枚処理する毎に洗浄しても良く、また、基板
Ａの連続処理が終了して、基板処理装置１００を停止す
る前と、基板Ａの連続処理を開始する前のみ洗浄するよ
うにしても良い。

【００４６】（４）本実施形態においては、基板Ａの処
理終了毎にスリットノズル５及び、スリットノズル６へ
の現像液供給を停止していたが、基板Ａを連続で処理す
る場合は現像液供給を停止せずに、連続処理を終了する
ときに現像液の供給を停止するようにしても良い。

【００４７】（５）本実施形態においては、基板Ａを処
理する処理液として、現像液による現像処理を例に説明
したが、剥離液、エッチング液、リンス液、等による基
板処理にも適用できる。

【００４８】

【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、基板を
処理し疲労した処理液の液層に、液置換手段によりさら
に処理液を供給して、基板上の処理液を液置換するとと
もに、液置換された処理液を、処理液除去手段で除去す
るように構成したので、処理液除去手段やリンス部にお
けるリンス液の汚染を防止することができる。

【００４９】請求項２に記載の発明によれば、液層形成
手段の処理液供給口を、基板の搬送方向に向けて配置し
たので、基板上に静的に処理液供給が可能となり、短時
間で基板上に均一な処理液の液層を形成できる。

【００５０】請求項３に記載の発明によれば、液置換手
段の処理液供給口を、基板の搬送方向と対向する方向に
向けて配置したので、基板上の疲労した処理液の液層
を、短時間で洗い流して液置換することができる。

【００５１】請求項４に記載の発明によれば、液置換時
に基板を傾斜姿勢で搬送するようにしたので、より短時
間に液置換することができる。

【００５２】請求項５に記載の発明によれば、基板上に
残留した処理液を除去する処理液除去手段を設けたの
で、リンス部へ持ち込まれる処理液量を減少させ、リン
ス液の寿命を延ばすことができる。

【００５３】請求項６に記載の発明によれば、処理液除
去手段に処理液を供給する処理液供給手段を設けたの
で、処理液除去手段表面に残留した処理液が、濃縮化や
固形化することにより、液切り時に基板の汚れや傷が発
生するのを防止することができる。

【００５４】請求項７に記載の発明によれば、基板を処
理し疲労した処理液の液層に、さらに処理液を供給し
て、基板上の処理液を液置換するとともに、液置換され
た処理液は基板上から除去するように構成したので、疲
労した処理液による、処理液を除去する工程やリンス工
程での汚染を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板処理装置の一実施形態を示す
概略構成図である。

【図２】本発明に係る基板処理装置１の処理部２の詳細
を説明するための模式図である。

【図３】本発明に係る基板処理装置の液切りローラ１５
を洗浄している様子を表した模式図である。

【図４】本実施形態における処理液置換手段の、他の実
施形態を説明するための模式図である。

【図５】従来装置を示した模式図である。

【符号の説明】

Ａ 基板 １００ 基板処理装置 １ 基板導入部 ２ 処理部 ３ リンス部 ４ 乾燥部 ５ スリットノズル ６ スリットノズル ７ 処理液ノズル ９ 現像液槽 １０ 搬送ローラ １１ 送液ポンプ １３ 送液ポンプ １４ 電磁弁 １５ 液切りローラ １６ リンス液槽 １３０ 中央支持ローラ １５０ 支持ローラ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｄ 21/68 ５６９Ｅ 21/306 Ｒ (72)発明者 碓井 健司 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 3B201 AA02 AB14 BA08 BB21 BB92 CB15 CC01 CC12 CC14 CD22 5F031 CA05 CA20 GA53 MA23 MA24 NA04 5F043 BB27 CC12 DD13 EE07 EE36 EE40 5F046 LA11

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板を所定の方向に搬送して処理をおこな
   う基板処理装置において、 基板を搬送する搬送手段と、 搬送される基板表面に処理液を供給して基板表面上に処
   理液の液層を形成する液層形成手段と、 処理液により処理された基板表面にさらに処理液を供給
   して処理液の液層を液置換する液置換手段と、 液置換された基板表面の処理液を除去する処理液除去手
   段と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】液層形成手段は、基板の搬送方向と直交す
   る方向に沿って処理液供給口が延設されるとともに、処
   理液供給口が基板の搬送方向に向けて傾斜配置されたス
   リットノズルであることを特徴とする請求項１に記載の
   基板処理装置
3. 【請求項３】液置換手段は、基板の搬送方向と直交する
   方向に沿って処理液供給口が延設されるとともに、処理
   液供給口が基板の搬送方向と対向する方向に傾斜配置さ
   れたスリットノズルであることを特徴とする請求項１乃
   至請求項２に記載の基板処理装置。
4. 【請求項４】液置換手段は、基板搬送手段により搬送さ
   れる基板を、水平姿勢から傾斜姿勢に変更する姿勢変更
   手段と、傾斜姿勢で搬送される基板の上方に配置される
   とともに、搬送方向に沿って処理液供給口が形成された
   スリットノズルとからなることを特徴とする請求項１乃
   至請求項２に記載の基板処理装置。
5. 【請求項５】処理液除去手段は、基板の搬送方向と直交
   する方向に配置された液切りローラからなることを特徴
   とする請求項１乃至請求項４に記載の基板処理装置。
6. 【請求項６】処理液除去手段は、液切り後の液切りロー
   ラ表面に処理液を供給する処理液供給手段を備えること
   を特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
7. 【請求項７】所定方向に搬送される基板表面に処理液の
   液層を形成して処理をおこなう基板処理方法において、 搬送される基板表面に処理液を供給して液層を形成し基
   板を処理する工程と、 処理液の液層により処理された基板表面にさらに処理液
   を供給して基板表面に形成された処理液の液層を液置換
   する工程と、 液置換された基板表面の処理液を除去する工程と、 からなる基板処理方法。