JP2001040471A - スパッタリング用ターゲット及びスパッタリング方法 - Google Patents
スパッタリング用ターゲット及びスパッタリング方法Info
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- JP2001040471A JP2001040471A JP21641499A JP21641499A JP2001040471A JP 2001040471 A JP2001040471 A JP 2001040471A JP 21641499 A JP21641499 A JP 21641499A JP 21641499 A JP21641499 A JP 21641499A JP 2001040471 A JP2001040471 A JP 2001040471A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタリングターゲットの膜が付着する部
分の形状と表面粗さを同時に検討することにより、付着
膜の剥離を防止し、かつパーテイクル発生の少ないスパ
ッタリング用ターゲットおよびスパッタリング方法を提
供する。 【解決手段】 円柱形もしくは円板形ターゲットのウエ
ハーと対向するエロージョン面とターゲットの側壁もし
くは側面がなす角部が１．０〜４．０ｍｍのＣ面取り形
状あるいはＲ加工形状をなし、かつＣ面取り加工部ある
いはＲ加工部及びターゲット側面の表面粗さがＲａ＝２
〜８μｍであるスパッタリング用ターゲットおよびこれ
によるスパッタリング方法。
分の形状と表面粗さを同時に検討することにより、付着
膜の剥離を防止し、かつパーテイクル発生の少ないスパ
ッタリング用ターゲットおよびスパッタリング方法を提
供する。 【解決手段】 円柱形もしくは円板形ターゲットのウエ
ハーと対向するエロージョン面とターゲットの側壁もし
くは側面がなす角部が１．０〜４．０ｍｍのＣ面取り形
状あるいはＲ加工形状をなし、かつＣ面取り加工部ある
いはＲ加工部及びターゲット側面の表面粗さがＲａ＝２
〜８μｍであるスパッタリング用ターゲットおよびこれ
によるスパッタリング方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は成膜中のパーテイ
クル発生が少ないスパッタリング用ターゲットとそれを
用いた成膜方法に関するものである。
クル発生が少ないスパッタリング用ターゲットとそれを
用いた成膜方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体薄膜等の形成方法としてス
パッタリングターゲットを使用するスパッタリング法が
広く用いられている。このスパッタリング法は、荷電粒
子でもってスパッタリングターゲットに衝撃を与え、そ
の衝撃力によりスパッタリングターゲットから粒子をた
たき出して、これを該ターゲットに対抗させて設置した
例えばウエハ等のごとき基板に付着させ薄膜を形成する
成膜法である。
パッタリングターゲットを使用するスパッタリング法が
広く用いられている。このスパッタリング法は、荷電粒
子でもってスパッタリングターゲットに衝撃を与え、そ
の衝撃力によりスパッタリングターゲットから粒子をた
たき出して、これを該ターゲットに対抗させて設置した
例えばウエハ等のごとき基板に付着させ薄膜を形成する
成膜法である。
【０００３】ところでスパッタリングでは、スパッタリ
ング中にターゲット上の非エロージョン部あるいはエロ
ージョンが弱い領域に、ターゲットからスパッタされた
物質が再付着して数ミクロンから激しい場合は数ｍｍ程
度の厚みの膜を形成する場合がある。ターゲットへの再
付着はそもそも付着するスパッタ粒子の運動エネルギー
が小さいことから付着力が弱いことに加えて、膜が厚く
剥離を起こしやすく、剥離した膜はパーテイクルとな
り、製品歩留まりをしばしば悪化させることが知られて
おり問題となっている。
ング中にターゲット上の非エロージョン部あるいはエロ
ージョンが弱い領域に、ターゲットからスパッタされた
物質が再付着して数ミクロンから激しい場合は数ｍｍ程
度の厚みの膜を形成する場合がある。ターゲットへの再
付着はそもそも付着するスパッタ粒子の運動エネルギー
が小さいことから付着力が弱いことに加えて、膜が厚く
剥離を起こしやすく、剥離した膜はパーテイクルとな
り、製品歩留まりをしばしば悪化させることが知られて
おり問題となっている。
【０００４】従来より、膜剥離による問題をなくすため
に、マグネットを変更したり、電気的な操作でプラズマ
の領域を変えることによりターゲットを全面エロージョ
ンさせ、膜付着を防止するような対策がとられてきた
が、完全な全面エロージョンが難しい、ことまた様々な
理由から全面エロージョンさせることができずに再付着
膜を生ぜざるを得ない場合もあり、解決手段としては十
分なものとはいえない現状である。
に、マグネットを変更したり、電気的な操作でプラズマ
の領域を変えることによりターゲットを全面エロージョ
ンさせ、膜付着を防止するような対策がとられてきた
が、完全な全面エロージョンが難しい、ことまた様々な
理由から全面エロージョンさせることができずに再付着
膜を生ぜざるを得ない場合もあり、解決手段としては十
分なものとはいえない現状である。
【０００５】また、付着膜の剥離防止のため、ターゲッ
トの非エロージョン部を粗化する方法が知られている
が、この方法によっても付着膜の剥離が生じる場合があ
り、十分な解決策とはいえない状況である。
トの非エロージョン部を粗化する方法が知られている
が、この方法によっても付着膜の剥離が生じる場合があ
り、十分な解決策とはいえない状況である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このようなことから、
本発明が目的としたのは、スパッタリングターゲットの
膜が付着する部分の形状と表面粗さを同時に検討するこ
とにより、付着膜の剥離を十分に防止できるスパッタリ
ングターゲットを提供することであり、同時に、パーテ
イクル発生の少ないスパッタリング方法を提供するもの
である。
本発明が目的としたのは、スパッタリングターゲットの
膜が付着する部分の形状と表面粗さを同時に検討するこ
とにより、付着膜の剥離を十分に防止できるスパッタリ
ングターゲットを提供することであり、同時に、パーテ
イクル発生の少ないスパッタリング方法を提供するもの
である。
【０００７】本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意
研究を行った結果、次のような知見を得た。すなわち、
使用途中のスパッタリングターゲットを取り出してなさ
れた子細な検討により、付着膜の剥離は、円板形ターゲ
ットのウエハーと対向するエロージョン面とターゲット
の側壁もしくは側面がなす角部において付着膜にクラッ
クが生じこのクラックが起点となって膜剥離が生じるこ
とが判明した。これはエッジ部の形状変化による膜応力
の応力集中によるものと考えられる。
研究を行った結果、次のような知見を得た。すなわち、
使用途中のスパッタリングターゲットを取り出してなさ
れた子細な検討により、付着膜の剥離は、円板形ターゲ
ットのウエハーと対向するエロージョン面とターゲット
の側壁もしくは側面がなす角部において付着膜にクラッ
クが生じこのクラックが起点となって膜剥離が生じるこ
とが判明した。これはエッジ部の形状変化による膜応力
の応力集中によるものと考えられる。
【０００８】そこで、応力集中軽減のため、機械加工に
より、角部にＣ加工、Ｒ加工を施したターゲットを用い
てスパッタリングを行ったところ、加工前と比較して加
工部に付着した膜厚が減少するとともに膜の剥離も軽減
されることが判明したが、加工部の一部やターゲット側
壁及びエロージョン部ではあるけれども膜付着が生じる
部分においては、依然として微少な剥離が生じており、
十分な効果とはいえない状態であった。そのため、さら
なる研究を行った結果、Ｃ加工部やＲ加工部及びターゲ
ットの側壁においてはある範囲で表面を粗化することで
膜剥離が防止でき、エロージョン部においては逆に表面
を平滑にすることで膜剥離が防止できることが判明し
た。
より、角部にＣ加工、Ｒ加工を施したターゲットを用い
てスパッタリングを行ったところ、加工前と比較して加
工部に付着した膜厚が減少するとともに膜の剥離も軽減
されることが判明したが、加工部の一部やターゲット側
壁及びエロージョン部ではあるけれども膜付着が生じる
部分においては、依然として微少な剥離が生じており、
十分な効果とはいえない状態であった。そのため、さら
なる研究を行った結果、Ｃ加工部やＲ加工部及びターゲ
ットの側壁においてはある範囲で表面を粗化することで
膜剥離が防止でき、エロージョン部においては逆に表面
を平滑にすることで膜剥離が防止できることが判明し
た。
【０００９】前述のようなターゲットのエッジにＣ面取
りあるいはＲ加工を施し、Ｃ面取り加工部あるいはＲ加
工部及びターゲット側面を粗化し、エロージョン部では
あるけれども膜付着が生じる部分においては逆に表面を
平滑にしたターゲットを用いたスパッタにおいて突発的
なパーティクルの急増現象をほぼ解決できることが判明
した。
りあるいはＲ加工を施し、Ｃ面取り加工部あるいはＲ加
工部及びターゲット側面を粗化し、エロージョン部では
あるけれども膜付着が生じる部分においては逆に表面を
平滑にしたターゲットを用いたスパッタにおいて突発的
なパーティクルの急増現象をほぼ解決できることが判明
した。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記知見事項
等に基づいてなされたものであって、「円柱形もしくは
円板形ターゲットのウエハーと対向するエロージョン面
とターゲットの側壁もしくは側面がなす角部が１．０〜
４．０ｍｍのＣ面取り形状あるいはＲ加工形状をなし、
かつＣ面取り加工部あるいはＲ加工部及びターゲット側
面の表面粗さがＲａ＝２〜８μｍであることを特徴とす
るターゲット。」を提供するものであり、また、「円柱
形もしくは円板形ターゲットのウエハーと対向するエロ
ージョン面とターゲットの側壁もしくは側面がなす角部
が１．０〜４．０ｍｍのＣ面取り形状あるいはＲ加工形
状をなし、かつＣ面取り加工部あるいはＲ加工部及びタ
ーゲット側面の表面粗さがＲａ＝２〜８μｍであり、エ
ロージョン部の少なくともスパッタ膜が付着する範囲の
表面粗さがＲａ＜１μｍであることを特徴とするターゲ
ット。」をも提供し、さらには、「円柱形もしくは円板
形ターゲットのウエハーと対向するエロージョン面とタ
ーゲットの側壁もしくは側面がなす角部が１．０〜４．
０ｍｍのＣ面取り形状あるいはＲ加工形状をなし、かつ
Ｃ面取り加工部あるいはＲ加工部及びターゲット側面の
表面粗さがＲａ＝２〜８μｍであるターゲットあるい
は、円柱形もしくは円板形ターゲットのウエハーと対向
するエロージョン面とターゲットの側壁もしくは側面が
なす角部が１．０〜４．０ｍｍのＣ面取り形状あるいは
Ｒ加工形状をなし、かつＣ面取り加工部あるいはＲ加工
部及びターゲット側面の表面粗さがＲａ＝２〜８μｍで
あり、エロージョン部の少なくともスパッタ膜が付着す
る範囲の表面粗さがＲａ＜１μｍであるターゲットを用
いたスパッタリング方法」をも提供するものである。
等に基づいてなされたものであって、「円柱形もしくは
円板形ターゲットのウエハーと対向するエロージョン面
とターゲットの側壁もしくは側面がなす角部が１．０〜
４．０ｍｍのＣ面取り形状あるいはＲ加工形状をなし、
かつＣ面取り加工部あるいはＲ加工部及びターゲット側
面の表面粗さがＲａ＝２〜８μｍであることを特徴とす
るターゲット。」を提供するものであり、また、「円柱
形もしくは円板形ターゲットのウエハーと対向するエロ
ージョン面とターゲットの側壁もしくは側面がなす角部
が１．０〜４．０ｍｍのＣ面取り形状あるいはＲ加工形
状をなし、かつＣ面取り加工部あるいはＲ加工部及びタ
ーゲット側面の表面粗さがＲａ＝２〜８μｍであり、エ
ロージョン部の少なくともスパッタ膜が付着する範囲の
表面粗さがＲａ＜１μｍであることを特徴とするターゲ
ット。」をも提供し、さらには、「円柱形もしくは円板
形ターゲットのウエハーと対向するエロージョン面とタ
ーゲットの側壁もしくは側面がなす角部が１．０〜４．
０ｍｍのＣ面取り形状あるいはＲ加工形状をなし、かつ
Ｃ面取り加工部あるいはＲ加工部及びターゲット側面の
表面粗さがＲａ＝２〜８μｍであるターゲットあるい
は、円柱形もしくは円板形ターゲットのウエハーと対向
するエロージョン面とターゲットの側壁もしくは側面が
なす角部が１．０〜４．０ｍｍのＣ面取り形状あるいは
Ｒ加工形状をなし、かつＣ面取り加工部あるいはＲ加工
部及びターゲット側面の表面粗さがＲａ＝２〜８μｍで
あり、エロージョン部の少なくともスパッタ膜が付着す
る範囲の表面粗さがＲａ＜１μｍであるターゲットを用
いたスパッタリング方法」をも提供するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】上述のごとく本発明に係わるスパ
ッタリングターゲットでは、円柱形もしくは円板形ター
ゲットのウエハーと対向するエロージョン面とターゲッ
トの側壁もしくは側面がなす角部が１．０〜４．０ｍｍ
のＣ面取り形状あるいはＲ加工形状とされる。このよう
に、角部にＣ加工もしくはＲ加工を施す理由は、これら
の加工を施すことにより応力集中の度合いを減少させる
とともに、膜付着部の表面積を増やして単位面積あたり
の付着膜厚を減少させ膜剥離をしにくくすることと、形
状変更によりプラズマの角部周辺へのまわりこみを容易
にさせこの領域でのエロージョンを活性化させてスパッ
タされた粒子の再付着を起こしにくくすることにより、
単位面積当たりの付着膜厚を減少させ、膜応力を低減さ
せて膜剥離をおこしにくくすることにある。
ッタリングターゲットでは、円柱形もしくは円板形ター
ゲットのウエハーと対向するエロージョン面とターゲッ
トの側壁もしくは側面がなす角部が１．０〜４．０ｍｍ
のＣ面取り形状あるいはＲ加工形状とされる。このよう
に、角部にＣ加工もしくはＲ加工を施す理由は、これら
の加工を施すことにより応力集中の度合いを減少させる
とともに、膜付着部の表面積を増やして単位面積あたり
の付着膜厚を減少させ膜剥離をしにくくすることと、形
状変更によりプラズマの角部周辺へのまわりこみを容易
にさせこの領域でのエロージョンを活性化させてスパッ
タされた粒子の再付着を起こしにくくすることにより、
単位面積当たりの付着膜厚を減少させ、膜応力を低減さ
せて膜剥離をおこしにくくすることにある。
【００１２】そして、上記角部のＣ形状及びＲ形状寸法
を「１．０〜４．０ｍｍ」に特定したのは、１．０ｍｍ
未満では上記効果による膜応力の低減が十分でなく一部
に膜剥離が生じ、４．０ｍｍを超えるとではスパッタさ
れた粒子のターゲット側壁部への回り込みが多くなり側
壁部の膜剥離を生じやすくなるためである。また、機械
加工性が悪くなりターゲットの製造コストを高めるため
である。
を「１．０〜４．０ｍｍ」に特定したのは、１．０ｍｍ
未満では上記効果による膜応力の低減が十分でなく一部
に膜剥離が生じ、４．０ｍｍを超えるとではスパッタさ
れた粒子のターゲット側壁部への回り込みが多くなり側
壁部の膜剥離を生じやすくなるためである。また、機械
加工性が悪くなりターゲットの製造コストを高めるため
である。
【００１３】また、本発明に係わるスパッタリングター
ゲットでは、Ｃ面取り加工部あるいはＲ加工部及びター
ゲット側面の表面粗さがＲａ＝２〜８μｍに特定され
る。表面粗さを特定した理由は、 Ｒａ＝２μｍ未満で
は表面粗化による膜剥離防止の効果が少なく、 Ｒａ＝
８μｍを超えると膜付着時のシャドウイングの効果によ
り付着膜厚の極端な不均質が生じて膜剥離を起こしやす
くなると同時に突起部でのマイクロアーキングが生じて
膜を著しく剥離させる場合があるためである。
ゲットでは、Ｃ面取り加工部あるいはＲ加工部及びター
ゲット側面の表面粗さがＲａ＝２〜８μｍに特定され
る。表面粗さを特定した理由は、 Ｒａ＝２μｍ未満で
は表面粗化による膜剥離防止の効果が少なく、 Ｒａ＝
８μｍを超えると膜付着時のシャドウイングの効果によ
り付着膜厚の極端な不均質が生じて膜剥離を起こしやす
くなると同時に突起部でのマイクロアーキングが生じて
膜を著しく剥離させる場合があるためである。
【００１４】また、本発明に係わるスパッタリングター
ゲットでは、エロージョン部の少なくともスパッタ膜が
付着する範囲の表面粗さがＲａ＜１μｍに特定される。
本部分は上述の加工部やターゲット側壁部分よりも飛来
するスパッタ粒子の方向性が遙かにまとまっており付着
膜もターゲット中心部を向いた斜め方向の成長をするた
め、付着面が粗である場合、シャドウイングの効果が非
常に大きくなって付着膜の不連続成長を生じやすく、こ
の不連続部で付着膜の層間剥離を生じる。すなわち、膜
が付着するエロージョン面表面を粗化することは付着膜
の剥離防止には効果があるが層間剥離には却って悪影響
をもたらす。 本部分をＲａ＜１μｍに特定する理由は
この範囲で膜の層間剥離が認められずこの範囲をこえる
と層間剥離が生じるためである。
ゲットでは、エロージョン部の少なくともスパッタ膜が
付着する範囲の表面粗さがＲａ＜１μｍに特定される。
本部分は上述の加工部やターゲット側壁部分よりも飛来
するスパッタ粒子の方向性が遙かにまとまっており付着
膜もターゲット中心部を向いた斜め方向の成長をするた
め、付着面が粗である場合、シャドウイングの効果が非
常に大きくなって付着膜の不連続成長を生じやすく、こ
の不連続部で付着膜の層間剥離を生じる。すなわち、膜
が付着するエロージョン面表面を粗化することは付着膜
の剥離防止には効果があるが層間剥離には却って悪影響
をもたらす。 本部分をＲａ＜１μｍに特定する理由は
この範囲で膜の層間剥離が認められずこの範囲をこえる
と層間剥離が生じるためである。
【００１５】また、上述の特徴を有するターゲットを使
用してスパッタリングを行うことでパーテイクルの突発
的発生がほとんど無い成膜が可能となる。本発明のター
ゲットは高融点金属及びその合金、シリサイド、シリコ
ン等に特に効果がある。
用してスパッタリングを行うことでパーテイクルの突発
的発生がほとんど無い成膜が可能となる。本発明のター
ゲットは高融点金属及びその合金、シリサイド、シリコ
ン等に特に効果がある。
【００１６】
【実施例および比較例】続いて、本発明を実施例により
比較例と対比しながら説明する。 （実施例１）ターゲット１ 粉末冶金法により作成したφ３００×６．３５ｔのＷＳ
ｉ円盤を純銅製のバッキングプレートにインジウムでロ
ー付け接合後、ターゲットの角部をＣ３のテーパ加工を
行った後、テーパ加工部及びターゲット側面以外の部分
をマスキングして、ＳｉＣ粒子を用いてブラスト処理を
行った。
比較例と対比しながら説明する。 （実施例１）ターゲット１ 粉末冶金法により作成したφ３００×６．３５ｔのＷＳ
ｉ円盤を純銅製のバッキングプレートにインジウムでロ
ー付け接合後、ターゲットの角部をＣ３のテーパ加工を
行った後、テーパ加工部及びターゲット側面以外の部分
をマスキングして、ＳｉＣ粒子を用いてブラスト処理を
行った。
【００１７】（実施例２）ターゲット２ 実施例１のターゲットを、今度はブラスト部をマスキン
グ後、ターゲットのエロージョン面を研磨加工してター
ゲットを作製した。
グ後、ターゲットのエロージョン面を研磨加工してター
ゲットを作製した。
【００１８】（実施例３）ターゲット３ 真空溶解したＴｉインゴットを鍛造及び圧延後、熱処理
を施してφ３００×６．３５ｔのＴｉ円盤を作製し、純
銅製のバッキングプレートにインジウムでロー付け接合
後、ターゲットの角部をＲ４のＲ加工を行った後、Ｒ加
工部及びターゲット側面以外の部分をマスキングして、
ＳｉＣ粒子を用いてブラスト処理を行い、ターゲットを
作製した。
を施してφ３００×６．３５ｔのＴｉ円盤を作製し、純
銅製のバッキングプレートにインジウムでロー付け接合
後、ターゲットの角部をＲ４のＲ加工を行った後、Ｒ加
工部及びターゲット側面以外の部分をマスキングして、
ＳｉＣ粒子を用いてブラスト処理を行い、ターゲットを
作製した。
【００１９】（実施例４）ターゲット４ 実施例３のターゲットと同様に作製した円盤を同様にバ
ッキングプレートに接合後、ターゲットの角部をＣ１．
５のテーパ加工を行った後、テーパ加工部及びターゲッ
ト側面以外の部分をマスキングして、ＳｉＣ粒子を用い
てブラスト処理を行った。しかる後、ターゲットのエロ
ージョン面を研磨加工してターゲットを作製した。
ッキングプレートに接合後、ターゲットの角部をＣ１．
５のテーパ加工を行った後、テーパ加工部及びターゲッ
ト側面以外の部分をマスキングして、ＳｉＣ粒子を用い
てブラスト処理を行った。しかる後、ターゲットのエロ
ージョン面を研磨加工してターゲットを作製した。
【００２０】（比較例１）ターゲット５ ターゲット角部にＣ加工を施さず、ブラスト処理も実施
しない以外は実施例１と同様のターゲットを作製した。
しない以外は実施例１と同様のターゲットを作製した。
【００２１】（比較例２）ターゲット６ ブラスト処理を施さぬ以外は実施例１と同様のターゲッ
トを作製した。
トを作製した。
【００２２】（比較例３）ターゲット７ ブラスト処理を施さぬ以外は実施例３と同様のターゲッ
トを作製した。
トを作製した。
【００２３】これらのターゲットを用いてスパッタリン
グを行い１ターゲットライフ使用時の平均パーテイクル
数及びパーテイクルの突発的発生回数を調べた。表１に
実施例及び比較例のターゲットの特徴を示すとともに１
ターゲットライフでの平均パーテイクル数及びパーテイ
クルの突発的発生回数(５０ヶ/ウエハー以上）を示す。
グを行い１ターゲットライフ使用時の平均パーテイクル
数及びパーテイクルの突発的発生回数を調べた。表１に
実施例及び比較例のターゲットの特徴を示すとともに１
ターゲットライフでの平均パーテイクル数及びパーテイ
クルの突発的発生回数(５０ヶ/ウエハー以上）を示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】表１に示すように、比較例５〜７のターゲ
ットでは０．３μｍ以上の平均パーテイクル数が３６〜
４１ケであるのに対し、実施例１〜４のターゲットにつ
いては１９〜２９ケであり、本発明では半数程度にまで
減少している。また、パーテイクルの突発的発生回数
(５０ヶ/ウエハー以上）については、比較例５〜７のタ
ーゲットでは８〜１２回にも上るが、実施例１〜４のタ
ーゲットについては、ゼロ若しくは多くても２回であ
り、著しく減少していることが分かる。以上、本発明の
ターゲットは成膜性に優れ、製品の歩留まりを大きく向
上できる優れた特徴を有している。
ットでは０．３μｍ以上の平均パーテイクル数が３６〜
４１ケであるのに対し、実施例１〜４のターゲットにつ
いては１９〜２９ケであり、本発明では半数程度にまで
減少している。また、パーテイクルの突発的発生回数
(５０ヶ/ウエハー以上）については、比較例５〜７のタ
ーゲットでは８〜１２回にも上るが、実施例１〜４のタ
ーゲットについては、ゼロ若しくは多くても２回であ
り、著しく減少していることが分かる。以上、本発明の
ターゲットは成膜性に優れ、製品の歩留まりを大きく向
上できる優れた特徴を有している。
【００２６】
【発明の効果】本発明のターゲット角部にある一定範囲
のＣ加工あるいはＲ加工を施し、これら加工部及びター
ゲット側壁とエロージョン面の特定の範囲の面粗さを規
定したターゲットを用いたスパッタリングにより、パー
テイクル数が少なく突発的なパーテイクルの発生をほぼ
ゼロにすることが可能となり、製品の歩留まりを改善で
きる。
のＣ加工あるいはＲ加工を施し、これら加工部及びター
ゲット側壁とエロージョン面の特定の範囲の面粗さを規
定したターゲットを用いたスパッタリングにより、パー
テイクル数が少なく突発的なパーテイクルの発生をほぼ
ゼロにすることが可能となり、製品の歩留まりを改善で
きる。
Claims (3)
- 【請求項１】 円柱形もしくは円板形ターゲットのウエ
ハーと対向するエロージョン面とターゲットの側壁もし
くは側面がなす角部が１．０〜４．０ｍｍのＣ面取り形
状あるいはＲ加工形状をなし、かつＣ面取り加工部ある
いはＲ加工部及びターゲット側面の表面粗さがＲａ＝２
〜８μｍであることを特徴とするスパッタリング用ター
ゲット。 - 【請求項２】 エロージョン部の少なくともスパッタ膜
が付着する範囲の表面粗さがＲａ＜１μｍであることを
特徴とする請求項１に記載のスパッタリング用ターゲッ
ト。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載のターゲットを
用いることを特徴とするスパッタリング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21641499A JP2001040471A (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | スパッタリング用ターゲット及びスパッタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21641499A JP2001040471A (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | スパッタリング用ターゲット及びスパッタリング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001040471A true JP2001040471A (ja) | 2001-02-13 |
Family
ID=16688197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21641499A Withdrawn JP2001040471A (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | スパッタリング用ターゲット及びスパッタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001040471A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008133520A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Mitsubishi Materials Corp | シリコンターゲット材 |
| WO2016129621A1 (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP6275896B1 (ja) * | 2017-02-16 | 2018-02-07 | 住友化学株式会社 | スパッタリングターゲットの加工方法およびスパッタリングターゲット製品の製造方法 |
| WO2018151035A1 (ja) * | 2017-02-16 | 2018-08-23 | 住友化学株式会社 | スパッタリングターゲット用削り工具、スパッタリングターゲットの加工方法およびスパッタリングターゲット製品の製造方法 |
| US10564134B2 (en) | 2017-01-24 | 2020-02-18 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Pseudo defect sample, process for producing the same, method for adjusting ultrasonic flaw detection measurement condition, method for inspecting target material, and process for producing sputtering target |
-
1999
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