JP2001077041A - 熱処理装置の温度校正方法 - Google Patents
熱処理装置の温度校正方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 縦型熱処理装置のヒータについて温度校正を
行う場合、熱電対付きウエハを炉内に入れて実際のウエ
ハの温度を測定し、その測定値に温度コントローラの設
定値を合わせ込んでいたが、この場合熱電対の金属によ
りプロセスウエハが汚染されるおそれがある。 【解決手段】 ―の縦型熱処理装置を用いて事前に熱電
対付きウエハを用いて温度コントローラの温度校正を行
っておき、その温度でプロセスウエハに対して酸化処理
を行い、ウエハ温度と酸化膜の膜厚との関係を求める。
次に校正したい他の装置で同じレシピで酸化処理を行
い、酸化膜の膜厚を測定して、先に求めた膜厚と比較す
る。膜厚が同じであれば、ウエハ温度は先の工程時の温
度と同じなので温度コントローラの校正を行うことがで
き、もし異なれば、同じ膜厚になるまでプロセスを繰り
返す。
行う場合、熱電対付きウエハを炉内に入れて実際のウエ
ハの温度を測定し、その測定値に温度コントローラの設
定値を合わせ込んでいたが、この場合熱電対の金属によ
りプロセスウエハが汚染されるおそれがある。 【解決手段】 ―の縦型熱処理装置を用いて事前に熱電
対付きウエハを用いて温度コントローラの温度校正を行
っておき、その温度でプロセスウエハに対して酸化処理
を行い、ウエハ温度と酸化膜の膜厚との関係を求める。
次に校正したい他の装置で同じレシピで酸化処理を行
い、酸化膜の膜厚を測定して、先に求めた膜厚と比較す
る。膜厚が同じであれば、ウエハ温度は先の工程時の温
度と同じなので温度コントローラの校正を行うことがで
き、もし異なれば、同じ膜厚になるまでプロセスを繰り
返す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は熱処理装置の温度校
正方法に関する。
正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいて、半導体ウ
エハ（以下ウエハという）に対して熱処理を行う装置の
一つにバッチ処理を行う縦型熱処理装置がある。この装
置は、ウエハボートなどと呼ばれている保持具に多数枚
のウエハを棚状に保持し、この保持具を縦型の熱処理炉
の中に搬入して熱処理例えば酸化処理を行うものであ
る。
エハ（以下ウエハという）に対して熱処理を行う装置の
一つにバッチ処理を行う縦型熱処理装置がある。この装
置は、ウエハボートなどと呼ばれている保持具に多数枚
のウエハを棚状に保持し、この保持具を縦型の熱処理炉
の中に搬入して熱処理例えば酸化処理を行うものであ
る。
【０００３】ウエハを熱処理する場合ウエハの温度を正
確にコントロールする必要があり、例えば酸化処理によ
りウエハ上に酸化膜を形成する場合、ウエハの温度によ
って膜厚が左右される。このためヒータの温度コントロ
ーラの校正を高精度に行わなければならず、従来は、熱
電対を付けたウエハを温度校正すべき熱処理炉内に入れ
てウエハの温度を測定し、この測定値と温度コントロー
ラの指示値とを合わせ込んで校正を行っていた。また熱
電対に代えて、ウエハから放射される輻射光を捉えて光
電素子により電気信号に変換し、ウエハの温度を測定す
る放射型温度計を用いることも検討されている。
確にコントロールする必要があり、例えば酸化処理によ
りウエハ上に酸化膜を形成する場合、ウエハの温度によ
って膜厚が左右される。このためヒータの温度コントロ
ーラの校正を高精度に行わなければならず、従来は、熱
電対を付けたウエハを温度校正すべき熱処理炉内に入れ
てウエハの温度を測定し、この測定値と温度コントロー
ラの指示値とを合わせ込んで校正を行っていた。また熱
電対に代えて、ウエハから放射される輻射光を捉えて光
電素子により電気信号に変換し、ウエハの温度を測定す
る放射型温度計を用いることも検討されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】熱電対付きウエハを温
度校正すべき熱処理炉内に入れると、熱電対をなす金属
が熱処理炉内に飛散して付着し、付着した金属がプロセ
スウエハに付着してメタル汚染を引き起こすおそれがあ
る。また放射型温度計を用いる場合には、ウエハ以外の
部位からの輻射光も受光部に入るため、放射率の補正が
難しいという問題がある。
度校正すべき熱処理炉内に入れると、熱電対をなす金属
が熱処理炉内に飛散して付着し、付着した金属がプロセ
スウエハに付着してメタル汚染を引き起こすおそれがあ
る。また放射型温度計を用いる場合には、ウエハ以外の
部位からの輻射光も受光部に入るため、放射率の補正が
難しいという問題がある。
【０００５】本発明は、このような事情の下になされた
ものであり、その目的は被処理体を汚染するおそれがな
く、しかも高い精度で熱処理装置の温度コントローラの
構成を行うことができる温度校正方法を提供することに
ある。
ものであり、その目的は被処理体を汚染するおそれがな
く、しかも高い精度で熱処理装置の温度コントローラの
構成を行うことができる温度校正方法を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の熱処理装置の温
度校正方法は以下の工程を含むものである。 ａ．温度測定用の被処理体を第１の熱処理装置内に搬入
し、温度測定部により被処理体の温度を測定しながら温
度コントロ−ラを調整して温度を設定し、被処理体を所
定の温度まで昇温する工程と、 ｂ．熱処理用の被処理体を前記熱処理装置内に搬入し、
温度コントロ−ラを前記ａ．の工程で調整した温度設定
値のまま被処理体に対して熱処理を行って薄膜を形成す
る工程と、ｃ．前記熱処理用の被処理体の薄膜の膜厚を
測定する工程と、 ｄ．温度校正を行うべき第２の熱処理装置内に熱処理用
の被処理体を搬入し、前記ｂ．の工程で行った熱処理と
同じ熱処理を行って被処理体に対して薄膜を形成する工
程と、 ｅ．前記ｄ．の工程で得られた薄膜の膜厚を測定し、膜
厚が前記ｃ．の工程で測定した膜厚と同じであればその
ときの温度コントロ−ラの温度設定値と前記ａ．の工程
で測定した被処理体の温度との関係を把握し、膜厚が前
記ｃ．の工程で測定した膜厚と同じでなければ同じにな
るまで温度コントロ−ラを調整して、前記ｄ．の工程を
繰り返し行い、同じになったときの温度コントロ−ラの
温度設定値と前記ａ．の工程で測定した被処理体の温度
との関係を把握する工程 この場合ａ．の工程において被処理体の温度を測定する
工程は、例えば被処理体に熱電対を設けて行なう。
度校正方法は以下の工程を含むものである。 ａ．温度測定用の被処理体を第１の熱処理装置内に搬入
し、温度測定部により被処理体の温度を測定しながら温
度コントロ−ラを調整して温度を設定し、被処理体を所
定の温度まで昇温する工程と、 ｂ．熱処理用の被処理体を前記熱処理装置内に搬入し、
温度コントロ−ラを前記ａ．の工程で調整した温度設定
値のまま被処理体に対して熱処理を行って薄膜を形成す
る工程と、ｃ．前記熱処理用の被処理体の薄膜の膜厚を
測定する工程と、 ｄ．温度校正を行うべき第２の熱処理装置内に熱処理用
の被処理体を搬入し、前記ｂ．の工程で行った熱処理と
同じ熱処理を行って被処理体に対して薄膜を形成する工
程と、 ｅ．前記ｄ．の工程で得られた薄膜の膜厚を測定し、膜
厚が前記ｃ．の工程で測定した膜厚と同じであればその
ときの温度コントロ−ラの温度設定値と前記ａ．の工程
で測定した被処理体の温度との関係を把握し、膜厚が前
記ｃ．の工程で測定した膜厚と同じでなければ同じにな
るまで温度コントロ−ラを調整して、前記ｄ．の工程を
繰り返し行い、同じになったときの温度コントロ−ラの
温度設定値と前記ａ．の工程で測定した被処理体の温度
との関係を把握する工程 この場合ａ．の工程において被処理体の温度を測定する
工程は、例えば被処理体に熱電対を設けて行なう。
【０００７】このような温度校正方法によれば、例えば
１台の熱処理装置（第１の熱処理装置）についてのみ熱
電対を入れればよく、温度校正すべき他の熱処理装置
（第２の熱処理装置）については膜厚を媒体として温度
コントロ−ラの校正ができるので、熱電対による被処理
体に対する金属汚染を防止できる。
１台の熱処理装置（第１の熱処理装置）についてのみ熱
電対を入れればよく、温度校正すべき他の熱処理装置
（第２の熱処理装置）については膜厚を媒体として温度
コントロ−ラの校正ができるので、熱電対による被処理
体に対する金属汚染を防止できる。
【０００８】また本発明において、ｃ．の工程の後、温
度を少し変えてｂ．の工程を行なうと共に被処理体の薄
膜の膜厚を測定し、その結果と先に行なったｂ．及び
ｃ．の工程の結果とに基づいて膜厚変化量と温度変化量
との関係を把握する工程を更に含み、ｅ．の工程におい
て、膜厚が同じになるまで温度コントロ−ラを調整する
ときに前記膜厚変化量と温度変化量との関係を利用して
温度コントロ−ラを調整するようにしてもよい。このよ
うな方法によれば、膜厚の測定値からあとどのくらい温
度コントロ−ラの調整を行なえばよいかを把握できるの
で、試行錯誤によるよりも調整が容易である。なお本発
明は、上記のａ．ｂ．及びｃ．の工程を行なって得られ
た膜厚と被処理体の温度との関係を示すデ−タに基づい
て、請求項１のｄ．及びｅ．の工程を行なう場合も権利
範囲に含まれる。
度を少し変えてｂ．の工程を行なうと共に被処理体の薄
膜の膜厚を測定し、その結果と先に行なったｂ．及び
ｃ．の工程の結果とに基づいて膜厚変化量と温度変化量
との関係を把握する工程を更に含み、ｅ．の工程におい
て、膜厚が同じになるまで温度コントロ−ラを調整する
ときに前記膜厚変化量と温度変化量との関係を利用して
温度コントロ−ラを調整するようにしてもよい。このよ
うな方法によれば、膜厚の測定値からあとどのくらい温
度コントロ−ラの調整を行なえばよいかを把握できるの
で、試行錯誤によるよりも調整が容易である。なお本発
明は、上記のａ．ｂ．及びｃ．の工程を行なって得られ
た膜厚と被処理体の温度との関係を示すデ−タに基づい
て、請求項１のｄ．及びｅ．の工程を行なう場合も権利
範囲に含まれる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に本発明に係る温度校正方法
の実施の形態について説明するが、先ずこの実施の形態
で用いられる縦型熱処理装置について図１及び図２を参
照しながら簡単に述べておく。この装置は縦型熱処理炉
１と、保持具であるウエハボート２と、このウエハボー
ト２を昇降させるボートエレベータ３とを備えている。
の実施の形態について説明するが、先ずこの実施の形態
で用いられる縦型熱処理装置について図１及び図２を参
照しながら簡単に述べておく。この装置は縦型熱処理炉
１と、保持具であるウエハボート２と、このウエハボー
ト２を昇降させるボートエレベータ３とを備えている。
【００１０】縦型熱処理炉１は、例えば石英よりなる二
重構造の反応管４１、この反応管４１を囲むように設け
られた抵抗発熱体などからなる加熱部であるヒータ４２
などからなり、反応管４１の底部にはガス供給管４３及
び排気管４４が接続されていて、反応管４１の外管４１
ａからガス穴４０を介して内管４１ｂの中にガスが流れ
るようになっている。４５は均熱用容器である。前記ヒ
ータ４２は温度コントローラ５により電力が制御されて
加熱されるように構成されている。このヒータ４２は、
実際には複数個例えば上、中、下の３段に分割されて、
各ヒータ４２毎に温度コントローラ５が設けられてお
り、ウエハボート２に保持されているウエハ群の上部、
中央部、下部の温度制御を夫々受け持つようになってい
る。
重構造の反応管４１、この反応管４１を囲むように設け
られた抵抗発熱体などからなる加熱部であるヒータ４２
などからなり、反応管４１の底部にはガス供給管４３及
び排気管４４が接続されていて、反応管４１の外管４１
ａからガス穴４０を介して内管４１ｂの中にガスが流れ
るようになっている。４５は均熱用容器である。前記ヒ
ータ４２は温度コントローラ５により電力が制御されて
加熱されるように構成されている。このヒータ４２は、
実際には複数個例えば上、中、下の３段に分割されて、
各ヒータ４２毎に温度コントローラ５が設けられてお
り、ウエハボート２に保持されているウエハ群の上部、
中央部、下部の温度制御を夫々受け持つようになってい
る。
【００１１】ウエハボート２は、例えば天板２１及び底
板２２の間に複数の支柱２３を設け、この支柱２３に上
下方向に形成された溝にウエハＷの周縁を挿入して保持
し、こうして複数のウエハＷを棚状に保持するように構
成されている。ウエハボート２は、縦型熱処理炉１の下
端の開口部６を開閉する蓋体６１の上に設けられた保温
筒６２の上に載置されている。蓋体６１はボートエレベ
ータ３に設けられており、ボートエレベータ３が昇降す
ることにより、熱処理炉１に対してウエハボート２の搬
入出が行われる。
板２２の間に複数の支柱２３を設け、この支柱２３に上
下方向に形成された溝にウエハＷの周縁を挿入して保持
し、こうして複数のウエハＷを棚状に保持するように構
成されている。ウエハボート２は、縦型熱処理炉１の下
端の開口部６を開閉する蓋体６１の上に設けられた保温
筒６２の上に載置されている。蓋体６１はボートエレベ
ータ３に設けられており、ボートエレベータ３が昇降す
ることにより、熱処理炉１に対してウエハボート２の搬
入出が行われる。
【００１２】次に本発明の実施の形態に係る温度校正方
法について述べる。なお説明の便宜上各工程の説明の前
に番号（カッコ付き）を付しておく。
法について述べる。なお説明の便宜上各工程の説明の前
に番号（カッコ付き）を付しておく。
【００１３】（１）先ず熱電対の付いた被処理体である
ウエハＷをウエハボート２に保持させて第１の縦型熱処
理装置の熱処理炉１内に搬入し、温度コントローラ５に
よりヒータ４２の加熱量及び温度設定値を調整してウエ
ハＷの温度を校正したい温度に合わせ込む。図３はこの
様子を示す説明図であり、３段に分割されたヒータ４２
（４２−１〜４２−３）は夫々温度コントローラ５（５
−１〜５−３）により加熱量が調整されるようになって
いる。また各ヒータ４２（４２−１〜４２−３）の加熱
領域（加熱受け持ち範囲）にはウエハＷが保持されてお
り、これらウエハＷに付けられている熱電対７０の温度
検出値が、対応する温度表示部７（７−１〜７−３）に
表示されている。この場合熱電対７０及び温度表示部７
により温度測定部が構成される。なお熱電対７０の信号
線は、ウエハボート２の底部から蓋体６１を介して熱処
理炉１の外に導出されている。各温度コントローラ５
（５−１〜５−３）により、対応する加熱領域のウエハ
Ｗ温度を調整することができ、例えば校正したいウエハ
Ｗの温度が９００℃であるとすれば、温度コントローラ
５（５−１〜５−３）の温度設定値を調整して、対応す
る温度表示部７（７−１〜７−３）の温度表示が９００
℃になるようにする。図３では例えば上段の加熱領域の
温度コントローラ５−１の温度設定値が、９０２℃（こ
の数値は説明の便宜上の数値である。）のとき、当該加
熱領域のウエハＷの温度が９００℃になっていることを
表わしている。こうして各加熱領域毎にウエハＷが校正
温度（この例では９００℃）になっているときの温度コ
ントローラ５（５−１〜５−３）の温度設定値が分か
る。
ウエハＷをウエハボート２に保持させて第１の縦型熱処
理装置の熱処理炉１内に搬入し、温度コントローラ５に
よりヒータ４２の加熱量及び温度設定値を調整してウエ
ハＷの温度を校正したい温度に合わせ込む。図３はこの
様子を示す説明図であり、３段に分割されたヒータ４２
（４２−１〜４２−３）は夫々温度コントローラ５（５
−１〜５−３）により加熱量が調整されるようになって
いる。また各ヒータ４２（４２−１〜４２−３）の加熱
領域（加熱受け持ち範囲）にはウエハＷが保持されてお
り、これらウエハＷに付けられている熱電対７０の温度
検出値が、対応する温度表示部７（７−１〜７−３）に
表示されている。この場合熱電対７０及び温度表示部７
により温度測定部が構成される。なお熱電対７０の信号
線は、ウエハボート２の底部から蓋体６１を介して熱処
理炉１の外に導出されている。各温度コントローラ５
（５−１〜５−３）により、対応する加熱領域のウエハ
Ｗ温度を調整することができ、例えば校正したいウエハ
Ｗの温度が９００℃であるとすれば、温度コントローラ
５（５−１〜５−３）の温度設定値を調整して、対応す
る温度表示部７（７−１〜７−３）の温度表示が９００
℃になるようにする。図３では例えば上段の加熱領域の
温度コントローラ５−１の温度設定値が、９０２℃（こ
の数値は説明の便宜上の数値である。）のとき、当該加
熱領域のウエハＷの温度が９００℃になっていることを
表わしている。こうして各加熱領域毎にウエハＷが校正
温度（この例では９００℃）になっているときの温度コ
ントローラ５（５−１〜５−３）の温度設定値が分か
る。
【００１４】（２）続いてプロセス(熱処理)用のウエハ
Ｗをウエハボート２に搭載して熱処理炉１内に搬入し、
各温度コントローラ５（５−１〜５−３）の温度設定値
を上述のままにして酸化プロセスを行う。図４の上部は
この様子を模式的に示す図であり、中段の加熱領域に対
応する温度コントローラ５−２についてのみ示してある
が、上段及び下段の温度コントローラ５（５−１及び５
−３）についても同様に先の温度設定値に設定されてい
る。
Ｗをウエハボート２に搭載して熱処理炉１内に搬入し、
各温度コントローラ５（５−１〜５−３）の温度設定値
を上述のままにして酸化プロセスを行う。図４の上部は
この様子を模式的に示す図であり、中段の加熱領域に対
応する温度コントローラ５−２についてのみ示してある
が、上段及び下段の温度コントローラ５（５−１及び５
−３）についても同様に先の温度設定値に設定されてい
る。
【００１５】図５はプロセスウエハＷに対して酸化プロ
セスを行う場合の加熱領域の温度に関するレシピの一例
であり、例えば３００℃でウエハＷを熱処理炉１内に搬
入（ローディング）し、プロセス温度（この例では９０
０℃）まで昇温し、温度安定後に例えば酸素ガスを熱処
理炉１内に供給してウエハＷに対して酸化処理を行い、
アニール後に降温する様子を示している。そしてプロセ
ス温度の設定において、各温度コントローラ５（５−１
〜５−３）の温度設定値を既述の値にして、ウエハＷの
プロセス温度も９００℃に合わせている。
セスを行う場合の加熱領域の温度に関するレシピの一例
であり、例えば３００℃でウエハＷを熱処理炉１内に搬
入（ローディング）し、プロセス温度（この例では９０
０℃）まで昇温し、温度安定後に例えば酸素ガスを熱処
理炉１内に供給してウエハＷに対して酸化処理を行い、
アニール後に降温する様子を示している。そしてプロセ
ス温度の設定において、各温度コントローラ５（５−１
〜５−３）の温度設定値を既述の値にして、ウエハＷの
プロセス温度も９００℃に合わせている。
【００１６】（３）酸化プロセスを行ったウエハＷにつ
いては、図４の下部に示すように膜厚測定部８例えばエ
リプソメータにより酸化膜の膜厚を測定する。なお膜厚
の数値は説明の便宜上の数値である。
いては、図４の下部に示すように膜厚測定部８例えばエ
リプソメータにより酸化膜の膜厚を測定する。なお膜厚
の数値は説明の便宜上の数値である。
【００１７】（４）次にプロセス温度を少し変えて例え
ば５度変えて同様のレシピにより同じ酸化プロセスを行
い、酸化膜の膜厚を測定する。なお同じ酸化プロセスと
は、ウエハＷのローディング時の温度、昇温速度等、プ
ロセス温度以外は同じレシピであることを意味してい
る。
ば５度変えて同様のレシピにより同じ酸化プロセスを行
い、酸化膜の膜厚を測定する。なお同じ酸化プロセスと
は、ウエハＷのローディング時の温度、昇温速度等、プ
ロセス温度以外は同じレシピであることを意味してい
る。
【００１８】（５）こうして前記（３）の工程と（４）
の工程との結果に基づいて、即ち９００℃のときの酸化
膜の膜厚と、例えば９０５℃のときの酸化膜の膜厚とに
基づいて、プロセス温度を１度変化させると膜厚がどれ
くらい変化するかを表わす膜厚温度係数（膜厚変化量／
温度変化量）が分かる。例えば一例としてプロセス温度
が９００℃及び９０５℃のときの膜厚が夫々１１０オン
グストローム及び１１６オングストロームだとすると、
膜厚温度係数は（１１６−１１０）／（９０５−９０
０）＝１．２オングストローム／℃となる。なお図６で
は説明の便宜上中段のヒータ４２（４２−２）の加熱領
域のウエハＷ及び温度コントローラ５（５−２）につい
て記載してあるが、実際には他のヒータ４２（４２−
１、４２−３）の加熱領域のウエハＷについても膜厚が
測定される。
の工程との結果に基づいて、即ち９００℃のときの酸化
膜の膜厚と、例えば９０５℃のときの酸化膜の膜厚とに
基づいて、プロセス温度を１度変化させると膜厚がどれ
くらい変化するかを表わす膜厚温度係数（膜厚変化量／
温度変化量）が分かる。例えば一例としてプロセス温度
が９００℃及び９０５℃のときの膜厚が夫々１１０オン
グストローム及び１１６オングストロームだとすると、
膜厚温度係数は（１１６−１１０）／（９０５−９０
０）＝１．２オングストローム／℃となる。なお図６で
は説明の便宜上中段のヒータ４２（４２−２）の加熱領
域のウエハＷ及び温度コントローラ５（５−２）につい
て記載してあるが、実際には他のヒータ４２（４２−
１、４２−３）の加熱領域のウエハＷについても膜厚が
測定される。
【００１９】以上の（１）〜（５）までの工程は例えば
縦型熱処理装置のメーカ側で行われる。そして縦型熱処
理装置のユーザ側では、例えばプロセス温度９００℃の
ときの膜厚、プロセスレシピ、膜厚温度係数の情報をメ
ーカ側から受け取って以下のようにして温度校正が行わ
れる。
縦型熱処理装置のメーカ側で行われる。そして縦型熱処
理装置のユーザ側では、例えばプロセス温度９００℃の
ときの膜厚、プロセスレシピ、膜厚温度係数の情報をメ
ーカ側から受け取って以下のようにして温度校正が行わ
れる。
【００２０】（６）図６に示すように校正したい第２の
縦型熱処理装置にプロセスウエハＷをセットし、当該熱
処理装置の温度コントローラを（２）の工程と同じ温度
（図３参照）に設定し、同じプロセス(図５参照)を行
い、このウエハＷの酸化膜の膜厚を膜厚測定部８で測定
する。例えば温度コントローラ５（５−２）の温度設定
値を８９８℃に設定した場合、この温度コントローラ５
（５−２）が（２）の工程で用いたものと同一物であれ
ば、ウエハＷのプロセス温度は９００℃となるが、異な
るものであるため、プロセス温度は９００℃になるとは
限らず、従って酸化膜の膜厚も１１０オングストローム
にはなるとは限らない。
縦型熱処理装置にプロセスウエハＷをセットし、当該熱
処理装置の温度コントローラを（２）の工程と同じ温度
（図３参照）に設定し、同じプロセス(図５参照)を行
い、このウエハＷの酸化膜の膜厚を膜厚測定部８で測定
する。例えば温度コントローラ５（５−２）の温度設定
値を８９８℃に設定した場合、この温度コントローラ５
（５−２）が（２）の工程で用いたものと同一物であれ
ば、ウエハＷのプロセス温度は９００℃となるが、異な
るものであるため、プロセス温度は９００℃になるとは
限らず、従って酸化膜の膜厚も１１０オングストローム
にはなるとは限らない。
【００２１】（７）そこで測定した膜厚と上記の（３）
の工程で得られた膜厚との差を求める。ウエハＷのプロ
セス温度が９００℃であればこの差は零であるが、９０
０℃でなければ零とはならずある値（膜厚差）になる。
一方既にこの酸化膜の膜厚温度係数は分かっているの
で、膜厚差と膜厚温度係数とに基づいてプロセス温度が
９００℃から何度ずれているかが分かり、この温度差分
だけ温度コントローラ５（５−２）の温度設定値を調整
して再度プロセスを行う。
の工程で得られた膜厚との差を求める。ウエハＷのプロ
セス温度が９００℃であればこの差は零であるが、９０
０℃でなければ零とはならずある値（膜厚差）になる。
一方既にこの酸化膜の膜厚温度係数は分かっているの
で、膜厚差と膜厚温度係数とに基づいてプロセス温度が
９００℃から何度ずれているかが分かり、この温度差分
だけ温度コントローラ５（５−２）の温度設定値を調整
して再度プロセスを行う。
【００２２】即ち温度差（温度変化量）＝膜厚差（膜厚
変化量）／膜厚温度係数であり、例えば上記の（３）の
工程で得られた膜厚よりも２．４オングストローム厚い
膜厚であれば、温度差は２．４／１．２＝２であるか
ら、温度コントローラ５（５−２）の温度設定値を２度
低くすればよいことになる。そして温度コントローラ５
（５−２）の温度設定値を２度低くして、再度プロセス
ウエハＷに対して同様のレシピでプロセスを行う。
変化量）／膜厚温度係数であり、例えば上記の（３）の
工程で得られた膜厚よりも２．４オングストローム厚い
膜厚であれば、温度差は２．４／１．２＝２であるか
ら、温度コントローラ５（５−２）の温度設定値を２度
低くすればよいことになる。そして温度コントローラ５
（５−２）の温度設定値を２度低くして、再度プロセス
ウエハＷに対して同様のレシピでプロセスを行う。
【００２３】（８）プロセスを行って得られた酸化膜の
膜厚が上記の（３）の工程で得られた膜厚と同じになる
まで（７）の工程を繰り返し行う。最終的に膜厚が同じ
になると、酸化膜５について温度校正が行われたことに
なる。つまり各温度コントローラ５（５−１〜５−３）
について、対応加熱領域内のウエハＷが目標温度になる
ときの温度設定値が分かる。
膜厚が上記の（３）の工程で得られた膜厚と同じになる
まで（７）の工程を繰り返し行う。最終的に膜厚が同じ
になると、酸化膜５について温度校正が行われたことに
なる。つまり各温度コントローラ５（５−１〜５−３）
について、対応加熱領域内のウエハＷが目標温度になる
ときの温度設定値が分かる。
【００２４】こうしてウエハ温度と温度コントローラ５
の温度設定値との関係を記録し、この関係を基に加熱す
ることによって、ウエハの温度を正確に制御することが
できる。
の温度設定値との関係を記録し、この関係を基に加熱す
ることによって、ウエハの温度を正確に制御することが
できる。
【００２５】上述実施の形態によれば、予め第１の装置
内でのウエハの温度を熱電対で検出すると共に、その温
度でウエハに対して熱処理である熱酸化プロセスを行っ
て、酸化膜の膜厚を検出し、温度校正を行おうとする第
２の装置において、同一のプロセスを行い、酸化膜の膜
厚を媒体として温度コントローラ５の温度校正を行って
いるため、温度校正の対象となる第２の装置の中には熱
電対を入れなくて済むので、ウエハに対して熱電対を原
因とする金属汚染を避けることができる。
内でのウエハの温度を熱電対で検出すると共に、その温
度でウエハに対して熱処理である熱酸化プロセスを行っ
て、酸化膜の膜厚を検出し、温度校正を行おうとする第
２の装置において、同一のプロセスを行い、酸化膜の膜
厚を媒体として温度コントローラ５の温度校正を行って
いるため、温度校正の対象となる第２の装置の中には熱
電対を入れなくて済むので、ウエハに対して熱電対を原
因とする金属汚染を避けることができる。
【００２６】以上において、本発明では熱電対７０及び
温度表示部７により構成される温度測定部で例えば９０
０℃の温度測定値が得られた場合、温度コントローラ５
の指示値をそのままにしてプロセスウエハに対して酸化
処理を行っているが、例えば温度コントローラ５の指示
値を数度調整して例えば５℃だけ小さくして、そのとき
のウエハの温度が８９５℃であると取扱ってプロセスウ
エハに対して酸化処理を行い、酸化膜の膜厚を介して８
９５℃の温度を他の熱処理装置で実現する場合であって
も本発明の権利範囲に含まれるものとする。即ちこの場
合も特許請求の範囲のｂ．の工程でいう、温度コントロ
ーラを前記ａ．の工程で調整したまま、の状態に対応す
るものである。
温度表示部７により構成される温度測定部で例えば９０
０℃の温度測定値が得られた場合、温度コントローラ５
の指示値をそのままにしてプロセスウエハに対して酸化
処理を行っているが、例えば温度コントローラ５の指示
値を数度調整して例えば５℃だけ小さくして、そのとき
のウエハの温度が８９５℃であると取扱ってプロセスウ
エハに対して酸化処理を行い、酸化膜の膜厚を介して８
９５℃の温度を他の熱処理装置で実現する場合であって
も本発明の権利範囲に含まれるものとする。即ちこの場
合も特許請求の範囲のｂ．の工程でいう、温度コントロ
ーラを前記ａ．の工程で調整したまま、の状態に対応す
るものである。
【００２７】上述の例ではプロセス温度を２点設定し
て、実際に膜厚温度係数を求めているが、この膜厚温度
係数は予め実験により求めた値を用いてもよい。即ち膜
厚の成長速度は、一般に下記式で表わされ、これを温
度Ｔに対して偏微分すると式が得られる。
て、実際に膜厚温度係数を求めているが、この膜厚温度
係数は予め実験により求めた値を用いてもよい。即ち膜
厚の成長速度は、一般に下記式で表わされ、これを温
度Ｔに対して偏微分すると式が得られる。
【００２８】 Ｖ＝Ａ・ｅｘｐ（−Ｅ／ＫＴ） … ｛∂Ｖ／∂Ｔ｝／Ｖ＝（Ｅ／Ｋ・Ｔ2）*１００［％／℃］ … ただしＶは膜厚の成長速度、Ｋはボルツマン定数、Ｔは
絶対温度、Ｅは活性化エネルギーである。式は膜厚温
度係数を表わしているので、実験で求めた活性化エネル
ギー、温度、膜厚を代入すれば、膜厚温度係数の値が求
まる。
絶対温度、Ｅは活性化エネルギーである。式は膜厚温
度係数を表わしているので、実験で求めた活性化エネル
ギー、温度、膜厚を代入すれば、膜厚温度係数の値が求
まる。
【００２９】膜厚温度係数を用いれば、上記の（７）の
工程で述べたように温度コントローラ５の温度設定値を
容易に目標値に近づけ、合わせ込むことができるが、膜
厚温度係数を用いることなく、試行錯誤に温度設定値を
調整して膜厚が同じになるようにプロセスを繰り返して
もよい。また上述の説明では装置のメーカ側、ユーザ側
に分けて一般的なモデルを記載したが、ユーザ側で上記
の工程を全て行ってもよい。
工程で述べたように温度コントローラ５の温度設定値を
容易に目標値に近づけ、合わせ込むことができるが、膜
厚温度係数を用いることなく、試行錯誤に温度設定値を
調整して膜厚が同じになるようにプロセスを繰り返して
もよい。また上述の説明では装置のメーカ側、ユーザ側
に分けて一般的なモデルを記載したが、ユーザ側で上記
の工程を全て行ってもよい。
【００３０】更にプロセスとしては酸化処理に限らず、
例えばアンモニアとジクロルシランとを用いて窒化膜を
成膜する場合など、他の成膜プロセスであってもよい。
更にまた最初にウエハの温度を測定する場合には、熱電
対を用いることに限ることなく放射温度計などを用いて
もよい。なお温度校正の対象となる装置としてはバッチ
炉に限らず、１枚ずつ熱処理を行う枚葉式の熱処理装置
であってもよい。
例えばアンモニアとジクロルシランとを用いて窒化膜を
成膜する場合など、他の成膜プロセスであってもよい。
更にまた最初にウエハの温度を測定する場合には、熱電
対を用いることに限ることなく放射温度計などを用いて
もよい。なお温度校正の対象となる装置としてはバッチ
炉に限らず、１枚ずつ熱処理を行う枚葉式の熱処理装置
であってもよい。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、被処理体
を熱処理するにあたって温度校正すべき熱処理装置の温
度コントローラの校正を被処理体の汚染を伴うことなく
行うことができる。
を熱処理するにあたって温度校正すべき熱処理装置の温
度コントローラの校正を被処理体の汚染を伴うことなく
行うことができる。
【図１】本発明の温度校正方法の一実施の形態に用いら
れる縦型熱処理装置を示す外観図である。
れる縦型熱処理装置を示す外観図である。
【図２】上記の縦型熱処理装置を示す断面図である。
【図３】実際のウエハの温度測定値と温度コントローラ
の温度設定値との関係を模式的に示す説明図である。
の温度設定値との関係を模式的に示す説明図である。
【図４】温度コントローラの温度設定値をある値に設定
してウエハＷに熱酸化プロセスを行い、そのウエハの酸
化膜の膜厚を測定する状態を示す説明図である。
してウエハＷに熱酸化プロセスを行い、そのウエハの酸
化膜の膜厚を測定する状態を示す説明図である。
【図５】ウエハの温度についてのレシピの一例を示す温
度特性図である。
度特性図である。
【図６】ウエハ酸化膜の膜厚を測定し、その測定結果と
温度コントローラの温度設定値とを対応させている様子
を示す説明図である。
温度コントローラの温度設定値とを対応させている様子
を示す説明図である。
１ 縦型熱処理炉 ２ ウエハボート ４１ 反応管 ４２ ヒータ Ｗ 半導体ウエハ ５、５−１〜５−３ 温度コントローラ ６１ 蓋体 ７、７−１〜７−３ 温度表示部 ７０ 熱電対 ８ 膜厚測定部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 王 文凌 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン東北株式会社相模事 業所内 (72)発明者 安原 もゆる 東京都港区赤坂五丁目３番６号 東京エレ クトロン株式会社内 Ｆターム(参考） 5F045 AA20 AB32 BB01 BB14 DP19 EK27 GB01 GB09
Claims (5)
- 【請求項１】 ａ．温度測定用の被処理体を第１の熱処
理装置内に搬入し、温度測定部により被処理体の温度を
測定しながら温度コントロ−ラを調整して温度を設定
し、被処理体を所定の温度まで昇温する工程と、 ｂ．熱処理用の被処理体を前記熱処理装置内に搬入し、
温度コントロ−ラを前記ａ．の工程で調整した温度設定
値のまま被処理体に対して熱処理を行って薄膜を形成す
る工程と、ｃ．前記熱処理用の被処理体の薄膜の膜厚を
測定する工程と、 ｄ．温度校正を行うべき第２の熱処理装置内に熱処理用
の被処理体を搬入し、前記ｂ．の工程で行った熱処理と
同じ熱処理を行って被処理体に対して薄膜を形成する工
程と、 ｅ．前記ｄ．の工程で得られた薄膜の膜厚を測定し、膜
厚が前記ｃ．の工程で測定した膜厚と同じであればその
ときの温度コントロ−ラの温度設定値と前記ａ．の工程
で測定した被処理体の温度との関係を把握し、膜厚が前
記ｃ．の工程で測定した膜厚と同じでなければ同じにな
るまで温度コントロ−ラを調整して、前記ｄ．の工程を
繰り返し行い、同じになったときの温度コントロ−ラの
温度設定値と前記ａ．の工程で測定した被処理体の温度
との関係を把握する工程と、を含むことを特徴とする熱
処理装置の温度校正方法。 - 【請求項２】 前記ｃ．の工程の後、設定温度を少し変
えて前記ｂ．の工程を行なうと共に被処理体の薄膜の膜
厚を測定し、その結果と先に行なった前記ｂ．及び前記
ｃ．の工程の結果とに基づいて膜厚変化量と温度変化量
との関係を把握する工程を更に含み、前記ｅ．の工程に
おいて、膜厚が同じになるまで温度コントロ−ラを調整
するときに前記膜厚変化量と温度変化量との関係を利用
して温度コントロ−ラを調整することを特徴とする請求
項１記載の熱処理装置の温度校正方法。 - 【請求項３】 請求項１の前記ａ．、前記ｂ．、及び前
記ｃ．の工程を行なって得られた膜厚と被処理体の温度
との関係を示すデ−タに基づいて、請求項１の前記ｄ．
及び前記ｅ．の工程を行なうことを特徴とする熱処理装
置の温度校正方法。 - 【請求項４】 膜厚と被処理体の温度との関係を示すデ
−タは、前記ｃ．の工程の後、設定温度を少し変えて前
記ｂ．の工程を行なうと共に被処理体の薄膜の膜厚を測
定し、その結果と先に行なった前記ｂ．及び前記ｃ．の
工程の結果とに基づいて得た膜厚変化量と温度変化量と
の関係を含み、 前記ｅ．の工程において、膜厚が同じになるまで温度コ
ントロ−ラを調整するときに前記膜厚変化量と温度変化
量との関係を利用して温度コントロ−ラを調整すること
を特徴とする請求項３記載の熱処理装置の温度校正方
法。 - 【請求項５】 前記ａ．の工程において被処理体の温度
を測定する工程は、被処理体に熱電対を設けて行なうこ
とをことを特徴とする請求項１ないし４にいずれか記載
の熱処理装置の温度校正方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24891299A JP4426024B2 (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 熱処理装置の温度校正方法 |
| KR1020000050637A KR100615763B1 (ko) | 1999-09-02 | 2000-08-30 | 열처리 장치의 온도 교정 방법 |
| TW089117803A TW476997B (en) | 1999-09-02 | 2000-08-31 | Method of temperature-calibrating heat treating apparatus |
| US09/653,460 US6329643B1 (en) | 1999-09-02 | 2000-08-31 | Method of temperature-calibrating heat treating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24891299A JP4426024B2 (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 熱処理装置の温度校正方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001077041A true JP2001077041A (ja) | 2001-03-23 |
| JP2001077041A5 JP2001077041A5 (ja) | 2006-10-19 |
| JP4426024B2 JP4426024B2 (ja) | 2010-03-03 |
Family
ID=17185281
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24891299A Expired - Fee Related JP4426024B2 (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 熱処理装置の温度校正方法 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP4426024B2 (ja) |
| KR (1) | KR100615763B1 (ja) |
| TW (1) | TW476997B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004071987A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
| EP1429375A1 (en) * | 2001-07-26 | 2004-06-16 | Tokyo Electron Limited | System and method for performing semiconductor processing on substrate being processed |
| JP2009111295A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Sumco Corp | 気相成長装置の温度計の校正方法及び温度校正用の半導体基板 |
| US7625604B2 (en) | 2002-08-09 | 2009-12-01 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment method and heat treatment apparatus |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4551515B2 (ja) * | 1998-10-07 | 2010-09-29 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置およびその温度制御方法 |
| US6850322B2 (en) * | 2000-12-29 | 2005-02-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for controlling wafer thickness uniformity in a multi-zone vertical furnace |
| JP2003074468A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Toshiba Corp | 真空排気システム及びその監視・制御方法 |
| DE10216610A1 (de) * | 2002-04-15 | 2003-10-30 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Temperaturkalibrierung eines Hochtemperaturreaktors |
| US7619184B2 (en) * | 2003-03-04 | 2009-11-17 | Micron Technology, Inc. | Multi-parameter process and control method |
| DE102004051409B4 (de) * | 2004-10-21 | 2010-01-07 | Ivoclar Vivadent Ag | Brennofen |
| EP1734571B1 (en) * | 2005-06-10 | 2008-08-20 | S.O.I.TEC. Silicon on Insulator Technologies S.A. | Thermal processing equipment calibration method |
| JP5766647B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2015-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
| WO2013180010A1 (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-05 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、温度計測システム、処理装置の温度計測方法、搬送装置及び記録媒体 |
| US9658118B2 (en) | 2012-11-16 | 2017-05-23 | Linear Technology Corporation | Precision temperature measurement devices, sensors, and methods |
| US11513042B2 (en) * | 2015-01-26 | 2022-11-29 | SPEX SamplePrep, LLC | Power-compensated fusion furnace |
| CN111719130B (zh) * | 2020-06-22 | 2022-10-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体镀膜设备中的温度调整方法及半导体镀膜设备 |
| CN114384946B (zh) * | 2021-12-17 | 2023-03-14 | 西安北方华创微电子装备有限公司 | 半导体热处理设备的补偿参数获取方法和设备 |
| US20230223284A1 (en) * | 2022-01-11 | 2023-07-13 | Applied Materials, Inc. | Dynamic and localized temperature control for epitaxial deposition reactors |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5681931A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-04 | Toshiba Corp | Oxidizing furnace for semiconductor substrate |
| EP0306967B1 (en) * | 1987-09-11 | 1997-04-16 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for performing heat treatment on semiconductor wafers |
| JPH03145121A (ja) * | 1989-10-31 | 1991-06-20 | Toshiba Corp | 半導体熱処理用温度制御装置 |
| US5273424A (en) * | 1990-03-23 | 1993-12-28 | Tokyo Electron Sagami Limited | Vertical heat treatment apparatus |
| JPH0690126B2 (ja) * | 1990-10-30 | 1994-11-14 | 株式会社島津製作所 | キャピラリレオメータおよび温度検査棒 |
| US5387557A (en) * | 1991-10-23 | 1995-02-07 | F. T. L. Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor devices using heat-treatment vertical reactor with temperature zones |
| JPH05267200A (ja) * | 1992-03-24 | 1993-10-15 | Hitachi Ltd | 半導体熱処理装置 |
| US5616264A (en) | 1993-06-15 | 1997-04-01 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for controlling temperature in rapid heat treatment system |
| KR950001953A (ko) * | 1993-06-30 | 1995-01-04 | 이노우에 아키라 | 웨이퍼의 열처리방법 |
| FI94066C (fi) | 1994-05-16 | 1995-07-10 | Valmet Paper Machinery Inc | Rainamateriaalin valmistuskoneella kuten kartonki- tai paperikoneella ja/tai jälkikäsittelykoneella valmistettavan paperiradan eri poikkiprofiilien kokonaisvaltainen hallintajärjestelmä |
| JP3504784B2 (ja) * | 1995-09-07 | 2004-03-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理方法 |
| JP3380668B2 (ja) * | 1996-01-23 | 2003-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度調整方法、温度調整装置及び熱処理装置 |
| JP3516195B2 (ja) * | 1996-05-28 | 2004-04-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法及びその装置 |
| WO1999059196A1 (en) * | 1998-05-11 | 1999-11-18 | Semitool, Inc. | Temperature control system for a thermal reactor |
| JP3487497B2 (ja) * | 1998-06-24 | 2004-01-19 | 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 | 被処理体収容治具及びこれを用いた熱処理装置 |
-
1999
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-
2000
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1429375A1 (en) * | 2001-07-26 | 2004-06-16 | Tokyo Electron Limited | System and method for performing semiconductor processing on substrate being processed |
| EP1429375A4 (en) * | 2001-07-26 | 2007-12-05 | Tokyo Electron Ltd | SYSTEM AND METHOD FOR PERFORMING SEMICONDUCTOR PROCESSING ON A JUST PROCESSED SUBSTRATE |
| US8153451B2 (en) | 2001-07-26 | 2012-04-10 | Tokyo Electron Limited | System and method for performing semiconductor processing on target substrate |
| JP2004071987A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
| US7625604B2 (en) | 2002-08-09 | 2009-12-01 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment method and heat treatment apparatus |
| JP2009111295A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Sumco Corp | 気相成長装置の温度計の校正方法及び温度校正用の半導体基板 |
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