JP2001102289A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法Info
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Abstract
ともに、処理能力が高い基板処理装置を提供することを
目的とする。 【解決手段】処理部2の基板搬入口上部には、基板表面
に現像液を供給して、現像液の液層20を形成するため
のスリットノズル5が設けられている。スリットノズル
5には、搬送方向と直交する方向に沿って処理液供給口
が設けられており、スリットノズル5は、処理液供給口
が基板Aの搬送方向に向くように傾斜配置されている。
また、スリットノズル5の下流位置であって、基板Aの
搬送方向長さより下流位置には、現像処理された基板A
表面の液層20に向けて現像液を供給し、基板A上の現
像液を液置換するためのスリットノズル6が設けられて
いる。スリットノズル6には、搬送方向と直交する方向
に沿って処理液供給口が設けられており、スリットノズ
ル6は、処理液供給口が基板Aの搬送方向と対向する方
向に傾斜配置されている。また、スリットノズル6の下
流には、液置換された基板A上に残留する現像液を除去
するための液切りローラ15が設けられている。
Description
形ガラス基板、プリント基板、プラズマディスプレイ用
基板等の板状の基板(以下、基板と呼ぶ)に対し、処理
液を供給して処理をおこなう基板処理装置に関し、さら
に詳しくは、基板の表面に現像液、エッチング液、剥離
液、リンス液、等の処理液を供給して基板上に液層を形
成し、形成された液層の処理液により基板を処理する基
板処理装置に関する。
て基板処理をおこなう装置として、搬送される基板上に
スプレーを用いて処理液を供給し、基板上に液層を形成
して処理をおこなうとともに、基板処理が終了すると、
基板上の処理液を液切りローラで除去しながらリンス部
へ搬送してリンスをおこなう基板処理装置が知られてい
る。
処理をおこなう装置では、連続して基板処理が行えるの
で処理能力が高い反面、基板処理を終了して疲労した処
理液を液切りローラで液切りすると、液切りローラに付
着した疲労液が、濃縮化や固形化し、次に処理される基
板表面に付着して、処理品質が劣化する問題があった。
さらに、リンス部へ搬送された基板表面には、疲労した
処理液が残留しており、疲労した処理液をリンス処理す
るため、リンス液が短時間で汚染されるので頻繁にリン
ス液を取り替える必要があった。
回転台上に載置された基板表面に、スリットノズルを平
行移動させながら処理液を供給してパドルを形成し、基
板の処理が終了後に回転台を回転させて液切りをおこな
い、その後、回転台を回転させつつ、基板上にリンス液
を供給して洗浄をおこなう基板処理装置が提案されてい
る。図5はこのような従来装置を示した模式図である。
送手段により、回転台40上に載置され、図示しない吸
引機構により回転台40上に固定される。次にスリット
ノズル42が、基板W表面に処理液を供給しながら、図
示右方向から左方向へと平行移動し、基板W表面に処理
液の液層43を形成する。
基板Wの処理が終了すると、回転軸41が高速回転して
基板W上の処理液を遠心力により除去する。液切りが終
了して回転軸41の回転が停止すると、リンスノズル4
4が実線位置から破線位置まで移動し、リンスノズル4
4の処理液供給口からリンス液を基板Wの表面に供給す
る。リンス液の供給と同時に、回転軸41が低速回転を
開始して、基板Wの表面がリンス処理される。リンス処
理が終了すると、リンスノズル44はリンス液の供給を
停止し、リンスノズル44が破線位置から実線位置へと
待避するとともに、回転軸41が高速回転し、基板Wの
表面に残留したリンス液を遠心力により除去する。液切
りが終了すると、回転軸41は回転を停止し、基板Wは
図示しないロボットにより後工程へと搬送されて基板処
理を終了する。
に供給する処理液やリンス液の使用量が節約できるとと
もに、処理により疲労した処理液は、回転台の回転によ
りきれいに除去できる等の優れた効果を奏する。
た効果を奏する反面、基板Wを1枚毎にしか処理できな
いため、処理枚数を増加させるには処理装置を複数台用
意しなければならないという問題があった。
ためになされたものであり、液切りローラやリンス液の
汚染を防止できるとともに、処理能力が高い基板処理装
置を提供することを目的とする。
は、基板を所定の方向に搬送して処理をおこなう基板処
理装置において、基板を搬送する搬送手段と、搬送され
る基板表面に処理液を供給して基板表面上に処理液の液
層を形成する液層形成手段と、処理液により処理された
基板表面にさらに処理液を供給して処理液の液層を液置
換する液置換手段と、液置換された基板表面の処理液を
除去する処理液除去手段と、を備えたことを特徴とす
る。
は、基板の搬送方向と直交する方向に沿って処理液供給
口が延設されるとともに、処理液供給口が基板の搬送方
向に向けて傾斜配置されたスリットノズルであることを
特徴とする。
基板の搬送方向と直交する方向に沿って処理液供給口が
延設されるとともに、処理液供給口が基板の搬送方向と
対向する方向に傾斜配置されたスリットノズルであるこ
とを特徴とする。
基板搬送手段により搬送される基板を、水平姿勢から傾
斜姿勢に変更する姿勢変更手段と、傾斜姿勢で搬送され
る基板の上方に配置されるとともに、搬送方向に沿って
処理液供給口が形成されたスリットノズルとからなるこ
とを特徴とする。
は、基板の搬送方向と直交する方向に配置された液切り
ローラからなることを特徴とする。
は、液切り後の液切りローラ表面に処理液を供給する処
理液供給手段を備えることを特徴とする。
される基板表面に処理液の液層を形成して処理をおこな
う基板処理方法において、搬送される基板表面に処理液
を供給して液層を形成し基板を処理する工程と、処理液
の液層により処理された基板表面にさらに処理液を供給
して基板表面に形成された処理液の液層を液置換する工
程と、液置換された基板表面の処理液を除去する工程
と、からなることを特徴とする。
基板の現像処理をおこなう基板処理装置に適用した場合
を例として、図面に基づいて実施の形態を説明する。
施形態を示す概略構成図である。図1において、基板処
理装置100は、前工程から搬送されてきた基板Aを受
け入れる基板導入部1と、基板導入部1から水平姿勢で
搬送されてきた基板Aの表面に現像液を供給して現像処
理をおこなう処理部2と、現像処理された基板表面にシ
ャワーノズル8からリンス液を供給してリンス処理をお
こなうリンス部3と、リンス処理された基板Aの表面に
高圧エア(または窒素ガス)を吹き付けて乾燥処理をお
こなう乾燥部4とが直列に配設されて構成されている。
処理部2、リンス部3、乾燥部4の順に基板Aを搬送し
つつ基板Aに所定の処理を施すものである。
されており、現像液槽9に貯留された現像液は、送液ポ
ンプ11により液層形成手段となるスリットノズル5へ
と送られ、スリットノズル5に設けられた処理液供給口
より、基板Aの表面へ現像液を供給して液層20を形成
する。また、現像液槽9にはもう1つの送液ポンプ13
が設けられており、送液ポンプ13により送られた現像
液は、3方電磁弁により液置換用のスリットノズル6、
または処理液除去手段である上下1対の液切りローラ1
5に向けて処理液供給口が形成された処理液供給ノズル
7、のいずれかに現像液を切替供給するように構成され
ている。処理部2において、基板Aまたは液切りローラ
15に供給された現像液は、処理部2の底部に設けられ
たドレン12から、現像液槽9へ回収されて循環使用さ
れるようになっている。
6が設けられており、リンス液槽16に貯留されたリン
ス液は、リンス液送液ポンプ17によりシャワーノズル
8を介して基板A表面へと供給され、基板Aの表面がリ
ンス処理される。基板Aの表面に供給されたリンス液
は、リンス部3の底部に設けられたドレン18から、リ
ンス液槽16へ回収されて循環使用されるようになって
いる。また、本実施形態ではシャワーノズル8を基板A
の上部面側のみに設けているが、基板Aの下部面側にも
設けて、基板Aの両面をリンス処理するように構成して
もよい。
基板搬送手段としてローラコンベアーが適用されてい
る。このローラコンベアーは、基板Aの搬送方向(図1
の左方から右方に向かう方向)と直交する方向に支持軸
を配した複数の搬送ローラ10が、等ピッチで搬送方向
に並設配置されている。
ラ10上に基板Aを載置することにより、基板Aは各搬
送ローラ10の同期回転に伴って搬送方向(図1の右
方)に向けて搬送されるようになっている。
ボット等の上流側引継手段を介して基板導入部1に移さ
れ、ついで搬送ローラ10の駆動によって、基板導入部
1から処理部2へと移送される。処理部2では、スリッ
トノズル5から基板A表面に現像液が供給されて所定の
処理が施された後に、リンス部3に移送されて基板Aに
付着した現像液がリンス処理される。リンス処理された
基板Aは乾燥部4へと移送され、乾燥部4で基板Aを搬
送ローラ10により搬送しながら、乾燥部4に設けられ
たエアーナイフ19によって、基板Aの表面に付着した
リンス液を乾燥させる。その後、乾燥部4の下流側で、
コンベアあるいはロボット等からなる下流側引継手段を
介して、次行程に向けて導出されるようになっている。
の処理部2の詳細を説明するための模式図であり、図2
の(a)は基板Aの表面に現像液の液層20を形成する
様子を表し、図2(b)は基板表面に形成された液層2
0に、さらに現像液を供給して液置換を行っている様子
を表したものである。
送方向と直交する方向に複数の搬送ローラ10が並設配
置されている。基板導入部1から処理部2へと搬送され
てきた基板Aは、搬送ローラ10上に載置されて、搬送
ローラ10の同期回転により、処理部2内を搬送され
る。処理部2の基板搬入口上部には、基板表面に現像液
を供給して、現像液の液層20を形成するためのスリッ
トノズル5が設けられている。スリットノズル5には、
搬送方向と直交する方向に沿って処理液供給口が設けら
れており、スリットノズル5は、処理液供給口が基板A
の搬送方向に向くように傾斜配置されている。
て、基板Aの搬送方向長さより下流位置には、現像処理
された基板A表面の液層20に向けて現像液を供給し、
基板A上の現像液を液置換するためのスリットノズル6
が設けられている。スリットノズル6には、搬送方向と
直交する方向に沿って処理液供給口が設けられており、
スリットノズル6は、処理液供給口が基板Aの搬送方向
と対向する方向に傾斜配置されている。
換された基板A上に残留する現像液を除去するための液
切りローラ15が設けられている。液切りローラ15
は、搬送方向と直交する方向に設けられた上下一対の液
切りローラ15a、15bとで構成されており、搬送ロ
ーラ10によって搬送されてきた基板Aが、この液切り
ローラ15の間を搬送されることにより、基板Aの表面
に残留した現像液が除去されるように構成されている。
ラ15bの下部には、基板A表面から現像液を除去した
後に、液切りローラ15a、15bに向けて現像液を供
給して、液切りローラ15a、15bに付着し、疲労し
た現像液を洗い流すための処理液ノズル7a、7bが配
置されている。処理液ノズル7a、7bは、基板Aの搬
送方向と直交する方向に沿って、液切りローラ15a、
15bと平行に配置されたパイプからなり、パイプに設
けられた処理液供給口から、液切りローラ15a、15
bに向けて処理液を供給するように構成されている。
理部2の送液ポンプ11(図1参照)が運転を開始し、
現像液槽9の現像液をスリットノズル5に供給する。基
板導入部1から処理部2へ搬送ローラ10により基板A
が搬送されてくると、基板Aの搬送方向先端部から後端
部まで、スリットノズル5から現像液が供給され、基板
Aの表面に現像液の液層20が形成される。
送方向に傾斜姿勢で配置されているので、スリットノズ
ル5から基板Aの表面へと供給された現像液は、基板A
の搬送方向への移動と、スリットノズル5から供給され
る現像液の流速とが同期して、基板Aの表面に静的に供
給される。そのため、現像液が基板Aの表面からこぼれ
落ちにくくなり、現像液の表面張力によって基板Aの表
面に均一な現像液の液層20が形成される。
れると、図示しない制御手段により送液ポンプ11が停
止して、スリットノズル5からの現像液供給が停止する
とともに、搬送ローラ10の駆動が停止し、基板Aはそ
の表面に形成された現像液の液層20により現像処理が
行われる。
基板表面に形成された液層20を液置換する様子を説明
する。所定の処理時間が経過して基板Aの現像処理が終
了すると、制御手段により送液ポンプ13が運転を開始
するとともに、電磁弁14が切り替えられて、現像液槽
9の現像液はスリットノズル6へと供給を開始する。そ
れと同時に、制御手段により搬送ローラ10の駆動が開
始され、基板Aがスリットノズル6に向けて搬送され
る。基板Aの先端がスリットノズル6の現像液供給位置
まで達すると、スリットノズル6から供給された現像液
により、基板Aの表面に形成された現像液の液層20は
基板Aの表面から洗い流され、現像処理により疲労した
現像液が現像液槽9に貯留されていた現像液に液置換さ
れる。
方向と対向する方向に傾斜して配置されているので、ス
リットノズル6から供給される現像液の流れと、基板A
の搬送方向への移動との相互作用により、基板Aの表面
は短時間で疲労した現像液が洗い流されて液置換され
る。
は搬送ローラ10により液切りローラ15へと搬送さ
れ、液切りローラ15a、15bにより、基板Aの表面
に残留した現像液が除去される。液切りローラ15に搬
送されてきた時点で、基板Aの表面に残留した現像液
は、現像槽9に貯留されていた疲労していない現像液に
液置換されているので、液切りローラの汚染をかなり軽
減することができる。また液切り後の基板表面に残留し
た現像液も、疲労していない現像液に液置換されている
ので、リンス部3におけるリンス液の汚染が少なくな
り、リンス液の寿命を延ばすことができる。
いる様子を表した模式図である。図3において、液切り
ローラ15により、基板Aに残留した現像液の除去が終
了すると、図示しない制御手段により、送液ポンプ13
が運転を開始するとともに、電磁弁14が切り替えられ
て、現像液槽9の現像液は処理液ノズル7a、7bへと
供給を開始する。所定時間現像液が供給されて、液切り
ローラ15の表面が洗浄されると、制御手段により送液
ポンプ13が停止して、液切りローラ15の洗浄処理を
終了する。この洗浄処理により、液切りローラ15の表
面に現像液が濃縮されて固形化し、基板A表面に液切り
時のムラや傷が発生するのを防止することができる。
換手段の、他の実施形態を説明するための模式図であ
る。
板Aを載置搬送する複数の搬送ローラ10の後半部分、
すなわち現像処理後の液置換をおこなう部分が、図示し
ない駆動手段により水平姿勢から傾斜姿勢に姿勢変更可
能に設けられているとともに、姿勢変更後に傾斜姿勢で
搬送される基板Aの、搬送方向と直交する方向の上部位
置に、搬送方向に沿って処理液供給口が形成されたスリ
ットノズル6が配置されている点が、前述の実施形態と
異なる。本実施形態では前述の実施形態と異なるところ
のみを説明する。
に、現像液槽9に貯留された現像液が、送液ポンプ11
により供給されるようになっている。 基板Aは、搬送
ローラ10に設けられた中央支持ローラ130上に載置
されるとともに、基板Aの下端縁部を支持する支持ロー
ラ150の周面に、基板Pの下端縁部を支持されながら
処理部2内を搬送するように構成されている。
理が終了し、基板Aが処理部2の後半部へ到達すると、
一旦搬送を停止し、図示しない制御手段により、搬送ロ
ーラ10が水平姿勢から傾斜姿勢へと姿勢変更される。
姿勢変更が完了すると図示しない制御手段により搬送ロ
ーラ10による搬送を開始するとともに、基板Aの上部
に配置されたスリットノズル6から現像液の供給を開始
する。これにより、基板A上に残留していた疲労現像液
が基板上から流れ落ちるとともに、基板表面の液置換が
おこなわれる。このように本実施形態では、液置換時に
基板Aを傾斜させるようにしたので、より短時間に液置
換をおこなうことができる。
ラ15も傾斜姿勢で配置されており、リンス部3も傾斜
姿勢でリンス処理が行われるように構成されているが、
リンス終了後は、基板Aを水平姿勢に姿勢変更してエア
ーナイフ19により乾燥処理がおこなわれるように構成
されている。
のではなく、以下の内容をも包含するものである。
面に液層20を形成後、搬送ローラ10を停止して現像
処理をおこなったが、スリットノズル5とスリットノズ
ル6との搬送方向における配置間隔を長くとり、基板A
の表面に現像液の液層20が形成された時点で搬送ロー
ラ10の搬送速度を低速に切替て、基板Aがスリットノ
ズル6の配置位置に達するまでに現像処理を終了するよ
うにすれば、基板Aの搬送を停止することなく処理する
ことができる。
に貯留された現像液を、送液ポンプ11及び、送液ポン
プ13と電磁弁14との組み合わせにより、スリットノ
ズル5及び、スリットノズル6、処理液ノズル7a、7
bへと供給するように構成したが、単一の送液ポンプ
と、3組の電磁弁を用いて、電磁弁の切替により供給す
るようにしても良い。また、電磁弁を用いずに3組の送
液ポンプにより供給するようにしても良い。
切りの都度、処理液ノズル7a、7bに現像液を供給し
て、液切りローラ15を洗浄するように構成したが、基
板Aを複数枚処理する毎に洗浄しても良く、また、基板
Aの連続処理が終了して、基板処理装置100を停止す
る前と、基板Aの連続処理を開始する前のみ洗浄するよ
うにしても良い。
理終了毎にスリットノズル5及び、スリットノズル6へ
の現像液供給を停止していたが、基板Aを連続で処理す
る場合は現像液供給を停止せずに、連続処理を終了する
ときに現像液の供給を停止するようにしても良い。
理する処理液として、現像液による現像処理を例に説明
したが、剥離液、エッチング液、リンス液、等による基
板処理にも適用できる。
処理し疲労した処理液の液層に、液置換手段によりさら
に処理液を供給して、基板上の処理液を液置換するとと
もに、液置換された処理液を、処理液除去手段で除去す
るように構成したので、処理液除去手段やリンス部にお
けるリンス液の汚染を防止することができる。
手段の処理液供給口を、基板の搬送方向に向けて配置し
たので、基板上に静的に処理液供給が可能となり、短時
間で基板上に均一な処理液の液層を形成できる。
段の処理液供給口を、基板の搬送方向と対向する方向に
向けて配置したので、基板上の疲労した処理液の液層
を、短時間で洗い流して液置換することができる。
に基板を傾斜姿勢で搬送するようにしたので、より短時
間に液置換することができる。
残留した処理液を除去する処理液除去手段を設けたの
で、リンス部へ持ち込まれる処理液量を減少させ、リン
ス液の寿命を延ばすことができる。
去手段に処理液を供給する処理液供給手段を設けたの
で、処理液除去手段表面に残留した処理液が、濃縮化や
固形化することにより、液切り時に基板の汚れや傷が発
生するのを防止することができる。
理し疲労した処理液の液層に、さらに処理液を供給し
て、基板上の処理液を液置換するとともに、液置換され
た処理液は基板上から除去するように構成したので、疲
労した処理液による、処理液を除去する工程やリンス工
程での汚染を防止することができる。
概略構成図である。
を説明するための模式図である。
を洗浄している様子を表した模式図である。
施形態を説明するための模式図である。
Claims (7)
- 【請求項1】基板を所定の方向に搬送して処理をおこな
う基板処理装置において、 基板を搬送する搬送手段と、 搬送される基板表面に処理液を供給して基板表面上に処
理液の液層を形成する液層形成手段と、 処理液により処理された基板表面にさらに処理液を供給
して処理液の液層を液置換する液置換手段と、 液置換された基板表面の処理液を除去する処理液除去手
段と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項2】液層形成手段は、基板の搬送方向と直交す
る方向に沿って処理液供給口が延設されるとともに、処
理液供給口が基板の搬送方向に向けて傾斜配置されたス
リットノズルであることを特徴とする請求項1に記載の
基板処理装置 - 【請求項3】液置換手段は、基板の搬送方向と直交する
方向に沿って処理液供給口が延設されるとともに、処理
液供給口が基板の搬送方向と対向する方向に傾斜配置さ
れたスリットノズルであることを特徴とする請求項1乃
至請求項2に記載の基板処理装置。 - 【請求項4】液置換手段は、基板搬送手段により搬送さ
れる基板を、水平姿勢から傾斜姿勢に変更する姿勢変更
手段と、傾斜姿勢で搬送される基板の上方に配置される
とともに、搬送方向に沿って処理液供給口が形成された
スリットノズルとからなることを特徴とする請求項1乃
至請求項2に記載の基板処理装置。 - 【請求項5】処理液除去手段は、基板の搬送方向と直交
する方向に配置された液切りローラからなることを特徴
とする請求項1乃至請求項4に記載の基板処理装置。 - 【請求項6】処理液除去手段は、液切り後の液切りロー
ラ表面に処理液を供給する処理液供給手段を備えること
を特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。 - 【請求項7】所定方向に搬送される基板表面に処理液の
液層を形成して処理をおこなう基板処理方法において、 搬送される基板表面に処理液を供給して液層を形成し基
板を処理する工程と、 処理液の液層により処理された基板表面にさらに処理液
を供給して基板表面に形成された処理液の液層を液置換
する工程と、 液置換された基板表面の処理液を除去する工程と、 からなる基板処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27974999A JP3628919B2 (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001102289A true JP2001102289A (ja) | 2001-04-13 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP3628919B2 (ja) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101217 Year of fee payment: 6 |
|
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|
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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S533 | Written request for registration of change of name |
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