JP2001083506A - 反射型液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
反射型液晶表示装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射表示電極とソースとのコンタクトホール
と、反射表示電極形成領域に凹部とを工程の増大を抑制
し容易に形成する反射型液晶表示装置の製造方法を提供
する。 【解決手段】 絶縁性基板１０上に、第１のゲート電極
１１、ゲート絶縁膜１２、半導体膜１３、及び層間絶縁
膜１５を備えており、その層間絶縁膜１５上方に第１の
ゲート電極１１に接続された第２のゲート電極１７を有
するＴＦＴを形成し、その全面に感光性樹脂７０を塗布
し、反射表示電極２８形成領域に設ける凹部２７に対応
した位置に開口部を有するマスク７１にて第１の露光７
５を行い、その第１のマスク７１に換えてソース１３ｓ
に対応した位置に開口部を有する第２のマスク７２に
て、第１の露光７５よりも大きな露光量の第２の露光７
６をしたのち、感光性樹脂膜７０を現像して、コンタク
トホール７３及び凹部７４を形成する。
と、反射表示電極形成領域に凹部とを工程の増大を抑制
し容易に形成する反射型液晶表示装置の製造方法を提供
する。 【解決手段】 絶縁性基板１０上に、第１のゲート電極
１１、ゲート絶縁膜１２、半導体膜１３、及び層間絶縁
膜１５を備えており、その層間絶縁膜１５上方に第１の
ゲート電極１１に接続された第２のゲート電極１７を有
するＴＦＴを形成し、その全面に感光性樹脂７０を塗布
し、反射表示電極２８形成領域に設ける凹部２７に対応
した位置に開口部を有するマスク７１にて第１の露光７
５を行い、その第１のマスク７１に換えてソース１３ｓ
に対応した位置に開口部を有する第２のマスク７２に
て、第１の露光７５よりも大きな露光量の第２の露光７
６をしたのち、感光性樹脂膜７０を現像して、コンタク
トホール７３及び凹部７４を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチング素子
として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以
下、「ＴＦＴ」と称する。）を用い、このＴＦＴに接続
された反射表示電極を備えた反射型液晶表示装置の製造
方法に関する。
として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以
下、「ＴＦＴ」と称する。）を用い、このＴＦＴに接続
された反射表示電極を備えた反射型液晶表示装置の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、観察者側から入射した光を反射表
示電極にて反射させて表示を観察する反射型の液晶表示
装置（Liquid Crystal Display：「ＬＣＤ」）の開発が
進められている。
示電極にて反射させて表示を観察する反射型の液晶表示
装置（Liquid Crystal Display：「ＬＣＤ」）の開発が
進められている。
【０００３】図２に従来の反射型液晶表示装置の表示画
素領域付近の平面図を示し、図３に図２中のＡ−Ａ線に
沿った製造工程断面図を示す。
素領域付近の平面図を示し、図３に図２中のＡ−Ａ線に
沿った製造工程断面図を示す。
【０００４】図２に示すように、ゲート電極１１を一部
に有しゲート信号をゲートに供給するゲート信号線５１
と、ドレイン電極１６を一部に有しドレイン信号をドレ
インに供給するドレイン信号線５２との交差点付近にＴ
ＦＴが設けられている。そのＴＦＴのゲート１１はゲー
ト信号線５１に接続され、ドレイン１３ｄはドレイン信
号線５２に接続され、ソース１３ｓは反射表示電極２８
に接続されている。
に有しゲート信号をゲートに供給するゲート信号線５１
と、ドレイン電極１６を一部に有しドレイン信号をドレ
インに供給するドレイン信号線５２との交差点付近にＴ
ＦＴが設けられている。そのＴＦＴのゲート１１はゲー
ト信号線５１に接続され、ドレイン１３ｄはドレイン信
号線５２に接続され、ソース１３ｓは反射表示電極２８
に接続されている。
【０００５】この反射表示電極２８の表面は平坦である
よりも、凹凸を成していた方が入射した光を多方向に反
射することができるので、反射型液晶表示装置の表示を
観察できる範囲、即ち視野角を広くすることができる。
よりも、凹凸を成していた方が入射した光を多方向に反
射することができるので、反射型液晶表示装置の表示を
観察できる範囲、即ち視野角を広くすることができる。
【０００６】図３に基づいて、従来の反射型液晶表示装
置の製造工程について説明する。
置の製造工程について説明する。
【０００７】工程１（図３（ａ））：石英ガラス、無ア
ルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、Ｍ
ｏ等の高融点金属からなる第１のゲート電極１１、Ｓｉ
Ｎ膜及びＳｉＯ2膜から成るゲート絶縁膜１２、及び島
状の多結晶シリコン膜からなる能動層１３を順に形成す
る。
ルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、Ｍ
ｏ等の高融点金属からなる第１のゲート電極１１、Ｓｉ
Ｎ膜及びＳｉＯ2膜から成るゲート絶縁膜１２、及び島
状の多結晶シリコン膜からなる能動層１３を順に形成す
る。
【０００８】その能動層１３には、第１のゲート電極１
１上方のチャネル１３ｃと、そのチャネル１３ｃの両側
にイオン注入されて形成されたソース１３ｓ及びドレイ
ン１３ｄとが設けられている。
１上方のチャネル１３ｃと、そのチャネル１３ｃの両側
にイオン注入されて形成されたソース１３ｓ及びドレイ
ン１３ｄとが設けられている。
【０００９】チャネル１３ｃの上には、イオン注入の際
にチャネル１３ｃにイオンが入らないようにチャネル１
３ｃを覆うマスクとして機能しＳｉＯ2膜から成るスト
ッパ絶縁膜１４が設けられる。
にチャネル１３ｃにイオンが入らないようにチャネル１
３ｃを覆うマスクとして機能しＳｉＯ2膜から成るスト
ッパ絶縁膜１４が設けられる。
【００１０】そして、ゲート絶縁膜１２、能動層１３及
びストッパ絶縁膜１４上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ
膜及びＳｉＯ2膜が積層された層間絶縁膜１５を形成す
る。
びストッパ絶縁膜１４上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ
膜及びＳｉＯ2膜が積層された層間絶縁膜１５を形成す
る。
【００１１】次に、その層間絶縁膜１５のドレイン１３
ｄ及びソース１３ｓにそれぞれ対応した位置にコンタク
トホール１６、１７を設ける。ドレイン１３ｄに対応し
たコンタクトホール１６にはＡｌ単体、あるいはＭｏ及
びＡｌを順に積層して金属を充填してドレイン電極１８
を形成する。このときドレイン電極１８の形成と同時に
チャネル１３ｃの上方であって層間絶縁膜１５の上に第
２のゲート電極１９を形成する。即ち、Ａｌ単体、ある
いはＭｏ及びＡｌを順に積層するなどした金属からなる
第２のゲート電極１９を形成する。なお、コンタクトホ
ール１７にはなにも充填しない。
ｄ及びソース１３ｓにそれぞれ対応した位置にコンタク
トホール１６、１７を設ける。ドレイン１３ｄに対応し
たコンタクトホール１６にはＡｌ単体、あるいはＭｏ及
びＡｌを順に積層して金属を充填してドレイン電極１８
を形成する。このときドレイン電極１８の形成と同時に
チャネル１３ｃの上方であって層間絶縁膜１５の上に第
２のゲート電極１９を形成する。即ち、Ａｌ単体、ある
いはＭｏ及びＡｌを順に積層するなどした金属からなる
第２のゲート電極１９を形成する。なお、コンタクトホ
ール１７にはなにも充填しない。
【００１２】第２のゲート電極１９は、ゲート絶縁膜１
２及び層間絶縁膜１５に設けられたコンタクトホール２
０を介して、絶縁性基板１０上のゲート信号線５１と接
続されている。ドレイン信号線５２は層間絶縁膜１５の
上に設けられている。
２及び層間絶縁膜１５に設けられたコンタクトホール２
０を介して、絶縁性基板１０上のゲート信号線５１と接
続されている。ドレイン信号線５２は層間絶縁膜１５の
上に設けられている。
【００１３】工程２（図３（ｂ））：そして全面に例え
ば有機樹脂からなる第１の平坦化絶縁膜２１を形成す
る。その上に第１のレジスト膜２２を塗布する。その
後、コンタクトホール１７に対応した箇所に開口部を有
する第１のマスク２３を用いて露光及び現像を行い、引
き続き、第１の平坦化絶縁膜２１をエッチングして、コ
ンタクトホール１７に対応するコンタクトホール２４を
形成する。
ば有機樹脂からなる第１の平坦化絶縁膜２１を形成す
る。その上に第１のレジスト膜２２を塗布する。その
後、コンタクトホール１７に対応した箇所に開口部を有
する第１のマスク２３を用いて露光及び現像を行い、引
き続き、第１の平坦化絶縁膜２１をエッチングして、コ
ンタクトホール１７に対応するコンタクトホール２４を
形成する。
【００１４】工程３（図３（ｃ））：露出した第１の平
坦化絶縁膜２１及びコンタクトホール２４の能動層１３
上に第２の平坦化絶縁膜２５を形成する。その上に第２
のレジスト膜２６を塗布する。その後、第２の平坦化絶
縁膜２５の反射表示電極２８を形成する領域に設ける凹
部２７に対応した位置に開口部を有する第２のマスク３
２を用いて露光及び現像を行い、引き続き、第２の平坦
化絶縁膜２５をエッチングして凹部２７を形成する（図
３（ｄ））。
坦化絶縁膜２１及びコンタクトホール２４の能動層１３
上に第２の平坦化絶縁膜２５を形成する。その上に第２
のレジスト膜２６を塗布する。その後、第２の平坦化絶
縁膜２５の反射表示電極２８を形成する領域に設ける凹
部２７に対応した位置に開口部を有する第２のマスク３
２を用いて露光及び現像を行い、引き続き、第２の平坦
化絶縁膜２５をエッチングして凹部２７を形成する（図
３（ｄ））。
【００１５】こうして、第２のレジスト膜２６を除去し
て反射表示電極２８とソース１３ｓとがコンタクトする
コンタクトホール２４及び反射表示電極形成領域の凹部
２９とが形成される。それによって、反射表示電極２８
の表面に凹凸を形成することができ、入射した光を多方
向に反射することができ、広い視野角が得られる。
て反射表示電極２８とソース１３ｓとがコンタクトする
コンタクトホール２４及び反射表示電極形成領域の凹部
２９とが形成される。それによって、反射表示電極２８
の表面に凹凸を形成することができ、入射した光を多方
向に反射することができ、広い視野角が得られる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述の反射
型液晶表示装置の製造方法では、コンタクトホール２４
及び凹部２９を形成するために、第１の平坦化絶縁膜２
１にまずコンタクトホール２４を形成し、その後別の工
程で第２の平坦化絶縁膜２５を成膜して凹部２９を形成
しなければならず、非常に手間がかかりコストの増大に
つながるという欠点をがあった。
型液晶表示装置の製造方法では、コンタクトホール２４
及び凹部２９を形成するために、第１の平坦化絶縁膜２
１にまずコンタクトホール２４を形成し、その後別の工
程で第２の平坦化絶縁膜２５を成膜して凹部２９を形成
しなければならず、非常に手間がかかりコストの増大に
つながるという欠点をがあった。
【００１７】そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑み
て為されたものであり、工程の増大を抑制し容易に反射
表示電極とソースとのコンタクトをとるとともに、反射
表示電極形成領域に凹部を形成することができる反射型
液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
て為されたものであり、工程の増大を抑制し容易に反射
表示電極とソースとのコンタクトをとるとともに、反射
表示電極形成領域に凹部を形成することができる反射型
液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の反射型液晶表示
装置の製造方法は、薄膜トランジスタと、表面に凹部を
有する絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタに接続さ
れ、反射材料から成る反射表示電極とを備えた反射型液
晶表示装置の製造方法において、前記絶縁膜は感光性樹
脂膜からなっており、該感光性樹脂膜を露光する露光量
は、表面に凹部を有する前記反射表示電極を形成する領
域の方が、前記薄膜トランジスタと前記反射表示電極と
をコンタクトさせるためのコンタクトホールを形成する
領域よりも小さいものである。
装置の製造方法は、薄膜トランジスタと、表面に凹部を
有する絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタに接続さ
れ、反射材料から成る反射表示電極とを備えた反射型液
晶表示装置の製造方法において、前記絶縁膜は感光性樹
脂膜からなっており、該感光性樹脂膜を露光する露光量
は、表面に凹部を有する前記反射表示電極を形成する領
域の方が、前記薄膜トランジスタと前記反射表示電極と
をコンタクトさせるためのコンタクトホールを形成する
領域よりも小さいものである。
【００１９】また、本発明の反射型液晶表示装置の製造
方法は、薄膜トランジスタと、表面に凹部を有する絶縁
膜を介して前記薄膜トランジスタに接続され、該薄膜ト
ランジスタよりも上層に形成された反射材料から成る反
射表示電極とを備えた反射型液晶表示装置の製造方法に
おいて、前記絶縁膜となる感光性樹脂膜を塗布する工程
と、前記反射表示電極を形成する領域の前記感光性樹脂
膜上に、凹部を形成する箇所に対応した位置に開口部を
有する第１のマスクを配置し、第１の露光量で露光する
工程と、前記第１のマスクに換えて、前記反射表示電極
を形成する領域の前記感光性樹脂上に、前記薄膜トラン
ジスタと前記反射表示電極とがコンタクトするためのコ
ンタクトホールを形成する箇所に対応した位置に開口部
を有する第２のマスクを配置し、第２の露光量で露光す
る工程と、前記第２のマスクを取り除き、前記感光性樹
脂を現像する工程と、前記現像した感光性樹脂上に前記
反射表示電極を形成するものである。
方法は、薄膜トランジスタと、表面に凹部を有する絶縁
膜を介して前記薄膜トランジスタに接続され、該薄膜ト
ランジスタよりも上層に形成された反射材料から成る反
射表示電極とを備えた反射型液晶表示装置の製造方法に
おいて、前記絶縁膜となる感光性樹脂膜を塗布する工程
と、前記反射表示電極を形成する領域の前記感光性樹脂
膜上に、凹部を形成する箇所に対応した位置に開口部を
有する第１のマスクを配置し、第１の露光量で露光する
工程と、前記第１のマスクに換えて、前記反射表示電極
を形成する領域の前記感光性樹脂上に、前記薄膜トラン
ジスタと前記反射表示電極とがコンタクトするためのコ
ンタクトホールを形成する箇所に対応した位置に開口部
を有する第２のマスクを配置し、第２の露光量で露光す
る工程と、前記第２のマスクを取り除き、前記感光性樹
脂を現像する工程と、前記現像した感光性樹脂上に前記
反射表示電極を形成するものである。
【００２０】また、本発明の反射型液晶表示装置の製造
方法は、薄膜トランジスタと、表面に凹部を有する絶縁
膜を介して前記薄膜トランジスタに接続され、該薄膜ト
ランジスタよりも上層に形成された反射材料から成る反
射表示電極とを備えた反射型液晶表示装置の製造方法に
おいて、前記絶縁膜となる感光性樹脂膜を塗布する工程
と、前記反射表示電極を形成する領域の前記感光性樹脂
上に、前記薄膜トランジスタと前記反射表示電極とがコ
ンタクトするためのコンタクトホールを形成する箇所に
対応した位置に開口部を有する第２のマスクを配置し、
前記第２の露光量で露光する工程と、前記第２のマスク
に換えて、前記反射表示電極を形成する領域の前記感光
性樹脂膜上に、凹部を形成する箇所に対応した位置に開
口部を有する第１のマスクを配置し、前記第１の露光量
で露光する工程と、前記第１のマスクを取り除き、前記
感光性樹脂を現像する工程と、前記現像した感光性樹脂
上に前記反射表示電極を形成するものである。
方法は、薄膜トランジスタと、表面に凹部を有する絶縁
膜を介して前記薄膜トランジスタに接続され、該薄膜ト
ランジスタよりも上層に形成された反射材料から成る反
射表示電極とを備えた反射型液晶表示装置の製造方法に
おいて、前記絶縁膜となる感光性樹脂膜を塗布する工程
と、前記反射表示電極を形成する領域の前記感光性樹脂
上に、前記薄膜トランジスタと前記反射表示電極とがコ
ンタクトするためのコンタクトホールを形成する箇所に
対応した位置に開口部を有する第２のマスクを配置し、
前記第２の露光量で露光する工程と、前記第２のマスク
に換えて、前記反射表示電極を形成する領域の前記感光
性樹脂膜上に、凹部を形成する箇所に対応した位置に開
口部を有する第１のマスクを配置し、前記第１の露光量
で露光する工程と、前記第１のマスクを取り除き、前記
感光性樹脂を現像する工程と、前記現像した感光性樹脂
上に前記反射表示電極を形成するものである。
【００２１】また、本発明の反射型液晶表示装置の製造
方法は、液晶層を通過する光を反射させる反射膜を形成
する反射型液晶表示装置の製造方法であって、前記基板
上に感光性樹脂膜を形成し、該感光性樹脂膜を第１のマ
スクを介して第１の露光量で露光し、次いで第２のマス
クを介して第２の露光量で露光し、２度の露光を受けた
感光性樹脂膜を現像し、該感光性樹脂膜の表面に２種類
の深さの異なる凹部を形成し、前記現像した２種類の凹
部を有する感光性樹脂膜上に反射材料からなる前記反射
膜を形成するものである。
方法は、液晶層を通過する光を反射させる反射膜を形成
する反射型液晶表示装置の製造方法であって、前記基板
上に感光性樹脂膜を形成し、該感光性樹脂膜を第１のマ
スクを介して第１の露光量で露光し、次いで第２のマス
クを介して第２の露光量で露光し、２度の露光を受けた
感光性樹脂膜を現像し、該感光性樹脂膜の表面に２種類
の深さの異なる凹部を形成し、前記現像した２種類の凹
部を有する感光性樹脂膜上に反射材料からなる前記反射
膜を形成するものである。
【００２２】また、上述の本発明の反射型液晶表示装置
の製造方法は、前記感光性樹脂を現像する工程の後に、
加熱する工程を付加した反射型液晶表示装置の製造方法
である。
の製造方法は、前記感光性樹脂を現像する工程の後に、
加熱する工程を付加した反射型液晶表示装置の製造方法
である。
【００２３】更に、上述の本発明の反射型液晶表示装置
の製造方法は、前記第１の露光量は第２の露光量よりも
小さい反射型液晶表示装置の製造方法である。
の製造方法は、前記第１の露光量は第２の露光量よりも
小さい反射型液晶表示装置の製造方法である。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下に本発明の反射型液晶表示装
置の製造方法について説明する。
置の製造方法について説明する。
【００２５】図１に、図２のＡ−Ａに沿った本発明の反
射型液晶表示装置の製造工程断面図を示す。
射型液晶表示装置の製造工程断面図を示す。
【００２６】図２に示すように、第１のゲート電極１１
を一部に有するゲート信号線５１とドレイン電極１６を
一部に有するドレイン信号線５２との交差点付近に、反
射材料から成る反射表示電極２８を接続したＴＦＴが設
けられている。その反射表示電極２６はＴＦＴの上にま
で延在して設けられている。反射表示電極２８の表面に
は凹部２７が形成されている。
を一部に有するゲート信号線５１とドレイン電極１６を
一部に有するドレイン信号線５２との交差点付近に、反
射材料から成る反射表示電極２８を接続したＴＦＴが設
けられている。その反射表示電極２６はＴＦＴの上にま
で延在して設けられている。反射表示電極２８の表面に
は凹部２７が形成されている。
【００２７】工程１（図１（ａ））：石英ガラス、無ア
ルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、Ｍ
ｏ等の高融点金属からなりゲート信号線５１の一部を成
す第１のゲート電極１１、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜から
成るゲート絶縁膜１２及び多結晶シリコン膜からなる能
動層１３を順に形成する。
ルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、Ｍ
ｏ等の高融点金属からなりゲート信号線５１の一部を成
す第１のゲート電極１１、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜から
成るゲート絶縁膜１２及び多結晶シリコン膜からなる能
動層１３を順に形成する。
【００２８】その能動層１３には、第１のゲート電極１
１上方のチャネル１３ｃと、そのチャネル１３ｃの両側
にイオン注入されて形成されたソース１３ｓ及びドレイ
ン１３ｄとが設けられている。
１上方のチャネル１３ｃと、そのチャネル１３ｃの両側
にイオン注入されて形成されたソース１３ｓ及びドレイ
ン１３ｄとが設けられている。
【００２９】チャネル１３ｃの上には、ソース１３ｓ及
びドレイン１３ｄを形成する際のイオン注入時にチャネ
ル１３ｃにイオンが入らないようにチャネル１３ｃを覆
うマスクとして機能するＳｉＯ2膜から成るストッパ絶
縁膜１４が設けられる。
びドレイン１３ｄを形成する際のイオン注入時にチャネ
ル１３ｃにイオンが入らないようにチャネル１３ｃを覆
うマスクとして機能するＳｉＯ2膜から成るストッパ絶
縁膜１４が設けられる。
【００３０】そして、ゲート絶縁膜１２、能動層１３及
びストッパ絶縁膜１４上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ
膜及びＳｉＯ2膜が積層された層間絶縁膜１５を形成す
る。この層間絶縁膜１５は、ＳｉＯ、ＳｉＮ、またはア
クリル等の有機材料からなる有機膜の各単体、またはこ
れらのいずれかの組み合わせの多層体からなってもよ
い。
びストッパ絶縁膜１４上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ
膜及びＳｉＯ2膜が積層された層間絶縁膜１５を形成す
る。この層間絶縁膜１５は、ＳｉＯ、ＳｉＮ、またはア
クリル等の有機材料からなる有機膜の各単体、またはこ
れらのいずれかの組み合わせの多層体からなってもよ
い。
【００３１】次に、その層間絶縁膜１５のドレイン１３
ｄ及びソース１３ｓにそれぞれ対応した位置にコンタク
トホール１６、１７を設ける。ドレイン１３ｄに対応し
たコンタクトホール１６にはＡｌ単体、あるいはＭｏ及
びＡｌを順に積層して金属を充填してドレイン電極１８
を形成する。このときドレイン電極１８の形成と同時に
チャネル１３ｃの上方であって層間絶縁膜１５の上に第
２のゲート電極１９を形成する。即ち、Ａｌ単体、ある
いはＭｏ及びＡｌを順に積層するなどした金属からなる
第２のゲート電極１９を形成する。
ｄ及びソース１３ｓにそれぞれ対応した位置にコンタク
トホール１６、１７を設ける。ドレイン１３ｄに対応し
たコンタクトホール１６にはＡｌ単体、あるいはＭｏ及
びＡｌを順に積層して金属を充填してドレイン電極１８
を形成する。このときドレイン電極１８の形成と同時に
チャネル１３ｃの上方であって層間絶縁膜１５の上に第
２のゲート電極１９を形成する。即ち、Ａｌ単体、ある
いはＭｏ及びＡｌを順に積層するなどした金属からなる
第２のゲート電極１９を形成する。
【００３２】この第２のゲート電極１９は、ゲート絶縁
膜１２及び層間絶縁膜１５に設けられたコンタクトホー
ル２０を介して、絶縁性基板１０上のゲート信号配線５
１と接続されている。
膜１２及び層間絶縁膜１５に設けられたコンタクトホー
ル２０を介して、絶縁性基板１０上のゲート信号配線５
１と接続されている。
【００３３】ドレイン信号線５２はその一部を成すドレ
イン電極１８の形成と同時に層間絶縁膜１５の上に設け
られている。
イン電極１８の形成と同時に層間絶縁膜１５の上に設け
られている。
【００３４】工程２（図１（ｂ））：コンタクトホール
１７を含む層間絶縁膜１５、ドレイン信号線５２、ドレ
イン電極１８、第２のゲート電極１９の全面に、感光性
を有し表面が平坦性を有する絶縁性樹脂から成る感光性
樹脂膜７０を塗布する。その上に、後に反射表示電極２
８を形成する領域に形成する凹部２７に対応した位置に
開口部を有する第１のマスク７１を配置する。そして、
第１の露光７５を行う。このときの露光量は、感光性樹
脂７０の表面から浅い領域に露光光が到達する程度の露
光量で良く、２０ｍＪ／ｃｍ2乃至６０ｍＪ／ｃｍ2、好
ましくは２５ｍＪ／ｃｍ2乃至５０ｍＪ／ｃｍ2、更に好
ましくは３０ｍＪ／ｃｍ2乃至４０ｍＪ／ｃｍ2である。
なお、感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、ポ
リイミドなどが採用される。
１７を含む層間絶縁膜１５、ドレイン信号線５２、ドレ
イン電極１８、第２のゲート電極１９の全面に、感光性
を有し表面が平坦性を有する絶縁性樹脂から成る感光性
樹脂膜７０を塗布する。その上に、後に反射表示電極２
８を形成する領域に形成する凹部２７に対応した位置に
開口部を有する第１のマスク７１を配置する。そして、
第１の露光７５を行う。このときの露光量は、感光性樹
脂７０の表面から浅い領域に露光光が到達する程度の露
光量で良く、２０ｍＪ／ｃｍ2乃至６０ｍＪ／ｃｍ2、好
ましくは２５ｍＪ／ｃｍ2乃至５０ｍＪ／ｃｍ2、更に好
ましくは３０ｍＪ／ｃｍ2乃至４０ｍＪ／ｃｍ2である。
なお、感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、ポ
リイミドなどが採用される。
【００３５】工程３（図１（ｃ））：次に、第１のマス
ク７１を取り除き、換わって、第２のマスク７２を配置
する。この第２のマスク７２は、能動層１３のソース１
３ｓと反射表示電極２８がコンタクトするためのコンタ
クトホール７３を形成する位置に対応した開口部を有す
るマスクである。
ク７１を取り除き、換わって、第２のマスク７２を配置
する。この第２のマスク７２は、能動層１３のソース１
３ｓと反射表示電極２８がコンタクトするためのコンタ
クトホール７３を形成する位置に対応した開口部を有す
るマスクである。
【００３６】第２のマスク７２を配置した後、第２の露
光７６を行う。この第２の露光７６における露光量は、
第１の露光量よりも大きくする。それは、コンタクトホ
ール７３の深さの方が凹部７４の深さよりも深いためで
ある。そこで露光光を深くまで、具体的にはソース１３
ｓにまで達するコンタクトホール７３が得られる深さに
まで露光光が到達するために、第２の露光７６の露光量
を大きくする必要がある。具体的には、その第２の露光
７６の露光量は、その露光量は２００ｍＪ／ｃｍ2乃至
６００ｍＪ／ｃｍ2、好ましくは２５０ｍＪ／ｃｍ2乃至
５００ｍＪ／ｃｍ2、更に好ましくは３００ｍＪ／ｃｍ2
乃至４００ｍＪ／ｃｍ2である。
光７６を行う。この第２の露光７６における露光量は、
第１の露光量よりも大きくする。それは、コンタクトホ
ール７３の深さの方が凹部７４の深さよりも深いためで
ある。そこで露光光を深くまで、具体的にはソース１３
ｓにまで達するコンタクトホール７３が得られる深さに
まで露光光が到達するために、第２の露光７６の露光量
を大きくする必要がある。具体的には、その第２の露光
７６の露光量は、その露光量は２００ｍＪ／ｃｍ2乃至
６００ｍＪ／ｃｍ2、好ましくは２５０ｍＪ／ｃｍ2乃至
５００ｍＪ／ｃｍ2、更に好ましくは３００ｍＪ／ｃｍ2
乃至４００ｍＪ／ｃｍ2である。
【００３７】工程４（図１（ｄ））：次に第２のマスク
７２を取り除いて、感光性樹脂膜７０を現像することに
より、露光された部分の感光性樹脂膜７０がエッチング
されて、凹部７４及びコンタクトホール７３が形成され
る。
７２を取り除いて、感光性樹脂膜７０を現像することに
より、露光された部分の感光性樹脂膜７０がエッチング
されて、凹部７４及びコンタクトホール７３が形成され
る。
【００３８】このようにして、凹部７４及びコンタクト
ホール７３が形成された後、その上にＡｌ等の反射材料
から成る反射表示電極２８を形成する。
ホール７３が形成された後、その上にＡｌ等の反射材料
から成る反射表示電極２８を形成する。
【００３９】これによって、図２におけるコンタクトホ
ール１７（７３に対応する）、凹部２７（７４に対応す
る）が形成される。
ール１７（７３に対応する）、凹部２７（７４に対応す
る）が形成される。
【００４０】更に、反射表示電極２８の上に液晶を配向
する配向膜を形成して、いわゆるＴＦＴ基板が完成す
る。このＴＦＴ基板に対向し、対向電極、配向膜を液晶
配置側に、また、位相差板及び偏光板を液晶を配置しな
い側、即ち観察者側に形成した対向電極基板を設ける。
これらのＴＦＴ基板と対向電極基板とをそれらの周辺に
て接着して、これらの間隙に液晶を充填して反射型液晶
表示装置が完成する。なお、対向電極基板は実質的に透
明であり、また画素毎に区切られてはいない。
する配向膜を形成して、いわゆるＴＦＴ基板が完成す
る。このＴＦＴ基板に対向し、対向電極、配向膜を液晶
配置側に、また、位相差板及び偏光板を液晶を配置しな
い側、即ち観察者側に形成した対向電極基板を設ける。
これらのＴＦＴ基板と対向電極基板とをそれらの周辺に
て接着して、これらの間隙に液晶を充填して反射型液晶
表示装置が完成する。なお、対向電極基板は実質的に透
明であり、また画素毎に区切られてはいない。
【００４１】以上のように、感光性樹脂を用いるととも
に、所望のコンタクトホールと凹部を形成するにあた
り、感光性樹脂の露光量をそれぞれ異ならせることによ
り、従来のように２度の平坦化絶縁膜を成膜すること無
く容易にコンタクトホールと凹部を形成することができ
るので、工程が簡略化できコストの削減が可能となる。
に、所望のコンタクトホールと凹部を形成するにあた
り、感光性樹脂の露光量をそれぞれ異ならせることによ
り、従来のように２度の平坦化絶縁膜を成膜すること無
く容易にコンタクトホールと凹部を形成することができ
るので、工程が簡略化できコストの削減が可能となる。
【００４２】なお、現像後に加熱、例えば２２０℃程度
で加熱すれば、図１（ｅ）に示すように、更に凹部７４
の凹部端部の傾斜がなだらかになり、入射光を更に多方
向に反射することができ、明るい表示を得ることができ
る。
で加熱すれば、図１（ｅ）に示すように、更に凹部７４
の凹部端部の傾斜がなだらかになり、入射光を更に多方
向に反射することができ、明るい表示を得ることができ
る。
【００４３】また、本実施の形態においては、凹部２７
が反射表示電極形成領域に、相似形の四角形状を２つ形
成した場合について説明したが、本発明はそれに限定さ
れるものではなく、丸形状でも、また複数の形状が設け
られていても良い。凹部２７は１つでも３つ以上でも良
い。
が反射表示電極形成領域に、相似形の四角形状を２つ形
成した場合について説明したが、本発明はそれに限定さ
れるものではなく、丸形状でも、また複数の形状が設け
られていても良い。凹部２７は１つでも３つ以上でも良
い。
【００４４】また、凹部２７が形成される領域は、ゲー
ト信号線５１とドレイン信号線５２とに囲まれる領域内
に限るものではなく、ゲート信号線５１又はドレイン信
号線５２と重畳した領域に形成されていても良い。
ト信号線５１とドレイン信号線５２とに囲まれる領域内
に限るものではなく、ゲート信号線５１又はドレイン信
号線５２と重畳した領域に形成されていても良い。
【００４５】更にまた、本実施の形態においては、隣接
する反射表示電極２８の周囲端部がゲート信号線５１及
びドレイン信号線５２に重畳した場合について説明した
が、本発明はそれに限定されるものではなく、いずれか
一方の信号線にだけ重畳していても良く、いずれにも重
畳していなくても良い。また、反射表示電極２８につい
ても、ＴＦＴ上にまで延在していなくてもよい。
する反射表示電極２８の周囲端部がゲート信号線５１及
びドレイン信号線５２に重畳した場合について説明した
が、本発明はそれに限定されるものではなく、いずれか
一方の信号線にだけ重畳していても良く、いずれにも重
畳していなくても良い。また、反射表示電極２８につい
ても、ＴＦＴ上にまで延在していなくてもよい。
【００４６】更にまた、第２のゲート電極１７と能動層
１３との間に設ける絶縁膜、例えば本実施形態の場合の
ストッパ絶縁膜１４、層間絶縁膜１５及び平坦化絶縁膜
１９が、ＳｉＯ膜、ＳｉＮ膜若しくは有機膜の各単体か
らなっていても良く、または各膜を積層させた積層体か
らなっていても良い。
１３との間に設ける絶縁膜、例えば本実施形態の場合の
ストッパ絶縁膜１４、層間絶縁膜１５及び平坦化絶縁膜
１９が、ＳｉＯ膜、ＳｉＮ膜若しくは有機膜の各単体か
らなっていても良く、または各膜を積層させた積層体か
らなっていても良い。
【００４７】また、本実施の形態においては、ゲートを
２つ備えたいわゆるダブルゲート電極構造のＴＦＴを用
いた場合を示したが、ゲートが１つのシングルゲート構
造又はゲートが３つ以上のマルチゲート構造であっても
良い。
２つ備えたいわゆるダブルゲート電極構造のＴＦＴを用
いた場合を示したが、ゲートが１つのシングルゲート構
造又はゲートが３つ以上のマルチゲート構造であっても
良い。
【００４８】また、図４（ａ）〜図４（ｅ）に示すよう
に、コンタクトホール７３の形成と、凹部７４の形成の
順序を図１（ａ）〜図１（ｅ）とは逆にしても良い。こ
れによって、まず、図４（ｂ）に示すコンタクトホール
７３のための露光が行われ、その後に図４（ｃ）に示す
凹部７４のための露光が行われる。このとき、コンタク
トホール７３を形成するための露光光７６の方が、凹部
７４を形成するための露光光７５よりも大きい。具体的
には図１の工程の場合と同じである。また、図４
（ａ）、図４（ｄ）及び図４（ｅ）は、図１（ａ）、図
１（ｄ）、図１（ｅ）と同一であり、図４（ｂ）は図１
（ｃ）と同一、図４（ｃ）は図１（ｂ）と同一である。
に、コンタクトホール７３の形成と、凹部７４の形成の
順序を図１（ａ）〜図１（ｅ）とは逆にしても良い。こ
れによって、まず、図４（ｂ）に示すコンタクトホール
７３のための露光が行われ、その後に図４（ｃ）に示す
凹部７４のための露光が行われる。このとき、コンタク
トホール７３を形成するための露光光７６の方が、凹部
７４を形成するための露光光７５よりも大きい。具体的
には図１の工程の場合と同じである。また、図４
（ａ）、図４（ｄ）及び図４（ｅ）は、図１（ａ）、図
１（ｄ）、図１（ｅ）と同一であり、図４（ｂ）は図１
（ｃ）と同一、図４（ｃ）は図１（ｂ）と同一である。
【００４９】なお、上述の実施の形態においては、反射
表示電極とコンタクトする箇所はＴＦＴのソースである
場合を示したが、本発明はそれに限定されるものではな
く、反射表示電極に表示信号を供給すれば良く、ＴＦＴ
のドレインであっても良い。
表示電極とコンタクトする箇所はＴＦＴのソースである
場合を示したが、本発明はそれに限定されるものではな
く、反射表示電極に表示信号を供給すれば良く、ＴＦＴ
のドレインであっても良い。
【００５０】
【発明の効果】本発明によれば、工程の増大を抑制し容
易に反射表示電極とソースとのコンタクトをとるととも
に、反射表示電極形成領域に凹部を形成することができ
る。
易に反射表示電極とソースとのコンタクトをとるととも
に、反射表示電極形成領域に凹部を形成することができ
る。
【図１】本発明の第１の実施形態を示す反射型液晶表示
装置の製造工程断面図である。
装置の製造工程断面図である。
【図２】本発明の実施形態を示す反射型液晶表示装置の
平面図である。
平面図である。
【図３】従来の反射型液晶表示装置の製造工程断面図で
ある。
ある。
【図４】本発明の第２の実施形態を示す反射型液晶表示
装置の製造工程断面図である。
装置の製造工程断面図である。
１０ 絶縁性基板 １１ 第１のゲート電極 １３ 能動層 １３ｓ ソース １３ｄ ドレイン １３ｃ チャネル １４ ストッパ絶縁膜 １５ 層間絶縁膜 １９ 第２のゲート電極 ２８ 反射表示電極 ３６ 液晶 ７０ 感光性樹脂膜 ７１ 第１のマスク ７２ 第２のマスク ７５ 第１の露光 ７６ 第２の露光
Claims (6)
- 【請求項１】 薄膜トランジスタと、表面に凹部を有す
る絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタに接続され、反
射材料から成る反射表示電極とを備えた反射型液晶表示
装置の製造方法において、 前記絶縁膜は感光性樹脂膜からなっており、該感光性樹
脂膜を露光する露光量は、表面に凹部を有する前記反射
表示電極を形成する領域の方が、前記薄膜トランジスタ
と前記反射表示電極とをコンタクトさせるためのコンタ
クトホールを形成する領域よりも小さいことを特徴とす
る反射型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２】 薄膜トランジスタと、表面に凹部を有す
る絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタに接続され、該
薄膜トランジスタよりも上層に形成された反射材料から
成る反射表示電極とを備えた反射型液晶表示装置の製造
方法において、 前記絶縁膜となる感光性樹脂膜を塗布する工程と、 前記反射表示電極を形成する領域の前記感光性樹脂膜上
に、凹部を形成する箇所に対応した位置に開口部を有す
る第１のマスクを配置し、第１の露光量で露光する工程
と、 前記第１のマスクに換えて、前記反射表示電極を形成す
る領域の前記感光性樹脂上に、前記薄膜トランジスタと
前記反射表示電極とがコンタクトするためのコンタクト
ホールを形成する箇所に対応した位置に開口部を有する
第２のマスクを配置し、第２の露光量で露光する工程
と、 前記第２のマスクを取り除き、前記感光性樹脂を現像す
る工程と、 前記現像した感光性樹脂上に前記反射表示電極を形成す
ることを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項３】 薄膜トランジスタと、表面に凹部を有す
る絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタに接続され、該
薄膜トランジスタよりも上層に形成された反射材料から
成る反射表示電極とを備えた反射型液晶表示装置の製造
方法において、 前記絶縁膜となる感光性樹脂膜を塗布する工程と、 前記反射表示電極を形成する領域の前記感光性樹脂上
に、前記薄膜トランジスタと前記反射表示電極とがコン
タクトするためのコンタクトホールを形成する箇所に対
応した位置に開口部を有する第２のマスクを配置し、前
記第２の露光量で露光する工程と、 前記第２のマスクに換えて、前記反射表示電極を形成す
る領域の前記感光性樹脂膜上に、凹部を形成する箇所に
対応した位置に開口部を有する第１のマスクを配置し、
前記第１の露光量で露光する工程と、 前記第１のマスクを取り除き、前記感光性樹脂を現像す
る工程と、 前記現像した感光性樹脂上に前記反射表示電極を形成す
ることを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項４】 液晶層を通過する光を反射させる反射膜
を形成する反射型液晶表示装置の製造方法であって、 前記基板上に感光性樹脂膜を形成し、該感光性樹脂膜を
第１のマスクを介して第１の露光量で露光し、次いで第
２のマスクを介して第２の露光量で露光し、２度の露光
を受けた感光性樹脂膜を現像し、該感光性樹脂膜の表面
に２種類の深さの異なる凹部を形成し、前記現像した２
種類の凹部を有する感光性樹脂膜上に反射材料からなる
前記反射膜を形成することを特徴とする反射型液晶表示
装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記感光性樹脂を現像する工程の後に、
加熱する工程を付加したことを特徴とする請求項２〜４
のうちいずれか１項に記載の反射型液晶表示装置の製造
方法。 - 【請求項６】 前記第１の露光量は第２の露光量よりも
小さいことを特徴とする請求項２〜５のうちいずれか１
項に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000212881A JP2001083506A (ja) | 1999-07-14 | 2000-07-13 | 反射型液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20060099 | 1999-07-14 | ||
| JP11-200600 | 1999-07-14 | ||
| JP2000212881A JP2001083506A (ja) | 1999-07-14 | 2000-07-13 | 反射型液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001083506A true JP2001083506A (ja) | 2001-03-30 |
Family
ID=16427068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000212881A Pending JP2001083506A (ja) | 1999-07-14 | 2000-07-13 | 反射型液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6410358B1 (ja) |
| EP (1) | EP1069458A3 (ja) |
| JP (1) | JP2001083506A (ja) |
| KR (1) | KR100385762B1 (ja) |
| TW (1) | TWI224227B (ja) |
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| AUPQ385899A0 (en) * | 1999-11-04 | 1999-11-25 | Pacific Solar Pty Limited | Formation of contacts on thin films |
| JP3394483B2 (ja) * | 1999-11-16 | 2003-04-07 | 鹿児島日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 |
| JP2002333608A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Toshiba Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
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| KR100813027B1 (ko) * | 2001-08-18 | 2008-03-14 | 삼성전자주식회사 | 감광성 절연막 및 반사전극의 요철 형성방법 및 이를이용한 요철구조의 반사전극을 갖는 액정표시기의 제조방법 |
| KR20030044518A (ko) * | 2001-11-30 | 2003-06-09 | 에이유 오프트로닉스 코퍼레이션 | 거친 확산기를 갖는 반사형 ｔｆｔ-ｌｃｄ 제조 방법 |
| KR100987711B1 (ko) * | 2003-11-18 | 2010-10-13 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 및 제조방법 |
| WO2006054386A1 (ja) * | 2004-11-17 | 2006-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | アクティブマトリクス基板及び表示装置 |
| CN101802699A (zh) | 2007-11-16 | 2010-08-11 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0112417A1 (en) | 1982-12-22 | 1984-07-04 | International Business Machines Corporation | Semiconductor integrated display and method of making same |
| EP0821261B1 (en) | 1992-06-26 | 2001-11-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflective type liquid crystal display device |
| JP2530990B2 (ja) * | 1992-10-15 | 1996-09-04 | 富士通株式会社 | 薄膜トランジスタ・マトリクスの製造方法 |
| JPH0736030A (ja) * | 1993-07-23 | 1995-02-07 | Sharp Corp | 反射型液晶表示装置 |
| US5691791A (en) | 1993-07-30 | 1997-11-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflective liquid crystal display device and reflector |
| JP3097945B2 (ja) | 1994-10-03 | 2000-10-10 | シャープ株式会社 | 反射型液晶表示装置の製造方法 |
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