JP2000512084A - センサマトリックスを有するｘ線装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 Ｘ線検査装置は、Ｘ線画像から画像信号を得るためのセンサマトリックスを有するＸ線検出器からなる。Ｘ線検出器は、Ｘ線減衰区画の規則的なパターンを有する散乱格子を設けられる。センサマトリックスの空間解像度は、Ｘ線画像中の最も小さな検出可能な細部の大きさが隣接する区画間の距離よりも大きいようにされる。特に、Ｘ線検出器は、Ｘ線を電荷に変換するためのＸ線感応光伝導体層を有し、別個のセンサ素子は夫々の集電極を含み、半導体クラッド層は光伝導体層と集電極との間に配置される。半導体クラッド層は略横方向の導電性を有する。例えば、半導体クラッド層は、塩素でドープされたセレン層、或いはセレン、硫黄、又はテルル化物でドープされた酸化鉛層である。

Description

【発明の詳細な説明】 センサマトリックスを有するＸ線装置 本発明はＸ線画像から画像信号を得るためのセンサマトリックスを有するＸ線 検出器を含むＸ線検査装置に関する。 係るＸ線検出器は欧州特許出願第０５８８３９７号より既知である。センサマ トリックスは、列及び行に配置された複数のセンサ素子を有する。既知のＸ線検 出器は、共通電極と夫々の集電極を含む別個のセンサ素子とを有する。共通電極 と集電極との間には光伝導体層が設けられる。各列には、低雑音増幅器に結合さ れた読出し線が設けられる。低雑音増幅器の出力は多重回路に結合される。既知 のセンサマトリックスの光伝導体層は非晶質セレン（α−Ｓｅ）からなる。入射 Ｘ線は光伝導体層中で吸収され電子正孔対を生成する。共通電極によって光伝導 体層の両端に印加される静電界の影響下で、正孔が共通電極へ移動し、電子が集 電極で収集されるか、又は静電界の極性に依存して、逆に、正孔が集電極で収集 され、電子が共通電極へ移動する。各集電極は収集キャパシタンスの一部である 。別個のセンサ素子は当該の集電極を読出し線のうちの１つと結合させる夫々の スイッチ素子を有する。スイッチ素子は、Ｘ線照射中は開いたままとされ、夫々 の読出し線へ供給される収集された電荷を読み出すために閉じられ、電荷は夫々 の読出し線に沿って、夫々の読出し線の中の電流を統合し、続いて夫々の読出し 線の電荷信号を電子画像信号へ変換する多重回路へ電荷信号を供給する夫々の低 雑音増幅器へ流れる。 Ｘ線画像を形成するには、放射線検査を受けるべき患者といった対象はＸ線に よって照射される。対象中のＸ線吸収の局所変化により、Ｘ線画像はセンサマト リックス上に形成される。Ｘ線の一部は 患者の中で、例えばコンプトン散乱により散乱される。散乱されたＸ線はＸ線画 像を摂動させる。特に、散乱されたＸ線はＸ線画像中の小さな細部の表現を劣化 させるＸ線画像の光幕状の摂動を引き起こす。 本発明は、センサマトリックスを有し、散乱されたＸ線に関するＸ線画像の摂 動が略回避されるＸ線検査装置を提供することを目的とする。 この目的は、Ｘ線検出器はＸ線減衰区画の規則的なパターンを有する散乱格子 を設けられ、センサマトリックスの空間解像度は、Ｘ線画像中の最も小さな検出 可能な細部の寸法が隣接する区画間の距離よりも大きいようにされることを特徴 とする、本発明によるＸ線検査装置によって達成される。 散乱格子のＸ線減衰区画は、.散乱されたＸ線を略阻止し、散乱されたＸ線が センサマトリックスへ到達することを回避する。Ｘ線減衰区画は、散乱された格 子は散乱されていないＸ線がセンサマトリックスに到達することを可能にするよ う、散乱されていないＸ線の方向に本質的に平行なチャネルを形成する。更なる 手段がとられなければ、散乱格子の区画の規則的なパターン及びセンサ素子のマ トリックスの規則的なパターンの夫々の周期的な構造はモアレ状の摂動を引き起 こす。係るモアレ状の摂動は、散乱格子の周期的パターンとセンサマトリックス のセンサ素子の周期的なパターンとの干渉によって引き起こされる。センサマト リックスの空間解像度は、Ｘ線画像中の最も小さな別個に検出可能な細部に反比 例する無次元量である。従って、最も小さな検出可能な細部が小さいほど、セン サマトリックスの空間解像度は高くなる。センサマトリックスの空間解像度があ まりにも低く、センサマトリックスが別個に検出可能な最も小さな特徴の寸法が 散乱格子のチャネルの寸法よりも大きくなるため、モアレ状摂動は回避される。 特に、Ｘ線減衰区画の規則的なパターンの空間周波数とセンサ素子の有効空間周 波数との間の 差が、Ｘ線画像中の当該の細部の空間周波数よりも実質的に大きくなることが達 成される。望ましくは、空間解像度は、センサマトリックスが別個に検出可能な 最も小さな特徴の寸法が、散乱格子のチャネルの寸法の約半分よりも大きいよう にされる。本発明によるＸ線検査装置は、診断上の高い質を有するＸ線画像を生 成することが可能であり、即ち、Ｘ線画像中の低いコントラストを有する小さな 細部がよく見えるようにされる。 散乱されたＸ線によるＸ線画像中の摂動を減少させるために散乱格子を利用す る方法は、米国特許第５２７０９２５号よりそれ自体として既知である。 本発明による、センサマトリックスがＸ線感応層を含むＸ線検査装置の望まし い実施例は、Ｘ線感応層は、Ｘ線画像中の最も小さな検出可能な細部の寸法が隣 接する区画間の距離よりも大きいように配置されることを特徴とする。 Ｘ線感応層は、入射Ｘ線によって発生される電荷又は低エネルギー放射線に幾 らかの広がりを生じさせる。特に、Ｘ線感応層は、センサマトリックスが別個に 検出しうる最も小さな細部が、散乱格子の隣接する区画間の距離よりも大きく、 望ましくは隣接する区画間の距離の半分よりも大きいよう、センサマトリックス の空間解像度を減少する。 Ｘ線感応層はＸ線を電荷へ変換するための光伝導体層であり、センサマトリッ クスは夫々の集電極を有する別個のセンサ素子を含み、半導体クラッド層は上記 光伝導体層と上記集電極との間に配置される、Ｘ線検査装置の望ましい実施例は 、半導体クラッド層は略横方向の導電性を有し、それによりセンサマトリックス の空間解像度はＸ線画像の最も小さな検出可能な細部の寸法が隣接する区画間の 距離よりも大きいことを特徴とする。 入射Ｘ線は光伝導体層の中に電子正孔対を発生する。１つのタイプの電荷担体 、即ち電子又は正孔は、集電極において収集され、画 像信号は収集された電荷から得られる。収集された電荷と反対の極性の電荷は共 通の対向する電極へ移動され、続いて再結合される。半導体クラッド層の略横方 向の導電性は、収集された電荷をある程度半導体クラッド層に平行に広がらせる 。従って、センサマトリックスの空間解像度は減少され、それにより散乱格子に よるモアレ状摂動が略回避される。 本発明による光伝導体層がセレン層であるＸ線検査装置の望ましい実施例は、 半導体クラッド層は塩素でドープされたセレン層であることを特徴とする。 セレン半導体クラッド層を約８０乃至１２０ｐｐｍ、望ましくは１００ｐｐｍ の塩素でドープすることは、横方向の伝導性が、センサマトリックスが別個に検 出しうる最も小さな特徴が、散乱格子の区画間の距離の約半分よりも大きいよう にさせる。 塩素でドープされたセレン半導体クラッド層は、殆どヒ素を含まず、結晶性構 造を有する。これに対して、セレン光伝導体層は非晶質構造を有する。ヒ素はセ レン鎖の形成を終了させ、従ってセレンの結晶化を防止する。結晶性セレンは非 晶質セレンよりもはるかに高い導電性を有する。従って、結晶性セレン層は横方 向の導電性を有する適当な半導体クラッド層である。 本発明による光伝導体層が酸化鉛であるＸ線検査装置の望ましい実施例は、実 質的な導電性を有する半導体クラッド層は、非化学量論的な酸化鉛層、即ちセレ ン（Ｓｅ）、硫黄（Ｓ）、テルル（Ｔｅ）の群のうちの１つの元素でドープされ る酸化鉛層であることを特徴とする。 相対的な酸素の過剰を含む非化学量論的な酸化鉛半導体クラッド層は、正孔に ついて略横方向の導電性を有する。相対的な酸素の不足を含む非化学量論的な酸 化鉛半導体クラッド層は、電子について略横方向の導電性を有する。正孔が集電 極において収集されるとき、センサマトリックスの空間解像度は相対的な酸素の 過剰を有する非 化学量論的な酸化鉛半導体クラッド層によって減少される。電子が集電極におい て収集されるとき、センサマトリックスの空間解像度は相対的な酸素の不足を有 する非化学量論的な酸化鉛半導体クラッド層によって減少される。或いは、所望 の横方向の導電性は、センサマトリックスの空間解像度が、Ｘ線画像中の最も小 さな検出可能な細部が散乱格子の区画間の距離の約半分よりも大きな寸法を有す るほど小さいことを達成するよう、酸化鉛半導体クラッド層をセレン、硫黄、テ ルル化物でドープすることによって達成される。 本発明によるＸ線検査装置の望ましい実施例は、Ｘ線感応層はＸ線を低エネル ギー放射線へ変換するための変換層であり、上記変換層は、センサマトリックス の空間解像度がＸ線画像中の最も小さな検出可能な細部の寸法が隣接する区画間 の距離よりも大きいことを特徴とする。 低エネルギー放射線、例えば緑又は赤の光はセンサ素子に組み込まれたフォト ダイオードといった光電素子によって検出される。光電素子は低エネルギー放射 線を電荷へ変換する。これらの電荷は読み出され、画像信号は読み出された電荷 から得られる。変換層は、変換層に平行に変換層の中の低エネルギー放射線に幾 らかの広がりがあるよう配置される。従って、空間解像度は減少され、それによ り散乱格子によるＸ線画像中のモアレ状摂動が略回避される。 本発明によるＸ線検査装置の望ましい実施例は、Ｘ線感応層は柱状結晶を含む ヨウ化セシウム層であって、該柱状結晶体の構造は、センサマトリックスの空間 解像度がＸ線画像中の最も小さい検出可能な細部が隣接する区画間の距離よりも 大きいよう配置されることを特徴とする。 ヨウ化セシウム層は柱状結晶体の群を有し、夫々の柱状結晶は変換層に対して 略横切っており、低エネルギー放射線用の光チャネルとして有効に作用する。ヨ ウ化セシウムは、Ｘ線が光電素子が感度を有する緑の光へ変換されるよう幾らか のタリウムによってドープ されることが望ましい。柱状結晶体の群の間にはき裂といった分離がある。典型 的には、最大で１センチメートル当たり２００乃至４００の係るき裂がある。柱 状結晶体の構造、特にき裂の分布は、散乱格子によるモアレ状摂動が略回避され るようなセンサマトリックスの空間解像度とさせる。柱状結晶体の係る構造は、 ヨウ化セシウムが約２００乃至２５０℃の範囲で基板上に付着されるときに達成 される。或いは、基板の温度はより低く、即ち１２０乃至１８０℃の範囲であり 、続いてヨウ化セシウム層が望ましくは約２００乃至２５０℃の範囲の上昇され た温度で焼きなましされる。 本発明によるＸ線検査装置の望ましい実施例は、変換層の厚さは、センサマト リックスの空間解像度が、Ｘ線画像中の最も小さな検出可能な細部の寸法が隣接 する区画間の距離よりも大きいよう配置されることを特徴とする。 変換層が厚いほど、低エネルギー放射線は横方向、即ち変換層に平行に広がる 。低エネルギー放射線の横方向の広がりにより、センサマトリックスの空間解像 度は減少される。特に、ヨウ化セシウム変換層が、５００μｍ以上の厚さを有す るとき、センサマトリックスの解像度は散乱格子によるモアレ状摂動が略回避さ れるような程度だけ減少される。変換層が厚いほど、Ｘ線検出器の感度は高くな る。即ち、入射Ｘ線が略一定の強度及びエネルギーのとき、より厚い変換層が使 用されるほど画像信号の信号レベルは高くなる。望ましくは、ヨウ化セシウム層 の厚さは５００乃至１０００μｍの範囲にある。 本発明によるＸ線検査装置の望ましい実施例は、センサマトリックスはＸ線を 低エネルギー放射線へ変換するための変換層を含み、センサマトリックスは散乱 格子に対向した変換層の面に拡散反射器層を設けられることを特徴とする。 変換層の中の入射Ｘ線によって発生される低エネルギー放射線は光電素子に向 かう方向だけでなく、実質的な程度だけ反対方向にも 放出される。拡散反射器は、光電素子から遠ざかる方向へ放出された低エネルギ ー放射線を反射する。反射された低エネルギー放射線の伝搬方向は光電素子へ向 かう成分を有し、それにより反射された低エネルギー放射線はフォトダイオード といった光電素子へ到達する。反射された低エネルギー放射線の大部分はやはり 変換層に平行な成分を有する。従って、反射された低エネルギー放射線の大部分 は、センサマトリックスの空間解像度が減少されるようある程度横方向へ広げら れる。拡散反射器層は、別個に検出されうる最も小さな細部が、散乱格子の区画 間の距離より小さく、望ましくはこの距離の半分より小さいよう、センサマトリ ックスの空間解像度を減少する。従って、Ｘ線画像中の散乱格子によるモアレ状 摂動は略回避される。特に良い結果は、酸化チタンの拡散反射器層によって達成 される。 更に、拡散反射器層は、Ｘ線検出器の感度を高める。 本発明の上述及び他の面は以下説明される実施例を参照して、また添付の図面 を参照して明らかとなろう。図中、 図１は本発明によるＸ線検査装置のＸ線検出器に組み込まれたセンサマトリッ クスを示す回路図であり、 図２は係るＸ線検出器の実施例を示す断面図であり、 図３は係るＸ線検出器の他の実施例を示す断面図であり、 図４は本発明によるＸ線検査装置を示す図である。 図１は、本発明によるＸ線検査装置のＸ線検出器に組み込まれたセンサマトリ ックス１を示す回路図である。センサマトリックスはマトリックス状に配置され た複数のセンサ素子を組み込まれている。Ｘ線画像中の各画素に対して、光電素 子２２、収集キャパシタンス２３、及びスイッチ素子４を含むセンサ素子２１が 設けられている。電荷は光電素子２２によって入射Ｘ線から得られ、この電荷は 収集キャパシタンス２３によって収集される。集電極３は夫々の収集 キャパシタンス２３の一部を形成する。センサ素子の各列に対して夫々の読出し 線１９が設けられ、各収集キャパシタンス２３はそのスイッチ素子４によって夫 々の読出し線１９に結合される。図１は例として３×３センサ素子のみを示すが 、実際的な実施例では、はるかに多数、例えば２０００×２０００のセンサ素子 が使用される。光電素子は、集電極３と共通電極２との間の連続的な酸化鉛光伝 導体層として、また画像領域全体を覆うよう形成される。入射Ｘ線は光伝導体層 ６の中で吸収され、電子正孔対は光伝導体層の中で発生される。例えば１Ｖ／ｍ ｍ乃至２０Ｖ／ｍｍの範囲の磁界強さを有する電界であって、カソード及びアノ ードとして機能する集電極及び共通電極によって光伝導体層の両端に印加される 電界の影響の下、電子はアノードへ移動し、正孔はカソードへ移動する。従って 、Ｘ線の吸収の結果として、集電極において電荷が収集される。共通電極は例え ば、１００ｎｍ乃至１μｍの範囲、望ましくは１００ｎｍ乃至２００ｎｍの範囲 の厚さを有する薄い金属層であり得る。この望ましい範囲の厚さを有する金属層 は、その上に配置される層に対してよい接着性を兼ね備え、比較的低い電気抵抗 を有するよう比較的密度が高い。更に係る層は、高価な金属が使用されたとして も、比較的少量の材料を必要とするため、安価である。共通電極を構成する適当 な金属は例えば、Ａｕ，Ａｌ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｐｄ等であり、またインジウムすず 酸化物（Ｉｎ_yＳｎ_1-yＯ_x）（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１）は共通電極を形成する のに適当な伝導体である。 収集された電荷を読出すため、当該のスイッチ素子５は電荷を夫々の読出しラ インへ向けて通過させるよう閉じられる。別個の読出し線１９は、その出力信号 が多重回路２５へ供給される夫々の非常に感度の良い出力増幅器２４へ結合され る。電子画像信号は多重回路２５によって出力信号から構成される。スイッチ素 子４は、アドレッシング線２７によって各行に対してスイッチ素子に結合された 行ドライバ回路２６によって制御される。望ましくはスイッチ素 子４は、ドレイン接触が当該の読出し線に接続され、ソース接触が当該の集電極 に接続され、ゲート接触が当該のアドレッシング線に結合される薄膜トランジス タ（ＴＦＴ）として形成される。多重回路は電子画像信号を、例えばＸ線画像の 画像情報が表示されるモニタ２８へ供給するか、又は電子画像信号は更なる処理 のために画像プロセッサ２９へ供給されうる。 図２は、Ｘ線検出器を示す断面図である。図２は特に本発明によるＸ線検査装 置に組み込まれたＸ線検出器の薄膜構造の断面を示す。基板３０、例えばガラス 板の上には、読出し線１９及び対向電極３１からなる金属、例えばアルミニウム のパターンが配置される。誘電分離層３２は上記金属パターンを覆う。集電極３ は対向電極３１と共に収集キャパシタンス２３を形成する。誘電分離層３２上に は、略夫々の対向電極３１の上に配置され薄膜トランジスタ４まで延びる集電極 ３が配置される。図２の実施例では、集電極３から読出し線１９までチャネルが 形成されるよう、薄膜トランジスタ４は実際は異なってドープされた半導体層の 多層構造からなる電界効果トランジスタである。チャネルの導電性は、夫々のア ドレッシング線に電気的に結合されたゲート接触３５における電圧によって影響 される。集電極３には任意に、集電極上に配置された金属層の形状の絶縁層３４ によって薄膜トランジスタから分離された電極延長部３３が設けられてもよい。 電極延長部は、集電極の電荷収集のための有効領域を増加させるために役立つ。 集電極３及び電極延長部３３は例えば、０．２μｍ乃至１μｍの範囲の厚さを有 する薄い金属、例えば金又はアルミニウムとして形成される。寄生静電容量が収 集された電荷の読出しを妨害することを回避するため、絶縁層３４は少なくとも ３μｍの厚さを有するべきであり、望ましくは厚さは５μｍ乃至１０μｍの範囲 にある。 光伝導体層６は、Ｘ線に対して高い感度を有し、実質的な損失なしに集電極３ への迅速な電荷運搬を可能にする、３０乃至５００μ ｍの厚さを有する多結晶酸化鉛（ＰｂＯ_x，０＜ｘ＜２）層として形成される。 これに関しては、非化学量論的な組成（ＰｂＯ，即ちｘ＝１）を有する酸化鉛光 伝導体層によって非常に良い結果が得られる。 半導体クラッド層９は、光伝導体層を集電極３及び電極延長部３３から分離す る。半導体クラッド層９は集電極と光伝導体層との間にバイアス接触を与える。 望ましくは、半導体クラッド層９は０．１μｍ乃至１μｍの範囲の厚さを有する 薄いＰｂＯ_x層として形成される。集電極がアノードとして機能するとき、即ち 正の電圧が集電極へ供給されるとき、非化学量論的な組成に対する酸素の過剰（ ｘ＞１）は半導体クラッド層９に組み込まれる。集電極がカソードとして作用す るとき、即ち負の電圧が集電極へ供給されるとき、半導体クラッド層９は非化学 量論的な組成に対する酸素の欠乏（ｘ＜１）を示すよう形成される。これらの夫 々の組成は、集電極から光伝導体層への電荷注入を防止するよう、集電極と光伝 導体層との間の所望のバイアス接触を達成する。 望ましくは、酸化鉛半導体クラッド層９は、集電極３３によって収集される電 荷についての実質的な横方向の伝導性を達成するよう、Ｓｅ，Ｓ又はＴｅによっ てドープされる。 任意に、抵抗層１０はセンサ素子９と集電極３との間に配置される。係る抵抗 層は、集電極の間の領域の上の光伝導体層の部分に空間電荷の形成を生じさせる 。従って、光伝導体層の中の電界線は上記部分において発生された光電荷を隣接 する集電極３へ向けるよう歪められる。この有利な効果は集電極に電極拡張部が 設けられていないときに特に有効であり、それにより隣接する集電極の間の間隔 は比較的大きくなる。抵抗層１０が半導体クラッド層９と集電極３との間に配置 されるとき、半導体クラッド層は集電極と直接接触していないが、それでもなお 集電極から注入される担体に対する阻止障壁として機能する。 共通電極２と光伝導体層６との間には、共通電極２から光伝導体層６への電荷 の注入を妨げるバイアス層８が配置される。望ましくはバイアス層８は、約１ｅ Ｖ乃至５ｅＶのバンドギャップを有し、約１０¹¹Ωｃｍの暗抵抗を有する半導体 層として配置される。酸化鉛光伝導体層の不動態化は共通電極と光伝導体層６と の間、特に光伝導体層６とバイアス層８との間、又は光伝導体層６と共通電極２ との間に不動態化層７を配置することによって達成される。係る別個の不動態化 層は望ましくは、約１０¹¹Ωｃｍの高い特定抵抗率と、Ｘ線吸収によって光伝導 体６の中に発生される電荷担体が共通電極２へ達するよう不動態化層７を横切る ことが可能であるような厚さとを有するよう形成される。不動態化層７は、ポリ ウレタンといった電気絶縁ラッカによって、又は電気絶縁樹脂によって形成され うる。 散乱格子５０はセンサマトリックスのＸ線が入射する側に取り付けられる。散 乱格子は、散乱されていないＸ線が通過することを許すチャネル５２を画成する Ｘ線吸収区画５１を含む。区画は規則的な、例えば縞状、方形、三角形、ハネカ ム状のパターンに配置されうる。チャネルは典型的には幅０．１８ｍｍ、長さ１ ．４ｍｍである。区画は厚さ約０．０７ｍｍの鉛板である。 或いは、光伝導体層６は、０．１％乃至１％のＡｓによってドープされた非晶 質セレン層であり、半導体クラッド層９は約１００ｐｐｍのＣｌによってドープ された厚さ２０μｍのセレン層である。セレン半導体クラッド層は実質的に結晶 構造を有する。 図３は、本発明によるＸ線検査装置のＸ線検出器の他の実施例を示す断面図で ある。図３は特に、本発明によるＸ線検査装置のＸ線検出器に組み込まれるセン サマトリックスの薄膜構造を示す断面図を示す。基板３０上には、薄膜トランジ スタ４及び光電素子を形成するフォトダイオード２２が配置される。特に、フォ トダイオードの代わりに、光電素子として半導体光伝導素子又はフォトトランジ スタが使用されうる。特にフォトダイオードは簡単な構造を有し、従って製造す るのが容易である。フォトダイオードは光又は赤外線といった入射放射線を電荷 に変換する。特に、係るフォトダイオードを形成するのにはピンダイオード構造 が適している。薄膜トランジスタ４はフォトダイオード２２を夫々の読出し線１ ９に結合するスイッチ素子を形成する。 Ｘ線センサマトリックスはまた、例えばＣｓＩ：Ｔ１のシンチレーション層の 形の変換素子５０を含む。係るシンチレーション層は入射Ｘ線を、フォトダイオ ードが略感応する緑の光へ変換する。望ましくはＣｓＩ：Ｔ１は、その集合が有 効に光導波路を形成する柱状結晶の形で付着される。係る柱状結晶の集合は、望 ましくは１ｃｍ当たり２００乃至４００のき裂で分布されるき裂によって分離さ れる。典型的にはＣｓＩ：Ｔ１層の厚さは５００乃至１０００μｍの範囲にある 。 Ｘ線が変換層４０に入射される側には、散乱格子５０が設けられる。散乱格子 ５０と変換層４０との間には拡散反射器層５３、特に酸化チタン層が配置される 。拡散反射器層が使用されるとき、ＣｓＩ：Ｔ１変換層は５００μｍ以下の厚さ を有しうる。 図４は、本発明によるＸ線検査装置を示す図である。Ｘ線検査装置は、検査さ れるべき患者が配置されうる患者台１３を含む。Ｘ線源１４は患者台の下に設け られる。Ｘ線検出器１２は、Ｘ線検出器がＸ線源に向くようキャリア１５に取り 付けられる。Ｘ線画像を生成するために、患者はＸ線源によって発せられるＸ線 ビームによって照射される。患者の中のＸ線吸収の局所差によって、Ｘ線検出器 によって陰影画像が形成される。Ｘ線検出器に組み込まれたセンサマトリックス １によって、Ｘ線画像は電子画像信号に変換される。電子画像信号はＸ線画像の 画像情報が表示されるモニタ２８上に供給される。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シーベル，ウルリヒ オランダ国，5656 アーアー アインドー フェン，プロフ・ホルストラーン ６番 (72)発明者 ヴィツォレク，ヘルフリート カルル オランダ国，5656 アーアー アインドー フェン，プロフ・ホルストラーン ６番

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． Ｘ線画像から画像信号を得るためのセンサマトリックスを有するＸ線検出 器を含むＸ線検査装置であって、 該Ｘ線検出器はＸ線減衰区画の規則的なパターンを有する散乱格子を設けられ 、 該センサマトリックスの空間解像度は、Ｘ線画像中の最も小さな検出可能な細 部の寸法が隣接する区画間の距離よりも大きいようにされることを特徴とする、 Ｘ線検査装置。 ２． 上記センサマトリックスはＸ線感応層を含み、 該Ｘ線感応層は、Ｘ線画像中の最も小さな検出可能な細部の寸法が隣接する区 画間の距離よりも大きいように配置されることを特徴とする、請求項１記載のＸ 線検出装置。 ３． 上記Ｘ線感応層はＸ線を電荷に変換するための光伝導体層であり、 上記センサマトリックスは夫々の集電極を有する別個のセンサ素子を含み、 半導体クラッド層は該光伝導体層と該集電極との間に配置される、Ｘ線検査装 置であって、 該半導体クラッド層は略横方向の導電性を有し、それによりセンサマトリック スの空間解像度はＸ線画像の最も小さな検出可能な細部の寸法が隣接する区画間 の距離よりも大きいことを特徴とする、請求項２記載のＸ線検査装置。 ４． 上記光伝導体層はセレン層であり、 半導体クラッド層は塩素でドープされたセレン層であることを特徴とする、請 求項３記載のＸ線検査装置。 ５． 上記半導体クラッド層は、８０乃至１２０ｐｐｍの範囲の、望ましくは約 １００ｐｐｍの量の塩素を含むことを特徴とする、請求項４記載のＸ線検査装置 。 ６． 上記光伝導体層は酸化鉛層であり、 実質的な導電性を有する半導体クラッド層は、非化学量論的な酸化鉛層、即ち セレン（Ｓｅ）、硫黄（Ｓ）、テルル（Ｔｅ）の群のうちの１つの元素でドープ される酸化鉛層であることを特徴とする、請求項３記載のＸ線検査装置。 ７． 上記Ｘ線感応層はＸ線を低エネルギー放射線へ変換するための変換層であ り、 該変換層は、センサマトリックスの空間解像度がＸ線画像中の最も小さな検出 可能な細部の寸法が隣接する区画間の距離よりも大きいことを特徴とする、請求 項２記載のＸ線検査装置。 ８． 上記Ｘ線感応層は柱状結晶を含むヨウ化セシウム層であって、該柱状結晶 体の構造は、センサマトリックスの空間解像度がＸ線画像中の最も小さい検出可 能な細部が隣接する区画間の距離よりも大きいよう配置されることを特徴とする 、請求項７記載のＸ線検査装置。 ９． 上記変換層の厚さは、センサマトリックスの空間解像度が、Ｘ線画像中の 最も小さな検出可能な細部の寸法が隣接する区画間の距離よりも大きいよう配置 されることを特徴とする、請求項７又は８記載のＸ線検査装置。 １０． 上記変換層は、５００μｍ以上の厚さを有するヨウ化セシ ウム層であることを特徴とする、請求項９記載のＸ線検査装置。 １１． 上記センサマトリックスはＸ線を低エネルギー放射線へ変換するための 変換層を含み、 上記センサマトリックスは散乱格子に対向した変換層の面に拡散反射器層を設 けられることを特徴とする、請求項１記載のＸ線検査装置。 １２． 上記拡散反射器層は酸化チタン（ＴｉＯ₂）であることを特徴とする、 請求項１１記載のＸ線検査装置。