JP2000323561A - 浅いトレンチ分離構造の加工方法 - Google Patents
浅いトレンチ分離構造の加工方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】浅いトレンチ分離構造を加工する方法。
【解決手段】パッド酸化物層と、窒化珪素層とを基板上
に順番に形成する。トレンチを基板に形成し、線状酸化
物層をトレンチの側壁に形成する。ド−プ化二酸化珪素
層を窒化珪素層上に形成し、トレンチを充填する。ド−
プ化二酸化珪素層を高密度化するために焼なましプロセ
スを行う。平面化工程によって、ド−プ化二酸化珪素層
の１部を除去して窒化珪素層を露出させる。
に順番に形成する。トレンチを基板に形成し、線状酸化
物層をトレンチの側壁に形成する。ド−プ化二酸化珪素
層を窒化珪素層上に形成し、トレンチを充填する。ド−
プ化二酸化珪素層を高密度化するために焼なましプロセ
スを行う。平面化工程によって、ド−プ化二酸化珪素層
の１部を除去して窒化珪素層を露出させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】発明の背景発明の分野この発
明は、浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）構造の加工方法に関
する。更に詳細には、この発明は、ド−プ化二酸化珪素
を充填した浅いトレンチ分離構造の加工方法に関する。
明は、浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）構造の加工方法に関
する。更に詳細には、この発明は、ド−プ化二酸化珪素
を充填した浅いトレンチ分離構造の加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】関連技術の説明集積回路においては、デ
バイスを分離する分離構造が必要である。浅いトレンチ
分離構造は拡張性と良好な分離性とにおいて利点を有し
ているので、この技術はサブミクロンの工程に使用する
のが好ましい。
バイスを分離する分離構造が必要である。浅いトレンチ
分離構造は拡張性と良好な分離性とにおいて利点を有し
ているので、この技術はサブミクロンの工程に使用する
のが好ましい。
【０００３】浅いトレンチ分離構造を形成する従来法に
おいては、基板中に急勾配のトレンチ（溝）を形成する
ためのマスクとして作用する窒化珪素を用いて異方性エ
ッチングが行われる。非ドープ化二酸化珪素層がトレン
チ中に形成され、従って浅いトレンチ分離構造が形成さ
れる。次いで、基板は、希弗化水素酸（ＨＦ）溶液中に
浸漬され、前記工程中に形成された不純物が除去され
る。
おいては、基板中に急勾配のトレンチ（溝）を形成する
ためのマスクとして作用する窒化珪素を用いて異方性エ
ッチングが行われる。非ドープ化二酸化珪素層がトレン
チ中に形成され、従って浅いトレンチ分離構造が形成さ
れる。次いで、基板は、希弗化水素酸（ＨＦ）溶液中に
浸漬され、前記工程中に形成された不純物が除去され
る。
【０００４】通常は、非ドープ化二酸化珪素層の１部が
その後の浸漬プロセス中に失われるので、非ドープ化二
酸化珪素層中に欠陥が形成され、浅いトレンチ分離構造
の信頼性が減少される。非ドープ化二酸化珪素層が物質
を失うことを防止するための浸漬プロセス前に、非ドー
プ化二酸化珪素層の密度を高くするために、約１１００
℃で焼なましプロセスが実施される。
その後の浸漬プロセス中に失われるので、非ドープ化二
酸化珪素層中に欠陥が形成され、浅いトレンチ分離構造
の信頼性が減少される。非ドープ化二酸化珪素層が物質
を失うことを防止するための浸漬プロセス前に、非ドー
プ化二酸化珪素層の密度を高くするために、約１１００
℃で焼なましプロセスが実施される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板と
非ドープ化二酸化珪素層との間の熱膨張係数とヤング率
との大きな差異のために、焼なましプロセスの間に数百
ＭＰａの著しい基板応力が発生する。この応力によって
非ドープ化二酸化珪素層中に結晶学的欠陥が生じ、この
欠陥によって接点での漏電や閾値以下での漏電が増進さ
れる。高密度パターン領域ならびに高充填密度メモリー
デバイスにおいては、このことがデバイスの欠陥の原因
となる。
非ドープ化二酸化珪素層との間の熱膨張係数とヤング率
との大きな差異のために、焼なましプロセスの間に数百
ＭＰａの著しい基板応力が発生する。この応力によって
非ドープ化二酸化珪素層中に結晶学的欠陥が生じ、この
欠陥によって接点での漏電や閾値以下での漏電が増進さ
れる。高密度パターン領域ならびに高充填密度メモリー
デバイスにおいては、このことがデバイスの欠陥の原因
となる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】発明の要旨したがって、
この発明は、焼なましプロセス中に生じる応力を減少
し、ならびに接点での漏電と閾値以下での漏電を減少さ
せるための浅いトレンチ分離構造を形成する方法を提供
している。
この発明は、焼なましプロセス中に生じる応力を減少
し、ならびに接点での漏電と閾値以下での漏電を減少さ
せるための浅いトレンチ分離構造を形成する方法を提供
している。
【０００７】これらの利点ならびにその他の利点を達成
するために、ならびにこの発明の目的に従って、本明細
書に具現化されかつ包括的に記載したように、この発明
は、浅いトレンチ分離構造を加工する方法を提供する。
この方法は以下の工程を含んでいる。パッド酸化物層と
窒化珪素層を順番に基板上に形成する。基板中にトレン
チを形成し、トレンチの側壁に線状の酸化物層を形成す
る。ドープ化二酸化珪素層が窒化珪素層上に形成され、
トレンチを充填する。焼なましプロセスがド−プ化二酸
化珪素層の密度を高めるために実施される。平面化工程
によって、ド−プ化二酸化珪素層の１部が除去されて、
窒化珪素層を露出する。
するために、ならびにこの発明の目的に従って、本明細
書に具現化されかつ包括的に記載したように、この発明
は、浅いトレンチ分離構造を加工する方法を提供する。
この方法は以下の工程を含んでいる。パッド酸化物層と
窒化珪素層を順番に基板上に形成する。基板中にトレン
チを形成し、トレンチの側壁に線状の酸化物層を形成す
る。ドープ化二酸化珪素層が窒化珪素層上に形成され、
トレンチを充填する。焼なましプロセスがド−プ化二酸
化珪素層の密度を高めるために実施される。平面化工程
によって、ド−プ化二酸化珪素層の１部が除去されて、
窒化珪素層を露出する。
【０００８】この発明においては、ゲルマニウム、窒素
または超硬合金でドープ化されたド−プ化二酸化珪素層
が浅いトレンチ分離構造を形成するために使用される。
ド−プ化二酸化珪素層の熱膨張係数とヤング率とは、ド
ーパント（添加物）によって影響される。したがって、
ド−プ化二酸化珪素層の熱膨張係数とヤング率とは、基
板と比較できるほどにド−プ化レベルを調節することに
よって調節される。その結果、焼なましプロセス中に発
生する応力が減少する。更に、接点での漏電と閾値以下
での漏電の両方とも減少し、焼なましプロセスをより低
い温度で行うことができる。加えて、ド−プ化二酸化珪
素層の弗化水素酸エッチング率が二酸化珪素層のそれと
は異なるので、キンク効果もまた除去することができ
る。
または超硬合金でドープ化されたド−プ化二酸化珪素層
が浅いトレンチ分離構造を形成するために使用される。
ド−プ化二酸化珪素層の熱膨張係数とヤング率とは、ド
ーパント（添加物）によって影響される。したがって、
ド−プ化二酸化珪素層の熱膨張係数とヤング率とは、基
板と比較できるほどにド−プ化レベルを調節することに
よって調節される。その結果、焼なましプロセス中に発
生する応力が減少する。更に、接点での漏電と閾値以下
での漏電の両方とも減少し、焼なましプロセスをより低
い温度で行うことができる。加えて、ド−プ化二酸化珪
素層の弗化水素酸エッチング率が二酸化珪素層のそれと
は異なるので、キンク効果もまた除去することができ
る。
【０００９】上記一般的な記載と以下の詳細な記載とは
両方とも例示であって、請求の範囲で請求されるような
発明の更なる説明を提供する意図であることを理解すべ
きである。
両方とも例示であって、請求の範囲で請求されるような
発明の更なる説明を提供する意図であることを理解すべ
きである。
【００１０】
【発明の実施の形態】好ましい具体例の記載添付図面に
例示されるこの発明の現在の好ましい具体例について詳
細に説明する。可能な全ての場合において、同一もしく
は類似部品を指称するために図面ならびに本明細書にお
いて同一の符号を使用する。
例示されるこの発明の現在の好ましい具体例について詳
細に説明する。可能な全ての場合において、同一もしく
は類似部品を指称するために図面ならびに本明細書にお
いて同一の符号を使用する。
【００１１】図１Ａないし図１Ｄは、浅いトレンチ分離
構造の加工方法における工程を図示するために使用され
る概略断面図である。
構造の加工方法における工程を図示するために使用され
る概略断面図である。
【００１２】図１Ａには、パッド酸化物層１０２と窒化
珪素層１０４とが基板１００上に順番に形成されてい
る。トレンチ１０６は基板１００中に形成される。パッ
ド酸化物層１０２は約１００〜２００オングストロ−ム
の厚みで、窒化珪素層１０４は約１０００〜２０００オ
ングストロ−ムの厚みである。トレンチ１０６を形成す
る工程は異方性エッチングを含む。
珪素層１０４とが基板１００上に順番に形成されてい
る。トレンチ１０６は基板１００中に形成される。パッ
ド酸化物層１０２は約１００〜２００オングストロ−ム
の厚みで、窒化珪素層１０４は約１０００〜２０００オ
ングストロ−ムの厚みである。トレンチ１０６を形成す
る工程は異方性エッチングを含む。
【００１３】図１Ｂに示すように、約１００〜５００オ
ングストロ−ムの厚みの線状酸化物層１０８がトレンチ
１０６の側壁に形成される。線状酸化物層１０８はパッ
ド酸化物層１０２と接する。線状酸化物層１０８を形成
する工程は熱酸化反応を含む。
ングストロ−ムの厚みの線状酸化物層１０８がトレンチ
１０６の側壁に形成される。線状酸化物層１０８はパッ
ド酸化物層１０２と接する。線状酸化物層１０８を形成
する工程は熱酸化反応を含む。
【００１４】図１Ｃに示すように、ド−プ化二酸化珪素
層１１０を窒化珪素層１０４上に形成し、トレンチ１０
６を充填する。該ド−プ化二酸化珪素層１１０中に添加
される物質は、ゲルマニウム、窒素、超硬合金から構成
される群から選択される。
層１１０を窒化珪素層１０４上に形成し、トレンチ１０
６を充填する。該ド−プ化二酸化珪素層１１０中に添加
される物質は、ゲルマニウム、窒素、超硬合金から構成
される群から選択される。
【００１５】ゲルマニウムドーパントを有するド−プ化
二酸化珪素層１１０を形成するのに使用されるいくつか
の方法がある。
二酸化珪素層１１０を形成するのに使用されるいくつか
の方法がある。
【００１６】１つの方法では、低圧化学蒸着（ＬＰＣＶ
Ｄ）プロセスもしくは高密度プラズマ化学蒸着（ＨＤＰ
ＣＶＤ）プロセスが、ド−プ化二酸化珪素層１１０を形
成するためのガス源として使用される、シラン（ＳｉＨ
4 ）と、ゲルマン（ＧｅＨ4）と、酸素との混合物を用
いて、約２５０〜６００℃の温度で行われる。ゲルマン
は酸素と反応して酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ2 ）を生成
するので、ド−プ化二酸化珪素層１１０は酸化ゲルマニ
ウムを含有する。
Ｄ）プロセスもしくは高密度プラズマ化学蒸着（ＨＤＰ
ＣＶＤ）プロセスが、ド−プ化二酸化珪素層１１０を形
成するためのガス源として使用される、シラン（ＳｉＨ
4 ）と、ゲルマン（ＧｅＨ4）と、酸素との混合物を用
いて、約２５０〜６００℃の温度で行われる。ゲルマン
は酸素と反応して酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ2 ）を生成
するので、ド−プ化二酸化珪素層１１０は酸化ゲルマニ
ウムを含有する。
【００１７】別の方法では、常圧以下の化学蒸着（ＳＡ
ＣＶＤ）プロセスもしくは常圧化学蒸着（ＡＰＣＶＤ）
プロセスが、ド−プ化二酸化珪素層１１０を形成するた
めのガス源として使用される、テトラエトシロキサン
（ＴＥＯＳ）と、テトラメトキシゲルマニウム（Ｇｅ
（ＯＣＨ3 ）4 ）との混合物を用いて、約２５０〜６０
０℃の温度で行われる。このプロセスにおいて、テトラ
メトキシゲルマニウムは酸化ゲルマニウムを形成する前
駆体である。このプロセスの間に、テトラメトキシゲル
マニウムは酸化ゲルマニウムに転換し、したがって、ド
−プ化二酸化珪素層１１０は酸化ゲルマニウムを含有す
る。
ＣＶＤ）プロセスもしくは常圧化学蒸着（ＡＰＣＶＤ）
プロセスが、ド−プ化二酸化珪素層１１０を形成するた
めのガス源として使用される、テトラエトシロキサン
（ＴＥＯＳ）と、テトラメトキシゲルマニウム（Ｇｅ
（ＯＣＨ3 ）4 ）との混合物を用いて、約２５０〜６０
０℃の温度で行われる。このプロセスにおいて、テトラ
メトキシゲルマニウムは酸化ゲルマニウムを形成する前
駆体である。このプロセスの間に、テトラメトキシゲル
マニウムは酸化ゲルマニウムに転換し、したがって、ド
−プ化二酸化珪素層１１０は酸化ゲルマニウムを含有す
る。
【００１８】窒素ド−プ化を行うために、ド−プ化二酸
化珪素層１１０を形成するための低圧化学蒸着プロセス
もしくは高密度プラズマ化学蒸着プロセスを実施してい
る間に、アンモニア、一酸化窒素（Ｎ2 Ｏ）又は窒素が
添加される。
化珪素層１１０を形成するための低圧化学蒸着プロセス
もしくは高密度プラズマ化学蒸着プロセスを実施してい
る間に、アンモニア、一酸化窒素（Ｎ2 Ｏ）又は窒素が
添加される。
【００１９】該ド−プ化二酸化珪素層１１０に添加され
る超硬合金としては、チタンのような金属がある。ド−
プ化二酸化珪素層１１０を形成するための化学蒸着プロ
セスを実施している間に、例えば、テトラエトキシチタ
ン（Ｔｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）が添加される。
る超硬合金としては、チタンのような金属がある。ド−
プ化二酸化珪素層１１０を形成するための化学蒸着プロ
セスを実施している間に、例えば、テトラエトキシチタ
ン（Ｔｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）が添加される。
【００２０】図１Ｄに示すように、ド−プ化二酸化珪素
層１１０（図３）は、焼なましプロセスを行うことで高
密度化される。焼なましプロセスは約８００〜９５０℃
の温度で行われる。ド−プ化二酸化珪素層１１０（図
３）の１部は、例えば、化学機械的研磨（ＣＭＰ）によ
って除去されて、窒化珪素層１０４を露出する。次い
で、該ド−プ化二酸化珪素層１１０ａがトレンチ１０６
中に形成される。湿式エッチングプロセスが、上記プロ
セスの間に形成される自生酸化物を除去するためのエッ
チング剤として使用される弗化水素酸を用いて行われ
る。
層１１０（図３）は、焼なましプロセスを行うことで高
密度化される。焼なましプロセスは約８００〜９５０℃
の温度で行われる。ド−プ化二酸化珪素層１１０（図
３）の１部は、例えば、化学機械的研磨（ＣＭＰ）によ
って除去されて、窒化珪素層１０４を露出する。次い
で、該ド−プ化二酸化珪素層１１０ａがトレンチ１０６
中に形成される。湿式エッチングプロセスが、上記プロ
セスの間に形成される自生酸化物を除去するためのエッ
チング剤として使用される弗化水素酸を用いて行われ
る。
【００２１】
【発明の効果】以上のことから、この発明の利点とし
て、下記のことが含まれる。 １．ド−プ化二酸化珪素層の熱膨張係数とヤング率と
は、ドーパントによって影響される。したがって、ド−
プ化二酸化珪素層の熱膨張係数とヤング率は、基板と比
較できるほどにド−ピングレベルを調整することによっ
て調節される。ド−ピングレベルを調整することによっ
て、焼なましプロセスの間に発生する応力が減少する。
更に、接点での漏電と閾値以下での漏電の両方が減少す
る。 ２．二酸化珪素のガラス転移温度もまたドーパントによ
って影響される。例えば、ド−プ化二酸化珪素のガラス
転移温度は、ド−プ化二酸化珪素中の酸化ゲルマニウム
のモル・パ−セントが約４であるときに、１１６０℃か
ら８００℃に低下する。このことから、焼なましプロセ
スはより低い温度で行って、ド−プ化二酸化珪素層を高
密度化することができる。焼なましプロセスをより低い
温度で行うことができるので、焼なましプロセス中に発
生する応力が減少し、化学機械的研磨の安定性が改善さ
れる。 ３．ドーパントの弗化水素酸エッチング率は二酸化珪素
のそれとは異なる。例えば、酸化ゲルマニウムの弗化水
素酸エッチング率は二酸化珪素より低い。その結果、ド
ーパントは、ド−プ化二酸化珪素層が浸漬プロセス中に
物質を喪失することを防止する。加えて、ド−プ化二酸
化珪素層が物質を喪失することが防止されることによっ
て、キンク効果もまた除去される。 ４．ド−プ化二酸化珪素層の工程適用範囲は、非ド−プ
化二酸化珪素層のそれよりもよいので、ド−プ化二酸化
珪素層はトレンチを充填するのが容易である。
て、下記のことが含まれる。 １．ド−プ化二酸化珪素層の熱膨張係数とヤング率と
は、ドーパントによって影響される。したがって、ド−
プ化二酸化珪素層の熱膨張係数とヤング率は、基板と比
較できるほどにド−ピングレベルを調整することによっ
て調節される。ド−ピングレベルを調整することによっ
て、焼なましプロセスの間に発生する応力が減少する。
更に、接点での漏電と閾値以下での漏電の両方が減少す
る。 ２．二酸化珪素のガラス転移温度もまたドーパントによ
って影響される。例えば、ド−プ化二酸化珪素のガラス
転移温度は、ド−プ化二酸化珪素中の酸化ゲルマニウム
のモル・パ−セントが約４であるときに、１１６０℃か
ら８００℃に低下する。このことから、焼なましプロセ
スはより低い温度で行って、ド−プ化二酸化珪素層を高
密度化することができる。焼なましプロセスをより低い
温度で行うことができるので、焼なましプロセス中に発
生する応力が減少し、化学機械的研磨の安定性が改善さ
れる。 ３．ドーパントの弗化水素酸エッチング率は二酸化珪素
のそれとは異なる。例えば、酸化ゲルマニウムの弗化水
素酸エッチング率は二酸化珪素より低い。その結果、ド
ーパントは、ド−プ化二酸化珪素層が浸漬プロセス中に
物質を喪失することを防止する。加えて、ド−プ化二酸
化珪素層が物質を喪失することが防止されることによっ
て、キンク効果もまた除去される。 ４．ド−プ化二酸化珪素層の工程適用範囲は、非ド−プ
化二酸化珪素層のそれよりもよいので、ド−プ化二酸化
珪素層はトレンチを充填するのが容易である。
【００２２】当該技術分野の当業者であれば、この発明
の範囲ならびに精神を逸脱することなしに、この発明の
構成に対して種々の改良ならびに変法を施すことができ
るのは明白である。上記に鑑み、下記の請求の範囲なら
びにその均等の範囲に含まれるものであれば、この発明
は発明の改良ならびに変法を包含することを意図してい
る。
の範囲ならびに精神を逸脱することなしに、この発明の
構成に対して種々の改良ならびに変法を施すことができ
るのは明白である。上記に鑑み、下記の請求の範囲なら
びにその均等の範囲に含まれるものであれば、この発明
は発明の改良ならびに変法を包含することを意図してい
る。
【図１】添付図面は、この発明の更なる理解を提供する
ために含まれていて、本明細書の１部に組み込まれてそ
の１部を構成する。図面は発明の具体例を例示し、説明
と一緒になって、発明の原理を説明する役目を果たす。
図中において、図１Ａないし図１Ｄは、浅いトレンチ分
離構造の加工方法における工程を図示するために使用さ
れる概略断面図である。
ために含まれていて、本明細書の１部に組み込まれてそ
の１部を構成する。図面は発明の具体例を例示し、説明
と一緒になって、発明の原理を説明する役目を果たす。
図中において、図１Ａないし図１Ｄは、浅いトレンチ分
離構造の加工方法における工程を図示するために使用さ
れる概略断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F032 AA35 AA44 AA45 AA77 DA03 DA04 DA23 DA33 DA53 DA74
Claims (20)
- 【請求項１】基板中にトレンチを形成する工程と、 該基板上にド−プ化二酸化珪素層を形成し、該トレンチ
を充填する工程と、 焼なましプロセスを行う工程と、 該ド−プ化二酸化珪素層の１部を除去する平面化工程を
行う工程と、 からなる浅いトレンチ分離構造の加工方法。 - 【請求項２】前記ド−プ化二酸化珪素層がゲルマニウム
との酸化物を含有する請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】ド−プ化二酸化珪素層を形成するためのガ
ス源として使用される、シランと、ゲルマンと、酸素と
の混合物を用いて、低圧化学蒸着プロセス又は高密度プ
ラズマ化学蒸着プロセスのいずれかが行われる請求項２
に記載の方法。 - 【請求項４】ド−プ化二酸化珪素層を形成する温度が約
２５０℃〜６００℃である請求項３に記載の方法。 - 【請求項５】ド−プ化二酸化珪素層を形成するガス源と
して使用される、テトラエトシロキサンと、テトラメト
キシゲルマニウムとの混合物を用いて、常圧以下の化学
蒸着プロセス又は常圧化学蒸着プロセスのいずれかが行
われる請求項２に記載の方法。 - 【請求項６】ド−プ化二酸化珪素層を形成する温度が約
２５０℃〜６００℃である請求項５に記載の方法。 - 【請求項７】ド−プ化二酸化珪素層が窒素との酸化物を
含む請求項１に記載の方法。 - 【請求項８】ド−プ化二酸化珪素層を形成するための、
アンモニアと、一酸化窒素と、窒素とからなる群から選
ばれたガス源を使用して、低圧化学蒸着プロセス又は高
密度プラズマ化学蒸着プロセスのいずれかが行われる請
求項７に記載の方法。 - 【請求項９】ド−プ化二酸化珪素層が超硬合金でド−プ
化されている請求項１に記載の方法。 - 【請求項１０】ド−プ化二酸化珪素層がチタンとの酸化
物を含む請求項１に記載の方法。 - 【請求項１１】ド−プ化二酸化珪素層を形成するため
に、テトラエトキシチタンを用いて、常圧以下の化学蒸
着プロセス又は常圧化学蒸着プロセスのいずれかが行わ
れる請求項１０に記載の方法。 - 【請求項１２】焼なましプロセスを約８００℃〜９５０
℃の温度で行う請求項１に記載の方法。 - 【請求項１３】平面化工程が化学機械的研磨を含む請求
項１に記載の方法。 - 【請求項１４】トレンチを有する基板を提供する工程
と、 該基板上にド−プ化二酸化珪素層を形成し、該トレンチ
に充填する工程であって、該ド−プ化二酸化珪素層中に
添加される物質が、ゲルマニウムと、窒素と、超硬合金
とからなる群から選択される前記工程と、 焼なましプロセスを行う工程と、 平面化工程を行う工程と、からなる浅いトレンチ分離構
造の加工方法。 - 【請求項１５】ド−プ化二酸化珪素層を形成するために
約２５０℃〜６００℃の温度で使用するガス源として、
シランと、ゲルマンと、酸素との混合物を用いて、低圧
化学蒸着プロセス又は高密度プラズマ化学蒸着プロセス
のいずれかが行われる請求項１４に記載の方法。 - 【請求項１６】ド−プ化二酸化珪素層を形成するために
約２５０℃〜６００℃の温度で使用するガス源として、
テトラエトシロキサンと、テトラメトキシゲルマニウム
との混合物を用いて、常圧以下の化学蒸着プロセス又は
常圧化学蒸着プロセスのいずれかが行われる請求項１４
に記載の方法。 - 【請求項１７】ド−プ化二酸化珪素層を形成するため
に、アンモニアと、一酸化窒素と、窒素とからなる群か
ら選ばれたガス源を使用して、低圧化学蒸着プロセス又
は高密度プラズマ化学蒸着プロセスのいずれかが行われ
る請求項１４に記載の方法。 - 【請求項１８】ド−プ化二酸化珪素層がチタンとの酸化
物を含む請求項１４に記載の方法。 - 【請求項１９】ド−プ化二酸化珪素層を形成するため
に、テトラエトキシチタンを用いて、常圧以下の化学蒸
着プロセス又は常圧化学蒸着プロセスのいずれかが行わ
れる請求項１８に記載の方法。 - 【請求項２０】焼なましプロセスを約８００℃〜９５０
℃の温度で行う請求項１４に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11127572A JP2000323561A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 浅いトレンチ分離構造の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11127572A JP2000323561A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 浅いトレンチ分離構造の加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323561A true JP2000323561A (ja) | 2000-11-24 |
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ID=14963374
Family Applications (1)
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| JP11127572A Pending JP2000323561A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 浅いトレンチ分離構造の加工方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000323561A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117683457A (zh) * | 2023-11-22 | 2024-03-12 | 华中科技大学 | 一种用于晶圆沟道填充的复合浆料、制备方法及应用 |
-
1999
- 1999-05-07 JP JP11127572A patent/JP2000323561A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117683457A (zh) * | 2023-11-22 | 2024-03-12 | 华中科技大学 | 一种用于晶圆沟道填充的复合浆料、制备方法及应用 |
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