JP2001077658A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JP2001077658A JP2001077658A JP24792799A JP24792799A JP2001077658A JP 2001077658 A JP2001077658 A JP 2001077658A JP 24792799 A JP24792799 A JP 24792799A JP 24792799 A JP24792799 A JP 24792799A JP 2001077658 A JP2001077658 A JP 2001077658A
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- acoustic wave
- electrode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡便な構造で、高精度な実装精度で実装する
ことが出来る、小型、軽量な弾性表面波装置を提供する
こと 【解決手段】 圧電基板２上に励振電極１を形成した弾
性表面波素子３と保護基体１４とから成り、保護基体１
４に異方性エッチングにより凹部１４ａを形成するとと
もに、凹部１４ａに弾性表面波素子３の励振電極１を対
向させたことを特徴とする弾性表面波装置Ｓ１とした。
ことが出来る、小型、軽量な弾性表面波装置を提供する
こと 【解決手段】 圧電基板２上に励振電極１を形成した弾
性表面波素子３と保護基体１４とから成り、保護基体１
４に異方性エッチングにより凹部１４ａを形成するとと
もに、凹部１４ａに弾性表面波素子３の励振電極１を対
向させたことを特徴とする弾性表面波装置Ｓ１とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば自動車電話
や携帯電話等の移動体無線機器に内蔵される共振器及び
周波数帯域フィルタに使用可能な弾性表面波装置に関す
る。
や携帯電話等の移動体無線機器に内蔵される共振器及び
周波数帯域フィルタに使用可能な弾性表面波装置に関す
る。
【０００２】
【従来技術とその課題】近年、電波を利用し通信を行な
う電子機器用の帯域通過フィルタ等の周波数フィルタ
（以下、フィルタという）、遅延線、発信器等の電子部
品として、多くのSAW 共振子やSAW フィルタが用いられ
ている。特に、移動体通信分野において、携帯電話等の
携帯端末装置のRF（Radio Frequency ：無線周波数ある
いは高周波）ブロック及びIF（Intermediate Frequenc
y：中間周波数）ブロックのフィルタとして多用されて
いる。今後、自動車電話及び携帯電話等の移動体無線機
器を使用した通信システム上、部品の軽量化や小型化が
望まれている。
う電子機器用の帯域通過フィルタ等の周波数フィルタ
（以下、フィルタという）、遅延線、発信器等の電子部
品として、多くのSAW 共振子やSAW フィルタが用いられ
ている。特に、移動体通信分野において、携帯電話等の
携帯端末装置のRF（Radio Frequency ：無線周波数ある
いは高周波）ブロック及びIF（Intermediate Frequenc
y：中間周波数）ブロックのフィルタとして多用されて
いる。今後、自動車電話及び携帯電話等の移動体無線機
器を使用した通信システム上、部品の軽量化や小型化が
望まれている。
【０００３】従来の弾性表面波（Surface Acoustic Wav
e で、以下、SAW と略す）装置の基本構成は、圧電基板
の表面に一対の櫛歯状の励振電極（Inter Digital Tran
sducer、IDT 電極）を複数配置してある素子を、セラミ
ック製の筐体内に載置した構造となっている。
e で、以下、SAW と略す）装置の基本構成は、圧電基板
の表面に一対の櫛歯状の励振電極（Inter Digital Tran
sducer、IDT 電極）を複数配置してある素子を、セラミ
ック製の筐体内に載置した構造となっている。
【０００４】図６に従来の弾性表面波装置の一例を示
す。励振電極１は、例えば36°Y カットX 伝搬タンタル
酸リチウム単結晶等からなる圧電基板２上に、蒸着法、
スパッタ法等によりAl、Al-Cu 合金等の導電膜を成膜し
た後、フォトリソグラフィ法により微細な電極となるよ
う導電膜をパターニングして形成される。さらに、励振
電極１を形成した圧電基板２をダイシングソーで切断す
ることにより、弾性表面波素子３が作製される。また、
この素子をセラミックで作製した筐体４内に載置し接着
樹脂５にて固着させ、筐体４の入出力電極６または接地
電極７をそれぞれの引き出し電極８、９にワイヤ１０で
接続する。そして、耐候性を持たせるために、筐体４と
蓋体１１をシーム溶接または半田または樹脂の封止材１
２により封止する。
す。励振電極１は、例えば36°Y カットX 伝搬タンタル
酸リチウム単結晶等からなる圧電基板２上に、蒸着法、
スパッタ法等によりAl、Al-Cu 合金等の導電膜を成膜し
た後、フォトリソグラフィ法により微細な電極となるよ
う導電膜をパターニングして形成される。さらに、励振
電極１を形成した圧電基板２をダイシングソーで切断す
ることにより、弾性表面波素子３が作製される。また、
この素子をセラミックで作製した筐体４内に載置し接着
樹脂５にて固着させ、筐体４の入出力電極６または接地
電極７をそれぞれの引き出し電極８、９にワイヤ１０で
接続する。そして、耐候性を持たせるために、筐体４と
蓋体１１をシーム溶接または半田または樹脂の封止材１
２により封止する。
【０００５】このように、従来の弾性表面波装置では、
軽量化，小型化が要求されているにもかかわらず、素子
に比較して筐体の大きさが大きく、また、ワイヤボンド
により筐体内に空間を確保する必要があるため、弾性表
面波装置が大型化するという問題があった。
軽量化，小型化が要求されているにもかかわらず、素子
に比較して筐体の大きさが大きく、また、ワイヤボンド
により筐体内に空間を確保する必要があるため、弾性表
面波装置が大型化するという問題があった。
【０００６】これに対し、近年、バンプを用いたフリッ
プチップ接続を行なって、装置を軽量小型化する提案が
なされている（例えば、特開平１１−１５０４４０号公
報を参照）。この方法によれば、電気的接続をフリップ
チップ接続で行なうことにより、ワイヤボンドで必要と
なる空間を確保する必要が無くなる。このため、従来の
ワイヤ接続による弾性表面波装置より小型の弾性表面波
装置を提供することが出来る。
プチップ接続を行なって、装置を軽量小型化する提案が
なされている（例えば、特開平１１−１５０４４０号公
報を参照）。この方法によれば、電気的接続をフリップ
チップ接続で行なうことにより、ワイヤボンドで必要と
なる空間を確保する必要が無くなる。このため、従来の
ワイヤ接続による弾性表面波装置より小型の弾性表面波
装置を提供することが出来る。
【０００７】しかし、上記のいずれの場合においても、
弾性表面波装置に耐候性を持たせるため、ＩＤＴ電極が
外気にさらされないように、ＩＤＴ電極が装置外部と電
気的接続をとりつつＩＤＴ電極を密封しなければならな
い。
弾性表面波装置に耐候性を持たせるため、ＩＤＴ電極が
外気にさらされないように、ＩＤＴ電極が装置外部と電
気的接続をとりつつＩＤＴ電極を密封しなければならな
い。
【０００８】図６に示す弾性表面波装置では、筐体に蓋
体をかぶせた後、筐体と蓋体をシーム溶接または半田ま
たは樹脂で封止することになる。この場合、蓋体などの
部材が必要であり、工程が煩雑になるという問題があっ
た。
体をかぶせた後、筐体と蓋体をシーム溶接または半田ま
たは樹脂で封止することになる。この場合、蓋体などの
部材が必要であり、工程が煩雑になるという問題があっ
た。
【０００９】また、上記フリップチップによる方法で
は、フリップチップにより接続した後に封止樹脂でチッ
プの周辺を封止する必要がある。この場合はさらに、Ｉ
ＤＴ電極が樹脂と接触するとフィルタの特性が劣化する
ため、封止樹脂がＩＤＴ電極のある部分まで入り込まな
いように樹脂塗布工程を細かく制御する必要があり、や
はり、工程が煩雑になるという問題があった。
は、フリップチップにより接続した後に封止樹脂でチッ
プの周辺を封止する必要がある。この場合はさらに、Ｉ
ＤＴ電極が樹脂と接触するとフィルタの特性が劣化する
ため、封止樹脂がＩＤＴ電極のある部分まで入り込まな
いように樹脂塗布工程を細かく制御する必要があり、や
はり、工程が煩雑になるという問題があった。
【００１０】さらに、いずれの場合においても高い実装
精度が要求される。特に、図６に示す弾性表面波装置で
は、筐体に対する弾性表面波素子の位置精度は、素子を
筐体にダイボンドするときの実装精度に依存する。筐体
に対する素子の位置が変動すれば、ボンディングワイヤ
の形状が変動することになり、弾性表面波装置の特性も
変動してしまう。このため、筐体に対する素子の位置が
一定になるよう、高精度に実装する必要がある。また、
上記フリップチップの方法では、素子のバンプと実装基
板上のバンプが重ならなければバンプ接合が出来なくな
るため、やはり、素子を高精度に実装する必要がある。
精度が要求される。特に、図６に示す弾性表面波装置で
は、筐体に対する弾性表面波素子の位置精度は、素子を
筐体にダイボンドするときの実装精度に依存する。筐体
に対する素子の位置が変動すれば、ボンディングワイヤ
の形状が変動することになり、弾性表面波装置の特性も
変動してしまう。このため、筐体に対する素子の位置が
一定になるよう、高精度に実装する必要がある。また、
上記フリップチップの方法では、素子のバンプと実装基
板上のバンプが重ならなければバンプ接合が出来なくな
るため、やはり、素子を高精度に実装する必要がある。
【００１１】本発明の目的は、非常に簡便な構造で、高
精度な実装精度で実装することが出来る、小型、軽量な
弾性表面波装置を提供することにある。
精度な実装精度で実装することが出来る、小型、軽量な
弾性表面波装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の弾性表面波装置は、圧電基板上に励振電極
を形成した弾性表面波素子と保護基体とから成り、保護
基体に異方性エッチングにより凹部を形成するととも
に、該凹部に前記弾性表面波素子の励振電極を対向させ
たことを特徴とする。特に、圧電基板上に形成した励振
電極を、異方性エッチングにより形成した保護基体の凹
部で覆って励振電極の振動空間を確保する。
に、本発明の弾性表面波装置は、圧電基板上に励振電極
を形成した弾性表面波素子と保護基体とから成り、保護
基体に異方性エッチングにより凹部を形成するととも
に、該凹部に前記弾性表面波素子の励振電極を対向させ
たことを特徴とする。特に、圧電基板上に形成した励振
電極を、異方性エッチングにより形成した保護基体の凹
部で覆って励振電極の振動空間を確保する。
【００１３】また特に、圧電基板の外周部が、保護基体
の凹部の周囲に形成された段差部に接合されていること
を特徴とする。さらに、保護基体の周縁部に、外部回路
基板上に配設するための接続用導体を形成し、該接続導
体が前記励振電極に接続されていることを特徴とする。
の凹部の周囲に形成された段差部に接合されていること
を特徴とする。さらに、保護基体の周縁部に、外部回路
基板上に配設するための接続用導体を形成し、該接続導
体が前記励振電極に接続されていることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明に係る弾性表面波装置の実
施形態を図面に基づき詳細に説明する。
施形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００１５】図１に本発明に係る弾性表面波装置Ｓ１の
端面図を示す。図２に外部回路基板１６に実装されてい
る状態の本発明に係る弾性表面波装置の上面透視図を示
す。なお、図１は図２におけるＡ−Ａ’線上の端面図で
ある。
端面図を示す。図２に外部回路基板１６に実装されてい
る状態の本発明に係る弾性表面波装置の上面透視図を示
す。なお、図１は図２におけるＡ−Ａ’線上の端面図で
ある。
【００１６】弾性表面波装置Ｓ１は、圧電基板２上に励
振電極１を形成した弾性表面波素子３と保護基体１４と
から成るものであって、保護基体１４に異方性エッチン
グにより凹部１４ａを形成するとともに、この凹部１４
ａに弾性表面波素子３の励振電極１を対向させ、励振電
極１の振動空間１７を確保している。
振電極１を形成した弾性表面波素子３と保護基体１４と
から成るものであって、保護基体１４に異方性エッチン
グにより凹部１４ａを形成するとともに、この凹部１４
ａに弾性表面波素子３の励振電極１を対向させ、励振電
極１の振動空間１７を確保している。
【００１７】また、圧電基板２の外周部が、保護基体１
４の凹部１４ａの周囲に形成された段差部１８において
接合されている。保護基体１４の周縁部に、外部回路基
板１６上に配設するための接続用導体である引き出し電
極１３を形成し、引き出し電極１３が励振電極１に電気
的に接続されている。そして、この引き出し電極１３は
外部回路基板１６の導体パターン２１と半田等の接合部
材２０を介して接続されている。
４の凹部１４ａの周囲に形成された段差部１８において
接合されている。保護基体１４の周縁部に、外部回路基
板１６上に配設するための接続用導体である引き出し電
極１３を形成し、引き出し電極１３が励振電極１に電気
的に接続されている。そして、この引き出し電極１３は
外部回路基板１６の導体パターン２１と半田等の接合部
材２０を介して接続されている。
【００１８】また、圧電基板２上に励振電極１と保護基
体１４への引き出し電極が形成されており、保護基体１
４の引き出し電極１３と弾性表面波素子３の接合には半
田バンプやＡｕ−Ｓｎ半田、Ａｇ含エポキシ樹脂導電性
ペーストの導電性接着材１５で接着されている。
体１４への引き出し電極が形成されており、保護基体１
４の引き出し電極１３と弾性表面波素子３の接合には半
田バンプやＡｕ−Ｓｎ半田、Ａｇ含エポキシ樹脂導電性
ペーストの導電性接着材１５で接着されている。
【００１９】保護基体１４においては、単結晶基板の異
方性エッチングによりある傾斜角を有する（シリコン単
結晶であれば、（１００）面を異方性エッチングするこ
とにより（１１１）面が傾斜面となる）、２段の段差を
形成することで、図に示すような励振電極１の振動空間
１７を形成することができる。また、この段差部１８上
に引き出し電極１３を配設することで、段差部分で途切
れの無い、電気導通の取れる構造とすることができる。
また、導電性接着剤１５に半田バンプやＡｕ−Ｓｎ半田
を用いることで半田のセルフアライメント効果を生じ、
素子が高精度に配設可能である。
方性エッチングによりある傾斜角を有する（シリコン単
結晶であれば、（１００）面を異方性エッチングするこ
とにより（１１１）面が傾斜面となる）、２段の段差を
形成することで、図に示すような励振電極１の振動空間
１７を形成することができる。また、この段差部１８上
に引き出し電極１３を配設することで、段差部分で途切
れの無い、電気導通の取れる構造とすることができる。
また、導電性接着剤１５に半田バンプやＡｕ−Ｓｎ半田
を用いることで半田のセルフアライメント効果を生じ、
素子が高精度に配設可能である。
【００２０】また、保護基体１４の作製において、保護
基板の凹部形成、電極およびバンプのパターニングすべ
てがウェハプロセスで行なえ、これにより、工程が簡略
化され、高精度なパターニングが行える。ひいては高精
度な弾性表面波素子３の載置が行えるという利点があ
る。弾性表面波素子３と保護基体１４の固着及び封止
は、素子と保護基体を導通させた後行い、弾性表面波素
子３の外周部をエポキシ系樹脂またはＳｉ系樹脂の封止
材１２で包囲する。
基板の凹部形成、電極およびバンプのパターニングすべ
てがウェハプロセスで行なえ、これにより、工程が簡略
化され、高精度なパターニングが行える。ひいては高精
度な弾性表面波素子３の載置が行えるという利点があ
る。弾性表面波素子３と保護基体１４の固着及び封止
は、素子と保護基体を導通させた後行い、弾性表面波素
子３の外周部をエポキシ系樹脂またはＳｉ系樹脂の封止
材１２で包囲する。
【００２１】他の弾性表面波装置の実施形態を図３の端
面図にて示す。なお図１と同様な部材については同一符
号を付し説明を省略する。この弾性表面波装置Ｓ２にお
いては、封止材１２が振動空間１７に浸入しないよう
に、弾性表面波素子３の周囲の封止箇所と振動空間１７
の間の段差部に樹脂ダム１９を設けており、弾性表面波
素子３と保護基体１４の固着及び封止を充分に行うこと
ができ、樹脂の充填を多くし、気密性を向上させること
ができる。
面図にて示す。なお図１と同様な部材については同一符
号を付し説明を省略する。この弾性表面波装置Ｓ２にお
いては、封止材１２が振動空間１７に浸入しないよう
に、弾性表面波素子３の周囲の封止箇所と振動空間１７
の間の段差部に樹脂ダム１９を設けており、弾性表面波
素子３と保護基体１４の固着及び封止を充分に行うこと
ができ、樹脂の充填を多くし、気密性を向上させること
ができる。
【００２２】さらに他の弾性表面波装置の実施形態を図
４の端面図にて示す。なお図１と同様な部材については
同一符号を付し説明を省略する。この弾性表面波装置Ｓ
３においては、凹部と素子載置部を上にし、保護基体１
４の周縁部の端面に沿って引き出し電極１３を配設する
構造としている。
４の端面図にて示す。なお図１と同様な部材については
同一符号を付し説明を省略する。この弾性表面波装置Ｓ
３においては、凹部と素子載置部を上にし、保護基体１
４の周縁部の端面に沿って引き出し電極１３を配設する
構造としている。
【００２３】さらに他の弾性表面波装置の実施形態を図
５の端面図にて示す。なお図１と同様な部材については
同一符号を付し説明を省略する。この弾性表面波装置Ｓ
４は、保護基体１４の周縁部における弾性表面波素子３
の電気接続部位にスルーホールを施して導通をとるよう
に構成したものである。
５の端面図にて示す。なお図１と同様な部材については
同一符号を付し説明を省略する。この弾性表面波装置Ｓ
４は、保護基体１４の周縁部における弾性表面波素子３
の電気接続部位にスルーホールを施して導通をとるよう
に構成したものである。
【００２４】尚、圧電基板はタンタル酸リチウム単結
晶、ニオブ酸リチウム単結晶、水晶、４ほう酸リチウム
単結晶、ランガサイト系単結晶、ニオブ酸カリウム単結
晶、ガリ砒素が主に適用できる。また、ＩＤＴ電極材は
アルミ、アルミ・銅合金、アルミ・チタン合金、アルミ
・珪素合金、金、銀、銀・パラディウム合金が主に適用
できる。また、引き出し電極材は主材にアルミ、アルミ
・銅合金、アルミ・チタン合金、アルミ・珪素合金、
金、銀、銀・パラディウム合金が主に適用でき、電極の
密着度向上や電気抵抗の削減のため下地材が必要な場合
には、クロム、チタン、銅が主に適用できる。
晶、ニオブ酸リチウム単結晶、水晶、４ほう酸リチウム
単結晶、ランガサイト系単結晶、ニオブ酸カリウム単結
晶、ガリ砒素が主に適用できる。また、ＩＤＴ電極材は
アルミ、アルミ・銅合金、アルミ・チタン合金、アルミ
・珪素合金、金、銀、銀・パラディウム合金が主に適用
できる。また、引き出し電極材は主材にアルミ、アルミ
・銅合金、アルミ・チタン合金、アルミ・珪素合金、
金、銀、銀・パラディウム合金が主に適用でき、電極の
密着度向上や電気抵抗の削減のため下地材が必要な場合
には、クロム、チタン、銅が主に適用できる。
【００２５】また、弾性表面波素子３上に電気ショート
防止のための保護膜を形成しても構わない。保護膜材料
として、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ、Ｓｉ、ＤＬＣ（Diamond Li
ke Carbon ）、ＺｎＯ、ポリイミド、フッ素系樹脂、オ
レフィン系樹脂、またウエハプロセスに使用されるポジ
型レジストのような感光性硬化樹脂が主に適用できる。
防止のための保護膜を形成しても構わない。保護膜材料
として、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ、Ｓｉ、ＤＬＣ（Diamond Li
ke Carbon ）、ＺｎＯ、ポリイミド、フッ素系樹脂、オ
レフィン系樹脂、またウエハプロセスに使用されるポジ
型レジストのような感光性硬化樹脂が主に適用できる。
【００２６】また、図２では励振電極を共振器梯子型フ
ィルタの構成図を示したが、共振器格子型フィルタや２
重モード共振器型フィルタ、マルチＩＤＴ電極型フィル
タまたはこれらの複合された構成で行っても構わない。
ィルタの構成図を示したが、共振器格子型フィルタや２
重モード共振器型フィルタ、マルチＩＤＴ電極型フィル
タまたはこれらの複合された構成で行っても構わない。
【００２７】さらに、本発明は上記の実施形態に限定さ
れるものでなく、ＳＡＷフィルタだけでなく、ＳＡＷデ
ュプレクサにも本発明が適用でき、本発明の要旨を逸脱
しない範囲で種々の変更は何等差し支えない。
れるものでなく、ＳＡＷフィルタだけでなく、ＳＡＷデ
ュプレクサにも本発明が適用でき、本発明の要旨を逸脱
しない範囲で種々の変更は何等差し支えない。
【００２８】
【実施例】厚さ０．３５ｍｍの３インチ４２° Yカット
X 伝搬タンタル酸リチウム単結晶圧電基板に、電極膜と
してＡｌ−Ｃｕ合金をスパッタ法にて膜厚２０００Åで
成膜した。その上に、ポジ型レジストを１μm の厚さで
スピンコート法により塗布した。その後、露光、現像を
行ないレジストのパターニングを行ない、ドライエッチ
ング法で電極をエッチングし、アッシングでレジストを
除去し、電極パターニングを完了した。
X 伝搬タンタル酸リチウム単結晶圧電基板に、電極膜と
してＡｌ−Ｃｕ合金をスパッタ法にて膜厚２０００Åで
成膜した。その上に、ポジ型レジストを１μm の厚さで
スピンコート法により塗布した。その後、露光、現像を
行ないレジストのパターニングを行ない、ドライエッチ
ング法で電極をエッチングし、アッシングでレジストを
除去し、電極パターニングを完了した。
【００２９】その後、ＳｉＯ2 膜をＣＶＤ法により２５
０Å成膜し、ポジ型レジストを１μm の厚さでスピンコ
ート法により塗布し、露光、現像を行ないレジストのパ
ターニングを行ない、ドライエッチング法で電極をエッ
チングし、アッシングでレジストを除去して、ＩＤＴ上
に保護膜をパターニングした。
０Å成膜し、ポジ型レジストを１μm の厚さでスピンコ
ート法により塗布し、露光、現像を行ないレジストのパ
ターニングを行ない、ドライエッチング法で電極をエッ
チングし、アッシングでレジストを除去して、ＩＤＴ上
に保護膜をパターニングした。
【００３０】その後、ポジ型レジストを２μm の厚さで
スピンコート法により塗布し、露光、現像を行ないレジ
ストのパターニングを行なった後、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ膜
（下層／上層）を蒸着により２０００Å成膜し、剥離液
に浸漬してレジストおよび余分なＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ膜を
除去し、引き出し電極の形成を行なった。
スピンコート法により塗布し、露光、現像を行ないレジ
ストのパターニングを行なった後、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ膜
（下層／上層）を蒸着により２０００Å成膜し、剥離液
に浸漬してレジストおよび余分なＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ膜を
除去し、引き出し電極の形成を行なった。
【００３１】その後、ポジ型レジストを３μm の厚さで
スピンコート法により塗布し、露光、現像を行ないレジ
ストのパターニングを行なった後、ＳｉＯ2 膜をＣＶＤ
法により５０００Å成膜し、剥離液に浸漬してレジスト
および余分なＳｉＯ2 膜を除去し、ＳｉＯ2 からなる囲
みの下部を形成した。その後、ポジ型レジストを３μm
の厚さでスピンコート法により塗布し、露光、現像を行
ないレジストのパターニングを行なった。その後、Ａｕ
−Ｓｎ合金膜を蒸着により２μｍ成膜し、剥離液に浸漬
してレジストおよび余分なＡｕ−Ｓｎ合金膜を除去し、
Ａｕ−Ｓｕ合金膜からなる囲みの上部および接続回路基
板との接続のためのバンプを形成した。
スピンコート法により塗布し、露光、現像を行ないレジ
ストのパターニングを行なった後、ＳｉＯ2 膜をＣＶＤ
法により５０００Å成膜し、剥離液に浸漬してレジスト
および余分なＳｉＯ2 膜を除去し、ＳｉＯ2 からなる囲
みの下部を形成した。その後、ポジ型レジストを３μm
の厚さでスピンコート法により塗布し、露光、現像を行
ないレジストのパターニングを行なった。その後、Ａｕ
−Ｓｎ合金膜を蒸着により２μｍ成膜し、剥離液に浸漬
してレジストおよび余分なＡｕ−Ｓｎ合金膜を除去し、
Ａｕ−Ｓｕ合金膜からなる囲みの上部および接続回路基
板との接続のためのバンプを形成した。
【００３２】このとき、引き出し電極とＩＤＴ電極を形
成しているＡｌ−Ｃｕ合金から成る電極の接合部を囲み
の内側に入れてしまうことにより、圧電基板上の電極の
うちで耐候性のあるＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のみが外気に
さらされる部分になり、水分に対して腐食性のあるＡｌ
−Ｃｕ合金電極を囲みによる密封空間に閉じ込めること
が出来るため、弾性表面波装置も耐候性を得る。
成しているＡｌ−Ｃｕ合金から成る電極の接合部を囲み
の内側に入れてしまうことにより、圧電基板上の電極の
うちで耐候性のあるＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のみが外気に
さらされる部分になり、水分に対して腐食性のあるＡｌ
−Ｃｕ合金電極を囲みによる密封空間に閉じ込めること
が出来るため、弾性表面波装置も耐候性を得る。
【００３３】次に、（１００）面を主面とする厚さ０．
７５ｍｍの３インチＳｉ単結晶基板に、ポジ型レジスト
を１μm の厚さでスピンコート法により塗布し、露光、
現像を行ないレジストのパターニングを行なった。この
基板を水酸化カリウム水溶液に２０時間浸漬することに
より、Ｓｉ基板に深さ０．４ｍｍの凹部を形成し、剥離
液に浸漬してレジストを除去した。その後、同様にフォ
トリソ工程を用いて中央部に振動空間をエッチング時間
５時間、深さ０．０５ｍｍの凹部を作製した。また、エ
ッチングより得られた傾斜面は（１１１）面となる。
７５ｍｍの３インチＳｉ単結晶基板に、ポジ型レジスト
を１μm の厚さでスピンコート法により塗布し、露光、
現像を行ないレジストのパターニングを行なった。この
基板を水酸化カリウム水溶液に２０時間浸漬することに
より、Ｓｉ基板に深さ０．４ｍｍの凹部を形成し、剥離
液に浸漬してレジストを除去した。その後、同様にフォ
トリソ工程を用いて中央部に振動空間をエッチング時間
５時間、深さ０．０５ｍｍの凹部を作製した。また、エ
ッチングより得られた傾斜面は（１１１）面となる。
【００３４】その後、ポジ型レジストを２μm の厚さで
スピンコート法により塗布し、露光、現像を行ないレジ
ストのパターニングを行なった後、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ膜
を蒸着により２０００Å成膜し、剥離液に浸漬してレジ
ストおよび余分なＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ膜を除去し、接続回
路の形成を行なった。
スピンコート法により塗布し、露光、現像を行ないレジ
ストのパターニングを行なった後、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ膜
を蒸着により２０００Å成膜し、剥離液に浸漬してレジ
ストおよび余分なＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ膜を除去し、接続回
路の形成を行なった。
【００３５】その後、ポジ型レジストを３μm の厚さで
スピンコート法により塗布し、露光、現像を行ないレジ
ストのパターニングを行なった後、Ａｕ−Ｓｎ合金膜を
蒸着により５０００Å成膜し、剥離液に浸漬してレジス
トおよび余分なＡｕ−Ｓｎ合金膜を除去し、圧電基板上
の囲みの上部と接合するＳｉ基板上のＡｕ−Ｓｕ合金の
バンプを形成した。
スピンコート法により塗布し、露光、現像を行ないレジ
ストのパターニングを行なった後、Ａｕ−Ｓｎ合金膜を
蒸着により５０００Å成膜し、剥離液に浸漬してレジス
トおよび余分なＡｕ−Ｓｎ合金膜を除去し、圧電基板上
の囲みの上部と接合するＳｉ基板上のＡｕ−Ｓｕ合金の
バンプを形成した。
【００３６】その後、ポジ型レジストを３μm の厚さで
スピンコート法により塗布し、露光、現像を行ないレジ
ストのパターニングを行なった後、Ａｕ−Ｓｎ合金膜を
蒸着により２μｍ成膜し、剥離液に浸漬してレジストお
よび余分なＡｕ−Ｓｎ合金膜を除去し、外部回路基板と
の接続のためのバンプを形成した。
スピンコート法により塗布し、露光、現像を行ないレジ
ストのパターニングを行なった後、Ａｕ−Ｓｎ合金膜を
蒸着により２μｍ成膜し、剥離液に浸漬してレジストお
よび余分なＡｕ−Ｓｎ合金膜を除去し、外部回路基板と
の接続のためのバンプを形成した。
【００３７】次に、ダイシングソーを用い、タンタル酸
リチウム単結晶基板をダイシングして、１ｍｍ角のＳＡ
Ｗフィルタのチップにした。また、Ｓｉ基板をダイシン
グして２ｍｍ角の接続回路基板のチップにした。
リチウム単結晶基板をダイシングして、１ｍｍ角のＳＡ
Ｗフィルタのチップにした。また、Ｓｉ基板をダイシン
グして２ｍｍ角の接続回路基板のチップにした。
【００３８】次に、マウンターを用いて、ＳＡＷフィル
タのチップを上下反転して、接続回路基板のチップの凹
部に載せ、定圧力をかけながら温度を２５０度に昇温し
てＡｕ−Ｓｎ膜を溶融させ、囲みにおける封止とバンプ
における接続を完成させた。このとき、外部接続回路と
の接続用バンプは半球状になり、バンプとして用いられ
る。
タのチップを上下反転して、接続回路基板のチップの凹
部に載せ、定圧力をかけながら温度を２５０度に昇温し
てＡｕ−Ｓｎ膜を溶融させ、囲みにおける封止とバンプ
における接続を完成させた。このとき、外部接続回路と
の接続用バンプは半球状になり、バンプとして用いられ
る。
【００３９】この後、封止材を弾性表面波素子３の周囲
に充填し、封止を行った。
に充填し、封止を行った。
【００４０】以上説明したように、高精度な素子の載置
ができ、ひいては電気特性の偏差の小さい、幅２ｍｍ×
奥２ｍｍ×高さ０．８ｍｍの小型な弾性表面波装置を作
製することができた。
ができ、ひいては電気特性の偏差の小さい、幅２ｍｍ×
奥２ｍｍ×高さ０．８ｍｍの小型な弾性表面波装置を作
製することができた。
【００４１】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の弾性表面
波装置によれば、保護基体を精度良く作製することが可
能で、弾性表面波素子の載置精度が良好であり、大量に
作製した場合の電気特性の偏差を小さくすることができ
る。
波装置によれば、保護基体を精度良く作製することが可
能で、弾性表面波素子の載置精度が良好であり、大量に
作製した場合の電気特性の偏差を小さくすることができ
る。
【００４２】また、弾性表面波素子と保護基体のみの簡
単な構造であり、非常に簡便かつ迅速に実装することが
でき、保護基体によって励振電極の振動空間が密閉され
るため、耐候性も十分に期待することができる。
単な構造であり、非常に簡便かつ迅速に実装することが
でき、保護基体によって励振電極の振動空間が密閉され
るため、耐候性も十分に期待することができる。
【００４３】さらに、弾性表面波装置の高さは保護基体
の厚みに依存するので、小型化、軽量化が可能となる。
の厚みに依存するので、小型化、軽量化が可能となる。
【００４４】以上のように、非常に簡便な構造で、高精
度な実装精度で実装することが出来る、小型化，軽量化
が可能で信頼性にも優れた弾性表面波装置を提供でき
る。
度な実装精度で実装することが出来る、小型化，軽量化
が可能で信頼性にも優れた弾性表面波装置を提供でき
る。
【図１】本発明に係る弾性表面波装置が外部回路基板に
実装された様子を模式的に説明する端面図である。
実装された様子を模式的に説明する端面図である。
【図２】本発明に係る弾性表面波装置が外部回路基板に
実装された様子を模式的に説明する上面透視図である。
実装された様子を模式的に説明する上面透視図である。
【図３】本発明に係る他の弾性表面波装置が外部回路基
板に実装された様子を模式的に説明する端面図である。
板に実装された様子を模式的に説明する端面図である。
【図４】本発明に係る他の弾性表面波装置が外部回路基
板に実装された様子を模式的に説明する端面図である。
板に実装された様子を模式的に説明する端面図である。
【図５】本発明に係る他の弾性表面波装置が外部回路基
板に実装された様子を模式的に説明する端面図である。
板に実装された様子を模式的に説明する端面図である。
【図６】従来の弾性表面波装置を模式的に説明する端面
図である。
図である。
１：励振電極 ２：圧電基板 ３：弾性表面波素子 ４：筐体（ケーシング） ５：接着樹脂 ６：入出力電極 ７：接地電極 ８：入出力電極の引き出し電極 ９：接地電極の引き出し電極 １０：ワイヤ １１：蓋体 １２：封止材 １３：保護基体上引き出し電極 １４：保護基体 １５：導電性接着剤 １６：外部回路基板 １７：振動空間 １８：保護基体の段差 １９：樹脂ダム Ｓ１〜Ｓ４：弾性表面波装置
Claims (3)
- 【請求項１】 圧電基板上に励振電極を形成した弾性表
面波素子と保護基体とから成り、前記保護基体に異方性
エッチングにより凹部を形成するとともに、該凹部に前
記弾性表面波素子の励振電極を対向させたことを特徴と
する弾性表面波装置。 - 【請求項２】 前記圧電基板の外周部が、前記保護基体
の凹部の周囲に形成された段差部に接合されていること
を特徴とする請求項１に記載の弾性表面波装置。 - 【請求項３】 前記保護基体の周縁部に、外部回路基板
上に配設するための接続用導体を形成し、該接続導体が
前記励振電極に接続されていることを特徴とする請求項
１乃至請求項２に記載の弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24792799A JP2001077658A (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24792799A JP2001077658A (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | 弾性表面波装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009189652A Division JP4684343B2 (ja) | 2009-08-19 | 2009-08-19 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001077658A true JP2001077658A (ja) | 2001-03-23 |
Family
ID=17170629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24792799A Pending JP2001077658A (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001077658A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007522730A (ja) * | 2004-02-05 | 2007-08-09 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 電気的構成素子および製造方法 |
| WO2008038493A1 (en) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Boundary acoustic wave device |
| JP2015181155A (ja) * | 2014-03-06 | 2015-10-15 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| CN107196618A (zh) * | 2017-02-16 | 2017-09-22 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 | 薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
-
1999
- 1999-09-01 JP JP24792799A patent/JP2001077658A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007522730A (ja) * | 2004-02-05 | 2007-08-09 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 電気的構成素子および製造方法 |
| JP4838732B2 (ja) * | 2004-02-05 | 2011-12-14 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 電気的構成素子および製造方法 |
| WO2008038493A1 (en) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Boundary acoustic wave device |
| JPWO2008038493A1 (ja) * | 2006-09-25 | 2010-01-28 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
| US7898145B2 (en) | 2006-09-25 | 2011-03-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Boundary acoustic wave device |
| JP2015181155A (ja) * | 2014-03-06 | 2015-10-15 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| CN107196618A (zh) * | 2017-02-16 | 2017-09-22 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 | 薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
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