JP2001002448A - プリフォームから製造される光ファイバに水素が拡散するのを防ぐ障壁層を含むプリフォームと、そのようなプリフォームの調製方法 - Google Patents
プリフォームから製造される光ファイバに水素が拡散するのを防ぐ障壁層を含むプリフォームと、そのようなプリフォームの調製方法Info
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- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 水素をほとんど透過せず、十分な強度を有す
る光ファイバを、工業的に製造することを可能にする光
ファイバプリフォームを提供する。 【解決手段】 外側シースが、内側領域と、０．０８Ｒ
〜２．２Ｒの範囲内にある厚さの、アルミナでドープさ
れたシリカからなる周辺領域とを備え、周辺領域内のア
ルミナの重量比が、全体としての外側シース中のアルミ
ナの当量濃度が、シリカに対するアルミニウムの重量で
１００ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍの範囲内にあるようにす
る光ファイバプリフォーム。前記プリフォームを製造す
る方法、および関連する光ファイバ。
る光ファイバを、工業的に製造することを可能にする光
ファイバプリフォームを提供する。 【解決手段】 外側シースが、内側領域と、０．０８Ｒ
〜２．２Ｒの範囲内にある厚さの、アルミナでドープさ
れたシリカからなる周辺領域とを備え、周辺領域内のア
ルミナの重量比が、全体としての外側シース中のアルミ
ナの当量濃度が、シリカに対するアルミニウムの重量で
１００ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍの範囲内にあるようにす
る光ファイバプリフォーム。前記プリフォームを製造す
る方法、および関連する光ファイバ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリカベースであ
り、半径Ｒのコアとシースとを備える光ファイバプリフ
ォームであって、前記シースが、コアと直接接触する
「クラッド」と呼ばれる光学内側部分と、「外側シー
ス」と呼ばれる外側部分とを備え、前記外側シースが、
アルミナでドープされたシリカからなる光ファイバプリ
フォームに関する。本発明はまた、前記プリフォームを
製造する方法、および前記プリフォームに線引きを行う
ことによって製造される光ファイバに関する。
り、半径Ｒのコアとシースとを備える光ファイバプリフ
ォームであって、前記シースが、コアと直接接触する
「クラッド」と呼ばれる光学内側部分と、「外側シー
ス」と呼ばれる外側部分とを備え、前記外側シースが、
アルミナでドープされたシリカからなる光ファイバプリ
フォームに関する。本発明はまた、前記プリフォームを
製造する方法、および前記プリフォームに線引きを行う
ことによって製造される光ファイバに関する。
【０００２】
【従来の技術】光導体は、一般に通信に使用される。シ
リカベースの光ファイバは、通常、およそ１３００ナノ
メートル〜１５５０ナノメートルの範囲内の波長でデー
タを搬送する。そのような光ファイバは、光波のほとん
どを搬送するコアと、クラッドとによって構成される光
学活性部から形成され、コアとクラッドは異なる屈折率
を有する。このようなファイバは、通常、光学的に活性
化せず、クラッドと共に光ファイバのシースを形成する
「外側シース」と呼ばれる外周部も有する。光ファイバ
は、幾何的に断面がほぼ同じプリフォームから引かれる
ため、光ファイバを製造するプリフォームについても、
同じ用語「コア」、「クラッド」、および「外側シー
ス」を使用する。各ファイバは、ポリマー材料からなる
被覆によって保護されており、そのような保護被覆は、
しばしば着色ポリマーからなる他の被覆で覆われる。１
組の光ファイバをひとまとめに集めて、リボンを形成す
ることもできる。この場合、リボンのファイバをひとま
とめに保持する「マトリックス」と呼ばれる材料もポリ
マーである。通信ケーブルでは、個々の光ファイバ、ま
たは光ファイバのリボンが、通常、金属製またはプラス
チック材料製のチューブ内に配置される。
リカベースの光ファイバは、通常、およそ１３００ナノ
メートル〜１５５０ナノメートルの範囲内の波長でデー
タを搬送する。そのような光ファイバは、光波のほとん
どを搬送するコアと、クラッドとによって構成される光
学活性部から形成され、コアとクラッドは異なる屈折率
を有する。このようなファイバは、通常、光学的に活性
化せず、クラッドと共に光ファイバのシースを形成する
「外側シース」と呼ばれる外周部も有する。光ファイバ
は、幾何的に断面がほぼ同じプリフォームから引かれる
ため、光ファイバを製造するプリフォームについても、
同じ用語「コア」、「クラッド」、および「外側シー
ス」を使用する。各ファイバは、ポリマー材料からなる
被覆によって保護されており、そのような保護被覆は、
しばしば着色ポリマーからなる他の被覆で覆われる。１
組の光ファイバをひとまとめに集めて、リボンを形成す
ることもできる。この場合、リボンのファイバをひとま
とめに保持する「マトリックス」と呼ばれる材料もポリ
マーである。通信ケーブルでは、個々の光ファイバ、ま
たは光ファイバのリボンが、通常、金属製またはプラス
チック材料製のチューブ内に配置される。
【０００３】水素はファイバの伝送特性を低下させるた
め、光ファイバを水素にさらしてはならないことが知ら
れている。ファイバが受ける水素分圧が高くなると、そ
の分だけ低下が進む。水素は、特に、ファイバ被覆また
はリボンマトリックスの材料であるポリマーの分解によ
って生じる。水素はまた、光ファイバを含むチューブ内
にファイバを保持するため、およびチューブが破損また
は損傷を受けた場合に水分が進入するのを防ぐために、
ケーブル内に一般に配置されているフィラー物質の分解
によって生じることもある。そのようなタイプの分解
は、当然、エージングによって起こる。
め、光ファイバを水素にさらしてはならないことが知ら
れている。ファイバが受ける水素分圧が高くなると、そ
の分だけ低下が進む。水素は、特に、ファイバ被覆また
はリボンマトリックスの材料であるポリマーの分解によ
って生じる。水素はまた、光ファイバを含むチューブ内
にファイバを保持するため、およびチューブが破損また
は損傷を受けた場合に水分が進入するのを防ぐために、
ケーブル内に一般に配置されているフィラー物質の分解
によって生じることもある。そのようなタイプの分解
は、当然、エージングによって起こる。
【０００４】特許ＧＢ−Ｂ−２１４５２４０号は、光プ
リフォームに線引きを行うことによって光ファイバを製
造することに言及しており、異なる屈折率を有するコア
およびクラッドからなる光学活性部と、シリカに加えて
酸化物のリストに属するドーパントを含む外側シースと
からなる前記光ファイバを記述する。酸化物のリストの
中で、アルミナについて言及され、ホウ素酸化物が好ま
しい。プリフォームを製造する方法も、そのようなプリ
フォームの構成も、明記されていない。最終的な光ファ
イバの構成が例示的に与えられ、図に示されている。そ
の光ファイバは、ドープされたシリカからなり、半径が
Ｒ、直径が２Ｒに相当する５０μｍのコアと、コアを取
り囲み、光ファイバの直径を１２５μｍすなわち５Ｒに
するシースとを備え、シースは、直径を９０μｍすなわ
ち３．６Ｒにするクラッドと、厚さが１７．５μｍすな
わち０．７Ｒの外側シースとを備える。前記外側シース
中の酸化物濃度は、外側シースの組成物に対する酸化物
の重量で、１％〜２０％の範囲内にあることが好まし
い。
リフォームに線引きを行うことによって光ファイバを製
造することに言及しており、異なる屈折率を有するコア
およびクラッドからなる光学活性部と、シリカに加えて
酸化物のリストに属するドーパントを含む外側シースと
からなる前記光ファイバを記述する。酸化物のリストの
中で、アルミナについて言及され、ホウ素酸化物が好ま
しい。プリフォームを製造する方法も、そのようなプリ
フォームの構成も、明記されていない。最終的な光ファ
イバの構成が例示的に与えられ、図に示されている。そ
の光ファイバは、ドープされたシリカからなり、半径が
Ｒ、直径が２Ｒに相当する５０μｍのコアと、コアを取
り囲み、光ファイバの直径を１２５μｍすなわち５Ｒに
するシースとを備え、シースは、直径を９０μｍすなわ
ち３．６Ｒにするクラッドと、厚さが１７．５μｍすな
わち０．７Ｒの外側シースとを備える。前記外側シース
中の酸化物濃度は、外側シースの組成物に対する酸化物
の重量で、１％〜２０％の範囲内にあることが好まし
い。
【０００５】このように形成された外側シース中に大量
のアルミナが存在すると、ドープされた外側シースの粘
度が非常に低くなるため、適切な条件下でプリフォーム
から光ファイバを製造することに、特に線引き中の直径
の安定性に関して問題が生じる。シリカ中にわずか１重
量％のＡｌ２Ｏ３だけを有すると、一般に受け入れられ
る公差範囲１２５±０．５μｍに維持することが難し
く、公差が１２５±１．５μｍになる。これにより、光
ファイバを互いに接続することに問題が生じる。
のアルミナが存在すると、ドープされた外側シースの粘
度が非常に低くなるため、適切な条件下でプリフォーム
から光ファイバを製造することに、特に線引き中の直径
の安定性に関して問題が生じる。シリカ中にわずか１重
量％のＡｌ２Ｏ３だけを有すると、一般に受け入れられ
る公差範囲１２５±０．５μｍに維持することが難し
く、公差が１２５±１．５μｍになる。これにより、光
ファイバを互いに接続することに問題が生じる。
【０００６】さらに、得られた外側シースが、機械特性
について良好な性能を提供することが重要であり、特許
ＧＢ−Ｂ−２１４５２４０に記載されたシースなど非常
に厚い外側シースは、特に引張り試験を受けたときに、
性能を低下させる可能性がある。
について良好な性能を提供することが重要であり、特許
ＧＢ−Ｂ−２１４５２４０に記載されたシースなど非常
に厚い外側シースは、特に引張り試験を受けたときに、
性能を低下させる可能性がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、水素
をほとんど透過せず、十分な強度を有する光ファイバ
を、工業的に製造することを可能にすることである。
をほとんど透過せず、十分な強度を有する光ファイバ
を、工業的に製造することを可能にすることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このために、本発明は、
シリカベースであり、半径Ｒのコアとシースとを備える
光ファイバプリフォームであって、前記シースが、コア
と直接接触する「クラッド」と呼ばれる光学的内側部分
と、「外側シース」と呼ばれる外側部分とを備え、前記
外側シースが、アルミナでドープされたシリカからな
り、外側シース自体が、クラッドに直接接触する「内部
領域」と呼ばれる内側部分と、内部領域に直接接触し
「周辺領域」と呼ばれ、主にアルミナでドープされたシ
リカを備える外側部分とを備え、前記周辺領域の厚さが
０．０８Ｒ〜２．２Ｒの範囲内にあり、周辺領域中のア
ルミナの重量比は、全体としての外側シース中のアルミ
ナ当量濃度が、シリカに対するアルミニウムの重量で１
００ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍの範囲内にあるようになっ
ている光ファイバプリフォームを提供する。
シリカベースであり、半径Ｒのコアとシースとを備える
光ファイバプリフォームであって、前記シースが、コア
と直接接触する「クラッド」と呼ばれる光学的内側部分
と、「外側シース」と呼ばれる外側部分とを備え、前記
外側シースが、アルミナでドープされたシリカからな
り、外側シース自体が、クラッドに直接接触する「内部
領域」と呼ばれる内側部分と、内部領域に直接接触し
「周辺領域」と呼ばれ、主にアルミナでドープされたシ
リカを備える外側部分とを備え、前記周辺領域の厚さが
０．０８Ｒ〜２．２Ｒの範囲内にあり、周辺領域中のア
ルミナの重量比は、全体としての外側シース中のアルミ
ナ当量濃度が、シリカに対するアルミニウムの重量で１
００ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍの範囲内にあるようになっ
ている光ファイバプリフォームを提供する。
【０００９】周辺領域中のアルミナの重量比は、全体と
しての外側シース中のアルミナの当量濃度が、シリカに
対するアルミニウムの重量で１００ｐｐｍ〜５００ｐｐ
ｍの範囲内にあるようになっていることが好ましい。
しての外側シース中のアルミナの当量濃度が、シリカに
対するアルミニウムの重量で１００ｐｐｍ〜５００ｐｐ
ｍの範囲内にあるようになっていることが好ましい。
【００１０】周辺領域の厚さは、０．０８Ｒ〜１．５Ｒ
の範囲内にあることが好ましい。
の範囲内にあることが好ましい。
【００１１】当量濃度は、全体としての外側シースの体
積（周辺領域の体積だけではなく）の重量％単位で、周
辺領域中に含まれるアルミナの量として規定することが
できる。プリフォームは、一般に、幾何的にほぼ同じ断
面の光ファイバに引かれるため、当量濃度は、プリフォ
ームでも光ファイバでも同じである。例として、特許Ｇ
Ｂ−Ｂ−２１４５２４０では、外側シースの全体の組成
に対するアルミナの重量で１％の最小濃度が、外側シー
ス中のシリカに対するアルミナの重量で１．０１％の濃
度を与える。これは次いで、外側シース中に含まれるシ
リカに対するアルミナの重量％単位での、当量濃度１０
１００ｐｐｍを与える。したがって、アルミナのモル質
量をアルミニウムのモル質量で割った比が、１．８８８
になり、計算によって、外側シース中に含まれるシリカ
に対するアルミニウムの重量で、約５３５０ｐｐｍとい
うアルミナの当量濃度が得られる。
積（周辺領域の体積だけではなく）の重量％単位で、周
辺領域中に含まれるアルミナの量として規定することが
できる。プリフォームは、一般に、幾何的にほぼ同じ断
面の光ファイバに引かれるため、当量濃度は、プリフォ
ームでも光ファイバでも同じである。例として、特許Ｇ
Ｂ−Ｂ−２１４５２４０では、外側シースの全体の組成
に対するアルミナの重量で１％の最小濃度が、外側シー
ス中のシリカに対するアルミナの重量で１．０１％の濃
度を与える。これは次いで、外側シース中に含まれるシ
リカに対するアルミナの重量％単位での、当量濃度１０
１００ｐｐｍを与える。したがって、アルミナのモル質
量をアルミニウムのモル質量で割った比が、１．８８８
になり、計算によって、外側シース中に含まれるシリカ
に対するアルミニウムの重量で、約５３５０ｐｐｍとい
うアルミナの当量濃度が得られる。
【００１２】周辺領域のアルミナ濃度は、通常、前記周
辺領域の厚さ全体にわたって一定であるが、連続的な様
式または不連続な様式で、半径方向に変化させることも
できる。
辺領域の厚さ全体にわたって一定であるが、連続的な様
式または不連続な様式で、半径方向に変化させることも
できる。
【００１３】本発明の光ファイバプリフォームは、従来
技術の欠点を軽減する外側シースのアルミナ濃度および
アルミナ厚さの範囲を利用する。すなわち、得られる外
側シースは、機械特性に関して良好な性能を提供し、か
つ光ファイバを前記プリフォームから適切な方法で、特
に、一般に受け入れられる公差範囲内で安定な光ファイ
バ直径に製造することができる粘度を提供する。
技術の欠点を軽減する外側シースのアルミナ濃度および
アルミナ厚さの範囲を利用する。すなわち、得られる外
側シースは、機械特性に関して良好な性能を提供し、か
つ光ファイバを前記プリフォームから適切な方法で、特
に、一般に受け入れられる公差範囲内で安定な光ファイ
バ直径に製造することができる粘度を提供する。
【００１４】本発明のプリフォームは、有利には、アル
ミナでドープされたシリカの周辺領域を有し、該周辺領
域は、幾何的にほぼ同じ様に引かれると、前記プリフォ
ームから製造された光ファイバに高い強度を与える。そ
のような周辺領域は、通常、線引き中に融解されるた
め、粗度が低くなっていることに留意されたい。
ミナでドープされたシリカの周辺領域を有し、該周辺領
域は、幾何的にほぼ同じ様に引かれると、前記プリフォ
ームから製造された光ファイバに高い強度を与える。そ
のような周辺領域は、通常、線引き中に融解されるた
め、粗度が低くなっていることに留意されたい。
【００１５】さらに、前記プリフォームから製造される
光ファイバの周辺領域の前駆体である周辺領域の適切な
厚さにより、圧縮下の周辺領域を得ることが可能にな
り、これが前記光ファイバの機械特性を大幅に改善す
る。圧縮下の領域とは、領域を圧縮することがその作用
である長手方向応力を有する領域と規定される。主な破
壊機構が、表面割れの発生および伝搬にあることをガラ
スの破壊機構が示す。ファイバの表面を圧縮下に置くこ
とによって、そのような伝搬現象が回避される。
光ファイバの周辺領域の前駆体である周辺領域の適切な
厚さにより、圧縮下の周辺領域を得ることが可能にな
り、これが前記光ファイバの機械特性を大幅に改善す
る。圧縮下の領域とは、領域を圧縮することがその作用
である長手方向応力を有する領域と規定される。主な破
壊機構が、表面割れの発生および伝搬にあることをガラ
スの破壊機構が示す。ファイバの表面を圧縮下に置くこ
とによって、そのような伝搬現象が回避される。
【００１６】最後に、周辺領域がプリフォームの光コア
から比較的離れていることが、有利に、水素を光学活性
部からできるだけ離して遮断し、従って、前記プリフォ
ームから製造される光ファイバの減衰を増大させる危険
を最小限に抑えることを可能にする。
から比較的離れていることが、有利に、水素を光学活性
部からできるだけ離して遮断し、従って、前記プリフォ
ームから製造される光ファイバの減衰を増大させる危険
を最小限に抑えることを可能にする。
【００１７】一実施形態では、内部領域は、また、周辺
領域の比率よりも小さい比率のアルミナを含み、全体と
しての外側シース中のアルミナの当量濃度が、シリカに
対するアルミニウムの重量で５０ｐｐｍ〜２００ｐｐｍ
の範囲内にあるようにする。内側領域中のアルミナの比
率は、全体としての外側シース中のアルミナの当量濃度
が、シリカに対するアルミニウムの重量で５０ｐｐｍ〜
１５０ｐｐｍの範囲内にあるようになっていることが好
ましい。内側領域中のアルミナ濃度は、通常、前記内側
領域の厚さ全体にわたって一定であるが、連続的な様式
でまたは不連続な様式で、半径方向に変化させることも
できる。
領域の比率よりも小さい比率のアルミナを含み、全体と
しての外側シース中のアルミナの当量濃度が、シリカに
対するアルミニウムの重量で５０ｐｐｍ〜２００ｐｐｍ
の範囲内にあるようにする。内側領域中のアルミナの比
率は、全体としての外側シース中のアルミナの当量濃度
が、シリカに対するアルミニウムの重量で５０ｐｐｍ〜
１５０ｐｐｍの範囲内にあるようになっていることが好
ましい。内側領域中のアルミナ濃度は、通常、前記内側
領域の厚さ全体にわたって一定であるが、連続的な様式
でまたは不連続な様式で、半径方向に変化させることも
できる。
【００１８】そのような実施形態により、有利には、光
学活性部を水素から保護することが可能になり、一方、
前記プリフォームから製造される光ファイバに関する強
度について、アルミナでより高くドープされた周辺領域
の利点をも提供する。
学活性部を水素から保護することが可能になり、一方、
前記プリフォームから製造される光ファイバに関する強
度について、アルミナでより高くドープされた周辺領域
の利点をも提供する。
【００１９】有利には、前記実施形態は、プリフォーム
の周辺からそのコアへより緩慢に減少するアルミナ濃度
を有する、周辺領域とクラッドの間の物理的および化学
的な遷移をできるようにする。
の周辺からそのコアへより緩慢に減少するアルミナ濃度
を有する、周辺領域とクラッドの間の物理的および化学
的な遷移をできるようにする。
【００２０】本発明はまた、本発明の上述したシリカベ
ースの光ファイバプリフォームを製造する方法を提供
し、前記周辺領域は、アルミナでドープされたシリカの
層を少なくとも１層、外部に堆積することによって形成
される。
ースの光ファイバプリフォームを製造する方法を提供
し、前記周辺領域は、アルミナでドープされたシリカの
層を少なくとも１層、外部に堆積することによって形成
される。
【００２１】本発明の方法は、アルミナでドープされた
周辺領域を、当業者によく知られた堆積技法を使用する
ことによって、非常に正確に配置することを可能にする
という利点を提供する。本発明の方法はまた、アモルフ
ァスアルミナシリカ二成分組成物を堆積することを可能
にするという利点を提供する。二成分組成物のアモルフ
ァス性質が、水素拡散に対する有効な障壁となる。逆
に、結晶性のアルミナシリカ二成分組成物は、水素が、
結晶中の結晶粒界を介して、または拡散チャネルを介し
て、プリフォームから製造される光ファイバを通過する
ことを可能にする。
周辺領域を、当業者によく知られた堆積技法を使用する
ことによって、非常に正確に配置することを可能にする
という利点を提供する。本発明の方法はまた、アモルフ
ァスアルミナシリカ二成分組成物を堆積することを可能
にするという利点を提供する。二成分組成物のアモルフ
ァス性質が、水素拡散に対する有効な障壁となる。逆
に、結晶性のアルミナシリカ二成分組成物は、水素が、
結晶中の結晶粒界を介して、または拡散チャネルを介し
て、プリフォームから製造される光ファイバを通過する
ことを可能にする。
【００２２】本発明の方法の一実施態様では、外部堆積
法が、プラズマビルドアップによって行われる。プラズ
マビルドアップ技法など横方向外部堆積技法を使用する
ことによってプリフォームを製造することは知られてお
り、例えば、特許出願ＥＰ−Ａ１−０ ４５０ ４６５
に記載されている。本発明の方法の他の実施態様では、
外部堆積法が、「外付け法」（「ＯＶＤ」）によって行
われる。外部堆積法は、また、ゾルゲル法、含浸、気相
堆積、蒸着など他の方法を使用して行うこともできる。
法が、プラズマビルドアップによって行われる。プラズ
マビルドアップ技法など横方向外部堆積技法を使用する
ことによってプリフォームを製造することは知られてお
り、例えば、特許出願ＥＰ−Ａ１−０ ４５０ ４６５
に記載されている。本発明の方法の他の実施態様では、
外部堆積法が、「外付け法」（「ＯＶＤ」）によって行
われる。外部堆積法は、また、ゾルゲル法、含浸、気相
堆積、蒸着など他の方法を使用して行うこともできる。
【００２３】最後に、本発明は、本発明のプリフォーム
に線引きを行うことによって製造される光ファイバを提
供する。
に線引きを行うことによって製造される光ファイバを提
供する。
【００２４】本発明のプリフォームは、有利には、前記
プリフォームから光ファイバを製造することが、線引き
タワーによる光ファイバの製造にしばしば使用される線
引き速度に適合するようになっており、その速度は、通
常、毎分数百メートル程度である。さらに、そのような
堆積は、処置が行われるのがプリフォーム上であるた
め、既存の線引きタワーを維持することを可能にする。
さらに、そのような堆積は、工業的な線引き条件、特に
線引き方法を調整するための光ファイバ直径に関する公
差に適合する。
プリフォームから光ファイバを製造することが、線引き
タワーによる光ファイバの製造にしばしば使用される線
引き速度に適合するようになっており、その速度は、通
常、毎分数百メートル程度である。さらに、そのような
堆積は、処置が行われるのがプリフォーム上であるた
め、既存の線引きタワーを維持することを可能にする。
さらに、そのような堆積は、工業的な線引き条件、特に
線引き方法を調整するための光ファイバ直径に関する公
差に適合する。
【００２５】限定しない例として与えられた以下の説明
を、図１〜３を参照して読むことにより、本発明がより
良く理解され、他の特徴および利点が明らかになるであ
ろう。
を、図１〜３を参照して読むことにより、本発明がより
良く理解され、他の特徴および利点が明らかになるであ
ろう。
【００２６】
【発明の実施の形態】図１に示されるように、一次プリ
フォーム２４は、例えば、内付け化学気相堆積（ＭＣＶ
Ｄ）法を使用して、任意にドープされたシリカベースの
層を内部に堆積して、チューブ２２内部に光コア２０と
クラッド２１を形成する。その後このようにして内部に
並べられたチューブをつぶして、一次プリフォーム２４
を構成するバーに変形する。次いで、シリカベースの層
を外部に堆積して、一次プリフォーム２４上にビルドア
ップ領域２３を形成することによって、（最終的な）プ
リフォーム３を作成する。超高純度シリカからなるチュ
ーブ２２を使用することが好ましい。そのような外部堆
積は、プラズマを使用してビルドアップを行う場合につ
いて、図２に関連して説明される。
フォーム２４は、例えば、内付け化学気相堆積（ＭＣＶ
Ｄ）法を使用して、任意にドープされたシリカベースの
層を内部に堆積して、チューブ２２内部に光コア２０と
クラッド２１を形成する。その後このようにして内部に
並べられたチューブをつぶして、一次プリフォーム２４
を構成するバーに変形する。次いで、シリカベースの層
を外部に堆積して、一次プリフォーム２４上にビルドア
ップ領域２３を形成することによって、（最終的な）プ
リフォーム３を作成する。超高純度シリカからなるチュ
ーブ２２を使用することが好ましい。そのような外部堆
積は、プラズマを使用してビルドアップを行う場合につ
いて、図２に関連して説明される。
【００２７】図１に示されるように、ビルドアップ領域
２３の形成は、一次プリフォーム２４上に粒子の形でシ
リカを堆積することから始まる。プラズマの存在下で、
シリカの粒子は、単に一次プリフォーム２４と平行に並
進移動されるノズル５によって構成される供給管路か
ら、重力により堆積されるにすぎない。シリカの粒子
は、プラズマにより約２３００℃の温度にさらされるこ
とによって溶融し、次いでガラス化する。ビルドアップ
操作は、電磁妨害およびプラズマトーチ４によって放出
されるオゾンに対する保護を提供するように、閉じられ
たチャンバ内で行われる。
２３の形成は、一次プリフォーム２４上に粒子の形でシ
リカを堆積することから始まる。プラズマの存在下で、
シリカの粒子は、単に一次プリフォーム２４と平行に並
進移動されるノズル５によって構成される供給管路か
ら、重力により堆積されるにすぎない。シリカの粒子
は、プラズマにより約２３００℃の温度にさらされるこ
とによって溶融し、次いでガラス化する。ビルドアップ
操作は、電磁妨害およびプラズマトーチ４によって放出
されるオゾンに対する保護を提供するように、閉じられ
たチャンバ内で行われる。
【００２８】本発明では、最初にノズル５を用いてシリ
カ粒子を堆積して、ビルドアップ領域２３の一部分２６
を形成する。この部分の組成は、チューブ２２の組成と
ほぼ同一、すなわち超高純度シリカである。部分２６と
チューブ２２が一緒になって、外側シース２８の内部領
域２７を形成する。次いで、ノズル５内でシリカの粒子
と混合されたアルミナ微粒子が、ビルドアップ２３の周
辺領域２５に堆積され、周辺領域は、ビルドアップ領域
２３に堆積される最外層の全てを備える。また、第１の
供給管路を介してシリカを送達すること、および第１の
シリカ供給管路５に十分に近いプラズマトーチ４の近傍
で開いている第２の供給管路を介して、アルミナ微粒子
を送達することが可能である。上述したように、ビルド
アップ領域２３の周辺領域２５にアルミナ微粒子を供給
することにより、熱線引きによって工業的に光ファイバ
１５を製造することが可能になり、この光ファイバは、
従来技術の光ファイバよりも水素に耐性がある。したが
って、本発明のビルドアッププリフォーム３は、部分２
６および周辺領域２５からなるビルドアップ領域２３を
含んで得られる。前記プリフォーム３の外側シース２８
は、チューブ２２と、部分２６および周辺領域２５をそ
れ自体備えるビルドアップ領域２３とを備える。本発明
の実施形態では、ビルドアップ領域２３の一部分２６
を、領域２５に使用されるよりも小さい比率のアルミナ
でドープすることが可能である。アルミナ微粒子は、シ
リカ粒子の純度と一次プリフォーム２４のシリカチュー
ブ２２の純度とに応じて、シリカの粒子に対するある比
率で供給される。
カ粒子を堆積して、ビルドアップ領域２３の一部分２６
を形成する。この部分の組成は、チューブ２２の組成と
ほぼ同一、すなわち超高純度シリカである。部分２６と
チューブ２２が一緒になって、外側シース２８の内部領
域２７を形成する。次いで、ノズル５内でシリカの粒子
と混合されたアルミナ微粒子が、ビルドアップ２３の周
辺領域２５に堆積され、周辺領域は、ビルドアップ領域
２３に堆積される最外層の全てを備える。また、第１の
供給管路を介してシリカを送達すること、および第１の
シリカ供給管路５に十分に近いプラズマトーチ４の近傍
で開いている第２の供給管路を介して、アルミナ微粒子
を送達することが可能である。上述したように、ビルド
アップ領域２３の周辺領域２５にアルミナ微粒子を供給
することにより、熱線引きによって工業的に光ファイバ
１５を製造することが可能になり、この光ファイバは、
従来技術の光ファイバよりも水素に耐性がある。したが
って、本発明のビルドアッププリフォーム３は、部分２
６および周辺領域２５からなるビルドアップ領域２３を
含んで得られる。前記プリフォーム３の外側シース２８
は、チューブ２２と、部分２６および周辺領域２５をそ
れ自体備えるビルドアップ領域２３とを備える。本発明
の実施形態では、ビルドアップ領域２３の一部分２６
を、領域２５に使用されるよりも小さい比率のアルミナ
でドープすることが可能である。アルミナ微粒子は、シ
リカ粒子の純度と一次プリフォーム２４のシリカチュー
ブ２２の純度とに応じて、シリカの粒子に対するある比
率で供給される。
【００２９】図２は、透明窓２を備えるエンクロージャ
１と、長手方向軸Ｘの真上に見られるプリフォーム３と
を含む、プラズマビルドアップ装置の概略図であり、プ
リフォーム３に向かって、プラズマトーチ４と、ビルド
アップ粒子を供給するためのノズル５とが向けられてい
る。エンクロージャ１の外側では、窓２の後部に配置さ
れたＣＣＤカメラ６が、プリフォーム３に向けられてい
る。カメラは、向いている位置でのプリフォームの直径
の測定値を、ビルドアッププロセスを制御する制御装置
８に、リンク７を介して伝送される値の形で送る。装置
８は、複数リンク９を介して、ビルドアッププロセスの
状態に関する他の指示を受信する。一定の粒子流量で、
ビルドアッププロセスを進める内部プログラムの作用の
下で、制御装置１１に供給する出力リンク１０を介し
て、装置８が、プリフォーム３に対するノズル５の位置
決めを制御するための制御値を送り、それに応じて、軸
Ｘに平行な軸に沿ってずらすことによって、ノズル５を
位置決めする。装置８はまた、出力複数リンク１２を介
して、制御プロセスの他の態様を決定する他の制御値も
送る。
１と、長手方向軸Ｘの真上に見られるプリフォーム３と
を含む、プラズマビルドアップ装置の概略図であり、プ
リフォーム３に向かって、プラズマトーチ４と、ビルド
アップ粒子を供給するためのノズル５とが向けられてい
る。エンクロージャ１の外側では、窓２の後部に配置さ
れたＣＣＤカメラ６が、プリフォーム３に向けられてい
る。カメラは、向いている位置でのプリフォームの直径
の測定値を、ビルドアッププロセスを制御する制御装置
８に、リンク７を介して伝送される値の形で送る。装置
８は、複数リンク９を介して、ビルドアッププロセスの
状態に関する他の指示を受信する。一定の粒子流量で、
ビルドアッププロセスを進める内部プログラムの作用の
下で、制御装置１１に供給する出力リンク１０を介し
て、装置８が、プリフォーム３に対するノズル５の位置
決めを制御するための制御値を送り、それに応じて、軸
Ｘに平行な軸に沿ってずらすことによって、ノズル５を
位置決めする。装置８はまた、出力複数リンク１２を介
して、制御プロセスの他の態様を決定する他の制御値も
送る。
【００３０】図２に示される装置の要素はすべて、当業
者によく知られている。図示されていない他の要素もよ
く知られている。例えば、欧州特許出願ＥＰ−Ａ１−０
４４０ １３０は、回転および並進で動かしながらプ
リフォーム３を支持する手段と、Ｘ軸に平行に並進移動
させながらプラズマトーチ４とノズル５を支持するため
のキャリッジと、プリフォーム３の角度位置およびキャ
リッジの長手方向位置を決定する手段とを記述してい
る。一体となり、知られている方法で、これらの手段
は、プリフォーム３が成長するにつれて、プリフォーム
３をトーチ４から離れるように移動させることを可能に
する。測定パス中にプリフォーム３上の連続的な位置に
カメラ６を向けることを可能にする手段も知られてお
り、この手段は、動きが第１のキャリッジの動きに連結
された第２のキャリッジの形であってよい。
者によく知られている。図示されていない他の要素もよ
く知られている。例えば、欧州特許出願ＥＰ−Ａ１−０
４４０ １３０は、回転および並進で動かしながらプ
リフォーム３を支持する手段と、Ｘ軸に平行に並進移動
させながらプラズマトーチ４とノズル５を支持するため
のキャリッジと、プリフォーム３の角度位置およびキャ
リッジの長手方向位置を決定する手段とを記述してい
る。一体となり、知られている方法で、これらの手段
は、プリフォーム３が成長するにつれて、プリフォーム
３をトーチ４から離れるように移動させることを可能に
する。測定パス中にプリフォーム３上の連続的な位置に
カメラ６を向けることを可能にする手段も知られてお
り、この手段は、動きが第１のキャリッジの動きに連結
された第２のキャリッジの形であってよい。
【００３１】プラズマビルドアップは、右から左へ、次
いで左から右へのパスにおいて行われ、そのパス中、プ
ラズマトーチ４とノズル５が、プリフォーム３の長さに
沿って動く。
いで左から右へのパスにおいて行われ、そのパス中、プ
ラズマトーチ４とノズル５が、プリフォーム３の長さに
沿って動く。
【００３２】制御プロセス全体は、ビルドアップに関す
る所与の並進速度で、所与の屈折率プロファイルについ
て、堆積されるシリカの量に関して高効率を得るように
最適化される。同時に、カメラ６が測定パスを行い、長
さ全体にわたってプリフォーム３の直径の連続的な値を
送る。
る所与の並進速度で、所与の屈折率プロファイルについ
て、堆積されるシリカの量に関して高効率を得るように
最適化される。同時に、カメラ６が測定パスを行い、長
さ全体にわたってプリフォーム３の直径の連続的な値を
送る。
【００３３】図３は、プリフォーム３から開始して得ら
れる、幾何的にほぼ同じ断面の光ファイバ１５の概略断
面図である。
れる、幾何的にほぼ同じ断面の光ファイバ１５の概略断
面図である。
【００３４】光ファイバ１５は、本発明のビルドアップ
一次プリフォーム３に熱線引きを行うことによって製造
される。図３に、共にシリカベースの光学活性部を形成
する光コア３０とクラッド３１と、領域３２と、部分３
６およびアルミナでドープされたシリカの周辺領域３５
からなるビルドアップ領域３３とを示す。図１と比較す
ると、領域３２はチューブ２２に相当し、領域３４は一
次プリフォーム２４に相当し、領域３７は内側領域２７
に相当し、領域３８は外側シース２８に相当する。部分
３６は意図的にはドープされないが、そのアルミナ含有
量が周辺領域３５の含有量よりも少ないなら、アルミナ
がどこから来るかに応じていくらかのアルミナ含有量を
有する可能性がある。
一次プリフォーム３に熱線引きを行うことによって製造
される。図３に、共にシリカベースの光学活性部を形成
する光コア３０とクラッド３１と、領域３２と、部分３
６およびアルミナでドープされたシリカの周辺領域３５
からなるビルドアップ領域３３とを示す。図１と比較す
ると、領域３２はチューブ２２に相当し、領域３４は一
次プリフォーム２４に相当し、領域３７は内側領域２７
に相当し、領域３８は外側シース２８に相当する。部分
３６は意図的にはドープされないが、そのアルミナ含有
量が周辺領域３５の含有量よりも少ないなら、アルミナ
がどこから来るかに応じていくらかのアルミナ含有量を
有する可能性がある。
【００３５】以下の例は本発明の範囲を限定せずに例示
する。
する。
【００３６】［例］ 例１ 約３８１ｐｐｍに等しい当量濃度でのアルミナの
使用 一次プリフォームは、直径９Ｒ、すなわち半径４．５Ｒ
のバーであり、そのバーにプラズマビルドアップを行
い、チューブ２２は半径２．９Ｒと半径４．５Ｒの間に
延びた。まず、純シリカの層を厚さ７．７Ｒにわたり堆
積して、一次プリフォームを半径１２．２Ｒのバーに変
形した。次いで、厚さ１．３Ｒであってアルミナを含む
周辺領域を形成し、それにより直径１３．５Ｒのプリフ
ォーム３を形成した。天然シリカに対するアルミニウム
の重量比で濃度２０００ｐｐｍのアルミナ微粒子Ａｌ２
Ｏ３を、ビルドアップ領域２３の厚さ２５にわたって一
次プリフォーム２４をビルドアップするために使用し
た。次いで、周辺領域堆積物２５の当量濃度を、全体と
してのビルドアップ領域２３に関して、天然シリカに対
するアルミニウムの重量で約３８１ｐｐｍに等しくし
た。
使用 一次プリフォームは、直径９Ｒ、すなわち半径４．５Ｒ
のバーであり、そのバーにプラズマビルドアップを行
い、チューブ２２は半径２．９Ｒと半径４．５Ｒの間に
延びた。まず、純シリカの層を厚さ７．７Ｒにわたり堆
積して、一次プリフォームを半径１２．２Ｒのバーに変
形した。次いで、厚さ１．３Ｒであってアルミナを含む
周辺領域を形成し、それにより直径１３．５Ｒのプリフ
ォーム３を形成した。天然シリカに対するアルミニウム
の重量比で濃度２０００ｐｐｍのアルミナ微粒子Ａｌ２
Ｏ３を、ビルドアップ領域２３の厚さ２５にわたって一
次プリフォーム２４をビルドアップするために使用し
た。次いで、周辺領域堆積物２５の当量濃度を、全体と
してのビルドアップ領域２３に関して、天然シリカに対
するアルミニウムの重量で約３８１ｐｐｍに等しくし
た。
【００３７】最大サイズが、一般に、数十マイクロメー
トル（μｍ）の超高純度品質のアルミナ微粒子を使用し
た。サイズが０．１μｍよりも小さいパイロジェニック
アルミナ微粒子を使用して、ビルドアップ領域２３の一
部２５内での微粒子の均一な分散を容易にすることが好
ましい。
トル（μｍ）の超高純度品質のアルミナ微粒子を使用し
た。サイズが０．１μｍよりも小さいパイロジェニック
アルミナ微粒子を使用して、ビルドアップ領域２３の一
部２５内での微粒子の均一な分散を容易にすることが好
ましい。
【００３８】本発明のビルドアップ一次プリフォーム３
から始めて、８５ｇの線引き張力下での熱線引きによっ
て、光ファイバ１５を製造した。一般に、線引き張力
は、１０ｇ〜２５０ｇの範囲内にあり、３０ｇ〜１５０
ｇの範囲内にあることが好ましい。
から始めて、８５ｇの線引き張力下での熱線引きによっ
て、光ファイバ１５を製造した。一般に、線引き張力
は、１０ｇ〜２５０ｇの範囲内にあり、３０ｇ〜１５０
ｇの範囲内にあることが好ましい。
【００３９】次いで、前記光ファイバ１５の水素透過性
能を、１気圧（１ａｔｍ＝１．０１３２５×１０５Ｐ
ａ）下、７０℃で４００時間試験した。試験にかけたフ
ァイバ１５によって得られた１５５０ｎｍでの減衰は、
０．０４８ｄＢ／ｋｍであった。ビルドアップの周辺領
域３４中にアルミナが存在しないこと以外は同一の条件
下で製造され、水素試験後の減衰が０．０７ｄＢ／ｋｍ
に等しい標準的な光ファイバと比較すると、減衰におけ
る改良は約３１％だった。
能を、１気圧（１ａｔｍ＝１．０１３２５×１０５Ｐ
ａ）下、７０℃で４００時間試験した。試験にかけたフ
ァイバ１５によって得られた１５５０ｎｍでの減衰は、
０．０４８ｄＢ／ｋｍであった。ビルドアップの周辺領
域３４中にアルミナが存在しないこと以外は同一の条件
下で製造され、水素試験後の減衰が０．０７ｄＢ／ｋｍ
に等しい標準的な光ファイバと比較すると、減衰におけ
る改良は約３１％だった。
【００４０】さらに、光ファイバ１５の引張り強度性能
を、引張り試験によって試験した。そのような試験は、
ファイバへの引張りを適用し、ファイバを破断するのに
必要な力を測定する標準試験である。５０本のファイバ
に試験を実施して、統計的分布を得た。その分布では、
上記で規定した標準の光ファイバに関する平均値が５７
ニュートンであるのに対し、ファイバ１５に関する平均
値が６０ニュートンであった。すなわち、前記標準の光
ファイバと比較して５％〜１０％の範囲の改良が得られ
た。
を、引張り試験によって試験した。そのような試験は、
ファイバへの引張りを適用し、ファイバを破断するのに
必要な力を測定する標準試験である。５０本のファイバ
に試験を実施して、統計的分布を得た。その分布では、
上記で規定した標準の光ファイバに関する平均値が５７
ニュートンであるのに対し、ファイバ１５に関する平均
値が６０ニュートンであった。すなわち、前記標準の光
ファイバと比較して５％〜１０％の範囲の改良が得られ
た。
【００４１】前記ファイバ１５の応力プロファイルを、
複屈折に基づく方法を使用して、表面の圧縮を測定する
ことによって求めた。複屈折は、「四分の一波長板」法
から得られる光学的方法を使用することによって、ファ
イバの速い軸に沿って伝搬する偏光と、その遅い軸に沿
って伝搬する偏光との経路長の差によって測定される。
表面の圧縮は、上記で規定した標準的な光ファイバの圧
縮の値が５μｍにわたって５ＭＰａであるのに対して、
５μｍにわたって４０ＭＰａであり、この測定の精度は
±１０％と推定される。
複屈折に基づく方法を使用して、表面の圧縮を測定する
ことによって求めた。複屈折は、「四分の一波長板」法
から得られる光学的方法を使用することによって、ファ
イバの速い軸に沿って伝搬する偏光と、その遅い軸に沿
って伝搬する偏光との経路長の差によって測定される。
表面の圧縮は、上記で規定した標準的な光ファイバの圧
縮の値が５μｍにわたって５ＭＰａであるのに対して、
５μｍにわたって４０ＭＰａであり、この測定の精度は
±１０％と推定される。
【００４２】例２ 約７６２ｐｐｍに等しい当量濃度で
のアルミナの使用 一次プリフォーム２４は、直径９Ｒ、すなわち半径４．
５Ｒのチューブであり、そのチューブにプラズマビルド
アップを行い、チューブ２２は半径２．９Ｒと半径４．
５Ｒの間で延びた。まず、純シリカの層を厚さ７．７Ｒ
にわたり堆積して、一次プリフォームを半径１２．２Ｒ
のバーに変形した。次いで、厚さ１．３Ｒであってアル
ミナを含む周辺領域を形成し、それにより直径１３．５
Ｒのプリフォーム３を形成した。天然シリカに対するア
ルミニウムの重量比で濃度４０００ｐｐｍのアルミナ微
粒子Ａｌ２Ｏ３を、ビルドアップ領域２３の周辺領域２
５に一次プリフォーム２４をビルドアップするために使
用した。次いで、周辺領域堆積２５の当量濃度を、全体
としてのビルドアップ領域２３に関して、天然シリカに
対するアルミニウムの重量で約７６２ｐｐｍに等しくし
た。
のアルミナの使用 一次プリフォーム２４は、直径９Ｒ、すなわち半径４．
５Ｒのチューブであり、そのチューブにプラズマビルド
アップを行い、チューブ２２は半径２．９Ｒと半径４．
５Ｒの間で延びた。まず、純シリカの層を厚さ７．７Ｒ
にわたり堆積して、一次プリフォームを半径１２．２Ｒ
のバーに変形した。次いで、厚さ１．３Ｒであってアル
ミナを含む周辺領域を形成し、それにより直径１３．５
Ｒのプリフォーム３を形成した。天然シリカに対するア
ルミニウムの重量比で濃度４０００ｐｐｍのアルミナ微
粒子Ａｌ２Ｏ３を、ビルドアップ領域２３の周辺領域２
５に一次プリフォーム２４をビルドアップするために使
用した。次いで、周辺領域堆積２５の当量濃度を、全体
としてのビルドアップ領域２３に関して、天然シリカに
対するアルミニウムの重量で約７６２ｐｐｍに等しくし
た。
【００４３】アルミナ源は例１のものと同様であった。
例１と同じ方法で、本発明のビルドアップ一次プリフォ
ーム３から始めて、８５ｇの線引き張力下での熱線引き
によって光ファイバ１５を製造した。
例１と同じ方法で、本発明のビルドアップ一次プリフォ
ーム３から始めて、８５ｇの線引き張力下での熱線引き
によって光ファイバ１５を製造した。
【００４４】次いで、前記光ファイバ１５の水素透過性
能を、１気圧（１ａｔｍ）下、７０℃で４００時間試験
した。試験にかけたファイバ１５によって得られた１５
５０ｎｍでの減衰は、０．０４９ｄＢ／ｋｍであった。
ビルドアップの周辺領域３４中にアルミナが存在しない
こと以外は同一の条件下で製造され、水素試験後の減衰
が０．０７ｄＢ／ｋｍである標準的な光ファイバと比較
すると、減衰における改良は約３０％だった。
能を、１気圧（１ａｔｍ）下、７０℃で４００時間試験
した。試験にかけたファイバ１５によって得られた１５
５０ｎｍでの減衰は、０．０４９ｄＢ／ｋｍであった。
ビルドアップの周辺領域３４中にアルミナが存在しない
こと以外は同一の条件下で製造され、水素試験後の減衰
が０．０７ｄＢ／ｋｍである標準的な光ファイバと比較
すると、減衰における改良は約３０％だった。
【００４５】当然、本発明の方法は、本明細書に記述し
た例に限定されない。特に、プラズマビルドアップ法に
ついて使用できるだけでなく、ＯＶＤ、ゾルゲル法、含
浸、気相堆積、蒸着など他の方法についても使用するこ
とができる。
た例に限定されない。特に、プラズマビルドアップ法に
ついて使用できるだけでなく、ＯＶＤ、ゾルゲル法、含
浸、気相堆積、蒸着など他の方法についても使用するこ
とができる。
【図１】ＭＣＶＤ法を使用して作成された一次プリフォ
ームから始めて、本発明の方法を使用して得られた光フ
ァイバプリフォームの概略断面図である。
ームから始めて、本発明の方法を使用して得られた光フ
ァイバプリフォームの概略断面図である。
【図２】本発明の方法が実施されるプラズマビルドアッ
プ装置の概略図である。
プ装置の概略図である。
【図３】図２に示されるプリフォーム３から始めて得ら
れる光ファイバの概略断面図である。
れる光ファイバの概略断面図である。
１ エンクロージャ ２ 透明窓 ３ プリフォーム ４ プラズマトーチ ５ ノズル ６ ＣＣＤカメラ ７ リンク ８ 制御装置 ９ 複数リンク １０ 出力リンク １１ 制御装置 １２ 出力複数リンク ２０ 光コア ２１ クラッド ２２ チューブ ２３ ビルドアップ領域 ２４ 一次プリフォーム ２５ 周辺領域 ２７ 内部領域 ２８ 外側シース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジエラール・オルセ フランス国、78600・メゾン・ラフイツト、 アブニユ・ボシユ、２
Claims (9)
- 【請求項１】 シリカベースであり、半径Ｒのコアとシ
ースとを備える光ファイバプリフォームであって、前記
シースが、コアに直接接触する「クラッド」と呼ばれる
光学内側部分と、「外側シース」と呼ばれる外側部分と
を備え、前記外側シースが、アルミナでドープされたシ
リカからなり、外側シース自体が、クラッドに直接接触
する「内側領域」と呼ばれる内側部分と、前記内側領域
に直接接触し「周辺領域」と呼ばれ、主にアルミナでド
ープされたシリカを備える外側部分とを備え、前記周辺
領域の厚さが０．０８Ｒ〜２．２Ｒの範囲内にあり、周
辺領域中のアルミナの重量比は、全体としての外側シー
ス中のアルミナの当量濃度が、シリカに対するアルミニ
ウムの重量で１００ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍの範囲内に
あるようになっている光ファイバプリフォーム。 - 【請求項２】 周辺領域中のアルミナの重量比が、全体
としての外側シース中のアルミナの当量濃度が、シリカ
に対するアルミニウムの重量で１００ｐｐｍ〜５００ｐ
ｐｍの範囲内にあるようになっている請求項１に記載の
プリフォーム。 - 【請求項３】 周辺領域の厚さが、０．０８Ｒ〜１．５
Ｒの範囲内にある請求項１に記載のプリフォーム。 - 【請求項４】 内側領域が、また、周辺領域の比率より
も小さい比率のアルミナを含み、全体としての外側シー
ス中のアルミナの当量濃度が、シリカに対するアルミニ
ウムの重量で５０ｐｐｍ〜２００ｐｐｍの範囲内にある
ようになっている請求項１に記載のプリフォーム。 - 【請求項５】 内側領域内のアルミナの比率が、全体と
しての外側シース中のアルミナの当量濃度が、シリカに
対するアルミニウムの重量で５０ｐｐｍ〜１５０ｐｐｍ
の範囲内にあるようになっている請求項４に記載のプリ
フォーム。 - 【請求項６】 前記周辺領域が、アルミナでドープされ
たシリカの少なくとも１つの層を外部に堆積することに
よって形成される請求項１に記載のプリフォームを製造
する方法。 - 【請求項７】 外部堆積法が、プラズマビルドアップに
よって行われる請求項６に記載の方法。 - 【請求項８】 外部堆積法が、ＯＶＤによって行われる
請求項６に記載の方法。 - 【請求項９】 請求項１に記載のプリフォームに熱線引
きを行うことによって製造された、または請求項６によ
って製造された光ファイバ。
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