JP2001093329A - 半田メッキ高分子微球体及び接続構造体 - Google Patents
半田メッキ高分子微球体及び接続構造体Info
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- H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
- H05K2201/0203—Fillers and particles
- H05K2201/0206—Materials
- H05K2201/0221—Insulating particles having an electrically conductive coating
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- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 導電層として設けられた金属メッキ層表面に
半田メッキ層が被覆されても、半田リフロー温度でメッ
キ層に割れが起こらない半田メッキ高分子微球体及びそ
れを用いた接続構造体を提供する。 【解決手段】 メッキ高分子微球体として、高分子微球
体表面に銅メッキ層が被覆され、さらに該銅メッキ層の
表面に半田メッキ層が被覆されたものを用いる。
半田メッキ層が被覆されても、半田リフロー温度でメッ
キ層に割れが起こらない半田メッキ高分子微球体及びそ
れを用いた接続構造体を提供する。 【解決手段】 メッキ高分子微球体として、高分子微球
体表面に銅メッキ層が被覆され、さらに該銅メッキ層の
表面に半田メッキ層が被覆されたものを用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半田メッキ高分子
微球体及びそれを用いた接続構造体に関する。
微球体及びそれを用いた接続構造体に関する。
【０００２】
【従来の技術】導電性微粒子は、電子部品におけるリー
ド電極、配線基板等を接合する際に使用される導電ペー
スト、上下導通用接着剤、異方性導電接着剤、電磁波シ
ールドの導電性材料等に使用されるものである。このよ
うな用途に使用される導電性微粒子としては、鉛と錫か
らなる半田ボール、非導電性材料からなる粒子が導電性
材料で被覆されたもの等がある。
ド電極、配線基板等を接合する際に使用される導電ペー
スト、上下導通用接着剤、異方性導電接着剤、電磁波シ
ールドの導電性材料等に使用されるものである。このよ
うな用途に使用される導電性微粒子としては、鉛と錫か
らなる半田ボール、非導電性材料からなる粒子が導電性
材料で被覆されたもの等がある。
【０００３】高分子微球体に施される厚膜半田メッキ等
の金属メッキの方法は、高速回転メッキ装置を使用する
電気メッキ法で既に公知である（例えば特開平８−２３
９７９９号公報）、金属半田ボールを使用するＢＧＡ接
合又はＣＳＰ接合は既に実用化されており（例えば特開
昭６２−１６１１８７号公報）、ＣＳＰ／ＢＧＡ接合も
実用化されつつある（例えば特開昭６２−１２７１９４
号公報）。
の金属メッキの方法は、高速回転メッキ装置を使用する
電気メッキ法で既に公知である（例えば特開平８−２３
９７９９号公報）、金属半田ボールを使用するＢＧＡ接
合又はＣＳＰ接合は既に実用化されており（例えば特開
昭６２−１６１１８７号公報）、ＣＳＰ／ＢＧＡ接合も
実用化されつつある（例えば特開昭６２−１２７１９４
号公報）。
【０００４】上記半田ボールは、リード電極、配線基板
等を、加熱により簡便に接合することができるという長
所がある反面、例えば、異種基材を接合する場合、基材
間の熱膨張率の違い等によって接合部分に生ずる応力を
半田ボールでは吸収できないため、半田ボールと基材と
の界面に剥がれが生じて満足な接合を得ることが難しい
等の問題がある。
等を、加熱により簡便に接合することができるという長
所がある反面、例えば、異種基材を接合する場合、基材
間の熱膨張率の違い等によって接合部分に生ずる応力を
半田ボールでは吸収できないため、半田ボールと基材と
の界面に剥がれが生じて満足な接合を得ることが難しい
等の問題がある。
【０００５】また、高分子微球体表面に、まず導電層で
ある金属メッキ層を被覆し、さらにその表面に溶着性を
有する金属半田メッキ層を被覆した半田メッキ高分子微
球体において、導電層の金属メッキ層として一般的なニ
ッケルメッキを使用すると、半田リフロー時に半田リフ
ロー温度で高分子微球体の熱膨張応力に順応できず、半
田メッキ層に割れを生じるという問題点があった。
ある金属メッキ層を被覆し、さらにその表面に溶着性を
有する金属半田メッキ層を被覆した半田メッキ高分子微
球体において、導電層の金属メッキ層として一般的なニ
ッケルメッキを使用すると、半田リフロー時に半田リフ
ロー温度で高分子微球体の熱膨張応力に順応できず、半
田メッキ層に割れを生じるという問題点があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
問題点を解決するものであり、その目的とするところ
は、導電層として設けられた金属メッキ層表面に半田メ
ッキ層が被覆されても、半田リフロー温度でメッキ層に
割れが起こらない半田メッキ高分子微球体を提供するこ
とにある。
問題点を解決するものであり、その目的とするところ
は、導電層として設けられた金属メッキ層表面に半田メ
ッキ層が被覆されても、半田リフロー温度でメッキ層に
割れが起こらない半田メッキ高分子微球体を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半田メッキ高分
子微球体は、高分子微球体表面に銅メッキ層が被覆さ
れ、さらに該銅メッキ層の表面に半田メッキ層が被覆さ
れてなることを特徴とする。
子微球体は、高分子微球体表面に銅メッキ層が被覆さ
れ、さらに該銅メッキ層の表面に半田メッキ層が被覆さ
れてなることを特徴とする。
【０００８】本発明で使用される高分子微球体としては
特に限定されず、例えば、ポリスチレン、ポリスチレン
共重合体、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリル酸エ
ステル共重合体、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポ
リアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル等か
らなる微球体が挙げられる。上記高分子微球体の形状と
しては、球状であれば特に限定されず、例えば、中空状
のものであってもよい。
特に限定されず、例えば、ポリスチレン、ポリスチレン
共重合体、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリル酸エ
ステル共重合体、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポ
リアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル等か
らなる微球体が挙げられる。上記高分子微球体の形状と
しては、球状であれば特に限定されず、例えば、中空状
のものであってもよい。
【０００９】上記高分子微球体は、平均粒子径２００〜
１，０００μｍのものが好適に用いられる。平均粒子径
が、２００μｍ未満であると導電層としてニッケルメッ
キ層のみを使用しても割れが起こり難いため、銅メッキ
層を形成するメリットが余りなく、１，０００μｍを超
えると用途が少なくなると共に、金属半田ボールに比較
してコストが大幅に高くなることがある。
１，０００μｍのものが好適に用いられる。平均粒子径
が、２００μｍ未満であると導電層としてニッケルメッ
キ層のみを使用しても割れが起こり難いため、銅メッキ
層を形成するメリットが余りなく、１，０００μｍを超
えると用途が少なくなると共に、金属半田ボールに比較
してコストが大幅に高くなることがある。
【００１０】上記高分子微球体には、まず導電層として
銅メッキが施される。銅メッキ層の厚みは３〜１５μｍ
が好ましい。銅メッキ層の厚みが、３μｍ未満になると
十分な電流容量が得られないことがあり、１５μｍを超
えるとメッキ加工コストが高くなるので好ましくない。
銅メッキが施される。銅メッキ層の厚みは３〜１５μｍ
が好ましい。銅メッキ層の厚みが、３μｍ未満になると
十分な電流容量が得られないことがあり、１５μｍを超
えるとメッキ加工コストが高くなるので好ましくない。
【００１１】上記高分子微球体に導電層である銅メッキ
層を被覆する方法としては、特に限定されないが、好ま
しくは無電解メッキ法が挙げられる。
層を被覆する方法としては、特に限定されないが、好ま
しくは無電解メッキ法が挙げられる。
【００１２】次いで、上記導電層として被覆された銅メ
ッキ層の表面に溶着性を有する半田メッキ層が施され
る。半田メッキ層の厚みは１０〜５０μｍが好ましい。
半田メッキ層の厚みが１０μｍ未満になると、メッキ層
溶着後の接合強度が小さく、特に高分子微球体の平均粒
子径が１，０００μｍ近くになると実用性に乏しくな
る。また、半田メッキ層の厚みが５０μｍを超えると、
加工コストが高くなるので好ましくない。
ッキ層の表面に溶着性を有する半田メッキ層が施され
る。半田メッキ層の厚みは１０〜５０μｍが好ましい。
半田メッキ層の厚みが１０μｍ未満になると、メッキ層
溶着後の接合強度が小さく、特に高分子微球体の平均粒
子径が１，０００μｍ近くになると実用性に乏しくな
る。また、半田メッキ層の厚みが５０μｍを超えると、
加工コストが高くなるので好ましくない。
【００１３】上記高分子微球体に公知の無電解メッキ法
によって銅メッキ層を設けて導電性を付与した後、高速
回転メッキ装置（例えば上村工業社製）等を使用する電
気メッキ法によって、銅メッキ、半田メッキを施すこと
により、本発明の半田メッキ高分子微球体を得ることが
好ましい。
によって銅メッキ層を設けて導電性を付与した後、高速
回転メッキ装置（例えば上村工業社製）等を使用する電
気メッキ法によって、銅メッキ、半田メッキを施すこと
により、本発明の半田メッキ高分子微球体を得ることが
好ましい。
【００１４】上記銅メッキ層と半田メッキ層とが被覆さ
れた半田メッキ高分子微球体において、導電性を付与す
るために設けられた銅メッキ層から銅成分が半田メッキ
層に拡散する性質があり、特に銅メッキ層の厚みが薄
く、かつ長期間保存（在庫）したものを使用すると、こ
の傾向が強くなるため導電層が不足して導通不良を起こ
すことがある。このような銅成分の拡散を防止するため
に、銅メッキ層と半田メッキ層との間に、ニッケルメッ
キ層を設けることが好ましい。
れた半田メッキ高分子微球体において、導電性を付与す
るために設けられた銅メッキ層から銅成分が半田メッキ
層に拡散する性質があり、特に銅メッキ層の厚みが薄
く、かつ長期間保存（在庫）したものを使用すると、こ
の傾向が強くなるため導電層が不足して導通不良を起こ
すことがある。このような銅成分の拡散を防止するため
に、銅メッキ層と半田メッキ層との間に、ニッケルメッ
キ層を設けることが好ましい。
【００１５】上記ニッケルメッキ層は電気メッキによっ
て設けることが好ましく、その厚みは、要求される保存
期間等によって適宜決定されるが、薄くなると銅成分の
拡散を防止する効果が不足し、厚くなるとメッキ割れの
おそれが生じると共にコストが高くなるので、一般には
０．５〜１．５μｍが好ましい。
て設けることが好ましく、その厚みは、要求される保存
期間等によって適宜決定されるが、薄くなると銅成分の
拡散を防止する効果が不足し、厚くなるとメッキ割れの
おそれが生じると共にコストが高くなるので、一般には
０．５〜１．５μｍが好ましい。
【００１６】上記ニッケルメッキ層を設ける場合、まず
導電層として３〜１５μｍ厚の銅メッキ層を無電解メッ
キで形成した後、その表面に０．５〜１．５μｍ厚のニ
ッケルメッキ層を設け、さらに、その表面に１０〜５０
μｍ厚の半田メッキ層を電気メッキにより形成すること
が好ましい。
導電層として３〜１５μｍ厚の銅メッキ層を無電解メッ
キで形成した後、その表面に０．５〜１．５μｍ厚のニ
ッケルメッキ層を設け、さらに、その表面に１０〜５０
μｍ厚の半田メッキ層を電気メッキにより形成すること
が好ましい。
【００１７】本発明の半田メッキ高分子微球体を用いて
配線基板を接合する場合は、例えば、ＢＧＡ接合、ＣＳ
Ｐ接合又はＣＳＰ／ＢＧＡ接合を用いた接続構造体に好
適に使用することができる。
配線基板を接合する場合は、例えば、ＢＧＡ接合、ＣＳ
Ｐ接合又はＣＳＰ／ＢＧＡ接合を用いた接続構造体に好
適に使用することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、実施例により本発明を具体
的に説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定され
るものではない。
的に説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定され
るものではない。
【００１９】（実施例１）高分子微球体（積水化学社製
「ミクロパールＳＰ−２Ｌ２００」、平均粒径＝２０
０．１μｍ、粒径標準偏差＝４．０μｍ）に、エッチン
グ−触媒付着−無電解銅メッキの常法により、２，００
０Å厚みの無電解銅メッキを施した後、高速回転電気メ
ッキ装置（上村工業社製「フロースループレーター」）
により硫酸銅メッキ浴で３μｍ厚の電気銅メッキを施し
た。次いで、化学ニッケルメッキ浴を用いて１μｍ厚の
電気ニッケルメッキを行った後、酸性半田メッキ浴で１
０μｍ厚の電気共晶半田メッキを行い、半田メッキ高分
子微球体を得た。尚、メッキ層の厚みは、半田メッキ高
分子微球体の化学分析と微球体の半分を研磨除去した面
の電子顕微鏡写真から算出した。以後の実施例及び比較
例についても同様の方法でメッキ層の厚みを算出した。
「ミクロパールＳＰ−２Ｌ２００」、平均粒径＝２０
０．１μｍ、粒径標準偏差＝４．０μｍ）に、エッチン
グ−触媒付着−無電解銅メッキの常法により、２，００
０Å厚みの無電解銅メッキを施した後、高速回転電気メ
ッキ装置（上村工業社製「フロースループレーター」）
により硫酸銅メッキ浴で３μｍ厚の電気銅メッキを施し
た。次いで、化学ニッケルメッキ浴を用いて１μｍ厚の
電気ニッケルメッキを行った後、酸性半田メッキ浴で１
０μｍ厚の電気共晶半田メッキを行い、半田メッキ高分
子微球体を得た。尚、メッキ層の厚みは、半田メッキ高
分子微球体の化学分析と微球体の半分を研磨除去した面
の電子顕微鏡写真から算出した。以後の実施例及び比較
例についても同様の方法でメッキ層の厚みを算出した。
【００２０】（実施例２）高分子微球体（積水化学社製
「ミクロパールＳＰ−２Ｌ５００」、平均粒径＝５０
０．５μｍ、粒径標準偏差＝１０．１μｍ）を用いて、
実施例１と同様の方法により、３，０００Å厚みの無電
解銅メッキを施した後、１０μｍ厚の電気銅メッキ及び
３０μｍ厚の電気共晶半田メッキを行い、半田メッキ高
分子微球体を得た。
「ミクロパールＳＰ−２Ｌ５００」、平均粒径＝５０
０．５μｍ、粒径標準偏差＝１０．１μｍ）を用いて、
実施例１と同様の方法により、３，０００Å厚みの無電
解銅メッキを施した後、１０μｍ厚の電気銅メッキ及び
３０μｍ厚の電気共晶半田メッキを行い、半田メッキ高
分子微球体を得た。
【００２１】（実施例３）高分子微球体（積水化学社製
「ミクロパールＳＰ−２Ｌ５００」、平均粒径＝５０
０．５μｍ、粒径標準偏差＝１０．１μｍ）を用いて、
実施例１と同様の方法により、３，０００Å厚みの無電
解銅メッキを施した後、１５μｍ厚の電気銅メッキ、
１．５μｍ厚の電気ニッケルメッキ及び３０μｍ厚の電
気共晶半田メッキを行い、半田メッキ高分子微球体を得
た。
「ミクロパールＳＰ−２Ｌ５００」、平均粒径＝５０
０．５μｍ、粒径標準偏差＝１０．１μｍ）を用いて、
実施例１と同様の方法により、３，０００Å厚みの無電
解銅メッキを施した後、１５μｍ厚の電気銅メッキ、
１．５μｍ厚の電気ニッケルメッキ及び３０μｍ厚の電
気共晶半田メッキを行い、半田メッキ高分子微球体を得
た。
【００２２】（実施例４）高分子微球体（積水化学社製
「ミクロパールＳＰ−２Ｌ１０００」、平均粒径＝１０
０１μｍ、粒径標準偏差＝２００．５μｍ）を用いて、
実施例１と同様の方法により、３，０００Å厚みの無電
解銅メッキを施した後、１５μｍ厚の電気銅メッキ、
１．０μｍ厚の電気ニッケルメッキ及び５０μｍ厚の電
気共晶半田メッキを行い、半田メッキ高分子微球体を得
た。
「ミクロパールＳＰ−２Ｌ１０００」、平均粒径＝１０
０１μｍ、粒径標準偏差＝２００．５μｍ）を用いて、
実施例１と同様の方法により、３，０００Å厚みの無電
解銅メッキを施した後、１５μｍ厚の電気銅メッキ、
１．０μｍ厚の電気ニッケルメッキ及び５０μｍ厚の電
気共晶半田メッキを行い、半田メッキ高分子微球体を得
た。
【００２３】（実施例５）電気銅メッキの厚みを１μｍ
としたこと以外は、実施２と同様にして半田メッキ高分
子微球体を得た。
としたこと以外は、実施２と同様にして半田メッキ高分
子微球体を得た。
【００２４】（比較例１）高分子微球体（積水化学社製
「ミクロパールＳＰ−２Ｌ１５０」、平均粒径＝１４
９．９μｍ、粒径標準偏差＝３．０μｍ）を用いて、常
法により２０００Åの無電解ニッケルメッキを施した
後、５．０μｍ厚の電気ニッケルメッキと２０μｍ厚の
電気共晶半田メッキを行い、半田メッキ高分子微球体を
得た。
「ミクロパールＳＰ−２Ｌ１５０」、平均粒径＝１４
９．９μｍ、粒径標準偏差＝３．０μｍ）を用いて、常
法により２０００Åの無電解ニッケルメッキを施した
後、５．０μｍ厚の電気ニッケルメッキと２０μｍ厚の
電気共晶半田メッキを行い、半田メッキ高分子微球体を
得た。
【００２５】（比較例２）高分子微球体（積水化学社製
「ミクロパールＳＰ−２Ｌ３００」、平均粒径＝３０
０．２μｍ、粒径標準偏差＝５．８μｍ）を用いて、常
法により３０００Åの無電解ニッケルメッキを施した
後、５．０μｍ厚の電気ニッケルメッキと３０μｍ厚の
電気共晶半田メッキを行い、半田メッキ高分子微球体を
得た。
「ミクロパールＳＰ−２Ｌ３００」、平均粒径＝３０
０．２μｍ、粒径標準偏差＝５．８μｍ）を用いて、常
法により３０００Åの無電解ニッケルメッキを施した
後、５．０μｍ厚の電気ニッケルメッキと３０μｍ厚の
電気共晶半田メッキを行い、半田メッキ高分子微球体を
得た。
【００２６】（比較例３）高分子微球体（積水化学社製
「ミクロパールＳＰ−２Ｌ１０００」、平均粒径＝１０
０１μｍ、粒径標準偏差＝２００．５μｍ）を用いて、
常法により３０００Åの無電解ニッケルメッキを施した
後、１０．０μｍ厚の電気ニッケルメッキと９．０μｍ
厚の電気共晶半田メッキを行い、半田メッキ高分子微球
体を得た。
「ミクロパールＳＰ−２Ｌ１０００」、平均粒径＝１０
０１μｍ、粒径標準偏差＝２００．５μｍ）を用いて、
常法により３０００Åの無電解ニッケルメッキを施した
後、１０．０μｍ厚の電気ニッケルメッキと９．０μｍ
厚の電気共晶半田メッキを行い、半田メッキ高分子微球
体を得た。
【００２７】（比較例４）市販の金属共晶半田ボール
（千住金属社製、粒子径＝５００μｍ）を使用した。
（千住金属社製、粒子径＝５００μｍ）を使用した。
【００２８】上記半田メッキ高分子微球体、金属共晶半
田ボールを試料として、下記の性能評価を行い、その結
果を表１及び２に示した。
田ボールを試料として、下記の性能評価を行い、その結
果を表１及び２に示した。
【００２９】（１）メッキ層の割れ 試料を２４０℃の熱板の上で５秒間×３回加熱し、顕微
鏡観察によりメッキ層の割れの有無を観察した。
鏡観察によりメッキ層の割れの有無を観察した。
【００３０】（２）接合強度 ２４０℃に加熱した銅板上にフラックス（千住金属社製
「デルタラックス５２３Ｈ」）だけで試料を溶着させ、
その接合強度（シェアー）をシェアー試験機（レスカ社
製「ボンディングテスターＰＲ−１０」）を用いて測定
した。
「デルタラックス５２３Ｈ」）だけで試料を溶着させ、
その接合強度（シェアー）をシェアー試験機（レスカ社
製「ボンディングテスターＰＲ−１０」）を用いて測定
した。
【００３１】（３）接合導電性 セラミックス製配線基板とガラス／エポキシ配線基板と
の間を試料で接合したパッケージ（接合端子数６４）を
試作した後、その導電性を測定し通電の有無を確認し
た。
の間を試料で接合したパッケージ（接合端子数６４）を
試作した後、その導電性を測定し通電の有無を確認し
た。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【表２】
【００３４】表１及び２から明らかなように、高分子微
球体の粒径が３００μｍ程度になると、導電層がニッケ
ルの場合リフロー温度（２４０℃）でメッキ層に割れが
生じるが、導電層が銅の場合はメッキ層に割れが生じな
い（実施例１〜４及び比較例１，２，３）。また、導電
層である銅メッキの厚みは電気容量からみて３μｍ以上
が好ましく（実施例１，５及び比較例１，２）、導電層
の銅メッキ層と半田メッキ層との間にニッケルメッキ層
を設けると、導電層が薄くなっても導電性に問題のない
ことがわかる（実施例１，５）。また、導電層の銅メッ
キが厚い場合は、ニッケルメッキ層が必ずしもなくても
よい（実施例２）。さらに、半田メッキ層の厚みも粒径
によるが、１０μｍ以上は必要である（実施例１〜５及
び比較例３）。
球体の粒径が３００μｍ程度になると、導電層がニッケ
ルの場合リフロー温度（２４０℃）でメッキ層に割れが
生じるが、導電層が銅の場合はメッキ層に割れが生じな
い（実施例１〜４及び比較例１，２，３）。また、導電
層である銅メッキの厚みは電気容量からみて３μｍ以上
が好ましく（実施例１，５及び比較例１，２）、導電層
の銅メッキ層と半田メッキ層との間にニッケルメッキ層
を設けると、導電層が薄くなっても導電性に問題のない
ことがわかる（実施例１，５）。また、導電層の銅メッ
キが厚い場合は、ニッケルメッキ層が必ずしもなくても
よい（実施例２）。さらに、半田メッキ層の厚みも粒径
によるが、１０μｍ以上は必要である（実施例１〜５及
び比較例３）。
【００３５】
【発明の効果】本発明の半田メッキ高分子微球体は、上
述の通りであり、高分子微球体表面に導電層として銅メ
ッキ層を設け、その表面に半田メッキ層を被覆すること
により、半田リフロー温度においてメッキ層に割れを生
じることがない。また、導電層である銅メッキ層と半田
メッキ層との間にニッケルメッキ層を設けることによっ
て、長期間保存したものを使用しても、導通不良を起こ
すことがない。さらに、本発明の半田メッキ高分子微球
体は、金属半田ボールに比べて比重が小さく、粒径精度
がよく、ギャップ保持性が優れると共に、特に異種基板
間の接合に使用して応力緩和性を有するので、ＢＧＡ接
合、ＣＳＰ接合又はＣＳＰ／ＢＧＡ接合を用いた接続構
造体に好適に使用することができる。
述の通りであり、高分子微球体表面に導電層として銅メ
ッキ層を設け、その表面に半田メッキ層を被覆すること
により、半田リフロー温度においてメッキ層に割れを生
じることがない。また、導電層である銅メッキ層と半田
メッキ層との間にニッケルメッキ層を設けることによっ
て、長期間保存したものを使用しても、導通不良を起こ
すことがない。さらに、本発明の半田メッキ高分子微球
体は、金属半田ボールに比べて比重が小さく、粒径精度
がよく、ギャップ保持性が優れると共に、特に異種基板
間の接合に使用して応力緩和性を有するので、ＢＧＡ接
合、ＣＳＰ接合又はＣＳＰ／ＢＧＡ接合を用いた接続構
造体に好適に使用することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K044 AA16 AB01 BA06 BA10 BB03 BB04 BC08 CA15 CA18 5E319 BB04 CC33 5G301 DA02 DA06 DA10 DA13 DA42 DD01 DD03 DD06 5G435 AA16 EE43 HH12
Claims (6)
- 【請求項１】 高分子微球体表面に銅メッキ層が被覆さ
れ、さらに該銅メッキ層の表面に半田メッキ層が被覆さ
れてなることを特徴とする半田メッキ高分子微球体。 - 【請求項２】 銅メッキ層の厚みが３〜１５μｍであ
り、半田メッキ層の厚みが１０〜５０μｍであることを
特徴とする請求項１記載の半田メッキ高分子微球体。 - 【請求項３】 銅メッキ層と半田メッキ層との間にニッ
ケルメッキ層が設けられてなることを特徴とする請求項
１又は２記載の半田メッキ高分子微球体。 - 【請求項４】 ニッケルメッキ層の厚みが０．５〜１．
５μｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか
１項に記載の半田メッキ高分子微球体。 - 【請求項５】 高分子微球体の平均粒子径が２００〜
１，０００μｍであることを特徴とする請求項１〜４の
いずれか１項に記載の半田メッキ高分子微球体。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項に記載の半
田メッキ高分子微球体を用いてＢＧＡ接合、ＣＳＰ接合
又はＣＳＰ／ＢＧＡ接合されてなることを特徴とする接
続構造体。
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|---|---|---|---|
| JP26602199A JP2001093329A (ja) | 1999-09-20 | 1999-09-20 | 半田メッキ高分子微球体及び接続構造体 |
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| JP (1) | JP2001093329A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 1999-09-20 JP JP26602199A patent/JP2001093329A/ja not_active Withdrawn
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