JP2001033978A - Fine pattern forming method - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は微細パターン形成方
法に関し、例えば光ディスクのマスタリング技術におけ
る微細パターンを形成する方法に関する。The present invention relates to a method of forming a fine pattern, for example, a method of forming a fine pattern in an optical disk mastering technique.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の光ディスク原盤の作製方法は、所
定の膜厚に形成されたポジフォトレジストを、露光レー
ザ波長の集光限界までに集光したレーザスポットで露光
を行う。このときのスポット径Ｒは、（1）式のように
なる。2. Description of the Related Art In a conventional method for manufacturing an optical disk master, a positive photoresist formed to a predetermined film thickness is exposed to a laser spot condensed to a converging limit of an exposure laser wavelength. The spot diameter R at this time is as shown in equation (1).
【０００３】 Ｒ＝０．６１×λ／ＮＡ （1） λ：露光レーザ波長 ＮＡ：対物レンズの開口数R = 0.61 × λ / NA (1) λ: exposure laser wavelength NA: numerical aperture of objective lens
【０００４】例えば、現在のＤＶＤ等のような高密度の
光ディスクの原盤作製においては、波長が３５０〜４５
０ｎｍのレーザおよびＮＡが０．９の対物レンズを使用
してパターンを形成している。このときのスポット径
は、（1）式より０．２４〜０．３μｍ程度になる。Ｄ
ＶＤのトラックピッチは０．７４μｍでパターン（ピッ
トあるいはグルーブ）幅が０．２〜０．３μｍ程度であ
るので、スポット径で形成できる限界のパターンを形成
していると言える。For example, in the production of a master of a high-density optical disk such as a current DVD, a wavelength of 350 to 45 is used.
The pattern is formed using a 0 nm laser and an objective lens with an NA of 0.9. The spot diameter at this time is about 0.24 to 0.3 μm according to equation (1). D
Since the track pitch of the VD is 0.74 μm and the pattern (pit or groove) width is about 0.2 to 0.3 μm, it can be said that the limit pattern that can be formed by the spot diameter is formed.
【０００５】ところで、ＤＶＤよりも更に高密度の光デ
ィスクの原盤作製においては、上記の波長のレーザより
も短波長のレーザにして、スポット径を更に小さくする
必要がある。例えば、パターン幅が０．１〜０．２μｍ
になるために必要なレーザの波長は、ＮＡを０．９とす
ると１４８〜２９５ｎｍになる。しかし、このような波
長のレーザは人間の目で見ることができないので、光学
系の組み付け及び調整が不可能である。従って、パター
ン幅０．１〜０．２μｍを形成するためには、露光波長
を短波長にすることのみでは現実的に不可能である。In the production of a master for an optical disk having a higher density than that of a DVD, it is necessary to use a laser having a shorter wavelength than the laser having the above-mentioned wavelength to further reduce the spot diameter. For example, when the pattern width is 0.1 to 0.2 μm
Becomes 148 to 295 nm when NA is 0.9. However, lasers of such wavelengths cannot be seen by the human eye, so that assembly and adjustment of the optical system is impossible. Therefore, in order to form a pattern width of 0.1 to 0.2 μm, it is practically impossible only by shortening the exposure wavelength.
【０００６】このような問題を解決するため、特開平９
−１７０４３号公報や特開平９−１０６５８４号公報に
は、基盤上に非感光あるいは被エッチング材からなる
層、中間層、ポジフォトレジストの順に積層し、ポジフ
ォトレジストをマスクとして非感光あるいは被エッチン
グ材からなる層に露光スポット径よりも小さいパターン
を形成する方法が提案されている。To solve such a problem, Japanese Patent Laid-Open No.
JP-A-17043 and JP-A-9-106584 disclose a method in which a non-photosensitive or etched material layer, an intermediate layer, and a positive photoresist are laminated on a substrate in this order, and the non-photosensitive or etched A method for forming a pattern smaller than the exposure spot diameter on a layer made of a material has been proposed.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の従来例に開示されている非感光あるいは被エッチング
材からなる層のエッチング方法は、ドライエッチングで
あるために複雑で高価な装置を必要とし、簡便で低コス
トで行うことができない。However, the method of etching a layer made of a non-photosensitive material or a material to be etched disclosed in these conventional examples requires a complicated and expensive apparatus due to dry etching, and is simple and easy. Cannot be performed at low cost.
【０００８】本発明はこの問題点を解決するためのもの
であり、光ディスク原盤の作製方法に限らず、露光レー
ザの集光限界のスポット径よりも小さいパターン幅を形
成し、かつドライエッチングを必要としない微細パター
ンを形成する方法を提供することを目的とする。The present invention is intended to solve this problem. The present invention is not limited to a method for manufacturing an optical disk master, and requires a pattern width smaller than the spot diameter at the converging limit of an exposure laser and requires dry etching. It is an object of the present invention to provide a method of forming a fine pattern that does not require the above.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】前記問題点を解決するた
めに、本発明に係る微細パターン形成方法は、下記の５
つの工程から成る。第１の工程では、基盤上に、ネガフ
ォトレジスト、中間層、ポジフォトレジストの順に積層
する。第２の工程では、記録情報となる微細パターンに
応じてポジフォトレジストを露光してポジフォトレジス
トの現像を行う。第３の工程では、ポジフォトレジスト
をマスクとして中間層のエッチングを行う。次に第４の
工程では、ポジフォトレジスト及び中間層をマスクとし
てネガフォトレジストのエッチングを行う。最後に、第
５の工程では、ネガフォトレジスト及びポジフォトレジ
ストの全領域を露光してポジフォトレジストの現像を行
う。このような各工程からなる本発明によれば、ポジフ
ォトレジスト及び中間層をマスクとしてネガフォトレジ
ストのエッチングを行うことにより、ポジフォトレジス
ト及び中間層をマスクとしているのでポジフォトレジス
トの側面の傾斜角度よりも大きい傾斜角度のパターンを
ネガフォトレジストに形成できる。従って、露光レーザ
の集光限界のスポット径よりも小さい微細パターンを形
成可能になる。In order to solve the above problems, a method for forming a fine pattern according to the present invention comprises the following 5 steps.
It consists of two steps. In the first step, a negative photoresist, an intermediate layer, and a positive photoresist are sequentially laminated on a substrate. In the second step, the positive photoresist is exposed according to the fine pattern to be the recording information, and the positive photoresist is developed. In the third step, the intermediate layer is etched using the positive photoresist as a mask. Next, in a fourth step, the negative photoresist is etched using the positive photoresist and the intermediate layer as a mask. Finally, in a fifth step, the entire area of the negative photoresist and the positive photoresist is exposed to develop the positive photoresist. According to the present invention including the above steps, the negative photoresist is etched using the positive photoresist and the intermediate layer as a mask, so that the side surface of the positive photoresist is inclined because the positive photoresist and the intermediate layer are used as a mask. A pattern having an inclination angle larger than the angle can be formed on the negative photoresist. Therefore, it is possible to form a fine pattern smaller than the spot diameter at the converging limit of the exposure laser.
【００１０】また、ネガフォトレジスト及びポジフォト
レジストの現像液がアルカリ性水溶液であることによ
り、装置コストの低減や現像液の種類を減らすことがで
きる。Further, since the developing solution for the negative photoresist and the positive photoresist is an alkaline aqueous solution, the cost of the apparatus can be reduced and the type of the developing solution can be reduced.
【００１１】更に、ネガフォトレジストとポジフォトレ
ジストの各記録感度や中間層の膜厚を変えることによ
り、微細パターンの幅を調整できる。Further, the width of the fine pattern can be adjusted by changing the recording sensitivity of the negative photoresist and the positive photoresist and the thickness of the intermediate layer.
【００１２】また、中間層の材質が酸化金属膜からなる
ことにより、ネガフォトレジスト上にポジフォトレジス
トを積層すると同時に、中間層が光を透過しネガフォト
レジストへの露光が可能になる。In addition, since the material of the intermediate layer is a metal oxide film, the positive photoresist is laminated on the negative photoresist, and at the same time, the light is transmitted through the intermediate layer and the negative photoresist can be exposed.
【００１３】更に、中間層の材質が水溶性樹脂であるの
で、ネガフォトレジスト上にポジフォトレジストを積層
すると同時に、中間層が光を透過しネガフォトレジスト
への露光が可能になると共に、ポジフォトレジストの現
像液と中間層のエッチング液を兼用することができるの
で、低コストになる。Further, since the material of the intermediate layer is a water-soluble resin, a positive photoresist is laminated on the negative photoresist, and at the same time, the intermediate layer transmits light to allow exposure of the negative photoresist. Since the developing solution for the photoresist and the etching solution for the intermediate layer can be used together, the cost is reduced.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】本発明の微細パターン形成方法
は、基盤上に、ネガフォトレジスト、中間層、ポジフォ
トレジストの順に積層する第１の工程と、記録情報とな
る微細パターンに応じてポジフォトレジストを露光して
ポジフォトレジストの現像を行う第２の工程と、ポジフ
ォトレジストをマスクとして中間層のエッチングを行う
第３の工程と、ポジフォトレジスト及び中間層をマスク
としてネガフォトレジストのエッチングを行う第４の工
程と、ネガフォトレジスト及びポジフォトレジストの全
領域を露光してポジフォトレジストの現像を行う第５の
工程とを有する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The method for forming a fine pattern according to the present invention comprises a first step of laminating a negative photoresist, an intermediate layer and a positive photoresist on a substrate in this order; A second step of exposing the photoresist to develop the positive photoresist, a third step of etching the intermediate layer using the positive photoresist as a mask, and a step of etching the negative photoresist using the positive photoresist and the intermediate layer as a mask. The method includes a fourth step of performing etching and a fifth step of exposing the entire region of the negative photoresist and the positive photoresist to develop the positive photoresist.
【００１５】[0015]
【実施例】図１は本発明の一実施例に係る微細パターン
形成方法の形成工程を示す図である。同図の（ａ）にお
いて、ガラスの基盤１１上には、ネガフォトレジスト１
２、中間層１３、ポジフォトレジスト１４が順に積層さ
れる。中間層１３はネガフォトレジスト１２上にポジフ
ォトレジスト１４を積層するときにミキシングを防止す
るために必要な層である。そして、このフォトレジスト
盤にポジフォトレジスト１４の方向から、図示していな
い対物レンズで集光されたレーザビーム１５が記録情報
となる微細パターンに応じて照射される（図中粗網目で
表示）。このとき、レーザビーム１５の強度が大きすぎ
ると、ネガフォトレジスト１２にも潜像を形成してしま
い、ネガフォトレジスト１２にパターンを形成すること
が不可能になる。露光後、同図の（ｂ）に示すようにポ
ジフォトレジスト１４の現像が行われ、記録情報となる
微細パターンに相当する開口部が形成される。そして、
同図の（ｃ）に示すようにポジフォトレジスト１４をマ
スクとして、中間層１３のエッチングが行われる。更
に、同図の（ｄ）に示すように、ポジフォトレジスト１
４及び中間層１３をマスクとして、ネガフォトレジスト
１２のエッチングを行う。ここで、従来技術と比較する
と、ネガフォトレジスト１２のエッチングはウェット処
理で行えるため、従来例で用いたドライエッチングに対
し装置コストが小さいし、プロセス自体も非常に簡単で
ある。また、ポジフォトレジスト１４をマスクとしてい
るので、ポジフォトレジスト１４の側面の傾斜角度より
も大きい傾斜角度のパターンをネガフォトレジスト１２
に形成できる。従って、露光レーザの集光限界のスポッ
ト径よりも小さいパターンを形成可能になる。次に、同
図の（ｅ）に示すように、フォトレジストの全面に光１
６を照射し、ネガフォトレジスト１２およびポジフォト
レジスト１４の全体に潜像（図中ネガフォトレジスト１
２は細網目で表示）を形成する。これにより、選択的に
ポジフォトレジスト１４のみを現像液で除去することが
できる。ネガフォトレジスト１２の種類によっては、こ
の全面露光の後にＰＥＢ（：Post Exposure Bake）を必
要とするものもある。最後に、同図の（ｆ）に示すよう
にポジフォトレジスト１４を現像により全て除去する。
必要によっては、中間層１３をエッチングし、ネガフォ
トレジスト１２を最表面にすることも可能である。FIG. 1 is a view showing a forming process of a fine pattern forming method according to one embodiment of the present invention. In FIG. 1A, a negative photoresist 1 is placed on a glass substrate 11.
2, an intermediate layer 13, and a positive photoresist 14 are sequentially laminated. The intermediate layer 13 is a layer necessary for preventing mixing when the positive photoresist 14 is laminated on the negative photoresist 12. Then, a laser beam 15 condensed by an objective lens (not shown) is irradiated onto the photoresist disk from the direction of the positive photoresist 14 in accordance with a fine pattern serving as recording information (indicated by a coarse mesh in the figure). . At this time, if the intensity of the laser beam 15 is too high, a latent image is also formed on the negative photoresist 12 and it becomes impossible to form a pattern on the negative photoresist 12. After the exposure, the positive photoresist 14 is developed as shown in FIG. 2B, and an opening corresponding to a fine pattern to be recorded information is formed. And
As shown in FIG. 3C, the intermediate layer 13 is etched using the positive photoresist 14 as a mask. Further, as shown in FIG.
Using the mask 4 and the intermediate layer 13 as a mask, the negative photoresist 12 is etched. Here, as compared with the prior art, since the etching of the negative photoresist 12 can be performed by wet processing, the apparatus cost is smaller than the dry etching used in the conventional example, and the process itself is very simple. Further, since the positive photoresist 14 is used as a mask, a pattern having an inclination angle larger than the inclination angle of the side surface of the positive photoresist 14 is formed.
Can be formed. Therefore, it is possible to form a pattern smaller than the spot diameter of the exposure laser at the focusing limit. Next, as shown in (e) of FIG.
6 and irradiate the latent image (the negative photoresist 1 in the figure) on the entire negative photoresist 12 and the positive photoresist 14.
2 is indicated by a fine mesh). Thereby, only the positive photoresist 14 can be selectively removed by the developer. Some types of the negative photoresist 12 require PEB (Post Exposure Bake) after this entire exposure. Finally, the positive photoresist 14 is entirely removed by development as shown in FIG.
If necessary, the intermediate layer 13 can be etched to make the negative photoresist 12 the outermost surface.
【００１６】また、ネガフォトレジスト１２とポジフォ
トレジスト１４の現像液を共通にし、更にアルカリ水溶
液にしているので、装置コストの低減や、現像液の種類
を減らすことができる。具体例として、後述する実験例
３，４，５に示すように、ネガフォトレジスト１２にノ
ボラック樹脂系ネガフォトレジストを使用して、現像液
を共通にしている。Further, since the developing solution for the negative photoresist 12 and the positive photoresist 14 is made common and the alkaline aqueous solution is used, the cost of the apparatus can be reduced and the type of developing solution can be reduced. As a specific example, as shown in Experimental Examples 3, 4, and 5, which will be described later, a novolak resin-based negative photoresist is used for the negative photoresist 12, and a common developer is used.
【００１７】更に、ネガフォトレジスト１２とポジフォ
トレジスト１４の感度の差を調整して、必要とするパタ
ーン幅を形成している。後述する実験例５では、高感度
のポジフォトレジスト１４を使用しているので、小さい
レーザ強度でポジフォトレジスト１４に十分に大きいマ
スクパターンを形成できるので、ネガフォトレジスト１
２を露光することがない。このとき形成できるパターン
幅は、０．１５〜０．３５μｍである。しかし、ネガフ
ォトレジスト１２に０．１５μｍより細いパターンを形
成するには、非常に小さいレーザ強度を制御するため高
精度な制御が必要になるが、実際は制御することが難し
い。そのため、実験例５の構成で０．１５μｍより細い
パターンを形成することは難しい。後述する実験例４で
は、ポジフォトレジスト１４に中感度のポジフォトレジ
ストを使用して、実験例５よりも細い０．１０〜０．２
０μｍのパターンを形成している。比較例１では、ポジ
フォトレジスト１４に低感度のポジフォトレジストを使
用して、更に細いパターンの形成を試みている。しかし
ながら、低感度のポジフォトレジストのため、パターン
を形成するレーザ強度が大きく、ネガフォトレジスト１
２も露光してしまう。そのため、ネガフォトレジスト１
２をエッチングすることができず、パターンを形成する
ことができない。このように、ネガフォトレジスト１２
とポジフォトレジスト１４の感度の差により形成できる
パターンの幅が異なる。逆に感度の差を利用して、必要
とするパターン幅を形成することができる。Further, the required pattern width is formed by adjusting the difference in sensitivity between the negative photoresist 12 and the positive photoresist 14. In Experimental Example 5 to be described later, since a highly sensitive positive photoresist 14 is used, a sufficiently large mask pattern can be formed on the positive photoresist 14 with a small laser intensity.
2 is not exposed. The pattern width that can be formed at this time is 0.15 to 0.35 μm. However, in order to form a pattern thinner than 0.15 μm on the negative photoresist 12, high-precision control is required to control a very small laser intensity, but it is actually difficult to control. Therefore, it is difficult to form a pattern thinner than 0.15 μm with the configuration of Experimental Example 5. In Experimental Example 4 to be described later, a medium-sensitivity positive photoresist is used as the positive photoresist 14, and 0.10 to 0.2 finer than Experimental Example 5 is used.
A pattern of 0 μm is formed. In Comparative Example 1, an attempt was made to form a thinner pattern by using a low-sensitivity positive photoresist as the positive photoresist 14. However, because of the low sensitivity of the positive photoresist, the laser intensity for forming the pattern is high, and the negative photoresist 1
2 is also exposed. Therefore, negative photoresist 1
2 cannot be etched and a pattern cannot be formed. Thus, the negative photoresist 12
The width of the pattern that can be formed is different due to the difference in sensitivity between the positive and negative photoresists 14. Conversely, the required pattern width can be formed using the difference in sensitivity.
【００１８】また、中間層１３の膜厚を調整して必要と
するパターン幅を形成している。前述のように比較例１
では、ネガフォトレジスト１２を露光してしまうため、
パターンを形成できない。ところが、実験例３のように
中間層１３のＩｎ２０３膜厚を２００Åにし、中間層１
３を透過するレーザ強度を少なくするとネガフォトレジ
スト１２の露光を防ぐことができる。比較例２と実験例
２でも同じことが言える。比較例２ではＰＶＡ膜厚が２
００Åだが、実験例２では５００Åである。この膜厚差
により、比較例２ではネガフォトレジスト１２を露光し
てしまうが、実験例２では露光することがない。このよ
うに、中間層１３の膜厚を調整することにより、必要と
するパターン幅を形成することができる。The required pattern width is formed by adjusting the thickness of the intermediate layer 13. Comparative Example 1 as described above
Then, since the negative photoresist 12 is exposed,
Pattern cannot be formed. However, as in Experimental Example 3, the In203 film thickness of the intermediate
By reducing the intensity of the laser beam passing through 3, the exposure of the negative photoresist 12 can be prevented. The same can be said for Comparative Example 2 and Experimental Example 2. In Comparative Example 2, the PVA film thickness was 2
Although it is 00 °, in Experimental Example 2, it is 500 °. Due to this difference in film thickness, the negative photoresist 12 is exposed in Comparative Example 2, but is not exposed in Experimental Example 2. By adjusting the thickness of the intermediate layer 13 in this manner, a required pattern width can be formed.
【００１９】更に、中間層１３に酸化金属膜を使用して
いる。例えば、中間層１３が酸化金属膜と同様なスパッ
タによる金属膜の場合、ネガフォトレジスト１２上にポ
ジフォトレジスト形成するときミキシングを防止するこ
とはできるが、金属膜はレーザをほとんど反射させ、透
過はほとんどない。従って、ネガフォトレジスト１２を
露光することができず、本実施例のような中間層１３に
は適していない。酸化金属膜はレーザをある程度透過す
るので、本実施例のような中間層に適している。具体例
として、実験例１，３，４，５では中間層１３にＩｎ２
０３を使用している。Further, a metal oxide film is used for the intermediate layer 13. For example, when the intermediate layer 13 is a metal film formed by sputtering similar to a metal oxide film, mixing can be prevented when a positive photoresist is formed on the negative photoresist 12, but the metal film almost reflects the laser and transmits light. Almost no. Therefore, the negative photoresist 12 cannot be exposed, and is not suitable for the intermediate layer 13 as in this embodiment. Since the metal oxide film transmits the laser to some extent, it is suitable for the intermediate layer as in this embodiment. As a specific example, in Experimental Examples 1, 3, 4, and 5, the intermediate layer 13 has In2
03 is used.
【００２０】また、中間層１３に水溶性樹脂を使用して
いる。水溶性樹脂なのでネガフォトレジスト１２上に形
成するとき、ネガフォトレジスト１２を溶かすことがな
く、ポジフォトレジスト１４とネガフォトレジスト１２
を分離することができる。水溶性樹脂ではないスチレン
樹脂やアクリル樹脂の場合は、樹脂を積層するときネガ
フォトレジスト１２を溶かしてしまうので、中間層１３
に適さない。また、上述の酸化金属膜と異なり、水溶液
であればすべてエッチング液として使用できる。ポジフ
ォトレジスト１４の現像液はアルカリ水溶液なので、水
溶性樹脂のエッチング液にも使用できる。従って、ポジ
フォトレジスト１４の現像と中間層１３のエッチングを
兼用することができ、専用のエッチング液を必要としな
いので低コストが期待できる。具体例として、実験例
２，６では中間層にＰＶＡを使用している。Further, a water-soluble resin is used for the intermediate layer 13. Since the negative photoresist 12 is formed on the negative photoresist 12 because it is a water-soluble resin, the positive photoresist 14 and the negative photoresist 12 do not dissolve.
Can be separated. In the case of a styrene resin or an acrylic resin that is not a water-soluble resin, the negative photoresist 12 is melted when laminating the resin, so that the intermediate layer 13 is used.
Not suitable for Unlike the above-described metal oxide film, any aqueous solution can be used as an etching solution. Since the developing solution for the positive photoresist 14 is an alkaline aqueous solution, it can be used as an etching solution for a water-soluble resin. Therefore, the development of the positive photoresist 14 and the etching of the intermediate layer 13 can be used at the same time, and a low cost can be expected since a dedicated etching solution is not required. As a specific example, in Experimental Examples 2 and 6, PVA is used for the intermediate layer.
【００２１】更に、上述した本実施例による微細パター
ン形成方法で光ディスク原盤を作製し、その原盤のパタ
ーン形状を規定している。トラックピッチが０．２〜
０．５μｍ、グルーブあるいはピットの半値幅が０．１
〜０．２μｍの光ディスク原盤により得られる光ディス
クにおいて、現在のＤＶＤよりも高密度でありながら、
安定したトラッキング，および正確な再生信号が得られ
る。望ましくは、トラックピッチが０．３〜０．４μ
ｍ、グルーブあるいはピットの半値幅が０．１〜０．１
５μｍだと更に良いトラッキングおよび正確な再生信号
が得られる。Further, an optical disk master is manufactured by the above-described fine pattern forming method according to the present embodiment, and the pattern shape of the master is defined. Track pitch 0.2 ~
0.5 μm, groove or pit half width is 0.1
An optical disk obtained from an optical disk master of up to 0.2 μm has a higher density than the current DVD,
Stable tracking and an accurate reproduction signal can be obtained. Preferably, the track pitch is 0.3 to 0.4 μm
m, groove or pit half width is 0.1 to 0.1
If it is 5 μm, better tracking and an accurate reproduction signal can be obtained.
【００２２】後述する実験例１〜６で使用されているネ
ガフォトレジスト、中間層、ポジフォトレジストはあく
までも一例であり、記載されている材料に限定されな
い。特に中間層は、Ｉｎ２０３の他にＳｉＯ2などの酸
化金属膜、ＰＶＡの他にＭＣ（メチルセルロース）など
の水溶性樹脂でも可能である。また、ノボラック樹脂系
ネガフォトレジストのＰＥＢや、最後にＩｎ２０３のエ
ッチングを行っているが、本発明の方法に影響すること
はない。The negative photoresist, the intermediate layer, and the positive photoresist used in Experimental Examples 1 to 6 described below are merely examples, and are not limited to the materials described. In particular the intermediate layer, in addition to the metal oxide film such as SiO 2 of In2O3, in addition to MC (methylcellulose) of PVA is also possible in a water-soluble resin such as. In addition, although PEB of a novolak resin-based negative photoresist and, finally, In203 are etched, the method of the present invention is not affected.
【００２３】次に、本発明における実験例と比較例につ
いて図２に従って説明する。Next, an experimental example and a comparative example in the present invention will be described with reference to FIG.
【００２４】〔実験例１〕ガラス基盤上に低感度のゴム
系ネガフォトレジスト、Ｉｎ２０３、低感度のポジフォ
トレジストの順に積層する。中間層のＩｎ２０３の膜厚
は２００Åである。このようなフォトレジスト盤をλ＝
４００〜４６０ｎｍのガスレーザで、線速７〜８ｍ／ｓ
でパターンの露光を行う。このとき、ゴム系ネガフォト
レジストに潜像を形成しないような低パワーのレーザを
照射する。露光後、低感度のポジフォトレジストをアル
カリ現像液で現像、Ｉｎ２０３を硝酸でエッチング、ゴ
ム系ネガフォトレジストをキシレン現像液でエッチング
を行う。この後、フォトレジスト盤の全面に高圧水銀ラ
ンプから得られるｇ線（４３６ｎｍ）あるいはｉ線（３
６５ｎｍ）の光を照射する。これにより、全ての低感度
のポジフォトレジストは現像液に可溶になり、すべての
ゴム系ネガフォトレジストは現像液に不溶になる。この
後、低感度のポジフォトレジストをアルカリ現像液で現
像し、必要ならばＩｎ２０３を硝酸でエッチングする。
このとき得られるパターン幅は、０．１５〜０．３０μ
ｍである。EXPERIMENTAL EXAMPLE 1 A low-sensitivity rubber negative photoresist, In203, and a low-sensitivity positive photoresist are laminated on a glass substrate in this order. The thickness of In203 in the intermediate layer is 200 °. Λ =
400-460nm gas laser, linear velocity 7-8m / s
To expose the pattern. At this time, a low-power laser is applied so as not to form a latent image on the rubber negative photoresist. After the exposure, the low-sensitivity positive photoresist is developed with an alkali developer, In203 is etched with nitric acid, and the rubber-based negative photoresist is etched with a xylene developer. Thereafter, a g-line (436 nm) or an i-line (3 nm) obtained from a high-pressure mercury lamp is applied to the entire surface of the photoresist disk.
(65 nm). This makes all low-sensitivity positive photoresists soluble in the developer and all rubber-based negative photoresists insoluble in the developer. Thereafter, the low-sensitivity positive photoresist is developed with an alkali developer, and if necessary, In203 is etched with nitric acid.
The pattern width obtained at this time is 0.15 to 0.30 μm.
m.
【００２５】〔実験例２〕ガラス基盤上に高感度のゴム
系ネガフォトレジスト、ＰＶＡ（ポリビニルアルコー
ル）、中感度のポジフォトレジストの順に積層する。中
間層のＰＶＡの膜厚は５００Åである。このようなフォ
トレジスト盤をλ＝４００〜４６０ｎｍのガスレーザ
で、線速７〜８ｍ／ｓでパターンの露光を行う。このと
き、ゴム系ネガフォトレジストに潜像を形成しないよう
な低パワーのレーザを照射する。露光後、中感度のポジ
フォトレジストの現像とＰＶＡのエッチングをアルカリ
現像液で行い（ＰＶＡは水溶性樹脂のため、アルカリ性
水溶液のアルカリ現像液に溶解する。）、ゴム系ネガフ
ォトレジストをキシレン現像液でエッチングを行う。こ
の後、フォトレジスト盤の全面に高圧水銀ランプから得
られるｇ線（４３６ｎｍ）あるいはｉ線（３６５ｎｍ）
の光を照射する。これにより、すべての中感度のポジフ
ォトレジストは現像液に可溶になり、すべてのゴム系ネ
ガフォトレジストは現像液に不溶になる。この後、中感
度のポジフォトレジストとＰＶＡをアルカリ現像液（東
京応化製）で現像、エッチングする。このとき得られる
パターン幅は、０．１５〜０．４０μｍである。[Experimental Example 2] A high-sensitivity rubber negative photoresist, PVA (polyvinyl alcohol), and a medium-sensitivity positive photoresist are laminated in this order on a glass substrate. The PVA film thickness of the intermediate layer is 500 °. Such a photoresist disc is exposed to a pattern at a linear velocity of 7 to 8 m / s with a gas laser of λ = 400 to 460 nm. At this time, a low-power laser is applied so as not to form a latent image on the rubber negative photoresist. After the exposure, development of a medium-sensitivity positive photoresist and etching of PVA are performed with an alkali developing solution (PVA is a water-soluble resin and is dissolved in an alkaline developing solution of an alkaline aqueous solution), and the rubber-based negative photoresist is developed with xylene. Perform etching with the liquid. Thereafter, g-line (436 nm) or i-line (365 nm) obtained from a high-pressure mercury lamp is applied to the entire surface of the photoresist disk.
Of light. This makes all the medium-sensitivity positive photoresists soluble in the developer and all rubber negative photoresists insoluble in the developer. Thereafter, the medium-sensitivity positive photoresist and PVA are developed and etched with an alkali developer (manufactured by Tokyo Ohka). The pattern width obtained at this time is 0.15 to 0.40 μm.
【００２６】〔実験例３〕ガラス基盤上にノボラック樹
脂系ネガフォトレジスト、Ｉｎ２０３、低感度のポジフ
ォトレジストの順に積層する。中間層のＩｎ２０３の膜
厚は２００Åである。このようなフォトレジスト盤をλ
＝４００〜４６０ｎｍのガスレーザで、線速７〜８ｍ／
ｓでパターンの露光を行う。このとき、ノボラック樹脂
系ネガフォトレジストに潜像を形成しないような低パワ
ーのレーザを照射する。露光後、低感度のポジフォトレ
ジストをアルカリ現像液で現像、Ｉｎ２０３を硝酸でエ
ッチング、ノボラック樹脂系ネガフォトレジストをアル
カリ現像液でエッチングを行う。この後、フォトレジス
ト盤の全面に高圧水銀ランプから得られるｇ線（４３６
ｎｍ）あるいはｉ線（３６５ｎｍ）の光を照射し、ＰＥ
Ｂ（：Post ExposureBake）を行う。これにより、すべ
ての低感度のポジフォトレジストは現像液に可溶にな
り、すべてのノボラック樹脂系ネガフォトレジストは現
像液に不溶になる。この後、低感度のポジフォトレジス
トをアルカリ現像液で現像し、必要ならばＩｎ２０３を
硝酸でエッチングする。このとき得られるパターン幅
は、０．１０〜０．２５μｍである。[Experimental Example 3] A novolak resin-based negative photoresist, In203, and a low-sensitivity positive photoresist are laminated on a glass substrate in this order. The thickness of In203 in the intermediate layer is 200 °. Such a photoresist disc is λ
= 400-460 nm gas laser, linear velocity 7-8 m /
The pattern is exposed in s. At this time, a low-power laser that does not form a latent image on the novolak resin-based negative photoresist is irradiated. After the exposure, the low-sensitivity positive photoresist is developed with an alkali developer, In203 is etched with nitric acid, and the novolak resin-based negative photoresist is etched with an alkali developer. Thereafter, a g-line (436) obtained from a high-pressure mercury lamp is applied to the entire surface of the photoresist disk.
nm) or i-ray (365 nm) light,
B (: Post ExposureBake) is performed. As a result, all the low-sensitivity positive photoresist becomes soluble in the developing solution, and all the novolak resin-based negative photoresist becomes insoluble in the developing solution. Thereafter, the low-sensitivity positive photoresist is developed with an alkali developer, and if necessary, In203 is etched with nitric acid. The pattern width obtained at this time is 0.10 to 0.25 μm.
【００２７】〔実験例４〕ガラス基盤上にノボラック樹
脂系ネガフォトレジスト、Ｉｎ２０３、中感度のポジフ
ォトレジストの順に積層する。中間層のＩｎ２０３の膜
厚は１００Åである。このようなフォトレジスト盤をλ
＝４００〜４６０ｎｍのガスレーザで、線速７〜８ｍ／
ｓでパターンの露光を行う。このとき、ノボラック樹脂
系ネガフォトレジストに潜像を形成しないような低パワ
ーのレーザを照射する。露光後、中感度のポジフォトレ
ジストをアルカリ現像液で現像、Ｉｎ２０３を硝酸でエ
ッチング、ノボラック樹脂系ネガフォトレジストをアル
カリ現像液でエッチングを行う。この後、フォトレジス
ト盤の全面に高圧水銀ランプから得られるｇ線（４３６
ｎｍ）あるいはｉ線（３６５ｎｍ）の光を照射し、ＰＥ
Ｂを行う。これにより、すべての中感度のポジフォトレ
ジストは現像液に可溶になり、すべてのノボラック樹脂
系ネガフォトレジストは現像液に不溶になる。この後、
中感度のポジフォトレジストをアルカリ現像液で現像
し、必要ならばＩｎ２０３を硝酸でエッチングする。こ
のとき得られるパターン幅は、０．１０〜０．２０μｍ
である。[Experimental Example 4] A novolak resin-based negative photoresist, In203, and a medium-sensitivity positive photoresist are laminated on a glass substrate in this order. The film thickness of In203 in the intermediate layer is 100 °. Such a photoresist disc is λ
= 400-460 nm gas laser, linear velocity 7-8 m /
The pattern is exposed in s. At this time, a low-power laser that does not form a latent image on the novolak resin-based negative photoresist is irradiated. After the exposure, the medium-sensitivity positive photoresist is developed with an alkali developer, In203 is etched with nitric acid, and the novolak resin-based negative photoresist is etched with an alkali developer. Thereafter, a g-line (436) obtained from a high-pressure mercury lamp is applied to the entire surface of the photoresist disk.
nm) or i-ray (365 nm) light,
Perform B. Thereby, all the medium-sensitivity positive photoresists become soluble in the developing solution, and all novolak resin-based negative photoresists become insoluble in the developing solution. After this,
The medium-sensitivity positive photoresist is developed with an alkaline developer, and if necessary, In203 is etched with nitric acid. The pattern width obtained at this time is 0.10 to 0.20 μm
It is.
【００２８】〔実験例５〕ガラス基盤上にノボラック樹
脂系ネガフォトレジスト、Ｉｎ２０３、高感度のポジフ
ォトレジストの順に積層する。中間層のＩｎ２０３の膜
厚は１００Åである。このようなフォトレジスト盤をλ
＝４００〜４６０ｎｍのガスレーザで、線速７〜８ｍ／
ｓでパターンの露光を行う。このとき、ノボラック樹脂
系ネガフォトレジストに潜像を形成しないような低パワ
ーのレーザを照射する。露光後、高感度のポジフォトレ
ジストをアルカリ現像液で現像、Ｉｎ２０３を硝酸でエ
ッチング、ノボラック樹脂系ネガフォトレジストをアル
カリ現像液でエッチングを行う。この後、フォトレジス
ト盤の全面に高圧水銀ランプから得られるｇ線（４３６
ｎｍ）あるいはｉ線（３６５ｎｍ）の光を照射し、ＰＥ
Ｂを行う。これにより、すべての高感度のポジフォトレ
ジストは現像液に可溶になり、すべてのノボラック樹脂
系ネガフォトレジストは現像液に不溶になる。この後、
高感度のポジフォトレジストをアルカリ現像液で現像
し、必要ならばＩｎ２０３を硝酸でエッチングする。こ
のとき得られるパターン幅は、０．１５〜０．３５μｍ
である。[Experimental Example 5] A novolak resin-based negative photoresist, In203, and a high-sensitivity positive photoresist are laminated on a glass substrate in this order. The film thickness of In203 in the intermediate layer is 100 °. Such a photoresist disc is λ
= 400-460 nm gas laser, linear velocity 7-8 m /
The pattern is exposed in s. At this time, a low-power laser that does not form a latent image on the novolak resin-based negative photoresist is irradiated. After the exposure, the highly sensitive positive photoresist is developed with an alkali developer, In203 is etched with nitric acid, and the novolak resin-based negative photoresist is etched with an alkali developer. Thereafter, a g-line (436) obtained from a high-pressure mercury lamp is applied to the entire surface of the photoresist disk.
nm) or i-ray (365 nm) light,
Perform B. As a result, all high-sensitivity positive photoresists become soluble in the developing solution, and all novolak resin-based negative photoresists become insoluble in the developing solution. After this,
The highly sensitive positive photoresist is developed with an alkaline developer, and if necessary, In203 is etched with nitric acid. The pattern width obtained at this time is 0.15 to 0.35 μm
It is.
【００２９】〔実験例６〕ガラス基盤上に高感度のゴム
系ネガフォトレジスト、ＰＶＡ（ポリビニルアルコー
ル）、高感度のポジフォトレジストの順に積層する。中
間層のＰＶＡの膜厚は200Åである。このようなフォト
レジスト盤をλ＝４００〜４６０ｎｍのガスレーザで、
線速７〜８ｍ／ｓでパターンの露光を行う。このとき、
ゴム系ネガフォトレジストに潜像を形成しないような低
パワーのレーザを照射する。露光後、高感度のポジフォ
トレジストの現像とＰＶＡのエッチングをアルカリ現像
液で行い（ＰＶＡは水溶性樹脂のため、アルカリ性水溶
液のアルカリ現像液に溶解する）、ゴム系ネガフォトレ
ジストをキシレン現像液でエッチングを行う。この後、
フォトレジスト盤の全面に高圧水銀ランプから得られる
ｇ線（４３６ｎｍ）あるいはｉ線（３６５ｎｍ）の光を
照射する。これにより、すべての高感度のポジフォトレ
ジストは現像液に可溶になり、すべてのゴム系ネガフォ
トレジストは現像液に不溶になる。この後、高感度のポ
ジフォトレジストとＰＶＡをアルカリ現像液で現像、エ
ッチングする。このとき得られるパターン幅は、０．１
５〜０．３５μｍである。[Experimental Example 6] A high-sensitivity rubber negative photoresist, PVA (polyvinyl alcohol), and a high-sensitivity positive photoresist are laminated on a glass substrate in this order. The PVA film thickness of the intermediate layer is 200 °. Such a photoresist disk is irradiated with a gas laser of λ = 400 to 460 nm,
The pattern is exposed at a linear velocity of 7 to 8 m / s. At this time,
A low-power laser is applied to the rubber negative photoresist so as not to form a latent image. After exposure, high-sensitivity positive photoresist development and PVA etching are performed with an alkali developing solution (PVA is a water-soluble resin and is dissolved in an alkaline developing solution of an alkaline aqueous solution). Perform etching. After this,
The entire surface of the photoresist disk is irradiated with g-line (436 nm) or i-line (365 nm) light obtained from a high-pressure mercury lamp. This makes all high sensitivity positive photoresists soluble in the developer and all rubber negative photoresists insoluble in the developer. Thereafter, the high-sensitivity positive photoresist and PVA are developed and etched with an alkaline developer. The pattern width obtained at this time is 0.1
5 to 0.35 μm.
【００３０】〔比較例１〕ガラス基盤上にノボラック樹
脂系ネガフォトレジスト、Ｉｎ２０３、低感度のポジフ
ォトレジストの順に積層する。中間層のＩｎ２０３の膜
厚は１００Åである。このようなフォトレジスト盤をλ
＝４００〜４６０ｎｍのガスレーザで、線速７〜８ｍ／
ｓでパターンの露光を行う。このフォトレジスト盤は、
Ｉｎ２０３膜厚が上記実験例３よりも薄いため、ガスレ
ーザを透過しやすい。従って、ノボラック樹脂系ネガフ
ォトレジストに潜像を形成しないような低パワーのレー
ザを照射すると、低感度のポジフォトレジストにＩｎ２
０３界面まで潜像を形成することができず、Ｉｎ２０３
やノボラック樹脂系ネガフォトレジストをエッチングす
ることができない。逆に、低感度のポジフォトレジスト
をＩｎ２０３界面まで潜像を形成するようなレーザ強度
だと、ノボラック樹脂系ネガフォトレジストに潜像を形
成してしまい、ノボラック樹脂系ネガフォトレジストが
アルカリ現像液に不溶になりエッチングすることができ
ない。Comparative Example 1 A novolak resin-based negative photoresist, In203, and a low-sensitivity positive photoresist are laminated in this order on a glass substrate. The film thickness of In203 in the intermediate layer is 100 °. Such a photoresist disc is λ
= 400-460 nm gas laser, linear velocity 7-8 m /
The pattern is exposed in s. This photoresist board,
Since the In 203 film thickness is smaller than that of the above-described Experimental Example 3, it is easy to transmit a gas laser. Therefore, when a low-power laser that does not form a latent image on the novolak resin-based negative photoresist is irradiated, In2
03, a latent image could not be formed up to the interface.
And novolak resin-based negative photoresist cannot be etched. Conversely, if the laser intensity of the low-sensitivity positive photoresist is such that a latent image is formed up to the In203 interface, a latent image is formed on the novolak resin-based negative photoresist, and the novolak resin-based negative photoresist becomes an alkaline developer. And cannot be etched.
【００３１】〔比較例２〕ガラス基盤上に高感度のゴム
系ネガフォトレジスト、ＰＶＡ、中感度のポジフォトレ
ジストの順に積層する。中間層のＰＶＡの膜厚２００Å
である。このようなフォトレジスト盤をλ＝４００〜４
６０ｎｍのガスレーザで、線速７〜８ｍ／ｓでパターン
の露光を行う。このフォトレジスト盤は、ＰＶＡ膜厚が
実施例2よりも薄いため、ガスレーザを透過しやすい。
従って、ゴム系ネガフォトレジストに潜像を形成しない
ような低パワーのレーザを照射すると、中感度のポジフ
ォトレジストにＰＶＡ界面まで潜像を形成することがで
きず、ＰＶＡやゴム系ネガフォトレジストをエッチング
することができない。逆に、中感度のポジフォトレジス
トをＰＶＡ界面まで潜像を形成するようなレーザ強度だ
と、ゴム系ネガフォトレジストに潜像を形成してしま
い、ゴム系ネガフォトレジストがキシレン現像液に不溶
になりエッチングすることができない。Comparative Example 2 A high-sensitivity rubber negative photoresist, PVA, and a medium-sensitivity positive photoresist are laminated on a glass substrate in this order. Intermediate layer PVA film thickness 200Å
It is. Λ = 400 to 4
The pattern is exposed with a 60 nm gas laser at a linear speed of 7 to 8 m / s. Since the PVA film thickness of this photoresist disk is smaller than that of the second embodiment, the photoresist disk easily transmits a gas laser.
Therefore, if a low-power laser is applied so that a latent image is not formed on the rubber-based negative photoresist, a latent image cannot be formed on the medium-sensitivity positive photoresist up to the PVA interface, and the PVA or rubber-based negative photoresist cannot be formed. Cannot be etched. Conversely, if the laser intensity is such that a medium-sensitivity positive photoresist forms a latent image up to the PVA interface, a latent image is formed on the rubber-based negative photoresist, and the rubber-based negative photoresist becomes insoluble in the xylene developer. And cannot be etched.
【００３２】[0032]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る微細
パターン形成方法は、下記の５つの工程から成る。第１
の工程では、基盤上に、ネガフォトレジスト、中間層、
ポジフォトレジストの順に積層する。第２の工程では、
記録情報となる微細パターンに応じてポジフォトレジス
トを露光してポジフォトレジストの現像を行う。第３の
工程では、ポジフォトレジストをマスクとして中間層の
エッチングを行う。次に第４の工程では、ポジフォトレ
ジスト及び中間層をマスクとしてネガフォトレジストの
エッチングを行う。最後に、第５の工程では、ネガフォ
トレジスト及びポジフォトレジストの全領域を露光して
ポジフォトレジストの現像を行う。このような各工程か
らなる本発明によれば、ポジフォトレジスト及び中間層
をマスクとしてネガフォトレジストのエッチングを行う
ことにより、ポジフォトレジスト及び中間層をマスクと
しているのでポジフォトレジストの側面の傾斜角度より
も大きい傾斜角度のパターンをネガフォトレジストに形
成できる。従って、露光レーザの集光限界のスポット径
よりも小さい微細パターンを形成可能になる。As described above, the method for forming a fine pattern according to the present invention comprises the following five steps. First
In the process, a negative photoresist, an intermediate layer,
The layers are laminated in the order of positive photoresist. In the second step,
The positive photoresist is exposed to light in accordance with the fine pattern to be recorded information, and the positive photoresist is developed. In the third step, the intermediate layer is etched using the positive photoresist as a mask. Next, in a fourth step, the negative photoresist is etched using the positive photoresist and the intermediate layer as a mask. Finally, in a fifth step, the entire area of the negative photoresist and the positive photoresist is exposed to develop the positive photoresist. According to the present invention including the above steps, the negative photoresist is etched using the positive photoresist and the intermediate layer as a mask, so that the side surface of the positive photoresist is inclined because the positive photoresist and the intermediate layer are used as a mask. A pattern having an inclination angle larger than the angle can be formed on the negative photoresist. Therefore, it is possible to form a fine pattern smaller than the spot diameter at the converging limit of the exposure laser.
【００３３】また、ネガフォトレジスト及びポジフォト
レジストの現像液がアルカリ性水溶液であることによ
り、装置コストの低減や現像液の種類を減らすことがで
きる。Further, since the developing solution for the negative photoresist and the positive photoresist is an alkaline aqueous solution, the cost of the apparatus can be reduced and the type of the developing solution can be reduced.
【００３４】更に、ネガフォトレジストとポジフォトレ
ジストの各記録感度や中間層の膜厚を変えることによ
り、微細パターンの幅を調整できる。Further, the width of the fine pattern can be adjusted by changing the recording sensitivity of the negative photoresist and the positive photoresist and the thickness of the intermediate layer.
【００３５】また、中間層の材質が酸化金属膜からなる
ことにより、ネガフォトレジスト上にポジフォトレジス
トを積層すると同時に、中間層が光を透過しネガフォト
レジストへの露光が可能になる。Further, since the intermediate layer is made of a metal oxide film, a positive photoresist is laminated on the negative photoresist, and at the same time, the intermediate layer transmits light and the negative photoresist can be exposed.
【００３６】更に、中間層の材質が水溶性樹脂であるの
で、ネガフォトレジスト上にポジフォトレジストを積層
すると同時に、中間層が光を透過しネガフォトレジスト
への露光が可能になると共に、ポジフォトレジストの現
像液と中間層のエッチング液を兼用することができるの
で低コストになる。Further, since the material of the intermediate layer is a water-soluble resin, a positive photoresist is laminated on the negative photoresist, and at the same time, the intermediate layer transmits light to allow exposure of the negative photoresist. The cost can be reduced because the developing solution for the photoresist and the etching solution for the intermediate layer can be used together.
【図１】本発明の一実施例に係る微細パターン形成方法
の形成工程を示す図である。FIG. 1 is a view showing a forming process of a fine pattern forming method according to one embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実験例と比較例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an experimental example and a comparative example of the present invention.
１１：原盤、１２：ネガフォトレジスト、１３：中間
層、１４：ポジフォトレジスト、１５：レーザビーム、
１６：光。11: master, 12: negative photoresist, 13: intermediate layer, 14: positive photoresist, 15: laser beam,
16: Light.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA02 AA03 AB20 AC04 AC08 AD01 AD03 DA13 DA14 FA17 FA30 FA39 FA41 2H096 AA30 BA01 BA09 EA05 GA08 HA11 HA14 HA15 HA30 KA04 KA06 KA15 KA19 5D121 BA03 BB01 BB23 BB28 BB33 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H025 AA02 AA03 AB20 AC04 AC08 AD01 AD03 DA13 DA14 FA17 FA30 FA39 FA41 2H096 AA30 BA01 BA09 EA05 GA08 HA11 HA14 HA15 HA30 KA04 KA06 KA15 KA19 5D121 BA03 BB01 BB23 BB28 BB33
Claims (6)
層、ポジフォトレジストの順に積層する第１の工程と、 記録情報となる微細パターンに応じてポジフォトレジス
トを露光してポジフォトレジストの現像を行う第２の工
程と、 ポジフォトレジストをマスクとして中間層のエッチング
を行う第３の工程と、 ポジフォトレジスト及び中間層をマスクとしてネガフォ
トレジストのエッチングを行う第４の工程と、 ネガフォトレジスト及びポジフォトレジストの全領域を
露光してポジフォトレジストの現像を行う第５の工程
と、 を有することを特徴とする微細パターン形成方法。1. A first step of sequentially laminating a negative photoresist, an intermediate layer and a positive photoresist on a substrate, and exposing the positive photoresist according to a fine pattern to be recorded information to develop the positive photoresist. A third step of etching the intermediate layer using the positive photoresist as a mask, a fourth step of etching the negative photoresist using the positive photoresist and the intermediate layer as a mask, A fifth step of exposing the entire region of the resist and the positive photoresist to develop the positive photoresist, and a method of forming a fine pattern.
ストの現像液がアルカリ性水溶液である請求項１記載の
微細パターン形成方法。2. The method according to claim 1, wherein the developing solution for the negative photoresist and the positive photoresist is an aqueous alkaline solution.
ジストとポジフォトレジストの各記録感度を変える請求
項１記載の微細パターン形成方法。3. The method of forming a fine pattern according to claim 1, wherein each recording sensitivity of the negative photoresist and the positive photoresist is changed according to the width of the fine pattern.
を変える請求項１記載の微細パターン形成方法。4. The method according to claim 1, wherein the thickness of the intermediate layer is changed according to the width of the fine pattern.
４のいずれかに記載の微細パターン形成方法。5. The method according to claim 1, wherein the intermediate layer comprises a metal oxide film.
5. The method for forming a fine pattern according to any one of 4.
４のいずれかに記載の微細パターン形成方法。6. The method according to claim 1, wherein the intermediate layer comprises a water-soluble resin.
5. The method for forming a fine pattern according to any one of 4.
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|---|---|---|---|
| JP11201171A JP2001033978A (en) | 1999-07-15 | 1999-07-15 | Fine pattern forming method |
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|---|---|
| JP (1) | JP2001033978A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007331135A (en) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Konica Minolta Holdings Inc | Electrode forming method and method for manufacturing inkjet head |
| JP2014130671A (en) * | 2012-12-31 | 2014-07-10 | Headway Technologies Inc | Method of manufacturing plasmon generator |
-
1999
- 1999-07-15 JP JP11201171A patent/JP2001033978A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007331135A (en) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Konica Minolta Holdings Inc | Electrode forming method and method for manufacturing inkjet head |
| JP2014130671A (en) * | 2012-12-31 | 2014-07-10 | Headway Technologies Inc | Method of manufacturing plasmon generator |
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