JP2001068463A5

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Publication number: JP2001068463A5
Application number: JP1999245143A
Authority: JP
Filing date: 1999-08-31
Publication date: 2004-11-04

Claims

以下の工程からなる半導体集積回路装置の量産方法；
（ａ）ウエハプロセスを流れる各ウエハに対して、遷移金属含有膜の堆積処理を行う工程、
（ｂ）前記遷移金属含有膜が堆積された前記各ウエハに対して、そのデバイス面の外縁部または裏面の前記遷移金属含有膜を除去する工程、
（ｃ）前記遷移金属含有膜が除去された前記各ウエハに対して、下層工程群に属する複数枚のウエハと共用関係にあるリソグラフィ工程、検査工程または熱処理工程を実行する工程。A method for mass-producing a semiconductor integrated circuit device comprising the following steps;
(A) performing a process of depositing a transition metal-containing film on each wafer flowing through the wafer process;
(B) removing, on each of the wafers on which the transition metal-containing film is deposited, the transition metal-containing film on the outer edge or the back surface of the device surface;
(C) performing a lithography step, an inspection step, or a heat treatment step on the wafer from which the transition metal-containing film has been removed, in a shared relationship with a plurality of wafers belonging to a lower layer step group.

請求項１記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記遷移金属含有膜の除去は、少なくとも前記各ウエハの前記裏面のほぼ全面について行われることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。2. The mass production method for a semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the removal of the transition metal-containing film is performed on at least substantially the entire back surface of each of the wafers. .

請求項１記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記遷移金属含有膜の除去は、少なくとも前記各ウエハの前記デバイス面の外縁部について行われることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。2. The mass production method of a semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the removal of the transition metal-containing film is performed at least on an outer edge of the device surface of each of the wafers. Method.

請求項１記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記遷移金属含有膜の除去は、少なくとも前記各ウエハの前記裏面のほぼ全面および前記デバイス面の外縁部について行われることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。2. The mass production method of a semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the removal of the transition metal-containing film is performed at least on substantially the entire back surface of each of the wafers and the outer edge of the device surface. Mass production method for semiconductor integrated circuit device.

請求項１記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記遷移金属は、白金族金属であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。2. The mass production method for a semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein said transition metal is a platinum group metal.

請求項５記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記遷移金属は、ルテニウムであることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。6. The mass production method of a semiconductor integrated circuit device according to claim 5, wherein said transition metal is ruthenium.

請求項１記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記遷移金属含有膜は、銅であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。2. The method for mass-producing a semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein said transition metal-containing film is made of copper.

請求項１記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記遷移金属含有膜は、ペロブスカイト型高誘電体または強誘電体からなるものであることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。2. The mass production method of a semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the transition metal-containing film is made of a perovskite-type high dielectric or a ferroelectric.

請求項８記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記ペロブスカイト型高誘電体または強誘電体は、ＢＳＴであることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。9. The mass production method for a semiconductor integrated circuit device according to claim 8, wherein said perovskite-type high-dielectric or ferroelectric is BST.

請求項１記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記遷移金属含有膜は、タンタルであることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。2. The mass production method of a semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein said transition metal-containing film is tantalum.

請求項６記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記遷移金属含有膜の除去は、ハロゲン化オキソ酸を含む溶液を用いて行われることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。7. The method for mass-producing a semiconductor integrated circuit device according to claim 6, wherein the removal of the transition metal-containing film is performed using a solution containing a halogenated oxo acid.

請求項１１記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記ハロゲン化オキソ酸は、オルト過ヨウ素酸であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。12. The method for mass-producing a semiconductor integrated circuit device according to claim 11, wherein the halogenated oxoacid is orthoperiodic acid.

請求項１２記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記溶液は、酸性水溶液であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。13. The method for mass-producing a semiconductor integrated circuit device according to claim 12, wherein the solution is an acidic aqueous solution.

請求項１３記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記溶液は、オルト過ヨウ素酸と硝酸を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。14. The method for mass-producing a semiconductor integrated circuit device according to claim 13, wherein the solution contains orthoperiodic acid and nitric acid.

請求項１４記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記溶液におけるオルト過ヨウ素酸の濃度は、２０ｗｔ％から４０ｗｔ％であり、硝酸の濃度は、２０ｗｔ％から４０ｗｔ％であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。15. The method for mass-producing a semiconductor integrated circuit device according to claim 14, wherein the concentration of orthoperiodic acid in the solution is 20 wt% to 40 wt%, and the concentration of nitric acid is 20 wt% to 40 wt%. Mass production method of a semiconductor integrated circuit device.

請求項１５記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記溶液におけるオルト過ヨウ素酸の濃度は、２５ｗｔ％から３５ｗｔ％であり、硝酸の濃度は、２５ｗｔ％から３５ｗｔ％であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。16. The method for mass-producing a semiconductor integrated circuit device according to claim 15, wherein the concentration of orthoperiodic acid in the solution is 25 wt% to 35 wt%, and the concentration of nitric acid is 25 wt% to 35 wt%. Mass production method of a semiconductor integrated circuit device.

以下の工程からなる半導体集積回路装置の量産方法；
（ａ）ウエハプロセスを流れる第１の工程群に属する各ウエハに対して、ルテニウム含有膜の堆積処理を行う工程、
（ｂ）前記ルテニウム含有膜が堆積された前記各ウエハに対して、そのデバイス面の外縁部または裏面の前記ルテニウム含有膜を除去する工程、
（ｃ）前記ルテニウム含有膜が除去された前記各ウエハに対して、前記ウエハプロセスを流れる大量のウエハのうち、前記第１の工程群と比較して、下層工程群に属するウエハ群と共用関係にあるリソグラフィ工程、検査工程または熱処理工程を実行する工程。A method for mass-producing a semiconductor integrated circuit device comprising the following steps;
(A) performing a deposition process of a ruthenium-containing film on each wafer belonging to a first process group flowing in the wafer process;
(B) removing the ruthenium-containing film on the outer edge or the back surface of the device surface of each of the wafers on which the ruthenium-containing film is deposited;
(C) for each of the wafers from which the ruthenium-containing film has been removed, of a large number of wafers flowing through the wafer process, as compared with the first process group, and a shared relationship with a wafer group belonging to a lower process group Performing a lithography step, an inspection step or a heat treatment step.

請求項１７記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記下層工程群における各ウエハに対する最高熱処理温度は、前記第１の工程群における各ウエハに対する最高熱処理温度と比較して高いことを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。18. The mass production method of a semiconductor integrated circuit device according to claim 17, wherein a maximum heat treatment temperature for each wafer in said lower step group is higher than a maximum heat treatment temperature for each wafer in said first step group. Mass production method of a semiconductor integrated circuit device.

請求項１８記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記ルテニウム含有膜の除去は、ハロゲン化オキソ酸を含む溶液を用いて行われることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。19. The method for mass-producing a semiconductor integrated circuit device according to claim 18, wherein the removal of the ruthenium-containing film is performed using a solution containing a halogenated oxo acid.

請求項１９記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記ハロゲン化オキソ酸はオルト過ヨウ素酸であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。20. The method for mass-producing a semiconductor integrated circuit device according to claim 19, wherein the halogenated oxo acid is orthoperiodic acid.

請求項２０記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記溶液は酸性水溶液であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。21. The mass production method for a semiconductor integrated circuit device according to claim 20, wherein the solution is an acidic aqueous solution.

請求項２１記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記溶液はオルト過ヨウ素酸と硝酸を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。22. The method for mass-producing a semiconductor integrated circuit device according to claim 21, wherein the solution contains orthoperiodic acid and nitric acid.

請求項２２記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記溶液におけるオルト過ヨウ素酸の濃度は２０ｗｔ％から４０ｗｔ％であり、硝酸の濃度は２０ｗｔ％から４０ｗｔ％であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。23. The method for mass-producing a semiconductor integrated circuit device according to claim 22, wherein the concentration of orthoperiodic acid in the solution is 20 wt% to 40 wt%, and the concentration of nitric acid is 20 wt% to 40 wt%. Mass production method for semiconductor integrated circuit device.

請求項２３記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記溶液におけるオルト過ヨウ素酸の濃度は２５ｗｔ％から３５ｗｔ％であり、硝酸の濃度は２５ｗｔ％から３５ｗｔ％であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。24. The method for mass-producing a semiconductor integrated circuit device according to claim 23, wherein the concentration of orthoperiodic acid in the solution is 25 wt% to 35 wt%, and the concentration of nitric acid is 25 wt% to 35 wt%. Mass production method for semiconductor integrated circuit device.

以下の工程からなる半導体集積回路装置の量産方法；
（ａ）ウエハプロセスを流れる第１の工程群に属する各ウエハに対して、有害遷移金属含有膜の堆積処理を行う工程、
（ｂ）前記有害遷移金属含有膜が堆積された前記各ウエハに対して、そのデバイス面の外縁部または裏面の前記有害遷移金属含有膜を除去する工程、
（ｃ）前記有害遷移金属含有膜が除去された前記各ウエハに対して、前記ウエハプロセスを流れる大量のウエハのうち、前記第１の工程群と比較して、下層工程群に属するウエハ群と共用関係にあるリソグラフィ工程、検査工程または熱処理工程を実行する工程。A method for mass-producing a semiconductor integrated circuit device comprising the following steps;
(A) performing a deposition process of a harmful transition metal-containing film on each wafer belonging to a first process group flowing in the wafer process;
(B) removing the harmful transition metal-containing film on the outer edge or back surface of the device surface of each wafer on which the harmful transition metal-containing film is deposited;
(C) for each of the wafers from which the harmful transition metal-containing film has been removed, among a large number of wafers flowing through the wafer process, a wafer group belonging to a lower step group as compared with the first step group; A step of executing a lithography step, an inspection step, or a heat treatment step in a shared relationship.

請求項２５記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記有害遷移金属は白金族および銅族のみからなる群から選ばれたものであることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。26. The method for mass-producing a semiconductor integrated circuit device according to claim 25, wherein the harmful transition metal is selected from the group consisting only of a platinum group and a copper group.

以下の工程からなる半導体集積回路装置の量産方法；
（ａ）ウエハプロセスを流れる第１の工程群に属する各ウエハに対して、アルカリ土類金属含有膜の堆積処理を行う工程、
（ｂ）前記アルカリ土類金属含有膜が堆積された前記各ウエハに対して、そのデバイス面の外縁部または裏面の前記アルカリ土類金属含有膜を除去する工程、
（ｃ）前記アルカリ土類金属含有膜が除去された前記各ウエハに対して、前記ウエハプロセスを流れる大量のウエハのうち、前記第１の工程群と比較して、下層工程群に属するウエハ群と共用関係にあるリソグラフィ工程、検査工程または熱処理工程を実行する工程。A method for mass-producing a semiconductor integrated circuit device comprising the following steps;
(A) performing a deposition process of an alkaline earth metal-containing film on each wafer belonging to a first process group flowing in the wafer process;
(B) removing the alkaline earth metal-containing film on the outer edge or the back surface of the device surface of each wafer on which the alkaline earth metal-containing film is deposited;
(C) For each of the wafers from which the alkaline earth metal-containing film has been removed, a wafer group belonging to a lower step group among a large number of wafers flowing through the wafer process as compared with the first step group A step of executing a lithography step, an inspection step, or a heat treatment step, which is in a shared relationship with the apparatus.

請求項２７記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記アルカリ土類金属含有膜はペロブスカイト型高誘電体または強誘電体からなるものであることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。28. The method for mass-producing a semiconductor integrated circuit device according to claim 27, wherein said alkaline earth metal-containing film is made of a perovskite-type high dielectric or ferroelectric. .

以下の工程からなる半導体集積回路装置の量産方法；
（ａ）ウエハプロセスを流れる第１の工程群に属する各ウエハに対して、鉛含有膜の堆積処理を行う工程、
（ｂ）前記鉛含有膜が堆積された前記各ウエハに対して、そのデバイス面の外縁部または裏面の前記鉛含有膜を除去する工程、
（ｃ）前記鉛含有膜が除去された前記各ウエハに対して、前記ウエハプロセスを流れる大量のウエハのうち、前記第１の工程群と比較して、下層工程群に属するウエハ群と共用関係にあるリソグラフィ工程、検査工程または熱処理工程を実行する工程。A method for mass-producing a semiconductor integrated circuit device comprising the following steps;
(A) a step of depositing a lead-containing film on each wafer belonging to a first step group flowing through the wafer process;
(B) removing the lead-containing film on the outer edge or the back surface of the device surface of each wafer on which the lead-containing film is deposited;
(C) for each of the wafers from which the lead-containing film has been removed, a large number of wafers flowing through the wafer process, compared with the first process group, and a shared relationship with a wafer group belonging to a lower layer process group Performing a lithography step, an inspection step or a heat treatment step.

請求項２９記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記鉛含有膜はペロブスカイト型高誘電体または強誘電体からなるものであることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。30. The mass production method of a semiconductor integrated circuit device according to claim 29, wherein the lead-containing film is made of a perovskite-type high dielectric or ferroelectric.

以下の工程からなる半導体集積回路装置の量産方法；A method for mass-producing a semiconductor integrated circuit device comprising the following steps;
（ａ）ウエハプロセスを流れる各ウエハに対して、遷移金属含有膜の堆積処理を行う工程、(A) performing a process of depositing a transition metal-containing film on each wafer flowing through the wafer process;
（ｂ）前記遷移金属含有膜が堆積された前記各ウエハに対して、そのデバイス面の外縁部または裏面の前記遷移金属含有膜を除去する工程、(B) removing, on each of the wafers on which the transition metal-containing film is deposited, the transition metal-containing film on the outer edge or the back surface of the device surface;
（ｃ）前記遷移金属含有膜が除去された前記各ウエハをウエハプロセスで使われる共用装置へ搬送する工程、(C) transporting each of the wafers from which the transition metal-containing film has been removed to a shared device used in a wafer process;
（ｄ）前記共用装置から前記搬送された各ウエハを取り出す工程、(D) removing the transported wafers from the shared device;
（ｅ）前記堆積処理を行う工程の前後の前記ウエハプロセスを行うために、さらにウエハを前記共用装置へ搬送する工程。(E) a step of further transporting a wafer to the shared device in order to perform the wafer process before and after the step of performing the deposition process.