JP2001085347A - Wafer support boat for heat treatment - Google Patents
Wafer support boat for heat treatmentInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、熱処理用ウエハ支
持ボートに関し、より詳細には、熱処理すべき半導体ウ
エハを多段に載置保持し、縦型熱処理装置内へ導入する
熱処理用ウエハ支持ボートに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer support boat for heat treatment, and more particularly, to a wafer support boat for heat treatment in which semiconductor wafers to be subjected to heat treatment are mounted in multiple stages and introduced into a vertical heat treatment apparatus. .
【０００２】[0002]
【従来の技術】通常、半導体の製造プロセスにおいて
は、半導体ウエハの熱処理、その他の処理を多数枚一括
して行うため、複数の半導体ウエハを整列保持するウエ
ハ収容保持治具、所謂、ウエハ支持ボ−トが使用されて
いる。これまでの熱処理用ウエハ支持ボ−トにあって
は、載置保持する半導体ウエハの汚染を回避するため、
その材質として高純度石英等の珪酸質材料や炭化珪素
材、あるいは高純度シリコン材等の素材が用いられ、一
般に一体成型あるいは単純な組立型により作製されてい
る。2. Description of the Related Art Usually, in a semiconductor manufacturing process, a plurality of semiconductor wafers are subjected to heat treatment and other processes at once. -Is used. In the conventional wafer support boat for heat treatment, in order to avoid contamination of the semiconductor wafer mounted and held,
As such a material, a silicate material such as high-purity quartz, a silicon carbide material, or a high-purity silicon material is used, and is generally manufactured by integral molding or a simple assembly type.
【０００３】このウエハ支持ボ−トには種々の形式のも
のがあるが、前記したように、近年、ウエハの高速処理
化が強く求めれ、多数枚の半導体ウエハを一括処理する
ことが必要であること、また大口径化した半導体ウエハ
を可能な限りスリップ発生なしに処理することが必要で
あること等により、面状の溝形式支持部を有する、例え
ば、図４に例示したような形式のウエハ支持ボートが多
く使用されるようになってきている。There are various types of wafer support boats. As described above, in recent years, high-speed processing of wafers has been strongly demanded, and it is necessary to process a large number of semiconductor wafers at once. In addition, since it is necessary to process a large-diameter semiconductor wafer as little as possible with a slip, a wafer having a planar groove-type support portion, for example, a wafer of the type illustrated in FIG. Support boats are increasingly being used.
【０００４】このウエハ支持ボ−トは、図４に示すよう
に、半導体ウエハの周縁を挿入して保持するウエハ保持
溝６が形成された、通常３本以上のポール１と、これら
のポール１をその上下両端部で固定する基盤５とから構
成されている。前記ウエハ保持溝６は各ポール１自体に
形成され、半導体ウエハの周縁がこのウエハ保持溝６挿
入され、保持される。これらのウエハ支持ボ−トは、通
常、ウエハの汚染防止のため使用前に酸溶液等を用いて
洗浄され、清浄化処理されてから組立使用される。As shown in FIG. 4, the wafer support boat generally has three or more poles 1 each having a wafer holding groove 6 for inserting and holding a peripheral edge of a semiconductor wafer. Are fixed at both upper and lower ends thereof. The wafer holding groove 6 is formed on each pole 1 itself, and the peripheral edge of the semiconductor wafer is inserted into and held by the wafer holding groove 6. These wafer support boats are usually washed with an acid solution or the like before use to prevent contamination of the wafer, and are cleaned before being assembled and used.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記したよ
うにウエハ支持ボートは、ポール自体にウエハ保持溝が
形成された、いわゆる一体成型された物であるため、例
えば、熱容量低減を図る等の理由で、ウエハ保持溝の溝
ピッチ（溝の間隔）を変更する場合、新規にウエハ支持
ボート（ポール）を製作しなければならず、費用、手
間、時間を要するという技術的課題があった。また、ウ
エハ支持ボートのポールに破損等が生じた場合にも、新
規にポールを製作しなければならなかった。特に、ウエ
ハ保持溝が形成されたポールは高価であり、ポールのみ
を新規に交換する場合であっても、その加工コストから
製造コストがかかるという技術的課題があった。As described above, the wafer support boat is a so-called integrally formed product in which a wafer holding groove is formed in the pole itself. In order to change the pitch (interval between the grooves) of the wafer holding grooves, a new wafer support boat (pole) must be manufactured, and there is a technical problem that costs, labor, and time are required. Further, even when the pole of the wafer supporting boat is damaged or the like, a new pole must be manufactured. In particular, there is a technical problem that the pole on which the wafer holding groove is formed is expensive, and even if only the pole is newly replaced, the manufacturing cost is increased due to the processing cost.
【０００６】本発明は上記技術的課題を解決するために
なされたものであり、製作が容易で、簡素化され、かつ
支持する半導体ウエハの間隔を容易に変更でき、構成部
材の交換を容易になすことができる熱処理用ウエハ支持
ボートを提供することを目的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned technical problems, and is easy to manufacture, simplified, can easily change the interval between supporting semiconductor wafers, and can easily exchange constituent members. It is an object of the present invention to provide a heat treatment wafer support boat that can be performed.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた本発明は、半導体ウエハの周縁部を載置する
ウエハ載置面を上下方向に配列した熱処理用ウエハ支持
ボートにおいて、基盤と、該基盤の複数箇所に取付けら
れた複数の自立ポールと、前記自立ポールが挿通される
貫通孔を有し前記自立ポールに着脱可能に取り付けられ
た、ウエハ載置面が設けられた複数のウエハ支持板と、
前記自立ポールが挿通される挿通孔を有し前記自立ポー
ルに着脱可能に取り付けられ、前記ウエハ支持板と交互
に積み重ねられて、前記ウエハ支持板間に所定の間隔を
形成する複数のスペーサとから構成されることを特徴と
している。SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention provides a heat treatment wafer support boat in which a wafer mounting surface for mounting a peripheral portion of a semiconductor wafer is vertically arranged. A plurality of self-supporting poles attached to a plurality of locations on the base, and a plurality of wafers having a through-hole through which the self-supporting poles are inserted, the wafers being detachably attached to the self-supporting poles, and having a wafer mounting surface. A support plate,
A plurality of spacers having an insertion hole through which the self-supporting pole is inserted, detachably attached to the self-supporting pole, and alternately stacked with the wafer support plate to form a predetermined space between the wafer support plates; It is characterized by being composed.
【０００８】上記のような構成により、ウエハ支持板お
よびスペーサが自立ポールに対して、着脱自在に取り付
けられるので、半導体ウエハの配列ピッチ（半導体ウエ
ハの配列間隔）の変更に対して対応が容易になり、各配
列ピッチに相当した多種類のウエハ支持ボートを準備す
る必要がなくなる。また、ウエハ支持板およびスペーサ
は自立ポールに着脱自在に取り付けられるため、破損が
生じても破損した部材だけを取り替えればよく、熱処理
用ウエハ支持ボート全体を廃棄する必要がなくなる。そ
の結果、ウエハ支持ボートの新規製作に比べて、安価
に、しかも短時間に、かつ容易に、所望の熱処理用ウエ
ハ支持ボートを得ることができる。[0008] With the above configuration, the wafer support plate and the spacer are removably attached to the self-standing pole, so that it is easy to cope with a change in the arrangement pitch of semiconductor wafers (the arrangement interval of semiconductor wafers). This eliminates the need to prepare various types of wafer support boats corresponding to each arrangement pitch. Further, since the wafer support plate and the spacer are detachably attached to the self-supporting pole, even if damage occurs, only the damaged member needs to be replaced, and it is not necessary to discard the entire wafer support boat for heat treatment. As a result, a desired wafer support boat for heat treatment can be obtained at a lower cost, in a shorter time, and more easily than in newly manufactured wafer support boats.
【０００９】ここで、前記ウエハ支持板は、円弧形状、
リング形状、馬蹄形状のいずれかの形状に形成され、そ
の内側周縁部において半導体ウエハを載置することが望
ましい。また、前記ウエハ支持板は円弧形状に形成さ
れ、前記円弧形状のウエハ支持板を相対峙させて夫々自
立ポールに取り付けることにより、１つのウエハ載置面
が形成されることが望ましい。Here, the wafer support plate has an arc shape,
It is preferable that the semiconductor wafer be formed in any one of a ring shape and a horseshoe shape, and a semiconductor wafer be placed on an inner peripheral portion thereof. Preferably, the wafer support plate is formed in an arc shape, and one wafer mounting surface is formed by attaching the arc-shaped wafer support plates to self-standing poles so as to face each other.
【００１０】また、前記ウエハ支持板には、半導体ウエ
ハの荷重を支えるウエハ載置面の反対側に、半導体ウエ
ハの荷重とバランスする重量を有するバラスト部が設け
られることが望ましい。この構成により、半導体ウエハ
の荷重を受けたウエハ支持板の傾きを防止でき、水平状
態を維持することができる。It is preferable that the wafer support plate is provided with a ballast having a weight balanced with the load of the semiconductor wafer, on a side opposite to the wafer mounting surface for supporting the load of the semiconductor wafer. With this configuration, it is possible to prevent the wafer support plate from being tilted under the load of the semiconductor wafer, and to maintain a horizontal state.
【００１１】また、前記ウエハ支持板は、石英、炭化珪
素、アルミナ、シリコン、サファイヤのいずれかの材料
より成ることが望ましい。この構成により、熱処理用ウ
エハ支持ボートは、熱処理炉内の高温に曝されても変質
や変形を生じることはない。It is preferable that the wafer support plate is made of any one of quartz, silicon carbide, alumina, silicon, and sapphire. With this configuration, the wafer support boat for heat treatment does not deteriorate or deform even when exposed to the high temperature in the heat treatment furnace.
【００１２】更に、前記スペーサの高さとは異なる所定
の高さを有する棚段ピッチ変更用スペーサを用いること
によって、ウエハ支持板の間隔が変更可能に構成されて
いることが望ましい。この構成により、半導体ウエハの
配列ピッチ（半導体ウエハの配列間隔）を変更する場合
に、スペーサをその配列ピッチに応じた棚段ピッチ変更
用スペーサに取り替えればよく、配列ピッチに応じた多
数の熱処理用ウエハ支持ボートを準備する必要がなくな
る。Further, it is desirable that the spacing between the wafer support plates can be changed by using a shelf pitch changing spacer having a predetermined height different from the height of the spacer. With this configuration, when the arrangement pitch of the semiconductor wafers (the arrangement interval of the semiconductor wafers) is changed, the spacers may be replaced with the shelf pitch changing spacers corresponding to the arrangement pitch, and a number of heat treatments corresponding to the arrangement pitch may be performed. There is no need to prepare a wafer support boat for use.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】本発明にかかる熱処理用ウエハ支
持ボートの実施の形態について、図面に基づいて説明す
る。図１（ａ）および（ｂ）は熱処理用ウエハ支持ボー
トの平面図および正面図、図２は自立ポールの下端部を
示す縦断面図、図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は形状の異
なるウエハ支持板を示す平面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a wafer support boat for heat treatment according to the present invention will be described with reference to the drawings. 1 (a) and 1 (b) are a plan view and a front view of a wafer support boat for heat treatment, FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a lower end of a self-standing pole, and FIGS. 3 (a), (b) and (c) are It is a top view which shows the wafer support plate from which a shape differs.
【００１４】図１、２において、符号５はウエハ支持ボ
ートのベースとなる平板状の基盤５であって、この基盤
５の半導体ウエハＡの外径よりも大きい円周上の複数箇
所（本実施形態では４ヵ所）に孔９が設けられている。
この孔９の下端部には、図２に示すように、大径孔部９
ａが設けられている。In FIGS. 1 and 2, reference numeral 5 denotes a flat base 5 serving as a base of a wafer support boat, and a plurality of locations on the circumference of the base 5 larger than the outer diameter of the semiconductor wafer A (this embodiment). Holes 9 are provided at four locations in the embodiment).
As shown in FIG. 2, the lower end of the hole 9 has a large-diameter hole 9.
a is provided.
【００１５】また、前記各孔９には、基盤５の下側から
自立ポール８が嵌挿され、自立ポール８の下端部に設け
られた鍔部８ａが大径孔部９ａに嵌合し、自立ポール８
が自立するように構成されている。また、自立ポール８
の下端部外周面（基盤５の上面が位置する部分）に環状
溝８ｂが設けられている。各自立ポール８は上下方向に
平行であり、前記環状溝８ｂに嵌着されるポール固定ス
ペーサ１０により、前記自立ポール８は基盤５に固定さ
れる。なお、この自立ポール８の断面は矩形形状に形成
されている。A self-standing pole 8 is inserted into each of the holes 9 from below the base 5, and a flange 8a provided at the lower end of the self-standing pole 8 is fitted into the large-diameter hole 9a. Independent pole 8
Is configured to be independent. In addition, independent pole 8
An annular groove 8b is provided on the outer peripheral surface of the lower end portion (where the upper surface of the base 5 is located). Each self-supporting pole 8 is parallel to the up-down direction, and the self-supporting pole 8 is fixed to the base 5 by a pole fixing spacer 10 fitted into the annular groove 8b. The cross section of the self-supporting pole 8 is formed in a rectangular shape.
【００１６】前記自立ポール８に挿通されるウエハ支持
板２は、上下方向に並列に配置され、各半導体ウエハＡ
を各段ごとに両側から支持する載置棚となるものであ
る。そのウエハ支持板２の輪郭形状は、図１（ａ）に示
すように略一定の幅をもった円弧形状に形成されてい
る。また、ウエハ支持板２は、図１（ｂ）に示すように
略一定の厚さに形成され、いわゆる板状をなしている。The wafer support plates 2 inserted into the self-standing poles 8 are vertically arranged in parallel, and each semiconductor wafer A
Are supported from both sides for each stage. The profile of the wafer support plate 2 is formed in an arc shape having a substantially constant width as shown in FIG. Further, the wafer support plate 2 is formed to have a substantially constant thickness as shown in FIG. 1B, and has a so-called plate shape.
【００１７】このウエハ支持板２は、前記したように円
弧形状に形成され、その上面の内側周縁部（ウエハ支持
ボートの中心に近い方）が、半導体ウエハＡの外周縁部
を載置するウエハ載置面２ａとなる。また、前記ウエハ
支持板２には、自立ポール８の柱状部８ｃが挿通される
貫通孔７が設けられ、この貫通孔７の形状は柱状部８ｃ
とほぼ同形状の角孔に形成されている。本実施形態で
は、図１（ａ）示すように、自立ポール８の数を４個と
し、ウエハ支持板２に、自立ポール８に挿通される貫通
孔７が２個形成されている。すなわち、２つの円弧形状
のウエハ支持板２を相対峙させて、夫々のウエハ支持板
２を２つの自立ポールに取り付けることにより、１つの
相対向するウエハ載置面２ａが形成されるように構成さ
れている。The wafer support plate 2 is formed in an arc shape as described above, and the inner peripheral edge of the upper surface (the one closer to the center of the wafer support boat) has a wafer on which the outer peripheral edge of the semiconductor wafer A is placed. It becomes the mounting surface 2a. Further, the wafer support plate 2 is provided with a through hole 7 through which the columnar portion 8c of the self-standing pole 8 is inserted.
It is formed in a square hole having substantially the same shape as that of FIG. In the present embodiment, as shown in FIG. 1A, the number of the self-supporting poles 8 is four, and two through holes 7 to be inserted into the self-supporting poles 8 are formed in the wafer support plate 2. That is, the two arc-shaped wafer support plates 2 are opposed to each other, and each wafer support plate 2 is attached to two self-supporting poles, so that one opposed wafer mounting surface 2a is formed. Have been.
【００１８】なお、ウエハ支持板２の外側周縁部の略中
央部下面（ウエハ載置面２ａの反対側外周縁部）に、半
導体エウハＡの荷重とバランスする重量を有するバラス
ト部４が設けられている。このようにバラスト部４が設
けられることにより、ウエハ支持板上に半導体ウエハが
載置された状態にあっても、ガタつくことなく、ウエハ
支持板２を略水平状態に維持することができる。A ballast portion 4 having a weight that balances the load of the semiconductor wafer A is provided on the lower surface of the outer peripheral portion of the wafer support plate 2 at the substantially central lower surface (the outer peripheral edge opposite to the wafer mounting surface 2a). ing. By providing the ballast section 4 in this manner, the wafer support plate 2 can be maintained in a substantially horizontal state without rattling even when the semiconductor wafer is placed on the wafer support plate.
【００１９】また、上記ウエハ支持板２に代えて、図３
（ａ）に示すウエハ支持板２ｂ、図３（ｂ）に示すウエ
ハ支持板２ｃ、あるいは図３（ｃ）は示すウエハ支持板
２ｄを用いても良い。図３（ａ）のウエハ支持板２ｂの
形状は、いわゆるリング形状であり、内側周縁部がウエ
ハの載置面となる。図３（ｂ）のウエハ支持板２ｃの形
状は、いわゆる円弧形状であり、図３（ａ）に示したウ
エハ支持板２ｂのうち、半導体ウエハＡを出し入れ操作
する手前側を部分的に切除した形状になされている。図
３（ｃ）のウエハ支持板２ｄの形状は、半導体ウエハＡ
を出し入れ操作する手前側を開口部とした馬蹄形状にし
たものである。これらウエハ支持板２ｂ、２ｃ、２ｄ
は、上記した実施形態と異なり、１つのウエハ支持板２
ｂ、２ｃ、２ｄによってウエハ載置面２ａが形成される
ため、半導体ウエハを安定して載置することができる。In place of the wafer support plate 2, FIG.
The wafer support plate 2b shown in FIG. 3A, the wafer support plate 2c shown in FIG. 3B, or the wafer support plate 2d shown in FIG. 3C may be used. The shape of the wafer support plate 2b in FIG. 3A is a so-called ring shape, and the inner peripheral edge portion becomes a wafer mounting surface. The shape of the wafer support plate 2c in FIG. 3B is a so-called arc shape, and the front side of the wafer support plate 2b shown in FIG. Shaped. The shape of the wafer support plate 2d in FIG.
It has a horseshoe shape with an opening on the front side of the operation for putting in and out. These wafer support plates 2b, 2c, 2d
Differs from the above-described embodiment in that one wafer support plate 2
Since the wafer mounting surface 2a is formed by b, 2c, and 2d, the semiconductor wafer can be mounted stably.
【００２０】また、上記実施形態におけるウエハ支持板
２では、断面形状が矩形形状の自立ポール８に合わせて
貫通孔７を角孔としたが、自立ポール８の断面形状が円
形の場合には、図３（ａ）に示すように貫通孔７を丸孔
としても良い。また、自立ポール８の断面形状が三角形
の場合には、図３（ｃ）に示すように、貫通孔７を三角
形にしても良い。すなわち、自立ポール８の断面形状は
いかなる形状であっても良いが、いずれの場合にも貫通
孔７は自立ポール８の断面形状に合わせた形状とするの
が、ガタつきを防止する上からも好ましい。Further, in the wafer support plate 2 in the above embodiment, the through-hole 7 is formed into a square hole in accordance with the self-supporting pole 8 having a rectangular cross section, but when the cross section of the self-supporting pole 8 is circular, As shown in FIG. 3A, the through hole 7 may be a round hole. When the cross-sectional shape of the self-supporting pole 8 is triangular, the through hole 7 may be triangular as shown in FIG. That is, the cross-sectional shape of the self-supporting pole 8 may be any shape, but in any case, the through-hole 7 is formed to have a shape corresponding to the cross-sectional shape of the self-supporting pole 8, in order to prevent rattling. preferable.
【００２１】また、前記スペーサ３は、ウエハ支持板２
と交互に自立ポール８に挿通されて積み重ねられる。こ
のスペース３は、上下のウエハ支持板２の間に所定の隙
間を形成するものである。このスペーサ３は、図１
（ａ）（ｂ）に示すように、一定の高さに揃えられた直
方体のブロックであり、ほぼ中央には上下方向に貫通す
る挿通孔１１が設けられている。すなわち、前記スペー
サ３をウエハ支持板２の間に介在させることによって、
ウエハ支持板２上の半導体ウエハは所定の間隔をもって
配列される。The spacer 3 is provided on the wafer support plate 2.
Are alternately inserted through the independent poles 8 and stacked. The space 3 forms a predetermined gap between the upper and lower wafer support plates 2. This spacer 3 is shown in FIG.
As shown in (a) and (b), it is a rectangular parallelepiped block aligned at a certain height, and an insertion hole 11 penetrating vertically is provided substantially at the center. That is, by interposing the spacer 3 between the wafer support plates 2,
The semiconductor wafers on the wafer support plate 2 are arranged at predetermined intervals.
【００２２】また、前記ウエハ支持板２のピッチ間隔
（所定の隙間）は、前記スペーサ３とは異なる所定高さ
にを有する棚段ピッチ変更用スペーサを自立ポール８に
挿通して取り付けれることによって変更することができ
る。このように、スペーサ３と取り替えることにより、
ウエハ支持板２間の所定間隔を変更することができ、従
来のように熱処理用ウエハ支持ボート全体を取り替える
必要がなくなる。The pitch (predetermined gap) of the wafer support plate 2 is set by inserting a shelf pitch changing spacer having a predetermined height different from that of the spacer 3 into the self-standing pole 8 and mounting the same. Can be changed. Thus, by replacing with the spacer 3,
The predetermined interval between the wafer support plates 2 can be changed, and it is not necessary to replace the entire wafer support boat for heat treatment as in the related art.
【００２３】以上述べたように、本発明の熱処理用ウエ
ハ支持ボートは、基盤５と一体に組み立てられた複数の
自立ポール８と、自立ポール８に挿通される複数のウエ
ハ支持板２および複数のスペーサ３とにより構成され、
ウエハ支持板２および複数のスペーサ３は着脱可能に構
成されているため、いずれの部材の一部に損傷が生じた
場合には、従来のように熱処理用ウエハ支持ボート全体
を廃棄するのでなく、損傷した部材だけを取り替えれば
よい。As described above, the wafer support boat for heat treatment of the present invention comprises a plurality of self-supporting poles 8 integrated with the base 5, a plurality of wafer support plates 2 inserted through the self-supporting poles 8, and a plurality of And a spacer 3.
Since the wafer support plate 2 and the plurality of spacers 3 are configured to be detachable, if any of the members is damaged, the entire wafer support boat for heat treatment is not discarded as in the related art, but instead. Only the damaged member needs to be replaced.
【００２４】また、前記熱処理用ウエハ支持ボートの構
成部品の材料としては、半導体ウエハの熱処理に耐久性
のある石英材、炭化珪素材、アルミナ材等を用いること
ができ、従来その適用が困難とされていた脆性材、例え
ばシリコン、サファイヤなどの比較的脆い材料も充分に
使用することができる。特に、熱処理用ウエハ支持ボー
トのウエハ支持板２は単純な形状になされているため、
加工上困難とされていた脆性材、例えばシリコン、サフ
ァイヤなどの比較的脆い材料を用いることができる。な
お、自立ポール８、スペーサ３には、ウエハ支持板２と
は異なる材質を使用して差し支えない。Further, as a material of the components of the wafer support boat for heat treatment, a quartz material, a silicon carbide material, an alumina material or the like which is durable for heat treatment of a semiconductor wafer can be used. A previously used brittle material, for example, a relatively brittle material such as silicon or sapphire can also be used satisfactorily. In particular, since the wafer support plate 2 of the heat treatment wafer support boat has a simple shape,
A brittle material that has been considered difficult to process, for example, a relatively brittle material such as silicon or sapphire can be used. The freestanding pole 8 and the spacer 3 may be made of a material different from that of the wafer support plate 2.
【００２５】以上のように構成された熱処理用ウエハ支
持ボートの組み立ては、基盤５の上面から起立している
４個の自立ポール８に、スペーサ３とウエハ支持板２と
を交互に挿通して積み上げることにより完了する。な
お、図示しないが、前記基盤５と対向して自立ポールの
上端部に天盤を設けても良い。この組み立てられた熱処
理用ウエハ支持ボートには、図１（ｂ）に示すように各
段ごとにウエハ支持板２が左右に相対峙しており、バラ
スト部４の重量によりウエハ支持板２は相対する先端部
が高くなる方向に僅かに傾斜している。なお、前記自立
ポール８は、半導体ウエハＡをウエハ支持板２上に載置
するときに干渉しない位置に配置される。The assembling of the wafer support boat for heat treatment configured as described above is performed by alternately inserting the spacers 3 and the wafer support plate 2 into four self-standing poles 8 rising from the upper surface of the base 5. Complete by stacking. Although not shown, a roof may be provided at the upper end of the self-standing pole facing the base 5. In the assembled wafer support boat for heat treatment, the wafer support plate 2 is opposed to the left and right at each stage as shown in FIG. The tip is slightly inclined in the direction of height. The self-standing pole 8 is arranged at a position where the self-standing pole 8 does not interfere when the semiconductor wafer A is placed on the wafer support plate 2.
【００２６】そして、半導体ウエハＡを左右一対のウエ
ハ支持板２上に載置すると、ウエハ支持板２の先端部に
加わる半導体ウエハＡの荷重とバラスト部４の重量がバ
ランスして、ウエハ支持板２が水平になり、各段のウエ
ハ支持板２に載置された半導体ウエハＡはそれぞれ水平
に保持された状態で、上下方向に一定間隔で並列され
る。以上のようにして熱処理用ウエハ支持ボートにセッ
トされた半導体ウエハＡは熱処理炉内に送られ、半導体
ウエハＡが熱処理され、熱処理が完了した半導体ウエハ
Ａはウエハ支持板２から取り出される。When the semiconductor wafer A is placed on the pair of left and right wafer support plates 2, the load of the semiconductor wafer A applied to the tip of the wafer support plate 2 and the weight of the ballast portion 4 are balanced, and 2 are horizontal, and the semiconductor wafers A mounted on the wafer support plates 2 at each stage are arranged in parallel in a vertical direction at a constant interval while being held horizontally. The semiconductor wafer A set in the wafer support boat for heat treatment as described above is sent into the heat treatment furnace, the semiconductor wafer A is heat-treated, and the heat-treated semiconductor wafer A is taken out of the wafer support plate 2.
【００２７】また、熱処理炉内での熱処理を繰り返す過
程で、あるいは保管中等において、熱処理用ウエハ支持
ボートの一部分を損傷した場合には、熱処理用ウエハ支
持ボート全体を廃棄することなく、損傷したウエハ支持
ボード２、あるいはスペーサ３、自立ポール８を新品と
取り替えることによって、再利用することができる。In the case where a part of the wafer support boat for heat treatment is damaged in the process of repeating the heat treatment in the heat treatment furnace or during storage, the damaged wafer support boat is not discarded without discarding the entire wafer support boat for heat treatment. The support board 2, the spacer 3, and the self-supporting pole 8 can be reused by replacing them with new ones.
【００２８】[0028]
【発明の効果】本発明の熱処理用ウエハ支持ボートは以
上述べたように構成されているので、次に述べるような
効果を奏する。 （１）半導体ウエハの配列ピッチ（配列間隔）は、高さ
の異なるスペーサに交換することによって変更でき、従
来のように、各配列ピッチの異なるウエハ支持ボートを
揃えておく必要がない。 （２）構成部材に割れや欠けなどの破損が生じた場合、
破損した部材のみを取り替えればよいため、ウエハ支持
ボート全体を製作し直す必要がなく、ウエハ支持ボート
の維持費を大幅に削減することができる。As described above, the wafer support boat for heat treatment of the present invention has the following effects. (1) The arrangement pitch (arrangement interval) of semiconductor wafers can be changed by exchanging spacers having different heights, and there is no need to arrange wafer support boats having different arrangement pitches as in the related art. (2) In the event that damage such as cracking or chipping occurs
Since only the damaged member needs to be replaced, there is no need to remanufacture the entire wafer support boat, and the maintenance cost of the wafer support boat can be greatly reduced.
【図１】図１（ａ）および（ｂ）は熱処理用ウエハ支持
ボートの平面図および正面図である。1 (a) and 1 (b) are a plan view and a front view of a wafer support boat for heat treatment.
【図２】自立ポールの下端部を示す縦断面図である。FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a lower end of a self-supporting pole.
【図３】図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は形状の異なるウ
エハ支持板の平面図である。FIGS. 3A, 3B, and 3C are plan views of wafer support plates having different shapes.
【図４】従来のウエハ支持ボートの一例を示す正面図で
ある。FIG. 4 is a front view showing an example of a conventional wafer support boat.
２ ウエハ支持板 ２ａ ウエハ載置面 ３ スペーサ ４ バラスト部 ５ 基盤 ６ ウエハ保持溝部 ７ 貫通孔 ８ 自立ポール １０ ポール固定用スペーサ １１ 挿通孔 2 Wafer support plate 2a Wafer mounting surface 3 Spacer 4 Ballast portion 5 Base 6 Wafer holding groove 7 Through hole 8 Self-supporting pole 10 Pole fixing spacer 11 Insertion hole
Claims (6)
載置面を上下方向に配列した熱処理用ウエハ支持ボート
において、 基盤と、 前記基盤の複数箇所に取付けられ複数の自立ポールと、 前記自立ポールが挿通される貫通孔を有し前記自立ポー
ルに着脱可能に取り付けられた、ウエハ載置面が設けら
れた複数のウエハ支持板と、 前記自立ポールが挿通される挿通孔を有し前記自立ポー
ルに着脱可能に取り付けられ、前記ウエハ支持板と交互
に積み重ねられて、前記ウエハ支持板間に所定の間隔を
形成する複数のスペーサとから構成されることを特徴と
する熱処理用ウエハ支持ボート。1. A wafer support boat for heat treatment in which a wafer mounting surface on which a peripheral portion of a semiconductor wafer is mounted is vertically arranged, a base, a plurality of self-supporting poles attached to a plurality of locations on the base, and the self-supporting A plurality of wafer support plates each having a through hole through which a pole is inserted and detachably attached to the self-supporting pole and having a wafer mounting surface; and an insertion hole through which the self-supporting pole is inserted; A wafer support boat for heat treatment, comprising: a plurality of spacers removably mounted on a pole and alternately stacked with the wafer support plate to form a predetermined space between the wafer support plates.
形状、馬蹄形状のいずれかの形状に形成され、その内側
周縁部において半導体ウエハを載置することを特徴とす
る請求項１または請求項２に記載された熱処理用ウエハ
支持ボート。2. The wafer supporting plate according to claim 1, wherein the wafer supporting plate is formed in any one of an arc shape, a ring shape, and a horseshoe shape, and the semiconductor wafer is placed on an inner peripheral portion thereof. 3. The wafer support boat for heat treatment described in 2.
れ、前記円弧形状のウエハ支持板を相対峙させて夫々自
立ポールに取り付けることにより、１つのウエハ載置面
が形成されることを特徴とする請求項２記載された熱処
理用ウエハ支持ボート。3. The wafer support plate is formed in an arc shape, and one wafer mounting surface is formed by attaching the arc-shaped wafer support plates to respective self-standing poles so as to face each other. The wafer support boat for heat treatment according to claim 2.
荷重を支えるウエハ載置面の反対側に、半導体ウエハの
荷重とバランスする重量を有するバラスト部が設けられ
ることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに
記載された熱処理用ウエハ支持ボート。4. The wafer support plate is provided with a ballast having a weight that balances the load of the semiconductor wafer, on a side opposite to the wafer mounting surface that supports the load of the semiconductor wafer. A wafer support boat for heat treatment according to claim 3.
アルミナ、シリコン、サファイヤのいずれかの材料より
成ることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか
に記載された熱処理用組立式ウエハ支持ボート。5. The method according to claim 1, wherein the wafer supporting plate is made of quartz, silicon carbide,
The assembly type wafer support boat for heat treatment according to any one of claims 1 to 4, wherein the assembly type wafer support boat is made of any one material of alumina, silicon, and sapphire.
さを有する棚段ピッチ変更用スペーサを用いることによ
って、ウエハ支持板の間隔が変更可能に構成されている
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記
載された熱処理用ウエハ支持ボート。6. The apparatus according to claim 1, wherein the spacing between the wafer support plates is changeable by using a shelf pitch changing spacer having a predetermined height different from the height of the spacer. A wafer support boat for heat treatment according to claim 5.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26254999A JP2001085347A (en) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | Wafer support boat for heat treatment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26254999A JP2001085347A (en) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | Wafer support boat for heat treatment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085347A true JP2001085347A (en) | 2001-03-30 |
Family
ID=17377362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26254999A Withdrawn JP2001085347A (en) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | Wafer support boat for heat treatment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001085347A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1999
- 1999-09-16 JP JP26254999A patent/JP2001085347A/en not_active Withdrawn
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|
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