JP2001067657A - 磁気記録媒体の製造方法およびその製造装置 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法およびその製造装置Info
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Abstract
ると共に、磁性層と保護膜との密着強度をより高めるこ
とにより、ドロップアウトを低減し、耐食性を向上した
磁気記録媒体の製造方法およびその製造装置を提供する
こと。 【解決手段】 非磁性基材(1)上に積層した強磁性金
属薄膜(2)上に、炭化水素を含有する反応ガスからプ
ラズマCDV法により保護膜(4)を形成する磁気記録
媒体(20)の製造方法であって、前記プラズマCDV
法において反応ガスに正の直流電圧(V1)と負の直流
電圧(V2)とを交互に印加することを特徴とする、磁
気記録媒体(20)の製造方法。
Description
方法およびその製造装置に関し、より詳細には、プラズ
マCVD法において反応ガスに正の直流電圧と負の直流
電圧とを交互に印加することにより、特に異常放電によ
る歩留まりの低下を抑制するとともに、膜質をさらに向
上させることによって、ドロップアウトの低減および耐
食性を向上させ、信頼性を大幅に向上させることができ
る磁気記録媒体の製造方法およびその製造装置に関す
る。
密度化に伴い、記録膜のみならず、保護膜の性能が製品
の信頼性を決定する重要な基本技術の一つとなってい
る。また、価格競争に打ち勝つためには成膜を高速かつ
安定に行うことも必須である。このためには、成膜レー
ト(成膜速度)が高いプラズマCVD法が有利であるこ
とが知られている。プラズマCVD法により薄膜を形成
する方法として各種の提案がされているが、膜質を向上
させて信頼性を確保するために、高エネルギーでの成膜
が必須となる。
常放電が発生しやすく、歩留まりの低下のみならず極微
少欠陥部での微少放電による欠陥の顕在化、さらには膜
質の低下をも招くことになる。
電圧に特定周波数の交流電圧を重畳する方法(例えば特
開平03−224132号公報)が提案されている。こ
れにより特定用途に対応する信頼性についてはほぼ解決
済みである。
用条件、例えばヘリカルスキャン型で高速回転の小径シ
リンダーを搭載したビデオテープレコーダ、常時摺動型
の固定磁気ディスクなどにおいては、微少欠陥に起因す
るドロップアウトあるいはエラーレートが増加する。ま
た、高温高湿環境下に保存した後にも、磁性層への密着
強度および膜質の低下により、ドロップアウトおよびエ
ラーレートが大幅に増加するという問題点がある。
れ、その目的とするところは、保護膜形成時に極微小欠
陥の顕在化を撲滅すると共に、磁性層と保護膜との密着
強度をより高めることにより、ドロップアウトを低減
し、耐食性を向上した磁気記録媒体の製造方法およびそ
の製造装置を提供することにある。
明に係る磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基材1上に
積層した強磁性金属薄膜2上に、炭化水素を含有する反
応ガスからプラズマCVD法により保護膜4を形成する
磁気記録媒体の製造方法であって、プラズマCVD法に
おいて反応ガスに正の直流電圧V1と負の直流電圧V2
とを交互に印加することを特徴とする。
気記録媒体の製造装置は、非磁性基材1上に強磁性金属
薄膜2を積層してなる磁気記録媒体基材20aを繰り出
す繰り出しローラ21と、繰り出された磁気記録媒体基
材20aをその周面上で搬送するメインローラ23と、
メインローラ23の周面上で搬送される磁気記録媒体基
材20aの強磁性金属薄膜2上に保護膜4を形成するプ
ラズマCVD装置本体Xと、保護膜を形成された磁気記
録媒体20を巻き取る巻き取りローラ25とを備え、プ
ラズマCVD装置本体Xは、メインローラ23の円周面
の少なくとも一部に沿って備えられた放電管26と、放
電管26に炭化水素を含有する反応ガスを供給する原料
ガス導入口28と、放電管26内に備えられ、反応ガス
に電圧を印加するプラズマ発生用電極27と、プラズマ
発生用電極27に接続された正電圧発振用直流電源29
と、プラズマ発生用電極27に接続された負電圧発振用
直流電源30と、プラズマ発生用電極27に供給される
電圧を、正電圧発振用直流電源29および負電圧発振用
直流電源30の間で交互に切り替える正負電圧切替部3
1とを備えていることを特徴とする。
説明する。 (実施の形態1)図1は、本発明に係る方法を実施する
ことにより得られる磁気記録媒体20の断面図である。
図1に示されるように、磁気記録媒体20は、非磁性基
材1、強磁性金属薄膜2、バックコート層3、保護膜
4、および潤滑剤層5からなる。より詳細に説明する
と、非磁性基材1としては、ポリエチレンテレフタレー
トなどからなる厚み3μmから20μm程度のポリエス
テルフィルムを用いることが好ましい。強磁性金属薄膜
2は、酸素を導入しながらコバルト合金の斜方蒸着によ
り厚み0.1μmから0.2μm程度になるように非磁
性基材1上に積層される。
カーボン粉末との混合物をメチルエチルケトン等の溶媒
により希釈し、これを非磁性基材1の裏面に湿式塗布す
ることにより設けられる。
マCVD法により形成される。このプラズマCVD法に
よる保護膜4の形成については、後に詳述する。保護膜
4上には潤滑剤層5が積層される。この潤滑剤層5は、
含フッ素脂肪酸等の潤滑剤をダイアモンド状炭素膜から
なる保護膜4上に湿式塗布または真空蒸着することによ
り設けられる。なお、本明細書において用いられる用語
「ダイアモンド状炭素膜」とは、ダイアモンドの炭素骨
格を格子の一部に有すると共にアモルファス(非晶質)
の水素を含有する炭素からなる膜を指す。
いて、プラズマCVD法による保護膜4の形成について
詳述する。非磁性基材1のそれぞれ表面および裏面に強
磁性金属薄膜2およびバックコート層3を積層してなる
磁気記録媒体基材20aは、繰り出しローラ21に巻回
されている。この磁気記録媒体基材20aは、その張力
を制御されながら繰り出しローラ21から送り出され
る。次いで、磁気記録媒体基材20aはパスローラ22
上を通過し、メインローラ23に送られる。メインロー
ラ23上では、磁気記録媒体基材20aが一定速度で搬
送されるように速度制御されている。メインローラ23
上で磁気記録媒体基材20aにプラズマCVD法により
保護膜4を形成する方法については後述する。保護膜4
を形成された磁気記録媒体20は、メインローラ23を
ほぼ一回転し、次いでパスローラ24上を通過して巻き
取りローラ25に巻き取られる。なお、巻き取りローラ
25に巻き取られる際にも、繰り出しローラ21と同様
に、磁気記録媒体20はその張力を制御されながら巻き
取られる。
形成するための放電管26がメインローラ23の円周面
に沿って備えられている。この放電管26内には、プラ
ズマ発生用電極27が備えられている。また、放電管2
6は原料ガス導入口28を備え、この原料ガス導入口2
8から炭化水素を含有する反応ガスが導入される。
よく、炭化水素以外に水素、窒素、酸素、アルゴン等の
添加ガスを含んでいてもよい。また、用いられる炭化水
素は1種類であってもよく、2種類以上の炭化水素を混
合して用いても良い。炭化水素としては、例えば、メタ
ン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、
ヘプタン、オクタンなどの飽和炭化水素、エチレン、プ
ロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、ヘプテン、オ
クテン、アセチレン等の不飽和炭化水素を用いることが
できる。本発明においては、比較的カーボン数が多く、
成膜レートが高く、かつ気化しやすいという理由から、
ヘキサンを用いることが好ましいが、その他の材料につ
いても成膜条件(例えば、ガス圧、電圧など)を最適化
し、さらに気化条件を適正化することにより、ヘキサン
以外のものを使用することができる。また、添加ガスが
用いられる場合には、安価で、かつ電離した電子が炭化
水素ガスをさらに分解することによって膜質がダイアモ
ンドに近づくと共に、成膜レートも向上するという理由
から、アルゴンを用いることが好ましい。放電管26内
に導入される反応ガスの圧力は0.001Torrから
3Torr程度、好ましくは0.01Torrから1.
0Torr程度である。
電圧切替部31を介して正電圧発振用直流電源29と負
電圧発振用直流電源30とが接続されている。正電圧発
振用直流電源29はリップル率10%以下で最大7kV
の電圧を発振することができる。同様に、負電圧発振用
直流電源30はリップル率10%以下で最大−3kVの
電圧を発振することができる。正負電圧切替部31は、
正電圧発振用直流電源29と負電圧発振用直流電源30
とから発振される電圧を高速で切り替えることができ
る。この高速切替にはIGBTがよく用いられ、ダイオ
ード、コンデンサ等により、オーバーシュートを10%
以下に抑制されると共に、リンギングをも最小に抑制し
ている。これらの放電管26、プラズマ発生用電極2
7、原料ガス導入口28、正電圧発振用直流電源29、
負電圧発振用直流電源30、および正負電圧切替部31
からプラズマCVD装置本体Xが構成されている。
22、メインローラ23、パスローラ24、巻き取りロ
ーラ25、放電管26は、図2に示すように、真空漕3
2内に備えられており、この真空漕32は、真空ポンプ
33により真空排気される。真空漕32内の真空度およ
び放電管26に供給される反応ガスの圧力(すなわち、
放電管26内の圧力)を考慮して、真空ポンプ33の容
量が選択される。真空漕32内の圧力は約1×10-4T
orrとすることが好ましい。
を用いて説明する。図3は、放電管26に備えられたプ
ラズマ発生用電極27を介して反応ガス32に印加され
る電圧の波形を示す。図3において、縦軸は印加電圧で
あり、横軸は時間である。また、Tは交互に印加される
正の直流電圧と負の直流電圧との1サイクルの周期を示
し、微小異常放電の発生頻度およびダイアモンド状炭素
膜からなる保護膜4の膜質の関係から、周波数換算で1
kHz以上100kHz以下であり、5kHz以上75
kHz以下が好ましく、10kHz以上50kHz以下
がより好ましい。周期Tが周波数換算で1kHz未満で
ある場合には負荷のC(キャパシタンス)の影響で異常
電流が発生したときに逆方向への電子の流れが発生する
までの時間が長いため異常放電が生じて成膜ができない
場合があり、逆に周期Tが周波数換算で100kHzを
越える場合には、高電圧の切換が、負荷のC(キャパシ
タンス)および配線のL(リアクタンス)の関係上、う
まく整合せず、成膜に支障を来す場合がある。
される正の直流電圧の電圧値(以下、単に正電圧とい
う)、V2は負電圧発振用直流電源30から供給される
負の直流電圧の電圧値(以下、単に負電圧という)であ
る。成膜に有効な正電圧を十分に供給すると共に、微小
異常放電と膜質とのバランスから、V1は0.4kV以
上5kV以下が好ましく、0.6kV以上3.5kV以
下がより好ましく、1.0kV以上3.0kV以下がさ
らにより好ましい。同様の理由により、V2は−0.0
5kV以上−2kV以下が好ましく、−0.1kV以上
−1.0kV以下がより好ましく、−0.2kV以上−
0.8kV以下がさらにより好ましい。
時間を示し、ドロップアウトを低減するという観点か
ら、正電圧発振時間t1は、負電圧発振時間t2の2倍
以上が好ましい。なお、本明細書においては、正電圧発
振時間t1と負電圧発振時間t2との比を「正負発振
比」という場合がある。ただし、回路の関係上、正電圧
発振時間t1を負電圧発振時間t2の100倍以上とす
ることは困難である。Tsは最大負電圧から最大正電圧
までの立ち上がり時間であり、ドロップアウトを低減
し、耐食性を高めるという膜質の関係上、負電圧発振時
間t2の1/5以下であることが好ましく、1/10以
下であることがより好ましいが、回路構成の関係上、負
電圧発振時間t2が短い場合には限度があり、約0.5
μsecより短い時間とすることは困難である。
20aに保護膜4を形成するプラズマCVD法につい
て、図2および図3を参照してその動作を述べる。
排気し、規定の真空度(1×10-4Torr)に到達し
た後、非磁性基材1上に強磁性金属薄膜2を積層してな
る磁気記録媒体基材20aを繰り出しローラ21から繰
り出してメインローラ23に密着させて搬送する。な
お、磁気記録媒体基材20aは繰り出しローラ21から
巻き取りローラ25に向けて連続的に送り出されてい
る。
基材20aは、プラズマCVD装置本体Xに到達する。
放電管26内の反応ガスには、正負電圧切替部31によ
り予め設定された時間に応じて正電圧発振用直流電源2
9と負電圧発振用直流電源30との間で切り替えられた
正負交互の直流電圧がプラズマ発生用電極27を介して
印加されており、これにより放電管26内のプラズマ発
生用電極27からプラズマのイオン電流が発生し、加速
されて放電管26を出て磁気記録媒体基材20aの強磁
性金属薄膜2上に積層し、これによりダイアモンド状炭
素膜からなる保護膜4が形成される。
して反応ガスに、特定の周期で正負交互の直流電圧が印
加されることによって、プラズマ内部における一定方向
への電子の流れが防止される(第2コメントをご覧下さ
い)。これにより、極微小欠陥への微小異常放電が発生
しないため、欠陥の顕在化を防止することができ、ドロ
ップアウトを抑制することができる磁気記録媒体20を
得ることができる。さらに、成膜に有効な正電圧が印加
される時間が負電圧と比較して長いため、ダイアモンド
状の炭素骨格の整合性、硬度、強磁性金属薄膜2との間
の密着強度などの膜質に優れた保護膜4を形成すること
ができ、磁気記録媒体20の耐食性を向上させることが
できる。
において用いられるプラズマCVD装置X’の概略図で
ある。実施の形態1において用いられるプラズマCVD
装置X(図2)と異なる点は、正負電圧切替部31にパ
ルス発振部41が接続されると共に、正負電圧切替部3
1が正電圧発振用直流電源29または負電圧発振用直流
電源30から供給される電圧に、パルス発振部41から
発振されたパルスを重畳する機能を有することである。
なお、以下、説明を容易にするために、このような正負
電圧切替部31を「パルス重畳・正負電圧切替部42」
と言うことにする。パルス発振部41から発振されたパ
ルスは、パルス重畳・正負電圧切替部42において正の
直流電圧および負の直流電圧に重畳される。
たプラズマ発生用電極27を介して反応ガスに印加され
る電圧の波形を示す図5を用いてより詳細に説明する
と、正電圧V1に正パルス電圧Vp1が、負電圧V2に
負パルス電圧Vp2がそれぞれTp1およびTp2の時
間、重畳される。ドロップアウトをより低減し、膜質と
微小異常放電とのバランスから、これらの正負パルス電
圧Vp1およびVp2は、それぞれ正負電圧V1および
V2以下であり、正負パルス発生時間Tp1およびTp
2はいずれも1μsec以下(周波数換算で1MHz以
上)であることが好ましい。
にそれぞれ正負パルス電圧Vp1およびVp2を重畳す
ることにより、プラズマ放電により生成されたイオン、
ラジカル等が強磁性金属薄膜2に対してより強力に打ち
込まれるため、強磁性金属薄膜2とダイアモンド状炭素
膜からなる保護層4との間の密着強度をより確保するこ
とができ、これによりドロップアウトを低減させると共
に耐食性をさらに向上させた磁気記録媒体20を得るこ
とができる。
するが、以下の実施例は例示の目的にのみ用いられ、特
許請求の範囲に記載された本発明の趣旨を限定するため
に用いられてはならない。 (実施例1)発明の実施の形態1に対応する実施例1に
おいては、厚み6μmのポリエチレンテレフタレートか
らなる非磁性基材1の一方の面に、斜方蒸着法によりC
o−Oからなる厚み0.12μmの強磁性金属薄膜2を
積層した。また、非磁性基材1の他方の面には、トルエ
ン、メチルエチルケトン、およびシクロヘキサノンの混
合液に希釈したポリエステル樹脂、カーボン粉末等を湿
式塗布し、厚み0.5μmのバックコート層3を積層し
た。
を用いて、1:1の圧力比でヘキサンガスとアルゴンガ
スとを含有し、総ガス圧0.8Torrの反応ガスを原
料ガス導入口28から放電管26に供給した。この放電
管26内に備えられたプラズマ発生用電極27に、それ
ぞれ正電圧発振用直流電源29および負電圧発振用直流
電源30から正電圧3kV、負電圧−0.8kVを印加
した。電圧について詳細により説明すると、正電圧発振
時間t1と負電圧発振時間t2との比(正負発振比)は
1:1とし、周期Tを周波数換算で0.9kHz〜10
1kHzの範囲で段階的に切り替えることとし(詳細は
表1の周期の欄を参照)、最大負電圧から最大正電圧に
到達する立ち上がり時間Tsを負電圧発振時間t2の1
/5とした。このように反応ガスに交互に正の直流電圧
および負の直流電圧を交互に印加することによって、磁
気記録媒体基材20aの強磁性金属薄膜2上にダイアモ
ンド状炭素膜からなる保護層4を形成した。保護層4の
厚みは10nmであった。最後に、この保護層4上に含
フッ素脂肪酸からなる潤滑剤層5を積層し、磁気記録媒
体20のサンプル101〜109を作製した。
換算で30kHzとし、正電圧発振時間t1と負電圧発
振時間t2との比を1.5:1〜20:1(詳細は表1
の正負発振比の欄を参照)の範囲で段階的に切り替える
こととしたこと以外は、サンプル101〜109と同様
にして磁気記録媒体20のサンプル111〜115を作
製した。
時間t2との比を5:1とし、正電圧と負電圧との周期
Tを周波数換算で30kHzとし、最大負電圧から最大
正電圧に到達する立ち上がり時間Tsを負電圧発振時間
t2の1/1〜1/20の範囲で段階的に切り替えるこ
ととした(詳細は、表1の立ち上がり時間/負電圧発振
時間の欄を参照)こと以外は、サンプル101〜109
と同様にして磁気記録媒体20のサンプル121〜12
4を作製した。
る実施例2においては、正負発振比t1:t2を5:1
とし、周期Tを周波数換算で30kHzとし、3kVの
正電圧V1の半分の電圧にあたる1.5kVの正パルス
電圧Vp1が、正電流V1に1回、重畳された。正パル
ス電圧Vp1について詳細に説明すると、その発振時間
Tp1を周波数換算(すなわち、Tp1の逆数)で0.
9MHz〜5MHzの範囲で段階的に切り替えることとし
た(詳細は、表2の正パルス周波数の欄を参照)こと以
外は、実施例1と同様に磁気記録媒体20のサンプル2
01〜205を作製した。なお、サンプル204を作製
する際には、上記の正パルス電圧Vp1だけでなく、−
0.8kVの負電圧V2の半分の電圧にあたる−0.4
kVの負パルス電圧Vp2を、負電圧V2に1回、重畳
した。この負パルス電圧の発振時間Tp2は周波数換算
(すなわち、Tp2の逆数)で2MHzであった。
1を周波数換算で2MHzとし、正パルス電圧Vp1の
値を正電圧V1に対して1.1倍〜1/5倍の範囲で段
階的に切り替えることとした(詳細は、表2の正パルス
電圧の欄を参照)こと以外は、サンプル201〜205
と同様にして磁気記録媒体20のサンプル211〜21
4を作製した。
Tp1を有する正パルス電圧Vp1を正電流V1に2回
または3回重畳したこと(詳細は表2の正パルス周波数
の欄を参照)以外は、サンプル204と同様にして磁気
記録媒体20のサンプル221〜223を作製した。な
お、サンプル221を作製する際には、負パルス電圧V
p2の値を負電圧V2に対して1/2とし、サンプル2
22を作製する際には、負パルス電圧Vp2を負電圧V
2と同じにした。
0.9kVの直流電圧にそれぞれ1kHz、30kH
z、および100kHzの交流を重畳させ、ピーク電圧
を実施例1のサンプル101と同様に3kVとしたこと
以外は、実施例1とほぼ同様にして比較用のサンプル1
〜3を得た。
価について説明する。各実施例および比較例においてダ
イヤモンド状炭素膜からなる保護膜4を強磁性金属薄膜
2上に形成した磁気記録媒体20を幅6.35mmに切
断した後、さらに長さ10m程度にカットして、この磁
気記録媒体20をDVCカセットに装着した。改造した
市販のDVCカメラ一体型ビデオテープレコーダにこの
DVCカセットを装着し、3μsec、10dBのドロ
ップアウトを23℃70%環境下で10分間測定した。
1分間のドロップアウトの個数を測定値とし、300個
未満を合格とした。耐食性の評価については、長さ約7
0m程度にカットした磁気記録媒体20を、ドロップア
ウト測定と同様のDVCカセットとビデオテープレコー
ダとを用いて、23℃70%環境下で信号を記録し、6
0℃90%環境下に10日放置した後、23℃10%環
境下でのスチル寿命を測定し、全て10分以上を合格し
た。
硬度は、シリコンウェハー上に各サンプルと同一条件で
厚み約3μmとなるように成膜したサンプルを測定し
た。ダイヤモンド性の測定は、切断した磁気記録媒体2
0に対してそのままラマン分光分析を行い、得られたラ
マンスペクトルの1300cm-1〜1400cm-1のピ
ークの面積強度を(IA)、さらに1500cm-1〜1
600cm-1のピークの面積強度を(IB)とし、(I
A/IB)の値を測定した。なお、この値が小さい程ダ
イヤモンド性が高い。
発振比等の作製条件およびサンプルの評価結果を表1〜
表3に示す。
媒体20の各サンプルの正負発振比等の作製条件、硬度
等の物性の測定値、ならびにビデオテープレコーダを用
いて実用性能を評価した時のドロップアウト数および耐
食性を示している。
媒体20の各サンプルの正負発振比等の作製条件、硬度
等の物性の測定値、ならびにビデオテープレコーダを用
いて実用性能を評価した時のドロップアウト数および耐
食性を示している。
体20の各サンプルのの正負発振比等の作製条件、硬度
等の物性の測定値、ならびにビデオテープレコーダを用
いて実用性能を評価した時のドロップアウト数および耐
食性を示している。
比較例と比較してドロップアウト数および耐食性におい
て大幅に改善されていることが明らかである。
いては、正の電圧の発振時間を長くすることによって成
膜レートの向上が認められるばかりでなく、正電圧発振
時間t1が負電圧発振時間t2の2倍以上である場合に
は、ダイヤモンド性がさらに高くなり、さらなるドロッ
プアウトの低減と耐食性の向上とが認められる。
おいては、最大負電圧から最大正電圧に到達する立ち上
がり時間Tsが、負電圧発振時間t2の1/2以下であ
る場合には、サンプル101〜109、111〜115
と比較して、さらに耐食性が向上していることが認めら
れる。
圧Vp1を正電流V1に重畳することにより、さらに耐
食性が向上していることが認められる。特に、負パルス
電圧Vp2を負電流V2に重畳したサンプル204にお
いては、特に耐食性が向上していることが認められる。
また、サンプル211〜214からは、正パルス電圧V
p1を小さくすればするほど、耐食性が向上することが
認められる。さらに、サンプル221〜223からは、
正パルス電圧Vp1の重畳回数を増やしたり、または負
パルス電圧を小さくすると、ドロップアウトをさらに低
減できることが認められる。
に印加すること、特に特定の立ち上がり時間で特定の時
間(特定の周波数)発振すること、および正電圧のみま
たは正・負双方の電圧にパルスを重畳することによっ
て、強磁性金属薄膜2と保護膜4との密着性が高くな
り、保護膜4自体の緻密性が高くなるとともに、微少異
常放電も低減されて、磁気記録媒体としてドロップアウ
トの低減および耐食性が向上するということが理解され
る。
の直流電圧と負の直流電圧とを交互に印加する本発明に
より、特に異常放電による歩留まりの低下を抑制すると
ともに、膜質をさらに向上させることによって、ドロッ
プアウトの低減および耐食性を向上させ、信頼性を大幅
に向上させることができる磁気記録媒体の製造方法およ
びその製造装置が提供される。
プラズマCVD成膜方法の一例として、正・負の直流電
圧を交互に印加するプラズマCVD装置の概略図
電圧の波形図
プラズマCVD成膜方法の一例として、正負の直流電圧
を交互に印加すると共に、かつ1MHz以上のパルスを
電圧に重畳するプラズマCVD装置の概略図
電圧の波形図
Claims (8)
- 【請求項1】 非磁性基材(1)上に積層した強磁性金
属薄膜(2)上に、炭化水素を含有する反応ガスからプ
ラズマCVD法により保護膜(4)を形成する磁気記録
媒体(20)の製造方法であって、前記プラズマCVD
法において反応ガスに正の直流電圧(V1)と負の直流
電圧(V2)とを交互に印加することを特徴とする、磁
気記録媒体(20)の製造方法。 - 【請求項2】 前記正の直流電圧(V1)と前記負の直
流電圧(V2)との周期が、周波数換算で1kHz以上
100kHz以下である、請求項1に記載の磁気記録媒
体の製造方法。 - 【請求項3】 前記正の直流電圧の発振時間(t1)
が、前記負の直流電圧の発振時間(t2)の2倍以上で
ある、請求項1または2に記載の磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項4】 前記負の直流電圧の最大負電圧から前記
正の直流電圧の最大正電圧に到達する立ち上がり時間
(Ts)が、前記負の直流電圧の発振時間(t2)の1
/2以下である、請求項1から3までのいずれかに記載
の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項5】 前記正の直流電圧(V1)および前記負
の直流電圧(V2)のうち、少なくとも正の直流電圧
(V1)に、周波数が1MHz以上であり、かつ印加さ
れる直流電圧以下のパルス電圧(Vp)を少なくとも1
回以上重畳する、請求項1から4までのいずれかに記載
の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項6】 保護膜がダイアモンド状炭素膜である、
請求項1から5までのいずれかに記載の磁気記録媒体の
製造方法。 - 【請求項7】 非磁性基材(1)上に強磁性金属薄膜
(2)を積層してなる磁気記録媒体基材(20a)を繰
り出す繰り出しローラ(21)と、 前記繰り出された磁気記録媒体基材(20a)をその周
面上で搬送するメインローラ(23)と、 前記メインローラ(23)の周面上で搬送される磁気記
録媒体基材(20a)の強磁性金属薄膜(2)上に保護
膜(4)を形成するプラズマCVD装置本体(X)と、 前記保護膜を形成された磁気記録媒体(20)を巻き取
る巻き取りローラ(25)とを備えた磁気記録媒体の製
造装置であって、 前記プラズマCVD装置本体(X)は、 前記メインローラ(23)の円周面の少なくとも一部に
沿って備えられた放電管(26)と、 前記放電管(26)に炭化水素を含有する反応ガスを供
給する原料ガス導入口(28)と、 前記放電管(26)内に備えられ、前記反応ガスに電圧
を印加するプラズマ発生用電極(27)と、 前記プラズマ発生用電極(27)に接続された正電圧発
振用直流電源(29)と、 前記プラズマ発生用電極(27)に接続された負電圧発
振用直流電源(30)と、 前記プラズマ発生用電極(27)に供給される電圧を、
前記正電圧発振用直流電源(29)および負電圧発振用
直流電源(30)の間で交互に切り替える正負電圧切替
部(31)とを備えていることを特徴とする、磁気記録
媒体の製造装置。 - 【請求項8】 前記正負電圧切替部(31)にパルス発
振部(41)が接続されると共に、前記正負電圧切替部
(31)が正電圧発振用直流電源(29)または負電圧
発振用直流電源(30)から供給される電圧に、前記パ
ルス発振部(41)から発振されたパルスを重畳する機
能を有する、請求項7に記載の磁気記録媒体の製造装
置。
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