JP2001068464A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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- JP2001068464A JP2001068464A JP23970199A JP23970199A JP2001068464A JP 2001068464 A JP2001068464 A JP 2001068464A JP 23970199 A JP23970199 A JP 23970199A JP 23970199 A JP23970199 A JP 23970199A JP 2001068464 A JP2001068464 A JP 2001068464A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 外部燃焼装置で発生した水蒸気に加熱したN
2ガス等の不活性ガスを容易に導入できるようにして、
不活性ガス導入による水蒸気の温度低下を防止する。 【解決手段】 外部燃焼装置は、水素ガスH2と酸素ガ
スO2とを燃焼管3内で加熱して燃焼させることにより
水蒸気を発生させ、水蒸気を水蒸気導出管7から外部に
導出する。この導出される水蒸気の分圧を調整するため
に、水蒸気にN2ガスを導入する不活性ガス導入管15
を設ける。この不活性ガス導入管15を燃焼管3内に設
ける。不活性ガス導入管15は、燃焼炎が接しないよう
に燃焼管3の内壁に沿わせて下流側に延出させ、水蒸気
導出管7の途中でN2を水蒸気中に導出するために、燃
焼管3の他端に取り付けた水蒸気導出管7内に引き出
す。
2ガス等の不活性ガスを容易に導入できるようにして、
不活性ガス導入による水蒸気の温度低下を防止する。 【解決手段】 外部燃焼装置は、水素ガスH2と酸素ガ
スO2とを燃焼管3内で加熱して燃焼させることにより
水蒸気を発生させ、水蒸気を水蒸気導出管7から外部に
導出する。この導出される水蒸気の分圧を調整するため
に、水蒸気にN2ガスを導入する不活性ガス導入管15
を設ける。この不活性ガス導入管15を燃焼管3内に設
ける。不活性ガス導入管15は、燃焼炎が接しないよう
に燃焼管3の内壁に沿わせて下流側に延出させ、水蒸気
導出管7の途中でN2を水蒸気中に導出するために、燃
焼管3の他端に取り付けた水蒸気導出管7内に引き出
す。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は熱処理装置に係り、
特に反応管内に水蒸気を供給する外部燃焼装置を有する
ものに関する。
特に反応管内に水蒸気を供給する外部燃焼装置を有する
ものに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の縦型拡散装置では、図6に示すよ
うに、外部燃焼装置の燃焼管3で発生したプロセスガス
(ここではH2O)が、ウエット酸化炉に入る前に窒素
ガスN2と混合されるようになっている。図7に、ウエ
ット酸化炉で使用される外部燃焼装置の詳細構成図を示
す。外部燃焼装置は、そのウエット酸化炉に外部から水
蒸気を供給するものであり、燃焼用ヒータ1で加熱した
燃焼管3内に水素ガスH2と酸素ガスO2とを導入して加
熱し、この加熱により燃焼させて水蒸気を発生させる。
発生させた水蒸気を水蒸気導出管7より外部に導出し、
反応管内に供給する。この外部燃焼装置では、反応管内
に導入される水蒸気の分圧を下げるために、不活性ガス
導入管18を水蒸気導出管7内に挿入して、窒素ガスN
2等の不活性ガスを水蒸気に導入するようになってい
る。
うに、外部燃焼装置の燃焼管3で発生したプロセスガス
(ここではH2O)が、ウエット酸化炉に入る前に窒素
ガスN2と混合されるようになっている。図7に、ウエ
ット酸化炉で使用される外部燃焼装置の詳細構成図を示
す。外部燃焼装置は、そのウエット酸化炉に外部から水
蒸気を供給するものであり、燃焼用ヒータ1で加熱した
燃焼管3内に水素ガスH2と酸素ガスO2とを導入して加
熱し、この加熱により燃焼させて水蒸気を発生させる。
発生させた水蒸気を水蒸気導出管7より外部に導出し、
反応管内に供給する。この外部燃焼装置では、反応管内
に導入される水蒸気の分圧を下げるために、不活性ガス
導入管18を水蒸気導出管7内に挿入して、窒素ガスN
2等の不活性ガスを水蒸気に導入するようになってい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、N2ガスを水
蒸気に導入する不活性ガス導入管18が、外部から燃焼
用ヒータ1の加熱が及ぶ範囲外にある水蒸気導出管7に
取り付けられているため、水蒸気に導入されるN2ガス
は水蒸気に比して冷たく、この冷たいN2ガスにより水
蒸気が冷やされて水滴となる。この水滴が反応管内で残
留水分となって、反応管内で成膜する酸化膜の膜厚レー
トを均一にすることができず、パーティクルの原因にも
なるという問題がある。また、反応管内に導入される水
蒸気の温度が低くなると、反応管内でもガス導入部側の
温度が下がり、ウェハ内の面内均一性が悪くなる。
蒸気に導入する不活性ガス導入管18が、外部から燃焼
用ヒータ1の加熱が及ぶ範囲外にある水蒸気導出管7に
取り付けられているため、水蒸気に導入されるN2ガス
は水蒸気に比して冷たく、この冷たいN2ガスにより水
蒸気が冷やされて水滴となる。この水滴が反応管内で残
留水分となって、反応管内で成膜する酸化膜の膜厚レー
トを均一にすることができず、パーティクルの原因にも
なるという問題がある。また、反応管内に導入される水
蒸気の温度が低くなると、反応管内でもガス導入部側の
温度が下がり、ウェハ内の面内均一性が悪くなる。
【0004】上述した膜厚レートの均一化及びウェハの
面内均一化の問題を解消するためには、水蒸気に導入す
るN2ガスを加熱する必要がある。しかし、図8に示す
ように、不活性ガス導入管18を螺旋状に巻回して、そ
の周りにヒータ17を設けると、N2ガスを加熱するた
めのヒータ17が、燃焼用ヒータ1とは別個に必要とな
る。従って、装置が大型化し、消費電力も上がるという
新たな問題が生じる。
面内均一化の問題を解消するためには、水蒸気に導入す
るN2ガスを加熱する必要がある。しかし、図8に示す
ように、不活性ガス導入管18を螺旋状に巻回して、そ
の周りにヒータ17を設けると、N2ガスを加熱するた
めのヒータ17が、燃焼用ヒータ1とは別個に必要とな
る。従って、装置が大型化し、消費電力も上がるという
新たな問題が生じる。
【0005】本発明の課題は、不活性ガス導入による供
給水蒸気の温度が下がるという従来技術の問題を解消し
て、新規なヒータを要することなく、加熱状態の不活性
ガスを水蒸気に混合することが可能な熱処理装置を提供
することにある。
給水蒸気の温度が下がるという従来技術の問題を解消し
て、新規なヒータを要することなく、加熱状態の不活性
ガスを水蒸気に混合することが可能な熱処理装置を提供
することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、水素ガスと酸
素ガスとを加熱領域で加熱して燃焼させることにより水
蒸気を発生させ、該水蒸気を外部に導出する燃焼装置で
あって、前記水蒸気の分圧を調整するために、導出され
る前記水蒸気に不活性ガスを導入する不活性ガス導入路
を設け、前記不活性ガス導入路の少なくとも一部を前記
加熱領域に設けたことを特徴とした燃焼装置を有する熱
処理装置である。
素ガスとを加熱領域で加熱して燃焼させることにより水
蒸気を発生させ、該水蒸気を外部に導出する燃焼装置で
あって、前記水蒸気の分圧を調整するために、導出され
る前記水蒸気に不活性ガスを導入する不活性ガス導入路
を設け、前記不活性ガス導入路の少なくとも一部を前記
加熱領域に設けたことを特徴とした燃焼装置を有する熱
処理装置である。
【0007】加熱領域は、例えば燃焼用ヒータ等によっ
て加熱され、水素と酸素の混合ガスを燃焼温度まで高め
て燃焼させる燃焼管内や、燃焼用ヒータ内等であり、ヒ
ータによる加熱が及ぶ範囲である。熱処理装置は、例え
ばウエット酸化炉などの縦型拡散装置である。燃焼装置
は、例えば水蒸気を発生して反応管内に導入する外部燃
焼装置である。不活性ガスは、N2ガス、Arガスなど
である。不活性ガス導入路を加熱領域に設ける仕方は、
例えば不活性ガスを導く不活性ガス導入管の一部を加熱
領域内に走らせたり、加熱領域を外管と内管とからなる
2重管構造として外管と内管との間に不活性ガスを導く
ようにしたりする。
て加熱され、水素と酸素の混合ガスを燃焼温度まで高め
て燃焼させる燃焼管内や、燃焼用ヒータ内等であり、ヒ
ータによる加熱が及ぶ範囲である。熱処理装置は、例え
ばウエット酸化炉などの縦型拡散装置である。燃焼装置
は、例えば水蒸気を発生して反応管内に導入する外部燃
焼装置である。不活性ガスは、N2ガス、Arガスなど
である。不活性ガス導入路を加熱領域に設ける仕方は、
例えば不活性ガスを導く不活性ガス導入管の一部を加熱
領域内に走らせたり、加熱領域を外管と内管とからなる
2重管構造として外管と内管との間に不活性ガスを導く
ようにしたりする。
【0008】水素ガスと酸素ガスを混合して加熱領域で
加熱し、この加熱による燃焼で水蒸気を発生させる。こ
の水蒸気は外部に導出して、例えば反応管内に導入す
る。反応管内に導入する際に水蒸気分圧を下げるために
導出された水蒸気にN2ガスなどの不活性ガスを導入す
る。不活性ガスを導入する不活性ガス導入路は加熱領域
に設けられているため、不活性ガスは不活性ガス導入路
を流れている過程で予備加熱され、水蒸気と同等の温度
になる。従って、不活性ガスにより水蒸気の温度が下が
ったり、水蒸気が水滴となったりすることがなくなる。
その結果、反応管内での温度の低下が防止できるため、
膜厚レートや面内均一が不安定になることがない。
加熱し、この加熱による燃焼で水蒸気を発生させる。こ
の水蒸気は外部に導出して、例えば反応管内に導入す
る。反応管内に導入する際に水蒸気分圧を下げるために
導出された水蒸気にN2ガスなどの不活性ガスを導入す
る。不活性ガスを導入する不活性ガス導入路は加熱領域
に設けられているため、不活性ガスは不活性ガス導入路
を流れている過程で予備加熱され、水蒸気と同等の温度
になる。従って、不活性ガスにより水蒸気の温度が下が
ったり、水蒸気が水滴となったりすることがなくなる。
その結果、反応管内での温度の低下が防止できるため、
膜厚レートや面内均一が不安定になることがない。
【0009】
【発明の実施の形態】以下に本発明の燃焼装置を有する
熱処理装置の実施の形態を説明する。
熱処理装置の実施の形態を説明する。
【0010】図5は、熱処理装置としてのウエット酸化
炉と外部燃焼装置との関連を示す斜視図である。ウエッ
ト酸化炉は、反応管31内にSiウェハを水蒸気雰囲気
中で高温、長時間保持して、Siウェハの表面に高純度
の酸化膜を生成する炉である。反応管31内を所定の温
度に加熱し、ガス供給管32、ガス導入管33より反応
ガスを反応管31内に導入し、ウェハ表面に薄膜を生成
し、反応ガスは排気口36、図示しない排気管を経て排
気される。 ガス供給管32に外部燃焼装置34が接続
され、外部燃焼装置34の燃焼管3で生成された水蒸気
が、ガス供給管32、ガス導入管33を介して反応管3
1に供給される。図1に、ウエット酸化炉で使用される
外部燃焼装置の詳細な構成図を示す。外部燃焼装置は、
燃焼用ヒータ1で加熱した燃焼管3内に水素ガスH2と
酸素ガスO2とを導入して加熱し、この加熱により燃焼
させて水蒸気を発生し、発生した水蒸気を外部に導出す
る装置である。
炉と外部燃焼装置との関連を示す斜視図である。ウエッ
ト酸化炉は、反応管31内にSiウェハを水蒸気雰囲気
中で高温、長時間保持して、Siウェハの表面に高純度
の酸化膜を生成する炉である。反応管31内を所定の温
度に加熱し、ガス供給管32、ガス導入管33より反応
ガスを反応管31内に導入し、ウェハ表面に薄膜を生成
し、反応ガスは排気口36、図示しない排気管を経て排
気される。 ガス供給管32に外部燃焼装置34が接続
され、外部燃焼装置34の燃焼管3で生成された水蒸気
が、ガス供給管32、ガス導入管33を介して反応管3
1に供給される。図1に、ウエット酸化炉で使用される
外部燃焼装置の詳細な構成図を示す。外部燃焼装置は、
燃焼用ヒータ1で加熱した燃焼管3内に水素ガスH2と
酸素ガスO2とを導入して加熱し、この加熱により燃焼
させて水蒸気を発生し、発生した水蒸気を外部に導出す
る装置である。
【0011】外部燃焼装置は、混合ガスから水蒸気を発
生する燃焼管3、混合ガスを加熱して燃焼させる燃焼用
ヒータ1、燃焼用ヒータ1を冷却する水冷ジャケット4
から主に構成される。燃焼管3は石英ガラスで構成さ
れ、両端は閉じられている。閉じた一端に石英ガラス製
のガス導入管8が取り付けられ、同じく閉じた他端に石
英ガラス製の水蒸気導出管7が取り付けられる。
生する燃焼管3、混合ガスを加熱して燃焼させる燃焼用
ヒータ1、燃焼用ヒータ1を冷却する水冷ジャケット4
から主に構成される。燃焼管3は石英ガラスで構成さ
れ、両端は閉じられている。閉じた一端に石英ガラス製
のガス導入管8が取り付けられ、同じく閉じた他端に石
英ガラス製の水蒸気導出管7が取り付けられる。
【0012】ガス導入管8は、酸素ガスO2を燃焼管3
内に導入する外管9と、水素ガスH2を燃焼管3内に導
入するために前記外管9内に同軸的に配設された内管1
0との二重管で構成され、燃焼管3に一体的に取り付け
られている。
内に導入する外管9と、水素ガスH2を燃焼管3内に導
入するために前記外管9内に同軸的に配設された内管1
0との二重管で構成され、燃焼管3に一体的に取り付け
られている。
【0013】二重管で構成されたガス導入管8の一方の
導入口となる水素ガス導入口5は、外管9より飛出して
いる内管10の端部に形成され、他方の酸素ガス導入口
6は外管9の途中に連結されている。ガス導入管8の燃
焼管3に対する取付部に形成されたガス導出口11は、
内側に水素ガスノズル12が設けられ、この水素ガスノ
ズル12を取り囲むように多数の酸素ガスノズル13が
設けられていて、各ノズル12、13から噴出したH2
ガスとO2ガスとが充分に混合されて燃焼管3内に供給
できるようになっている。
導入口となる水素ガス導入口5は、外管9より飛出して
いる内管10の端部に形成され、他方の酸素ガス導入口
6は外管9の途中に連結されている。ガス導入管8の燃
焼管3に対する取付部に形成されたガス導出口11は、
内側に水素ガスノズル12が設けられ、この水素ガスノ
ズル12を取り囲むように多数の酸素ガスノズル13が
設けられていて、各ノズル12、13から噴出したH2
ガスとO2ガスとが充分に混合されて燃焼管3内に供給
できるようになっている。
【0014】水蒸気導出管7は燃焼管3に一体的に取り
付けられ、ウエット酸化炉のガス供給管32に接続さ
れ、外部燃焼装置で発生した水蒸気を反応管31(図
5)内に供給できるようになっている。
付けられ、ウエット酸化炉のガス供給管32に接続さ
れ、外部燃焼装置で発生した水蒸気を反応管31(図
5)内に供給できるようになっている。
【0015】水蒸気導出管7を取り付けてある燃焼管3
の下流側の一部を残して燃焼管3の外周に温度を均一に
するための均熱管2が設けられ、この均熱管2の外周に
混合ガスを加熱して燃焼させる燃焼用ヒータ1が設けら
れ、さらに燃焼用ヒータ1の外側に冷却用の水冷ジャケ
ット4が設けられる。前記燃焼管3の一部(燃焼用ヒー
タ1の加熱が及ばない範囲)は、水蒸気導出管7の一部
を含めて断熱材14で覆っている。なお、図に示すよう
に燃焼管3の前端部およびガス導入管8の一部も断熱材
14で覆っている。
の下流側の一部を残して燃焼管3の外周に温度を均一に
するための均熱管2が設けられ、この均熱管2の外周に
混合ガスを加熱して燃焼させる燃焼用ヒータ1が設けら
れ、さらに燃焼用ヒータ1の外側に冷却用の水冷ジャケ
ット4が設けられる。前記燃焼管3の一部(燃焼用ヒー
タ1の加熱が及ばない範囲)は、水蒸気導出管7の一部
を含めて断熱材14で覆っている。なお、図に示すよう
に燃焼管3の前端部およびガス導入管8の一部も断熱材
14で覆っている。
【0016】そして、燃焼管3の一端から断熱材14を
通して燃焼管3内にN2を導入する石英ガラス製の不活
性ガス導入路としての不活性ガス導入管15を挿入し、
燃焼炎が接しないように燃焼管3の内壁に沿わせて下流
側に延出させ、燃焼管3の他端に取り付けた水蒸気導出
管7内に引き出し、水蒸気導出管7の途中で、N2ガス
を噴出するようになっている。燃焼用ヒータ1で囲まれ
ている上記燃焼管3の領域が、水素ガスと酸素ガスとを
加熱して燃焼させる加熱領域を構成している。ここで燃
焼炎が接しないように燃焼管3の内壁に不活性ガス導入
管15を沿わせるのは、水蒸気の発生に支障が生じない
ようにするためである。
通して燃焼管3内にN2を導入する石英ガラス製の不活
性ガス導入路としての不活性ガス導入管15を挿入し、
燃焼炎が接しないように燃焼管3の内壁に沿わせて下流
側に延出させ、燃焼管3の他端に取り付けた水蒸気導出
管7内に引き出し、水蒸気導出管7の途中で、N2ガス
を噴出するようになっている。燃焼用ヒータ1で囲まれ
ている上記燃焼管3の領域が、水素ガスと酸素ガスとを
加熱して燃焼させる加熱領域を構成している。ここで燃
焼炎が接しないように燃焼管3の内壁に不活性ガス導入
管15を沿わせるのは、水蒸気の発生に支障が生じない
ようにするためである。
【0017】水素ガス導入口5からガス導入管8の内管
10内に水素ガスを流し、酸素ガス導入口6からガス導
入管8の外管9と内管10との間隙内に酸素ガスを流し
て、燃焼管3内に導入する。燃焼管3内で水素ガスの外
側から酸素ガスを混合して燃焼させ、水蒸気を発生させ
る。発生した水蒸気は、その水蒸気の分圧を下げるため
に、水蒸気導出管7から反応管31に供給される途中
で、不活性ガス導入管15から導かれてきたN2ガスと
混合される。不活性ガス導入管15は、燃焼管3の内壁
に沿って延出されているので、燃焼用ヒータ熱で窒素ガ
スN2が加熱される。
10内に水素ガスを流し、酸素ガス導入口6からガス導
入管8の外管9と内管10との間隙内に酸素ガスを流し
て、燃焼管3内に導入する。燃焼管3内で水素ガスの外
側から酸素ガスを混合して燃焼させ、水蒸気を発生させ
る。発生した水蒸気は、その水蒸気の分圧を下げるため
に、水蒸気導出管7から反応管31に供給される途中
で、不活性ガス導入管15から導かれてきたN2ガスと
混合される。不活性ガス導入管15は、燃焼管3の内壁
に沿って延出されているので、燃焼用ヒータ熱で窒素ガ
スN2が加熱される。
【0018】上述したように実施の形態では、不活性ガ
ス導入管15から窒素ガスN2を導いて水蒸気に導入す
るが、不活性ガス導入管15を燃焼用ヒータ1の加熱領
域である燃焼管3内を走らせ、窒素ガスN2を予備加熱
してから水蒸気導出管7の途中から導出するため、窒素
ガスN2により水蒸気が冷やされることも、水滴となる
こともない。
ス導入管15から窒素ガスN2を導いて水蒸気に導入す
るが、不活性ガス導入管15を燃焼用ヒータ1の加熱領
域である燃焼管3内を走らせ、窒素ガスN2を予備加熱
してから水蒸気導出管7の途中から導出するため、窒素
ガスN2により水蒸気が冷やされることも、水滴となる
こともない。
【0019】また、加熱N2ガスを水蒸気と混合できる
ため、外部燃焼装置に接続される反応管31内に水分が
残留することがなく、膜厚レートを均一にすることがで
きる。また、反応管31内での温度差を小さくすること
で面内均一性も向上する。また、導入水蒸気の温度が低
くならないので、反応管31内でもガス導入部側の温度
が下がったり、ウェハ内の面内均一性が悪くならない。
さらに、N2ガスの加熱源に燃焼用ヒータを利用したの
で、窒素ガスを加熱するために別のヒータを要しない。
したがって装置が大型化し、消費電力が上がるという問
題も生じない。
ため、外部燃焼装置に接続される反応管31内に水分が
残留することがなく、膜厚レートを均一にすることがで
きる。また、反応管31内での温度差を小さくすること
で面内均一性も向上する。また、導入水蒸気の温度が低
くならないので、反応管31内でもガス導入部側の温度
が下がったり、ウェハ内の面内均一性が悪くならない。
さらに、N2ガスの加熱源に燃焼用ヒータを利用したの
で、窒素ガスを加熱するために別のヒータを要しない。
したがって装置が大型化し、消費電力が上がるという問
題も生じない。
【0020】なお、図2に示すように、燃焼管3内に挿
入する不活性ガス導入管15を螺旋状に巻回して、加熱
効率を上げるようにしてもよい。この場合にも、不活性
ガス導入管15は、燃焼炎が接しないように燃焼管3の
内壁に沿わせることが好ましい。
入する不活性ガス導入管15を螺旋状に巻回して、加熱
効率を上げるようにしてもよい。この場合にも、不活性
ガス導入管15は、燃焼炎が接しないように燃焼管3の
内壁に沿わせることが好ましい。
【0021】上述した実施の形態では、不活性ガス導入
管15を燃焼管3内に挿通させるようにしたが、本発明
はこれに限定されない。例えば図3に示すように、燃焼
管20を2重管として構成して、内管22と外管21と
の間を不活性ガス導入路16としてもよい。即ち、図4
に示すように、燃焼管20は混合ガスを燃焼して水蒸気
を発生させる内管22と、N2ガスを水蒸気導出管7側
に導出するために前記内管22外に同軸的に配設された
外管21との二重管で構成する。外管21と内管22と
の間の間隙を不活性ガス導入路16としてN2を流す。
これによっても上述した不活性ガス導入管15と同様な
効果が得られる。さらに、不活性ガス導入管15を燃焼
管内ではなく燃焼用ヒータ1内に通すようにしてもよ
い。このように不活性ガス導入管を、二重管構造の外管
としたり燃焼用ヒータ内を通すようにしたりすると、不
活性ガス導入管は燃焼炎に影響を与えないので、水蒸気
発生に支障が生じるおそれがない。
管15を燃焼管3内に挿通させるようにしたが、本発明
はこれに限定されない。例えば図3に示すように、燃焼
管20を2重管として構成して、内管22と外管21と
の間を不活性ガス導入路16としてもよい。即ち、図4
に示すように、燃焼管20は混合ガスを燃焼して水蒸気
を発生させる内管22と、N2ガスを水蒸気導出管7側
に導出するために前記内管22外に同軸的に配設された
外管21との二重管で構成する。外管21と内管22と
の間の間隙を不活性ガス導入路16としてN2を流す。
これによっても上述した不活性ガス導入管15と同様な
効果が得られる。さらに、不活性ガス導入管15を燃焼
管内ではなく燃焼用ヒータ1内に通すようにしてもよ
い。このように不活性ガス導入管を、二重管構造の外管
としたり燃焼用ヒータ内を通すようにしたりすると、不
活性ガス導入管は燃焼炎に影響を与えないので、水蒸気
発生に支障が生じるおそれがない。
【0022】
【発明の効果】本発明によれば、水素ガスと酸素ガスを
加熱する加熱領域で不活性ガスを加熱するようにしたの
で、不活性ガスを加熱するために新規なヒータを必要と
しない。また、加熱した不活性ガスを水蒸気と混合でき
るため、膜厚レートを均一にすることが可能となり、パ
ーティクルの発生を防止できる。さらに加熱した不活性
ガスを混合した水蒸気を導出するので、この水蒸気を導
入される炉、例えば反応炉内の温度差を小さく抑えるこ
とができ、膜の面内均一性も向上する。
加熱する加熱領域で不活性ガスを加熱するようにしたの
で、不活性ガスを加熱するために新規なヒータを必要と
しない。また、加熱した不活性ガスを水蒸気と混合でき
るため、膜厚レートを均一にすることが可能となり、パ
ーティクルの発生を防止できる。さらに加熱した不活性
ガスを混合した水蒸気を導出するので、この水蒸気を導
入される炉、例えば反応炉内の温度差を小さく抑えるこ
とができ、膜の面内均一性も向上する。
【図1】熱処理装置の実施の形態による外部燃焼装置の
詳細断面図である。
詳細断面図である。
【図2】変形例を示す外部燃焼装置の概略断面図であ
る。
る。
【図3】他の実施の形態による外部燃焼装置の概略断面
図である。
図である。
【図4】図3の詳細断面図である。
【図5】縦型反応炉と外部燃焼装置との関連を示す斜視
図である。
図である。
【図6】従来例の外部燃焼装置の概略断面図である。
【図7】図6の詳細断面図である。
【図8】従来検討された外部燃焼装置の概略断面図であ
る。
る。
1 燃焼用ヒータ 3 燃焼管 7 水蒸気導出管 8 ガス導入管 9 外管 10 内管 15 不活性ガス導入管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原田 徹 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 Fターム(参考) 5F045 AA20 AC11 BB02 BB15 EB02 EB03 EC07 EC09 EE05 EE14
Claims (1)
- 【請求項1】水素ガスと酸素ガスとを加熱領域で加熱し
て燃焼させることにより水蒸気を発生させ、該水蒸気を
外部に導出する燃焼装置であって、 前記水蒸気の分圧を調整するために、導出される前記水
蒸気に不活性ガスを導入する不活性ガス導入路を設け、 前記不活性ガス導入路の少なくとも一部を前記加熱領域
に設けたことを特徴とした燃焼装置を有する熱処理装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23970199A JP2001068464A (ja) | 1999-08-26 | 1999-08-26 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23970199A JP2001068464A (ja) | 1999-08-26 | 1999-08-26 | 熱処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001068464A true JP2001068464A (ja) | 2001-03-16 |
Family
ID=17048646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23970199A Pending JP2001068464A (ja) | 1999-08-26 | 1999-08-26 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001068464A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101016049B1 (ko) * | 2008-06-27 | 2011-02-23 | 주식회사 테라세미콘 | 습식 산화용 퍼니스의 수증기 공급 장치 |
CN113091055A (zh) * | 2021-03-18 | 2021-07-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 点火装置和半导体设备 |
CN113566234A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-10-29 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体设备的点火装置及半导体设备 |
CN114963234A (zh) * | 2022-06-29 | 2022-08-30 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备的点火装置及半导体工艺设备 |
-
1999
- 1999-08-26 JP JP23970199A patent/JP2001068464A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101016049B1 (ko) * | 2008-06-27 | 2011-02-23 | 주식회사 테라세미콘 | 습식 산화용 퍼니스의 수증기 공급 장치 |
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CN113566234A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-10-29 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体设备的点火装置及半导体设备 |
CN114963234A (zh) * | 2022-06-29 | 2022-08-30 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备的点火装置及半导体工艺设备 |
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