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Description

【００１３】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、基板の収容部と、基板と研磨工具との間に砥液を供給しつつ両者を相対摺動させて化学機械研磨を行なう第１の研磨工程及び第２の研磨工程とを行なう研磨部と、前記基板に洗浄液を供給しつつ基板をスクラブ洗浄して基板に付着するパーティクルを除去し、さらにエッチング液を供給して基板上の金属イオンを除去した後、基板を乾燥させる洗浄部とを有することを特徴とする基板の研磨装置である。第２の研磨工程は、例えば、研磨液として純水を用い、研磨圧力及び／又は研磨速度を通常研磨よりも小さくして第１の研磨工程よりも研磨効率の低い状態で研磨を行い、第１の研磨工程でできた基板Ｗの被研磨面の微細な傷を無くしまたは軽減し、同時に被研磨面に残留する研磨屑や砥粒等のパーティクルを除去するものである。
【００１４】
例えばシリカ系の砥液を使用した場合には、研磨部で、第２の研磨工程において研磨工程内の最終研磨条件で基板の研磨を行なうことによりパーティクルの効率的な除去が行われ、洗浄部には既にパーティクル量が少ない基板が搬送されるので、従来のようなアルカリによるパーティクル除去工程が不要になる。従って、洗浄部で例えば酸を用いた化学的洗浄であるエッチングを行うことができ、その後に回転乾燥工程を行なうことにより基板の洗浄・乾燥が達成される。このように、２つの装置、工程で基板の洗浄・乾燥が達成されるので、従来の場合に比較して作業時間と設備が軽減され、また、搬送工程が少なくなるので、それによる作業工程負荷の軽減及び基板の汚染の可能性の軽減も達成される。
【００１５】
最終研磨条件において、研磨レートを５Å／分以下とするのが望ましい。前記洗浄液又は前記エッチング液を基板の表裏面に供給するようにしてもよい。回転乾燥工程は、通常は異なる乾燥装置で行なうが、同じ洗浄部で行っても良く、その場合はその雰囲気を清浄化した状態で行なうのが望ましい。洗浄液としては、純水の他、イオン水、オゾン（Ｏ３）水、水素水等の高機能水を用いることができる。
【００１８】
請求項４に記載の発明は、前記洗浄部は、前記基板を乾燥させる前に、前記基板を回転させながら前記基板に超音波で加振された純水を供給することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板の研磨装置である。
請求項５に記載の発明は、前記エッチング液としてフッ酸を含む酸性水溶液を用いることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の基板の研磨装置である。
【００２０】
請求項６に記載の発明は、基板と研磨工具との間に砥液を供給しつつ両者を相対摺動させて化学機械研磨を行なう第１の研磨工程と、前記化学機械研磨工程の後に第１の研磨工程に比べて研磨効率の低い状態で行なう第２の研磨工程と、前記基板を回転洗浄部に運び、ここで基板に洗浄液を供給しつつ基板をスクラブ洗浄して基板に付着するパーティクルを除去し、さらにエッチング液を供給して基板上の金属イオンを除去する回転洗浄工程と、前記基板を乾燥させる乾燥工程とを行なうことを特徴とする基板の研磨方法である。
【００２１】
請求項７に記載の発明は、基板を研磨面に押し付けて研磨することでパーティクルが残留する被研磨面を形成する研磨工程と、洗浄部で前記被研磨面のスクラブ洗浄を行って該被研磨面からパーティクルを除去し、さらにエッチング液を供給して基板上の金属イオンを除去する洗浄工程と、前記基板を乾燥させる乾燥工程とを行うことを特徴とする基板の研磨方法である。
請求項８に記載の発明は、前記エッチング液としてフッ酸を含む酸性水溶液を用いることを特徴とする請求項６または７に記載の基板の研磨方法である。

Claims (8)

  1. 基板の収容部と、
    基板と研磨工具との間に砥液を供給しつつ両者を相対摺動させて化学機械研磨を行なう第１の研磨工程及び第２の研磨工程とを行なう研磨部と、
    前記基板に洗浄液を供給しつつ基板をスクラブ洗浄して基板に付着するパーティクルを除去し、さらにエッチング液を供給して基板上の金属イオンを除去した後、基板を乾燥させる洗浄部とを有することを特徴とする基板の研磨装置。
  2. 前記研磨部において、第１の研磨工程と第２の研磨工程を同一の研磨機で行なうことを特徴とする請求項１に記載の基板の研磨装置。
  3. 前記研磨部は、前記第１の研磨工程と第２の研磨工程を個別に行う２つの研磨機を有することを特徴とする請求項１に記載の基板の研磨装置。
  4. 前記洗浄部は、前記基板を乾燥させる前に、前記基板を回転させながら前記基板に超音波で加振された純水を供給することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板の研磨装置。
  5. 前記エッチング液としてフッ酸を含む酸性水溶液を用いることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の基板の研磨装置。
  6. 基板と研磨工具との間に砥液を供給しつつ両者を相対摺動させて化学機械研磨を行なう第１の研磨工程と、
    前記化学機械研磨工程の後に第１の研磨工程に比べて研磨効率の低い状態で行なう第２の研磨工程と、
    前記基板を回転洗浄部に運び、ここで基板に洗浄液を供給しつつ基板をスクラブ洗浄して基板に付着するパーティクルを除去し、さらにエッチング液を供給して基板上の金属イオンを除去する回転洗浄工程と、
    前記基板を乾燥させる乾燥工程とを行なうことを特徴とする基板の研磨方法。
  7. 基板を研磨面に押し付けて研磨することでパーティクルが残留する被研磨面を形成する研磨工程と、
    洗浄部で前記被研磨面のスクラブ洗浄を行って該被研磨面からパーティクルを除去し、さらにエッチング液を供給して基板上の金属イオンを除去する洗浄工程と、
    前記基板を乾燥させる乾燥工程とを行うことを特徴とする基板の研磨方法。
  8. 前記エッチング液としてフッ酸を含む酸性水溶液を用いることを特徴とする請求項６または７に記載の基板の研磨方法。
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