JP2000323755A - 半導体発光装置 - Google Patents
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体発光素子の小型化に対応できるリード
フレームへの導通搭載のためのアセンブリ構造の提供。 【解決手段】 合成樹脂製のマウントカップ４に一対の
電極５，６を一体に形成してこれらの電極５，６に導通
させて半導体発光素子１を搭載し、更に電極５，６と導
通させてリードフレーム３のリード３ａ，３ｂにマウン
トカップ４を搭載し、マウントカップ４に設ける電極
５，６どうしの間隔を短く設定して小型の半導体発光素
子１の導通搭載に対応できるようにする。
フレームへの導通搭載のためのアセンブリ構造の提供。 【解決手段】 合成樹脂製のマウントカップ４に一対の
電極５，６を一体に形成してこれらの電極５，６に導通
させて半導体発光素子１を搭載し、更に電極５，６と導
通させてリードフレーム３のリード３ａ，３ｂにマウン
トカップ４を搭載し、マウントカップ４に設ける電極
５，６どうしの間隔を短く設定して小型の半導体発光素
子１の導通搭載に対応できるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フリップチップ型
の半導体発光素子を備える半導体発光装置に係り、特に
半導体発光素子の小型化に対応できるリードフレームと
のアセンブリを可能とした半導体発光装置に関する。
の半導体発光素子を備える半導体発光装置に係り、特に
半導体発光素子の小型化に対応できるリードフレームと
のアセンブリを可能とした半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ，ＧａＡｌＮ，ＩｎＧａＮ及びＩ
ｎＡｌＧａＮ等のＧａＮ系化合物半導体を利用した青色
発光の発光素子は、結晶成長のための基板として現在で
はサファイアが最も一般的なものとして利用されてい
る。この絶縁性のサファイアを基板とする発光素子で
は、ｐ側及びｎ側の両方の電極は基板と反対側の面であ
って半導体の積層膜の表面に形成される。このようにｐ
側及びｎ側の電極が同一面にあることを利用して、これ
らの電極のそれぞれにバンプ電極を形成し、基板側が発
光方向を向く姿勢としたフリップチップ型のアセンブリ
とするものが従来から知られている。
ｎＡｌＧａＮ等のＧａＮ系化合物半導体を利用した青色
発光の発光素子は、結晶成長のための基板として現在で
はサファイアが最も一般的なものとして利用されてい
る。この絶縁性のサファイアを基板とする発光素子で
は、ｐ側及びｎ側の両方の電極は基板と反対側の面であ
って半導体の積層膜の表面に形成される。このようにｐ
側及びｎ側の電極が同一面にあることを利用して、これ
らの電極のそれぞれにバンプ電極を形成し、基板側が発
光方向を向く姿勢としたフリップチップ型のアセンブリ
とするものが従来から知られている。
【０００３】図５はＧａＮ系化合物半導体を利用した半
導体発光素子をフリップチップ型としてリードフレーム
に搭載したＬＥＤランプの概略図であって、同図の
（ａ）は縦断面図、同図の（ｂ）は横断面図である。
導体発光素子をフリップチップ型としてリードフレーム
に搭載したＬＥＤランプの概略図であって、同図の
（ａ）は縦断面図、同図の（ｂ）は横断面図である。
【０００４】図５において、プリント配線基板（図示せ
ず）に導通固定されるリードフレーム５１の一対のリー
ド５１ａ，５１ｂのそれぞれの上端にマウント部５１
ｃ，５１ｄが形成され、これらのマウント部５１ｃ，５
１ｄに半導体発光素子１を跨がせて搭載するとともに、
全体をエポキシ樹脂を用いた樹脂ヘッド５２によって封
止している。
ず）に導通固定されるリードフレーム５１の一対のリー
ド５１ａ，５１ｂのそれぞれの上端にマウント部５１
ｃ，５１ｄが形成され、これらのマウント部５１ｃ，５
１ｄに半導体発光素子１を跨がせて搭載するとともに、
全体をエポキシ樹脂を用いた樹脂ヘッド５２によって封
止している。
【０００５】半導体発光素子１は、図６に示すように、
絶縁性であって光透過性のサファイアを利用した基板１
ａにＧａＮのｎ型層１ｂ及びｐ型層１ｃを順に積層して
これらの層の間を活性層とし、ｎ型層１ｂの表面にはｎ
側電極パッド１ｄ及びｐ型層１ｃの表面にはｐ側電極パ
ッド１ｅを金属蒸着法によって形成したものである。そ
して、ｎ側及びｐ側の電極パッド１ｄ，１ｅにはバンプ
電極２ａ，２ｂがそれぞれ形成されている。
絶縁性であって光透過性のサファイアを利用した基板１
ａにＧａＮのｎ型層１ｂ及びｐ型層１ｃを順に積層して
これらの層の間を活性層とし、ｎ型層１ｂの表面にはｎ
側電極パッド１ｄ及びｐ型層１ｃの表面にはｐ側電極パ
ッド１ｅを金属蒸着法によって形成したものである。そ
して、ｎ側及びｐ側の電極パッド１ｄ，１ｅにはバンプ
電極２ａ，２ｂがそれぞれ形成されている。
【０００６】半導体発光素子１は、バンプ電極２ａ，２
ｂをマウント部５１ｄ，５１ｃの上に載せて超音波圧着
と加熱圧着を加えることで接合され、リード５１ｂ，５
１ａにそれぞれ導通固定される。そして、活性層からの
光は基板１ａを抜けて図６において上向きに発光され、
この基板１ａの上端面を主光取出し面とする。
ｂをマウント部５１ｄ，５１ｃの上に載せて超音波圧着
と加熱圧着を加えることで接合され、リード５１ｂ，５
１ａにそれぞれ導通固定される。そして、活性層からの
光は基板１ａを抜けて図６において上向きに発光され、
この基板１ａの上端面を主光取出し面とする。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図示の例の半導体発光
素子１も含めて、素子の一般的な製造は、基板材料にＧ
ａＮのｎ型層やｐ型層をウエハー状態で積層するととも
にｎ側及びｐ側の電極パッドを蒸着形成し、ダイサーに
よってダイシングすることでチップ状の発光素子を得る
というものである。そして、近来ではダイシング技術の
進歩や電極形成のためのパターニングの精度の向上等に
よって、発光素子のより一層の小型化が可能となった。
このような発光素子の小型化は、小型で薄型化が最も重
要な設計課題となっている電子機器への対応の面で非常
に有効とされている。
素子１も含めて、素子の一般的な製造は、基板材料にＧ
ａＮのｎ型層やｐ型層をウエハー状態で積層するととも
にｎ側及びｐ側の電極パッドを蒸着形成し、ダイサーに
よってダイシングすることでチップ状の発光素子を得る
というものである。そして、近来ではダイシング技術の
進歩や電極形成のためのパターニングの精度の向上等に
よって、発光素子のより一層の小型化が可能となった。
このような発光素子の小型化は、小型で薄型化が最も重
要な設計課題となっている電子機器への対応の面で非常
に有効とされている。
【０００８】一方、半導体発光素子１を搭載するための
リードフレーム５１の製造では、ｐ側とｎ側との導通の
ためにマウント部５１ｃ，５１ｄを分断する加工が必要
である。すなわちリードフレーム５１の先端側すなわち
マウント部５１ｃ，５１ｄが最終的に形成される部分を
一体にしてリード５１ａ，５１ｂが延びた二股状の部品
として製作しておき、一体となっている部分の中央を切
開してマウント部５１ｃ，５１ｄに分離する工程によっ
て加工される。
リードフレーム５１の製造では、ｐ側とｎ側との導通の
ためにマウント部５１ｃ，５１ｄを分断する加工が必要
である。すなわちリードフレーム５１の先端側すなわち
マウント部５１ｃ，５１ｄが最終的に形成される部分を
一体にしてリード５１ａ，５１ｂが延びた二股状の部品
として製作しておき、一体となっている部分の中央を切
開してマウント部５１ｃ，５１ｄに分離する工程によっ
て加工される。
【０００９】ところが、切り開かれたマウント部５１
ｃ，５１ｄとの間のギャップ５１ｅの切開幅は、リード
フレーム５１の肉厚にも関係するが、従来では最小で
０．４ｍｍ程度である。そして、加工誤差等を含むと
０．４ｍｍ以上となってしまうことが殆どである。
ｃ，５１ｄとの間のギャップ５１ｅの切開幅は、リード
フレーム５１の肉厚にも関係するが、従来では最小で
０．４ｍｍ程度である。そして、加工誤差等を含むと
０．４ｍｍ以上となってしまうことが殆どである。
【００１０】このようにリードフレーム５１の加工の面
から、マウント部５１ｃ，５１ｄとの間のギャップ５１
ｅの幅には下限がある。その一方で半導体発光素子１は
小型化が更に進み、バンプ電極２ａ，２ｂどうしの間隔
もより短くなる傾向にある。したがって、バンプ電極２
ａ，２ｂの間隔がギャップ５１ｅの幅よりも短くなる
と、これらのバンプ電極２ａ，２ｂのいずれか一方しか
マウント部５１ｃ，５１ｄに接合できず、アセンブリで
きないことになる。
から、マウント部５１ｃ，５１ｄとの間のギャップ５１
ｅの幅には下限がある。その一方で半導体発光素子１は
小型化が更に進み、バンプ電極２ａ，２ｂどうしの間隔
もより短くなる傾向にある。したがって、バンプ電極２
ａ，２ｂの間隔がギャップ５１ｅの幅よりも短くなる
と、これらのバンプ電極２ａ，２ｂのいずれか一方しか
マウント部５１ｃ，５１ｄに接合できず、アセンブリで
きないことになる。
【００１１】以上のように、半導体発光素子１は小型化
が進んでいる一方で、リードフレーム５１についてはそ
の製造上の制約からマウント部５１ｃ，５１ｄの間のギ
ャップ５１ｅを狭めることができない状況にある。この
ため、二つに分離されたマウント部５１ｃ，５１ｄに搭
載してＬＥＤランプ型とする場合では、半導体発光素子
１とリードフレーム５１とのマッチングが採れず、装置
の小型化の大きな障害となっている。
が進んでいる一方で、リードフレーム５１についてはそ
の製造上の制約からマウント部５１ｃ，５１ｄの間のギ
ャップ５１ｅを狭めることができない状況にある。この
ため、二つに分離されたマウント部５１ｃ，５１ｄに搭
載してＬＥＤランプ型とする場合では、半導体発光素子
１とリードフレーム５１とのマッチングが採れず、装置
の小型化の大きな障害となっている。
【００１２】本発明において解決すべき課題は、半導体
発光素子の小型化に対応できるリードフレームへの導通
搭載のためのアセンブリ構造を提供することにある。
発光素子の小型化に対応できるリードフレームへの導通
搭載のためのアセンブリ構造を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、光透過性の基
板の上に半導体薄膜層を積層するとともにこの積層膜の
表面側にｐ側及びｎ側の電極をそれぞれ形成し且つ前記
基板側を主光取出し面とする半導体発光素子と、前記ｐ
側及びｎ側の電極にそれぞれ導通する一対の電極のパタ
ーンを一体に形成するとともに前記半導体発光素子を搭
載する合成樹脂製のマウントカップと、一対のリードの
それぞれの先端に前記マウントカップを搭載し且つ前記
一対の電極パターンにそれぞれ導通するステーを形成し
たリードフレームとを含み、前記マウントカップに形成
する一対の電極の間の間隔を前記リードフレームのステ
ーどうしの間隔より短くしたことを特徴とする。
板の上に半導体薄膜層を積層するとともにこの積層膜の
表面側にｐ側及びｎ側の電極をそれぞれ形成し且つ前記
基板側を主光取出し面とする半導体発光素子と、前記ｐ
側及びｎ側の電極にそれぞれ導通する一対の電極のパタ
ーンを一体に形成するとともに前記半導体発光素子を搭
載する合成樹脂製のマウントカップと、一対のリードの
それぞれの先端に前記マウントカップを搭載し且つ前記
一対の電極パターンにそれぞれ導通するステーを形成し
たリードフレームとを含み、前記マウントカップに形成
する一対の電極の間の間隔を前記リードフレームのステ
ーどうしの間隔より短くしたことを特徴とする。
【００１４】この構成では、ステーどうしの間の距離が
リードフレームの製造上から或る値以上としなければな
らなくても、合成樹脂製のマウントカップに備える電極
どうしの間の間隔を狭くすることによって、小型化され
てｐ側及びｎ側の電極間の距離が短い半導体発光素子で
も導通搭載が可能となる。
リードフレームの製造上から或る値以上としなければな
らなくても、合成樹脂製のマウントカップに備える電極
どうしの間の間隔を狭くすることによって、小型化され
てｐ側及びｎ側の電極間の距離が短い半導体発光素子で
も導通搭載が可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、光透過
性の基板の上に半導体薄膜層を積層するとともにこの積
層膜の表面側にｐ側及びｎ側の電極をそれぞれ形成し且
つ前記基板側を主光取出し面とする半導体発光素子と、
前記ｐ側及びｎ側の電極にそれぞれ導通する一対の電極
のパターンを一体に形成するとともに前記半導体発光素
子を搭載する合成樹脂製のマウントカップと、一対のリ
ードのそれぞれの先端に前記マウントカップを搭載し且
つ前記一対の電極パターンにそれぞれ導通するステーを
形成したリードフレームとを含み、前記マウントカップ
に形成する一対の電極の間の間隔を前記リードフレーム
のステーどうしの間隔より短くしたことを特徴とする半
導体発光装置であり、リードフレームの形状や大きさの
態様に関係なくｐ側及びｎ側の電極間の距離が短い半導
体発光素子でも導通搭載できるという作用を有する。
性の基板の上に半導体薄膜層を積層するとともにこの積
層膜の表面側にｐ側及びｎ側の電極をそれぞれ形成し且
つ前記基板側を主光取出し面とする半導体発光素子と、
前記ｐ側及びｎ側の電極にそれぞれ導通する一対の電極
のパターンを一体に形成するとともに前記半導体発光素
子を搭載する合成樹脂製のマウントカップと、一対のリ
ードのそれぞれの先端に前記マウントカップを搭載し且
つ前記一対の電極パターンにそれぞれ導通するステーを
形成したリードフレームとを含み、前記マウントカップ
に形成する一対の電極の間の間隔を前記リードフレーム
のステーどうしの間隔より短くしたことを特徴とする半
導体発光装置であり、リードフレームの形状や大きさの
態様に関係なくｐ側及びｎ側の電極間の距離が短い半導
体発光素子でも導通搭載できるという作用を有する。
【００１６】請求項２の発明は、前記マウントカップ
は、その素材の合成樹脂の中に光反射性のフィラーを混
入したことを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置
であり、樹脂製のマウントカップであってもフィラーに
よる光反射が利用できるという作用を有する。
は、その素材の合成樹脂の中に光反射性のフィラーを混
入したことを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置
であり、樹脂製のマウントカップであってもフィラーに
よる光反射が利用できるという作用を有する。
【００１７】以下に、本発明の実施の形態の具体例を図
面を参照しながら説明する。
面を参照しながら説明する。
【００１８】図１は本発明の一実施の形態による半導体
発光装置の要部を示す縦断面図、図２及び図３は図１の
平面図及び底面図である。なお、半導体発光素子は図６
に示したものと同様であり、同じ構成部材については共
通の符号で指示する。
発光装置の要部を示す縦断面図、図２及び図３は図１の
平面図及び底面図である。なお、半導体発光素子は図６
に示したものと同様であり、同じ構成部材については共
通の符号で指示する。
【００１９】図１において、プリント配線基板（図示せ
ず）等に基端を導通固定されるリードフレーム３の一対
のリード３ａ，３ｂのそれぞれの上端には直角に曲げた
ステー３ａ−１，３ｂ−１をそれぞれ形成し、これらの
ステー３ａ−１，３ｂ−１の上面に半導体発光素子１を
導通固定したマウントカップ４を固定している。
ず）等に基端を導通固定されるリードフレーム３の一対
のリード３ａ，３ｂのそれぞれの上端には直角に曲げた
ステー３ａ−１，３ｂ−１をそれぞれ形成し、これらの
ステー３ａ−１，３ｂ−１の上面に半導体発光素子１を
導通固定したマウントカップ４を固定している。
【００２０】リードフレーム３は従来例と同様に先端側
すなわちステー３ａ−１，３ｂ−１部分を一体として二
股状に形成していき、この一体部分を分断してステー３
ａ−１，３ｂ−１に分離してその間をギャップ３ｃとし
たものである。そして、このギャップ３ｃの開口幅Ｗ
は、現在の製造技術では０．４ｍｍ程度である。
すなわちステー３ａ−１，３ｂ−１部分を一体として二
股状に形成していき、この一体部分を分断してステー３
ａ−１，３ｂ−１に分離してその間をギャップ３ｃとし
たものである。そして、このギャップ３ｃの開口幅Ｗ
は、現在の製造技術では０．４ｍｍ程度である。
【００２１】マウントカップ４はたとえば白色系の液晶
ポリマー（ＬＣＰ）を素材とし、半導発光素子１の周り
を囲むすり鉢状に型製作されたものである。そして、半
導体発光素子１から下方及び側方から抜ける光を発光方
向に反射させるために、光反射性のたとえばＴｉＯ2等
の化合物をフィラーとして混入している。
ポリマー（ＬＣＰ）を素材とし、半導発光素子１の周り
を囲むすり鉢状に型製作されたものである。そして、半
導体発光素子１から下方及び側方から抜ける光を発光方
向に反射させるために、光反射性のたとえばＴｉＯ2等
の化合物をフィラーとして混入している。
【００２２】マウントカップ４の底部４ａには半導体発
光素子１とリードフレーム３とを導通させるための一対
の電極５，６を設ける。これらの電極５，６は、フィラ
ーを混入したマウントカップ４とともに型製作するとき
に一体に封止されるもので、図２及び図３に示すよう
に、長方形の平面形状を持つ。すなわち、電極５，６は
底部４ａの中心部分にこの底部４ａよりも上に突き出る
素子側導通部５ａ，６ａを形成するとともに、底部４ａ
の下面と同じ面内で露出するリード側導通部５ｂ，６ｂ
を備えている。
光素子１とリードフレーム３とを導通させるための一対
の電極５，６を設ける。これらの電極５，６は、フィラ
ーを混入したマウントカップ４とともに型製作するとき
に一体に封止されるもので、図２及び図３に示すよう
に、長方形の平面形状を持つ。すなわち、電極５，６は
底部４ａの中心部分にこの底部４ａよりも上に突き出る
素子側導通部５ａ，６ａを形成するとともに、底部４ａ
の下面と同じ面内で露出するリード側導通部５ｂ，６ｂ
を備えている。
【００２３】ここで、電極５，６はマウントカップ４を
樹脂によって型成形するときに一体に封止するので、製
造用の型に対するこれらの電極５，６の位置を正しく設
定することで、互いの間の距離を小さくできる。すなわ
ち、図１に示すように、電極５，６の素子側導通部５
ａ，６ａどうしの間の間隔をリードフレーム３のギャッ
プ３ｃの開口幅Ｗよりも短くした成形が可能である。し
たがって、半導体発光素子１のｎ側及びｐ側のバンプ電
極２ａ，２ｂどうしの距離がたとえばギャップ３ｃの開
口幅Ｗより短くても、素子側導通部５ａ，６ａにマウン
トできる。
樹脂によって型成形するときに一体に封止するので、製
造用の型に対するこれらの電極５，６の位置を正しく設
定することで、互いの間の距離を小さくできる。すなわ
ち、図１に示すように、電極５，６の素子側導通部５
ａ，６ａどうしの間の間隔をリードフレーム３のギャッ
プ３ｃの開口幅Ｗよりも短くした成形が可能である。し
たがって、半導体発光素子１のｎ側及びｐ側のバンプ電
極２ａ，２ｂどうしの距離がたとえばギャップ３ｃの開
口幅Ｗより短くても、素子側導通部５ａ，６ａにマウン
トできる。
【００２４】電極５，６を一体に備えたマウントカップ
４は、リード３ａ，３ｂのステー３ａ−１，３ｂ−１に
図１及び図３の位置関係となるように搭載する。そし
て、ステー３ａ−１，３ｂ−１よりもリード側導通部５
ｂ，６ｂの平面形状を大きくしておくことによって、図
３に示すようにこれらのステー３ａ−１，３ｂ−１とリ
ード側導通部５ｂ，６ｂとを半田７付けでき、これによ
ってリードフレーム３にマウントカップ４が固定される
と同時に、電極５，６とリード３ａ，３ｂとの導通が得
られる。
４は、リード３ａ，３ｂのステー３ａ−１，３ｂ−１に
図１及び図３の位置関係となるように搭載する。そし
て、ステー３ａ−１，３ｂ−１よりもリード側導通部５
ｂ，６ｂの平面形状を大きくしておくことによって、図
３に示すようにこれらのステー３ａ−１，３ｂ−１とリ
ード側導通部５ｂ，６ｂとを半田７付けでき、これによ
ってリードフレーム３にマウントカップ４が固定される
と同時に、電極５，６とリード３ａ，３ｂとの導通が得
られる。
【００２５】このようにマウントカップ４をリードフレ
ーム３に一体とすることで、マウントカップ４に予め設
けた電極５，６はリード３ａ，３ｂに導通する。したが
って、素子側導通部５ａ，６ａの上にバンプ電極２ａ，
２ｂを載せて超音波圧着及び加熱圧着すれば、これらが
接合して半導体発光素子１が実装される。この実装に際
しては、先に述べたように素子側導通部５ａ，６ａの間
の間隔がリードフレーム３のギャップ３ｃよりも短いの
で、半導体発光素子１が小型であってバンプ電極２ａ，
２ｂの間隔が狭いものでも対応できる。
ーム３に一体とすることで、マウントカップ４に予め設
けた電極５，６はリード３ａ，３ｂに導通する。したが
って、素子側導通部５ａ，６ａの上にバンプ電極２ａ，
２ｂを載せて超音波圧着及び加熱圧着すれば、これらが
接合して半導体発光素子１が実装される。この実装に際
しては、先に述べたように素子側導通部５ａ，６ａの間
の間隔がリードフレーム３のギャップ３ｃよりも短いの
で、半導体発光素子１が小型であってバンプ電極２ａ，
２ｂの間隔が狭いものでも対応できる。
【００２６】また、マウントカップ４にはＴｉＯ2等の
光反射性の高いフィラーを混入しているので、半導体発
光素子１から底部４ａ及び内周面４ｂ側に抜ける光を図
１において基板１ａの上面の主光取出し面からの発光方
向へ反射させて回収できる。したがって、マウントカッ
プ４を合成樹脂製としていても、反射光による発光輝度
の向上も可能となる。
光反射性の高いフィラーを混入しているので、半導体発
光素子１から底部４ａ及び内周面４ｂ側に抜ける光を図
１において基板１ａの上面の主光取出し面からの発光方
向へ反射させて回収できる。したがって、マウントカッ
プ４を合成樹脂製としていても、反射光による発光輝度
の向上も可能となる。
【００２７】図４はマウントカップ４に設ける電極５，
６の形成パターンの別の例を示す要部の平面図である。
６の形成パターンの別の例を示す要部の平面図である。
【００２８】図示の例では、ｎ側及びｐ側の電極パッド
１ｄ，１ｅは半導体発光素子１の平面外郭の中で対角線
方向に離れて位置しているので、電極５，６の素子側導
通部５ａ，６ａにはこれらの電極パッド１ｄ，１ｅに接
合するバンプ電極２ａ，２ｂを含めるように展開させた
形状を持たせている。このように、半導体発光素子１の
ｐ側及びｎ側の電極の配置や位置関係が変わっても、電
極５，６のマウントカップ４内でのパターンを変更する
だけの対応で済み、各種の半導体発光素子の搭載にも対
応できる。
１ｄ，１ｅは半導体発光素子１の平面外郭の中で対角線
方向に離れて位置しているので、電極５，６の素子側導
通部５ａ，６ａにはこれらの電極パッド１ｄ，１ｅに接
合するバンプ電極２ａ，２ｂを含めるように展開させた
形状を持たせている。このように、半導体発光素子１の
ｐ側及びｎ側の電極の配置や位置関係が変わっても、電
極５，６のマウントカップ４内でのパターンを変更する
だけの対応で済み、各種の半導体発光素子の搭載にも対
応できる。
【００２９】
【発明の効果】請求項１の発明では、合成樹脂製のマウ
ントカップに電極を形成するときにはそのパターン形成
が自在なので電極どうしの間の間隔を短くでき、ｐ側及
びｎ側の電極の間の距離が短い小型の半導体発光素子で
も支障なくアセンブリでき、装置の小型化が更に促進さ
れる。
ントカップに電極を形成するときにはそのパターン形成
が自在なので電極どうしの間の間隔を短くでき、ｐ側及
びｎ側の電極の間の距離が短い小型の半導体発光素子で
も支障なくアセンブリでき、装置の小型化が更に促進さ
れる。
【００３０】請求項２の発明では、マウントカップに光
反射性のフィラーを混入することで、光反射機能を持た
せることができるので、マウントカップを合成樹脂製と
していても発光輝度の低下を招くことがない。
反射性のフィラーを混入することで、光反射機能を持た
せることができるので、マウントカップを合成樹脂製と
していても発光輝度の低下を招くことがない。
【図１】本発明の一実施の形態による半導体発光装置の
要部の縦断面図
要部の縦断面図
【図２】マウントカップに設ける電極のパターンと半導
体発光素子との位置関係を示すための概略平面図
体発光素子との位置関係を示すための概略平面図
【図３】マウントカップに設ける電極のリード側導通部
とリードとの位置関係を示す概略底面図
とリードとの位置関係を示す概略底面図
【図４】マウントカップに設ける電極パターンの別の例
を示す概略平面図
を示す概略平面図
【図５】従来のフリップチップ型の半導体発光素子を備
えたＬＥＤランプの例であって、（ａ）はその縦断面図 （ｂ）はその横断面図
えたＬＥＤランプの例であって、（ａ）はその縦断面図 （ｂ）はその横断面図
【図６】従来例における半導体発光素子のリードフレー
ムへの導通搭載構造を示す要部の縦断面図
ムへの導通搭載構造を示す要部の縦断面図
１ 半導体発光素子 １ａ 基板 １ｂ ｎ型層 １ｃ ｐ型層 １ｄ ｎ側電極パッド １ｅ ｐ側電極パッド ２ａ，２ｂ バンプ電極 ３ リードフレーム ３ａ，３ｂ リード ３ａ−１，３ｂ−１ ステー ３ｃ ギャップ ４ マウントカップ ４ａ 底部 ４ｂ 内周面 ５，６ 電極 ５ａ，６ａ 素子側導通部 ５ｂ，６ｂ リード側導通部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 祐二 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA47 DA09 DA16 DA20 DA43 EE23
Claims (2)
- 【請求項１】 光透過性の基板の上に半導体薄膜層を積
層するとともに、この積層膜の表面側にｐ側及びｎ側の
電極をそれぞれ形成し、且つ前記基板側を主光取出し面
とする半導体発光素子と、 前記ｐ側及びｎ側の電極にそれぞれ導通する一対の電極
のパターンを一体に形成するとともに、前記半導体発光
素子を搭載する合成樹脂製のマウントカップと、 一対のリードのそれぞれの先端に前記マウントカップを
搭載し且つ前記一対の電極パターンにそれぞれ導通する
ステーを形成したリードフレームとを含み、 前記マウントカップに形成する一対の電極の間の間隔を
前記リードフレームのステーどうしの間隔より短くした
ことを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項２】 前記マウントカップは、その素材の合成
樹脂の中に光反射性のフィラーを混入したことを特徴と
する請求項１記載の半導体発光装置。
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|---|---|---|---|
| JP13227999A JP4304760B2 (ja) | 1999-05-13 | 1999-05-13 | 半導体発光装置 |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323755A true JP2000323755A (ja) | 2000-11-24 |
| JP4304760B2 JP4304760B2 (ja) | 2009-07-29 |
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ID=15077576
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13227999A Expired - Fee Related JP4304760B2 (ja) | 1999-05-13 | 1999-05-13 | 半導体発光装置 |
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Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002084750A1 (en) * | 2001-04-12 | 2002-10-24 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Light source device using led, and method of producing same |
| US6940102B2 (en) | 2001-02-13 | 2005-09-06 | Agilent Technologies, Inc. | Light-emitting diode and a method for its manufacture |
| JP2006134992A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Hitachi Displays Ltd | 光源ユニット、それを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置 |
| GB2484713A (en) * | 2010-10-21 | 2012-04-25 | Optovate Ltd | Illumination apparatus |
| KR20140069624A (ko) * | 2012-11-29 | 2014-06-10 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
| US10591772B2 (en) | 2018-03-09 | 2020-03-17 | Reald Spark, Llc | Illumination apparatus having an array of micro-LEDs and a plurality of catadioptric optical elements configured to output light from the array of micro-LEDs |
| US11016341B2 (en) | 2019-09-11 | 2021-05-25 | Reald Spark, Llc | Directional illumination apparatus and privacy display |
| US11061279B2 (en) | 2017-04-03 | 2021-07-13 | Optovate Limited | Illumination apparatus |
| US11063193B2 (en) | 2018-05-13 | 2021-07-13 | Reald Spark, Llc | Colour micro-LED display apparatus |
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| US11162661B2 (en) | 2019-10-03 | 2021-11-02 | Reald Spark, Llc | Illumination apparatus comprising passive optical nanostructures |
| US11231568B2 (en) | 2017-04-03 | 2022-01-25 | Reald Spark, Llc | Illumination apparatus |
| US11287562B2 (en) | 2020-02-20 | 2022-03-29 | Reald Spark, Llc | Illumination apparatus including mask with plurality of apertures and display apparatus comprising same |
| US11294233B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-04-05 | ReaID Spark, LLC | Directional illumination apparatus and privacy display |
| US11422344B2 (en) | 2018-01-14 | 2022-08-23 | Optovate Limited | Illumination apparatus |
| US11573437B2 (en) | 2019-07-02 | 2023-02-07 | Reald Spark, Llc | Directional display apparatus |
| US11652195B2 (en) | 2019-10-03 | 2023-05-16 | Reald Spark, Llc | Illumination apparatus comprising passive optical nanostructures |
| US12002789B2 (en) | 2017-11-05 | 2024-06-04 | Optovate Limited | Display apparatus |
-
1999
- 1999-05-13 JP JP13227999A patent/JP4304760B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US10598346B2 (en) | 2010-10-21 | 2020-03-24 | Optovate Limited | Illumination apparatus |
| US11287109B2 (en) | 2010-10-21 | 2022-03-29 | Optovate Limited | Illumination apparatus |
| US10330283B2 (en) | 2010-10-21 | 2019-06-25 | Optovate Limited | Illumination apparatus |
| US11629847B2 (en) | 2010-10-21 | 2023-04-18 | Optovate Limited | Illumination apparatus |
| US10533730B2 (en) | 2010-10-21 | 2020-01-14 | Optovate Limited | Illumination apparatus |
| US11994268B2 (en) | 2010-10-21 | 2024-05-28 | Optovate Limited | Illumination apparatus |
| US10598347B2 (en) | 2010-10-21 | 2020-03-24 | Optovate Limited | Illumination apparatus |
| US10598348B2 (en) | 2010-10-21 | 2020-03-24 | Optovate Limited | Illumination apparatus |
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| US10718492B2 (en) | 2010-10-21 | 2020-07-21 | Optovate Limited | Illumination apparatus |
| KR20140069624A (ko) * | 2012-11-29 | 2014-06-10 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
| KR102013362B1 (ko) * | 2012-11-29 | 2019-10-21 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
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| US11231568B2 (en) | 2017-04-03 | 2022-01-25 | Reald Spark, Llc | Illumination apparatus |
| US12002789B2 (en) | 2017-11-05 | 2024-06-04 | Optovate Limited | Display apparatus |
| US11422344B2 (en) | 2018-01-14 | 2022-08-23 | Optovate Limited | Illumination apparatus |
| US11106083B2 (en) | 2018-03-09 | 2021-08-31 | Reald Spark, Llc | Illumination apparatus with a catadioptric lens array that reflects and transmits light from an array of LEDs with a smaller light distribution cone |
| US10591772B2 (en) | 2018-03-09 | 2020-03-17 | Reald Spark, Llc | Illumination apparatus having an array of micro-LEDs and a plurality of catadioptric optical elements configured to output light from the array of micro-LEDs |
| US11063193B2 (en) | 2018-05-13 | 2021-07-13 | Reald Spark, Llc | Colour micro-LED display apparatus |
| US11742466B2 (en) | 2018-05-13 | 2023-08-29 | Optovate Limited | Colour micro-LED display apparatus |
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