JP2001057114A - シールド電線 - Google Patents
シールド電線Info
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- JP2001057114A JP2001057114A JP11231786A JP23178699A JP2001057114A JP 2001057114 A JP2001057114 A JP 2001057114A JP 11231786 A JP11231786 A JP 11231786A JP 23178699 A JP23178699 A JP 23178699A JP 2001057114 A JP2001057114 A JP 2001057114A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シールド電線を構成するシールド材の隙間や
微小なピンホールによる信号漏洩や外部ノイズによる影
響を防止し得るシールド電線を提供する。 【解決手段】 本発明のシールド電線1は、芯線5を被
覆する絶縁材6の外側面にシールド材7を薄膜状に形成
し、シールド材7に接触状態で導線3を布線するととも
に、その外側からシース4により一体化したものであ
る。シールド材7は塗布ではなく、化学的に形成される
ものであるから、シールド材7に隙間やピンホールが形
成されず、シールド材7の欠落部分からの信号漏洩等を
確実に防止することができる。
微小なピンホールによる信号漏洩や外部ノイズによる影
響を防止し得るシールド電線を提供する。 【解決手段】 本発明のシールド電線1は、芯線5を被
覆する絶縁材6の外側面にシールド材7を薄膜状に形成
し、シールド材7に接触状態で導線3を布線するととも
に、その外側からシース4により一体化したものであ
る。シールド材7は塗布ではなく、化学的に形成される
ものであるから、シールド材7に隙間やピンホールが形
成されず、シールド材7の欠落部分からの信号漏洩等を
確実に防止することができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波領域(例え
ば周波数500〜1000MHz程度)の信号伝達に用
いて好適なシールド電線に関するものであり、特にシー
ルド材に不所望に形成されるピンホールからの信号漏洩
を未然に防止するように構成したシールド材の構成に関
する。
ば周波数500〜1000MHz程度)の信号伝達に用
いて好適なシールド電線に関するものであり、特にシー
ルド材に不所望に形成されるピンホールからの信号漏洩
を未然に防止するように構成したシールド材の構成に関
する。
【0002】
【従来の技術】現代の自動車等の車両は安全走行、公害
防止、燃費改善対策等のため、或いは操作性や快適性を
向上させるために各種機能の付加が行われ、コンピュー
タやセンサー等の多くの電子機器や電子部品が使用され
ている。従って、電子機器間の接続はワイヤハーネスの
使用に止まらず、高周波信号の授受のためにシールド電
線等が多用されている。また、ワイヤハーネスにシール
ド電線を加えることもあり、図5及び図6に示すような
端部加工の容易な金属箔シールド電線が使用されるよう
になっている。
防止、燃費改善対策等のため、或いは操作性や快適性を
向上させるために各種機能の付加が行われ、コンピュー
タやセンサー等の多くの電子機器や電子部品が使用され
ている。従って、電子機器間の接続はワイヤハーネスの
使用に止まらず、高周波信号の授受のためにシールド電
線等が多用されている。また、ワイヤハーネスにシール
ド電線を加えることもあり、図5及び図6に示すような
端部加工の容易な金属箔シールド電線が使用されるよう
になっている。
【0003】図5に示した従来のシールド電線31は、
2本の導線32,33、即ち芯線34を絶縁材35によ
り被覆した導線32と、被覆のない導線33とを帯状の
金属箔36により長手方向に沿うように包み、シース3
7により一体化したものである。一方、図6に示した従
来のシールド電線31Aは、前記導線32,33の周囲
にテープ状に形成された金属箔38を巻き付け、シース
37により一体化したものである。
2本の導線32,33、即ち芯線34を絶縁材35によ
り被覆した導線32と、被覆のない導線33とを帯状の
金属箔36により長手方向に沿うように包み、シース3
7により一体化したものである。一方、図6に示した従
来のシールド電線31Aは、前記導線32,33の周囲
にテープ状に形成された金属箔38を巻き付け、シース
37により一体化したものである。
【0004】前記シールド電線31,31Aは、その端
部の導線33を接地し、金属箔36,38を接地するこ
とにより、導線32が磁気シールド作用を有するように
なる。従って、導線32に例えば周波数500〜100
0MHz程度の高周波信号を印加しても信号漏洩がな
い。また、他の電線からの磁気的影響やノイズの影響を
遮断することができる。
部の導線33を接地し、金属箔36,38を接地するこ
とにより、導線32が磁気シールド作用を有するように
なる。従って、導線32に例えば周波数500〜100
0MHz程度の高周波信号を印加しても信号漏洩がな
い。また、他の電線からの磁気的影響やノイズの影響を
遮断することができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記シ
ールド電線31,31Aは、いずれも薄い金属箔36,
38をシールド材として使用するので、合わせ目に隙間
ができたり、ピンホールと呼ばれている極めて小さな孔
が形成されてしまうことがあった。このような隙間やピ
ンホールが形成されてしまうと、信号漏洩や磁気漏洩が
発生し、高周波信号にノイズが重畳して動作不安定にな
る問題があった。
ールド電線31,31Aは、いずれも薄い金属箔36,
38をシールド材として使用するので、合わせ目に隙間
ができたり、ピンホールと呼ばれている極めて小さな孔
が形成されてしまうことがあった。このような隙間やピ
ンホールが形成されてしまうと、信号漏洩や磁気漏洩が
発生し、高周波信号にノイズが重畳して動作不安定にな
る問題があった。
【0006】本発明は、前記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は伝達する高周波信号の信号漏洩や
外部ノイズを確実に遮断し得るシールド電線を提供する
ことにある。
のであり、その目的は伝達する高周波信号の信号漏洩や
外部ノイズを確実に遮断し得るシールド電線を提供する
ことにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる前記課題
は、芯線と、該芯線を被覆する絶縁材と、該絶縁材の外
側面にシールド材を設けたシールド電線において、前記
絶縁材の外側面に薄膜状のシールド材を形成したシール
ド線と、前記シールド材に接触状態で布線された導線
と、前記シールド線及び前記導線を一体に被覆するシー
スとにより構成したことを特徴とするシールド電線によ
って解決することができる。
は、芯線と、該芯線を被覆する絶縁材と、該絶縁材の外
側面にシールド材を設けたシールド電線において、前記
絶縁材の外側面に薄膜状のシールド材を形成したシール
ド線と、前記シールド材に接触状態で布線された導線
と、前記シールド線及び前記導線を一体に被覆するシー
スとにより構成したことを特徴とするシールド電線によ
って解決することができる。
【0008】前記構成のシールド電線によれば、芯線を
被覆する絶縁材の外側面にシールド材が薄膜状に形成さ
れているので、シールド材に隙間やピンホールが形成さ
れず、シールド材の欠落部分からの信号漏洩等を確実に
防止することができる。また、シールド材の接地に用い
られる導線は、シースによってシールド線と一体化され
るが、軟性合成樹脂により一体化しても良く、ビニール
テープ等を巻回して一体化しても良い。
被覆する絶縁材の外側面にシールド材が薄膜状に形成さ
れているので、シールド材に隙間やピンホールが形成さ
れず、シールド材の欠落部分からの信号漏洩等を確実に
防止することができる。また、シールド材の接地に用い
られる導線は、シースによってシールド線と一体化され
るが、軟性合成樹脂により一体化しても良く、ビニール
テープ等を巻回して一体化しても良い。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るシールド電線
の1実施形態を図1乃至図4に基づいて詳細に説明す
る。図1はシールド電線の構成を示す斜視図、図2はシ
ールド電線の構成を示す断面図、図3はシールド電線の
シースの構成例を示す斜視図、図4はプラズマCVD
(化学蒸着)装置の構成を示す模式的構成図である。
の1実施形態を図1乃至図4に基づいて詳細に説明す
る。図1はシールド電線の構成を示す斜視図、図2はシ
ールド電線の構成を示す断面図、図3はシールド電線の
シースの構成例を示す斜視図、図4はプラズマCVD
(化学蒸着)装置の構成を示す模式的構成図である。
【0010】本実施形態のシールド電線1は、図1に示
すようにシールド線2の外側面に導線3が沿うようにし
て、シース4により一体化したものである。このシール
ド線2は、図2に示すように芯線5を絶縁材6により被
覆するとともに、絶縁材6の外側面の全体にシールド材
7を薄膜状に形成したものである。また、導線3は、被
覆を有さない所謂、裸線であり、導線3の全長にわたっ
てシールド材7の表面に密接するようになっている。ま
た、シース4は、軟性合成樹脂等により構成され、シー
ルド線2と導線3とを全長にわたって被覆している。
すようにシールド線2の外側面に導線3が沿うようにし
て、シース4により一体化したものである。このシール
ド線2は、図2に示すように芯線5を絶縁材6により被
覆するとともに、絶縁材6の外側面の全体にシールド材
7を薄膜状に形成したものである。また、導線3は、被
覆を有さない所謂、裸線であり、導線3の全長にわたっ
てシールド材7の表面に密接するようになっている。ま
た、シース4は、軟性合成樹脂等により構成され、シー
ルド線2と導線3とを全長にわたって被覆している。
【0011】前記構成のシールド電線1によれば、シー
ス4を剥離した部分では、図1の左方に示したようにシ
ールド線2と導線3とは分離可能になる。しかし、シー
ス4を剥離しない部分では、図2に示すように導線3は
シールド材7に密着している。従って、シールド電線1
について磁気シールドを行う場合は、シールド電線1の
端部のシース4を剥離し、導線3の端部に接続端子等を
圧着して接地させる。
ス4を剥離した部分では、図1の左方に示したようにシ
ールド線2と導線3とは分離可能になる。しかし、シー
ス4を剥離しない部分では、図2に示すように導線3は
シールド材7に密着している。従って、シールド電線1
について磁気シールドを行う場合は、シールド電線1の
端部のシース4を剥離し、導線3の端部に接続端子等を
圧着して接地させる。
【0012】この結果、シールド材7の全体が接地さ
れ、芯線5が磁気シールドされるので、芯線5に例えば
周波数500〜1000MHzもの高周波信号を通電し
ても、磁気漏洩を防止することができる。また、外乱
(外部で発生したノイズ等)による影響も防止できる。
れ、芯線5が磁気シールドされるので、芯線5に例えば
周波数500〜1000MHzもの高周波信号を通電し
ても、磁気漏洩を防止することができる。また、外乱
(外部で発生したノイズ等)による影響も防止できる。
【0013】なお、図1及び図2に示したようにシース
4の形態は、合成樹脂による被覆構造に限定されるもの
ではない。例えば、シールド線2と導線3を束ね、その
周囲を図3に示すように粘着テープ9を巻回してシース
4とすることもできる。この構成によれば、シース4の
剥離にナイフ等が不要になり、前記のように導線3につ
いて接地のための端部処理を行う際、剥離作業が容易に
なる。
4の形態は、合成樹脂による被覆構造に限定されるもの
ではない。例えば、シールド線2と導線3を束ね、その
周囲を図3に示すように粘着テープ9を巻回してシース
4とすることもできる。この構成によれば、シース4の
剥離にナイフ等が不要になり、前記のように導線3につ
いて接地のための端部処理を行う際、剥離作業が容易に
なる。
【0014】ところで、前記シールド材7は、絶縁材6
の外側面の全域にわたって均一な厚さで形成されるもの
であるから、隙間やピンホール等がなく、磁気シールド
を確実に行うことができる。このような特徴を有するシ
ールド材7は、以下に説明するプラズマCVD装置(以
下、単にCVD装置と略称する)11によって形成され
る。
の外側面の全域にわたって均一な厚さで形成されるもの
であるから、隙間やピンホール等がなく、磁気シールド
を確実に行うことができる。このような特徴を有するシ
ールド材7は、以下に説明するプラズマCVD装置(以
下、単にCVD装置と略称する)11によって形成され
る。
【0015】図4に示すように、本実施形態で使用する
CVD装置11は、ガス導入口12とガス吸入口13と
を設けた反応容器14内に直流放電プラズマ発生装置
(以下、単にプラズマ発生装置と略称する)15を設け
たものである。プラズマ発生装置15は、直径が例えば
70mm程度の円環状電極16a,16b,16c間
に、例えば直径0.2mm程度のタングステンフィラメ
ント17を均等な間隔で張り渡してカソードKを構成
し、その内部に例えば60メッシュのステンレス網を筒
状に形成したアノードAを設けたものである。
CVD装置11は、ガス導入口12とガス吸入口13と
を設けた反応容器14内に直流放電プラズマ発生装置
(以下、単にプラズマ発生装置と略称する)15を設け
たものである。プラズマ発生装置15は、直径が例えば
70mm程度の円環状電極16a,16b,16c間
に、例えば直径0.2mm程度のタングステンフィラメ
ント17を均等な間隔で張り渡してカソードKを構成
し、その内部に例えば60メッシュのステンレス網を筒
状に形成したアノードAを設けたものである。
【0016】なお、円環状電極16a,16b,16c
のうち、円環状電極16a,16bは加熱電源20が印
加されるので、言わば電源用の兼用電極であり、円環状
電極16cはタングステンフィラメント17を折り返し
状に配線するための中継用電極と言うことができる。そ
して、円環状電極16aは接地され、この円環状電極1
6aとアノードAとの間に放電用電源19が印加される
ようになっている。
のうち、円環状電極16a,16bは加熱電源20が印
加されるので、言わば電源用の兼用電極であり、円環状
電極16cはタングステンフィラメント17を折り返し
状に配線するための中継用電極と言うことができる。そ
して、円環状電極16aは接地され、この円環状電極1
6aとアノードAとの間に放電用電源19が印加される
ようになっている。
【0017】また、反応容器14の内側面には耐蝕性を
有する内張りが施され、その内部に例えば長さ50mm
程度に設定されたカソードK及びアノードAを図示のよ
うに二重構造で配設する。また、反応容器14内には、
供給リール22及び巻き取りリール23が回転自在に配
設されている。そして、供給リール22に巻かれたシー
ルド線2をアノードAの内部を通過させ、その先端を巻
き取りリール23に固着して、巻き取りリール23を回
転駆動することにより、シールド線2がアノードA内を
通り抜けた後に巻き取られるようになっている。
有する内張りが施され、その内部に例えば長さ50mm
程度に設定されたカソードK及びアノードAを図示のよ
うに二重構造で配設する。また、反応容器14内には、
供給リール22及び巻き取りリール23が回転自在に配
設されている。そして、供給リール22に巻かれたシー
ルド線2をアノードAの内部を通過させ、その先端を巻
き取りリール23に固着して、巻き取りリール23を回
転駆動することにより、シールド線2がアノードA内を
通り抜けた後に巻き取られるようになっている。
【0018】次に、シールド材7を形成する場合は、反
応容器14内を真空にした後、ガス導入口12から水素
ガスを導入し、例えば0.06 (torr) とし、カソード
Kに例えば合計120Aの電流を流してタングステンフ
ィラメント17から約1200℃の熱を発生させる。ま
た、アノードAについては、カソードKに対して例えば
25Vの正電圧を印加し、アノードAの内部空間にプラ
ズマを発生させる。この状態で、シールド線2を通過さ
せることにより、被覆材6の表面にシールド材7が薄膜
状に形成される。従って、シールド材7は被覆材6の外
側面に隙間なく、しかも濃淡のない均一な厚みで均等に
形成される。よって、ピンホールによる磁気漏洩はな
く、導線3の作用と相まって優れた磁気シールド作用を
確保することができる。
応容器14内を真空にした後、ガス導入口12から水素
ガスを導入し、例えば0.06 (torr) とし、カソード
Kに例えば合計120Aの電流を流してタングステンフ
ィラメント17から約1200℃の熱を発生させる。ま
た、アノードAについては、カソードKに対して例えば
25Vの正電圧を印加し、アノードAの内部空間にプラ
ズマを発生させる。この状態で、シールド線2を通過さ
せることにより、被覆材6の表面にシールド材7が薄膜
状に形成される。従って、シールド材7は被覆材6の外
側面に隙間なく、しかも濃淡のない均一な厚みで均等に
形成される。よって、ピンホールによる磁気漏洩はな
く、導線3の作用と相まって優れた磁気シールド作用を
確保することができる。
【0019】なお、本発明のシールド電線は、上述した
実施形態に限定されるものではなく、例えば、プラズマ
CVD装置15に代えて、マイクロ波プラズマ発生装
置、高周波プラズマ発生装置、直流放電プラズマ発生装
置等を適用することができる。また、各プラズマ発生装
置内の温度を200℃以下に設定することにより、一般
的な耐熱電線(架橋PVC、架橋PE被覆電線)に上記
薄膜状のシールド材を形成することができる。
実施形態に限定されるものではなく、例えば、プラズマ
CVD装置15に代えて、マイクロ波プラズマ発生装
置、高周波プラズマ発生装置、直流放電プラズマ発生装
置等を適用することができる。また、各プラズマ発生装
置内の温度を200℃以下に設定することにより、一般
的な耐熱電線(架橋PVC、架橋PE被覆電線)に上記
薄膜状のシールド材を形成することができる。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように本発明のシールド電
線は、絶縁材の外側面に薄膜状のシールド材を形成した
シールド線と、シールド材に接触状態で布線された導線
と、シールド線及び導線を一体に被覆するシースとによ
り構成した。従って、シールド材は塗布ではなく、化学
的に形成されるものであるから、シールド材に隙間やピ
ンホールが形成されず、シールド材の欠落部分からの信
号漏洩等を確実に防止することができる。
線は、絶縁材の外側面に薄膜状のシールド材を形成した
シールド線と、シールド材に接触状態で布線された導線
と、シールド線及び導線を一体に被覆するシースとによ
り構成した。従って、シールド材は塗布ではなく、化学
的に形成されるものであるから、シールド材に隙間やピ
ンホールが形成されず、シールド材の欠落部分からの信
号漏洩等を確実に防止することができる。
【図1】本発明のシールド電線の一実施形態を示す斜視
図である。
図である。
【図2】図1におけるシールド電線の構成を示す断面図
である。
である。
【図3】図1における別形態のシールド電線を示す斜視
図である。
図である。
【図4】本発明のシールド電線のシールド材を形成する
プラズマCVD発生装置を示す概略構成図である。
プラズマCVD発生装置を示す概略構成図である。
【図5】従来のシールド電線の一例を示す斜視図であ
る。
る。
【図6】従来のシールド電線の別の例を示す斜視図であ
る。
る。
1 シールド電線 2 シールド線 3 導線 4 シース 5 芯線 6 絶縁材 7 シールド材 9 粘着テープ 11 プラズマCVD装置
Claims (2)
- 【請求項1】 芯線と、該芯線を被覆する絶縁材と、該
絶縁材の外側面にシールド材を設けたシールド電線にお
いて、 前記絶縁材の外側面に薄膜状のシールド材を形成したシ
ールド線と、 該シールド材に接触状態で布線された導線と、 前記シールド線及び前記導線を一体に被覆するシースと
から構成されていることを特徴とするシールド電線。 - 【請求項2】 前記シールド線に前記導線を沿わせ、帯
状体により被覆したことを特徴とする請求項1記載のシ
ールド電線。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11231786A JP2001057114A (ja) | 1999-08-18 | 1999-08-18 | シールド電線 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11231786A JP2001057114A (ja) | 1999-08-18 | 1999-08-18 | シールド電線 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001057114A true JP2001057114A (ja) | 2001-02-27 |
Family
ID=16929013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11231786A Pending JP2001057114A (ja) | 1999-08-18 | 1999-08-18 | シールド電線 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001057114A (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005024851A1 (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-17 | Sumitomo (Sei) Steel Wire Corp. | 被覆電線および自動車用ワイヤーハーネス |
JP2010244931A (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Junkosha Co Ltd | 高速差動ケーブル |
RU2457562C2 (ru) * | 2010-07-26 | 2012-07-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский технический университет связи и информатики (ГОУ ПВО МТУСИ) | СИММЕТРИЧНЫЙ НЕЭКРАНИРОВАННЫЙ 25-ПАРНЫЙ КАБЕЛЬ 5е КАТЕГОРИИ ПУЧКОВОЙ КОНСТРУКЦИИ С УЛУЧШЕННЫМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ |
RU2457563C2 (ru) * | 2010-07-20 | 2012-07-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский технический университет связи и информатики (ГОУ ПВО МТУСИ) | СИММЕТРИЧНЫЙ НЕЭКРАНИРОВАННЫЙ 25-ПАРНЫЙ КАБЕЛЬ 5е КАТЕГОРИИ С УЛУЧШЕННЫМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ |
RU2462777C2 (ru) * | 2010-10-07 | 2012-09-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский технический университет связи и информатики (ГОУ ПВО МТУСИ) | СИММЕТРИЧНЫЙ НЕЭКРАНИРОВАННЫЙ 25-ПАРНЫЙ КАБЕЛЬ 5е КАТЕГОРИИ ПУЧКОВОЙ КОНСТРУКЦИИ С УЛУЧШЕННЫМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ |
RU2470397C1 (ru) * | 2011-04-27 | 2012-12-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский технический университет связи и информатики (ГОУ ВПО МТУСИ) | Симметричный четырехпарный кабель 6а категории с улучшенными характеристиками |
RU2473995C1 (ru) * | 2011-07-12 | 2013-01-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский технический университет связи и информатики (ГОУ ВПО МТУСИ) | СИММЕТРИЧНЫЙ НЕЭКРАНИРОВАННЫЙ 25-ПАРНЫЙ КАБЕЛЬ 5e КАТЕГОРИИ С УЛУЧШЕННЫМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ И С ОПТИЧЕСКИМИ ВОЛОКНАМИ |
RU2494485C1 (ru) * | 2012-01-26 | 2013-09-27 | Федеральное государственное образовательное бюджетное учреждение высшего профессионального образования Московский технический университет связи и информатики (ФГОБУ ВПО МТУСИ) | Комбинированный симметричный четырехпарный кабель категории 6а с оптическими волокнами |
RU2504034C2 (ru) * | 2012-04-02 | 2014-01-10 | Федеральное государственное образовательное бюджетное учреждение высшего профессионального образования Московский технический университет связи и информатики (ФГОБУ ВПО МТУСИ) | Симметричный четырехпарный кабель категории 6а с пятью специальными оптическими модулями |
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