JP2001042149A - リッジ型光導波路をもつ光学素子 - Google Patents
リッジ型光導波路をもつ光学素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】リッジ型光導波路をもつ光学素子のと他の光学
素子又は光ファイバとの光結合効率を向上する。 【構成】リッジ型光導波路4の入力部あるいは出力部に
向かってリッジの幅を漸次狭くしてテーパ状に形成す
る。最終的にはテーパ状の最少幅が導波路のモードがカ
ットオフ以下になるまで小さくする。 【効果】リッジ型光導波路と光ファイバの光結合効率が
向上するとともに、ポラリトン導波路への光導入効率が
向上する。この結果、素子への入力パワの低減による省
エネルギー化し、モジュール化における光結合トレラン
スの増大による組立歩留まり向上が実現し、容易にモジ
ュール化ができる。
素子又は光ファイバとの光結合効率を向上する。 【構成】リッジ型光導波路4の入力部あるいは出力部に
向かってリッジの幅を漸次狭くしてテーパ状に形成す
る。最終的にはテーパ状の最少幅が導波路のモードがカ
ットオフ以下になるまで小さくする。 【効果】リッジ型光導波路と光ファイバの光結合効率が
向上するとともに、ポラリトン導波路への光導入効率が
向上する。この結果、素子への入力パワの低減による省
エネルギー化し、モジュール化における光結合トレラン
スの増大による組立歩留まり向上が実現し、容易にモジ
ュール化ができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はリッジ型光導波路を
もつ光学素子、更に詳しくいえば、基板上にリッジ型導
波路をもち、そのリッジ型導波路の端部が他の光学素子
あるいは光ファイバと結合する結合部を構成するリッジ
型光導波路をもつ光学素子の構成に関する。
もつ光学素子、更に詳しくいえば、基板上にリッジ型導
波路をもち、そのリッジ型導波路の端部が他の光学素子
あるいは光ファイバと結合する結合部を構成するリッジ
型光導波路をもつ光学素子の構成に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、光素子の導波路と光ファイバを結
合するとき、導波路と光ファイバのモードスポットサイ
ズが一致せず、光結合効率が悪化する問題があった。こ
のため、光素子からの光の相当部分が結合部で失われ、
光ファイバへ導かれる光の強度が減少し、必要以上の光
を光素子から送り出さなければいけないなどの問題が生
じた。同様に光ファイバから光を光素子に送り込むとき
にも同じ問題が生じた。
合するとき、導波路と光ファイバのモードスポットサイ
ズが一致せず、光結合効率が悪化する問題があった。こ
のため、光素子からの光の相当部分が結合部で失われ、
光ファイバへ導かれる光の強度が減少し、必要以上の光
を光素子から送り出さなければいけないなどの問題が生
じた。同様に光ファイバから光を光素子に送り込むとき
にも同じ問題が生じた。
【0003】これらの問題は、光ファイバと光素子間に
とどまらず、光素子同士の場合も生じる。この場合の光
素子とは、光導波路を含むものであれば、どのようなも
のでも良く、例えば、導波路型光スイッチ、半導体レー
ザ、半導体増幅器等あらゆるものを含む。
とどまらず、光素子同士の場合も生じる。この場合の光
素子とは、光導波路を含むものであれば、どのようなも
のでも良く、例えば、導波路型光スイッチ、半導体レー
ザ、半導体増幅器等あらゆるものを含む。
【0004】これらの問題を解決する方法として、本発
明の発明者等は、光素子に設けられたリッジ型光導波路
等の導波路の幅を端面すなわち入出力端側に向かうに漸
次細くし、伝搬する光のモードを拡大する発明をなし
た。その技術に関しては、日本国特許第2771162
号「光導波路の製造方法」に記載されている。上記特許
に記載されているリッジ型光導波路は、光の入力部分及
び光の出力部分を有する光導波路のリッジ導波路を形成
するための部材を準備し、光導波路の光入出力部分及び
その近傍部分の前記光導波路の幅を他の部分の前記光度
波路の幅よりも狭く形成し、かつ、前記光導波路の光入
出力部分及びその近傍部分の幅を所要に形成することに
より光結合効率を向上するものである。
明の発明者等は、光素子に設けられたリッジ型光導波路
等の導波路の幅を端面すなわち入出力端側に向かうに漸
次細くし、伝搬する光のモードを拡大する発明をなし
た。その技術に関しては、日本国特許第2771162
号「光導波路の製造方法」に記載されている。上記特許
に記載されているリッジ型光導波路は、光の入力部分及
び光の出力部分を有する光導波路のリッジ導波路を形成
するための部材を準備し、光導波路の光入出力部分及び
その近傍部分の前記光導波路の幅を他の部分の前記光度
波路の幅よりも狭く形成し、かつ、前記光導波路の光入
出力部分及びその近傍部分の幅を所要に形成することに
より光結合効率を向上するものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記リッジ型
光導波路の端部は単一モード導波路で形成され、上記単
一モード導波路に結合される漸次幅が狭められるテーパ
状の幅で最少部は単一モード導波路の幅と同じであっ
た。そのため、上記リッジ型光導波路をもつ光素子と他
の光素子あるいは光ファイバと結合する場合、上記他の
光素子あるいは光ファイバが単一モード導波路をもつ場
合には有効であったが、単一モード導波路をもたない場
合には、光結合効率が低下するということが分かった。
光導波路の端部は単一モード導波路で形成され、上記単
一モード導波路に結合される漸次幅が狭められるテーパ
状の幅で最少部は単一モード導波路の幅と同じであっ
た。そのため、上記リッジ型光導波路をもつ光素子と他
の光素子あるいは光ファイバと結合する場合、上記他の
光素子あるいは光ファイバが単一モード導波路をもつ場
合には有効であったが、単一モード導波路をもたない場
合には、光結合効率が低下するということが分かった。
【0006】従って、本発明の目的は、上記リッジ型光
導波路をもつ光学素子を改良し、上記リッジ型光導波路
に直接結合される光学素子、光導波路の形状に係わらず
光結合効率を改善するリッジ型光導波路をもつ光学素子
を実現することである。
導波路をもつ光学素子を改良し、上記リッジ型光導波路
に直接結合される光学素子、光導波路の形状に係わらず
光結合効率を改善するリッジ型光導波路をもつ光学素子
を実現することである。
【0007】
【発明を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のリッジ型光導波路をもつ光学素子は、リッ
ジ型光導波路の先端部、すなわち入力部及び出力部の少
なくとも一方のリッジ型導波路の幅を、リッジ型光導波
路のカットオフ以下になるように漸次狭める構造とし
た。ここで、光学素子とは、基板上に形成され、少なく
とも一部にリッジ型導波路を光学的に結合したものであ
り、光学素子は、発光、受光素子、光スイッチ、光変器
等を含む。
め、本発明のリッジ型光導波路をもつ光学素子は、リッ
ジ型光導波路の先端部、すなわち入力部及び出力部の少
なくとも一方のリッジ型導波路の幅を、リッジ型光導波
路のカットオフ以下になるように漸次狭める構造とし
た。ここで、光学素子とは、基板上に形成され、少なく
とも一部にリッジ型導波路を光学的に結合したものであ
り、光学素子は、発光、受光素子、光スイッチ、光変器
等を含む。
【0008】
【発明の実施の形態】<実施例1>図1は、本発明によ
るリッジ型光導波路をもつ光学素子の一実施形態を示す
もので、(a)及び(b)はそれぞれその平面図及び断面
図を示す。本実施形態はリッジ型光導波路を有する最も
単純な光学素子である。リッジ型光導波路は、その断面
が図1(b)に示すように、中心にコア1を有し、その上
部にクラッド2、その下部にクラッド3を有すし、コア
1の上部及びクラッド2がリッジを構成する。 上記リ
ッジ型光導波路では、光の縦(上下)方向の閉じ込め
は、コアとクラッドの屈折率差に基づく全反射によって
生じ、横方向の閉じ込めは、リッジの存在による等価的
な屈折率閉じ込めによって生じる。このようなリッジ型
光導波路の場合、光の入力部あるいは出力部に向かって
リッジの幅を小さくすること、特にリッジの幅がカット
オフ以下になるように端部に向かって暫時減少すること
によって光結合効率が向上することが判明した。
るリッジ型光導波路をもつ光学素子の一実施形態を示す
もので、(a)及び(b)はそれぞれその平面図及び断面
図を示す。本実施形態はリッジ型光導波路を有する最も
単純な光学素子である。リッジ型光導波路は、その断面
が図1(b)に示すように、中心にコア1を有し、その上
部にクラッド2、その下部にクラッド3を有すし、コア
1の上部及びクラッド2がリッジを構成する。 上記リ
ッジ型光導波路では、光の縦(上下)方向の閉じ込め
は、コアとクラッドの屈折率差に基づく全反射によって
生じ、横方向の閉じ込めは、リッジの存在による等価的
な屈折率閉じ込めによって生じる。このようなリッジ型
光導波路の場合、光の入力部あるいは出力部に向かって
リッジの幅を小さくすること、特にリッジの幅がカット
オフ以下になるように端部に向かって暫時減少すること
によって光結合効率が向上することが判明した。
【0009】これは、リッジの幅を小さくすることによ
って、横方向の光閉じ込め効果が小さくなり、その結果
伝搬する光のモードプロファイルが、細くする前の導波
路に比べて拡大するためと考えられる。さらに、リッジ
幅の減少は、縦方向の光閉じ込め効果も小さくする効果
があり、その結果縦方向のモードプロファイルも拡大す
ることが判明した。このように、リッジの幅がカットオ
フ以下になるように端部に向かって漸次減少することに
よって、モードプロファイルの拡大が起こり、その結果
たとえば光ファイバとの結合効率が大幅に向上する。
って、横方向の光閉じ込め効果が小さくなり、その結果
伝搬する光のモードプロファイルが、細くする前の導波
路に比べて拡大するためと考えられる。さらに、リッジ
幅の減少は、縦方向の光閉じ込め効果も小さくする効果
があり、その結果縦方向のモードプロファイルも拡大す
ることが判明した。このように、リッジの幅がカットオ
フ以下になるように端部に向かって漸次減少することに
よって、モードプロファイルの拡大が起こり、その結果
たとえば光ファイバとの結合効率が大幅に向上する。
【0010】図1に示した構造のリッジ型光導波路をも
つ光学素子の具体的実施例を示す。組成は、クラッド2
及び3がAl0.17Ga0.83Asで、コア1がAl0.13Ga0.87Asで
ある。また、コア1の厚さは1.8μm、クラッド2及び
3の厚さは、2μmである。リッジ4の幅wは、2μmと
し、導波路の入出力部の先端では幅をほぼ0μmとし
た。このため、入出力部でのモードはカットオフ以下に
なっている。このリッジ4の幅wがカットオフ以下にな
るように端部に向かって漸次減少する部分(テーパー状
の領域)の長さは、100μmとした。また、リッジの高
さは、2.5μmとした。このため、コアの領域にまでリ
ッジは食い込んだ構造になっている。
つ光学素子の具体的実施例を示す。組成は、クラッド2
及び3がAl0.17Ga0.83Asで、コア1がAl0.13Ga0.87Asで
ある。また、コア1の厚さは1.8μm、クラッド2及び
3の厚さは、2μmである。リッジ4の幅wは、2μmと
し、導波路の入出力部の先端では幅をほぼ0μmとし
た。このため、入出力部でのモードはカットオフ以下に
なっている。このリッジ4の幅wがカットオフ以下にな
るように端部に向かって漸次減少する部分(テーパー状
の領域)の長さは、100μmとした。また、リッジの高
さは、2.5μmとした。このため、コアの領域にまでリ
ッジは食い込んだ構造になっている。
【0011】上記実施例の素子の製造方法以下の通りで
ある。まず、GaAs基板上に有機金属気相成長法によって
下部クラッド、コア、上部クラッドとなる層を結晶成長
した。その後、通常のフォトレジスト工程により、SiO2
からなるリッジパターンを形成し、このパターンをマス
クとして気相エッチングによりリッジを形成した。
ある。まず、GaAs基板上に有機金属気相成長法によって
下部クラッド、コア、上部クラッドとなる層を結晶成長
した。その後、通常のフォトレジスト工程により、SiO2
からなるリッジパターンを形成し、このパターンをマス
クとして気相エッチングによりリッジを形成した。
【0012】図2は上記実施例によるリッジ型光導波路
をもつ光学素子素子と多モード光ファイバとの結合効率
を測定した結果を示す。上記多モード光ファイバはコア
直径10μm、外径125μmの通常の光ファイバである。
使用した光の波長は波長1.3μmである。図2から明ら
かなように、リッジ型光導波路の上記光ファイバとの結
合部のテーパ状の先端部の幅を0に近くしたときは、結
合効率は50%となり、リッジ幅を細くしない場合すなわ
ちリッジ4の幅w=2μmにした場合に比較し、2倍の
結合効率を得ている。また、結合部のテーパ状先端部の
幅がカットオフとなる1.4μmである場合に比較して
も、結合効率は10%改善されている。
をもつ光学素子素子と多モード光ファイバとの結合効率
を測定した結果を示す。上記多モード光ファイバはコア
直径10μm、外径125μmの通常の光ファイバである。
使用した光の波長は波長1.3μmである。図2から明ら
かなように、リッジ型光導波路の上記光ファイバとの結
合部のテーパ状の先端部の幅を0に近くしたときは、結
合効率は50%となり、リッジ幅を細くしない場合すなわ
ちリッジ4の幅w=2μmにした場合に比較し、2倍の
結合効率を得ている。また、結合部のテーパ状先端部の
幅がカットオフとなる1.4μmである場合に比較して
も、結合効率は10%改善されている。
【0013】<実施例2>図3は本発明による光導波路
を有する光学素子の第2の実施例の構成図を示す。図3
(a)及び(b)はそれぞれ平面図及び断面図を示す。
を有する光学素子の第2の実施例の構成図を示す。図3
(a)及び(b)はそれぞれ平面図及び断面図を示す。
【0014】本実施例の構成は、クラッド2及び3がA
l0.17Ga0.83Asで、増幅層5がAl0.05Ga0.95A
sである。上部クラッド層2の上にキャップ層6を設け
た。また、増幅層5の厚さは0.2μm、クラッド2の
厚さは2μm、クラッド3の厚さは3μm、キャップ層
6の厚さは0.5μmである。この場合、増幅層5はノ
ンドープ層とし、上部クラッド層2はCを1018cm-3
ドープしてp層とし、下部クラッド層3はSiを1018
cm-3ドープしてn層とした。また、キャップ層6は、
Cを1020cm-3ドープしてp層とした。リッジ4の幅
は、2μmとし、リッジ型光導波路の入出力部の先端部
では幅をほぼ0μmとした。このため、入出力部でのモ
ードはカットオフになっている。このテーパー状の領域
の長さは、100μmとした。また、リッジの高さは、
2.5μmとした。このため、増幅層4の領域にまでリ
ッジは食い込んだ構造になっている。この場合、素子の
上部にp電極、裏面にn電極を形成し、電流を流したと
ころ光の増幅効果を確認した。作製方法は、実施例1と
同様の方法を用いた。
l0.17Ga0.83Asで、増幅層5がAl0.05Ga0.95A
sである。上部クラッド層2の上にキャップ層6を設け
た。また、増幅層5の厚さは0.2μm、クラッド2の
厚さは2μm、クラッド3の厚さは3μm、キャップ層
6の厚さは0.5μmである。この場合、増幅層5はノ
ンドープ層とし、上部クラッド層2はCを1018cm-3
ドープしてp層とし、下部クラッド層3はSiを1018
cm-3ドープしてn層とした。また、キャップ層6は、
Cを1020cm-3ドープしてp層とした。リッジ4の幅
は、2μmとし、リッジ型光導波路の入出力部の先端部
では幅をほぼ0μmとした。このため、入出力部でのモ
ードはカットオフになっている。このテーパー状の領域
の長さは、100μmとした。また、リッジの高さは、
2.5μmとした。このため、増幅層4の領域にまでリ
ッジは食い込んだ構造になっている。この場合、素子の
上部にp電極、裏面にn電極を形成し、電流を流したと
ころ光の増幅効果を確認した。作製方法は、実施例1と
同様の方法を用いた。
【0015】本実施例で、コア直径10μm、外径12
5μmの通常の光ファイバとの結合効率を測定したとこ
ろ、波長0.85μmで結合効率45%となり、出力部
でのリッジ幅を細くしない場合に比べて、1.8倍の結
合効率を得た。
5μmの通常の光ファイバとの結合効率を測定したとこ
ろ、波長0.85μmで結合効率45%となり、出力部
でのリッジ幅を細くしない場合に比べて、1.8倍の結
合効率を得た。
【0016】<実施例3>図4は本発明による光導波路
をもつ光学素子の第3の実施例の構成を示す。図4
(a)及び(b)はそれぞれ平面図及び断面図を示す。
をもつ光学素子の第3の実施例の構成を示す。図4
(a)及び(b)はそれぞれ平面図及び断面図を示す。
【0017】本実施例の構成は、クラッド2及び3がA
l0.17Ga0.83Asで、コア層1がAl0.13Ga0.87A
s、量子井戸層7がGaAsである。コア層1の全体の
厚さは1.8μm、量子井戸層7の厚さは100nm、
クラッド2の厚さは2μm、クラッド3の厚さは3μm
である。また、全層をノンドープ層とした。この場合、
リッジの幅は2μmとし、導波路の入出力部の先端部で
は幅をほぼ0μmとした。このため、入出力部でのモー
ドはカットオフ以下になっている。このテーパー状の領
域の長さは、100μmとした。また、リッジの高さ
は、2.5μmとした。このため、増幅層4の領域にま
でリッジは食い込んだ構造になっている。作製方法は、
実施例1と同様の方法を用いた。
l0.17Ga0.83Asで、コア層1がAl0.13Ga0.87A
s、量子井戸層7がGaAsである。コア層1の全体の
厚さは1.8μm、量子井戸層7の厚さは100nm、
クラッド2の厚さは2μm、クラッド3の厚さは3μm
である。また、全層をノンドープ層とした。この場合、
リッジの幅は2μmとし、導波路の入出力部の先端部で
は幅をほぼ0μmとした。このため、入出力部でのモー
ドはカットオフ以下になっている。このテーパー状の領
域の長さは、100μmとした。また、リッジの高さ
は、2.5μmとした。このため、増幅層4の領域にま
でリッジは食い込んだ構造になっている。作製方法は、
実施例1と同様の方法を用いた。
【0018】本実施例で、温度5Kでポラリトンが伝搬
することを確認したのち、コア直径10μm、外径12
5μmの通常の光ファイバとの結合効率を測定したとこ
ろ、波長0.79μmで結合効率35%となり、出力部
でのリッジ幅を細くしない場合に比べて、3倍の結合効
率を得た。このように、ポラリトンを伝搬する導波路で
も結合効率の向上が図られた。
することを確認したのち、コア直径10μm、外径12
5μmの通常の光ファイバとの結合効率を測定したとこ
ろ、波長0.79μmで結合効率35%となり、出力部
でのリッジ幅を細くしない場合に比べて、3倍の結合効
率を得た。このように、ポラリトンを伝搬する導波路で
も結合効率の向上が図られた。
【0019】<実施例4>図5は本発明による光導波路
をもつ光学素子の第4の実施例の構成を示す平面図であ
る。本実施例の構成は、実施例1に示した断面構造の導
波路により、図5に示す方向性結合器型スイッチをであ
る。ただし、クラッド2は炭素Cを1018cm-3ドープ
してp型とし、クラッド3はSiを1018cm-3ドープ
してn型とし、逆バイアスで電界が導波路に印加できる
ようにした。この場合、結合部の長さは2mmとし、導
波路の一方のみ電界が印加できるようにした。この結
果、電界印加によってスイッチングができ、かつスイッ
チの両端に結合した光ファイバとの結合効率全体で25
%として、両端を細くしないときに比べて結合効率を3
倍にできた。
をもつ光学素子の第4の実施例の構成を示す平面図であ
る。本実施例の構成は、実施例1に示した断面構造の導
波路により、図5に示す方向性結合器型スイッチをであ
る。ただし、クラッド2は炭素Cを1018cm-3ドープ
してp型とし、クラッド3はSiを1018cm-3ドープ
してn型とし、逆バイアスで電界が導波路に印加できる
ようにした。この場合、結合部の長さは2mmとし、導
波路の一方のみ電界が印加できるようにした。この結
果、電界印加によってスイッチングができ、かつスイッ
チの両端に結合した光ファイバとの結合効率全体で25
%として、両端を細くしないときに比べて結合効率を3
倍にできた。
【0020】<実施例5>図6は本発明による光導波路
をもつ光学素子の第5の実施例の構成を示す平面図であ
る。本実施例の構成は、実施例1に示した断面構造の導
波路により、図6に示すマッハ・ツエンダー型スイッチ
を作製した。ただし、クラッド2は、炭素Cを1018c
m-3ドープしてp型とし、クラッド3は珪素Siを10
18cm-3ドープしてn型とし、逆バイアスで電界が導波
路に印加できるようにした。この場合、導波路が分かれ
ている領域の長さは5mmとし、導波路の一方のみ電界
が印加できるようにした。この結果、電界印加によって
スイッチングができ、かつスイッチの両端に結合した光
ファイバとの結合効率を全体で30%と大きくできるこ
とが分かった。このように、両端を細くしないときに比
べて結合効率を4倍と大きくした。
をもつ光学素子の第5の実施例の構成を示す平面図であ
る。本実施例の構成は、実施例1に示した断面構造の導
波路により、図6に示すマッハ・ツエンダー型スイッチ
を作製した。ただし、クラッド2は、炭素Cを1018c
m-3ドープしてp型とし、クラッド3は珪素Siを10
18cm-3ドープしてn型とし、逆バイアスで電界が導波
路に印加できるようにした。この場合、導波路が分かれ
ている領域の長さは5mmとし、導波路の一方のみ電界
が印加できるようにした。この結果、電界印加によって
スイッチングができ、かつスイッチの両端に結合した光
ファイバとの結合効率を全体で30%と大きくできるこ
とが分かった。このように、両端を細くしないときに比
べて結合効率を4倍と大きくした。
【0021】<実施例6>LiNbO3基板上にTiを
ドープしたLiNbO3を厚さ2μm形成し、次にTi
をドープしたLiNbO3をエッチすることによって高
さ1.5μmのリッジを形成した導波路を作製した。こ
の場合、リッジの幅は、2μmとし、導波路の入出力部
では幅をほぼ0μmとした。このため、入出力部でのモ
ードはカットオフになっている。このテーパー状の領域
の長さは、200μmとした。このため、コアの領域に
までリッジは食い込んだ構造になっている。
ドープしたLiNbO3を厚さ2μm形成し、次にTi
をドープしたLiNbO3をエッチすることによって高
さ1.5μmのリッジを形成した導波路を作製した。こ
の場合、リッジの幅は、2μmとし、導波路の入出力部
では幅をほぼ0μmとした。このため、入出力部でのモ
ードはカットオフになっている。このテーパー状の領域
の長さは、200μmとした。このため、コアの領域に
までリッジは食い込んだ構造になっている。
【0022】この構造で、コア直径10μm、外径12
5μmの通常の光ファイバとの結合効率を測定したとこ
ろ、波長1.5μmで結合効率70%となり、出力部で
のリッジ幅を細くしない場合に比べて、2倍の結合効率
を得た。
5μmの通常の光ファイバとの結合効率を測定したとこ
ろ、波長1.5μmで結合効率70%となり、出力部で
のリッジ幅を細くしない場合に比べて、2倍の結合効率
を得た。
【0023】
【発明の効果】本発明により、リッジ型光導波路と光フ
ァイバの光結合効率が向上するとともに、ポラリトン導
波路への光導入効率が向上する効果がある。この結果、
素子への入力パワの低減による省エネルギー化が実現す
るとともに、モジュール化における光結合トレランスの
増大による組立歩留まり向上が実現し、容易にモジュー
ル化ができる効果が得られる。
ァイバの光結合効率が向上するとともに、ポラリトン導
波路への光導入効率が向上する効果がある。この結果、
素子への入力パワの低減による省エネルギー化が実現す
るとともに、モジュール化における光結合トレランスの
増大による組立歩留まり向上が実現し、容易にモジュー
ル化ができる効果が得られる。
【図1】本発明によるリッジ型光導波路をもつ光学素子
の一実施形態を示す図。
の一実施形態を示す図。
【図2】実施例1によるリッジ型光導波路をもつ光学素
子素子と多モード光ファイバとの結合効率を測定した結
果を示す図。
子素子と多モード光ファイバとの結合効率を測定した結
果を示す図。
【図3】本発明による光導波路を有する光学素子の第2
の実施例の構成図を示す図。
の実施例の構成図を示す図。
【図4】本発明による光導波路をもつ光学素子の第3の
実施例の構成を示す図。
実施例の構成を示す図。
【図5】本発明による光導波路をもつ光学素子の第4の
実施例の構成を示す平面図。
実施例の構成を示す平面図。
【図6】本発明による光導波路をもつ光学素子の第5の
実施例の構成を示す平面図。
実施例の構成を示す平面図。
1:コア 2:クラッド 3:クラッド 4:リッジ 5:増幅層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成12年3月24日(2000.3.2
4)
4)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 白井 正敬 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Fターム(参考) 2H037 BA24 BA31 CA34 CA36 2H047 KA05 KA13 KB04 MA05 PA05 PA21 PA24 QA02 QA03 RA08 TA32 TA42
Claims (7)
- 【請求項1】リッジ型光導波路の入力部あるいは出力部
の少なくとも一方のリッジの幅がカットオフ以下になる
ように端部に向かって漸次減少するテーパ状に形成され
たことを特徴とする光導波路をもつ光学素子。 - 【請求項2】請求項1において、上記リッジ型導波路が
半導体材料あるいは誘電体材料で構成されたことを特徴
とする光導波路をもつ光学素子。 - 【請求項3】請求項1において、上記リッジ型導波路が
リッジ型増幅器のリッジ部分であることを特徴とする光
導波路をもつ光学素子。 - 【請求項4】請求項1において、上記リッジ型導波路が
リッジ型量子井戸導波路のリッジ部であることを特徴と
する光導波路をもつ光学素子。 - 【請求項5】請求項1において、上記リッジ型導波路が
リッジ型方向性結合器の導波路であることを特徴とする
光導波路をもつ光学素子。 - 【請求項6】請求項1において、上記リッジ型導波路が
マッファツエンダー型結合器の導波路であることを特徴
とする光導波路をもつ光学素子。 - 【請求項7】上記光導波路はポラリトンを伝搬する導波
路であることを特徴とする光導波路を有する素子。
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---|---|---|---|
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21299099A JP2001042149A (ja) | 1999-07-28 | 1999-07-28 | リッジ型光導波路をもつ光学素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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ID=16631648
Family Applications (1)
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JP21299099A Pending JP2001042149A (ja) | 1999-07-28 | 1999-07-28 | リッジ型光導波路をもつ光学素子 |
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-
1999
- 1999-07-28 JP JP21299099A patent/JP2001042149A/ja active Pending
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