JP2001084537A - バー状ヘッド集合体、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置 - Google Patents
バー状ヘッド集合体、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置Info
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- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】磁気抵抗効果素子を埋設してあるシールド膜間
絶縁膜の電気絶縁測定作業を極めて容易に実行し得る薄
膜磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】第1の絶縁膜71は第1のシールド膜3の
上に備えられる。磁気抵抗効果素子9は第1の絶縁膜3
の上に備えられる。第1及び第2のリード導体膜11、
13は、第1の絶縁膜71の上に設けられ、磁気低抗効
果素子9の両端部に接続されている。第2の絶縁膜72
は、第1のリード導体膜11、第2のリード導体膜13
及び磁気抵抗効果素子9を覆っており、第2のシールド
膜5は第2の絶縁膜72の上に備えられている。測定用
端子導体57は第1または第2のシールド膜3、5の少
なくとも一方と導通し、媒体対向面とは異なる面に露出
する。
絶縁膜の電気絶縁測定作業を極めて容易に実行し得る薄
膜磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】第1の絶縁膜71は第1のシールド膜3の
上に備えられる。磁気抵抗効果素子9は第1の絶縁膜3
の上に備えられる。第1及び第2のリード導体膜11、
13は、第1の絶縁膜71の上に設けられ、磁気低抗効
果素子9の両端部に接続されている。第2の絶縁膜72
は、第1のリード導体膜11、第2のリード導体膜13
及び磁気抵抗効果素子9を覆っており、第2のシールド
膜5は第2の絶縁膜72の上に備えられている。測定用
端子導体57は第1または第2のシールド膜3、5の少
なくとも一方と導通し、媒体対向面とは異なる面に露出
する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、バー状ヘッド集合
体、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク
装置に関する。
体、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドの製造に当たっては、ウ
エハ上で薄膜素子を形成した後、ウエハを切断して、バ
ー状ヘッド集合体を取出す。バー状ヘッド集合体は複数
の薄膜磁気ヘッド要素を一方向に整列させた構造を持
つ。このバー状ヘッド集合体の媒体対向面に必要な幾何
学的形状を付与するための加工を施し、更に、ラッピン
グ工程等を実行した後、バー状ヘッド集合体に切断加工
を施し、薄膜磁気ヘッド要素毎に取り出して、薄膜磁気
ヘッドを得る。
エハ上で薄膜素子を形成した後、ウエハを切断して、バ
ー状ヘッド集合体を取出す。バー状ヘッド集合体は複数
の薄膜磁気ヘッド要素を一方向に整列させた構造を持
つ。このバー状ヘッド集合体の媒体対向面に必要な幾何
学的形状を付与するための加工を施し、更に、ラッピン
グ工程等を実行した後、バー状ヘッド集合体に切断加工
を施し、薄膜磁気ヘッド要素毎に取り出して、薄膜磁気
ヘッドを得る。
【0003】磁気異方性抵抗効果素子、スピンバルブ膜
もしくはペロブスカイト型磁性体を用いた巨大磁気抵抗
効果素子、または、強磁性トンネル接合効果素子等でな
る磁気抵抗効果素子を、読み取り素子として用いたバー
状ヘッド集合体または薄膜磁気ヘッドでは、磁気抵抗効
果素子及びそのリード導体膜を、アルミナ等でなる絶縁
膜に埋設した構造になっている。絶縁膜の両側には第1
のシールド膜及び第2のシールド膜が備えられている。
もしくはペロブスカイト型磁性体を用いた巨大磁気抵抗
効果素子、または、強磁性トンネル接合効果素子等でな
る磁気抵抗効果素子を、読み取り素子として用いたバー
状ヘッド集合体または薄膜磁気ヘッドでは、磁気抵抗効
果素子及びそのリード導体膜を、アルミナ等でなる絶縁
膜に埋設した構造になっている。絶縁膜の両側には第1
のシールド膜及び第2のシールド膜が備えられている。
【0004】上記構造において、リード導体膜と、第1
のシールド膜または第2のシールド膜との間に存在する
絶縁膜に、絶縁劣化または絶縁破壊等が発生すると、電
気雑音が大きくなったり、あるいは電磁変換特性が悪化
する等の問題を生じる。
のシールド膜または第2のシールド膜との間に存在する
絶縁膜に、絶縁劣化または絶縁破壊等が発生すると、電
気雑音が大きくなったり、あるいは電磁変換特性が悪化
する等の問題を生じる。
【0005】そのような不良品の薄膜磁気ヘッド要素ま
たは薄膜磁気ヘッドを検査によって見分けるために、薄
膜磁気ヘッド、及び、バー状ヘッド集合体は、電気絶縁
特性測定作業に付されなければならない。電気絶縁特性
測定作業を行う場合、従来のバー状ヘッド集合体、また
は、薄膜磁気ヘッドでは、スライダの空気ベアリング面
に現れている第1または第2のシールド膜の端面、及
び、スライダの空気流出側端面にあるリード導体膜の端
子導体(バンプ)にプローブを当てて検査する必要があ
った。
たは薄膜磁気ヘッドを検査によって見分けるために、薄
膜磁気ヘッド、及び、バー状ヘッド集合体は、電気絶縁
特性測定作業に付されなければならない。電気絶縁特性
測定作業を行う場合、従来のバー状ヘッド集合体、また
は、薄膜磁気ヘッドでは、スライダの空気ベアリング面
に現れている第1または第2のシールド膜の端面、及
び、スライダの空気流出側端面にあるリード導体膜の端
子導体(バンプ)にプローブを当てて検査する必要があ
った。
【0006】しかし、スライダの空気ベアリング面に現
れているシールド膜の膜厚は極めて薄いから、シールド
膜の端面にプローブを当てること自体、困難を極める。
れているシールド膜の膜厚は極めて薄いから、シールド
膜の端面にプローブを当てること自体、困難を極める。
【0007】しかも、極微小な薄膜磁気ヘッド要素また
は薄膜磁気ヘッドにおいて、2面を特定し、検査可能な
方向に位置決めする作業も容易ではない。このような困
難な位置決め作業の後に、異なる2面にまたがり、プロ
ーブを当てなければならない。この作業も困難を極め
る。
は薄膜磁気ヘッドにおいて、2面を特定し、検査可能な
方向に位置決めする作業も容易ではない。このような困
難な位置決め作業の後に、異なる2面にまたがり、プロ
ーブを当てなければならない。この作業も困難を極め
る。
【0008】更に、シールド膜の露出端面は、磁気抵抗
効果素子の露出端面と、極微小の距離を隔てているだけ
であるから、シールド膜の露出端面に押し当てるべきプ
ローブが、誤って、シールド膜または磁気抵抗効果素子
の端面に当ってしまい、磁気抵抗効果素子を傷つけてし
まうこともある。
効果素子の露出端面と、極微小の距離を隔てているだけ
であるから、シールド膜の露出端面に押し当てるべきプ
ローブが、誤って、シールド膜または磁気抵抗効果素子
の端面に当ってしまい、磁気抵抗効果素子を傷つけてし
まうこともある。
【0009】また、サブミクロン以下の高い表面性を保
っていなければならない空気ベアリング面に、プローブ
による擦過傷を生じさせ、浮上特性に悪影響を与えるこ
ともある。
っていなければならない空気ベアリング面に、プローブ
による擦過傷を生じさせ、浮上特性に悪影響を与えるこ
ともある。
【0010】特開平8ー293018号公報は、ウエハ
工程の間はリード導体膜とシールド膜との間の電気的接
続を維持し、ウエハ工程終了後に両者間の電気的接続を
切断する技術を開示している。
工程の間はリード導体膜とシールド膜との間の電気的接
続を維持し、ウエハ工程終了後に両者間の電気的接続を
切断する技術を開示している。
【0011】しかしこの先行技術は、ウエハ工程におけ
る絶縁膜の絶縁劣化または絶縁破壊等を防止する手段を
開示するだけであって、薄膜磁気ヘッド、及び、バー状
ヘッド集合体において、シールド膜間絶縁膜の電気絶縁
特性を測定するに当たっては、上述した測定手段を取ら
ざるを得ない。
る絶縁膜の絶縁劣化または絶縁破壊等を防止する手段を
開示するだけであって、薄膜磁気ヘッド、及び、バー状
ヘッド集合体において、シールド膜間絶縁膜の電気絶縁
特性を測定するに当たっては、上述した測定手段を取ら
ざるを得ない。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、磁気
抵抗効果素子を埋設してあるシールド膜間絶縁膜の電気
絶縁測定作業を極めて容易に実行し得るバー状ヘッド集
合体、薄膜磁気ヘッド、それを用いた磁気ヘッド装置、
及び、磁気ディスク装置を提供することである。
抵抗効果素子を埋設してあるシールド膜間絶縁膜の電気
絶縁測定作業を極めて容易に実行し得るバー状ヘッド集
合体、薄膜磁気ヘッド、それを用いた磁気ヘッド装置、
及び、磁気ディスク装置を提供することである。
【0013】本発明のもう一つの課題は、磁気抵抗効果
素子を埋設してあるシールド膜間絶縁膜の電気絶縁測定
作業において、シールド膜、磁気抵抗効果素子及び空気
ベアリング面に損傷を与える恐れのないバー状ヘッド集
合体、薄膜磁気ヘッド、それを用いた磁気ヘッド装置、
及び、磁気ディスク装置を提供することである。
素子を埋設してあるシールド膜間絶縁膜の電気絶縁測定
作業において、シールド膜、磁気抵抗効果素子及び空気
ベアリング面に損傷を与える恐れのないバー状ヘッド集
合体、薄膜磁気ヘッド、それを用いた磁気ヘッド装置、
及び、磁気ディスク装置を提供することである。
【0014】本発明の更にもう一つの課題は、絶縁膜の
電気絶縁性の測定以外の工程において、絶縁膜に対する
電気的なダメージを回避し得るバー状ヘッド集合体、薄
膜磁気ヘッド、それを用いた磁気ヘッド装置を提供する
ことである。
電気絶縁性の測定以外の工程において、絶縁膜に対する
電気的なダメージを回避し得るバー状ヘッド集合体、薄
膜磁気ヘッド、それを用いた磁気ヘッド装置を提供する
ことである。
【0015】本発明の更にもう一つの課題は、絶縁膜の
電気絶縁性の測定工程では、絶縁膜に対する電気的なダ
メージを回避するために設けた手段を、簡単に取り除け
るバー状ヘッド集合体、薄膜磁気ヘッド、それを用いた
磁気ヘッド装置を提供することである。
電気絶縁性の測定工程では、絶縁膜に対する電気的なダ
メージを回避するために設けた手段を、簡単に取り除け
るバー状ヘッド集合体、薄膜磁気ヘッド、それを用いた
磁気ヘッド装置を提供することである。
【0016】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、複数の薄膜磁気ヘッド要素を一方向に整
列させたバー状ヘッド集合体において、前記薄膜磁気ヘ
ッド要素のそれぞれは、少なくとも一つの電磁変換素子
を含んでいる。
め、本発明は、複数の薄膜磁気ヘッド要素を一方向に整
列させたバー状ヘッド集合体において、前記薄膜磁気ヘ
ッド要素のそれぞれは、少なくとも一つの電磁変換素子
を含んでいる。
【0017】前記電磁変換素子は、第1のシールド膜
と、第1の絶縁膜と、磁気抵抗効果素子と、第1のリー
ド導体膜と、第2のリード導体膜と、第2の絶縁膜と、
第2のシールド膜と、第1のリード導体膜用端子導体
と、第2のリード導体膜用端子導体と、測定用端子導体
とを含んむ。
と、第1の絶縁膜と、磁気抵抗効果素子と、第1のリー
ド導体膜と、第2のリード導体膜と、第2の絶縁膜と、
第2のシールド膜と、第1のリード導体膜用端子導体
と、第2のリード導体膜用端子導体と、測定用端子導体
とを含んむ。
【0018】前記第1の絶縁膜は、前記第1のシールド
膜の上に備えられている。前記磁気抵抗効果素子は、前
記第1の絶縁膜の上に備えられている。前記第1のリー
ド導体膜は、前記第1の絶縁膜の上に設けられ、前記磁
気抵抗効果素子の一端部に接続されている。前記第2の
リード導体膜は、前記第1の絶縁膜の上に設けられ、前
記磁気抵抗効果素子の他端部に接続されている。
膜の上に備えられている。前記磁気抵抗効果素子は、前
記第1の絶縁膜の上に備えられている。前記第1のリー
ド導体膜は、前記第1の絶縁膜の上に設けられ、前記磁
気抵抗効果素子の一端部に接続されている。前記第2の
リード導体膜は、前記第1の絶縁膜の上に設けられ、前
記磁気抵抗効果素子の他端部に接続されている。
【0019】前記第1のリード導体膜用端子導体は、前
記第1のリード導体膜に接続され、前記スライダの媒体
対向面とは異なる面に露出している。前記第2のリード
導体膜用端子導体は、前記第2のリード導体膜に接続さ
れ、前記スライダの媒体対向面とは異なる面に露出して
いる。
記第1のリード導体膜に接続され、前記スライダの媒体
対向面とは異なる面に露出している。前記第2のリード
導体膜用端子導体は、前記第2のリード導体膜に接続さ
れ、前記スライダの媒体対向面とは異なる面に露出して
いる。
【0020】前記第2の絶縁膜は、前記第1のリード導
体膜、前記第2の導体膜及び前記磁気抵抗効果素子を覆
う。前記第2のシールド膜は、前記第2の絶縁膜の上に
備えられている。
体膜、前記第2の導体膜及び前記磁気抵抗効果素子を覆
う。前記第2のシールド膜は、前記第2の絶縁膜の上に
備えられている。
【0021】前記測定用端子導体は、前記第1または第
2のシールド膜の少なくとも一方と導通し、前記スライ
ダの媒体対向面とは異なる面の少なくとも一つに露出し
ている。
2のシールド膜の少なくとも一方と導通し、前記スライ
ダの媒体対向面とは異なる面の少なくとも一つに露出し
ている。
【0022】上述したように、第1の絶縁膜は、第1の
シールド膜の上に備えられており、第1の絶縁膜の上に
磁気抵抗効果素子、第1のリード導体膜及び第2のリー
ド導体膜が備えられているから、磁気抵抗効果素子並び
に第1及び第2のリード導体膜は第1のシールド膜によ
ってシールドされると共に、第1のシールド膜から電気
的に絶縁される。
シールド膜の上に備えられており、第1の絶縁膜の上に
磁気抵抗効果素子、第1のリード導体膜及び第2のリー
ド導体膜が備えられているから、磁気抵抗効果素子並び
に第1及び第2のリード導体膜は第1のシールド膜によ
ってシールドされると共に、第1のシールド膜から電気
的に絶縁される。
【0023】第2の絶縁膜は、第1のリード導体膜、第
2のリード導体膜及び磁気抵抗効果素子を覆っており、
第2のシールド膜は第2の絶縁膜の上に備えられている
から、磁気抵抗効果素子並びに第1及び第2のリード導
体膜が、第2のシールド膜によってシールドされる共
に、第2のシールド膜から電気的に絶縁される。
2のリード導体膜及び磁気抵抗効果素子を覆っており、
第2のシールド膜は第2の絶縁膜の上に備えられている
から、磁気抵抗効果素子並びに第1及び第2のリード導
体膜が、第2のシールド膜によってシールドされる共
に、第2のシールド膜から電気的に絶縁される。
【0024】測定用端子導体は、第1または第2のシー
ルド膜の少なくとも一方と導通している。即ち、測定用
端子導体は第1のシールド膜のみと導通し、または、第
2のシールド膜のみと導通し、または、第1及び第2の
シールド膜の両者と導通する。上記構成によれば、測定
用端子導体と、第1及び第2のリード導体膜に備えられ
た第1及び第2のリード導体膜用端子導体(バンプ)と
に、プローブを当てることにより、第1または第2のシ
ールド膜の少なくとも一方と、第1または第2のリード
導体膜との間にある第1の絶縁膜または第2の絶縁膜の
電気絶縁特性を測定することができる。
ルド膜の少なくとも一方と導通している。即ち、測定用
端子導体は第1のシールド膜のみと導通し、または、第
2のシールド膜のみと導通し、または、第1及び第2の
シールド膜の両者と導通する。上記構成によれば、測定
用端子導体と、第1及び第2のリード導体膜に備えられ
た第1及び第2のリード導体膜用端子導体(バンプ)と
に、プローブを当てることにより、第1または第2のシ
ールド膜の少なくとも一方と、第1または第2のリード
導体膜との間にある第1の絶縁膜または第2の絶縁膜の
電気絶縁特性を測定することができる。
【0025】測定用端子導体は、スライダとなる基体の
面に露出しているから、基体の面を利用して、測定用端
子導体を接触させるのに十分な平面積を確保することが
できるとともに、測定用プローブを容易に接触させるこ
とができる。
面に露出しているから、基体の面を利用して、測定用端
子導体を接触させるのに十分な平面積を確保することが
できるとともに、測定用プローブを容易に接触させるこ
とができる。
【0026】しかも、測定用端子導体は、スライダとな
る基体の媒体対向面とは異なる面に露出しているので、
電気絶縁測定作業において、測定用プローブを、誤っ
て、シールド膜または磁気抵抗効果素子の端面に接触さ
せる等の事故を回避することができる。
る基体の媒体対向面とは異なる面に露出しているので、
電気絶縁測定作業において、測定用プローブを、誤っ
て、シールド膜または磁気抵抗効果素子の端面に接触さ
せる等の事故を回避することができる。
【0027】測定用端子導体は、空気ベアリング面を含
む媒体対向面以外の面の少なくとも一つに備えられるの
で、電気絶縁測定作業において、空気ベアリング面を傷
つけることもなくなる。
む媒体対向面以外の面の少なくとも一つに備えられるの
で、電気絶縁測定作業において、空気ベアリング面を傷
つけることもなくなる。
【0028】更に、測定用端子導体を備えるので、測定
用端子導体と、第1及び第2のリード導体用端子導体と
の間に、適切な抵抗率または厚みを持つ導電膜を塗布す
ることにより、絶縁膜に対する電気的なダメージを回避
し得る。
用端子導体と、第1及び第2のリード導体用端子導体と
の間に、適切な抵抗率または厚みを持つ導電膜を塗布す
ることにより、絶縁膜に対する電気的なダメージを回避
し得る。
【0029】導電膜は、絶縁膜の電気絶縁性の測定工程
では除去しなければならない。導電性塗料として、例え
ば、有機溶剤等により除去可能なものは既に知られてい
る。従って、このような導電性塗料を用いて導電膜を形
成することにより、第1及び第2の絶縁膜の電気絶縁性
の測定工程で、導電膜を簡単に除去することができる。
では除去しなければならない。導電性塗料として、例え
ば、有機溶剤等により除去可能なものは既に知られてい
る。従って、このような導電性塗料を用いて導電膜を形
成することにより、第1及び第2の絶縁膜の電気絶縁性
の測定工程で、導電膜を簡単に除去することができる。
【0030】本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、上述した
バー状ヘッド集合体に切断加工を施し、個々の薄膜磁気
ヘッド要素毎に採り出すことによって得られる。得られ
た薄膜磁気ヘッドは、スライダと、少なくとも1つの電
磁変換素子とを含む。
バー状ヘッド集合体に切断加工を施し、個々の薄膜磁気
ヘッド要素毎に採り出すことによって得られる。得られ
た薄膜磁気ヘッドは、スライダと、少なくとも1つの電
磁変換素子とを含む。
【0031】前記電磁変換素子は、第1のシールド膜
と、第1の絶縁膜と、磁気抵抗効果素子と、第1のリー
ド導体膜と、第2のリード導体膜と、第2の絶縁膜と、
第2のシールド膜と、第1のリード導体膜用端子導体
と、第2のリード導体膜用端子導体と、測定用端子導体
とを含んでいる。前記第1の絶縁膜は、前記第1のシー
ルド膜の上に備えられている。前記磁気抵抗効果素子
は、前記第1の絶縁膜の上に備えられている。
と、第1の絶縁膜と、磁気抵抗効果素子と、第1のリー
ド導体膜と、第2のリード導体膜と、第2の絶縁膜と、
第2のシールド膜と、第1のリード導体膜用端子導体
と、第2のリード導体膜用端子導体と、測定用端子導体
とを含んでいる。前記第1の絶縁膜は、前記第1のシー
ルド膜の上に備えられている。前記磁気抵抗効果素子
は、前記第1の絶縁膜の上に備えられている。
【0032】前記第1のリード導体膜は、前記第1の絶
縁膜の上に設けられ、前記磁気抵抗効果素子の一端部に
接続されている。前記第2のリード導体膜は、前記第1
の絶縁膜の上に設けられ、前記磁気抵抗効果素子の他端
部に接続されている。前記第1のリード導体膜用端子導
体は、前記第1のリード導体膜に接続され、前記スライ
ダの媒体対向面とは異なる面に露出している。前記第2
のリード導体膜用端子導体は、前記第2のリード導体膜
に接続され、前記スライダの媒体対向面とは異なる面に
露出している。
縁膜の上に設けられ、前記磁気抵抗効果素子の一端部に
接続されている。前記第2のリード導体膜は、前記第1
の絶縁膜の上に設けられ、前記磁気抵抗効果素子の他端
部に接続されている。前記第1のリード導体膜用端子導
体は、前記第1のリード導体膜に接続され、前記スライ
ダの媒体対向面とは異なる面に露出している。前記第2
のリード導体膜用端子導体は、前記第2のリード導体膜
に接続され、前記スライダの媒体対向面とは異なる面に
露出している。
【0033】前記第2の絶縁膜は、前記第1のリード導
体膜、前記第2の導体膜及び前記磁気抵抗効果素子を覆
っている。前記第2のシールド膜は、前記第2の絶縁膜
の上に備えられている。前記測定用端子導体は、前記第
1または第2のシールド膜の少なくとも一方と導通し、
前記スライダの媒体対向面とは異なる面の少なくとも一
つに露出している。
体膜、前記第2の導体膜及び前記磁気抵抗効果素子を覆
っている。前記第2のシールド膜は、前記第2の絶縁膜
の上に備えられている。前記測定用端子導体は、前記第
1または第2のシールド膜の少なくとも一方と導通し、
前記スライダの媒体対向面とは異なる面の少なくとも一
つに露出している。
【0034】上述したように、本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドは、バー状ヘッド集合体から取り出される。従っ
て、バー状ヘッド集合体において述べた作用効果を奏す
ることは明らかである。
ッドは、バー状ヘッド集合体から取り出される。従っ
て、バー状ヘッド集合体において述べた作用効果を奏す
ることは明らかである。
【0035】本発明の他の目的、構成および効果につい
ては、実施の形態である添付図を参照して詳しく説明す
る。
ては、実施の形態である添付図を参照して詳しく説明す
る。
【0036】
【発明の実施の形態】図1は本発明に係るバー状ヘッド
集合体の斜視図である。図示されたバー状薄膜磁気ヘッ
ドは、ウエハから切断加工によって取り出されたもので
ある。図示されたバー状ヘッド集合体は、5個の薄膜磁
気ヘッド要素A1〜A5を一方向に整列させてある。薄
膜磁気ヘッド要素A1〜A5の個数は任意であり、通常
は、5個よりも多い。
集合体の斜視図である。図示されたバー状薄膜磁気ヘッ
ドは、ウエハから切断加工によって取り出されたもので
ある。図示されたバー状ヘッド集合体は、5個の薄膜磁
気ヘッド要素A1〜A5を一方向に整列させてある。薄
膜磁気ヘッド要素A1〜A5の個数は任意であり、通常
は、5個よりも多い。
【0037】図2は本発明に係るバー状ヘッド集合体の
別の例を示す図である。図示されたバー状ヘッド集合体
は、図1のバー状ヘッド集合体の更に進んだ加工状態を
示す。具体的には、媒体対向面に幾何学的形状付加のた
めの加工を施し、または、その後に、ラッピング工程を
施した後のバー状ヘッド集合体を示している。
別の例を示す図である。図示されたバー状ヘッド集合体
は、図1のバー状ヘッド集合体の更に進んだ加工状態を
示す。具体的には、媒体対向面に幾何学的形状付加のた
めの加工を施し、または、その後に、ラッピング工程を
施した後のバー状ヘッド集合体を示している。
【0038】図3は図2に示したバー状ヘッド集合体の
部分拡大斜視図である。 図示されたバー状ヘッド集合
体において、薄膜磁気ヘッド要素A1(及びA2〜A
5)は、スライダとなる基体700と、少なくとも1つ
の磁気抵抗効果素子9とを含む。図示実施例では、読み
取り素子となる磁気抵抗効果素子9の他、書き込み素子
となる誘導型電磁変換素子33をも有する。
部分拡大斜視図である。 図示されたバー状ヘッド集合
体において、薄膜磁気ヘッド要素A1(及びA2〜A
5)は、スライダとなる基体700と、少なくとも1つ
の磁気抵抗効果素子9とを含む。図示実施例では、読み
取り素子となる磁気抵抗効果素子9の他、書き込み素子
となる誘導型電磁変換素子33をも有する。
【0039】スライダとなる基体700は媒体対向面側
にレール部79、80を有し、レール部79、80の表
面が空気ベアリング面75、76として用いられる。レ
ール部79、80は2本に限らない。例えば、1〜3本
のレール部を有することがあり、レール部を持たない平
面となることもある。また、浮上特性改善等のために、
空気ベアリング面75、76に種々の幾何学的形状が付
されることもある。何れのタイプであっても、本発明の
適用が可能である。
にレール部79、80を有し、レール部79、80の表
面が空気ベアリング面75、76として用いられる。レ
ール部79、80は2本に限らない。例えば、1〜3本
のレール部を有することがあり、レール部を持たない平
面となることもある。また、浮上特性改善等のために、
空気ベアリング面75、76に種々の幾何学的形状が付
されることもある。何れのタイプであっても、本発明の
適用が可能である。
【0040】誘導型電磁変換素子33及び磁気抵抗効果
素子9は、レール部79、80の空気流出側TR1に備
えられている。空気流出端側TR1とは反対側は空気流
入端側LEとなる。図では、誘導型電磁変換素子33及
び磁気抵抗効果素子9が、レール部79、80のそれぞ
れに備えられているが、レール部79、80の何れか一
方のみに備えられてもよい。空気流出側TR1には、誘
導型電磁変換素子33のための端子導体(バンプ)4
3、45と、磁気抵抗効果素子9のための端子導体(バ
ンプ)25、27と、測定用端子導体57とが備えられ
ている。
素子9は、レール部79、80の空気流出側TR1に備
えられている。空気流出端側TR1とは反対側は空気流
入端側LEとなる。図では、誘導型電磁変換素子33及
び磁気抵抗効果素子9が、レール部79、80のそれぞ
れに備えられているが、レール部79、80の何れか一
方のみに備えられてもよい。空気流出側TR1には、誘
導型電磁変換素子33のための端子導体(バンプ)4
3、45と、磁気抵抗効果素子9のための端子導体(バ
ンプ)25、27と、測定用端子導体57とが備えられ
ている。
【0041】図4は図1、2に図示されたバー状ヘッド
集合体において、薄膜磁気ヘッド要素A1〜A5のそれ
ぞれに含まれる磁気変換素子部分の構造を示す斜視図、
図5は図4に示された磁気変換素子部分の構造から誘導
型電磁変換素子33を除き導電部分だけを模式的に抽出
して示す平面図、図6は図5の6ー6線に沿った断面図
である。これらの図において、寸法は誇張されている。
集合体において、薄膜磁気ヘッド要素A1〜A5のそれ
ぞれに含まれる磁気変換素子部分の構造を示す斜視図、
図5は図4に示された磁気変換素子部分の構造から誘導
型電磁変換素子33を除き導電部分だけを模式的に抽出
して示す平面図、図6は図5の6ー6線に沿った断面図
である。これらの図において、寸法は誇張されている。
【0042】図5、6を参照すると、本発明に係るバー
状ヘッド集合体において、薄膜磁気ヘッド要素A1〜A
5のそれぞれは、第1のシールド膜3と、第1の絶縁膜
71と、第1のリード導体膜11と、第2のリード導体
膜13と、第2の絶縁膜72と、第2のシールド膜5
と、測定用端子導体57とを含む。第1のシールド膜3
は、スライダとなる基体700の上に設けられている。
第1シールド膜3の材質、厚み等は周知である。第1シ
ールド膜3は、例えばパーマロイ等によって構成され
る。
状ヘッド集合体において、薄膜磁気ヘッド要素A1〜A
5のそれぞれは、第1のシールド膜3と、第1の絶縁膜
71と、第1のリード導体膜11と、第2のリード導体
膜13と、第2の絶縁膜72と、第2のシールド膜5
と、測定用端子導体57とを含む。第1のシールド膜3
は、スライダとなる基体700の上に設けられている。
第1シールド膜3の材質、厚み等は周知である。第1シ
ールド膜3は、例えばパーマロイ等によって構成され
る。
【0043】第1の絶縁膜71は第1のシールド膜3の
上に備えられている。第1の絶縁膜71は例えばアルミ
ナ等によって構成される。その膜厚は、第1のシールド
膜3と比較して、著しく薄くなる。
上に備えられている。第1の絶縁膜71は例えばアルミ
ナ等によって構成される。その膜厚は、第1のシールド
膜3と比較して、著しく薄くなる。
【0044】磁気抵抗効果素子9は第1の絶縁膜3の上
に備えられている。磁気抵抗効果素子9としては、磁気
異方性抵抗効果膜、スピンバルブ膜、ペロブスカイト型
磁性体を用いた巨大磁気抵抗効果素子、または、強磁性
トンネル接合効果素子等の各種の素子を用いることがで
きる。
に備えられている。磁気抵抗効果素子9としては、磁気
異方性抵抗効果膜、スピンバルブ膜、ペロブスカイト型
磁性体を用いた巨大磁気抵抗効果素子、または、強磁性
トンネル接合効果素子等の各種の素子を用いることがで
きる。
【0045】第1及び第2のリード導体膜11、13
は、第1の絶縁膜71の上に設けられ、磁気低抗効果素
子9の両端部に接続されている。第1及び第2のリード
導体膜11、13は、磁気抵抗効果素子9として、磁気
異方性抵抗効果膜を用いるか、スピンバルブ膜構造を用
いるか、ペロブスカイト型磁性体による巨大磁気抵抗効
果素子を用いるか、または、強磁性トンネル接合効果素
子を用いるか等によって、それに応じた膜構造、材質等
を選択することができる。第1のリード導体膜11は、
空気ベアリング面75、76を基準にして後方に引き出
され、リード導体110、111を経由して端子導体2
7に接続されている。第2のリード導体膜13も、空気
ベアリング面75、76を基準にして後方に引き出さ
れ、リード導体130、131を経由して端端子導体2
5に接続されている。
は、第1の絶縁膜71の上に設けられ、磁気低抗効果素
子9の両端部に接続されている。第1及び第2のリード
導体膜11、13は、磁気抵抗効果素子9として、磁気
異方性抵抗効果膜を用いるか、スピンバルブ膜構造を用
いるか、ペロブスカイト型磁性体による巨大磁気抵抗効
果素子を用いるか、または、強磁性トンネル接合効果素
子を用いるか等によって、それに応じた膜構造、材質等
を選択することができる。第1のリード導体膜11は、
空気ベアリング面75、76を基準にして後方に引き出
され、リード導体110、111を経由して端子導体2
7に接続されている。第2のリード導体膜13も、空気
ベアリング面75、76を基準にして後方に引き出さ
れ、リード導体130、131を経由して端端子導体2
5に接続されている。
【0046】第2の絶縁膜72は、第1のリード導体膜
11、第2のリード導体膜13及び磁気抵抗効果素子9
を覆っている。第2の絶縁膜72の材質、膜厚等は、第
1の絶縁膜71に準じて選択される。一般的には、第1
の絶縁膜71と同様に、アルミナ膜で構成されており、
その膜厚は、第1のシールド膜3と比較して、著しく薄
い。
11、第2のリード導体膜13及び磁気抵抗効果素子9
を覆っている。第2の絶縁膜72の材質、膜厚等は、第
1の絶縁膜71に準じて選択される。一般的には、第1
の絶縁膜71と同様に、アルミナ膜で構成されており、
その膜厚は、第1のシールド膜3と比較して、著しく薄
い。
【0047】第2のシールド膜5は、第2の絶縁膜72
の上に備えられている。第2のシール膜5は、一般に
は、第1のシールド膜3と同様の材質、及び、膜厚を有
する。
の上に備えられている。第2のシール膜5は、一般に
は、第1のシールド膜3と同様の材質、及び、膜厚を有
する。
【0048】測定用端子導体57は、第1または第2の
シールド膜3、5の少なくとも一方と導通している。即
ち、測定用端子導体57は第1のシールド膜3のみと導
通し、または、第2のシールド膜5のみと導通し、また
は、第1及び第2のシールド膜3、5の両者と導通す
る。実施例では、空気ベアリング面75、76を基準に
して、後方側となる位置で、第1のシールド膜3と第2
のシールド膜5とを結合させると共に、その結合位置に
おいて、第2のシールド膜5の上に測定用端子導体57
を積層してある。測定用端子導体57は、スライダ73
の媒体対向面とは異なる面において、外部に露出してい
る。測定用端子導体57は、実施例では、空気流出側T
R1に露出させてあるが、他の面、例えば、媒体対向面
とは反対側の上面側に露出させてもよいし、上記面の2
つに露出させてもよい。薄膜磁気ヘッドの一般的構成と
して、磁気変換部分を覆うアルミナ等の保護膜21があ
るので、測定用端子導体57は保護膜21の表面から外
部に露出するように備えられる。測定用端子導体57
は、銅系の金属で構成することができる。好ましくは、
表面に金膜を付着させて、腐食を防ぐようにする。銅系
の金属とは、銅族の金属単体及び銅を含む合金をいう。
シールド膜3、5の少なくとも一方と導通している。即
ち、測定用端子導体57は第1のシールド膜3のみと導
通し、または、第2のシールド膜5のみと導通し、また
は、第1及び第2のシールド膜3、5の両者と導通す
る。実施例では、空気ベアリング面75、76を基準に
して、後方側となる位置で、第1のシールド膜3と第2
のシールド膜5とを結合させると共に、その結合位置に
おいて、第2のシールド膜5の上に測定用端子導体57
を積層してある。測定用端子導体57は、スライダ73
の媒体対向面とは異なる面において、外部に露出してい
る。測定用端子導体57は、実施例では、空気流出側T
R1に露出させてあるが、他の面、例えば、媒体対向面
とは反対側の上面側に露出させてもよいし、上記面の2
つに露出させてもよい。薄膜磁気ヘッドの一般的構成と
して、磁気変換部分を覆うアルミナ等の保護膜21があ
るので、測定用端子導体57は保護膜21の表面から外
部に露出するように備えられる。測定用端子導体57
は、銅系の金属で構成することができる。好ましくは、
表面に金膜を付着させて、腐食を防ぐようにする。銅系
の金属とは、銅族の金属単体及び銅を含む合金をいう。
【0049】上述したように、第1の絶縁膜71は、第
1のシールド膜3の上に備えられており、第1の絶縁膜
71の上に磁気低抗効果素子9、第1のリード導体膜1
1及び第2のリード導体膜13が備えられているから、
磁気低抗効果素子9、第1のリード導体膜11、及び、
第2のリード導体膜13は、第1のシールド膜3によっ
てシールドされる共に、第1のシールド膜3から電気的
に絶縁される。
1のシールド膜3の上に備えられており、第1の絶縁膜
71の上に磁気低抗効果素子9、第1のリード導体膜1
1及び第2のリード導体膜13が備えられているから、
磁気低抗効果素子9、第1のリード導体膜11、及び、
第2のリード導体膜13は、第1のシールド膜3によっ
てシールドされる共に、第1のシールド膜3から電気的
に絶縁される。
【0050】第2の絶縁膜72は、第1のリード導体膜
11、第2のリード導体膜13及び磁気低抗効果素子9
を覆っており、第2のシールド膜5は第2の絶縁膜72
の上に備えられているから、磁気低抗効果素子9、第1
のリード導体膜11及び第2のリード導体膜13が、第
2のシールド膜5によってシールドされる共に、第2の
シールド膜5から電気的に絶縁される。
11、第2のリード導体膜13及び磁気低抗効果素子9
を覆っており、第2のシールド膜5は第2の絶縁膜72
の上に備えられているから、磁気低抗効果素子9、第1
のリード導体膜11及び第2のリード導体膜13が、第
2のシールド膜5によってシールドされる共に、第2の
シールド膜5から電気的に絶縁される。
【0051】測定用端子導体57は、第1のシールド膜
3または第2のシールド膜5の少なくとも一方と導通し
ている。この構成によれば、測定用端子導体57と、第
1のリード導体膜11に備えられる端子導体27、また
は、第2のリード導体膜13に備えられる端子導体25
とに、プローブを当てることにより、第1のシールド膜
3と、第1のリード導体膜11または第2のリード導体
膜13との間にある第1の絶縁膜71の電気絶縁特性、
または、第2のシールド膜5と第1のリード導体膜11
または第2のリード導体膜13との間にある第2の絶縁
膜72の電気絶縁特性を測定することができる。
3または第2のシールド膜5の少なくとも一方と導通し
ている。この構成によれば、測定用端子導体57と、第
1のリード導体膜11に備えられる端子導体27、また
は、第2のリード導体膜13に備えられる端子導体25
とに、プローブを当てることにより、第1のシールド膜
3と、第1のリード導体膜11または第2のリード導体
膜13との間にある第1の絶縁膜71の電気絶縁特性、
または、第2のシールド膜5と第1のリード導体膜11
または第2のリード導体膜13との間にある第2の絶縁
膜72の電気絶縁特性を測定することができる。
【0052】測定用端子導体57は、スライダとなる基
体700の面に露出しているから、スライダとなる基体
700の面を利用して、測定用プローブを当てるのに適
切な平面積を確保することができるとともに、測定用プ
ローブを容易に接触させることができる。
体700の面に露出しているから、スライダとなる基体
700の面を利用して、測定用プローブを当てるのに適
切な平面積を確保することができるとともに、測定用プ
ローブを容易に接触させることができる。
【0053】しかも、測定用端子導体57は、スライダ
となる基体700の媒体対向面とは異なる面に露出して
いるので、電気絶縁測定作業において、測定用プローブ
を、誤って、スライダとなる基体700の空気ベアリン
グ面75、76に露出する第1のシールド膜3、第2の
シールド膜5または磁気低抗効果素子9の端面に接触さ
せる等の事故を完全に回避することができる。
となる基体700の媒体対向面とは異なる面に露出して
いるので、電気絶縁測定作業において、測定用プローブ
を、誤って、スライダとなる基体700の空気ベアリン
グ面75、76に露出する第1のシールド膜3、第2の
シールド膜5または磁気低抗効果素子9の端面に接触さ
せる等の事故を完全に回避することができる。
【0054】空気ベアリング面75、76は、所定の浮
上特性を確保するために、サブミクロン以下の高度の表
面性を保っていなければならない。本発明において、測
定用端子導体57を空気ベアリング面75、76とは異
なる面に備えるので、電気絶縁測定作業において、プロ
ーブにより空気ベアリング面75、76を傷つけること
はなくなる。このため、浮上特性の変動を招くことがな
い。
上特性を確保するために、サブミクロン以下の高度の表
面性を保っていなければならない。本発明において、測
定用端子導体57を空気ベアリング面75、76とは異
なる面に備えるので、電気絶縁測定作業において、プロ
ーブにより空気ベアリング面75、76を傷つけること
はなくなる。このため、浮上特性の変動を招くことがな
い。
【0055】実施例に示すように、測定用端子導体57
を、磁気抵抗効果素子9の端子導体25、27の設けら
れている空気流出側TR1に露出させた場合は、空気流
出側TR1上で測定用端子導体57と、端子導体25ま
たは27とにプローブを接触させることができるので、
電気絶縁特性測定作業が容易になる。
を、磁気抵抗効果素子9の端子導体25、27の設けら
れている空気流出側TR1に露出させた場合は、空気流
出側TR1上で測定用端子導体57と、端子導体25ま
たは27とにプローブを接触させることができるので、
電気絶縁特性測定作業が容易になる。
【0056】上記実施例では、書き込み素子として、誘
導型電磁変換素子33を有する。誘導型電磁変換素子3
3の構造は周知である。典型的には、第2のシールド膜
5によって構成される第1の磁性膜、この第1の磁性膜
とともに薄膜磁気回路を構成する第2の磁性膜35、コ
イル膜37、アルミナ等でなるギャップ膜39及び有機
樹脂で構成された絶縁膜41などを有している。第1の
磁性膜5及び第2の磁性膜35の先端部は微小厚みのギ
ャップ膜39を隔てて対向する書き込みのためのポール
部40を構成する。
導型電磁変換素子33を有する。誘導型電磁変換素子3
3の構造は周知である。典型的には、第2のシールド膜
5によって構成される第1の磁性膜、この第1の磁性膜
とともに薄膜磁気回路を構成する第2の磁性膜35、コ
イル膜37、アルミナ等でなるギャップ膜39及び有機
樹脂で構成された絶縁膜41などを有している。第1の
磁性膜5及び第2の磁性膜35の先端部は微小厚みのギ
ャップ膜39を隔てて対向する書き込みのためのポール
部40を構成する。
【0057】第1の磁性膜5及び第2の磁性膜35は、
そのヨーク部がポール部40とは反対側にあるバックギ
ャップ部42において、磁気回路を完成するように互い
に結合されている。絶縁膜41の上に、ヨーク部の結合
部のまわりを渦巻状にまわるように、コイル膜37を形
成してある。コイル膜37の両端は、端子導体43、4
5に導通されている。図示では、第2のシールド膜5
を、第1の磁性膜として共用した例を示してあるが、第
2のシールド膜5から独立して、第1の磁性膜を備える
構造であってもよい。更に、実施例では、磁気抵抗効果
素子9の上に誘導型電磁変換素子33を設けた例を示し
たが、誘導型電磁変換素子33の上に磁気抵抗効果素子
9を設ける構造であってもよい。
そのヨーク部がポール部40とは反対側にあるバックギ
ャップ部42において、磁気回路を完成するように互い
に結合されている。絶縁膜41の上に、ヨーク部の結合
部のまわりを渦巻状にまわるように、コイル膜37を形
成してある。コイル膜37の両端は、端子導体43、4
5に導通されている。図示では、第2のシールド膜5
を、第1の磁性膜として共用した例を示してあるが、第
2のシールド膜5から独立して、第1の磁性膜を備える
構造であってもよい。更に、実施例では、磁気抵抗効果
素子9の上に誘導型電磁変換素子33を設けた例を示し
たが、誘導型電磁変換素子33の上に磁気抵抗効果素子
9を設ける構造であってもよい。
【0058】図7は本発明に係るバー状ヘッド集合体の
別の実施例における部分拡大斜視図である。この実施例
では、磁気抵抗効果素子9のリード導体13に導通する
端子導体25が露出している面、及び、測定用端子導体
57が露出している面に、測定用端子導体57及び端子
導体25を電気的に導通させる導電膜60が塗布されて
いる。このような構造であると、測定用端子導体57に
導通する第1及び第のシールド膜3、5を、端子導体2
5に接続されたリード導体13と等電位に保つことがで
きるから、ラッピング工程等において、第1及び第2の
絶縁膜71、72に対する電気的なダメージを回避し得
る。ラッピング工程には、スロートハイトTH、また
は、MRストライブ幅を画定するために、スライダとな
る基体700の面75、76を研摩する工程等が含まれ
る。また、レール加工をするイオンビームエッチング工
程及びDLC保護膜の成膜工程等においても、第1及び
第2の絶縁膜71、72に対する電気的なダメージを回
避し得る。
別の実施例における部分拡大斜視図である。この実施例
では、磁気抵抗効果素子9のリード導体13に導通する
端子導体25が露出している面、及び、測定用端子導体
57が露出している面に、測定用端子導体57及び端子
導体25を電気的に導通させる導電膜60が塗布されて
いる。このような構造であると、測定用端子導体57に
導通する第1及び第のシールド膜3、5を、端子導体2
5に接続されたリード導体13と等電位に保つことがで
きるから、ラッピング工程等において、第1及び第2の
絶縁膜71、72に対する電気的なダメージを回避し得
る。ラッピング工程には、スロートハイトTH、また
は、MRストライブ幅を画定するために、スライダとな
る基体700の面75、76を研摩する工程等が含まれ
る。また、レール加工をするイオンビームエッチング工
程及びDLC保護膜の成膜工程等においても、第1及び
第2の絶縁膜71、72に対する電気的なダメージを回
避し得る。
【0059】図示された実施例において、導電膜60
は、端子導体25の一部が露出するようなパターンにな
っている。このようなパターンであると、端子導体25
にプローブを直接接触させ、または、ボンデングするこ
とができる。
は、端子導体25の一部が露出するようなパターンにな
っている。このようなパターンであると、端子導体25
にプローブを直接接触させ、または、ボンデングするこ
とができる。
【0060】導電膜60は、第1及び第2の絶縁膜7
1、72の電気絶縁性の測定に当たって、除去しなけれ
ばならない。導電膜60として、例えば、有機溶剤等に
より除去可能なものは、既に知られている。従って、第
1及び第2の絶縁膜71、72の電気絶縁性の測定に当
たり、この導電膜60を簡単に除去し、電気絶縁測定を
行うことができる。
1、72の電気絶縁性の測定に当たって、除去しなけれ
ばならない。導電膜60として、例えば、有機溶剤等に
より除去可能なものは、既に知られている。従って、第
1及び第2の絶縁膜71、72の電気絶縁性の測定に当
たり、この導電膜60を簡単に除去し、電気絶縁測定を
行うことができる。
【0061】導電膜60は、導電性成分と、有機質ビヒ
クルと、溶剤とを混合した塗料を塗布することにより形
成することができる。このような導電膜60は、有機溶
剤により溶解除去が可能である。
クルと、溶剤とを混合した塗料を塗布することにより形
成することができる。このような導電膜60は、有機溶
剤により溶解除去が可能である。
【0062】また、導電膜60は、ラッピング工程にお
いて、抵抗測定法による研摩量の検出を行う場合、研摩
量の検出に影響を与えない抵抗率または膜厚を持つこと
が好ましい。更に、導電膜60は、研摩量検出に用いら
れる抵抗素子に接続されている一対の端子を互いに接続
することがないように、パターンニングする。
いて、抵抗測定法による研摩量の検出を行う場合、研摩
量の検出に影響を与えない抵抗率または膜厚を持つこと
が好ましい。更に、導電膜60は、研摩量検出に用いら
れる抵抗素子に接続されている一対の端子を互いに接続
することがないように、パターンニングする。
【0063】図7は媒体対向面に必要な幾何学的形状を
付与した後のバー状ヘッド集合体に、導電膜60を塗布
した例を示しているが、図1に示すバー状ヘッド集合体
の状態で、導電膜60を塗布してあってもよい。
付与した後のバー状ヘッド集合体に、導電膜60を塗布
した例を示しているが、図1に示すバー状ヘッド集合体
の状態で、導電膜60を塗布してあってもよい。
【0064】図8は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視
図である。図8に示した薄膜磁気ヘッドは、図2に示し
たバー状ヘッド集合体から、薄膜磁気ヘッド要素A1〜
A5毎に分離するように、切断加工を施すことによって
得られたもので、バー状ヘッド集合体に含まれる磁気抵
抗効果素子9、及び、誘導型電磁変換素子33を有す
る。従って、バー状ヘッド集合体において述べた作用効
果を奏することは明らかである。図中、参照符号F1は
空気流出方向である。
図である。図8に示した薄膜磁気ヘッドは、図2に示し
たバー状ヘッド集合体から、薄膜磁気ヘッド要素A1〜
A5毎に分離するように、切断加工を施すことによって
得られたもので、バー状ヘッド集合体に含まれる磁気抵
抗効果素子9、及び、誘導型電磁変換素子33を有す
る。従って、バー状ヘッド集合体において述べた作用効
果を奏することは明らかである。図中、参照符号F1は
空気流出方向である。
【0065】図9は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの更に
別の実施例を示す斜視図である。図示された薄膜磁気ヘ
ッドでは、端子導体25が露出している面、及び、測定
用端子導体57が露出している面に、測定用端子導体5
7及び端子導体25を電気的に導通させる導電膜60が
塗布されている。このような構造であると、第1及び第
2の絶縁膜71、72の電気絶縁性を測定するプロセス
以外のプロセスにおいて、第1及び第2の絶縁膜71、
72(図6参照)に対する電気的なダメージを回避し得
る。図示された実施例において、導電膜60は、端子導
体25の一部が露出するようなパターンになっている。
このようなパターンであると、端子導体25にプローブ
を直接接触させることができる。
別の実施例を示す斜視図である。図示された薄膜磁気ヘ
ッドでは、端子導体25が露出している面、及び、測定
用端子導体57が露出している面に、測定用端子導体5
7及び端子導体25を電気的に導通させる導電膜60が
塗布されている。このような構造であると、第1及び第
2の絶縁膜71、72の電気絶縁性を測定するプロセス
以外のプロセスにおいて、第1及び第2の絶縁膜71、
72(図6参照)に対する電気的なダメージを回避し得
る。図示された実施例において、導電膜60は、端子導
体25の一部が露出するようなパターンになっている。
このようなパターンであると、端子導体25にプローブ
を直接接触させることができる。
【0066】また、導電膜60の抵抗を、薄膜磁気ヘッ
ドの再生特性に影響を与えない十分に高い値、例えば1
0kΩ以上に設定しておけば、磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドとして使用可能な特性を維持しつつ、第1及び第
2の絶縁膜71、72における電気的ダメージを回避す
ることができる。従って、導電膜60を除去する必要は
なく、導電膜60を有するままで、磁気ディスク装置に
組み込むことできる。この場合、導電膜60は溶剤で除
去可能なものである必要はなく、むしろ、工程で使用さ
れる溶剤には非溶性の膜である方が望ましい。また、成
膜方法としては、塗布の他、プラズマを使用しないプロ
セス、例えば、金属CVDまたは蒸着等を採用すること
ができる。
ドの再生特性に影響を与えない十分に高い値、例えば1
0kΩ以上に設定しておけば、磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドとして使用可能な特性を維持しつつ、第1及び第
2の絶縁膜71、72における電気的ダメージを回避す
ることができる。従って、導電膜60を除去する必要は
なく、導電膜60を有するままで、磁気ディスク装置に
組み込むことできる。この場合、導電膜60は溶剤で除
去可能なものである必要はなく、むしろ、工程で使用さ
れる溶剤には非溶性の膜である方が望ましい。また、成
膜方法としては、塗布の他、プラズマを使用しないプロ
セス、例えば、金属CVDまたは蒸着等を採用すること
ができる。
【0067】図10は本発明に係る磁気ヘッド装置の一
部を示す正面図、図11は図10に示した磁気ヘッド装
置の底面図である。磁気ヘッド装置は、ヘッド支持装置
10と、薄膜磁気ヘッド70とを含んでいる。薄膜磁気
ヘッド70は図1〜8を参照して説明にした本発明に係
る薄膜磁気ヘッドである。
部を示す正面図、図11は図10に示した磁気ヘッド装
置の底面図である。磁気ヘッド装置は、ヘッド支持装置
10と、薄膜磁気ヘッド70とを含んでいる。薄膜磁気
ヘッド70は図1〜8を参照して説明にした本発明に係
る薄膜磁気ヘッドである。
【0068】ヘッド支持装置10は本発明に係る薄膜磁
気ヘッド70を支持している。図示されたヘッド支持装
置10は、金属薄板でなる支持体83の長手方向の一端
にある自由端に、同じく金属薄板でなる可撓体81を取
付け、この可撓体81の下面に薄膜磁気ヘッド70を取
付けた構造となっている。
気ヘッド70を支持している。図示されたヘッド支持装
置10は、金属薄板でなる支持体83の長手方向の一端
にある自由端に、同じく金属薄板でなる可撓体81を取
付け、この可撓体81の下面に薄膜磁気ヘッド70を取
付けた構造となっている。
【0069】可撓体81は、支持体83の長手方向軸線
と略平行して伸びる2つの外側枠部85、86と、支持
体83から離れた端において外側枠部85、86を連結
する横枠87と、横枠87の略中央部から外側枠部8
5、86に略平行するように延びていて先端を自由端と
した舌状片93とを有する。
と略平行して伸びる2つの外側枠部85、86と、支持
体83から離れた端において外側枠部85、86を連結
する横枠87と、横枠87の略中央部から外側枠部8
5、86に略平行するように延びていて先端を自由端と
した舌状片93とを有する。
【0070】舌状片93のほぼ中央部には、支持体83
から***した、例えば半球状の荷重用突起77が設けら
れている。この荷重用突起77により、支持体83の自
由端から舌状片93へ荷重力が伝えられる。
から***した、例えば半球状の荷重用突起77が設けら
れている。この荷重用突起77により、支持体83の自
由端から舌状片93へ荷重力が伝えられる。
【0071】舌状片93の下面に薄膜磁気ヘッド70を
接着等の手段によって取付けてある。薄膜磁気ヘッド7
0は、空気流出側TR1が横枠87の方向になるように
し、長さ方向がヘッド支持装置10の長手方向に一致す
るように、舌状片93に取付けられている。本発明に適
用可能なヘッド支持装置10は、上記実施例に限らな
い。
接着等の手段によって取付けてある。薄膜磁気ヘッド7
0は、空気流出側TR1が横枠87の方向になるように
し、長さ方向がヘッド支持装置10の長手方向に一致す
るように、舌状片93に取付けられている。本発明に適
用可能なヘッド支持装置10は、上記実施例に限らな
い。
【0072】上述した磁気ヘッド装置は、本発明に係る
薄膜磁気ヘッド70を用いているので、必要に応じて、
磁気抵抗効果素子を埋設してあるシールド膜間絶縁膜の
電気絶縁測定作業を行うことができる。この電気絶縁測
定作業は、極めて容易に実行し得る。しかも、電気絶縁
測定作業において、シールド膜、磁気抵抗効果素子及び
空気ベアリング面に損傷を与える恐れもない。
薄膜磁気ヘッド70を用いているので、必要に応じて、
磁気抵抗効果素子を埋設してあるシールド膜間絶縁膜の
電気絶縁測定作業を行うことができる。この電気絶縁測
定作業は、極めて容易に実行し得る。しかも、電気絶縁
測定作業において、シールド膜、磁気抵抗効果素子及び
空気ベアリング面に損傷を与える恐れもない。
【0073】上述した磁気ヘッド装置においても、薄膜
磁気ヘッド70として、端子導体25の露出している
面、及び、測定用端子導体57の露出している面に、測
定用端子導体57及び端子導体25(または27)を電
気的に導通させる導電膜が塗布されているものを用いる
ことができる。このような薄膜磁気ヘッドを用いること
により、第1及び第2の絶縁膜71、72の電気絶縁性
を測定するプロセス以外のプロセス、例えば、組立時ま
たは組立後の処理、操作または搬送時に、第1及び第2
の絶縁膜71、72(図6参照)に対する電気的なダメ
ージを回避し得る。導電膜は、第1及び第2の絶縁膜7
1、72の電気絶縁性を測定する際、溶剤を用いて簡単
に除去することができる。
磁気ヘッド70として、端子導体25の露出している
面、及び、測定用端子導体57の露出している面に、測
定用端子導体57及び端子導体25(または27)を電
気的に導通させる導電膜が塗布されているものを用いる
ことができる。このような薄膜磁気ヘッドを用いること
により、第1及び第2の絶縁膜71、72の電気絶縁性
を測定するプロセス以外のプロセス、例えば、組立時ま
たは組立後の処理、操作または搬送時に、第1及び第2
の絶縁膜71、72(図6参照)に対する電気的なダメ
ージを回避し得る。導電膜は、第1及び第2の絶縁膜7
1、72の電気絶縁性を測定する際、溶剤を用いて簡単
に除去することができる。
【0074】図12は本発明に係る磁気ヘッド装置を用
いた磁気ディスク装置の平面図を示す。本発明に係る磁
気ヘッド装置74を用いることによって好ましい磁気デ
ィスク装置を得ることができる。磁気ディスク装置は、
磁気ヘッド装置74と、少なくとも1枚の磁気ディスク
63とを含む。
いた磁気ディスク装置の平面図を示す。本発明に係る磁
気ヘッド装置74を用いることによって好ましい磁気デ
ィスク装置を得ることができる。磁気ディスク装置は、
磁気ヘッド装置74と、少なくとも1枚の磁気ディスク
63とを含む。
【0075】磁気ヘッド装置74は、図5、6に示した
ものでなり、図1〜4に示した本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドを有する。磁気ヘッド装置74は、支持体10の基
部が結合手段65によって、位置決め装置61に取り付
けられている。
ものでなり、図1〜4に示した本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドを有する。磁気ヘッド装置74は、支持体10の基
部が結合手段65によって、位置決め装置61に取り付
けられている。
【0076】ディスク63は、磁気ヘッド装置74との
間で磁気記録及び再生を行う。より具体的には、磁気デ
ィスク63は、図示しない駆動装置により、矢印F1の
方向に高速で回転駆動される。この高速回転により、可
撓体81によって支持された磁気ヘツド70に揚力動圧
が発生し、薄膜磁気ヘッド70が微小隙間(浮上量)を
保って浮上する。薄膜磁気ヘッド70は、位置決め装置
61により、b1方向またはb2方向へと、ディスク6
3のトラックをシークし、情報の記録再生を行う。
間で磁気記録及び再生を行う。より具体的には、磁気デ
ィスク63は、図示しない駆動装置により、矢印F1の
方向に高速で回転駆動される。この高速回転により、可
撓体81によって支持された磁気ヘツド70に揚力動圧
が発生し、薄膜磁気ヘッド70が微小隙間(浮上量)を
保って浮上する。薄膜磁気ヘッド70は、位置決め装置
61により、b1方向またはb2方向へと、ディスク6
3のトラックをシークし、情報の記録再生を行う。
【0077】上述した磁気ディスク装置は、本発明に係
る薄膜磁気ヘッド70を用いた磁気ヘッド装置74を含
むので、必要に応じて、磁気抵抗効果素子を埋設してあ
るシールド膜間絶縁膜の電気絶縁測定作業を行うことが
できる。この電気絶縁測定作業は、極めて容易に実行し
得る。しかも、電気絶縁測定作業において、シールド
膜、磁気抵抗効果素子及び空気ベアリング面に損傷を与
える恐れもない。
る薄膜磁気ヘッド70を用いた磁気ヘッド装置74を含
むので、必要に応じて、磁気抵抗効果素子を埋設してあ
るシールド膜間絶縁膜の電気絶縁測定作業を行うことが
できる。この電気絶縁測定作業は、極めて容易に実行し
得る。しかも、電気絶縁測定作業において、シールド
膜、磁気抵抗効果素子及び空気ベアリング面に損傷を与
える恐れもない。
【0078】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 (a)磁気抵抗効果素子を埋設してあるシールド膜間絶
縁膜の電気絶縁測定作業を極めて容易に実行し得るバー
状ヘッド集合体、薄膜磁気ヘッド、それを用いた磁気ヘ
ッド装置、及び、磁気ディスク装置を提供することがで
きる。 (b)磁気抵抗効果素子を埋設してあるシールド膜間絶
縁膜の電気絶縁測定作業において、シールド膜、磁気抵
抗効果素子及び空気ベアリング面に損傷を与える恐れの
ない薄膜磁気ヘッド、それを用いた磁気ヘッド装置、及
び、磁気ディスク装置を提供することができる。 (c)絶縁膜の電気絶縁性の測定以外の工程において、
絶縁膜に対する電気的なダメージを回避し得るバー状ヘ
ッド集合体、薄膜磁気ヘッド、それを用いた磁気ヘッド
装置を提供することができる。 (d)絶縁膜の電気絶縁性の測定工程では、絶縁膜に対
する電気的なダメージを回避するために設けた手段を、
簡単に取り除けるバー状ヘッド集合体、薄膜磁気ヘッ
ド、それを用いた磁気ヘッド装置を提供することができ
る。
のような効果が得られる。 (a)磁気抵抗効果素子を埋設してあるシールド膜間絶
縁膜の電気絶縁測定作業を極めて容易に実行し得るバー
状ヘッド集合体、薄膜磁気ヘッド、それを用いた磁気ヘ
ッド装置、及び、磁気ディスク装置を提供することがで
きる。 (b)磁気抵抗効果素子を埋設してあるシールド膜間絶
縁膜の電気絶縁測定作業において、シールド膜、磁気抵
抗効果素子及び空気ベアリング面に損傷を与える恐れの
ない薄膜磁気ヘッド、それを用いた磁気ヘッド装置、及
び、磁気ディスク装置を提供することができる。 (c)絶縁膜の電気絶縁性の測定以外の工程において、
絶縁膜に対する電気的なダメージを回避し得るバー状ヘ
ッド集合体、薄膜磁気ヘッド、それを用いた磁気ヘッド
装置を提供することができる。 (d)絶縁膜の電気絶縁性の測定工程では、絶縁膜に対
する電気的なダメージを回避するために設けた手段を、
簡単に取り除けるバー状ヘッド集合体、薄膜磁気ヘッ
ド、それを用いた磁気ヘッド装置を提供することができ
る。
【図1】本発明に係るバー状ヘッド集合体の斜視図であ
る。
る。
【図2】本発明に係るバー状ヘッド集合体の別の例を示
す図である。
す図である。
【図3】図2に示したバー状ヘッド集合体の部分拡大斜
視図である。
視図である。
【図4】図1、2に図示されたバー状ヘッド集合体にお
いて、薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれに含まれる磁気変
換素子部分の構造を示す斜視図である。
いて、薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれに含まれる磁気変
換素子部分の構造を示す斜視図である。
【図5】図4に示された磁気変換素子部分の構造から誘
導型電磁変換素子を除き導電部分だけを模式的に抽出し
て示す平面図である。
導型電磁変換素子を除き導電部分だけを模式的に抽出し
て示す平面図である。
【図6】図4の6ー6線に沿った断面図である。
【図7】本発明に係るバー状ヘッド集合体の別の例を示
す部分拡大斜視図である。
す部分拡大斜視図である。
【図8】本発明に係る薄膜磁気ヘッドを示す斜視図であ
る。
る。
【図9】本発明に係る磁気ヘッド装置を示す斜視図であ
る。
る。
【図10】本発明に係る磁気ヘッド装置の一部を示す正
面図である。
面図である。
【図11】図10に示した磁気ヘッド装置の底面図であ
る。
る。
【図12】本発明に係る磁気ディスク装置の平面図であ
る。
る。
3 第1のシールド膜 5 第2のシールド膜 9 磁気抵抗効果素子 11 第1のリード導体 13 第2のリード導体 57 測定用端子導体 71 第1の絶縁膜 72 第2の絶縁膜
フロントページの続き (72)発明者 佐藤 順一 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 Fターム(参考) 5D034 BA03 BA08 BB08 BB12 DA07 5D042 NA02 PA05 PA09 QA04 TA05
Claims (23)
- 【請求項1】 複数の薄膜磁気ヘッド要素を一方向に整
列させたバー状ヘッド集合体であって、 前記薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、少なくとも一つ
の電磁変換素子を含んでおり、 前記電磁変換素子は、第1のシールド膜と、第1の絶縁
膜と、磁気抵抗効果素子と、第1のリード導体膜と、第
2のリード導体膜と、第2の絶縁膜と、第2のシールド
膜と、第1のリード導体膜用端子導体と、第2のリード
導体膜用端子導体と、測定用端子導体とを含んでおり、 前記第1の絶縁膜は、前記第1のシールド膜の上に備え
られており、 前記磁気抵抗効果素子は、前記第1の絶縁膜の上に備え
られており、 前記第1のリード導体膜は、前記第1の絶縁膜の上に設
けられ、前記磁気抵抗効果素子の一端部に接続されてお
り、 前記第2のリード導体膜は、前記第1の絶縁膜の上に設
けられ、前記磁気抵抗効果素子の他端部に接続されてお
り、 前記第1のリード導体膜用端子導体は、前記第1のリー
ド導体膜に接続され、前記スライダの媒体対向面とは異
なる面に露出しており、 前記第2のリード導体膜用端子導体は、前記第2のリー
ド導体膜に接続され、前記スライダの媒体対向面とは異
なる面に露出しており、 前記第2の絶縁膜は、前記第1のリード導体膜、前記第
2の導体膜及び前記磁気抵抗効果素子を覆っており、 前記第2のシールド膜は、前記第2の絶縁膜の上に備え
られており、 前記測定用端子導体は、前記第1または第2のシールド
膜の少なくとも一方と導通し、前記スライダの媒体対向
面とは異なる面の少なくとも一つに露出しているバー状
ヘッド集合体。 - 【請求項2】 請求項1に記載されたバー状ヘッド集合
体であって、 少なくとも、前記第1及び第2のリード導体膜用端子導
体が露出している面、及び、前記測定用端子導体が露出
している面に、前記第1及び第2のリード導体膜用端子
導体の少なくとも一方と、前記測定用端子導体とを電気
的に導通させる導電膜を有するバー状ヘッド集合体。 - 【請求項3】 請求項2に記載されたバー状ヘッド集合
体であって、 前記導電膜は、溶剤により除去可能であるバー状ヘッド
集合体。 - 【請求項4】 請求項2に記載されたバー状ヘッド集合
体であって、 前記導電膜は、工程で使用される溶剤には非溶性である
バー状ヘッド集合体。 - 【請求項5】 請求項4に記載されたバー状ヘッド集合
体であって、 前記導電膜は、ラッピング工程において抵抗測定法によ
る研摩量の検出を行う際、研摩量の検出に影響を与えな
い抵抗率または抵抗値を持つバー状ヘッド集合体。 - 【請求項6】 請求項1乃至5の何れかに記載されたバ
ー状ヘッド集合体であって、 前記磁気抵抗効果素子は、スピンバルブ膜構造を有する
バー状ヘッド集合体。 - 【請求項7】 請求項1乃至5の何れかに記載されたバ
ー状ヘッド集合体であって、 前記磁気抵抗効果素子は、ペロブスカイト型磁性体を含
む巨大磁気抵抗効果素子であるバー状ヘッド集合体。 - 【請求項8】 請求項1乃至5の何れかに記載されたバ
ー状ヘッド集合体であって、 前記磁気抵抗効果素子は、強磁性トンネル接合素子であ
るバー状ヘッド集合体。 - 【請求項9】 請求項1乃至8の何れかに記載されたバ
ー状ヘッド集合体であって、 更に、誘導型電磁変換素子を含むバー状ヘッド集合体。 - 【請求項10】 請求項9に記載されたバー状ヘッド集
合体であって、 前記誘導型電磁変換素子は、前記第2のシールド膜を磁
気回路の一部として利用するバー状ヘッド集合体。 - 【請求項11】 スライダと、少なくとも1つの電磁変
換素子とを含む薄膜磁気ヘッドであって、 前記電磁変換素子は、第1のシールド膜と、第1の絶縁
膜と、磁気抵抗効果素子と、第1のリード導体膜と、第
2のリード導体膜と、第2の絶縁膜と、第2のシールド
膜と、第1のリード導体膜用端子導体と、第2のリード
導体膜用端子導体と、測定用端子導体とを含んでおり、 前記第1の絶縁膜は、前記第1のシールド膜の上に備え
られており、 前記磁気抵抗効果素子は、前記第1の絶縁膜の上に備え
られており、 記第1のリード導体膜は、前記第1の絶縁膜の上に設け
られ、前記磁気抵抗効果素子の一端部に接続されてお
り、 前記第2のリード導体膜は、前記第1の絶縁膜の上に設
けられ、前記磁気抵抗効果素子の他端部に接続されてお
り、 前記第1のリード導体膜用端子導体は、前記第1のリー
ド導体膜に接続され、前記スライダの媒体対向面とは異
なる面に露出しており、 前記第2のリード導体膜用端子導体は、前記第2のリー
ド導体膜に接続され、前記スライダの媒体対向面とは異
なる面に露出しており、 前記第2の絶縁膜は、前記第1のリード導体膜、前記第
2の導体膜及び前記磁気抵抗効果素子を覆っており、 前記第2のシールド膜は、前記第2の絶縁膜の上に備え
られており、 前記測定用端子導体は、前記第1または第2のシールド
膜の少なくとも一方と導通し、前記スライダの媒体対向
面とは異なる面の少なくとも一つに露出している薄膜磁
気ヘッド。 - 【請求項12】 請求項11に記載された薄膜磁気ヘッ
ドであって、 前記測定用端子導体は、前記スライダの空気流出側端面
に露出している薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項13】 請求項11または12の何れかに記載
された薄膜磁気ヘッドであって、 少なくとも、前記第1及び第2のリード導体膜用端子導
体が露出している面、及び、前記測定用端子導体が露出
している面に、前記第1及び第2のリード導体膜用端子
導体の少なくとも一方と、前記測定用端子導体とを電気
的に導通させる導電膜を有する薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項14】 請求項13に記載された薄膜磁気ヘッ
ドであって、 前記導電膜は、溶剤により除去可能である薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項15】 請求項13に記載された薄膜磁気ヘッ
ドであって、 前記導電膜は、その電気抵抗値が、当該薄膜磁気ヘッド
の再生特性に影響を与えない十分に高い値に設定されて
いる薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項16】 請求項15に記載された薄膜磁気ヘッ
ドであって、 前記導電膜は、その電気抵抗値が10kΩ以上である薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項17】 請求項11乃至16の何れかに記載さ
れた薄膜磁気ヘッドであって、 前記磁気抵抗効果素子は、スピンバルブ膜構造を有する
薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項18】 請求項11乃至16の何れかに記載さ
れた薄膜磁気ヘッドであって、 前記磁気抵抗効果素子は、ペロブスカイト型磁性体を含
む巨大磁気抵抗効果素子である薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項19】 請求項11乃至16の何れかに記載さ
れた薄膜磁気ヘッドであって、 前記磁気抵抗効果素子は、強磁性トンネル接合素子であ
る薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項20】 請求項11乃至19の何れかに記載さ
れた薄膜磁気ヘッドであって、 更に、誘導型電磁変換素子を含む薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項21】 請求項20に記載された薄膜磁気ヘッ
ドであって、 前記誘導型電磁変換素子は、前記第2のシールド膜を磁
気回路の一部として利用する薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項22】 薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置と
を含む磁気ヘッド装置であって、 前記薄膜磁気ヘッドは、請求項11乃至21の何れかに
記載されたものであり、 前記ヘッド支持装置は、前記薄膜磁気ヘッドを支持して
いる磁気ヘッド装置。 - 【請求項23】 磁気ヘッド装置と、少なくとも1枚の
磁気ディスクとを含む磁気ディスク装置であって、 前記磁気ヘッド装置は、請求項22に記載されたもので
あり、 前記磁気ディスクは、前記磁気ヘッド装置との間で磁気
記録及び再生を行う磁気ディスク装置。
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