JP2001068463A - 半導体集積回路装置の量産方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体量産プロセスにおいて、遷移金属によ
るウエハの汚染を防止する。 【解決手段】 本発明の半導体集積回路装置の量産方法
は、ウエハプロセスを流れる各ウエハに対して、Ｒｕ膜
の堆積処理を行う工程と、前記Ｒｕ膜が堆積された前記
各ウエハに対して、前記各ウエハのデバイス面の外縁部
または裏面の前記Ｒｕ膜を、オルト過ヨウ素酸と硝酸と
を含む水溶液を用いて除去する工程と、前記Ｒｕ膜が除
去された前記各ウエハに対して、下層工程（ゲート絶縁
膜形成前の初期素子形成工程および配線工程）群に属す
る複数枚のウエハと共用関係にあるリソグラフィ工程、
検査工程または熱処理工程を実行する工程とを有してい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置の量産技術に関し、特に、大量のウエハを複数の工程
に渡って連続処理する際に、ルテニウム（Ｒｕ）などの
遷移金属を含有する膜を堆積したウエハに対するリソグ
ラフィ工程と、他の工程群に属するウエハに対するリソ
グラフィ工程とを共用する量産ラインで行われる半導体
製造プロセスに適用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体製造以外の産業分野におい
ては、廃棄物などに含まれる白金族元素の回収を目的と
して、白金族元素を溶解液に溶かして分離する技術が知
られている。

【０００３】特開平７−１５７８３２号公報（伊藤等）
は、廃電子部品、貴金属含有廃触媒、廃宝飾品などに含
まれる金や白金族元素などの貴金属を溶解液に溶かして
回収する技術を開示している。貴金属の溶解には、２種
類のハロゲンからなるハロゲン間化合物（ＣｌＦ、Ｂｒ
Ｆ、ＢｒＣｌ、ＩＣｌ、ＩＣｌ₃ 、ＩＢｒなど）の水溶
液とハロゲン化オキソ酸（ヨウ素酸、臭素酸または塩素
酸）の水溶液とを１：９〜９：１の範囲で混合した溶解
液が使用される。この溶解液に溶解した貴金属は、まず
ハロゲン化錯体として分離され、次いでこのハロゲン化
錯体を分解する液（水酸化ナトリウム、水酸化ホウ素ナ
トリウム、ヒドラジンまたはその塩、亜硫酸またはその
塩、重亜硫酸など）を添加することにより、金属として
回収される。

【０００４】特開平７−２２４３３３号公報（和田等）
は、使用済み核燃料の再処理工程で発生する不溶解残渣
中に含まれるルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、
パラジウム（Ｐｄ）などの貴金属を含む核***生成合金
を、ヨウ素単体（または臭素単体）を添加したヨウ化水
素酸（または臭化水素酸）の溶解液に浸漬することによ
り、液体金属抽出などの前処理を経ることなく水溶液と
して溶解させる技術を開示している。ここで、上記溶解
液は、ヨウ化水素酸（または臭化水素酸）の濃度を５〜
５７重量％の範囲、添加するヨウ素単体（または臭素単
体）の濃度を前者の水溶液１リットル当たり０．０１〜
０．５モルの範囲とすることが好ましいとされている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】１Ｇbit 以降の大容量
ＤＲＡＭ(Dynamic Random Access Memory)は、微細化さ
れたメモリセルの蓄積電荷量を確保するために、情報蓄
積容量素子（キャパシタ）の容量絶縁膜を、比誘電率が
１００以上のＡＢＯ₃ 型複酸化物、すなわちペロブスカ
イト型複酸化物であるＢＳＴ（（Ｂａ，Ｓｒ）Ｔｉ
Ｏ₃ ）などの高誘電体材料で構成する。また、さらに次
世代の容量絶縁膜材料として、ＰＺＴ（ＰｂＺｒ_X Ｔｉ
_1-X Ｏ₃ ）、ＰＬＴ（ＰｂＬａ_X Ｔｉ_1-X Ｏ₃ ）、ＰＬ
ＺＴ、ＳＢＴ、ＰｂＴｉＯ₃ 、ＳｒＴｉＯ₃ 、ＢａＴｉ
Ｏ₃ といったペロブスカイト型結晶構造を含む強誘電体
材料の導入も検討されている。

【０００６】キャパシタの容量絶縁膜に上記のような高
／強誘電体材料を使用する場合は、容量絶縁膜を挟む上
下部電極用の導電膜も上記高／強誘電体材料に対して親
和性が高い金属、例えば白金族金属（Ｒｕ（ルテニウ
ム）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｏｓ
（オスミウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｐｔ（白金））
を主構成材料として含有する導電膜を使用する必要があ
る。特に、ルテニウム（Ｒｕ）は、エッチングの制御性
や膜の安定性に優れていることから、容量絶縁膜を前記
のような高／強誘電体材料で構成するキャパシタの電極
材料として有力視されている。

【０００７】一方、高速ロジックＬＳＩの分野では、配
線幅の微細化に伴う配線抵抗の増大および信頼性の低下
を防ぐ対策として、基板上に堆積した絶縁膜に配線溝
（およびスルーホール）を形成し、次いでこの配線溝
（およびスルーホール）の内部を含む絶縁膜上にＡｌ膜
よりも電気抵抗が低い銅（Ｃｕ）膜を堆積した後、配線
溝の外部の不要な銅膜を化学機械研磨（ＣＭＰ）法によ
って除去する、いわゆるダマシン(Damascene) 法による
埋め込み銅配線の導入が進められている。この埋め込み
銅配線は、ロジックＬＳＩのみならず、ＤＲＡＭなどの
メモリ分野においても導入が検討されている。

【０００８】しかし、上記した白金族金属、ペロブスカ
イト型高／強誘電体あるいは銅のように、従来のウエハ
プロセスでは使用されていなかった新規な遷移金属やそ
れを含有する材料を半導体製造プロセスに導入するに際
しては、これらの遷移金属によるウエハの汚染を防止す
る対策が必要となる。特に、銅などの遷移金属はシリコ
ン（Ｓｉ）中での拡散係数が大きく、アニール工程（熱
処理工程）で容易に基板に到達するため、極めて低濃度
であってもデバイス特性に深刻な悪影響を及ぼす怖れが
ある。

【０００９】例えばＤＲＡＭなどの汎用ＬＳＩの製造プ
ロセスでは、設備投資を極力抑制して製造コストを低減
するために、リソグラフィ装置（光露光装置、ＥＢ露光
装置）、各種検査装置、アニール（熱処理）装置などを
ゲート絶縁膜形成前の初期素子形成工程および配線工程
で共用しており、前記のような新材料を使用するキャパ
シタ形成工程でもこれらの共用装置が使用される。すな
わち、これらの共用装置においては、キャパシタ形成工
程を実行するためのウエハが装置から搬出された後、初
期素子形成工程を実行するためのウエハや配線工程を実
行するためのウエハが装置に搬入される。また、キャパ
シタの上層の配線を前述したダマシン法による埋め込み
銅配線とする場合には、キャパシタの上層に堆積した銅
膜をアニール（熱処理）するためのウエハが他の工程を
実行するためのウエハと前後して共用装置に搬入され
る。

【００１０】スパッタリング法やＣＶＤ法を用いてウエ
ハのデバイス面に堆積した白金族金属、ペロブスカイト
型高／強誘電体あるいは銅などの遷移金属を含有する膜
は、ウエハの外縁部（エッジ部）や裏面にも堆積する。
そのため、ウエハの外縁部や裏面に堆積した遷移金属含
有膜を十分に除去せずにウエハを共用装置に搬入する
と、ウエハの外縁部や裏面と接触したウエハステージ、
ウエハキャリア、コンベアなどの表面に遷移金属含有膜
が付着し、その後に共用装置に搬入されてくる下層工程
（ゲート絶縁膜形成前の初期素子形成工程、配線工程）
を実行するためのウエハが遷移金属に汚染されてしま
う。

【００１１】従って、上記のような遷移金属含有膜を堆
積したウエハに対するリソグラフィ工程と、下層工程を
含む他の工程群に属するウエハに対するリソグラフィ工
程とを共用装置を使って実行する量産ラインにおいて
は、遷移金属含有膜を堆積したウエハを共用装置に搬入
するに先だって、ウエハの外縁部や裏面に堆積した遷移
金属含有膜を除去するための洗浄工程が不可欠となる。

【００１２】しかしながら、前述した遷移金属の中に
は、例えばルテニウムなどのように、これを溶解する溶
液が見出されていないために有効な洗浄方法が確立され
ていないものもある。前記のように、半導体製造以外の
産業分野では白金族金属の溶解液が幾つか提案されてい
るが、これらの溶解液は、ルテニウムを溶解する速度が
極めて遅いことから、半導体の量産ラインで使用するこ
とができない。

【００１３】また、遷移金属によるウエハの汚染を防ぐ
別の対策として、遷移金属含有膜を堆積したウエハに対
するリソグラフィ工程を実行するための専用装置を前記
共用装置とは別に用意することは、製造コスト低減の観
点から現実的でない。

【００１４】本発明の目的は、ゲート絶縁膜形成前の初
期素子形成工程、配線工程および遷移金属含有膜加工工
程でリソグラフィ装置、検査装置、アニール（熱処理）
装置などを共用する半導体量産プロセスにおいて、初期
素子形成工程や配線工程を実行するウエハが遷移金属に
よって汚染される不具合を確実に防止する技術を提供す
ることにある。

【００１５】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。

【００１７】本発明の半導体集積回路装置の量産方法
は、以下の工程からなる； （ａ）ウエハプロセスを流れる各ウエハに対して、Ｒｕ
膜の堆積処理を行う工程、（ｂ）前記Ｒｕ膜が堆積され
た前記各ウエハに対して、前記ウエハのデバイス面の外
縁部または裏面の前記Ｒｕ膜を、オルト過ヨウ素酸を含
む溶液を用いて除去する工程、（ｃ）前記Ｒｕ膜が除去
された前記各ウエハに対して、下層工程群に属する複数
枚のウエハと共用関係にあるリソグラフィ工程、検査工
程または熱処理工程を実行する工程。

【００１８】上記した発明以外の本願発明の概要を簡単
に項分けして記載すれば、以下の通りである。すなわ
ち、 １．以下の工程からなる半導体集積回路装置の量産方
法； （ａ）ウエハプロセスを流れる複数枚のウエハのうち、
第１のウエハのデバイス面上に白金族金属膜を堆積する
工程、（ｂ）前記白金族金属膜が堆積された前記第１の
ウエハのデバイス面の外縁部または裏面の前記白金族金
属膜を除去する工程、（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記
第１のウエハのデバイス面上の前記白金族金属膜を、リ
ソグラフィ工程により形成した耐エッチングマスクパタ
ーンを使ってパターニングする工程、（ｄ）前記ウエハ
プロセスを流れる複数枚のウエハのうち、第２のウエハ
のデバイス面上に前記白金族金属膜とは異なる被加工膜
を堆積する工程、（ｅ）前記リソグラフィ工程により、
前記第２のウエハの前記デバイス面上に堆積された前記
被加工膜をパターニングする工程。

【００１９】２．前記１項において、前記白金族金属膜
は、ルテニウム膜であることを特徴とする半導体集積回
路装置の量産方法。

【００２０】３．前記１項または２項において、前記被
加工膜をパターニングする工程は、前記白金族金属膜を
パターニングする工程よりも下層の工程であることを特
徴とする半導体集積回路装置の量産方法。

【００２１】４．前記１項〜３項のいずれか一項におい
て、前記白金族金属膜の除去は、オルト過ヨウ素酸を含
む溶液を用いて行われることを特徴とする半導体集積回
路装置の量産方法。

【００２２】５．前記１項〜４項のいずれか一項におい
て、前記白金族金属膜の除去は、オルト過ヨウ素酸と第
２の酸とを含む溶液を用いて行われることを特徴とする
半導体集積回路装置の量産方法。

【００２３】６．前記５項において、前記第２の酸は、
硝酸であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産
方法。

【００２４】７．前記６項において、前記溶液における
オルト過ヨウ素酸の濃度は、２０ｗｔ％から４０ｗｔ％
であり、硝酸の濃度は、２０ｗｔ％から４０ｗｔ％であ
ることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。

【００２５】８．前記６項において、前記溶液における
オルト過ヨウ素酸の濃度は、２５ｗｔ％から３５ｗｔ％
であり、硝酸の濃度は、２５ｗｔ％から３５ｗｔ％であ
ることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。

【００２６】９．前記５項において、前記第２の酸は、
酢酸であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産
方法。

【００２７】１０．前記１項〜９項のいずれか一項にお
いて、前記白金族金属膜の除去は、少なくとも前記各ウ
エハの前記裏面のほぼ全面および前記デバイス面の外縁
部について行われることを特徴とする半導体集積回路装
置の量産方法。

【００２８】１１．以下の工程からなる半導体集積回路
装置の量産方法； （ａ）ウエハプロセスを流れる複数枚のウエハのうち、
第１のウエハのデバイス面上に遷移金属含有膜を堆積す
る工程、（ｂ）前記遷移金属含有膜が堆積された前記第
１のウエハのデバイス面の外縁部または裏面の前記遷移
金属含有膜を除去する工程、（ｃ）前記（ｂ）工程の
後、前記第１のウエハのデバイス面上の前記遷移金属含
有膜を、リソグラフィ工程により形成した耐エッチング
マスクパターンを使ってパターニングする工程、（ｄ）
前記ウエハプロセスを流れる複数枚のウエハのうち、第
２のウエハのデバイス面上に前記遷移金属含有膜とは異
なる被加工膜を堆積する工程、（ｅ）前記リソグラフィ
工程により、前記第２のウエハの前記デバイス面上に堆
積された前記被加工膜をパターニングする工程。

【００２９】１２．前記１１項において、前記遷移金属
含有膜は、ペロブスカイト型高誘電体または強誘電体か
らなることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方
法。

【００３０】１３．前記１２項において、前記ペロブス
カイト型高誘電体または強誘電体は、ＢＳＴであること
を特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。

【００３１】１４．前記１１項において、前記ペロブス
カイト型高誘電体または強誘電体は、ＰＺＴ、ＰＬＴ、
ＰＬＺＴ、ＳＢＴ、ＰｂＴｉＯ₃ 、ＳｒＴｉＯ₃ または
ＢａＴｉＯ₃ のいずれかであることを特徴とする半導体
集積回路装置の量産方法。

【００３２】１５．前記１１項において、前記遷移金属
は、銅であることを特徴とする半導体集積回路装置の量
産方法。

【００３３】１６．以下の工程からなる半導体集積回路
装置の量産方法； （ａ）ウエハプロセスを流れる複数枚のウエハのうち、
第１のウエハのデバイス面上にＲｕ膜を堆積する工程、
（ｂ）前記Ｒｕ膜が堆積された前記第１のウエハのデバ
イス面の外縁部または裏面の前記Ｒｕ膜を除去する工
程、（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記第１のウエハのデ
バイス面上の前記Ｒｕ膜を、リソグラフィ工程により形
成した耐エッチングマスクパターンを使ってパターニン
グすることによって、キャパシタの電極を形成する工
程、（ｄ）前記ウエハプロセスを流れる複数枚のウエハ
のうち、第２のウエハのデバイス面上に前記Ｒｕ膜とは
異なる被加工膜を堆積する工程、（ｅ）前記リソグラフ
ィ工程により、前記第２のウエハの前記デバイス面上に
堆積された前記被加工膜をパターニングする工程。

【００３４】１７．前記１６項において、前記被加工膜
をパターニングする工程は、前記Ｒｕ膜をパターニング
する工程よりも下層の工程であることを特徴とする半導
体集積回路装置の量産方法。

【００３５】１８．前記１６項または１７項において、
前記Ｒｕ膜の除去は、オルト過ヨウ素酸を含む溶液を用
いて行われることを特徴とする半導体集積回路装置の量
産方法。

【００３６】１９．前記１６項または１７項において、
前記Ｒｕ膜の除去は、オルト過ヨウ素酸と第２の酸とを
含む溶液を用いて行われることを特徴とする半導体集積
回路装置の量産方法。

【００３７】２０．前記１９項において、前記第２の酸
は、硝酸であることを特徴とする半導体集積回路装置の
量産方法。

【００３８】２１．前記２０項において、前記溶液にお
けるオルト過ヨウ素酸の濃度は、２０ｗｔ％から４０ｗ
ｔ％であり、硝酸の濃度は、２０ｗｔ％から４０ｗｔ％
であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方
法。

【００３９】２２．前記２０項において、前記溶液にお
けるオルト過ヨウ素酸の濃度は、２５ｗｔ％から３５ｗ
ｔ％であり、硝酸の濃度は、２５ｗｔ％から３５ｗｔ％
であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方
法。

【００４０】２３．以下の工程からなる半導体集積回路
装置の量産方法； （ａ）ウエハプロセスを流れる複数枚のウエハのうち、
第１のウエハのデバイス面上にＲｕ膜を堆積する工程、
（ｂ）オルト過ヨウ素酸を含む溶液を用いて、前記Ｒｕ
膜が堆積された前記第１のウエハのデバイス面の外縁部
または裏面の前記Ｒｕ膜を除去する工程、（ｃ）前記
（ｂ）工程の後、前記第１のウエハのデバイス面上の前
記Ｒｕ膜を、リソグラフィ工程により形成した耐エッチ
ングマスクパターンを使ってパターニングすることによ
って、ＤＲＡＭのキャパシタの電極を形成する工程、
（ｄ）前記ウエハプロセスを流れる複数枚のウエハのう
ち、第２のウエハのデバイス面上に前記Ｒｕ膜とは異な
る被加工膜を堆積する工程、（ｅ）前記リソグラフィ工
程により、前記第２のウエハの前記デバイス面上に堆積
された前記被加工膜をパターニングする工程。

【００４１】２４．前記２３項において、前記被加工膜
をパターニングする工程は、前記Ｒｕ膜をパターニング
する工程よりも下層の工程であることを特徴とする半導
体集積回路装置の量産方法。

【００４２】２５．前記２４項において、前記被加工膜
をパターニングする工程は、ゲート電極を形成する工程
またはビット線を形成する工程であることを特徴とする
半導体集積回路装置の量産方法。

【００４３】２６．前記２３項から２５項のいずれか一
項において、前記Ｒｕ膜の除去は、オルト過ヨウ素酸と
硝酸とを含む溶液を用いて行われることを特徴とする半
導体集積回路装置の量産方法。

【００４４】２７．前記２６項において、前記溶液にお
けるオルト過ヨウ素酸の濃度は、２０ｗｔ％から４０ｗ
ｔ％であり、硝酸の濃度は、２０ｗｔ％から４０ｗｔ％
であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方
法。

【００４５】２８．前記２７項において、前記溶液にお
けるオルト過ヨウ素酸の濃度は、２５ｗｔ％から３５ｗ
ｔ％であり、硝酸の濃度は、２５ｗｔ％から３５ｗｔ％
であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方
法。

【００４６】２９．以下の工程からなる半導体集積回路
装置の量産方法； （ａ）ウエハプロセスを流れる複数枚のウエハのうち、
第１のウエハのデバイス面上にペロブスカイト型高誘電
体または強誘電体からな遷移金属含有膜を堆積する工
程、（ｂ）前記遷移金属含有膜が堆積された前記第１の
ウエハのデバイス面の外縁部または裏面の前記遷移金属
含有膜を除去する工程、（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前
記第１のウエハのデバイス面上の前記遷移金属含有膜
を、リソグラフィ工程によりリソグラフィ工程により形
成した耐エッチングマスクパターンを使ってパターニン
グすることによって、ＤＲＡＭのキャパシタの容量絶縁
膜を形成する工程、（ｄ）前記ウエハプロセスを流れる
複数枚のウエハのうち、第２のウエハのデバイス面上に
前記遷移金属含有膜とは異なる被加工膜を堆積する工
程、（ｅ）前記リソグラフィ工程により、前記第２のウ
エハの前記デバイス面上に堆積された前記被加工膜をパ
ターニングする工程。

【００４７】３０．前記２９項において、前記ペロブス
カイト型高誘電体または強誘電体は、ＢＳＴであること
を特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。

【００４８】以下、本願において使用する用語の一般的
意味について説明する。

【００４９】１．「ＣＭＩＳ集積回路」とは、相補性絶
縁ゲート型ＦＥＴよりなる集積回路を示し、一般のＣＭ
ＯＳ集積回路の他、例えば窒化シリコンや酸化タンタル
のような酸化膜以外の誘電体材料からなるゲート絶縁膜
を有するデバイスを含む。

【００５０】２．「デバイス面」とは、ウエハの主面で
あって、その面にフォトリソグラフィーにより、複数の
チップ領域に対応する集積回路パターンが形成される面
をいう。すなわち、「裏面」に対して、その反対側の主
面をいう。

【００５１】３．「埋め込み配線」とは、シングルダマ
シン（Single Damascene）やデュアルダマシン（Dual D
amascene）などのように、絶縁膜に溝などを形成して、
そこに銅などの導電膜を埋め込み、その後に不要な導電
膜を除去する配線形成技術によりパターニングされた配
線をいう。

【００５２】４．「半導体集積回路ウエハ」または「半
導体ウエハ」とは、半導体集積回路の製造に用いるシリ
コン単結晶基板（一般にほぼ円形）、サファイア基板、
ガラス基板その他の絶縁、反絶縁または半導体基板など
ならびにそれらの複合的基板をいう。また、「半導体集
積回路装置」（あるいは「電子装置」、「電子回路装
置」など）というときは、単結晶シリコン基板上に作ら
れるものだけでなく、特にそうでない旨が明示された場
合を除き、上記した各種基板、あるいはさらにＳＯＩ(S
ilicon On Insulator)基板、ＴＦＴ(Thin Film Transis
tor)液晶製造用基板、ＳＴＮ(Super Twisted Nematic)
液晶製造用基板などといった他の基板上に作られるもの
を含むものとする。

【００５３】５．「チップ形成部」とは、ウエハのデバ
イス面上の複数のチップ領域を含む部分であって、周辺
のチップを作ることを意図しない「外縁部」を除いた内
部領域をいう。

【００５４】６．「高誘電体」とは、Ｔａ₂ Ｏ₅ のよう
な比誘電率が２０以上の高誘電体材料や、さらに比誘電
率が１００を越えるＢＳＴ（（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ₃ ）
などの高誘電体材料などをいう。

【００５５】７．「強誘電体」とは常温で強誘電相にあ
るペロブスカイト構造を含むＰＺＴ、ＰＬＴ、ＰＬＺ
Ｔ、ＳＢＴ、ＰｂＴｉＯ₃ 、ＳｒＴｉＯ₃ およびＢａＴ
ｉＯ₃ などをいう。

【００５６】８．「遷移金属」とは、一般に周期律表の
イットリウム、ランタンなどの属する３族から銅などの
属する１１族までの元素をいう。「遷移金属含有膜」と
は、遷移金属または遷移金属を主要なまたは副次的な構
成要素として含む材料を含む膜をいう（例えばＲｕ、Ｒ
ｕＯ₂ 、Ｔａ₂ Ｏ₅ など）。「遷移金属含有膜堆積処
理」とは、前記遷移金属含有膜が意図的にまたは意図に
反して付着または堆積する処理をいう。従って、絶縁膜
や金属膜の堆積工程のほか、そのエッチング工程も含ま
れる。本願において、「有害遷移金属」とは、半導体プ
ロセスに使用される遷移金属のうち、現時点でコンタミ
ネーションとしての性質が十分に検証されていないもの
であって、例えば白金族および銅族のみからなる群から
選ばれたものをいう。また、本願において、「銅からな
る」という場合には、特に限定する旨の明示がない限り
純粋な銅に限定されるものではなく、その機能を損なわ
ない範囲で他の構成要素、添加物、不純物などを含んだ
ものを包含することはいうまでもない。

【００５７】９．「白金属元素」とは、一般に周期律表
８から１０族に属する元素のうち、ルテニウム、ロジウ
ム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金をい
う。

【００５８】１０．ウエハプロセスについて「下層工程
群」とは、一つのウエハに注目した場合は当該工程より
先に通過する被加工膜形成、同レジスト膜形成工程、露
光、現像、前記膜のパターニングなどからなる一連の工
程の集合をいう。例えば下層配線工程群は上層配線工程
群より下層工程である。その逆を「上層工程群」とい
う。ただし、必ずしも物理的上下関係に限らない。

【００５９】１１．「リソグラフィ工程」とは、例えば
光露光の場合、ある膜の形成工程の後、同ウエハに対し
てフォトレジストを塗布する工程から、そのフォトレジ
ストを露光して現像する工程（必要に応じてベーク工程
などを含む）までをいう。リソグラフィ工程について
「共用関係」とは、異なる工程群に属するウエハが同一
の設備からなるリソグラフィ工程を通過する関係をい
う。この場合、同一の設備といっても、すべての装置を
共有する必要はない。どれか一つの装置、例えば露光装
置（光露光装置、ＥＢ露光装置）を共有するだけでもよ
い。

【００６０】１２．ウエハラインについて「量産」と
は、一般にスループットがウエハで１０００枚／日程度
のものをいうが、本願においては、ウエハの大口径化を
考慮して、１００枚／日程度のものも含めるものとす
る。この場合、品種などが同一である必要はないことは
いうまでもない。

【００６１】１３．「化学機械研磨（Chemical Mechani
cal Polishing;ＣＭＰ）」とは、一般に被研磨面を相対
的に軟らかい布様のシート材料などからなる研磨パッド
に接触させた状態で、スラリを供給しながら面方向に相
対移動させて研磨を行うことをいい、本願においてはそ
の他、被研磨面を硬質の砥石面に対して相対移動させる
ことによって研磨を行うＣＭＬ(Chemical Mechanical L
apping) なども含むものとする。

【００６２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一の機能を有する部材には同
一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。ま
た、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一
または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。

【００６３】さらに、以下の実施の形態では、便宜上そ
の必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形
態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、そ
れらは互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部
または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にあ
る。また、以下の実施の形態において、要素の数など
（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、
特に明示したときおよび原理的に明らかに特定の数に限
定されるときを除き、その特定の数に限定されるもので
はなく、特定の数以上でも以下でもよい。さらに、以下
の実施の形態において、その構成要素（要素ステップな
どを含む）は、特に明示した場合および原理的に明らか
に必須であると考えられる場合を除き、必ずしも必須の
ものではないことは言うまでもない。

【００６４】同様に、以下の実施の形態において、構成
要素などの形状、位置関係などに言及するときは、特に
明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考え
られる場合を除き、実質的にその形状などに近似または
類似するものなどを含むものとする。このことは、上記
数値および範囲についても同様である。

【００６５】本発明の実施形態であるＤＲＡＭの製造方
法を図１〜図２８を用いて工程順に説明する。

【００６６】まず、図１に示すように、例えばｐ型で比
抵抗が１０Ωcm程度の単結晶シリコンからなる半導体基
板（ウエハ）１の主面に素子分離溝２を形成した後、基
板１にｐ型ウエル３を形成する。素子分離溝２は、素子
分離領域の基板１をドライエッチングして溝を形成した
後、溝の内部を含む基板１上にＣＶＤ法で酸化シリコン
膜４を堆積し、続いて酸化シリコン膜４を化学機械研磨
(Chemical MechanicalPolishing; ＣＭＰ) 法で研磨し
て溝の内部に残すことにより形成する。また、ｐ型ウエ
ル３は、基板１にｎ型不純物、例えばＰ（リン）をイオ
ン打ち込みし、続いて基板１をアニール（熱処理）して
ｎ型不純物を拡散させることにより形成する。

【００６７】次に、ｐ型ウエル３の表面をフッ酸（Ｈ
Ｆ）系の洗浄液を使って洗浄した後、基板１をウェット
酸化してｐ型ウエル３の表面に清浄なゲート酸化膜５を
形成する。

【００６８】次に、図２に示すように、ゲート酸化膜５
の上部にゲート電極６（ワード線ＷＬ）を形成し、続い
てゲート電極６の両側のｐ型ウエル３に低不純物濃度の
ｎ型半導体領域７を形成する。

【００６９】ゲート電極６（ワード線ＷＬ）は、例えば
Ｐなどのｎ型不純物をドープした多結晶シリコン膜を基
板１上にＣＶＤ法で堆積し、次いでその上部にＷＮ（窒
化タングステン）膜とＷ（タングステン）膜とをスパッ
タリング法で堆積し、さらにその上部に窒化シリコン膜
８をＣＶＤ法で堆積した後、フォトレジスト膜をマスク
にしてこれらの膜をドライエッチングすることにより形
成する。また、ｎ型半導体領域７は、ｐ型ウエル３にｎ
型不純物、例えばヒ素（Ａｓ）をイオン打ち込みして形
成する。

【００７０】次に、図３に示すように、基板１上にＣＶ
Ｄ法で窒化シリコン膜９および酸化シリコン膜１０を堆
積し、続いて酸化シリコン膜１０の表面を化学機械研磨
法で平坦化する。

【００７１】次に、図４に示すように、フォトレジスト
膜（図示せず）をマスクにしてｎ型半導体領域７の上部
の酸化シリコン膜１０および窒化シリコン膜９をドライ
エッチングしてコンタクトホール１１、１２を形成した
後、図５に示すように、コンタクトホール１１、１２の
内部に多結晶シリコン膜からなるプラグ１３を形成す
る。プラグ１３は、例えばコンタクトホール１１、１２
の内部および酸化シリコン膜１０の上部にＰなどのｎ型
不純物をドープした多結晶シリコン膜をＣＶＤ法で堆積
した後、酸化シリコン膜１０の上部の多結晶シリコン膜
を化学機械研磨（またはエッチバック）法で除去してコ
ンタクトホール１１、１２の内部に残すことにより形成
する。

【００７２】続いて、基板１をアニール（熱処理）し、
プラグ１３を構成する多結晶シリコン膜中のｎ型不純物
を基板１（ｎ型半導体領域７）に拡散させることによ
り、高不純物濃度のｎ型半導体領域１４（ソース、ドレ
イン）を形成する。ここまでの工程により、ＤＲＡＭの
メモリセルの一部を構成するｎチャネル型のメモリセル
選択用ＭＩＳＦＥＴＱｓが完成する。

【００７３】次に、図６に示すように、酸化シリコン膜
１０の上部にＣＶＤ法で酸化シリコン膜１５を堆積し、
続いて酸化シリコン膜１５をドライエッチングしてコン
タクトホール１１の上部にスルーホール１６を形成した
後、スルーホール１６の内部にプラグ１７を形成し、さ
らにプラグ１７の上部にビット線ＢＬを形成する。

【００７４】プラグ１７は、例えばスルーホール１６の
内部および酸化シリコン膜１５の上部にＣＶＤ法または
スパッタリング法でＴｉＮ（窒化タングステン）膜およ
びＷ膜を堆積した後、酸化シリコン膜１５の上部のＴｉ
Ｎ膜およびＷ膜を化学機械研磨法で除去してスルーホー
ル１６の内部に残すことにより形成する。また、ビット
線ＢＬは、例えば酸化シリコン膜１５の上部にスパッタ
リング法でＷ膜を堆積した後、フォトレジスト膜をマス
クにしてＷ膜をドライエッチングすることにより形成す
る。ビット線ＢＬは、スルーホール１６内のプラグ１７
およびコンタクトホール１１内のプラグ１３を介してメ
モリセル選択用ＭＩＳＦＥＴＱｓのソース、ドレインの
一方（ｎ型半導体領域１４）と電気的に接続される。

【００７５】次に、図７に示すように、酸化シリコン膜
１５の上部にＣＶＤ法で酸化シリコン膜１８を堆積し、
酸化シリコン膜１８の上部にスパッタリング法でＴｉＮ
膜１９を堆積した後、ＴｉＮ膜１９および酸化シリコン
膜１８をドライエッチングしてコンタクトホール１２の
上部にスルーホール２０を形成し、さらにスルーホール
２０の内部にプラグ２１を形成する。プラグ２１は、例
えばスルーホール２０の内部およびＴｉＮ膜１９の上部
にＰなどのｎ型不純物をドープした多結晶シリコン膜を
ＣＶＤ法で堆積した後、ＴｉＮ膜１９の上部の多結晶シ
リコン膜をエッチバック法で除去してスルーホール２０
の内部に残すことにより形成する。このとき、プラグ２
１を構成する多結晶シリコン膜をオーバーエッチング
し、プラグ２１の表面をＴｉＮ膜１９の表面よりも下方
に後退させておく。

【００７６】次に、図８に示すように、プラグ２１の上
部にバリアメタル２２を形成する。バリアメタル２２
は、例えばスルーホール２０の内部およびＴｉＮ膜１９
の上部にスパッタリング法でＷＮ膜を堆積した後、Ｔｉ
Ｎ膜１９の上部のＷＮ膜を化学機械研磨（またはエッチ
バック）法で除去してスルーホール２０の内部に残すこ
とにより形成する。

【００７７】プラグ２１の上部のバリアメタル２２は、
次の工程でＴｉＮ膜１９の上部に堆積する情報蓄積容量
素子の下部電極材料（Ｒｕ）とプラグ２１（多結晶シリ
コン膜）との反応を防止したり、容量絶縁膜材料（ＢＳ
Ｔ）中の酸素によるプラグ２１（多結晶シリコン膜）の
酸化を防止したりする目的で形成する。バリアメタル２
２は、ＷＮの他、ＴｉＮ、ＴａＮ（窒化タンタル）、Ｔ
ａＳｉＮ、ＷＳｉＮ、ＴｉＳｉＮなどによって構成する
こともできる。

【００７８】次に、図９に示すように、ＴｉＮ膜１９の
上部に情報蓄積容量素子の下部電極材料であるＲｕ膜２
３をスパッタリング法で堆積する。

【００７９】ところで、ＤＲＡＭのような汎用ＬＳＩの
製造プロセスでは、設備投資を極力抑制して製造コスト
を低減するために、図１０に示すように、リソグラフィ
装置（光露光装置、ＥＢ露光装置）、各種検査装置、ア
ニール（熱処理）装置などをゲート絶縁膜形成前の初期
素子形成工程および配線工程で共用しており、上記Ｒｕ
膜２３や後述するＢＳＴ膜など、従来のウエハプロセス
で使用されていない新規な遷移金属やそれを含有する材
料を加工する情報蓄積用容量素子の形成工程において
も、これらの共用装置が使用される。そのため、これら
の共用装置においては、上記Ｒｕ膜２３やＢＳＴ膜が堆
積されたウエハ（基板）１が装置から搬出された後、初
期素子形成工程あるいは配線工程を実行するためのウエ
ハ１が装置に搬入される。なお、ここで配線工程とは、
前記図２〜図８に示したゲート電極６およびビット線Ｂ
Ｌの形成工程と、後述する情報蓄積容量素子の上部の配
線形成工程とをいう。

【００８０】図１１は、Ｒｕ膜２３が堆積されたウエハ
１の周辺部を示す断面図である。図示のように、スパッ
タリング法を用いてＲｕ膜２３をウエハ（基板）１のデ
バイス面（主面）上に堆積すると、Ｒｕ膜２３は、デバ
イス面のチップ形成部および外縁部のみならず側面（エ
ッジ部）にも堆積し、その一部はウエハ１の裏面にも付
着する。そのため、側面や裏面のＲｕ膜２３を十分に除
去せずにウエハ１を共用装置に搬入すると、ウエハ１の
側面や裏面と接触したウエハステージ、ウエハキャリ
ア、コンベアなどの表面にＲｕ膜２３が付着し、その後
に共用装置に搬入されてくる下層工程群（ゲート絶縁膜
形成前の初期素子形成工程、配線工程）のウエハ１がＲ
ｕに汚染されてしまう。

【００８１】そこで、本実施形態では、Ｒｕ膜２３が堆
積されたウエハ１を共用装置に搬入して下部電極を形成
する工程に先だち、ウエハ１の側面や裏面に堆積した不
要なＲｕ膜２３を次のような方法によって除去する。

【００８２】図１２は、ウエハ１の側面や裏面に堆積し
たＲｕ膜２３の除去に用いる洗浄装置の一例を示す概略
断面図、図１３は、この洗浄装置のステージを示す平面
図である。

【００８３】洗浄装置１００の処理室１０１の中央部に
は、ウエハ１を載置するステージ１０２が設置されてい
る。ステージ１０２の上面にはウエハ１の側面と接触す
る４本のピン１０３が等間隔で配置されている。これら
のピン１０３は、それ自体が水平面内で回転できるよう
になっている。ウエハ１は、これらのピン１０３に挟ま
れることにより、その裏面を上に向けた状態で水平に保
持される。ピン１０３によって支持されたウエハ１は、
ピン１０３と接触している側面の４点を除き、ステージ
１０２とは非接触状態となる。

【００８４】処理室１０１の下方には、ステージ１０２
を水平面内で回転させる駆動部１０４と、窒素などの不
活性ガスが充填されたガス供給部１０５とが設置されて
いる。ガス供給部１０５内の窒素ガスは、ステージ１０
２の下部の配管１０６を通ってステージ１０２の上面に
供給される。

【００８５】図１４に示すように、ステージ１０２の上
面に配置された４本のピン１０３は、ウエハ１から離れ
る方向に水平移動できるようになっている。ウエハ１を
４本のピン１０３で保持するときは、あらかじめこれら
のピン１０３をウエハ１から離れる位置に移動させてお
き、まずウエハ１の下面に前記窒素ガスを供給すること
によってウエハ１を浮遊させ、この状態でウエハ１の側
面にピン１０３を押し付ける。

【００８６】ステージ１０２の上方には、洗浄槽１０８
が設置されている。洗浄槽１０８の内部には、ウエハ１
の側面や裏面に堆積したＲｕ膜２３を除去するための洗
浄液１０７が充填されている。この洗浄液１０７は、ノ
ズル１０９を通じてウエハ１の上面（裏面）に供給さ
れ、ピン１０３に保持された状態で回転するウエハ１の
裏面と側面とを洗浄する。このとき、ステージ１０２の
回転速度を制御することにより、ウエハ１の下面（デバ
イス面）の外縁部に洗浄液１０７を回り込ませることも
できる。

【００８７】次に、上記洗浄液１０７の組成について説
明する。まず、半導体製造プロセスで使用されている各
種洗浄液によるＲｕのエッチングレートを図１５に示
す。試料は、膜厚１００nmのＲｕ膜を堆積した３cm×４
cm角のシリコンチップを使用し、１分間当たりにエッチ
ングされるＲｕ膜の厚さを測定した。図示のように、い
ずれの洗浄液を使用した場合も、Ｒｕのエッチングレー
トは０．１nm／分以下であった。なお、０．１nm／分
は、ここで使用した機器の測定限界値である。この結果
から、半導体製造プロセスで使用されている既知の洗浄
液では、Ｒｕを除去できないことが判る。

【００８８】次に、Ｒｕの溶解メカニズムについて説明
する。Ｒｕ膜２３を除去するためには、Ｒｕを溶解する
ことのできる薬液を用いる必要があるが、Ｒｕを溶解す
るためには、Ｒｕを酸化する必要がある。Ｒｕの酸化反
応は、次式に示すとおりであり、 Ｒｕ＋４Ｈ₂ Ｏ→ＲｕＯ₄ ＋８Ｈ⁺ ＋８ｅ^- （ｐＨ＝
０） Ｒｕ＋８ＯＨ^- →ＲｕＯ₄ ＋４Ｈ₂ Ｏ＋８ｅ^- （ｐＨ＝
１４） このとき必要な酸化還元電位（Ｅ）は、酸性水溶液（ｐ
Ｈ＝０）中で１．１３Ｖ、アルカリ性水溶液（ｐＨ＝１
４）中で０．３０Ｖである。従って、Ｒｕを酸化するた
めには、酸性水溶液中で１．１３Ｖ以上、またはアルカ
リ性水溶液中で０．３０Ｖ以上の酸化還元電位を持った
酸化剤が必要である。

【００８９】図１６は、上記の値より大きい酸化還元電
位を持った各種酸化剤（ヨウ素を除く）の所定濃度にお
けるＲｕのエッチングレートを示している。なお、使用
した試料およびエッチングレートの測定方法は、前記図
１５と同じである。

【００９０】図示のように、酸性で大きいエッチングレ
ートを示す酸化剤は、オルト過ヨウ素酸（Ｈ₅ ＩＯ₆ ）
のみである。また、アルカリ性で大きいエッチングレー
トを示す酸化剤は、次亜塩素酸、メタ過ヨウ素酸および
オルト過ヨウ素酸の３種である。しかし、アルカリ性で
大きいエッチングレートを示す酸化剤のうち、次亜塩素
酸およびメタ過ヨウ素酸は、ナトリウム（Ｎａ）のよう
なアルカリ金属の塩であるため、アルカリ金属による汚
染を嫌う半導体製造プロセスでは使用できない。従っ
て、これらの酸化剤のうち、Ｒｕ膜２３の洗浄液１０７
として使用できる酸化剤は、実質的にオルト過ヨウ素酸
のみといえる。酸性で使用される酸化剤の利点として
は、アルカリ性で使用される酸化剤と異なり、溶質との
間で塩を生成することがない点が挙げられる。

【００９１】図１７は、各種濃度のオルト過ヨウ素酸水
溶液（温度６０℃）とＲｕのエッチングレート（nm／mi
n ）との関係を示すグラフである。図示のように、水溶
液中のオルト過ヨウ素酸濃度が約１０wt％以上の場合、
Ｒｕのエッチングレートはオルト過ヨウ素酸の濃度にほ
ぼ比例して増加することが判る。従って、オルト過ヨウ
素酸水溶液をＲｕ膜２３の洗浄液１０７として使用する
場合は、オルト過ヨウ素酸の濃度を約１０wt％〜飽和濃
度の範囲とすればよい。

【００９２】また、本発明者らは、上記オルト過ヨウ素
酸水溶液に硝酸を混合することによって、Ｒｕのエッチ
ングレートがさらに大きくなるという知見を得た。

【００９３】図１８は、濃度４７wt％のオルト過ヨウ素
酸水溶液に硝酸を添加した水溶液（温度６０℃）を使っ
てＲｕをエッチングしたときの硝酸濃度とエッチングレ
ートとの関係を示すグラフである（試料は前記図１５で
使用したものと同じ）。図示のように、硝酸濃度が〜２
mol ／ｌの範囲では、硝酸の添加量にほぼ比例してＲｕ
のエッチングレートが増加した。

【００９４】また、図１９は、４種類の濃度（２０wt
％、３０wt％、４０wt％、５０wt％）のオルト過ヨウ素
酸水溶液１０に対し、濃度６９wt％の硝酸水溶液を０
（無添加）、１、２、５、１０の比率で添加した水溶液
（温度６０℃）を使ってＲｕをエッチングしたときの硝
酸混合比率とエッチングレートとの関係を示すグラフで
ある（試料は前記図１５で使用したものと同じ）。いず
れの場合も、硝酸を添加することにより、オルト過ヨウ
素酸単独の場合に比べてＲｕのエッチングレートが大幅
に増加した。

【００９５】図２０は、上記図１９の例において、オル
ト過ヨウ素酸および硝酸の濃度を重量％として計算し直
し、Ｒｕのエッチングレートを等高線（単位：nm／分）
で表示したグラフである。図示のように、オルト過ヨウ
素酸濃度が２０wt％〜４０wt％、かつ硝酸濃度が２０wt
％〜４０wt％の水溶液は、Ｒｕのエッチングレートの変
動が少ない。特に、図の破線で示すオルト過ヨウ素酸濃
度が２５wt％〜３５wt％、かつ硝酸濃度が２５wt％〜３
５wt％の水溶液は、Ｒｕのエッチングレートの変動が１
０％程度と小さいことが判る。

【００９６】このことから、Ｒｕ膜２３の洗浄液１０７
として、オルト過ヨウ素酸と硝酸とを含んだ水溶液を使
う場合は、オルト過ヨウ素酸濃度および硝酸濃度がそれ
ぞれ２０wt％〜４０wt％の範囲、好ましくはオルト過ヨ
ウ素酸濃度および硝酸濃度がそれぞれ２５wt％〜３５wt
％の範囲の水溶液を使うことにより、洗浄液１０７の濃
度変化によるＲｕのエッチングレートの変動を抑制する
ことができ、プロセスマージンを広く取ることが可能と
なる。すなわち、上記濃度範囲のオルト過ヨウ素酸＋硝
酸混合水溶液は、大量のウエハを連続処理する量産プロ
セスに好適な洗浄液である。

【００９７】オルト過ヨウ素酸水溶液に硝酸を混合する
ことによって、Ｒｕのエッチングレートが大きくなる理
由は、次のようであると推定される。すなわち、オルト
過ヨウ素酸（Ｈ₅ ＩＯ₆ ）は、水溶液中で次式で示され
る電離平衡状態にある。

【００９８】 Ｈ₅ ＩＯ₆ ⇔ Ｈ₄ ＩＯ₆ ^- ＋Ｈ⁺ Ｈ₄ ＩＯ₆ ^- ⇔ Ｈ₃ ＩＯ₆ ^2- ＋Ｈ⁺ Ｈ₃ ＩＯ₆ ^2- ⇔ Ｈ₂ ＩＯ₆ ^3- ＋Ｈ⁺ Ｈ₄ ＩＯ₆ ^- ⇔ ＩＯ₄ ^- ＋Ｈ₂ Ｏ ２Ｈ₃ ＩＯ₆ ^2- ⇔ Ｈ₂ Ｉ₂ Ｏ₁₀ ^4-＋２Ｈ₂ Ｏ 水溶液中に含まれるこれらの分子やイオン種のうち、Ｒ
ｕを酸化する能力を備えているのはオルト過ヨウ素酸
（Ｈ₅ ＩＯ₆ ）のみである。このオルト過ヨウ素酸水溶
液に硝酸を加えると、水溶液中には硝酸に由来するプロ
トン（Ｈ⁺ ）の濃度が高くなるために、上記の平衡が左
辺側に進む。その結果、Ｒｕを酸化することのできるオ
ルト過ヨウ素酸（Ｈ₅ ＩＯ₆ ）の濃度が高くなり、Ｒｕ
のエッチングレートが大きくなるものと推定される。

【００９９】従って、硝酸に限らず上記の平衡を左辺側
に進めるような酸を添加することにより、Ｒｕのエッチ
ングレートを大きくすることができる。例えば図２１
は、オルト過ヨウ素酸水溶液に市販の各種酸を添加した
場合のＲｕのエッチングレートの変化を示している。図
示のように、硝酸だけでなく酢酸を添加した場合でもＲ
ｕのエッチングレートが大きくなることが分かる。

【０１００】Ｒｕのエッチングレートを大きくする酸と
しては、例えば上記酢酸やＨＣＯＯＨ（ギ酸）に代表さ
れるカルボン酸；ＨＦ（フッ化水素）、ＨＢｒ（臭化水
素）、ＨＩ（ヨウ化水素）などのハロゲン化水素酸；Ｈ
ＣｌＯ₃ （塩素酸）、ＨＣｌＯ₄ （過塩素酸）、ＨＢｒ
Ｏ₃ （臭素酸）、ＨＢｒＯ₄ （過臭素酸）などのハロゲ
ン化オキソ酸；Ｈ₂ Ｓ（硫化水素）、Ｈ₂ Ｓ₃ 、Ｈ₂ Ｓ
₄ などのポリ硫化水素、Ｈ₂ Ｓｅ（セレン化水素）、Ｈ
₂ Ｔｅ（テルル化水素）などの６族元素水素化物；Ｈ₂
Ｓ₂ Ｏ₃ （チオ硫酸）、Ｈ₂ Ｓ₂ Ｏ₇ （二硫酸）、Ｈ₂
ＳＯ₆ （ポリチオン酸）、Ｈ₂ ＳＯ₅ （ペルオキソ硫
酸）、Ｈ₂ Ｓ₂ Ｏ₈ （ペルオキソ二硫酸）などの硫黄の
オキソ酸；Ｈ₂ ＳｅＯ₄ （セレン酸）、Ｈ₆ ＴｅＯ
₆ （テルル酸）；Ｈ₃ ＰＯ₄ （オルトリン酸）、Ｈ₄ Ｐ
₂ Ｏ₇ （ピロリン酸）、Ｈ₅ Ｐ₃ Ｏ₁₀（三リン酸）、Ｈ
₆ Ｐ₄ Ｏ₁₃（四リン酸）などのポリリン酸、( ＨＰＯ₃)
_n （cyclo-リン酸）に代表されるリンのオキソ酸；Ｈ₃
ＡｓＯ₄ （ヒ酸）、ＨＮ₃ （アジ化水素）、Ｈ₂ ＣＯ₃
（炭酸）、Ｈ₃ ＢＯ₃ （ホウ酸）などを例示することが
できる。

【０１０１】次に、オルト過ヨウ素酸水溶液またはこれ
に上記の各種酸を混合した水溶液からなる洗浄液１０７
を使ったウエハ１の洗浄方法を前記図１２〜図１４を参
照しながら説明する。

【０１０２】まず、Ｒｕ膜２３が堆積されたウエハ１を
洗浄装置１００の処理室１０１に搬入し、ガス供給部１
０５からステージ１０２の上面に窒素ガスを供給するこ
とによってウエハ１を浮遊させ（図１４）、次いでウエ
ハ１の側面にピン１０３を押し付けることによって、ウ
エハ１を水平に保持する（図１２、図１３）。

【０１０３】続いて、ステージ１０２を回転させながら
ウエハ１の上面（裏面）にノズル１０９を通じて洗浄槽
１０８内の洗浄液１０７を供給し、ウエハ１の裏面と側
面とを洗浄する。また、必要に応じてウエハ１の下面
（デバイス面）の外縁部も洗浄する。洗浄液１０７は、
例えば６０℃に加温したオルト過ヨウ素酸（濃度３０wt
％）と硝酸（濃度３０wt％）の混合水溶液を使用する。

【０１０４】洗浄中は、ウエハ１と接触しているピン１
０３を水平面内で回転させる。これにより、ピン１０３
との摩擦力によってウエハ１が回転し、ピン１０３と接
触している側面の位置が変わるために、ウエハ１の側面
全体を洗浄することができる。なお、ここで用いた洗浄
装置１００については、本発明者らによる特願平１１−
１１７６９０号に詳細な記載がある。

【０１０５】本実施形態の洗浄液１０７を使ったウエハ
１の裏面および側面洗浄は、例えば公知のベルヌーイチ
ャック式スピンエッチング装置など、上記洗浄装置１０
０以外の装置を使って行うこともできる。また、本実施
形態の洗浄に先だって、ウエハ１の裏面をブラシ洗浄し
てもよい。

【０１０６】上記オルト過ヨウ素酸＋硝酸混合水溶液
（６０℃）を使用したＲｕ膜２３のエッチングレート
は、重量換算で２．２４４×１０^-3ｇ／分であった。こ
れに対し、前記特開平７−１５７８３２号公報の場合、
３３％ＨＩＯ₃ ：２０％ＩＣｌ＝１：１の溶液（１００
℃）を使用したときのＲｕのエッチングレートは、１．
５６７×１０^-6ｇ／分、また前記特開平７−２２４３３
３号公報の場合、３７％ＨＩ＋０．０１mol ／l Ｉ₂ 溶
液（７０℃）を使用したときのＲｕのエッチングレート
は、０．９６２５×１０^-6ｇ／分といずれも極めて小さ
く、定性的には実質的に溶解しないということができ
る。すなわち、本発明方法によれば、これらの従来技術
に比べて１０００倍以上の高いエッチングレートでＲｕ
を溶解することができる。しかも、本発明方法は、従来
技術の溶液よりも低い温度でＲｕを溶かすことができ
る、という利点もある。

【０１０７】次に、Ｒｕ膜２３を電極材料に使った下部
電極の形成方法を説明する。まず、上記の洗浄処理が終
わったウエハ１を前記図１０に示す共用の検査装置に搬
入し、裏面や側面の汚染度をチェックした後、共用のア
ニール（熱処理）装置を使い、７００℃程度の窒素雰囲
気中でウエハ１をアニール（熱処理）することにより、
Ｒｕ膜２３の応力を緩和する。

【０１０８】次に、ウエハ１をＣＶＤ装置（図示せず）
に搬送し、図２２に示すように、Ｒｕ膜２３の上部に酸
化シリコン膜２４を堆積する。Ｒｕ膜２３のドライエッ
チングには酸素系のガスが使用されるので、エッチング
のマスクには酸化シリコン膜２４のような耐酸化性の材
料が使用される。

【０１０９】次に、上記ウエハ１に対し、前記図１０に
示す共用装置を使ってリソグラフィ工程を実行する。す
なわち、図２３に示すように、酸化シリコン膜２４の上
部に堆積したフォトレジスト膜２５をマスクにして酸化
シリコン膜２４をドライエッチングすることにより、Ｒ
ｕ膜２３をドライエッチングするためのハードマスクを
形成する。

【０１１０】次に、上記フォトレジスト膜２５をアッシ
ングで除去した後、図２４に示すように、酸化シリコン
膜２４をマスクにしてＲｕ膜２３をドライエッチングす
ることにより、情報蓄積用容量素子の下部電極２３Ａを
形成する。Ｒｕ膜２３のエッチングには、例えば酸素ガ
スと塩素ガスとの混合ガスを使用する。また、エッチン
グ装置は、誘導結合プラズマエッチング装置、ＥＣＲ(E
lectron Cyclotron Resonance)プラズマエッチング装
置、ＩＣＰ(Inductively Coupled Plasma)エッチング装
置、マグネトロンＲＩＥ(Reactive Ion Etching)プラズ
マエッチング装置、ヘリコン波プラズマエッチング装置
などを使用する。Ｒｕ膜２３のエッチングは、下層のＴ
ｉＮ膜１９をエッチングのストッパに用い、例えばＴｉ
の発光ピークである波長４０６nmの光をモニタしながら
行う。

【０１１１】次に、Ｒｕ膜２３のエッチング残渣を除去
するために、前記図１２〜図１４に示す洗浄装置を使っ
てウエハ１を洗浄する。このとき、洗浄液として前述し
たオルト過ヨウ素酸＋硝酸混合水溶液を使用することに
より、ウエハ１の側面や裏面に付着したＲｕ残渣を十分
に除去することができる。

【０１１２】次に、図２５に示すように、酸化シリコン
膜２４をマスクにしてＴｉＮ膜１９をドライエッチング
する。ＴｉＮ膜１９のエッチングには、例えば三塩化ホ
ウ素（ＢＣｌ₃ ）と塩素との混合ガスを使用する。ま
た、エッチング装置は、例えばＥＣＲプラズマエッチン
グ装置を使用する。

【０１１３】次に、酸化シリコン膜２４をドライエッチ
ングで除去した後、図２６に示すように、下部電極２３
Ａの上部に容量絶縁膜材料であるＢＳＴ膜２６をＣＶＤ
法でを堆積する。続いて、前記図１２〜図１４に示す洗
浄装置を使ってウエハ１を洗浄することにより、ウエハ
１の側面や裏面に堆積したＢＳＴ膜２６を除去する。こ
のときの洗浄液は、例えばフッ酸を使用する。

【０１１４】容量絶縁膜材料には、上記ＢＳＴ膜２６の
他、Ｔａ₂ Ｏ₅ （酸化タンタル）のような高誘電体材料
や、ＰＺＴ、ＰＬＴ、ＰＬＺＴ、ＳＢＴ、ＰｂＴｉ
Ｏ₃ 、ＳｒＴｉＯ₃ 、ＢａＴｉＯ₃ といったペロブスカ
イト型結晶構造を含む強誘電体材料を使用することもで
きる。この場合も、前記図１２〜図１４に示す洗浄装置
を使ってウエハ１を洗浄することにより、ウエハ１の側
面や裏面に堆積した不要な高／強誘電体膜を除去する。
これらの材料の洗浄液には、例えば高濃度フッ酸を使用
する。

【０１１５】次に、ＢＳＴ膜２６の結晶欠陥を除去する
ために、７００℃程度の酸素雰囲気中でウエハ１をアニ
ール（熱処理）する。また、前記Ｔａ₂ Ｏ₅ のような高
誘電体材料や、ＰＺＴ、ＰＬＴ、ＰＬＺＴ、ＳＢＴ、Ｐ
ｂＴｉＯ₃ 、ＳｒＴｉＯ₃ 、ＢａＴｉＯ₃ といったペロ
ブスカイト型結晶構造を含む強誘電体材料を使用する場
合も、結晶欠陥を除去するために酸素雰囲気中でウエハ
１をアニール（熱処理）する。

【０１１６】次に、図２７に示すように、ＢＳＴ膜２６
の上部に上部電極材料であるＲｕ膜２７をＣＶＤ法で堆
積する。この場合も、Ｒｕ膜２７の成膜後に前記図１２
〜図１４に示す洗浄装置を使ってウエハ１を洗浄する。
このとき、洗浄液として前述したオルト過ヨウ素酸＋硝
酸混合水溶液を使用することにより、ウエハ１の側面や
裏面に付着したＲｕ膜２７を十分に除去することができ
る。

【０１１７】これにより、Ｒｕ膜２３からなる下部電極
２３Ａ、ＢＳＴ膜２６からなる容量絶縁膜およびＲｕ膜
２７からなる上部電極２９によって構成される情報蓄積
用容量素子Ｃが完成する。また、ここまでの工程によ
り、メモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴＱｓとこれに直列に
接続された情報蓄積容量素子Ｃとで構成されるＤＲＡＭ
のメモリセルが完成する。

【０１１８】その後、図２８に示すように、情報蓄積容
量素子Ｃの上部にＣＶＤ法で酸化シリコン膜２８、窒化
シリコン膜２９および酸化シリコン膜３０を順次堆積し
た後、窒化シリコン膜２９をエッチングのストッパにし
たドライエッチングで酸化シリコン膜３０に配線溝３１
を形成し、続いて配線溝３１の内部にバリアメタル膜３
２を介して埋め込みＣｕ配線３３を形成する。

【０１１９】埋め込みＣｕ配線３３を形成するには、例
えば配線溝３１の内部および酸化シリコン膜３０の上部
にスパッタリング法（またはＣＶＤ法）でＴｉＮ膜、Ｔ
ａＮ膜などからなるバリアメタル膜３２を堆積し、続い
てバリアメタル膜３２の上部にスパッタリング法でＣｕ
膜（３３）を堆積する。

【０１２０】次に、ウエハ１の側面や裏面に付着したＣ
ｕ膜を除去するために、前記図１２〜図１４に示す洗浄
装置を使ってウエハ１を洗浄する。洗浄液には、例えば
硝酸または濃硫酸などを使用する。この洗浄を行うこと
により、下層工程群（ゲート絶縁膜形成前の初期素子形
成工程、配線工程）のウエハ１のＣｕ汚染を防止するこ
とができる。

【０１２１】次に、Ｃｕ膜（３３）をアニール（熱処
理）して配線溝３１の内部にＣｕ膜（３３）を十分に埋
め込んだ後、配線溝３１の外部の不要なＣｕ膜（３３）
を化学機械研磨法によって除去する、いわゆるダマシン
法によって埋め込みＣｕ配線３３を形成する。なお、埋
め込みＣｕ配線３３の形成方法については、特願平１１
−１１７６９０号（田辺）に詳細な記載がある。

【０１２２】以上、本発明者によってなされた発明をそ
の実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記
実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。

【０１２３】前記実施の形態では、洗浄液として、溶質
との反応やウエハへの汚染が問題とならない水を溶媒と
する水溶液を使用した場合について説明したが、それに
限定されるものではなく、例えば有機溶媒や水以外の無
機溶媒を使用したものであってもよい。

【０１２４】前記実施の形態では、キャパシタの電極を
Ｒｕで構成した場合について説明したが、本発明のウエ
ハ洗浄方法は、キャパシタの電極をＲｕ以外の白金属金
属、例えばＰｔ（白金）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｒｈ
（ロジウム）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｏｓ（オスミウ
ム）などで構成する場合にも適用することができる。電
極をＩｒで構成する場合の洗浄液には、オルト過ヨウ素
酸などを使用する。また、Ｐｔの洗浄液には王水を使用
し、Ｐｄの洗浄液には王水や濃硝酸を使用する。

【０１２５】本発明は、キャパシタ材料に遷移金属含有
膜を使用するＤＲＡＭのみならず、例えばＭＩＳＦＥＴ
のゲート絶縁膜をＴａ₂ Ｏ₅ （酸化タンタル）のような
高誘電体材料で構成するＣＭＩＳ集積回路などにも適用
することができる。

【０１２６】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。

【０１２７】本発明によれば、ゲート絶縁膜形成前の初
期素子形成工程、配線工程および遷移金属含有膜加工工
程でリソグラフィ装置、検査装置、アニール（熱処理）
装置などを共用する半導体量産プロセスにおいて、上記
装置を使用して初期素子形成工程や配線工程を実行する
ウエハの遷移金属汚染を確実に防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装
置の量産方法を示す半導体基板の要部断面図である。

【図２】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装
置の量産方法を示す半導体基板の要部断面図である。

【図３】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装
置の量産方法を示す半導体基板の要部断面図である。

【図４】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装
置の量産方法を示す半導体基板の要部断面図である。

【図５】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装
置の量産方法を示す半導体基板の要部断面図である。

【図６】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装
置の量産方法を示す半導体基板の要部断面図である。

【図７】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装
置の量産方法を示す半導体基板の要部断面図である。

【図８】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装
置の量産方法を示す半導体基板の要部断面図である。

【図９】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装
置の量産方法を示す半導体基板の要部断面図である。

【図１０】半導体集積回路装置の量産プロセスにおける
リソグラフィ工程の共用概念を説明する図である。

【図１１】Ｒｕ膜が堆積されたウエハの周辺部を示す断
面図である。

【図１２】本発明の一実施の形態で使用する洗浄装置の
一例を示す概略断面図である。

【図１３】図１２に示す洗浄装置のステージを示す平面
図である。

【図１４】図１２に示す洗浄装置のウエハ保持方法を示
す概略断面図である。

【図１５】半導体製造プロセスで使用されている各種洗
浄液によるＲｕのエッチングレートを示す図である。

【図１６】各種酸化剤におけるＲｕのエッチングレート
を示す図である。

【図１７】各種濃度のオルト過ヨウ素酸水溶液とＲｕの
エッチングレートとの関係を示すグラフである。

【図１８】オルト過ヨウ素酸水溶液に硝酸を添加した水
溶液を使ってＲｕをエッチングしたときの硝酸濃度とエ
ッチングレートとの関係を示すグラフである。

【図１９】（ａ）〜（ｄ）は、オルト過ヨウ素酸水溶液
に硝酸水溶液を添加した溶液を使ってＲｕをエッチング
したときの硝酸混合比率とエッチングレートとの関係を
示すグラフである。

【図２０】オルト過ヨウ素酸水溶液に硝酸水溶液を添加
した溶液におけるＲｕのエッチングレートを等高線で表
示したグラフである。

【図２１】オルト過ヨウ素酸水溶液に市販の各種酸を添
加した場合のＲｕのエッチングレートの変化を示す図で
ある。

【図２２】本発明の一実施の形態である半導体集積回路
装置の量産方法を示す半導体基板の要部断面図である。

【図２３】本発明の一実施の形態である半導体集積回路
装置の量産方法を示す半導体基板の要部断面図である。

【図２４】本発明の一実施の形態である半導体集積回路
装置の量産方法を示す半導体基板の要部断面図である。

【図２５】本発明の一実施の形態である半導体集積回路
装置の量産方法を示す半導体基板の要部断面図である。

【図２６】本発明の一実施の形態である半導体集積回路
装置の量産方法を示す半導体基板の要部断面図である。

【図２７】本発明の一実施の形態である半導体集積回路
装置の量産方法を示す半導体基板の要部断面図である。

【図２８】本発明の一実施の形態である半導体集積回路
装置の量産方法を示す半導体基板の要部断面図である。

【符号の説明】

１ 半導体基板（ウエハ） ２ 素子分離溝 ３ ｐ型ウエル ４ 酸化シリコン膜 ５ ゲート酸化膜 ６ ゲート電極 ７ ｎ型半導体領域 ８ 窒化シリコン膜 ９ 窒化シリコン膜 １０ 酸化シリコン膜 １１、１２ コンタクトホール １３ プラグ １４ ｎ型半導体領域（ソース、ドレイン） １５ 酸化シリコン膜 １６ スルーホール １７ プラグ １８ 酸化シリコン膜 １９ ＴｉＮ膜 ２０ スルーホール ２１ プラグ ２２ バリアメタル ２３ Ｒｕ膜 ２３Ａ 下部電極 ２４ 酸化シリコン膜 ２５ フォトレジスト膜 ２６ ＢＳＴ膜 ２７ Ｒｕ膜 ２８ 酸化シリコン膜 ２９ 窒化シリコン膜 ３０ 酸化シリコン膜 ３１ 配線溝 ３２ バリアメタル膜 ３３ 埋め込みＣｕ配線 １００ 洗浄装置 １０１ 処理室 １０２ ステージ １０３ ピン １０４ 駆動部 １０５ ガス供給部 １０６ 配管 １０７ 洗浄液 １０８ 洗浄槽 １０９ ノズル ＢＬ ビット線 Ｃ 情報蓄積用容量素子 Ｑｓ メモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴ ＷＬ ワード線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐伯 智則 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 菓子 未映子 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Ｆターム(参考） 5F043 AA22 AA26 BB18 EE22 EE23 EE33 GG04 GG10 5F083 AD10 AD42 AD48 AD49 GA25 JA06 JA13 JA14 JA15 JA37 JA38 JA39 JA40 KA20 MA03 MA06 MA17 MA20 PR01 PR03 PR05 PR07 PR29 PR40 ZA20

Claims (30)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 以下の工程からなる半導体集積回路装置
   の量産方法； （ａ）ウエハプロセスを流れる各ウエハに対して、遷移
   金属含有膜の堆積処理を行う工程、（ｂ）前記遷移金属
   含有膜が堆積された前記各ウエハに対して、そのデバイ
   ス面の外縁部または裏面の前記遷移金属含有膜を除去す
   る工程、（ｃ）前記遷移金属含有膜が除去された前記各
   ウエハに対して、下層工程群に属する複数枚のウエハと
   共用関係にあるリソグラフィ工程、検査工程または熱処
   理工程を実行する工程。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体集積回路装置の量
   産方法であって、前記遷移金属含有膜の除去は、少なく
   とも前記各ウエハの前記裏面のほぼ全面について行われ
   ることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
3. 【請求項３】 請求項１記載の半導体集積回路装置の量
   産方法であって、前記遷移金属含有膜の除去は、少なく
   とも前記各ウエハの前記デバイス面の外縁部について行
   われることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方
   法。
4. 【請求項４】 請求項１記載の半導体集積回路装置の量
   産方法であって、前記遷移金属含有膜の除去は、少なく
   とも前記各ウエハの前記裏面のほぼ全面および前記デバ
   イス面の外縁部について行われることを特徴とする半導
   体集積回路装置の量産方法。
5. 【請求項５】 請求項１記載の半導体集積回路装置の量
   産方法であって、前記遷移金属は、白金族金属であるこ
   とを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
6. 【請求項６】 請求項５記載の半導体集積回路装置の量
   産方法であって、前記遷移金属は、ルテニウムであるこ
   とを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
7. 【請求項７】 請求項１記載の半導体集積回路装置の量
   産方法であって、前記遷移金属含有膜は、銅であること
   を特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
8. 【請求項８】 請求項１記載の半導体集積回路装置の量
   産方法であって、前記遷移金属含有膜は、ペロブスカイ
   ト型高誘電体または強誘電体からなるものであることを
   特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
9. 【請求項９】 請求項８記載の半導体集積回路装置の量
   産方法であって、前記ペロブスカイト型高誘電体または
   強誘電体は、ＢＳＴであることを特徴とする半導体集積
   回路装置の量産方法。
10. 【請求項１０】 請求項１記載の半導体集積回路装置の
    量産方法であって、前記遷移金属含有膜は、タンタルで
    あることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
11. 【請求項１１】 請求項６記載の半導体集積回路装置の
    量産方法であって、前記遷移金属含有膜の除去は、ハロ
    ゲン化オキソ酸を含む溶液を用いて行われることを特徴
    とする半導体集積回路装置の量産方法。
12. 【請求項１２】 請求項１１記載の半導体集積回路装置
    の量産方法であって、前記ハロゲン化オキソ酸は、オル
    ト過ヨウ素酸であることを特徴とする半導体集積回路装
    置の量産方法。
13. 【請求項１３】 請求項１２記載の半導体集積回路装置
    の量産方法であって、前記溶液は、酸性水溶液であるこ
    とを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
14. 【請求項１４】 請求項１３記載の半導体集積回路装置
    の量産方法であって、前記溶液は、オルト過ヨウ素酸と
    硝酸を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の量産
    方法。
15. 【請求項１５】 請求項１４記載の半導体集積回路装置
    の量産方法であって、前記溶液におけるオルト過ヨウ素
    酸の濃度は、２０ｗｔ％から４０ｗｔ％であり、硝酸の
    濃度は、２０ｗｔ％から４０ｗｔ％であることを特徴と
    する半導体集積回路装置の量産方法。
16. 【請求項１６】 請求項１５記載の半導体集積回路装置
    の量産方法であって、前記溶液におけるオルト過ヨウ素
    酸の濃度は、２５ｗｔ％から３５ｗｔ％であり、硝酸の
    濃度は、２５ｗｔ％から３５ｗｔ％であることを特徴と
    する半導体集積回路装置の量産方法。
17. 【請求項１７】 以下の工程からなる半導体集積回路装
    置の量産方法； （ａ）ウエハプロセスを流れる第１の工程群に属する各
    ウエハに対して、ルテニウム含有膜の堆積処理を行う工
    程、（ｂ）前記ルテニウム含有膜が堆積された前記各ウ
    エハに対して、そのデバイス面の外縁部または裏面の前
    記ルテニウム含有膜を除去する工程、（ｃ）前記ルテニ
    ウム含有膜が除去された前記各ウエハに対して、前記ウ
    エハプロセスを流れる大量のウエハのうち、前記第１の
    工程群と比較して、下層工程群に属するウエハ群と共用
    関係にあるリソグラフィ工程、検査工程または熱処理工
    程を実行する工程。
18. 【請求項１８】 請求項１７記載の半導体集積回路装置
    の量産方法であって、前記下層工程群における各ウエハ
    に対する最高熱処理温度は、前記第１の工程群における
    各ウエハに対する最高熱処理温度と比較して高いことを
    特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
19. 【請求項１９】 請求項１８記載の半導体集積回路装置
    の量産方法であって、前記ルテニウム含有膜の除去は、
    ハロゲン化オキソ酸を含む溶液を用いて行われることを
    特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
20. 【請求項２０】 請求項１９記載の半導体集積回路装置
    の量産方法であって、前記ハロゲン化オキソ酸はオルト
    過ヨウ素酸であることを特徴とする半導体集積回路装置
    の量産方法。
21. 【請求項２１】 請求項２０記載の半導体集積回路装置
    の量産方法であって、前記溶液は酸性水溶液であること
    を特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
22. 【請求項２２】 請求項２１記載の半導体集積回路装置
    の量産方法であって、前記溶液はオルト過ヨウ素酸と硝
    酸を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の量産方
    法。
23. 【請求項２３】 請求項２２記載の半導体集積回路装置
    の量産方法であって、前記溶液におけるオルト過ヨウ素
    酸の濃度は２０ｗｔ％から４０ｗｔ％であり、硝酸の濃
    度は２０ｗｔ％から４０ｗｔ％であることを特徴とする
    半導体集積回路装置の量産方法。
24. 【請求項２４】 請求項２３記載の半導体集積回路装置
    の量産方法であって、前記溶液におけるオルト過ヨウ素
    酸の濃度は２５ｗｔ％から３５ｗｔ％であり、硝酸の濃
    度は２５ｗｔ％から３５ｗｔ％であることを特徴とする
    半導体集積回路装置の量産方法。
25. 【請求項２５】 以下の工程からなる半導体集積回路装
    置の量産方法； （ａ）ウエハプロセスを流れる第１の工程群に属する各
    ウエハに対して、有害遷移金属含有膜の堆積処理を行う
    工程、（ｂ）前記有害遷移金属含有膜が堆積された前記
    各ウエハに対して、そのデバイス面の外縁部または裏面
    の前記有害遷移金属含有膜を除去する工程、（ｃ）前記
    有害遷移金属含有膜が除去された前記各ウエハに対し
    て、前記ウエハプロセスを流れる大量のウエハのうち、
    前記第１の工程群と比較して、下層工程群に属するウエ
    ハ群と共用関係にあるリソグラフィ工程、検査工程また
    は熱処理工程を実行する工程。
26. 【請求項２６】 請求項２５記載の半導体集積回路装置
    の量産方法であって、前記有害遷移金属は白金族および
    銅族のみからなる群から選ばれたものであることを特徴
    とする半導体集積回路装置の量産方法。
27. 【請求項２７】 以下の工程からなる半導体集積回路装
    置の量産方法； （ａ）ウエハプロセスを流れる第１の工程群に属する各
    ウエハに対して、アルカリ土類金属含有膜の堆積処理を
    行う工程、（ｂ）前記アルカリ土類金属含有膜が堆積さ
    れた前記各ウエハに対して、そのデバイス面の外縁部ま
    たは裏面の前記アルカリ土類金属含有膜を除去する工
    程、（ｃ）前記アルカリ土類金属含有膜が除去された前
    記各ウエハに対して、前記ウエハプロセスを流れる大量
    のウエハのうち、前記第１の工程群と比較して、下層工
    程群に属するウエハ群と共用関係にあるリソグラフィ工
    程、検査工程または熱処理工程を実行する工程。
28. 【請求項２８】 請求項２７記載の半導体集積回路装置
    の量産方法であって、前記アルカリ土類金属含有膜はペ
    ロブスカイト型高誘電体または強誘電体からなるもので
    あることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
29. 【請求項２９】 以下の工程からなる半導体集積回路装
    置の量産方法； （ａ）ウエハプロセスを流れる第１の工程群に属する各
    ウエハに対して、鉛含有膜の堆積処理を行う工程、
    （ｂ）前記鉛含有膜が堆積された前記各ウエハに対し
    て、そのデバイス面の外縁部または裏面の前記鉛含有膜
    を除去する工程、（ｃ）前記鉛含有膜が除去された前記
    各ウエハに対して、前記ウエハプロセスを流れる大量の
    ウエハのうち、前記第１の工程群と比較して、下層工程
    群に属するウエハ群と共用関係にあるリソグラフィ工
    程、検査工程または熱処理工程を実行する工程。
30. 【請求項３０】 請求項２９記載の半導体集積回路装置
    の量産方法であって、前記鉛含有膜はペロブスカイト型
    高誘電体または強誘電体からなるものであることを特徴
    とする半導体集積回路装置の量産方法。