JP2001011289A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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Abstract
封止樹脂と熱膨張係数の差があるリードフレームを用い
る場合においてもリードフレームとの良好な密着性を有
すると共に吸湿リフローのような吸湿加熱時におけるパ
ッケージクラックの発生が抑制された封止樹脂を成形す
ることができるエポキシ樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 エポキシ樹脂成分、硬化剤及び無機充填
材を含有するエポキシ樹脂組成物である。メルカプトプ
ロピルメチルジメトキシシランを含有する。
Description
物及びこのエポキシ樹脂組成物にて封止された半導体装
置に関するものである。
樹脂組成物には、エポキシ樹脂組成物からなる封止樹脂
とリードフレームとの密着性を高める等の目的のために
シランカップリング剤が配合されている。このシランカ
ップリング剤として、従来は主にγ−メルカプトプロピ
ルトリメトキシシランが用いられてきた。
ドフレームとの密着性の向上は未だ不十分であり、更な
る密着性の向上が求められていた。特に封止樹脂と熱膨
脹係数の差がある銅製のリードフレームを用いる場合は
封止樹脂とリードフレームとの剥離が生じやすいもので
あった。
は、吸湿性が低く、半導体装置の吸湿リフロー時におけ
るパッケージクラックの発生を抑制することができる封
止樹脂が求められていた。
あり、半導体装置の封止樹脂を成形するにあたり、封止
樹脂と熱膨張係数の差があるリードフレームを用いる場
合においてもリードフレームとの良好な密着性を有する
と共に吸湿リフローのような吸湿加熱時におけるパッケ
ージクラックの発生が抑制された封止樹脂を成形するこ
とができるエポキシ樹脂組成物及びこのエポキシ樹脂組
成物にて封止された半導体装置を提供することを目的と
するものである。
エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂成分、硬化剤及び
無機充填材を含有するエポキシ樹脂組成物であって、メ
ルカプトプロピルメチルジメトキシシランを含有して成
ることを特徴とするものである。
組成物は、請求項1の構成に加えて、メルカプトプロピ
ルメチルジメトキシシランの含有量を0.05〜2.0
0重量%として成ることを特徴とするものである。
組成物は、請求項1又は2の構成に加えて、ジシクロペ
ンタジエン型エポキシ樹脂をエポキシ樹脂成分全量に対
して30〜100重量%の割合で含有して成ることを特
徴とするものである。
組成物は、請求項1乃至3のいずれかの構成に加えて、
無機充填材を70〜93重量%の割合で含有して成るこ
とを特徴とするものである。
は、請求項1乃至4のいずれかに記載のエポキシ樹脂組
成物にて封止されて成ることを特徴とするものである。
は、請求項5の構成に加えて、銅製のリードフレームを
用いて作製されて成ることを特徴とするものである。
する。尚、本明細書においては、エポキシ樹脂組成物の
加熱硬化成形物を硬化成形体と呼称することがあり、半
導体装置等における封止材として成形された硬化成形体
を封止樹脂と呼称することがある。
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール
A型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシク
ロペンタジエン型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹
脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂等が挙
げられ、これらを単独で用いても、2種類以上を併用し
てもよい。特にジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂を
エポキシ樹脂成分全量に対して30〜100重量%の割
合で含有させると、封止樹脂とリードフレームとの密着
性の向上及び吸湿性の低減に著しく寄与し、封止樹脂と
リードフレームとの剥離や封止樹脂のパッケージクラッ
クの改善効果が著しくなる。
ては、例えばフェノールノボラック樹脂及びその誘導
体、クレゾールノボラック樹脂及びその誘導体、モノま
たはジヒドロキシナフタレンノボラック樹脂及びその誘
導体、フェノール類やナフトール類とp−キシレンの縮
合体、ジシクロペンタジエンとフェノールの共重合体等
のフェノール系硬化剤や、アミン系硬化剤や、酸無水物
等が挙げられる。これらの硬化剤は、単独で用いても、
2種類以上を併用してもよい。なお、フェノールノボラ
ック樹脂を用いた場合、樹脂硬化物の吸湿率を低下する
ことができ好ましい。その配合量としては、通常エポキ
シ樹脂成分に対して、当量比で0.1〜10の範囲で配
合される。
8−ジアザ−ビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、
トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン等の三
級アミン化合物、2−メチルイミダゾール、2−エチル
−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾー
ル、2−フェニル−4−メチルイミダゾール等のイミダ
ゾール化合物、トリフェニルホスフィン、トリブチルホ
スフィン等の有機ホスフィン化合物等が挙げられる。
ルカプトプロピルメチルジメトキシシラン(γ−メルカ
プトプロピルメチルジメトキシシラン)を配合するもの
であり、そのため封止樹脂とリードフレームとの密着性
を向上して、リードフレームが銅製の場合のようにリー
ドフレームと封止樹脂との熱膨張率の差が大きい場合で
あっても、リードフレームと封止樹脂との間の剥離の発
生を抑制することができるものである。また硬化成形体
の吸湿性を低減して、吸湿リフロー後の封止樹脂のパッ
ケージクラックの発生を抑制することができると共に半
導体装置の耐湿信頼性を向上することができるものであ
る。特にメルカプトプロピルメチルジメトキシシランの
配合量をエポキシ樹脂組成物全量に対して0.05〜
2.00重量%とすると、封止樹脂とリードフレームと
の密着性の向上及び吸湿性の低減に著しく寄与し、封止
樹脂とリードフレームとの剥離や封止樹脂のパッケージ
クラックの改善効果が著しくなる。
ンタン酸、パルミチン酸、オレイン酸、リノール酸等の
脂肪酸、その脂肪酸のカルシウム塩、マグネシウム塩、
アルミニウム塩、亜鉛塩等の塩、その脂肪酸のアミド、
リン酸エステル、ポリエチレン、ビスアマイド、カルボ
キシル基含有ポリオレフィン及び天然カルナバ等が挙げ
られる。このような離型剤を配合すると、封止しようと
する半導体素子やリードフレームとの密着性の高いエポ
キシ樹脂を使用した場合であっても、トランスファー成
形時、樹脂硬化物とプランジャーや金型との離型性が優
れるため作業性が向上し、好ましい。
ラック、酸化チタン等が挙げられる。また、樹脂成分に
含有することができる低応力化剤としては、例えば、シ
リコーンゲル、シリコーンゴム、シリコーンオイル等が
挙げられる。また界面活性剤としては例えば、ポリエチ
レングリコール脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エス
テル、脂肪酸モノグリセリド等が挙げられる。また難燃
剤としては、例えば、三酸化アンチモン、ハロゲン化合
物、リン化合物等が挙げられる。
剤、離型剤、着色剤、低応力化剤、界面活性剤及び難燃
剤等は2種類以上を併用することもできる。
ではなく、例えば結晶シリカ、溶融シリカ、アルミナ、
マグネシア、酸化チタン、炭酸カルシウム、炭酸マグネ
シウム、窒化ケイ素、タルク、ケイ酸カルシウム等の粉
末が挙げられる。上記無機充填材は、単独で用いても、
2種類以上を併用してもよい。また無機充填材は、エポ
キシ樹脂組成物全量に対して70〜93重量%の割合で
配合することが好ましく、この場合、硬化成形体の吸湿
量が低下し、吸湿リフロー性が優れ好ましい。ここで無
機充填材の配合量がこの範囲に満たないと、硬化成形体
の熱膨脹率及び吸水率が大きくなって吸湿リフロー性が
低下するおそれがあり、この範囲を超えると硬化成形体
の成形時におけるエポキシ樹脂組成物の流動性が低減
し、特に半導体装置の封止樹脂成形時にダイパット変位
やワイヤスイープ等の不良の発生や、硬化成形体内部に
おけるボイドの発生のおそれがある。
あたっては、調製されるエポキシ樹脂組成物の性状が液
体状である場合は上記の各成分を所望の割合で配合した
ものを溶解混合し、又は溶融混合した後3本ロール等で
溶融混練して液体状のエポキシ樹脂組成物を得ることが
できる。また調製されるエポキシ樹脂組成物の性状が固
体状である場合は上記の各成分を所望の割合で配合した
ものをミキサー、ブレンダー等で均一に混合した後、ニ
ーダーやロール等で加熱・混練することにより、目的と
する樹脂組成物を得ることができる。また必要に応じて
冷却固化した後粉砕して粉末状の樹脂組成物を得ること
もできる。
物を用いて半導体装置の製造を行う際には、例えば先ず
42アロイや銅等の金属製のリードフレーム上に、半導
体素子をダイボンディングする。次にAu等の細線ワイ
ヤを用いたワイヤボンディング法等でリードフレームと
半導体素子を結線する。次に本発明のエポキシ樹脂組成
物を用いてトランスファー成形等により封止樹脂を成形
し、半導体素子とワイヤを封止するものである。
施例及び比較例について、各成分を表1に示す割合にて
配合したものをミキサーで均一に混合した後、ニーダー
で加熱・混練し、更に冷却固化した後粉砕して粉末状の
エポキシ樹脂組成物を得た。
りである。 ・エポキシ樹脂A : 下記の式(1)に示す繰り返し
構造を有するジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、大
日本インキ化学工業株式会社製、品番「HP7200」 ・エポキシ樹脂B : 下記の式(2)に示す繰り返し
構造を有するクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、住
友化学工業株式会社製、品番「ESCN 195XL−
3」 ・フェノール樹脂C : 下記の式(3)に示す繰り返
し構造を有するフェノールアラルキル樹脂、住友ケミカ
ル株式会社製、品番「HE100C−15」 ・フェノール樹脂D : ノボラック型フェノール樹
脂、群栄化学工業株式会社製、品番「PSM6200」 ・ブロム化エポキシ樹脂 : 住友化学工業株式会社
製、品番「ESB400T」 ・離型剤 : 天然カルナバワックス、大日本化学工業
株式会社、品番「FI−100」 ・シランカップリング剤E : 下記の式(4)に示さ
れるγ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、
東レ・ダウコーニング・エポキシ株式会社製、品番
「AY43−062」 ・シランカップリング剤F : 下記の式(5)に示さ
れるγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、東芝
シリコーン株式会社製、品番「TSL8380E」 ・無機充填材S1 : 真比重2.2、平均粒径15μ
m、比表面積0.8m2/gの非晶質シリカ粉末、株式
会社トクヤマ製 ・無機充填材S2 : 真比重2.2、平均粒径8μ
m、比表面積1.5m2/gの非晶質シリカ粉末、株式
会社トクヤマ製 ・無機充填材S3 : 真比重2.2、平均粒径0.3
μm、比表面積15m2/gの非晶質シリカ粉末、株式
会社トクヤマ製
は、エポキシ樹脂成分中におけるエポキシ樹脂Aとエポ
キシ樹脂Bとの配合重量比を示す。またシランカップリ
ング剤及び無機充填材の欄の重量割合は、それぞれのエ
ポキシ樹脂組成物全量に対する重量割合を示す。また無
機充填材の欄のS1/S2/S3は、無機充填材S1、
無機充填材S2及び無機充填材S3の配合重量比を示
す。他の欄は各成分の配合量を重量部で示すものであ
る。
に延出したリードフレーム上に、半導体素子として評価
用TEG(test element group)を
ダイボンディングし、ワイヤボンディング法にてリード
フレームと接続した。次に各実施例及び比較例のエポキ
シ樹脂組成物を用いてトランスファー成形により封止樹
脂を成形して半導体素子とワイヤを封止し、更に175
℃、6時間の条件下でアフターキュアーを行って、パッ
ケージサイズ28mm×28mm×3.2mmの評価用
の160QFP(quad flat packag
e)を作製した。
00kg/cm2、金型温度175℃、保持時間70秒
間とした。
5℃/85%RHの条件下で168時間吸湿させた後、
ピーク温度が260℃のはんだリフロー装置で処理し
た。処理後のパッケージを観察し、次の評価を行った。
ラックの発生したものを不良とした。
発生したものを不良とした。
が発生したものを不良とした。
したものを不良とした。
観察し、剥離が発生したものを不良とした。
ドが発生したものを不良とした。
はサンプル数、分子は不良発生数を示す。
ング剤の種類以外の配合組成を同一とした実施例1と比
較例1、あるいは実施例3と比較例2とを比較すると、
実施例1及び実施例3において、各評価項目についてよ
り優れた評価結果が得られた。
タジエン型エポキシ樹脂を用いた実施例2乃至4におい
て、剥離及びクラックの発生が更に抑制された。
に延出したリードフレーム上に、評価用TEG(tes
t element group)をダイボンディング
し、ワイヤボンディング法にてリードフレームと接続し
た。次に各実施例及び比較例のエポキシ樹脂組成物を用
いてトランスファー成形により封止樹脂を成形して半導
体素子とワイヤを封止し、更に175℃、6時間の条件
下でアフターキュアーを行って、パッケージサイズ40
0milの評価用の28SOP(small outl
inepackage)を作製した。
00kg/cm2、金型温度175℃、保持時間70秒
間とした。
と同様に、外部クラック評価、内部クラック評価、リー
ド剥離評価、チップ剥離評価及びダイ剥離評価を行っ
た。
ング剤の種類以外の配合組成を同一とした実施例1と比
較例1、あるいは実施例3と比較例2とを比較すると、
実施例1及び実施例3において、各評価項目についてよ
り優れた評価結果が得られた。
タジエン型エポキシ樹脂を用いた実施例2乃至4におい
て、剥離及びクラックの発生が更に抑制された。 (評価試験3)42アロイ製のリードフレームを用いた
以外は評価試験2と同様にして、実施例3及び比較例2
のエポキシ樹脂組成物を用いて評価用の28SOPを作
製した。
と同様に、外部クラック評価、内部クラック評価、リー
ド剥離評価、チップ剥離評価及びダイ剥離評価を行っ
た。
ング剤の種類以外の配合組成を同一とした実施例3と比
較例2とを比較すると、実施例3において、より優れた
評価結果が得られた。
ポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂成分、硬化剤及び無
機充填材を含有するエポキシ樹脂組成物であって、メル
カプトプロピルメチルジメトキシシランを含有するもの
であり、エポキシ樹脂組成物から形成される硬化成形体
とリードフレームとの密着性を向上すると共に吸湿性を
低減することができ、硬化成形体を半導体装置の封止樹
脂として成形した場合、封止樹脂との熱膨張率の差が大
きい銅製のリードフレームを用いても、リードフレーム
と封止樹脂との剥離を抑制すると共にパッケージクラッ
クの発生を抑制し、信頼性の高い半導体装置を得ること
ができるものである。
組成物は、請求項1の構成に加えて、メルカプトプロピ
ルメチルジメトキシシランの含有量を0.05〜2.0
0重量%としたものであり、封止樹脂とリードフレーム
との剥離やパッケージクラックの発生を更に抑制すると
共に、封止樹脂の内部ボイドの発生を抑制、更に信頼性
の高い半導体装置を得ることができるものである。
組成物は、請求項1又は2の構成に加えて、ジシクロペ
ンタジエン型エポキシ樹脂をエポキシ樹脂成分全量に対
して30〜100重量%の割合で含有するものであり、
硬化成形体のリードフレームとの密着性を更に向上する
と共に吸湿性を低減することができ、封止樹脂とリード
フレームとの剥離やパッケージクラックの発生を更に抑
制し、更に信頼性の高い半導体装置を得ることができる
ものである。
組成物は、請求項1乃至3のいずれかの構成に加えて、
無機充填材を70〜93重量%の割合で含有するもので
あり、エポキシ樹脂組成物の粘度の増加を抑制すると共
に硬化成形体の熱膨張率及び吸湿性の増大を抑制するこ
とができ、封止樹脂とリードフレームとの剥離やパッケ
ージクラックの発生を更に抑制し、更に信頼性の高い半
導体装置を得ることができるものである。
は、請求項1乃至3のいずれかに記載のエポキシ樹脂組
成物にて封止されたものであり、リードフレームと封止
樹脂との剥離を抑制すると共にパッケージクラックの発
生を抑制し、信頼性の高い半導体装置を得ることができ
るものである。
は、請求項5の構成に加えて、銅製のリードフレームを
用いて作製されたものであり、封止樹脂との熱膨張率の
差が大きい銅製のリードフレームを用いても、リードフ
レームと封止樹脂との剥離を抑制すると共にパッケージ
クラックの発生を抑制し、信頼性の高い半導体装置を得
ることができるものである。
Claims (6)
- 【請求項1】 エポキシ樹脂成分、硬化剤及び無機充填
材を含有するエポキシ樹脂組成物であって、メルカプト
プロピルメチルジメトキシシランを含有して成ることを
特徴とするエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項2】 メルカプトプロピルメチルジメトキシシ
ランの含有量を0.05〜2.00重量%として成るこ
とを特徴とする請求項1に記載のエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項3】 ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂を
エポキシ樹脂成分全量に対して30〜100重量%の割
合で含有して成ることを特徴とする請求項1又は2に記
載のエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項4】 無機充填材を70〜93重量%の割合で
含有して成ることを特徴とする請求項1乃至3のいずれ
かに記載のエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項5】 請求項1乃至4のいずれかに記載のエポ
キシ樹脂組成物にて封止されて成ることを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項6】 銅製のリードフレームを用いて作製され
て成ることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18020199A JP3591377B2 (ja) | 1999-06-25 | 1999-06-25 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP3591377B2 JP3591377B2 (ja) | 2004-11-17 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002249643A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JP2009149820A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Panasonic Electric Works Co Ltd | アンダーフィル用液状熱硬化性樹脂組成物とそれを用いた半導体装置 |
KR20180012959A (ko) * | 2016-07-28 | 2018-02-07 | 에스지생활안전 주식회사 | Dcpd를 함유하는 에폭시 복합재료 조성물의 제조방법 |
KR20180012958A (ko) * | 2016-07-28 | 2018-02-07 | 에스지생활안전 주식회사 | Dcpd를 함유하는 에폭시 수지 조성물의 제조방법 |
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1999
- 1999-06-25 JP JP18020199A patent/JP3591377B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP4734731B2 (ja) * | 2001-02-23 | 2011-07-27 | パナソニック電工株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
JP2009149820A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Panasonic Electric Works Co Ltd | アンダーフィル用液状熱硬化性樹脂組成物とそれを用いた半導体装置 |
KR20180012959A (ko) * | 2016-07-28 | 2018-02-07 | 에스지생활안전 주식회사 | Dcpd를 함유하는 에폭시 복합재료 조성물의 제조방법 |
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KR101871688B1 (ko) * | 2016-07-28 | 2018-06-27 | 에스지생활안전 주식회사 | Dcpd를 함유하는 에폭시 복합재료 조성물의 제조방법 |
KR101871687B1 (ko) * | 2016-07-28 | 2018-06-27 | 에스지생활안전 주식회사 | Dcpd를 함유하는 에폭시 수지 조성물의 제조방법 |
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