JP2000323455A - Ashing apparatus - Google Patents
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はオゾン系アッシング
方法および装置に係り、特にアッシング処理を均一化す
る方法および装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ozone-based ashing method and apparatus, and more particularly, to a method and apparatus for uniformizing an ashing process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】超ＬＳＩ製造技術における微細パターン
の形成もしくは微細領域へのイオン注入は、一般に露光
および現像によって形成した有機高分子のレジストをマ
スクに用い、半導体ウェハ上の下地膜もしくは半導体ウ
ェハに対して上記の加工を行うことでなされる。マスク
として用いられたレジストは、エッチングやイオン注入
等の加工を経た後、完全に除去される必要がある。この
様なレジストマスクを除去する装置にアッシング装置が
ある。2. Description of the Related Art In the formation of a fine pattern or ion implantation into a fine region in a VLSI manufacturing technique, an organic polymer resist formed by exposure and development is generally used as a mask, and an underlying film or a semiconductor wafer is formed on a semiconductor wafer. On the other hand, the above processing is performed. The resist used as a mask needs to be completely removed after processing such as etching and ion implantation. There is an ashing apparatus as an apparatus for removing such a resist mask.
【０００３】アッシング装置の内、オゾンアッシング装
置あるいはＵＶオゾンアッシング装置のようなオゾン系
アッシング装置は、原料ガスであるオゾンの熱分解ある
いは２５４nmの紫外線吸収によって酸素ラジカルを生成
させ、この酸素ラジカルとレジストとの反応で、レジス
トを揮発除去する装置であり、一般に大気圧下で上記処
理がなされる。[0003] Among the ashing apparatuses, an ozone-based ashing apparatus such as an ozone ashing apparatus or a UV ozone ashing apparatus generates oxygen radicals by thermal decomposition of ozone as a raw material gas or absorption of ultraviolet rays of 254 nm, and the oxygen radicals and resist are formed. Is a device for volatilizing and removing the resist by the reaction with the above. Generally, the above treatment is performed under the atmospheric pressure.
【０００４】ここで、上記酸素ラジカルの寿命は、大気
圧下での反応であるため数nsecと非常に短い。従って十
分なアッシング速度を得るために、図１に示すガス導入
プレート１とウェハを設置するステージとの間隙（以
下、ギャップと略す）を数mmと狭くし、プロセスガス２
の流速を高め、生成した酸素ラジカルをすみやかにレジ
スト表面に供給している。さらに、ステージを回転する
ことで処理の面内均一性を高めている。[0004] Here, the lifetime of the oxygen radical is very short, several nsec, because it is a reaction under atmospheric pressure. Therefore, in order to obtain a sufficient ashing speed, the gap between the gas introduction plate 1 shown in FIG.
And the generated oxygen radicals are immediately supplied to the resist surface. Further, by rotating the stage, the in-plane uniformity of the processing is improved.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】オゾン系アッシング装
置で均一性を向上するには、ステージの回転が有効であ
る。しかし、ステージの回転を止めた時のウェハ面内の
アッシング速度分布は、ガス流れの影響が非常に大き
い。The rotation of the stage is effective for improving the uniformity of the ozone-based ashing apparatus. However, the ashing speed distribution in the wafer surface when the rotation of the stage is stopped is greatly affected by the gas flow.
【０００６】本発明の目的は、ステージを回転しなくと
もガス流れの影響がない、均一な処理ができるアッシン
グ処理方法および装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide an ashing processing method and apparatus capable of performing uniform processing without being affected by gas flow without rotating the stage.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の方法は、オゾン
系アッシング装置においてプロセスガスの流れの影響を
なくすため、密閉された処理室にプロセスガスを供給
し、処理室内を一定圧力にし、一定時間後に排気を行
う、この一連のガス供給・定圧保持・排気を繰り返し行
なうことを特徴とする。According to the method of the present invention, in order to eliminate the influence of the flow of a process gas in an ozone-based ashing apparatus, a process gas is supplied to a closed processing chamber, the processing chamber is kept at a constant pressure, and a constant pressure is applied to the processing chamber. It is characterized in that the series of gas supply, constant pressure holding, and exhaust are repeatedly performed after the elapse of time.
【０００８】また、本発明のアッシング装置は、プロセ
スガスの処理室への供給手段と処理室を介さず排気する
手段を有し、かつ処理室内のプロセスガスの排気を止め
る手段を有することを特徴とする。また、上記装置にお
いて、プロセスガスの供給が、処理室および排気への選
択が任意に制御可能であり、かつプロセスガスの排気の
有無が任意に制御可能であることを特徴とする。Further, the ashing apparatus of the present invention has a means for supplying a process gas to the processing chamber, a means for exhausting the gas without passing through the processing chamber, and a means for stopping the exhaust of the process gas in the processing chamber. And Further, in the above-described apparatus, it is characterized in that the selection of the process gas supply to the processing chamber and the exhaust can be arbitrarily controlled, and the presence or absence of the exhaust of the process gas can be arbitrarily controlled.
【０００９】本発明のプロセスガスの供給方法および排
気方法を用いることにより、ステージの回転を用いずに
高均一性のアッシング分布を得ることができる。By using the process gas supply method and the exhaust method of the present invention, it is possible to obtain a highly uniform ashing distribution without using the rotation of the stage.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】（実施例１）図２は本発明の高均
一性を実現できるガス供給と排気方法を実施するオゾン
系アッシング装置の構成例である。(Embodiment 1) FIG. 2 is a structural example of an ozone-based ashing apparatus for implementing a gas supply and exhaust method capable of realizing high uniformity of the present invention.
【００１１】処理室内には、ウェハ３を加熱する手段と
してヒータステージ４が設置されている。ステージ４と
対向して合成石英窓５を介して２５４nm付近の波長が照
射可能なＵＶランプ６が設置されている。処理室にはオ
ゾン発生器７により生成されたオゾンを含むプロセスガ
スが三方弁８を介して、ステージの外周部に設置された
ノズルから供給される。三方弁８の一方は排気部に接続
されている。処理室に供給されたプロセスガスはバルブ
９を介して排気部から排気される。処理室内の圧力をモ
ニタおよび制御する目的でマノメータ１０が取り付けて
ある。In the processing chamber, a heater stage 4 is provided as means for heating the wafer 3. A UV lamp 6 capable of irradiating a wavelength around 254 nm through a synthetic quartz window 5 is provided opposite to the stage 4. A process gas containing ozone generated by the ozone generator 7 is supplied to the processing chamber via a three-way valve 8 from a nozzle provided on an outer peripheral portion of the stage. One of the three-way valves 8 is connected to an exhaust unit. The process gas supplied to the processing chamber is exhausted from the exhaust unit via the valve 9. A manometer 10 is attached for the purpose of monitoring and controlling the pressure in the processing chamber.
【００１２】三方弁８により処理室にプロセスガスを供
給する際には、バルブ９は閉となる。マノメータ１０の
示す圧力が所望の値となると、三方弁８は排気へと切り
替わり、かつバルブ９は閉じたままとする。これにより
処理室は定圧に保持される。設定により一定の時間が経
過したのち、バルブ９を開き、処理室内の排気を行な
う。処理室内の圧力が設定した値となったら、再びバル
ブ９を閉じ、三方弁８を処理室へのガス供給に切り替
え、上記定圧での処理を行なう。この一連の処理シーケ
ンスを繰り返してアッシング処理を行なう。When the process gas is supplied to the processing chamber by the three-way valve 8, the valve 9 is closed. When the pressure indicated by the manometer 10 reaches a desired value, the three-way valve 8 is switched to exhaust, and the valve 9 is kept closed. This keeps the processing chamber at a constant pressure. After a certain time elapses according to the setting, the valve 9 is opened to exhaust the processing chamber. When the pressure in the processing chamber reaches the set value, the valve 9 is closed again, the three-way valve 8 is switched to gas supply to the processing chamber, and the processing at the constant pressure is performed. Ashing processing is performed by repeating this series of processing sequences.
【００１３】（実施例２）図３は本発明の高均一性を実
現できるガス供給と排気手段を有するオゾン系アッシン
グ装置の他の構成例である。(Embodiment 2) FIG. 3 shows another configuration example of an ozone ashing apparatus having gas supply and exhaust means capable of realizing high uniformity according to the present invention.
【００１４】処理室内には、ウェハ３を加熱する手段と
してするヒータステージ４が設置されている。処理室に
はオゾン発生器７により生成されたオゾンを含むプロセ
スガスが、三方弁８を介してステージ４の外周部に設置
されたシャワープレート１１から供給される。三方弁８
の一方は排気部に接続されている。処理室に供給された
プロセスガスはバルブ９を介して排気される。処理室内
の圧力をモニタおよび制御する目的でマノメータ１０が
取り付けてある。A heater stage 4 as a means for heating the wafer 3 is provided in the processing chamber. A process gas containing ozone generated by an ozone generator 7 is supplied to the processing chamber from a shower plate 11 installed on an outer peripheral portion of the stage 4 via a three-way valve 8. Three-way valve 8
Is connected to the exhaust unit. The process gas supplied to the processing chamber is exhausted through the valve 9. A manometer 10 is attached for the purpose of monitoring and controlling the pressure in the processing chamber.
【００１５】三方弁８により処理室にプロセスガスを供
給する際には、バルブ９は閉となる。マノメータ１０の
示す圧力が所望の値となると、三方弁８は排気へと切り
替わり、かつバルブ９は閉じたままとする。設定により
一定の時間が経過したのち、バルブ９を開き、処理室内
の排気を行なう。処理室内の圧力が設定した値となった
ら、再びバルブ９を閉じ、三方弁８を処理室へのガス供
給に切り替える。この一連の処理シーケンスを繰り返
し、アッシング処理を行なう。When the process gas is supplied to the processing chamber by the three-way valve 8, the valve 9 is closed. When the pressure indicated by the manometer 10 reaches a desired value, the three-way valve 8 is switched to exhaust, and the valve 9 is kept closed. After a certain time elapses according to the setting, the valve 9 is opened to exhaust the processing chamber. When the pressure in the processing chamber reaches the set value, the valve 9 is closed again, and the three-way valve 8 is switched to supply gas to the processing chamber. The ashing process is performed by repeating this series of processing sequences.
【００１６】[0016]
【発明の効果】本発明のオゾン系アッシング装置の構成
とガス供給および排気方法を用いることにより高均一性
のアッシング処理が可能となる。By using the configuration of the ozone-based ashing apparatus of the present invention and the gas supply and exhaust methods, a highly uniform ashing process can be performed.
【図１】アッシング装置のギャップ部の断面図。FIG. 1 is a sectional view of a gap portion of an ashing device.
【図２】本発明の一実施例のオゾン系アッシング装置の
断面図。FIG. 2 is a sectional view of an ozone-based ashing apparatus according to one embodiment of the present invention.
【図３】本発明の他の実施例のオゾン系アッシング装置
の断面図。FIG. 3 is a sectional view of an ozone-based ashing apparatus according to another embodiment of the present invention.
１…ガス導入プレート、２…プロセスガス、３…ウェ
ハ、４…ヒータステージ、５…合成石英窓、６…ＵＶラ
ンプ、７…オゾン発生器、８…三方弁、９…バルブ、１
０…マノメータ、１１…シャワープレート。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Gas introduction plate, 2 ... Process gas, 3 ... Wafer, 4 ... Heater stage, 5 ... Synthetic quartz window, 6 ... UV lamp, 7 ... Ozone generator, 8 ... Three-way valve, 9 ... Valve, 1
0: manometer, 11: shower plate.
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA25 HA30 LA06 5F004 AA01 BA19 BB05 BB26 BB28 BC07 BD01 DA27 5F046 MA19 Continued on the front page F term (reference) 2H096 AA25 HA30 LA06 5F004 AA01 BA19 BB05 BB26 BB28 BC07 BD01 DA27 5F046 MA19
Claims (3)
法において、被処理物が置かれた処理室に、プロセスガ
スを供給する工程、処理室内を一定圧力に保持する工
程、一定時間後に上記プロセスガスを排気する工程から
なる、一連のガス供給・定圧保持・排気の工程を繰り返
し行なうことを特徴とするアッシング方法。1. A method for ashing a resist film using ozone, comprising: supplying a process gas to a processing chamber in which an object to be processed is placed; maintaining the processing chamber at a constant pressure; An ashing method comprising repeating a series of gas supply, constant pressure holding, and exhausting steps, which comprises the step of exhausting gas.
アッシング装置において、処理室への供給手段と処理室
を介さず排気する手段を有し、かつ処理室内のプロセス
ガスの排気を止める手段を有することを特徴とするアッ
シング装置。2. An ashing apparatus containing oxygen and ozone in a process gas, comprising: means for supplying to the processing chamber, means for exhausting without passing through the processing chamber, and means for stopping exhaust of the process gas in the processing chamber. An ashing device characterized by the above-mentioned.
プロセスガスの供給が、処理室および排気への選択が任
意に制御可能であり、かつプロセスガスの排気の有無が
任意に制御可能であることを特徴とするアッシング装
置。3. The ashing apparatus according to claim 2, wherein
An ashing apparatus characterized in that selection of a processing chamber and exhaust gas can be arbitrarily controlled for supply of a process gas, and presence / absence of exhaust of a process gas can be optionally controlled.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12673599A JP2000323455A (en) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | Ashing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12673599A JP2000323455A (en) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | Ashing apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323455A true JP2000323455A (en) | 2000-11-24 |
Family
ID=14942607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12673599A Pending JP2000323455A (en) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | Ashing apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000323455A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004241642A (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-26 | Fujitsu Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2008294170A (en) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Meidensha Corp | Resist removing method and apparatus |
| WO2015083435A1 (en) * | 2013-12-06 | 2015-06-11 | ウシオ電機株式会社 | Ashing method and ashing device |
-
1999
- 1999-05-07 JP JP12673599A patent/JP2000323455A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004241642A (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-26 | Fujitsu Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP4688127B2 (en) * | 2003-02-06 | 2011-05-25 | 富士通セミコンダクター株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2008294170A (en) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Meidensha Corp | Resist removing method and apparatus |
| WO2015083435A1 (en) * | 2013-12-06 | 2015-06-11 | ウシオ電機株式会社 | Ashing method and ashing device |
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