JP2000353668A - 気相成分除去装置 - Google Patents
気相成分除去装置Info
- Publication number
- JP2000353668A JP2000353668A JP11166934A JP16693499A JP2000353668A JP 2000353668 A JP2000353668 A JP 2000353668A JP 11166934 A JP11166934 A JP 11166934A JP 16693499 A JP16693499 A JP 16693499A JP 2000353668 A JP2000353668 A JP 2000353668A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- phase component
- disk
- collecting
- gas phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Treating Waste Gases (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェハの表面に成膜をなすCVD装置
の後段に装着され、当該CVD装置から排気される処理
ガスの気相成分を効率よく補集することのできる気相成
分除去装置を提供する。 【解決手段】 縦型CVD装置から排出された混合ガス
を導入させる取込容器を有し、この取込容器に混合ガス
への冷却作用にてその表面に混合ガスの気相成分の付着
をなす捕集用円盤40A、40Bを設置した気相成分除
去装置である。捕集用円盤40A、40Bを積層方向に
隙間52を有して複数枚重ね合わせ、混合ガスが隙間5
2を通過するよう捕集用円盤40A、40Bを配置する
とともに、捕集用円盤40A、40Bにおけるガス導入
側端部を隣り合う捕集用円盤でずらして配置した。これ
によりガス導入側端部に成長する捕集物56同士が干渉
するのを防止することができる。
の後段に装着され、当該CVD装置から排気される処理
ガスの気相成分を効率よく補集することのできる気相成
分除去装置を提供する。 【解決手段】 縦型CVD装置から排出された混合ガス
を導入させる取込容器を有し、この取込容器に混合ガス
への冷却作用にてその表面に混合ガスの気相成分の付着
をなす捕集用円盤40A、40Bを設置した気相成分除
去装置である。捕集用円盤40A、40Bを積層方向に
隙間52を有して複数枚重ね合わせ、混合ガスが隙間5
2を通過するよう捕集用円盤40A、40Bを配置する
とともに、捕集用円盤40A、40Bにおけるガス導入
側端部を隣り合う捕集用円盤でずらして配置した。これ
によりガス導入側端部に成長する捕集物56同士が干渉
するのを防止することができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハの表
面に成膜をなすCVD装置の後段に装着される気相成分
除去装置に係り、特に前記CVD装置から排気される混
合ガスの気相成分を効率よく補集することのできる気相
成分除去装置に関する。
面に成膜をなすCVD装置の後段に装着される気相成分
除去装置に係り、特に前記CVD装置から排気される混
合ガスの気相成分を効率よく補集することのできる気相
成分除去装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置は、円盤状のシリコン基板
(以下半導体ウェハと称す)の表面に不純物を打ち込
み、その表面にトランジスタや抵抗および容量などを形
成した後、さらにその表面に絶縁膜や配線を形成してい
くことで製造される。
(以下半導体ウェハと称す)の表面に不純物を打ち込
み、その表面にトランジスタや抵抗および容量などを形
成した後、さらにその表面に絶縁膜や配線を形成してい
くことで製造される。
【0003】ところで半導体ウェハの表面に絶縁膜を形
成したり、あるいは配線の基となるポリシリコンを堆積
したりするのにはCVD法(Chemical Vapor Depositio
n 法)が使用されている。
成したり、あるいは配線の基となるポリシリコンを堆積
したりするのにはCVD法(Chemical Vapor Depositio
n 法)が使用されている。
【0004】図7は、縦型のCVD装置の構成を示す説
明図である。同図に示すようにCVD装置1では、チャ
ンバ2を有しており、当該チャンバ2は垂直方向に10
0枚程、積層させた半導体ウェハ3を収容できる程の大
きさに形成されている。
明図である。同図に示すようにCVD装置1では、チャ
ンバ2を有しており、当該チャンバ2は垂直方向に10
0枚程、積層させた半導体ウェハ3を収容できる程の大
きさに形成されている。
【0005】そしてチャンバ2の前段には図示しない複
数のガス供給手段が設けられ、これに接続する給気管4
を介して反応用ガスをチャンバ2内に給気可能としてい
る。一方、チャンバ2の後段には気相成分除去装置5と
吸引ポンプ6とが連続して接続され、チャンバ2内の混
合ガス(複数の反応ガスが混じったもの)の副生成物と
残留ガスの除去とを可能にしている。
数のガス供給手段が設けられ、これに接続する給気管4
を介して反応用ガスをチャンバ2内に給気可能としてい
る。一方、チャンバ2の後段には気相成分除去装置5と
吸引ポンプ6とが連続して接続され、チャンバ2内の混
合ガス(複数の反応ガスが混じったもの)の副生成物と
残留ガスの除去とを可能にしている。
【0006】ところで図8は、従来の気相成分除去装置
の構造と当該装置を通過する混合ガスの経路を示した説
明図である。同図に示すように気相成分除去装置5で
は、ガス取込室となる取込容器7を有しており、この取
込容器7の側部には、チャンバ2から排出された混合ガ
スを取込可能とする導入口8が設けられるとともに、取
込容器7の天井面には、後段の吸引ポンプ6へと接続を
なすための排気口9が設けられている。そして取込容器
7の内部には、ドーナツ状のディスク板となる捕集用円
盤10が隙間を有して重ねられ、導入口8より導入され
た混合ガスが捕集用円盤10の外側から隙間を通過して
内側へと入り込み、捕集用円盤10の内側に入り込んだ
混合ガスを排気口9より排出し、混合ガス中の気相成分
を取込容器7内で除去することで、吸引ポンプ6内に気
相成分が付着するのを防止するようにしている(混合ガ
スの流れは図中、矢印11を参照)。なお混合ガス中に
おける気相成分の除去は、チャンバ2より導入された高
温の混合ガス(660〜680℃程度)を捕集用円盤1
0間の隙間に通過させることで、人が接触できる程度の
温度(40℃程度)まで冷却し、混合ガス中の気相成分
の結晶を捕集用円盤10の表面に付着させることで行わ
れる。
の構造と当該装置を通過する混合ガスの経路を示した説
明図である。同図に示すように気相成分除去装置5で
は、ガス取込室となる取込容器7を有しており、この取
込容器7の側部には、チャンバ2から排出された混合ガ
スを取込可能とする導入口8が設けられるとともに、取
込容器7の天井面には、後段の吸引ポンプ6へと接続を
なすための排気口9が設けられている。そして取込容器
7の内部には、ドーナツ状のディスク板となる捕集用円
盤10が隙間を有して重ねられ、導入口8より導入され
た混合ガスが捕集用円盤10の外側から隙間を通過して
内側へと入り込み、捕集用円盤10の内側に入り込んだ
混合ガスを排気口9より排出し、混合ガス中の気相成分
を取込容器7内で除去することで、吸引ポンプ6内に気
相成分が付着するのを防止するようにしている(混合ガ
スの流れは図中、矢印11を参照)。なお混合ガス中に
おける気相成分の除去は、チャンバ2より導入された高
温の混合ガス(660〜680℃程度)を捕集用円盤1
0間の隙間に通過させることで、人が接触できる程度の
温度(40℃程度)まで冷却し、混合ガス中の気相成分
の結晶を捕集用円盤10の表面に付着させることで行わ
れる。
【0007】このように構成されたCVD装置1では、
あらかじめ垂直方向に積層された半導体ウェハ3をチャ
ンバ2内に投入した後、複数のガス供給手段より給気管
4を介してチャンバ2内に反応ガスを導入させる。そし
て半導体ウェハ3をチャンバ2内で(反応ガスが混ざっ
た)混合ガスに触れさせることで、当該半導体ウェハ3
の表面に化学反応を起こさせ、所定の薄膜(絶縁層や配
線の基)を形成するようにしている。
あらかじめ垂直方向に積層された半導体ウェハ3をチャ
ンバ2内に投入した後、複数のガス供給手段より給気管
4を介してチャンバ2内に反応ガスを導入させる。そし
て半導体ウェハ3をチャンバ2内で(反応ガスが混ざっ
た)混合ガスに触れさせることで、当該半導体ウェハ3
の表面に化学反応を起こさせ、所定の薄膜(絶縁層や配
線の基)を形成するようにしている。
【0008】そしてチャンバ2内で反応を終えた混合ガ
スは、チャンバ2の後段に設けられた気相成分除去装置
5に導入され、ガス中に残留する余剰の気相成分と副生
成物を除去された後、吸引ポンプ6を介して外部へと排
気される。
スは、チャンバ2の後段に設けられた気相成分除去装置
5に導入され、ガス中に残留する余剰の気相成分と副生
成物を除去された後、吸引ポンプ6を介して外部へと排
気される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかし上述したCVD
装置を用いた製造過程においては以下の問題点が存在し
ていた。
装置を用いた製造過程においては以下の問題点が存在し
ていた。
【0010】図9は、気相成分除去装置5における捕集
用円盤10の部分断面図を示す。同図に示すように、気
相成分除去装置5においては、混合ガス中の気相成分の
除去を捕集用円盤10にて行っている。そして同図
(1)は、気相成分の除去を開始した初期の状態を示し
ているが、同図(1)の状態においては重ねられる捕集
用円盤10間の隙間12は十分に確保され、捕集用円盤
10の外側から内側への通風は十分に行われている。し
かし同図(2)に示すように気相成分の除去が進んだ状
態では、捕集用円盤10の外周側から徐々に捕集物13
が付着していくので、当該捕集用円盤10の外周側の隙
間12の間隔が狭まったり、あるいは隙間12自体が塞
がれてしまい、捕集用円盤10の外側から内側への通風
が十分に行われなくなり、混合ガスの排気効率が低下す
る。このように排気効率が低下すると成膜条件を維持で
きなくなる。このため気相成分除去装置5(あるいは捕
集用円盤10)を頻繁に交換する必要があり、装置管理
や交換作業といったメンテナンスの負荷が増大してしま
う問題点があった。なお発明者の経験においては、半導
体ウェハに対しTEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicat
e)での熱分解反応により約4μm程度SiO2の成膜を
行うと、捕集物13により気相成分除去装置5(あるい
は捕集用円盤10)に目詰まりが発生してしまうことが
確認されている。
用円盤10の部分断面図を示す。同図に示すように、気
相成分除去装置5においては、混合ガス中の気相成分の
除去を捕集用円盤10にて行っている。そして同図
(1)は、気相成分の除去を開始した初期の状態を示し
ているが、同図(1)の状態においては重ねられる捕集
用円盤10間の隙間12は十分に確保され、捕集用円盤
10の外側から内側への通風は十分に行われている。し
かし同図(2)に示すように気相成分の除去が進んだ状
態では、捕集用円盤10の外周側から徐々に捕集物13
が付着していくので、当該捕集用円盤10の外周側の隙
間12の間隔が狭まったり、あるいは隙間12自体が塞
がれてしまい、捕集用円盤10の外側から内側への通風
が十分に行われなくなり、混合ガスの排気効率が低下す
る。このように排気効率が低下すると成膜条件を維持で
きなくなる。このため気相成分除去装置5(あるいは捕
集用円盤10)を頻繁に交換する必要があり、装置管理
や交換作業といったメンテナンスの負荷が増大してしま
う問題点があった。なお発明者の経験においては、半導
体ウェハに対しTEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicat
e)での熱分解反応により約4μm程度SiO2の成膜を
行うと、捕集物13により気相成分除去装置5(あるい
は捕集用円盤10)に目詰まりが発生してしまうことが
確認されている。
【0011】また捕集用円盤10の表面全体で捕集物1
3の捕集が行えるようになっているものの、実際には外
周側で捕集物13が成長してしまい隙間12が狭まって
しまうことから、捕集用円盤10の捕集面積を有効に利
用することができないという問題点があった。
3の捕集が行えるようになっているものの、実際には外
周側で捕集物13が成長してしまい隙間12が狭まって
しまうことから、捕集用円盤10の捕集面積を有効に利
用することができないという問題点があった。
【0012】本発明は上記従来の問題点に着目し、隙間
が捕集物によって狭まるのを抑え、捕集用円盤の捕集面
積を有効に活用することで、捕集物の付着による交換間
隔を延ばすことができる気相成分除去装置を提供するこ
とを目的とする。
が捕集物によって狭まるのを抑え、捕集用円盤の捕集面
積を有効に活用することで、捕集物の付着による交換間
隔を延ばすことができる気相成分除去装置を提供するこ
とを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る気相成分
除去装置は、CVD装置から排出された混合ガスを導入
させるガス取込室を有し、このガス取込室に前記混合ガ
スへの冷却作用にてその表面に前記混合ガスの気相成分
副生成物の付着をなすディスク板を設置した気相成分除
去装置であって、前記ディスク板を軸方向に隙間を有し
て複数枚重ね合わせ、前記混合ガスが前記隙間を通過す
るよう前記ディスク板を配置するとともに、前記ディス
ク板におけるガス導入側端部を隣り合う前記ディスク間
でずらして配置するよう構成した。請求項1に係る気相
成分除去装置によれば、ディスク板におけるガス導入側
端部では捕集物の成長度合いが一番速いことから、この
端部同士がずれるようにディスク板を配置すれば、隣り
合うディスク板のガス導入側端部に成長する捕集物同士
が干渉することがない。このため隣り合うディスク板間
の隙間が確保され、短時間で目詰まりすることがなく、
もって装置自体の交換間隔を延ばすことができる。なお
隣り合うディスク板のガス導入側端部に成長する捕集物
同士が干渉しないことから、捕集物をディスク板に大量
に捕集することができ、ディスク板の捕集面積を有効に
用いることができる。
除去装置は、CVD装置から排出された混合ガスを導入
させるガス取込室を有し、このガス取込室に前記混合ガ
スへの冷却作用にてその表面に前記混合ガスの気相成分
副生成物の付着をなすディスク板を設置した気相成分除
去装置であって、前記ディスク板を軸方向に隙間を有し
て複数枚重ね合わせ、前記混合ガスが前記隙間を通過す
るよう前記ディスク板を配置するとともに、前記ディス
ク板におけるガス導入側端部を隣り合う前記ディスク間
でずらして配置するよう構成した。請求項1に係る気相
成分除去装置によれば、ディスク板におけるガス導入側
端部では捕集物の成長度合いが一番速いことから、この
端部同士がずれるようにディスク板を配置すれば、隣り
合うディスク板のガス導入側端部に成長する捕集物同士
が干渉することがない。このため隣り合うディスク板間
の隙間が確保され、短時間で目詰まりすることがなく、
もって装置自体の交換間隔を延ばすことができる。なお
隣り合うディスク板のガス導入側端部に成長する捕集物
同士が干渉しないことから、捕集物をディスク板に大量
に捕集することができ、ディスク板の捕集面積を有効に
用いることができる。
【0014】請求項2に記載の気相成分除去装置は、前
記ディスク板におけるガス導入側端部の形状は、隣り合
う前記ディスク板と相似の関係であることを特徴として
いる。請求項2に記載の気相成分除去装置によれば、デ
ィスク板全周にわたって隣り合うディスク板をずらして
配置させることが可能になり、効率のよい捕集が可能に
なる。
記ディスク板におけるガス導入側端部の形状は、隣り合
う前記ディスク板と相似の関係であることを特徴として
いる。請求項2に記載の気相成分除去装置によれば、デ
ィスク板全周にわたって隣り合うディスク板をずらして
配置させることが可能になり、効率のよい捕集が可能に
なる。
【0015】また請求項3に記載の気相成分除去装置
は、隣り合う前記ディスク板の表面積を等しいことを特
徴としている。請求項3に記載の気相成分除去装置によ
れば、混合ガスの冷却をなす領域を等しくしたことか
ら、ディスク板の捕集能力を落とすことなく装置自体を
形成することができる。
は、隣り合う前記ディスク板の表面積を等しいことを特
徴としている。請求項3に記載の気相成分除去装置によ
れば、混合ガスの冷却をなす領域を等しくしたことか
ら、ディスク板の捕集能力を落とすことなく装置自体を
形成することができる。
【0016】そして請求項4に記載の気相成分除去装置
は、前記ディスク板におけるガス導入側端部は、前記デ
ィスク板の外縁であることを特徴としている。請求項4
に記載の気相成分除去装置によれば、ディスク板の外周
側は捕集領域を広くとることができるので、この領域を
最も捕集物を付着させることのできる領域に一致させれ
ば、効率のよい捕集を行うことが可能になる。
は、前記ディスク板におけるガス導入側端部は、前記デ
ィスク板の外縁であることを特徴としている。請求項4
に記載の気相成分除去装置によれば、ディスク板の外周
側は捕集領域を広くとることができるので、この領域を
最も捕集物を付着させることのできる領域に一致させれ
ば、効率のよい捕集を行うことが可能になる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下に本発明に係る気相成分除去
装置の具体的実施の形態を図面を参照して詳細に説明す
る。
装置の具体的実施の形態を図面を参照して詳細に説明す
る。
【0018】図2は、本実施の形態に係る気相成分除去
装置が用いられる縦型CVD装置の構成を示す説明図で
ある。尚、本実施の形態においては縦型CVD装置を例
にとって説明しているが、横型CVD装置についても適
用できることは言うまでも無い。同図に示すように本実
施の形態に係る気相成分除去装置20は、半導体ウェハ
22の表面に薄膜(絶縁層または配線の基)を形成する
ための縦型CVD装置24の後段に接続されており、気
相成分除去装置20の後段には縦型CVD装置24より
反応が終了した混合ガスを気相成分除去装置20を介し
て排気させるための吸引ポンプ26が接続されている。
また縦型CVD装置24の前段側には図示しない複数の
ガス供給手段が設けられ、これらに接続する給気管28
を介して反応用ガスをチャンバ2内に給気可能としてい
る。なお気相成分除去装置20の直前および直後には図
示しない圧力計が備えられており、気相成分除去装置2
0を介した圧力の変化を検出できるようにしている。
装置が用いられる縦型CVD装置の構成を示す説明図で
ある。尚、本実施の形態においては縦型CVD装置を例
にとって説明しているが、横型CVD装置についても適
用できることは言うまでも無い。同図に示すように本実
施の形態に係る気相成分除去装置20は、半導体ウェハ
22の表面に薄膜(絶縁層または配線の基)を形成する
ための縦型CVD装置24の後段に接続されており、気
相成分除去装置20の後段には縦型CVD装置24より
反応が終了した混合ガスを気相成分除去装置20を介し
て排気させるための吸引ポンプ26が接続されている。
また縦型CVD装置24の前段側には図示しない複数の
ガス供給手段が設けられ、これらに接続する給気管28
を介して反応用ガスをチャンバ2内に給気可能としてい
る。なお気相成分除去装置20の直前および直後には図
示しない圧力計が備えられており、気相成分除去装置2
0を介した圧力の変化を検出できるようにしている。
【0019】縦型CVD装置24ではチャンバ30を有
しており、このチャンバ30は、その内部に軸方向に隙
間をもって100枚重ねた半導体ウェハ22を取込可能
にできるだけの大きさに設定されている。このため縦型
CVD装置24では、100枚からなる半導体ウェハ2
2を一度に投入し、処理できるだけの能力を有してい
る。
しており、このチャンバ30は、その内部に軸方向に隙
間をもって100枚重ねた半導体ウェハ22を取込可能
にできるだけの大きさに設定されている。このため縦型
CVD装置24では、100枚からなる半導体ウェハ2
2を一度に投入し、処理できるだけの能力を有してい
る。
【0020】チャンバ30の壁面における給気管28が
取り付けられた反対側には、気相成分除去装置20へと
続く管路32が形成されており、チャンバ30内で混ざ
った複数の反応ガスからなり、半導体ウェハ22の表面
で化学反応を起こさせた混合ガスを気相成分除去装置2
0へと排気可能にしている。
取り付けられた反対側には、気相成分除去装置20へと
続く管路32が形成されており、チャンバ30内で混ざ
った複数の反応ガスからなり、半導体ウェハ22の表面
で化学反応を起こさせた混合ガスを気相成分除去装置2
0へと排気可能にしている。
【0021】なお半導体ウェハの表面に形成される薄膜
の具体例としては、酸化シリコン(SiO2)や窒化シ
リコン(Si3N4)等が挙げられ、これら薄膜は下記の
反応ガスの混合によって形成される。
の具体例としては、酸化シリコン(SiO2)や窒化シ
リコン(Si3N4)等が挙げられ、これら薄膜は下記の
反応ガスの混合によって形成される。
【0022】
【化1】(酸化シリコン(SiO2)場合) Si(OC2H5)4+12O2→SiO2+8CO2+10
H2O
H2O
【0023】
【化2】(窒化シリコン(Si3N4)の場合) 3SiH2Cl2+4NH3→Si3N4+6H2+6HCl 図3は、本実施の形態に係る気相成分除去装置20の構
造を示す断面説明図である。同図に示すように気相成分
除去装置20では、ガス取込室となる取込容器34を有
しており、この取込容器34における側壁には導入口3
6が設けられるとともに、取込容器34の天井面には排
気口38が設けられている。ここで導入口36には管路
32が接続されており、チャンバ30で生じた混合ガス
を管路32と導入口36を介して取込容器34内に混合
ガスを導入可能にしている。一方排気口38からは吸引
ポンプ26へと配管が引き出され、気相成分除去装置2
0を通過した混合ガスを後段の吸引ポンプ26側へと送
り込み可能にしている。
造を示す断面説明図である。同図に示すように気相成分
除去装置20では、ガス取込室となる取込容器34を有
しており、この取込容器34における側壁には導入口3
6が設けられるとともに、取込容器34の天井面には排
気口38が設けられている。ここで導入口36には管路
32が接続されており、チャンバ30で生じた混合ガス
を管路32と導入口36を介して取込容器34内に混合
ガスを導入可能にしている。一方排気口38からは吸引
ポンプ26へと配管が引き出され、気相成分除去装置2
0を通過した混合ガスを後段の吸引ポンプ26側へと送
り込み可能にしている。
【0024】ところでこうした取込容器34の内部で
は、気相成分の捕集をなすためのディスク板となる捕集
用円盤40が軸方向に隙間をもって積み重ねられてお
り、チャンバ30より取り込まれた混合ガス中の気相成
分除去を行うようにしている。
は、気相成分の捕集をなすためのディスク板となる捕集
用円盤40が軸方向に隙間をもって積み重ねられてお
り、チャンバ30より取り込まれた混合ガス中の気相成
分除去を行うようにしている。
【0025】図4は、気相成分除去装置20に用いられ
る捕集用円盤の形状を示す正面図である。同図に示すよ
うに材質をステンレスとする捕集用円盤40は、2種類
の形態を有しており同図(1)側を捕集用円盤40Aと
し、同図(2)側を捕集用円盤40Bとする。
る捕集用円盤の形状を示す正面図である。同図に示すよ
うに材質をステンレスとする捕集用円盤40は、2種類
の形態を有しており同図(1)側を捕集用円盤40Aと
し、同図(2)側を捕集用円盤40Bとする。
【0026】捕集用円盤40Aはドーナツ状の形態とな
っており、その外径(D1)は取込容器34の内側寸法
に干渉しないだけの寸法に設定されており、一方内径
(D2)は取込容器34における排気口38の開口寸法
にほぼ一致するよう設定されている。また捕集用円盤4
0Aの穴部42Aにおける縁辺には内径(D2)上に1
20度の間隔で配置される丸溝44が形成されており、
捕集用円盤40を積み重ねる際の位置決め用に用いられ
る。
っており、その外径(D1)は取込容器34の内側寸法
に干渉しないだけの寸法に設定されており、一方内径
(D2)は取込容器34における排気口38の開口寸法
にほぼ一致するよう設定されている。また捕集用円盤4
0Aの穴部42Aにおける縁辺には内径(D2)上に1
20度の間隔で配置される丸溝44が形成されており、
捕集用円盤40を積み重ねる際の位置決め用に用いられ
る。
【0027】一方捕集用円盤40Bも捕集用円盤40A
と同様にドーナツ状の形態となっているが、その外径
(D3)およびその内径(D4)は以下の関係で設定され
る。
と同様にドーナツ状の形態となっているが、その外径
(D3)およびその内径(D4)は以下の関係で設定され
る。
【0028】
【数1】D1>D3>D2>D4 なお捕集用円盤40Bにおける穴部42Bの外側、すな
わち内径(D2)寸法に相当するピッチ円48上には1
20度の間隔で位置決め穴46が設けられており、捕集
用円盤40Aと捕集用円盤40Bとを重ね合わせた際、
両者を単一の方法で位置決め可能にしている。
わち内径(D2)寸法に相当するピッチ円48上には1
20度の間隔で位置決め穴46が設けられており、捕集
用円盤40Aと捕集用円盤40Bとを重ね合わせた際、
両者を単一の方法で位置決め可能にしている。
【0029】ところでこれら捕集用円盤40Aと捕集用
円盤40Bでは、その外周側が相似形となっており、こ
れら円盤を交互に積み重ねた場合、その外周側に均一に
ずれが生じるようになっている。さらにこれら捕集用円
盤40Aと捕集用円盤40Bでは、その内周側において
捕集用円盤40B側の内径(D4)のほうが小径となっ
ており、また捕集用円盤40Aと捕集用円盤40Bの面
積とが同一になっている。このため円盤の外周側で段差
が生じるようにしても隣り合う円盤の面積が同一になる
よう内径側寸法が設定されているので、円盤における気
相成分の除去能力が低下するのを防止することができ
る。
円盤40Bでは、その外周側が相似形となっており、こ
れら円盤を交互に積み重ねた場合、その外周側に均一に
ずれが生じるようになっている。さらにこれら捕集用円
盤40Aと捕集用円盤40Bでは、その内周側において
捕集用円盤40B側の内径(D4)のほうが小径となっ
ており、また捕集用円盤40Aと捕集用円盤40Bの面
積とが同一になっている。このため円盤の外周側で段差
が生じるようにしても隣り合う円盤の面積が同一になる
よう内径側寸法が設定されているので、円盤における気
相成分の除去能力が低下するのを防止することができ
る。
【0030】上述した捕集用円盤40Aと捕集用円盤4
0Bとは取込容器34の内部にて交互に軸方向に積み重
ねられている。なおこの積み重ねは、捕集用円盤40A
に設けた丸溝44と、捕集用円盤40Bに設けた位置決
め穴46とをピッチ円48上に位置するよう設けられた
3箇所の位置決めピン50(図中では一箇所のみ図示)
に挿通させることにより行われるとともに、捕集用円盤
40Aと捕集用円盤40Bとの間には図示しないスペー
サを差し込んで両円盤の間に隙間52(図1を参照)を
形成するようにしている。
0Bとは取込容器34の内部にて交互に軸方向に積み重
ねられている。なおこの積み重ねは、捕集用円盤40A
に設けた丸溝44と、捕集用円盤40Bに設けた位置決
め穴46とをピッチ円48上に位置するよう設けられた
3箇所の位置決めピン50(図中では一箇所のみ図示)
に挿通させることにより行われるとともに、捕集用円盤
40Aと捕集用円盤40Bとの間には図示しないスペー
サを差し込んで両円盤の間に隙間52(図1を参照)を
形成するようにしている。
【0031】このように構成された気相成分除去装置2
0では、導入口36から取込容器34の内部に進入した
混合ガスは、捕集用円盤40A、40Bの外周側に広が
るとともに、排気口38側からの吸引力(吸引ポンプ2
6の働き)にて、隙間52を経由して穴部42側へと移
動する。そして当該穴部42側へと移動した混合ガス
は、排気口38より吸引ポンプ26側に移動する(混合
ガスの流れは矢印54を参照)。
0では、導入口36から取込容器34の内部に進入した
混合ガスは、捕集用円盤40A、40Bの外周側に広が
るとともに、排気口38側からの吸引力(吸引ポンプ2
6の働き)にて、隙間52を経由して穴部42側へと移
動する。そして当該穴部42側へと移動した混合ガス
は、排気口38より吸引ポンプ26側に移動する(混合
ガスの流れは矢印54を参照)。
【0032】このように構成された気相成分除去装置2
0を縦型CVD装置24の後段に組み込み混合ガス中に
おける気相成分の除去をなす手順を説明する。
0を縦型CVD装置24の後段に組み込み混合ガス中に
おける気相成分の除去をなす手順を説明する。
【0033】まず縦型CVD装置24を構成するチャン
バ30内にあらかじめ100枚程積み重ねられた半導体
ウェハ22を収める。そして半導体ウェハ22をチャン
バ30内に収めた後は、膜形成処理の前段階として窒素
ガスを給気管28を介してチャンバ30内へと導入させ
るとともに、次いで吸引ポンプ26の稼働にて気相成分
除去装置20側に窒素ガスを排気させる。ところで気相
成分除去装置20の直前および直後には図示しない圧力
計が設けられていることから、この圧力計の検出値をも
とに気相成分除去装置20の圧力損失値、すなわち捕集
物の目詰まり状態を求め、圧力損失が大きければ新規の
気相成分除去装置20への交換を行い、圧力損失が小さ
ければ気相成分除去装置20の交換をせずに膜形成処理
を続行する。
バ30内にあらかじめ100枚程積み重ねられた半導体
ウェハ22を収める。そして半導体ウェハ22をチャン
バ30内に収めた後は、膜形成処理の前段階として窒素
ガスを給気管28を介してチャンバ30内へと導入させ
るとともに、次いで吸引ポンプ26の稼働にて気相成分
除去装置20側に窒素ガスを排気させる。ところで気相
成分除去装置20の直前および直後には図示しない圧力
計が設けられていることから、この圧力計の検出値をも
とに気相成分除去装置20の圧力損失値、すなわち捕集
物の目詰まり状態を求め、圧力損失が大きければ新規の
気相成分除去装置20への交換を行い、圧力損失が小さ
ければ気相成分除去装置20の交換をせずに膜形成処理
を続行する。
【0034】チャンバ30への窒素ガスの給気を停止し
た後は、前記チャンバ30内に収められた半導体ウェハ
22への膜形成(本実施例では窒化シリコン(Si
3N4)を形成する)を行うために、給気管28を介して
ガス供給手段からジクロールシア(SiH2Cl2)とア
ンモニア(NH3)とをチャンバ30に供給する。そし
てこれら複数の反応ガスをチャンバ30内で交わらせ、
この気体に対し加熱をしたり、あるいはプラズマ放電に
さらしたりすることで、半導体ウェハ22の表面で化学
反応がスムーズに発生するようにする。
た後は、前記チャンバ30内に収められた半導体ウェハ
22への膜形成(本実施例では窒化シリコン(Si
3N4)を形成する)を行うために、給気管28を介して
ガス供給手段からジクロールシア(SiH2Cl2)とア
ンモニア(NH3)とをチャンバ30に供給する。そし
てこれら複数の反応ガスをチャンバ30内で交わらせ、
この気体に対し加熱をしたり、あるいはプラズマ放電に
さらしたりすることで、半導体ウェハ22の表面で化学
反応がスムーズに発生するようにする。
【0035】そしてこうした反応処理を行うとともに、
反応処理の終了した混合ガスは、吸引ポンプ26からの
吸引力によって、管路32を介して気相成分除去装置2
0へと移動されていく。前記管路32を介して導入口3
6より取込容器34内へと入り込んだ混合ガスは矢印5
4に示されるように、捕集用円盤40A、40Bの外周
側から隙間52を介して内側へと入り込み、穴部42
A、42Bを通過して排気口38から吸引ポンプ26側
へと排気される。
反応処理の終了した混合ガスは、吸引ポンプ26からの
吸引力によって、管路32を介して気相成分除去装置2
0へと移動されていく。前記管路32を介して導入口3
6より取込容器34内へと入り込んだ混合ガスは矢印5
4に示されるように、捕集用円盤40A、40Bの外周
側から隙間52を介して内側へと入り込み、穴部42
A、42Bを通過して排気口38から吸引ポンプ26側
へと排気される。
【0036】ところで気相成分除去装置20では、チャ
ンバ30内で高温(660〜680℃程度)になった混
合ガスを捕集用円盤の間の隙間52に通過させること
で、人が接触できる程度の温度(40℃程度)に冷却
し、混合ガス中の気相成分副生成物を捕集用円盤40
A、40Bの表面に結晶化させることにより付着させ、
混合ガス中の気相成分の除去を行っている。
ンバ30内で高温(660〜680℃程度)になった混
合ガスを捕集用円盤の間の隙間52に通過させること
で、人が接触できる程度の温度(40℃程度)に冷却
し、混合ガス中の気相成分副生成物を捕集用円盤40
A、40Bの表面に結晶化させることにより付着させ、
混合ガス中の気相成分の除去を行っている。
【0037】図1は、本実施の形態に係る気相成分除去
装置における捕集用円盤の部分断面図である。同図
(1)に示すように、捕集用円盤40A、40Bが新規
の状態、すなわち捕集用円盤40A、40Bに気相成分
となる捕集物が付着していない状態では、隙間52の寸
法が確保され、混合ガスから捕集物が除去されていくと
ともに、混合ガスの通気も確実に行われる。しかし捕集
用円盤40A、40Bにて気相成分の捕集を進めていく
と、当該捕集用円盤40A、40Bの外側に付着した捕
集物が成長し、隣り合う捕集用円盤との隙間52を狭め
ていくことが考えられるが、本実施の形態においては、
同図(2)に示すように捕集用円盤40Aと捕集用円盤
40Bとを交互に重ね、その外周縁部をずらして配置し
ていることから、外周縁部に成長する捕集物56が互い
に干渉することがない。このため隙間52の寸法が確保
され、気相成分除去装置20の交換時期を遅らせること
ができる。なお外周縁部に成長する捕集物56同士の干
渉が防止されることから、円盤の内周側に続く領域での
気相成分の捕集も効率よく行われ捕集用円盤の有効活用
がなされることはいうまでもない。
装置における捕集用円盤の部分断面図である。同図
(1)に示すように、捕集用円盤40A、40Bが新規
の状態、すなわち捕集用円盤40A、40Bに気相成分
となる捕集物が付着していない状態では、隙間52の寸
法が確保され、混合ガスから捕集物が除去されていくと
ともに、混合ガスの通気も確実に行われる。しかし捕集
用円盤40A、40Bにて気相成分の捕集を進めていく
と、当該捕集用円盤40A、40Bの外側に付着した捕
集物が成長し、隣り合う捕集用円盤との隙間52を狭め
ていくことが考えられるが、本実施の形態においては、
同図(2)に示すように捕集用円盤40Aと捕集用円盤
40Bとを交互に重ね、その外周縁部をずらして配置し
ていることから、外周縁部に成長する捕集物56が互い
に干渉することがない。このため隙間52の寸法が確保
され、気相成分除去装置20の交換時期を遅らせること
ができる。なお外周縁部に成長する捕集物56同士の干
渉が防止されることから、円盤の内周側に続く領域での
気相成分の捕集も効率よく行われ捕集用円盤の有効活用
がなされることはいうまでもない。
【0038】そして気相成分除去装置20より排出され
た混合ガスは、その殆どの気相成分を気相成分除去装置
20により除去されているので、前記混合ガスが吸引ポ
ンプ26内に入り込んでも、当該吸引ポンプ内に気相成
分が成長することがなく、ポンプ自体に不具合が発生す
るおそれがない。このように捕集用円盤の捕集処理能力
を高め、気相成分除去装置20の交換時期を延長させた
ことから、装置管理や交換作業といったメンテナンスの
負荷が増大してしまう問題点を解消することができる。
た混合ガスは、その殆どの気相成分を気相成分除去装置
20により除去されているので、前記混合ガスが吸引ポ
ンプ26内に入り込んでも、当該吸引ポンプ内に気相成
分が成長することがなく、ポンプ自体に不具合が発生す
るおそれがない。このように捕集用円盤の捕集処理能力
を高め、気相成分除去装置20の交換時期を延長させた
ことから、装置管理や交換作業といったメンテナンスの
負荷が増大してしまう問題点を解消することができる。
【0039】図5は、捕集用円盤の形状を異ならせた第
1応用例の側面図を示す。同図に示すように外周径の異
なる捕集用円盤58A〜58Nを積み重ね、その外周先
端部がずれるようにしても、隣り合う円盤の外周先端に
成長する捕集物の干渉を防止することができる。
1応用例の側面図を示す。同図に示すように外周径の異
なる捕集用円盤58A〜58Nを積み重ね、その外周先
端部がずれるようにしても、隣り合う円盤の外周先端に
成長する捕集物の干渉を防止することができる。
【0040】また図6は、捕集用円盤の形状を異ならせ
た第2応用例の上面図を示す。本実施の形態では捕集用
円盤を用いるようにしたが同図に示すように、四角ある
いは他の形状の捕集用板としてもよい。
た第2応用例の上面図を示す。本実施の形態では捕集用
円盤を用いるようにしたが同図に示すように、四角ある
いは他の形状の捕集用板としてもよい。
【0041】なおこれらの実施の形態においては、周長
が大きくとれる外周側をガス導入側端部として、捕集物
の成長を図り捕集効率を向上させるようにしたが、この
形態に限定されることもなく、捕集用円盤の内径側から
混合ガスを導入させ外周側に排気させるようにしてもよ
い。
が大きくとれる外周側をガス導入側端部として、捕集物
の成長を図り捕集効率を向上させるようにしたが、この
形態に限定されることもなく、捕集用円盤の内径側から
混合ガスを導入させ外周側に排気させるようにしてもよ
い。
【0042】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、C
VD装置から排出された混合ガスを導入させるガス取込
室を有し、このガス取込室に前記混合ガスへの冷却作用
にてその表面に前記混合ガスの気相成分の付着をなすデ
ィスク板を設置した気相成分除去装置であって、前記デ
ィスク板を積層方向に隙間を有して複数枚重ね合わせ、
前記混合ガスが前記隙間を通過するよう前記ディスク板
を配置するとともに、前記ディスク板におけるガス導入
側端部を隣り合う前記ディスク間でずらして配置したこ
とから、捕集用円盤の捕集面積が有効に活用され、捕集
物の付着による交換間隔を延ばすことができる。
VD装置から排出された混合ガスを導入させるガス取込
室を有し、このガス取込室に前記混合ガスへの冷却作用
にてその表面に前記混合ガスの気相成分の付着をなすデ
ィスク板を設置した気相成分除去装置であって、前記デ
ィスク板を積層方向に隙間を有して複数枚重ね合わせ、
前記混合ガスが前記隙間を通過するよう前記ディスク板
を配置するとともに、前記ディスク板におけるガス導入
側端部を隣り合う前記ディスク間でずらして配置したこ
とから、捕集用円盤の捕集面積が有効に活用され、捕集
物の付着による交換間隔を延ばすことができる。
【図1】本実施の形態に係る気相成分除去装置における
捕集用円盤の部分断面図である。
捕集用円盤の部分断面図である。
【図2】本発明に係る気相成分除去装置が用いられる縦
型CVD装置の構成を示す説明図である。
型CVD装置の構成を示す説明図である。
【図3】本実施の形態に係る気相成分除去装置20の構
造を示す断面説明図である。
造を示す断面説明図である。
【図4】気相成分除去装置20に用いられる捕集用円盤
の形状を示す正面図である。
の形状を示す正面図である。
【図5】捕集用円盤の形状を異ならせた第1応用例の側
面図を示す。
面図を示す。
【図6】捕集用円盤の形状を異ならせた第2応用例の上
面図を示す。
面図を示す。
【図7】縦型のCVD装置の構成を示す説明図である。
【図8】従来の気相成分除去装置の構造と当該装置を通
過する混合ガスの経路を示した説明図を示す。
過する混合ガスの経路を示した説明図を示す。
【図9】気相成分除去装置5における捕集用円盤10の
部分断面図を示す。
部分断面図を示す。
【符号の説明】 1 CVD装置 2 チャンバ 3 半導体ウェハ 4 給気管 5 気相成分除去装置 6 吸引ポンプ 7 取込容器 8 導入口 9 排気口 10 捕集用円盤 11 矢印 12 隙間 13 捕集物 20 気相成分除去装置 22 半導体ウェハ 24 縦型CVD装置 26 吸引ポンプ 28 給気管 30 チャンバ 32 管路 34 取込容器 36 導入口 38 排気口 40A、40B 捕集用円盤 42A、42B 穴部 44 丸溝 46 位置決め穴 48 ピッチ円 50 位置決めピン 52 隙間 54 矢印 56 捕集物 58A〜58N 捕集用円盤 60 捕集用板
フロントページの続き Fターム(参考) 4D002 AA13 AA26 AC10 BA13 BA20 CA07 DA21 DA70 GA02 GA03 GB04 4K030 AA03 AA06 AA13 BA40 CA04 EA12 5F045 AB32 AB33 AC05 AC09 AC12 BB10 BB15 DP19 EF20 EG03 EG07 EG08
Claims (4)
- 【請求項1】 CVD装置から排出された混合ガスを導
入させるガス取込室を有し、このガス取込室に前記混合
ガスへの冷却作用にてその表面に前記混合ガスの気相成
分副生成物の付着をなすディスク板を設置した気相成分
除去装置であって、前記ディスク板を積層方向に隙間を
有して複数枚重ね合わせ、前記混合ガスが前記隙間を通
過するよう前記ディスク板を配置するとともに、前記デ
ィスク板におけるガス導入側端部を隣り合う前記ディス
ク間でずらして配置したことを特徴とする気相成分除去
装置。 - 【請求項2】 前記ディスク板におけるガス導入側端部
の形状は、隣り合う前記ディスク板と相似の関係である
ことを特徴とする請求項1に記載の気相成分除去装置。 - 【請求項3】 隣り合う前記ディスク板の表面積が等し
いことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の気
相成分除去装置。 - 【請求項4】 前記ディスク板におけるガス導入側端部
は、前記ディスク板の外縁であることを特徴とする請求
項1乃至請求項3のいずれかに記載の気相成分除去装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11166934A JP2000353668A (ja) | 1999-06-14 | 1999-06-14 | 気相成分除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11166934A JP2000353668A (ja) | 1999-06-14 | 1999-06-14 | 気相成分除去装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000353668A true JP2000353668A (ja) | 2000-12-19 |
Family
ID=15840375
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11166934A Withdrawn JP2000353668A (ja) | 1999-06-14 | 1999-06-14 | 気相成分除去装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000353668A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006302946A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理システム |
JP2007027590A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理システム |
-
1999
- 1999-06-14 JP JP11166934A patent/JP2000353668A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006302946A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理システム |
JP4717495B2 (ja) * | 2005-04-15 | 2011-07-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理システム |
JP2007027590A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理システム |
JP4580833B2 (ja) * | 2005-07-21 | 2010-11-17 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理システム及びトラップ装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101234389B (zh) | 半导体处理用收集单元 | |
JP4335438B2 (ja) | 非対称の流動形状を用いるプロセスチャンバ用リッドアセンブリ | |
US20060011298A1 (en) | Showerhead with branched gas receiving channel and apparatus including the same for use in manufacturing semiconductor substrates | |
US20060162862A1 (en) | Apparatus for trapping residual products in semiconductor device fabrication equipment | |
TWI833725B (zh) | 電漿處理裝置之零件之清潔方法 | |
CN100459032C (zh) | 减少反应室颗粒的工艺方法 | |
CN101920256A (zh) | 等离子体处理装置用的消耗部件的再利用方法 | |
CN106029217A (zh) | 等离子体前级热反应器*** | |
US6858264B2 (en) | Chemical vapor deposition methods | |
JP2011505691A (ja) | 半導体基板上の種々の材料の積層付着のための装置およびこのような装置で使用するためのリフトピン | |
JP6799549B2 (ja) | プラズマ処理装置の部品をクリーニングする方法 | |
CN101151712A (zh) | 从衬底去除氧化物的方法和*** | |
JP2001104825A (ja) | 基板処理チャンバのインサイチュ(in−situ)真空ライン清浄用加熱された静電粒子トラップ | |
JP2003224120A (ja) | 二重作用冷却トラップ | |
JP2000353668A (ja) | 気相成分除去装置 | |
TWI709434B (zh) | 包含廢氣分解模組之基板處理設備與廢氣之處理方法 | |
JP2000045073A (ja) | 排気トラップ及び処理装置 | |
KR20030081592A (ko) | 반도체 제조설비의 배기라인 부산물 제거장치 | |
US7252858B2 (en) | System and method for abating the simultaneous flow of silane and arsine | |
JPH0766139A (ja) | 化学気相成長装置 | |
JPS62263629A (ja) | 気相成長装置 | |
EP1154038A1 (en) | Method of conditioning a chamber for chemical vapor deposition | |
JPH0316120A (ja) | 化学気相成長装置及びそのガスヘッド | |
US20010051214A1 (en) | Apparatus and method for vapor deposition | |
JPH02184022A (ja) | Cvd電極 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060905 |