JP2001084537A - バー状ヘッド集合体、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置 - Google Patents

バー状ヘッド集合体、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置

Info

Publication number
JP2001084537A
JP2001084537A JP2000163069A JP2000163069A JP2001084537A JP 2001084537 A JP2001084537 A JP 2001084537A JP 2000163069 A JP2000163069 A JP 2000163069A JP 2000163069 A JP2000163069 A JP 2000163069A JP 2001084537 A JP2001084537 A JP 2001084537A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
magnetic head
thin
lead conductor
conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000163069A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Asatani
崇史 麻谷
Fujimi Kimura
富士巳 木村
Junichi Sato
順一 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP2000163069A priority Critical patent/JP2001084537A/ja
Priority to US09/610,289 priority patent/US6445551B1/en
Publication of JP2001084537A publication Critical patent/JP2001084537A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
    • G11B5/3166—Testing or indicating in relation thereto, e.g. before the fabrication is completed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3909—Arrangements using a magnetic tunnel junction
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/455—Arrangements for functional testing of heads; Measuring arrangements for heads

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】磁気抵抗効果素子を埋設してあるシールド膜間
絶縁膜の電気絶縁測定作業を極めて容易に実行し得る薄
膜磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】第１の絶縁膜７１は第１のシールド膜３の
上に備えられる。磁気抵抗効果素子９は第１の絶縁膜３
の上に備えられる。第１及び第２のリード導体膜１１、
１３は、第１の絶縁膜７１の上に設けられ、磁気低抗効
果素子９の両端部に接続されている。第２の絶縁膜７２
は、第１のリード導体膜１１、第２のリード導体膜１３
及び磁気抵抗効果素子９を覆っており、第２のシールド
膜５は第２の絶縁膜７２の上に備えられている。測定用
端子導体５７は第１または第２のシールド膜３、５の少
なくとも一方と導通し、媒体対向面とは異なる面に露出
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バー状ヘッド集合
体、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドの製造に当たっては、ウ
エハ上で薄膜素子を形成した後、ウエハを切断して、バ
ー状ヘッド集合体を取出す。バー状ヘッド集合体は複数
の薄膜磁気ヘッド要素を一方向に整列させた構造を持
つ。このバー状ヘッド集合体の媒体対向面に必要な幾何
学的形状を付与するための加工を施し、更に、ラッピン
グ工程等を実行した後、バー状ヘッド集合体に切断加工
を施し、薄膜磁気ヘッド要素毎に取り出して、薄膜磁気
ヘッドを得る。
【０００３】磁気異方性抵抗効果素子、スピンバルブ膜
もしくはペロブスカイト型磁性体を用いた巨大磁気抵抗
効果素子、または、強磁性トンネル接合効果素子等でな
る磁気抵抗効果素子を、読み取り素子として用いたバー
状ヘッド集合体または薄膜磁気ヘッドでは、磁気抵抗効
果素子及びそのリード導体膜を、アルミナ等でなる絶縁
膜に埋設した構造になっている。絶縁膜の両側には第１
のシールド膜及び第２のシールド膜が備えられている。
【０００４】上記構造において、リード導体膜と、第１
のシールド膜または第２のシールド膜との間に存在する
絶縁膜に、絶縁劣化または絶縁破壊等が発生すると、電
気雑音が大きくなったり、あるいは電磁変換特性が悪化
する等の問題を生じる。
【０００５】そのような不良品の薄膜磁気ヘッド要素ま
たは薄膜磁気ヘッドを検査によって見分けるために、薄
膜磁気ヘッド、及び、バー状ヘッド集合体は、電気絶縁
特性測定作業に付されなければならない。電気絶縁特性
測定作業を行う場合、従来のバー状ヘッド集合体、また
は、薄膜磁気ヘッドでは、スライダの空気ベアリング面
に現れている第１または第２のシールド膜の端面、及
び、スライダの空気流出側端面にあるリード導体膜の端
子導体（バンプ）にプローブを当てて検査する必要があ
った。
【０００６】しかし、スライダの空気ベアリング面に現
れているシールド膜の膜厚は極めて薄いから、シールド
膜の端面にプローブを当てること自体、困難を極める。
【０００７】しかも、極微小な薄膜磁気ヘッド要素また
は薄膜磁気ヘッドにおいて、２面を特定し、検査可能な
方向に位置決めする作業も容易ではない。このような困
難な位置決め作業の後に、異なる２面にまたがり、プロ
ーブを当てなければならない。この作業も困難を極め
る。
【０００８】更に、シールド膜の露出端面は、磁気抵抗
効果素子の露出端面と、極微小の距離を隔てているだけ
であるから、シールド膜の露出端面に押し当てるべきプ
ローブが、誤って、シールド膜または磁気抵抗効果素子
の端面に当ってしまい、磁気抵抗効果素子を傷つけてし
まうこともある。
【０００９】また、サブミクロン以下の高い表面性を保
っていなければならない空気ベアリング面に、プローブ
による擦過傷を生じさせ、浮上特性に悪影響を与えるこ
ともある。
【００１０】特開平８ー２９３０１８号公報は、ウエハ
工程の間はリード導体膜とシールド膜との間の電気的接
続を維持し、ウエハ工程終了後に両者間の電気的接続を
切断する技術を開示している。
【００１１】しかしこの先行技術は、ウエハ工程におけ
る絶縁膜の絶縁劣化または絶縁破壊等を防止する手段を
開示するだけであって、薄膜磁気ヘッド、及び、バー状
ヘッド集合体において、シールド膜間絶縁膜の電気絶縁
特性を測定するに当たっては、上述した測定手段を取ら
ざるを得ない。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、磁気
抵抗効果素子を埋設してあるシールド膜間絶縁膜の電気
絶縁測定作業を極めて容易に実行し得るバー状ヘッド集
合体、薄膜磁気ヘッド、それを用いた磁気ヘッド装置、
及び、磁気ディスク装置を提供することである。
【００１３】本発明のもう一つの課題は、磁気抵抗効果
素子を埋設してあるシールド膜間絶縁膜の電気絶縁測定
作業において、シールド膜、磁気抵抗効果素子及び空気
ベアリング面に損傷を与える恐れのないバー状ヘッド集
合体、薄膜磁気ヘッド、それを用いた磁気ヘッド装置、
及び、磁気ディスク装置を提供することである。
【００１４】本発明の更にもう一つの課題は、絶縁膜の
電気絶縁性の測定以外の工程において、絶縁膜に対する
電気的なダメージを回避し得るバー状ヘッド集合体、薄
膜磁気ヘッド、それを用いた磁気ヘッド装置を提供する
ことである。
【００１５】本発明の更にもう一つの課題は、絶縁膜の
電気絶縁性の測定工程では、絶縁膜に対する電気的なダ
メージを回避するために設けた手段を、簡単に取り除け
るバー状ヘッド集合体、薄膜磁気ヘッド、それを用いた
磁気ヘッド装置を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、複数の薄膜磁気ヘッド要素を一方向に整
列させたバー状ヘッド集合体において、前記薄膜磁気ヘ
ッド要素のそれぞれは、少なくとも一つの電磁変換素子
を含んでいる。
【００１７】前記電磁変換素子は、第１のシールド膜
と、第１の絶縁膜と、磁気抵抗効果素子と、第１のリー
ド導体膜と、第２のリード導体膜と、第２の絶縁膜と、
第２のシールド膜と、第１のリード導体膜用端子導体
と、第２のリード導体膜用端子導体と、測定用端子導体
とを含んむ。
【００１８】前記第１の絶縁膜は、前記第１のシールド
膜の上に備えられている。前記磁気抵抗効果素子は、前
記第１の絶縁膜の上に備えられている。前記第１のリー
ド導体膜は、前記第１の絶縁膜の上に設けられ、前記磁
気抵抗効果素子の一端部に接続されている。前記第２の
リード導体膜は、前記第１の絶縁膜の上に設けられ、前
記磁気抵抗効果素子の他端部に接続されている。
【００１９】前記第１のリード導体膜用端子導体は、前
記第１のリード導体膜に接続され、前記スライダの媒体
対向面とは異なる面に露出している。前記第２のリード
導体膜用端子導体は、前記第２のリード導体膜に接続さ
れ、前記スライダの媒体対向面とは異なる面に露出して
いる。
【００２０】前記第２の絶縁膜は、前記第１のリード導
体膜、前記第２の導体膜及び前記磁気抵抗効果素子を覆
う。前記第２のシールド膜は、前記第２の絶縁膜の上に
備えられている。
【００２１】前記測定用端子導体は、前記第１または第
２のシールド膜の少なくとも一方と導通し、前記スライ
ダの媒体対向面とは異なる面の少なくとも一つに露出し
ている。
【００２２】上述したように、第１の絶縁膜は、第１の
シールド膜の上に備えられており、第１の絶縁膜の上に
磁気抵抗効果素子、第１のリード導体膜及び第２のリー
ド導体膜が備えられているから、磁気抵抗効果素子並び
に第１及び第２のリード導体膜は第１のシールド膜によ
ってシールドされると共に、第１のシールド膜から電気
的に絶縁される。
【００２３】第２の絶縁膜は、第１のリード導体膜、第
２のリード導体膜及び磁気抵抗効果素子を覆っており、
第２のシールド膜は第２の絶縁膜の上に備えられている
から、磁気抵抗効果素子並びに第１及び第２のリード導
体膜が、第２のシールド膜によってシールドされる共
に、第２のシールド膜から電気的に絶縁される。
【００２４】測定用端子導体は、第１または第２のシー
ルド膜の少なくとも一方と導通している。即ち、測定用
端子導体は第１のシールド膜のみと導通し、または、第
２のシールド膜のみと導通し、または、第１及び第２の
シールド膜の両者と導通する。上記構成によれば、測定
用端子導体と、第１及び第２のリード導体膜に備えられ
た第１及び第２のリード導体膜用端子導体（バンプ）と
に、プローブを当てることにより、第１または第２のシ
ールド膜の少なくとも一方と、第１または第２のリード
導体膜との間にある第１の絶縁膜または第２の絶縁膜の
電気絶縁特性を測定することができる。
【００２５】測定用端子導体は、スライダとなる基体の
面に露出しているから、基体の面を利用して、測定用端
子導体を接触させるのに十分な平面積を確保することが
できるとともに、測定用プローブを容易に接触させるこ
とができる。
【００２６】しかも、測定用端子導体は、スライダとな
る基体の媒体対向面とは異なる面に露出しているので、
電気絶縁測定作業において、測定用プローブを、誤っ
て、シールド膜または磁気抵抗効果素子の端面に接触さ
せる等の事故を回避することができる。
【００２７】測定用端子導体は、空気ベアリング面を含
む媒体対向面以外の面の少なくとも一つに備えられるの
で、電気絶縁測定作業において、空気ベアリング面を傷
つけることもなくなる。
【００２８】更に、測定用端子導体を備えるので、測定
用端子導体と、第１及び第２のリード導体用端子導体と
の間に、適切な抵抗率または厚みを持つ導電膜を塗布す
ることにより、絶縁膜に対する電気的なダメージを回避
し得る。
【００２９】導電膜は、絶縁膜の電気絶縁性の測定工程
では除去しなければならない。導電性塗料として、例え
ば、有機溶剤等により除去可能なものは既に知られてい
る。従って、このような導電性塗料を用いて導電膜を形
成することにより、第１及び第２の絶縁膜の電気絶縁性
の測定工程で、導電膜を簡単に除去することができる。
【００３０】本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、上述した
バー状ヘッド集合体に切断加工を施し、個々の薄膜磁気
ヘッド要素毎に採り出すことによって得られる。得られ
た薄膜磁気ヘッドは、スライダと、少なくとも１つの電
磁変換素子とを含む。
【００３１】前記電磁変換素子は、第１のシールド膜
と、第１の絶縁膜と、磁気抵抗効果素子と、第１のリー
ド導体膜と、第２のリード導体膜と、第２の絶縁膜と、
第２のシールド膜と、第１のリード導体膜用端子導体
と、第２のリード導体膜用端子導体と、測定用端子導体
とを含んでいる。前記第１の絶縁膜は、前記第１のシー
ルド膜の上に備えられている。前記磁気抵抗効果素子
は、前記第１の絶縁膜の上に備えられている。
【００３２】前記第１のリード導体膜は、前記第１の絶
縁膜の上に設けられ、前記磁気抵抗効果素子の一端部に
接続されている。前記第２のリード導体膜は、前記第１
の絶縁膜の上に設けられ、前記磁気抵抗効果素子の他端
部に接続されている。前記第１のリード導体膜用端子導
体は、前記第１のリード導体膜に接続され、前記スライ
ダの媒体対向面とは異なる面に露出している。前記第２
のリード導体膜用端子導体は、前記第２のリード導体膜
に接続され、前記スライダの媒体対向面とは異なる面に
露出している。
【００３３】前記第２の絶縁膜は、前記第１のリード導
体膜、前記第２の導体膜及び前記磁気抵抗効果素子を覆
っている。前記第２のシールド膜は、前記第２の絶縁膜
の上に備えられている。前記測定用端子導体は、前記第
１または第２のシールド膜の少なくとも一方と導通し、
前記スライダの媒体対向面とは異なる面の少なくとも一
つに露出している。
【００３４】上述したように、本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドは、バー状ヘッド集合体から取り出される。従っ
て、バー状ヘッド集合体において述べた作用効果を奏す
ることは明らかである。
【００３５】本発明の他の目的、構成および効果につい
ては、実施の形態である添付図を参照して詳しく説明す
る。
【００３６】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係るバー状ヘッド
集合体の斜視図である。図示されたバー状薄膜磁気ヘッ
ドは、ウエハから切断加工によって取り出されたもので
ある。図示されたバー状ヘッド集合体は、５個の薄膜磁
気ヘッド要素Ａ１〜Ａ５を一方向に整列させてある。薄
膜磁気ヘッド要素Ａ１〜Ａ５の個数は任意であり、通常
は、５個よりも多い。
【００３７】図２は本発明に係るバー状ヘッド集合体の
別の例を示す図である。図示されたバー状ヘッド集合体
は、図１のバー状ヘッド集合体の更に進んだ加工状態を
示す。具体的には、媒体対向面に幾何学的形状付加のた
めの加工を施し、または、その後に、ラッピング工程を
施した後のバー状ヘッド集合体を示している。
【００３８】図３は図２に示したバー状ヘッド集合体の
部分拡大斜視図である。 図示されたバー状ヘッド集合
体において、薄膜磁気ヘッド要素Ａ１（及びＡ２〜Ａ
５）は、スライダとなる基体７００と、少なくとも１つ
の磁気抵抗効果素子９とを含む。図示実施例では、読み
取り素子となる磁気抵抗効果素子９の他、書き込み素子
となる誘導型電磁変換素子３３をも有する。
【００３９】スライダとなる基体７００は媒体対向面側
にレール部７９、８０を有し、レール部７９、８０の表
面が空気ベアリング面７５、７６として用いられる。レ
ール部７９、８０は２本に限らない。例えば、１〜３本
のレール部を有することがあり、レール部を持たない平
面となることもある。また、浮上特性改善等のために、
空気ベアリング面７５、７６に種々の幾何学的形状が付
されることもある。何れのタイプであっても、本発明の
適用が可能である。
【００４０】誘導型電磁変換素子３３及び磁気抵抗効果
素子９は、レール部７９、８０の空気流出側ＴＲ１に備
えられている。空気流出端側ＴＲ１とは反対側は空気流
入端側ＬＥとなる。図では、誘導型電磁変換素子３３及
び磁気抵抗効果素子９が、レール部７９、８０のそれぞ
れに備えられているが、レール部７９、８０の何れか一
方のみに備えられてもよい。空気流出側ＴＲ１には、誘
導型電磁変換素子３３のための端子導体（バンプ）４
３、４５と、磁気抵抗効果素子９のための端子導体（バ
ンプ）２５、２７と、測定用端子導体５７とが備えられ
ている。
【００４１】図４は図１、２に図示されたバー状ヘッド
集合体において、薄膜磁気ヘッド要素Ａ１〜Ａ５のそれ
ぞれに含まれる磁気変換素子部分の構造を示す斜視図、
図５は図４に示された磁気変換素子部分の構造から誘導
型電磁変換素子３３を除き導電部分だけを模式的に抽出
して示す平面図、図６は図５の６ー６線に沿った断面図
である。これらの図において、寸法は誇張されている。
【００４２】図５、６を参照すると、本発明に係るバー
状ヘッド集合体において、薄膜磁気ヘッド要素Ａ１〜Ａ
５のそれぞれは、第１のシールド膜３と、第１の絶縁膜
７１と、第１のリード導体膜１１と、第２のリード導体
膜１３と、第２の絶縁膜７２と、第２のシールド膜５
と、測定用端子導体５７とを含む。第１のシールド膜３
は、スライダとなる基体７００の上に設けられている。
第１シールド膜３の材質、厚み等は周知である。第１シ
ールド膜３は、例えばパーマロイ等によって構成され
る。
【００４３】第１の絶縁膜７１は第１のシールド膜３の
上に備えられている。第１の絶縁膜７１は例えばアルミ
ナ等によって構成される。その膜厚は、第１のシールド
膜３と比較して、著しく薄くなる。
【００４４】磁気抵抗効果素子９は第１の絶縁膜３の上
に備えられている。磁気抵抗効果素子９としては、磁気
異方性抵抗効果膜、スピンバルブ膜、ペロブスカイト型
磁性体を用いた巨大磁気抵抗効果素子、または、強磁性
トンネル接合効果素子等の各種の素子を用いることがで
きる。
【００４５】第１及び第２のリード導体膜１１、１３
は、第１の絶縁膜７１の上に設けられ、磁気低抗効果素
子９の両端部に接続されている。第１及び第２のリード
導体膜１１、１３は、磁気抵抗効果素子９として、磁気
異方性抵抗効果膜を用いるか、スピンバルブ膜構造を用
いるか、ペロブスカイト型磁性体による巨大磁気抵抗効
果素子を用いるか、または、強磁性トンネル接合効果素
子を用いるか等によって、それに応じた膜構造、材質等
を選択することができる。第１のリード導体膜１１は、
空気ベアリング面７５、７６を基準にして後方に引き出
され、リード導体１１０、１１１を経由して端子導体２
７に接続されている。第２のリード導体膜１３も、空気
ベアリング面７５、７６を基準にして後方に引き出さ
れ、リード導体１３０、１３１を経由して端端子導体２
５に接続されている。
【００４６】第２の絶縁膜７２は、第１のリード導体膜
１１、第２のリード導体膜１３及び磁気抵抗効果素子９
を覆っている。第２の絶縁膜７２の材質、膜厚等は、第
１の絶縁膜７１に準じて選択される。一般的には、第１
の絶縁膜７１と同様に、アルミナ膜で構成されており、
その膜厚は、第１のシールド膜３と比較して、著しく薄
い。
【００４７】第２のシールド膜５は、第２の絶縁膜７２
の上に備えられている。第２のシール膜５は、一般に
は、第１のシールド膜３と同様の材質、及び、膜厚を有
する。
【００４８】測定用端子導体５７は、第１または第２の
シールド膜３、５の少なくとも一方と導通している。即
ち、測定用端子導体５７は第１のシールド膜３のみと導
通し、または、第２のシールド膜５のみと導通し、また
は、第１及び第２のシールド膜３、５の両者と導通す
る。実施例では、空気ベアリング面７５、７６を基準に
して、後方側となる位置で、第１のシールド膜３と第２
のシールド膜５とを結合させると共に、その結合位置に
おいて、第２のシールド膜５の上に測定用端子導体５７
を積層してある。測定用端子導体５７は、スライダ７３
の媒体対向面とは異なる面において、外部に露出してい
る。測定用端子導体５７は、実施例では、空気流出側Ｔ
Ｒ１に露出させてあるが、他の面、例えば、媒体対向面
とは反対側の上面側に露出させてもよいし、上記面の２
つに露出させてもよい。薄膜磁気ヘッドの一般的構成と
して、磁気変換部分を覆うアルミナ等の保護膜２１があ
るので、測定用端子導体５７は保護膜２１の表面から外
部に露出するように備えられる。測定用端子導体５７
は、銅系の金属で構成することができる。好ましくは、
表面に金膜を付着させて、腐食を防ぐようにする。銅系
の金属とは、銅族の金属単体及び銅を含む合金をいう。
【００４９】上述したように、第１の絶縁膜７１は、第
１のシールド膜３の上に備えられており、第１の絶縁膜
７１の上に磁気低抗効果素子９、第１のリード導体膜１
１及び第２のリード導体膜１３が備えられているから、
磁気低抗効果素子９、第１のリード導体膜１１、及び、
第２のリード導体膜１３は、第１のシールド膜３によっ
てシールドされる共に、第１のシールド膜３から電気的
に絶縁される。
【００５０】第２の絶縁膜７２は、第１のリード導体膜
１１、第２のリード導体膜１３及び磁気低抗効果素子９
を覆っており、第２のシールド膜５は第２の絶縁膜７２
の上に備えられているから、磁気低抗効果素子９、第１
のリード導体膜１１及び第２のリード導体膜１３が、第
２のシールド膜５によってシールドされる共に、第２の
シールド膜５から電気的に絶縁される。
【００５１】測定用端子導体５７は、第１のシールド膜
３または第２のシールド膜５の少なくとも一方と導通し
ている。この構成によれば、測定用端子導体５７と、第
１のリード導体膜１１に備えられる端子導体２７、また
は、第２のリード導体膜１３に備えられる端子導体２５
とに、プローブを当てることにより、第１のシールド膜
３と、第１のリード導体膜１１または第２のリード導体
膜１３との間にある第１の絶縁膜７１の電気絶縁特性、
または、第２のシールド膜５と第１のリード導体膜１１
または第２のリード導体膜１３との間にある第２の絶縁
膜７２の電気絶縁特性を測定することができる。
【００５２】測定用端子導体５７は、スライダとなる基
体７００の面に露出しているから、スライダとなる基体
７００の面を利用して、測定用プローブを当てるのに適
切な平面積を確保することができるとともに、測定用プ
ローブを容易に接触させることができる。
【００５３】しかも、測定用端子導体５７は、スライダ
となる基体７００の媒体対向面とは異なる面に露出して
いるので、電気絶縁測定作業において、測定用プローブ
を、誤って、スライダとなる基体７００の空気ベアリン
グ面７５、７６に露出する第１のシールド膜３、第２の
シールド膜５または磁気低抗効果素子９の端面に接触さ
せる等の事故を完全に回避することができる。
【００５４】空気ベアリング面７５、７６は、所定の浮
上特性を確保するために、サブミクロン以下の高度の表
面性を保っていなければならない。本発明において、測
定用端子導体５７を空気ベアリング面７５、７６とは異
なる面に備えるので、電気絶縁測定作業において、プロ
ーブにより空気ベアリング面７５、７６を傷つけること
はなくなる。このため、浮上特性の変動を招くことがな
い。
【００５５】実施例に示すように、測定用端子導体５７
を、磁気抵抗効果素子９の端子導体２５、２７の設けら
れている空気流出側ＴＲ１に露出させた場合は、空気流
出側ＴＲ１上で測定用端子導体５７と、端子導体２５ま
たは２７とにプローブを接触させることができるので、
電気絶縁特性測定作業が容易になる。
【００５６】上記実施例では、書き込み素子として、誘
導型電磁変換素子３３を有する。誘導型電磁変換素子３
３の構造は周知である。典型的には、第２のシールド膜
５によって構成される第１の磁性膜、この第１の磁性膜
とともに薄膜磁気回路を構成する第２の磁性膜３５、コ
イル膜３７、アルミナ等でなるギャップ膜３９及び有機
樹脂で構成された絶縁膜４１などを有している。第１の
磁性膜５及び第２の磁性膜３５の先端部は微小厚みのギ
ャップ膜３９を隔てて対向する書き込みのためのポール
部４０を構成する。
【００５７】第１の磁性膜５及び第２の磁性膜３５は、
そのヨーク部がポール部４０とは反対側にあるバックギ
ャップ部４２において、磁気回路を完成するように互い
に結合されている。絶縁膜４１の上に、ヨーク部の結合
部のまわりを渦巻状にまわるように、コイル膜３７を形
成してある。コイル膜３７の両端は、端子導体４３、４
５に導通されている。図示では、第２のシールド膜５
を、第１の磁性膜として共用した例を示してあるが、第
２のシールド膜５から独立して、第１の磁性膜を備える
構造であってもよい。更に、実施例では、磁気抵抗効果
素子９の上に誘導型電磁変換素子３３を設けた例を示し
たが、誘導型電磁変換素子３３の上に磁気抵抗効果素子
９を設ける構造であってもよい。
【００５８】図７は本発明に係るバー状ヘッド集合体の
別の実施例における部分拡大斜視図である。この実施例
では、磁気抵抗効果素子９のリード導体１３に導通する
端子導体２５が露出している面、及び、測定用端子導体
５７が露出している面に、測定用端子導体５７及び端子
導体２５を電気的に導通させる導電膜６０が塗布されて
いる。このような構造であると、測定用端子導体５７に
導通する第１及び第のシールド膜３、５を、端子導体２
５に接続されたリード導体１３と等電位に保つことがで
きるから、ラッピング工程等において、第１及び第２の
絶縁膜７１、７２に対する電気的なダメージを回避し得
る。ラッピング工程には、スロートハイトＴＨ、また
は、ＭＲストライブ幅を画定するために、スライダとな
る基体７００の面７５、７６を研摩する工程等が含まれ
る。また、レール加工をするイオンビームエッチング工
程及びＤＬＣ保護膜の成膜工程等においても、第１及び
第２の絶縁膜７１、７２に対する電気的なダメージを回
避し得る。
【００５９】図示された実施例において、導電膜６０
は、端子導体２５の一部が露出するようなパターンにな
っている。このようなパターンであると、端子導体２５
にプローブを直接接触させ、または、ボンデングするこ
とができる。
【００６０】導電膜６０は、第１及び第２の絶縁膜７
１、７２の電気絶縁性の測定に当たって、除去しなけれ
ばならない。導電膜６０として、例えば、有機溶剤等に
より除去可能なものは、既に知られている。従って、第
１及び第２の絶縁膜７１、７２の電気絶縁性の測定に当
たり、この導電膜６０を簡単に除去し、電気絶縁測定を
行うことができる。
【００６１】導電膜６０は、導電性成分と、有機質ビヒ
クルと、溶剤とを混合した塗料を塗布することにより形
成することができる。このような導電膜６０は、有機溶
剤により溶解除去が可能である。
【００６２】また、導電膜６０は、ラッピング工程にお
いて、抵抗測定法による研摩量の検出を行う場合、研摩
量の検出に影響を与えない抵抗率または膜厚を持つこと
が好ましい。更に、導電膜６０は、研摩量検出に用いら
れる抵抗素子に接続されている一対の端子を互いに接続
することがないように、パターンニングする。
【００６３】図７は媒体対向面に必要な幾何学的形状を
付与した後のバー状ヘッド集合体に、導電膜６０を塗布
した例を示しているが、図１に示すバー状ヘッド集合体
の状態で、導電膜６０を塗布してあってもよい。
【００６４】図８は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視
図である。図８に示した薄膜磁気ヘッドは、図２に示し
たバー状ヘッド集合体から、薄膜磁気ヘッド要素Ａ１〜
Ａ５毎に分離するように、切断加工を施すことによって
得られたもので、バー状ヘッド集合体に含まれる磁気抵
抗効果素子９、及び、誘導型電磁変換素子３３を有す
る。従って、バー状ヘッド集合体において述べた作用効
果を奏することは明らかである。図中、参照符号Ｆ１は
空気流出方向である。
【００６５】図９は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの更に
別の実施例を示す斜視図である。図示された薄膜磁気ヘ
ッドでは、端子導体２５が露出している面、及び、測定
用端子導体５７が露出している面に、測定用端子導体５
７及び端子導体２５を電気的に導通させる導電膜６０が
塗布されている。このような構造であると、第１及び第
２の絶縁膜７１、７２の電気絶縁性を測定するプロセス
以外のプロセスにおいて、第１及び第２の絶縁膜７１、
７２（図６参照）に対する電気的なダメージを回避し得
る。図示された実施例において、導電膜６０は、端子導
体２５の一部が露出するようなパターンになっている。
このようなパターンであると、端子導体２５にプローブ
を直接接触させることができる。
【００６６】また、導電膜６０の抵抗を、薄膜磁気ヘッ
ドの再生特性に影響を与えない十分に高い値、例えば１
０ｋΩ以上に設定しておけば、磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドとして使用可能な特性を維持しつつ、第１及び第
２の絶縁膜７１、７２における電気的ダメージを回避す
ることができる。従って、導電膜６０を除去する必要は
なく、導電膜６０を有するままで、磁気ディスク装置に
組み込むことできる。この場合、導電膜６０は溶剤で除
去可能なものである必要はなく、むしろ、工程で使用さ
れる溶剤には非溶性の膜である方が望ましい。また、成
膜方法としては、塗布の他、プラズマを使用しないプロ
セス、例えば、金属ＣＶＤまたは蒸着等を採用すること
ができる。
【００６７】図１０は本発明に係る磁気ヘッド装置の一
部を示す正面図、図１１は図１０に示した磁気ヘッド装
置の底面図である。磁気ヘッド装置は、ヘッド支持装置
１０と、薄膜磁気ヘッド７０とを含んでいる。薄膜磁気
ヘッド７０は図１〜８を参照して説明にした本発明に係
る薄膜磁気ヘッドである。
【００６８】ヘッド支持装置１０は本発明に係る薄膜磁
気ヘッド７０を支持している。図示されたヘッド支持装
置１０は、金属薄板でなる支持体８３の長手方向の一端
にある自由端に、同じく金属薄板でなる可撓体８１を取
付け、この可撓体８１の下面に薄膜磁気ヘッド７０を取
付けた構造となっている。
【００６９】可撓体８１は、支持体８３の長手方向軸線
と略平行して伸びる２つの外側枠部８５、８６と、支持
体８３から離れた端において外側枠部８５、８６を連結
する横枠８７と、横枠８７の略中央部から外側枠部８
５、８６に略平行するように延びていて先端を自由端と
した舌状片９３とを有する。
【００７０】舌状片９３のほぼ中央部には、支持体８３
から***した、例えば半球状の荷重用突起７７が設けら
れている。この荷重用突起７７により、支持体８３の自
由端から舌状片９３へ荷重力が伝えられる。
【００７１】舌状片９３の下面に薄膜磁気ヘッド７０を
接着等の手段によって取付けてある。薄膜磁気ヘッド７
０は、空気流出側ＴＲ１が横枠８７の方向になるように
し、長さ方向がヘッド支持装置１０の長手方向に一致す
るように、舌状片９３に取付けられている。本発明に適
用可能なヘッド支持装置１０は、上記実施例に限らな
い。
【００７２】上述した磁気ヘッド装置は、本発明に係る
薄膜磁気ヘッド７０を用いているので、必要に応じて、
磁気抵抗効果素子を埋設してあるシールド膜間絶縁膜の
電気絶縁測定作業を行うことができる。この電気絶縁測
定作業は、極めて容易に実行し得る。しかも、電気絶縁
測定作業において、シールド膜、磁気抵抗効果素子及び
空気ベアリング面に損傷を与える恐れもない。
【００７３】上述した磁気ヘッド装置においても、薄膜
磁気ヘッド７０として、端子導体２５の露出している
面、及び、測定用端子導体５７の露出している面に、測
定用端子導体５７及び端子導体２５（または２７）を電
気的に導通させる導電膜が塗布されているものを用いる
ことができる。このような薄膜磁気ヘッドを用いること
により、第１及び第２の絶縁膜７１、７２の電気絶縁性
を測定するプロセス以外のプロセス、例えば、組立時ま
たは組立後の処理、操作または搬送時に、第１及び第２
の絶縁膜７１、７２（図６参照）に対する電気的なダメ
ージを回避し得る。導電膜は、第１及び第２の絶縁膜７
１、７２の電気絶縁性を測定する際、溶剤を用いて簡単
に除去することができる。
【００７４】図１２は本発明に係る磁気ヘッド装置を用
いた磁気ディスク装置の平面図を示す。本発明に係る磁
気ヘッド装置７４を用いることによって好ましい磁気デ
ィスク装置を得ることができる。磁気ディスク装置は、
磁気ヘッド装置７４と、少なくとも１枚の磁気ディスク
６３とを含む。
【００７５】磁気ヘッド装置７４は、図５、６に示した
ものでなり、図１〜４に示した本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドを有する。磁気ヘッド装置７４は、支持体１０の基
部が結合手段６５によって、位置決め装置６１に取り付
けられている。
【００７６】ディスク６３は、磁気ヘッド装置７４との
間で磁気記録及び再生を行う。より具体的には、磁気デ
ィスク６３は、図示しない駆動装置により、矢印Ｆ１の
方向に高速で回転駆動される。この高速回転により、可
撓体８１によって支持された磁気ヘツド７０に揚力動圧
が発生し、薄膜磁気ヘッド７０が微小隙間（浮上量）を
保って浮上する。薄膜磁気ヘッド７０は、位置決め装置
６１により、ｂ１方向またはｂ２方向へと、ディスク６
３のトラックをシークし、情報の記録再生を行う。
【００７７】上述した磁気ディスク装置は、本発明に係
る薄膜磁気ヘッド７０を用いた磁気ヘッド装置７４を含
むので、必要に応じて、磁気抵抗効果素子を埋設してあ
るシールド膜間絶縁膜の電気絶縁測定作業を行うことが
できる。この電気絶縁測定作業は、極めて容易に実行し
得る。しかも、電気絶縁測定作業において、シールド
膜、磁気抵抗効果素子及び空気ベアリング面に損傷を与
える恐れもない。
【００７８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）磁気抵抗効果素子を埋設してあるシールド膜間絶
縁膜の電気絶縁測定作業を極めて容易に実行し得るバー
状ヘッド集合体、薄膜磁気ヘッド、それを用いた磁気ヘ
ッド装置、及び、磁気ディスク装置を提供することがで
きる。 （ｂ）磁気抵抗効果素子を埋設してあるシールド膜間絶
縁膜の電気絶縁測定作業において、シールド膜、磁気抵
抗効果素子及び空気ベアリング面に損傷を与える恐れの
ない薄膜磁気ヘッド、それを用いた磁気ヘッド装置、及
び、磁気ディスク装置を提供することができる。 （ｃ）絶縁膜の電気絶縁性の測定以外の工程において、
絶縁膜に対する電気的なダメージを回避し得るバー状ヘ
ッド集合体、薄膜磁気ヘッド、それを用いた磁気ヘッド
装置を提供することができる。 （ｄ）絶縁膜の電気絶縁性の測定工程では、絶縁膜に対
する電気的なダメージを回避するために設けた手段を、
簡単に取り除けるバー状ヘッド集合体、薄膜磁気ヘッ
ド、それを用いた磁気ヘッド装置を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るバー状ヘッド集合体の斜視図であ
る。
【図２】本発明に係るバー状ヘッド集合体の別の例を示
す図である。
【図３】図２に示したバー状ヘッド集合体の部分拡大斜
視図である。
【図４】図１、２に図示されたバー状ヘッド集合体にお
いて、薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれに含まれる磁気変
換素子部分の構造を示す斜視図である。
【図５】図４に示された磁気変換素子部分の構造から誘
導型電磁変換素子を除き導電部分だけを模式的に抽出し
て示す平面図である。
【図６】図４の６ー６線に沿った断面図である。
【図７】本発明に係るバー状ヘッド集合体の別の例を示
す部分拡大斜視図である。
【図８】本発明に係る薄膜磁気ヘッドを示す斜視図であ
る。
【図９】本発明に係る磁気ヘッド装置を示す斜視図であ
る。
【図１０】本発明に係る磁気ヘッド装置の一部を示す正
面図である。
【図１１】図１０に示した磁気ヘッド装置の底面図であ
る。
【図１２】本発明に係る磁気ディスク装置の平面図であ
る。
【符号の説明】
３ 第１のシールド膜 ５ 第２のシールド膜 ９ 磁気抵抗効果素子 １１ 第１のリード導体 １３ 第２のリード導体 ５７ 測定用端子導体 ７１ 第１の絶縁膜 ７２ 第２の絶縁膜
フロントページの続き (72)発明者 佐藤 順一 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 5D034 BA03 BA08 BB08 BB12 DA07 5D042 NA02 PA05 PA09 QA04 TA05

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の薄膜磁気ヘッド要素を一方向に整
    列させたバー状ヘッド集合体であって、 前記薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、少なくとも一つ
    の電磁変換素子を含んでおり、 前記電磁変換素子は、第１のシールド膜と、第１の絶縁
    膜と、磁気抵抗効果素子と、第１のリード導体膜と、第
    ２のリード導体膜と、第２の絶縁膜と、第２のシールド
    膜と、第１のリード導体膜用端子導体と、第２のリード
    導体膜用端子導体と、測定用端子導体とを含んでおり、 前記第１の絶縁膜は、前記第１のシールド膜の上に備え
    られており、 前記磁気抵抗効果素子は、前記第１の絶縁膜の上に備え
    られており、 前記第１のリード導体膜は、前記第１の絶縁膜の上に設
    けられ、前記磁気抵抗効果素子の一端部に接続されてお
    り、 前記第２のリード導体膜は、前記第１の絶縁膜の上に設
    けられ、前記磁気抵抗効果素子の他端部に接続されてお
    り、 前記第１のリード導体膜用端子導体は、前記第１のリー
    ド導体膜に接続され、前記スライダの媒体対向面とは異
    なる面に露出しており、 前記第２のリード導体膜用端子導体は、前記第２のリー
    ド導体膜に接続され、前記スライダの媒体対向面とは異
    なる面に露出しており、 前記第２の絶縁膜は、前記第１のリード導体膜、前記第
    ２の導体膜及び前記磁気抵抗効果素子を覆っており、 前記第２のシールド膜は、前記第２の絶縁膜の上に備え
    られており、 前記測定用端子導体は、前記第１または第２のシールド
    膜の少なくとも一方と導通し、前記スライダの媒体対向
    面とは異なる面の少なくとも一つに露出しているバー状
    ヘッド集合体。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載されたバー状ヘッド集合
    体であって、 少なくとも、前記第１及び第２のリード導体膜用端子導
    体が露出している面、及び、前記測定用端子導体が露出
    している面に、前記第１及び第２のリード導体膜用端子
    導体の少なくとも一方と、前記測定用端子導体とを電気
    的に導通させる導電膜を有するバー状ヘッド集合体。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載されたバー状ヘッド集合
    体であって、 前記導電膜は、溶剤により除去可能であるバー状ヘッド
    集合体。
  4. 【請求項４】 請求項２に記載されたバー状ヘッド集合
    体であって、 前記導電膜は、工程で使用される溶剤には非溶性である
    バー状ヘッド集合体。
  5. 【請求項５】 請求項４に記載されたバー状ヘッド集合
    体であって、 前記導電膜は、ラッピング工程において抵抗測定法によ
    る研摩量の検出を行う際、研摩量の検出に影響を与えな
    い抵抗率または抵抗値を持つバー状ヘッド集合体。
  6. 【請求項６】 請求項１乃至５の何れかに記載されたバ
    ー状ヘッド集合体であって、 前記磁気抵抗効果素子は、スピンバルブ膜構造を有する
    バー状ヘッド集合体。
  7. 【請求項７】 請求項１乃至５の何れかに記載されたバ
    ー状ヘッド集合体であって、 前記磁気抵抗効果素子は、ペロブスカイト型磁性体を含
    む巨大磁気抵抗効果素子であるバー状ヘッド集合体。
  8. 【請求項８】 請求項１乃至５の何れかに記載されたバ
    ー状ヘッド集合体であって、 前記磁気抵抗効果素子は、強磁性トンネル接合素子であ
    るバー状ヘッド集合体。
  9. 【請求項９】 請求項１乃至８の何れかに記載されたバ
    ー状ヘッド集合体であって、 更に、誘導型電磁変換素子を含むバー状ヘッド集合体。
  10. 【請求項１０】 請求項９に記載されたバー状ヘッド集
    合体であって、 前記誘導型電磁変換素子は、前記第２のシールド膜を磁
    気回路の一部として利用するバー状ヘッド集合体。
  11. 【請求項１１】 スライダと、少なくとも１つの電磁変
    換素子とを含む薄膜磁気ヘッドであって、 前記電磁変換素子は、第１のシールド膜と、第１の絶縁
    膜と、磁気抵抗効果素子と、第１のリード導体膜と、第
    ２のリード導体膜と、第２の絶縁膜と、第２のシールド
    膜と、第１のリード導体膜用端子導体と、第２のリード
    導体膜用端子導体と、測定用端子導体とを含んでおり、 前記第１の絶縁膜は、前記第１のシールド膜の上に備え
    られており、 前記磁気抵抗効果素子は、前記第１の絶縁膜の上に備え
    られており、 記第１のリード導体膜は、前記第１の絶縁膜の上に設け
    られ、前記磁気抵抗効果素子の一端部に接続されてお
    り、 前記第２のリード導体膜は、前記第１の絶縁膜の上に設
    けられ、前記磁気抵抗効果素子の他端部に接続されてお
    り、 前記第１のリード導体膜用端子導体は、前記第１のリー
    ド導体膜に接続され、前記スライダの媒体対向面とは異
    なる面に露出しており、 前記第２のリード導体膜用端子導体は、前記第２のリー
    ド導体膜に接続され、前記スライダの媒体対向面とは異
    なる面に露出しており、 前記第２の絶縁膜は、前記第１のリード導体膜、前記第
    ２の導体膜及び前記磁気抵抗効果素子を覆っており、 前記第２のシールド膜は、前記第２の絶縁膜の上に備え
    られており、 前記測定用端子導体は、前記第１または第２のシールド
    膜の少なくとも一方と導通し、前記スライダの媒体対向
    面とは異なる面の少なくとも一つに露出している薄膜磁
    気ヘッド。
  12. 【請求項１２】 請求項１１に記載された薄膜磁気ヘッ
    ドであって、 前記測定用端子導体は、前記スライダの空気流出側端面
    に露出している薄膜磁気ヘッド。
  13. 【請求項１３】 請求項１１または１２の何れかに記載
    された薄膜磁気ヘッドであって、 少なくとも、前記第１及び第２のリード導体膜用端子導
    体が露出している面、及び、前記測定用端子導体が露出
    している面に、前記第１及び第２のリード導体膜用端子
    導体の少なくとも一方と、前記測定用端子導体とを電気
    的に導通させる導電膜を有する薄膜磁気ヘッド。
  14. 【請求項１４】 請求項１３に記載された薄膜磁気ヘッ
    ドであって、 前記導電膜は、溶剤により除去可能である薄膜磁気ヘッ
    ド。
  15. 【請求項１５】 請求項１３に記載された薄膜磁気ヘッ
    ドであって、 前記導電膜は、その電気抵抗値が、当該薄膜磁気ヘッド
    の再生特性に影響を与えない十分に高い値に設定されて
    いる薄膜磁気ヘッド。
  16. 【請求項１６】 請求項１５に記載された薄膜磁気ヘッ
    ドであって、 前記導電膜は、その電気抵抗値が１０ｋΩ以上である薄
    膜磁気ヘッド。
  17. 【請求項１７】 請求項１１乃至１６の何れかに記載さ
    れた薄膜磁気ヘッドであって、 前記磁気抵抗効果素子は、スピンバルブ膜構造を有する
    薄膜磁気ヘッド。
  18. 【請求項１８】 請求項１１乃至１６の何れかに記載さ
    れた薄膜磁気ヘッドであって、 前記磁気抵抗効果素子は、ペロブスカイト型磁性体を含
    む巨大磁気抵抗効果素子である薄膜磁気ヘッド。
  19. 【請求項１９】 請求項１１乃至１６の何れかに記載さ
    れた薄膜磁気ヘッドであって、 前記磁気抵抗効果素子は、強磁性トンネル接合素子であ
    る薄膜磁気ヘッド。
  20. 【請求項２０】 請求項１１乃至１９の何れかに記載さ
    れた薄膜磁気ヘッドであって、 更に、誘導型電磁変換素子を含む薄膜磁気ヘッド。
  21. 【請求項２１】 請求項２０に記載された薄膜磁気ヘッ
    ドであって、 前記誘導型電磁変換素子は、前記第２のシールド膜を磁
    気回路の一部として利用する薄膜磁気ヘッド。
  22. 【請求項２２】 薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置と
    を含む磁気ヘッド装置であって、 前記薄膜磁気ヘッドは、請求項１１乃至２１の何れかに
    記載されたものであり、 前記ヘッド支持装置は、前記薄膜磁気ヘッドを支持して
    いる磁気ヘッド装置。
  23. 【請求項２３】 磁気ヘッド装置と、少なくとも１枚の
    磁気ディスクとを含む磁気ディスク装置であって、 前記磁気ヘッド装置は、請求項２２に記載されたもので
    あり、 前記磁気ディスクは、前記磁気ヘッド装置との間で磁気
    記録及び再生を行う磁気ディスク装置。
JP2000163069A 1999-07-14 2000-05-31 バー状ヘッド集合体、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置 Pending JP2001084537A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000163069A JP2001084537A (ja) 1999-07-14 2000-05-31 バー状ヘッド集合体、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置
US09/610,289 US6445551B1 (en) 1999-07-14 2000-07-05 Bar-shaped head aggregation, a thin film magnetic head, a magnetic head device and a magnetic disk driving device

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19990099 1999-07-14
JP11-199900 1999-07-14
JP2000163069A JP2001084537A (ja) 1999-07-14 2000-05-31 バー状ヘッド集合体、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001084537A true JP2001084537A (ja) 2001-03-30

Family

ID=26511825

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000163069A Pending JP2001084537A (ja) 1999-07-14 2000-05-31 バー状ヘッド集合体、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6445551B1 (ja)
JP (1) JP2001084537A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6633459B2 (en) * 2000-06-20 2003-10-14 Seagate Technology Llc Functional recording-head on-slider lap monitor

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005122818A (ja) * 2003-10-16 2005-05-12 Headway Technol Inc 薄膜磁気ヘッド、これを用いた磁気記録装置及びその製造方法
US7360301B2 (en) * 2003-10-20 2008-04-22 Headway Technologies, Inc. Method of manufacturing a thin film magnetic head

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69322717T2 (de) * 1992-09-11 1999-05-06 Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo Hochkorrosionsbeständiges Metall, Verfahren und Vorrichtung zu seiner Herstellung und seine Verwendung
JPH0778309A (ja) * 1993-07-14 1995-03-20 Sony Corp 薄膜磁気ヘッド及び磁気抵抗効果型磁気ヘッド並びに複合型磁気ヘッド
JPH08293108A (ja) 1995-04-21 1996-11-05 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘッド
JPH09223304A (ja) * 1996-02-15 1997-08-26 Tdk Corp 磁気ヘッド装置
US6084752A (en) * 1996-02-22 2000-07-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thin film magnetic head
JP3520170B2 (ja) * 1996-04-02 2004-04-19 Ｔｄｋ株式会社 複合型薄膜磁気ヘッド
US6047462A (en) * 1996-04-02 2000-04-11 Tdk Corporation Method of making a combined type thin film magnetic head
JP3090254B2 (ja) * 1996-09-06 2000-09-18 ティーディーケイ株式会社 薄膜磁気ヘッド
JPH10228607A (ja) * 1997-02-14 1998-08-25 Fujitsu Ltd 磁気ヘッドとその製造方法及び磁気記憶装置
JP3237751B2 (ja) * 1997-04-11 2001-12-10 ティーディーケイ株式会社 磁気ヘッド
JP3528511B2 (ja) * 1997-04-14 2004-05-17 松下電器産業株式会社 薄膜磁気ヘッド
JPH11353615A (ja) * 1998-06-10 1999-12-24 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6633459B2 (en) * 2000-06-20 2003-10-14 Seagate Technology Llc Functional recording-head on-slider lap monitor

Also Published As

Publication number Publication date
US6445551B1 (en) 2002-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100295288B1 (ko) 실드된자기터널접합부자기저항판독헤드
KR100271142B1 (ko) 자속 가이드로서의 감지층을 갖는 자기 터널 접합부 자기 저항판독 헤드
KR100295289B1 (ko) 후방자속가이드로서의감지층을갖는자기터널접합부자기저항판독헤드
US7209328B2 (en) Magnetic read head and hard disk drive
US7151651B1 (en) Slider-level reader isolation measurement technique for advanced GMR heads
US7660082B2 (en) TMR element having a tunnel barrier which includes crystalline portions and non-crystalline portions
US7436633B2 (en) Thin-film magnetic head, head gimbal assembly and hard disk system
US7542236B2 (en) Head slider, head gimbal assembly, and hard disk dirve
US6538861B1 (en) Magnetoresistive head having ferromagnetic tunnel junction film with a smaller resistance at a terminal portion than a central portion, magnetic resistance detection system with the magnetoresistive head and a magnetic storage system using it
US20080102316A1 (en) Magneto-resistive magnetic read head and storage apparatus using the same magnetic read head
JP2001176027A (ja) 磁気抵抗効果ヘッド及びこれを用いた磁気記憶装置
JP2008059705A (ja) 垂直通電型磁気ヘッド並びにその製造方法、ヘッドサスペンション組立体及び磁気記録装置。
JP2007334934A (ja) 積層体の研磨量検出素子、ウエファー、および積層体の研磨方法
US7489481B2 (en) CCP Head having leads of substantially the same size and shape and not intervening between a shield layer and a MR element
US7161772B2 (en) Removable ESD protection device using diodes
JP2003060262A (ja) 磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気ヘッド及びヘッドサスペンションアセンブリ
US6504689B1 (en) Tunnel junction read head with flux guide coupled to and magnetically extending a recessed free layer to an air bearing surface
US6538857B1 (en) Read head with N-cycle switch for electrostatic discharge (ESD) protection
US20020044392A1 (en) Method of shunting and deshunting a magnetic read element during assembly
US6542340B1 (en) Magnetoresistance element, manufacturing method thereof, magnetic field detection system and magnetic recording system
EP0573155B1 (en) Magnetoresistive transducer conductor configuration
KR100378559B1 (ko) 자기저항 소자, 그 제조 방법, 자계 검출 시스템 및 자기기록 시스템
KR100502752B1 (ko) 자기 저항 소자 , 자기 저항 헤드, 및 자기기록/재생 장치
KR100377841B1 (ko) 자기 저항 소자, 헤드, 검출 시스템 및 자기 기억 시스템
JP2001084537A (ja) バー状ヘッド集合体、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050706

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060706

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060712

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20061213