JP2001077483A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents

配線基板およびその製造方法

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JP2001077483A
JP2001077483A JP2000178491A JP2000178491A JP2001077483A JP 2001077483 A JP2001077483 A JP 2001077483A JP 2000178491 A JP2000178491 A JP 2000178491A JP 2000178491 A JP2000178491 A JP 2000178491A JP 2001077483 A JP2001077483 A JP 2001077483A
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capacitor element
resin
wiring board
mold
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Koju Ogawa
幸樹 小川
Eiji Kodera
英司 小寺
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    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡易に、しかも低コストで製造可能なコンデ
ンサ素子内蔵の配線基板、およびその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 絶縁性基板3を、コンデンサ素子13を
基板成形用の金型内に配置した後、樹脂4をその金型の
内部に注入することにより成形する。そのため、ICチ
ップ15のスイッチングノイズの抑制や動作電源電圧の
安定化の機能を果たすために必要な大きさ(即ち静電容
量)のコンデンサ素子13を、寸法的に余裕を持って、
しかも従来よりも簡便に、配線基板1に内蔵させること
ができる。そして、コンデンサ素子13の内蔵化に失敗
する可能性が低くなり、延いては低コストで製造するこ
とが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、集積回路素子が
搭載される配線基板およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、集積回路素子(以下、「IC
チップ」という)が搭載される配線基板には、ICチッ
プのスイッチングノイズの低減や動作電源電圧の安定化
を図るために、コンデンサ素子を配設することが行われ
ている。しかしコンデンサ素子を配線基板に設ける場
合、ICチップとコンデンサ素子との間の配線長が長く
なるほど配線のインダクタンス成分が増加して、上記目
的を十分には図ることが難しくなることから、コンデン
サ素子はなるべくICチップの近傍に設けるほうが望ま
しい。
【0003】そこで従来より、例えば、特開平7−26
3619号公報に記載されている様に、ベース基板(多
層配線基板の底部を構成する基板)に凹部を設け、その
凹部内部にコンデンサ素子を収容して覆うことにより、
配線基板の内部にコンデンサ素子を内蔵する技術や、ま
た、特開平11−67961号公報に記載されているよ
うに、コア基板(多層配線基板の中心となる基板)の表
面にコンデンサ素子を搭載し、その上にビルドアップ法
で絶縁層及び導体層を積層して多層配線基板を構成する
ことにより、多層配線基板の内部にコンデンサ素子を内
蔵する技術も知られている。この様に配線基板にコンデ
ンサ素子を内蔵するようにすれば、コンデンサ素子を表
面実装する場合と比較して、ICチップとコンデンサ素
子との間の配線長の短縮化が可能となり、スイッチング
ノイズの低減や動作電源電圧の安定化を図る上で有利と
なるのである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで特開平7ー2
63619号公報に記載の技術では、基板の厚みを抑制
しつつ、基板にコンデンサ素子を内蔵することができる
点で好ましいが、基板に凹状の収容部を形成する必要が
あり、そのために工数の増加や工期の長期化を招き、製
造コストが高くなる原因となる。
【0005】一方特開平11−67961号公報記載の
方法では、予め凹部を設ける必要はなく、コア基板上に
積層される絶縁層にコンデンサ素子を配置することとな
る。しかし、ビルドアップ法により積層される一般的な
絶縁層の厚さは数十μmであるのに対して、上述の働き
をするために実際に必要な数百nF以上のコンデンサ素
子の厚さは500μm以上となることから、絶縁層の積
層が容易でない。そして、コンデンサ素子の埋め込みに
成功しなかった場合には、それまで行った数々の工程
(即ちコンデンサ素子を内蔵する工程以前の工程、例え
ば、コア基板を成形する工程や導体パターンを形成する
工程等)が無駄となってしまい、製造コスト増大の原因
となる可能性がある。
【0006】本発明はこうした問題を解決するために為
されたものであり、簡易に、しかも低コストで製造可能
なコンデンサ素子内蔵の配線基板、およびその製造方法
を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】上記課題
を解決するためになされた本発明(請求項1記載)の配
線基板は、絶縁性基板と、該絶縁性基板を支持体として
該絶縁性基板上に形成された導体層と、前記絶縁性基板
に内蔵され、該導体層に接続されたコンデンサ素子とを
備え、集積回路素子を前記導体層に接続して搭載するた
めの配線基板であって、前記絶縁性基板は、所定の型の
内部にコンデンサ素子を配置して樹脂を注入することに
より成形されたことを特徴とする本発明(請求項1)の
配線基板の絶縁性基板は、コンデンサ素子を基板成形用
の型の内部に配置した後、基板成形用の樹脂をその型の
内部に注入することにより成形される。即ち、絶縁性基
板を成形するための型に予めコンデンサ素子を配置して
おくことにより、配線基板へのコンデンサ素子の内蔵を
図るのである。
【0008】配線基板の支持体として機能する絶縁性基
板は厚く構成されるため、集積回路素子のスイッチング
ノイズの抑制や動作電源電圧の安定化の機能を果たすた
めに必要な大きさ(換言すれば静電容量の大きさ)のコ
ンデンサ素子を、寸法的に余裕を持って配置することが
できる。
【0009】つまり、本発明(請求項1)の様に絶縁性
基板を構成すれば、従来の方法(即ち、予め形成された
基板に凹部を設けてその凹部にコンデンサ素子を配置す
る方法や、ビルドアップ法により積層される絶縁層内部
にコンデンサ素子を配置する方法)よりも簡便に、コン
デンサ素子の内蔵化を図ることができることになる。そ
して、コンデンサの内蔵化に失敗する可能性が低くな
り、延いては低コストで製造することが可能となる。
【0010】また、配線基板の支持体として機能する絶
縁性基板を成形する工程は、配線基板の製造工程の中で
も初めの方の工程である。そのため、従来の構成の配線
基板では、コンデンサ素子の埋め込みに失敗した場合、
それまでに行われた数々の工程が無駄となり製造コスト
の高騰の一因となってしまうのに対して、本発明(請求
項1)の構成の配線基板では、絶縁性基板へのコンデン
サ素子の埋め込みがうまく行かなかったとしても、配線
基板の製造工程に与える影響が比較的少なく、延いては
低コストで製造できることになる。
【0011】ところで上述の様に、コンデンサ素子を絶
縁性基板に埋め込むようにすると、外部からの力が絶縁
性基板に加わった際、絶縁性基板に内蔵のコンデンサ素
子にも応力が加わり、コンデンサ素子に悪影響(例えば
コンデンサ素子の変形、破壊等)が及び、本来のスイッ
チングノイズ低減や動作電源電圧安定化といった機能を
十分に得ることができなくなる可能性も否定できない。
また、外部から力が加わらなくても、絶縁性基板自体の
熱膨張により、コンデンサ素子に応力が加わることも考
えられる。
【0012】そこで請求項2記載の様に、絶縁性基板
を、その(絶縁性基板の)内部に埋設された補強部材を
備えるよう構成するとよい。こうすれば、請求項1に係
る発明の効果に加えて、絶縁性基板の寸法安定性(即ち
温度変化に対する基板の寸法の安定性)や剛性を向上さ
せることができ、絶縁性基板に内蔵されたコンデンサ素
子を有効に保護することができるという効果を奏する。
【0013】また、絶縁性基板の寸法安定性の向上によ
り、絶縁性基板へのビルドアップ法による配線パターン
の形成を、より精度良く行うことができるようになる。
そして、絶縁性基板の剛性の向上により、多数個取り用
大型基板による配線基板の作成が可能となり、その結
果、工数の低減、延いては配線基板の製造の容易化、低
コストを更に推進できることとなる。
【0014】補強部材としては、ガラス、金属、樹脂な
どからなる線材、それらを編み込んだ織布または不織
布、さらにはこれらに樹脂を含浸させたものが考えられ
る。また、ガラス、金属、樹脂、セラミックなどからな
る板材も、補強部材として用いることが考えられる。
【0015】即ち、例えば請求項3記載の様に、補強部
材として、絶縁性基板の内部に埋設されたガラス布を備
えるよう構成することが考えられる。絶縁性基板を、そ
の内部に埋設されたガラス布を備えるよう構成すると
は、例えば後述の実施例の様に、絶縁性基板の内部に
て、基板面に沿ってガラス布を層状に配置することが考
えられる。
【0016】また、例えば請求項4記載の様に、補強部
材として、絶縁性基板の内部に埋設された金属板を備え
るよう構成してもよい。絶縁性基板を、その内部に埋設
された金属板を備えるよう構成するとは、例えば後述の
実施例の様に、絶縁性基板の内部にて、基板面に沿って
金属板を層状に配置することが考えられる。
【0017】ここで、絶縁性基板の両面に導体層(配線
パターン)を設ける場合、絶縁性基板には、その両面の
導体層を電気的に接続するためのスルーホールを形成す
ることがある。その場合には、金属板とスルーホールと
が電気的に接続することがないよう、スルーホールに対
応する金属板の所定位置には、スルーホールよりも径が
大きい貫通孔を予め設けておくと良い。また、金属板を
電源層や接地層として用いる場合には、金属板とスルー
ホールとを電気的に接続させても良い。この場合には、
金属板を貫通するスルーホールを形成しやすいように、
スルーホールに対応する金属板の所定位置には、スルー
ホールよりも径が大きい凹部を予め設けておくと良い。
そうすれば凹部の金属板の厚さが小さい分だけレーザや
ドリル等による孔開け加工が容易となる。
【0018】なお、請求項5記載の様に、型に注入され
る樹脂との密着性を高めるために、コンデンサ素子のう
ち、少なくとも側面を粗面化しておくと好ましい。この
ようにすれば、絶縁性基板を成形するための樹脂とコン
デンサ素子との結合力を高めて、絶縁性基板の剛性を向
上させることができる。そのため、多数個取り用大型基
板による配線基板の作成が可能となり、その結果、配線
基板の製造の容易化、低コストを更に推進できることと
なる。
【0019】次に請求項6に記載の発明は、樹脂製の絶
縁性基板と、該絶縁性基板を支持体として該絶縁性基板
上に形成された導体層と、該導体層に接続されたコンデ
ンサ素子とを備えた配線基板の製造方法であって、絶縁
性基板成形用の型にコンデンサ素子を配置して樹脂を注
入することにより、絶縁性基板を成形する第1工程と、
前記絶縁性基板の外部に前記コンデンサ素子の端子を露
出させる第2工程と、前記絶縁性基板の外部に露出され
た前記コンデンサ素子の端子に接続されるよう、該絶縁
性基板上に導体層を形成する第3工程と、を有すること
を特徴とする。
【0020】この様に、本発明の配線基板の製造方法に
おいては、第1工程において、絶縁性基板成形用の型に
コンデンサ素子を配置して樹脂を注入することにより、
絶縁性基板を成形する。そして、第1工程の後、第2工
程において、絶縁性基板の外部にコンデンサ素子の端子
を露出させる。そして、第3工程においては、前工程に
て絶縁性基板の外部に露出されたコンデンサ素子の端子
に接続されるよう、絶縁性基板に導体層を形成する。
【0021】このため、本発明の配線基板の製造方法に
よれば、絶縁性基板成形用の型にコンデンサ素子を配置
して樹脂を注入することにより、絶縁性基板を成形する
ことから、上述の従来の方法よりも、簡便に、コンデン
サ素子の内蔵化を図ることができることになる。そし
て、コンデンサの内蔵化に失敗する可能性が低くなり、
延いては低コストで配線基板を製造することが可能とな
る。
【0022】また、配線基板の支持体として機能する絶
縁性基板を成形する工程は、配線基板の製造工程の中で
も初めの方の工程である。そのため、従来の構成の配線
基板では、コンデンサ素子の埋め込みに失敗した場合、
それまでに行われた数々の工程が無駄となり製造コスト
の高騰の一因となってしまうのに対して、本発明(請求
項6)の配線基板の製造方法によれば、絶縁性基板への
コンデンサ素子の埋め込みがうまく行かなかったとして
も、配線基板の製造工程に与える影響が比較的少なく、
延いては低コストで配線基板を製造できることになる。
【0023】なお、コンデンサ素子は、型の内部の所定
位置(絶縁性基板の大きさや厚さ、コンデンサ素子の大
きさによって予め設定される最適な位置)に、所定の姿
勢(例えば、絶縁性基板の基板面を研磨したり、絶縁性
基板にレーザ加工によて開口を設けたりすることによっ
て、コンデンサ素子の端子を絶縁性基板の外部に露出さ
れることになる姿勢)で配置すれば良い。
【0024】さて、請求項6記載の製造方法によれば、
請求項1記載の配線基板を得ることができることになる
が、例えば請求項3記載の配線基板を得るには、請求項
7記載の様にすれば良い。即ち、請求項7記載の製造方
法では、第1工程において、型への樹脂注入を複数回に
分け、樹脂注入の合間にガラス布を型の内部の樹脂上に
配置することにより、厚み方向に樹脂およびガラス布が
積層された絶縁性基板を成形するのである。
【0025】請求項7記載の配線基板の製造方法によれ
ば、厚み方向に樹脂およびガラス布が積層された絶縁性
基板を成形することができ、請求項6に係る発明の効果
に加えて、絶縁性基板の寸法安定性(即ち温度変化に対
する基板の寸法の安定性)や剛性を向上させることがで
き、絶縁性基板に内蔵されたコンデンサ素子を有効に保
護することができるという効果を奏する。
【0026】即ち、例えば、絶縁性基板に加わる外力
や、絶縁性基板自体の熱膨張により、絶縁性基板に内蔵
のコンデンサ素子にも応力が加わり、コンデンサ素子に
悪影響(例えばコンデンサ素子の変形、破壊等)が及
び、本来のスイッチングノイズ低減や動作電源電圧安定
化といった機能を十分に得ることができなくなるといっ
た不具合をなくすことができる。
【0027】また、絶縁性基板の寸法安定性の向上によ
り、絶縁性基板上でのビルドアップ法による配線パター
ンの形成を、より精度良く行うことができるようにな
る。そして、絶縁性基板の剛性の向上により、多数個取
り用大型基板による配線基板の作成が可能となり、その
結果、工数の低減、延いては配線基板の製造の容易化、
低コストを更に推進できることとなる。
【0028】また、請求項4記載の配線基板を得るに
は、請求項8記載の様にして絶縁性基板を成形するとよ
い。即ち、請求項8記載の製造方法では、第1工程にお
いて、型への樹脂注入を複数回に分け、樹脂注入の合間
に金属板を該型内部の樹脂上に配置することにより、厚
み方向に樹脂および金属板が積層された絶縁性基板を成
形するのである。
【0029】請求項8記載の配線基板の製造方法によれ
ば、厚み方向に樹脂および金属板が積層された絶縁性基
板を成形することができ、請求項7記載の製造方法と同
様の効果を得ることができる。ここで、絶縁性基板の両
面に導体層(配線パターン)を設ける場合、絶縁性基板
には、その両面の導体層を電気的に接続するためのスル
ーホールを形成することがある。その場合には、金属板
とスルーホールとが電気的に接続することがないよう、
スルーホールに対応する金属板の所定位置に、スルーホ
ールよりも径が大きい貫通孔を設ける工程を、第1工程
の前に行っておけば良い。
【0030】なお、請求項5記載の配線基板を得るに
は、請求項9記載のようにして絶縁性基板を成形すると
良い。即ち、請求項9記載の配線基板の製造方法では、
第1工程の前に、コンデンサ素子のうち、少なくとも側
面を粗面化する工程を行うのである。
【0031】この様な請求項9記載の配線基板の製造方
法によれば、コンデンサ素子の表面を粗面化しておき、
型に注入される樹脂との密着性を高めることから、絶縁
性基板を成形するための樹脂とコンデンサ素子との結合
力を高めて、絶縁性基板の剛性を向上させることができ
る。そのため、多数個取り用大型基板による配線基板の
作成が可能となり、その結果、工数の低減、延いては配
線基板の製造の容易化、低コストを更に推進できること
となる。
【0032】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の一実施例を図面
と共に説明する。図1は、第1実施例としての配線基板
1の構成及びその製造手順を示す説明図である。図1
(f)に示すように、この配線基板1においては、厚さ
1mm程の樹脂製の絶縁性基板3の表裏の両面(第1面
5a及び第2面5b)に、Cuからなる配線パターン7
a、7bが、絶縁性基板3を支持体として形成されてい
る。この配線パターン7a、7bは請求項の「導体層」
に相当する。
【0033】絶縁性基板3には、その一方の面から他方
の面に貫通する貫通穴9の内壁にメッキが施されたスル
ーホール11が形成されている。このスルーホール11
により、第1面5aの配線パターン7aと第2面5bの
配線パターン7bとは相互に接続されている。なお、ス
ルーホール11の内部には樹脂が充填されている。
【0034】また、絶縁性基板3の内部にはコンデンサ
素子13が設けられている。コンデンサ素子13は、配
線基板1に設けられることとなるICチップ15にて発
生されるスイッチングノイズの抑制や、またICチップ
15に供給すべき動作電源電圧の安定化を図るためのも
のである。このコンデンサ素子13の端子13aは、絶
縁性基板3の両面に夫々形成された配線パターン7a,
7bに接続されている。
【0035】そして配線パターン7a,7bは、所定の
露出すべき部位(ICチップ15等の実装部品の接続部
位)を除き、ソルダレジスト17により覆われ、露出さ
れた部位のうち、ICチップ15を接続すべき部分に
は、ICチップ15を接続するためのバンプ19が形成
されている。なお、本実施例ではコンデンサ素子13
は、1つのみ内蔵されたものを図示して説明するが、こ
れに限らず複数のコンデンサ素子13を内蔵したもので
あっても良い。
【0036】以下に、この配線基板の製造方法につい
て、図1を参照して説明する。まず、コンデンサ素子1
3の側面を含む表面を粗面化する(図1(a))。コン
デンサ素子13の粗面化は、本実施例ではバレル研磨に
より行われるが、その他に、ベルトサンダー、サンドブ
ラスト、バフ研磨などが考えられる。尚、これが、請求
項の「第1工程の前に、コンデンサ素子のうち、少なく
とも側面を粗面化する工程」に相当する。
【0037】次に、この様に粗面化されたコンデンサ素
子13を絶縁性基板3成形用の金型(請求項の「型」に
相当する。図示せず。)内部に配置し、この金型内に更
に樹脂4を注入した後、その樹脂4を硬化させる(図1
(b))。樹脂4を硬化させるには、樹脂4の種類に応
じて様々な方法が考えられるが、本実施例では、加熱お
よび乾燥により硬化(いわゆるキュア)させる。なお、
これが、請求項の「第1工程」に相当する。
【0038】尚、絶縁性基板3の成形に使用する樹脂4
には、樹脂4よりも熱膨張係数が小さいフィラー4a
(例えばSiO2 等)を混合しておくと好ましく、こう
することにより、樹脂4とフィラー4aとの複合体とし
ての絶縁性基板3の熱膨張係数を精度良くコントロール
することが可能となる。その結果、例えば、Cu等にて
形成される配線パターンやSi等にて形成されるICチ
ップ15と絶縁性基板3との間で、熱膨張係数の整合を
とり易くなり、絶縁性基板3上(即ち配線基板1上)に
構成される電子回路の、熱に対する信頼性を向上させる
ことができることになる。
【0039】絶縁性基板3を樹脂4で成形した後、その
絶縁性基板3の両面を研磨することにより、その絶縁性
基板3の両面を平坦化すると共に、絶縁性基板3の外部
(少なくとも片面。本実施例では両面)にコンデンサ素
子13の端子13aを露出させる(図1(c))。な
お、これが、請求項の「第2工程」に相当する。
【0040】そして、スルーホール11を構成するため
の貫通穴9をドリルにより穿設する(図1(d))。そ
の後、貫通穴9の内面にメッキを施すことによりスルー
ホール11を形成すると共に、絶縁性基板3の両面に
は、サブトラクティブ法にて配線パターン7a、7bを
形成する(図1(e))。尚、これが、請求項の「第3
工程」に相当し、配線パターン7a、7bの一部は、コ
ンデンサ素子13の端子13aに電気的に接続するよう
形成される。また、絶縁性基板3の両面に設けられた配
線パターン7a,7bの一部は、スルーホール11によ
り、互いに電気的に接続される。また、このスルーホー
ル11の内部には樹脂が充填される。
【0041】こうして配線パターン7a,7bを形成し
た後、絶縁性基板3の両面に、更にソルダレジスト17
を積層する。この際、配線パターン7a,7bのうち、
ICチップ15等の実装部品を接続すべき部位において
は、露光・現像工程によりソルダレジスト17に開口を
形成して、露出した状態とする。そして露出させた部位
のうち、ICチップ15を接続すべき部分(本実施例で
は、第1面5a側の配線パターン7aの一部)には、I
Cチップ15を接続するためのバンプ19を半田にて形
成する。なお、バンプ19は、予めNi/Auメッキ
(図示せず)を形成した配線パターン7aの上に形成さ
れる(図1(f))。
【0042】以上説明した第1実施例によれば、以下の
効果(1)〜(3)を奏する。 (1)絶縁性基板3を、コンデンサ素子13を基板成形
用の金型内に配置した後、基板成形用の樹脂4をその金
型の内部に注入することにより成形することから、IC
チップ15のスイッチングノイズの抑制や動作電源電圧
の安定化の機能を果たすために必要な大きさ(即ち静電
容量)のコンデンサ素子13を、寸法的に余裕を持っ
て、しかも従来よりも簡便に、配線基板1に内蔵させる
ことができる。そして、コンデンサ素子13の内蔵化に
失敗する可能性が低くなり、延いては低コストで製造す
ることが可能となる。
【0043】(2)また、配線基板1の支持体として機
能する絶縁性基板3を成形する工程は(図1(b))、
配線基板1の製造工程の中でも初めの方の工程である。
そのため、絶縁性基板3へのコンデンサ素子13の埋め
込みがうまく行かなかったとしても、配線基板1の製造
工程に与える影響が比較的少なく、更に低コストで製造
できることになる。
【0044】(3)コンデンサ素子13の表面を粗面化
しておき(図1(a))、金型に注入される樹脂との密
着性を高めていることから、絶縁性基板を成形するため
の樹脂とコンデンサ素子との結合力を高めて、絶縁性基
板の剛性を向上させることができる。そのため、多数個
取り用大型基板による配線基板の作成が可能となり、そ
の結果、配線基板の製造の容易化、低コストを更に推進
できる。
【0045】次に本発明の第2実施例について説明す
る。図2は、第2実施例としての配線基板1の構成を示
す説明図である。第1実施例の配線基板1は、絶縁性基
板3の両面に導体層(配線パターン7a、7b)を一層
だけ形成したものとして説明したが、第2実施例の配線
基板1は、Cuからなる導体層(第2配線パターン10
5a,105b)及び絶縁層103を更に積層したもの
(いわゆる多層配線基板)である。
【0046】即ち、配線パターン7a、7bの上には、
絶縁層103が積層され、第1面5a及び第2面5bの
夫々の面において、絶縁層103の上には、第2配線パ
ターン105a,105bが形成されている。この配線
パターン7a(7b)と第2配線パターン105a(1
05b)とは、絶縁層103に形成されたヴィア107
a(107b)により接続されている。なお、スルーホ
ール11の内部には、絶縁性の樹脂が充填されている。
【0047】そして第2配線パターン105a,105
bは、所定の露出すべき部位(ICチップ15等の実装
部品の接続部位)を除き、ソルダレジスト109により
覆われ、露出された部位のうち、ICチップ15を接続
すべき部分には、ICチップ15を接続するためのバン
プ111が形成されている。
【0048】この配線基板1の製造方法について、絶縁
性基板3の両面に配線パターン7a,7bを形成するま
では、図1(a)〜(e)に示す如く、第1実施例と同
様の手順で行われ、これに対応する説明については省略
する。第2実施例の配線基板1の製造においては、図1
(e)と共に説明した工程の後、周知のビルドアップ法
により、図2に示す如く、絶縁性基板3の両面において
絶縁層103を積層した後、ヴィア107a、107b
及び導体層(第2配線パターン105a,105b)を
形成する。
【0049】こうして第2配線パターン105a,10
5bを形成した後、更にソルダレジスト109を積層す
る。この際、第2配線パターン105a,105bのう
ち、ICチップ15等の実装部品を接続すべき部位は、
露光・現像工程を経てソルダレジスト109に開口を形
成し、露出した状態とする。そして露出させた部位のう
ち、ICチップ15を接続すべき部分(本実施例では、
第1面5a側の第2配線パターン105aの一部)に
は、ICチップ15を接続するためのバンプ111を半
田にて形成する。なお、バンプ111は、予めNi/A
uメッキ(図示せず)を形成した第2配線パターン10
5a上に形成される。
【0050】以上説明した第2実施例によれば、上記の
効果(1)〜(3)と同様の効果を奏する。なお、上記
第2実施例に示した配線基板に限らず、さらに多層化す
る場合でも同様な効果が得られる。次に第3実施例につ
いて説明する。この第3実施例では、厚み方向に樹脂4
およびガラス布203を積層したものとして、絶縁性基
板3を構成する。即ち、図1(b)と共に説明した工程
(即ち、請求項の「第1工程」)において、金型への樹
脂4の注入を複数回(本第3実施例では3回)に分け、
その樹脂4注入の合間にガラス布203を、金型内部の
樹脂4上に配置することにより、厚み方向に樹脂4およ
びガラス布203が積層された絶縁性基板3を成形する
のである。
【0051】この工程について詳しく説明すると、図3
(a)に示す様に、まず、粗面化されたコンデンサ素子
13を絶縁性基板3成形用の金型(図示せず)内部に配
置し、この金型内に、所定量(絶縁性基板3を形成する
のに必要な量の1/3程度)の樹脂4を注入する。ここ
で一旦樹脂4の注入を中断し、この注入した樹脂4の上
にガラス布203を配置する。図3(c)は、図3
(a)におけるA−A断面図であり、この図3(c)に
示す如くガラス布203は、成形すべき絶縁性基板3と
略同じ大きさのものであって、コンデンサ素子13に対
応する部分には、コンデンサ素子13よりも大きい貫通
穴203aが設けられている。
【0052】その後、更に、所定量の樹脂4の注入、ガ
ラス布203の配置を順に行い、最後に再び所定量の樹
脂4の注入を行い、樹脂4を硬化させることにより、厚
み方向に樹脂4及びガラス布203が積層された絶縁性
基板3を得る(図3(b))。
【0053】第3実施例の配線基板について、その他の
構成および製造手順については、第2実施例と同様であ
るので説明を省略する。以上説明した第3実施例によれ
ば、上記の効果(1)〜(3)に加えて、次の効果
(4)〜(7)を奏する。
【0054】(4)絶縁性基板3を、その厚み方向に樹
脂4およびガラス布203を積層して成形していること
から、絶縁性基板3の寸法安定性(即ち温度変化に対す
る基板の寸法の安定性)や剛性を向上させることがで
き、絶縁性基板3に内蔵されたコンデンサ素子を有効に
保護することができるという効果を奏する。
【0055】(5)絶縁性基板3の寸法安定性の向上に
より、絶縁性基板3へのビルドアップ法による配線パタ
ーン7a、7bや第2配線パターン105a,105b
の形成を、より精度良く行うことができるようになる。 (6)絶縁性基板3の剛性の向上により、多数個取り用
大型基板による配線基板1の作成が可能となり、その結
果、工数の低減、延いては配線基板の製造の容易化、低
コストを更に推進できることとなる。
【0056】(7)金型に注入された樹脂が、ガラス布
を構成するガラス繊維に染み込んで含浸されるため、樹
脂とガラス布の密着強度が高くなる。その結果、剛性に
より優れた配線基板11を得ることができる。次に第4
実施例について説明する。この第4実施例では、厚み方
向に樹脂4および金属板303(本実施例ではCu板)
を積層したものとして、絶縁性基板3を構成する。即
ち、図1(b)と共に説明した工程(即ち、請求項の
「第1工程」)において、金型への樹脂4の注入を複数
回(本第4実施例では2回)に分け、その樹脂4注入の
合間に金属板303を、金型内部の樹脂4上に配置する
ことにより、厚み方向に樹脂4およびガラス布203が
積層された絶縁性基板3を成形するのである(図4参
照)。
【0057】この工程について詳しく説明すると、ま
ず、粗面化されたコンデンサ素子13を絶縁性基板3成
形用の金型(図示せず)内部に配置し、この金型内に、
所定量(絶縁性基板3を形成するのに必要な量の1/2
程度)の樹脂4を注入する。ここで一旦樹脂4の注入を
中断し、この注入した樹脂4の上に金属板303を配置
する。
【0058】この金属板303は、上述のガラス布20
3と同様に、成形すべき絶縁性基板3と略同じ大きさの
ものであり、コンデンサ素子13に対応する部分には、
コンデンサ素子13よりも大きい貫通穴303aを設け
ておく。また金属板303としては、Cuが使用されて
いる。また、金属板303とスルーホール11とが電気
的に接続することがないよう、金属板303の、スルー
ホール11に対応する位置には、スルーホール11より
も大口径の貫通孔303bを設けておく。
【0059】その後、更に、所定量の樹脂4の注入を行
い、樹脂4を硬化させることにより、厚み方向に樹脂4
及び金属板303が積層された絶縁性基板3を得る。そ
の両面を研磨して、その絶縁性基板3の両面を平坦化す
ると共に、絶縁性基板3の両面にコンデンサ素子13の
端子13aを露出させると、図4に示す絶縁性基板3が
得られる。
【0060】第4実施例の配線基板について、その他の
構成および製造手順については、第2実施例と同様であ
るので説明を省略する。以上説明した第4実施例によれ
ば、上記の効果(1)〜(3)に加え、絶縁性基板3
を、その厚み方向に樹脂4および金属板303を積層し
て成形していることから、上記(4)〜(6)と同様の
効果を奏する。そして第4実施例によれば、更に、次の
効果(8)を奏する。
【0061】(8)配線パターン(配線パターン7a、
7bや第2配線パターン105a,105b)に用いら
れる金属材料(Cu)と同じ材料からなる金属板303
を用いるので、配線基板1全体の熱膨張係数の空間的分
布が安定し、その結果、配線基板1の信頼性が高まる。
【0062】次に第5実施例について説明する。第5実
施例としての配線基板1の構成を図5に示す。このうち
図5(b)は、図5(a)においてICチップ15の方
向から絶縁性基板3の内部を見た様子を、コンデンサ素
子413付近について模式的に示した図である。
【0063】上記第1〜第4実施例では、一つのコンデ
ンサ素子13を絶縁性基板3に内蔵するものとして説明
したが、図5の様に示す本実施例の配線基板1では、多
数のコンデンサ素子413を絶縁性基板3に内蔵してい
る。そして、個々のコンデンサ素子413の間には、請
求項の「補強部材」としてのファイバー430が配設さ
れている。このファイバー430は、絶縁性の材料(本
実施例ではナイロン樹脂)で構成されており、コンデン
サ素子413の間隔と略同等の太さを有する。
【0064】こうした構成は、例えば、次のようにして
実現できる。まず、複数のコンデンサ素子413を成形
用の型内に配置し、そして、各コンデンサ素子413の
間に、ファイバー430を、縦横方向に交差するよう配
置する。そして、樹脂を型内に注入し硬化させることに
より、図5に示す様にコンデンサ素子413およびファ
イバー430を内蔵した絶縁性基板3を得ることができ
る。なお、コンデンサ素子413を型内に配置する前
に、ファイバー430を型内に配置するようにしても良
く、そうすれば、当該型内におけるコンデンサ素子41
3の位置決めが容易である。
【0065】その他の構成については、第2実施例と同
様であるので説明を省略するが、以上の様に構成された
第5実施例の配線基板によれば、上記の効果(1)〜
(3)に加えて、次に効果を奏する。 (9)絶縁性基板3にはファイバー430を埋設してい
るため、絶縁性基板3の剛性を向上させることができ
る。そのため、絶縁性基板3に内蔵されたコンデンサ素
子413を有効に保護することができる。
【0066】(10)ファイバー430がコンデンサ素
子413の各間に位置するようにしているので、コンデ
ンサ素子413間において絶縁性基板3が割れたり、亀
裂を生じたりする可能性を少なくすることができる。ま
た、コンデンサ素子413同士の間隔を確保することも
可能となる。
【0067】(11)コンデンサ素子413の間に配置
されるファイバー430の太さは、コンデンサ素子41
3同士の間隔と略等しいものとされている。即ち、コン
デンサ素子413を所望の間隔で配置することが容易で
ある。つまりコンデンサ素子413の位置関係を確実に
保持でき、また、コンデンサ素子413同士の絶縁に必
要な間隔を確実に保つことができる。
【0068】(12)ファイバー430は、一方向だけ
でなく、縦横に交差するように配置していることから、
様々な方向からの力に対して絶縁性基板3が耐え得るよ
う補強することができる。 (13)ファイバー430は、絶縁性の材料であるナイ
ロン樹脂で構成されている。そのため、ファイバー43
0が、短絡を発生させることがなく好ましい。
【0069】以上、本発明の一実施例について説明した
が、本発明は上記実施例に限定される物ではなく、種々
の態様を取ることができる。例えば、上記実施例では、
サブトラクティブ法により導体層(配線パターン7a,
7b)を形成するものとして説明した(図1(e))
が、これに限られるものではなく、セミアディティブ
法、フルアディティブ法などの各種の方法により形成し
ても良い。
【0070】また、上記第3、4実施例では、ガラス布
203や金属板303を、補強部材として絶縁性基板3
内に内蔵するものとして説明したが、これに限られるも
のではなく、例えば、セラミック板を埋設(即ち、樹脂
4とセラミック板とを交互に積層)するようにしても良
い。ここで、絶縁性基板3の両面の配線パターン7a、
7bを互いに接続するスルーホールを設けるときには、
セラミック板の、スルーホールに対応する位置に、タン
グステンやモリブデン等を用いてセラミック板と同時焼
成にて、ヴィアを予め形成しておけば良い。
【0071】また、補強部材として板材を備える場合、
その材質は、金属やセラミックに限られるものではな
く、ガラス、樹脂などからなる板材を採用しても良いこ
とは言うまでもない。そして、板材には、コンデンサ素
子を収容するための貫通孔(例えば金属板303の貫通
孔303a)を設けておくほか、絶縁性基板3を形作る
樹脂4との密着性を高めるための凹凸や貫通孔を設けて
おくと良い。凹凸や貫通孔を設けることにより板材と樹
脂4との接触面積を増やすことができ、両者の密着性を
高めることができるのである。また、板材と樹脂4との
密着性を高めるには、板材の材質に応じて板材の表面
に、プライマー(例えばシランカップリング剤など)を
塗布して下地処理を施すとよい。
【0072】また、上記第4実施例では、金属板303
として、Cu板を用いるものとして説明したが、これに
限られるものではなく、種々の金属が考えられる。この
場合、なるべく剛性に優れたものが好ましく、また配線
パターンを形成する金属と同じ金属にて構成するのが好
ましい。
【0073】また、上記実施例1〜4では、絶縁性基板
3の外部にコンデンサ素子13の端子13aを露出させ
る請求項の第2工程として、「絶縁性基板3の両面を研
磨することにより、その絶縁性基板3の両面を平坦化す
ると共に、絶縁性基板3の外部にコンデンサ素子13の
端子13aを露出させる工程」を行うものとして説明し
た(この方法によれば、)が、これに限られるものでは
ない。例えば、絶縁性基板3に、レーザ加工により開口
を穿設することによって、絶縁性基板3の外部(両面も
しくは片面)に、コンデンサ素子13の端子13aを露
出させるようにしてもよい。
【0074】なお、絶縁性基板3の外部にコンデンサ素
子13の端子13aを露出させる請求項の第2工程とし
て、「絶縁性基板3の両面を研磨する工程」を採用すれ
ば、絶縁性基板3の平坦化をも同時に行うことができる
ので、工数削減の観点で好ましく、一方、「絶縁性基板
3に、レーザ加工により開口を穿設する工程」によれ
ば、絶縁性基板3の厚みよりもコンデンサ素子13が小
さい(薄い)場合でも端子13aの露出させることが比
較的容易となる(すなわち、絶縁性基板3の厚みに縛ら
れず、各種の大きさ・形状のコンデンサ素子13を採用
でき、設計の自由度が向上する)という点で好ましい。
【0075】また、例えば第5実施例のように、絶縁性
基板3に、複数のコンデンサ素子413が埋設されてい
る場合には、それぞれの高さ(深さ)にばらつきが生じ
たり、個々のコンデンサ素子413の厚みが異なってい
たりすることがある。このような場合には、研磨により
一度にすべてのコンデンサ素子413の端子413aを
露出させることは困難であるが、レーザ加工によれば、
高さ(深さ)にばらつきがあっても、すべての端子41
3aを露出させる開口を、確実に穿設することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 第1実施例の配線基板の構成及びその製造方
法を示す説明図である。
【図2】 第2実施例の配線基板の構成を示す説明図で
ある。
【図3】 第3実施例の配線基板の構成及びその製造方
法を示す説明図である。
【図4】 第4実施例の配線基板の構成を示す説明図で
ある。
【図5】 第5実施例の配線基板の構成を示す説明図で
ある。
【符号の説明】
1…配線基板 3…絶縁性基板 4…樹脂 7a,7b…配線パターン 13,413…コンデンサ素子 13a,413a…コンデンサ素子の端子 15…ICチップ 105a,105b…第2配線パターン 203…ガラス布 303…金属板 430…ファイバ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E338 AA02 AA03 AA16 BB63 BB72 BB75 CC01 EE14 EE26 EE28 EE33 5E346 AA02 AA12 AA15 AA32 AA43 BB20 CC02 CC32 DD03 DD22 DD32 EE31 FF04 FF07 FF45 GG15 GG17 GG19 GG25 HH11 HH31

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁性基板と、 該絶縁性基板を支持体として該絶縁性基板上に形成され
    た導体層と、 前記絶縁性基板に内蔵され、該導体層に接続されたコン
    デンサ素子とを備え、 集積回路素子を前記導体層に接続して搭載するための配
    線基板であって、 前記絶縁性基板は、所定の型の内部にコンデンサ素子を
    配置して樹脂を注入することにより成形されたことを特
    徴とする配線基板。
  2. 【請求項2】 前記絶縁性基板は、該絶縁性基板の内部
    に埋設された補強部材を備えることを特徴とする請求項
    1記載の配線基板。
  3. 【請求項3】 前記絶縁性基板は、前記補強部材とし
    て、該絶縁性基板の内部に埋設されたガラス布を備える
    ことを特徴とする請求項2記載の配線基板。
  4. 【請求項4】 前記絶縁性基板は、前記補強部材とし
    て、該絶縁性基板の内部に埋設された金属板を備えるこ
    とを特徴とする請求項2記載の配線基板。
  5. 【請求項5】 前記型に注入される樹脂との密着性を高
    めるために、前記コンデンサ素子のうち、少なくとも側
    面は粗面化されてなることを特徴とする請求項1〜4の
    何れかに記載の配線基板。
  6. 【請求項6】 樹脂製の絶縁性基板と、該絶縁性基板を
    支持体として該絶縁性基板上に形成された導体層と、該
    導体層に接続されたコンデンサ素子とを備えた配線基板
    の製造方法であって、 絶縁性基板成形用の型にコンデンサ素子を配置して樹脂
    を注入することにより、絶縁性基板を成形する第1工程
    と、 前記絶縁性基板の外部に前記コンデンサ素子の端子を露
    出させる第2工程と、 前記絶縁性基板の外部に露出された前記コンデンサ素子
    の端子に接続されるよう、該絶縁性基板上に導体層を形
    成する第3工程と、 を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
  7. 【請求項7】 前記第1工程では、前記型への樹脂注入
    を複数回に分け、該樹脂注入の合間にガラス布を該型内
    部の樹脂上に配置することにより、厚み方向に樹脂およ
    びガラス布が積層された絶縁性基板を成形することを特
    徴とする請求項6記載の配線基板の製造方法。
  8. 【請求項8】 前記第1工程では、前記型への樹脂注入
    を複数回に分け、該樹脂注入の合間に金属板を該型内部
    の樹脂上に配置することにより、厚み方向に樹脂および
    金属板が積層された絶縁性基板を成形することを特徴と
    する請求項6記載の配線基板の製造方法。
  9. 【請求項9】 前記第1工程の前に、前記コンデンサ素
    子のうち、少なくとも側面を粗面化する工程を有するこ
    とを特徴とする請求項6〜8の何れかに記載の配線基板
    の製造方法。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002314032A (ja) * 2001-04-16 2002-10-25 Sony Corp 半導体装置
JP2006049424A (ja) * 2004-08-02 2006-02-16 Shinko Electric Ind Co Ltd 電子部品内蔵基板およびその製造方法
JP2007535157A (ja) * 2004-04-27 2007-11-29 イムベラ エレクトロニクス オサケユキチュア 電子モジュール及びその製造方法
JP2008182071A (ja) * 2007-01-25 2008-08-07 Toppan Printing Co Ltd 電子部品内蔵配線板及びその製造方法、並びに電子機器
JP2008235550A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Mitsubishi Electric Corp プリント配線板、プリント配線板の製造方法、及びそれを用いた電子機器
JP2008306173A (ja) * 2007-05-07 2008-12-18 Ngk Spark Plug Co Ltd 部品内蔵配線基板及びその製造方法
JP2009038241A (ja) * 2007-08-02 2009-02-19 Ngk Spark Plug Co Ltd 部品内蔵配線基板、配線基板内蔵用コンデンサ
JP2010021368A (ja) * 2008-07-10 2010-01-28 Ngk Spark Plug Co Ltd 部品内蔵配線基板及びその製造方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002314032A (ja) * 2001-04-16 2002-10-25 Sony Corp 半導体装置
JP2007535157A (ja) * 2004-04-27 2007-11-29 イムベラ エレクトロニクス オサケユキチュア 電子モジュール及びその製造方法
JP2006049424A (ja) * 2004-08-02 2006-02-16 Shinko Electric Ind Co Ltd 電子部品内蔵基板およびその製造方法
JP4575071B2 (ja) * 2004-08-02 2010-11-04 新光電気工業株式会社 電子部品内蔵基板の製造方法
KR101097816B1 (ko) 2004-08-02 2011-12-23 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 전자 부품 내장형 기판의 제조 방법
JP2008182071A (ja) * 2007-01-25 2008-08-07 Toppan Printing Co Ltd 電子部品内蔵配線板及びその製造方法、並びに電子機器
JP2008235550A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Mitsubishi Electric Corp プリント配線板、プリント配線板の製造方法、及びそれを用いた電子機器
JP2008306173A (ja) * 2007-05-07 2008-12-18 Ngk Spark Plug Co Ltd 部品内蔵配線基板及びその製造方法
JP2009038241A (ja) * 2007-08-02 2009-02-19 Ngk Spark Plug Co Ltd 部品内蔵配線基板、配線基板内蔵用コンデンサ
JP2010021368A (ja) * 2008-07-10 2010-01-28 Ngk Spark Plug Co Ltd 部品内蔵配線基板及びその製造方法

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