JP2000323536A - 半導体ウェーハの検査装置 - Google Patents
半導体ウェーハの検査装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体製品の顧客への供給の短ＴＡＴ化を促進
すると共にその製造コストの更なる低減を可能にする。 【解決手段】半導体ウェーハに形成された半導体チップ
とプローブ針とを接触させて半導体チップの電気的特性
を測定するプローバ装置であって、上記半導体ウェーハ
が載置される導電体板とこの導電体板に取り付けられ断
熱材で構成された支持体とを有している。このような構
造により、半導体ウェーハの熱容量が低減するようにな
っている。そして、熱源が取り付けられ、この熱源で半
導体ウェーハが迅速に所定の温度に設定できるようにな
っている。
すると共にその製造コストの更なる低減を可能にする。 【解決手段】半導体ウェーハに形成された半導体チップ
とプローブ針とを接触させて半導体チップの電気的特性
を測定するプローバ装置であって、上記半導体ウェーハ
が載置される導電体板とこの導電体板に取り付けられ断
熱材で構成された支持体とを有している。このような構
造により、半導体ウェーハの熱容量が低減するようにな
っている。そして、熱源が取り付けられ、この熱源で半
導体ウェーハが迅速に所定の温度に設定できるようにな
っている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プローバ装置に関
し、特に半導体ウェーハのチップが迅速に所定の温度条
件で検査できる半導体ウェーハの検査装置に関する。
し、特に半導体ウェーハのチップが迅速に所定の温度条
件で検査できる半導体ウェーハの検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣを製造する場合、半導体ウェーハの
表面に多数の半導体集積回路チップが形成され、この半
導体集積回路チップが切断されてそれぞれモールド樹脂
等に実装される。このようにしてＩＣ製品が得られる。
そして、このように形成されたＩＣはＩＣテスタによっ
て検査および選別され、諸特性を満足する良品ＩＣが製
品として顧客に引き渡される。ここで、半導体集積回路
の不良品は、製造工程の早期の段階で発見し排除するこ
とが製造コストの低減から望まれている。
表面に多数の半導体集積回路チップが形成され、この半
導体集積回路チップが切断されてそれぞれモールド樹脂
等に実装される。このようにしてＩＣ製品が得られる。
そして、このように形成されたＩＣはＩＣテスタによっ
て検査および選別され、諸特性を満足する良品ＩＣが製
品として顧客に引き渡される。ここで、半導体集積回路
の不良品は、製造工程の早期の段階で発見し排除するこ
とが製造コストの低減から望まれている。
【０００３】また、近年、特定用途の半導体集積回路の
需要が増大し、多品種少量生産のＩＣの製造が重要にな
っている。この多品種少量製品の顧客対応では、製品の
顧客への供給において短ＴＡＴ（Ｔｕｒｎ Ａｒｏｕｎ
ｄ Ｔｉｍｅ）化が特に重要となる。
需要が増大し、多品種少量生産のＩＣの製造が重要にな
っている。この多品種少量製品の顧客対応では、製品の
顧客への供給において短ＴＡＴ（Ｔｕｒｎ Ａｒｏｕｎ
ｄ Ｔｉｍｅ）化が特に重要となる。
【０００４】そこで、ＩＣ製造工程の途中である半導体
ウェーハの段階で集積回路の電気的特性を検査すること
が要求されている。この場合には、集積回路の雰囲気温
度を変化させることが必要になる。従来のこのような検
査装置として例えば特開昭６２−６３４３９号公報に記
載されている温度可変のプロ−バ装置がある。
ウェーハの段階で集積回路の電気的特性を検査すること
が要求されている。この場合には、集積回路の雰囲気温
度を変化させることが必要になる。従来のこのような検
査装置として例えば特開昭６２−６３４３９号公報に記
載されている温度可変のプロ−バ装置がある。
【０００５】図４は、上記公開公報に記載されているプ
ローバ装置の概略断面図である。ここで、説明を判りや
すくするために、プローバ装置のうち半導体ウェーハが
載置されるテーブル領域が示されている。
ローバ装置の概略断面図である。ここで、説明を判りや
すくするために、プローバ装置のうち半導体ウェーハが
載置されるテーブル領域が示されている。
【０００６】テーブル部１０１のステージ１０２の上部
がくり抜かれ、その上面に真空吸着ヘッド１０３が取り
付けられている。そして、半導体ウェーハ１０４は真空
ホース１０５を通して真空吸着ヘッド１０３上に載置さ
れ固定される。
がくり抜かれ、その上面に真空吸着ヘッド１０３が取り
付けられている。そして、半導体ウェーハ１０４は真空
ホース１０５を通して真空吸着ヘッド１０３上に載置さ
れ固定される。
【０００７】そして、フード１０６、プローブ針１０７
を有するプローブカード１０８で、半導体ウェーハ１０
４の上部空間が密閉され密閉空間１０９が形成される。
ここで、図示しないが、プローブカード１０８にはプロ
ーブ針１０７の取り付けられた領域内にのぞき窓が形成
され、プローブ針１０７の先端位置が判るようになって
いる。
を有するプローブカード１０８で、半導体ウェーハ１０
４の上部空間が密閉され密閉空間１０９が形成される。
ここで、図示しないが、プローブカード１０８にはプロ
ーブ針１０７の取り付けられた領域内にのぞき窓が形成
され、プローブ針１０７の先端位置が判るようになって
いる。
【０００８】そして、上記密閉空間１０９とつながる送
気ホース１１０および排気ホース１１１が取り付けられ
ている。この送気ホース１１０および排気ホース１１１
を通して、温度制御された空気（例えば−５５℃〜＋１
３０℃の範囲内で任意の温度に冷やされ若しくは熱せら
れた空気）が、密閉空間１０９に送給、循環されるよう
になっている。この温度制御された空気でもって、密閉
空間１０９内の半導体ウェーハ１０４表面の温度が制御
される。
気ホース１１０および排気ホース１１１が取り付けられ
ている。この送気ホース１１０および排気ホース１１１
を通して、温度制御された空気（例えば−５５℃〜＋１
３０℃の範囲内で任意の温度に冷やされ若しくは熱せら
れた空気）が、密閉空間１０９に送給、循環されるよう
になっている。この温度制御された空気でもって、密閉
空間１０９内の半導体ウェーハ１０４表面の温度が制御
される。
【０００９】このようにして、半導体ウェーハの雰囲気
温度を変えた場合の集積回路の電気的特性が計測され
る。そして、製品の選別が行われる。
温度を変えた場合の集積回路の電気的特性が計測され
る。そして、製品の選別が行われる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】以上に説明した従来の
技術では、半導体ウェーハ１０４がテーブル部１０１に
載置される。しかし、このようなテーブル部１０１の熱
容量は非常に大きくなっている。このために、所定の半
導体ウェーハの電気的特性を温度を変えて測定しようと
すると、その評価時間が長くなってしまう。
技術では、半導体ウェーハ１０４がテーブル部１０１に
載置される。しかし、このようなテーブル部１０１の熱
容量は非常に大きくなっている。このために、所定の半
導体ウェーハの電気的特性を温度を変えて測定しようと
すると、その評価時間が長くなってしまう。
【００１１】これは、例えば室温での電気的特性を計測
した後、熱風を吹き付けて半導体ウェーハ温度を７５℃
にしようとすると、上記のように熱容量が大きいために
７５℃に安定化するまでに多くの時間が必要になるから
である。また、高温から低温に温度制御する場合も、同
様に安定化するまでに多くの時間が必要になる。
した後、熱風を吹き付けて半導体ウェーハ温度を７５℃
にしようとすると、上記のように熱容量が大きいために
７５℃に安定化するまでに多くの時間が必要になるから
である。また、高温から低温に温度制御する場合も、同
様に安定化するまでに多くの時間が必要になる。
【００１２】このような評価時間の増加は、上記多品種
少量製品の供給ＴＡＴの短縮を不可能にし、このような
製品の顧客対応において致命的となる。
少量製品の供給ＴＡＴの短縮を不可能にし、このような
製品の顧客対応において致命的となる。
【００１３】本発明の目的は、上記のような問題を解決
し、半導体装置製品の短ＴＡＴを容易にすると共にその
製造コストの更なる低減を可能にする、半導体ウェーハ
の検査装置を提供することにある。
し、半導体装置製品の短ＴＡＴを容易にすると共にその
製造コストの更なる低減を可能にする、半導体ウェーハ
の検査装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】このために、本発明の半
導体ウェーハの検査装置は、半導体ウェーハに形成され
た半導体チップとプローブ針とを接触させて前記半導体
チップの電気的特性を測定するプローバ装置であって、
前記半導体ウェーハが載置される導電体板と前記導電体
板に取り付けられ断熱材で構成された支持体とを有して
いる。そして、前記プローブ針の上部に位置する領域に
第１の熱源が前記プローバ装置の本体に固定して取り付
けられ、前記プローブ針の下部であって前記導電体板の
下部に位置する領域に第２の熱源が前記プローバ装置の
本体に固定して取り付けられている。
導体ウェーハの検査装置は、半導体ウェーハに形成され
た半導体チップとプローブ針とを接触させて前記半導体
チップの電気的特性を測定するプローバ装置であって、
前記半導体ウェーハが載置される導電体板と前記導電体
板に取り付けられ断熱材で構成された支持体とを有して
いる。そして、前記プローブ針の上部に位置する領域に
第１の熱源が前記プローバ装置の本体に固定して取り付
けられ、前記プローブ針の下部であって前記導電体板の
下部に位置する領域に第２の熱源が前記プローバ装置の
本体に固定して取り付けられている。
【００１５】ここで、前記第１の熱源あるいは第２の熱
源から所定の温度に制御されたガス照射が前記半導体ウ
ェーハあるいは導電体板になされて、前記半導体ウェー
ハが所定の温度に設定される。更には、前記第２の熱源
から照射されるガス温度は前記第１の熱源から照射され
るガス温度より高くなるように設定される。この照射ガ
スは空気あるいは窒素ガスである。
源から所定の温度に制御されたガス照射が前記半導体ウ
ェーハあるいは導電体板になされて、前記半導体ウェー
ハが所定の温度に設定される。更には、前記第２の熱源
から照射されるガス温度は前記第１の熱源から照射され
るガス温度より高くなるように設定される。この照射ガ
スは空気あるいは窒素ガスである。
【００１６】また、本発明の半導体ウェーハの検査装置
は、半導体ウェーハに形成された半導体チップとプロー
ブ針とを接触させて前記半導体チップの電気的特性を測
定するプローバ装置であって、前記半導体ウェーハが載
置される導電体板と前記導電体板に取り付けられ断熱材
で構成された支持体とを有しており、更に、それぞれ所
定の温度に固定された複数のステージが熱源として取り
付けられ前記ステージが可動構造になっている。
は、半導体ウェーハに形成された半導体チップとプロー
ブ針とを接触させて前記半導体チップの電気的特性を測
定するプローバ装置であって、前記半導体ウェーハが載
置される導電体板と前記導電体板に取り付けられ断熱材
で構成された支持体とを有しており、更に、それぞれ所
定の温度に固定された複数のステージが熱源として取り
付けられ前記ステージが可動構造になっている。
【００１７】ここで、前記複数のステージのうち所定の
ステージが選択され前記導電体板に接続され、前記半導
体ウェーハが所定の温度に設定できる構造になってい
る。
ステージが選択され前記導電体板に接続され、前記半導
体ウェーハが所定の温度に設定できる構造になってい
る。
【００１８】本発明では、半導体ウェーハの載置される
導電体板が断熱材で構成された支持体に取りつけられて
いる。このために、半導体ウェーハを所定の熱源でもっ
て所定の温度に設定する場合に、その熱容量が非常に低
くなり温度制御が非常に迅速に行えるようになる。そし
て、異なる温度での半導体チップの電気的特性の評価時
間が従来の技術に比べて大幅に削減されるようになる。
導電体板が断熱材で構成された支持体に取りつけられて
いる。このために、半導体ウェーハを所定の熱源でもっ
て所定の温度に設定する場合に、その熱容量が非常に低
くなり温度制御が非常に迅速に行えるようになる。そし
て、異なる温度での半導体チップの電気的特性の評価時
間が従来の技術に比べて大幅に削減されるようになる。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の第１の実施の形態
を図１に基づいて説明する。図１は、本発明の半導体ウ
ェーハの検査装置の概略断面図である。この場合も、説
明を判りやすくするために、検査装置のうち半導体ウェ
ーハが載置される領域が模式的に示されている。
を図１に基づいて説明する。図１は、本発明の半導体ウ
ェーハの検査装置の概略断面図である。この場合も、説
明を判りやすくするために、検査装置のうち半導体ウェ
ーハが載置される領域が模式的に示されている。
【００２０】図１に示すように、１枚の円形の導電体板
１に支持体２が取り付けられている。ここで、導電体板
１は、肉厚５ｍｍ程度のステンレスで構成され、支持体
２は断熱材で構成されている。ここで、断熱材としてベ
ークライトあるいはテフロン等が用いられる。そして、
この導電体板１には図に示すように多数の溝が形成され
ている。また、この支持体２は図面上で左右に可動する
ようになっている。
１に支持体２が取り付けられている。ここで、導電体板
１は、肉厚５ｍｍ程度のステンレスで構成され、支持体
２は断熱材で構成されている。ここで、断熱材としてベ
ークライトあるいはテフロン等が用いられる。そして、
この導電体板１には図に示すように多数の溝が形成され
ている。また、この支持体２は図面上で左右に可動する
ようになっている。
【００２１】この導電体板１表面に静電吸着により半導
体ウェーハ３が固定できるようになっている。そして、
図示していないが検査装置の本体に固定されるようにし
てプローブカードがこの半導体ウェーハ３上に取り付け
られ、プローブ針４が半導体ウェーハ３表面に接触する
ようになっている。
体ウェーハ３が固定できるようになっている。そして、
図示していないが検査装置の本体に固定されるようにし
てプローブカードがこの半導体ウェーハ３上に取り付け
られ、プローブ針４が半導体ウェーハ３表面に接触する
ようになっている。
【００２２】そして、図１に示すように、導電体板１の
上部に位置する所に第１の熱源である冷風発生部５が取
り付けられ、この冷風発生部５から冷風６が半導体ウェ
ーハ３および導電体板１に吹き付けられるようになって
いる。また、導電体板１の下部に位置する所に第２の熱
源である熱風発生部７が取り付けられ、この熱風発生部
７から熱風８が導電体板１に吹き付けられるようになっ
ている。これらの冷風発生部５および熱風発生部７は、
プローブカードと同様に検査装置の本体に固定して取り
付けられている。
上部に位置する所に第１の熱源である冷風発生部５が取
り付けられ、この冷風発生部５から冷風６が半導体ウェ
ーハ３および導電体板１に吹き付けられるようになって
いる。また、導電体板１の下部に位置する所に第２の熱
源である熱風発生部７が取り付けられ、この熱風発生部
７から熱風８が導電体板１に吹き付けられるようになっ
ている。これらの冷風発生部５および熱風発生部７は、
プローブカードと同様に検査装置の本体に固定して取り
付けられている。
【００２３】このようにして、この温度（例えば２５℃
と７５℃の温度）制御された空気あるいは窒素ガスでも
って、半導体ウェーハ３表面の温度が制御される。そし
て、半導体ウェーハの雰囲気温度を変えた場合の集積回
路の電気的特性が計測される。あるいは、製品の選別が
行われる。
と７５℃の温度）制御された空気あるいは窒素ガスでも
って、半導体ウェーハ３表面の温度が制御される。そし
て、半導体ウェーハの雰囲気温度を変えた場合の集積回
路の電気的特性が計測される。あるいは、製品の選別が
行われる。
【００２４】本発明の場合、上述したように導電体板１
は断熱性の支持体２で支えられている。このために、半
導体ウェーハ３の載置され固定されている領域の熱容量
が大幅に低減する。そして、短時間で所定の検査温度に
到達するようになり、半導体ウェーハにある集積回路の
電気的特性の評価時間が短縮される。
は断熱性の支持体２で支えられている。このために、半
導体ウェーハ３の載置され固定されている領域の熱容量
が大幅に低減する。そして、短時間で所定の検査温度に
到達するようになり、半導体ウェーハにある集積回路の
電気的特性の評価時間が短縮される。
【００２５】また、本発明では、冷風６が半導体ウェー
ハ３の上部から照射され、熱風８は半導体ウェーハ３の
下部から照射される構造になっている。そして、空気中
では、自然現象として、冷風は上部から下部に、逆に、
熱風は下部から上部に流れるようになる。このような構
造のために、半導体ウェーハは効率よく所定の温度に短
時間で安定化されるようになる。
ハ３の上部から照射され、熱風８は半導体ウェーハ３の
下部から照射される構造になっている。そして、空気中
では、自然現象として、冷風は上部から下部に、逆に、
熱風は下部から上部に流れるようになる。このような構
造のために、半導体ウェーハは効率よく所定の温度に短
時間で安定化されるようになる。
【００２６】次に、この検査装置で半導体ウェーハの電
気的特性を計測する検査方法の１例を説明する。はじめ
に、可動する支持体２が例えば図面上で右側に移動し、
１ロット分の半導体ウェーハがあるカセット部で１枚の
半導体ウェーハ３が導電体板１上に載置される。そし
て、静電吸着でもって固定される。
気的特性を計測する検査方法の１例を説明する。はじめ
に、可動する支持体２が例えば図面上で右側に移動し、
１ロット分の半導体ウェーハがあるカセット部で１枚の
半導体ウェーハ３が導電体板１上に載置される。そし
て、静電吸着でもって固定される。
【００２７】次に、この支持体２がプローブカード、冷
風発生部５および熱風発生部７のある領域に移動し、プ
ローブ針４が所定の半導体チップに合わせて接続され
る。そして、冷風発生部５が稼働し冷風６の照射によ
り、半導体ウェーハ３が例えば２５℃になるように制御
される。そして、上記半導体チップの電気的特性が計測
される。これらのデータはコンピュータに格納される。
風発生部５および熱風発生部７のある領域に移動し、プ
ローブ針４が所定の半導体チップに合わせて接続され
る。そして、冷風発生部５が稼働し冷風６の照射によ
り、半導体ウェーハ３が例えば２５℃になるように制御
される。そして、上記半導体チップの電気的特性が計測
される。これらのデータはコンピュータに格納される。
【００２８】この低温での計測の後、冷風発生部５の稼
働が停止され、今度は熱風発生部７が稼働し熱風８の照
射により、半導体ウェーハ３が例えば７５℃になるよう
に制御される。そして、同じ半導体チップの電気的特性
が計測され、そのデータはコンピュータに格納される。
働が停止され、今度は熱風発生部７が稼働し熱風８の照
射により、半導体ウェーハ３が例えば７５℃になるよう
に制御される。そして、同じ半導体チップの電気的特性
が計測され、そのデータはコンピュータに格納される。
【００２９】この繰り返しで、上記１ロット分の半導体
ウェーハにおいて半導体チップの電気的特性の測定およ
びその選別が行われる。このようにして、例えば、多品
種少量製品の顧客対応が短ＴＡＴ化されると共に、製品
の製造コストが低減するようになる。
ウェーハにおいて半導体チップの電気的特性の測定およ
びその選別が行われる。このようにして、例えば、多品
種少量製品の顧客対応が短ＴＡＴ化されると共に、製品
の製造コストが低減するようになる。
【００３０】次に、本発明の第２の実施の形態として、
図２と図３に基づいて説明する。この実施の形態は、検
査温度が２種類以上になる場合についてのものである。
図２と図３は、本発明の半導体ウェーハの検査装置の概
略断面図となっている。この場合も、説明を判りやすく
するために、検査装置のうち半導体ウェーハが載置され
る領域が模式的に示されている。
図２と図３に基づいて説明する。この実施の形態は、検
査温度が２種類以上になる場合についてのものである。
図２と図３は、本発明の半導体ウェーハの検査装置の概
略断面図となっている。この場合も、説明を判りやすく
するために、検査装置のうち半導体ウェーハが載置され
る領域が模式的に示されている。
【００３１】図２に示すように、第１の実施の形態で説
明したのと同様に、１枚の円形の導電体板１１に支持体
１２が取り付けられている。ここで、導電体板１１は、
肉厚５ｍｍ程度の銅板で形成され、支持体１２は断熱材
で構成されている。この導電体板１１表面に静電吸着に
より半導体ウェーハ１３が固定されるようになってい
る。そして、図示していないが検査装置の本体に固定さ
れるようにしてプローブカードがこの半導体ウェーハ３
上に取り付けられ、プローブ針４が半導体ウェーハ３表
面に接触するようになっている。
明したのと同様に、１枚の円形の導電体板１１に支持体
１２が取り付けられている。ここで、導電体板１１は、
肉厚５ｍｍ程度の銅板で形成され、支持体１２は断熱材
で構成されている。この導電体板１１表面に静電吸着に
より半導体ウェーハ１３が固定されるようになってい
る。そして、図示していないが検査装置の本体に固定さ
れるようにしてプローブカードがこの半導体ウェーハ３
上に取り付けられ、プローブ針４が半導体ウェーハ３表
面に接触するようになっている。
【００３２】そして、所定の温度に設定されたステージ
１５は、図面上左右および上下に可動構造になってい
る。ここで、ステージ１５はシャフト１６でもって上下
に移動する。この場合の検査装置では、このようなステ
ージ１５が複数個取り付けられている。すなわち、複数
のステージはマルチヘッド構造になっている。そして、
これらステージは全て可動するようになっている。ま
た、この複数のステージの設定温度はそれぞれ異なるも
のとなっている。
１５は、図面上左右および上下に可動構造になってい
る。ここで、ステージ１５はシャフト１６でもって上下
に移動する。この場合の検査装置では、このようなステ
ージ１５が複数個取り付けられている。すなわち、複数
のステージはマルチヘッド構造になっている。そして、
これらステージは全て可動するようになっている。ま
た、この複数のステージの設定温度はそれぞれ異なるも
のとなっている。
【００３３】次に、所定の温度に設定されたステージ１
５が選択され、導電体板１１の下部に移設される。そし
て、図３に示すように、ステージ１５と導電体板１１と
が接続されて、半導体ウェーハ１３が上記所定の温度に
なるように安定化される。この安定化後、第１の実施の
形態で説明したように、半導体ウェーハ上の半導体チッ
プの電気的特性が計測される。
５が選択され、導電体板１１の下部に移設される。そし
て、図３に示すように、ステージ１５と導電体板１１と
が接続されて、半導体ウェーハ１３が上記所定の温度に
なるように安定化される。この安定化後、第１の実施の
形態で説明したように、半導体ウェーハ上の半導体チッ
プの電気的特性が計測される。
【００３４】第２の実施の形態では、所定の温度に固定
されたステージが可動構造になっている。このために、
第１の実施の形態とは異なり、３種類あるいは４種類等
と多種類の設定温度での集積回路の電気的特性が評価で
きるようになる。なお、第１の実施の形態で説明した効
果は、この第２の実施の形態でも同様に生じるものであ
る。
されたステージが可動構造になっている。このために、
第１の実施の形態とは異なり、３種類あるいは４種類等
と多種類の設定温度での集積回路の電気的特性が評価で
きるようになる。なお、第１の実施の形態で説明した効
果は、この第２の実施の形態でも同様に生じるものであ
る。
【００３５】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の半導体
ウェーハの検査装置は、半導体ウェーハに形成された半
導体チップとプローブ針とを接触させて半導体チップの
電気的特性を測定するプローバ装置であって、上記半導
体ウェーハが載置される導電体板とこの導電体板に取り
付けられ断熱材で構成された支持体とを有している。そ
して、上記プローブ針の上部に位置する領域に第１の熱
源がプローバ装置の本体に固定するように取り付けら
れ、上記プローブ針の下部であって上記導電体板の下部
に位置する領域に第２の熱源がプローバ装置の本体に固
定するように取り付けられている。そして、第１の熱源
あるいは第２の熱源から所定の温度に制御されたガス照
射が半導体ウェーハあるいは導電体板になされて、半導
体ウェーハが所定の温度に設定される。
ウェーハの検査装置は、半導体ウェーハに形成された半
導体チップとプローブ針とを接触させて半導体チップの
電気的特性を測定するプローバ装置であって、上記半導
体ウェーハが載置される導電体板とこの導電体板に取り
付けられ断熱材で構成された支持体とを有している。そ
して、上記プローブ針の上部に位置する領域に第１の熱
源がプローバ装置の本体に固定するように取り付けら
れ、上記プローブ針の下部であって上記導電体板の下部
に位置する領域に第２の熱源がプローバ装置の本体に固
定するように取り付けられている。そして、第１の熱源
あるいは第２の熱源から所定の温度に制御されたガス照
射が半導体ウェーハあるいは導電体板になされて、半導
体ウェーハが所定の温度に設定される。
【００３６】あるいは、本発明の半導体ウェーハの検査
装置では、それぞれ所定の温度に固定された複数のステ
ージが熱源として取り付けられ上記ステージが可動する
ようになっている。そして、上記複数のステージのうち
１つのステージが選択され導電体板に接続されて半導体
ウェーハが所定の温度に設定され、半導体チップの電気
的特性が計測できるようになっている。
装置では、それぞれ所定の温度に固定された複数のステ
ージが熱源として取り付けられ上記ステージが可動する
ようになっている。そして、上記複数のステージのうち
１つのステージが選択され導電体板に接続されて半導体
ウェーハが所定の温度に設定され、半導体チップの電気
的特性が計測できるようになっている。
【００３７】このために、半導体ウェーハの載置され固
定されている領域の熱容量が大幅に低減する。そして、
短時間で所定の検査温度に到達するようになり、半導体
ウェーハにある集積回路の電気的特性の評価時間が短縮
されるようになる。
定されている領域の熱容量が大幅に低減する。そして、
短時間で所定の検査温度に到達するようになり、半導体
ウェーハにある集積回路の電気的特性の評価時間が短縮
されるようになる。
【００３８】そして、例えば、多品種少量製品の顧客へ
の供給が短ＴＡＴ化されると共に、製品の製造コストが
低減するようになる。
の供給が短ＴＡＴ化されると共に、製品の製造コストが
低減するようになる。
【００３９】さらには、本発明は、微細化されたり高密
度化される半導体装置の電気的解析評価の迅速化に非常
に有効となり、高性能の半導体装置の実現を促進するよ
うになる。
度化される半導体装置の電気的解析評価の迅速化に非常
に有効となり、高性能の半導体装置の実現を促進するよ
うになる。
【図１】本発明の第１の実施の形態を説明するためのウ
ェーハ検査装置の略断面図である。
ェーハ検査装置の略断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態を説明するためのウ
ェーハ検査装置の略断面図である。
ェーハ検査装置の略断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態を説明するためのウ
ェーハ検査装置の略断面図である。
ェーハ検査装置の略断面図である。
【図４】従来の技術を説明するためのウェーハ検査装置
の略断面図である。
の略断面図である。
１，１１ 導電体板 ２，１２ 支持体 ３，１３，１０４ 半導体ウェーハ ４，１４，１０７ プローブ針 ５ 冷風発生部 ６ 冷風 ７ 熱風発生部 ８ 熱風 １５，１０２ ステージ １６ シャフト １０１ テーブル部 １０３ 真空吸着ヘッド １０５ 真空ホース １０６ フード １０８ プローブカード １０９ 密閉空間 １１０ 送気ホース １１１ 排気ホース
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体ウェーハに形成された半導体チッ
プとプローブ針とを接触させて前記半導体チップの電気
的特性を測定するプローバ装置であって、前記半導体ウ
ェーハが載置される導電体板と前記導電体板に取り付け
られ断熱材で構成された支持体とを有し、前記プローブ
針の上部に位置する領域に第１の熱源が前記プローバ装
置の本体に固定して取り付けられ、前記プローブ針の下
部であって前記導電体板の下部に位置する領域に第２の
熱源が前記プローバ装置の本体に固定して取り付けられ
ていることを特徴とする半導体ウェーハの検査装置。 - 【請求項２】 前記第１の熱源あるいは第２の熱源から
所定の温度に制御されたガス照射が前記半導体ウェーハ
あるいは導電体板になされて、前記半導体ウェーハが所
定の温度に設定されることを特徴とする請求項１記載の
半導体ウェーハの検査装置。 - 【請求項３】 前記第２の熱源から照射されるガス温度
が前記第１の熱源から照射されるガス温度より高くなる
ことを特徴とする請求項２記載の半導体ウェーハの検査
装置。 - 【請求項４】 前記照射ガスが空気あるいは窒素ガスで
あることを特徴とする請求項２または請求項３記載の半
導体ウェーハの検査装置。 - 【請求項５】 半導体ウェーハに形成された半導体チッ
プとプローブ針とを接触させて前記半導体チップの電気
的特性を測定するプローバ装置であって、前記半導体ウ
ェーハが載置される導電体板と前記導電体板に取り付け
られ断熱材で構成された支持体とを有し、それぞれ所定
の温度に設定された複数のステージが熱源として取り付
けられ前記ステージが可動構造になっていることを特徴
とする半導体ウェーハの検査装置。 - 【請求項６】 前記複数のステージのうち所定のステー
ジが選択され前記導電体板に接続され、前記半導体ウェ
ーハが所定の温度に設定できる構造になっていることを
特徴とする請求項５記載の半導体ウェーハの検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11133278A JP2000323536A (ja) | 1999-05-13 | 1999-05-13 | 半導体ウェーハの検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11133278A JP2000323536A (ja) | 1999-05-13 | 1999-05-13 | 半導体ウェーハの検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323536A true JP2000323536A (ja) | 2000-11-24 |
Family
ID=15100908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11133278A Pending JP2000323536A (ja) | 1999-05-13 | 1999-05-13 | 半導体ウェーハの検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000323536A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112015000714B4 (de) * | 2014-12-16 | 2017-05-11 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Halbleiterwaferinspektionsvorrichtung und Halbleiterwafer-Inspektionsverfahren |
| JP2018066578A (ja) * | 2016-10-17 | 2018-04-26 | 三菱電機株式会社 | 評価装置および半導体チップの評価方法 |
| JP2020088204A (ja) * | 2018-11-27 | 2020-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置、温度制御装置及び温度制御方法 |
-
1999
- 1999-05-13 JP JP11133278A patent/JP2000323536A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112015000714B4 (de) * | 2014-12-16 | 2017-05-11 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Halbleiterwaferinspektionsvorrichtung und Halbleiterwafer-Inspektionsverfahren |
| US9869715B2 (en) | 2014-12-16 | 2018-01-16 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Semiconductor wafer inspection apparatus and semiconductor wafer inspection method |
| JP2018066578A (ja) * | 2016-10-17 | 2018-04-26 | 三菱電機株式会社 | 評価装置および半導体チップの評価方法 |
| JP2020088204A (ja) * | 2018-11-27 | 2020-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置、温度制御装置及び温度制御方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020305 |