JP2001002428A - 光学素子成形用型及びその製造方法 - Google Patents
光学素子成形用型及びその製造方法Info
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の分割型を用いた場合、表面性を変化さ
せることなく、パーティングラインにガラス素材の流入
を防ぎ、成形時に悪影響を与えない光学素子成形用型及
びその製造方法を提供することにある。 【解決手段】 母材の一部に光学素子を成形するための
転写面を有する複数の分割型からなる光学素子成形用型
において、湿式メッキ膜で転写面及び隣接する分割型の
パーティングラインを被覆したのち、転写面のみエッチ
ングによりメッキ膜が除去した光学素子成形用型及びそ
の製造方法。
せることなく、パーティングラインにガラス素材の流入
を防ぎ、成形時に悪影響を与えない光学素子成形用型及
びその製造方法を提供することにある。 【解決手段】 母材の一部に光学素子を成形するための
転写面を有する複数の分割型からなる光学素子成形用型
において、湿式メッキ膜で転写面及び隣接する分割型の
パーティングラインを被覆したのち、転写面のみエッチ
ングによりメッキ膜が除去した光学素子成形用型及びそ
の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レンズ、プリズム
等のガラスよりなる光学素子を、ガラス素材のプレス成
形により高精度に製造するのに使用される光学素子成型
用型及びその製造方法に関し、詳しくは複数の分割型か
らなる複合型の光学素子成型用型及びその製造方法に関
する。
等のガラスよりなる光学素子を、ガラス素材のプレス成
形により高精度に製造するのに使用される光学素子成型
用型及びその製造方法に関し、詳しくは複数の分割型か
らなる複合型の光学素子成型用型及びその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】研磨工程を必要とせず、ガラス素材のプ
レス成形によってレンズを製造する技術は、従来の製造
において必要とされた複雑な工程をなくし、簡単かつ安
価にレンズを製造することを可能とし、近年レンズのみ
ならずプリズムその他のガラスよりなる光学素子の製造
に使用されるようになった。
レス成形によってレンズを製造する技術は、従来の製造
において必要とされた複雑な工程をなくし、簡単かつ安
価にレンズを製造することを可能とし、近年レンズのみ
ならずプリズムその他のガラスよりなる光学素子の製造
に使用されるようになった。
【０００３】更に、光学素子成形技術の向上・拡大に伴
い、複数の自由曲面を持つプリズム等のニーズが高まっ
てきている。これらの光学素子に対応する型は、型加工
時に研削工具が入り込めないため、複数の分割型を用
い、パーティングラインを被膜で覆うことにより、ガラ
ス素材の流入を防ぐことが実開平４−６９４２２号公報
に提案されている。
い、複数の自由曲面を持つプリズム等のニーズが高まっ
てきている。これらの光学素子に対応する型は、型加工
時に研削工具が入り込めないため、複数の分割型を用
い、パーティングラインを被膜で覆うことにより、ガラ
ス素材の流入を防ぐことが実開平４−６９４２２号公報
に提案されている。
【０００４】しかし、上記従来の分割型では、被膜の厚
みが２μｍ以上必要なため、転写面が変化するという問
題点があり、また厚みを２μｍ未満にした場合、膜強度
が不充分という問題があった。
みが２μｍ以上必要なため、転写面が変化するという問
題点があり、また厚みを２μｍ未満にした場合、膜強度
が不充分という問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、かか
る従来の問題点を解決したもので、複数の分割型を用い
た場合、表面性を変化させることなく、パーティングラ
インにガラス素材の流入を防ぎ、成形時に悪影響を与え
ない光学素子成形用型及びその製造方法を提供すること
にある。
る従来の問題点を解決したもので、複数の分割型を用い
た場合、表面性を変化させることなく、パーティングラ
インにガラス素材の流入を防ぎ、成形時に悪影響を与え
ない光学素子成形用型及びその製造方法を提供すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に従って、母材の
一部に光学素子を成形するための転写面を有する複数の
分割型からなる光学素子成形用型において、湿式メッキ
膜で転写面及び隣接する分割型のパーティングラインを
被覆した後、転写面のみエッチングによりメッキ膜を除
去した光学素子成形用型が提供される。
一部に光学素子を成形するための転写面を有する複数の
分割型からなる光学素子成形用型において、湿式メッキ
膜で転写面及び隣接する分割型のパーティングラインを
被覆した後、転写面のみエッチングによりメッキ膜を除
去した光学素子成形用型が提供される。
【０００７】また本発明に従って、母材の一部に光学素
子を成形するための転写面を有する複数の分割型からな
る光学素子成形用型の製造方法において、湿式メッキ膜
で転写面及び隣接する分割型のパーティングラインを被
覆したのち、転写面のみエッチングによりメッキ膜を除
去する光学素子成形用型の製造方法が提供される。
子を成形するための転写面を有する複数の分割型からな
る光学素子成形用型の製造方法において、湿式メッキ膜
で転写面及び隣接する分割型のパーティングラインを被
覆したのち、転写面のみエッチングによりメッキ膜を除
去する光学素子成形用型の製造方法が提供される。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を詳
細に説明する。
細に説明する。
【０００９】本発明は、母材の一部に光学素子を成形す
るための転写面を有する複数の分割型からなる成形用型
が、湿式メッキ膜で転写面及び隣接する分割型のパーテ
ィングラインを被覆した後、転写面のみエッチングによ
りメッキ膜を除去するものである。
るための転写面を有する複数の分割型からなる成形用型
が、湿式メッキ膜で転写面及び隣接する分割型のパーテ
ィングラインを被覆した後、転写面のみエッチングによ
りメッキ膜を除去するものである。
【００１０】更に、好ましくは、母材の転写面を構成す
る材料のエッチング速度が、湿式メッキ膜のエッチング
速度より遅くなるようなエッチング液を選択すること
が、転写面の精度を維持する上で望ましい。
る材料のエッチング速度が、湿式メッキ膜のエッチング
速度より遅くなるようなエッチング液を選択すること
が、転写面の精度を維持する上で望ましい。
【００１１】母材の材質としては、アルミナ、ジルコニ
アを主成分とする酸化物系セラミックス、炭化珪素、窒
化珪素、炭化チタン、窒化チタン、炭化タングステンを
主成分とする炭化物・窒化系セラミックス、炭化タング
ステンを主成分とする超硬合金、モリブデン（Ｍｏ）、
タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）を主成分とする
金属であり、好ましくは炭化タングステンを主成分とす
る超硬合金である。
アを主成分とする酸化物系セラミックス、炭化珪素、窒
化珪素、炭化チタン、窒化チタン、炭化タングステンを
主成分とする炭化物・窒化系セラミックス、炭化タング
ステンを主成分とする超硬合金、モリブデン（Ｍｏ）、
タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）を主成分とする
金属であり、好ましくは炭化タングステンを主成分とす
る超硬合金である。
【００１２】更に、母材が精密切削加工できない、炭化
タングステンを主成分とする超硬合金の場合、加工層と
して、ニッケル（Ｎｉ）とリン（Ｐ）の２元合金とその
合金の炭化物との混合物、又はその合金の窒化物との混
合物、又はその合金の炭窒化物との混合物、又はニッケ
ル（Ｎｉ）と、銅（Ｃｕ）又はタングステン（Ｗ）と、
リン（Ｐ）の３元合金とその合金の炭化物との混合物、
又はその合金の窒化物との混合物、又はその合金の炭窒
化物との混合物が使用される。
タングステンを主成分とする超硬合金の場合、加工層と
して、ニッケル（Ｎｉ）とリン（Ｐ）の２元合金とその
合金の炭化物との混合物、又はその合金の窒化物との混
合物、又はその合金の炭窒化物との混合物、又はニッケ
ル（Ｎｉ）と、銅（Ｃｕ）又はタングステン（Ｗ）と、
リン（Ｐ）の３元合金とその合金の炭化物との混合物、
又はその合金の窒化物との混合物、又はその合金の炭窒
化物との混合物が使用される。
【００１３】湿式メッキ膜としては、銅（Ｃｕ）、コバ
ルト（Ｃｏ）及びクロム（Ｃｒ）から選ばれる１種類の
金属が用いられ、そのエッチング液として、銅（Ｃｕ）
にはエチルアルコール、塩素及び塩化鉄の混合液、コバ
ルト（Ｃｏ）にはメチルアルコールと硝酸の混合液、ク
ロム（Ｃｒ）には蒸留水と硫酸の混合液を用いると、母
材及び加工層のエッチング速度がメッキ膜のエッチング
速度より遅くなり、母材及び加工層の面変化に悪影響を
与えない点で好ましい。
ルト（Ｃｏ）及びクロム（Ｃｒ）から選ばれる１種類の
金属が用いられ、そのエッチング液として、銅（Ｃｕ）
にはエチルアルコール、塩素及び塩化鉄の混合液、コバ
ルト（Ｃｏ）にはメチルアルコールと硝酸の混合液、ク
ロム（Ｃｒ）には蒸留水と硫酸の混合液を用いると、母
材及び加工層のエッチング速度がメッキ膜のエッチング
速度より遅くなり、母材及び加工層の面変化に悪影響を
与えない点で好ましい。
【００１４】そして、この成形型を実際ガラス成形に使
用する場合は、融着防止の観点で、転写面のみエッチン
グによりメッキ膜を除去した後、転写面に、チタン、タ
ンタル、クロム、シリコンからなる炭化物、窒化物、炭
窒化物の中間層を成膜し、更にその上に、硬質炭素膜、
又は白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム
（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、オスミウム（Ｏｓ）、ル
テニウム（Ｒｕ）、レニウム（Ｒｅ）、金（Ａｕ）、タ
ングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）から選ばれる１種
以上の金属又は合金薄膜の表面層を成膜することが望ま
しい。
用する場合は、融着防止の観点で、転写面のみエッチン
グによりメッキ膜を除去した後、転写面に、チタン、タ
ンタル、クロム、シリコンからなる炭化物、窒化物、炭
窒化物の中間層を成膜し、更にその上に、硬質炭素膜、
又は白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム
（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、オスミウム（Ｏｓ）、ル
テニウム（Ｒｕ）、レニウム（Ｒｅ）、金（Ａｕ）、タ
ングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）から選ばれる１種
以上の金属又は合金薄膜の表面層を成膜することが望ま
しい。
【００１５】上記構成の光学素子成形用型によれば、パ
ーティングラインは、湿式メッキ膜で被覆されているた
め、軟化状態にある光学ガラスは、パーティングライン
の内部に流入することが無く、また転写面はエッチング
により湿式メッキ膜が除去されており、母材及び加工層
が面変化することはない。そして、湿式メッキ液は毛細
管現象で内部まで入り込んでいるため、加圧成形した際
も、充分な強度が確保できる。
ーティングラインは、湿式メッキ膜で被覆されているた
め、軟化状態にある光学ガラスは、パーティングライン
の内部に流入することが無く、また転写面はエッチング
により湿式メッキ膜が除去されており、母材及び加工層
が面変化することはない。そして、湿式メッキ液は毛細
管現象で内部まで入り込んでいるため、加圧成形した際
も、充分な強度が確保できる。
【００１６】
【実施例】以下に、具体的な実施例を挙げて本発明をよ
り詳細に説明する。
り詳細に説明する。
【００１７】（実施例１）図１は、実施例１の光学素子
成形用型の工程図である。
成形用型の工程図である。
【００１８】第１工程は、分割成形型母材１１、１２及
び１３はＷＣを主成分とする超硬合金を、所望の自由曲
面の近似形状にそれぞれ研削加工を行う。
び１３はＷＣを主成分とする超硬合金を、所望の自由曲
面の近似形状にそれぞれ研削加工を行う。
【００１９】第２工程は、これらの研削面上に、Ｎｉ−
Ｐターゲットを用い、導入ガスとしてアルゴンとメタン
を用いたスパッタ成膜によりＮｉ−ＰとＮｉ−Ｐの炭化
物との混合膜の加工層２１、２２及び２３を５０μｍの
膜厚にそれぞれ形成する。
Ｐターゲットを用い、導入ガスとしてアルゴンとメタン
を用いたスパッタ成膜によりＮｉ−ＰとＮｉ−Ｐの炭化
物との混合膜の加工層２１、２２及び２３を５０μｍの
膜厚にそれぞれ形成する。
【００２０】第３工程は、この加工層を、ダイヤモンド
バイトにより所望の自由曲面形状にそれぞれ切削加工を
行い、均等研磨により仕上げ加工を行う。
バイトにより所望の自由曲面形状にそれぞれ切削加工を
行い、均等研磨により仕上げ加工を行う。
【００２１】第４工程は、この分割成形型１１、１２及
び１３を組み合わせ複合型を構成する。
び１３を組み合わせ複合型を構成する。
【００２２】第５工程は、市販の無電解銅メッキ液（商
品名：Ｃ−２００ＬＴ、（株）高純度化学研究所）を用
いて、加工層上にメッキ膜３を１０μｍの膜厚に形成す
る。この時、パーティングラインには表面から深さ２ｍ
ｍのメッキ膜が形成された。
品名：Ｃ−２００ＬＴ、（株）高純度化学研究所）を用
いて、加工層上にメッキ膜３を１０μｍの膜厚に形成す
る。この時、パーティングラインには表面から深さ２ｍ
ｍのメッキ膜が形成された。
【００２３】第６工程は、エッチング液として、エチル
アルコール、塩酸及び塩化鉄の混合液を用いて、加工層
上のメッキ膜を除去する。
アルコール、塩酸及び塩化鉄の混合液を用いて、加工層
上のメッキ膜を除去する。
【００２４】第７工程は、このメッキ膜が除去された加
工層２１、２２及び２３上に、イオンプレーティング法
によりＴｉＮ膜の中間層４を０．５μｍの膜厚に形成す
る。
工層２１、２２及び２３上に、イオンプレーティング法
によりＴｉＮ膜の中間層４を０．５μｍの膜厚に形成す
る。
【００２５】第８工程は、この中間層４上に、イオンビ
ーム蒸着法により硬質炭素膜の表面層５を１００ｎｍの
膜厚に形成する。
ーム蒸着法により硬質炭素膜の表面層５を１００ｎｍの
膜厚に形成する。
【００２６】この型を連続成形機を用いてガラス成形
（リン酸系ガラス）を行った所、３０００ショット成形
後も良好な成形品が得られ、また、型材表面、パーティ
ングラインの劣化も観察されなかった。
（リン酸系ガラス）を行った所、３０００ショット成形
後も良好な成形品が得られ、また、型材表面、パーティ
ングラインの劣化も観察されなかった。
【００２７】（実施例２）第２工程を省き、第３工程を
母材を直接研削加工する以外は実施例１と同様にして、
光学素子成形型を得た。
母材を直接研削加工する以外は実施例１と同様にして、
光学素子成形型を得た。
【００２８】この型を連続成形機を用いてガラス成形
（リン酸系ガラス）を行った所、３０００ショット成形
後も良好な成形品が得られ、また、型材表面、パーティ
ングラインの劣化も観察されなかった。
（リン酸系ガラス）を行った所、３０００ショット成形
後も良好な成形品が得られ、また、型材表面、パーティ
ングラインの劣化も観察されなかった。
【００２９】（実施例３）第５及び６工程を以下に変更
する以外は、実施例１と同様にして光学素子成形型を得
た。
する以外は、実施例１と同様にして光学素子成形型を得
た。
【００３０】第５工程は、市販の電解コバルトメッキ液
（商品名：ＣＯＭ０３ＬＡ、（株）高純度化学研究所）
を用いて、加工層上にメッキ膜３を１０μｍの膜厚に形
成する。この時、パーティングラインには表面から深さ
１．８ｍｍのメッキ膜が形成された。
（商品名：ＣＯＭ０３ＬＡ、（株）高純度化学研究所）
を用いて、加工層上にメッキ膜３を１０μｍの膜厚に形
成する。この時、パーティングラインには表面から深さ
１．８ｍｍのメッキ膜が形成された。
【００３１】第６工程は、エッチング液として、蒸留水
及び塩酸の混合液を用いて、加工層上のメッキ膜を除去
する。
及び塩酸の混合液を用いて、加工層上のメッキ膜を除去
する。
【００３２】この型を連続成形機を用いてガラス成形
（リン酸系ガラス）を行った所、３０００ショット成形
後も良好な成形品が得られ、また、型材表面、パーティ
ングラインの劣化も観察されなかった。
（リン酸系ガラス）を行った所、３０００ショット成形
後も良好な成形品が得られ、また、型材表面、パーティ
ングラインの劣化も観察されなかった。
【００３３】（実施例４）第５及び６工程を以下に変更
する以外は、実施例１と同様にして光学素子成形型を得
た。
する以外は、実施例１と同様にして光学素子成形型を得
た。
【００３４】第５工程は、無水クロム酸を主成分とし、
少量の硫酸を用いて、加工層上に電解クロムメッキ膜３
を１０μｍの膜厚に形成する。この時、パーティングラ
インには表面から深さ１．７ｍｍのメッキ膜が形成され
た。
少量の硫酸を用いて、加工層上に電解クロムメッキ膜３
を１０μｍの膜厚に形成する。この時、パーティングラ
インには表面から深さ１．７ｍｍのメッキ膜が形成され
た。
【００３５】第６工程は、エッチング液として、蒸留水
及び硫酸の混合液を煮沸して、加工層上のメッキ膜を除
去する。
及び硫酸の混合液を煮沸して、加工層上のメッキ膜を除
去する。
【００３６】この型を連続成形機を用いてガラス成形
（リン酸系ガラス）を行った所、３０００ショット成形
後も良好な成形品が得られ、また、型材表面、パーティ
ングラインの劣化も観察されなかった。
（リン酸系ガラス）を行った所、３０００ショット成形
後も良好な成形品が得られ、また、型材表面、パーティ
ングラインの劣化も観察されなかった。
【００３７】（実施例５）第２工程の、Ｎｉ−ＰとＮｉ
−Ｐの炭化物との混合膜の代わりに、Ｎｉ−ＰとＮｉ−
Ｐの窒化物との混合膜、Ｎｉ−ＰとＮｉ−Ｐの炭窒化物
との混合膜、Ｎｉ−Ｐ−ＣｕとＮｉ−Ｐ−Ｃｕの炭化物
との混合膜、Ｎｉ−Ｐ−ＣｕとＮｉ−Ｐ−Ｃｕの窒化物
との混合膜、Ｎｉ−Ｐ−ＣｕとＮｉ−Ｐ−Ｃｕの炭窒化
物との混合膜、Ｎｉ−Ｐ−ＷとＮｉ−Ｐ−Ｗの炭化物と
の混合膜、Ｎｉ−Ｐ−ＷとＮｉ−Ｐ−Ｗの窒化物との混
合膜、Ｎｉ−Ｐ−ＷとＮｉ−Ｐ−Ｗの炭窒化物との混合
膜に変更する以外は実施例１と同様にして、光学素子成
形型を得た。
−Ｐの炭化物との混合膜の代わりに、Ｎｉ−ＰとＮｉ−
Ｐの窒化物との混合膜、Ｎｉ−ＰとＮｉ−Ｐの炭窒化物
との混合膜、Ｎｉ−Ｐ−ＣｕとＮｉ−Ｐ−Ｃｕの炭化物
との混合膜、Ｎｉ−Ｐ−ＣｕとＮｉ−Ｐ−Ｃｕの窒化物
との混合膜、Ｎｉ−Ｐ−ＣｕとＮｉ−Ｐ−Ｃｕの炭窒化
物との混合膜、Ｎｉ−Ｐ−ＷとＮｉ−Ｐ−Ｗの炭化物と
の混合膜、Ｎｉ−Ｐ−ＷとＮｉ−Ｐ−Ｗの窒化物との混
合膜、Ｎｉ−Ｐ−ＷとＮｉ−Ｐ−Ｗの炭窒化物との混合
膜に変更する以外は実施例１と同様にして、光学素子成
形型を得た。
【００３８】この型を連続成形機を用いてガラス成形
（リン酸系ガラス）を行った所、３０００ショット成形
後も良好な成形品が得られ、また、型材表面、パーティ
ングラインの劣化も観察されなかった。
（リン酸系ガラス）を行った所、３０００ショット成形
後も良好な成形品が得られ、また、型材表面、パーティ
ングラインの劣化も観察されなかった。
【００３９】（実施例６）第７工程の、中間層のＴｉＮ
膜をＴｉＣ、ＴｉＣＮ、ＴａＮ、ＴａＣ、ＴａＣＮ、Ｓ
ｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＣＮ、ＣｒＮ、ＣｒＣ、ＣｒＣＮに
変更する以外は実施例１と同様にして、光学素子成形型
を得た。
膜をＴｉＣ、ＴｉＣＮ、ＴａＮ、ＴａＣ、ＴａＣＮ、Ｓ
ｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＣＮ、ＣｒＮ、ＣｒＣ、ＣｒＣＮに
変更する以外は実施例１と同様にして、光学素子成形型
を得た。
【００４０】この型を連続成形機を用いてガラス成形
（リン酸系ガラス）を行った所、３０００ショット成形
後もパーティングラインの劣化は観察されなかった。
（リン酸系ガラス）を行った所、３０００ショット成形
後もパーティングラインの劣化は観察されなかった。
【００４１】（実施例７）第８工程の、表面層の硬質炭
素膜を白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム
（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、オスミウム（Ｏｓ）、ル
テニウム（Ｒｕ）、レニウム（Ｒｅ）、金（Ａｕ）、タ
ングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）から選ばれる１種
以上の金属又は合金薄膜にする以外は実施例１と同様に
して、光学素子成形型を得た。
素膜を白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム
（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、オスミウム（Ｏｓ）、ル
テニウム（Ｒｕ）、レニウム（Ｒｅ）、金（Ａｕ）、タ
ングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）から選ばれる１種
以上の金属又は合金薄膜にする以外は実施例１と同様に
して、光学素子成形型を得た。
【００４２】この型を連続成形機を用いてガラス成形
（リン酸系ガラス）を行った所、３０００ショット成形
後もパーティングラインの劣化は観察されなかった。
（リン酸系ガラス）を行った所、３０００ショット成形
後もパーティングラインの劣化は観察されなかった。
【００４３】（比較例１）第５及び６工程を省き、第７
工程のＴｉＮ膜の膜厚を３μｍ形成する以外は実施例１
と同様にして、光学素子成形型を得たが、所望した精度
の面形状が得られなかった。
工程のＴｉＮ膜の膜厚を３μｍ形成する以外は実施例１
と同様にして、光学素子成形型を得たが、所望した精度
の面形状が得られなかった。
【００４４】この型を連続成形機を用いてガラス成形
（リン酸系ガラス）を行った所、３００ショット成形後
にパーティングラインに亀裂が観察された。
（リン酸系ガラス）を行った所、３００ショット成形後
にパーティングラインに亀裂が観察された。
【００４５】
【発明の効果】以上のように、本発明の光学素子成形用
型によれば、パーティングラインは、湿式メッキ膜で被
覆されているため、軟化状態にある光学ガラスは、パー
ティングラインの内部に流入することが無く、また転写
面はエッチングにより湿式メッキ膜が除去されており、
母材及び加工層が面変化することがないため、良好な成
形品が得られた。そして、湿式メッキ液は毛細管現象で
内部まで入り込んでいるため、繰り返し加圧成形した際
も、充分な強度が確保できたため、パーティングライン
の劣化が観察されなかった。
型によれば、パーティングラインは、湿式メッキ膜で被
覆されているため、軟化状態にある光学ガラスは、パー
ティングラインの内部に流入することが無く、また転写
面はエッチングにより湿式メッキ膜が除去されており、
母材及び加工層が面変化することがないため、良好な成
形品が得られた。そして、湿式メッキ液は毛細管現象で
内部まで入り込んでいるため、繰り返し加圧成形した際
も、充分な強度が確保できたため、パーティングライン
の劣化が観察されなかった。
【図１】本発明の光学素子成形型の製造工程の概略図で
ある。 （ａ）第１工程：研削加工 （ｂ）第２工程：加工層の形成 （ｃ）第３工程：切削加工及び均等研磨 （ｄ）第４工程：複合型の構成 （ｅ）第５工程：メッキ膜の形成 （ｆ）第６工程：メッキ膜の除去 （ｇ）第７工程：中間層の形成 （ｈ）第８工程：表面層の形成
ある。 （ａ）第１工程：研削加工 （ｂ）第２工程：加工層の形成 （ｃ）第３工程：切削加工及び均等研磨 （ｄ）第４工程：複合型の構成 （ｅ）第５工程：メッキ膜の形成 （ｆ）第６工程：メッキ膜の除去 （ｇ）第７工程：中間層の形成 （ｈ）第８工程：表面層の形成
１１，１２，１３ 分割成形型母材 ２１，２２，２３ 加工層 ３ メッキ膜 ４ 中間層 ５ 表面層
Claims (10)
- 【請求項１】 母材の一部に光学素子を成形するための
転写面を有する複数の分割型からなる光学素子成形用型
において、湿式メッキ膜で転写面及び隣接する分割型の
パーティングラインを被覆した後、該転写面のみエッチ
ングによりメッキ膜を除去したことを特徴とする光学素
子成形用型。 - 【請求項２】 前記母材の転写面を構成する材料のエッ
チング速度が、湿式メッキ膜のエッチング速度より遅い
請求項１に記載の光学素子成形用型。 - 【請求項３】 前記母材が炭化タングステンを主成分と
する超硬合金であり、湿式メッキ膜は、銅（Ｃｕ）、コ
バルト（Ｃｏ）及びクロム（Ｃｒ）から選ばれる１種類
の金属である請求項１に記載の光学素子成形用型。 - 【請求項４】 母材の一部に光学素子を成形するための
転写面を有する複数の分割型からなる光学素子成形用型
において、該母材は、炭化タングステンを主成分とする
超硬合金であり、母材上に、ニッケル（Ｎｉ）とリン
（Ｐ）の２元合金とその合金の炭化物との混合物、又は
その合金の窒化物との混合物、又はその合金の炭窒化物
との混合物、又はニッケル（Ｎｉ）と、銅（Ｃｕ）又は
タングステン（Ｗ）と、リン（Ｐ）の３元合金とその合
金の炭化物との混合物、又はその合金の窒化物との混合
物、又はその合金の炭窒化物との混合物の加工層が、所
望の形状に加工されており、その上に、銅（Ｃｕ）、コ
バルト（Ｃｏ）及びクロム（Ｃｒ）から選ばれる１種類
の金属により形成される湿式メッキ膜を被覆した後、該
転写面のみエッチングによりメッキ膜が除去されている
ことを特徴とする光学素子成形用型。 - 【請求項５】 母材の一部に光学素子を成形するための
転写面を有する複数の分割型からなる光学素子成形用型
において、該転写面のみエッチングによりメッキ膜を除
去した後、該転写面に、チタン、タンタル、クロム、シ
リコンからなる炭化物、窒化物、炭窒化物の中間層を成
膜し、更にその上に、硬質炭素膜、又は白金（Ｐｔ）、
パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム
（Ｒｈ）、オスミウム（Ｏｓ）、ルテニウム（Ｒｕ）、
レニウム（Ｒｅ）、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）、
タンタル（Ｔａ）から選ばれるの１種以上の金属又は合
金薄膜の表面層を成膜していることを特徴とする光学素
子成形用型。 - 【請求項６】 母材の一部に光学素子を成形するための
転写面を有する複数の分割型からなる光学素子成形用型
の製造方法において、湿式メッキ膜で転写面及び隣接す
る分割型のパーティングラインを被覆したのち、該転写
面のみエッチングによりメッキ膜を除去することを特徴
とする光学素子成形用型の製造方法。 - 【請求項７】 前記母材の転写面を構成する材料のエッ
チング速度が、湿式メッキ膜のエッチング速度より遅く
なるようなエッチング液を用いる請求項６に記載の光学
素子成形用型の製造方法。 - 【請求項８】 前記母材が炭化タングステンを主成分と
する超硬合金であり、湿式メッキ膜に、銅（Ｃｕ）、コ
バルト（Ｃｏ）及びクロム（Ｃｒ）から選ばれる１種類
の金属を用いる請求項６に記載の光学素子成形用型の製
造方法。 - 【請求項９】 母材の一部に光学素子を成形するための
転写面を有する複数の分割型からなる光学素子成形用型
の製造方法において、該母材は、炭化タングステンを主
成分とする超硬合金であり、母材上に、ニッケル（Ｎ
ｉ）とリン（Ｐ）の２元合金とその合金の炭化物との混
合物、又はその合金の窒化物との混合物、又はその合金
の炭窒化物との混合物、又はニッケル（Ｎｉ）と、銅
（Ｃｕ）又はタングステン（Ｗ）と、リン（Ｐ）の３元
合金とその合金の炭化物との混合物、又はその合金の窒
化物との混合物、又はその合金の炭窒化物との混合物の
加工層が、所望の形状に加工されており、その上に、銅
（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）及びクロム（Ｃｒ）から選
ばれる１種類の金属により形成される湿式メッキ膜を被
覆した後、該転写面のみエッチングによりメッキ膜を除
去することを特徴とする光学素子成形用型の製造方法。 - 【請求項１０】 母材の一部に光学素子を成形するため
の転写面を有する複数の分割型からなる光学素子成形用
型の製造方法において、該転写面のみエッチングにより
メッキ膜を除去した後、該転写面に、チタン、タンタ
ル、クロム、シリコンからなる炭化物、窒化物、炭窒化
物の中間層を成膜し、更にその上に、硬質炭素膜、又は
白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉ
ｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、オスミウム（Ｏｓ）、ルテニ
ウム（Ｒｕ）、レニウム（Ｒｅ）、金（Ａｕ）、タング
ステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）から選ばれる１種以上
の金属又は合金薄膜の表面層を成膜することを特徴とす
る光学素子成形用型の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11168389A JP2001002428A (ja) | 1999-06-15 | 1999-06-15 | 光学素子成形用型及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11168389A JP2001002428A (ja) | 1999-06-15 | 1999-06-15 | 光学素子成形用型及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001002428A true JP2001002428A (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=15867215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11168389A Pending JP2001002428A (ja) | 1999-06-15 | 1999-06-15 | 光学素子成形用型及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001002428A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007186384A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Kobe Steel Ltd | ガラス成形用硬質皮膜及びその硬質皮膜を備えたガラス成形用金型 |
-
1999
- 1999-06-15 JP JP11168389A patent/JP2001002428A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007186384A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Kobe Steel Ltd | ガラス成形用硬質皮膜及びその硬質皮膜を備えたガラス成形用金型 |
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