JP2000323076A - Image forming device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子源基板と発光
表示板とを対向して設け、電子源基板から画像情報に応
じて放出させた電子を発光表示板に供給して画像を形成
する画像形成装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention provides an electron source substrate and a light emitting display panel which are opposed to each other, and supplies electrons emitted from the electron source substrate according to image information to the light emitting display panel to form an image. The present invention relates to an image forming apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、種々の構成の電子放出用のカ
ソードを備える画像表示装置が提案されてきており、そ
の一例として、図１７１に断面図として示す構造を有す
るものが知られている。図１７１に示す表示装置はフル
カラーの表示装置であり、アノード基板１０１の内面に
ストライプ状に形成された多数本のアノード電極１０６
が設けられ、アノード電極１０６上にＲ、Ｇ、Ｂを発光
する蛍光体が順次被着された面が形成されている。一
方、アノード基板１０６と対向するカソード基板１０２
上には多数の電子放出用のカソード（ＦＥＣ）からなる
ＦＥＣアレー１０５が設けられており、このＦＥＣアレ
ー１０５から電子が電界放出され、この放出された電子
がアノード電極１０６によって捕捉され、そこに被着さ
れている蛍光体に電子が供給されて発光が生じるように
なっている。この装置での電子放出の制御は、一般に、
ＦＥＣアレー１０５側において行なわれており、ＦＥＣ
アレー１０５から放出された電子は支柱１０４により所
定間隔を保持されて対向したアノード基板１０４に向か
って放出されることになる。2. Description of the Related Art Hitherto, an image display device having an electron emission cathode having various structures has been proposed. As an example, an image display device having a structure shown in a sectional view in FIG. 171 is known. The display device shown in FIG. 171 is a full-color display device, and has a large number of anode electrodes 106 formed in stripes on the inner surface of the anode substrate 101.
Are formed on the anode electrode 106, on which phosphors emitting R, G, and B light are sequentially applied. On the other hand, the cathode substrate 102 facing the anode substrate 106
An FEC array 105 composed of a large number of electron emission cathodes (FECs) is provided on the upper side. Electrons are field-emitted from the FEC array 105, and the emitted electrons are captured by an anode electrode 106. Electrons are supplied to the attached phosphor to emit light. The control of electron emission in this device is generally
Performed on the FEC array 105 side,
The electrons emitted from the array 105 are emitted toward the opposed anode substrate 104 while being kept at a predetermined interval by the support pillars 104.
【０００３】上記の電子放出に伴う動作を可能とするた
めに、この装置ではアノード基板１０１とカソード基板
１０２との間の空間が所定の真空度の空間として形成さ
れており、この真空度を維持するためにこれらの基板の
周縁部がシール材１０３により封止されている。In this apparatus, a space between the anode substrate 101 and the cathode substrate 102 is formed as a space having a predetermined degree of vacuum, and the degree of vacuum is maintained. For this purpose, the peripheral portions of these substrates are sealed with a sealing material 103.
【０００４】なお、アノード電極１０１とカソード基板
１０２との間隔ｔは、例えば数百μｍとされ、また、ア
ノード電極１０６に印加される電圧は例えば数百Ｖとさ
れる。また、アノード電極１０６には不図示のアノード
引出電極により表示装置の外部に位置する表示制御装置
に接続されていて、表示制御装置により所定のタイミン
グで応じてアノード電極１０６に電圧の印加が行なわれ
る。更に、ＦＥＣアレー１０５におけるカソード電極や
ゲート電極も不図示のカソード引出電極やゲート引出電
極により表示装置の外部に位置する表示制御装置に接続
されて、表示制御装置により所定のタイミングでこれら
の電極への電圧の印加が行なわれる。The distance t between the anode electrode 101 and the cathode substrate 102 is, for example, several hundred μm, and the voltage applied to the anode electrode 106 is, for example, several hundred volts. Further, the anode electrode 106 is connected to a display control device located outside the display device by an anode extraction electrode (not shown), and the display control device applies a voltage to the anode electrode 106 at a predetermined timing. . Further, a cathode electrode and a gate electrode in the FEC array 105 are also connected to a display control device located outside the display device by a cathode extraction electrode or a gate extraction electrode (not shown), and these display electrodes are connected to these electrodes at a predetermined timing by the display control device. Is applied.
【０００５】上述した画像表示装置における電子放出部
はＦＥＣアレーによって形成されているものであるが、
電子放出部に配列する電子放出素子についても種々の構
成が提案されている。例えば、表面伝導型電子放出素子
は、構造が単純で製造も容易なことから、大面積にわた
って多数素子を配列形成できる利点がある。そこで、こ
の特徴を活かすための種々の応用が研究されている。例
えば、電荷ビーム源、表示装置等の画像形成装置への利
用が挙げられる。多数の表面伝導型電子放出素子を配列
した例としては、並列に表面伝導型電子放出素子を配列
し、個々の素子の両端を配線にて夫々結線した行を多数
行配列した電子源が挙げられる（例えば、本願出願人に
よる特開平１−１０３１３３２号公報）。The electron emission portion in the above-described image display device is formed by an FEC array.
Various configurations have been proposed for the electron-emitting devices arranged in the electron-emitting portion. For example, the surface conduction electron-emitting device has an advantage that a large number of devices can be arranged and formed over a large area because the structure is simple and the production is easy. Therefore, various applications for utilizing this feature are being studied. For example, it can be used for an image forming apparatus such as a charge beam source and a display device. As an example in which a large number of surface conduction electron-emitting devices are arranged, an electron source in which surface conduction electron-emitting devices are arranged in parallel and a large number of rows in which both ends of each element are connected to each other by wiring is arranged. (For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-103332 by the present applicant).
【０００６】なお、表示装置等の画像形成装置において
は、近年、液晶を用いた平板型表示装置が、ＣＴＲ方式
のものに替わって普及してきたが、液晶を用いたものは
自発光型でないために、バックライト等を持たなければ
ならない等の問題があり、自発光型の表示装置が望まれ
てきた。In recent years, in image forming apparatuses such as display apparatuses, flat-panel display apparatuses using liquid crystal have become widespread in place of CTR systems, but those using liquid crystal are not self-luminous. In addition, there is a problem that a backlight or the like must be provided, and a self-luminous display device has been desired.
【０００７】このような表面伝導型電子放出素子を多数
配置した電子源と、この電子源から放出された電子によ
って可視光を発光させる蛍光体とを組み合わせた表示装
置である画像形成装置は、大画面の装置でも比較的容易
に製造でき、かつ表示品位の優れた自発光型表示装置と
なり、自発光型表示装置の提供という点からも好ましい
ものである。An image forming apparatus, which is a display device combining an electron source having a large number of such surface conduction electron-emitting devices and a phosphor which emits visible light by the electrons emitted from the electron source, is large. A self-luminous display device which can be manufactured relatively easily and has excellent display quality even with a screen device is preferable from the viewpoint of providing a self-luminous display device.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、大画面化に
対応可能であり、かつ表示品位の優れた構成を有する画
像形成装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an image forming apparatus which can cope with a large screen and has a structure excellent in display quality.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の画像形成装置の
一態様例は、対向配置された一対の基板と前記両基板間
に配置された外枠とで構成された外囲器内に、前記一対
の基板のうちの、一方の基板上に配置された電子源と、
他方の基板上に配置された画像形成部材と、前記基板間
に配置されたスペーサとを備える画像形成装置であっ
て、前記スペーサ前記外枠とが導電性を有し、前記スペ
ーサと前記外枠との間の等電位面が、駆動時に略平行と
なるように、前記スペーサと前記外枠とを電気的に接続
する手段を有することを特徴とする。An embodiment of the image forming apparatus according to the present invention comprises an envelope formed by a pair of substrates opposed to each other and an outer frame arranged between the substrates. An electron source disposed on one of the pair of substrates,
An image forming apparatus comprising: an image forming member disposed on another substrate; and a spacer disposed between the substrates, wherein the spacer has an outer frame having conductivity, and the spacer has an outer frame. And a means for electrically connecting the spacer and the outer frame so that the equipotential surfaces between the spacer and the outer frame are substantially parallel during driving.
【００１０】本発明の画像形成装置の他の態様例は、対
向配置された一対の基板と前記両基板間に配置された外
枠とで構成された外囲器内に、前記一対の基板のうち
の、一方の基板上に配置された電子源と、他方の基板上
に配置された画像形成部材と、前記基板間に配置された
スペーサとを備える画像形成装置であって、前記スペー
サと前記外枠とが導電性を有し、駆動時に、前記スペー
サの上端と前記外枠の上端とに略等しい電位Ｖ1が与え
られ、前記スペーサの下端と前記外枠の下端とに略等し
い、前記電位Ｖ1とは異なる電位Ｖ2が与えられることを
特徴とする。In another embodiment of the image forming apparatus of the present invention, the image forming apparatus includes a pair of substrates arranged opposite to each other and an outer frame disposed between the pair of substrates. An image forming apparatus including: an electron source disposed on one substrate; an image forming member disposed on the other substrate; and a spacer disposed between the substrates. The outer frame has conductivity, and when driven, a potential V1 substantially equal to the upper end of the spacer and the upper end of the outer frame is given, and the potential V1 substantially equal to the lower end of the spacer and the lower end of the outer frame. A potential V2 different from V1 is applied.
【００１１】本発明に係る電子源基板の一態様は、基板
上に、複数の行方向配線と複数の列方向配線とでマトリ
クス配線された複数の電子放出素子を備える電子源基板
であって、前記複数の電子放出素子の各々が、前記行方
向配線と前記列方向配線とで囲まれており、且つ、前記
行方向配線と前記列方向配線の非交差領域における配線
幅が、前記行方向配線と前記列方向配線の交差領域にお
ける配線幅よりも広いことを特徴とする。One embodiment of the electron source substrate according to the present invention is an electron source substrate provided with a plurality of electron-emitting devices arranged on a substrate in a matrix with a plurality of row wirings and a plurality of column wirings, Each of the plurality of electron-emitting devices is surrounded by the row direction wiring and the column direction wiring, and a wiring width in a non-intersecting region between the row direction wiring and the column direction wiring is the row direction wiring. And the width of the wiring in the crossing region of the column-directional wiring.
【００１２】本発明に係る画像形成装置の他の態様例
は、基板上に、複数の行方向配線と複数の列方向配線と
でマトリクス配線された複数の電子放出素子を備える電
子源基板と、前記複数の電子放出素子から放出される電
子の照射により画像を形成する画像形成部材とを備える
画像形成装置であって、前記複数の電子放出素子の各々
が、前記行方向配線と前記列方向配線とで囲まれてお
り、且つ、前記行方向配線と前記列方向配線の非交差領
域における配線幅が、前記行方向配線と前記列方向配線
の交差領域における配線幅よりも広いことを特徴とす
る。Another embodiment of the image forming apparatus according to the present invention is an electron source substrate having a plurality of electron-emitting devices arranged on a substrate in a matrix with a plurality of row wirings and a plurality of column wirings, An image forming apparatus comprising: an image forming member that forms an image by irradiating electrons emitted from the plurality of electron-emitting devices, wherein each of the plurality of electron-emitting devices includes the row-directional wiring and the column-directional wiring And a wiring width in a non-intersecting region between the row wiring and the column wiring is larger than a wiring width in an intersecting region between the row wiring and the column wiring. .
【００１３】本発明の画像形成装置の他の態様例は、電
子放出素子が接続された配線の複数が配置された基板
と、前記電子放出素子から放出される電子の照射により
画像を形成する画像形成部材が配置された基板と、前記
両基板間に配置されたスペーサと、ゲッタとを備える画
像形成装置であって、前記スペーサは前記配線上に配置
されており、前記ゲッタは前記スペーサが配置されてい
ない配線上に配置されていることを特徴とする。In another aspect of the image forming apparatus of the present invention, there is provided a substrate on which a plurality of wirings to which electron-emitting devices are connected are arranged, and an image for forming an image by irradiation of electrons emitted from the electron-emitting devices. An image forming apparatus comprising: a substrate on which a forming member is disposed; a spacer disposed between the two substrates; and a getter, wherein the spacer is disposed on the wiring, and the getter is disposed on the spacer. It is characterized in that it is arranged on wiring that is not provided.
【００１４】本発明の画像形成装置の他の態様例は、電
子放出素子が接続された配線の複数が配置された基板
と、前記電子放出素子から放出される電子の照射により
画像を形成する画像形成部材が配置された基板と、前記
両基板間に配置された複数のスペーサと、ゲッタとを備
える画像形成装置であって、前記複数のスペーサは前記
配線上に配置されており、前記ゲッタは、前記複数のス
ペーサ間の配線上に配置されていることを特徴とする。According to another aspect of the image forming apparatus of the present invention, there is provided a substrate on which a plurality of wirings to which electron-emitting devices are connected are arranged, and an image for forming an image by irradiation of electrons emitted from the electron-emitting devices. An image forming apparatus including a substrate on which a forming member is disposed, a plurality of spacers disposed between the two substrates, and a getter, wherein the plurality of spacers are disposed on the wiring, and the getter is , Are arranged on the wiring between the plurality of spacers.
【００１５】本発明の画像形成装置の他の態様例は、電
子放出素子が接続された配線が配置された基板と、前記
電子放出素子から放出される電子の照射により画像を形
成する画像形成部材が配置された基板と、前記両基板間
に配置されたスペーサとを備える画像形成装置であっ
て、前記配線はアーチ状の断面を有し、前記スペーサは
前記配線上に配置され、前記配線と接触する端部の角が
まるまっていることを特徴とする。According to another aspect of the image forming apparatus of the present invention, there is provided an image forming member for forming an image by irradiating electrons emitted from the electron emitting element with a substrate on which a wiring connected to the electron emitting element is arranged. And a spacer disposed between the two substrates, wherein the wiring has an arch-shaped cross section, the spacer is disposed on the wiring, the wiring and The corner of the contacting end is rounded.
【００１６】本発明の画像形成装置の他の態様例は、電
子放出素子が接続された配線が配置された基板と、前記
電子放出素子から放出される電子の照射により画像を形
成する画像形成部材が配置された基板と、前記両基板間
に配置されたスペーサとを備える画像形成装置であっ
て、前記画像形成部材はアーチ状の断面を有する非発光
部材を有し、前記スペーサは前記非発光部材上に配置さ
れ、前記非発光部材と接触する端部の角がまるまってい
ることを特徴とする。According to another aspect of the image forming apparatus of the present invention, there is provided an image forming member for forming an image by irradiating electrons emitted from the electron-emitting device with a substrate on which wiring to which the electron-emitting device is connected is arranged. Wherein the image forming member has a non-light-emitting member having an arch-shaped cross section, and the spacer has the non-light-emitting member. The edge of the end arranged on the member and in contact with the non-light emitting member is rounded.
【００１７】本発明の電子源基板の他の態様例は、基板
上に、複数の行方向配線と複数の列方向配線とでマトリ
クス配線された複数の電子放出素子を備える電子源基板
であって、前記行方向配線と前記列方向配線の非交差領
域に電位規定部を有することを特徴とする。Another embodiment of the electron source substrate according to the present invention is an electron source substrate provided with a plurality of electron-emitting devices arranged in a matrix with a plurality of row wirings and a plurality of column wirings on a substrate. A potential regulating section is provided in a non-intersecting region between the row direction wiring and the column direction wiring.
【００１８】本発明の画像形成装置の他の態様例は、基
板上に、複数の行方向配線と複数の列方向配線とでマト
リクス配線された複数の電子放出素子を備える電子源基
板と、前記複数の電子放出素子から放出される電子の照
射により画像を形成する画像形成部材とを備える画像形
成装置であって、前記行方向配線と前記列方向配線の非
交差領域に電位規定部を有することを特徴とする。According to another aspect of the image forming apparatus of the present invention, there is provided an electron source substrate including a plurality of electron-emitting devices arranged on a substrate in a matrix with a plurality of row-direction wirings and a plurality of column-direction wirings; An image forming apparatus comprising: an image forming member that forms an image by irradiation of electrons emitted from a plurality of electron-emitting devices, wherein a potential regulating unit is provided in a non-intersecting region between the row wiring and the column wiring. It is characterized by.
【００１９】本発明の画像形成装置の他の態様例は、電
子源が配置された第１基板と、メタルバックにて被覆さ
れた蛍光体及び非発光部材が前記電子源と対向するよう
に配置された第２基板とを備える画像形成装置であっ
て、前記蛍光体と前記非発光部材とは互いに異なる厚さ
を有しており、前記第２基板の、前記蛍光体及び前記非
発光部材が配置された側面とは反対側面に、前記第１基
板の前記電子源が配置された側面に駆動時に印加される
電位に近い電位を印加する手段を有することを特徴とす
る。In another embodiment of the image forming apparatus of the present invention, a first substrate on which an electron source is arranged, and a phosphor and a non-light emitting member covered with a metal back are arranged so as to face the electron source. An image forming apparatus comprising: a second substrate, wherein the phosphor and the non-light emitting member have different thicknesses from each other, and wherein the phosphor and the non-light emitting member of the second substrate are On the side surface opposite to the side surface on which the electron source is disposed, there is provided means for applying a potential close to the potential applied at the time of driving to the side surface on which the electron source is disposed on the first substrate.
【００２０】本発明の画像形成装置の他の態様例は、基
板上に、蛍光体と、前記蛍光体を覆うメタルバックと、
前記メタルバックと電気的に接続された高圧引出し端子
とが配置された画像形成基板であって、前記メタルバッ
クと前記高圧引出し端子との間を継ぐ帯状の中継導電膜
を備えることを特徴とする。In another embodiment of the image forming apparatus of the present invention, a phosphor, a metal back covering the phosphor, are provided on a substrate.
An image forming substrate on which the metal back and a high-voltage lead-out terminal electrically connected to each other are provided, the image forming substrate including a band-shaped relay conductive film that connects between the metal back and the high-voltage lead-out terminal. .
【００２１】本発明の画像形成装置の他の態様例は、電
子源が配置された電子源基板と、前記電子源基板に対向
は位置され、蛍光体と、前記蛍光体を覆うメタルバック
と、前記メタルバックと電気的に接続された高圧引出し
端子とが配置された画像形成基板とを備える画像形成装
置であって、前記画像形成基板が、前記メタルバックと
前記高圧引出し端子との間を継ぐ帯状の中継導電膜を備
えることを特徴とする。According to another aspect of the image forming apparatus of the present invention, there is provided an electron source substrate on which an electron source is disposed, a phosphor which is positioned opposite to the electron source substrate, and a metal back which covers the phosphor. An image forming apparatus comprising: an image forming substrate on which a metal back and a high-voltage lead-out terminal electrically connected are arranged, wherein the image forming substrate connects between the metal back and the high-voltage lead-out terminal. A band-shaped relay conductive film is provided.
【００２２】本発明の画像形成装置の他の態様例は、電
子源が配置された電子源基板と、前記電子源から放出さ
れる電子の照射により画像を形成する画像形成部材が配
置された画像形成基板とを有する外囲器と、前記外囲器
の挟持部を有する筐体とを備える画像形成装置であっ
て、前記挟持部は、前記画像形成基板を介さずに前記電
子源基板を挟持していることを特徴とする。Another embodiment of the image forming apparatus according to the present invention is an image forming apparatus in which an electron source substrate on which an electron source is arranged and an image forming member for forming an image by irradiation of electrons emitted from the electron source are arranged. An image forming apparatus comprising: an envelope having a forming substrate; and a housing having a sandwiching portion of the envelope, wherein the sandwiching portion sandwiches the electron source substrate without interposing the image forming substrate. It is characterized by doing.
【００２３】本発明の画像形成装置の他の態様例は、電
子放出素子が接続された配線の複数が配置された基板
と、前記電子放出素子から放出される電子の照射により
画像を形成する画像形成部材が配置された基板と、前記
両基板間に配置された複数のスペーサとを備える画像形
成装置であって、前記複数のスペーサは、スペーサ間の
配線数が５〜５０の範囲となるように離散的に前記配線
上に配置されていることを特徴とする。In another embodiment of the image forming apparatus of the present invention, there is provided a substrate on which a plurality of wirings to which electron-emitting devices are connected are arranged, and an image for forming an image by irradiation of electrons emitted from the electron-emitting devices. An image forming apparatus comprising: a substrate on which a forming member is disposed; and a plurality of spacers disposed between the substrates, wherein the plurality of spacers has a number of wires between the spacers in a range of 5 to 50. Are arranged discretely on the wiring.
【００２４】本発明の画像形成装置の他の態様例は、対
向配置された一対の基板と前記両基板間に配された外枠
とで構成された外囲器内に、電子源と、前記電子源から
放出される電子の照射により画像を形成する画像形成部
材とを備える画像形成装置であって、前記外枠が、打ち
抜きで形成されたものであることを特徴とする。According to another embodiment of the image forming apparatus of the present invention, an electron source includes an electron source inside an envelope formed by a pair of substrates arranged opposite to each other and an outer frame arranged between the substrates. An image forming apparatus comprising: an image forming member that forms an image by irradiation of electrons emitted from an electron source, wherein the outer frame is formed by punching.
【００２５】本発明の画像形成装置の他の態様例は、対
向配置された一対の基板と前記両基板間に配された外枠
とで構成された外囲器内に、電子源と、前記電子源から
放出される電子の照射により画像を形成する画像形成部
材とを備える画像形成装置であって、前記外枠の隅部
は、外囲器の内外側で円弧形状を有し、前記円弧形状
は、前記内側と前記外側とで異なる曲率を有しているこ
とを特徴とする。According to another embodiment of the image forming apparatus of the present invention, an electron source includes an electron source in an envelope formed by a pair of substrates disposed to face each other and an outer frame disposed between the substrates. An image forming member for forming an image by irradiation of electrons emitted from an electron source, wherein a corner of the outer frame has an arc shape inside and outside an envelope, and The shape is characterized in that the inside and the outside have different curvatures.
【００２６】本発明の電子源基板の一態様例は、電子放
出素子と、前記電子放出素子に接続された配線と、ゲッ
タとが配置された電子源基板であって、前記ゲッタは前
記配線上に配置されており、前記ゲッタ及び前記配線は
いずれもアーチ状の断面形状を有していることを特徴と
する。One embodiment of the electron source substrate according to the present invention is an electron source substrate on which an electron-emitting device, a wiring connected to the electron-emitting device, and a getter are arranged, wherein the getter is provided on the wiring. Wherein the getter and the wiring each have an arch-shaped cross-sectional shape.
【００２７】本発明の画像形成装置の他の態様例は、電
子放出素子と、前記電子放出素子に接続された配線と、
ゲッタとが配置された基板と、前記電子放出素子から放
出される電子の照射により画像を形成する画像形成部材
とを外囲器内に備える画像形成装置であって、前記ゲッ
タは前記配線上に配置されており、前記ゲッタ及び前記
配線はいずれもアーチ状の断面形状を有していることを
特徴とする。According to another embodiment of the image forming apparatus of the present invention, an electron-emitting device, a wiring connected to the electron-emitting device,
An image forming apparatus comprising: a substrate on which a getter is disposed; and an image forming member that forms an image by irradiation of electrons emitted from the electron-emitting device in an envelope, wherein the getter is provided on the wiring. And the getter and the wiring each have an arched cross-sectional shape.
【００２８】本発明の画像形成装置の他の態様例は、表
示パネルと、前記表示パネルに接続された高圧電源とを
備える画像形成装置であって、前記高圧電源が、前記表
示パネルの重心よりも下方に配置されていることを特徴
とする。Another embodiment of the image forming apparatus according to the present invention is an image forming apparatus including a display panel and a high-voltage power supply connected to the display panel, wherein the high-voltage power supply is located between a center of gravity of the display panel. Is also arranged below.
【００２９】本発明の画像形成装置の他の態様例は、蛍
光体と黒色部材とが配された第１の基板と、電子放出素
子が配された第２の基板とを対向配置した画像形成装置
であって、該電子放出素子の電子放出部直上に、前記黒
色部材が配されたことを特徴とする。Another embodiment of the image forming apparatus according to the present invention is directed to an image forming apparatus in which a first substrate on which a phosphor and a black member are disposed and a second substrate on which electron emitting elements are disposed are opposed to each other. The device is characterized in that the black member is disposed immediately above an electron-emitting portion of the electron-emitting device.
【００３０】[0030]
【発明の実施の形態】本発明の画像形成装置の一例を図
１に示す。図１は画像形成装置の組立展開図であり、代
表的な構成部材が示されている。１は製品内部を埃など
から保護する金属や樹脂等から形成された前カバーで、
２は製品内部を埃などから保護すると共に、低反射処理
が施された樹脂やガラスから構成された光透過性の前面
保板で、組立時に前カバー１の内部に適当な固定手段に
より固定される。３は左上板、４は右上板で夫々が後述
の画像表示パネル７を挟み支持するための剛性を有する
金属板等で構成されている。５は左前面断熱部材、６は
右前面断熱部材で夫々が後述の画像表示パネル７を挟み
支持する部分の断熱性と緩衝性を目的に、発泡性の樹脂
またはゴムで形成されている。７は画像表示パネルでＳ
ＥＤと呼ばれる自発光型の画像表示装置で、２枚のガラ
ス板と枠で真空容器を形成し、周辺部に複数のフレキシ
ブルケーブルが設けられている。８は左後面断熱材、９
は右後面断熱材で、画像表示パネル７を後面側から鋏支
持する。これらの断熱材は、先の左右の前面断熱部材５
及び６と同じ材料から構成することができる。FIG. 1 shows an example of an image forming apparatus according to the present invention. FIG. 1 is an exploded view of the image forming apparatus, showing typical components. 1 is a front cover made of metal, resin, etc. for protecting the inside of the product from dust, etc.
Reference numeral 2 denotes a light-transmitting front plate made of resin or glass subjected to a low reflection treatment while protecting the inside of the product from dust and the like, and is fixed to the inside of the front cover 1 by an appropriate fixing means during assembly. You. Reference numeral 3 denotes an upper left plate, and reference numeral 4 denotes an upper right plate, each of which is formed of a rigid metal plate or the like for sandwiching and supporting an image display panel 7 described later. Reference numeral 5 denotes a left front heat insulating member, and reference numeral 6 denotes a right front heat insulating member, each of which is formed of a foamable resin or rubber for the purpose of heat insulation and cushioning of a portion that sandwiches and supports an image display panel 7 described later. Reference numeral 7 denotes an image display panel.
In a self-luminous image display device called an ED, a vacuum container is formed by two glass plates and a frame, and a plurality of flexible cables are provided in a peripheral portion. 8 is the left rear insulation, 9
Is a right rear heat insulating material, which supports the image display panel 7 with scissors from the rear side. These heat insulating materials are the left and right front heat insulating members 5.
And 6 from the same material.
【００３１】１０は左下板、１１は右下板で、夫々後面
側から画像表示パネル７を挟み支持する左上板３、右上
板４と同じ材質から構成できるもので、左下板１０は左
上板３と、右下板１１は右上板４と互いにねじなどの固
着手段により固定されている。１２はフレキシブルケー
ブルの左押え、１３は右押えで、夫々が画像表示パネル
７を挟み支持する部分で、左上板３と左下板１０、上右
板４と右下板１１とを接続固定する部材であり、画像表
示パネル７のフレキシブルケーブルの貫通部が千鳥状に
設けられ、剛性を有する金属等の材料から形成されてい
る。１４は、Ｘ字状のフレーム（Ｘフレーム）で、先の
前カバー１のねじ固定部、左下板１０と右下板１１の固
定部を設け、更に後述のスタンドユニット１５やボード
取付け板１６の固定部を設け、材質は剛性を有するアル
ミニウムなどの金属で形成されている。１５はスタンド
ユニットで、画像形成装置全体を支持する目的でＸフレ
ーム１４にねじで固定され、内部に剛性と重量のある金
属、外部は外観性の良い樹脂または金属の薄板からなっ
ている。１６はボード取付け板で、複数のプリント基板
固定部を設けた樹脂または金属等の薄板からなる部材
で、先のＸフレーム１４にねじ等の固定手段で固定され
る。１７は電気実装ボード類で、画像表示パネル７に画
像を表示するための電気回路等であり、電源部、信号入
力部、信号制御部、パネル駆動部などからなり、各部は
プリント基板に電子素子を実装し、互いに電気ケーブル
などで接続されている。１８は、ファンユニットで、先
の画像表示パネル７や電気実装ボード類１７から発生す
る熱を筐体外部へ放熱する目的で、ファンと固定部材で
構成され、先のＸフレーム１４にねじ等の固定手段で固
定される。１９は後カバーで、製品内部を埃などの異物
から保護するとともに放熱用の開口部を設け、金属また
は樹脂等の薄板で形成されている。Reference numeral 10 denotes a lower left plate, and reference numeral 11 denotes a lower right plate, which can be made of the same material as the upper left plate 3 and the upper right plate 4 for sandwiching and supporting the image display panel 7 from the rear side. And the lower right plate 11 are fixed to the upper right plate 4 by fixing means such as screws. Reference numeral 12 denotes a left holding member of the flexible cable, and 13 denotes a right holding member. The members hold and hold the image display panel 7 and connect and fix the upper left plate 3 and the lower left plate 10 and the upper right plate 4 and the lower right plate 11. The flexible cable penetrating portions of the image display panel 7 are provided in a staggered manner, and are formed of a rigid material such as metal. Reference numeral 14 denotes an X-shaped frame (X frame) which is provided with a screw fixing portion of the front cover 1 and a fixing portion of the lower left plate 10 and the lower right plate 11, and further includes a stand unit 15 and a board mounting plate 16 which will be described later. A fixing portion is provided, and the material is formed of a rigid metal such as aluminum. A stand unit 15 is fixed to the X frame 14 with screws for the purpose of supporting the entire image forming apparatus. The stand unit 15 is made of a rigid and heavy metal inside, and the outside is made of a resin or metal thin plate having good appearance. A board mounting plate 16 is a member made of a thin plate such as a resin or metal provided with a plurality of printed circuit board fixing portions, and is fixed to the X frame 14 by a fixing means such as a screw. Reference numeral 17 denotes an electric mounting board, which is an electric circuit or the like for displaying an image on the image display panel 7 and includes a power supply unit, a signal input unit, a signal control unit, a panel drive unit, and the like. And are connected to each other by an electric cable or the like. Reference numeral 18 denotes a fan unit, which includes a fan and a fixing member for the purpose of radiating heat generated from the image display panel 7 and the electric mounting boards 17 to the outside of the housing. It is fixed by fixing means. Reference numeral 19 denotes a rear cover, which protects the inside of the product from foreign substances such as dust and has an opening for heat radiation, and is formed of a thin plate of metal or resin.
【００３２】図２に表示パネル部の一例の展開図を、図
３に組み立てた状態の図を示す。１はガラス板等からな
るリアプレート、２はパネル内を真空に真空排気するた
めの排気管、３は画像形成部に高圧を印加するための高
圧端子、４はパネルの外周部を支持する外枠（枠部
材）、５はパネル内のガスを吸着するゲッタ、６は外枠
と画像形成部間の大気圧支持をする周辺支持体、７は画
像形成部内へかかる大気圧に対する耐性を持たせるため
のスペーサ、８はガラス板からなるフェースプレート、
９は画像形成部であり、取り出し電極、ブラックストラ
イプ、蛍光体、メタルバックからなり、１０は電子放出
素子が複数形成された電子源基板、１１は電子源領域か
らＹ方向配線を外部への取り出すためのＹ取り出し配
線、１２は電子源領域からＸ方向配線を外部へ取り出す
ためのＸ取り出し配線、１３は排気管及び高圧端子を接
着するためのシート状に仮焼成されたフリットデアルシ
ートフリット、１４は外枠とリアプレート及びフェース
プレートを接着するためのフリットである。図４は図３
におけるフェースプレート８の高圧端子取り出し部９−
１を説明するための図であり、図５は図３のＡ−Ａ断面
を示し、高圧端子部を説明するための図である。１はリ
アプレート、３は高圧端子、３−１は絶縁部材、３−２
は導入線で、３−２は導電性材料であり、フェースプレ
ート８に形成される取り出し部９−１と電気的接続がな
されている。９は画像形成部、１０は電子源領域、１４
はフリットである。図６は図３のＢ−Ｂ断面図を示し、
ゲッタ及び周辺支持体を説明するための図である。５は
ゲッタであり、５−１はゲッタ支持体、５−２は支持
線、５−３はゲッタ材料、５−５はゲッタループ、６は
周辺支持体である。図７及び８は、表示パネルをフェー
スプレート側及び側面側から見た図であり、図７は多数
のスペーサが平行に配列されたもので、図８はスペーサ
が千鳥状に配置されたものである。図９は線状ゲッタ及
び周辺支持体６が設けられた外枠を示す図である。線状
ゲッタの構成を図１６に示す。この線状ゲッタの設置
は、まずＢａ等からなる線状のゲッタを所定の長さに切
断してゲッタ線を作製し、その非蒸着方向にゲッタ線と
加工後の長さが等しくなるように折り曲げ加工などによ
り成形された例えばＮｉ線を適当な間隔でスポット溶接
し、Ｎｉ線とゲッタ線とで複数のループを形成する。こ
のループ構造の固定は、細長い柱状のガラス製などの支
持部材に、支持部材に埋め込まれそこから突き出させた
金属線への溶接によって行うことができる。FIG. 2 is a development view of an example of the display panel section, and FIG. 3 is a view of the assembled state. 1 is a rear plate made of a glass plate or the like, 2 is an exhaust pipe for evacuating the inside of the panel to a vacuum, 3 is a high voltage terminal for applying a high voltage to the image forming unit, and 4 is an outside supporting an outer peripheral portion of the panel. A frame (frame member), 5 is a getter for adsorbing gas in the panel, 6 is a peripheral support for supporting the atmospheric pressure between the outer frame and the image forming unit, and 7 is resistant to atmospheric pressure applied to the image forming unit. 8 is a face plate made of a glass plate,
Reference numeral 9 denotes an image forming unit, which includes an extraction electrode, a black stripe, a phosphor, and a metal back. Reference numeral 10 denotes an electron source substrate on which a plurality of electron-emitting devices are formed. Reference numeral 11 denotes a Y-direction wiring from the electron source region to the outside. Wiring 12 for extracting the X-direction wiring from the electron source region to the outside, 13 a frit real sheet frit temporarily bonded in a sheet shape for bonding the exhaust pipe and the high voltage terminal, 14 Is a frit for bonding the outer frame to the rear plate and the face plate. FIG. 4 shows FIG.
High voltage terminal take-out part 9-
FIG. 5 is a view for explaining a high-voltage terminal section, and FIG. 5 is a view for illustrating a high-voltage terminal section, taken along the line AA in FIG. 1 is a rear plate, 3 is a high voltage terminal, 3-1 is an insulating member, 3-2
Is an introduction line, and 3-2 is a conductive material, which is electrically connected to a take-out portion 9-1 formed on the face plate 8. 9 is an image forming unit, 10 is an electron source area, 14
Is a frit. FIG. 6 shows a BB cross-sectional view of FIG.
It is a figure for explaining a getter and a peripheral support. 5 is a getter, 5-1 is a getter support, 5-2 is a support line, 5-3 is a getter material, 5-5 is a getter loop, and 6 is a peripheral support. 7 and 8 are views of the display panel viewed from the face plate side and the side surface side. FIG. 7 shows a case where a number of spacers are arranged in parallel, and FIG. 8 shows a case where the spacers are arranged in a staggered manner. is there. FIG. 9 is a diagram showing an outer frame provided with a linear getter and a peripheral support 6. FIG. 16 shows the configuration of the linear getter. This linear getter is installed by first cutting a linear getter made of Ba or the like into a predetermined length to produce a getter line, and in the non-deposition direction, the getter line and the length after processing are equal. For example, a Ni wire formed by bending or the like is spot-welded at an appropriate interval, and a plurality of loops are formed by the Ni wire and the getter wire. The fixing of the loop structure can be performed by welding to a metal member that is embedded in the support member and protrudes from the support member, such as an elongated columnar glass member.
【００３３】また、図１０は表示パネルにおけるスペー
サの長手方向に直交する断面図であり、４−１はフェー
スプレート基板、４−２はリアプレート基板、４−３は
行方向配線（上配線）、４−４は電子放出部、４−５は
導電性フリット、４−６はリアプレート側スペーサ電
極、４−７は高抵抗膜、４−８はスペーサ基板、４−９
はリアプレート側スペーサ電極、４−１０はブラックス
トライプ、４−１１は緑色蛍光体である。フェースプレ
ート基板４−１に形成されたメタルバック（図示せず）
に印加された加速電圧により、電子放出部４−４より電
子放出した電子は加速され、電子放出部４−４の直上に
配置された、蛍光体４−１１に衝突し、蛍光体を緑色に
発光させる。FIG. 10 is a sectional view orthogonal to the longitudinal direction of the spacers in the display panel. 4-1 is a face plate substrate, 4-2 is a rear plate substrate, and 4-3 is a row direction wiring (upper wiring). , 4-4, an electron emission portion, 4-5, a conductive frit, 4-6, a rear plate side spacer electrode, 4-7, a high resistance film, 4-8, a spacer substrate, 4-9.
Denotes a spacer electrode on the rear plate side, 4-10 denotes a black stripe, and 4-11 denotes a green phosphor. Metal back (not shown) formed on face plate substrate 4-1
The electrons emitted from the electron-emitting portion 4-4 are accelerated by the acceleration voltage applied to, and collide with the phosphor 4-11 disposed immediately above the electron-emitting portion 4-4, turning the phosphor green. Flash.
【００３４】図１１は表示パネルのスペーサの長手方向
に平行な方向の断面図であり、５−１はフェースプレー
ト基板、５−２はリアプレート基板、５−３は列方向配
線（下配線）、５−４は負側の素子電極、５−５は正側
の素子電極、５−６ブラックストライプである。５−７
は青色蛍光体、４−８は赤色蛍光体、４−９は緑色蛍光
体である。この断面方向にはフェースプレート基板５−
１に形成されたメタルバック（図示せず）に印加された
加速電圧により、電子放出部（図示せず）より電子放出
した電子は加速され、５−７〜９の各色の蛍光体に衝突
し、蛍光体を発光させる。このとき、電子は正側の素子
電極５−５の方向に偏向するため、蛍光体は素子電極間
に形成される放出部の直上からシフト（ｄ）させた位置
に配置する。FIG. 11 is a sectional view in the direction parallel to the longitudinal direction of the spacer of the display panel. 5-1 is a face plate substrate, 5-2 is a rear plate substrate, and 5-3 is a column direction wiring (lower wiring). Reference numeral 5-4 denotes a negative element electrode, reference numeral 5-5 denotes a positive element electrode, and reference numeral 5-6 denotes a black stripe. 5-7
Is a blue phosphor, 4-8 is a red phosphor, and 4-9 is a green phosphor. The face plate substrate 5-
The electrons emitted from the electron-emitting portion (not shown) are accelerated by the acceleration voltage applied to the metal back (not shown) formed in 1 and collide with the phosphors of 5-7 to 9-9. Then, the phosphor emits light. At this time, since the electrons are deflected in the direction of the element electrode 5-5 on the positive side, the phosphor is arranged at a position shifted (d) from immediately above the emission portion formed between the element electrodes.
【００３５】なお、図１０で示すスペーサは、高抵抗膜
の外側にスペーサ電極が設けられているものであるが、
このスペーサ表面の構成としては、図６１に示される構
成も好適に用いられる。The spacer shown in FIG. 10 has a spacer electrode provided outside the high resistance film.
As the configuration of the spacer surface, the configuration shown in FIG. 61 is also suitably used.
【００３６】図１２及び１３は電子源基板への電子放出
素子の形成工程を示すものである。以下図面を参照しな
がらこの基板の製造方法を説明する。最初に図１２を参
照しながら、本発明の電子放出基板パネルの製造方法の
一例を説明する。まず、よく洗浄された基板９上に金属
材料からなる導電性薄膜を形成し、そのパターンをフォ
トリソグラフィーによって微細加工し、一対の素子電極
１，２を多数形成する。ここで、基板９としては、石英
ガラス、Ｎａなどの不純物含有量を減少したガラス、青
板ガラス、青板ガラスにスパッタ法あるいはＣＶＤ法な
どにより形成したＳｉＯ2を積層した基板など、及びア
ルミナ等のセラミック等が挙げられる。FIGS. 12 and 13 show a process of forming an electron-emitting device on an electron source substrate. Hereinafter, a method for manufacturing the substrate will be described with reference to the drawings. First, an example of a method for manufacturing an electron emission substrate panel of the present invention will be described with reference to FIG. First, a conductive thin film made of a metal material is formed on a well-cleaned substrate 9, and the pattern is finely processed by photolithography to form a large number of a pair of device electrodes 1 and 2. Here, as the substrate 9, quartz glass, glass having a reduced impurity content such as Na, blue plate glass, a substrate obtained by laminating SiO2 formed on a blue plate glass by a sputtering method or a CVD method, a ceramic such as alumina, etc. Is mentioned.
【００３７】電極１、２の形成方法としては、真空蒸着
法、スパッタリング法、プラズマＳＶＤ法等の真空系を
用いて成膜した後にリソグラフィー法でパターニングし
てエッチングする方法や、有機金属を含有するＭＯペー
ズトをガラス凹板を使ってオフセット印刷する方法を選
択することができる。素子電極１、２の材料としては導
電性を有するものであればどのようなものでもあっても
かまわないが、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金属あるいは合金、
及びＰｄ、Ａｇ、Ａｕ、ＲｕＯ2、Ｐｄ−Ａｇ等の金属
あるいは金属酸化物とガラスなどから構成される印刷導
体、及びポリシリコン等の半導体材料、及びＩｎ2Ｏ3−
ＳｎＯ2等の透明導電体等が挙げられる（図１２
（ａ））。As a method for forming the electrodes 1 and 2, a method of forming a film using a vacuum system such as a vacuum deposition method, a sputtering method, a plasma SVD method, and then patterning and etching by a lithography method, or a method containing an organic metal is used. It is possible to select a method of offset printing the MO page using a glass concave plate. The material of the device electrodes 1 and 2 may be any material as long as it has conductivity. For example, Ni, Cr, Au, Mo, W,
Metals or alloys such as Pt, Ti, Al, Cu, Pd,
A printed conductor composed of a metal such as Pd, Ag, Au, RuO2, Pd-Ag or a metal oxide and glass; a semiconductor material such as polysilicon; and In2O3-.
A transparent conductor such as SnO2 can be used (FIG. 12).
(A)).
【００３８】次にＹ方向配線４として導電性ペーストを
印刷形成する。この時Ｙ方向配線４は素子電極２と接続
するように形成する。配線は膜厚が厚いほうが電気抵抗
を低減できるため有利である。そのため厚膜印刷法、特
にスクリーン印刷法を用いるのが好ましく、銀、金、
銅、ニッケル等の導電性ペーズトを用いることができ
る。より高精細なパターニングが要求された場合には、
感光性ペーストを用いて大まかなパターンをスクリーン
印刷によって形成た後に、露光。現像することによって
良好な配線が得られる。なお、所望のパターンを形成し
た後にはペースト中のビヒクル成分を除去するために、
そのペースト、使用ガラス基板の熱特性に応じた温度
（４００〜６５０℃）で焼成される（図１２（ｂ））。Next, a conductive paste is printed and formed as the Y-direction wiring 4. At this time, the Y-directional wiring 4 is formed so as to be connected to the element electrode 2. A thicker wiring is advantageous because the electrical resistance can be reduced. Therefore, it is preferable to use a thick film printing method, especially a screen printing method, and silver, gold,
Conductive paste such as copper and nickel can be used. When higher definition patterning is required,
Exposure after forming a rough pattern by screen printing using a photosensitive paste. Good wiring can be obtained by developing. After forming the desired pattern, to remove the vehicle components in the paste,
The paste is fired at a temperature (400 to 650 ° C.) according to the thermal characteristics of the glass substrate to be used (FIG. 12B).
【００３９】次に、層間絶縁膜５をＸ方向配線とＹ方向
配線の交差部に形成する。この層間絶縁膜は、例えば酸
化鉛を主成分とするガラス物質、例えば、ＰｂＯ、Ｂ2
Ｏ3、ＺｎＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等から適宜選ばれる成
分の混合物で形成される。厚さは、絶縁性を確保できれ
ば特に制限はないが、通常は１０〜１００μｍ、好まし
くは２０〜５０μｍである。この層間絶縁膜の形成は、
酸化鉛を主成分とするフリットガラス、エチルセルロー
スなどの適当なポリマー及び有機溶剤からビヒクルとを
混合してなるペーストをスクリーン印刷等により所定位
置塗布した後焼成して行う。なお、層間絶縁膜は、少な
くともＹ方向配線とＸ方向配線の交差部を被覆すればよ
いので、その形状は図１２に限るものではない（図１２
（ｃ））。Next, an interlayer insulating film 5 is formed at the intersection of the X-direction wiring and the Y-direction wiring. The interlayer insulating film is made of a glass material containing, for example, lead oxide as a main component, for example, PbO, B 2
It is formed of a mixture of components appropriately selected from O 3 , ZnO, Al 2 O 3 , SiO 2 and the like. The thickness is not particularly limited as long as insulation can be ensured, but is usually 10 to 100 μm, preferably 20 to 50 μm. The formation of this interlayer insulating film
A paste obtained by mixing a vehicle with a suitable polymer such as frit glass or ethyl cellulose containing lead oxide as a main component and an organic solvent is applied by screen printing or the like, followed by baking. The shape of the interlayer insulating film is not limited to that shown in FIG. 12 since it is sufficient to cover at least the intersection between the Y-direction wiring and the X-direction wiring.
(C)).
【００４０】次に、Ｘ方向配線６を層間絶面膜上に形成
する。この配線も電気抵抗を低減したほうが有利である
ため、膜厚を厚く形成できる厚膜印刷法を用いるのが好
適である。そこでＹ方向配線形成と同じようにしてスク
リーン印刷法で導電ペーストを用い、配線を形成した後
焼成する。なお、このとき各配線を素子２と接続する
（図１２（ｄ））。次に、導電性薄膜３を形成する。材
料の具体例を挙げるならば、Ｐｔ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、
Ｔｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔａ、
Ｗ、Ｐｄ等の金属、ＰｄＯ、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、Ｐｂ
Ｏ、Ｓｂ2Ｏ3等の酸化物、ＨｆＢ2、ＺｒＢ2、ＬａＢ
6、ＣｅＢ6、ＹＢ4、ＧｄＢ4等のホウ化物、ＴｉＣ、Ｚ
ｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、ＳｉＣ、ＷＣ等の炭化物、Ｔｉ
Ｎ、ＺｒＮ、ＨｆＮ等の窒化物、Ｓｉ、Ｇｅ等の半導
体、カーボン、ＡｇＭｇ、ＮｉＣｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等であ
り、微粒子膜からなる。なお、ここで述べる微粒子膜と
は複数の微粒子が集合した膜であり、その微細構造とし
て、微粒子が個々に分散配置した状態のみならず、微粒
子が互いに隣接、あるいは重なり合った状態（島状も含
む）の膜を指す。Next, an X-directional wiring 6 is formed on the interlayer insulating film. Since it is more advantageous for this wiring to reduce the electric resistance, it is preferable to use a thick film printing method which can form a thick film. Therefore, in the same manner as in the formation of the Y-direction wiring, a conductive paste is used by a screen printing method, and after forming the wiring, firing is performed. At this time, each wiring is connected to the element 2 (FIG. 12D). Next, the conductive thin film 3 is formed. Specific examples of materials include Pt, Ru, Ag, Au,
Ti, In, Cu, Cr, Fe, Zn, Sn, Ta,
Metals such as W and Pd, PdO, SnO2, In2O3, Pb
Oxides such as O and Sb2O3, HfB2, ZrB2, LaB
6, borides such as CeB6, YB4, GdB4, TiC, Z
Carbides such as rC, HfC, TaC, SiC, WC, Ti
Nitride such as N, ZrN, HfN, etc., semiconductor such as Si, Ge, carbon, AgMg, NiCu, Pb, Sn, etc., and are composed of a fine particle film. The fine particle film described here is a film in which a plurality of fine particles are aggregated, and has a fine structure not only in a state in which the fine particles are individually dispersed and arranged, but also in a state in which the fine particles are adjacent to each other or overlapped (including an island shape). ).
【００４１】これらの電子放出部形成用は薄膜を形成す
る手段としては良くバブルジェット方式が用いられる。
これは原理・構成として非常に簡単であり、高速化、液
滴の微小化が容易であるなどの多くの利点を持つ為であ
る。実際には、前述の導電性材料を含む有機金属化合物
の溶液を所定の位置にのみ液滴として付与し乾燥させた
後、加熱処理により有機金属化合物を熱分解することに
より、金属あるいは金属酸化物などの微粒子からなる導
電性薄膜が形成される（図１３）。For forming these electron-emitting portions, a bubble jet method is often used as a means for forming a thin film.
This is because it is very simple in principle and configuration, and has many advantages such as high speed and easy miniaturization of droplets. In practice, a solution of an organometallic compound containing the above-described conductive material is applied as droplets only to predetermined positions and dried, and then the organometallic compound is thermally decomposed by a heat treatment to obtain a metal or metal oxide. Thus, a conductive thin film made of fine particles such as the above is formed (FIG. 13).
【００４２】図１４はフェースプレートをリアプレート
側から見た平面図であり、図１５は図１４のＡ−Ａで断
面である。これらに図示されたフェースプレートは例え
ば次のような操作により得ることができる。まず、ソー
ダライムガラス（青板ガラス）、あるいは青板ガラスと
熱膨張率のほぼ等しい高歪点ガラスからなる基板６１上
に、まず、無機の黒色含量を含むガラスペーストを用い
て、格子状のブラックマトリクス６２をスクリーン印刷
により形成する。ブラックマトリクスの材料は、カーボ
ン含有ペーストなど、導電性を有する材料を用いても良
い。次に、ブラックマトリクス６２の開口部分にＲ、
Ｇ、Ｂの３原色蛍光体パターン（６３−Ｒ、６３−Ｇ、
６３−Ｂ）をスクリーン印刷により形成する。次に、印
刷ペースト中の有機バインダを焼失（例えば４３０℃）
させた後、ＣＲＴなどで通常用いられているフィルミン
グ処理（蛍光体上にアクリル系薄膜を形成する処理）を
行い、例えば厚さ１０００Å〜２０００Åのアルミニウ
ム薄膜を蒸着により成膜する。その後、４３０℃で焼成
し、アルミニウム薄膜と蛍光体間にあるアクリル系薄膜
を焼失させ、１０００Å〜２０００Åのアルミニウム薄
膜からなるメタルバック６４が形成される。FIG. 14 is a plan view of the face plate viewed from the rear plate side, and FIG. 15 is a cross section taken along line AA of FIG. The face plates shown in these figures can be obtained, for example, by the following operations. First, on a substrate 61 made of soda lime glass (blue plate glass) or a high strain point glass having a thermal expansion coefficient almost equal to that of blue plate glass, first, using a glass paste containing an inorganic black content, a lattice black matrix is used. 62 is formed by screen printing. As the material of the black matrix, a conductive material such as a carbon-containing paste may be used. Next, R,
G, B three primary color phosphor patterns (63-R, 63-G,
63-B) is formed by screen printing. Next, the organic binder in the printing paste is burned out (for example, 430 ° C.).
After that, a filming process (a process of forming an acrylic thin film on a phosphor) usually used in a CRT or the like is performed, and an aluminum thin film having a thickness of, for example, 1000 to 2000 mm is formed by vapor deposition. Then, it is baked at 430 ° C. to burn off the acrylic thin film between the aluminum thin film and the phosphor, thereby forming a metal back 64 made of an aluminum thin film of 1000 to 2000 °.
【００４３】上記の画像形成装置における画像表示パネ
ルとしては、種々の構成のものが利用できるが、例え
ば、図１７に示す構成のものを挙げることができる。こ
の表示パネルは、表面伝導型電子源基板を、ガラス材か
らなるリアプレート４００５、支持枠（枠部材）４００
７、フェースプレート４０００の中に収め、各部材の所
定の接合部をを接着して、リアプレート４００５とフェ
ースプレート４０００の間に形成された空間を密閉した
構成を有する。この密閉には例えば、フリットガラス等
が用いられる。フェースプレート４０００の内側には、
メタルバック４００６（詳細は不図示）と、蛍光体４０
０８が配置してあり、メタルバック４００９に接続され
た高圧端子４０１１が画像形成装置外部に引き出され、
高圧端子には高圧電源４０１０が接続されている。また
表面伝導型電子源基板４００１上に形成された列方向配
線４００３、行方向配線４００４は、画像形成装置外部
に延びるＸ方向端子ＤＸ１等、Ｙ方向端子ＤＹ１等にそ
れぞれ接続されており、これらの配線により電子放出素
子４００２からの電子の放出を画像情報に応じて制御し
てフェースプレートでの画像表示が行われる。なお、電
子源基板の強度等が十分なものであれば、電子源基板に
リアプレートの機能を兼用させることができる。As the image display panel in the above image forming apparatus, various configurations can be used. For example, the configuration shown in FIG. 17 can be used. This display panel comprises a rear plate 4005 made of a glass material, a support frame (frame member) 400 and a surface conduction electron source substrate.
7. It has a configuration in which the space between the rear plate 4005 and the face plate 4000 is hermetically sealed by adhering predetermined joints of the members to the face plate 4000 and bonding the members together. For this sealing, for example, frit glass or the like is used. Inside the face plate 4000,
A metal back 4006 (details not shown) and a phosphor 40
08, the high-voltage terminal 4011 connected to the metal back 4009 is drawn out of the image forming apparatus,
A high voltage power supply 4010 is connected to the high voltage terminal. Further, the column direction wiring 4003 and the row direction wiring 4004 formed on the surface conduction type electron source substrate 4001 are respectively connected to the X direction terminal DX1 and the like and the Y direction terminal DY1 and the like extending outside the image forming apparatus. The emission of electrons from the electron-emitting device 4002 is controlled by wiring according to image information, and an image is displayed on the face plate. If the electron source substrate has sufficient strength and the like, the electron source substrate can also serve as a rear plate.
【００４４】[0044]
【実施例】以下、本発明で用い得る各部の構成における
実施例等について説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The embodiments of the components of the present invention will be described below.
【００４５】（構成１）表示パネルの内部は上記のよう
に所定の真空度が維持されるように外界に対して密封さ
れた状態にある。更に、この内部の真空度を維持する目
的でゲッタが配置されるのが一般的である。また、この
内部が真空となることで表示パネル自体の大気圧に対す
る十分な耐性を確保するための各種の手段や方法をとる
必要が生じる場合がある。そのような場合においては、
例えば、リアプレートとフェースプレートとの間に構造
上の強度を高める目的でスペーサーを配置することで、
大気圧に対する強度を向上させることができる。(Configuration 1) The inside of the display panel is sealed from the outside so as to maintain a predetermined degree of vacuum as described above. Further, a getter is generally arranged for the purpose of maintaining the inside vacuum. In addition, when the inside is evacuated, it may be necessary to take various means and methods for securing sufficient resistance of the display panel itself to the atmospheric pressure. In such cases,
For example, by arranging a spacer between the rear plate and the face plate for the purpose of increasing structural strength,
Strength against atmospheric pressure can be improved.
【００４６】まず、このスペーサと電子放出素子から放
出された電子との関係を図２５を用いて説明する。図２
５において、３０はフェースプレート、２０はスペー
サ、４１はスペーサ電極、１３は配線、１１１は電子放
出部、３１は電子源の形成されたリアプレート基板、１
１２は電子軌道、２５は等電位線を示す。スペーサ２０
の帯電により電子はスペーサ側に吸引される。これを、
補正するために、スペーサ電極４１をスペーサ２０に形
成し、スペーサ近傍の電子放出部１１１付近の電位を補
正することにより、電子放出部付近での電子の軌道をス
ペーサ２０から反発する方向にし、電子をフェースプレ
ート３０の正規の位置に到達させることが可能である。First, the relationship between the spacer and the electrons emitted from the electron-emitting device will be described with reference to FIG. FIG.
In 5, 5, 30 is a face plate, 20 is a spacer, 41 is a spacer electrode, 13 is a wiring, 111 is an electron emitting portion, 31 is a rear plate substrate on which an electron source is formed, 1
12 indicates an electron orbit, and 25 indicates an equipotential line. Spacer 20
The electrons are attracted to the spacer side by the electrification. this,
For correction, a spacer electrode 41 is formed on the spacer 20 and the potential near the electron emitting portion 111 near the spacer is corrected so that the trajectory of the electron near the electron emitting portion is repelled from the spacer 20 so that the electron is repelled. Can reach the regular position of the face plate 30.
【００４７】そこで、本構成では、そのようなスペーサ
ーとゲッタとの配置における一例としては、ゲッタ材が
配線電極上に配置される構成であって、且つ支持部材を
ゲッタの上に配置させない構成をとるものである。その
実施例について以下に述べる。Therefore, in the present configuration, as an example of such an arrangement of the spacer and the getter, a configuration in which the getter material is disposed on the wiring electrode and the support member is not disposed on the getter is described. Take it. The embodiment will be described below.
【００４８】（実施例１）構成１の第１の実施例を図１
８を用いて説明する。図１８において、３０はフェース
プレート（蛍光体、メタルバック等は省略してある）、
２０はスペーサ、４１は電子源基板側形成されたスペー
サ電極、１３は配線、４２はスペーサと接続される配
線、１１１は電子放出部、３１は電子源の形成されたリ
アプレート基板、１１２は電子軌道、２５は等電位線、
１０１はゲッタを示す。スペーサ２０の帯電により吸引
される電子の電子軌道補正するために、スペーサ上に形
成された電極４１の高さａをゲッタ上面までの高さｂよ
りもより大きくする。ａの大きさは、ゲッタ上面までの
高さｂ、画像形成装置の構造、駆動条件、高抵抗膜の帯
電除去の能力により任意に選択することが可能である
が、帯電で電子がスペーサ２０側に引き寄せられること
に対する電子軌道補正を行うには、少なくともａ＞ｂで
あることが必要である。更に０≦ａ−ｂ≦１００μｍで
あるのが好ましい。ただし、スペーサの帯電を除去でき
る状況ではａとｂは略等しい値を選択することが可能で
ある。また、ゲッタ上面までの高さｂについても任意の
値を選択することが可能である。また、スパッタ形成、
溶射形成等の各種製法を適用することができる。(Embodiment 1) The first embodiment of the configuration 1 is shown in FIG.
8 will be described. In FIG. 18, 30 is a face plate (phosphor, metal back, etc. are omitted),
20 is a spacer, 41 is a spacer electrode formed on the electron source substrate side, 13 is a wiring, 42 is a wiring connected to the spacer, 111 is an electron emitting portion, 31 is a rear plate substrate on which an electron source is formed, and 112 is an electron. Orbit, 25 is equipotential line,
Reference numeral 101 denotes a getter. In order to correct the electron trajectory of the electrons attracted by the charging of the spacer 20, the height a of the electrode 41 formed on the spacer is made larger than the height b to the upper surface of the getter. The size of a can be arbitrarily selected depending on the height b to the upper surface of the getter, the structure of the image forming apparatus, the driving conditions, and the ability to remove the charge of the high-resistance film. In order to perform the electron trajectory correction for being attracted to, it is necessary that at least a> b. Further, it is preferable that 0 ≦ ab ≦ 100 μm. However, it is possible to select substantially equal values of a and b in a situation where the charging of the spacer can be removed. Also, an arbitrary value can be selected for the height b to the upper surface of the getter. Also, sputtering formation,
Various manufacturing methods such as thermal spraying can be applied.
【００４９】この構成においては、ゲッタをスペーサの
配置する部分に形成しないことにより、表面をスペーサ
で覆われることなく、単位長さ当たりの露出面積が増大
し原料の使用効率をあげることができる。また、ゲッタ
１０１にスペーサから力が加わらないため、スペーサ組
立工程時や真空排気後にゲッタの破壊、欠落が起こりに
くい効果がある。また、一般に電子軌道はスペーサの電
子源基板側の電場の影響を強く受けるため、スペーサの
下にゲッタを形成しないことにより、ゲッタの製法にお
いて、精密な高さ制御を行いにくい製法も適用できる効
果もある。In this configuration, since the getter is not formed in the portion where the spacer is arranged, the surface is not covered with the spacer, the exposed area per unit length is increased, and the use efficiency of the raw material can be improved. Further, since no force is applied to the getter 101 from the spacer, there is an effect that the getter is less likely to be broken or dropped during the spacer assembling process or after evacuation. In addition, since the electron orbit is generally strongly affected by the electric field on the electron source substrate side of the spacer, by not forming a getter under the spacer, it is possible to apply a manufacturing method in which precise height control is difficult in the getter manufacturing method. There is also.
【００５０】この構成により、ゲッター膜を画像形成装
置の表示領域内に、スペーサ近傍の電子軌道の乱れを生
じることなく形成することが容易となり、輝度の経時的
変化（経時的低下）が少なくかつビームずれが少ない高
品質の画像形成装置の提供が可能となった。With this configuration, it is easy to form the getter film in the display area of the image forming apparatus without disturbing the electron trajectory in the vicinity of the spacer, and there is little change over time (decrease over time) in luminance. It has become possible to provide a high-quality image forming apparatus with less beam shift.
【００５１】電子放出部付近の電子軌道補正は各種の方
法を適用することが可能である。上述のスペーサ電極の
高さを大きくする方法の他、スペーサと接続する配線の
高さを大きくすることも可能である。配線は、電子源基
板にフォトリソグラフィ法を用いたパターニングやスク
リーン印刷等の精度の高い形成方法を用いて一括形成す
ることが可能であり、この方法を用いた場合には、電子
放出部に対しての位置ずれをより小さくすることが可能
である。Various methods can be applied for correcting the electron trajectory near the electron emitting portion. In addition to the above-described method of increasing the height of the spacer electrode, it is also possible to increase the height of the wiring connected to the spacer. The wiring can be formed collectively on the electron source substrate by using a high-precision forming method such as patterning using photolithography or screen printing. It is possible to further reduce all the positional deviations.
【００５２】配線材料としては、各種導電材料を適用す
ることができる。例えば、スクリーン印刷法を用いて配
線を形成する場合には、金属とガラスペーストと混合さ
せた塗布材料、また、めっき法を用いて金属を析出させ
る場合には、めっき浴材料が適用可能である。スペーサ
と接続する近傍の高くなった配線部は、高さ補正する部
分とその下に形成され部分が電気的に接続されていれ
ば、他の配線と同じ高さ分は他配線と同様の方法を用い
て一括形成し、高さ補正する分のみ他の製法を適用可能
である。また、スペーサの形状としては、板状の他に円
柱等の各種形状を適用することが可能である。As the wiring material, various conductive materials can be used. For example, when wiring is formed using a screen printing method, a coating material mixed with a metal and a glass paste, and when a metal is deposited using a plating method, a plating bath material is applicable. . As for the raised wiring portion near the connection with the spacer, if the portion to be height-corrected and the portion formed thereunder are electrically connected, the same height as other wiring is used in the same way as other wiring And other manufacturing methods can be applied only for the height correction. Further, as the shape of the spacer, it is possible to apply various shapes such as a column in addition to a plate shape.
【００５３】図１９は、この実施例を適用した表示パネ
ルの斜視図であり、内部構造を示すためにパネルの一部
を切り欠いて示している。図中、３１１５はリアプレ−
ト、３１１６は側壁、３１１７はフェ−スプレ−トであ
り、３１１５〜３１１７により表示パネルの内部を真空
に維持するための気密容器を形成している。FIG. 19 is a perspective view of a display panel to which this embodiment is applied, and a part of the panel is cut away to show the internal structure. In the figure, 3115 is a rear press.
Reference numeral 3116 denotes a side wall, 3117 denotes a face plate, and 3115 to 3117 form an airtight container for maintaining the inside of the display panel at a vacuum.
【００５４】図１８の構成は例えば以下のようにして得
ることができる。列方向配線（図示せず）および絶縁層
（図示せず）を電子源基板３１形成した後、Ａｇベース
トをスクリーン印刷法により塗布し、行方向配線１３を
形成した。、各配線幅は３００μmとして形成した。ま
た、スペーサ２０の厚みは２２０μmにし、形成したス
ペーサ電極４１の厚み０．２μmの厚で形成した。ま
た、本実施例に用いたゲッタ１０１は以下の様にして形
成した。ゲッタ形成は、配線形成後に行っており、マス
クを用いて、行方向配線１３の上に、減圧プラズマ溶射
法により非蒸発型ゲッターを成膜した。なお、成膜は、
低圧アルゴン雰囲気中で行い、ゲッター材料は日本ゲッ
ターズ株式会社製のＺｒ−Ｖ−Ｍｎ−Ａｌの組成の合金
であるＨＳ−４０５（３２５ｍｅｓｈ）粉末を用いた。
本実施例において形成されたゲッター材の膜厚は、平均
して４０μ程度である。また、ゲッタ１０１の形成領域
はスペーサの幅と同程度もしくは、若干小さく形成する
ことが望ましい。これは、配線からはみ出して、電子軌
道が大きく偏向されるのを防ぐためであり、任意の値を
選択することが可能である。The structure shown in FIG. 18 can be obtained, for example, as follows. After forming the column wiring (not shown) and the insulating layer (not shown) on the electron source substrate 31, Ag base was applied by a screen printing method to form the row wiring 13. Each wiring width was formed to be 300 μm. The thickness of the spacer 20 was 220 μm, and the thickness of the formed spacer electrode 41 was 0.2 μm. The getter 101 used in this example was formed as follows. The getter was formed after the wiring was formed, and a non-evaporable getter was formed on the row wirings 13 by a reduced pressure plasma spraying method using a mask. In addition, film formation
The test was performed in a low-pressure argon atmosphere, and HS-405 (325 mesh) powder, which is an alloy having a composition of Zr-V-Mn-Al manufactured by Nippon Getters Co., Ltd., was used.
The thickness of the getter material formed in this embodiment is about 40 μ on average. It is desirable that the formation region of the getter 101 is formed to be approximately the same as or slightly smaller than the width of the spacer. This is to prevent the electron orbit from protruding from the wiring and being largely deflected, and an arbitrary value can be selected.
【００５５】なお、この例では、スペーサの長さと略同
じ長さでゲッタを形成したが、スペーサが配置される配
線上のスペーサのない部分にもゲッタを形成することも
可能である。この様子を図２０に示す。図２０に於い
て、スペーサの下にはゲッタは形成しておらず、より大
容量のゲッタが必要な場合に適用される。In this example, the getter is formed with a length substantially equal to the length of the spacer. However, it is also possible to form the getter on a portion of the wiring on which the spacer is arranged without the spacer. This is shown in FIG. In FIG. 20, no getter is formed below the spacer, and this is applied when a larger capacity getter is required.
【００５６】（実施例２）構成１の第２実施例を図２１
にパネルの断面図として示す。この構成は、スペーサ２
０の電子源基板側の電極４２はスペーサの端面のみに形
成し、スペーサの配置される配線４２の高さを高くする
ことにより、電子軌道の補正を行っている。なお、他の
構成は上記の第１の例と同様である。(Embodiment 2) A second embodiment of the configuration 1 is shown in FIG.
Fig. 2 shows a sectional view of the panel. This configuration is similar to spacer 2
The electrode 42 on the electron source substrate side of 0 is formed only on the end face of the spacer, and the electron trajectory is corrected by increasing the height of the wiring 42 on which the spacer is disposed. The other configuration is the same as in the first example.
【００５７】ここで、列方向配線４２の形成方法につい
て説明する。この例では、行方向配線（図示せず）およ
び絶縁層（図示せず）を電子源基板３１形成した後、Ａ
ｇベーストをスクリーン印刷法により塗布し、行方向配
線１３を形成した。また、スペーサと接続される行方向
配線４２は、他の行方向配線１３と同様に形成したあ
と、さらにスクリーンを変えて、この配線部４２のみに
多層印刷することにより形成した。本例においては、２
０μmの厚さで各行方向配線１３を形成した後、さらに
３回の印刷をを行い２５μmの高さの補正量とした。ま
た、各配線幅は３００μmとして形成した。また、スペ
ーサ２０の厚みは２５０μmにし、端部に形成したスペ
ーサ電極４１の厚みは１μmの厚で形成した。なお、端
面への電極塗布はディスペンサを用いて行い、約１５０
μm幅でＡｇペーストを塗布し、４５０℃で焼成するこ
とによりスペーサ電極４１を形成した。Here, a method of forming the column wiring 42 will be described. In this example, after forming a row direction wiring (not shown) and an insulating layer (not shown) on the electron source substrate 31,
The g-base was applied by a screen printing method to form the row direction wiring 13. The row wirings 42 connected to the spacers were formed in the same manner as the other row wirings 13, and then the screen was changed to perform multi-layer printing only on the wiring portions 42. In this example, 2
After forming each row-direction wiring 13 with a thickness of 0 μm, printing was performed three more times to obtain a correction amount of a height of 25 μm. The width of each wiring was 300 μm. The thickness of the spacer 20 was 250 μm, and the thickness of the spacer electrode 41 formed at the end was 1 μm. The electrode is applied to the end face using a dispenser, and the
An Ag paste was applied in a width of μm and baked at 450 ° C. to form a spacer electrode 41.
【００５８】なお、本例においては、素子ピッチの大き
さは行方向配線間方向には６８０μm、列配線方向には
３００μmピッチとした。また、ａ、ｂは列方向配線及
び絶縁層の厚みを含む高さであり、本例においては、ａ
の大きさは９５μｍ、ゲッタ１０１の厚みは３５μmと
してｂの大きさを６５μｍとした。In this embodiment, the element pitch is 680 μm in the row direction and 300 μm in the column wiring direction. Further, a and b are heights including the thickness of the column wiring and the insulating layer, and in this example, a
Is 95 μm, the thickness of the getter 101 is 35 μm, and the size of b is 65 μm.
【００５９】（実施例３）図２２は、この構成１の第３
の実施例を示す図であり、第１の実施例と同じ構成にお
いてスペーサ２０の表面２２に高抵抗膜を設けなかった
点が異なる。なお、本例においては、素子ピッチの大き
さは行方向配線間方向には８００μm、列配線方向には
６００μmピッチとした。スペーサ電極４１、２３の高
さはいずれも１８０μmとし、ａの大きさは２３０μ
ｍ、ゲッタ１０１の厚みは５０μmとしてｂの大きさを
１００μｍとした。(Embodiment 3) FIG. 22 shows a third embodiment of the configuration 1.
FIG. 13 is a diagram showing the embodiment of the present invention, which is different from the first embodiment in that a high resistance film is not provided on the surface 22 of the spacer 20. In this example, the size of the element pitch was 800 μm in the row direction and the pitch was 600 μm in the column wiring direction. The height of each of the spacer electrodes 41 and 23 is 180 μm, and the size of a is 230 μm.
m, the thickness of the getter 101 was 50 μm, and the size of b was 100 μm.
【００６０】（実施例４）図２３は、第４の実施例を示
す図であり、第１の実施例と同じ構成においてスペーサ
２０に高抵抗膜とフェースプレート側のスペーサ電極を
設けなかった点が異なる。また、本例において、４６の
接続部は導電性フィラーを有しない絶縁性のフリットを
用いている。また、本例に於いては、スペーサに隣接す
る行方向配線１３の上に形成された。ゲッタの形成厚を
他の配線より高くしてある。本例の構成により、スペー
サに隣接する電子源、及びその隣の電子源から放出され
る電子の電子軌道を補正することが可能である。(Embodiment 4) FIG. 23 is a view showing a fourth embodiment, in which a high-resistance film and a spacer electrode on the face plate side are not provided on the spacer 20 in the same configuration as in the first embodiment. Are different. Further, in this example, the connection portion 46 uses an insulating frit having no conductive filler. Further, in this example, it was formed on the row direction wiring 13 adjacent to the spacer. The thickness of the getter is set higher than other wirings. According to the configuration of this example, it is possible to correct the electron trajectory of the electron source adjacent to the spacer and the electron emitted from the electron source adjacent thereto.
【００６１】なお、本例においては、素子ピッチの大き
さは行方向配線間方向には８００μm、列配線方向には
４５０μmピッチとした。スペーサ電極４１の高さはい
ずれも６００μmとし、ａの大きさは６５０μｍ、スペ
ーサに隣接するゲッタの厚みは１００μmとしてｂの大
きさを１５０μｍ、その他のゲッタの厚みは５０μmと
してｃの大きさを１００μｍとした。In the present embodiment, the element pitch is 800 μm in the row direction and 450 μm in the column wiring direction. The height of each of the spacer electrodes 41 is 600 μm, the size of a is 650 μm, the thickness of the getter adjacent to the spacer is 100 μm, the size of b is 150 μm, and the thickness of other getters is 50 μm and the size of c is 100 μm. And
【００６２】（実施例５）図２４は、この構成１の第５
の実施例を示す図であり、第１の実施例と同じ構成にお
いてスペーサに円柱形状スペーサ１０２を用いたもので
ある。図示はしていないが、スペーサ１０２はスペーサ
電極及び高抵抗膜を備えており、以下の様に形成した。
まずスペーサ電極の製法であるが、Ａｇペーストを平板
上にバーコータを用いて均一な厚みに展開する。次に、
この展開したＡｇペーストに円柱スペーサの端面を略垂
直に押し当てることにより、円柱側に電極材であるＡｇ
ペーストを転写した。この円柱を１２０℃で乾燥させた
後、円柱の上下を逆転させて同様にＡｇペーストを転写
し、乾燥後４５０℃で２時間焼成して円柱の上下に電極
を形成した。また、実施例一と同様なスパッタを２回行
うことによりスペーサ１０２の全面に高抵抗膜を形成し
た。なお、ゲッタ１０１等の他の構成材料の形成は第１
の例と同様な方法を用いた。本例においては、素子ピッ
チの大きさは行方向配線間方向には５５０μm、列配線
方向には２５０μmピッチとした。電子源基板側および
フェースプレート側スペーサ電極（図示せず）の高さは
いずれも６０μmとし、ゲッタの厚みは４０μmとした。(Embodiment 5) FIG.
FIG. 9 is a view showing an embodiment of the present invention, in which a columnar spacer 102 is used as a spacer in the same configuration as that of the first embodiment. Although not shown, the spacer 102 includes a spacer electrode and a high-resistance film, and was formed as follows.
First, a method of manufacturing a spacer electrode is as follows. An Ag paste is spread on a flat plate to a uniform thickness using a bar coater. next,
By pressing the end face of the cylindrical spacer substantially perpendicularly to the developed Ag paste, the electrode material Ag
The paste was transferred. After drying the column at 120 ° C., the Ag paste was transferred in the same manner by turning the column upside down, and after drying, baking was performed at 450 ° C. for 2 hours to form electrodes on the top and bottom of the column. Further, a high-resistance film was formed on the entire surface of the spacer 102 by performing the same sputtering twice as in Example 1. The formation of other constituent materials such as the getter 101 is the first method.
The same method as in the example was used. In this example, the element pitch was 550 μm in the row direction and 250 μm in the column wiring direction. The heights of the electron source substrate side and face plate side spacer electrodes (not shown) were both 60 μm, and the thickness of the getter was 40 μm.
【００６３】パネル内厚ｄを１．４ｍｍ、加速電圧を６
ｋＶとして、上述した構成の画像形成装置を駆動したと
ころ、特性劣化が少なく色ずれのない非常に高品位な画
像の提供が本例において可能となった。The inner thickness d of the panel is 1.4 mm and the accelerating voltage is 6
When the image forming apparatus having the above-described configuration was driven at kV, it was possible to provide an extremely high-quality image with little characteristic deterioration and no color shift in this example.
【００６４】以上の構成１では、ゲッタを画面領域内に
配置しゲッタのない位置にスペーサを配置することによ
り、特性劣化が少なく且つ輝度にむらを生じず、色ずれ
の少ない高品位の画像装置を提供することが可能となっ
た。また、電子被照射体は特定せず、マルチ平面電子源
を成す電子発生装置においても同様の効果を発揮でき
る。In the above configuration 1, by arranging the getter in the screen area and arranging the spacer at a position where there is no getter, a high-quality image device with little characteristic deterioration, no unevenness in luminance and little color shift is obtained. It became possible to provide. In addition, the same effect can be exerted in an electron generator that forms a multi-plane electron source without specifying the electron irradiation object.
【００６５】（構成２）上記の構成１は更に以下に示す
構成とすることができる。(Structure 2) The structure 1 described above can be further structured as follows.
【００６６】図２６は、この構成を適用した表示パネル
の斜視図であり、内部構造を示すためにパネルの一部を
切り欠いて示している。また、図２７は図２６のＡ−
Ａ’断面の模式図である。各部の番号は図２６に対応し
ている。図中、１０１５はリアプレート、１０１６は側
壁（支持枠）、１０１７はフェースプレートであり、リ
アプレート１０１５、側壁１０１６およびフュースプレ
ート１０１７により、表示パネルの内部を真空に維持す
るための外囲器（気密容器）を形成している。また、気
密容器内部には、大気圧を支えるためのスペーサ１０２
０が設けられている。FIG. 26 is a perspective view of a display panel to which this configuration is applied, and a part of the panel is cut away to show the internal structure. In addition, FIG.
It is a schematic diagram of A 'cross section. The number of each part corresponds to FIG. In the drawing, reference numeral 1015 denotes a rear plate, 1016 denotes a side wall (support frame), and 1017 denotes a face plate. An envelope for maintaining the inside of the display panel at a vacuum by the rear plate 1015, the side wall 1016, and the fuse plate 1017. (Airtight container). Further, a spacer 102 for supporting the atmospheric pressure is provided inside the airtight container.
0 is provided.
【００６７】フェースプレート１０１７には蛍光膜１０
１８及びメタルバック１０１９が形成されている。リア
プレート１０１５には基板１０１１が固定されている
が、この基板１０１１上には冷陰極素子１０１２がＮＸ
Ｍ個形成されており、Ｍ本の行方向（Ｘ方向）配線１０
１３とＮ本の列方向（Ｙ方向）配線１０１４により結線
されている。The fluorescent film 10 is provided on the face plate 1017.
18 and a metal back 1019 are formed. A substrate 1011 is fixed to the rear plate 1015, and a cold cathode element 1012 is NX-mounted on the substrate 1011.
M rows are formed, and M rows (X-directions) of wirings 10
13 and N column-direction (Y-direction) wirings 1014.
【００６８】１０１３はスペーサ１０２０が設置される
行方向配線、１０２１は配線１０１３上に形成された非
蒸発型ゲッタ、１０２２はメタルバックを介してフェー
スプレート１０１７とスペーサ１０２０を接着する接着
剤、１１０１はスペーサ近傍の電子放出素子１０１２か
ら放出された電子の電子軌道、１１０２はスペーサ近傍
の等電位線を示す。Reference numeral 1013 denotes a row-direction wiring on which the spacer 1020 is installed, 1021 denotes a non-evaporable getter formed on the wiring 1013, 1022 denotes an adhesive for bonding the face plate 1017 and the spacer 1020 via a metal back, and 1101 denotes an adhesive. The electron trajectory 1102 of the electron emitted from the electron-emitting device 1012 near the spacer indicates an equipotential line near the spacer.
【００６９】スペーサ１０２０は、薄板状の絶縁牲部材
１の表面に高抵抗膜１１を成膜し、かつフェースプレー
ト１０１７の内側(メタルバック１０１９)及び基板１０
１１の表面（行方向配線１０１３）に面したスペーサの
当接面３に低抵抗膜２１を成膜した部材からなる。薄板
状のスペーサ１０２０は、行方向（Ｘ方向）に沿って配
置されている。高抵抗膜１１は、基板１０１１側では低
抵抗膜２１及び非蒸発型ゲッタ１０２１を介して行方向
配線１０１３と電気的に接続されており、フェースプレ
ート１０１７側では低抵抗膜２１及び接着剤１０２２を
介してメタルバック１０１９と電気的に接続されてい
る。The spacer 1020 is formed by depositing the high-resistance film 11 on the surface of the thin insulating member 1, and forming the spacer 1020 inside the face plate 1017 (metal back 1019) and the substrate 10.
The low resistance film 21 is formed on the contact surface 3 of the spacer facing the surface (row direction wiring 1013) of the substrate 11. The thin plate-like spacers 1020 are arranged along the row direction (X direction). The high-resistance film 11 is electrically connected to the row wiring 1013 via the low-resistance film 21 and the non-evaporable getter 1021 on the substrate 1011 side, and is connected to the low-resistance film 21 and the adhesive 1022 on the face plate 1017 side. It is electrically connected to the metal back 1019 through the intermediary.
【００７０】非蒸発型ゲッタ１０２１及び接着剤１０２
２は、スペーサ１０２０が配線１０１３またはメタルバ
ック１０１９と機械的な当接及び電気的接続を成すに際
して、配線１０１３、メタルバック１０１９及びスペー
サ１０２０間の緩衝機能を有している。Non-evaporable getter 1021 and adhesive 102
2 has a buffering function between the wiring 1013, the metal back 1019 and the spacer 1020 when the spacer 1020 makes mechanical contact and electrical connection with the wiring 1013 or the metal back 1019.
【００７１】すなわち、非常に薄いメタルバック１０１
９が剥がれたり破れてしまうのを防止する効果や、小さ
い比抵抗が要求される配線１０１３aにクラックが入っ
て抵抗が大きくなるのを防止する効果や、脆弱性のある
材料からなるスペーサの場合でスペーサが破損するのを
防止する効果などがある。That is, a very thin metal back 101
9 is prevented from being peeled or torn, an effect is prevented from increasing the resistance due to a crack in the wiring 1013a requiring a low specific resistance, and a spacer made of a fragile material is used. This has the effect of preventing the spacer from being damaged.
【００７２】また、非蒸発型ゲッタ１０２１と接着剤１
０２２は、フェースプレート１０１７側或いは電子源を
なす基板１０１１側のどちらに対して用いても上記の緩
衝効果を得ることが出来る。The non-evaporable getter 1021 and the adhesive 1
The buffering effect can be obtained by using 022 on either the face plate 1017 side or the substrate 1011 side forming an electron source.
【００７３】また、上記緩衝効果は、画像表示のなされ
る領域以外（例えば、配線の引出し部など）においても
当然有効である。The above buffer effect is also effective in areas other than the area where the image is displayed (for example, in the lead-out portion of the wiring).
【００７４】また、スペーサ近傍での電子軌道制御の観
点からは、スペーサ２０の正帯電により吸引される電子
の軌道補正をするために、スペーサ上に形成された電極
２１の高さａをゲッタ上面（ゲッタのない場合は配線上
面）までの高さｂよりもより大きくする。ａの大きさ
は、ゲッタ上面までの高さｂ、画像形成装置の構造、駆
動条件、高抵抗膜の帯電除去の能力により任意に選択す
ることが可能であるが、帯電で電子がスペーサ２０側に
引き寄せられることに対する電子軌道補正を行うには、
少なくともａ＞ｂであることが必要である。ただし、ス
ペーサの帯電を除去できる状況ではaとｂは略等しい値
を選択することが可能である。また、ゲッタ上面までの
高さｂについても任意の値を選択することが可能であ
る。Further, from the viewpoint of electron trajectory control in the vicinity of the spacer, the height a of the electrode 21 formed on the spacer is adjusted to the upper surface of the getter in order to correct the trajectory of electrons attracted by the positive charging of the spacer 20. (If there is no getter, the height is larger than the height b up to the upper surface of the wiring.) The size of a can be arbitrarily selected depending on the height b to the upper surface of the getter, the structure of the image forming apparatus, the driving conditions, and the ability to remove the charge of the high-resistance film. To correct the electron orbit for being attracted to
It is necessary that at least a> b. However, it is possible to select substantially equal values for a and b in a situation where the charging of the spacer can be removed. Also, an arbitrary value can be selected for the height b to the upper surface of the getter.
【００７５】この構成により、ゲッター膜を画像形成装
置の表示領域内に、スペーサ近傍の電子軌道の乱れを生
じることなく形成することが容易となり、輝度の経時的
変化（経時的低下）が少なくかつビームずれが少ない高
品質の画像形成装置の提供が可能となる。また、スペー
サの形状としては、板状の他に円柱等の各種形状を適用
することが可能である。According to this configuration, it is easy to form the getter film in the display area of the image forming apparatus without disturbing the electron trajectory near the spacer, and there is little change over time (decrease over time) in luminance. It is possible to provide a high quality image forming apparatus with less beam shift. Further, as the shape of the spacer, it is possible to apply various shapes such as a column in addition to a plate shape.
【００７６】また、図２７に示されるように外囲器内
に、外囲器内を真空に保つための補助ポンプとして補助
ゲッター１０２３を配置する場合がある。この場合、ゲ
ッター材が画像表示領域中に飛散し、電極間の電気的短
絡を防ぐ目的で、補助ゲッター１０２３と電子放出素子
１０１２、配線群１０１３、１０１４及び及びアノード
電極をなすメタルバック１０１９を含む領域との間に、
遮蔽体１０２４を設けておく場合がある。尚、画像表示
領域に形成されたゲッター１０２１のみで、外囲器内を
十分に真空に保つことができる場合は、補助ゲッター１
０２３並びに遮蔽体１０２４を形成しておかなくともよ
い。As shown in FIG. 27, an auxiliary getter 1023 may be provided in the envelope as an auxiliary pump for keeping the interior of the envelope at a vacuum. In this case, for the purpose of preventing the getter material from scattering in the image display area and preventing an electrical short circuit between the electrodes, the auxiliary getter 1023, the electron-emitting device 1012, the wiring groups 1013 and 1014, and the metal back 1019 forming the anode electrode are included. Between the area
In some cases, a shield 1024 is provided. If the inside of the envelope can be kept sufficiently vacuum by only the getter 1021 formed in the image display area, the auxiliary getter 1
023 and the shield 1024 need not be formed.
【００７７】（実施例１）ここで、本発明のもっとも特
徴的な部分であるゲッタとスペーサの詳細について説明
する。図２８、２９は構成２の実施例を説明するための
図であり、電子線装置をなす表示パネルの断面図であ
る。スペーサ１０２０の低抵抗膜２１は、マスク治具を
用いてスパッタ法によりアルミニウムを約０．１μｍの
厚みだけ成膜し、フェースプレート１０１７側および電
子源基板１０１１側に形成した。電子源基板１０１１側
の低抵抗膜２１は電子源基板１０１１に当接される面３
のみに形成した。次に、高抵抗膜１１として、ＷとＧｅ
の合金窒化膜をアルゴンガスと窒素ガスの混合ガス中で
ＷターゲットとＧｅターゲットを同時スパッタする反応
性スパッタ法により、約０．２μｍの厚さに形成した。
このとき、高抵抗膜１１のシート抵抗値は、約１０の１
０乗［Ω／□］であった。導電性を有するＷとＧｅの合
金窒化膜は我々の研究により帯電防止性に優れているこ
とが確認されている。(Embodiment 1) Here, details of getters and spacers which are the most characteristic parts of the present invention will be described. FIGS. 28 and 29 are views for explaining an example of the configuration 2, and are cross-sectional views of a display panel constituting an electron beam apparatus. The low-resistance film 21 of the spacer 1020 was formed on the face plate 1017 side and the electron source substrate 1011 side by depositing aluminum to a thickness of about 0.1 μm by a sputtering method using a mask jig. The low-resistance film 21 on the electron source substrate 1011 side is a surface 3 that is in contact with the electron source substrate 1011.
Only formed. Next, W and Ge are used as the high resistance film 11.
Was formed to a thickness of about 0.2 μm by a reactive sputtering method in which a W target and a Ge target were simultaneously sputtered in a mixed gas of argon gas and nitrogen gas.
At this time, the sheet resistance value of the high resistance film 11 is about 10-1.
It was the 0th power [Ω / □]. It has been confirmed by our research that a conductive W and Ge alloy nitride film has excellent antistatic properties.
【００７８】なお、本実施例では、全ての行方向配線１
０１３上に行方向配線の長さと略同じ長さで非蒸発型ゲ
ッタ１０２１（幅２００μｍ、厚み４０μｍ）を形成し
た。In this embodiment, all the row wirings 1
A non-evaporable getter 1021 (width 200 μm, thickness 40 μm) was formed on O13 with a length substantially equal to the length of the row direction wiring.
【００７９】本実施例では、列方向配線（図示せず）お
よび絶縁層（図示せず）を電子源基板１０１１上に形成
した後、Ａｇベーストをスクリーン印刷法により塗布
し、行方向配線１０１３（厚み２０μｍ）を形成した。
各配線幅は３００μｍとして形成した。なお、電子放出
素子１０１２の行方向配線方向のピッチは６３０μｍ、
列方向配線方向には３０５μmピッチとした。In this embodiment, after forming the column wiring (not shown) and the insulating layer (not shown) on the electron source substrate 1011, an Ag base is applied by a screen printing method, and the row wiring 1013 ( (Thickness: 20 μm).
Each wiring width was formed to be 300 μm. Note that the pitch of the electron-emitting devices 1012 in the row-direction wiring direction is 630 μm,
The pitch was 305 μm in the column wiring direction.
【００８０】さらに、本実施例においては、スペーサ１
０２０は接着剤１０２２にて、フェースプレート１０１
７に固定した後、電子源基板１０１１とフェースプレー
ト１０１７とを組み立てることにより配置した。なお、
接着剤１０２２には、球状のガラス製絶縁性フィラーに
金属めっきを施したものをフリットガラス中に分散させ
たものを用い、フェースプレート１０１７とフェースプ
レート側低抵抗膜２１との電気的接続とスペーサ１０２
０の固定を行った。Further, in this embodiment, the spacer 1
020 is an adhesive 1022 for the face plate 101
7, the electron source substrate 1011 and the face plate 1017 were arranged by assembling. In addition,
As the adhesive 1022, a material obtained by dispersing metal plating on a spherical glass insulating filler in frit glass is used. The electrical connection between the face plate 1017 and the face plate side low-resistance film 21 and the spacer are used. 102
0 was fixed.
【００８１】（構成３）スペーサの固定については以下
に示す構成をとることができる。(Structure 3) The following structure can be adopted for fixing the spacer.
【００８２】（リアプレートにスペーサを固定する場
合）リアプレート上には素子を駆動するためにマトリッ
クス状、またははしご状に配線が形成される。スペーサ
をリアプレートに固定するときは、フリットガラス等を
用いて、配線の上に固定される。このとき、スペーサと
フェースプレートとの接点はブラックストライプを介し
て行われる。(When the spacer is fixed to the rear plate) Wiring is formed on the rear plate in a matrix or ladder shape for driving the elements. When fixing the spacer to the rear plate, it is fixed on the wiring using frit glass or the like. At this time, the contact between the spacer and the face plate is made via the black stripe.
【００８３】（フェースプレートにスペーサを固定する
場合）また、スペーサがフェースプレートに固定される
ときは、ブラックストライプに、リアプレートと同様フ
リットガラス等で固定される。リアプレートとの接触
は、配線を介して行われる。(When the spacer is fixed to the face plate) When the spacer is fixed to the face plate, it is fixed to the black stripe with frit glass or the like, like the rear plate. The contact with the rear plate is made via wiring.
【００８４】（配線、ブラックストライプの断面）配
線、ブラックストライプは、印刷、フォトリソなどの手
法で形成され、断面は扇状、蒲鉾状、矩形、などの形状
を呈し、スペーサとは、頂点、ライン上、平面で接す
る。(Cross Section of Wiring and Black Stripe) The wiring and black stripe are formed by printing, photolithography, or the like, and have a cross section in the shape of a fan, a trapezoid, or a rectangle. Tangent on a plane.
【００８５】（スペーサの位置ずれの場合の許容範囲）
配線、ブラックストライプが凸状の断面を有する場合に
おいて、以上で述べたように、スペーサはリアプレー
ト、フェースプレートと両者、あるいはいずれかと、配
線、ブラックストライプを介して接続されるが、スペー
サが設置される配線、ブラックストライプとスペーサの
位置ずれが生じてしまうことがある。その結果、スペー
サのずれ量によってスペーサの角と設置台が当たってし
まうため、ずれの許容範囲は以下のようにした。(Permissible range in case of spacer displacement)
When the wiring and the black stripe have a convex cross section, as described above, the spacer is connected to the rear plate and / or the face plate, or both, via the wiring and the black stripe. In some cases, the position of the wiring, the black stripe, and the spacer may be shifted. As a result, the corner of the spacer hits the installation table depending on the amount of displacement of the spacer. Therefore, the allowable range of the displacement is as follows.
【００８６】前記設置台の頂部と前記スペーサの間の位
置ずれを ｘ 、前記スペーサの厚みをｔとすると ｘ < t / 2 とする。（図３０参照）When the displacement between the top of the mounting table and the spacer is x, and the thickness of the spacer is t, x <t / 2. (See FIG. 30)
【００８７】（スペーサの傾きの許容範囲）スペーサ
は、位置ずれだけでなく、傾きも問題となる。設置台に
対して、スペーサの傾きによっては、角に荷重がかかっ
て破損の可能性が生じる。そのため、以下のような許容
範囲に傾きを限定した。スペーサの厚みをｔ、設置台の
曲率半径を R、スペーサの傾き θ とすると、図３１の
ように R sinθ＜ t / 2 となる。(Permissible Range of Inclination of Spacer) Not only the displacement but also the inclination of the spacer poses a problem. Depending on the inclination of the spacer with respect to the mounting table, a load may be applied to the corner, and the possibility of breakage may occur. Therefore, the inclination is limited to the following allowable range. If the thickness of the spacer is t, the radius of curvature of the mounting table is R, and the inclination of the spacer θ, R sin θ <t / 2 as shown in FIG.
【００８８】（スペーサ位置ずれと傾きの許容範囲）さ
らに、位置ずれ、傾きの両方が生じることがある。前記
スペーサの厚みをｔ、設置台の曲率半径を R、スペーサ
の傾きを θ、リアプレートの平面のスペーサの傾いた
方向をx軸としたとき、設置台でのスペーサの位置ずれ
をｘ、とし、スペーサと設置台の接点がスペーサ厚み中
央よりもＸ軸方向に大きいとき R sin|θ| ＜ x ＋ t / 2 であれば、スペーサの角が設置台に接することはない。
（図３２）(Permissible Range of Spacer Displacement and Inclination) Further, both displacement and inclination may occur. When the thickness of the spacer is t, the radius of curvature of the mounting table is R, the inclination of the spacer is θ, and the direction of inclination of the spacer on the plane of the rear plate is x axis, the displacement of the spacer on the mounting table is x. When the contact between the spacer and the mounting table is larger than the center of the spacer thickness in the X-axis direction, if R sin | θ | <x + t / 2, the corner of the spacer does not contact the mounting table.
(FIG. 32)
【００８９】なお、スペーサの厚みをｔ、設置台の曲率
半径を R、スペーサの傾きをθ、リアプレートの平面の
スペーサの傾いた方向をx軸としたとき、設置台でのス
ペーサの位置ずれをｘとし、スペーサと設置台の接点が
スペーサ厚み中央と設置台の頂点の間にあるとき R sin|θ| ＞ x ― t / 2 を満たせば、スペーサの角が設置台に接するのを避ける
ことができる。（図３３）When the thickness of the spacer is t, the radius of curvature of the mounting table is R, the inclination of the spacer is θ, and the direction of inclination of the spacer on the plane of the rear plate is the x-axis, the displacement of the spacer on the installation table. Is x, and when the contact point between the spacer and the mounting table is between the center of the spacer thickness and the top of the mounting table, if R sin | θ |> x-t / 2 is satisfied, the corner of the spacer will not touch the mounting table be able to. (FIG. 33)
【００９０】（スペーサにＲをつける方法）スペーサの
ずれ、傾きを抑えるほかに、スペーサの角を丸くし、荷
重の集中を小さくすることも可能である。小さくとも、
Ｒの大きさは10μｍが望ましく、スペーサの強度、配
線、ブラックストライプなどの幅、曲率によって好適な
Ｒを使用する。（図３４）(Method of Adding R to Spacer) In addition to suppressing the displacement and inclination of the spacer, it is also possible to round the corner of the spacer to reduce the concentration of the load. Even if small,
The size of R is desirably 10 μm, and a suitable R is used depending on the strength of the spacer, the width of the wiring and the black stripe, and the curvature. (FIG. 34)
【００９１】（スペーサより広い幅の平面を有する設置
台の場合）前記スペーサに接触する接触部に前記スペー
サより広い幅の平面を有する設置台において、スペーサ
が垂直に設置されているとき、スペーサの厚みをｔ、前
記スペーサの位置ずれを ｘ、設置台の平面部の幅を ｗ
とすると、スペーサの中央が設置台からはずれる場合 ｘ ＜ ｗ / 2 ＋ t / 2 の条件によって、スペーサの角と設置台との干渉を抑え
ることができる。（図３５）(In the case of a mounting table having a plane wider than the spacer) In a mounting table having a plane wider than the spacer at a contact portion contacting the spacer, when the spacer is installed vertically, The thickness is t, the displacement of the spacer is x, and the width of the flat part of the mounting table is w.
Then, when the center of the spacer deviates from the installation table, interference between the corner of the spacer and the installation table can be suppressed under the condition of x <w / 2 + t / 2. (FIG. 35)
【００９２】以上述べたような条件を満たすことによ
り、大気圧によるスペーサの破損を抑えることができ
る。By satisfying the conditions described above, it is possible to prevent the spacer from being damaged by the atmospheric pressure.
【００９３】以上の構成３の実施例を以下に示す。An embodiment of the above configuration 3 will be described below.
【００９４】（実施例１） （傾きと位置ずれの許容範囲の設定）本実施例では、前
述した図１８に示した表示パネルを作製した。(Example 1) (Setting of allowable range of inclination and displacement) In this example, the display panel shown in FIG. 18 was manufactured.
【００９５】（電子源作製）まず、あらかじめ基板１０
１１上に行方向配線１０１３、列方向配線１０１４、電
極間絶縁層および表面伝導型電子放出素子１０１２の素
子電極と導電性薄膜を形成した。(Preparation of Electron Source) First, the substrate 10
On row 11, a row direction wiring 1013, a column direction wiring 1014, an interelectrode insulating layer, and device electrodes of a surface conduction electron-emitting device 1012 and a conductive thin film were formed.
【００９６】（スペーサ基板の作製）次に、ソーダライ
ムガラスからなる絶縁性部材からなるスペーサ１（40mm
×2mm×0.2mm）を作製した。(Production of Spacer Substrate) Next, the spacer 1 (40 mm) made of an insulating member made of soda lime glass was used.
× 2 mm × 0.2 mm).
【００９７】（スペーサの高抵抗膜と電極成膜）スペー
サ表面のうち、気密容器の画像領域内にかかる４面（40
×2、40×0.2の各表裏面）に後述の高抵抗膜１１を成膜
し、フェースプレート、リアプレートに当接する２面
（40×0.2の２面）および、40×2の面のフェースプレー
ト、リアプレートに接する辺から０.1mmの高さまでの領
域（40×0.1）に導電性膜を形成した。高抵抗膜として
は、Ｃｒおよび Ａｌのターゲットを高周波電源で同時
スパッタすることにより形成したＣｒ− Ａｌ 合金窒化
膜（200 nm厚、 約1e9[Ω/□]）を用いた。導電性膜
は、スペーサに成膜された高抵抗膜とフェースプレー
ト、高抵抗膜とリアプレートの電気的接続を確保する目
的のほかに、スペーサ周辺の電場を制御し電子放出素子
からの電子線の軌道制御を行う目的がある。(Deposition of a high-resistance film and an electrode of the spacer) On the surface of the spacer, four surfaces (40
A high-resistance film 11 to be described later is formed on each of the front and back surfaces of × 2 and 40 × 0.2). A conductive film was formed in a region (40 × 0.1) from the side in contact with the plate and the rear plate to a height of 0.1 mm. As the high-resistance film, a Cr-Al alloy nitride film (200 nm thick, about 1e9 [Ω / □]) formed by simultaneously sputtering Cr and Al targets with a high-frequency power supply was used. The conductive film is used to secure the electrical connection between the high-resistance film formed on the spacer and the face plate, and between the high-resistance film and the rear plate, as well as controlling the electric field around the spacer and electron beams from the electron-emitting device. The purpose is to control the trajectory.
【００９８】（フェースプレートとスペーサ組み立て）
フェースプレートとスペーサ組み立てについて説明す
る。フェースプレートのスペーサが配置される個所にフ
リットを塗布した。その後、スペーサが配置される位置
にスペーサよりわずかに大きな溝を有する治具を、フェ
ースプレートと位置合わせする。そしてスペーサを治具
の溝に挿入し、熱工程を通すことによって前述のフリッ
トによって、スペーサを固定する（図３６）。ここで使
った治具の溝は、スペーサの幅、スペーサの表面の膜の
厚みなどを考慮し、幅250μｍとしてある。(Face plate and spacer assembly)
The assembly of the face plate and the spacer will be described. A frit was applied to the place where the spacer of the face plate was arranged. Thereafter, a jig having a groove slightly larger than the spacer at the position where the spacer is arranged is aligned with the face plate. Then, the spacer is inserted into the groove of the jig, and the spacer is fixed by the above-mentioned frit by passing through a heating process (FIG. 36). The groove of the jig used here has a width of 250 μm in consideration of the width of the spacer, the thickness of the film on the surface of the spacer, and the like.
【００９９】（フェースプレートとリアプレートの封
着）次に、スペーサの固定されたフェースプレートをリ
アプレートに固定する。リアプレート１０１５と側壁１
０１８の接合部およびフェースプレート１０１７と側壁
１０１６の接合部に、フリットガラスを塗布した。そし
てリアプレート１０１５を、フェースプレート１０１７
に側壁１０１６を会して配置し、大気圧中で４００℃乃
至５００℃で１０分以上焼成することで封着した。(Seal of Face Plate and Rear Plate) Next, the face plate to which the spacer is fixed is fixed to the rear plate. Rear plate 1015 and side wall 1
Frit glass was applied to the joint of No. 018 and the joint of the face plate 1017 and the side wall 1016. Then, the rear plate 1015 is
Was sealed by baking at 400 ° C. to 500 ° C. for 10 minutes or more at atmospheric pressure.
【０１００】（封着するリアプレートとスペーサの関
係）（図３７） 本実施例では、スペーサの厚みが0.2 mm、高さが2mm、
治具の溝の幅が0.25mm、リアプレートの配線が幅0.3 m
m、配線の曲率が Ｒ＝0.5 mmであった。ゆえに、スペー
サの最大ずれ幅は0.025mm、最大傾きは0.025 rad、であ
る。このとき、最大のずれのとき、傾きは０であるの
で、 ｘ < t /2 を満たし、最大傾きのときも、スペーサと設置台の接点
がスペーサ厚み中央よりもＸ軸方向に大きい条件で、 R sin|θ| ＜ x ＋ t / 2 を満たす。よって、スペーサの角が配線に当たることは
ない。(Relationship Between Sealing Rear Plate and Spacer) (FIG. 37) In this embodiment, the thickness of the spacer is 0.2 mm, the height is 2 mm,
Jig groove width 0.25mm, rear plate wiring 0.3m width
m, the curvature of the wiring was R = 0.5 mm. Therefore, the maximum displacement width of the spacer is 0.025 mm and the maximum inclination is 0.025 rad. At this time, the inclination is 0 at the maximum deviation, so that x <t / 2 is satisfied, and also at the maximum inclination, the condition that the contact point between the spacer and the mounting base is larger in the X-axis direction than the center of the spacer thickness, R sin | θ | <x + t / 2. Therefore, the corner of the spacer does not hit the wiring.
【０１０１】（電子源プロセス、封止）以上のようにし
て完成した気密容器内を排気管を通じ真空ポンプにて排
気し、十分な真空度に達した後容器外端子Ｄｘ１〜Ｄｘ
ｍとＤｙ１〜Ｄｙｎを通じ、行方向配線電極１０１３及
び列方向配線電極１０１４を介して各素子に給電して前
述の通電フォーミング処理と通電活性化処理を行うこと
によりマルチ電子源ビーム源を製造した。次に、1e-6[T
orr]程度の真空度で、不図示の排気管をガスバーナーで
熱することで溶着し外囲器（気密容器）の封着を行っ
た。最後に、封止後の真空度を維持するために、ゲッタ
ー処理を行った。(Electron Source Process, Sealing) The inside of the airtight container completed as described above is evacuated by a vacuum pump through an exhaust pipe, and after reaching a sufficient degree of vacuum, terminals outside the container Dx1 to Dx
The multi-electron source beam source was manufactured by supplying power to each element through the row direction wiring electrode 1013 and the column direction wiring electrode 1014 through m and Dy1 to Dyn to perform the above-described energization forming process and energization activation process. Next, 1e-6 [T
At a degree of vacuum of about orr], an exhaust pipe (not shown) was welded by heating with a gas burner to seal an envelope (airtight container). Finally, a getter process was performed to maintain the degree of vacuum after sealing.
【０１０２】（画像形成）以上のように完成した表示パ
ネルにおいて、各冷陰極素子（表面伝導型電子放出素
子）１０１２には、例えば図２６に示すような構成の容
器外端子Ｄｘ１〜ＤｘｍとＤｙ１〜Ｄｙｎを通じ、走査
信号および変調信号を不図示の信号発生手段によりそれ
ぞれ印加することにより電子を放出させ、メタルバック
１０１９には、高圧端子Ｈｖを通じて高圧を印加するこ
とにより放出電子ビームを加速し、蛍光膜１０１８に電
子を衝突させ、各色蛍光体を励起・発光させることで画
像を表示した。なお、高圧端子Ｈｖへの印加電圧Ｖａは
３[ｋＶ]ないし１０[ｋＶ]、各配線１０１３、１０１４
間への印加電圧Ｖｆは14［Ｖ］とした。(Image formation) In the display panel completed as described above, each cold cathode element (surface conduction electron-emitting element) 1012 has external terminals Dx1 to Dxm and Dy1 having a configuration as shown in FIG. Through Dyn, a scanning signal and a modulation signal are applied by signal generation means (not shown) to emit electrons, and a high voltage is applied to the metal back 1019 through a high voltage terminal Hv to accelerate the emitted electron beam. An image was displayed by causing electrons to collide with the fluorescent film 1018 to excite and emit phosphors of each color. The applied voltage Va to the high-voltage terminal Hv is 3 kV to 10 kV, and the wirings 1013 and 1014
The applied voltage Vf between them was 14 [V].
【０１０３】このとき、スペーサ１０２０に近い位置に
ある冷陰極素子１０１２からの放出電子による発光スポ
ットも含め、二次元上に等間隔の発光スポット列が形成
され、鮮明で色再現性の良いカラー画像表示ができた。At this time, a row of light-emitting spots are formed two-dimensionally at equal intervals, including light-emitting spots generated by electrons emitted from the cold cathode elements 1012 located near the spacer 1020, so that a clear color image with good color reproducibility can be obtained. Display was completed.
【０１０４】以上述べたように、配線上でのスペーサの
位置ずれと、傾きの最大値を設定しその範囲内で組み立
てを行い、大気圧によるスペーサの破損を抑えることが
できる。As described above, the displacement of the spacer on the wiring and the maximum value of the inclination are set, and the assembly is performed within the range, so that damage to the spacer due to atmospheric pressure can be suppressed.
【０１０５】（実施例２） （スペーサより幅のある平面を持った配線）本実施例で
は、スペーサより幅のある平面を持った配線でのスペー
サの配置にいて述べる。スペーサおよび、組み立ての条
件は実施例１と同じである。すなわち本実施例では、ス
ペーサの厚みが0.2mm、高さが2mm、治具の溝の幅が0.5
mm、リアプレートの配線が幅0.3mm、配線の平面の幅が
Ｗ＝0.2 mmであった（スペーサのずれの許容範囲）（図
３８）。(Embodiment 2) (Wiring having a plane wider than the spacer) In this embodiment, the arrangement of the spacers in a wiring having a plane wider than the spacer will be described. The spacers and the conditions for assembly are the same as in the first embodiment. That is, in the present embodiment, the thickness of the spacer is 0.2 mm, the height is 2 mm, and the width of the groove of the jig is 0.5.
mm, the width of the rear plate wiring is 0.3 mm, and the width of the wiring plane is
W = 0.2 mm (permissible range of spacer displacement) (FIG. 38).
【０１０６】この条件では、x ＜ w / 2 + t /2 を満
たす。ゆえにスペーサの角が配線に当たることなく、大
気圧によるスペーサの破損を抑えることができる。Under this condition, x <w / 2 + t / 2 is satisfied. Therefore, the damage of the spacer due to the atmospheric pressure can be suppressed without the corner of the spacer hitting the wiring.
【０１０７】以上述べたように。本発明に基づいた条件
を適用することにより、スペーサは、われを生じること
がないため、構造上の強度の低下を防止可能となり、真
空度の維持が確保できた。ゆえに、高輝度高画質である
画像表示可能となった。As described above. By applying the conditions based on the present invention, since the spacer does not crack, it is possible to prevent a decrease in structural strength and to maintain the degree of vacuum. Therefore, an image with high brightness and high image quality can be displayed.
【０１０８】（構成４）表示パネル内部の構成としては
以下の構成をとることもできる。図２２は構成４を適用
した画像表示装置の表示パネル内部の構成における表面
伝導型電子放出素子から放出されている電子ビームを模
式的に示しており、カソード基板とアノード基板の断面
図（図３９（ａ））、表面伝導型電子放出素子から放出
された電子ビームのアノード基板上における電子ビーム
の形状（図３９（ｂ））、図３９（ｂ）上A-A'上での強
度分布（図３９(c)）を示している。(Structure 4) The following structure can be adopted as the structure inside the display panel. FIG. 22 schematically shows an electron beam emitted from the surface conduction electron-emitting device in the configuration inside the display panel of the image display device to which the configuration 4 is applied, and is a cross-sectional view of the cathode substrate and the anode substrate (FIG. 39). (A)), the shape of the electron beam emitted from the surface conduction electron-emitting device on the anode substrate (FIG. 39 (b)), and the intensity distribution on AA ′ in FIG. 39 (b) ( FIG. 39 (c)) is shown.
【０１０９】各電子放出素子は行方向、列方向に間隔P
x、Pyで行列状に配列し、電圧印加の方向は全て行方向
に平行で、図３９では、電極１１０２を高電位側にして
Ｖｆ印加している。該電子放出素子（素子長：Ｌ）から
放出した電子ビームのアノード基板上でのビーム径Sx、
Syに関して以下の関係式（Ｉ）（II）を満たす。 Sx＝Kx×２ｄ（Vf／Va）1/2 [ Kx：0.8≦Kx≦1.0 ] …（I） Sy＝Ｌ＋２Ky×２ｄ（Vf／Va）1/2 [ Ky：0.8≦Ky≦0.9] …（II） このとき、該電子ビームの強度分布は、図３９（ｂ）、
（c）に示す通り、電圧印加方向の高電位側に偏向し
て、ビーム形状は電子放出部から遠い部分の強度が強い
楕円形状となる。このため、電子ビームの蛍光体への照
射量を最大にし、また均一性を良くするためには、該電
子源とそれに対応する該蛍光体の位置関係を、該電子放
出部とそれに対応する該蛍光体の電子放出部から遠い方
の端とをSxだけの距離をもって配置することが最良であ
ることが分かった。これにより、放出電子の一部がブラ
ックストライプ１０１０によりけられても、蛍光体を照
射する電子量は最大にすることができ、高輝度化が可能
となり、さらに位置ずれに対する変動も小さくなり均一
性も良くなる。また、該電子源とそれに対応する該蛍光
体の位置関係を上記のように配置することによって、該
柱状スペーサはブラックストライプ上に接続され、発光
の障害とならないために、高画質な表示が可能となる。Each electron-emitting device has an interval P in the row and column directions.
x and Py are arranged in a matrix, and the voltage application directions are all parallel to the row direction. In FIG. 39, Vf is applied with the electrode 1102 on the high potential side. The beam diameter Sx of the electron beam emitted from the electron-emitting device (element length: L) on the anode substrate,
Sy satisfies the following relational expressions (I) and (II). Sx = Kx × 2d (Vf / Va) 1/2 [Kx: 0.8 ≦ Kx ≦ 1.0] (I) Sy = L + 2Ky × 2d (Vf / Va) 1/2 [Ky: 0.8 ≦ Ky ≦ 0.9] ( II) At this time, the intensity distribution of the electron beam is as shown in FIG.
As shown in (c), the beam is deflected toward the high potential side in the voltage application direction, and the beam shape becomes an elliptical shape in which the intensity of the portion far from the electron emitting portion is strong. For this reason, in order to maximize the amount of irradiation of the phosphor with the electron beam and to improve the uniformity, the positional relationship between the electron source and the phosphor corresponding to the electron source is changed to the electron emission portion and the corresponding phosphor. It has been found that it is best to arrange the end of the phosphor farther from the electron emission portion with a distance of Sx. Thereby, even if a part of the emitted electrons is shaken by the black stripe 1010, the amount of electrons irradiating the phosphor can be maximized, the brightness can be increased, and the variation with respect to the positional deviation is reduced, and the uniformity is reduced. Also gets better. In addition, by arranging the positional relationship between the electron source and the corresponding phosphor as described above, the columnar spacer is connected on the black stripe, so that high-quality display is possible because it does not interfere with light emission. Becomes
【０１１０】（柱状スペーサの位置と形状）図４０を用
いて、柱状スペーサの位置に関して説明する。図４０
（a）はアノード基板を上面からの図、図４０(b)は画像
形成装置内部で側面からの図、図４０（ｃ）はカソード
基板の上面（真空側）からの図である。ここでは、該ス
ペーサ１０２０は柱状形状であり、該電子放出素子から
放出された１次電子ビームの非照射部位に設置されてい
る。具体的には、該電子放出部から放出される電子ビー
ムは、電圧印加方向の高電位側に偏向して、真空中を徐
々に広がってアノード基板に到達するため、該柱状スペ
ーサはアノード基板上で電子ビームが照射しない位置に
配置されれば、1次電子ビームに直接さらされないこと
になる。これによって、該円柱状スペーサが該電子ビー
ムから受ける影響を最小にすることができ、該スペーサ
が表示画像に影響を及ぼさない高画質を実現できること
になる。ここで、該電子放出素子から放出された１次電
子ビームの非照射部位とは、Ｙ方向に隣り合う電子放出
素子のほぼ中間領域である。特に、それぞれの素子から
等距離の場所は、高精細化を実現する上で好ましい位置
である。(Position and Shape of Columnar Spacer) The position of the columnar spacer will be described with reference to FIG. FIG.
40A is a view from the top of the anode substrate, FIG. 40B is a view from the side inside the image forming apparatus, and FIG. 40C is a view from the top (vacuum side) of the cathode substrate. Here, the spacer 1020 has a columnar shape, and is provided at a non-irradiated portion of the primary electron beam emitted from the electron-emitting device. Specifically, the electron beam emitted from the electron emitting portion is deflected to the high potential side in the voltage application direction and gradually spreads in vacuum to reach the anode substrate. If it is arranged at a position where the electron beam does not irradiate, it will not be directly exposed to the primary electron beam. Thereby, the influence of the electron beam on the columnar spacer can be minimized, and high image quality can be realized without the spacer affecting the display image. Here, the non-irradiated portion of the primary electron beam emitted from the electron-emitting device is a substantially intermediate region between the electron-emitting devices adjacent in the Y direction. In particular, a place equidistant from each element is a preferable position for realizing high definition.
【０１１１】また更に、Ｙ方向に隣り合う電子放出素子
と同一直線上にほぼ位置していると、Ｘ方向に隣り合う
電子放出素子から放出された２つの電子ビームの間に柱
状スペーサは配置することになる。このため、該スペー
サは４つの電子ビームの囲まれて全ての電子ビームを妨
げることなく存在でき、電子線による帯電の影響も少な
くでき、スペーサの歩留りが向上することになる。ま
た、画素間での輝度の均一性が向上し高画質な画像表示
が可能となる。Further, if the electron-emitting devices are substantially located on the same straight line as the electron-emitting devices adjacent to each other in the Y direction, the columnar spacer is arranged between two electron beams emitted from the electron-emitting devices adjacent to each other in the X direction. Will be. For this reason, the spacer can be present without interfering with all the electron beams surrounded by the four electron beams, the influence of the charging by the electron beam can be reduced, and the yield of the spacer is improved. Further, the uniformity of luminance between pixels is improved, and high-quality image display can be performed.
【０１１２】該電子放出部１１０５の直上のアノード基
板上にはブラックストライプ１０１０があり、該柱状ス
ペーサ１０２０はアノード基板とブラックストライプ１
０１０上で接続されている。これにより、該柱状スペー
サ１０２０はアノード基板とブラックストライプ１０１
０を介して接続し、カソード基板とＸ方向配線を介して
接続されることになり、表側からは見えないで強固に固
定できることになる。また、該スペーサ表面に形成した
場合の帯電防止用の高抵抗膜を流れる微小電流を逃がす
ことができる。これによって、該柱状スペーサが画像に
影響しない高画質を実現できる。A black stripe 1010 is provided on the anode substrate immediately above the electron emission portion 1105, and the columnar spacer 1020 is formed between the anode substrate and the black stripe 1105.
010. As a result, the columnar spacer 1020 is connected to the anode substrate and the black stripe 101.
0, and are connected to the cathode substrate via the X-direction wiring, and can be firmly fixed without being seen from the front side. In addition, a minute current flowing through the anti-static high resistance film formed on the spacer surface can be released. Thereby, high image quality in which the columnar spacer does not affect the image can be realized.
【０１１３】また、特に、Ｙ方向の互いに隣り合う電子
放出素子の間隔Pyが電子ビームのアノード基板上でのＹ
方向ビーム径Syよりも大きい場合を図４１に示す。図４
１の上部はカソード基板を示し、マルチ電子源が形成さ
れている。図４１下部には図４１の上部のマルチ電子源
から放射された電子ビームがアノード基板上に当たって
発光した可視光形状が模式的に示されている。つまり、
垂直方向で電子ビームがピクセルの中に十分おさまり、
垂直方向で電子ビームの届かない領域ができる場合に
は、（Py−Sy）の幅の該電子ビームの届かない領域に該
柱状スペーサを配置させる。この場合、該柱状スペーサ
の該カソードとの接合面は、Ｙ方向において隣り合う電
子放出部と同一直線上に存在することが最も良い。In particular, the interval Py between the electron-emitting devices adjacent to each other in the Y direction is determined by the distance Y between the electron beams on the anode substrate.
FIG. 41 shows a case where the beam diameter is larger than the directional beam diameter Sy. FIG.
The upper part of 1 shows a cathode substrate, on which a multi-electron source is formed. The lower part of FIG. 41 schematically shows a visible light shape in which an electron beam emitted from the multi-electron source in the upper part of FIG. 41 hits the anode substrate and emits light. That is,
In the vertical direction, the electron beam is well within the pixel,
If there is a region in which the electron beam does not reach in the vertical direction, the columnar spacer is arranged in a region (Py-Sy) where the electron beam does not reach. In this case, it is best that the joint surface of the columnar spacer with the cathode exists on the same straight line as the electron-emitting portion adjacent in the Y direction.
【０１１４】また、図４２に電子の飛翔領域の他の例を
示す。FIG. 42 shows another example of the electron flight region.
【０１１５】また、Ｙ方向の互いに隣り合う電子放出素
子の間隔Pyが電子ビームのアノード基板上でのＹ方向ビ
ーム径Sy以下の場合について、マルチ電子源から放射さ
れた電子ビームがアノード基板上に当たって発光した可
視光形状を模式的に図５に示す。この場合には、Ｙ方向
で隣り合う該電子放出素子からの電子ビームが蛍光体上
で重なり合うため、スペーサ形状は柱状が望ましく、Ｙ
方向に隣り合う電子放出素子と同一直線上にほぼ位置し
ていると、Ｘ方向に隣り合う電子放出素子から放出され
た電子ビームのちょうど間に柱状スペーサは配置し、電
子ビームを妨げることなく存在できる。その結果として
高画質の画像を表示することができる。When the distance Py between the electron-emitting devices adjacent to each other in the Y direction is smaller than the beam diameter Sy of the electron beam in the Y direction on the anode substrate, the electron beam emitted from the multi-electron source hits the anode substrate. FIG. 5 schematically shows the shape of the emitted visible light. In this case, since the electron beams from the electron-emitting devices adjacent to each other in the Y direction overlap on the phosphor, the spacer shape is desirably a columnar shape.
If the electron-emitting devices are located on the same straight line as the electron-emitting devices adjacent to each other in the direction, the columnar spacers are arranged just between the electron beams emitted from the electron-emitting devices adjacent to the X direction, and exist without obstructing the electron beams. it can. As a result, a high-quality image can be displayed.
【０１１６】(スペーサ被覆層：共通)図４０はこの構成
における柱状スペーサ近傍の構造を示している。スペー
サ１０２０は絶縁牲部材１の表面に帯電防止を目的とし
た高抵抗膜１１を成膜し、かつフェースプレート１０１
７の内側（メタルバック１０１９等）及び基板１１０１
の表面（行方向配線１０１３または列方向配線１０１
４）に電気的接合がとれるように低抵抗膜２１を成膜し
た部材からなるもので、上記目的を達成するのに必要な
数だけ、かつ必要な間隔をおいて配置され、フェースプ
レートの内側および基板１１０１の表面に接合材１０４
１により固定される。また、高抵抗膜は、絶縁性部材１
の表面のうち、少なくとも気密容器内の真空中に露出し
ている面に成膜されており、柱状スペーサ１０２０上の
低抵抗膜２１および接合材１０４１を介して、フェース
プレート１０１７の内側（メタルバック１０１９等）及
び基板１１０１の表面（行方向配線１０１３または列方
向配線１０１４）に電気的に接続される。ここで説明さ
れる態様においては、柱状スペーサ１０２０は、行方向
配線１０１３に電気的に接続されている。(Spacer Coating Layer: Common) FIG. 40 shows the structure near the columnar spacer in this configuration. The spacer 1020 is formed by depositing a high-resistance film 11 on the surface of the insulating member 1 for the purpose of preventing electrification, and
7 (metal back 1019 etc.) and substrate 1101
Surface (row direction wiring 1013 or column direction wiring 101)
4) It is made of a member having a low resistance film 21 formed thereon so as to be able to make an electrical connection, and is arranged by a necessary number and at a necessary interval to achieve the above-mentioned object, and is provided inside the face plate. And the bonding material 104 on the surface of the substrate 1101.
Fixed by 1. Further, the high resistance film is made of the insulating member 1.
Is formed on at least the surface exposed to vacuum in the hermetic container, and the inside of the face plate 1017 (metal back) is formed via the low resistance film 21 on the columnar spacer 1020 and the bonding material 1041. 1019) and the surface of the substrate 1101 (row direction wiring 1013 or column direction wiring 1014). In the embodiment described here, the columnar spacer 1020 is electrically connected to the row direction wiring 1013.
【０１１７】該柱状スペーサ１０２０としては、基板１
１０１上の行方向配線１０１３および列方向配線１０１
４とフェースプレート１０１７内面のメタルバック１０
１９との間に印加される高電圧に耐えるだけの絶縁性を
有し、かつ該スペーサ１０２０の表面への帯電を防止す
る程度の導電性を有する必要がある。As the columnar spacer 1020, the substrate 1
Row-direction wiring 1013 and column-direction wiring 101 on line 101
4 and metal back 10 inside face plate 1017
The spacer 1020 needs to have an insulating property enough to withstand a high voltage applied to the spacer 19 and a conductivity enough to prevent the surface of the spacer 1020 from being charged.
【０１１８】柱状スペーサの絶縁性部材１としては、例
えば石英ガラス、Ｎａ等の不純物含有量を減少したガラ
ス、ソーダライムガラス、アルミナ等のセラミックス部
材等が挙げられる。該スペーサの断面形状は、多角形
状、円形状等スペーサの長さ（カソード基板とアノード
基板の間隔を支える方向の距離）に比べて十分小さい対
角距離の断面形状であれば良い。ここで、断面形状の対
角距離とスペーサの長さの比(アスペクト比)は、１：１
０〜１：１０００程度が良い。例えば、長さ1mm、断面
形状は100μm×50μmの長方形のスペーサとか、長さ2mm
で断面が直径100μmの円形状のスペーサが適している。Examples of the insulating member 1 of the columnar spacer include quartz glass, glass with a reduced impurity content such as Na, soda lime glass, and ceramic members such as alumina. The cross-sectional shape of the spacer may be a cross-sectional shape such as a polygonal shape or a circular shape having a diagonal distance sufficiently smaller than the length of the spacer (the distance in the direction supporting the gap between the cathode substrate and the anode substrate). Here, the ratio (aspect ratio) of the diagonal distance of the cross-sectional shape to the length of the spacer is 1: 1.
0 to about 1: 1000 is preferable. For example, a rectangular spacer with a length of 1 mm and a cross section of 100 μm × 50 μm, or a length of 2 mm
A circular spacer having a cross section of 100 μm in diameter is suitable.
【０１１９】また、該スペーサの断面形状は、図４３に
示す通り、正方形、長方形、菱形、六角形等の多角形状
(図４３(a))や円形状等、十分な強度が確保でき、カソ
ード基板とアノード基板と設置できる面積があればよ
い。As shown in FIG. 43, the cross-sectional shape of the spacer is a polygonal shape such as a square, a rectangle, a rhombus, and a hexagon.
It suffices if sufficient strength such as (FIG. 43 (a)) or a circular shape can be secured and there is an area where the cathode substrate and the anode substrate can be installed.
【０１２０】望ましくは、図４３(b)に示すような断面
形状が曲線で囲まれているような角を丸めた多角柱、図
４３(ｃ)に示すような円や楕円等の円柱が電界集中する
ような部分をもたないために適当である。特に、円柱は
形状が対称であるために作製が容易で、また配置の際の
接合方向や位置ずれに対しての許容範囲が広くなり、特
に望ましい。Desirably, a polygonal prism with rounded corners as shown in FIG. 43 (b) whose cross-sectional shape is surrounded by a curved line, or a circular or elliptical cylinder as shown in FIG. 43 (c) is an electric field. It is appropriate because it does not have a concentrated part. In particular, a column is particularly preferable because it has a symmetrical shape, so that it is easy to manufacture, and the allowable range for the joining direction and displacement during arrangement is wide.
【０１２１】スペーサ１０２０を構成する高抵抗膜１１
には、高電位側のフェースプレート１０１７（メタルバ
ック１０１９等）に印加される加速電圧Ｖａを帯電防止
膜である高抵抗膜１１の抵抗値Ｒｓで除した電流が流さ
れる。そこで、スペーサの抵抗値Ｒｓは帯電防止および
消費電力からその望ましい範囲に設定される。帯電防止
の観点から表面抵抗Ｒ／□は１０の１２乗Ω以下である
ことが好ましい。十分な帯電防止効果を得るためには１
０の１１乗Ω以下がさらに好ましい。表面抵抗の下限は
スペーサ形状とスペーサ間に印加される電圧により左右
されるが、１０の５乗Ω以上であることが好ましい。絶
縁材料上に形成された帯電防止膜の厚みｔは１０ｎｍ〜
１μｍの範囲が望ましい。特に、材料の表面エネルギー
および基板との密着性や基板温度によっても異なるが、
成膜時間、再現性、膜応力等の観点より、膜厚は５０〜
５００ｎｍであることが望ましい。表面抵抗R／□はρ
／ｔであり、以上に述べたR□とｔの好ましい範囲か
ら、帯電防止膜の比抵抗ρは０．１［Ωｃｍ］乃至１０
の８乗［Ωｃｍ］が好ましい。さらに表面抵抗と膜厚の
より好ましい範囲を実現するためには、ρは１０の２乗
乃至１０の６乗Ωｃｍとするのが良い。High resistance film 11 constituting spacer 1020
Is supplied with a current obtained by dividing the acceleration voltage Va applied to the face plate 1017 (such as the metal back 1019) on the high potential side by the resistance value Rs of the high resistance film 11 serving as the antistatic film. Therefore, the resistance value Rs of the spacer is set in a desirable range from the viewpoint of antistatic and power consumption. The surface resistance R / □ is preferably 10 12 Ω or less from the viewpoint of antistatic. To obtain a sufficient antistatic effect,
It is even more preferable that the value be 0 to the power of 11 or less. The lower limit of the surface resistance depends on the spacer shape and the voltage applied between the spacers, but is preferably 10 5 Ω or more. The thickness t of the antistatic film formed on the insulating material is from 10 nm to
A range of 1 μm is desirable. In particular, it depends on the surface energy of the material, the adhesion to the substrate and the substrate temperature,
From the viewpoint of film forming time, reproducibility, film stress, etc., the film thickness is 50 to
Preferably, it is 500 nm. Surface resistance R / □ is ρ
/ T, and from the preferable ranges of R □ and t described above, the specific resistance ρ of the antistatic film is 0.1 [Ωcm] to 10 [Ωcm].
Is preferably the eighth power [Ωcm]. Further, in order to realize a more preferable range of the surface resistance and the film thickness, ρ is preferably set to 10 2 to 10 6 Ωcm.
【０１２２】帯電防止特性を有する高抵抗膜１１の材料
としては、例えば金属酸化物を用いることが出来る。金
属酸化物の中でも、クロム、ニッケル、銅の酸化物が好
ましい材料である。その理由はこれらの酸化物は二次電
子放出効率が比較的小さく、冷陰極素子１０１２から放
出された電子がスペーサ１０２０に当たった場合におい
ても帯電しにくいためと考えられる。金属酸化物以外に
も炭素は二次電子放出効率が小さく好ましい材料であ
る。特に、非晶質カーボンは高抵抗であるため、スペー
サ表面の抵抗を所望の値に制御しやすい。As a material for the high resistance film 11 having antistatic properties, for example, a metal oxide can be used. Among metal oxides, oxides of chromium, nickel, and copper are preferred materials. It is considered that the reason is that these oxides have a relatively low secondary electron emission efficiency and are hardly charged even when electrons emitted from the cold cathode element 1012 hit the spacer 1020. In addition to metal oxides, carbon is a preferable material having a low secondary electron emission efficiency. In particular, since amorphous carbon has high resistance, it is easy to control the resistance of the spacer surface to a desired value.
【０１２３】該柱状スペーサ１０２０を構成する低抵抗
膜２１は、高抵抗膜１１を高電位側のフェースプレート
１０１７（メタルバック１０１９等）及び低電位側の基
板１１０１（配線１０１３、１０１４等）と電気的に接
続する為に設けられたものであり、以下に列挙する複数
の機能を有することが出来る。 高抵抗膜１１をフェースプレート１０１７及び基板１
１０１と電気的に接続する。The low-resistance film 21 constituting the columnar spacer 1020 is formed by electrically connecting the high-resistance film 11 to the high-potential-side face plate 1017 (metal back 1019, etc.) and the low-potential-side substrate 1101 (wirings 1013, 1014, etc.). It is provided for the purpose of connection, and can have a plurality of functions listed below. The high-resistance film 11 is formed on the face plate 1017 and the substrate 1
101 and is electrically connected.
【０１２４】既に記載したように、高抵抗膜１１はスペ
ーサ１０２０表面での帯電を防止する目的で設けられた
ものであるが、高抵抗膜１１をフェースプレート１０１
７（メタルバック１０１９等）及び基板１１０１（配線
１０１３、１０１４等）と直接或いは当接材１０４１を
介して接続した場合、接続部界面に大きな接触抵抗が発
生し、スペーサ表面に発生した電荷を速やかに除去でき
なくなる可能性がある。これを避ける為に、フェースプ
レート１０１７、基板１１０１及び当接材１０４１と接
触する柱状スペーサ１０２０の当接面或いは側面部に低
抵抗層２１を設けた。 高抵抗膜１１の電位分布を均一化する。As described above, the high resistance film 11 is provided for the purpose of preventing electrification on the surface of the spacer 1020.
7 (metal back 1019, etc.) and the substrate 1101 (wirings 1013, 1014, etc.) directly or via the contact material 1041, a large contact resistance is generated at the interface of the connection portion, and the charges generated on the spacer surface are quickly discharged. May not be removed. In order to avoid this, the low resistance layer 21 is provided on the contact surface or the side surface of the columnar spacer 1020 which comes into contact with the face plate 1017, the substrate 1101, and the contact member 1041. The potential distribution of the high resistance film 11 is made uniform.
【０１２５】陰極素子１０１２より放出された電子は、
フェースプレート１０１７と基板１１０１の間に形成さ
れた電位分布に従って電子軌道を成す。柱状スペーサ１
０２０の近傍で電子軌道に乱れが生じないようにする為
には、高抵抗膜１１の電位分布を全域にわたって制御す
る必要がある。高抵抗膜１１をフェースプレート１０１
７（メタルバック１０１９等）及び基板１１０１（配線
１０１３、１０１４等）と直接或いは当接材１０４１を
介して接続した場合、接続部界面の接触抵抗の為に、接
続状態のむらが発生し、高抵抗膜１１の電位分布が所望
の値からずれてしまう可能性がある。これを避ける為
に、柱状スペーサ１０２０がフェースプレート１０１７
及び基板１１０１と当接するスペーサ端部の全長域に低
抵抗層を設け、この低抵抗層に所望の電位を印加するこ
とによって、高抵抗膜１1全体の電位を制御可能とし
た。 放出電子の軌道を制御する。The electrons emitted from the cathode element 1012 are
An electron orbit is formed according to a potential distribution formed between the face plate 1017 and the substrate 1101. Columnar spacer 1
In order to prevent the electron orbit from being disturbed near 020, it is necessary to control the potential distribution of the high resistance film 11 over the entire region. The high resistance film 11 is applied to the face plate 101
7 (metal back 1019, etc.) and the substrate 1101 (wirings 1013, 1014, etc.) directly or via the contact material 1041, unevenness in the connection state occurs due to the contact resistance at the interface of the connection portion, resulting in high resistance. The potential distribution of the film 11 may deviate from a desired value. To avoid this, the columnar spacer 1020 is
In addition, a low-resistance layer is provided in the entire length region of the end of the spacer in contact with the substrate 1101, and a desired potential is applied to the low-resistance layer, so that the potential of the entire high-resistance film 11 can be controlled. Controls the trajectory of emitted electrons.
【０１２６】冷陰極素子１０１２より放出された電子
は、フェースプレート１０１７と基板１１０１の間に形
成された電位分布に従って電子軌道を成す。スペーサ近
傍の冷陰極素子から放出された電子に関しては、スペー
サを設置することに伴う制約（配線、素子位置の変更
等）が生じる場合がある。このような場合、歪みやむら
の無い画像を形成する為には、放出された電子の軌道を
制御してフェースプレート１０１７上の所望の位置に電
子を照射する必要がある。フェースプレート１０１７及
び基板１１０１と当接する面の側面部に低抵抗層を設け
ることにより、柱状スペーサ１０２０近傍の電位分布に
所望の特性を持たせ、放出された電子の軌道を制御する
ことが出来る。Electrons emitted from the cold cathode element 1012 form electron orbits in accordance with a potential distribution formed between the face plate 1017 and the substrate 1101. Regarding the electrons emitted from the cold cathode devices near the spacers, there may be restrictions (such as changes in wiring and device positions) associated with the installation of the spacers. In such a case, in order to form an image without distortion or unevenness, it is necessary to control the trajectory of the emitted electrons to irradiate a desired position on the face plate 1017 with the electrons. By providing a low-resistance layer on the side surface of the surface in contact with the face plate 1017 and the substrate 1101, it is possible to impart desired characteristics to the potential distribution near the columnar spacer 1020 and control the trajectory of emitted electrons.
【０１２７】低抵抗膜２１は、高抵抗膜１１に比べ十分
に低い抵抗値を有する材料を選択すればよく、Ni，Cr，
Au，Mo，W，Pt，Ti，Al，Cu，Pd等の金属、あるいは合
金等より適宜選択される。The low-resistance film 21 may be made of a material having a sufficiently lower resistance than the high-resistance film 11.
It is appropriately selected from metals such as Au, Mo, W, Pt, Ti, Al, Cu, Pd, and alloys.
【０１２８】接合材１０４１は該柱状スペーサ１０２０
が行方向配線１０１３およびメタルバック１０１９と電
気的に接続するように、導電性をもたせる必要がある。
すなわち、導電性接着材や金属粒子や導電性フィラーを
添加したフリットガラスが好適である。The joining material 1041 is formed of the columnar spacer 1020.
Need to have conductivity so as to be electrically connected to the row wiring 1013 and the metal back 1019.
That is, frit glass to which a conductive adhesive, metal particles, or a conductive filler is added is preferable.
【０１２９】該柱状スペーサの巨視的な配列方法につい
ては、図４４に示したように、（a）規則的に格子点状
の場合、（ｂ）Ｙ方向に隣接するスペーサ列がＸ方向に
半ピッチだけずれている場合、（c）規則的な配列で所
々抜けている場合、また、ランダムに配列していても良
い。重要な点は、該スペーサによって大気圧が支持さ
れ、電子ビームを妨げずに輝点の均一性が保たれていれ
ば良い。As shown in FIG. 44, in the macroscopic arrangement method of the columnar spacers, as shown in FIG. 44, (a) in the case of regularly arranged grid points, (b) spacer rows adjacent in the Y direction are half in the X direction. If they are displaced by the pitch, (c) if they are missing in some places in a regular arrangement, or they may be arranged randomly. What is important is that the spacers support the atmospheric pressure, and the uniformity of the luminescent spots is maintained without obstructing the electron beam.
【０１３０】（構成５）表示パネルとしてスペーサを用
いる場合におけるそのスペーサの配置については以下の
各実施例の構成をとることができる。(Structure 5) When a spacer is used as a display panel, the arrangement of the spacer can be the structure of each of the following embodiments.
【０１３１】（実施例１）図４５〜図４９はこの構成５
を適用した真空容器の実施例１を説明する図である。図
４５は平板型ディスプレイの真空容器の概略図であり、
図４６は図４５におけるＡ−Ａ断面図であり、図４７は
図４５におけるＢ−Ｂ断面図であり、図４８は図４６に
おけるＣ−Ｃ断面図であり、図４９はスペーサの斜視図
である。(Embodiment 1) FIGS. 45 to 49 show this configuration 5.
FIG. 2 is a view for explaining Example 1 of a vacuum vessel to which the present invention is applied. FIG. 45 is a schematic diagram of a vacuum container of a flat panel display,
46 is a sectional view taken along line AA in FIG. 45, FIG. 47 is a sectional view taken along line BB in FIG. 45, FIG. 48 is a sectional view taken along line CC in FIG. 46, and FIG. is there.
【０１３２】図中、1０１は前面基板（厚さＴ１＝２．
８ｍｍ）であり、1０２は前面基板1０１に対向した位置
に配置された背面基板(厚さＴ２＝２．８ｍｍ)であり、
1０３は2枚の基板の間に配置され、気密に接着された枠
部である。２枚の基板間距離Ｄは２ｍｍである。枠部１
０３の内側の大きさは、ｘ方向長さＷ１＝１１２ｍｍ、
ｙ方向長さＷ２＝５２ｍｍであり、枠部１０３と前面基
板１０１および背面基板１０２とはフリットガラス（不
図示）により気密に接着されている。１０５は2枚の基
板の間に配置され、断面円形状である円柱スペーサ（半
径Ｒ＝０．１ｍｍ、高さＨ＝２ｍｍ）であり、間隔Ｐ１
＝Ｐ２＝１２ｍｍにて正方格子点に配置されており、本
数は５０本である。In the figure, reference numeral 101 denotes a front substrate (thickness T1 = 2.
8 is a rear substrate (thickness T2 = 2.8 mm) disposed at a position facing the front substrate 101;
Reference numeral 103 denotes a frame portion disposed between the two substrates and air-tightly bonded. The distance D between the two substrates is 2 mm. Frame part 1
03, the length in the x direction is W1 = 112 mm,
The length W2 in the y direction is 52 mm, and the frame 103 and the front substrate 101 and the back substrate 102 are hermetically bonded with frit glass (not shown). Numeral 105 denotes a cylindrical spacer (radius R = 0.1 mm, height H = 2 mm) which is disposed between the two substrates and has a circular cross section, and has an interval P1.
= P2 = 12 mm and arranged at square lattice points, the number of which is 50.
【０１３３】前面基板１０１、背面基板１０２、枠部１
０３および円柱スペーサ１０５の材質は青板ガラスであ
る。1０４は、これらの構成部材によって真空容器１０
６が構成されている。Front substrate 101, rear substrate 102, frame part 1
03 and the material of the cylindrical spacer 105 are blue plate glass. 104 is a vacuum container 10
6 are constituted.
【０１３４】背面基板１０２上には、電子を放出する素
子である表面伝導型の電子放出素子１０９が搭載されて
おり、前面基板１０２には、電子を照射することで発光
し、画像を表示する蛍光体１０８が搭載されている。１
０７は蛍光体１０８が発光して画像を表示する画像表示
領域（１２０ｍｍ×６７ｍｍ）である。A surface conduction type electron-emitting device 109 which emits electrons is mounted on the rear substrate 102, and the front substrate 102 emits light by irradiating electrons to display an image. A phosphor 108 is mounted. 1
Reference numeral 07 denotes an image display area (120 mm × 67 mm) in which the phosphor 108 emits light to display an image.
【０１３５】図４８において、ＡはＣ−Ｃ断面図におけ
る枠部１０３の内側の面積であり、Ａ＝Ｗ１×Ｗ２であ
るので、５８２４ｍｍ2であり、スペーサの総断面積Ｓ
は５０本分の円柱スペーサ１０４の断面積の和であるス
ペーサ総断面積であるので、Ｓ＝５０×π×Ｒ2であ
り、Ｓ＝１．５７ｍｍ2である。ここで、支持効率比η
は比Ｓ／Ａであり、支持効率ηは０．０２７％である。
これは、望ましい真空容器の構成である。In FIG. 48, A is the area inside the frame portion 103 in the CC sectional view, and A = W1 × W2, so that it is 5824 mm 2 , and the total cross-sectional area of the spacer S
Is the total sectional area of the spacers, which is the sum of the sectional areas of the 50 cylindrical spacers 104, so that S = 50 × π × R 2 and S = 1.57 mm 2 . Here, the support efficiency ratio η
Is the ratio S / A, and the support efficiency η is 0.027%.
This is the desired vacuum vessel configuration.
【０１３６】次に真空容器１０６を用いた平板型画像表
示装置を説明する。まず、電子放出素子１０９などが搭
載された背面基板１０２を電子放出部１０３をホットプ
レート上に上側に向けてセットし、円柱スペーサ１０４
を配置する位置にフリットガラスをディスペンサを用い
て塗布する。そして、専用治具にて円柱スペーサ１０４
をフリットガラス上に配置し、加熱することでスペーサ
１０４を背面基板１０２に接着する。Next, a flat panel type image display device using the vacuum vessel 106 will be described. First, the back substrate 102 on which the electron-emitting device 109 and the like are mounted is set with the electron-emitting portion 103 facing upward on a hot plate, and the cylindrical spacer 104 is set.
Frit glass is applied to the position where is to be arranged using a dispenser. Then, the column spacer 104 is formed using a special jig.
Are arranged on a frit glass, and the spacer 104 is bonded to the rear substrate 102 by heating.
【０１３７】次に、背面基板１０２の上に、あらかじめ
ｚ方向の上下にフリットガラスを塗った枠部１０３をセ
ットし、さらに、蛍光体１０８などが搭載された前面基
板１０１を、蛍光体１０８が電子放出素子１０９と対向
するように位置合わせして固定する。さらにその上にホ
ットプレートをのせ、荷重をかけながらフリットガラス
の接着温度まで加熱し、その後冷却することで気密な真
空容器を製造する。また、本発明では不図示であるが、
背面基板１０２または前面基板１０１には排気管を接着
する。その後、排気管を利用して外部の真空ポンプによ
って内部の空気を排除して、１０-6ｔｏｒｒ程度の真空
とする。そして、電子放出素子１０９と外部駆動基板等
を接続してに通電処理を行い、電子を放出する機能を与
える。さらに、電子放出素子１０９に駆動電圧を印加し
て電子を放出させ、蛍光体１０８と電子放出素子１０９
間に３ｋＶ〜１５ｋＶの高電圧を印加して電子を蛍光体
１０８へ加速して照射し、発光させる。その光は前面基
板１０１を透過する。外部から前面基板１０１を見る
と、画像表示領域１０７に従来より高質の画像が表示さ
れ、目標の達成を確認した。Next, a frame 103 coated with frit glass in the vertical direction in the z-direction is set on the rear substrate 102, and the front substrate 101 on which the fluorescent material 108 and the like are mounted is mounted on the rear substrate 102. It is positioned and fixed so as to face the electron-emitting device 109. Further, a hot plate is placed thereon, heated to the bonding temperature of the frit glass while applying a load, and then cooled to produce an airtight vacuum container. Although not shown in the present invention,
An exhaust pipe is bonded to the rear substrate 102 or the front substrate 101. Thereafter, the inside air is removed by an external vacuum pump using an exhaust pipe to make a vacuum of about 10 -6 torr. Then, the electron emission element 109 is connected to an external driving substrate or the like to perform an energization process to provide a function of emitting electrons. Further, a driving voltage is applied to the electron-emitting device 109 to emit electrons, and the phosphor 108 and the electron-emitting device 109 are emitted.
During this time, a high voltage of 3 kV to 15 kV is applied to accelerate and irradiate the phosphor 108 with electrons to emit light. The light passes through the front substrate 101. When the front substrate 101 was viewed from the outside, a higher quality image was displayed in the image display area 107 than before, and it was confirmed that the target was achieved.
【０１３８】（実施例２）図５０〜図５１は本発明によ
る真空容器の実施例を説明するである。図５０は平板型
ディスプレイの真空容器の横方向における断面図であ
り、実施例１の図４８に相当する。図５１はスペーサの
斜視図である。図中、1０１は前面基板（厚さＴ１＝
２．８ｍｍ）であり、1０２は前面基板1０１に対向して
基板間隔Ｄ＝２ｍｍの位置に配置された背面基板(厚さ
Ｔ２＝２．８ｍｍ)であり、1０３は2枚の基板の間に配
置され、気密に接着された枠部である。枠部１０３の内
寸はｘ方向方向はＷ１＝８２０ｍｍ、ｙ方向はＷ２＝５
００ｍｍである。枠部１０３と前面基板１０１および背
面基板１０２とはフリットガラス（不図示）により気密
に接着されている。1０５は2枚の基板の間に配置された
断面長方形状である長手スペーサの一つである板スペー
サ（ｘ方向長さＬ＝４０ｍｍ、ｙ方向長さＴ＝０．２ｍ
ｍ、高さＨ＝１．８ｍｍ）であり、ｘ方向に間隔０．１
ｍｍ以下（ほぼ連続）で、間隔ｙ方向に間隔Ｐ３＝２
７．０７２ｍｍにて均一に連続配置されており、本数は
２８８本である。なお、図において板スペーサ１０５の
本数は省略されている。これらの構成部材によって真空
容器１０６が構成されている。前面基板１０１、背面基
板１０２、枠部１０３および板ペーサ１０５の材質は青
板ガラスである。Embodiment 2 FIGS. 50 to 51 illustrate an embodiment of a vacuum vessel according to the present invention. FIG. 50 is a horizontal cross-sectional view of the vacuum container of the flat panel display, and corresponds to FIG. 48 of the first embodiment. FIG. 51 is a perspective view of the spacer. In the figure, 101 is a front substrate (thickness T1 =
2.8 mm), 102 is a rear substrate (thickness T2 = 2.8 mm) arranged at a substrate spacing D = 2 mm opposite the front substrate 101, and 103 is a space between the two substrates. The frame portion is arranged and air-tightly bonded. The inner dimension of the frame 103 is W1 = 820 mm in the x direction and W2 = 5 in the y direction.
00 mm. The frame 103, the front substrate 101 and the rear substrate 102 are hermetically bonded by frit glass (not shown). 105 is a plate spacer (length in the x direction L = 40 mm, length in the y direction T = 0.2 m), which is one of the long spacers having a rectangular cross section disposed between the two substrates.
m, height H = 1.8 mm) and an interval of 0.1 in the x direction.
mm or less (almost continuous), and the interval P3 = 2 in the interval y direction.
It is uniformly and continuously arranged at 7.072 mm, and the number is 288. Note that the number of plate spacers 105 is omitted in the drawing. The vacuum container 106 is constituted by these constituent members. The material of the front substrate 101, the rear substrate 102, the frame 103, and the plate pacer 105 is blue plate glass.
【０１３９】背面基板１０２上には、電子を放出する素
子である表面伝導型の電子放出素子１０９が搭載されて
おり、前面基板１０２には、電子を照射することで発光
し、画像を表示する蛍光体１０８が搭載されている。１
０７は蛍光体１０８が発光して画像を表示画像表示領域
（７２０．７９２ｍｍ×４０６．０８ｍｍ）ある。A surface conduction type electron-emitting device 109 which emits electrons is mounted on the rear substrate 102, and the front substrate 102 emits light by irradiating electrons to display an image. A phosphor 108 is mounted. 1
Reference numeral 07 denotes an image display area (720.792 mm × 406.08 mm) in which an image is displayed when the phosphor 108 emits light.
【０１４０】図５０において、ＡはＣ−Ｃ断面図におけ
る枠部１０３の内側の面積であり、Ａ＝Ｗ１×Ｗ２＝
４．１０×１０5ｍｍ2であり、Ｓは２８８本（＝ｎ）分
の板スペーサ１０５の断面積の和であるスペーサ総断面
積Ｓ＝ｎ×Ｔ×Ｌなので、Ｓ＝２．３０×１０3ｍｍ2で
ある。ここで、支持効率ηは０．５６％であり、望まし
い構成の真空容器である。In FIG. 50, A is the area inside the frame portion 103 in the cross section taken along the line CC, and A = W1 × W2 =
4.10 × 10 5 mm 2 , and S is the sum of the cross-sectional areas of the 288 (= n) plate spacers 105, and the total spacer area S = n × T × L, so S = 2.30 × 10 3 mm 2 . Here, the support efficiency η is 0.56%, which is a vacuum container having a desirable configuration.
【０１４１】次に、この真空容器１０６を用いて平板型
画像表示装置を製造した。まず、電子放出素子１０９な
どが搭載された背面基板１０２を電子放出部１０３をホ
ットプレート上に上側に向けてセットし、長手スペーサ
１０５を配置する位置にフリットガラスをディスペンサ
を用いて塗布する。そして、専用治具にて長手スペーサ
１０５をフリットガラス上に配置し、加熱することで長
手スペーサ１０５を背面基板１０２に接着する。Next, a flat panel type image display device was manufactured using the vacuum container 106. First, the back substrate 102 on which the electron-emitting device 109 and the like are mounted is set with the electron-emitting portion 103 facing upward on a hot plate, and frit glass is applied to a position where the longitudinal spacer 105 is to be disposed using a dispenser. Then, the longitudinal spacer 105 is arranged on the frit glass by using a dedicated jig, and the longitudinal spacer 105 is bonded to the rear substrate 102 by heating.
【０１４２】次に、背面基板１０２の上に、あらかじめ
ｚ方向の上下にフリットガラスを塗った枠部１０３をセ
ットし、さらに、蛍光体１０８などが搭載された前面基
板１０１を、蛍光体１０８が電子放出素子１０９と対向
するように位置合わせして固定する。さらにその上にホ
ットプレートをのせ、荷重をかけながらフリットガラス
の接着温度まで加熱し、その後冷却することで気密な真
空容器を製造する。また、本発明では不図示であるが、
背面基板１０２または前面基板１０１には排気管を接着
する。その後、排気管を利用して外部の真空ポンプによ
って内部の空気を排除して、１０-6ｔｏｒｒ程度の真空
とする。そして、電子放出素子１０９と外部駆動基板等
を接続してに通電処理を行い、電子を放出する機能を与
える。さらに、電子放出素子１０９に駆動電圧を印加し
て電子を放出させ、蛍光体１０８と電子放出素子１０９
間に３ｋＶ〜１５ｋＶの高電圧を印加して電子を蛍光体
１０８へ加速して照射し、発光させる。その光は前面基
板１０１を透過する。外部から前面基板１０１を見る
と、画像表示領域１０７に従来より高質の画像が表示さ
れ、目標の達成を確認した。Next, a frame 103 coated with frit glass in the vertical direction in the z direction is set on the rear substrate 102, and the front substrate 101 on which the phosphor 108 and the like are mounted is mounted on the rear substrate 102. It is positioned and fixed so as to face the electron-emitting device 109. Further, a hot plate is placed thereon, heated to the bonding temperature of the frit glass while applying a load, and then cooled to produce an airtight vacuum container. Although not shown in the present invention,
An exhaust pipe is bonded to the rear substrate 102 or the front substrate 101. Thereafter, the inside air is removed by an external vacuum pump using an exhaust pipe to make a vacuum of about 10 -6 torr. Then, the electron emission element 109 is connected to an external driving substrate or the like to perform an energization process to provide a function of emitting electrons. Further, a driving voltage is applied to the electron-emitting device 109 to emit electrons, and the phosphor 108 and the electron-emitting device 109 are emitted.
During this time, a high voltage of 3 kV to 15 kV is applied to accelerate and irradiate the phosphor 108 with electrons to emit light. The light passes through the front substrate 101. When the front substrate 101 was viewed from the outside, a higher quality image was displayed in the image display area 107 than before, and it was confirmed that the target was achieved.
【０１４３】また、板スペーサ１０５の配置を千鳥配置
とした場合、スペーサの本数は２５６本が必要であり、
スペーサの総断面積Ｓは２５６本分の板スペーサ１０５
の断面積の和であり、Ｓ＝２．０５×１０3ｍｍ2であ
る。この場合、支持効率ηは０．５０％であり、望まし
い構成の真空容器である。When the plate spacers 105 are arranged in a staggered arrangement, the number of spacers is required to be 256.
The total cross-sectional area S of the spacer is 256 plate spacers 105
, And S = 2.05 × 10 3 mm 2 . In this case, the support efficiency η is 0.50%, which is a vacuum container having a desirable configuration.
【０１４４】また、図５２及び５３に示す構成とするこ
とができる。図５２中、1０１は前面基板（厚さＴ１＝
２．８ｍｍ）であり、1０２は前面基板1０１に対向して
基板間隔２ｍｍの位置に配置された背面基板(厚さＴ２
＝２．８ｍｍ)であり、1０３は2枚の基板の間に配置さ
れ、気密に接着された枠部である。枠部１０３の内寸は
ｘ方向方向はＷ１＝８２０ｍｍ、ｙ方向はＷ２＝５００
ｍｍである。枠部１０３と前面基板１０１および背面基
板１０２とはフリットガラス（不図示）により気密に接
着されている。1０５は2枚の基板の間に配置された断面
長方形状である板スペーサ（ｘ方向長さ４０ｍｍ、ｙ方
向長さ０．２ｍｍ、ｚ方向長さ＝１．８ｍｍ）であり、
ｘ方向に間隔０．１ｍｍ以下（ほぼ連続）で、間隔ｙ方
向に間隔Ｐ３＝２７．０７２ｍｍにて均一に連続配置さ
れており、本数は２８８本である。なお、図において板
スペーサ１０５の本数は省略されている。前面基板１０
１、背面基板１０２、枠部１０３および板ペーサ１０５
の材質は青板ガラスである。また、図５３のように、板
スペーサ１０５の配置を千鳥配置とした場合、ｘ方向間
隔は２．５５ｍｍ、ｙ方向間隔は２７．０７２ｍｍであ
り、スペーサの本数は２５６本である。なお、枠部材の
角部はこれらの図面に示されているように面取りした湾
曲状とすることができる。この場合の曲率は、例えば内
径１０ｍｍ±１．０ｍｍ、外径１８ｍｍ±１．０ｍｍと
することができ、このような径での湾曲状の角部を有す
る枠部材は、対角１０インチから３０インチなどの大画
面のものにまで適用可能である。Further, the configuration shown in FIGS. 52 and 53 can be adopted. In FIG. 52, reference numeral 101 denotes a front substrate (thickness T1 =
2.8 mm), and 102 is a rear substrate (thickness T 2) disposed at a position of 2 mm between the substrates facing the front substrate 101.
= 2.8 mm), and 103 is a frame portion disposed between the two substrates and hermetically bonded. The inner dimensions of the frame 103 are W1 = 820 mm in the x direction and W2 = 500 in the y direction.
mm. The frame 103, the front substrate 101 and the rear substrate 102 are hermetically bonded by frit glass (not shown). 105 is a plate spacer (length in the x direction 40 mm, length in the y direction 0.2 mm, length in the z direction = 1.8 mm) having a rectangular cross section disposed between the two substrates;
It is uniformly arranged continuously at an interval of 0.1 mm or less (almost continuous) in the x direction and at an interval P3 = 27.072 mm in the y direction, and the number is 288. Note that the number of plate spacers 105 is omitted in the drawing. Front substrate 10
1, back substrate 102, frame 103 and plate pacer 105
Is blue plate glass. 53, when the plate spacers 105 are arranged in a staggered arrangement, the interval in the x direction is 2.55 mm, the interval in the y direction is 27.072 mm, and the number of spacers is 256. The corners of the frame member may be chamfered and curved as shown in these drawings. The curvature in this case can be, for example, an inner diameter of 10 mm ± 1.0 mm and an outer diameter of 18 mm ± 1.0 mm, and a frame member having a curved corner with such a diameter can have a diagonal of 10 inches to 30 inches. It can be applied to large screens such as inches.
【０１４５】（構成６）枠部材の構成としては以下の構
成を採ることもできる。図５４にその一例を示す。支持
部材103は、前面板101及び背面板102と実質的に同様な
熱膨張率をもつ材料で形成され、前面板、背面板及び支
持部材で基本的な容器が構成される。支持部材の隅部形
状は、容器内側、外側両方円弧形状であることがもっと
も好ましいが、内側もしくは外側のみ円弧形状であって
も良く特に限定されるものではない。また、円弧形状の
曲率は内、外側とも限定されるものではないが、特に
内、外同心円で曲率半径は１〜50mmが強度的に好まし
い。支持部材の形成方法は、くり貫き加工、研削加工、
加熱プレス加工、棒材からの折り曲げ加工等、一体化構
造で形成することが一般的であるが、特に限定されるも
のではない。この構成において、有効表示エリアを対角
３０インチとする縦、横比３：４のカラー画像形成装置
を作成できた。(Structure 6) The following structure can be adopted as the structure of the frame member. FIG. 54 shows an example. The support member 103 is formed of a material having substantially the same coefficient of thermal expansion as the front plate 101 and the back plate 102, and a basic container is constituted by the front plate, the back plate, and the support member. The corner shape of the support member is most preferably an arc shape on both the inside and the outside of the container, but may be an arc shape only on the inside or the outside, and is not particularly limited. Further, the curvature of the arc shape is not limited to the inner side and the outer side, but it is particularly preferable that the inner and outer concentric circles have a radius of curvature of 1 to 50 mm in terms of strength. The method of forming the support member is a punching process, a grinding process,
In general, it is formed by an integrated structure such as a heat press process and a bending process from a bar material, but it is not particularly limited. With this configuration, a color image forming apparatus with an effective display area of 30 inches diagonally and an aspect ratio of 3: 4 could be created.
【０１４６】図５５に支持枠の他の例を示す。この支持
枠は、青板ガラス板材から研削加工にて厚さ3.6mm幅７
ｍｍ、隅部内側曲率半径２±０．５ｍｍすることで形成
することができた。更にリアプレートとの封着面にディ
スペンサによって低融点ガラスペーストを塗布し、乾燥
後、380℃で10分間前処理（仮焼成）することで低融点
ガラス層を形成した。低融点ガラスはフェースプレート
同様、日本電気硝子社製LS-3081をペーストとして用い
た。FIG. 55 shows another example of the support frame. This support frame is 3.6mm thick and 7mm wide by grinding from blue glass sheet.
mm and a radius of curvature of 2 ± 0.5 mm inside the corner. Further, a low-melting glass paste was applied to the sealing surface with the rear plate using a dispenser, dried, and then pre-treated (pre-baked) at 380 ° C. for 10 minutes to form a low-melting glass layer. As the low melting point glass, LS-3081 manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd. was used as a paste similarly to the face plate.
【０１４７】また図５６に示す構成を適用して有効表示
エリアを対角１０インチとする縦、横比３：４のカラー
画像表示装置を作成することができる。この場合の支持
枠は、青板ガラス板材からくり貫き加工にて厚さ1.6mm
幅１３ｍｍ、隅部内側曲率半径10±1.0ｍｍ、隅部外側
曲率半径18±1.0ｍｍのものとして作製できる。尚、隅
部の円弧形状は内、外とも同一中心を持つものとしてい
る。更にリアプレートとの封着面にディスペンサによっ
て低融点ガラスペーストを塗布し、乾燥後、380℃で10
分間前処理（仮焼成）することで低融点ガラス層を形成
した。低融点ガラスはフェースプレート同様、日本電気
硝子社製LS-3081をペーストとして用いた。By applying the configuration shown in FIG. 56, a color image display device having an effective display area of 10 inches diagonally and an aspect ratio of 3: 4 can be produced. In this case, the supporting frame is 1.6 mm thick by boring through a blue glass plate
It can be manufactured with a width of 13 mm, a corner inner radius of curvature of 10 ± 1.0 mm, and a corner outer radius of curvature of 18 ± 1.0 mm. The arc shape of the corner has the same center both inside and outside. Further, a low-melting glass paste is applied to the sealing surface with the rear plate by a dispenser, dried, and then dried at 380 ° C for 10 minutes.
A low-melting glass layer was formed by pretreatment (temporary baking) for minutes. As the low melting point glass, LS-3081 manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd. was used as a paste similarly to the face plate.
【０１４８】この構成によれば、背面板と前面板との間
にあって背面板と前面板の間隔を外周部において支持す
る支持部材の隅部形状を少なくとも容器内側もしくは外
側において円弧形状にする事により、支持部材を一体型
で成形することが容易になり、分割支持部材構成で見ら
れていた隅部でのスローリークの発生や封着後の容器の
破損(剥がれ)を低減する事ができ、歩留まりの良い信頼
性の高い画像形成装置が得られる。さらに支持部材自体
の強度が向上することにより取り扱いも安易になり装置
等の簡略化により生産性を向上させる事ができる。According to this structure, the corners of the supporting member, which is provided between the back plate and the front plate and supports the space between the back plate and the front plate at the outer peripheral portion, are formed into an arc shape at least inside or outside the container. It is easy to mold the support member integrally, and it is possible to reduce the occurrence of slow leak at the corner and the damage (peeling) of the container after sealing, which was seen in the divided support member configuration, An image forming apparatus with good yield and high reliability can be obtained. Further, since the strength of the support member itself is improved, handling becomes easy, and productivity can be improved by simplifying the apparatus and the like.
【０１４９】また、この構成において、背面板と前面板
との間にあって背面板と前面板の間隔を外周部において
支持する支持部材の隅部形状を少なくとも容器内側もし
くは外側において円弧形状にする事により、支持部材を
一体型で成形することが容易になり、分割支持部材構成
で見られていた隅部でのスローリークの発生や封着後の
容器の破損(剥がれ)を低減する事ができ、歩留まりの良
い信頼性の高い画像形成装置が得られた。また、支持部
材自体の強度が向上することにより取り扱いも安易にな
り装置等の簡略化により生産性を向上させる事ができ
た。Further, in this configuration, the corners of the supporting member, which is provided between the back plate and the front plate and supports the gap between the back plate and the front plate at the outer peripheral portion, are formed at least in an arc shape inside or outside the container. It is easy to mold the support member integrally, and it is possible to reduce the occurrence of slow leak at the corner and the damage (peeling) of the container after sealing, which was seen in the divided support member configuration, An image forming apparatus with good yield and high reliability was obtained. In addition, since the strength of the support member itself is improved, handling becomes easy, and productivity can be improved by simplifying the apparatus and the like.
【０１５０】（構成７）一方、フェースプレート、支持
枠、リアプレートの接合部の構成としては以下の各実施
例の構成をとることができる。(Structure 7) On the other hand, the structure of the joint of the face plate, the support frame, and the rear plate can be the structure of each of the following embodiments.
【０１５１】実施例１ 本実施例は、画像表示装置の大画面化における課題に対
して、目標を達成した例である。図５７および図５８は
この構成の実施例１を説明する図である。図５７は気密
容器の概略断面図であり、図５８は気密容器の構成部材
を分解した概略斜視図である。Embodiment 1 The present embodiment is an example in which a goal has been achieved for the problem of increasing the screen size of an image display device. FIGS. 57 and 58 are views for explaining the first embodiment of this configuration. FIG. 57 is a schematic sectional view of the airtight container, and FIG. 58 is a schematic perspective view of the exploded components of the airtight container.
【０１５２】図中、１０１は前面基板（厚さ２．８ｍ
ｍ）であり、１０２は前面基板１０１に対向した位置に
配置された背面基板（厚さ２．８ｍｍ）であり、１０３
はフリットガラス１０５によって前面基板１０１と背面
基板１０３と気密に接着された外枠である。外枠１０３
の幅Ｗは３ｍｍ、厚さＴは１ｍｍであり、縦横比Ａは３
である。また、フリットガラス１０５の厚みは０．２ｍ
ｍである。In the figure, reference numeral 101 denotes a front substrate (thickness: 2.8 m).
m), reference numeral 102 denotes a rear substrate (thickness: 2.8 mm) arranged at a position facing the front substrate 101;
Is an outer frame airtightly bonded to the front substrate 101 and the rear substrate 103 by frit glass 105. Outer frame 103
Has a width W of 3 mm, a thickness T of 1 mm, and an aspect ratio A of 3
It is. The thickness of the frit glass 105 is 0.2 m
m.
【０１５３】１０４は気密容器１０６の内部を真空にし
た時に外部から印加される大気圧に対して、気密容器の
変形を抑制するためのスペーサ１０４である。大きさ
は、ｘ方向長さｔは０．２ｍｍ、ｙ方向長さ４０ｍｍ、
ｚ方向長さ１．２ｍｍであり、フリットガラス１０７
（厚さ０．２ｍｍ）にて片側固定されている。図５７、
５８ではスペーサは3本しか記載されていないが、実際
は２５０本である。Reference numeral 104 denotes a spacer 104 for suppressing deformation of the hermetic container with respect to atmospheric pressure applied from the outside when the inside of the hermetic container 106 is evacuated. As for the size, the length t in the x direction is 0.2 mm, the length in the y direction is 40 mm,
The length in the z direction is 1.2 mm, and the frit glass 107
(Thickness: 0.2 mm) and fixed on one side. FIG.
Although only three spacers are described in 58, actually there are 250 spacers.
【０１５４】１０６は前面基板１０１と背面基板１０２
と外枠１０３によって構成された気密容器であり、１１
０は気密空間である。気密容器１０６の大きさは、ｘ方
向９００ｍｍ、ｙ方向５８０ｍｍ、ｚ方向７ｍｍであ
る。また、前面基板１０１と背面基板１０２と外枠１０
３とスペーサ１０４の材質は青板ガラスである。106 is a front substrate 101 and a rear substrate 102
And an outer frame 103.
0 is an airtight space. The size of the airtight container 106 is 900 mm in the x direction, 580 mm in the y direction, and 7 mm in the z direction. The front substrate 101, the rear substrate 102, and the outer frame 10
The material of 3 and the spacer 104 is blue plate glass.
【０１５５】１０９は背面基板１０２上に搭載された表
面伝導型電子放出素子であり、１０８は前面基板上に搭
載され、表面伝導型電子放出素子１０９で発生した電子
を照射することで発光する蛍光体である。表面伝導型電
子放出素子１０９についての詳しい技術は特開平７−２
３５２５５等で開示されている。Reference numeral 109 denotes a surface conduction electron-emitting device mounted on the rear substrate 102. Reference numeral 108 denotes a fluorescent light which is mounted on the front substrate and emits light when irradiated with electrons generated by the surface conduction electron-emitting device 109. Body. The detailed technology of the surface conduction electron-emitting device 109 is described in JP-A-7-2.
35255 and the like.
【０１５６】次に、気密容器の製造方法を説明する。は
じめに、前面基板１０１に蛍光体１０８等を形成し、次
に、背面基板１０２上に表面伝導型電子放出素子１０９
などを設け、その後、背面基板１０２の上にフリットガ
ラス１０５と外枠１０３を積層して配置して、さらにス
ペーサ１０４とフリットガラス１０７を治具にて位置決
めして配置し、外枠１０３とスペーサ１０４に荷重を加
えながらホットプレートにてフリットガラス１０５の接
着温度まで加熱し、接着させ、冷却する。さらに、外枠
１０３の上に、フリットガラス１０５と前面基板１０１
をのせ、治具等で適切な位置で固定し、ホットプレート
でフリットガラス１０５の接着温度まで加熱し、フリッ
トガラス１０５に荷重を加えながら、気密に接合する。
そして、降温してホットプレートから取り出し、気密空
間１１０を具備する気密容器１０６を完成した。Next, a method for manufacturing an airtight container will be described. First, the phosphor 108 and the like are formed on the front substrate 101, and then, the surface conduction electron-emitting devices 109 are formed on the rear substrate 102.
After that, the frit glass 105 and the outer frame 103 are laminated and arranged on the rear substrate 102, and the spacer 104 and the frit glass 107 are positioned and arranged with a jig. While applying a load to 104, it is heated to the bonding temperature of frit glass 105 by a hot plate, bonded, and cooled. Further, the frit glass 105 and the front substrate 101 are placed on the outer frame 103.
Then, it is fixed at an appropriate position with a jig or the like, heated to the bonding temperature of the frit glass 105 with a hot plate, and airtightly joined while applying a load to the frit glass 105.
Then, the temperature was lowered and taken out of the hot plate to complete an airtight container 106 having an airtight space 110.
【０１５７】次に、気密容器１０６を用いた画像表示装
置の製造方法について説明する。はじめに、排気管（不
図示）を介して気密空間１１０の空気を排出して真空に
し、表面伝導型電子放出素子１０９と外部の駆動回路
（不図示）等を接続し、表面伝導型電子放出素子１０９
に通電することで電子放出部としての性能を与え、外部
の駆動回路より画像を表示するべく通電することで、表
面伝導型電子放出素子より電子を発生させ、蛍光体１０
８に照射し、蛍光体１０８が発光することで画像表示に
成功し、画像表示装置の製造を完了した。Next, a method of manufacturing an image display device using the airtight container 106 will be described. First, the air in the hermetic space 110 is exhausted through an exhaust pipe (not shown) to create a vacuum, and the surface-conduction electron-emitting device 109 is connected to an external drive circuit (not shown). 109
When a current is supplied to the phosphor 10 to provide performance as an electron-emitting portion, an external drive circuit supplies current to display an image, thereby generating electrons from the surface-conduction type electron-emitting device, and
8 and the phosphor 108 emitted light, successfully displaying an image, and completing the manufacture of the image display device.
【０１５８】次に、能力最大である前面発光の状態で駆
動を行い、前面基板１０１および背面基板１０２の温度
がそれぞれ上昇しても、外枠１０３およびフリットガラ
ス１０５においてスローリークは発生せず、安定した気
密容器と画像表示装置を得ることができた。その後、排
気管(不図示)を切断除去した。Next, even when the front substrate 101 and the rear substrate 102 are driven in the state of the front emission having the maximum capacity, slow leakage does not occur in the outer frame 103 and the frit glass 105 even if the temperatures of the front substrate 101 and the rear substrate 102 are respectively increased. A stable airtight container and an image display device were obtained. Thereafter, the exhaust pipe (not shown) was cut and removed.
【０１５９】続いて、厚さＴを１ｍｍを対象にし、上述
した第一の条件である外枠１０３の幅Ｗ＝３ｍｍを中心
として、幅Ｗ＝１，２，５，３０，４０ｍｍである外枠
についてＦＥＭ解析を行い、引き剥がし応力σがスロー
リークにつながるクラックが発生しないと考えられる１
２ＭＰａ以下であることを判定基準とした。さらに外枠
１０３の幅Ｗ＝２，５，３０，４０ｍｍである外枠を用
いて気密容器を作成し、さらに画像表示装置を製造し
た。Subsequently, the thickness T is set to 1 mm, and the width W is 1, 2, 5, 30, and 40 mm centering on the width W = 3 mm of the outer frame 103, which is the above-described first condition. FEM analysis is performed on the frame, and it is considered that the peeling stress σ does not cause cracks leading to slow leak.
The criterion was 2 MPa or less. Further, an airtight container was prepared using the outer frame having the width W of the outer frame 103 of 2, 5, 30, and 40 mm, and an image display device was further manufactured.
【０１６０】そして、能力最大の駆動を行い、ヘリウム
リークディテクタを用いてスローリークチェックを特に
領域ＣおよびＤにて行い、スローリークがないことを確
認した。Then, the drive at the maximum capacity was performed, and a slow leak check was performed particularly in regions C and D using a helium leak detector, and it was confirmed that there was no slow leak.
【０１６１】また、外枠の幅Ｗが大きくなると、それに
伴って、気密容器を製造する際にフリットガラス１０５
を用いて外枠と前面基板および背面基板を加熱接合する
ために必要な荷重が大きくなり、製造装置の消耗等が激
しくなり、製造コストが高くなってしまう。従って、実
用的には、幅Ｗは３０ｍｍ以下であることが適当であ
る。Further, when the width W of the outer frame is increased, the frit glass 105 is required when the hermetic container is manufactured.
In this case, the load required to heat-bond the outer frame to the front substrate and the rear substrate by using the method described above increases, so that the manufacturing equipment is greatly consumed and the manufacturing cost is increased. Therefore, in practice, it is appropriate that the width W is 30 mm or less.
【０１６２】これらの結果を表１に示す。Table 1 shows the results.
【０１６３】[0163]
【表１】 本実施例では、大画面を有する気密容器およびそれを用
いた画像表示装置において、外枠１０３の縦横比Ａが、
枠幅Ｗが２≦Ｗ≦３０であり、２≦Ａ≦３０であれば、
実用的な範囲で、スローリークが発生しにくいことを検
討および製造を行うことで示した。[Table 1] In the present embodiment, in an airtight container having a large screen and an image display device using the same, the aspect ratio A of the outer frame 103 is
If the frame width W is 2 ≦ W ≦ 30 and 2 ≦ A ≦ 30,
In a practical range, it was shown that a slow leak is unlikely to occur, and that it was studied and manufactured.
【０１６４】また、本実施例ではスペーサ１０４として
長さ４０ｍｍ、厚さ０．２ｍｍの形状を用いたが、形状
および大きさをこれに限定するものではない。例えば、
長さが２００ｍｍ、厚さ０．１ｍｍでもよく、また、半
径が０．１ｍｍ程度の円柱形状でもよい。In this embodiment, the spacer 104 has a length of 40 mm and a thickness of 0.2 mm. However, the shape and size are not limited thereto. For example,
The length may be 200 mm, the thickness may be 0.1 mm, or the column may have a radius of about 0.1 mm.
【０１６５】なお、３０インチ角の大画面に適用する場
合は、例えばＷ＝１３mm、Ｔ＝１．３mm、フリット厚み
０．３mm、Ａ＝１０ｍｍ、スペーサＺ方向１．８ｍｍ、
容量大きさ７．５ｍｍとすることができる。When applying to a large screen of 30 inches square, for example, W = 13 mm, T = 1.3 mm, frit thickness 0.3 mm, A = 10 mm, spacer Z direction 1.8 mm,
The capacity size can be 7.5 mm.
【０１６６】実施例２ 本実施例では、実施例１と同じく、画像表示装置の大画
面化における課題に対して、目標を達成した例である。
本実施例は、外枠１０３とスペーサ１０４のサイズが異
なるだけで、その他の構成部材のサイズは実施例１と同
じである。Embodiment 2 In this embodiment, as in Embodiment 1, a goal is achieved for the problem of increasing the screen size of the image display device.
In the present embodiment, the sizes of the outer frame 103 and the spacer 104 are different, and the sizes of other components are the same as those of the first embodiment.
【０１６７】本実施例では、外枠１０３の幅Ｗは１２ｍ
ｍであり、厚さＴは３ｍｍであり、外枠の縦横比Ａは４
である。またそれにともない、スペーサ１０４のｚ方向
の長さが３．２ｍｍである。。また、フリットガラス１
０５の厚みは０．２ｍｍである。また、前面基板１０
１、背面基板１０２、外枠１０３およびスペーサ１０４
の材質は、高歪点ガラスである。In this embodiment, the width W of the outer frame 103 is 12 m
m, the thickness T is 3 mm, and the aspect ratio A of the outer frame is 4
It is. Accordingly, the length of the spacer 104 in the z direction is 3.2 mm. . In addition, frit glass 1
05 has a thickness of 0.2 mm. The front substrate 10
1. Back substrate 102, outer frame 103 and spacer 104
Is a high strain point glass.
【０１６８】これらの部材を用いて、実施例１と同じ方
法で気密容器を製造し、そして画像表示装置を製造し、
最大能力における駆動においてスローリークがないこと
を確認した。Using these members, an airtight container was manufactured in the same manner as in Example 1, and an image display device was manufactured.
It was confirmed that there was no slow leak in driving at the maximum capacity.
【０１６９】さらに、外枠の幅Ｗ＝１２に対して、厚さ
Ｔを、Ｔ＝３ｍｍを中心としてＴ＝２，４ｍｍと振って
気密容器、さらには画像表示装置を製造し、実施例１と
同様の検討、確認を行った。その結果を表２に示す。な
お、厚さＴを変化させるにあたり、スペーサ１０４のｚ
方向の長さも、それぞれ、２．２ｍｍ，４．２ｍｍと変
更した。Further, with respect to the width W = 12 of the outer frame, the thickness T was shaken to T = 2, 4 mm around T = 3 mm to produce an airtight container and further an image display device. The same examination and confirmation as above were performed. Table 2 shows the results. In changing the thickness T, z of the spacer 104 is changed.
The lengths in the direction were also changed to 2.2 mm and 4.2 mm, respectively.
【０１７０】[0170]
【表２】 本実施例では、大画面を有する気密容器およびそれを用
いた画像表示装置において、外枠１０３の外枠の幅Ｗが
Ｗ＝１２であり、縦横比Ａが、３≦Ａ≦６であれば、実
用的な範囲で、スローリークが発生しにくいことを検討
および製造を行うことで示した。[Table 2] In the present embodiment, in an airtight container having a large screen and an image display device using the same, if the width W of the outer frame 103 is W = 12 and the aspect ratio A is 3 ≦ A ≦ 6, In the practical range, it was shown that slow leak hardly occurs and that it was studied and manufactured.
【０１７１】なお、例えば、３０インチの表示部の場合
は、Ａ＝１０、Ｗ＝１３、Ｔ＝１．３、また１０インチ
の表示部の場合は、Ａ＝８．６、Ｗ＝１２、Ｔ＝１．４
とすることができる。For example, in the case of a 30-inch display unit, A = 10, W = 13, T = 1.3, and in the case of a 10-inch display unit, A = 8.6, W = 12, T = 1.4
It can be.
【０１７２】（構成８）更に、フェースプレート、支持
枠、リアプレートの接合部周辺については以下のような
構成をとることができる。この構成は、フェースプレー
トの画像形成部材（蛍光体）領域の周辺から、支持枠と
の接合面にかけて第１の導電性膜を有し、支持枠上のフ
ェースプレートとの接合面から、支持枠上のリアプレー
トとの接合面にかけて第２の導電性膜を有するものであ
る。また、この構成ではリアプレート側の電子源基板中
の複数の電子放出素子と配線の周辺に第３の導電性膜を
有してもよい。更に、第１の導電性膜と第２の導電性膜
との接合部に、第１の導電性膜と第２の導電性膜とを電
気的に接合する導電性材料が形成されていてもよく、フ
ェースプレートと支持枠との間が、導電性のフリット乃
至は接着剤により接合されてもよい。(Structure 8) Further, the following structure can be adopted around the joint of the face plate, the support frame, and the rear plate. This configuration has a first conductive film from the periphery of the image forming member (phosphor) region of the face plate to the joint surface with the support frame, and from the joint surface with the face plate on the support frame, It has a second conductive film over the joint surface with the upper rear plate. In this configuration, a third conductive film may be provided around the plurality of electron-emitting devices and the wiring in the electron source substrate on the rear plate side. Further, even if a conductive material for electrically bonding the first conductive film and the second conductive film is formed at a bonding portion between the first conductive film and the second conductive film. The face plate and the support frame may be joined by a conductive frit or an adhesive.
【０１７３】図５９にこの構成の一例を示す。この例で
は、フェースプレート（前面板）７上の画像形成部材６
の周辺から支持枠９との接合部にかけて、第１の導電性
膜１０が形成されており、支持枠９上には、前面板７と
の接合部からリアプレート（背面板）４との接合部にか
けて第２の導電膜１１が形成されている。また、第１の
導電膜１０と第２の導電膜１１は接合部分で電気的に接
続しており、電気的接続を確保するための導電性材料１
２を形成しても良い。また、導電性材料１２を用いず
に、接合材１４にＡｕやＡｇ等の導電性のフィラーを混
合させた導電性フリットガラスを用いて、電気的接続を
確保することもできる。FIG. 59 shows an example of this configuration. In this example, the image forming member 6 on the face plate (front plate) 7
A first conductive film 10 is formed from the periphery of the first conductive film 10 to the joint with the support frame 9. On the support frame 9, the first conductive film 10 is joined from the joint with the front plate 7 to the rear plate (back plate) 4. The second conductive film 11 is formed over the portion. In addition, the first conductive film 10 and the second conductive film 11 are electrically connected at a joint portion, and a conductive material 1 for securing electrical connection.
2 may be formed. Further, the electrical connection can also be secured by using a conductive frit glass in which a conductive filler such as Au or Ag is mixed into the bonding material 14 without using the conductive material 12.
【０１７４】第２の導電膜１１の背面板４との接合部分
は、電子源２を駆動する時の電位と近い電位になるよう
に維持するのが好ましく、例えば図５９に示すように、
支持枠９の背面板４との接合端面に導電膜２と接触する
ように電極１３を形成し、電極１３を例えばグランド電
位に接続する。The junction of the second conductive film 11 with the back plate 4 is preferably maintained at a potential close to the potential at the time of driving the electron source 2. For example, as shown in FIG.
An electrode 13 is formed on the joint end surface of the support frame 9 with the back plate 4 so as to be in contact with the conductive film 2, and the electrode 13 is connected to, for example, a ground potential.
【０１７５】第１の導電膜１０は、表面抵抗Ｒｓ（シー
ト抵抗）が１０11Ω／□以下となるように形成する。な
おシート抵抗Ｒｓは、厚さがｔ、幅がｗで長さがｌの薄
膜の長さ方向に測定した抵抗値ＲをＲ＝Ｒｓ（ｌ／ｗ）
とおいたときに現れる値で、抵抗率をρとすれば、Ｒｓ
＝ρ／ｔである。シート抵抗Ｒｓを上記範囲に設定する
理由は、先述したイオンなどによる帯電を除去するため
にはＲｓが１０11Ω／□以下であることが好ましいから
である。第２の導伝膜１１のシート抵抗は、１０8Ω／
□〜１０11Ω／□とするのが好ましい。これも、イオン
などによる帯電を除去するためにはＲｓが１０11Ω／□
以下であることが好ましいからであり、また、画像形成
部材６に高電圧が印加された時に第２の導電膜１１を電
流が流れることにより消費される電力を抑えるためには
Ｒｓが１０8Ω／□以上であることが好ましいからであ
る。The first conductive film 10 is formed so that the surface resistance Rs (sheet resistance) is 10 11 Ω / □ or less. The sheet resistance Rs is represented by R = Rs (l / w), which is a resistance value R measured in the length direction of a thin film having a thickness t, a width w, and a length l.
If the resistivity is ρ, then Rs
= Ρ / t. The reason why the sheet resistance Rs is set in the above range is that Rs is preferably 10 11 Ω / □ or less in order to remove the above-mentioned charge due to ions and the like. The sheet resistance of the second conductive film 11 is 10 8 Ω /
□ to 10 11 Ω / □ is preferred. This also requires that Rs be 10 11 Ω / □ in order to remove charges due to ions and the like.
In addition, Rs is preferably set to 10 8 Ω in order to suppress the power consumed by the current flowing through the second conductive film 11 when a high voltage is applied to the image forming member 6. / □ or more is preferable.
【０１７６】支持枠９周囲の構造パラメータを考慮し、
第１の導電膜１０および第２の導電膜１１のシート抵抗
を上記範囲内で適宜設定することで、支持枠周囲の電界
の乱れを制御することも可能である。ここで、画像形成
部材６に印加する高電圧の値をＶａとし、画像形成部材
６の端部から支持枠との接合部との距離をＬとし、支持
枠の高さをＨ、第１の導電膜と第２の導電膜のシート抵
抗をそれぞれＲｓ１，Ｒｓ２とする。例えば、Ｖａ／２
となる電位が前面板と支持枠との接合部位に来るように
するためには、Ｒｓ１／Ｒｓ２＝Ｈ／Ｌとすれば良い。
また、Ｒｓ１／Ｒｓ２が極力小さくなるように設定すれ
ば、図５９に示すように、画像形成部材６と電子源２と
の間の平衡電界を支持枠近傍まで継続させることができ
る。Considering the structural parameters around the support frame 9,
By appropriately setting the sheet resistance of the first conductive film 10 and the second conductive film 11 within the above range, it is possible to control the disturbance of the electric field around the support frame. Here, the value of the high voltage applied to the image forming member 6 is Va, the distance from the end of the image forming member 6 to the joint with the support frame is L, the height of the support frame is H, The sheet resistances of the conductive film and the second conductive film are Rs1 and Rs2, respectively. For example, Va / 2
Rs1 / Rs2 = H / L in order to make the potential to reach the junction between the front plate and the support frame.
If Rs1 / Rs2 is set to be as small as possible, as shown in FIG. 59, the balanced electric field between the image forming member 6 and the electron source 2 can be continued to the vicinity of the support frame.
【０１７７】なお、ここでの導電膜の形成用材料として
は、炭素材料や酸化錫、酸化クロム、ＩＴＯなどの金属
酸化物や、導電性材料が酸化シリコン等に分散されたも
のなどは、容易にかつ大面積にわたり均一な膜を形成で
きるため好適である。導電膜１０、１１の成膜方法とし
ては、スパッタ法、真空蒸着法、塗布法、電子ビームに
よる重合法、プラズマ法、ＣＶＤ法等が挙げられる。こ
れらのいずれの方法によっても、安定した導電膜を容易
に得られる。As the material for forming the conductive film here, a carbon material, a metal oxide such as tin oxide, chromium oxide, or ITO, or a material in which a conductive material is dispersed in silicon oxide or the like can be easily used. This is preferable because a uniform film can be formed over a large area. Examples of a method for forming the conductive films 10 and 11 include a sputtering method, a vacuum evaporation method, a coating method, a polymerization method using an electron beam, a plasma method, and a CVD method. A stable conductive film can be easily obtained by any of these methods.
【０１７８】次に、本発明の表示プレートの第２の形態
を図６０に示す。図６０中、図５９と同じ符号を付けた
部材は同じ物を示す。図６０で示した画像形成装置と、
図５９で示した画像形成装置との相違点は、ガラス等の
絶縁性基体上に形成された電子源２と配線３の、少なく
とも周囲の絶縁基板上に第３の導電性膜１６を有してい
る点にある。Next, a second embodiment of the display plate of the present invention is shown in FIG. 60, members denoted by the same reference numerals as in FIG. 59 indicate the same members. An image forming apparatus shown in FIG.
The difference from the image forming apparatus shown in FIG. 59 is that the electron source 2 and the wiring 3 formed on an insulating substrate such as glass have a third conductive film 16 on at least the surrounding insulating substrate. It is in the point.
【０１７９】この構成によれば、上記背面板内の電極も
しくは導電性薄膜が形成されていない領域、例えば、各
Ｘ方向配線３ｘの間、各Ｙ方向配線３ｙの間、それぞれ
の電子放出素子間に存在する基板１の表面等に、第３の
導伝膜が形成される。そして、第３の導電膜は、電子放
出素子の駆動電圧に近い電位となるように、電極電位や
グランド電位などに電気的に接続されているため、これ
らの領域が帯電することにより発生する電子ビーム軌道
の歪みや揺らぎを抑えることができる。第３の導伝膜の
シート抵抗は、帯電を防止する観点から１０11Ω／□以
下であることが好ましく、また、各配線や電極間の絶縁
を確保し、リーク電流による無効な消費電力を抑える観
点から１０8Ω／□以上であることが好ましい。第３の
導伝膜を構成する材料や成膜方法は、第１の導伝膜や第
２の導伝膜と同じ材料や成膜方法を用いることができ
る。According to this configuration, a region where no electrode or conductive thin film is formed in the back plate, for example, between the X-direction wirings 3x, between the Y-direction wirings 3y, and between the respective electron-emitting devices. A third conductive film is formed on the surface of the substrate 1 existing in the above. Since the third conductive film is electrically connected to an electrode potential, a ground potential, or the like so as to have a potential close to a driving voltage of the electron-emitting device, electrons generated by charging these regions are generated. The distortion and fluctuation of the beam trajectory can be suppressed. The sheet resistance of the third conductive film is preferably 10 11 Ω / □ or less from the viewpoint of preventing electrification. Insulation between wirings and electrodes is ensured, and invalid power consumption due to leak current is reduced. From the viewpoint of suppression, it is preferably at least 10 8 Ω / □. As a material and a film forming method for forming the third conductive film, the same material and a film forming method as those of the first conductive film and the second conductive film can be used.
【０１８０】第３の導伝膜１６は、各配線や電極間の絶
縁を確保するような抵抗値に設定してあるため、電子源
を形成した背面板全体に成膜しても良く、また、予め基
板１上に第３の導伝膜を成膜し、その上に電子源２や配
線群３を形成しても良い。Since the third conductive film 16 is set to have a resistance value that ensures insulation between the wirings and electrodes, the third conductive film 16 may be formed on the entire back plate on which the electron source is formed. Alternatively, a third conductive film may be formed on the substrate 1 in advance, and the electron source 2 and the wiring group 3 may be formed thereon.
【０１８１】次に、この構成、例えば図５９または６０
に示す構成における接合部の作製について説明する。ま
ず、画像表示部分となる前面板７を作成した。前面板７
には、予めガラス基板５の片側全面にＩＴＯからなる透
明電極を設けておいた。ＩＴＯ膜は本発明においける第
１の導伝膜としての機能を備えており、シート抵抗は２
×１０3Ω／□とした。Next, this structure, for example, FIG.
The fabrication of the joint in the configuration shown in FIG. First, a front plate 7 serving as an image display portion was prepared. Front panel 7
, A transparent electrode made of ITO was provided on the entire surface of one side of the glass substrate 5 in advance. The ITO film has a function as the first conductive film in the present invention, and has a sheet resistance of 2
× 10 3 Ω / □.
【０１８２】画像形成部材であるところの蛍光膜６は、
カラーを実現するためにストライプ形状の蛍光体とし、
先にブラックストライプを形成し、その間隙部にスラリ
ー法により各色蛍光体を塗布して蛍光膜６を作製した。
ブラックストライプの材料として通常良く用いられてい
る黒鉛を主成分とする材料を用いた。また、蛍光膜６の
電子源に対向する面側にはメタルバックを設けた。メタ
ルバックは、蛍光膜６の作製後、蛍光膜６の内面側表面
の平滑化処理（通常、フィルミングと呼ばれる）を行
い、その後Ａｌを真空蒸着することで作製した。The fluorescent film 6, which is an image forming member,
In order to realize color, it is a stripe shaped phosphor,
First, a black stripe was formed, and phosphors of each color were applied to the gaps by a slurry method to form a phosphor film 6.
As the material for the black stripe, a material mainly containing graphite, which is generally used, was used. A metal back was provided on the surface of the fluorescent film 6 facing the electron source. The metal back was manufactured by performing a smoothing process (usually called filming) on the inner surface of the fluorescent film 6 after the fluorescent film 6 was manufactured, and then performing vacuum deposition of Al.
【０１８３】次に、支持枠９を作成した。支持枠９はソ
ーダライムガラスからなり、電子ビーム蒸着により酸化
クロムからなる第２の導伝膜を成膜した。シート抵抗は
３×１０10Ω／□とした。また、支持枠９の背面板と接
合される接合面と第２の導電膜端部にかけて、Ａｌの蒸
着膜からなる電極を形成した。Next, a support frame 9 was prepared. The support frame 9 was made of soda lime glass, and a second conductive film made of chromium oxide was formed by electron beam evaporation. The sheet resistance was 3 × 10 10 Ω / □. Further, an electrode made of a vapor-deposited Al film was formed over the joint surface of the support frame 9 joined to the back plate and the end of the second conductive film.
【０１８４】以上のようにして多数の表面伝導型電子放
出素子を作製した背面板の３ｍｍ上方に、先ほど作成し
た前面板７を支持枠９を介して配置し、前面板７と支持
枠９との接合部にはＡｕ微粒子のフィラーを混合させた
導電性フリットガラスを塗布し、支持枠９と背面板４と
の間には通常の（絶縁性の）フリットガラスを塗布し
て、大気中で４１０℃で１０分間焼成することで封着し
た。The front plate 7 prepared above is disposed via the support frame 9 at a position 3 mm above the rear plate on which a large number of surface conduction electron-emitting devices have been manufactured as described above. Is applied with a conductive frit glass mixed with a filler of Au fine particles, and a normal (insulating) frit glass is applied between the support frame 9 and the back plate 4 in the air. It sealed by baking at 410 degreeC for 10 minutes.
【０１８５】更に、第３の導電膜を用いた構成は、ま
ず、ＲＦマグネトロンスパッタによって、上記背面板の
電子源が形成された側の前面に、第３の導電膜を形成す
る。使用したターゲットは炭素であり、膜厚は約２ｎｍ
である。このときのシート抵抗値は５×１０8Ω／□程
度であった。次に、蛍光膜６とメタルバックからなる画
像形成部材を形成後、画像形成部材周辺のガラス基板上
に、炭素系薄膜からなる第１の導電膜１０を形成した。
第１の導電膜１０の形成は、粒径０．１μｍの炭素分散
材料を有機溶剤に分散した溶液をスプレーコートするこ
とにより行った。炭素分散材料は黒鉛を主成分として、
導伝率を下げるためにＴｉＯ２を添加されているものを
用いた。また、塗布後に、上記炭素系薄膜を安定化する
ために２００℃で熱処理を行った。このように作成され
た第１の導電膜の膜厚は約１μｍであり、シート抵抗は
２×１０7Ω／□であった。更に、支持枠９を作成し
た。支持枠９はソーダライムガラスからなり、電子ビー
ム蒸着により酸化錫からなる第２の導伝膜を成膜した。
シート抵抗は２×１０10Ω／□とした。また、支持枠９
の背面板と接合される接合面と第２の導電膜端部にかけ
て、Ａｌの蒸着膜からなる電極を形成した。このような
操作によって第１〜第３の導電膜を用いた構成を得るこ
とができた。Further, in the structure using the third conductive film, first, a third conductive film is formed on the front surface of the back plate on the side where the electron source is formed by RF magnetron sputtering. The target used was carbon, and the film thickness was about 2 nm.
It is. At this time, the sheet resistance was about 5 × 10 8 Ω / □. Next, after forming the image forming member including the fluorescent film 6 and the metal back, the first conductive film 10 including the carbon-based thin film was formed on the glass substrate around the image forming member.
The first conductive film 10 was formed by spray coating a solution in which a carbon dispersion material having a particle size of 0.1 μm was dispersed in an organic solvent. The carbon dispersion material is mainly composed of graphite,
The one to which TiO2 was added to lower the conductivity was used. After the application, a heat treatment was performed at 200 ° C. to stabilize the carbon-based thin film. The thickness of the first conductive film thus formed was about 1 μm, and the sheet resistance was 2 × 10 7 Ω / □. Further, a support frame 9 was prepared. The support frame 9 was made of soda lime glass, and a second conductive film made of tin oxide was formed by electron beam evaporation.
The sheet resistance was 2 × 10 10 Ω / □. In addition, the support frame 9
An electrode made of a vapor-deposited Al film was formed over the bonding surface to be bonded to the back plate and the end of the second conductive film. By such an operation, a configuration using the first to third conductive films could be obtained.
【０１８６】（構成９）一方、スペーサ自体の構成とし
て種々の構成が取り得るが、例えば図６１に示す構成の
ものを好ましく用いることができる。なお、このような
スペーサは以下のようにして行うことができる。(Structure 9) On the other hand, various structures can be adopted as the structure of the spacer itself. For example, the structure shown in FIG. 61 can be preferably used. In addition, such a spacer can be formed as follows.
【０１８７】まず、ＰＤガラスは、真空容器の外囲器を
なすフェースプレート、リアプレート及び枠部材などに
使用しているソーダライムガラスと熱膨張率が近いの
で、表示パネル組立や真空プロセス中の熱工程で表示パ
ネルの破壊や歪みを生じにくい。また、高電界（数ｋＶ
／ｍｍ）以下での電荷移動がソーダライムガラスに比べ
格段に少ないので、フェースプレート上のアノード電極
及びリアプレート上の電子源間に印加される高電圧下に
おいても、スペーサ沿面での放電やスペーサ部材の劣化
が生じにくい。以上から、スペーサ部材及び表示パネル
の信頼性が格段に向上する。First, PD glass has a coefficient of thermal expansion similar to that of soda lime glass used for the face plate, rear plate, frame member, etc., which form the envelope of the vacuum vessel. The display panel is less likely to be broken or distorted in the heating process. In addition, a high electric field (several kV
/ Mm) or less, compared to soda lime glass, so that even under a high voltage applied between the anode electrode on the face plate and the electron source on the rear plate, electric discharge along the spacer surface and spacer Deterioration of members is unlikely to occur. As described above, the reliability of the spacer member and the display panel is significantly improved.
【０１８８】スペーサが、フェースプレート及びリアプ
レート接する２面及び／または接続する側面部の一部へ
の電極の形成は以下の工程により行うことができる。 （ａ）スペーサ電極形成部に開口を有する成膜マスクを
スペーサに位置合せ・密着させた後、スパッタリング成
膜装置内にセットする。 （ｂ）スパッタリング成膜装置内を排気し、所望の真空
度に達した後、所望のターゲット材を所望のイオン化ガ
スによりスパッタし、スペーサ表面に所望の材料を成膜
する。 （ｂ−１）下引き層としてのＴｉを、チタンターゲット
をアルゴンガス中でスパッタリングして成膜する。 （ｂ−２）スペーサ電極としてのＰｔを、プラチナ−タ
ーゲットをアルゴンガス中でスパッタリングして成膜す
る。The electrodes can be formed on the two surfaces where the spacers are in contact with the face plate and the rear plate and / or on a part of the side surface where they are connected by the following steps. (A) A film-forming mask having an opening in a spacer electrode forming portion is positioned and brought into close contact with the spacer, and then set in a sputtering film-forming apparatus. (B) After evacuating the inside of the sputtering film forming apparatus and reaching a desired degree of vacuum, a desired target material is sputtered with a desired ionized gas to form a desired material on the spacer surface. (B-1) Ti as an undercoat layer is formed by sputtering a titanium target in an argon gas. (B-2) Pt as a spacer electrode is formed by sputtering a platinum target in an argon gas.
【０１８９】下引き層としてのチタンは、スペーサ基板
をなすガラス（酸化物を含む）と酸化しにくいプラチナ
との密着性を強化する機能を有する。低抵抗膜（スペー
サ電極）としてのプラチナは高抵抗膜と接するので、表
示パネル作製工程（特に熱工程）や高電圧印加工程にお
いて、高抵抗膜及びその境界部での変質を起こしにくい
材料として選択したものである。Titanium as an undercoat layer has a function of enhancing the adhesion between glass (including oxide) constituting the spacer substrate and platinum which is hardly oxidized. Platinum as a low-resistance film (spacer electrode) is in contact with the high-resistance film, so it is selected as a material that is unlikely to deteriorate at the high-resistance film and its boundary in the display panel manufacturing process (especially the heat process) and the high-voltage application process. It was done.
【０１９０】上記低抵抗膜（スペーサ電極）は、スペー
サがフェースプレート上のアノード及びリアプレート上
の配線と電気的導通をスペーサ全体にわたって保つ機能
と、かつスペーサ近傍を飛翔する電子軌道に対し所望の
制御を行う機能と、２次電子放出係数の小さい低抵抗部
材よりスペーサ表面で２次電子放出を制御し、スペーサ
帯電を抑制する機能を合せ持つ。The low-resistance film (spacer electrode) has a function of maintaining the electrical conduction of the spacer with the anode on the face plate and the wiring on the rear plate over the entire spacer, and has a desired function for an electron trajectory flying near the spacer. It has a function of controlling and a function of controlling secondary electron emission on the spacer surface by a low-resistance member having a small secondary electron emission coefficient to suppress spacer charging.
【０１９１】次に、スペーサが真空容器をなす表示パネ
ル内に表出する面に帯電防止機能を有する高抵抗膜を形
成する。まず、スパッタリング成膜装置内を排気し、所
望の真空度に達した後、所望のターゲット材を所望のイ
オン化ガスによりスパッタリングし、スペーサ表面に所
望の材料を成膜する。例えば、下引き層として窒化アル
ミニウムをアルミニウムターゲットを窒素ガス中でスパ
ッタリングして成膜（２００〜５００Å）する。次に、
高抵抗膜としての窒化タングステン・ゲルマニム合金化
合物（ＷＧｅＮ）を、タングステンターゲットとゲルマ
ニウムターゲットを窒素ガス中で同時スパッタリングし
て成膜（５００〜３０００Å）する。Next, a high resistance film having an antistatic function is formed on the surface where the spacers are exposed in the display panel forming the vacuum container. First, the inside of the sputtering film forming apparatus is evacuated and, after reaching a desired degree of vacuum, a desired target material is sputtered with a desired ionized gas to form a desired material on the spacer surface. For example, as an undercoat layer, aluminum nitride is formed (200 to 500 °) by sputtering an aluminum target in a nitrogen gas. next,
A tungsten nitride-germanium alloy compound (WGeN) as a high resistance film is formed by simultaneously sputtering a tungsten target and a germanium target in a nitrogen gas (500 to 3000 °).
【０１９２】この高抵抗膜は、リアプレート上の電子源
から放出された放出電子あるいはＧフェースプレート上
のアノードから反射した反射電子、あるいはその他のイ
オン化物質、あるいは紫外線やＸ線の衝突によりスペー
サ表面で発生する２次電子の量を高抵抗膜の２次電子放
出特性及び表面構造により制御し、帯電の発生を抑制す
る機能を有する。また、高抵抗膜の抵抗値を適度に制御
することにより、発生した帯電荷を速やかに除去し、か
つ高電界下においても電流による発熱を適度に抑制する
ことができる。The high resistance film is formed on the surface of the spacer by collision of emitted electrons emitted from the electron source on the rear plate, reflected electrons reflected from the anode on the G face plate, or other ionized substances, or ultraviolet rays or X-rays. Has the function of controlling the amount of secondary electrons generated by the secondary electron emission characteristics and surface structure of the high-resistance film, thereby suppressing the occurrence of charging. In addition, by appropriately controlling the resistance value of the high-resistance film, the generated charge can be promptly removed, and heat generation due to current can be appropriately suppressed even under a high electric field.
【０１９３】（構成１０）スペーサを用いた表示パネル
の真空容器内の真空度を維持する手段としてゲッタを容
器内に配置する場合には、スペーサとスペーサの間に少
なくとも１種のゲッタが配設された構成をとることがで
きる。そのような構成の１例を図６２に示す。図６２に
おいて、１は電子源で、複数の電子放出素子を基板上に
配置し、適当な配線を施したものである。２はリアプレ
ート、３は支持枠、４はフェースプレート、９、１４は
ゲッタ、１５は板状スペーサ、接合部において、フリッ
トガラスなどを用いて互いに接着され、外囲器５を形成
している。(Arrangement 10) When a getter is disposed in a container as a means for maintaining the degree of vacuum in a vacuum container of a display panel using a spacer, at least one type of getter is disposed between the spacers. Configuration can be adopted. One example of such a configuration is shown in FIG. In FIG. 62, reference numeral 1 denotes an electron source, in which a plurality of electron-emitting devices are arranged on a substrate, and are appropriately wired. 2 is a rear plate, 3 is a support frame, 4 is a face plate, 9 and 14 are getters, 15 is a plate-like spacer, and a bonding portion is adhered to each other using frit glass or the like to form an envelope 5. .
【０１９４】上記のようにして形成されたフェースプレ
ートと電子源基板に対し、ゲッタ９を設置する位置とし
ては、スぺーサとスペーサの間でフェースプレート側で
はメタルバック上あるいは黒色導電材上、電子源基板上
ではX方向配線上があげられる。設置はいずれか一方に
行ってもよいし、双方に行ってもよい。また設置領域
は、画像表示領域内全域に、まんべんなく分散して配置
されることが望ましい。さらに、ゲッタ９の設置面積と
しては、前記板状スペーサと前記電子源基板および前記
画像形成部材との設置面積より大きく配設されているこ
とが望ましい。With respect to the face plate and the electron source substrate formed as described above, the position where the getter 9 is installed is as follows: between the spacer and the spacer, on the face plate side, on a metal back or on a black conductive material; On the electron source substrate, on the X-direction wiring. The installation may be performed on either one or both. Further, it is desirable that the installation areas are uniformly distributed over the entire image display area. Further, the installation area of the getter 9 is desirably larger than the installation area of the plate-shaped spacer, the electron source substrate, and the image forming member.
【０１９５】一方、ゲッタ14を配置する位置としては、
画像形成装置内でかつ画像表示領域外でメタルバック、
電子源に対し絶縁されてあれば、フェースプレート4上
でもリアプレート上に設置しても良い。On the other hand, the position at which the getter 14 is arranged is as follows.
Metal back inside the image forming apparatus and outside the image display area,
If it is insulated from the electron source, it may be installed on the face plate 4 or on the rear plate.
【０１９６】上記のゲッタ９、１４は、その材料として
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、
Ｔｈ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍｎのうちから選ばれる一種以上の
金属、またはその合金からなるもの、あるいはＢａが使
われ、適当なマスクをのせて真空蒸着法またはスパッタ
リング法、ゲッタフラッシュ法によって製造可能であ
る。以下にゲッタの配置における実施例を示す。The getters 9 and 14 are made of Ti, Zr, Cr, Al, V, Nb, Ta, W, Mo,
Th, Ni, Fe, one or more metals selected from Fe, Mn, or an alloy thereof, or Ba is used, and can be manufactured by a vacuum evaporation method, a sputtering method, or a getter flash method with an appropriate mask. is there. An embodiment of the getter arrangement will be described below.
【０１９７】（実施例１）図６２の構成において、メタ
ルマスクを用いて画像表示領域内の上配線102上に、ス
パッタリング法によりＺｒ-Ｖ-Ｆｅ合金よりなるゲッタ
層109を形成する。ゲッタ層9の厚さは2μmとなるように
調整し、ゲッタ９の幅400μｍで板状スペーサの幅200μ
ｍより太く、かつ長く形成した。非蒸発型ゲッタを形成
した。使用したスパッタリングターゲットの組成は、Z
r;70%、V;25%、Fe;5%(重量比)である。(Example 1) In the structure shown in FIG. 62, a getter layer 109 made of a Zr-V-Fe alloy is formed on the upper wiring 102 in the image display area by using a metal mask by a sputtering method. The thickness of the getter layer 9 is adjusted to be 2 μm, and the width of the getter 9 is 400 μm and the width of the plate-like spacer is 200 μm.
It was formed thicker and longer than m. A non-evaporable getter was formed. The composition of the sputtering target used was Z
r; 70%, V; 25%, Fe; 5% (weight ratio).
【０１９８】（実施例２）更に、図６３に本構成の他の
例を示す。この例では、フェースプレート４の全てのブ
ラックマトリクス１２上にスパッタリング法によりTi-A
l合金よりなるゲッタ層9を形成した。Ti-Al合金のゲッ
タ層109の厚さは５μｍとし、幅は板状スペーサの幅150
μｍより太く、長く形成した。スパッタリングに用いた
ターゲットの組成は、Ti85%、Al15%の合金である。Embodiment 2 FIG. 63 shows another example of the present configuration. In this example, Ti-A is formed on all the black matrices 12 of the face plate 4 by sputtering.
A getter layer 9 made of an l alloy was formed. The thickness of the Ti-Al alloy getter layer 109 is 5 μm, and the width thereof is 150
It was formed thicker and longer than μm. The composition of the target used for sputtering is an alloy of 85% Ti and 15% Al.
【０１９９】（実施例３）図６４に本実施例について示
す。ここでは蒸発型ゲッタが図６４に示すワイヤー状の
ものであることと、ゲッタフラッシュを抵抗加熱で行っ
た以外は、実施例１と同様に画像形成装置を作成した。(Embodiment 3) FIG. 64 shows this embodiment. Here, an image forming apparatus was prepared in the same manner as in Example 1, except that the evaporable getter was of a wire shape shown in FIG. 64 and the getter flash was performed by resistance heating.
【０２００】（実施例４）本実施例を図６５に示す。本
実施例では、実施例１の長さ20mmの板状スペーサが50mm
おきに千鳥に画像表示領域の全ての上配線上に配置し、
ゲッタ９をスペーサとスペーサの間に形成した以外は、
実施例１と同様に画像形成装置を作成した。(Embodiment 4) This embodiment is shown in FIG. In this embodiment, the plate-like spacer having a length of 20 mm in the first embodiment is 50 mm.
Every other zigzag placed on the upper wiring of the image display area,
Except that the getter 9 is formed between the spacers,
An image forming apparatus was prepared in the same manner as in Example 1.
【０２０１】（実施例５）本実施例の画像形成装置を図
６６に示す。本実施例では、実施例１の工程の工程-ｘ
と実施例２の工程の工程-ｙをそれぞれ行い、上配線102
上とブラックマトリクス１２上にゲッタ９を形成した以
外は、実施例１と同様に画像形成装置を作成した。Embodiment 5 FIG. 66 shows an image forming apparatus of this embodiment. In this embodiment, the process -x of the process of the first embodiment
And the process-y of the process of the second embodiment are performed respectively.
An image forming apparatus was prepared in the same manner as in Example 1, except that the getter 9 was formed on the upper side and the black matrix 12.
【０２０２】以上の構成１０によれば、前記ゲッタ材の
設置面積は前記板状スペーサと前記電子源基板および前
記画像形成部材との設置面積より大きく配設されている
ことにより、広い面積で、しかも、最もガスを放出する
部分の近傍にゲッタ材が配置されることになる。その結
果、外囲器内に発生したガスはケ゛ッタ材に速やかに吸着さ
れ、外囲器内の真空度が良好に維持されるので、電子放
出素子からの電子放出量が安定し、特性の劣化を抑制で
き、結果的に、長時間動作させた場合の輝度の低下、と
りわけ、画像表示領域の外側付近での輝度の低下、およ
び輝度むらを抑制することができる。According to the above configuration 10, the installation area of the getter material is larger than the installation area of the plate-like spacer, the electron source substrate, and the image forming member. In addition, the getter material is arranged in the vicinity of the part that emits the most gas. As a result, the gas generated in the envelope is quickly adsorbed to the cutter material, and the degree of vacuum in the envelope is maintained well, so that the amount of electrons emitted from the electron-emitting device is stabilized and the characteristics are deteriorated. As a result, it is possible to suppress a decrease in brightness when the device is operated for a long time, particularly, a decrease in brightness near the outside of the image display area and uneven brightness.
【０２０３】（構成１１）ゲッタの配置については更に
以下の構成を利用することができる。すなわち、（１）
第一に、外囲器内に、複数の電子放出素子が基板上にマ
トリクス状に配置し対向する電極と配線で結線された電
子源基板と、前記基板に対向して設けられた蛍光膜を有
する画像形成部材とを有する表示パネルにおいて、該電
子源基板の配線上に非蒸発ゲッタが形成され、かつ連続
する該非蒸発ゲッタの任意の二点間の電気抵抗が、同二
点間の該非蒸発ゲッタが形成される配線の電気抵抗より
高いことを特徴とする構成、（２）第二に、上述の電子
源基板の結線方法が、対向する電極の一方を結線した走
査側配線ともう一方を結線した信号側配線で形成された
単純マトリクス配線において、上述の非蒸発ゲッタが形
成される配線が、該電子源基板の走査側配線であること
を特徴とする構成を挙げることができる。(Structure 11) The following structure can be further used for the getter arrangement. That is, (1)
First, in an envelope, an electron source substrate in which a plurality of electron-emitting devices are arranged in a matrix on a substrate and are connected to opposing electrodes by wiring, and a fluorescent film provided to oppose the substrate A non-evaporable getter is formed on the wiring of the electron source substrate, and the electrical resistance between any two points of the continuous non-evaporable getter is reduced by the non-evaporable getter between the two points. (2) Secondly, the above-described method for connecting the electron source substrate includes the step of connecting the scanning-side wiring connecting one of the opposing electrodes to the other, and In the simple matrix wiring formed by the connected signal-side wiring, the wiring on which the above-described non-evaporable getter is formed is the scanning-side wiring of the electron source substrate.
【０２０４】この構成によれば、 ＮＥＧを形成した配
線部分とＮＥＧを形成しなかった配線部分が混在する場
合において、配線部分毎の電圧降下ばらつきを小さく抑
えられ、その結果非蒸発ゲッタを形成することによる輝
度ばらつきを小さく抑えられて、ガスを放出する部分の
近傍である配線上にケ゛ッタ材が配置することができる。こ
れにより、封着工程後に外囲器内に発生したガスはケ゛ッタ
材に速やかに吸着され、外囲器内の真空度が良好に維持
されるので、電子放出素子からの電子放出量が安定す
る。単純マトリクス配線の電子源基板の場合、走査側配
線、信号側配線の両方の配線上に形成しても片側の配線
のみに形成しても構わないが、片側のみに形成する場
合、走査側配線上に形成することが好ましい。それは単
純マトリクス駆動の際、信号配線であるＹ方向配線より
走査配線であるＸ方向配線の方が電流容量が大きいこと
が好ましく、必然的にＸ方向配線の幅が広くなり、ＮＥ
Ｇの形成面積を大きくできるからである。According to this configuration, when the wiring portion where the NEG is formed and the wiring portion where the NEG is not formed coexist, the voltage drop variation in each wiring portion can be suppressed small, and as a result, a non-evaporable getter is formed. Accordingly, it is possible to arrange the cutter material on the wiring, which is in the vicinity of the gas discharging portion, with the luminance variation due to the above being kept small. As a result, the gas generated in the envelope after the sealing step is quickly adsorbed to the cutter material, and the degree of vacuum in the envelope is favorably maintained, so that the amount of electrons emitted from the electron-emitting device is stabilized. . In the case of an electron source substrate of a simple matrix wiring, it may be formed on both the scanning side wiring and the signal side wiring or on only one side wiring. It is preferable to form it on. In simple matrix driving, it is preferable that the X-direction wiring, which is the scanning wiring, has a larger current capacity than the Y-direction wiring, which is the signal wiring.
This is because the formation area of G can be increased.
【０２０５】図６７、６８は、２次元的に配置された電
子源を、マトリクス配線で接続された構成を模式的に示
したものである。図６７は平面図、図６８はA-A'に沿っ
た断面の構成を示す。102はX方向配線(走査側配線、上
配線)、103はY方向配線(信号側配線、下配線)で、それ
ぞれ素子電極105,106を介して電子放出素子108に接続さ
れている。Y方向配線103とＸ方向配線102の交差部は、Y
方向配線103の上に絶縁層104が形成され、その上にX方
向配線102が形成されている。Ｘ方向配線102、Ｙ方向配
線103、素子電極105,106、電子放出素子はフォトリソプ
ロセスと真空蒸着法を組み合わせたもの、メッキ法、印
刷法、金属を溶液に溶かし液滴で付与し焼成する方法等
で形成される。FIGS. 67 and 68 schematically show a configuration in which two-dimensionally arranged electron sources are connected by matrix wiring. FIG. 67 is a plan view, and FIG. 68 shows a cross-sectional configuration along AA ′. Reference numeral 102 denotes an X-direction wiring (scanning-side wiring, upper wiring), and 103 denotes a Y-direction wiring (signal-side wiring, lower wiring), which are connected to the electron-emitting device 108 via device electrodes 105 and 106, respectively. The intersection of the Y direction wiring 103 and the X direction wiring 102 is Y
An insulating layer 104 is formed on the directional wiring 103, and an X-directional wiring 102 is formed thereon. The X direction wiring 102, the Y direction wiring 103, the device electrodes 105 and 106, and the electron-emitting device are obtained by a combination of a photolithography process and a vacuum deposition method, a plating method, a printing method, a method in which a metal is dissolved in a solution, applied in droplets, and fired. It is formed.
【０２０６】この電子源基板の配線上に非蒸発型ゲッタ
(NEG）109,110を形成する。Ｘ方向（走査側配線、上配
線）、Ｙ方向（信号側配線、下配線）両方向とも非蒸発
型ゲッタを形成してもよいし、片側のみ形成してもよ
い。片側の場合、好ましくはＸ方向配線上に形成するこ
とが望ましい。これは単純マトリクス駆動の際信号配線
であるＹ方向配線より走査配線であるＸ方向配線の方が
電流容量が大きいことが好ましく、必然的にＸ方向配線
の幅が広くなり、ＮＥＧの形成面積を大きくできるから
である。また、画像表示領域内全域に、まんべんなく分
散して配置されることが望ましい(この意味より、本ゲ
ッタは面内ゲッタと称す)。A non-evaporable getter is provided on the wiring of the electron source substrate.
(NEG) 109 and 110 are formed. In both the X direction (scanning side wiring and upper wiring) and the Y direction (signal side wiring and lower wiring), a non-evaporable getter may be formed, or only one side may be formed. In the case of one side, it is preferable to form it on the X-direction wiring. This is because it is preferable that the current capacity of the X-direction wiring as the scanning wiring is larger than that of the Y-direction wiring as the signal wiring in the simple matrix driving, so that the width of the X-direction wiring is inevitably increased, and the area for forming the NEG is reduced. Because it can be enlarged. Further, it is desirable that the getters are uniformly distributed over the entire image display area (in this sense, this getter is referred to as an in-plane getter).
【０２０７】配線上に形成する非蒸発型ゲッタ(NEG)
は、その材料としてＴｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｈ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍｎのうちか
ら選ばれる一種以上の金属、またはその合金からなるも
のが使われ、フォトリソプロセスによるパターニングと
真空蒸着法やスパッタリング法によって製造可能であ
り、また上記ゲッタ材のうちから選ばれる一種以上の金
属、またはその合金からなるものや、それらに他の金
属、非金属材料を混ぜ、スクリーン法やオフセット法の
印刷法、メッキ法等を用いても製造可能である。Non-evaporable getter (NEG) formed on wiring
Is made of Ti, Zr, Cr, Al, V, N
One or more metals selected from b, Ta, W, Mo, Th, Ni, Fe, and Mn, or alloys thereof are used, and can be manufactured by patterning by a photolitho process and vacuum evaporation or sputtering. Yes, and one or more metals selected from the above getter materials, or those made of alloys thereof, mixed with other metals and non-metallic materials, using a printing method such as a screen method or an offset method, a plating method, etc. It can also be manufactured.
【０２０８】この時、非蒸発ゲッタの連続する任意の二
点間の電気抵抗は、非蒸発ゲッタの下部にある配線の同
二点間の電気抵抗より高くする。これは非蒸発ゲッタを
形成した配線部分と形成しなかった配線部分がある画像
形成装置において、後述する素子形成工程のフォーミン
グ工程や活性化工程、さらには駆動時に配線に電流を流
す際、その上部の主成分が金属である非蒸発ゲッタにも
電流が流れ、配線よりも非蒸発ゲッタの抵抗が低い場合
には、非蒸発ゲッタに配線より大きい電流が流れ、電圧
降下が大きく変わり、画像形成装置の輝度ばらつきを生
じさせてしまう場合がある。非蒸発ゲッタの連続する任
意の二点間の電気抵抗が、非蒸発ゲッタの下部にある配
線の同二点間の電気抵抗より高い場合には、非蒸発ゲッ
タの形成された配線部分と形成されていない配線部分の
電圧降下のばらつきが小さく、輝度ばらつきを少なくす
ることが出来る。At this time, the electric resistance between any two consecutive points of the non-evaporable getter is made higher than the electric resistance between the same two points of the wiring below the non-evaporable getter. In an image forming apparatus having a wiring portion where a non-evaporable getter is formed and a wiring portion where a non-evaporable getter is formed, when an electric current is applied to the wiring during a forming step and an activation step of an element forming step, which will be described later, and also during driving, the upper part thereof is formed. When the resistance of the non-evaporable getter is lower than that of the wiring, a current larger than that of the wiring flows through the non-evaporable getter, and the voltage drop greatly changes, and the image forming apparatus In some cases, the brightness variation may occur. If the electrical resistance between any two consecutive points of the non-evaporable getter is higher than the electrical resistance between the same two points of the wiring below the non-evaporable getter, it is formed with the wiring portion where the non-evaporable getter is formed. The variation in the voltage drop in the non-wiring portion is small, and the variation in luminance can be reduced.
【０２０９】以下この構成における実施例を挙げる。 （実施例１）本実施例の表示パネルは、図６９に模式的
に示された装置と同様の構成を有し、X方向配線(上配
線)102、Ｙ方向配線（下配線）103上に一本おきに非蒸
発型ゲッタ（ＮＥＧ）が配置されている。また、本実施
例の表示パネルは、基板上に、複数(100行×300列)の表
面伝導型電子放出素子が、単純マトリクス配線された電
子源1を備えている。Hereinafter, embodiments of this configuration will be described. (Embodiment 1) The display panel of the present embodiment has the same configuration as the device schematically shown in FIG. 69, and is provided on an X-direction wiring (upper wiring) 102 and a Y-direction wiring (lower wiring) 103. Non-evaporable getters (NEG) are arranged every other one. Further, the display panel of this embodiment includes an electron source 1 in which a plurality of (100 rows × 300 columns) surface conduction electron-emitting devices are arranged in a simple matrix on a substrate.
【０２１０】電子源１の一部平面図を図６７に示す。ま
た、図中A-A'の断面図を図６８に示す。但し、図６７、
図６８で、同じ記号を付したものは同じ物を示す。ここ
で101は電子源基板、102は図６９のDoxmに対応するX方
向配線(上配線、走査側配線とも呼ぶ)、103は図６９のD
oynに対応するY方向配線(下配線、信号側配線とも呼
ぶ)、108は電子放出部を含む導電性膜、105,106は素子
電極、104は層間絶縁層である。ゲッタ層109,110の厚さ
は2μｍとなるように調整した。この膜厚により、連続
した非蒸発ゲッタの膜上の任意の二点間の非蒸発ゲッタ
の抵抗値は、その下部の同二点間の配線の抵抗より高く
形成された。FIG. 67 shows a partial plan view of the electron source 1. FIG. 68 shows a cross-sectional view taken along the line AA ′ in the drawing. However, FIG.
In FIG. 68, the components denoted by the same symbols indicate the same components. Here, 101 is an electron source substrate, 102 is an X-direction wiring (also referred to as an upper wiring or a scanning side wiring) corresponding to Doxm in FIG. 69, and 103 is D in FIG.
A Y-direction wiring (also referred to as a lower wiring or a signal-side wiring) corresponding to oyn, 108 is a conductive film including an electron emitting portion, 105 and 106 are device electrodes, and 104 is an interlayer insulating layer. The thickness of the getter layers 109 and 110 was adjusted to be 2 μm. With this film thickness, the resistance value of the non-evaporable getter between any two points on the continuous non-evaporable getter film was formed higher than the resistance of the wiring between the same two points below it.
【０２１１】ここで下配線、上配線ともに抵抗率（体積
抵抗率）は５×１０-8Ωｍであり、一方のゲッタの体積
抵抗率は４．１×１０-7Ωｍである。ある点における下
配線の断面積は１０００μｍ2、そこでのゲッタ断面積
は１００μｍ2であり、１ｃｍの間隔における抵抗値は
それぞれ０．５Ω、２０．５Ωであり、下配線の抵抗値
とりもゲッタの抵抗値を十分大きくすることができた。
また、ある点での上配線の断面積は１５００μｍ2、そ
こでのゲッタの断面積は１００μｍ2であり、１ｃｍの
間隔における抵抗値はそれぞれ０．３３Ω、２０．５Ω
であり、上配線の抵抗値よりもゲッタの抵抗値を十分に
大きくすることができた。Here, the resistivity (volume resistivity) of both the lower wiring and the upper wiring is 5 × 10 −8 Ωm, and the volume resistivity of one getter is 4.1 × 10 −7 Ωm. The cross-sectional area of the lower wiring at a certain point is 1000 μm 2 , the cross-sectional area of the getter there is 100 μm 2 , the resistance values at 1 cm intervals are 0.5Ω and 20.5Ω, respectively. The resistance value could be increased sufficiently.
The cross-sectional area of the upper wiring at a certain point is 1500 μm 2, the cross-sectional area of the getter there is 100 μm 2, and the resistance values at intervals of 1 cm are 0.33 Ω and 20.5 Ω, respectively.
Thus, the resistance value of the getter could be made sufficiently larger than the resistance value of the upper wiring.
【０２１２】なお、本実施例では非蒸発型ゲッタの形成
方法にフォトリソプロセス、スパッタ成膜法を用いた
が、これに限るものでなく、メタルマスクを用いたパタ
ーニング方法や、ディスペンサーや印刷で接着剤を描画
し非蒸発型ゲッタの粉末を接着したもの、メッキ法等を
用いても同様の効果が得られる。また、本実施例のよう
にＮＥＧを配線一本おきに形成するのでなく、任意のパ
ターンに形成する場合においても作成方法は同様であ
り、後述する同様の効果が期待できる。In the present embodiment, the photolithography process and the sputter film forming method are used as the method of forming the non-evaporable getter. However, the present invention is not limited to this, and a patterning method using a metal mask, a dispenser or printing may be used. The same effect can be obtained by drawing the agent and bonding the powder of the non-evaporable getter, plating method or the like. Further, instead of forming NEGs every other wiring as in the present embodiment, an NEG is formed in an arbitrary pattern, and the forming method is the same, and the same effect as described later can be expected.
【０２１３】（実施例２）図７０に本実施例の特徴を最
も良く表す図を示す。実施例１との相違はＸ方向配線
（上配線）上にのみ非蒸発ゲッタを一本おきに形成した
ことである。(Embodiment 2) FIG. 70 is a diagram showing the characteristics of this embodiment in the best way. The difference from the first embodiment is that every other non-evaporable getter is formed only on the X-direction wiring (upper wiring).
【０２１４】以上の構成１１によれば、複数の電子放出
素子が基板上にマトリクス状に配置され結線された電子
源基板と、前記基板に対向して設けられた蛍光膜を有す
る画像形成装置において、前記画像形成装置の電子源基
板の配線上に非蒸発ゲッタを形成することにより、広い
面積で、しかも、最もガスを放出する部分の近傍にゲッ
タ材が配置されることになる。この際配線上方にゲッタ
材の蒸発源を設ける必要がないので、駆動時の電子軌道
に影響を及ぼすことがなく、封着工程後に外囲器内に発
生したガスはゲッタ材に速やかに吸着され、外囲器内の
真空度が良好に維持されるので、電子放出素子からの電
子放出量が安定し、特性の劣化を抑制でき、結果的に、
長時間動作させた場合の輝度の低下、とりわけ、画像表
示領域の外側付近での輝度の低下、および輝度むらを抑
制することができる。According to the above configuration 11, in an image forming apparatus having an electron source substrate in which a plurality of electron-emitting devices are arranged and connected in a matrix on a substrate and a fluorescent film provided opposite to the substrate. By forming the non-evaporable getter on the wiring of the electron source substrate of the image forming apparatus, the getter material is arranged in a wide area and near the part that emits the most gas. At this time, there is no need to provide an evaporation source for the getter material above the wiring, so that the electron trajectory during driving is not affected, and the gas generated in the envelope after the sealing step is quickly adsorbed by the getter material. Since the degree of vacuum in the envelope is maintained well, the amount of electrons emitted from the electron-emitting device is stabilized, and the deterioration of characteristics can be suppressed. As a result,
It is possible to suppress a decrease in brightness when the device is operated for a long time, in particular, a decrease in brightness near the outside of the image display area and uneven brightness.
【０２１５】また、非蒸発ゲッタを形成する際、非蒸発
ゲッタの電気抵抗を配線の電気抵抗より高くする事によ
り、非蒸発ゲッタの形成された配線部分と形成されてい
ない配線部分がある場合でも、電圧降下のばらつきが小
さく抑えられ、その結果、画像形成装置の輝度ばらつき
が小さく抑えられる。Further, when the non-evaporable getter is formed, the electric resistance of the non-evaporable getter is made higher than the electric resistance of the wiring, so that even if there is a wiring part where the non-evaporable getter is formed and a wiring part where the non-evaporable getter is not formed. In addition, variations in voltage drop are reduced, and as a result, variations in brightness of the image forming apparatus are reduced.
【０２１６】さらに、ゲッタの活性化工程が、蒸発型ゲ
ッタを組み込む工程およびゲッタフラッシュ工程を必要
とせず、熱工程でできるので歩留まり良く画像形成装置
を製造することができる。Further, since the getter activation step does not require a step of incorporating an evaporable getter and a getter flash step and can be performed by a heat step, an image forming apparatus can be manufactured with a high yield.
【０２１７】（構成１２）ゲッタの配置態様としては更
に以下の構成を取り得る。すなわち、複数の電子放出素
子を配列した電子源基板と、画像形成部材を有する発光
表示基板と、が対向に配置されて外囲器が形成される表
示パネルにおいて、該電子源基板に形成される配線上
に、非蒸発型ゲッタ(NEG)が断続的に設置されることを
特徴とする構成である。(Structure 12) The following structure can be further adopted as an arrangement mode of the getter. That is, in a display panel in which an envelope is formed by arranging an electron source substrate in which a plurality of electron-emitting devices are arranged and a light-emitting display substrate having an image forming member, the electron source substrate is formed on the electron source substrate. A non-evaporable getter (NEG) is intermittently provided on the wiring.
【０２１８】この構成によれば、配線上などに設置され
るNEGの長さが1つの連続対としては短くなるため、膜に
発生する応力が大きくならない。このためNEGの膜剥れ
が抑制され、画像表示領域内全域でNEGの均一分布の崩
れるところがなくなり、その結果画像表示装置内の圧力
分布を均一に保つことができる。またNEGだけでなくそ
の下に配置された配線ごと剥れ、断線が生じる確率を減
らすことができる。さらに剥れたNEGや、完全には剥れ
ていないが部分的にNEG膜が浮いてしまった箇所がきっ
かけとなり、放電やショートを発生させることも抑制で
きる。これにより、画像表示装置の形成の歩留まりを高
めることも可能となる。According to this configuration, since the length of the NEG provided on the wiring or the like is reduced as one continuous pair, the stress generated in the film does not increase. For this reason, film peeling of the NEG is suppressed, and there is no place where the uniform distribution of the NEG collapses in the entire area of the image display area. As a result, the pressure distribution in the image display device can be kept uniform. In addition, it is possible to reduce the probability that not only the NEG but also the wiring arranged thereunder will be peeled off or disconnected. Further, the peeled NEG or a portion where the NEG film is not completely peeled but the NEG film is partially floated is a trigger, so that it is possible to suppress occurrence of discharge or short circuit. Thus, the yield of forming the image display device can be increased.
【０２１９】また上記断続的に設置されるNEGの長さ
が、上記電子放出素子の画素ピッチよりも短いこと、ま
たは上記電子放出素子の画素ピッチと同じである構成も
取り得る。Further, the length of the intermittently arranged NEG may be shorter than the pixel pitch of the electron-emitting device, or may be the same as the pixel pitch of the electron-emitting device.
【０２２０】表示パネルは2次元に電子放出素子を配置
するため、電気エネルギーや信号を供給する配線は、マ
トリクス配線に代表されるように積層配線が多くの交差
部分を持つこととなる。交差部分は意図的に平坦化処理
を施さなければ段差を持ち、図７１-(a)の21部に示すよ
うなところは膜応力による断線が発生しやすくなった
り、逆に図７１-(b)の22部に示すように接点でない部分
での絶縁が損なわれる危険もある。特に交差部に導電性
の材料を厚みを増やして積み重ねる場合にその危険が大
きい。NEGは金属でありできるだけ厚みを稼ぐことが望
ましいので、配線交差部上のNEGの設置は断線や、上下
配線間のショートの危険を高める。[0220] In the display panel, since the electron-emitting devices are arranged two-dimensionally, the wiring for supplying electric energy and signals has many intersections with the laminated wiring as represented by the matrix wiring. If the intersection portion is not intentionally subjected to a flattening process, there is a step, and in the portion shown in 21 in FIG. 71- (a), disconnection due to film stress is likely to occur, and conversely, FIG. There is also a danger that insulation may be impaired at the parts that are not contact points, as shown in part 22). Particularly when the conductive material is stacked at the intersection at an increased thickness, the risk is large. Since NEG is metal and it is desirable to increase the thickness as much as possible, installation of NEG on the wiring intersection increases the risk of disconnection and short circuit between upper and lower wiring.
【０２２１】またNEG膜作成プロセス上、配線のような
細長いパターン上に連続的に設置する場合には、特にメ
タルマスクを使ったマスクデポを想定すると、NEG材の
回り込みなども予想される(図７２（a）)。In the process of forming the NEG film, when the NEG material is continuously disposed on an elongated pattern such as a wiring, the NEG material may be wrapped around, especially when a mask deposition using a metal mask is assumed (FIG. 72). (A)).
【０２２２】本構成では、NEGの長さを画素ピッチと同
じもしくは短くすることとするため、上記配線の交差部
を避けて設置することができ、断線やショートの危険は
回避しやすくなる。またメタルマスクを使う場合につい
ても、NEG膜の不連続部にがマスクの補強パターンを付
けたのと同じ効果を発揮することとなり、NEG材の回り
込みが避けられる(図７２（ｂ）)。その結果画像形成装
置形成の歩留まりを向上することが可能となる。以下本
構成の実施例を挙げる。In this configuration, since the length of the NEG is set to be equal to or shorter than the pixel pitch, the NEG can be installed avoiding the intersection of the wirings, and the risk of disconnection or short circuit can be easily avoided. Also in the case where a metal mask is used, the same effect as the case where the reinforcing pattern of the mask is provided in the discontinuous portion of the NEG film is exerted, so that the NEG material is prevented from wrapping around (FIG. 72 (b)). As a result, the yield of forming the image forming apparatus can be improved. Examples of this configuration will be described below.
【０２２３】（実施例１）図７３は、本発明の画像形成
装置の構成の一例を模式的に示すものである。１は電子
源で、複数の電子放出素子を基板上に配置し、適当な配
線を施したものである。２はリアプレート、３は支持
枠、４はフェースプレートで、接合部において、フリッ
トガラスなどを用いて互いに接着され、外囲器５を形成
している。ＮＥＧ膜９は、画像表示領域内の、Ｘ方向配
線（上配線）上のほぼ全面に分割配置されている。(Embodiment 1) FIG. 73 schematically shows an example of the configuration of the image forming apparatus of the present invention. Reference numeral 1 denotes an electron source in which a plurality of electron-emitting devices are arranged on a substrate, and are appropriately wired. Reference numeral 2 denotes a rear plate, reference numeral 3 denotes a support frame, and reference numeral 4 denotes a face plate. At a joint portion, they are adhered to each other using frit glass or the like to form an envelope 5. The NEG film 9 is divided over almost the entire surface of the X-direction wiring (upper wiring) in the image display area.
【０２２４】電子源１の一部平面図を図７４に示す。ま
た、図中B-B'断面図を図７５に示す。但し、図７４、図
７５で、同じ記号を付したものは同じ物を示す。ここで
81は電子源基板、82は図1のDoxmに対応するX方向配線
(上配線とも呼ぶ)、83は図７３のDoynに対応するY方向
配線(下配線とも呼ぶ)、88は電子放出部を含む導電性
膜、89は電子放出部、85,86は素子電極、84は層間絶縁
層、87は素子電極85と下配線83と電気的接続のためのコ
ンタクトホールである。FIG. 74 shows a partial plan view of the electron source 1. FIG. 75 shows a cross-sectional view taken along the line BB 'in the figure. However, in FIGS. 74 and 75, the components denoted by the same symbols indicate the same components. here
81 is the electron source board, 82 is the X direction wiring corresponding to Doxm in Fig. 1.
73 is also referred to as Y-direction wiring (also referred to as lower wiring) corresponding to Doyn in FIG. 73, 88 is a conductive film including an electron emitting portion, 89 is an electron emitting portion, 85 and 86 are device electrodes, 84 is an interlayer insulating layer, and 87 is a contact hole for electrical connection between the device electrode 85 and the lower wiring 83.
【０２２５】ここでは、X方向配線（上配線）に沿うよ
うに、各行に複数個の開口が形成されたメタルマスク
を、位置合わせを行いながら電子源基板81上に被せて固
定する。開口は長さが6.7mm、幅が240μmで、0.89mm間
隔でX方向配線の全長に渡るよう設けられている。この
マスクを被せた電子源基板81をスパッタリング装置内に
設置する。ターゲットにZr-V-Fe=70wt％：25wt％：5wt
％の合金を用い、スパッタリング法により、厚さ1μmの
合金層を形成し、NEG膜810とした。Here, a metal mask having a plurality of openings formed in each row is fixed on the electron source substrate 81 along the X-direction wiring (upper wiring) while performing alignment. The openings are 6.7 mm in length and 240 μm in width, and are provided at 0.89 mm intervals over the entire length of the X-direction wiring. The electron source substrate 81 covered with the mask is set in a sputtering apparatus. Zr-V-Fe = 70wt%: 25wt%: 5wt for target
% Alloy, and a 1 μm-thick alloy layer was formed by a sputtering method to form an NEG film 810.
【０２２６】（実施例２）X方向配線（上配線）に沿う
ように、各行に複数個の開口が形成されたメタルマスク
を、位置合わせを行いながら電子源基板81上に被せて固
定する。開口は長さが490μm、幅が240μmで、200μm間
隔でX方向配線の全長に渡るよう設けられている。この
マスクを被せた電子源基板81をスパッタリング装置内に
設置する。ターゲットにZr-V-Fe=70wt％：25wt％：5wt
％の合金を用い、スパッタリング法により、厚さ1μmの
合金層を形成し、NEG膜1210とした(図７６)。 （実施例３）以下の工程により、図７３に示す構成に基
づく表示パネル用の電子源を作製した。(Example 2) A metal mask having a plurality of openings in each row is fixed on the electron source substrate 81 along the X-direction wiring (upper wiring) while performing alignment. The openings have a length of 490 μm and a width of 240 μm, and are provided at intervals of 200 μm over the entire length of the X-direction wiring. The electron source substrate 81 covered with the mask is set in a sputtering apparatus. Zr-V-Fe = 70wt%: 25wt%: 5wt for target
% Alloy, a 1 μm-thick alloy layer was formed by a sputtering method to form an NEG film 1210 (FIG. 76). (Example 3) An electron source for a display panel based on the structure shown in FIG. 73 was manufactured by the following steps.
【０２２７】工程-A まず基板1を洗剤、純水および有機溶剤を用いて十分に
洗浄した。ここにスパッタ法によりPtを0.1μm堆積し、
フォトリソグラフィー技術を用いて加工し、基板1上に
電極間隔L=2μm、長さW=300μmの素子電極1305,1306を
形成した。 工程-B 次にAgペーストインキを印刷、焼成して幅270μm、厚さ
8μmのY方向配線103を形成した。 工程-C 続いてガラスペーストを印刷、焼成(焼成温度550℃)し
て厚さ20μmのSiO2層間絶縁膜を形成した。 工程-D さらに Agペーストを印刷、焼成して幅340μm，厚さ12
μmのX方向配線102を形成した。 工程-E 実施例1の工程-gと共通。 工程-F 電子源基板1にホトレジスト(AZ4620ヘキスト社製)をス
ピンナーで回転塗布後、X方向配線（上配線）、及びY方
向配線(下配線)に沿うように、各行及び各列に複数個の
開口が形成されたメタルマスクを、位置合わせしながら
電子源基板1301上に被せ、仮固定する。メタルマスクの
開口は長さが6.7mm、幅が240μmで、0.89mm間隔でX方向
配線の全長に渡るよう設けられている。90℃で30分ベー
クした後、メタルマスクをつけたまま電子源基板1301を
露光、現像し、開口部のレジストを除去した。 工程-G このマスクを被せた電子源基板１プラズマ溶射装置内に
設置する。この装置の粉末供給部(ホッパー)にZr-V-Fe=
70wt％：25wt％：5wt％の合金からなるゲッタ粉末ST707
(サエス社製)を装填し、フローガスをArとしてパワー15
kWのArプラズマ中に粉末を供給し、厚さ50μmのNEG層を
形成した。 工程-H NEG膜を成膜した電子源基板1301を、レジスト剥離液(マ
イクロポジットリムーバ1165)中に入れ、メタルマスク
ごと開口部以外のNEGをリフトオフで除去し、NEGパター
ニングを行った。以上により、面内ゲッタを備えた電子
源1を形成した。Step-A First, the substrate 1 was sufficiently washed with a detergent, pure water and an organic solvent. 0.1 μm of Pt is deposited here by sputtering,
By processing using photolithography technology, device electrodes 1305 and 1306 having an electrode interval L = 2 μm and a length W = 300 μm were formed on the substrate 1. Process-B Next, print and bake Ag paste ink, width 270μm, thickness
An 8 μm Y-directional wiring 103 was formed. Step-C Subsequently, the glass paste was printed and fired (a firing temperature of 550 ° C.) to form a 20 μm-thick SiO 2 interlayer insulating film. Process-D Ag paste is printed and baked, then 340μm wide and 12mm thick
A μm X-direction wiring 102 was formed. Step-E Same as step-g in Example 1. Process-F After spin-coating a photoresist (manufactured by AZ4620 Hoechst) on the electron source substrate 1 with a spinner, a plurality of photoresists are arranged in each row and each column along the X-direction wiring (upper wiring) and the Y-direction wiring (lower wiring). The metal mask having the opening formed therein is placed on the electron source substrate 1301 while being aligned and temporarily fixed. The openings of the metal mask are 6.7 mm in length and 240 μm in width, and are provided at 0.89 mm intervals over the entire length of the X-direction wiring. After baking at 90 ° C. for 30 minutes, the electron source substrate 1301 was exposed and developed with the metal mask attached, and the resist at the opening was removed. Step-G The electron source substrate 1 covered with this mask is set in the plasma spraying apparatus. Zr-V-Fe =
Getter powder ST707 consisting of 70wt%: 25wt%: 5wt% alloy
(Manufactured by Saes) and power 15
The powder was supplied into a kW Ar plasma to form a 50 μm thick NEG layer. Step-H The electron source substrate 1301 on which the NEG film was formed was placed in a resist stripper (microposit remover 1165), and the NEG except for the opening together with the metal mask was removed by lift-off, and NEG patterning was performed. As described above, the electron source 1 including the in-plane getter was formed.
【０２２８】（実施例４）電子源基板にホトレジスト(A
Z4620ヘキスト社製)をスピンナーで回転塗布後、X方向
配線（上配線）に沿うように、各行に複数個の開口が形
成されたメタルマスクを、位置合わせしながら電子源基
板上に被せ、仮固定する。メタルマスクの開口は、X方
向は長さ490μm、幅240μm、間隔200μm、Y方向は長さ2
50μm、幅100μm、間隔440μmである。90℃で30分ベー
クした後、メタルマスクをつけたまま電子源基板を露
光、現像し、開口部のレジストを除去した。Example 4 A photoresist (A) was formed on an electron source substrate.
After spin-coating with a spinner (Z4620 Hoechst), cover the electron source substrate with a metal mask with multiple openings in each row along the X-direction wiring (upper wiring) while aligning the metal mask. Fix it. The openings of the metal mask are 490 μm in length in the X direction, 240 μm in width, 200 μm in interval, and 2 in the Y direction.
50 μm, width 100 μm, spacing 440 μm. After baking at 90 ° C. for 30 minutes, the electron source substrate was exposed and developed with the metal mask attached, and the resist at the opening was removed.
【０２２９】以上の構成１２によれば、いずれの場合も
膜剥れや上下配線間ショートが殆どなく、画像形成領域
内の輝度のばらつきが抑えられた。また放電などによる
不良の発生も低減され、表示パネルの歩留まりが向上し
た。According to the above configuration 12, in any case, there was almost no film peeling or short-circuit between the upper and lower wirings, and the variation in luminance in the image forming area was suppressed. In addition, the occurrence of defects due to discharge and the like was reduced, and the yield of the display panel was improved.
【０２３０】（構成１３）ゲッタの配置態様の他の例に
ついて述べる。本構成は、該非蒸発型ゲッターの断面形
状がアーチ状であることを特徴とする。好ましくは上記
非蒸発型ゲッターが、上記電子放出素子に電圧を印加す
るための走査側配線上あるいは信号側配線上に配置され
ることを特徴とするものであり、上記いずれの配線巾よ
りも短い範囲に配置されることを特徴とする。また、上
記非蒸発型ゲッターが、走査側配線（上配線）と信号側
配線（下配線）とを絶縁するために両者の間に介在する
絶縁層よりもアノード側に位置することを特徴とするも
のであり、上記非蒸発型ゲッターが外囲器内でアノード
よりも下部にあることを特徴とするものである。(Configuration 13) Another example of the arrangement of getters will be described. This configuration is characterized in that the cross-sectional shape of the non-evaporable getter is an arch shape. Preferably, the non-evaporable getter is arranged on a scanning side wiring or a signal side wiring for applying a voltage to the electron emitting element, and is shorter than any of the above wiring widths. It is characterized by being arranged in a range. Further, the non-evaporable getter is located on the anode side of an insulating layer interposed between the scanning side wiring (upper wiring) and the signal side wiring (lower wiring) in order to insulate them. Wherein the non-evaporable getter is below the anode in the envelope.
【０２３１】本構成によれば、電子放出素子およびその
近傍から放出されるガスと、電子が衝突する際に画像形
成部材から放出されるガスを効率よく吸収できるため、
局所的な圧力の上昇を防ぐことが出来る。加えて、配置
する非蒸発型ゲッターの断面形状のために、電子ビーム
の軌道の物理的な障害となることがなく、また、非蒸発
型ゲッターの帯電による電子ビームの軌道への影響も最
小限にとどめることが出来る。さらに、非蒸発型ゲッタ
ーの配置に微妙な位置ずれがあった場合でも、電子ビー
ムの軌道への影響を低減することが出来る。According to this structure, the gas emitted from the electron-emitting device and its vicinity and the gas emitted from the image forming member when the electrons collide can be efficiently absorbed.
A local increase in pressure can be prevented. In addition, due to the cross-sectional shape of the non-evaporable getter to be placed, there is no physical hindrance to the trajectory of the electron beam, and the influence of the electrification of the non-evaporable getter on the trajectory of the electron beam is minimized. Can be stopped. Further, even when the non-evaporable getter is slightly displaced, the influence on the trajectory of the electron beam can be reduced.
【０２３２】第１の例は、電子源基板の電子放出素子を
駆動するために電圧印加するための配線に、Ｚｒを主成
分とする合金から成る非蒸発型ゲッターを配置し、その
断面形状をアーチ状にするものである。以下図７７を用
いて説明する。図７７(a)は本発明の画像形成装置の構
成の一例を模式的に示すものである。1は電子源基板
（リアプレートともいう）で、複数の電子放出素子をガ
ラス等の絶縁性基板上に配置し、後述する配線を施した
ものである。2はＸ方向配線（下配線）で、3はＹ方向配
線（上配線）である。4は電子放出素子で、素子電極
５、６との間に形成されている。７は上配線上に配置し
た非蒸発型ゲッターである。In the first example, a non-evaporable getter made of an alloy containing Zr as a main component is arranged on a wiring for applying a voltage to drive an electron-emitting device of an electron source substrate, and its cross-sectional shape is changed. It is to be arched. This will be described below with reference to FIG. FIG. 77 (a) schematically shows an example of the configuration of the image forming apparatus of the present invention. Reference numeral 1 denotes an electron source substrate (also referred to as a rear plate) in which a plurality of electron-emitting devices are arranged on an insulating substrate such as glass and are provided with wiring described later. 2 is an X-direction wiring (lower wiring), and 3 is a Y-direction wiring (upper wiring). Reference numeral 4 denotes an electron-emitting device, which is formed between the device electrodes 5 and 6. Reference numeral 7 denotes a non-evaporable getter arranged on the upper wiring.
【０２３３】電子源基板１について、図７７(b)を用い
て詳述する。図７７(b)は図７７(a)の電子源基板１を模
式的に記したものである。Ｘ方向配線２とＹ方向配線３
の間に、両者を絶縁するための層間絶縁層８が配置され
ていることが示されている。The electron source substrate 1 will be described in detail with reference to FIG. FIG. 77 (b) schematically shows the electron source substrate 1 of FIG. 77 (a). X direction wiring 2 and Y direction wiring 3
It is shown that an interlayer insulating layer 8 for insulating them is disposed between them.
【０２３４】図７８(a)は図７７(b)の、A-A'面の断面図
を示したものである。また、図７８(b)は、電子放出素
子の駆動時にフェースプレート16に加速電圧を印加した
場合の電子ビームの軌道を、Ｘ方向配線２を相対的に陽
極として駆動した場合を想定して示した模式図である。
電子放出素子４の電子放出部９より放出した電子は、プ
ラス信号電圧を印加するＸ方向配線に引き寄せられ、図
のような曲線軌道を描くことが知られている。この時、
非蒸発型ゲッター７の断面形状が矩形であれば、ゲッタ
ーのエッジで電子ビームの軌道が妨げられ、フェースプ
レート16に到達して蛍光膜14を発光するのに適当でな
い。また、非蒸発型ゲッター７の断面形状が矩形であれ
ば、電子ビームの軌道とプラス電位である非蒸発型ゲッ
ター7の距離がエッジ部分で接近し、電子ビームの軌道
を電気的に曲げ、フェースプレート16に到達して蛍光膜
14を発光するのに適当でない。さらに、複数の電子放出
素子が配置された電子源基板１においては、すべての素
子から放出される電子ビームの軌道が非蒸発型ゲッター
７により障害を受けるのを避けなければならない。製造
工程において、同時に非蒸発型ゲッター７を作製する場
合、1ヶ所の非蒸発型ゲッター７の配置位置にずれが生
じれば、すべての非蒸発型ゲッター７の配置がずれるこ
とになり、製造の精度を出すことが困難となる。従っ
て、非蒸発型ゲッター7の断面形状がアーチ状であれ
ば、矩形である場合に比べて、製造の歩留まりが上がる
ことになる。FIG. 78 (a) is a cross-sectional view taken along the line AA 'of FIG. 77 (b). FIG. 78 (b) shows the trajectory of an electron beam when an acceleration voltage is applied to the face plate 16 when the electron-emitting device is driven, assuming that the X-direction wiring 2 is driven relatively as an anode. FIG.
It is known that electrons emitted from the electron emission portion 9 of the electron emission element 4 are attracted to the X-direction wiring to which a plus signal voltage is applied, and draw a curved trajectory as shown in the figure. At this time,
If the cross-sectional shape of the non-evaporable getter 7 is rectangular, the trajectory of the electron beam is obstructed by the edge of the getter, which is not suitable for reaching the face plate 16 and emitting the fluorescent film 14. If the cross-sectional shape of the non-evaporable getter 7 is rectangular, the distance between the electron beam trajectory and the positive potential non-evaporable getter 7 approaches the edge portion, and the electron beam trajectory is electrically bent, and Fluorescent film reaching plate 16
Not suitable for emitting 14. Further, in the electron source substrate 1 on which a plurality of electron-emitting devices are arranged, it is necessary to prevent the trajectories of the electron beams emitted from all the devices from being obstructed by the non-evaporable getter 7. In the case where the non-evaporable getter 7 is manufactured at the same time in the manufacturing process, if the position of one non-evaporable getter 7 is displaced, the disposition of all the non-evaporable getters 7 is displaced. It is difficult to achieve accuracy. Therefore, if the cross-sectional shape of the non-evaporable getter 7 is arch-shaped, the production yield will be higher than in the case of a rectangular shape.
【０２３５】Ｘ方向配線およびＹ方向配線上には、非蒸
発型ゲッターが配置される。その断面形状は図７８に記
したようにエッジ部分が丸みを帯びたアーチ状である。
非蒸発型ゲッターとしては、市販のＺｒ系合金（例え
ば、HS-405ハ゜ウタ゛ー（日本ゲッターズ製）、St-707（SAES
製）など）が適用でき、製造時に断面がアーチ状になる
よう作製する。On the X-direction wiring and the Y-direction wiring, a non-evaporable getter is arranged. The cross-sectional shape is an arch shape with a rounded edge as shown in FIG.
As non-evaporable getters, commercially available Zr-based alloys (for example, HS-405 Powder (manufactured by Nippon Getters), St-707 (SAES
) Can be applied, and the section is formed so as to have an arch shape during the production.
【０２３６】（実施例１）本実施例の画像形成装置は、
図７７に模式的に示された装置と同様の構成を有し、印
刷法で形成したX方向配線(下配線)2、Ｙ方向配線（上配
線）3上に非蒸発型ゲッタ（ＮＥＧ）が配置されてい
る。(Embodiment 1) The image forming apparatus of this embodiment is
A non-evaporable getter (NEG) has the same configuration as the device schematically shown in FIG. 77, and has an X-direction wiring (lower wiring) 2 and a Y-direction wiring (upper wiring) 3 formed by a printing method. Are located.
【０２３７】上配線および下配線の形状に開口を持つメ
タルマスクを準備し、十分な位置合わせをした後、スパ
ッタリング法によりＺｒ-Ｖ-Ｆｅ合金を成膜した。準備
したマスクの開口部は逆テーパー加工し、作製する非蒸
発型ゲッターの断面形状がアーチ状になるようにした。
なお、ゲッタ層７の厚さは５０μｍとなるように調整し
た。以上により、非蒸発型ゲッタを備えた電子源1を形
成した。使用したスパッタリングターゲットの組成は、
Zr;70%、V;25%、Fe;5%(重量比)である。A metal mask having openings in the shapes of the upper wiring and the lower wiring was prepared, and after sufficient alignment, a Zr-V-Fe alloy was formed by a sputtering method. The opening of the prepared mask was reverse-tapered so that the cross-sectional shape of the non-evaporable getter to be formed was arch-shaped.
Note that the thickness of the getter layer 7 was adjusted to be 50 μm. As described above, the electron source 1 including the non-evaporable getter was formed. The composition of the sputtering target used was
Zr; 70%, V; 25%, Fe; 5% (weight ratio).
【０２３８】本実施例では、幅２８０μｍの配線上に幅
２４０μｍの非蒸発ゲッタを配置した。ここで、該ゲッ
タと最近接の電子放出素子の電子放出部のうちの一点と
交差する接線を有するゲッタ表面の点Ａにおいて半径を
２．４μｍ（ゲッタ幅の１％）である円とゲッタの交点
Ｂ、Ｃを求め、Ｂ−Ａ−Ｃがなす角である内角をはかっ
たところ、１７４度であった。また、半径を１２μｍ
（ゲッタの幅の５％）として前述の内角をはかったとこ
ろ、１５０度であった。本実施例では、前記点Ｂ、Ｃは
ゲッタの断面と交差する点であったが、ゲッタが層が薄
く、点Ｂ、Ｃがゲッタと交差しない時には、ゲッタ端の
接線と前記半径を有する円の交点とを点Ｂ、Ｃとして内
角を求めればよい。In the present embodiment, a non-evaporable getter having a width of 240 μm is arranged on a wiring having a width of 280 μm. Here, a circle having a radius of 2.4 μm (1% of the getter width) and a circle having a radius of 2.4 μm (1% of the getter width) at a point A on the getter surface having a tangent line intersecting with one point of the electron emission portion of the electron emission element closest to the getter and the electron emission element. When the intersections B and C were determined and the inner angle formed by BAC was measured, it was 174 degrees. The radius is 12 μm
When the above internal angle was measured as (5% of the width of the getter), it was 150 degrees. In the present embodiment, the points B and C intersect with the cross section of the getter. However, when the getter has a thin layer and the points B and C do not intersect with the getter, a circle having a tangent to the end of the getter and the radius is obtained. The interior angles may be obtained by using the intersections of the points as points B and C.
【０２３９】なお、本実施例では非蒸発型ゲッタの形成
方法にメタルマスクを用いたプロセスで説明したが、こ
れに限るものでなく、フォトリソグラフィーを用いたパ
ターニング方法と斜方向から蒸着を組み合わせたもの
や、ディスペンサーや印刷で接着剤を描画し非蒸発型ゲ
ッタの粉末を接着したもの、メッキ法等を用いて、断面
形状をアーチ状に加工しても良い。In the present embodiment, the process using a metal mask has been described as a method for forming a non-evaporable getter. However, the present invention is not limited to this, and a patterning method using photolithography and a vapor deposition in an oblique direction are combined. A cross-sectional shape may be processed into an arch shape by using an object, an adhesive drawn with a dispenser or printing and adhered to a non-evaporable getter powder, or a plating method.
【０２４０】（実施例２）図７８の構成について以下の
操作でゲッタを作製した。上配線の形状に開口を持つメ
タルマスクを準備し、十分な位置合わせをした後、スパ
ッタリング法によりＺｒ-Ｖ-Ｆｅ合金を成膜した。準備
したマスクの開口部は逆テーパー加工し、作製する非蒸
発型ゲッターの断面形状がアーチ状になるようにした。
なお、ゲッタ層110の厚さは2μmとした。使用したスパ
ッタリングターゲットの組成は、Zr;70%、V;25%、Fe;5%
(重量比)である。(Example 2) A getter was manufactured by the following operation for the configuration of FIG. A metal mask having an opening in the shape of the upper wiring was prepared, and after sufficient alignment, a Zr-V-Fe alloy was formed by a sputtering method. The opening of the prepared mask was reverse-tapered so that the cross-sectional shape of the non-evaporable getter to be formed was arch-shaped.
Note that the thickness of the getter layer 110 was 2 μm. The composition of the sputtering target used was: Zr; 70%, V; 25%, Fe; 5%
(Weight ratio).
【０２４１】（構成１４）一方、電子源基板に設ける行
（横）方向配線（例えば上配線）及び列（縦）方向配線
（例えば下配線）は絶縁層を介した交差部に積層構造を
有するものである（図７９（ａ）及び（ｂ）参照）。そ
こで、縦方向配線（上及び横方向配線が良好な表面形状
を有していないと、下配線に生じている凸部が層間絶縁
膜を貫通して上配線とショートしたり、フェースプレー
トとリアプレート間の所望としない放電が発生するとい
う問題が発生する恐れが生じる。そこで、上配線と下配
線の表面形状を、Ｒａで表わされる表面粗さで、０．５
μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、より好ましくは
０．２μｍ以下、かつＲｚで表わされる表面粗さが５μ
ｍ以下、好ましくは３μｍ以下、より好ましくは２μｍ
以下となるように形成するのが望ましい。(Structure 14) On the other hand, row (horizontal) wiring (for example, upper wiring) and column (longitudinal) wiring (for example, lower wiring) provided on the electron source substrate have a laminated structure at the intersection with an insulating layer interposed therebetween. (See FIGS. 79 (a) and (b)). Therefore, if the vertical wiring (upper and horizontal wirings do not have a good surface shape), the protrusions formed in the lower wiring penetrate the interlayer insulating film and short-circuit with the upper wiring, Therefore, there is a possibility that an undesired discharge occurs between the plates, so that the surface shapes of the upper wiring and the lower wiring are set to 0.5 by the surface roughness represented by Ra.
μm or less, preferably 0.3 μm or less, more preferably 0.2 μm or less, and a surface roughness represented by Rz of 5 μm.
m or less, preferably 3 μm or less, more preferably 2 μm
It is desirable to form it as follows.
【０２４２】本発明者らの検討によると、下配線と上配
線との交差部における層間絶縁不良（上下ショート）及
びフェースプレートとリアプレート間の放電現象は配線
の表面において大きな突起があればその発生の可能性が
あることがわかった。しかし、数百万個所にも及ぶ交差
部の全てにわたって突起の有無を検査することは実質的
には不可能である。そこで、代わりに何らかの代表的な
パラメータを用いた検査方法で代用することを目的とし
てさまざまな検討を行ったところ、電極が上記の表面粗
さを満たしていることでこれらの問題の発生が有意に低
減されることを発見した。なお、Ｒａは工業製品の表面
粗さを表わす中心線平均粗さであり、Ｒｚは工業製品の
表面粗さを表わす１０点平均粗さを表わすパラメータで
ある。このような表面粗さを満たすには、導電性ペース
トに用いられる導電性微粒子の粒子サイズはおよそ０．
１μｍ〜２μｍ程度、更に望ましくは０．３μｍ〜１．
０μｍ程度の粒子サイズで、なるべく球状の形状をした
ものを使うことが望ましい。According to the study of the present inventors, it is found that the interlayer insulation failure (upper and lower shorts) at the intersection of the lower wiring and the upper wiring and the discharge phenomenon between the face plate and the rear plate, if there is a large protrusion on the surface of the wiring, It was found that there was a possibility. However, it is virtually impossible to check for the presence of protrusions at all of the intersections that extend to millions of places. Therefore, we conducted various studies with the aim of substituting an inspection method using some typical parameters instead.The occurrence of these problems was significantly affected by the electrode satisfying the above surface roughness. Found to be reduced. Here, Ra is a center line average roughness representing the surface roughness of the industrial product, and Rz is a parameter representing a 10-point average roughness representing the surface roughness of the industrial product. In order to satisfy such surface roughness, the conductive fine particles used in the conductive paste have a particle size of about 0.1.
About 1 μm to 2 μm, more preferably 0.3 μm to 1.
It is desirable to use a particle having a particle size of about 0 μm and a spherical shape as much as possible.
【０２４３】表３にここで用いたペーストを示す。Table 3 shows the paste used here.
【０２４４】[0244]
【表３】 配線の形成はスクリーン印刷方法によった。用いたスク
リーン版は、ＳＸ３００メッシュを使い、乳剤の厚さが
１５μｍの東京プロセスサービス制作のものである。作
製したパターンの縦方向配線のピッチは２３０μｍ、11
0μｍ幅で７２０本、横方向配線のピッチは６９０μ
ｍ、２４０μｍ幅で480本形成し、その後４００〜５２
０℃の焼成温度で焼成した。[Table 3] The wiring was formed by a screen printing method. The screen plate used was manufactured by Tokyo Process Service using SX300 mesh and having an emulsion thickness of 15 μm. The pitch of the vertical wiring of the prepared pattern is 230 μm, 11
720 lines at 0 μm width, pitch of horizontal wiring is 690 μm
m, 480 lines having a width of 240 μm, and then 400 to 52
Firing was performed at a firing temperature of 0 ° C.
【０２４５】層間絶縁層としては、ノリタケカンパニー
リミテッド社製ＮＰ−７７３０ペーストを用い３回印
刷、焼成を繰り返して、配線間の交差部においては膜厚
がおよそ１６〜２０μｍであった。このような構成にお
いて、縦方向配線と、横方向配線の交差部の数は３４万
５６００個所である。絶縁層の信頼性、すなわち上下シ
ョートのチェックには自作のマトリックスチェッカーを
用いてすべての交差部における上下ショートの有無を約
30分でスキャンしてチェックできる装置を用意した。表
に示したとおり、Ｒａが０．３μｍ以下、Ｒｚが３μｍ
以下の場合に上下ショートが非常に少なく、更にＲａが
０，２μｍ以下、Ｒｚが２μｍ以下の場合上下ショート
が全くなくなっており、配線の層間絶縁の信頼性が向上
しているのがわかる。As the interlayer insulating layer, printing and baking were repeated three times using NP-7730 paste manufactured by Noritake Co., Ltd., and the film thickness was about 16 to 20 μm at the intersections between the wirings. In such a configuration, the number of intersections between the vertical wiring and the horizontal wiring is 345,600. To check the reliability of the insulation layer, that is, upper and lower shorts, use a self-made matrix checker to check the existence of upper and lower shorts at all intersections
We prepared a device that can scan and check in 30 minutes. As shown in the table, Ra is 0.3 μm or less and Rz is 3 μm.
In the following cases, upper and lower shorts are extremely small, and further, when Ra is 0.2 μm or less and Rz is 2 μm or less, there is no upper and lower shorts at all, and it can be seen that the reliability of the interlayer insulation of the wiring is improved.
【０２４６】一方、白金で素子電極がフォトリソグラフ
ィー方法によって形成されたガラス基板を用意し、これ
に上記の実施例４のペーストを使用して縦方向配線、層
間絶縁層、横方向配線をこの順に形成した。このときに
得られた縦方向配線及び横方向配線のＲａは０．２１
１、Ｒｚは２．２８６であった。On the other hand, a glass substrate on which element electrodes were formed of platinum by a photolithography method was prepared, and a vertical wiring, an interlayer insulating layer, and a horizontal wiring were formed thereon in this order by using the paste of the fourth embodiment. Formed. Ra of the vertical wiring and the horizontal wiring obtained at this time is 0.21.
1, Rz was 2.286.
【０２４７】このような配線の表面粗さを制御する構成
によれば、電子放出素子を駆動するために配線の信頼性
を高める、すなわち上下配線間でのショートをなくして
製造歩留まりを向上させることができた。また、表示パ
ネルの輝度を上げるために安定したアノード電圧（Ｖ
ａ）を上げることができる。According to such a configuration for controlling the surface roughness of the wiring, the reliability of the wiring is improved in order to drive the electron-emitting device, that is, the short circuit between the upper and lower wirings is eliminated to improve the production yield. Was completed. Further, in order to increase the brightness of the display panel, a stable anode voltage (V
a) can be raised.
【０２４８】（構成１５）電子源基板に設けられる電子
放出素子としては、対向する１対の素子電極間を連絡す
る導電性薄膜に電子放出部を形成した構成のものが好適
に利用され、この一対の素子電極がそれぞれの配線、例
えばその一方が列方向配線と、他方が行方向配線と接続
される。そのような電子源基板の構成として、全ての電
子放出素子が行方向配線及び列方向配線により囲まれた
構成をとることができ、この構成によって電子源基板に
おける帯電量をより均一化することができる。(Structure 15) As the electron-emitting device provided on the electron source substrate, one having a structure in which an electron-emitting portion is formed on a conductive thin film communicating between a pair of opposed device electrodes is preferably used. A pair of element electrodes are connected to respective wirings, for example, one of them is connected to a column wiring and the other is connected to a row wiring. As a configuration of such an electron source substrate, it is possible to adopt a configuration in which all the electron-emitting devices are surrounded by the row-direction wiring and the column-direction wiring, and this configuration can make the charge amount on the electron source substrate more uniform. it can.
【０２４９】図８０に示した様に本構成の電子源は、表
面伝導型電子放出素子を複数並べ、マトリクス状の配線
で各々接続された構成（ここでは不特定の9つの電子源
のみ図示。）とする電子源である。本構成では図８０の
行配線X1および列配線Y1に接続するの電子放出素子にお
いて、その外側の基板面露出部の帯電量が内側となるX
2,X3及びY2,Y3に接続する電子放出素子と同等となるよ
う冗長の行方向配線X0、列方向配線Y0および電極１０
２’、１０３’を設け、すべての電子放出素子が行方向
（X）配線、及び、列方向（Y）配線で囲まれた構成とし
たことが特徴となっている。ここで好ましくは該冗長配
線に接続した電極には該電子放出部を有する導電性薄膜
は設けない構成とする。これは不必要な素子電流を浪費
しないためである。更に好ましくは、上記冗長配線Y0は
隣接した電子放出素子から放出された電子の軌道が他の
２素子と同じになるよう、上記配線Y1,Y2,Y3と同一の形
状とすることで素子周囲の電位分布を同等となるように
する。X0についても同様X1,X2,X3と同一形状とする。As shown in FIG. 80, the electron source of this configuration has a configuration in which a plurality of surface conduction electron-emitting devices are arranged and connected by matrix wiring (only nine unspecified electron sources are shown here. ). In this configuration, in the electron-emitting device connected to the row wiring X1 and the column wiring Y1 in FIG.
2. Redundant row wiring X0, column wiring Y0 and electrode 10 so as to be equivalent to the electron-emitting devices connected to 2, X3 and Y2, Y3.
2 ′ and 103 ′ are provided, and all the electron-emitting devices are configured to be surrounded by a row direction (X) wiring and a column direction (Y) wiring. Here, preferably, the electrode connected to the redundant wiring is not provided with a conductive thin film having the electron emission portion. This is because unnecessary element current is not wasted. More preferably, the redundant wiring Y0 has the same shape as the wirings Y1, Y2, Y3 so that the trajectory of the electrons emitted from the adjacent electron-emitting elements is the same as that of the other two elements. The potential distribution is made equal. X0 has the same shape as X1, X2, and X3.
【０２５０】以下、図面を参照しながら本構成の製造手
順の一例を説明する。図８１（a）〜（f）に本発明の製
造工程を表わす上面図を示す。図８１（a）〜（f）では
不図示の基板上に対して電子源を３×３個、計９個を行
列状にマトリクス配線した例を示す。図中、202,203は
一対の素子電極、206は第一の配線層である列方向配
線、208は列方向配線206と第二の配線である行方向配線
207との層間絶縁膜、207は第二の配線層である行方向配
線、204は電子放出部形成用の膜である。209は第二の配
線層207と電極202とを接続するため、絶縁層208に形成
された窓である。Hereinafter, an example of a manufacturing procedure of the present configuration will be described with reference to the drawings. FIGS. 81A to 81F are top views showing the manufacturing steps of the present invention. FIGS. 81 (a) to 81 (f) show an example in which 3 × 3 electron sources, that is, a total of 9 electron sources, are arranged in a matrix on a substrate (not shown). In the figure, 202 and 203 are a pair of element electrodes, 206 is a column-directional wiring as a first wiring layer, and 208 is a column-directional wiring 206 and a row-directional wiring as a second wiring
Reference numeral 207 denotes an interlayer insulating film, 207 denotes a row-direction wiring as a second wiring layer, and 204 denotes a film for forming an electron-emitting portion. Reference numeral 209 denotes a window formed in the insulating layer 208 for connecting the second wiring layer 207 and the electrode 202.
【０２５１】先ず、予め洗浄された基板に、素子電極の
印刷、焼成を行い、一対の素子電極202,203を形成す
る。（図８１（a））本素子電極は電子放出部薄膜と配
線とのオーム接触を良好にするために設けられるもので
ある。通常、電子放出部薄膜は、配線用の導体層と比べ
て著しく薄い膜であるために「ヌレ性」、「段差保持
性」等の問題を回避するために設けているものである。
素子電極の形成方法としては、蒸着法、スパッタリング
法、プラズマＣＶＤ法等の真空系を用いる方法や、触媒
に金属成分及びガラス成分を混合した厚膜ペーストを印
刷、焼成するこにより形成する厚膜印刷法がある。ここ
で電子放出部形成用の導電性薄膜を該電極上に形成する
には電極エッジのステップカバレッジを良くするため、
電子放出部近傍の素子電極は膜厚が薄い方が望ましい。
そこで、厚膜印刷法を用いる場合はその際、使用するペ
ーストとして、有機金属化合物により構成されたＭＯＤ
ペーストを使用することがの望ましい。もちろん、これ
以外の成膜方法を用いても差し支えなく、また構成材料
として、電気伝導性のある材料であれば、特に限定され
るものではない。First, a pair of device electrodes 202 and 203 are formed on a substrate which has been cleaned in advance, by printing and firing the device electrodes. (FIG. 81 (a)) The present device electrode is provided to improve the ohmic contact between the thin film of the electron-emitting portion and the wiring. Usually, the electron-emitting portion thin film is provided to avoid problems such as "slipping property" and "step-holding property" because the thin film is extremely thin as compared with the conductor layer for wiring.
As a method for forming the device electrode, a method using a vacuum system such as an evaporation method, a sputtering method, or a plasma CVD method, or a thick film formed by printing and firing a thick film paste in which a metal component and a glass component are mixed with a catalyst. There is a printing method. Here, in order to form a conductive thin film for forming an electron-emitting portion on the electrode, in order to improve the step coverage of the electrode edge,
It is desirable that the device electrode in the vicinity of the electron-emitting portion be thin.
Therefore, when the thick film printing method is used, the MOD composed of an organometallic compound is used as the paste to be used at that time.
It is desirable to use a paste. Of course, other film forming methods may be used, and the material is not particularly limited as long as the material is electrically conductive.
【０２５２】ここで本発明の特徴である第一の配線層20
6を形成する。（図８１（b））第一の配線層206の形成
で、列方向配線は電子放出素子の電極203に接続形成さ
れるもの以外に端の素子で片側に配線が形成されていな
い（ここでは左端の素子列）領域に冗長配線Y0および冗
長電極202',203'を設ける。この冗長配線は１列だけに
限るものではなく複数設けても構わない。Here, the first wiring layer 20 which is a feature of the present invention is described.
Form 6. (FIG. 81 (b)) In the formation of the first wiring layer 206, the column-directional wiring is an element at the end other than that connected to the electrode 203 of the electron-emitting device, and no wiring is formed on one side (here, A redundant wiring Y0 and redundant electrodes 202 'and 203' are provided in the leftmost element row) region. This redundant wiring is not limited to one column, and a plurality of redundant wirings may be provided.
【０２５３】尚、配線層の形成方法には、素子電極部分
とは異なり、膜厚が厚い方が電気抵抗を低減することが
でき有利である。特に電子放出素子数が多く形成される
画像形成装置においては、単層で比較的厚い膜が得られ
る、厚膜ペーストを用いた厚膜印刷法を用いるのが適当
である。もちろん、電子放出素子の数、密度等により薄
膜配線の適用も可能である。厚膜印刷法としてスクリー
ン印刷法を用いた場合、好ましくは上記冗長の列配線Y0
の下に上記素子電極で列配線Y0に接続する側の電極を連
結させて１列連続した線状に形成することもできる。In the method of forming the wiring layer, unlike the element electrode portion, a thicker film is advantageous because the electric resistance can be reduced. In particular, in an image forming apparatus in which a large number of electron-emitting devices are formed, it is appropriate to use a thick-film printing method using a thick-film paste that can obtain a relatively thick film with a single layer. Of course, thin film wiring can be applied depending on the number and density of the electron-emitting devices. When a screen printing method is used as the thick film printing method, preferably, the redundant column wiring Y0 is used.
The electrodes on the side connected to the column wiring Y0 with the above element electrodes may be connected underneath to form a continuous line.
【０２５４】次に層間絶縁膜208を形成する。（図８１
（ｃ））この層間絶縁膜208は列方向配線と行方向配線
の交差する部分に形成した。この層間絶縁膜208の構成
材料としては、通常絶縁性を保てるものであれば良く、
例えば、ＳｉＯ２薄膜や金属成分を含まないPbOを主成
分とした厚膜ペーストによる膜等である。Next, an interlayer insulating film 208 is formed. (FIG. 81
(C) This interlayer insulating film 208 is formed at the intersection of the column wiring and the row wiring. As a constituent material of the interlayer insulating film 208, any material can be used as long as it can normally maintain insulation.
For example, it is an SiO2 thin film or a film made of a thick film paste containing PbO containing no metal component as a main component.
【０２５５】次に、本発明の特徴である第二の配線層を
形成する。（図８１（ｄ））第二の配線層207の形成
で、行方向配線は電子放出素子の電極203に接続形成さ
れるもの以外に端の素子で片側に配線が形成されていな
い（ここでは上端の素子列）領域に冗長配線X0および冗
長電極202",203"を設ける。この冗長配線は１行だけに
限るものではなく複数設けても構わない。更に、後述す
るように行列状にマトリクス配線された表面伝導型電子
源群を一行ずつ順次駆動する走査信号が印加される方法
で電子源を駆動する場合、少なくとも上記冗長配線は隣
接する配線X1以外の配線と接続する。Next, a second wiring layer which is a feature of the present invention is formed. (FIG. 81 (d)) In the formation of the second wiring layer 207, the row-directional wiring is an element at the end other than that connected to the electrode 203 of the electron-emitting device, and no wiring is formed on one side (here, A redundant wiring X0 and redundant electrodes 202 "and 203" are provided in the upper element row region. This redundant wiring is not limited to one row, and a plurality of redundant wirings may be provided. Further, when the electron source is driven by a method in which a scanning signal for sequentially driving the surface-conduction type electron source group arranged in rows and columns in a matrix as described later is applied, at least the redundant wiring is other than the adjacent wiring X1. Connect to the wiring.
【０２５６】本構成の冗長配線X0は上記Dox1乃至Doxmの
いずれか１つと接続し、Y0は上記Doy1乃至Doynのいずれ
か１つと接続する場合もあるし、外部端子Dox0、Doy0と
して外部で電位規定する場合もある。The redundant wiring X0 of this configuration is connected to any one of the above Dox1 to Doxm, and Y0 may be connected to any one of the above Doy1 to Doyn. In some cases.
【０２５７】更に、図８２に示すように各電子放出素子
を配線で区画される領域に配置し、更に、Ｘ方向配線の
取り出し部をＹ方向配線と同時に印刷形成し、絶縁層を
交差部に設けた後、Ｘ方向配線の１つおきの所定配線
（図ではＸ０とＸ２）を結線する配線１６２’をＸ方向
配線の印刷形成時に同時形成することもできる。Further, as shown in FIG. 82, each electron-emitting device is arranged in a region defined by the wiring, and a lead-out portion of the X-direction wiring is printed and formed at the same time as the Y-direction wiring, and an insulating layer is formed at the intersection. After the provision, the wiring 162 'for connecting every other predetermined wiring (X0 and X2 in the figure) of the X-directional wiring can be formed simultaneously with the printing of the X-directional wiring.
【０２５８】以下本構成の実施例等について説明する。Hereinafter, embodiments of the present configuration will be described.
【０２５９】実施例１、比較例１ 本発明の第１の実施例として、平面型の表面伝導型放出
素子を多数単純マトリクス配置した図８３のような電子
源基板の構成を用いて、電子源を構成した。本実施例で
は、行方向配線(X配線)１ライン毎に、１２０個の素子
が並び、また、列方向配線(Y配線)１ライン毎に、８０
個の素子が並んでいる電子源基板を用い、画像形成装置
を作成した。そのため、後述する、Ｄｘｍのｍは８０、
Ｄｙｎのnは１２０である。本実施例にかかる複数の電
子放出素子がマトリクス配線された基板１の一部の平面
図を第８４図に示す。また、図中のＡ−Ａ'断面図を第
８５図に示す（図中、電子放出部５は省略する）。Example 1 and Comparative Example 1 As a first example of the present invention, an electron source substrate was constructed using a configuration of an electron source substrate as shown in FIG. Was configured. In this embodiment, 120 elements are arranged for each line in the row direction (X wiring), and 80 elements are arranged for each line in the column direction wiring (Y wiring).
An image forming apparatus was prepared using an electron source substrate on which elements were arranged. Therefore, m of Dxm described later is 80,
N of Dyn is 120. FIG. 84 shows a plan view of a part of the substrate 1 on which a plurality of electron-emitting devices according to the present embodiment are arranged in a matrix. FIG. 85 shows a cross-sectional view taken along the line AA ′ in the figure (the electron-emitting portion 5 is omitted in the figure).
【０２６０】本実施例にかかる電子源の製造工程を、第
８６図、第８７図に示す。但しこれらの図中で同じ符号
を付したものは同じ部位を示す。ここで１４１は層間絶
縁層、１４２はコンタクトホールである。以下に当該工
程を説明する。 工程−ａ 清浄化した青板ガラス上に、厚さ0．5μｍのシリコン酸
化膜をスパッタ法で形成した基板１上に、真空蒸着法に
より、厚さ5ｎｍのＣｒ、厚さ６００ｎｍのＡｕを順次
積層した後、フォトレジスト（ＡＺ１３７０／ヘキスト
社製）をスピンナーにより回転塗布、ベークした後、フ
ォトマスク像を露光、現像して、下配線７２のレジスト
パターンを形成し、Ａｕ／Ｃｒ堆積膜をウェットエッチ
ングして、所望の形状の下配線７２を形成した（図８６
（ａ））。FIGS. 86 and 87 show a manufacturing process of the electron source according to this embodiment. However, the same reference numerals in these figures indicate the same parts. Here, 141 is an interlayer insulating layer, and 142 is a contact hole. The steps will be described below. Step-a 5 nm thick Cr and 600 nm thick Au are sequentially laminated by vacuum evaporation on a substrate 1 in which a 0.5 μm thick silicon oxide film is formed on a cleaned blue sheet glass by a sputtering method. After that, a photoresist (AZ1370 / Hoechst) is spin-coated with a spinner and baked, and then a photomask image is exposed and developed to form a resist pattern of the lower wiring 72, and the Au / Cr deposited film is wet-etched. Thus, a lower wiring 72 having a desired shape was formed (FIG. 86).
(A)).
【０２６１】ここで本発明の特徴となる冗長配線として
Y0を設けておく。 工程−ｂ 次に、厚さ、１．０μｍのシリコン酸化膜からなる層間
絶縁層１４１をＲＦスパッタ法により堆積した（図８６
（ｂ））。 工程−ｃ 工程−ｂ で堆積したシリコン酸化膜にコンタクトホール１４２を
形成するためのフォトレジストパターンを作り、これを
マスクとして層間絶縁層１４１をエッチングしてコンタ
クトホール１４２を形成した。エッチングはＣＦ4とＨ2
ガスを用いたＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃ
ｈｉｎｇ）法によった（図８６（ｃ））。 工程−ｄ その後、素子電極２、３と素子電極間ギャップとなるべ
きパターンをフォトレジスト（ＲＤ−２０００Ｎ−４１
／日立化成社製）で形成し、真空蒸着法により、厚さ５
ｎｍのＴｉ、厚さ１００ｎｍのＮｉを順次堆積した。上
記フォトレジストパターンを有機溶剤で溶解し、Ｎｉ／
Ｔｉ堆積膜をリフトオフし、素子電極間隔Ｌが２０μ
ｍ、幅Ｗが３００μｍの素子電極２、３を形成した（図
８６（ｄ））。 工程−ｅ 素子電極２、３の上にX方向配線となる上配線７３フォ
トレジストパターンを形成した後、厚さ５ｎｍのＴｉ、
厚さ５００ｎｍのＡｕを順次真空蒸着により堆積し、リ
フトオフにより不要な部分を除去して、所望の形状の上
配線７３を形成した（第８７図（ｅ））。ここで本発明
の特徴となる冗長配線X0を設けておく。 工程−f 膜厚100nmのＣｒ膜を真空蒸着により堆積・パターニン
グし、そのうえに有機Ｐｄ（ｃｃｐ４２３０奥野製薬
（株）社製）をスピンナーにより回転塗布、３００℃で
１０分間の加熱焼成処理をした。また、こうして形成さ
れた導電性薄膜４の膜厚は10nm、シート抵抗値は５×１
０4Ω／□であった。その後、Ｃｒ膜および焼成後の導
電性薄膜４を酸エッチャントによりエッチングして所望
のパターンを形成した。 工程−ｇ コンタクトホール１４２部分以外にレジストパターンを
形成し、真空蒸着により厚さ５ｎｍのＴｉ、厚さ５００
ｎｍのＡｕを順次堆積した。リフトオフにより、不要な
部分を除去する事により、コンタクトホール１４２を埋
め込んだ（第８７図（ｇ））。Here, as a redundant wiring which is a feature of the present invention,
Y0 is provided. Step-b Next, an interlayer insulating layer 141 made of a silicon oxide film having a thickness of 1.0 μm was deposited by an RF sputtering method (FIG. 86).
(B)). Step-c A photoresist pattern for forming the contact hole 142 was formed in the silicon oxide film deposited in the step-b, and the interlayer insulating layer 141 was etched using the photoresist pattern as a mask to form the contact hole 142. Etching is CF 4 and H 2
RIE (Reactive Ion Etc) using gas
hing) method (FIG. 86 (c)). Step-d Thereafter, a pattern to be a gap between the device electrodes 2 and 3 and the device electrode is formed by a photoresist (RD-2000N-41).
/ Hitachi Chemical Co., Ltd.) and a thickness of 5
nm of Ti and 100 nm of Ni were sequentially deposited. The photoresist pattern was dissolved in an organic solvent, and Ni /
Lift off the Ti deposited film and set the element electrode interval L to 20 μm.
The device electrodes 2 and 3 having a width m and a width W of 300 μm were formed (FIG. 86D). Step-e After forming a photoresist pattern of an upper wiring 73 serving as an X-direction wiring on the device electrodes 2 and 3, a 5 nm-thick Ti,
Au having a thickness of 500 nm was sequentially deposited by vacuum evaporation, and unnecessary portions were removed by lift-off to form an upper wiring 73 having a desired shape (FIG. 87 (e)). Here, the redundant wiring X0 which is a feature of the present invention is provided. Step-f A Cr film having a thickness of 100 nm was deposited and patterned by vacuum evaporation, and organic Pd (ccp4230 manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) was spin-coated with a spinner and heated and baked at 300 ° C. for 10 minutes. The conductive thin film 4 thus formed has a thickness of 10 nm and a sheet resistance of 5 × 1.
0 was 4 Ω / □. Thereafter, the Cr film and the fired conductive thin film 4 were etched with an acid etchant to form a desired pattern. Step-g A resist pattern is formed on portions other than the contact hole 142, and 5 nm thick Ti and 500 mm thick are formed by vacuum evaporation.
nm of Au was sequentially deposited. Unnecessary portions were removed by lift-off to bury the contact holes 142 (FIG. 87 (g)).
【０２６２】次に、以上のようにして作製した未フォー
ミングの電子源を用いて電子源を構成した。以下第８３
図を用いて説明する。まず、基板７１上に下配線７２、
層間絶縁層（不図示）、上配線７３、素子電極７５導電
性膜７４を形成した。上述のようにして多数の表面伝導
型電子放出素子７４を設けた電子源基板を真空容器に装
着した。 工程―h:本実施例のフォーミング工程では、第８８図に
模式的に示した真空処理装置を用い、Ｙ方向配線をグラ
ンドに接続した共通電極に接続し、Ｘ方向配線(上配線)
のそれぞれに印加される電圧パルスのパルス幅が1mse
c、パルス間隔が240msecとなるようにした。パルスによ
り、パルス幅１ｍｓｅｃ，パルス間隔３．３ｍｓｅｃの
パルスを生成し、スイッチング装置により１パルス毎に
電圧を印加するＸ方向配線を１ラインずつ隣に切り替え
ることを繰り返した。Next, an electron source was constructed using the unformed electron source produced as described above. 83rd below
This will be described with reference to the drawings. First, a lower wiring 72 on a substrate 71,
An interlayer insulating layer (not shown), upper wiring 73, and element electrode 75 conductive film 74 were formed. An electron source substrate provided with a large number of surface conduction electron-emitting devices 74 as described above was mounted on a vacuum vessel. Step-h: In the forming step of the present embodiment, the Y-direction wiring is connected to the common electrode connected to the ground using the vacuum processing apparatus schematically shown in FIG. 88, and the X-direction wiring (upper wiring)
The pulse width of the voltage pulse applied to each of the
c, The pulse interval was set to 240 msec. A pulse having a pulse width of 1 msec and a pulse interval of 3.3 msec was generated by the pulse, and switching of the X-direction wiring, to which the voltage was applied for each pulse by the switching device, was switched one line at a time to the next line was repeated.
【０２６３】パルス波高値は１１Ｖ、パルス波形は矩形
波とした。また、フォーミング処理中、表示パネル全体
を５０℃に保持し、パルス印加と同時に実施例１の工程
（３）と同様にＨ2とＮ2よりなる混合ガスを導入した。 工程―I:次に活性化工程を行う。雰囲気を形成する有機
物質のガスとしてはベンゾニトリルを用い、分圧として
は１X１０-6Torrに制御し、パルスの印加の仕方は上記
フォーミング工程と同じであるが、全てのＸ方向配線に
対して同時に処理を行うことができないので、Ｘ方向配
線１０ラインを１フ゛ロックとし、1ラインに１パルスずつ順番
に１０回の印加を行うことを繰り返し１フ゛ロックを活性化
終了し、これを残りのフ゛ロック分順次処理を行って完了し
た。ラインに印加されるパルス幅は1msec、パルス間隔が１
０msecとし、パルス波形は矩形波とし、１６Vの波高値
とした。The pulse peak value was 11 V, and the pulse waveform was a rectangular wave. During the forming process, the entire display panel was kept at 50 ° C., and a mixed gas consisting of H 2 and N 2 was introduced simultaneously with the pulse application in the same manner as in the step (3) of the first embodiment. Step-I: Next, an activation step is performed. Benzonitrile is used as the gas of the organic substance forming the atmosphere, the partial pressure is controlled at 1 × 10 −6 Torr, and the method of applying the pulse is the same as in the above-mentioned forming step. Since processing cannot be performed at the same time, 10 lines in the X-direction wiring are set as one block, and application is performed 10 times in a line, one pulse at a time, and one block is activated and terminated. The processing was completed sequentially. The pulse width applied to the line is 1 msec, and the pulse interval is 1
0 msec, the pulse waveform was a rectangular wave, and the peak value was 16V.
【０２６４】その後、基板全体を３００℃に保持しなが
ら排気を続け、真空チャンバー内の圧力が１×１０-5Ｐ
ａ以下で室温に降温し、高圧端子（第4図の407）を通じ
てアノート゛電極に１KV印加し、各素子に１５Vの駆動パルス
を印加して電子放出量Ieとバラツキの標準偏差σを、特
に注目する冗長配線と隣接する配線に接続する素子につ
いて測定したところ以下の結果となった。Thereafter, the evacuation was continued while maintaining the entire substrate at 300 ° C., and the pressure in the vacuum chamber was reduced to 1 × 10 −5 P
When the temperature falls below room temperature, a voltage of 1 KV is applied to the Anote II electrode through a high-voltage terminal (407 in FIG. 4), and a driving pulse of 15 V is applied to each element to obtain a standard deviation σ of the electron emission amount Ie and the variation. The following results were obtained by measuring the elements connected to the adjacent redundant wiring and the redundant wiring.
【０２６５】ここで比較例１は上記冗長配線X0、Y0が設
けられていないこと以外は同じ構成で同じ工程を用いて
作製した電子源である。Here, Comparative Example 1 is an electron source manufactured using the same configuration and using the same steps except that the redundant wirings X0 and Y0 are not provided.
【０２６６】[0266]
【表４】 以上の結果から、冗長配線により電子放出量の均一性が
向上した。 （実施例２、３、比較例２）本構成の第２、３の実施例
として、平面型の表面伝導型放出素子を多数単純マトリ
クス配置した図１７のような電子源を印刷配線用いて形
成し、これを画像形成部材と組み合わせて画像形成装置
を構成した。[Table 4] From the above results, the uniformity of the electron emission amount was improved by the redundant wiring. (Embodiments 2 and 3 and Comparative Example 2) As the second and third embodiments of this configuration, an electron source as shown in FIG. 17 in which a large number of planar surface conduction electron-emitting devices are arranged in a simple matrix is formed using printed wiring. This was combined with an image forming member to form an image forming apparatus.
【０２６７】以下、第８９図を利用して本実施例の構
成、製造手順を説明する。The structure and manufacturing procedure of this embodiment will be described below with reference to FIG.
【０２６８】実施例２ （a）〜（ｆ）に本実施例の製造工程を表わす上面図を
示す。（a）〜（ｆ）では不図示の基板上に対して電子
源の一部として画像形成領域の角に位置する３×３個、
計９個を行列状にマトリクス配線した部分を示す。図
中、202,203は一対の素子電極、206は第一の配線層、20
8は第一の配線と第二の配線との層間絶縁膜、207は第二
の配線層、204は電子放出部形成用の膜である。全体の
素子は行方向に720、列方向に240並んだ構成とした。Example 2 (a) to (f) are top views showing the manufacturing steps of this example. In (a) to (f), 3 × 3 elements located at the corners of the image forming area as a part of the electron source on a substrate (not shown);
A portion where a total of nine pieces are arranged in a matrix in a matrix is shown. In the figure, 202 and 203 are a pair of device electrodes, 206 is a first wiring layer, 20
Reference numeral 8 denotes an interlayer insulating film between the first wiring and the second wiring, 207 denotes a second wiring layer, and 204 denotes a film for forming an electron emission portion. The entire device had a configuration of 720 in the row direction and 240 in the column direction.
【０２６９】先ず、予め洗浄された基板（ここでは、ソ
ーダライムガラス基板を使用）に、素子電極の印刷、焼
成を行い、一対の素子電極202,203を形成する。（第８
９図（a））本実施例では、膜の成膜方法として厚膜印
刷法を使用した。ここで使用した厚膜ペースト材料は、
ＭＯＤペーストで金属成分はＡｕである。印刷の方法は
スクリーン印刷法を用いた。所望のパターンに印刷の
後、７０℃で１０分乾燥し、次に本焼成を実施する。焼
成温度は５５０℃で、ピーク保持時間は約８分である。
印刷、焼成後のパターンは片側の素子電極203が３５０
×２００ミクロン、片側の素子電極202が５００×１５
０ミクロンと左右非等長のパターンを形成し、膜厚は〜
０．３ミクロン、素子電極302,303の間隔は20μmとし
た。First, a pair of device electrodes 202 and 203 are formed by printing and baking device electrodes on a pre-cleaned substrate (here, a soda lime glass substrate is used). (Eighth
9 (a)) In this example, a thick film printing method was used as a film forming method. The thick film paste material used here is
The metal component is Au in the MOD paste. The printing method used was a screen printing method. After printing in a desired pattern, drying is performed at 70 ° C. for 10 minutes, and then main firing is performed. The firing temperature is 550 ° C. and the peak retention time is about 8 minutes.
After printing and firing, the pattern of the device electrode 203 on one side is 350
× 200 microns, one side of the device electrode 202 is 500 × 15
Form a pattern of unequal length on the left and right with 0 micron, and the film thickness is ~
0.3 μm, and the interval between the device electrodes 302 and 303 was 20 μm.
【０２７０】次に第一の配線層を形成する。（図８９
(b））第一の配線層206の形成ではY方向配線を全パター
ン形成し、Y方向配線は素子電極203に接続形成される。
本実施例では、第一の配線層206の形成方法として厚膜
スクリーン印刷法を用いた。ペースト材料は酸化鉛を主
成分とするガラスバインダーに導電性材料の微粒粉を混
合したものである。本実施例では、導電性材料がＡｇの
ペーストを使用した。所望のパターンでスクリーン印刷
を行い、１１０℃で２０分の乾燥を行った後、５５０
℃、ピーク保持時間１５分の焼成を行って第一の配線層
306である幅１００ミクロン、厚み１２ミクロンのY方向
配線を得た。ここで本発明の特徴である第一の配線層20
6を形成する。（第８９図（b））第一の配線層206の形
成で、列方向配線は電子放出素子の電極203に接続形成
されるもの以外に端の素子で片側に配線が形成されてい
ない左端の素子列に隣接して冗長配線Y0および冗長電極
２０２’、２０３’を設けた。Next, a first wiring layer is formed. (FIG. 89
(b)) In the formation of the first wiring layer 206, the Y-direction wiring is formed in all patterns, and the Y-direction wiring is connected to the element electrode 203.
In this embodiment, a thick film screen printing method is used as a method for forming the first wiring layer 206. The paste material is obtained by mixing fine powder of a conductive material with a glass binder containing lead oxide as a main component. In this embodiment, a paste in which the conductive material is Ag is used. After performing screen printing with a desired pattern and drying at 110 ° C. for 20 minutes, 550
The first wiring layer is baked at 15 ° C. for a peak holding time of 15 minutes.
306, a Y-directional wiring having a width of 100 microns and a thickness of 12 microns was obtained. Here, the first wiring layer 20 which is a feature of the present invention
Form 6. (FIG. 89 (b)) In the formation of the first wiring layer 206, the column-directional wiring is an element at the end other than the one formed to be connected to the electrode 203 of the electron-emitting device and the wiring at the left end where no wiring is formed on one side. A redundant wiring Y0 and redundant electrodes 202 'and 203' are provided adjacent to the element row.
【０２７１】ここで上記冗長の列配線Y0の下に上記素子
電極で列配線Y0に接続する側の電極が連結し、第８９図
(a)に示したように１列連続した線状に形成しておい
た。Here, an electrode connected to the column wiring Y0 by the element electrode is connected under the redundant column wiring Y0.
As shown in (a), it was formed in a continuous line.
【０２７２】ここで層間絶縁膜208を形成する。（第８
９図（c））この層間絶縁膜208はＸ方向配線とＹ方向配
線の交差部する部分に形成し,この層間絶縁膜208の構成
材料としては、金属成分を含まないPbOを主成分とした
厚膜ペーストを用いた。[0272] Here, an interlayer insulating film 208 is formed. (Eighth
This interlayer insulating film 208 is formed at the intersection of the X-directional wiring and the Y-directional wiring. As a constituent material of the interlayer insulating film 208, PbO containing no metal component is used as a main component. A thick film paste was used.
【０２７３】該絶縁層208の形成方法は厚膜スクリーン
印刷法を用いた。所望のパターンでスクリーン印刷を行
い、１１０℃で２０分の乾燥を行った後、５５０℃、ピ
ーク保持時間１５分の焼成を行って５００×５００ミク
ロン、厚み〜３０ミクロンの層間絶縁膜208を得た。As a method for forming the insulating layer 208, a thick film screen printing method was used. Screen printing is performed in a desired pattern, drying is performed at 110 ° C. for 20 minutes, and then baking is performed at 550 ° C. for a peak holding time of 15 minutes to obtain an interlayer insulating film 208 having a size of 500 × 500 μm and a thickness of 30 μm. Was.
【０２７４】次に、第二の配線層207を形成する。（第
８９図（ｄ））第二の配線層207の形成では第一の配線
層206とは逆にＸ方向配線を全パターン形成し、Ｘ方向
配線は素子電極202に各々接続形成される。形成方法は
第一の配線層206と同様の厚膜スクリーン印刷法を用い
た。使用した厚膜ペースト材料は、第一の配線層206と
同じくＡｇペーストで金属成分はＡｇである。所望のパ
ターンでスクリーン印刷の後、１１０℃で２０分の乾燥
を行った後、５５０℃でピーク保持時間１５分の焼成を
行って、第一の配線層206上に第二の配線層207である幅
１００ミクロン、厚み１２ミクロンのＸ方向配線を得
た。このように第二の配線層の形成によりＸ方向配線と
Ｙ方向配線が互いに絶縁された複数（２層）の層からな
るマトリクス配線が完成した（図８９（ｄ））。Next, a second wiring layer 207 is formed. (FIG. 89 (d)) In the formation of the second wiring layer 207, the X-directional wiring is formed in the entire pattern opposite to the first wiring layer 206, and the X-directional wiring is connected to the element electrode 202, respectively. As a forming method, the same thick film screen printing method as that of the first wiring layer 206 was used. The used thick film paste material is an Ag paste as in the case of the first wiring layer 206, and the metal component is Ag. After screen printing with a desired pattern, drying was performed at 110 ° C. for 20 minutes, and then baking was performed at 550 ° C. for a peak holding time of 15 minutes, so that the second wiring layer 207 was formed on the first wiring layer 206. An X-directional wiring having a width of 100 μm and a thickness of 12 μm was obtained. In this way, by forming the second wiring layer, a matrix wiring composed of a plurality of (two layers) layers in which the X-directional wiring and the Y-directional wiring are insulated from each other is completed (FIG. 89 (d)).
【０２７５】以上で、マトリクス配線の部分が完成した
わけであるが、ペースト材料、印刷方法等はここに記し
たものに限るものではない。最後に電子放出部形成用の
導電性薄膜204を形成する。（第８９図（e））電子放出
部形成用の膜204（表面伝導型電子源）の形成方法は、
以下に説明する液滴付与方法を用いた。The matrix wiring portion is completed as described above, but the paste material, printing method, and the like are not limited to those described here. Finally, a conductive thin film 204 for forming an electron-emitting portion is formed. (FIG. 89 (e)) The method for forming the film 204 (surface conduction electron source) for forming the electron-emitting portion is as follows.
The droplet applying method described below was used.
【０２７６】液滴を液滴付与装置により該素子電極上に
付与するわけであるが、液滴の基になる溶液は水、金属
化合物および有機溶媒からなり液滴を生じさせる粘度の
ものが用いられ、本実施例では金属化合物の金属成分と
してはPdを用い、液滴付与装置としてはインクジェット
装置、本実施例ではバブルジェット方式の装置をもちい
た。焼成は300℃で10分間行い、膜厚としては100Åとな
るよう吐出液滴量を調整し、シート抵抗は、4 x 104と
なる膜を形成した。A droplet is applied onto the element electrode by a droplet applying device. The solution on which the droplet is formed is made of water, a metal compound, and an organic solvent and has a viscosity that produces a droplet. In this embodiment, Pd was used as the metal component of the metal compound, and an ink jet device was used as the droplet applying device, and a bubble jet type device was used in this embodiment. The firing was performed at 300 ° C. for 10 minutes, the amount of the discharged droplets was adjusted so that the film thickness became 100 °, and a film having a sheet resistance of 4 × 10 4 was formed.
【０２７７】本図では、９素子部分のみを図示したが、
これをＸ方向720列、Ｙ方向240列に同時に形成する事で
複数層から成る単純マトリクス方式による電子源基板の
構成が完成した。次に、以上のようにして作成した表面
伝導型電子源を有する電子源基板を用いて表示パネルを
構成した。更に、本構成の特徴である冗長の行配線X0,
列配線Y0は容器外端子Dx0,Dy0を通じて接地し、電位を
規定した。Although only nine elements are shown in this figure,
By forming these in 720 rows in the X direction and 240 rows in the Y direction at the same time, the configuration of the electron source substrate by a simple matrix system composed of a plurality of layers was completed. Next, a display panel was formed using the electron source substrate having the surface conduction electron source prepared as described above. Furthermore, the redundant row wiring X0,
The column wiring Y0 was grounded through terminals Dx0 and Dy0 outside the container, and the potential was defined.
【０２７８】（実施例３）図９０に示したように冗長の
配線を２ラインもうけ、印刷断線の影響を少なくしたも
ので製造の工程、構成部材は実施例２と同じにした。た
だし、冗長配線の下の電極を連結して線状のパターンを
設けることはしなかった。冗長配線X0,X0'およびY0,Y0'
は容器内で接続させ、容器外端子Dx0,Dy0を通じて接地
し、電位を規定した。(Embodiment 3) As shown in FIG. 90, two redundant wirings were provided to reduce the influence of disconnection in printing, and the manufacturing process and components were the same as those in Embodiment 2. However, a linear pattern was not provided by connecting the electrodes below the redundant wiring. Redundant wiring X0, X0 'and Y0, Y0'
Were connected inside the container, and grounded through terminals Dx0 and Dy0 outside the container to define the potential.
【０２７９】比較例２は冗長配線を設けずに構成した画
像形成装置で製造工程は実施例２と同じ条件としたもの
である。Comparative Example 2 is an image forming apparatus having no redundant wiring and manufactured under the same manufacturing conditions as in Example 2.
【０２８０】これらの構成を用いた場合に得られた結果
を以下に示す。The results obtained when using these configurations are shown below.
【０２８１】[0281]
【表５】 上記のように素子近傍に冗長配線を設けることで電子源
としての均一性が向上し、輝度のハ゛ラツキも減少した。こ
こで輝度の平均値が減少したのは電子ヒ゛ームの形状が電位
分布により変形し、フェースプレートのブラックストラ
イプに照射される割合が増加し、光に変換される効率が
低下したためである。[Table 5] By providing the redundant wiring near the element as described above, the uniformity as an electron source was improved, and the variation in luminance was reduced. Here, the average value of the luminance is decreased because the shape of the electron beam is deformed by the potential distribution, the ratio of irradiation to the black stripe of the face plate is increased, and the efficiency of light conversion is reduced.
【０２８２】（実施例４）上記実施例では冗長配線を容
器外端子を通じて電位規定していたが、この実施例では
容器内部で行方向の冗長配線は電子放出素子に接続する
行配線のいずれか１つ、ここでは一つ置いて隣の配線と
接続し、列方向の冗長配線は隣接する列配線と接続した
ことが特徴である。図９１に示したように該冗長行配線
X0と隣接する行配線の一部に絶縁層161を形成し、その
後第三の配線として該冗長配線X0と1つ置いて隣の行配
線X2とを接続する形で162を形成した。(Embodiment 4) In the above embodiment, the potential of the redundant wiring is defined through the terminal outside the container. In this embodiment, however, the redundant wiring in the row direction inside the container is one of the row wirings connected to the electron-emitting devices. It is characterized in that one, here one, is connected to an adjacent wiring and the redundant wiring in the column direction is connected to an adjacent column wiring. As shown in FIG.
An insulating layer 161 was formed on part of the row wiring adjacent to X0, and then a second wiring 162 was formed as a third wiring by connecting the redundant wiring X0 and one adjacent row wiring X2.
【０２８３】以上の構成を採用することにより、上記冗
長配線を設けたことで配線に挟まれていない電子放出素
子がなくなり、素子周辺の帯電状態がすべての素子で同
等となったため、上記現象と対応して電子源として以下
ような効果が得られた。 （１）電子放出特性の均一性が向上。 （２）電子ビームの形状の均一性が向上。 （３）電子放出特性および電子ビームの形状の時間的変
動が減少。 （４）帯電量が減少し、電極、配線との放電による電子
源の劣化が無くなった。 すなわち、上記電子源を用いた画像形成装置では輝度の
均一性が増し、より高画質な特性が実現できた。By adopting the above configuration, the provision of the above-mentioned redundant wiring eliminates the electron-emitting devices which are not sandwiched between the wirings, and the charged state around the devices becomes equal in all the devices. Correspondingly, the following effects were obtained as an electron source. (1) Uniformity of electron emission characteristics is improved. (2) The uniformity of the shape of the electron beam is improved. (3) The time variation of the electron emission characteristics and the shape of the electron beam is reduced. (4) The charge amount was reduced, and the deterioration of the electron source due to the discharge between the electrode and the wiring was eliminated. That is, in the image forming apparatus using the above-mentioned electron source, the uniformity of luminance was increased, and higher image quality was realized.
【０２８４】（構成１６）一方、表示パネルにおける配
線取り出し部の構成としては以下の構成をとることがで
きる。すなわち、行方向又は、列方向の取り出し配線部
の長さを最適化し、画像表示部の周辺部をできる限り狭
くした構成を提供するものである。以下のこの構成にお
ける実施例を挙げる。(Structure 16) On the other hand, the following structure can be adopted as the structure of the wiring take-out portion in the display panel. That is, the present invention provides a configuration in which the length of the extraction wiring section in the row direction or the column direction is optimized and the peripheral portion of the image display section is made as narrow as possible. The following is an example of this configuration.
【０２８５】（実施例１）次に、図９２の一形体である
表面伝導型放出素子を用いた表示パネル（画像表示装
置）は、取り出し配線部の長さを具体的に説明するため
にフレキケーブルを実装する前のパネルの一部分を平面
上に示した図である。1は画像表示装置の表面伝導型放
出素子と、行方向と列方向の配線が印刷配線によって形
成されている素子基板、２は、素子基板1に対して対向
する位置に配置されて、蛍光体とアノード電極がが平面
上に配置されたフェイスプレートで、3は、表面伝導型
放出素子がマトリクス配線上の交点に配置された画素部
で、４は、列方向配線を複数のブロックに分割してフレ
キケーブル（不図示）と圧接するために印刷配置された
列方向側の一ブロックの取り出し配線、5は4と同様に行
方向配線を複数のブロックに分割してフレキケーブル
（不図示）と圧接するための印刷配置された一ブロック
の取り出し配線で、6は、画像表示を行った時に画素部
から放出されるガスを吸着するためのゲッタ部材、7は
フェイスプレートと素子基板1とを真空封止するために
用いられる枠を示す。次に、Lは本実施例1で求められた
取り出し配線長を示し、l1は画素部3からの沿面放電に
対して考慮されて配置されたゲッタ6までの距離、l2
は、真空封止を行うために構成された枠の幅で、l2外形
部がフェイスプレート2の外形部となる。Example 1 Next, a display panel (image display device) using a surface conduction electron-emitting device, which is a form of FIG. 92, is flexible in order to specifically describe the length of a lead-out wiring portion. It is the figure which showed a part of panel before mounting a cable on the plane. Reference numeral 1 denotes a surface conduction electron-emitting device of an image display device, and an element substrate in which wirings in a row direction and a column direction are formed by printed wiring. And a face plate in which anode electrodes are arranged on a plane, 3 is a pixel section in which surface conduction electron-emitting devices are arranged at intersections on matrix wiring, and 4 is a column-division wiring divided into a plurality of blocks. The lead-out wiring of one block in the column direction printed and arranged to press-contact the flexible cable (not shown). 6 is a getter member for adsorbing gas released from the pixel portion when displaying an image, and 7 is a vacuum between the face plate and the element substrate 1. To seal Shows a frame used to. Next, L indicates the length of the extracted wiring determined in the first embodiment, l1 is the distance from the pixel unit 3 to the getter 6 arranged in consideration of the creeping discharge, l2
Is the width of the frame configured to perform vacuum sealing, and the l2 outer part is the outer part of the face plate 2.
【０２８６】l3はフレキケーブルと圧接実装するための
フレキ接合部の長さ、l4は、素子基板の外形部から印刷
配線がされているまでの距離、l5は、素子基板上に印刷
配線される時の印刷角度と、取り出し配線を複数のブロ
ックに分割した時の一ブロック内での長さl7とブロック
間とのクリアランス量l6から決定される長さである。L3 is the length of the flexible joint for press-fitting the flexible cable, l4 is the distance from the outer part of the element substrate to the printed wiring, and l5 is the printed wiring on the element substrate. This is the length determined from the print angle at the time, the length l7 in one block when the takeout wiring is divided into a plurality of blocks, and the clearance amount l6 between the blocks.
【０２８７】取り出し配線長を最適化するにあたって、
実施例1では行方向配線側と列方向配線側との取り出し
配線長を同じとした。その理由として画素部3から素子
基板1までの幅を同じにすることでフレキケーブルの実
装後のパネル組み立て部材等が、同一仕様で構成するこ
とができるためコスト等の低減につながるためである。
従って、取り出し配線長の説明に対しては列方向配線側
で行うこととする。行方向配線側、列方向配線側の取り
出し配線長は、同じ長さに限定されるものではなく、パ
ネルの設計上からそれぞれの長さを変えても良い。In optimizing the wiring length,
In Example 1, the lengths of the lead-out wires on the row-direction wiring side and the column-direction wiring side were the same. The reason for this is that by making the width from the pixel section 3 to the element substrate 1 the same, the panel assembly members and the like after mounting the flexible cable can be configured with the same specifications, leading to a reduction in cost and the like.
Therefore, the description of the extraction wiring length will be made on the column wiring side. The length of the lead-out wiring on the row-direction wiring side and the column-direction wiring side is not limited to the same length, and may be changed from the design of the panel.
【０２８８】次に、取り出し配線長Lを決定するにあた
って詳細に説明する。配線長Ｌは、l1〜l7によって決定
される。まずl1は、前述したように画素部3からゲッタ6
までの距離である。ゲッタ6は画像表示を行った時に画
素部から放出されるガスを吸着するための部材であり、
表示駆動を行った場合にフェイスプレート2の蛍光体に
表面伝導型放出素子からの放出電流による電子が衝突し
た際に発生するガスを吸着し、パネル内は常に一定の真
空度（約10E―5torr近辺）が維持される。ゲッタ部材は
一般的には金属材料等で構成されており、例えば、素子
基板1上の取り出し配線上とフェイスプレート2の空間上
に配置されたワイヤ状の形状で構成されている。パネル
内に金属部材が配置されていることに対する問題点とし
て、フェイスプレート2に印加されている高圧電圧（ア
ノード電圧）との沿面放電がある。沿面放電は、ゲッタ
部材を画素部3に近接するほど起こりやすく、又アノー
ド電圧値に依存する。従って、最低限沿面放電を回避す
るためにはある程度画素部3からの距離をおくことが必
要とされる。本実施例1ではl1は実験的に確認された値
を用いており、少なくとも4mm以上（アノード電圧12k
v）の距離をおいていることとする。次にl2である。ま
ず、フェイスプレートと素子基板1とを真空封止するた
めに用いられる枠7について説明する。枠7はパネル内の
真空度に対して、外部（大気中）からのスローリークを
防止する目的と、パネル作製工程において工程中に行わ
れるベーキング等に熱処理時でのパネルの熱応力による
変形を防止するためのものである。枠部材は、主として
接着材系が用いられている。スローリークは、フェイス
プレート2と接着材との界面状から起こるものと考えら
れており、スローリークを回避するための枠部の幅は約
3mm〜10mm程度の幅をもつことが必要とされることが判
っている。従って本実施例1では、熱応力による変形防
止をも考慮して、l2の枠7の幅を少なくとも5mm以上であ
ることとした。Next, the determination of the length L of the lead-out wiring will be described in detail. The wiring length L is determined by l1 to l7. First, l1 is the getter 6 from the pixel section 3 as described above.
Is the distance to The getter 6 is a member for adsorbing gas released from the pixel portion when performing image display,
When the display is driven, the gas generated when electrons due to the emission current from the surface conduction electron-emitting device collide with the phosphor of the face plate 2 is adsorbed, and the inside of the panel is always at a constant vacuum (about 10E-5torr). (Near) is maintained. The getter member is generally made of a metal material or the like, and has, for example, a wire-like shape arranged on the lead-out wiring on the element substrate 1 and in the space of the face plate 2. As a problem with the arrangement of the metal member in the panel, there is a creeping discharge with a high voltage (anode voltage) applied to the face plate 2. The creeping discharge is more likely to occur as the getter member is closer to the pixel section 3 and depends on the anode voltage value. Therefore, at least a certain distance from the pixel unit 3 is required to avoid creeping discharge. In Example 1, l1 used a value confirmed experimentally and was at least 4 mm or more (anode voltage 12 k
v) is kept at a distance. Next is l2. First, the frame 7 used for vacuum-sealing the face plate and the element substrate 1 will be described. The frame 7 has the purpose of preventing a slow leak from the outside (in the air) with respect to the degree of vacuum in the panel, and the deformation due to the thermal stress of the panel during the heat treatment during baking etc. during the panel manufacturing process. This is to prevent it. As the frame member, an adhesive material is mainly used. It is thought that the slow leak occurs from the interface between the face plate 2 and the adhesive, and the width of the frame portion for avoiding the slow leak is approximately
It has been found that a width of about 3 mm to 10 mm is required. Therefore, in the first embodiment, the width of the l2 frame 7 is set to at least 5 mm or more in consideration of prevention of deformation due to thermal stress.
【０２８９】次に、フレキケーブルとの接合部であるl3
について説明する。表示装置として外部の表示回路との
接続を行うためのフレキ接合部は、フレキケーブルとの
接触抵抗が重要となってくる。特に行方向配線側では表
面伝導型放出素子が複数接続されていることから数Aの
電流値が流れる。従って取り出し配線とフレキケーブル
とのアライメント不良によって接触位置のずれが生じ接
触抵抗が不安定となったり、又接触抵抗値が高くなった
りした場合には断線や接触部での電圧降下という問題が
おき、表示駆動に対して画質の低下やライン欠陥を及ぼ
すことになる。以上のような問題を無くし信頼性を高め
る方法としては、本実施例1ではACF（異方性導線膜）な
どの技術を用いてフレキケーブルとのコンタクトを行っ
ている。Next, l3, which is the joint with the flexible cable,
Will be described. The contact resistance with the flexible cable becomes important for the flexible joint for connecting the display device to an external display circuit. In particular, a current value of several A flows on the row direction wiring side because a plurality of surface conduction electron-emitting devices are connected. Therefore, when the contact position shifts due to poor alignment between the take-out wiring and the flexible cable, the contact resistance becomes unstable. As a result, the image quality is degraded and line defects are caused on the display drive. As a method of improving the reliability by eliminating the above-described problems, in the first embodiment, the contact with the flexible cable is performed by using a technique such as ACF (anisotropic conductive film).
【０２９０】更に、本実施例1ではフレキ接合部l3上に
はパネル作製工程のなかでプローブ等を使用したプロセ
スにも対応できる様にしている。例えば第1図形体での
作製工程が終了した時点で、行、列の各配線の隣接間シ
ョートをチェックする場合には、フレキ接合部上のいず
れかの位置にプローブ等の接触部針をコンタクトして計
測を行うことが可能となる。以上の様にフレキ接合部l3
は、フレキケーブルとの接触安定性と他の工程でのチェ
ック用のコンタクト部も含めて、5mmと設定した。l4
は、素子基板の外形部から印刷配線がなされているとこ
ろのクリアランス量で、印刷装置で決定されてくる量で
あり、実施例1では2mmとなっている。Further, in the first embodiment, a process using a probe or the like in the panel manufacturing process can be performed on the flexible joint 13. For example, when checking the short between adjacent wirings in rows and columns at the end of the manufacturing process for the first figure, a contact needle such as a probe should be contacted at any position on the flexible joint. Measurement can be performed. As described above, flexible joint l3
Was set to 5 mm, including the contact stability with the flexible cable and the contact part for checking in other processes. l4
Is a clearance amount where the printed wiring is formed from the outer portion of the element substrate, which is determined by the printing apparatus, and is 2 mm in the first embodiment.
【０２９１】次に、l5は前述したように、取り出し配線
の一ブロック内の長さl7とブロック間とのクリアランス
量l6と、印刷配線での印刷方向における印刷角度θによ
って決まる。これら具体的に説明するために図９３を用
いる。図９３（a）は、図９２のパネルの一部を列方向
配線部に対して拡大した図で、特に列方向の取り出し配
線４の部分でフレキケーブルが実装された状態が示され
ている。また、わかりやすくするため、左側の取り出し
配線の2ブロックは、フレキケーブルの実装図は省き、
図９３（ｂ）に2ブロック間でのクリアランス部分の拡
大図をし示した。更に、l9＞l8とした場合でのフレキ接
合部を示した。1、4は図９２で説明した素子基板と列方
向配線の取り出し配線、8は取り出し配線の1ブロックに
対応したフレキケーブル、l8は画素部の列方向の全長を
示し、l9は列方向のフレキ接合部の全長、l10はl8の画
素部の長さに対してl9のフレキ接合部がはみ出す場合の
片側の長さである。又、l11はフレキケーブル8が取り出
し配線4に対してアライメントマーク9によって位置あわ
せ後、圧接されたときの片側のはみ出し量で本実施例１
ではl11＝2.5mmとした、l12はブロック間に圧接された
フレキケーブルのマージン量を示し、マージン量はフレ
キケーブル実装時での装置からある決められてしまうも
ので、数mm程度必要とされ実施例１ではl12＝3mm以上と
設定した。通常、フレキケーブルによって配線の接合を
行う場合フレキ接合部は、画素内の配線ピッチよりも配
線ピッチを細くし、実装密度をあげているのが一般的で
ある。又、フレキ接合部の全長l9は、フレキ接合部とブ
ロック間ごとのフレキケーブルのクリアランスl6によっ
て決まるため、高精細のXGA等の表示装置ではl9＞l8と
なり、比較的画素数が少ない場合は、l9＜l8になる場合
が多い。次に、l9を求めるための計算を行うと、まず1
ブロック間のピッチBpは、1ブロック間内の本数Xとし、
配線ピッチPとした時に、 Bp=X*P+l6 ・・・ として求められ、次に、列方向配線数Dynとした時の全
ブロック数Bnは、 Bn=Dyn／X・・・ として求められる。そして、よりl9はl9=Bn*Bp（ブ
ロック数＊ブロック間ピッチ）によって求められる。次
に、l8を求める計算としては、画素部3内の画素ピッチP
nと列方向配線数Dynからl8=Pn*Dynとして求められる。Next, as described above, l5 is determined by the length l7 in one block of the take-out wiring, the clearance amount l6 between the blocks, and the printing angle θ in the printing direction of the print wiring. FIG. 93 is used to specifically explain these. FIG. 93 (a) is an enlarged view of a part of the panel of FIG. 92 with respect to the column-direction wiring section, and particularly shows a state where the flexible cable is mounted at the extraction wiring 4 in the column direction. Also, for the sake of clarity, the mounting block of the flexible cable is omitted for the two blocks on the left
FIG. 93 (b) is an enlarged view of a clearance portion between two blocks. Further, a flexible joint portion when l9> l8 is shown. Reference numerals 1 and 4 denote the extraction wiring of the element substrate and the column wiring described in FIG. 92, 8 denotes a flexible cable corresponding to one block of the extraction wiring, l8 denotes the total length of the pixel portion in the column direction, and l9 denotes the flexible in the column direction. The total length of the joint, l10, is the length of one side when the flexible joint of l9 protrudes from the length of the pixel part of l8. Reference numeral 11 denotes the amount of protrusion on one side when the flexible cable 8 is press-contacted after being positioned with respect to the lead-out wiring 4 by the alignment mark 9 according to the first embodiment.
Here, l11 = 2.5 mm, l12 indicates the margin of the flexible cable pressed between the blocks, and the margin is determined by the equipment when the flexible cable is mounted. In Example 1, l12 was set to 3 mm or more. Normally, when wiring is connected by a flexible cable, the flexible connection portion generally has a wiring pitch smaller than a wiring pitch in a pixel and has a higher mounting density. Further, since the total length l9 of the flexible joint is determined by the clearance l6 of the flexible cable between the flexible joint and the block, l9> l8 in a display device such as a high-definition XGA, and when the number of pixels is relatively small, In many cases, l9 <l8. Next, when calculating to obtain l9, first, 1
The pitch Bp between blocks is the number X in one block,
When the wiring pitch is P, it is obtained as Bp = X * P + l6... Then, when the number of wirings in the column direction is Dyn, the total number of blocks Bn is obtained as Bn = Dyn / X. . Further, l9 is obtained by l9 = Bn * Bp (number of blocks * pitch between blocks). Next, as a calculation for obtaining l8, the pixel pitch P in the pixel unit 3 is calculated.
It is obtained as l8 = Pn * Dyn from n and the number Dyn of wirings in the column direction.
【０２９２】次に、上記に示した計算によりl10はl10=l
9−l8／２を求める。 l10がプラスとなる場合には、フ
レキ接郷部の両端は画素部３からはみ出し、マイナスと
なる場合にはフレキ接合部の両端は画素部3内に配置さ
れることとなる。Next, according to the above calculation, l10 becomes l10 = l
Determine 9-l8 / 2. When l10 is positive, both ends of the flexible connection portion protrude from the pixel portion 3, and when l10 is negative, both ends of the flexible junction portion are arranged in the pixel portion 3.
【０２９３】通常ブロック間内の配線ピッチPは，画素
内でのピッチPnよりも高精細に形成されているため、フ
レキ圧接部の長さl7を長くすることによってl8とl9はほ
ぼ同じ長さもしくはそれ以下で構成されることが可能で
ある．実際には、フレキケーブルのピッチ間精度、フレ
キケーブルの圧接時でのアライメント精度、又圧接を行
う装置の問題、更にはフレキケーブルを表示回路系に接
続する場合に用いるコネクタ等のピン数の制限などを考
慮すると、l7の長さは実際にはある程度限定されるのが
現状である。Normally, the wiring pitch P between the blocks is formed with higher definition than the pitch Pn within the pixel. Therefore, by increasing the length l7 of the flexible pressure contact portion, the lengths l8 and l9 are almost the same. Or it can be composed of less. Actually, the pitch accuracy of the flexible cable, the alignment accuracy at the time of pressure welding of the flexible cable, the problem of the device that performs pressure welding, and the limitation of the number of pins of the connector etc. used when connecting the flexible cable to the display circuit system Considering such factors, the length of 17 is actually limited to some extent.
【０２９４】上記計算から、l10の値が極端にプラスも
しくはマイナスとなった場合、すなわちフレキ圧接部の
トータルの長さが、画素部3の長さに対して差が大きく
でるような条件で配線ピッチが設定された場合には、ク
リアランスl6の値を変えたり1ブロック内の本数Xを変え
て最適値となるl5を計算し、l8とl9との差をできる限り
近づける様な設定にするのが望ましい。From the above calculation, if the value of l10 is extremely positive or negative, that is, wiring is performed under such a condition that the total length of the flexible press-contact portion greatly differs from the length of the pixel portion 3. If the pitch is set, change the value of the clearance l6 or change the number X in one block to calculate the optimal value l5, and make the setting to make the difference between l8 and l9 as close as possible Is desirable.
【０２９５】次に、l5を求めるには、印刷配線での印刷
方向における印刷角度θと前述したl10によって求める
ことができる。印刷角度θは、印刷時に使用されるメッ
シュの角度で決定される、例えばメッシュ角度に対して
それより大きい角度を持った配線パターンを印刷しよう
としも、メッシュ上からのペーストの吐出不良や干渉に
よって配線の断切れが発生したりする。本実施例１では
上記の条件より印刷角度θは約25度とされている。以上
より、l5は以下の計算によって求めることができる。 l5＝l10／tanθ （θ=25度）・・・ 上記示した〜において、でフレキ接合部の1ブロ
ック間の配線数Xとブロック数とブロック間のクリアラ
ンス量l6、においては画像表示装置の大きさと画素数
等が支配的であることから、以下に示した表で各画像表
示装置の仕様と取り出し配線部の仕様を変えたときのl5
の最適値を求めた。尚l5の値は列方向配線側で算出する
が、行方向配線側についても同様な計算によって求めら
れるものである。Next, in order to obtain l5, it is possible to obtain l5 from the printing angle θ in the printing direction in the printed wiring and the above-described l10. The print angle θ is determined by the angle of the mesh used at the time of printing.For example, even if an attempt is made to print a wiring pattern having an angle larger than the mesh angle, due to poor discharge or interference of paste from the mesh. Disconnection of wiring occurs. In the first embodiment, the printing angle θ is set to about 25 degrees from the above conditions. As described above, l5 can be obtained by the following calculation. l5 = l10 / tanθ (θ = 25 degrees) In the above, the size of the image display device is represented by the number of wires X between one block of the flexible joint, the number of blocks, and the amount of clearance 16 between the blocks. And the number of pixels are dominant.
Was determined. Although the value of l5 is calculated on the column wiring side, the same calculation is also performed on the row wiring side.
【０２９６】なお、θは４５度未満に設定することがで
きる。Note that θ can be set to less than 45 degrees.
【０２９７】[0297]
【表６】 上記の表は、30インチ、42インチ、60インチでの画像表
示サイズに対して、フレキ接合部間のクリアランス量l6
を8mm、15mmとした時のl5の値を求めたものである。実
際に上記の表からl5を決定する場合には、例えば60"のH
D仕様をみると、クリアランスl6を8mmに設定し、ブロッ
ク間本数を320本のにしたときでのl5が30mmとなり最も
小さくなることが判る。逆に30"のVGAの場合には、クリ
アランスl6を15mmに設定し、ブロック間本数を160本と
した時にl5が11mmとなり最小になることが判る。以上の
様に各画像表示サイズごとにフレキ接郷部でのブロック
間本数等を変えた場合での計算を行い、最適値のl5を設
定することが可能となる。尚、1ブロック間の配線本数
は上記の値に限定されるものではなく必要に応じて変え
てよい。更に、l5がマイナス値を示すのは、フレキ接郷
部の全長が画素部3の全長に対し短くなるためであってl
5を決定するにあたっては特に問題にはならない。[Table 6] The table above shows the clearance l6 between flexible joints for image display sizes of 30 inches, 42 inches, and 60 inches.
Is 8 mm and 15 mm, and the value of l5 is determined. When actually determining l5 from the above table, for example, H of 60 "
Looking at the D specification, it can be seen that when the clearance l6 is set to 8 mm and the number of blocks between blocks is 320, l5 is 30 mm, which is the smallest. Conversely, in the case of a 30 "VGA, when the clearance l6 is set to 15 mm and the number of blocks between blocks is 160, l5 is 11 mm, which is the minimum value. It is possible to set the optimal value l5 by performing calculations when the number of blocks between blocks in the hometown area is changed, etc. Note that the number of wires between one block is not limited to the above value Further, the reason why l5 shows a negative value is that the total length of the flexible hometown becomes shorter than the entire length of the pixel portion 3, and
There is no particular problem in determining 5.
【０２９８】次に、沿面距離l1と枠l2の加算された値
（l1＝4mm、l2＝5mmでl1＋l2＝9mm）と、決定されたl5
に対しての比較を行う。つまり上記各表より求められた
最適値l5に対して、実施例1ではゲッタ6配置用の沿面距
離l1とフェイスプレート上に設けた枠l2は最低限必要と
される。従って、l5の値が9mm以下であった場合すなわ
ち、l1＋l2＞l5の場合にはl5の替わりにl1+l2の値とな
り、l1+l2＜l5の場合にはl5が取り出し配線長Ｌ値を決
める値とされる。又、l1+l2＞l5となった場合は沿面距
離l1のすぐ近傍にl2の枠を設置してよい。そして、l3、l
4に上記で決定されたl5もしくはl1+l2の値を加算して取
り出し配線長Ｌが求まる。以上、実施例１では取り出し
配線数の距離Lをゲッター部6、フェイスプレート部の枠
7で構成された場合での最適値を示した。それにより、
画像表示パネルの狭額縁化を目指したパネルを実現する
ことが可能となった。Next, the sum of the creepage distance l1 and the frame l2 (l1 = 4 mm, l2 = 5 mm and l1 + l2 = 9 mm) and the determined l5
Is compared to That is, in the first embodiment, at least the creepage distance l1 for arranging the getter 6 and the frame l2 provided on the face plate are required at least for the optimum value l5 obtained from each of the above tables. Therefore, when the value of l5 is 9 mm or less, that is, when l1 + l2> l5, the value of l5 is replaced by l1 + l2, and when l1 + l2 <l5, l5 determines the take-out wiring length L value. Value. When l1 + l2> l5, a frame of l2 may be installed immediately in the vicinity of the creepage distance l1. And l3, l
4 and the value of l5 or l1 + l2 determined above are added to determine the extracted wiring length L. As described above, in the first embodiment, the distance L of the number of extracted wirings is determined by the getter portion 6 and the face plate portion frame.
The optimal value for the case of 7 is shown. Thereby,
It has become possible to realize a panel that aims to narrow the frame of the image display panel.
【０２９９】（実施例2）図９４に本実施例2の図を示
す。実施例2は、実施例1に対してゲッター6を排除し、
画素部3内のマトリクス配線上にゲッタを形成されてい
る点が大きく異なる。マトリクス内のゲッタは、非蒸発
型ゲッター材料を使用し実施例1と同様に、画像表示を
おこなった時での画素部からの放出ガスを吸着するため
の部材として使われる。図９４において1、2、3、4、5、7及
び、l2、l3、l4、l5は実施例1と同様であることから説明は
省略する。l1はフェイスプレートの枠7を構成する時で
の画素部3からの距離で、図９３のl1と同様に高圧電圧
（アノード電圧）との沿面放電を回避するための距離で
l1=4mmで構成されている。取り出し配線長Ｌは、実施例
1と同様に配線長l5の値をどのように設定されるかで決
まる。l5は実施例1に示したごとく、取り出し配線のフ
レキ接合部l7と1ブロック間のクリアランスl6等により
決まり取り出し配線を求めるための計算式等はすべて実
施例1と同じでよく、実施例2においてもl5の値は実施例
1で示した表をもとに決定されてよい。又、印刷配線の
角度θも実施例1と同じでよい。(Embodiment 2) FIG. 94 is a diagram showing Embodiment 2 of the present invention. Example 2 excludes getter 6 from Example 1,
The difference is that a getter is formed on the matrix wiring in the pixel section 3. The getter in the matrix uses a non-evaporable getter material and is used as a member for adsorbing the gas released from the pixel portion when an image is displayed, as in the first embodiment. In FIG. 94, 1, 2, 3, 4, 5, 7 and l2, l3, l4, and l5 are the same as those in the first embodiment, and thus description thereof is omitted. l1 is a distance from the pixel portion 3 when forming the frame 7 of the face plate, and is a distance for avoiding creeping discharge with a high voltage (anode voltage) as in l1 of FIG.
It is composed of l1 = 4mm. The length L of the lead-out line is
As with 1, it depends on how the value of the wiring length l5 is set. As shown in Embodiment 1, l5 is determined by the flexible joint l7 of the lead-out wiring and the clearance l6 between one block, etc. Also the value of l5 is an example
It may be determined based on the table shown in 1. Further, the angle θ of the printed wiring may be the same as in the first embodiment.
【０３００】次に、沿面距離l1と枠l2の加算された値
（l1＝4mm、l2＝5mmでl1＋l2＝9mm）と、決定されたl5
に対しての比較を行う。つまり実施例1と同様な理由に
よりl1＋l2＞l5の場合にはl5の替わりにl1+l2の値が決
定され、l1+l2＜l5の場合にはl5が取り出し配線長Ｌ値
を決める値とされる。そして、l3、l4に上記で決定され
たl5もしくはl1+l2の値を加算して取り出し配線長Ｌが
求まる。又、実施例２においても取り出し配線Ｌを決め
るにあたってはl1+l2の値が最低限必要である。Next, the sum of the creepage distance l1 and the frame l2 (l1 = 4 mm, l2 = 5 mm and l1 + l2 = 9 mm) and the determined l5
Is compared to In other words, for the same reason as in the first embodiment, when l1 + l2> l5, the value of l1 + l2 is determined instead of l5. You. Then, the value of l5 or l1 + l2 determined above is added to l3 and l4, and the extraction wiring length L is obtained. Also, in the second embodiment, the value of l1 + l2 is required at a minimum in determining the extraction wiring L.
【０３０１】以上、取り出し配線数の距離Lをフェイス
プレート部の枠7で構成された場合での最適値を示し
た。それによって、画像表示パネルの狭額縁化を目指し
たパネルを実現することが可能となった。As described above, the optimum value in the case where the distance L of the number of extracted wirings is constituted by the frame 7 of the face plate portion is shown. As a result, it has become possible to realize a panel aiming at narrowing the frame of the image display panel.
【０３０２】本構成では、画像表示装置で画像を表示す
る場合での取り出し配線の長さを決定するにあたって、
取り出し配線部の長さをいくつかの設定条件をもとに算
出できることを可能としている。従って、表示パネルの
大型化や、配線数の増加に伴った場合においても画像表
示装置の狭額縁化に対応したパネルを実現することがで
きる。又、狭額縁化によってパネルの計量化も図ること
ができる。In the present configuration, when determining the length of the extraction wiring when displaying an image on the image display device,
It is possible to calculate the length of the extraction wiring portion based on some setting conditions. Therefore, even when the size of the display panel is increased or the number of wirings is increased, it is possible to realize a panel corresponding to a narrower frame of the image display device. Also, the panel can be weighed by narrowing the frame.
【０３０３】（構成１７）電子源基板の配線の取り出し
部については更に以下の構成を採用することができる。
すなわち、Ｘ方向配線とＹ方向配線の幅が、上記画像形
成領域内よりも該画像形成領域に近接する画像形成領域
の外側で、広く形成された領域を有する構成（第１の
例）とすることができる。更に、該画像形成領域に近接
する画像形成領域の外側の４角で、上記Ｘ方向配線ない
しはＹ方向配線の幅が広く形成された領域を有する構成
をとることもできる。(Structure 17) The following structure can be further adopted for the wiring take-out portion of the electron source substrate.
That is, the width of the X-direction wiring and the width of the Y-direction wiring have a wider area outside the image forming area closer to the image forming area than in the image forming area (first example). be able to. Further, a configuration may be employed in which the X-direction wiring or the Y-direction wiring has a wide area at the four corners outside the image forming area close to the image forming area.
【０３０４】図９５および図９６は、電子放出素子がマ
トリックス状に配置された電子源基板を用いた、本発明
の第１の画像形成装置の構成を示す概略構成図（平面
図）で、図９５は画像形成領域の左端の周辺部分、図2
は画像形成領域の上端の周辺部分を拡大して示したもの
である。なお、画像形成領域の右端、および画像形成領
域の下端も、それぞれ図９５、図９６と対称の形態を有
している。FIGS. 95 and 96 are schematic configuration diagrams (plan views) showing the configuration of the first image forming apparatus of the present invention using an electron source substrate in which electron-emitting devices are arranged in a matrix. Reference numeral 95 denotes a peripheral portion at the left end of the image forming area, FIG.
Is an enlarged view of the periphery of the upper end of the image forming area. It should be noted that the right end of the image forming area and the lower end of the image forming area also have forms symmetrical to FIGS. 95 and 96, respectively.
【０３０５】また、配線6、7は、それぞれ、画像形成領
域の外側、すなわち電子放出素子の形成されていない場
所まで引き出されており、その場所においてその幅を太
く形成している。これは、画像形成領域の外側において
基板表面の露出面積を減じるためで、この部位における
帯電を生じにくくしている。The wirings 6 and 7 are extended to the outside of the image forming area, that is, to a place where the electron-emitting device is not formed, and the width is formed thick at that place. This is because the exposed area of the substrate surface is reduced outside the image forming area, and it is difficult to cause charging in this area.
【０３０６】図９７は、図９５および図９６に示した本
発明の第1の画像形成装置の断面方向から見た図であ
る。図９７において、31は電子源を形成した基体である
リアプレート、32は透明な基体の内面に蛍光膜33とメタ
ルバック34等が形成されたフェースプレートである。FIG. 97 is a view of the first image forming apparatus of the present invention shown in FIGS. 95 and 96, as viewed from a cross-sectional direction. In FIG. 97, 31 is a rear plate which is a base on which an electron source is formed, and 32 is a face plate in which a fluorescent film 33 and a metal back 34 are formed on the inner surface of a transparent base.
【０３０７】第１の例においては、上述したように、配
線6、7が、それぞれ、画像形成領域の外側、すなわち電
子放出素子の形成されていない場所まで引き出されてお
り、かつ、その場所においてその幅を太く形成してお
り、画像形成領域外側の電気抵抗の高い面の露出面積を
減じたため、画像形成領域端部における画像の乱れを防
止できる。In the first example, as described above, the wirings 6 and 7 are respectively drawn to the outside of the image forming area, that is, to a place where the electron-emitting device is not formed, and at that place, Since the width is made large and the exposed area of the surface having a high electric resistance outside the image forming area is reduced, it is possible to prevent the image from being disturbed at the end of the image forming area.
【０３０８】図９８〜１００は、第２の例を示す概略構
成図（平面図）で、画像表示領域の4角のうち、左上端
部分を拡大して示したものであるが、他の3つの角も同
様の形態を有する。なお、これらの図において、図中の
番号は、それぞれ図1、図2中の同じ番号で示したものと
同一である。FIGS. 98 to 100 are schematic structural views (plan views) showing the second example, in which the upper left portion of the four corners of the image display area is enlarged. The two corners have a similar form. In these figures, the numbers in the figures are the same as those indicated by the same numbers in FIGS. 1 and 2, respectively.
【０３０９】配線6、7は、前述したように、ｍ本のＸ方
向配線7は，DX1、DX2、、、DXm、n本のＹ方向配線6は、
DY1、DY2、、、DYnからなるが、左上端の角において、D
X1とDY1の形状を図９８に示したように、広く変形させ
ている。これは、画像形成領域の外側の角の部分で基板
表面の露出面積を減じるためで、この部位における帯電
を生じにくくしている。なお、同様に、不図示の、左下
端では、DXmとDY1、右上端ではDX1とDyn、右下端ではDX
mとDynをそれぞれ広く変形させて、画像形成領域の外側
の角の部分で基板表面の露出面積を減じている。As described above, the wirings 6 and 7 include m X-directional wirings 7, DX 1, DX 2,... DXm, and n Y-directional wirings 6.
DY1, DY2, DYn, but in the upper left corner, D
The shapes of X1 and DY1 are widely deformed as shown in FIG. This is because the exposed area of the substrate surface is reduced at the corners outside the image forming area, and it is difficult to cause charging at this part. Similarly, DXm and DY1 at the lower left end, DX1 and Dyn at the upper right end, and DX1 at the lower right end (not shown).
m and Dyn are each widely deformed to reduce the exposed area of the substrate surface at the corners outside the image forming area.
【０３１０】ここで、本構成では、画像形成領域の外側
の角の部分で基板表面の露出面積を減じることが目的で
あるため、図９９の様に、X方向配線（左上端ではDX1）
のみを広く変形させても良く、また、図１００の様に、
Y方向配線（左上端ではDY1）のみを広く変形させても良
い。Here, in the present configuration, since the purpose is to reduce the exposed area of the substrate surface at the corners outside the image forming area, as shown in FIG.
May be widely deformed, and as shown in FIG.
Only the Y-direction wiring (DY1 at the upper left corner) may be widely deformed.
【０３１１】図１０１は、それぞれ、電子放出素子がマ
トリックス状に配置された電子源基板を用いた、第３の
例を示す概略構成図（平面図）で、画像表示領域の4角
のうち、左上端部分を拡大して示したものであるが、他
の3つの角も同様の形態を有する。なお、図１０１にお
いて、図中の番号は、それぞれ図９８〜１００中の同じ
番号で示したものと同一である。図１０１中、9は、画
像形成領域の外側の角部に配された導電部材である。導
電部材9は、画像形成領域の角の部分の基板表面の露出
面積を減じるために配されたものであり、配線6、7と同
じ材料を用いることができる。ここで、導電部材9は、
配線6、7のいずれか一本と電気的にほぼ等電位となるよ
う接続することで、電位を規定することができる。FIG. 101 is a schematic configuration diagram (plan view) showing a third example using an electron source substrate in which electron-emitting devices are arranged in a matrix. Although the upper left portion is shown in an enlarged manner, the other three corners have the same form. In FIG. 101, the numbers in the figure are the same as those indicated by the same numbers in FIGS. 98 to 100, respectively. In FIG. 101, reference numeral 9 denotes a conductive member disposed at a corner outside the image forming area. The conductive member 9 is provided to reduce the exposed area of the substrate surface at the corner of the image forming area, and can be made of the same material as the wirings 6 and 7. Here, the conductive member 9 is
The potential can be regulated by connecting to one of the wirings 6 and 7 so as to have substantially the same electrical potential.
【０３１２】次に本構成の実施例を挙げる。Next, an embodiment of this configuration will be described.
【０３１３】（実施例１）本実施例にかかわる基本的な
画像形成装置の構成は、図９８〜１００と同様である。
配線6の幅は画像形成領域内部で約70μmとし、配線6間
の距離は約220μmとした。また、画像形成領域の外側、
すなわち、最も端に位置する素子電極の外側の領域にお
いて、配線6の幅を150μmに広げ、配線6間の距離、すな
わち基板表面の露出する幅は約140μmとした。なお、配
線6は、そのまま引き出し電極となるよう、基体1の端ま
で形成する。(Embodiment 1) The basic structure of an image forming apparatus according to this embodiment is the same as that shown in FIGS.
The width of the wiring 6 was about 70 μm inside the image forming area, and the distance between the wirings 6 was about 220 μm. Also, outside the image forming area,
That is, in the region outside the element electrode located at the end, the width of the wiring 6 was increased to 150 μm, and the distance between the wirings 6, that is, the exposed width of the substrate surface was set to about 140 μm. Note that the wiring 6 is formed up to the end of the base 1 so as to serve as an extraction electrode as it is.
【０３１４】配線7の幅は画像形成領域内部で約280μm
とし、配線7間の距離は約340μmとした。また、画像形
成領域の外側、すなわち、最も端に位置する素子電極の
外側の領域において、配線7の幅を440μmに広げ、配線7
間の距離、すなわち基板表面の露出する幅は約180μmと
した。なお、配線7は、そのまま引き出し電極となるよ
う、基体1の端まで形成する。The width of the wiring 7 is about 280 μm inside the image forming area.
The distance between the wirings 7 was about 340 μm. Further, outside the image forming region, that is, in the region outside the element electrode located at the end, the width of the wiring 7 is increased to 440 μm, and the width of the wiring 7 is increased.
The distance between them, that is, the exposed width of the substrate surface was about 180 μm. The wiring 7 is formed up to the end of the base 1 so as to serve as a lead electrode as it is.
【０３１５】（実施例２〜４）実施例１と同様に、配線
6を形成する。なお、ここで、配線6のうち、DY1とDYn
は、画像形成領域の外側の4角において、図９８と同様
になるように、形を広げて形成した。次に、実施例1と
同様に、層間絶縁層8を形成する。更に、実施例1と同様
に、上配線7を形成する。なお、ここで、配線7のうち、
DX1とDXmは、画像形成領域の外側の4角において、図９
８と同様になるように、形を広げて形成した。ここで、
形を広げて形成した領域でのDY1とDX1との距離は、約20
0μm以下となるように形成した。(Examples 2 to 4) As in Example 1, wiring
Form 6. Here, among the wirings 6, DY1 and DYn
Was formed so as to have the same shape as in FIG. 98 at the four corners outside the image forming area. Next, an interlayer insulating layer 8 is formed as in the first embodiment. Further, similarly to the first embodiment, the upper wiring 7 is formed. Here, among the wirings 7,
DX1 and DXm are located at the four corners outside the image forming area as shown in FIG.
In order to make it similar to 8, the shape was expanded. here,
The distance between DY1 and DX1 in the expanded area is about 20
It was formed to have a thickness of 0 μm or less.
【０３１６】さらに、配線7を図９９の様に形成した実
施例3、配線6を図１００の様に形成した実施例4におい
ても、同様に4角の部分においても、画像の乱れの無
い、長時間にわたって安定な高品質な画像が得られた。Further, in Embodiment 3 in which the wiring 7 is formed as shown in FIG. 99 and in Embodiment 4 in which the wiring 6 is formed as shown in FIG. A stable high-quality image was obtained for a long time.
【０３１７】（実施例5）本実施例5にかかわる基本的な
画像形成装置の構成は、図９７、図１０１と同様にスク
リーン印刷で配線を構成した点にある。また、本実施例
における画像形成装置の製造法は、図１０２〜１０３に
示している。以下、これらの図９７〜１００、図１０２
〜１０３を用いて、本実施例にかかる画像形成装置の基
本的な構成及び製造法を説明する。 工程−ａ 実施例1と同様に、清浄化したガラス基体1上に、素子電
極２、３を形成する（図１０２（ａ））。 工程−ｂ 実施例1と同様に、配線6を形成する。ここで、導電部材
9を所定の位置、すなわち、画像形成領域の外側の4角の
位置に、同時に形成する（図１０２（ｂ））。なお、導
電部材9と配線6との間の距離は、約200μm以下とした。 工程−ｃ 次に、実施例1と同様に、層間絶縁層8を形成する。ここ
で、導電部材9が、次の上配線形成時に、最近接の上配
線と接続しないように、導電部材9の上にも層間絶縁層8
を形成する（図１０２（ｃ））。 工程−ｄ 実施例1と同様に、上配線7を形成する。ここで、導電部
材9が、最近接の次の配線7と接続するように形成される
（図１０３（ｄ））。なお、導電部材9と配線7の最近接
の配線との間の距離は、約200μm以下とした。(Embodiment 5) The basic configuration of an image forming apparatus according to Embodiment 5 is that the wiring is formed by screen printing as in FIGS. 97 and 101. FIGS. 102 to 103 show a method of manufacturing the image forming apparatus according to the present embodiment. Hereinafter, FIGS. 97 to 100 and FIGS.
The basic configuration and manufacturing method of the image forming apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. Step-a As in Example 1, device electrodes 2 and 3 are formed on a cleaned glass substrate 1 (FIG. 102 (a)). Step-b The wiring 6 is formed as in the first embodiment. Where the conductive member
9 is simultaneously formed at a predetermined position, that is, at four corners outside the image forming area (FIG. 102 (b)). Note that the distance between the conductive member 9 and the wiring 6 was set to about 200 μm or less. Step-c Next, as in the first embodiment, the interlayer insulating layer 8 is formed. Here, the interlayer insulating layer 8 is also formed on the conductive member 9 so that the conductive member 9 is not connected to the nearest upper wiring when forming the next upper wiring.
Is formed (FIG. 102 (c)). Step-d As in the first embodiment, the upper wiring 7 is formed. Here, the conductive member 9 is formed so as to be connected to the next closest wiring 7 (FIG. 103 (d)). The distance between the conductive member 9 and the closest wiring of the wiring 7 was set to about 200 μm or less.
【０３１８】以上の工程により、素子電極2、3が配線
6、7によってマトリックス状に結線された、基板が形成
できる。By the above steps, the device electrodes 2 and 3 are connected
Substrates connected in a matrix by 6, 7 can be formed.
【０３１９】工程−ｅ以降は、実施例1と同様に電気的
外部取り出しは配線を異方性導電膜（ＡＣＦ）で接続す
る形で行って、本実施例における画像形成装置を作製
し、画像表示を行なった。その結果、テレビジョンとし
て十分満足できる輝度（約150fL）で良好な画像を長時
間にわたって安定に表示でき、4角の部分においても、
画像の乱れの無い高品質な画像が得られた。[0319] After the step-e, as in the case of the first embodiment, the electrical external take-out is performed by connecting the wiring with an anisotropic conductive film (ACF). Display was performed. As a result, a good image can be stably displayed over a long period of time at a luminance (about 150 fL) that is satisfactory enough for a television.
A high-quality image without image distortion was obtained.
【０３２０】この構成によれば、電子源基板表面に露出
した、電気抵抗の高い表面における帯電を抑制し、電子
放出素子からの放出電子の軌道に対する影響を排除した
ので、良好な画像を長時間にわたり保持し得る大画面の
平面型の画像形成装置、例えば、カラーフラットテレビ
が実現できる。According to this configuration, charging on the surface having a high electric resistance exposed on the surface of the electron source substrate is suppressed, and the influence on the trajectory of the electrons emitted from the electron-emitting device is eliminated. A flat screen image forming apparatus having a large screen that can be held over a wide area, for example, a color flat television can be realized.
【０３２１】（構成１８）一方、フェースプレートに設
けられた蛍光体層、メタルバック及びブラックマトリッ
クスなどの表示部については、表示パネル（画像表示装
置）の薄型化を実現するためには、画像表示パネルの厚
さを薄くしなければならず、図１７で示したリアプレー
ト４００５とフェイスプレート４０００の距離を小さく
しなければならない。この事より、リアプレート４００
５とフェイスプレート４０００の間にはかなり高い電界
が生じる事になる。ここでメタルバック４００６は蛍光
体膜全体に高電圧Vaを印加し、また蛍光体の帯電を防止
し、また蛍光体から後方（リアプレート方向）に出た光
を鏡面効果により前方に取り出すという目的を持つた
め、連続膜であるのが好ましい。またメタルバック４０
０６は、加速された電子がメタルバック４００６を通し
て蛍光体を励起しなければならないので、薄い膜状であ
るのが好ましい。しかしながら蛍光体は一般に粉体であ
り、したがって蛍光体膜はポーラスになり表面にはかな
りの凹凸が存在する。また、蛍光体の混色防止や、ビー
ム位置が多少ずれても色ずれを起こさないようにするた
めや、外光を吸収し画像のコントラストを向上する、な
どの理由で設けられるブラックマトリクスと上記蛍光体
膜にもかなりの凹凸が存在する。そのために蛍光体膜上
に直接金属を成膜したのでは連続膜にならないので、一
般的にメタルバック作製の工程としてフィルミング工程
が用いられている。(Structure 18) On the other hand, regarding a display portion such as a phosphor layer, a metal back, and a black matrix provided on a face plate, an image display is required to realize a thin display panel (image display device). The thickness of the panel must be reduced, and the distance between the rear plate 4005 and the face plate 4000 shown in FIG. 17 must be reduced. From this, the rear plate 400
5 and the face plate 4000, a considerably high electric field is generated. Here, the metal back 4006 applies a high voltage Va to the entire phosphor film, prevents the phosphor from being charged, and extracts the light emitted backward (toward the rear plate) from the phosphor to the front by a mirror effect. Therefore, a continuous film is preferable. Also metal back 40
06 is preferably a thin film because the accelerated electrons must excite the phosphor through the metal back 4006. However, the phosphor is generally a powder, so that the phosphor film becomes porous and the surface has considerable irregularities. In addition, a black matrix and the above-described fluorescent material are provided for the purpose of preventing color mixing of the phosphor, preventing color shift even if the beam position is slightly shifted, and absorbing external light to improve image contrast. The body membrane also has considerable irregularities. For this reason, if a metal film is formed directly on the phosphor film, the film does not become a continuous film. Therefore, a filming process is generally used as a process for producing a metal back.
【０３２２】そこで、メタルバックはフェイスプレート
と接触しており、メタルバックのいずれの場所にも２０
μm×２０μmの範囲内に、これらの接触部分が2点以上
存在するもしくは接触面積が5割以上とする構成を採用
することができ、かかる構成を採用することで、表示パ
ネル（画像表示装置）のリアプレートとフェイスプレー
トの間の電界強度が１ｋV/ｍｍ以上となっても、メタル
バックとフェイスプレートとの接触部が適度に存在する
ため、クーロン引力が働いた時に接触部にかかる力が小
さくなり、メタルバックがはがれる可能性が著しく減少
し、耐久性・信用性に優れたものとなる。Therefore, the metal back is in contact with the face plate, and 20
In the range of μm × 20 μm, a configuration in which two or more of these contact portions exist or a contact area is 50% or more can be adopted. By adopting such a configuration, a display panel (image display device) Even if the electric field strength between the rear plate and the face plate becomes 1 kV / mm or more, since the contact part between the metal back and the face plate exists properly, the force applied to the contact part when Coulomb attraction is applied is small. As a result, the possibility of peeling the metal back is significantly reduced, and the durability and reliability are excellent.
【０３２３】また上記メタルバックのいずれの場所にも
２０μm×２０μmの範囲内に、上記接触部分が3点以上
存在するもしくは接触面積が５割以上とすることによ
り、クーロン引力により接触部にかかる力が更に小さく
なり、メタルバックがはがれる可能性が著しく減少し、
耐久性・信用性に優れたものとなる。In addition, if there are three or more contact portions or the contact area is 50% or more within the range of 20 μm × 20 μm in any place of the metal back, the force applied to the contact portion by Coulomb attraction is provided. Is further reduced, the possibility of metal back peeling is significantly reduced,
It will be excellent in durability and credibility.
【０３２４】以上のように、フェイスプレートがブラッ
クマトリクスを有することにより外光を吸収しコントラ
ストを向上させ、隣の画素の蛍光体が混色する事を防ぎ
つつ、メタルバックがブラックマトリクスと接触してい
るために、広い範囲でメタルバックが浮くことなく、し
たがってクーロン引力が働いた際にメタルバックと蛍光
体およびブラックマトリクスの接触部にかかる力が小さ
くなるので、クーロン引力によりメタルバックがはがれ
る可能性が小さくなる。As described above, since the face plate has the black matrix, it absorbs external light to improve contrast, and prevents the phosphor of the adjacent pixel from mixing colors, while the metal back contacts the black matrix. Therefore, the metal back does not float over a wide area, and the force applied to the contact between the metal back and the phosphor and the black matrix when the Coulomb attraction is applied is reduced, so that the metal back may come off due to the Coulomb attraction. Becomes smaller.
【０３２５】またメタルバックを作製する工程におい
て、蛍光体膜およびブラックマトリクスの高さの差が大
きいと、フィルミング工程の際に樹脂材料が蛍光体もし
くはブラックマトリクスの低い部分に多く溜まり、フィ
ルムの膜厚が厚くなってしまう。この上に金属膜を作製
した後に焼成して樹脂材料を除去しようとすると、熱分
解により生じるガスの量がフィルムの膜厚の厚い部分で
多くなり、メタルバックの浮きが発生してしまう。そこ
で一画素中の蛍光体膜の平均厚さをｔｐ（μｍ）、そこ
に隣接するブラックマトリクスの平均厚さをｔｂ（μ
ｍ）、蛍光体の平均粒径をｒｐ（μｍ）とした時に、ブ
ラックマトリクスの平均厚さｔｂを、ｔｐ−ｒｐ＜ｔｂ
＜ｔｐ＋ｒｐとする事により、蛍光体もしくはブラック
マトリクスの低い部分に樹脂材料が溜まることなく、し
たがってメタルバックの浮きが生じクーロン力ではがれ
る可能性が低くなる。In the step of fabricating the metal back, if the difference in height between the phosphor film and the black matrix is large, a large amount of resin material accumulates in the low portion of the phosphor or the black matrix during the filming step, and The film thickness increases. If a resin material is removed by baking after forming a metal film thereon, the amount of gas generated by thermal decomposition increases in a portion where the film thickness is large, and floating of a metal back occurs. Therefore, the average thickness of the phosphor film in one pixel is tp (μm), and the average thickness of the black matrix adjacent thereto is tb (μm).
m), when the average particle size of the phosphor is rp (μm), the average thickness tb of the black matrix is defined as tp−rp <tb
By setting <tp + rp, the resin material does not accumulate in the low portion of the phosphor or the black matrix, and therefore, the possibility that the metal back floats and peels off by Coulomb force is reduced.
【０３２６】また上記フェイスプレートの蛍光体膜作製
領域のガラス基板を凹ませ、そこに蛍光体を充填する事
によって、一画素あたりの蛍光体膜の上面の平均高さと
そこに隣接するブラックマトリクスの平均高さの差が、
蛍光体の平均粒径以下であるようにする事により、蛍光
体膜およびブラックマトリクスの低い部分に、フィルミ
ング工程の際に樹脂材料が溜り、フィルムが厚くなり、
焼成の際にメタルバックが浮くといった問題が起こりに
くくなる。The glass substrate in the phosphor film forming region of the face plate is depressed and filled with a phosphor, so that the average height of the upper surface of the phosphor film per pixel and the black matrix adjacent thereto are reduced. The difference in average height is
By setting the average particle diameter of the phosphor to be smaller than or equal to that of the phosphor film and the lower portion of the black matrix, the resin material accumulates during the filming process, and the film becomes thicker.
The problem that the metal back floats during firing is less likely to occur.
【０３２７】また上記フェイスプレートはブラックマト
リクスを有し、該ブラックマトリクス上に、ブラックマ
トリクスとは異なる材料の物質が積層され、メタルバッ
クと接触させる事により、メタルバックがブラックマト
リクス上に設けられた材料と接触しているために、広い
範囲でメタルバックが浮くことなく、したがってクーロ
ン引力が働いた時にメタルバックと蛍光体およびブラッ
クマトリクスの接触部にかかる力が小さくなるので、ク
ーロン引力によりメタルバックがはがれる可能性が小さ
くなる。The face plate has a black matrix, and a material of a material different from that of the black matrix is laminated on the black matrix, and the metal back is provided on the black matrix by being brought into contact with the metal back. Since the metal back is in contact with the material, the metal back does not float over a wide range, and therefore the force applied to the contact between the metal back and the phosphor and the black matrix when Coulomb attraction is applied is reduced. The possibility of peeling is reduced.
【０３２８】またメタルバックを作製する工程におい
て、金属膜が作製されたフィルムが、バルクもしくは非
常に粒径の小さい粒子からなるスクリーン上に接してい
ると、焼成の際に熱分解により発生したガスが抜け難
く、メタルバックの浮きを発生し易くなる。また逆に金
属膜が作製されたフィルムが、非常に粒径の大きな粒子
からなるスクリーンに接していると、フィルムの平坦度
が高いと、焼成後にメタルバックとフェイスプレートの
接触部が非常に少なくなり、クーロン引力によりメタル
バックがはがれ易くなってしまう。そこで上記ブラック
マトリクス上に積層される材料の平均粒径をｒｚ（μ
ｍ）とし、蛍光体の平均粒径をｒｐ（μｍ）としたとき
に、 ｒｐ÷２＜ｒｚ＜３ｒｐ÷２ とすることによって、焼成の際にメタルバックの浮きが
発生し難く、しかもメタルバックとフェイスプレートの
接触部が少なくならないので、クーロン引力がかかった
際にメタルバックがはがれ難い。In the step of manufacturing a metal back, if the film on which the metal film is formed is in contact with a bulk or a screen made of particles having a very small particle size, the gas generated by thermal decomposition during firing may be used. Is difficult to come off and the metal back is easily lifted. Conversely, if the film on which the metal film is made is in contact with a screen made of very large particles, if the film has a high degree of flatness, the contact portion between the metal back and the face plate after firing is very small. The metal back is easily peeled off due to Coulomb attraction. Therefore, the average particle size of the material laminated on the black matrix is rz (μ
m), and the average particle size of the phosphor is rp (μm). By setting rp ÷ 2 <rz <3rp ÷ 2, floating of the metal back hardly occurs during firing, and the metal back The metal back is not easily peeled off when Coulomb attraction is applied because the contact area between the metal plate and the face plate does not decrease.
【０３２９】また上記ブラックマトリクス上に積層され
る材料をの拡散反射率が７０％以上とすることにより、
蛍光体から出た光がブラックマトリクス上の材料に吸収
されず、前方に効率よく取り出す事が出来、画像表示装
置に輝度が向上する。Further, by making the diffuse reflectance of the material laminated on the black matrix 70% or more,
Light emitted from the phosphor is not absorbed by the material on the black matrix, and can be efficiently extracted forward, and the brightness of the image display device is improved.
【０３３０】また上記ブラックマトリクス上に積層され
る材料は、上記蛍光体とする事により、本発明の本質で
ある接触部の多いメタルバックを作製し易くなり、さら
にフェイスプレートの作製工程が単純となり、製造コス
トを削減する事が出来る。The material to be laminated on the black matrix is the above-mentioned phosphor, so that a metal back having many contact portions, which is the essence of the present invention, can be easily manufactured, and the manufacturing process of the face plate can be simplified. , The manufacturing cost can be reduced.
【０３３１】また上記フェイスプレートにはカラー画像
を表示するため3色の蛍光体が塗り分けられており、上
記ブラックマトリクス上に積層される蛍光体はそのうち
1色の蛍光体が8割以上を占めるようにする事により、本
発明の本質である接触部の多いメタルバックを作製し易
くなり、さらにフェイスプレートの作製工程が単純とな
り、製造コストを削減する事が出来る。The face plate is coated with phosphors of three colors for displaying a color image, and the phosphor laminated on the black matrix is one of them.
By making the phosphor of one color occupy 80% or more, it becomes easy to produce a metal back having many contact portions, which is the essence of the present invention, and furthermore, the production process of the face plate is simplified, and the production cost is reduced. I can do things.
【０３３２】また上記フェイスプレートにはカラー画像
を表示するため3色の蛍光体が塗り分けられており、上
記ブラックマトリクス上に積層される蛍光体は、両隣の
2色の蛍光体とすることにより、本発明の本質である接
触部の多いメタルバックを作製し易くなり、さらにフェ
イスプレートの作製工程が単純となり、製造コストを削
減する事が出来る。The face plate is coated with phosphors of three colors for displaying a color image, and the phosphors laminated on the black matrix are adjacent to each other.
By using a two-color phosphor, it is easy to produce a metal back having many contact portions, which is the essence of the present invention. Further, the production process of the face plate is simplified, and the production cost can be reduced.
【０３３３】また上記ブラックマトリクスに積層される
2色の蛍光体のブラックマトリクスの領域を占める面積
比は(４〜6):(6〜４)とすることにより、本発明の本質
である接触部の多いメタルバックを作製し易くなり、さ
らにフェイスプレートの作製工程が単純となり、製造コ
ストを削減する事が出来る。Also, the black matrix is laminated
By setting the area ratio of the area of the black matrix of the two-color phosphor to (4 to 6) :( 6 to 4), it becomes easy to produce a metal back having a large number of contact parts, which is the essence of the present invention. The manufacturing process of the face plate is simplified, and the manufacturing cost can be reduced.
【０３３４】また上記ブラックマトリクスに積層される
2色の蛍光体のブラックマトリクスの領域を占める面積
比は(９．５〜６):(０．５〜４)とすることにより、本
発明の本質である接触部の多いメタルバックを作製し易
くなり、さらにフェイスプレートの作製工程が単純とな
り、製造コストを削減する事が出来る。[0334] Further, it is laminated on the black matrix.
By setting the area ratio of the two-color phosphor to the area of the black matrix to be (9.5 to 6) :( 0.5 to 4), a metal back having many contact portions, which is the essence of the present invention, is manufactured. Therefore, the manufacturing process of the face plate is simplified, and the manufacturing cost can be reduced.
【０３３５】また上記フェイスプレートのブラックマト
リクス作製領域のガラス基板が凹んでおりブラックマト
リクスの材料が充填され、蛍光体膜の上面の平均高さと
ブラックマトリクスの部分の平均高さの差を、蛍光体の
平均粒径以下とすることにより、本発明の本質である接
触部の多いメタルバックを作製し易くなる。The difference between the average height of the upper surface of the phosphor film and the average height of the black matrix portion is determined by the fact that the glass substrate in the black matrix forming region of the face plate is concave and filled with the material of the black matrix. When the average particle size is not more than the average particle size, a metal back having many contact portions, which is the essence of the present invention, can be easily produced.
【０３３６】またメタルバックの凹凸の差が大きいと、
接触部に1ヶ所に対したのメタルバックの表面積が大き
くなり、接触部にかかるクーロン引力が大きくなるの
で、上記メタルバックのいずれの場所でも２０μm×２
０μmの範囲内のメタルバックの凹凸の差を蛍光体の平
均粒径以下とする事によって、メタルバックにクーロン
引力がかかった際に、接触部にかかる力が小さくなり、
メタルバックがはがれる可能性が少なくなる。If the difference in the unevenness of the metal back is large,
Since the surface area of the metal back per contact portion becomes large and the Coulomb attraction applied to the contact portion becomes large, 20 μm × 2 at any place of the metal back.
By making the difference between the unevenness of the metal back within the range of 0 μm or less than the average particle diameter of the phosphor, when a Coulomb attractive force is applied to the metal back, the force applied to the contact portion is reduced,
The possibility of metal back peeling is reduced.
【０３３７】以下本構成の実施例を挙げる。An example of this configuration will be described below.
【０３３８】（実施例1）図１０４、図１０５及び図１
０８により、本構成の主題であるフェイスプレートおよ
びメタルバックの構成について説明する。厚さ２．８ｍ
ｍのソーダライムガラスを洗浄・乾燥させた後、ガラス
ペーストおよび黒色顔料を含んだ黒色顔料ペーストを用
い、図１０８(a)のように、縦方向に幅１００μm、ピッ
チ２９０μmのストライプを２４０本、横方向に幅３０
０μm、ピッチ６５０μmのストライプを７２０本有する
パターンを、縦・横共に２０μmの厚さでスクリーン印
刷法により作製し、ブラックマトリクスとした。本実施
例ではスクリーン印刷法によりブラックマトリックスを
作製したが、もちろんこれに限定されるものではなく、
たとえばフォトリソグラフィー法をもちいて作製しても
よいが、膜厚が厚い事とコストの関係上スクリーン印刷
法を用いる事が好ましい。また、ブラックマトリクスの
材料として、ガラスペーストと黒色顔料を含んだ黒色顔
料ペーストを用いたが、もちろんこれに限定されるもの
ではなく、たとえばカーボンブラックなどを用いてもよ
いが、スクリーン印刷で作製する事や、膜厚が２０μｍ
と厚いため上記黒色顔料ペーストを用いた。またブラッ
クマトリクスは、本実施例では図１０８(a)のように、
マトリクス状に作製したが、もちろんこれに限定される
訳ではなく、ストライプ状配列やデルタ状配列やそれ以
外の配列であっても良い。(Embodiment 1) FIGS. 104, 105 and 1
08, the configuration of the face plate and the metal back, which are the subject of this configuration, will be described. 2.8m thick
After washing and drying m soda lime glass, using a glass paste and a black pigment paste containing a black pigment, as shown in FIG. 108 (a), 240 stripes having a width of 100 μm in the vertical direction and a pitch of 290 μm were used. Width 30 in the horizontal direction
A pattern having 720 stripes of 0 μm and a pitch of 650 μm was prepared by a screen printing method with a thickness of 20 μm both vertically and horizontally to obtain a black matrix. In this example, the black matrix was produced by the screen printing method, but is not limited to this, of course.
For example, it may be manufactured by using a photolithography method, but it is preferable to use a screen printing method in view of a large film thickness and cost. In addition, as a material of the black matrix, a black pigment paste containing a glass paste and a black pigment was used. However, the present invention is not limited to this. For example, carbon black or the like may be used. Thing, the film thickness is 20μm
Therefore, the above black pigment paste was used. In this embodiment, the black matrix is formed as shown in FIG.
Although formed in a matrix shape, it is needless to say that the present invention is not limited to this, and may be a stripe array, a delta array, or another array.
【０３３９】次に、図１０８(a)に示すように、ブラッ
クマトリクスの開口部に、赤色・青色・緑色の蛍光体ペ
ーストを用いてスクリーン印刷法により、3色の蛍光体
を1色づつ３回に分けて作製する。本実施例ではスクリ
ーン印刷法を用いて蛍光体膜を作製したが、もちろんこ
れに限定される訳ではなく、たとえばフォトリソグラフ
ィー法などにより作製しても良い。また蛍光体はCRTの
分野で用いられているP22の蛍光体とし、赤色（P22−RE
3； Y2O2S:Eu3+）、青色（P22−B2； ZnS:Ag,Al）、緑
色（P22−GN4；ZnS:Cu,Al）のもので平均粒径はメジア
ン径Dmedで７μｍのものを用いたが、もちろんこれに限
定される訳ではなく、その他の蛍光体を用いても良い。
また蛍光体の膜厚は、平均して２０μm程度になるよう
に作製した。ここで、蛍光体の膜厚が十分平坦にならな
いような場合には、充分な平坦度をもつ平板ガラスにイ
ソプロピルアルコール（IPA）を吸収させた不織布をも
うけ、これによりフェイスプレート上の蛍光体膜および
ブラックマトリクスを加圧し平坦度を増してもよい。つ
いで、この基板を450℃・4時間焼成する事により、ペー
スト中に含まれる樹脂分を熱分解除去し、対角画面サイ
ズ10インチ、アスペクト比４：３、ドット数７２０×２
４０からなるフェイスプレートを得た。ここで蛍光体お
よびブラックマトリクスの厚さを蝕針式表面粗さ測定器
をもちいて測定したところ、一画素中の蛍光体膜の平均
厚さとそこに隣接するブラックマトリクスの平均厚さの
差が、蛍光体の平均粒径である7μmをこえるような場所
は観測されなかった。Next, as shown in FIG. 108 (a), the phosphors of three colors are applied one by one to the openings of the black matrix by screen printing using red, blue and green phosphor pastes. It is made in two times. In this embodiment, the phosphor film is manufactured by using the screen printing method. However, the phosphor film is not limited to this, and may be manufactured by, for example, a photolithography method. The phosphor is a phosphor of P22 used in the field of CRT, and a red phosphor (P22-RE
3; Y2O2S: Eu3 +), blue (P22-B2; ZnS: Ag, Al), green (P22-GN4; ZnS: Cu, Al) having an average particle diameter of 7 μm with a median diameter Dmed. Of course, the present invention is not limited to this, and other phosphors may be used.
The phosphor was manufactured so that the film thickness thereof was about 20 μm on average. Here, if the thickness of the phosphor does not become sufficiently flat, a nonwoven fabric made of isopropyl alcohol (IPA) is provided on a flat glass plate having a sufficient flatness, thereby forming the phosphor film on the face plate. Alternatively, the flatness may be increased by pressing the black matrix. Then, by baking this substrate at 450 ° C. for 4 hours, the resin contained in the paste was thermally decomposed and removed, so that the diagonal screen size was 10 inches, the aspect ratio was 4: 3, and the number of dots was 720 × 2.
A face plate consisting of 40 was obtained. Here, when the thickness of the phosphor and the black matrix were measured using a stylus-type surface roughness measuring device, the difference between the average thickness of the phosphor film in one pixel and the average thickness of the black matrix adjacent thereto was found. No place exceeding the average particle diameter of the phosphor of 7 μm was observed.
【０３４０】次に、このフェイスプレート上にメタルバ
ックを作製する方法について説明する。上記のようにし
て作製したフェイスプレートをスピンコーター上に配置
し、純水にコロイダルシリカを溶解させた溶液を、基板
を回転させながら塗布し、蛍光体層の凹凸部を湿潤させ
た。続いてポリメタクリレートをトルエンに溶解した溶
液を、基板を回転させながら全面に均一になるようにス
プレーにより塗布し、温風を基板に吹きかける事により
乾燥させ、蛍光体層およびブラックマトリクス上に、樹
脂フィルムを作製する事によって、表面の平坦化を行な
った。ここで、平坦化のための工程として、蛍光体膜を
湿潤した後にポリメタクリレートをトルエンに溶解した
溶液を塗布したが、もちろんこれに限定されるものでは
なく、他の溶剤系ラッカー液を用いても良いし、その他
の方法としてたとえばアクリルエマルジョンを蛍光体に
塗布し乾燥させるという工程を行なっても良い。この後
平坦化されたフェイスプレートに１０００オングストロ
ームのアルミニウム膜を真空蒸着法により作製した。次
にこのフェイスプレートを焼成炉内に搬入し、450℃ま
で加熱する事により樹脂フィルムを熱分解除去した。Next, a method of forming a metal back on the face plate will be described. The face plate prepared as described above was placed on a spin coater, and a solution in which colloidal silica was dissolved in pure water was applied while rotating the substrate to wet the uneven portions of the phosphor layer. Subsequently, a solution of polymethacrylate dissolved in toluene is applied by spraying to the entire surface while rotating the substrate so as to be uniform, and dried by blowing warm air onto the substrate, and the resin layer is formed on the phosphor layer and the black matrix. The surface was flattened by preparing a film. Here, as a step for flattening, a solution obtained by dissolving polymethacrylate in toluene was applied after wetting the phosphor film, but is not limited to this, and is not limited to this. Alternatively, as another method, for example, a step of applying an acrylic emulsion to the phosphor and drying the phosphor may be performed. Thereafter, an aluminum film of 1000 Å was formed on the flattened face plate by a vacuum evaporation method. Next, the face plate was carried into a firing furnace and heated to 450 ° C. to thermally decompose and remove the resin film.
【０３４１】このようにして得られたフェイスプレート
を、走査電子顕微鏡（SEM）で観察し、メタルバックと
蛍光体およびブラックマトリクスとの接触部を観察し
た。この際、高加速電圧で観察すると厚さ１０００オン
グストロームのメタルバックが観察しにくいので、加速
電圧２ｋVで観察した。SEMでメタルバックを観察する
と、接触部のメタルバックは蛍光体もしくはブラックマ
トリクスに沿った形状になっており、上記接触部が良好
に観察する事が出来る。SEMの観察により、２０μm×２
０μmの範囲にある接触部の数および接触面積を測定し
た。測定は選択したブラックマトリクスの開口部からそ
こに隣接する８箇所のブラックマトリクス開口部とそれ
らに囲まれた範囲で行ない、その測定をフェイスプレー
トの全面から無作為にN=10箇所取り出して行なった。そ
の結果を表1に示す。観察の結果、メタルバックの接触
部が２０μm×２０μmの範囲で2ヶ所未満のところはな
く、フェイスプレートに良好に接触している事が観察さ
れた。The thus obtained face plate was observed with a scanning electron microscope (SEM), and the contact portion between the metal back and the phosphor and the black matrix was observed. At this time, it was difficult to observe a metal back having a thickness of 1000 Å when observed at a high acceleration voltage. Therefore, observation was performed at an acceleration voltage of 2 kV. When the metal back is observed by SEM, the metal back at the contact portion has a shape along the phosphor or the black matrix, and the contact portion can be observed well. 20μm × 2 by SEM observation
The number of contact portions and the contact area in the range of 0 μm were measured. The measurement was performed from the selected black matrix opening to eight adjacent black matrix openings and the area surrounded by the black matrix openings, and the measurement was randomly taken out from the entire face plate at N = 10 places. . The results are shown in Table 1. As a result of the observation, it was observed that the contact portion of the metal back did not have less than two places in a range of 20 μm × 20 μm and was in good contact with the face plate.
【０３４２】また、上記のフェイスプレートを真空チャ
ンバ中でフェイスプレートより十分大きい電極に対向し
て一定のギャップをあけて固定し、メタルバックにDCで
高電圧を印加し徐々に印加電圧を上昇させ、放電を開始
した電圧を測定し電界強度（以後、放電開始電界強度と
呼ぶ事にする。）を求めた。ただし、ここで電界強度は
メタルバックに印加した電圧をリアプレートとフェイス
プレートのギャップ距離で割ったものとする。測定の結
果、放電開始電界強度は７．７ｋV/mmであった（結果を
表７に示す）。このようにして、メタルバックが良好に
接触しているフェイスプレートを得る事が出来、それに
より画像表示装置の信頼性を向上する事が出来た。The above-mentioned face plate is fixed in a vacuum chamber with a certain gap opposed to an electrode sufficiently larger than the face plate, and a high voltage is applied to the metal back by DC to gradually increase the applied voltage. Then, the voltage at which the discharge was started was measured to determine the electric field strength (hereinafter, referred to as the discharge start electric field strength). Here, the electric field intensity is obtained by dividing the voltage applied to the metal back by the gap distance between the rear plate and the face plate. As a result of the measurement, the discharge starting electric field strength was 7.7 kV / mm (the results are shown in Table 7). In this way, a face plate in which the metal back was in good contact could be obtained, thereby improving the reliability of the image display device.
【０３４３】（実施例２）つぎに、図１０７及び図１０
８により、本発明第２の実施例について説明する。実施
例１と同様の厚さ２．８ｍｍのソーダライムガラスを洗
浄・乾燥させた後、実施例１と同様な方法で、厚さ3μm
のブラックマトリクスを作製した（図１０７(a)）。次
に、実施例１と同様に、ブラックマトリクスの開口部に
3色の蛍光体を用いて、図１０８(a)にあるような配置で
厚さ２０μｍ蛍光体膜を作製した（図１０７(b)）。こ
こで、ブラックマトリクス上に蛍光体が多少積層されて
も、ブラックマトリクスが光を吸収するので混色はおこ
らない。(Embodiment 2) Next, FIGS.
8, a second embodiment of the present invention will be described. After washing and drying a soda-lime glass having a thickness of 2.8 mm, which is the same as that in Example 1, a thickness of 3 μm is obtained in the same manner as in Example 1.
(FIG. 107 (a)). Next, in the same manner as in the first embodiment,
Using phosphors of three colors, a phosphor film having a thickness of 20 μm was formed in an arrangement as shown in FIG. 108 (a) (FIG. 107 (b)). Here, even if the phosphor is somewhat laminated on the black matrix, color mixing does not occur because the black matrix absorbs light.
【０３４４】次に、ブラックマトリクス上にフェイスプ
レートの凹凸を減らすために、積層物を設ける工程につ
いて説明する。この積層物の主目的は、メタルバックの
接触部を増やす事に有り、フェイスプレートの凹凸が存
在すると、メタルバックの浮きが発生し易くなるため凹
凸を減らす必要がある。また、ここでその積層物の表面
が平滑すぎると、フィルミング工程において、フィルム
焼成後にブラックマトリクスとメタルバックの密着性が
悪くなる可能性が有り、また逆に凹凸が大きすぎるとメ
タルバックの接触部が減る事や、メタルバックが連続膜
にならない可能性があるため、積層物に用いる材料の平
均粒径を考慮したほうが好ましい。また、この積層物が
光吸収性をもつと、蛍光体から発せられた光が吸収さ
れ、前面に取り出される光の効率が低下するので、上記
材料の拡散反射率が７０％以上あるのが好ましい。本実
施例では上記の理由を考慮し、平均粒径４μmの酸化マ
グネシウム粉末を用いた。これを樹脂バインダーに分散
し、酸化マグネシウムペーストを作製し、ガラス基板上
に厚さ２０μｍの膜を作製し、拡散反射率を測定したと
ころ８５％程度の良好な値を示した。本実施例では上記
積層物の材料として平均粒径４μmの酸化マグネシウム
粉末を用いたが、もちろんこれに限定される訳ではな
く、上記のような要求を満たすものなら、たとえば窒化
ボロンなどを用いても良い。上記酸化マグネシウムペー
ストを用いて、ブラックマトリクス上にスクリーン印刷
法により積層物を作製した（図１０７(ｃ)）。本実施例
では、スクリーン印刷法により上記積層物を作製した
が、もちろんこれに限定される訳ではなく、たとえばフ
ォトリソグラフィー法などにより作製しても良い。ここ
で、実施例１と同様に蛍光体および積層物の膜厚が十分
平坦にならないような場合には、充分な平坦度をもつ平
板ガラスにイソプロピルアルコール（IPA）を吸収させ
た不織布をもうけ、これによりフェイスプレート上の蛍
光体膜およびブラックマトリクス状の積層物を加圧し平
坦度を増してもよい。ついで、この基板を450℃で4時間
焼成する事により、ペースト中に含まれる樹脂分を熱分
解除去しフェイスプレートを得た。作製したフェイスプ
レートの膜厚・表面粗さを蝕針式表面粗さ測定器により
測定したところ、一画素中の蛍光体膜の平均高さと、そ
こに隣接するブラックマトリクスの平均高さの差が、蛍
光体の平均粒径である７μｍを超えるような場所は観測
されなかった。次に、実施例1と同様な方法でフェイス
プレート上にメタルバックを作製し、フェイスプレート
を得た（図１０７(d)）。Next, a description will be given of a step of providing a laminate in order to reduce unevenness of the face plate on the black matrix. The main purpose of this laminate is to increase the contact portion of the metal back, and if there is unevenness on the face plate, the metal back is likely to float, so it is necessary to reduce the unevenness. If the surface of the laminate is too smooth, the adhesion between the black matrix and the metal back may be deteriorated after firing the film in the filming process. Since the number of parts may be reduced and the metal back may not be a continuous film, it is preferable to consider the average particle size of the material used for the laminate. Further, if the laminate has a light absorbing property, the light emitted from the phosphor is absorbed and the efficiency of the light extracted to the front surface is reduced. Therefore, the material preferably has a diffuse reflectance of 70% or more. . In this example, in consideration of the above-mentioned reason, magnesium oxide powder having an average particle size of 4 μm was used. This was dispersed in a resin binder to prepare a magnesium oxide paste, a film having a thickness of 20 μm was formed on a glass substrate, and the diffuse reflectance was measured. As a result, a good value of about 85% was shown. In the present embodiment, magnesium oxide powder having an average particle size of 4 μm was used as the material of the laminate, but is not limited to this. Of course, if the above requirements are satisfied, for example, boron nitride or the like may be used. Is also good. Using the magnesium oxide paste, a laminate was produced on a black matrix by a screen printing method (FIG. 107 (c)). In the present embodiment, the above-mentioned laminate is manufactured by a screen printing method. However, the present invention is not limited to this, and may be manufactured by, for example, a photolithography method. Here, when the film thickness of the phosphor and the laminate is not sufficiently flat as in Example 1, a nonwoven fabric made by absorbing isopropyl alcohol (IPA) on a flat glass having a sufficient flatness is provided. Thereby, the flatness may be increased by pressing the phosphor film and the black matrix-like laminate on the face plate. Then, the substrate was baked at 450 ° C. for 4 hours to remove the resin contained in the paste by thermal decomposition to obtain a face plate. When the thickness and surface roughness of the prepared face plate were measured with a stylus-type surface roughness measuring instrument, the difference between the average height of the phosphor film in one pixel and the average height of the black matrix adjacent to it was determined. No place exceeding the average particle diameter of the phosphor of 7 μm was observed. Next, a metal back was formed on the face plate in the same manner as in Example 1 to obtain a face plate (FIG. 107 (d)).
【０３４５】このようにして作製したフェイスプレート
を、実施例1と同様にSEMで観察し、２０μm×２０μmの
範囲にある接触部の数および接触面積を測定した。その
結果を表７に示す。観察の結果、メタルバックの接触部
が２０μm×２０μmの範囲で2ヶ所未満のところはな
く、フェイスプレートに良好に接触している事が観察さ
れた。また実施例１と同様に、放電開始電界強度を測定
したところ、７．３ｋV/ｍｍであった。上記のフェイス
プレートと実施例１で用いたものと同様のマルチ電子ビ
ーム源を備えたリアプレートを用いて画像表示装置を作
製したところ、画像表示装置の耐久性および信頼性を向
上する事が出来た。また、ブラックマトリクス上に酸化
マグネシウムの積層物を設け光の利用効率を向上させた
事により、画像表示装置の輝度が１０％程度向上した。The face plate thus manufactured was observed by SEM in the same manner as in Example 1, and the number of contact portions and the contact area within the range of 20 μm × 20 μm were measured. Table 7 shows the results. As a result of the observation, it was observed that the contact portion of the metal back did not have less than two places in a range of 20 μm × 20 μm and was in good contact with the face plate. Further, the discharge starting electric field intensity was measured in the same manner as in Example 1, and it was 7.3 kV / mm. When an image display device was manufactured using the above-described face plate and a rear plate provided with the same multiple electron beam source as that used in Example 1, the durability and reliability of the image display device could be improved. Was. Further, by providing a laminate of magnesium oxide on a black matrix to improve the light use efficiency, the brightness of the image display device was improved by about 10%.
【０３４６】（実施例３）次に、図１０９及び図１０８
を用いて、本発明第３の実施例について説明する。実施
例１と同様の厚さ２．８ｍｍのソーダライムガラスを洗
浄・乾燥させた後、実施例１と同様な方法で、厚さ3μm
のブラックマトリクスを作製した（図１０９(a)）。次
に、ブラックマトリクスの開口部に、図１０８(a)に示
すような配列で、3色の蛍光体膜を作製した。蛍光体膜
の作製は、スクリーン印刷法によりおこない、3色の蛍
光体を1色づつ３回に分けて作製する。ここで、２色目
までは実施例３と同様に作製した（図１０９(b)）。３
色目は、フェイスプレートの凹凸が少なくなるように、
ブラックマトリクス上にも積層した（図１０９(ｃ)）。
ここで、実施例１と同様に蛍光体の膜厚が十分平坦にな
らないような場合には、充分な平坦度をもつ平板ガラス
にイソプロピルアルコール（IPA）を吸収させた不織布
をもうけ、これによりフェイスプレート上の蛍光体膜を
加圧し平坦度を増してもよい。ついで、この基板を450
℃・4時間焼成する事により、ペースト中に含まれる樹
脂分を熱分解除去し、フェイスプレートを得た。このよ
うにして作製したフェイスプレートの膜厚・表面粗さを
蝕針式表面粗さ測定器により測定したところ、一画素中
の蛍光体膜の平均高さと、そこに隣接するブラックマト
リクスの上の蛍光体の平均高さの差が、蛍光体の平均粒
径である７μｍを超えるような場所は観測されなかっ
た。また、このフェイスプレートを光学顕微鏡により観
察したところ、ブラックマトリクス上には最後に印刷し
た蛍光体が８割以上の面積を占めて存在していた。(Embodiment 3) Next, FIGS.
The third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. After washing and drying a soda-lime glass having a thickness of 2.8 mm, which is the same as that in Example 1, a thickness of 3 μm is obtained in the same manner as in Example 1.
Was prepared (FIG. 109 (a)). Next, three color phosphor films were formed in the openings of the black matrix in an arrangement as shown in FIG. 108 (a). The phosphor film is produced by a screen printing method, and phosphors of three colors are produced by dividing one color into three times. Here, up to the second color was produced in the same manner as in Example 3 (FIG. 109 (b)). 3
As for the color, as the unevenness of the face plate is reduced,
It was also laminated on a black matrix (FIG. 109 (c)).
Here, in the case where the film thickness of the phosphor is not sufficiently flat as in the case of Example 1, a non-woven fabric made by absorbing isopropyl alcohol (IPA) is provided on a flat glass having a sufficient flatness. The flatness may be increased by pressing the phosphor film on the plate. Next, 450
By baking at 4 ° C. for 4 hours, the resin contained in the paste was thermally decomposed and removed to obtain a face plate. When the film thickness and surface roughness of the face plate thus manufactured were measured with a stylus-type surface roughness measuring device, the average height of the phosphor film in one pixel and the upper surface of the black matrix adjacent thereto were measured. No place where the difference in the average height of the phosphors exceeded the average particle diameter of the phosphors of 7 μm was observed. When the face plate was observed with an optical microscope, the last printed phosphor occupied 80% or more of the area on the black matrix.
【０３４７】次に、実施例1と同様な方法でフェイスプ
レート上にメタルバックを作製し、フェイスプレートを
得た（図１０９(d)）。Next, a metal back was formed on the face plate in the same manner as in Example 1 to obtain a face plate (FIG. 109 (d)).
【０３４８】このようにして作製したフェイスプレート
を、実施例1と同様にSEMで観察し、２０μm×２０μmの
範囲にある接触部の数および接触面積を測定した。その
結果を表７に示す。観察の結果、メタルバックの接触部
が２０μm×２０μmの範囲で2ヶ所未満のところはな
く、フェイスプレートに良好に接触している事が観察さ
れた。また実施例１と同様に、放電開始電界強度を測定
したところ、６．５ｋV/ｍｍであった。上記のフェイス
プレートと実施例１で用いたものと同様のマルチ電子ビ
ーム源を備えたリアプレートを用いて画像表示装置を作
製したところ、画像表示装置の耐久性および信頼性を向
上する事が出来た。[0348] The face plate thus produced was observed by SEM in the same manner as in Example 1, and the number of contact portions and the contact area within the range of 20 µm x 20 µm were measured. Table 7 shows the results. As a result of the observation, it was observed that the contact portion of the metal back did not have less than two places in a range of 20 μm × 20 μm and was in good contact with the face plate. The discharge starting electric field strength was measured in the same manner as in Example 1, and it was 6.5 kV / mm. When an image display device was manufactured using the above-described face plate and a rear plate provided with the same multiple electron beam source as that used in Example 1, the durability and reliability of the image display device could be improved. Was.
【０３４９】（実施例４）次に、図１０６および図１０
８を用いて、本発明第5の実施例について説明する。実
施例１と同様の厚さ２．８ｍｍのソーダライムガラスを
洗浄・乾燥させた後、実施例１と同様な方法で、厚さ3
μmのブラックマトリクスを作製した（図１０６(a)）。
次に、ブラックマトリクスの開口部に、図１０８(a)に
示すような配列で、3色の蛍光体膜を作製した。蛍光体
膜の作製は、スクリーン印刷法によりおこない、3色の
蛍光体を1色づつ３回に分けて作製する。また、蛍光体
を印刷するパターンはブラックマトリクスの開口部の位
置にドットとして印刷するのではなく、蛍光体が図１０
８で見て縦ストライプ状になるように印刷する。まず、
一色目の蛍光体を印刷する際に、そこに隣接するブラッ
クマトリクスの縦ブラックストライプ（ブラックマトリ
クスの縦パターン）上にも、略半分程度はみだすように
印刷を行なった（図１０６(b)）。続いて2色目の蛍光体
を印刷する際に、隣接する縦ブラックストライプのう
ち、一色目の蛍光体が乗っている部分に関しては、2色
目の蛍光体を重ねるようにし、もう一方の縦ブラックス
トライプ上には略半分程度はみだすように印刷を行なっ
た（図１０６(ｃ)）。続いて3色目の蛍光体を印刷する
際には、隣接する縦ブラックストライプ状に乗っている
隣接画素の蛍光体に重ねるようにして印刷した（図１０
６(d)）。ここで、実施例１と同様に蛍光体の膜厚が十
分平坦にならないような場合には、充分な平坦度をもつ
平板ガラスにイソプロピルアルコール（IPA）を吸収さ
せた不織布をもうけ、これによりフェイスプレート上の
蛍光体膜を加圧し平坦度を増してもよい。ついで、この
基板を450℃・4時間焼成する事により、ペースト中に含
まれる樹脂分を熱分解除去し、フェイスプレートを得
た。このようにして作製したフェイスプレートの膜厚・
表面粗さを蝕針式表面粗さ測定器により測定したとこ
ろ、一画素中の蛍光体膜の平均高さと、そこに隣接する
ブラックマトリクスの上の蛍光体の平均高さの差が、蛍
光体の平均粒径である７μｍを超えるような場所は観測
されなかった。また、このフェイスプレートを光学顕微
鏡により観察したところ、ブラックマトリクス上は両隣
の画素の蛍光体に覆われていた。(Embodiment 4) Next, FIG. 106 and FIG.
A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. After washing and drying a soda-lime glass having a thickness of 2.8 mm similar to that of the first embodiment, the thickness of
A μm black matrix was prepared (FIG. 106 (a)).
Next, three color phosphor films were formed in the openings of the black matrix in an arrangement as shown in FIG. 108 (a). The phosphor film is produced by a screen printing method, and phosphors of three colors are produced by dividing one color into three times. Further, the pattern for printing the phosphor is not printed as dots at the positions of the openings of the black matrix.
Printing is performed so as to form a vertical stripe as viewed in Step 8. First,
When printing the phosphor of the first color, printing was performed so as to protrude approximately half on a vertical black stripe (vertical pattern of the black matrix) of a black matrix adjacent thereto (FIG. 106 (b)). Next, when printing the phosphor of the second color, of the adjacent vertical black stripes, for the part where the phosphor of the first color rides, make the phosphor of the second color overlap, and the other vertical black stripe The printing was performed so as to protrude approximately half from above (FIG. 106 (c)). Subsequently, when printing the phosphor of the third color, printing was performed so as to overlap the phosphor of the adjacent pixel on the adjacent vertical black stripe (FIG. 10).
6 (d)). Here, in the case where the film thickness of the phosphor is not sufficiently flat as in the case of Example 1, a non-woven fabric made by absorbing isopropyl alcohol (IPA) is provided on a flat glass having a sufficient flatness. The flatness may be increased by pressing the phosphor film on the plate. Then, the substrate was baked at 450 ° C. for 4 hours to thermally decompose and remove the resin contained in the paste to obtain a face plate. The thickness and thickness of the face plate
When the surface roughness was measured with a stylus-type surface roughness meter, the difference between the average height of the phosphor film in one pixel and the average height of the phosphor on the black matrix adjacent to it was determined by the phosphor. No portion exceeding the average particle size of 7 μm was observed. When the face plate was observed with an optical microscope, it was found that the black matrix was covered with the phosphor of the adjacent pixels on both sides.
【０３５０】次に、実施例1と同様な方法でフェイスプ
レート上にメタルバックを作製し、フェイスプレートを
得た（図１０６(e)）。Next, a metal back was formed on the face plate in the same manner as in Example 1 to obtain a face plate (FIG. 106 (e)).
【０３５１】このようにして作製したフェイスプレート
を、実施例1と同様にSEMで観察し、２０μm×２０μmの
範囲にある接触部の数および接触面積を測定した。そこ
結果を表７に示す。観察の結果、メタルバックの接触部
が２０μm×２０μmの範囲で2ヶ所未満のところはな
く、フェイスプレートに良好に接触している事が観察さ
れた。また実施例１と同様に、放電開始電界強度を測定
したところ、６．７ｋV/ｍｍであった。上記のフェイス
プレートと実施例１で用いたものと同様のマルチ電子ビ
ーム源を備えたリアプレートを用いて画像表示装置を作
製したところ、画像表示装置の耐久性および信頼性を向
上する事が出来た。The face plate thus manufactured was observed by SEM in the same manner as in Example 1, and the number of contact portions and the contact area within a range of 20 μm × 20 μm were measured. The results are shown in Table 7. As a result of the observation, it was observed that the contact portion of the metal back did not have less than two places in a range of 20 μm × 20 μm and was in good contact with the face plate. Further, the discharge starting electric field strength was measured in the same manner as in Example 1, and it was 6.7 kV / mm. When an image display device was manufactured using the above-described face plate and a rear plate provided with the same multiple electron beam source as that used in Example 1, the durability and reliability of the image display device could be improved. Was.
【０３５２】[0352]
【表７】 [Table 7]
【０３５３】（構成１９）一方、表示パネルにおける真
空容器部を構成するフェースプレート、枠部材、リアプ
レートの接合に、ポリフェニル化合物を含む高分子系熱
可塑性接着剤を用いることができる。以下本構成の実施
例を挙げる。(Structure 19) On the other hand, a polymer thermoplastic adhesive containing a polyphenyl compound can be used for joining a face plate, a frame member, and a rear plate that constitute a vacuum vessel section in a display panel. Examples of this configuration will be described below.
【０３５４】（実施例１）本実施例における表示パネル
は、図１１０に模式的に示された装置と同様の構成を有
し、1は電子源で、複数の電子放出素子を基板上に配置
し、適当な配線を施したものである。2はリアプレー
ト、3は外枠、4はフェースプレート、９、１４は、接着
剤である。図１１０(ｂ)のＣ-Ｃ'断面図に示す様に、ポ
リフェニル化合物を有する高分子系熱可塑性の接着剤
９、１４を介して、リアプレート２及びフェースプレー
ト４は、外枠３との接合部において、それぞれ接合され
ている。(Example 1) The display panel in this example has the same structure as the device schematically shown in FIG. 110, in which 1 is an electron source, and a plurality of electron-emitting devices are arranged on a substrate. And appropriate wiring. 2 is a rear plate, 3 is an outer frame, 4 is a face plate, and 9 and 14 are adhesives. As shown in the CC ′ cross-sectional view of FIG. 110 (b), the rear plate 2 and the face plate 4 are connected to the outer frame 3 via the polymer thermoplastic adhesives 9 and 14 having a polyphenyl compound. Are joined at the joints.
【０３５５】接着剤を用いた接着は、ポリエーテルケト
ンを主成分とする高分子系熱可塑性のシート状の接着材
９，１４：テクノアルファ（株）製品名 ステイスティ
ック４５１を外枠の形状に成型し、設置した後、Arなど
の不活性ガス(inert gas)中で３５０℃の加熱処理によ
り接着剤を軟化させ、圧着（0.３kg／ｃｍ２）し、降温
過程で接着剤を硬化することによって接着を行った。電
子源1などの内部構造体の固定も同様に行う。また、リ
アプレート2とフェースプレート4を配置する際には、同
時に画像表示領域外にBaを主成分とする蒸発型ゲッタの
リンク゛状ゲッタ１６配置した。[0355] Adhesion using an adhesive is carried out by using a polymer-based thermoplastic sheet-like adhesive material containing polyetherketone as a main component 9, 14: a product made by Techno Alpha Co., Ltd. After molding and setting, the adhesive is softened by heat treatment at 350 ° C. in an inert gas such as Ar, etc., pressed (0.3 kg / cm 2), and the adhesive is cured during the cooling process. Bonding was performed. The internal structure such as the electron source 1 is fixed in the same manner. When the rear plate 2 and the face plate 4 were arranged, a link ゛ -shaped getter 16 of an evaporative getter containing Ba as a main component was simultaneously arranged outside the image display area.
【０３５６】なお、接着剤に含有させるポリフェニル化
合物としてはポリビスフェノール−Ａ カーボネート、
ポリスルホン、ポリエーテルケトンなどを挙げることが
できる。As the polyphenyl compound to be contained in the adhesive, polybisphenol-A carbonate,
Examples thereof include polysulfone and polyether ketone.
【０３５７】（実施例２）本実施例は、実施例１の接着
剤として、ポリスルホンを主成分とする高分子系熱可塑
性のシート状の接着材９，１４：テクノアルファ（株）製
品名 ステイスティック４１５を用い、加熱処理温度が
３００℃である点が実施例１と異なる。(Example 2) In this example, the adhesive of Example 1 was a polymer thermoplastic sheet-like adhesive containing polysulfone as a main component. The difference from the first embodiment is that the stick 415 is used and the heat treatment temperature is 300 ° C.
【０３５８】（実施例３）本実施例は、実施例１の接着
剤として、ポリエーテルを主成分とする高分子系熱可塑
性のシート状の接着材９，１４：テクノアルファ（株）製
品名 ステイスティック４０１を用い、加熱処理温度が
２５０℃である点が実施例１と異なる。(Example 3) In this example, the adhesive of Example 1 was a polymer thermoplastic sheet-like adhesive containing polyether as a main component 9, 14: product name of Techno Alpha Co., Ltd. The difference from the first embodiment is that the stay stick 401 is used and the heat treatment temperature is 250 ° C.
【０３５９】（実施例４）本実施例は、実施例１の接着
剤として、ポリスルホンを主成分とする高分子系熱可塑
性のペースト状の接着材９，１４：テクノアルファ
（株）製品名 ステイスティック３０１を用い、ディス
ペンサ塗布法で任意の形状にガラス部材にコーティング
し、脱法し、150℃で溶剤を蒸発させたのち、加熱処理
温度が３００℃である点が実施例１と異なる。(Example 4) In this example, the adhesive of Example 1 was a polymer-based thermoplastic paste-like adhesive 9 containing polysulfone as a main component. The first embodiment is different from the first embodiment in that a stick 301 is used to coat a glass member into an arbitrary shape by a dispenser application method, the method is applied, the solvent is evaporated at 150 ° C., and the heat treatment temperature is 300 ° C.
【０３６０】以上のように外囲器の形成のための部材の
接合部にポリフェニル化合物を含む接着剤を用いると、
接着工程における熱処理温度が３５０℃以下の1回の接
着工程であるので、電力コストを下げ、画像表示装置を
はじめとする真空外囲器を提供することができた。As described above, when the adhesive containing the polyphenyl compound is used at the joint of the members for forming the envelope,
Since the heat treatment temperature in the bonding step is one bonding step at 350 ° C. or lower, the power cost can be reduced and a vacuum envelope including an image display device can be provided.
【０３６１】（構成２０）更に、外囲器形成のための接
合においては、接着部を２種の接着剤から形成すること
もできる。例えば、外囲器を主にシールする機能を有す
る材料と接着機能を有する材料とで接合部を接着形成す
ることができる。このような目的において接合部のシー
ル機能を有するシール材としては、In、Aｌ、Cu、Au、A
g、Pt、Ti、Ni等の金属あるいは合金、および表面にI
n、Aｌ、Cu、Au、Ag、Pt、Ti、Ni等の金属あるいは合金
をコーティングした有機接着剤や無機接着剤等の材料等
から選択することができ、接着機能を有する接着剤とし
ては、本発明の接着剤として、ポリフェニル化合物を有
する高分子系熱可塑性の接着材、ポリベンゾイミダゾー
ル樹脂を主成分とする接着剤、ポリイミド樹脂を主成分
とする接着剤等の有機接着剤、アルミナ、シリカ、ジル
コニア、カーボンを主成分とする無機接着剤等があげら
れる。(Structure 20) Further, in the joining for forming the envelope, the bonding portion may be formed of two kinds of adhesives. For example, the joining portion can be formed by bonding a material having a function of mainly sealing the envelope and a material having a bonding function. For such purposes, examples of the sealing material having the function of sealing the joint include In, Al, Cu, Au, and A.
Metals or alloys such as g, Pt, Ti, and Ni, and I on the surface
n, Al, Cu, Au, Ag, Pt, Ti, can be selected from materials such as organic adhesives or inorganic adhesives coated with a metal or alloy such as Ni, etc.As an adhesive having an adhesive function, As the adhesive of the present invention, a polymer-based thermoplastic adhesive having a polyphenyl compound, an adhesive mainly containing a polybenzimidazole resin, an organic adhesive such as an adhesive mainly containing a polyimide resin, alumina, Examples thereof include an inorganic adhesive containing silica, zirconia, or carbon as a main component.
【０３６２】シール材としてはIn、接着剤としてはジル
コニアとシリカを主成分とする無機接着剤が最も好まし
いものの一つとして用いられる。シール材としてInワイ
ヤーを用いると、Inワイヤーを任意の形状に成型し、16
0℃以上で加熱することによりInを軟化させ、圧着し、
降温過程でシールした後、アルミナを主成分とするペー
スト状の接着剤をテ゛ィスヘ゜ンサー等でシール材周辺に塗布
し、100℃以下で水分を蒸発させてから150℃程度で接着
することで前記1〜６の条件を満たすことができる。In
とアルミナを主成分とする無機接着剤を用いた接合材は
他の接合部に比べ、特に最高熱処理温度が低い点が好ま
しい。As the sealing material, In is used, and as the adhesive, an inorganic adhesive mainly containing zirconia and silica is used as one of the most preferable ones. If an In wire is used as a sealing material, the In wire can be shaped into
By heating at 0 ° C or more, In is softened and pressed,
After sealing in the temperature decreasing process, a paste adhesive containing alumina as a main component is applied to the periphery of the sealing material with a surface heater or the like, and water is evaporated at 100 ° C. or less, and then the adhesive is attached at about 150 ° C. 6 can be satisfied. In
A joining material using an inorganic adhesive containing alumina as a main component preferably has a lower maximum heat treatment temperature than other joining portions.
【０３６３】また、シール材としてジルコニアとシリカ
を主成分とするペースト状の無機接着剤をテ゛ィスヘ゜ンサー等
で任意の形状に成型し、100℃以下で水分を蒸発させた
無機接着剤表面上にInをＥＢやスパッタ等の公知の真空
蒸着法によりコーティング膜を形成した後、160℃以上
で加熱することによりInを軟化させ、圧着し、降温過程
でシールした後、アルミナを主成分とするペースト状の
接着剤をテ゛ィスヘ゜ンサー等でシール材周辺に塗布し、100℃以
下で水分を蒸発させてから150℃程度で接着することで
下記１〜６の条件を満たすことができる。 １．耐熱性：真空中ベーク（高真空形成）工程における
耐熱性 ２．シール性：高真空維持（真空リーク極小、ガス透過
極小）可能（但し、真空維持が必要な個所のみ） ３．接着性：ガラス部材との接着性 ４．放出ガス特性：低放出ガス（高真空維持）特性 ５．熱処理温度：最高熱処理温度がフリット接着（封
着）工程のおよそ400℃よりも低温である。 ６．成型性：任意の外枠形状に適合させやすく、接着温
度付近で流動化しない。Also, a paste-like inorganic adhesive mainly composed of zirconia and silica as a sealing material is molded into an arbitrary shape by using a dispenser or the like, and In is formed on the surface of the inorganic adhesive obtained by evaporating water at 100 ° C. or less. After forming a coating film by a known vacuum evaporation method such as EB or sputtering, the softening of In by heating at 160 ° C. or higher, pressure bonding, sealing in a temperature lowering process, and then forming a paste containing alumina as a main component The following conditions 1 to 6 can be satisfied by applying an adhesive to the periphery of the sealing material using a surface heater or the like, evaporating water at 100 ° C. or lower, and then bonding at about 150 ° C. 1. 1. Heat resistance: heat resistance in baking in vacuum (high vacuum forming) process 2. Sealability: High vacuum can be maintained (minimum vacuum leak, minimum gas permeation) (however, only where vacuum maintenance is required). Adhesion: Adhesion to glass member 4. Emission gas characteristics: low emission gas (high vacuum maintained) characteristics Heat treatment temperature: The maximum heat treatment temperature is lower than about 400 ° C. in the frit bonding (sealing) process. 6. Moldability: easy to adapt to any outer frame shape, does not flow near the bonding temperature.
【０３６４】さらに、シール材としてはAｌ、接着剤と
してはポリエーテルケトンを主成分とする高分子系熱可
塑性の有機接着剤が用いられる。シール材であるAｌ、
接着剤であるポリエーテルケトンを主成分とする高分子
系熱可塑性のシート状の有機接着剤を任意の形状に成型
し、330℃以上まで加熱することにより接着剤を軟化さ
せ、圧着し、シールさせ、降温過程で接着剤を硬化する
ことによってに接着させ、前記１〜６の条件を満たすこ
とができる。[0364] Further, Al is used as the sealant, and a high-molecular thermoplastic organic adhesive mainly containing polyetherketone is used as the adhesive. Al which is a sealing material,
An organic adhesive in the form of a polymer thermoplastic sheet mainly composed of polyetherketone as an adhesive is molded into an arbitrary shape, and the adhesive is softened by heating to 330 ° C. or more, pressure-bonded, and sealed. Then, the adhesive is cured by curing the adhesive in the process of cooling down, thereby satisfying the above conditions 1 to 6.
【０３６５】上記のシール機能を有するシール材と接着
機能を有する接着剤の少なくとも２つの部材を用いた接
合部は、最高熱処理温度が４００℃以下の接着工程であ
るので、電力コストを下げ、輝度低下や寿命短縮の少な
い、さらに表示品位が高く、ゲッタ効果も充分な画像表
示装置をはじめとする真空外囲器を提供することができ
る。[0365] Since the bonding process using at least two members of the above-mentioned sealing material having the sealing function and the adhesive having the bonding function is a bonding process in which the maximum heat treatment temperature is 400 ° C or lower, the power cost is reduced and the brightness is reduced. It is possible to provide a vacuum envelope such as an image display device which is less reduced and has a shorter life, has higher display quality, and has a sufficient getter effect.
【０３６６】また、接合部とガラス基板との密着性の向
上のために、予め接合面へシール材と同様の金属または
合金を真空蒸着あるいは同様の金属または合金を含んだ
塗布材をスクリーン印刷、ディッピング、スプレー、デ
ィスペンサ等の公知のコーティング法でコーティングし
ておいても有効である。Also, in order to improve the adhesion between the bonding portion and the glass substrate, the same metal or alloy as the sealing material is previously vacuum-deposited on the bonding surface or a coating material containing the same metal or alloy is screen-printed. It is also effective to coat by a known coating method such as dipping, spraying and dispensing.
【０３６７】以下本構成の実施例を挙げる。The following is an example of this configuration.
【０３６８】（実施例１）本実施例の画像表示装置は、
図１１１に模式的に示された装置と同様の構成を有し、
1は電子源で、複数の電子放出素子を基板上に配置し、
適当な配線を施したものである。2はリアプレート、3は
外枠、4はフェースプレートである。図１１１(ｂ)のＣ-
Ｃ'断面図に示す様に、９は接着剤、１４はシール材
で、リアプレート２及びフェースプレート４は、外枠３
との接合部において、それぞれ接合されている。(Embodiment 1) The image display device of this embodiment is
It has the same configuration as the device schematically shown in FIG.
1 is an electron source, a plurality of electron-emitting devices are arranged on a substrate,
Appropriate wiring is applied. 2 is a rear plate, 3 is an outer frame, and 4 is a face plate. C- in FIG.
As shown in the C ′ cross-sectional view, 9 is an adhesive, 14 is a sealing material, and the rear plate 2 and the face plate 4 are
Are joined at the joints.
【０３６９】接合は、Inワイヤーをシール材14とし、In
ワイヤーを任意の形状に成型し、160℃以上で加熱する
ことによりInを軟化させ、圧着し、降温過程でシールし
た後、接着剤９として、ジルコニアとシリカを主成分と
するペースト状の接着剤：（株）スリーボンド 製品名
3715を外枠の形状にディスペンサでシール材周辺に塗布
し、100℃以下で水分を蒸発させてから150℃程度で接着
を行った。電子源1などの内部構造体の固定も同様に行
う。また、リアプレート2とフェースプレート4を配置す
る際には、同時に画像表示領域外にBaを主成分とする蒸
発型ゲッタのリンク゛状ゲッタ１６配置した。The bonding is performed by using the In wire as the sealing material 14,
A wire is formed into an arbitrary shape, and heated at 160 ° C. or more to soften In, press-bond, and seal in a temperature lowering process. : Three Bond Co., Ltd. Product name
3715 was applied around the sealing material with a dispenser in the shape of an outer frame, and water was evaporated at a temperature of 100 ° C. or less, followed by bonding at about 150 ° C. The internal structure such as the electron source 1 is fixed in the same manner. When the rear plate 2 and the face plate 4 were arranged, a link ゛ -shaped getter 16 of an evaporative getter containing Ba as a main component was simultaneously arranged outside the image display area.
【０３７０】（実施例２）接合部のシール材として、ジ
ルコニアとシリカを主成分とするペースト状の無機接着
剤（株）スリーボンド 製品名3715をテ゛ィスヘ゜ンサー等で任
意の形状に成型し、100℃以下で水分を蒸発させた無機
接着剤表面上にInをＥＢやスパッタ等の公知の真空蒸着
法によりコーティング膜１５を形成したものを用いた。
次に、シール材を160℃以上で加熱することによりInで
あるコーティング膜１５を軟化させ、圧着し、降温過程
でシールした後、接着剤９として、ジルコニアとシリカ
を主成分とするペースト状の接着剤：（株）スリーボン
ド 製品名3715を外枠の形状にディスペンサでシール材
１４周辺に塗布し、100℃以下で水分を蒸発させてから1
50℃程度で接着を行った。(Example 2) As a sealing material for the joint, a paste-like inorganic adhesive containing zirconia and silica as main components, 3Bond Co., Ltd., product name 3715, was molded into an arbitrary shape using a dispenser or the like, and was heated to 100 ° C or less. A coating film 15 of In was formed on the surface of the inorganic adhesive from which moisture was evaporated by a known vacuum evaporation method such as EB or sputtering.
Next, the coating material 15 made of In is softened by heating the sealing material at 160 ° C. or higher, pressed and sealed in a temperature decreasing process. Adhesive: Three Bond Co., Ltd. Product name 3715 is applied to the periphery of the sealing material 14 with a dispenser in the shape of an outer frame, and water is evaporated at 100 ° C or lower.
Bonding was performed at about 50 ° C.
【０３７１】（実施例３）本実施例は、リアプレート2
とフェースプレート4と外枠３のシール材と接触する部
分にＥＢやスパッタ等の公知の真空蒸着法によりInを蒸
着し、実施例１の接合部として、以下の接合部を用いた
以外は実施例１の工程と同様に行った。すなわち、本実
施例の接合部として、シール材としてはAｌ、接着剤と
してはポリエーテルケトンを主成分とする高分子系熱可
塑性の有機接着剤が用いられる。シール材であるAｌ、
接着剤であるポリエーテルケトンを主成分とする高分子
系熱可塑性のシート状の有機接着剤を任意の形状に成型
し、330℃以上まで加熱することにより接着剤を軟化さ
せ、圧着し、シールさせ、降温過程で接着剤を硬化する
ことによってに接着させ、前記１〜６の条件を満たすこ
とができる。(Embodiment 3) In this embodiment, the rear plate 2
Indium is vapor-deposited on a portion of the face plate 4 and the outer frame 3 that comes into contact with the sealing material by a known vacuum vapor deposition method such as EB or sputtering, and the following joints are used as the joints of the first embodiment. The procedure was the same as in Example 1. That is, as the bonding portion of the present embodiment, Al is used as the sealing material, and a high-molecular thermoplastic organic adhesive mainly containing polyetherketone is used as the adhesive. Al which is a sealing material,
An organic adhesive in the form of a polymer thermoplastic sheet mainly composed of polyetherketone as an adhesive is molded into an arbitrary shape, and the adhesive is softened by heating to 330 ° C. or more, pressure-bonded, and sealed. Then, the adhesive is cured by curing the adhesive in the process of cooling down, thereby satisfying the above conditions 1 to 6.
【０３７２】（実施例４）本実施例は、実施例１の接合
部として、以下の接合部を用いた以外は実施例１の工程
と同様に行った。すなわち、本実施例の接合部として、
シール材としてはIn、接着剤としてはポリスルホンを主
成分とする高分子系熱可塑性のペースト状の接着材９，
１４：テクノアルファ（株）製品名 ステイスティック
３０１が用いられる。Inワイヤーをシール材14とし、In
ワイヤーを任意の形状に成型し、160℃以上で加熱する
ことによりInを軟化させ、圧着し、降温過程でシールし
た後、接着剤９として、ポリスルホンを主成分とする高
分子系熱可塑性のペースト状の接着材９，１４：テクノ
アルファ（株）製品名 ステイスティック３０１を用
い、ディスペンサ塗布法で任意の形状にガラス部材にコ
ーティングし、脱法し、150℃で溶剤を蒸発させたの
ち、加熱処理温度が３００℃以上まで加熱し、圧着し、
降温過程で接着剤を硬化することによってに接着させ、
前記１〜６の条件を満たすことができる。Example 4 This example was performed in the same manner as in Example 1 except that the following joints were used as the joints of Example 1. That is, as the joint of this embodiment,
The sealing material is In, and the adhesive is a polymeric thermoplastic paste-like adhesive 9 containing polysulfone as a main component.
14: Techno Alpha Co., Ltd. Product name Stay Stick 301 is used. In wire is used as the sealing material 14, and In
The wire is formed into an arbitrary shape, and heated at 160 ° C. or more to soften In, press-bond, and seal in a temperature decreasing process. Then, as an adhesive 9, a polymer-based thermoplastic paste containing polysulfone as a main component. Adhesives 9, 14: Techno Alpha Co., Ltd. Product name Using a stay stick 301, coat a glass member in an arbitrary shape by a dispenser application method, remove the method, evaporate the solvent at 150 ° C, and then heat-treat Heat to a temperature of at least 300 ° C and crimp,
The adhesive is cured by curing the adhesive during the cooling process,
The above conditions 1 to 6 can be satisfied.
【０３７３】（構成２１）フェースプレートに設けられ
たメタルバックは、通常ブラックマトリクスを介して隣
接する多数の蛍光体層を覆うように設けられており、フ
ェースプレートとリアプレートとの間隔が比較的狭いた
めに、表示パネルの構成や駆動条件によってはメタルバ
ックがリアプレート側へ引っ張られて剥離するという問
題が生じる場合があった。そこで、本構成は、フェース
プレートの外側部分に透明電極を設けるという構成によ
りこのような問題を回避するものである。(Structure 21) The metal back provided on the face plate is usually provided so as to cover a large number of phosphor layers adjacent via a black matrix, and the distance between the face plate and the rear plate is relatively large. Due to the small size, the metal back may be pulled toward the rear plate and peeled off depending on the configuration of the display panel and driving conditions. Thus, the present configuration avoids such a problem by providing a transparent electrode on the outer portion of the face plate.
【０３７４】図１１２は、本構成を用いた表示パネルの
斜視図であり、内部構造を示すためにパネルの一部を切
り欠いて示している。図中、１０１５はリアプレ−ト、
１０１６は側壁、１０１７はフェ−スプレ−トであり、
１０１５〜１０１７により表示パネルの内部を真空に維
持するための気密容器を形成している。気密容器を組み
立てるにあたっては、各部材の接合部に十分な強度と気
密性を保持させるため封着する必要があるが、たとえば
フリットガラスを接合部に塗布し、大気中あるいは窒素
雰囲気中で、摂氏４００〜５００度で１０分以上焼成す
ることにより封着を達成した。また、上記気密容器の内
部は１０のマイナス６乗［Ｔｏｒｒ］程度の真空に保持
されるので、大気圧や不意の衝撃などによる気密容器の
破壊を防止する目的で、耐大気圧構造体として、スペー
サ１０２０が設けられている。フェ−スプレ−ト１０１
７の下面には、蛍光膜１０１８が形成されている。本実
施態様はカラ−表示装置であるため、蛍光膜１０１８の
部分にはＣＲＴの分野で用いられる赤、緑、青、の３原
色の蛍光体が塗り分けられている。各色の蛍光体は、た
とえば図１１３（a）に示すようにストライプ状に塗り
分けられ、蛍光体のストライプの間には黒色の導電体１
０１０が設けてある。黒色の導電体１０１０を設ける目
的は、電子ビ−ムの照射位置に多少のずれがあっても表
示色にずれが生じないようにする事や、外光の反射を防
止して表示コントラストの低下を防ぐ事、電子ビ−ムに
よる蛍光膜のチャ−ジアップを防止する事などである。
黒色の導電体１０１０には、黒鉛を主成分として用いた
が、上記の目的に適するものであればこれ以外の材料を
用いても良い。また、３原色の蛍光体の塗り分け方は前
記図１１３（a）に示したストライプ状の配列に限られ
るものではなく、たとえば図１１３（b）に示すような
デルタ状配列や、それ以外の配列（図１１４）であって
もよい。FIG. 112 is a perspective view of a display panel using this structure, in which a part of the panel is cut away to show the internal structure. In the figure, 1015 is a rear plate,
1016 is a side wall, 1017 is a face plate,
An airtight container for maintaining the inside of the display panel at a vacuum is formed by 1015 to 1017. When assembling an airtight container, it is necessary to seal the joints of each member to maintain sufficient strength and airtightness.For example, apply frit glass to the joints, and in air or nitrogen atmosphere, Sealing was achieved by baking at 400 to 500 degrees for 10 minutes or more. Further, since the inside of the hermetic container is maintained at a vacuum of about 10 −6 [Torr], it is used as an anti-atmospheric structure for the purpose of preventing the hermetic container from being destroyed due to an atmospheric pressure or an unexpected impact. A spacer 1020 is provided. Face plate 101
A fluorescent film 1018 is formed on the lower surface of 7. Since this embodiment is a color display device, phosphors of three primary colors of red, green, and blue used in the field of CRT are separately applied to a portion of the fluorescent film 1018. The phosphors of each color are separately applied in stripes as shown in FIG. 113 (a), for example, and the black conductor 1 is provided between the phosphor stripes.
010 are provided. The purpose of providing the black conductor 1010 is to prevent the display color from being shifted even if the irradiation position of the electron beam is slightly shifted, and to prevent the reflection of external light to lower the display contrast. And preventing charge-up of the fluorescent film due to the electron beam.
Although graphite is used as a main component for the black conductor 1010, any other material may be used as long as it is suitable for the above purpose. The method of applying the phosphors of the three primary colors is not limited to the stripe arrangement shown in FIG. 113A, but may be, for example, a delta arrangement as shown in FIG. It may be an array (FIG. 114).
【０３７５】なお、モノクロ−ムの表示パネルを作成す
る場合には、単色の蛍光体材料を蛍光膜１０１８に用い
ればよく、また黒色導電材料は必ずしも用いなくともよ
い。When a monochrome display panel is manufactured, a monochromatic phosphor material may be used for the phosphor film 1018, and a black conductive material may not be necessarily used.
【０３７６】また、蛍光膜１０１８のリアプレ−ト側の
面には、ＣＲＴの分野では公知のメタルバック１０１９
を設けてある。メタルバック１０１９には、蛍光膜１０
１８が発する光の一部を鏡面反射して光利用率を向上さ
せる事や、負イオンの衝突から蛍光膜１０１８を保護す
る事や、電子ビ−ム加速電圧を印加するための電極とし
て作用させる事や、蛍光膜１０１８を励起した電子の導
電路としての作用がある。メタルバック１０１９の作製
は、蛍光膜１０１８をフェ−スプレ−ト基板１０１７上
に形成した後、蛍光膜表面を平滑化処理し、その上にＡ
ｌを真空蒸着する方法により形成した。なお、Ａｌ以外
の材料であっても、上記機能を有するものであればよ
い。Also, a metal back 1019 known in the field of CRTs is provided on the rear plate side surface of the fluorescent film 1018.
Is provided. The metal back 1019 has a fluorescent film 10
A part of the light emitted from the mirror 18 is specularly reflected to improve the light utilization factor, protect the fluorescent film 1018 from collision of negative ions, and act as an electrode for applying an electron beam acceleration voltage. In addition, there is a function as a conductive path for electrons that have excited the fluorescent film 1018. The metal back 1019 is formed by forming a fluorescent film 1018 on a faceplate substrate 1017, smoothing the surface of the fluorescent film, and forming an A
1 was formed by a vacuum deposition method. Note that any material other than Al may be used as long as it has the above function.
【０３７７】フェースプレートの上面（大気側面）に
は、図１１５のように、少なくとも、メタルバックが存
在する領域に、ITOを材料とする透明電極１０２２を設
け、接地してある。これによって、マルチビーム電子源
とフェースプレート１０１７上のメタルバック１０１９
との間に数kV以上の高電圧（即ち、2ｋV／ｍｍ以上の高
電界）を印加しても、メタルバックには、フェースプレ
ート上面の透明電極１０２２からのクーロン力が働くの
で剥れなくなり、画像表示時の放電が防止され、良好な
表示画像を得ることができる。As shown in FIG. 115, a transparent electrode 1022 made of ITO is provided on the upper surface (atmospheric side surface) of the face plate at least in the region where the metal back exists, and is grounded. Thereby, the multi-beam electron source and the metal back 1019 on the face plate 1017
Even if a high voltage of several kV or more (that is, a high electric field of 2 kV / mm or more) is applied in between, the metal back does not peel off because the Coulomb force from the transparent electrode 1022 on the upper surface of the face plate acts on the metal back. Discharge during image display is prevented, and a good display image can be obtained.
【０３７８】また、図１１２及び図１１６に示されるよ
うな表示パネルを用いた画像表示装置において、各冷陰
極素子（表面伝導型放出素子）１０１２には、容器外端
子Dx1〜Dxm、Dy1〜Dynを通じ、走査信号及び変調信号を
不図示の信号発生手段よりそれぞれ印加することにより
電子を放出させ、メタルバック１０１９には、高圧端子
Ｈｖを通じて高圧を印加することにより放出電子ビーム
を加速し、蛍光膜１０１８に電子を衝突させ、各色蛍光
体（R、G、B）を励起・発光させることで画像を表示し
た。各配線１０１３、１０１４間への印加電圧Ｖｆは１
４［Ｖ］とした。高圧端子Ｈｖへの印加電圧Ｖａを１０
［ｋＶ］である。比較例としては、以前、フェースプレ
ートの表面を接地していない時は、フェースプレートと
リアプレートの距離が2mm、高圧端子Ｈｖへの印加電圧
Ｖａが8［ｋＶ］ないし１０［ｋＶ］ではがれる例があ
った。In an image display device using a display panel as shown in FIGS. 112 and 116, each cold cathode element (surface conduction type emission element) 1012 has external terminals Dx1 to Dxm and Dy1 to Dyn. , A scanning signal and a modulation signal are applied from signal generation means (not shown) to emit electrons, and a high voltage is applied to the metal back 1019 through a high voltage terminal Hv to accelerate the emitted electron beam, and the fluorescent film An image was displayed by causing electrons to collide with 1018 to excite and emit phosphors of each color (R, G, B). The applied voltage Vf between the wirings 1013 and 1014 is 1
4 [V]. When the applied voltage Va to the high voltage terminal Hv is 10
[KV]. As a comparative example, when the surface of the face plate has not been grounded before, the distance between the face plate and the rear plate is 2 mm, and the applied voltage Va to the high voltage terminal Hv falls off from 8 [kV] to 10 [kV]. There was an example.
【０３７９】このように、蛍光体の裏面にはメタルバッ
クが有るため、メタルバックの目的である、電位の低下
の防止、加速電極としての働き、蛍光体からの発光を鏡
面反射することによる輝度の向上、蛍光体が負イオンの
衝突によってダメージを受けることを防ぐ等を果たすこ
とができる。それとともに、フェースプレートの表面は
透明電極を介して接地されているため、メタルバックが
フェースプレートから剥れるのを防ぐことができた。As described above, since there is a metal back on the back surface of the phosphor, the purpose of the metal back is to prevent a decrease in potential, to function as an accelerating electrode, and to perform luminance as a result of specular reflection of light emitted from the phosphor. And the phosphor can be prevented from being damaged by the collision of negative ions. At the same time, since the surface of the face plate was grounded via the transparent electrode, it was possible to prevent the metal back from peeling off from the face plate.
【０３８０】（構成２２）フェースプレートからの高圧
電源への引出し線にかかる構成としては以下の構成が利
用できる。本構成の実施形態を図１１７〜１２０を用い
て説明する。図１１７は、本発明の画像形成装置の構成
の一例を模式的に示す分解斜め模式図である。図１１８
は図１１７のＡ矢視方向からみたアノード端子部の断面
を示した部分断面図であり、図１１９Ａ〜Ｅは、リアプ
レート基板の作製工程を説明する図で電子源領域の一部
分を用いた。図１２０はリアプレートのアノード端子部
周辺部を示した平面図である。(Structure 22) The following structure can be used as the structure related to the lead wire from the face plate to the high-voltage power supply. An embodiment of this configuration will be described with reference to FIGS. FIG. 117 is an exploded oblique view schematically showing an example of the configuration of the image forming apparatus of the present invention. FIG.
FIG. 119 is a partial cross-sectional view showing a cross section of the anode terminal portion as viewed from the direction of arrow A in FIG. 117. FIGS. FIG. 120 is a plan view showing the periphery of the anode terminal portion of the rear plate.
【０３８１】１は電子源を形成するための基板を兼ねる
リアプレート、2は電子源領域で、電界放出素子、表面
伝導型電子放出素子などの電子放出素子を複数配置し、
目的に応じて駆動できるように素子に接続された配線を
形成したものであり、電子源を駆動するために引き出し
た駆動用配線引き出し部３−１，３−２により画像形成
装置の外部に取り出され、電子源の駆動回路（不図示）
に接続される。１１は画像形成部材が形成されたフェー
スプレート、１２は電子源領域２より放出された電子に
より発光する蛍光体よりなる画像形成部材、１００は画
像形成部材１２に電圧を供給するために引き出されたＡ
ｇ等の引き出し配線、4はリアプレート1とフェースプレ
ート１１に狭持される外枠であり、電子源駆動用配線引
き出し部３は外枠4とリアプレート1の接合部で、例えば
低融点ガラス（フリットガラス２０１）に埋設されて外
部に引き出される。リアプレート１及びフェースプレー
ト１１及び外枠４の材料として、青板ガラス、表面にSi
O2被膜を形成した青板ガラス、Naの含有量を少なくした
ガラス、石英ガラスなど、条件に応じて各種材料を用い
る。１０１は外部の高圧電源より供給された電圧を導入
するための導入線、１０２は導入線１０１をあらかじめ
Ａｇ−Ｃｕ、Ａｕ−Ｎｉなどのろう材料を使用し気密シ
ール処理を施して柱状形状の中心に一体形成した絶縁部
材である。絶縁部材１０２の材料として、アルミナ等の
セラミック、Ｎａ含有量の少ないガラスなどのリアプレ
ート１材料の熱膨張係数に近い材料でかつ、高電圧に耐
える絶縁性を有する材料で、高温度になった場合の熱膨
張差による絶縁部材１０２とリアプレート１との接合部
での割れを防止する。なお、このような構成をもつ高圧
端子以外の構成でもよく、この構成に限定されるもので
はない。また、導入線１０１と引き出し配線１００との
接続を確実にするために、導入線１０１と引き出し配線
１００との間にＡｇペーストや機械的なばね構成などの
接続部材を配置構成してもよい。１０４は気密導入端子
１０３を貫入するリアプレート１に形成された孔であ
る。気密導入端子１０３とリアプレート１に形成した貫
通孔１０４との間は、フリットガラス２０１などの気密
化が可能な接着部材にて固定する。なお、貫通孔１０４
の形成場所として、リアプレートの駆駆動用引き出し配
線３−１，３−２の形成されていない４隅でかつ、外枠
４の内側に配置構成される。さらに、数ｋＶの高電圧が
導入線１０１を通して印加された時の放電対策として、
ガード配線１０５を駆動用引き出し配線３−１，３−２
の外側に形成することで、内部で放電が発生しても、ガ
ード配線１０５でガードされるため駆動用引き出し配線
３−１，３−２を通じて電子源領域へ放電電流が流れ、
素子が劣化するなどのダメージが起こらない構成とする
ことができる。ただし、ガード配線からの導入線１０１
までの沿面距離を、１ｍｍ以上離した構成とするべきで
ある。極端に、ガード配線との距離が近いと逆に放電の
発生頻度を増加させることになる。Reference numeral 1 denotes a rear plate also serving as a substrate for forming an electron source, 2 denotes an electron source region, and a plurality of electron-emitting devices such as a field emission device and a surface conduction electron-emitting device are arranged.
Wiring connected to the element is formed so that it can be driven according to the purpose. The wiring is drawn out of the image forming apparatus by driving wiring lead-out portions 3-1 and 3-2 drawn to drive an electron source. Drive circuit for electron source (not shown)
Connected to. Reference numeral 11 denotes a face plate on which an image forming member is formed, 12 denotes an image forming member made of a phosphor that emits light by electrons emitted from the electron source region 2, and 100 denotes an image forming member that is drawn to supply a voltage to the image forming member 12. A
g, etc., a lead wire, 4 is an outer frame sandwiched between the rear plate 1 and the face plate 11, and an electron source driving wire lead portion 3 is a joint between the outer frame 4 and the rear plate 1, for example, a low melting glass. (Frit glass 201) and pulled out. As a material of the rear plate 1, the face plate 11 and the outer frame 4, a soda-lime glass and a surface of Si
Various materials are used depending on the conditions, such as blue sheet glass having an O 2 coating, glass having a low Na content, and quartz glass. Reference numeral 101 denotes an introduction line for introducing a voltage supplied from an external high-voltage power supply. Reference numeral 102 denotes a center of the columnar shape of the introduction line 101 by using a brazing material such as Ag-Cu, Au-Ni or the like in advance and performing an airtight sealing process. This is an insulating member integrally formed with the above. As a material of the insulating member 102, a material having a thermal expansion coefficient close to that of the material of the rear plate 1 such as a ceramic such as alumina and a glass having a low Na content, and a material having an insulating property that can withstand a high voltage has been heated to a high temperature. In this case, cracks at the joint between the insulating member 102 and the rear plate 1 due to the difference in thermal expansion are prevented. It should be noted that a configuration other than the high voltage terminal having such a configuration may be used, and the present invention is not limited to this configuration. Further, in order to secure the connection between the lead-in wire 101 and the lead-out wire 100, a connection member such as an Ag paste or a mechanical spring may be arranged between the lead-in wire 101 and the lead-out wire 100. 104 is a hole formed in the rear plate 1 that penetrates the airtight introduction terminal 103. A space between the airtight introduction terminal 103 and the through hole 104 formed in the rear plate 1 is fixed with an airtight sealing member such as frit glass 201. The through-hole 104
Are formed at four corners of the rear plate where the driving lead-out lines 3-1 and 3-2 are not formed and inside the outer frame 4. Furthermore, as a countermeasure against discharge when a high voltage of several kV is applied through the introduction line 101,
The guard wiring 105 is connected to the driving lead wiring 3-1 and 3-2.
Is formed outside, the discharge current flows to the electron source region through the driving lead wirings 3-1 and 3-2 because the guard wiring 105 guards the discharge current even if a discharge occurs inside.
A structure that does not cause damage such as deterioration of the element can be provided. However, the lead 101 from the guard wiring
Creepage distance up to 1 mm or more. Extremely, if the distance from the guard wiring is short, the frequency of occurrence of discharge will be increased.
【０３８２】つづいて、５は真空化するための排気孔、
６は排気孔５に対応する位置に配置するガラス管で、不
図示の外部真空形成装置に接続され、電子放出素子を形
成する真空処理が終了後封止するためのものである。な
お、この他真空装置内で画像形成装置を組立てる方法を
とれば、上述のガラス管６並びに、排気孔５は不要とな
る。Subsequently, 5 is an exhaust hole for evacuating,
Reference numeral 6 denotes a glass tube arranged at a position corresponding to the exhaust hole 5, which is connected to an external vacuum forming device (not shown), and is used for sealing after the vacuum processing for forming the electron-emitting device is completed. In addition, if the method of assembling the image forming apparatus in the vacuum apparatus is adopted, the above-described glass tube 6 and the exhaust hole 5 become unnecessary.
【０３８３】以下本構成の実施例を挙げる。An example of this configuration will be described below.
【０３８４】（実施例１）図面により具体的に説明す
る。図１１７は、本発明の画像形成装置の構成の一例を
模式的に示す分解斜め模式図である。図１１８は図１１
７のＡ矢視方向からみた図であり、特にアノード端子部
の断面を示した断面図であり、図１１９Ａ〜Ｅは、リア
プレート基板の作成工程を説明する図で電子源領域の一
部分を用いた。図１２０はリアプレートのアノード端子
部周辺部を示した平面図である。(Embodiment 1) A specific description will be given with reference to the drawings. FIG. 117 is an exploded oblique view schematically showing an example of the configuration of the image forming apparatus of the present invention. FIG. 118 shows FIG.
7 is a view seen from the direction of arrow A, in particular, a cross-sectional view showing a cross section of the anode terminal portion. FIGS. 119A to 119E are diagrams illustrating a process of forming a rear plate substrate, and use a part of the electron source region. Was. FIG. 120 is a plan view showing the periphery of the anode terminal portion of the rear plate.
【０３８５】１１は画像形成部材１２を搭載した青板ガ
ラス材料で形成したフェースプレート、１００は画像形
成部材１２の１隅から引き出したＡｇ材料からなる印刷
により形成した引き出し配線で、その形成場所は、リア
プレート１に形成した貫通孔より導入される高圧端子の
導入線と当接可能な位置に形成した。引き出し配線１０
０は画像形成部材１２に重なるように印刷形成すること
で、電気的導通を確保した。また、画像形成部材１２は
ストライプ状の蛍光体、ブラックストライプ、メタルバ
ックから構成され、蛍光体、ブラックストライプは、印
刷により形成し、その後これらの上にＡｌ膜を真空蒸着
法によりメタルバックとして形成した。Reference numeral 11 denotes a face plate formed of a blue glass material on which the image forming member 12 is mounted, and 100 denotes a lead-out wiring formed by printing made of an Ag material drawn from one corner of the image forming member 12, and is formed at a location where: It was formed at a position where it could come into contact with the introduction line of the high voltage terminal introduced from the through hole formed in the rear plate 1. Lead wiring 10
In the case of No. 0, electrical continuity was secured by printing so as to overlap the image forming member 12. The image forming member 12 is composed of a striped phosphor, a black stripe, and a metal back. The phosphor and the black stripe are formed by printing, and then an Al film is formed thereon as a metal back by a vacuum deposition method. did.
【０３８６】4はリアプレート1とフェースプレート１１
に挟持される青板ガラス材料よりなる外枠であり、駆動
用配線引き出し部３−１，３−２は外枠4とリアプレー
ト1の接合部で日本電気硝子製のＬＳ３０８１のフリッ
トガラス２０１に埋設して外部に引き出した。１０１は
４２６合金材料よりなる導入線、１０２は導入線１０１
をあらかじめＡｇ−Ｃｕにてろう付けし、真空気密シー
ル処理を施して柱状形状の中心に一体形成したアルミナ
セラミック製の絶縁部材、１０４は導入線１０１を一体
気密形成した絶縁部材１０２を導入する貫通孔である。
貫通孔１０４の配置場所については、後述する。Reference numeral 4 denotes a rear plate 1 and a face plate 11
The drive wiring lead-out parts 3-1 and 3-2 are embedded in the frit glass 201 of LS3081 manufactured by Nippon Electric Glass at the joint between the outer frame 4 and the rear plate 1. And pulled it out. 101 is an introduction line made of a 426 alloy material, 102 is an introduction line 101
Is preliminarily brazed with Ag-Cu, subjected to vacuum hermetic sealing, and integrally formed at the center of the columnar shape. An insulating member 104 made of alumina ceramic is provided. Hole.
The location of the through hole 104 will be described later.
【０３８７】リアプレート１は、図１１７及び１２０の
ように４隅のみ配線が形成されない領域となり、その１
隅の駆動用配線引き出し部３−１，３−２の一番外側に
ガード配線１０５が配置され、ガード配線１０５から７
ｍｍ離れたところに貫通孔１０４を有する構成で、この
孔と対向する位置にフェースプレート１１の引き出し配
線１００が位置するように構成する。この際の組立て
は、フェースプレート１１の画像形成部材１２の不図示
の蛍光体とリアプレート１の電子放出素子とが相互に対
応するように注意深く位置合わせする。また、気密導入
端子１０３及び、ガラス管６を設置し、かつ上述の位置
合わせがなされた状態で、不図示の加熱炉へ投入し４２
０度の温度を付与し、フェースプレート１１とリアプレ
ート１と外枠４の当設位置に配置したフリットガラス２
０１を溶解させる。その後、冷却させて組立てが終了す
る。この状態で、フェースプレート１１、リアプレート
１、外枠４、ガラス管６、気密導入端子１０３が気密化
可能なパネルとして形成できた。この後、ガラス管６を
介して不図示の真空排気装置に接続し、パネル内を排気
し、フォーミング処理、活性化処理を各微粒子膜２６に
対して行う。つづいて、パネル内の排気継続し、ベーキ
ング処理を行い、真空パネル内に残留した有機物質分子
を除去する。最後に、ガラス管６を加熱溶着して封止す
る。以上の工程にて、真空パネルは完成する。The rear plate 1 is a region where wiring is not formed only at four corners as shown in FIGS.
The guard wiring 105 is arranged at the outermost sides of the driving wiring lead-out portions 3-1 and 3-2 at the corners.
The through-hole 104 is located at a distance of 2 mm, and the lead-out line 100 of the face plate 11 is located at a position facing this hole. At this time, the phosphors (not shown) of the image forming member 12 of the face plate 11 and the electron-emitting devices of the rear plate 1 are carefully aligned so as to correspond to each other. In addition, the hermetic introduction terminal 103 and the glass tube 6 are installed, and are placed in a heating furnace (not shown) in a state where the above-described positioning is performed.
A frit glass 2 which is given a temperature of 0 degrees and is arranged at the position where the face plate 11, the rear plate 1 and the outer frame 4 are provided.
Dissolve 01. Thereafter, the assembly is cooled and the assembly is completed. In this state, the face plate 11, the rear plate 1, the outer frame 4, the glass tube 6, and the hermetic introduction terminal 103 could be formed as a hermetically sealable panel. Thereafter, the panel is connected to a vacuum exhaust device (not shown) through the glass tube 6, the inside of the panel is exhausted, and a forming process and an activation process are performed on each fine particle film 26. Subsequently, the evacuation of the panel is continued and a baking process is performed to remove organic substance molecules remaining in the vacuum panel. Finally, the glass tube 6 is sealed by heat welding. Through the above steps, the vacuum panel is completed.
【０３８８】次に、駆動用配線引き出し部３−１，３−
２を駆動基板と又、ガード配線１０５を外部のグランド
端子とそれぞれ接続するために、ＦＰＣ（フレキシブル
プリンティッドサーキット）４０１を図１１９の位置に
外部のＦＰＣ実装装置で電気的な接続及び固定を行う。
この後、真空パネルの筐体への組み込みと電気ボードと
ＦＰＣとの接続作業などを行い、画像形成装置が完成す
る。この際、気密導入端子１０３の導入線１０１と高圧
電源との配線引き廻し処理は、真空パネルの裏面の隅か
ら出ているために、ＦＰＣ４０１との干渉もなくスムー
ズに実装可能であった。Next, the drive wiring lead-out portions 3-1 and 3-
In order to connect the FPC 2 to the drive board and the guard wiring 105 to an external ground terminal, an FPC (flexible printed circuit) 401 is electrically connected and fixed to the position shown in FIG. 119 by an external FPC mounting device. .
Thereafter, the vacuum panel is assembled into the housing, the connection work between the electric board and the FPC is performed, and the image forming apparatus is completed. At this time, since the wiring routing process between the introduction wire 101 of the airtight introduction terminal 103 and the high-voltage power supply exits from the corner on the back surface of the vacuum panel, it could be mounted smoothly without interference with the FPC 401.
【０３８９】以上の画像形成装置にて、高電圧を供給し
画像駆動回路と外部映像を入力し画像表示させたとこ
ろ、長い時間放電などの影響もなく安定に画像表示でき
ることを確認した。In the above-described image forming apparatus, when a high voltage was supplied and an image driving circuit and an external video were input and an image was displayed, it was confirmed that an image could be displayed stably without being affected by discharge or the like for a long time.
【０３９０】以上の構成により、 （１）真空パネルを筐体モジュール化する際の高圧端子
のケーブル処理（配線引き廻し）がしやすい。真空パネ
ルの背面側に、駆動用の電気ボードを配置する時、高圧
ケーブルの配置において、放電を考慮し空間距離をとる
工夫を施す必要性があるが、隅にあると、空間を確保し
やすいとともに、設計に自由度もたらすことができる。 （２）リアプレートにＭＴＸ配線を構成する際、対称設
計が可能となるため、設計が行いやすいとともに、それ
を構成するための装置においても好都合である。 （３）隅には、駆動用の配線などがないたいことと、ガ
ード配線を配置したことで、放電に対して有利である。
以上の長所をもつ画像形成装置を提供できた。According to the above configuration, (1) cable processing (wiring routing) of a high-voltage terminal when a vacuum panel is formed into a housing module is easy. When arranging the electric board for driving on the back side of the vacuum panel, it is necessary to take measures to take the space distance in consideration of the discharge when arranging the high voltage cable, but if it is in the corner, it is easy to secure the space At the same time, the degree of freedom can be brought to the design. (2) When configuring the MTX wiring on the rear plate, a symmetrical design is possible, which facilitates the design and is advantageous in an apparatus for configuring the same. (3) Since there is no drive wiring at the corner and the guard wiring is arranged, it is advantageous for discharge.
An image forming apparatus having the above advantages can be provided.
【０３９１】（実施例２）図１２１〜１２４Ａ〜Ｃを用
いて、実施例２を説明する。図１２１は、実施例２を説
明するための画像形成装置の構成の一例を模式的に示す
分解斜め模式図である。図１２２はフェースプレート１
１の引き出し配線の種々の構成を示す図であり、図１２
３は高電圧を供給する高圧電源部を説明する図であり、
図１２４は筐体の内部構造を説明する図である。(Embodiment 2) Embodiment 2 will be described with reference to FIGS. FIG. 121 is an exploded oblique view schematically illustrating an example of the configuration of an image forming apparatus for explaining the second embodiment. FIG. 122 shows face plate 1
FIG. 12 is a diagram showing various configurations of the lead wiring of FIG.
FIG. 3 is a diagram illustrating a high-voltage power supply unit that supplies a high voltage;
FIG. 124 is a diagram illustrating the internal structure of the housing.
【０３９２】実施例２では、高圧端子を複数配置した構
成であり、図１２１のように２隅のリアプレート１１の
貫通孔１０４から２個の気密導入端子１０３を配置して
構成した。この場合のフェースプレート１１の構成は、
図１２２（１）のように引き出し配線を２隅から引き出
したパターンとなる。また、２隅の引き出し配線パター
ンに限るものではなく、例えば図１２２（２）、図１２
２（３）に示すように３隅ないし４隅に配置構成しても
よい。なお、前述した各実施形態と同様な各部には同一
符号を付して、その説明とそれらの構成、製造方法など
を省略する。The second embodiment has a configuration in which a plurality of high-voltage terminals are arranged. As shown in FIG. 121, two airtight introduction terminals 103 are arranged from the through holes 104 in the rear plate 11 at two corners. The configuration of the face plate 11 in this case is as follows.
As shown in FIG. 122 (1), a pattern is obtained in which the lead wiring is drawn from two corners. Further, the present invention is not limited to the two-corner lead-out wiring pattern.
As shown in 2 (3), it may be arranged at three or four corners. The same components as those in the above-described embodiments are denoted by the same reference numerals, and the description thereof, the configuration thereof, the manufacturing method, and the like are omitted.
【０３９３】上述の気密導入端子１０３に高電圧を供給
して画像を形成するためには、高圧電源が必要であり、
それについての説明を図１２３、図１２４を用いて説明
する。To supply a high voltage to the above-mentioned hermetic introduction terminal 103 to form an image, a high-voltage power supply is required.
This will be described with reference to FIGS. 123 and 124.
【０３９４】図１２３の７０１は高圧電源であり、７０
２は制御回路、７０３は駆動回路、７０４はトランス、
７０５は出力電圧を安定化するための電圧フィードバッ
クである。図１２４は筐体構造を説明する図であり、図
１２４Ａは図１２２、図１２３の部材を装置内部へ組み
込んだ外観図で、図１２４ＢはＡ矢視方向からみた筐体
内部の構想を示す断面図、図１２４Ｃは筐体８０１の背
面板を取り除いてＢ矢視方向からみた図であり、８０２
は図１２３による表示デバイスの真空パネルであり、８
０３は真空パネル８０２を駆動する駆動ボード、８０４
は真空パネル８０２と駆動ボード８０３とを電気的に接
続するＦＰＣ、８０５は高圧電源７０１と気密導入端子
１０３とを接続する高圧配線である。Reference numeral 701 in FIG. 123 denotes a high-voltage power supply.
2 is a control circuit, 703 is a drive circuit, 704 is a transformer,
Reference numeral 705 denotes voltage feedback for stabilizing the output voltage. FIG. 124 is a view for explaining the housing structure. FIG. 124A is an external view in which the members of FIGS. 122 and 123 are incorporated into the inside of the device. FIG. 124B is a cross-section showing the concept of the inside of the housing viewed from the direction of arrow A. FIG. 124C is a diagram in which the rear plate of the housing 801 is removed and viewed from the arrow B direction.
Is the vacuum panel of the display device according to FIG.
03, a driving board for driving the vacuum panel 802;
Is an FPC for electrically connecting the vacuum panel 802 and the driving board 803, and 805 is a high-voltage wiring for connecting the high-voltage power supply 701 and the airtight introduction terminal 103.
【０３９５】画像形成装置内の不図示のＤＣ電源より高
圧電源７０１内のトランス７０４に入力する。入力ＤＣ
はトランス７０４にて所望の電圧値に昇圧され高電圧を
出力する。この電圧出力の際の電圧変動を抑制するため
に、電圧をフィードバック７０５し、制御回路７０２に
て電圧を制御し駆動回路７０３を通してトランス７０４
に送る。本実施例で用いた電圧は、１０ｋＶで１０ｍＡ
の電圧出力とし、この電圧値を出力する高圧電源７０１
を作製すると、高圧電源７０１のトランス７０４を１つ
で構成した場合、コアの直径で５０ｍｍ程度のものにな
ってしまうが、これを複数構成するとコアの直径を小さ
く構成することが可能である。例えば、トランスを２つ
で構成すれば、１つがうけもつ電流値を１／２とするこ
とができるため、コアの外形直径寸法を３０ｍｍ程度ま
で小さくすることができる。同様に４つ設ければ１／４
となり、その直径は２５ｍｍ程度になる。すなわち、コ
アの直径を小さくすることで、トランス７０４、高圧電
源７０１を薄型化可能である。これは、図１２４Ａ〜Ｃ
に示す画像形成装置８０１をＡ矢視からみた断面構造図
（図１２４Ｃ）でわかるように、高圧電源７０１が薄型
化すれば、画像形成装置全体の奥行きを薄型化すること
ができる。高圧電源７０１の配置場所は、気密導入端子
１０３を隅に配置構成しているので、配線の引き廻しを
考慮して図１２４Ｂのように、気密導入端子１０３の近
傍で、筐体８０１の隅に配置構成した。A DC power supply (not shown) in the image forming apparatus inputs the power to a transformer 704 in a high-voltage power supply 701. Input DC
Is boosted to a desired voltage value by the transformer 704 and outputs a high voltage. In order to suppress the voltage fluctuation at the time of this voltage output, the voltage is fed back 705, the voltage is controlled by the control circuit 702, and the transformer 704 is passed through the drive circuit 703.
Send to The voltage used in this embodiment is 10 mA at 10 kV.
And a high-voltage power supply 701 that outputs this voltage value.
Is manufactured, if the transformer 704 of the high-voltage power supply 701 is constituted by one, the diameter of the core becomes about 50 mm. However, if a plurality of the transformers are arranged, the diameter of the core can be reduced. For example, if two transformers are used, the current value of one transformer can be reduced to １ ／, so that the outer diameter of the core can be reduced to about 30 mm. Similarly, if four are provided, 1/4
And its diameter is about 25 mm. That is, the transformer 704 and the high-voltage power supply 701 can be reduced in thickness by reducing the diameter of the core. This is shown in FIGS.
As can be seen from the cross-sectional structural view (FIG. 124C) of the image forming apparatus 801 shown in FIG. The high-voltage power supply 701 is disposed at the corner of the housing 801 near the airtight introduction terminal 103 as shown in FIG. Arranged and configured.
【０３９６】以上説明したように、高圧端子を複数真空
パネルの隅に配置構成し、さらに高圧電源を複数構成し
たことにより、装置全体の薄型化に寄与することができ
た。また、複数の気密導入端子を配置したことで、輝度
の勾配が減少した。このことは、大面積化に有利な構成
といえる。As described above, by arranging a plurality of high-voltage terminals at the corners of a plurality of vacuum panels and arranging a plurality of high-voltage power supplies, it was possible to contribute to a reduction in the thickness of the entire apparatus. In addition, by arranging a plurality of hermetic introduction terminals, the luminance gradient was reduced. This can be said to be a configuration advantageous for increasing the area.
【０３９７】（実施例３）図１２５Ａ、Ｂを用いて、実
施例３を説明する。図１２５Ａは、実施例３を説明する
ためのフェースプレート側からみた真空パネルの平面図
であり、図１２５Ｂは、図１２５ＡのＡ−Ａ’方向から
みた高圧端子構造部周辺の断面構造図である。なお、前
述した各実施形態と同様な各部には同一符号を付して、
その説明とそれらの構成、製造方法などを省略する。(Embodiment 3) Embodiment 3 will be described with reference to FIGS. 125A and 125B. FIG. 125A is a plan view of a vacuum panel viewed from the face plate side for explaining the third embodiment, and FIG. 125B is a cross-sectional structure view around the high-voltage terminal structure portion viewed from the AA ′ direction of FIG. 125A. . The same parts as those in the above-described embodiments are denoted by the same reference numerals,
The description, their configuration, the manufacturing method, and the like are omitted.
【０３９８】実施例３では、フェースプレート側に高圧
取り出し部を形成した構成であり、図１２５Ａ，Ｂのよ
うに引き出し配線１００の配線幅中央部の位置にフェー
スプレート９００に直径１ｍｍの貫通孔を形成し、引き
出し配線１００と電気的導通を確保すると同時に貫通孔
の内周に導電部材９０１であるＡｇペーストを塗布形成
し、その後、シール材料９０２となるフリットガラスで
埋め込み真空気密性を確保した。この構成によれば、リ
アプレート１側に形成される印刷配線などの電極体との
沿面距離を確保できるため、放電に対して有利である。The third embodiment has a configuration in which a high-voltage extraction portion is formed on the face plate side. As shown in FIGS. 125A and 125B, a through-hole having a diameter of 1 mm is formed in the face plate 900 at the center of the wiring width of the lead-out wiring 100. Then, an Ag paste as the conductive member 901 was applied and formed on the inner periphery of the through-hole at the same time as ensuring electrical continuity with the lead-out wiring 100, and then filled with frit glass serving as a sealing material 902 to ensure vacuum tightness. According to this configuration, a creepage distance with an electrode body such as a printed wiring formed on the rear plate 1 side can be ensured, which is advantageous for discharge.
【０３９９】（構成２３）高圧電源用の引出しの構成に
ついては、放電が発生した場合に高圧引き出し線との接
続部分の抵抗が高いと発熱により、脱ガスして２次的な
放電が起るという問題があり、これに対しては、接続部
分の抵抗を低くすることにより発熱が抑えられ２次放電
を抑制できる。高圧引き出し配線と中継導電膜との接続
長、またメタルバックと中継導電膜との接続長を長く取
る、あるいは中継導電膜のシート抵抗をさげることによ
り接続部分の抵抗を下げることができる。接続長を変え
て２次的な放電の起る頻度を評価したところ、中継導電
膜層と高圧引き出し配線との接続長Ｗ１［ｍｍ］、およ
び中継導電膜層とメタルバック層の接続長Ｗ２［ｍｍ］
の何れも、中継導電膜層のシート抵抗ｒ[Ω／□]に対し
て Ｗ１、Ｗ２＞（２．５×ｒ）1/2（１） を満たす接続長を採ることにより、２次放電を抑えられ
る。(Structure 23) Regarding the structure of the drawer for the high-voltage power supply, when a discharge occurs, if the resistance of the connection portion with the high-voltage lead wire is high, heat is generated to cause degassing and secondary discharge occurs. In order to solve this problem, heat generation is suppressed by lowering the resistance of the connection portion, and secondary discharge can be suppressed. By increasing the connection length between the high-voltage lead-out wiring and the relay conductive film, or between the metal back and the relay conductive film, or reducing the sheet resistance of the relay conductive film, the resistance of the connection portion can be reduced. When the frequency of occurrence of secondary discharge was evaluated by changing the connection length, the connection length W1 [mm] between the relay conductive film layer and the high-voltage extraction wiring and the connection length W2 [ mm]
In any case, the secondary discharge can be performed by adopting a connection length satisfying W1, W2> (2.5 × r) 1/2 (1) with respect to the sheet resistance r [Ω / □] of the relay conductive film layer. Can be suppressed.
【０４００】以下本構成の実施例を示す。An embodiment of this configuration will be described below.
【０４０１】（実施例１）図１２６（１）〜（７）に作
製工程を示す。（１）まず引き出し配線４０２１を印刷
法により作製する。配線は銀ペーストによる配線でシー
ト抵抗が０．１Ω/□以下となるように作製した。
（２）次に中継導電膜４０２５を同じく印刷法により作
製した。導電膜はガラスペーストにカーボンを混合した
ものを用い、厚さ２μｍとなるように作製した。その際
の中継導電膜４０２５のシート抵抗は５０Ω／□であっ
た。中継導電膜の接続長Ｗは式（１）を充分満たすよう
にＷ＝１５０ｍｍとした。（３）次に絶縁性のブラック
ストライプ４０２２を同じく印刷法により作製した。こ
の厚さは３μｍとした。（４）次にＲＧＢの蛍光体層４
００８を同じく印刷法により作製した。用いた蛍光体は
Ｐ２２系の蛍光体で、ＲＧＢ共に平均粒径５μｍのもの
を用いて、厚さ１５μｍの蛍光体層４００８とした。
（５）次にコロイダルシリカ、界面活性剤などを含んだ
水溶液を蛍光面上に塗布し、まず蛍光体層４００８の凹
凸部を湿潤させ、ついでポリメタクリレートを主成分と
した樹脂を可塑剤とともにトルエン、キシレン等の非極
性溶媒中に溶解させ、これを蛍光面上にスプレーし、蛍
光体凹凸上にｏ／ｗ型の小滴を載せ，スピンコートによ
り延伸させたのち、水分と溶剤成分を乾燥除去し厚さ３
μｍのフィルミング膜４０２８を作製した。（６）次に
画像領域のみに開口を持ったアルミ蒸着用マスク４０２
９を被せて、１０００Å厚のアルミをフィルミング膜４
０２８上に蒸着した。（７）最後にこの基板を焼成炉内
で４５０℃まで１℃/minの昇温速度にて昇温させ、３０
分この温度を維持したのち、−２．５℃/minの降温速度
で冷却させ、樹脂中間層を熱分解除去した。フィルミン
グ樹脂４０２８除去後にメタルバック層４００９は蛍光
体層４００８、ブラックストライプ層４０２２、中継導
電膜層４０２５に覆い被さるようにして接触する。Example 1 FIGS. 126 (1) to 126 (7) show the manufacturing steps. (1) First, the lead wiring 4021 is manufactured by a printing method. The wiring was made of silver paste and was manufactured so that the sheet resistance was 0.1 Ω / □ or less.
(2) Next, a relay conductive film 4025 was produced by the same printing method. As the conductive film, a mixture of carbon and glass paste was used so as to have a thickness of 2 μm. At that time, the sheet resistance of the relay conductive film 4025 was 50Ω / □. The connection length W of the relay conductive film was set to W = 150 mm so as to sufficiently satisfy Expression (1). (3) Next, an insulating black stripe 4022 was produced by the same printing method. This thickness was 3 μm. (4) Next, the RGB phosphor layer 4
008 was also produced by the printing method. The phosphor used was a P22-based phosphor having an average particle size of 5 μm for both RGB and a phosphor layer 4008 having a thickness of 15 μm.
(5) Next, an aqueous solution containing colloidal silica, a surfactant and the like is applied on the phosphor screen, firstly, the uneven portions of the phosphor layer 4008 are wetted, and then a resin containing polymethacrylate as a main component is mixed with a plasticizer in toluene. Dissolved in a non-polar solvent such as xylene or xylene, sprayed on the phosphor screen, placed o / w type droplets on the phosphor irregularities, stretched by spin coating, and dried the water and solvent components Removed thickness 3
A μm filming film 4028 was formed. (6) Next, an aluminum vapor deposition mask 402 having an opening only in the image area
9 and a 1000 mm thick aluminum filming film 4
028. (7) Finally, the substrate is heated to 450 ° C. at a rate of 1 ° C./min in a firing furnace,
After maintaining this temperature for one minute, the mixture was cooled at a temperature lowering rate of -2.5 ° C / min, and the resin intermediate layer was thermally decomposed and removed. After the removal of the filming resin 4028, the metal back layer 4009 is in contact with the phosphor layer 4008, the black stripe layer 4022, and the relay conductive layer 4025 so as to cover them.
【０４０２】（実施例２）図１２７（２）に電極構成を
示す。中継導電成膜４０２５は膜厚３μｍの黒色銀系配
線でシート抵抗は０．５Ω／□である。中継導電膜４０
２５とメタルバック４００９との接続長Ｗ２は式（１）
を十分満たすように５ｍｍの長さを採っている。高圧引
き出し配線４０２１は直径２ｍｍのタングステンワイヤ
で、電子源基板４００４を貫通して、中継導電膜４０２
１に押し当てて接触をとっている。接触部分の直径は
１．８ｍｍであるので、高圧引き出し線４０２１と中継
導電膜４０２５との接続長Ｗ１はその円周５．７ｍｍと
なり、式（１）を十分満たす。画像領域およびスペーサ
４０２０から中継導電膜４０２５までの距離Ｌを１２ｍ
ｍとした。Embodiment 2 FIG. 127 (2) shows an electrode configuration. The relay conductive film 4025 is a black silver-based wiring having a thickness of 3 μm and a sheet resistance of 0.5Ω / □. Relay conductive film 40
The connection length W2 between 25 and the metal back 4009 is given by equation (1).
The length is 5 mm so as to sufficiently satisfy the condition. The high-voltage lead wire 4021 is a tungsten wire having a diameter of 2 mm, penetrates the electron source substrate 4004, and
It is pressed against 1 to make contact. Since the diameter of the contact portion is 1.8 mm, the connection length W1 between the high-voltage lead wire 4021 and the relay conductive film 4025 is 5.7 mm in circumference, sufficiently satisfying the expression (1). The distance L from the image area and the spacer 4020 to the relay conductive film 4025 is 12 m.
m.
【０４０３】中継導電膜４０２５、絶縁性ブラックスト
ライプ４０２２、蛍光体層４００８、メタルバック層４
００９の作成方法は実施例１と同様である。The relay conductive film 4025, insulating black stripe 4022, phosphor layer 4008, metal back layer 4
The method of creating 009 is the same as in the first embodiment.
【０４０４】（実施例３）次に別の実施例について説明
する。本実施例では中継導電膜４０２５を白色銀配線で
作製した。本実施例では中継導電膜４０２５の下地膜と
して絶縁性ブラックストライプ４０２２を中継導電膜ま
で延長した。これにより白色銀配線を用いても、画像表
示面側からは黒色帯の縁取りしか見えず、画像への妨害
感は感じられなかった。中継導電膜材料として以上実施
例で使用したもの以外に、酸化ルテニウムを含む導電膜
を使用することもできる。(Embodiment 3) Next, another embodiment will be described. In this example, the relay conductive film 4025 was formed by white silver wiring. In this embodiment, an insulating black stripe 4022 is extended as a base film of the relay conductive film 4025 to the relay conductive film. As a result, even when the white silver wiring was used, only the black band border was visible from the image display surface side, and no disturbing feeling to the image was felt. As the material of the relay conductive film, a conductive film containing ruthenium oxide can be used in addition to those used in the above-described embodiments.
【０４０５】（構成２４）フェースプレートとリアプレ
ート、特に電子源基板との関係については以下の構成を
用いることができる。(Structure 24) The following structure can be used for the relationship between the face plate and the rear plate, particularly the electron source substrate.
【０４０６】まず、これらの関係については、以下のよ
うな課題があった。従来の画像形成装置においては、電
子源から放出される電子が画像形成部材の蛍光体に衝突
することによって発光する現象を利用しているが、これ
に伴う以下のような問題点が発生していた。 問題点陰極周辺領域の電極配置に伴う電界集中 問題点陽極周辺領域の絶縁部材の帯電（反射電子によ
る帯電） 問題点陰極周辺領域の絶縁部材の帯電（正電荷粒子に
よる帯電） 以上の撹乱作用により、周辺の領域に局所的な帯電が生
じ、ビーム軌道に歪みを与えたり、放電を誘発し電子線
放出素子の絶縁耐圧を低下させる原因となっていた。上
記問題点を具体的に説明する。First, there were the following problems regarding these relationships. In a conventional image forming apparatus, a phenomenon in which electrons emitted from an electron source emit light by colliding with a phosphor of an image forming member is used. However, the following problems are involved. Was. Problem Electric field concentration due to electrode arrangement around cathode area Problem Charge of insulating member around anode area (charging by reflected electrons) Problem Charging of insulating member around cathode area (charging by positively charged particles) In addition, local charging occurs in the peripheral area, causing distortion in the beam trajectory or inducing discharge, which causes a reduction in the dielectric strength of the electron beam emitting element. The above problem will be specifically described.
【０４０７】問題点 電子線放出装置は、巨視的にみて一組の陰極、陽極から
なる平行平板キャパシタとみることができる。陰極陽極
間間隙の周囲を除いた大部分は平行電場が形成され、電
界分布は、基本的に均一であるが、陰極陽極の周辺領域
は、平行電場が崩れ、電界集中点が、金属、絶縁境界す
なわち電位基底部と基板境界に発生する。Problems The electron beam emitting device can be viewed macroscopically as a parallel plate capacitor comprising a pair of cathode and anode. A parallel electric field is formed in most parts except the periphery of the gap between the cathode and the anode, and the electric field distribution is basically uniform. It occurs at the boundary, that is, at the boundary between the potential base and the substrate.
【０４０８】電界計算結果によると、陽陰極が同一面積
構成では、陽陰極間隙の内部空間の電界に対して、前記
の前記電位基底部と基板の境界の電界は約1.3倍の大き
さとなる。電界放出は、一般的に、陰極・陽極で対称で
はなく、陰極側からの電子放出がより発生しやすい。こ
のため、上記の幾何学的配置に伴う電界集中は、陰極・
基板境界からの電子の電界放出として捉えられる。上記
電界放出が誘発された場合は、電子線放出装置の基板帯
電にともなうビーム軌道ずれと居所的放電の発生原因の
一つとなるが、この境界領域の電界集中は、陰極上の電
子線放出素子の放出・非放出とは独立に、陽極への加速
電圧の印加により生じるため、電子源の非選択期間によ
り緩和することができないなどの問題も生じていた。According to the result of the electric field calculation, when the positive cathode has the same area configuration, the electric field at the boundary between the potential base and the substrate is about 1.3 times as large as the electric field in the internal space of the positive cathode gap. In general, field emission is not symmetrical between a cathode and an anode, and electron emission from the cathode side is more likely to occur. For this reason, the electric field concentration associated with the above geometrical arrangement is caused by the negative electrode
It can be regarded as field emission of electrons from the substrate boundary. When the above-mentioned field emission is induced, it becomes one of the causes of the beam orbit deviation and the local discharge caused by the charging of the substrate of the electron beam emitting device. Independently of the emission / non-emission of electrons, this is caused by the application of an acceleration voltage to the anode, so that there has been a problem that it cannot be alleviated by the non-selection period of the electron source.
【０４０９】問題点 問題点を図１２８を用いて説明する。図１２８には、
陽極としてメタルバック６１０が形成されており、画像
形成領域には蛍光体とブラックストライプからなる画像
形成部材６０６が形成された画像形成装置となってい
る。本発明のような平板型電子線放出素子の画像表示装
置においては、図１２８に示したように電子線の衝突に
より可視光を発する蛍光体とブラックストライプからな
る画像形成部材606と光反射層であるアルミ製のメタル
バック610に照射された電子ビームのうちおよそ５〜２
０％が後方散乱され、電界により高圧印加されたメタル
バック610に再突入する。さらに、この後方散乱電子線
の一部は、ガラス等の絶縁物からなるフェースプレート
605、側壁部609を衝撃し、二次電子放出や吸着ガス脱離
によるガス放出が生じる。絶縁物の二次電子放出効率に
したがって、入射電子電流量に対して（δ−１）倍の正
電荷が絶縁体であるガラス中に発生する。絶縁体の低い
導電性により発生した電荷が蓄積され、フェースプレー
トの局所的帯電となり、電界を撹乱してしまう。この電
界の撹乱により、所望の電子線軌道が得られなくなって
しまい、色ずれ等を生じる場合が合った。また、吸着ガ
スが放出されると、電子なだれにより放電が生じやすく
なり、リアプレート601側の電極や配線、更には電子放
出素子へ損傷を与えることがあった。Problem The problem will be described with reference to FIG. In FIG. 128,
A metal back 610 is formed as an anode, and an image forming apparatus in which an image forming member 606 made of a phosphor and a black stripe is formed in an image forming area. In the image display device of the flat plate type electron beam emitting device as in the present invention, as shown in FIG. 128, the image forming member 606 composed of a phosphor that emits visible light by collision of an electron beam, a black stripe, and the light reflection layer Approximately 5 to 2 out of the electron beam irradiated on a certain aluminum metal back 610
0% is backscattered and re-enters the metal back 610 to which a high voltage is applied by the electric field. In addition, part of the backscattered electron beam is a face plate made of an insulating material such as glass.
605, the side wall 609 is impacted, and secondary gas emission and gas emission due to adsorption gas desorption occur. According to the secondary electron emission efficiency of the insulator, a positive charge of (δ-1) times the amount of incident electron current is generated in the glass as the insulator. Electric charges generated due to the low conductivity of the insulator are accumulated, causing local electrification of the face plate, which disturbs the electric field. Due to the disturbance of the electric field, it was impossible to obtain a desired electron beam trajectory. Also, when the adsorbed gas is released, discharge is likely to occur due to avalanche of electrons, which may damage the electrodes and wiring on the rear plate 601 side and further damage the electron-emitting devices.
【０４１０】問題点 電子の画像形成部材への衝突の際の反応や、装置内部の
雰囲気ガスを電離することにより正イオンが発生する。
この正イオンは、加速電極により電子源と画像形成部材
との間に生じた電界により電子源から放出された電子と
は反対方向に加速され、電子源上に到達する。一方、電
子源には、電子放出素子の素子電極のパターニングに必
要な絶縁部分が多く存在している。そのため、電子源に
到達した正イオンが電子源の絶縁部分に帯電すると、電
子放出素子から放出される電子は、帯電した絶縁部分の
方向に曲げられて軌道がずれ、発光位置のずれなどの問
題が生じる。また、帯電電荷によって放電等が引き起こ
される確率が高くなり、装置の信頼性や寿命も損なわれ
てしまう。Problems Positive ions are generated by the reaction at the time of collision of the electrons with the image forming member and the ionization of the atmospheric gas inside the apparatus.
The positive ions are accelerated in the opposite direction to the electrons emitted from the electron source by the electric field generated between the electron source and the image forming member by the acceleration electrode, and reach the electron source. On the other hand, the electron source has many insulating portions necessary for patterning the device electrode of the electron-emitting device. Therefore, when the positive ions that reach the electron source are charged on the insulating part of the electron source, the electrons emitted from the electron-emitting device are bent in the direction of the charged insulating part, and their trajectories are shifted. Occurs. In addition, the probability that discharge or the like is caused by the charged electric charges increases, and the reliability and the life of the device are impaired.
【０４１１】以上のような問題点より発生する電界の撹
乱や放電は平板型画像形成装置において、高精細化／高
色純度、さらには平板型画像形成装置の信頼性に関わる
大きな問題点であった。[0411] Disturbance and discharge of the electric field generated from the above problems are major problems relating to high definition / high color purity and reliability of the flat panel image forming apparatus in the flat panel image forming apparatus. Was.
【０４１２】本出願人は、表面伝導型電子放出素子を用
いた画像形成装置をより簡単な構成で実現する方法とし
て、複数本の行方向配線と複数本の列方向配線とによっ
て、表面伝導型電子放出素子の対向する１対の素子電極
をそれぞれ結線することで、行列状に、多数個の表面伝
導型電子放出素子を配列した単純マトリクス型の電子源
を構成し、行方向と列方向に適当な駆動信号を与えるこ
とで、多数の表面伝導型電子放出素子を選択し、電子放
出量を制御し得る系を考えている。このような、表面伝
導型電子放出素子を用いた単純マトリクス型の画像形成
装置においても、同様に絶縁性部材の表面に帯電が生
じ、電子軌道に影響が出るおそれがある。上述した電子
の軌道がずれるという問題は、電子被照射部材として蛍
光体を用いていない電子線放出装置においても画像形成
装置と同様に発生する。The present applicant has proposed a method for realizing an image forming apparatus using a surface conduction electron-emitting device with a simpler configuration by using a plurality of row-direction wirings and a plurality of column-direction wirings. By connecting a pair of opposing device electrodes of the electron-emitting device, a simple matrix-type electron source in which a large number of surface conduction electron-emitting devices are arranged in a matrix is formed. A system capable of selecting a large number of surface conduction electron-emitting devices and controlling the amount of electron emission by giving an appropriate drive signal is being considered. In such a simple matrix type image forming apparatus using the surface conduction electron-emitting device, similarly, the surface of the insulating member may be charged, which may affect the electron orbit. The above-mentioned problem that the electron trajectory shifts also occurs in an electron beam emitting device that does not use a phosphor as an electron irradiation member, similarly to the image forming apparatus.
【０４１３】そこで本構成では、最小限の範囲を電位規
定することで、陰極側絶縁部の帯電および周辺部の電界
放出および陽極絶縁部の帯電を防止し、放出電子軌道の
安定と放電を抑制した高耐圧な電子線放出装置および画
像形成装置を提供することを目的とする。Therefore, in this configuration, by defining the minimum range of potential, charging of the cathode side insulating portion, field emission of the peripheral portion and charging of the anode insulating portion are prevented, and the stability and discharge of the emitted electron trajectory are suppressed. It is an object of the present invention to provide a high withstand voltage electron beam emitting apparatus and an image forming apparatus.
【０４１４】以下に述べる構成を用いることにより、最
外周部の陰極・第2基板境界部の電界放出が抑制され局
所的な帯電もなく、さらには、最外周縁部の電子放出素
子を駆動した際にも、蛍光体等の画像形成部材にて後方
散乱された電子線が絶縁物であるフェースプレート、側
壁部等の画像形成部外に入射することがない。さらに
は、加速電極下の蛍光体から正電荷粒子の離脱にともな
う陰極の帯電も抑制される。これらにより、電界に撹乱
を与える帯電や電極や電子放出素子に損傷を与える放電
等が激減し、高精細／高色純度、さらには平板型画像形
成装置の信頼性／安全性が向上する。By using the configuration described below, the field emission at the boundary between the cathode and the second substrate at the outermost periphery is suppressed, there is no local electrification, and the electron-emitting device at the outermost periphery is driven. Also in this case, the electron beam scattered backward by the image forming member such as the phosphor is not incident on the outside of the image forming portion such as the face plate or the side wall portion which is an insulator. Further, the charging of the cathode accompanying the detachment of the positively charged particles from the phosphor under the acceleration electrode is also suppressed. As a result, charging that disturbs the electric field and discharge that damages the electrodes and the electron-emitting devices are drastically reduced, and high definition / high color purity and reliability / safety of the flat plate type image forming apparatus are improved.
【０４１５】本構成の一例を、図１２９等を用いて説明
する。図１２９は、本発明の電子線放出装置を応用した
画像形成装置の第１実施例の一部を破断した斜視図であ
り、図１３０は、図１２９に示した画像形成装置をＹ方
向から見た断面を模式的に示した図である。図１３０に
おいて、リアプレート２には、複数の表面伝導型の電子
放出素子１５がマトリクス状に配列された電子源１が固
定されている。電子源１には、ガラス基板６の内面に蛍
光膜７と加速電極であるメタルバック８が形成された、
画像形成部材としてのフェースプレート３が、絶縁性材
料からなる支持枠４を介して対向配置されており、電子
源１とメタルバック８との間には、不図示の電源により
高電圧が印加される。これらリアプレート２、支持枠４
およびフェースプレート３は互いにフリットガラス等で
封着され、リアプレート２と支持枠４とフェースプレー
ト３とで外囲器１０を構成する。An example of this configuration will be described with reference to FIG. FIG. 129 is a partially cutaway perspective view of the first embodiment of the image forming apparatus to which the electron beam emitting device of the present invention is applied, and FIG. 130 is a view of the image forming apparatus shown in FIG. FIG. 4 is a diagram schematically showing a cross section taken away. In FIG. 130, an electron source 1 in which a plurality of surface conduction electron-emitting devices 15 are arranged in a matrix is fixed to a rear plate 2. In the electron source 1, a fluorescent film 7 and a metal back 8 as an accelerating electrode are formed on an inner surface of a glass substrate 6.
A face plate 3 as an image forming member is disposed opposite to a support frame 4 made of an insulating material, and a high voltage is applied between the electron source 1 and the metal back 8 by a power supply (not shown). You. These rear plate 2 and support frame 4
The face plate 3 is sealed with frit glass or the like, and the rear plate 2, the support frame 4 and the face plate 3 constitute an envelope 10.
【０４１６】また、陰極側基板すなわち電子源１の表面
には、各電子放出素子１５およびそれらを電気的に接続
する配線を除く部位の所定の範囲（図１２９中、破線で
示した範囲）にＳｎＯ2膜からなる電位規定膜が形成さ
れ、この範囲内が電位規定部９となっている。陰極側の
電位規定部９は、図１３０に示すように、メタルバック
８と電子源１との間の距離をｄとし、陽極側の電位規定
部であるメタルバック８上において各電子放出素子１５
から放出された電子が実際に照射される最大の領域を
Ａ、陽極側電位規定部すなわちメタルバックの敷設され
た領域をB、陰極側電位規定領域をCとしたとき、この領
域Bの最外郭から電子源１に向かって垂線を下ろし、こ
の垂線で囲まれた領域よりも電子源１の面に平行ないず
れの方向にもｄだけ大きい領域Cに位置する。すなわ
ち、図１３０に示した領域E（領域Ａ、Ｂ、Ｃ、E、F
は、それぞれ図２ではＸ方向の線分で示されているが、
Ｙ方向についても同様に考える）のＸ方向およびＹ方向
の長さがｄということである。さらには、陽極側の電位
規定部８は、前記各電子放出素子１５から放出された電
子が実際に照射される最大の領域である領域Aの最外郭
から、陽極として電位規定された面に平行ないずれの方
向にも2αｄだけ大きい領域に位置する。すなわち、図
１３０に示した領域FのＸ方向およびＹ方向の長さが２
αｄということである。本実施例では、電子源１とメタ
ルバック８との間の距離ｄを５ｍｍとし、αは０．６ｍ
ｍとした。On the surface of the cathode-side substrate, that is, the electron source 1, a predetermined range (a region indicated by a broken line in FIG. 129) excluding the electron-emitting devices 15 and wirings for electrically connecting them is provided. A potential regulating film made of a SnO2 film is formed, and within this range, a potential regulating section 9 is formed. 130, the distance between the metal back 8 and the electron source 1 is defined as d, and each electron emitting element 15 is disposed on the metal back 8 as the anode-side potential regulating unit.
When the maximum area to which the electrons emitted from are actually irradiated is A, the area on which the anode-side potential defining section, ie, the metal back is laid, is B, and the cathode-side potential defining area is C, the outermost area of this area B A vertical line is drawn down toward the electron source 1, and is located in a region C which is larger by d in any direction parallel to the surface of the electron source 1 than a region surrounded by the vertical line. That is, the region E (regions A, B, C, E, F
Are shown by X-direction line segments in FIG. 2, respectively.
The length in the X direction and the Y direction in the Y direction is similarly considered. Further, the potential regulating section 8 on the anode side extends from the outermost region of the region A, which is the largest region to which the electrons emitted from each of the electron-emitting devices 15 are actually irradiated, in parallel with the surface whose potential is regulated as the anode. It is located in an area larger by 2αd in any direction. That is, the length of the region F shown in FIG.
αd. In this embodiment, the distance d between the electron source 1 and the metal back 8 is 5 mm, and α is 0.6 m.
m.
【０４１７】次に、本実施例の動作について説明する。
各電子放出素子１５に、容器外端子Ｄｏｘ１ないしＤｏ
ｘｍとＤｏｙ１ないしＤｏｙｎを通じて電圧を印加する
と、電子放出部２３から電子が放出される。それと同時
にメタルバック８（あるいは不図示の透明電極）に高圧
端子ＨVを通じて５ｋＶの高電圧を印加して電子放出部
２３から放出された電子を加速し、フェースプレート３
の内面に衝突させる。これにより、蛍光膜７の蛍光体７
ａ（図１３１参照）が励起されて発光し、画像が表示さ
れる。ところで、本実施例を含む陽極に加速電極を備え
た平面型の画像形成装置においては、発光輝度を確保す
るために加速電圧を大きくすることが要求される。した
がって、陽極のメタルバック８と陰極の電位規定部９の
間に印加される電圧は、大きい場合には20kV程度にもな
り、陽極陰極の間隙の平行電場が形成されている領域の
電界は1kV/cm乃至数十kV/cmにも達する。しかしなが
ら、こうした、陽極陰極の最外殻領域は、両電極の間隙
のような空間的な対称性が崩れるため、電場が平行から
ずれ曲げられた状態となる。とくに、陽極陰極と絶縁部
材との境界領域は電界集中がおこり、局所的に内部の間
隙のほぼ1.3倍の電界の集中が生じる。また、通常電界
集中に伴う電界放出が問題となるのは、ほとんどの場
合、陰極側からの電子放出である。したがって、陰極終
端側からみた陽極の電圧印加部分が直上になく、陽極が
相対的に陰極よりも小さい構成をとれば、陰極側終端の
電界集中が緩和するが、さらには、陽極終端部が陰極終
端部よりも陰極への射影面内において内側すなわち電界
印加領域側に少なくとも陽陰極間距離ｄだけ引き込んだ
構成をとれば、終端部の陽極陰極間距離は実質的に1/√
２だけ抑制され、陰極側の電界集中が問題とならないレ
ベルまで緩和させることが可能となる。もちろん、陽陰
極の終端部の投影境界の差として、ｄよりおおきく確保
しても陰極側の電界集中が緩和されていれば差し支えな
い。Next, the operation of this embodiment will be described.
External terminals Dox1 through Do
When a voltage is applied through xm and Doy1 to Doyn, electrons are emitted from the electron emitting portion 23. At the same time, a high voltage of 5 kV is applied to the metal back 8 (or a transparent electrode (not shown)) through the high voltage terminal HV to accelerate the electrons emitted from the electron emitting portion 23, and the face plate 3
Collision with the inside. Thereby, the phosphor 7 of the phosphor film 7 is formed.
a (see FIG. 131) is excited to emit light, and an image is displayed. By the way, in the flat type image forming apparatus including the accelerating electrode on the anode including the present embodiment, it is required to increase the accelerating voltage in order to secure emission luminance. Accordingly, the voltage applied between the metal back 8 of the anode and the potential regulating portion 9 of the cathode becomes as large as about 20 kV when it is large, and the electric field in the region where the parallel electric field is formed in the gap between the anode and the cathode is 1 kV. / cm to several tens of kV / cm. However, in such an outermost shell region of the anode and cathode, since the spatial symmetry such as the gap between the two electrodes is broken, the electric field is deviated from the parallel state and is bent. In particular, electric field concentration occurs in the boundary region between the anode and cathode and the insulating member, and the electric field is locally concentrated approximately 1.3 times the internal gap. In most cases, electron emission from the cathode side causes the problem of the field emission accompanying the electric field concentration. Therefore, if the anode voltage application portion viewed from the cathode terminal side is not directly above and the anode is configured to be relatively smaller than the cathode, the electric field concentration at the cathode side terminal is reduced, but the anode terminal part is By adopting a configuration in which the distance between the anode and the cathode at the end portion is drawn at least inside the projection plane toward the cathode from the end portion, that is, toward the electric field application region, the distance between the anode and the cathode at the end portion is substantially 1 / √.
2 and the concentration of the electric field on the cathode side can be reduced to a level that does not cause a problem. Of course, even if the difference between the projection boundaries at the end portions of the positive and negative cathodes is secured larger than d, it is acceptable if the electric field concentration on the cathode side is reduced.
【０４１８】次に、本発明の陽陰極の配置のより好まし
い構成の説明のために、フェースプレート構成の拡大詳
細図を図１３２に示す。図１３２において、1005は導電
性向上のため設けられた透明導電膜であるITO膜1011と
アルミニウム薄膜のメタルバック1010で覆われた蛍光体
1006がパネル内側に設置された青板ガラスからなるフェ
ースプレートである。最外周縁部の電子放出素子1002か
ら放出された一次電子が入射方向からθの角度で後方散
乱され、後方散乱電子が平行電界により再加速されてい
る様子を模式的に表している。ｄはフェースプレート10
05とリアプレート1001の間隔であり、実質的に陽極・陰
極間の距離に等しい。Fは一次電子線が照射される蛍光
体1006の周縁部から、導電体であるメタルバック1010と
ITO膜1011の端部までの距離を表している。Next, FIG. 132 shows an enlarged detailed view of the face plate structure for explaining a more preferable structure of the arrangement of the positive and negative electrodes of the present invention. In FIG. 132, reference numeral 1005 denotes a phosphor covered with an ITO film 1011 which is a transparent conductive film provided for improving conductivity and a metal back 1010 of an aluminum thin film.
Reference numeral 1006 denotes a face plate made of blue glass placed inside the panel. This schematically shows that primary electrons emitted from the electron-emitting device 1002 at the outermost periphery are backscattered at an angle of θ from the incident direction, and the backscattered electrons are reaccelerated by a parallel electric field. d is face plate 10
05 and the distance between the rear plate 1001, which is substantially equal to the distance between the anode and the cathode. F is a metal back 1010, which is a conductor, from a peripheral portion of the phosphor 1006 irradiated with the primary electron beam.
The distance to the end of the ITO film 1011 is shown.
【０４１９】図１３２に示すように一次電子線が入射す
るアルミメタルバック1010上の点を原点にとり、x軸、y
軸を図の通りに考えると、後方散乱角θで後方散乱した
電子線の軌道はAs shown in FIG. 132, a point on the aluminum metal back 1010 where the primary electron beam enters is taken as the origin, and the x-axis, y
Considering the axes as shown in the figure, the orbit of the electron beam backscattered at the backscattering angle θ is
【０４２０】[0420]
【数１】 となる。ここに、ｖ0は後方散乱電子線の後方散乱直後
の速度の絶対値、ｅ，ｍはそれぞれ、電子の電荷、質量
である。Ｅｙ、ｔはy方向電界強度と時間である。な
お、ここでは平行電場を仮定しており、x方向の電界強
度Ｅｘ＝０としている。(Equation 1) Becomes Here, v0 is the absolute value of the velocity of the backscattered electron beam immediately after backscattering, and e and m are the charge and mass of the electron, respectively. Ey and t are the y-direction electric field strength and time. Here, a parallel electric field is assumed, and the electric field strength Ex = 0 in the x direction is set.
【０４２１】次に、電子線が電界に再加速されて、着地
(ｙ＝０)するまでの距離ｘ(θ)＝Ｆを求める。そのため
に、次の関係を用いて、上式に代入、変形すると、Next, the electron beam is re-accelerated by the electric field,
The distance x (θ) = F until (y = 0) is obtained. Therefore, by substituting and transforming into the above equation using the following relationship,
【０４２２】[0422]
【数２】 となる。ここに、α、Ｖａはそれぞれ、一次電子線と後
方散乱電子線のエネルギー比、フェースプレートに印可
された一次電子線の加速電圧である。αは一次電子線が
入射する部材の材質、形状、構成等に大きく依存し、一
般にα＝０．６〜１である。Ｆはθ＝π／４にて、次式
で表される最大値をとり、 Ｆ＝２αｄ すなわち、周縁部で生じた後方散乱電子線は周縁部か
ら、最大2αｄの距離に再着地することがわかる。(Equation 2) Becomes Here, α and Va are respectively the energy ratio between the primary electron beam and the backscattered electron beam, and the acceleration voltage of the primary electron beam applied to the face plate. α greatly depends on the material, shape, configuration and the like of the member on which the primary electron beam is incident, and generally α = 0.6 to 1. F takes the maximum value represented by the following formula at θ = π / 4, and F = 2αd. That is, the backscattered electron beam generated at the peripheral portion can re-land at a distance of 2αd at the maximum from the peripheral portion. Understand.
【０４２３】以上の考察に基づき、画像形成部の周縁部
から2αｄ以上に導電体を配し、さらにその外側に側壁
部を配置することにより、後方散乱電子線が画像表示エ
リア外のガラス等の絶縁部や側壁部に衝突することがな
くなる。そして、二次電子放出やガス放出等に伴う帯電
や放電が減少し、平板型画像形成装置の高精細化／高色
純度化、そしてデバイスとしての信頼性が向上する。Based on the above considerations, by arranging a conductor at least 2αd from the peripheral portion of the image forming portion and further arranging the side wall portion on the outside thereof, the backscattered electron beam can be prevented from being reflected on glass or the like outside the image display area. Collision with the insulating portion and the side wall is eliminated. Then, charging and discharging due to secondary electron emission, gas emission and the like are reduced, so that the flat type image forming apparatus has higher definition / higher color purity, and the reliability as a device is improved.
【０４２４】次に、本発明の陽陰極の配置のさらなる好
ましい構成の説明のために、リアプレート構成の拡大詳
細図として図１３２を用いて説明する。電子放出部1002
から放出されたがフェースプレート1005の内面に衝突す
ることにより蛍光体1006が発光するが、この発光現象以
外に、蛍光膜1006やメタルバック1010に付着した粒子が
電離・散乱される現象が生じる。この散乱粒子のうち、
正イオンはメタルバック1010に印加される電圧により電
子源1003側に向かって加速され、電界に対して垂直方向
の初速度に応じて放物線軌道をとって飛翔する。Next, in order to describe a further preferable configuration of the arrangement of the positive and negative electrodes of the present invention, an enlarged detailed view of the rear plate configuration will be described with reference to FIG. Electron emission unit 1002
However, the phosphor 1006 emits light by colliding with the inner surface of the face plate 1005. In addition to this light emission phenomenon, a phenomenon occurs in which particles attached to the fluorescent film 1006 and the metal back 1010 are ionized and scattered. Of these scattering particles,
The positive ions are accelerated toward the electron source 1003 by the voltage applied to the metal back 1010, and fly in a parabolic orbit according to the initial velocity in the direction perpendicular to the electric field.
【０４２５】ここで、電子源1003とメタルバック1010と
の間の電位差をＶａ、正イオンの水平方向の初期運動エ
ネルギーの最大値をｅＶｉ［eV］、正イオンの質量ｍ
［ｋｇ］電荷量＋q［C］垂直方向への初速度をvin、水
平方向のへの初速度をvitとしたとき、メタルバック８
の表面に発生した正イオンが距離ｄだけ離れた電子源10
03に到達するまでに要する時間ｔと電子源1001の面に平
行な方向への移動距離ΔＳは、Here, the potential difference between the electron source 1003 and the metal back 1010 is Va, the maximum initial kinetic energy of the positive ions in the horizontal direction is eVi [eV], the mass of the positive ions m
[Kg] When the charge amount + q where [C] initial velocity v in the vertical direction, the initial velocity in the horizontal direction was set to v it, the metal back 8
Electron source 10 in which positive ions generated on the surface of
The time t required to reach 03 and the moving distance ΔS in a direction parallel to the plane of the electron source 1001 are:
【０４２６】[0426]
【数３】 で表わされる。このとき、正イオンの条件としての最大
到達範囲は、下記条件（４）、（５）で与えられ(Equation 3) Is represented by At this time, the maximum reach as the condition of the positive ion is given by the following conditions (4) and (5).
【０４２７】[0427]
【数４】 このとき(Equation 4) At this time
【０４２８】[0428]
【数５】 となる、なお、本実施例では、メタルバック1010と蛍光
体1006とをあわせた厚さは約５０μｍ以下であるので、
電子源1001とメタルバック1010との距離ｄを、リアプレ
ート1001とフェースプレート1006との距離としても実用
上は差し支えない。(Equation 5) In the present embodiment, the total thickness of the metal back 1010 and the phosphor 1006 is about 50 μm or less.
In practice, the distance d between the electron source 1001 and the metal back 1010 may be the distance between the rear plate 1001 and the face plate 1006.
【０４２９】仮に、メタルバック1010の表面で発生した
正イオンが、メタルバック1010に印加された電圧による
エネルギーの全てを受けて電子源1003の面と水平な方向
に飛び出したとすると、この正イオンが電子源1003に到
達するまでの移動距離ΔＳは、（６）式においてＶｉに
Ｖａを代入し、ΔＳｍａｘ＝２ｄ（７）となる。すなわ
ち、メタルバック1010の、実際に電子が衝突する位置か
ら電子源1003の面に対する垂線を延ばし、電子源1003の
内面上において、この垂線の電子源1003との交点を中心
とする半径２ｄの範囲内が、メタルバック1010の表面で
発生した正イオンが到達する可能性のある部位である。If positive ions generated on the surface of the metal back 1010 receive all of the energy due to the voltage applied to the metal back 1010 and fly out in a direction parallel to the surface of the electron source 1003, the positive ions The moving distance ΔS to reach the electron source 1003 is obtained by substituting Va for Vi in the equation (6), and ΔSmax = 2d (7). That is, a perpendicular line to the surface of the electron source 1003 is extended from the position where the electrons actually collide with the metal back 1010, and a range of a radius 2 d centered on the inner surface of the electron source 1003 with the intersection of the perpendicular line with the electron source 1003. The inside is a portion where the positive ions generated on the surface of the metal back 1010 may reach.
【０４３０】したがって、少なくとも（７）式を満たす
範囲内を電位規定しておけば、メタルバック1010の表面
で発生した正イオンの飛翔方向に電位不定面が存在せ
ず、電子源１が帯電することがなくなる。本実施例で
は、上述したように陰極側電位規定部1003を陽極側電位
規定部1010から水平にかつ外側に少なくともｄ、さら
に、陽極側電位規定部1010を電子被照射領域1006から同
じく水平にかつ外側に少なくとも１．２ｄ離れた所まで
配置しているため、陰極側電位規定部1003は被照射領域
1006から２．２ｄ外側にまで形成されていることにな
り、結果的に、この電位規定部1003の範囲は（７）式を
満たしている。もちろん、電位規定部1003の大きさを上
述した範囲よりも大きくしても、（７）式を満たす範囲
内が電位規定されていることになるので差し支えない。Therefore, if the potential is defined at least in the range satisfying the expression (7), there is no potential indeterminate surface in the flight direction of the positive ions generated on the surface of the metal back 1010, and the electron source 1 is charged. Is gone. In the present embodiment, as described above, the cathode-side potential regulating unit 1003 is at least d horizontally and outward from the anode-side potential regulating unit 1010, and further, the anode-side potential regulating unit 1010 is also horizontally and similarly from the electron irradiation region 1006. Since it is located at least 1.2d away from the outside, the cathode side potential regulating unit 1003
This means that it is formed from 1006 to 2.2 d outside, and as a result, the range of the potential regulating portion 1003 satisfies the expression (7). Of course, even if the size of the potential regulating unit 1003 is made larger than the above-mentioned range, the potential within the range satisfying the expression (7) is defined, so that there is no problem.
【０４３１】また、電位規定部1003を構成する電位規定
膜の抵抗値は比較的高いが、電位規定部1003全体に対す
る電位規定膜の面積の比率は３０％以内であり、他の部
分は金属からなる電極等、抵抗値が十分に低い導電材で
覆われているため、電位を規定するには十分である。す
なわち電位規定部1003は、その全てが抵抗値が低い導電
材で構成される必要はなく、抵抗値が低いものと高いも
のとを組み合せて構成してもよい。この場合、電位規定
部1003の面積のうち５０％以上を表面抵抗値が１×１０
の５乗Ω／□以下の導電材で構成し、残りの部分を表面
抵抗値が１×１０の１２乗Ω／□以下の導電材で構成す
ることが好ましい。Although the resistance value of the potential regulating film constituting the potential regulating portion 1003 is relatively high, the ratio of the area of the potential regulating film to the entire potential regulating portion 1003 is within 30%, and the other portions are made of metal. The electrode is covered with a conductive material having a sufficiently low resistance value, such as an electrode, which is sufficient for defining the potential. That is, the potential regulating section 1003 does not need to be entirely formed of a conductive material having a low resistance value, and may be configured by combining a material having a low resistance value and a material having a high resistance value. In this case, 50% or more of the area of the potential regulating section 1003 has a surface resistance of 1 × 10
Preferably, the conductive material has a surface resistance value of 1 × 10 or less and a power of 12 × Ω / □ or less.
【０４３２】以上説明したように陰極側基板上に電位規
定部1003を設けることで、フェースプレート1005の内面
の帯電が発生しなくなるので、電子放出部1002から放出
された電子の軌道が安定し、位置ずれのない良好な画像
が得られた。また、放電等が引き起こされる確率も極め
て低くなり、信頼性の高い画像形成装置が得られた。As described above, by providing the potential regulating portion 1003 on the cathode side substrate, the inner surface of the face plate 1005 is not charged, so that the trajectory of the electrons emitted from the electron emitting portion 1002 is stabilized. A good image with no displacement was obtained. Further, the probability of causing discharge or the like was extremely low, and a highly reliable image forming apparatus was obtained.
【０４３３】通常、電子放出素子1015の対の素子電極１
６、１７間の印加電圧は１２〜１６Ｖ程度、メタルバッ
ク1010と電子源1001との距離ｄは２ｍｍ〜８ｍｍ程度、
メタルバック８の印加電圧Ｖａは１ｋＶ〜１０ｋＶ程度
である。本実施例では、対の素子電極１０１６、１０１
７間の印加電圧は１４Ｖ、メタルバック１０１０と電子
源１との距離は上述したように５ｍｍ、メタルバック８
の印加電圧Ｖａは５ｋＶとした。Usually, a pair of device electrodes 1 of the electron-emitting device 1015
The applied voltage between 6 and 17 is about 12 to 16 V, the distance d between the metal back 1010 and the electron source 1001 is about 2 mm to 8 mm,
The applied voltage Va of the metal back 8 is about 1 kV to 10 kV. In this embodiment, the pair of device electrodes 1016 and 101
7 is 14 V, the distance between the metal back 1010 and the electron source 1 is 5 mm as described above,
The applied voltage Va was 5 kV.
【０４３４】なお、本構成における電位規定部は、例え
ばＸ方向及びＹ方向での素子電極の配置ピッチからなる
微小領域中の基板よりも抵抗が小さく電位が規定されて
いる部分の割合が３０％以上の領域として認識すること
ができる。In the present configuration, the potential defining portion has a smaller resistance than the substrate in a minute region composed of the arrangement pitch of the device electrodes in the X direction and the Y direction. These areas can be recognized.
【０４３５】（構成２５）フェースプレートとリアプレ
ートとの関係については、フェースプレートよりもリア
プレートを大きくする構成をとることができる。例え
ば、リアプレートのサイズは、９００ｍｍ×５８０ｍ
ｍ、フェースプレートサイズ８５０ｍｍ×５３０ｍｍを
使用することができる。(Configuration 25) Regarding the relationship between the face plate and the rear plate, a configuration can be adopted in which the rear plate is larger than the face plate. For example, the size of the rear plate is 900 mm x 580 m
m, a face plate size of 850 mm × 530 mm can be used.
【０４３６】表面伝導型電子放出素子を、基板を兼ねる
リアプレート上に複数形成し、マトリクス状に配線して
電子源を形成し、これを用いて画像形成装置を作製し
た。図１３３は，その一例である画像表示装置の正面図
である。図１３３において，101は電子放出素子を構成
した青板ガラスからなるリアプレート，105は電子放出
部，109はメタルバック及び蛍光体が形成された青板ガ
ラスからなるフェースプレート，111は外枠、403はＸ方
向配線、406はY方向配線、316は画像表示装置を駆動す
るための駆動用プリント基板、206はＸ、Ｙ方向配線40
3,406とプリント基板316とを接続するFPC、である。な
お、配線の取り出しは、例えば画像表示部が１０インチ
角の場合３方向から、３０インチ角の場合４方向からと
することができる。次に、本構成の実施例を挙げる。A plurality of surface conduction electron-emitting devices were formed on a rear plate also serving as a substrate, wired in a matrix to form an electron source, and an image forming apparatus was manufactured using the electron source. FIG. 133 is a front view of an example of the image display device. In FIG. 133, 101 is a rear plate made of soda lime glass constituting an electron emitting element, 105 is an electron emitting portion, 109 is a face plate made of a soda lime glass having a metal back and a phosphor, 111 is an outer frame, and 403 is an outer frame. X-direction wiring, 406 is Y-direction wiring, 316 is a driving printed board for driving the image display device, 206 is X and Y-direction wiring 40
FPC for connecting 3,406 and the printed circuit board 316. The wiring can be taken out from, for example, three directions when the image display unit is 10 inches square, and from four directions when the image display unit is 30 inches square. Next, an example of this configuration will be described.
【０４３７】（実施例１）図１３３に画像表示装置にＦ
ＰＣとプリント基板を接続した図を示す。図にはＦＰＣ
を分割した状態を示すが、一括ＦＰＣでもよい。Example 1 FIG. 133 shows an image display device with F
The figure which connected the PC and the printed circuit board is shown. The figure shows the FPC
Is shown, but batch FPC may be used.
【０４３８】まず、リアプレート１０１の外部取出し配
線であるＸ方向電極配線403にＡＣＦをＦＰＣ２０６を
接続する位置に貼り付ける。次にリアプレート１０１の
Ｘ方向電極配線403とそこからプリント基板までを接続
するのに必要なＦＰＣ２０６を接合する位置にセットし
Ｘ方向電極配線403の位置合わせを行い一致させる。Ｆ
ＰＣ２０６のＦＰＣ電極２０７とリアプレート１０１の
Ｘ方向電極配線403が一致したところで、ＦＰＣ２０６
と画像表示装置を熱圧着ツールの下に移動させる。その
後熱圧着ツールを降ろしてＦＰＣ２０６とＸ方向電極配
線403をＡＣＦによって熱圧着させＦＰＣ２０６とＸ方
向電極配線403の接合を完了した。このように、ＦＰＣ2
06とＸ方向電極配線403の接合を完了し１辺の接合を行
った。それをリアプレート101のＸ方向電極配線403、Y
方向電極配線406の必要な４辺について行った。その
後、リアプレート101に接合されたＦＰＣ206についてい
るコネクタ(不図示）をプリント基板316のコネクタ部に
さし込み、リアプレート101とプリント基板316の接続が
完了した。この画像表示装置のＸ方向配線には１４Ｖの
任意の電圧信号を、Ｙ方向配線には７Ｖの電位とし、フ
ェースプレートのメタルバックに５ｋＶのアノード電圧
を印加したところ、放電のない任意の良質な画像を表示
することができた。First, an ACF is attached to the X-direction electrode wiring 403, which is an external wiring of the rear plate 101, at a position where the FPC 206 is connected. Next, the X-direction electrode wiring 403 of the rear plate 101 is set at a position where the FPC 206 necessary for connecting the X-direction electrode wiring 403 to the printed circuit board is connected thereto, and the X-direction electrode wiring 403 is aligned and matched. F
When the FPC electrode 207 of the PC 206 and the X-direction electrode wiring 403 of the rear plate 101 match, the FPC 206
And the image display device are moved under the thermocompression bonding tool. Thereafter, the thermocompression bonding tool was lowered, and the FPC 206 and the X-direction electrode wiring 403 were thermocompression-bonded by ACF to complete the joining of the FPC 206 and the X-direction electrode wiring 403. Thus, FPC2
06 and the X-direction electrode wiring 403 were joined, and one side was joined. The X-direction electrode wiring 403 on the rear plate 101, Y
The measurement was performed on four necessary sides of the direction electrode wiring 406. Thereafter, a connector (not shown) attached to the FPC 206 joined to the rear plate 101 was inserted into the connector portion of the printed board 316, and the connection between the rear plate 101 and the printed board 316 was completed. When an arbitrary voltage signal of 14 V is applied to the X-directional wiring and a potential of 7 V is applied to the Y-directional wiring of the image display device, and an anode voltage of 5 kV is applied to the metal back of the face plate, any good quality without discharge is obtained. Images could be displayed.
【０４３９】以上のようにして、画像表示装置を製造し
た。以上のように作製した画像表示装置はリアプレート
のみに外部取出し電極を持つため、通電処理時にリアプ
レートのみにプローバー等を上から落して工程ができる
ため容易に電極に電圧や電流を流すことができ、電極部
の接触不良がほとんどなくなるため、均一な画像を作製
することができる。As described above, the image display device was manufactured. Since the image display device manufactured as described above has an external extraction electrode only on the rear plate, the process can be performed by dropping the prober or the like from above only on the rear plate during the energization process, so that voltage or current can be easily applied to the electrode. Since there is almost no contact failure of the electrode portion, a uniform image can be produced.
【０４４０】また、ＦＰＣの接合時に、画像表示装置を
反転することなく接合ができるため、反転による画像表
示装置の保持方法の煩雑や割れの危険がなく、接合時の
時間が短縮できる。また、反転無しの接合と比較して、
接合装置が単純で容易なため不良がほとんどない接合が
できる。[0440] In addition, since the image display device can be joined without inverting the FPC at the time of joining, the method of holding the image display device due to the inversion is not complicated and there is no danger of cracking, and the time for joining can be shortened. In addition, compared to joining without inversion,
Since the joining device is simple and easy, joining can be performed with almost no defects.
【０４４１】（実施例２）本発明の実施例２を以下に示
して説明する。本発明のフェースプレートサイズは、９
００ｍｍ×５８０ｍｍ、リアプレートサイズは８５０ｍ
ｍ×５３０ｍｍを使用した。(Embodiment 2) Embodiment 2 of the present invention will be described below. The face plate size of the present invention is 9
00mm × 580mm, rear plate size is 850m
mx 530 mm was used.
【０４４２】このフェースプレート、外枠、リアプレー
トを使用してパネルを作製するが、一部のパネルの作製
方法については第1実施例と同様であるので異なる部分
のみを述べる。図１３４は，その一例である画像表示装
置の正面図である。図１３４において、２１０は電子放
出素子を構成した青板ガラスからなるリアプレート、１
０５は電子放出部、403はＸ方向配線、406はY方向配
線、316は画像表示装置を駆動するための駆動用プリン
ト基板、206はＸ、Ｙ方向配線403,406とプリント基板31
6とを接続するFPC、である。フェースプレートは省略し
てある。A panel is manufactured by using the face plate, the outer frame, and the rear plate. The manufacturing method of a part of the panel is the same as that of the first embodiment, and therefore, only different portions will be described. FIG. 134 is a front view of an example of the image display device. In FIG. 134, reference numeral 210 denotes a rear plate made of soda lime glass constituting an electron-emitting device;
05 is an electron emission portion, 403 is an X direction wiring, 406 is a Y direction wiring, 316 is a driving printed board for driving an image display device, 206 is an X and Y direction wiring 403, 406 and a printed board 31
FPC, which connects to 6. The face plate is omitted.
【０４４３】まず、基板に前述の電子放出部105を形成
しておく。また，画像表示装置のフェースプレートの内
側表面には，あらかじめ蛍光体を塗布し，さらに蛍光体
の表面に導電性を持たせたメタルバックを形成してお
く。First, the above-mentioned electron emitting portion 105 is formed on a substrate. In addition, a phosphor is applied in advance on the inner surface of the face plate of the image display device, and a metal back having conductivity is formed on the surface of the phosphor.
【０４４４】このフェースプレート，外枠，リアプレー
ト201、排気管（不図示）等に低融点ガラスを塗布し，
フェースプレートの位置とリアプレートとの位置合わせ
を行なった後，治具等により固定したのち，電気炉にい
れて低融点ガラスの融点以上の温度に加熱し，接合し機
密容器を完成させる。A low-melting glass is applied to the face plate, outer frame, rear plate 201, exhaust pipe (not shown), etc.
After aligning the position of the face plate with the rear plate, the plate is fixed with a jig or the like, and then placed in an electric furnace and heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the low-melting glass, and joined to complete a confidential container.
【０４４５】その後，配線を通してプローバーによって
通電処理を行い、最後に排気管を封止する。次に、上記
のように作製した画像表示装置の外部取出し配線とＦＰ
Ｃとを接続させる方法を説明する。図１３４に画像表示
装置にＦＰＣとプリント基板を接続した図を示す。ま
ず、フェースプレートを下にして、圧着装置上にセット
する。次に、リアプレート２０１の外部取出し配線であ
るＸ方向電極配線403又は503にＡＣＦを、ＦＰＣ２０６
を接続する位置に貼り付ける。次にリアプレート２０１
のＸ方向電極配線403又は503とそこからプリント基板ま
でを接続するのに必要なＦＰＣ２０６を接合する位置に
セットしＸ方向電極配線403又は503の位置合わせを行い
一致させる。ＦＰＣ２０６のＦＰＣ電極２０７とリアプ
レート２０１のＸ方向電極配線403又は503が一致したと
ころで、ＦＰＣ２０６と画像表示装置を熱圧着ツールの
下に移動させる。その後熱圧着ツールを降ろしてＦＰＣ
２０６とＸ方向電極配線403又は503をＡＣＦによって熱
圧着させＦＰＣ２０６とＸ方向電極配線403又は503の接
合を完了した。このように、ＦＰＣ206とＸ方向電極配
線403又は503の接合を完了し１辺の接合を行った。それ
をリアプレート２０１のＸ方向電極配線403又は503、Y
方向電極配線406又は506の必要な４辺について行った。
その後、リアプレート２０１に接合されたＦＰＣ206に
ついているコネクタ(不図示）をプリント基板316のコネ
クタ部にさし込み、リアプレート２０１とプリント基板
316の接続が完了した。この画像表示装置のＸ方向配線
には１４Ｖの任意の電圧信号を、Ｙ方向配線には７Ｖの
電位とし、フェースプレートのメタルバックに５ｋＶの
アノード電圧を印加したところ、放電のない任意の良質
な画像を表示することができた。[0445] After that, a current supply process is performed by a prober through the wiring, and finally the exhaust pipe is sealed. Next, the external wiring and the FP of the image display device manufactured as described above were used.
A method for connecting C will be described. FIG. 134 shows a diagram in which an FPC and a printed circuit board are connected to an image display device. First, it is set on a crimping device with the face plate facing down. Next, the ACF is applied to the X-direction electrode wiring 403 or 503, which is the external extraction wiring of the rear plate 201, and the FPC 206
To the location where you want to connect. Next, the rear plate 201
The X-direction electrode wiring 403 or 503 is set at a position where the FPC 206 necessary for connecting the X-direction electrode wiring 403 or 503 to the printed circuit board therefrom is joined, and the X-direction electrode wiring 403 or 503 is aligned and matched. When the FPC electrode 207 of the FPC 206 matches the X-direction electrode wiring 403 or 503 of the rear plate 201, the FPC 206 and the image display device are moved under the thermocompression bonding tool. Then, remove the thermocompression bonding tool and remove the FPC
206 and the X-direction electrode wiring 403 or 503 were thermocompression-bonded by ACF, and the joining of the FPC 206 and the X-direction electrode wiring 403 or 503 was completed. Thus, the joining of the FPC 206 and the X-direction electrode wiring 403 or 503 was completed, and one side was joined. The X-direction electrode wiring 403 or 503 of the rear plate 201, Y
The measurement was performed on the necessary four sides of the direction electrode wiring 406 or 506.
Then, a connector (not shown) attached to the FPC 206 joined to the rear plate 201 is inserted into a connector portion of the printed circuit board 316, and the rear plate 201 and the printed circuit board 316 are connected.
316 connections completed. When an arbitrary voltage signal of 14 V is applied to the X-directional wiring and a potential of 7 V is applied to the Y-directional wiring of the image display device, and an anode voltage of 5 kV is applied to the metal back of the face plate, any good quality without discharge is obtained. Images could be displayed.
【０４４６】以上のように作製した画像表示装置は実施
例１と異なり、通電処理時、ＦＰＣ接合時にフェースプ
レートを下にしてセットして工程を得ることになるが、
セットする時にリアプレートを下かフェースプレートを
下にするかの違いだけで、特に工程に差が生じることは
ない。このように、フェースプレートのみに外部取出し
電極を持つため、通電処理時にフェースプレートのみに
プローバー等を落して工程ができるため容易に電極に電
圧や電流を流すことができ、電極部の接触不良がほとん
どなくなるため、均一な画像を作製することができる。The image display device manufactured as described above differs from the first embodiment in that the face plate is set down at the time of energization processing and FPC bonding to obtain a process.
There is no particular difference in the process just by setting the rear plate down or the face plate down when setting. As described above, since the external extraction electrode is provided only on the face plate, a prober or the like can be dropped only on the face plate during the energization process, so that a process can be performed. Since it almost disappears, a uniform image can be produced.
【０４４７】また、ＦＰＣの接合時に、画像表示装置を
反転することなく接合ができるため、反転による画像表
示装置の保持方法の煩雑や割れの危険がなく、接合時の
時間が短縮できる。また、反転無しの接合と比較して、
接合装置が単純で容易なため不良がほとんどない接合が
できる。In addition, since the image display device can be joined without inverting the FPC at the time of joining, there is no danger of the image display device being held by the inversion, and there is no danger of cracking, and the time for joining can be reduced. In addition, compared to joining without inversion,
Since the joining device is simple and easy, joining can be performed with almost no defects.
【０４４８】（実施例３）本構成の実施例３を以下に示
して説明する。本構成のフェースプレートサイズは、３
００ｍｍ×２５０ｍｍ、リアプレートサイズは３５０ｍ
ｍ×３００ｍｍを使用した。まず、リアプレート１０１
に実施例１と同様に電子放出部105や電極を形成してお
く。また，画像表示装置のフェースプレート109の内側
表面には，あらかじめ蛍光体107を塗布し，さらに蛍光
体に表面に導電性を持たせたメタルバック108を形成し
ておく。このフェースプレート109，外枠111，リアプレ
ート101、排気管（不図示）等に低融点ガラスを塗布
し，フェースプレート109の位置とリアプレート101との
位置合わせを行なう。この時、リアプレートとフェース
プレートの1辺又は2辺の端面を一致させるように位置合
わせを行った後，治具等により固定したのち，電気炉に
いれて低融点ガラスの融点以上の温度に加熱し，接合し
機密容器を完成させる。（図１３５（ａ）、（ｂ）参
照） 次にこのフェースプレート、外枠、リアプレートを使用
してパネルを作製するが、一部のパネルの作製方法につ
いては第1実施例と同様であるので異なる部分のみを述
べる。図１３６は，その一例である画像表示装置の正面
図である。図１３６において，101は電子放出素子を構
成した青板ガラスからなるリアプレート，105は電子放
出部，109はメタルバック及び蛍光体が形成された青板
ガラスからなるフェースプレート，111は外枠、403はＸ
方向配線、406はY方向配線、316は画像表示装置を駆動
するための駆動用プリント基板、206はＸ、Ｙ方向配線4
03,406とプリント基板316とを接続するFPC、である。そ
の後，配線を通してプローバーによって通電処理を行
い、最後に排気管を封止する。次に、上記のように作製
した画像表示装置の外部取出し配線とＦＰＣとを接続さ
せる方法を説明する。図１３６に画像表示装置にＦＰＣ
とプリント基板を接続した図を示す。(Embodiment 3) Embodiment 3 of the present configuration will be described below. The face plate size of this configuration is 3
00mm x 250mm, rear plate size is 350m
mx 300 mm was used. First, the rear plate 101
In the same manner as in the first embodiment, the electron emission portions 105 and the electrodes are formed. Further, a phosphor 107 is applied in advance on the inner surface of the face plate 109 of the image display device, and a metal back 108 having a surface provided with conductivity on the phosphor is formed in advance. The low melting glass is applied to the face plate 109, the outer frame 111, the rear plate 101, the exhaust pipe (not shown), and the like, and the position of the face plate 109 and the rear plate 101 are aligned. At this time, after aligning the rear plate and one or two sides of the face plate so that the end faces are aligned, fix them with jigs, etc., and then place them in an electric furnace to reach a temperature higher than the melting point of the low melting glass. Heat and join to complete the confidential container. (Refer to FIGS. 135 (a) and (b).) Next, a panel is manufactured using the face plate, the outer frame, and the rear plate. The manufacturing method of a part of the panel is the same as that of the first embodiment. Therefore, only different parts will be described. FIG. 136 is a front view of an example of the image display device. In FIG. 136, 101 is a rear plate made of soda lime glass constituting an electron emitting element, 105 is an electron emitting portion, 109 is a face plate made of a soda lime glass having a metal back and a phosphor, 111 is an outer frame, and 403 is an outer frame. X
Directional wiring, 406 is a Y-directional wiring, 316 is a driving printed circuit board for driving an image display device, 206 is an X, Y-directional wiring 4
03, 406 and an FPC for connecting the printed circuit board 316. After that, a current is passed through a wiring by a prober, and finally the exhaust pipe is sealed. Next, a method of connecting the external wiring of the image display device manufactured as described above and the FPC will be described. FIG. 136 shows an FPC for the image display device.
FIG. 2 shows a diagram in which a printed circuit board is connected to a power supply.
【０４４９】まず、フェースプレート２０１の外部取出
し配線であるＸ方向電極配線403にＡＣＦをＦＰＣ２０
６を接続する位置に貼り付ける。次にリアプレート１の
Ｘ方向電極配線403とそこからプリント基板までを接続
するのに必要なＦＰＣ２０６を接合する位置にセットし
Ｘ方向電極配線403の位置合わせを行い一致させる。Ｆ
ＰＣ２０６のＦＰＣ電極２０７とフェースプレート２０
１のＸ方向電極配線403が一致したところで、ＦＰＣ２
０６と画像表示装置を熱圧着ツールの下に移動させる。
その後熱圧着ツールを降ろしてＦＰＣ２０６とＸ方向電
極配線403をＡＣＦによって熱圧着させＦＰＣ２０６と
Ｘ方向電極配線403の接合を完了した。このように、Ｆ
ＰＣ206とＸ方向電極配線403の接合を完了し１辺の接合
を行った。それをフェースプレート２０１のＸ方向電極
配線403、Y方向電極配線406の必要な３辺について行っ
た。また、Ｘ方向電極配線403、Y方向電極配線406の各
１辺のみをＦＰＣ接合し、合計2辺をＦＰＣ接合したも
のでもよい。（図１３７参照）その後、フェースプレー
ト２０１に接合されたＦＰＣ206についているコネクタ
(不図示）をプリント基板316のコネクタ部にさし込み、
フェースプレート２０１とプリント基板316の接続が完
了した。この画像表示装置のＸ方向配線には１４Ｖの任
意の電圧信号を、Ｙ方向配線には７Ｖの電位とし、フェ
ースプレートのメタルバックに５ｋＶのアノード電圧を
印加したところ、放電のない任意の良質な画像を表示す
ることができた。以上のようにして、画像表示装置を製
造した。First, an ACF is applied to the X-direction electrode wiring 403, which is a wiring taken out from the face plate 201, by the FPC
6 is attached to the position to be connected. Next, the X-direction electrode wiring 403 of the rear plate 1 is set at a position where the FPC 206 necessary for connecting the X-direction electrode wiring 403 to the printed circuit board therefrom is joined, and the X-direction electrode wiring 403 is aligned and matched. F
FPC electrode 207 of PC 206 and face plate 20
1 when the X-direction electrode wirings 403 coincide with each other.
06 and the image display device are moved under the thermocompression bonding tool.
Thereafter, the thermocompression bonding tool was lowered, and the FPC 206 and the X-direction electrode wiring 403 were thermocompression-bonded by ACF to complete the joining of the FPC 206 and the X-direction electrode wiring 403. Thus, F
The bonding between the PC 206 and the X-direction electrode wiring 403 was completed, and one side was bonded. This was performed for three necessary sides of the X-direction electrode wiring 403 and the Y-direction electrode wiring 406 of the face plate 201. Alternatively, only one side of each of the X-direction electrode wiring 403 and the Y-direction electrode wiring 406 may be FPC-bonded, and a total of two sides may be FPC-bonded. (See FIG. 137) Then, the connector on the FPC 206 joined to the face plate 201
(Not shown) into the connector of the printed circuit board 316,
The connection between the face plate 201 and the printed circuit board 316 is completed. When an arbitrary voltage signal of 14 V is applied to the X-directional wiring and a potential of 7 V is applied to the Y-directional wiring of the image display device, and an anode voltage of 5 kV is applied to the metal back of the face plate, any good quality without discharge is obtained. Images could be displayed. The image display device was manufactured as described above.
【０４５０】このように、フェースプレートのみに外部
取出し電極を持つため、フォーミング、活性化工程時に
フェースプレートのみにプローバー等を落して工程がで
きるため容易に電極に電圧や電流を流すことができ、電
極部の接触不良がほとんどなくなるため、均一な画像を
作製することができる。また、接合辺が2辺又は３辺の
ため電極部の接触部が少なくなるため実施例１、２より
さらに接触不良が低減する。As described above, since the external extraction electrode is provided only on the face plate, a prober or the like can be dropped only on the face plate during the forming and activation steps. Since there is almost no contact failure of the electrode portion, a uniform image can be produced. Further, since the number of the contact sides of the electrode portion is reduced because the number of the joining sides is two or three, the contact failure is further reduced as compared with the first and second embodiments.
【０４５１】また、ＦＰＣの接合時に、画像表示装置を
反転することなく接合ができるため、反転による危険が
なく、接合時の時間が短縮できる。また、反転無しの接
合と比較して、接合装置が単純で容易なため不良がほと
んどない接合ができる。また、接合辺が2辺又は３辺の
ため実施例１、２より接合時間がより短縮できる。In addition, since the FPC can be joined without inverting the image display device, there is no danger of inversion, and the time for joining can be reduced. Further, compared to the joining without inversion, the joining device is simple and easy, so that the joining with almost no defects can be performed. Further, since the number of the joining sides is two or three, the joining time can be further reduced as compared with the first and second embodiments.
【０４５２】本構成によれば、作製プロセスが容易とな
り、ＦＰＣ接続時での接続信頼性が高く、またＦＰＣの
接合方向が一緒なのでＦＰＣ処理が容易となり、基板回
転がないので安全性も向上し、製造時間の短縮となる。
このように作製時の接続不良の減少により均一な画像を
効率よく得られ、信頼性の高い画像表示装置を安定に供
給することが可能になるので生産性のよい画像表示装置
を提供することができる。According to this structure, the manufacturing process is facilitated, the connection reliability at the time of connecting the FPC is high, the FPC processing is easy because the joining directions of the FPC are the same, and the safety is improved because there is no rotation of the substrate. Thus, the manufacturing time is shortened.
As described above, a uniform image can be efficiently obtained by reducing the connection failure at the time of manufacturing, and a highly reliable image display device can be stably supplied. Therefore, an image display device with high productivity can be provided. it can.
【０４５３】（構成２６）一方、図１に示すような画像
表示装置全体の組立にかかる構成としては以下のような
構成をとり得る。(Structure 26) On the other hand, the following structure can be employed as a structure for assembling the entire image display device as shown in FIG.
【０４５４】（実施例１）図１３８に、本発明による画
像表示装置の斜視図を示した。同図において、１はマル
チ電子ビーム源を形成した電子源基板、２は電子線照射
により発光する蛍光体を備えし表示用基板、３は電子源
基板１の配線端部に直接接続された駆動ICである。図１
３９は、この駆動ＩＣを配線端部に接続する部分の断面
を示した図である。１は電子源基板、６は電子源源基板
１上に形成された行又は列配線の一部である取り出し電
極部、３は駆動ＩＣチップ、４は駆動ICチップの接続端
子として形成された金属（例えば金）によるバンプ、５
は導線性接着材、７は封止材である。ここで、行または
列配線６としては導電性ペーストを印刷形成する。配線
は膜厚が厚い方が電気抵抗を低減できるため有利であ
る。そのため厚膜印刷法、特にスクリーン印刷法をもち
いるのが好ましく銀、金、銅、ニッケル等の導電性ペー
ストを用いることができる。なお、より高精細なパター
ンニングが要求された場合には、感光性ペーストを用い
て大まかなパターンをスクリーン印刷によって形成した
後に、露光、現像することによって良好な配線形状が得
られる。なお、所望のパターンを形成した後にはペース
ト中のビヒクル成分を除去するために、そのペースト、
使用ガラス基板の熱特性に応じた温度（４００〜６５０
℃）で焼成される。Example 1 FIG. 138 is a perspective view of an image display device according to the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes an electron source substrate on which a multi-electron beam source is formed, 2 denotes a display substrate provided with a phosphor that emits light by irradiation with an electron beam, and 3 denotes a drive directly connected to a wiring end of the electron source substrate 1. IC. FIG.
FIG. 39 is a diagram showing a cross section of a portion for connecting the driving IC to a wiring end. 1 is an electron source substrate, 6 is an extraction electrode part which is a part of a row or column wiring formed on the electron source substrate 1, 3 is a drive IC chip, 4 is a metal formed as a connection terminal of the drive IC chip ( Bumps, eg, gold), 5
Is a conductive adhesive, and 7 is a sealing material. Here, as the row or column wiring 6, a conductive paste is formed by printing. A thicker wiring is advantageous because the electrical resistance can be reduced. Therefore, it is preferable to use a thick film printing method, particularly a screen printing method, and a conductive paste of silver, gold, copper, nickel or the like can be used. In the case where higher definition patterning is required, a good wiring shape can be obtained by forming a rough pattern by screen printing using a photosensitive paste, followed by exposure and development. After forming the desired pattern, the paste, in order to remove the vehicle component in the paste,
Temperature (400 to 650) according to the thermal characteristics of the glass substrate used
℃).
【０４５５】また、厚膜配線を形成する技術としては、
例えば、特開平８―２２７６５６に開示されている。す
なわち、基板上に、無電解メッキによって下地金属層を
形成し、この下地金属層上に所定パターンで絶縁層を形
成し、この絶縁層の隙間部分、すなわち、下地金属層が
露出している部分に電気メッキにより金属層を形成し、
絶縁層を除去した後、露出している下地金属層をエッチ
ング除去して、所望の導電パターンを形成するものであ
る。As a technique for forming a thick-film wiring,
For example, it is disclosed in JP-A-8-227656. That is, a base metal layer is formed on a substrate by electroless plating, an insulating layer is formed in a predetermined pattern on the base metal layer, and a gap portion of the insulating layer, that is, a part where the base metal layer is exposed To form a metal layer by electroplating,
After removing the insulating layer, the exposed underlying metal layer is removed by etching to form a desired conductive pattern.
【０４５６】さて、図１３９のような構成は、いわゆる
ＣＯＧ（チップ・オン・グラス）と呼ばれる実装形態で
あり、同図に示した行又は列配線に駆動ＩＣを実装する
工程は、以下のようにしてなされる。The configuration as shown in FIG. 139 is a so-called COG (chip-on-glass) mounting mode. The process of mounting the drive IC on the row or column wiring shown in FIG. Is done.
【０４５７】駆動ＩＣチップ３上のバンプ４に導線性接
着剤５を転写し、電子源基板１上に配設した取り出し電
極部６とアライメント後、電子源基板１上に駆動ＩＣチ
ップ３を下降させてマウントする。その後、加熱・紫外
線照射等によって導電性接着剤を硬化させ、適当な樹脂
材料によってＩＣチップ３の保護コート７を行い実装を
完成する。The conductive adhesive 5 is transferred to the bumps 4 on the drive IC chip 3 and aligned with the extraction electrode 6 disposed on the electron source substrate 1, and then the drive IC chip 3 is lowered onto the electron source substrate 1. And mount it. Thereafter, the conductive adhesive is cured by heating, ultraviolet irradiation, or the like, and the protective coating 7 of the IC chip 3 is formed with an appropriate resin material, thereby completing the mounting.
【０４５８】上述のような実装形態を電子源基板１に行
うための具体的な取り出し電極部のレイアウトを図１４
０に示した。同図において、６は列側配線の取り出し電
極部であり、９は行側配線の取り出し電極部である。ま
た、８、１０は駆動ＩＣとこれに接続される他の駆動回
路部との接続を行う電極部である。同図において破線に
よる四角で囲った部分の内側の電極部は、駆動ＩＣとの
接続部分に相当する。FIG. 14 shows a specific layout of a lead-out electrode portion for implementing the above-described mounting mode on the electron source substrate 1. In FIG.
0. In the figure, reference numeral 6 denotes an extraction electrode portion of a column-side wiring, and reference numeral 9 denotes an extraction electrode portion of a row-side wiring. Reference numerals 8 and 10 denote electrode units for connecting the drive IC to another drive circuit unit connected thereto. In the figure, an electrode portion inside a portion surrounded by a square by a broken line corresponds to a connection portion with the driving IC.
【０４５９】図１４１に電極部８（または１０）の実装
例を示した。３から８は図１３９の駆動ＩＣ実装部と同
様である。１１は、駆動ＩＣ３と他の駆動回路部とを接
続するためのフレキシブルケーブルの導電材料による電
極部、１２は樹脂フィルムである。フレキシブルケーブ
ルの電極１１と電極部８とは、駆動ＩＣと同様に導電性
接着剤で接続される。FIG. 141 shows an example of mounting the electrode section 8 (or 10). Steps 3 to 8 are the same as those of the drive IC mounting section in FIG. 139. Reference numeral 11 denotes an electrode portion made of a conductive material of a flexible cable for connecting the driving IC 3 to another driving circuit portion, and 12 denotes a resin film. The electrode 11 and the electrode section 8 of the flexible cable are connected with a conductive adhesive like the drive IC.
【０４６０】尚、取り出し電極の接続部の接続面の大き
さは、行側と列側で異なる。すなわち、行側の場合に
は、行選択した場合の総素子数分の駆動電流が流れるた
め、ＦＥ型の電子放出素子で０．０５Ａから０．２Ａ程
度、表面伝導型電子放出素子で１〜１０Ａ程度の瞬時電
流が流れる。一般的な導電性接着材の電流容量０．５Ａ
／ｍｍ2からすれば、接続部の面積は、０．１ｍｍ2から
２０ｍｍ2の領域を取る必要がある。一方、列側の場合
には、当該素子分の駆動電流が流れるため、ＦＥ型の電
子放出素子で５μＡから２０μＡ程度、表面伝導型電子
放出素子で０．２ｍＡ〜２ｍＡ程度の実効電流が流れ
る。一同様に接続部の面積は、０．００００１ｍｍ2か
ら０．０４ｍｍ2の領域を取る必要がある。但し、導電
性接着剤の導電フィラーの大きさなどによる最小実装面
積に限界があるため、０．００００１ｍｍ2という実装
面積は実際には４０ミクロン角程度、すなわち０．００
０１６ｍｍ2程度が限界と考えられる。Note that the size of the connection surface of the connection portion of the extraction electrode differs between the row side and the column side. That is, in the case of the row side, a drive current corresponding to the total number of elements when a row is selected flows. An instantaneous current of about 10 A flows. 0.5A current capacity of general conductive adhesive
In view of / mm 2 , the area of the connection portion needs to take a region of 0.1 mm 2 to 20 mm 2 . On the other hand, in the case of the column side, since the drive current for the element flows, an effective current of about 5 μA to 20 μA flows in the FE type electron-emitting device and about 0.2 mA to 2 mA in the surface conduction type electron-emitting element. Area of the connecting portion one Similarly, it is necessary to take the area of 0.04 mm 2 from 0.00001mm 2. However, since the minimum mounting area is limited due to the size of the conductive filler of the conductive adhesive and the like, the mounting area of 0.00001 mm 2 is actually about 40 μm square, that is, 0.00 mm.
It is considered that about 016 mm 2 is the limit.
【０４６１】さて、このマルチビーム電子源の配線交差
部による容量成分をＬＣＲメータにより測定したとこ
ろ、交差部当たり０．０５ｐＦで、ｎ＝３０７２とする
と１５４ｐＦとなった。一方、約３０ｍｍの取り出し電
極部での誘導成分は、３０ｎＨとマトリク部での誘導成
分は３２０ｎＨと測定された。従って、共振周波数は、
２２ＭＨｚと求められた。一方、課題図２におけるＶｓ
およびＶｅの立ち上がり時間を調べたところ、それぞれ
約６０ｎｓｅｃおよび８０ｎｓｅｃで、最高周波数成分
としては約１７ＭＨｚとなる。したがって、共振周波数
を駆動信号の最高周波数よりも高くすることができ、リ
ンギングの発生を十分低減することができた。尚、取り
出し電極部と駆動ＩＣ部とをフラットケーブルでつなぐ
従来の実装方法の場合、前記取り出し電極部、８０ｍｍ
のフラットケーブル部及び駆動ＩＣまでの電気回路パタ
ーンでの誘導成分は約１７０ｎＨあり、共振周波数は１
８ＭＨｚとなり、共振周波数に近い周波数となりリンギ
ングの発生の懸念が生じる。The capacitance component at the intersection of the wirings of the multi-beam electron source was measured by an LCR meter. On the other hand, the inductive component at the extraction electrode portion of about 30 mm was measured as 30 nH, and the inductive component at the matrix portion was measured at 320 nH. Therefore, the resonance frequency is
It was determined to be 22 MHz. On the other hand, Vs
When the rise times of Ve and Ve were examined, they were about 60 nsec and 80 nsec, respectively, and the highest frequency component was about 17 MHz. Therefore, the resonance frequency can be made higher than the highest frequency of the drive signal, and the occurrence of ringing can be sufficiently reduced. In the case of the conventional mounting method in which the extraction electrode section and the driving IC section are connected by a flat cable, the extraction electrode section is 80 mm.
The inductive component in the electric circuit pattern from the flat cable portion to the drive IC is about 170 nH, and the resonance frequency is 1
The frequency becomes 8 MHz, which is close to the resonance frequency, and there is a concern that ringing may occur.
【０４６２】以上説明したように、行および列配線端部
に駆動ＩＣを直接実装することにより、配線取りだし部
及び駆動ＩＣとの接続部の誘導成分を最小限とすること
ができ、マトリクス配線に形成される容量成分とによる
共振周波数を十分高くとることができ、駆動信号にリン
ギング波形が加算されることが回避され高品位な画像表
示を行うことができた。As described above, by directly mounting the drive ICs at the ends of the row and column wirings, it is possible to minimize the inductive components of the wiring take-out parts and the connection parts with the drive ICs, and the matrix wirings The resonance frequency due to the formed capacitance component can be made sufficiently high, so that a ringing waveform is not added to the drive signal, and high-quality image display can be performed.
【０４６３】（実施例２）本実施例は、実施例１と行側
配線端部での駆動ＩＣ実装は同様であるため、説明を省
略する。本実施例の列側配線端部での駆動ＩＣの実装部
を図１４０および図１４２を用いて説明する。図１４０
におけるＡ部の列側配線端部の構成が実施例１と異なる
ために、その拡大図を示したものが図１４２である。同
図（ａ）は実施例１におけるＡ部の拡大図であり、６は
厚膜配線による取り出し電極部、１３は駆動ＩＣとの接
続部である。一方、同図（ｂ）は本実施例におけるＡ部
の拡大図である。６は厚膜配線による取り出し電極部で
あり、１４は薄膜配線による補助電極部である。１３は
補助電極部１４上に設けられる駆動ＩＣとの接続部であ
る。(Embodiment 2) This embodiment is the same as Embodiment 1 in mounting the drive IC at the row-side wiring end portions, and therefore the description is omitted. The mounting portion of the drive IC at the end of the column-side wiring according to this embodiment will be described with reference to FIGS. Fig. 140
FIG. 142 shows an enlarged view of the configuration of the column-side wiring end of the portion A in FIG. FIG. 3A is an enlarged view of a portion A in the first embodiment, in which reference numeral 6 denotes an extraction electrode portion formed by a thick film wiring, and reference numeral 13 denotes a connection portion with a driving IC. On the other hand, FIG. 2B is an enlarged view of a portion A in the present embodiment. Reference numeral 6 denotes an extraction electrode portion formed by thick film wiring, and 14 denotes an auxiliary electrode portion formed by thin film wiring. Reference numeral 13 denotes a connection portion with a drive IC provided on the auxiliary electrode portion 14.
【０４６４】次に、補助電極部の役割について説明す
る。一般に、厚膜配線はスクリーン印刷やめっきなど、
低抵抗配線の形成は容易に行うことが出来るが、表面の
平面性を十分に取る事は難しく、研磨や或いは接続部の
面積を十分にとる必要でてくる場合がある。一方、薄膜
配線は、フォトリソグラフィーを用いる場合やオフセッ
ト印刷を用いる場合など、微細な領域にわたり十分平滑
性の良い電極部を形成することができる。具体的には、
真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法等の
真空系を用いて成膜した後にリソグラフィー法でパター
ニングしてエッチングする方法や、有機金属を含有する
MOペーストをガラス凹版を使ってオフセット印刷する方
法を選択することができる。電極部１４の材料としては
導電性を有するものであればどのような物であっても構
わないが、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐ
ｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金属あるいは合金、及
びＰｄ、Ａｇ、Ａｕ、ＲｕＯ2、Ｐｄ−Ａｇ等の金属あ
るいは金属酸化物とガラス等から構成される印刷導体、
及びポリシリコン等の半導体材料、及びＩｎ2Ｏ3-Ｓｎ
Ｏ2 等の透明導電体等があげられる。従って、必要最小
限の接続部の面積で駆動ＩＣの実装を行うことができ
る。尚、本実施例においてはマルチ電子ビーム源１には
青板ガラスを用い、電極部１４にはオフセット印刷によ
るＮｉ薄膜を用いた。電極部１４の厚さは０．１μｍ、
幅は１００μｍ、長さは４００μｍとした。Next, the role of the auxiliary electrode unit will be described. Generally, thick-film wiring is used for screen printing and plating.
Although low-resistance wiring can be easily formed, it is difficult to obtain sufficient planarity of the surface, and polishing and / or a sufficient area of the connection portion may be required. On the other hand, in the case of using thin film wiring, photolithography or offset printing can be used to form an electrode portion having sufficiently smoothness over a minute region. In particular,
A method in which a film is formed using a vacuum system such as a vacuum deposition method, a sputtering method, or a plasma CVD method, and then patterned and etched by a lithography method, or contains an organic metal
You can select the method of offset printing of MO paste using glass intaglio. The electrode portion 14 may be made of any material as long as it has conductivity. For example, Ni, Cr, Au, Mo, W, P
metals or alloys such as t, Ti, Al, Cu, and Pd; and printed conductors composed of metals or metal oxides such as Pd, Ag, Au, RuO 2 , and Pd-Ag, and glass;
And semiconductor materials such as polysilicon, and In2O3-Sn
And transparent conductors such as O2. Therefore, the drive IC can be mounted with a minimum necessary connection area. In the present embodiment, a blue plate glass was used for the multi-electron beam source 1, and a Ni thin film by offset printing was used for the electrode portion 14. The thickness of the electrode part 14 is 0.1 μm,
The width was 100 μm and the length was 400 μm.
【０４６５】また、前に述べたように、リンギングの発
生に寄与する可能性のある誘導成分Ｌは、Ｌｃ＋（Ｌｃ
／ｎ）で示される。これは行選択駆動を行った場合のう
ち多くの電子放出素子が電子放出動作状態のときに相当
する。一方、特定の画像を表示する場合であり、選択行
の内わずかの素子数しか電子放出状態になる場合には、
Ｌの式のうち実質的にｎが小さい数字をとりＬｃの成分
が無視できない状態が発生する。この場合、先にＬ＝３
０ｎＨと見積ったところを最大２倍のＬ＝６０ｎＨと見
積られる場合も生じてくる。この対策として、ＬＣＲの
直列共振回路におけるＲ成分として、補助電極１４に実
効的に減衰定数ζ＝2R／√(Ｌ／Ｃ)が1以上となるよう
な配線抵抗を（この場合１０Ω以上の値）積極的に与え
てやることにより、リンギングの発生を抑制する、いわ
ゆるダンピング効果を得ることが出来る。As described above, the inductive component L which may contribute to the occurrence of ringing is Lc + (Lc
/ N). This corresponds to the case where many electron-emitting devices are in the electron-emitting operation state in the case where the row selection drive is performed. On the other hand, when displaying a specific image and only a small number of elements in the selected row are in the electron emission state,
In the equation of L, a state in which n is a substantially small number and the component of Lc cannot be ignored occurs. In this case, L = 3 first
In some cases, the estimated value of 0 nH may be estimated as L = 60 nH, which is twice as large. As a countermeasure, as an R component in the series resonance circuit of the LCR, a wiring resistance such that the attenuation constant ζ = 2R / √ (L / C) is effectively 1 or more is applied to the auxiliary electrode 14 (in this case, a value of 10Ω or more). (3) By giving positively, it is possible to obtain a so-called damping effect that suppresses the occurrence of ringing.
【０４６６】また、何らかの原因で配線に異常電位が加
わった場合には、列側の駆動ＩＣにも印加されてしま
い、駆動ＩＣを壊してしまう可能性に対しても、上に述
べたのと同様に積極的に補助電極１４に抵抗を与えるこ
とで保護抵抗の役割を与える事が出来る。仮に、３Ｖの
異常電位を配線側で起こした場合には、駆動ＩＣの流入
可能電流を１０ｍＡとして、補助電極での抵抗を３００
Ωとすると駆動ＩＣへの印加は全く起こらない。前述し
たオフセット印刷による補助電極部１４は、圧膜配線端
部と駆動ＩＣ実装部１３までの抵抗値としては、約３０
０Ωが得られた。When an abnormal potential is applied to the wiring for some reason, the abnormal potential is also applied to the driving IC on the column side, and the possibility of damaging the driving IC is also reduced. Similarly, the role of a protective resistor can be given by positively giving a resistance to the auxiliary electrode 14. If an abnormal potential of 3 V is generated on the wiring side, the inflowable current of the driving IC is set to 10 mA, and the resistance of the auxiliary electrode is set to 300.
If Ω is applied, no application to the drive IC occurs. The auxiliary electrode portion 14 formed by the offset printing described above has a resistance value of about 30 from the end of the film wiring to the drive IC mounting portion 13.
0Ω was obtained.
【０４６７】以上説明した様に、本実施例では、取り出
し電極部に薄膜による補助電極を設けることにより、よ
り高密度に、また、より安定駆動を行うことができる。As described above, in this embodiment, by providing the thin film auxiliary electrode in the extraction electrode portion, higher density and more stable driving can be performed.
【０４６８】（構成２７）装置の組立にかかる構成とし
ては以下の構成を更に挙げることができる。(Structure 27) The following structures can further be mentioned as structures relating to the assembly of the apparatus.
【０４６９】（実施例１）図１４３に、本発明の画像表
示装置において、駆動電気回路部１０４を構成する電気
回路基板の基板レイアウト図を示す。本発明の画像表示
装置は、フェースプレート１０１とリアプレート１０２
からなる画像表示部１０３、画像表示のための駆動電気
回路部１０４、それらを支持する支持構造部材１０５、
更に外装部材（カバー：不図示）と電源ユニット１１０
で構成されている。図１４３は画像表示装置を画像表示
側の反対側から見たときのレイアウトを示している。(Embodiment 1) FIG. 143 is a board layout diagram of an electric circuit board constituting the driving electric circuit section 104 in the image display device of the present invention. The image display device of the present invention includes a face plate 101 and a rear plate 102.
An image display unit 103, a driving electric circuit unit 104 for image display, a support structure member 105 for supporting them,
Further, an exterior member (cover: not shown) and the power supply unit 110
It is composed of FIG. 143 shows a layout when the image display device is viewed from the side opposite to the image display side.
【０４７０】駆動電気回路基板１０４は、大きく分ける
と、走査回路基板１０６、変調回路基板１０７、画像デ
ータ発生回路基板１０８、入力インターフェース（Ｉ／
Ｆ）基板１０９からなる。走査回路基板１０６は画像表
示部１０３のリアプレート１０２基板の走査配線４００
２を線順次選択するパルス走査信号を発生する。この
時、走査回路基板１０６はリアプレート１０２の走査配
線を左右同時から駆動するため、走査回路基板＃１：１
０６ａ、走査回路基板＃２：１０６ｂからなる。変調回
路基板１０７は、リアプレート１０２の走査配線と直交
した変調側配線４００３からマルチ電子源をパルス幅変
調駆動するためのパルス変調信号を発生する。本実施例
においては画像表示装置のサイズが大きく、２枚の変調
回路基板１０７ａ，ｂに分割して構成した。The driving electric circuit board 104 is roughly divided into a scanning circuit board 106, a modulation circuit board 107, an image data generating circuit board 108, an input interface (I /
F) The substrate 109 is formed. The scanning circuit board 106 is the scanning wiring 400 of the rear plate 102 substrate of the image display unit 103.
A pulse scanning signal for selecting line-sequential 2 is generated. At this time, since the scanning circuit board 106 drives the scanning wiring of the rear plate 102 from the left and right simultaneously, the scanning circuit board # 1: 1.
06a, scanning circuit board # 2: 106b. The modulation circuit board 107 generates a pulse modulation signal for pulse width modulation driving of the multi-electron source from the modulation side wiring 4003 orthogonal to the scanning wiring of the rear plate 102. In this embodiment, the size of the image display device is large, and the image display device is divided into two modulation circuit boards 107a and 107b.
【０４７１】画像データ発生回路基板１０８は、画像情
報を変調回路基板１０７への変調データに変換する。入
力インターフェース（Ｉ／Ｆ）基板１０９は、入力画像
信号からＲ・Ｇ・Ｂコンポーネント信号を出力するデコ
ーダ部と入力画像信号に重畳されている同期信号（ＳＹ
ＮＣ）を分離し、各種タイミング信号を発生する。[0471] The image data generating circuit board 108 converts the image information into modulation data for the modulation circuit board 107. The input interface (I / F) board 109 includes a decoder unit that outputs RGB component signals from the input image signal and a synchronization signal (SY) superimposed on the input image signal.
NC) and generates various timing signals.
【０４７２】本実施例において、駆動電気回路部１０４
を構成する電気回路基板のなかで、発熱が大きな変調回
路基板１０７を上方にレイアウトし、変調回路基板１０
７への信号を出力する画像データ発生回路基板１０４を
その下方にレイアウトした。また1対の走査回路基板１
０６は画像表示装置の左右端にレイアウトした。In the present embodiment, the driving electric circuit 104
Of the electric circuit boards constituting the circuit board, the modulation circuit board 107 which generates a large amount of heat is laid out on the upper side, and the modulation circuit board 10
An image data generating circuit board 104 for outputting a signal to the circuit 7 is laid out below the circuit board. Also, a pair of scanning circuit boards 1
Reference numeral 06 is laid out on the left and right ends of the image display device.
【０４７３】図１４４に本発明の画像表示装置の駆動電
気回路の機能ブロック図を、図１４５にそのタイミング
図を示す。Ｐ２０００は表面伝導型電子放出素子を単純
マトリクス構成したマルチ電子源を配したリアプレート
とフェースプレートで構成された画像表示部（以下表示
パネルと略す）であり、本実施例においては４８０＊２
５５６個の表面伝導型素子Ｐ２００１が垂直４８０行の
行配線と水平２５５６列の列配線によりマトリクス配線
され、各表面伝導型素子Ｐ２００１からの放出電子ビー
ムが高圧電源部Ｐ３０から印加される高圧電圧により加
速され不図示のフェースプレート側蛍光体に照射される
ことにより発光を得るものである。この不図示の蛍光体
は用途に応じて種々の色配列を取ることが可能である
が、一例としてRGB縦ストライプ状の色配列とする。本
実施例においては以下前記水平852(RGBトリオ) ＊垂直4
80ラインの画素数を有する表示パネルにＨＤＴＶ相当の
テレビ画像を表示する応用例を示すが、ＨＤＴＶに限ら
ずＮＴＳＣのような高精細な画像やコンピュータの出力
画像など、解像度やフレームレートが異なる画像信号に
対しても、ほぼ同一の構成で容易に対応できる。FIG. 144 is a functional block diagram of a driving electric circuit of the image display device of the present invention, and FIG. 145 is a timing chart thereof. P2000 is an image display unit (hereinafter abbreviated as a display panel) composed of a rear plate and a face plate provided with a multi-electron source in which surface conduction electron-emitting devices are arranged in a simple matrix, and in this embodiment, 480 * 2.
556 surface conduction type devices P2001 are matrix-wired by 480 rows of vertical lines and 2556 columns of horizontal lines, and the emitted electron beam from each surface conduction type device P2001 is applied by a high voltage applied from a high voltage power supply unit P30. Light is obtained by being accelerated and irradiated to a face plate side phosphor (not shown). The phosphor (not shown) can have various color arrangements depending on the application. For example, the color arrangement is a RGB vertical stripe color arrangement. In this embodiment, the horizontal 852 (RGB trio) * vertical 4
An application example of displaying an HDTV-equivalent television image on a display panel having 80 lines of pixels is shown. However, not only HDTV but also images with different resolutions and frame rates such as high-definition images such as NTSC and computer output images Signals can be easily handled with almost the same configuration.
【０４７４】本実施例において、走査回路１０６が選択
した行Ｐ２００２上の素子をパルス幅変調して駆動する
ことで、パルス幅に応じた期間だけ各素子から電子放出
する。この走査回路が選択するラインを順次走査するこ
とで２次元画像が形成される。In this embodiment, by driving the elements on the row P2002 selected by the scanning circuit 106 with pulse width modulation, electrons are emitted from each element for a period corresponding to the pulse width. By sequentially scanning the lines selected by the scanning circuit, a two-dimensional image is formed.
【０４７５】以下、画像信号の流れに従って説明する。
画像信号は、まず、入力Ｉ／Ｆ基板１０９に入力する。
入力Ｉ／Ｆ基板１０９はＰ１、Ｐ２ブロックからなる。
Ｐ１は、ＨＤＴＶのコンポジットビデオ入力を受けＲＧ
Ｂコンポーネント信号（図１４５、Ｔ１０１）を出力す
るＨＤＴＶ−ＲＧＢデコーダ部である。このユニット内
にて入力ビデオ信号に重畳されている同期信号（ＳＹＮ
Ｃ、図１４５：Ｔ１０２）を分離し、またサンプリング
ＣＬＫ信号（CLK1）を生成し出力する。Ｐ２は、Ｐ１に
てデコードされたアナログＲＧＢ信号を、表示パネルを
輝度変調するためのデジタル階調信号に変換するために
必要な以下のタイミング信号を発生するためのタイミン
グ発生部である。 ・Ｐ１からのＲＧＢアナログ信号をアナログ処理部Ｐ３
にて直流再生するためのクランプパルス、 ・Ｐ１からのＲＧＢアナログ信号にアナログ処理部Ｐ３
にてにブランク期間を付加するためのブランキングパル
ス、 ・アナログＲＧＢ信号をＡ／Ｄ部Ｐ６にてデジタル信号
に変換するためのサンプルパルス（不図示）、 ・ラインメモリＰ１０、輝度ラインメモリＰ２２を書き
込み、読み出しするタイミング信号 ・走査制御信号Ｙｓｃａｎ ＲＧＢコンポーネント信号は、画像データ発生回路基板
１０８に入力される。画像データ発生回路基板１０８
は、Ｐ３〜Ｐ１０のブロックからなる。Ｐ３は、Ｐ１か
らの出力原色信号それぞれに備えられるアナログ処理部
であり、主に以下の動作をする。 ・Ｐ２からクランプパルスを受け直流再生を行なう。 ・Ｐ２からブランキングパルスを受けブランキング期間
を付加する。 ・Ｐ１から入力された原色信号の振幅制御やＰ１から入
力された原色信号の黒レベル制御を行なう。[0475] Hereinafter, description will be made in accordance with the flow of image signals.
The image signal is first input to the input I / F board 109.
The input I / F board 109 includes P1 and P2 blocks.
P1 receives composite video input of HDTV and RG
This is an HDTV-RGB decoder that outputs a B component signal (FIG. 145, T101). The synchronization signal (SYN) superimposed on the input video signal in this unit
C, FIG. 145: T102), and generates and outputs a sampling CLK signal (CLK1). P2 is a timing generator for generating the following timing signals required to convert the analog RGB signals decoded in P1 into digital gradation signals for luminance modulation of the display panel. -The analog processing unit P3 converts the RGB analog signal from P1 into an analog signal.
A clamp pulse for DC reproduction at the analog processing section P3 to the RGB analog signal from P1
A blanking pulse for adding a blanking period to a sample pulse (not shown) for converting an analog RGB signal into a digital signal in the A / D section P6; a line memory P10 and a luminance line memory P22. Timing signal for writing and reading ・ Scan control signal Yscan RGB component signal is input to the image data generating circuit board 108. Image data generation circuit board 108
Consists of blocks P3 to P10. P3 is an analog processing unit provided for each of the output primary color signals from P1, and mainly operates as follows. -DC regeneration is performed by receiving a clamp pulse from P2. -A blanking pulse is received from P2 to add a blanking period. The amplitude control of the primary color signal input from P1 and the black level control of the primary color signal input from P1 are performed.
【０４７６】ＬＰＦＰ５は、Ａ／Ｄ部Ｐ６の前段に置か
れるプリフィルタ手段である。Ａ／Ｄ部Ｐ６はＬＰＦＰ
５を通過したアナログ原色信号を必要階調数で量子化す
るＡ／Ｄコンバータ手段である。逆γテーブルＰ７は、
入力されるビデオ信号を表示パネルが有する発光特性に
変換するために備えれれた階調特性変換手段である。本
実施例のようにパルス幅変調により輝度階調を表現する
場合、輝度データの大きさに発光量がほぼ比例するリニ
アな特性を示すことが多い。一方ビデオ信号は、ＣＲＴ
を用いたＴＶ受像機を対象としているため、ＣＲＴの非
線形な発光特性を補正するためにγ処理を施されてい
る。このため本実勢例のようにリニアな発光特性を持つ
パネルにＴＶ画像を表示させる場合、Ｐ７のような階調
特性変換手段でγ処理の効果を打ち消す必要がある。Ｐ
１０は、各原色信号毎に備えられる水平ラインメモリ手
段であり、ＲＧＢ其々の輝度データを変調回路基板１０
７へ出力する。（図１４５：Ｔ１０５） 一方、１０６ａ，ｂは、走査回路基板であり、Ｙシフト
レジスタ部Ｐ１００２、プリドライバＰ１００３、スイ
ッチトランジスタから構成される。The LPFP 5 is a pre-filter means placed before the A / D section P6. A / D part P6 is LPFP
This is A / D converter means for quantizing the analog primary color signal having passed through 5 with the required number of gradations. The inverse γ table P7 is
This is a gradation characteristic conversion means provided for converting an input video signal into light emission characteristics of the display panel. When a luminance gradation is expressed by pulse width modulation as in this embodiment, a linear characteristic in which the amount of light emission is almost proportional to the size of luminance data is often exhibited. On the other hand, the video signal is
Since it is intended for a TV receiver using, a γ process is performed to correct the non-linear emission characteristics of the CRT. For this reason, when a TV image is displayed on a panel having linear light emission characteristics as in the present example, it is necessary to negate the effect of the γ processing by the gradation characteristic conversion means such as P7. P
Reference numeral 10 denotes a horizontal line memory unit provided for each primary color signal, and stores luminance data of each of RGB in the modulation circuit board 10.
7 is output. (FIG. 145: T105) On the other hand, reference numerals 106a and 106b denote scanning circuit boards, each of which includes a Y shift register unit P1002, a pre-driver P1003, and a switch transistor.
【０４７７】Ｙシフトレジスタ部Ｐ１００２は、水平周
期のシフトクロック及び行走査開始トリガを与えるため
の垂直周期のトリガ信号を受け行配線Ｐ２００２を逐
次、走査するための選択信号を各行配線毎に備えられる
プリドライバ部Ｐ１００３に順に出力する。各行配線を
駆動する出力部は例えば、ＦＥＴ手段Ｐ１００４、Ｐ１
００６から構成される。プリドライバ部Ｐ１００３はこ
の出力部を応答良く駆動するためのものである。ＦＥＴ
手段Ｐ１００４は行選択時に導通するスイッチ手段で選
択時に−Ｖｓｓ＝−７ｖ電位を行配線に印加する。ＦＥ
Ｔ手段Ｐ１００６は行非選択時に導通するスイッチ手段
で非選択時にＧＮＤ電位を行配線に印加する。図１４
５、Ｔ１１２に行配線駆動波形の一例を示す。The Y shift register unit P1002 receives a horizontal cycle shift clock and a vertical cycle trigger signal for giving a row scanning start trigger, and is provided with a selection signal for sequentially scanning the row wirings P2002 for each row wiring. The signals are sequentially output to the pre-driver unit P1003. The output section for driving each row wiring is, for example, FET means P1004, P1
006. The pre-driver section P1003 drives this output section with good response. FET
Means P1004 is a switch means that conducts when a row is selected, and applies a potential of -Vss = -7v to the row wiring at the time of selection. FE
T means P1006 is a switch means that conducts when a row is not selected, and applies a GND potential to a row wiring when not selected. FIG.
5, T112 shows an example of a row wiring drive waveform.
【０４７８】次に、画像データ発生回路１０８からのラ
インメモリ出力Ｐ１０であるＲＧＢ輝度データが変調回
路基板１０７に入力された後の信号を流れを説明する。
１水平期間の間に、ＲＧＢ輝度信号は其々、水平方向の
素子数２５５６個（Ｒ１−Ｒ８５２、Ｇ１−Ｇ８５２、
Ｂ１−Ｂ８５２）が出力される。これを１水平期間の間
に変調側配線に接続した２５５６個のドライバに転送
し、各変調ドライバはパルス幅変調出力を発生する必要
がある。そこで、高速に変調側ドライバへのデータ転送
を行うためにラインメモリＰ１０をいったん、１６ブロ
ックからなる輝度ラインメモリＰ２２に転送し、各ライ
ンメモリＰ２２が其々１６０個の変調ドライバデータを
同時に転送するようにした。すなわち、Ｐ１０のＲＧＢ
ラインメモリの出力をＰ２００３で接続されたパネルの
蛍光体色に応じた順番に並べ替えて直列信号に変換し、
輝度信号用ラインメモリ；Ｐ２２に転送する。Next, a signal flow after the RGB luminance data, which is the line memory output P10 from the image data generating circuit 108, has been input to the modulation circuit board 107 will be described.
During one horizontal period, each of the RGB luminance signals includes 2556 elements in the horizontal direction (R1-R852, G1-G852,
B1-B852) are output. This is transferred to 2556 drivers connected to the modulation side wiring during one horizontal period, and each modulation driver needs to generate a pulse width modulation output. Therefore, in order to transfer data to the modulation-side driver at high speed, the line memory P10 is first transferred to a luminance line memory P22 composed of 16 blocks, and each line memory P22 simultaneously transfers 160 modulation driver data. I did it. That is, RGB of P10
The output of the line memory is rearranged in order according to the phosphor color of the panel connected in P2003 and converted into a serial signal,
Transfer to the luminance signal line memory; P22.
【０４７９】シフトレジスタ・ラッチ回路Ｐ１１０１
は、ラインメモリＰ２２からの水平周期毎の２５５６個
の列配線数の輝度データ列（画像情報）をシフトクロッ
ク（図３：Ｔ１０７）により読み込み、図３：Ｔ１０８
のようなＬＤパルスによりシフトレジスタ・ラッチ回路
Ｐ１１０１内ののラッチ回路Ｐ１１１０１ｂに並列にラ
ッチし、ＰＷＭジェネレータ部Ｐ１１０２に２５５６個
の１水平列分のデータを一度に転送する。Shift register / latch circuit P1101
Reads a luminance data string (image information) of 2556 column wiring lines per horizontal cycle from the line memory P22 by a shift clock (FIG. 3: T107), and FIG. 3: T108
The latch circuit P11101b in the shift register / latch circuit P1101 is latched in parallel by the LD pulse as described above, and 2556 pieces of data for one horizontal row are transferred to the PWM generator unit P1102 at a time.
【０４８０】各列配線毎に備えられるＰＷＭジェネレー
タ部Ｐ１１０２はシフトレジスタ・ラッチ回路Ｐ１１０
１内のラッチ回路からの輝度データ（画像情報）を受
け、図１４５：Ｔ１１０に示す波形のように水平周期毎
にデータの大きさに比例したパルス幅を有するパルス信
号を発生する。A PWM generator unit P1102 provided for each column wiring is provided with a shift register / latch circuit P110.
145, receives the luminance data (image information) from the latch circuit and generates a pulse signal having a pulse width proportional to the data size in each horizontal cycle, as shown in the waveform of T110 in FIG.
【０４８１】Ｐ１１０４はトランジスタなどで構成され
るスイッチ手段であり、＋Ｖｓ＝７Ｖ電圧出力をＰＷＭ
ジェネレータ部Ｐ１１０２からの出力が有効な期間列配
線に印加し、ＰＷＭジェネレータ部Ｐ１１０２からの出
力が無効な期間は列配線を接地する。図１４５：Ｔ１１
１に列配線駆動波形の一例を示す。P1104 is switch means constituted by a transistor or the like, and outputs + Vs = 7V voltage output to PWM
The output from the generator unit P1102 is applied to the column wiring during a valid period, and the column wiring is grounded during a period during which the output from the PWM generator unit P1102 is invalid. Figure 145: T11
FIG. 1 shows an example of a column wiring drive waveform.
【０４８２】このような方法により、順次行配線を走査
し、それに対応する画像情報でパルス幅変調された値で
列配線を駆動し表示パネルＰ２０００に画像を形成す
る。変調回路基板１０７のうち、輝度ラインメモリから
パルス幅変調駆動信号を発生するドライバ段はＩＣ化さ
れている。即ち、ドライバＩＣは１６０ｃｈ分の変調ド
ライバと、各ドライバのパルス幅変調データを転送、ラ
ッチするシフトレジスタ回路とラッチ回路およびＰＷＭ
ジェネレータを有している。本実施例では、水平２５５
６列の列配線に対して、輝度データを１６０個ずつシフ
トするシフトレジスタを使用しているため、シフト数と
しては、３２０×８＝２５６０個であり、ＰＷＭジェネ
レータ部等もそれぞれ２５６０個で構成されている。た
だし、スイッチ手段；Ｐ１１０４の２５６０個の出力端
のうち左右それぞれ２ラインは、列配線に接続していな
い。According to such a method, the row wirings are sequentially scanned, and the column wirings are driven by the values subjected to the pulse width modulation with the corresponding image information to form an image on the display panel P2000. In the modulation circuit board 107, a driver stage for generating a pulse width modulation drive signal from the luminance line memory is formed as an IC. That is, the driver IC includes a modulation driver for 160 channels, a shift register circuit and a latch circuit for transferring and latching pulse width modulation data of each driver, and a PWM circuit.
Has a generator. In this embodiment, the horizontal 255
Since a shift register that shifts the luminance data by 160 for each of the six column wirings is used, the number of shifts is 320 × 8 = 2560, and the PWM generator unit and the like are each composed of 2560. Have been. However, the left and right two lines of the 2560 output terminals of the switch means P1104 are not connected to the column wiring.
【０４８３】次に、各ボードにおける発熱量を見積もっ
てみた。算出にあたり、水平852(RGBトリオ)＊垂直480
ラインの素子数を想定し、また入力信号としては６０Ｈ
ｚプログレシブスキャンの画像信号を仮定した。素子特
性に関しては、１４Ｖ駆動時に1素子に流れる素子電流
は１ｍＡとした。 １）変調回路基板 変調回路基板においての発熱は、Ａ：出力トランジスタ
における電力損出と、Ｂ：ロジック部における電力消費
に起因する。 Ａ：出力トランジスタにおける電力損出であるが、１ト
ランジスタのＯＮ抵抗を１００Ωとすると、全白画面表
示を行うと、 ＰlosA＝Ron × （If）^2 × 2556＝１００×（１ｍ
Ａ）＾2 ×2556＝０．３Ｗ Ｂ：ロジック 前述の様に、１Ｈ（走査線４８０本、６０Ｈｚプログレ
シブスキャンにおいては〜30us）期間の間に、２５５６
個のＰＷＭジェネレータＰ1102に8bit輝度データを転送
する必要がある。この時のデータ転送時のロジック消費
電力が最も多い。即ち、ドライバＩＣ内で消費されるロ
ジック消費電力が最も多い。Next, the calorific value of each board was estimated. For calculation, 852 horizontal (RGB trio) * 480 vertical
Assuming the number of line elements, and the input signal is 60H
An image signal of z progressive scan was assumed. Regarding element characteristics, the element current flowing through one element at the time of driving at 14 V was 1 mA. 1) Modulation Circuit Board Heat generation in the modulation circuit board is caused by A: power loss in the output transistor and B: power consumption in the logic unit. A: The power loss in the output transistor. When the ON resistance of one transistor is 100Ω, when displaying an all white screen, PlosA = Ron × (If)） 2 × 2556 = 100 × (1 m
A) ＾ 2 × 2556 = 0.3 W B: Logic As described above, 2556 during 1H (480 scanning lines, 3030 us in a 60 Hz progressive scan) period.
It is necessary to transfer 8-bit luminance data to the PWM generators P1102. Logic power consumption during data transfer at this time is the largest. That is, the logic power consumed in the driver IC is the largest.
【０４８４】即ち、ドライバＩＣ１個あたりに、１６０
個の8bitデータを転送するシフト動作とＰＷＭカウンタ
回路が動作する。一般に、一ロジックの消費電力は Ｐlogic＝（1/2）×f×C × （Vlogic）^2 ここで、ｆは動作周波数、Ｃはロジックゲート容量、Ｖ
logicはロジック動作電圧本実施例において、シフトカ
ウンタ、ＰＷＭカウンタクロック＝9MHZで動作させたと
ころドライバＩＣ１個あたり、１Ｗの消費電力が消費さ
れた。全部でドライバＩＣはＰlosB＝１ｗ × １６ ＝
１６Ｗの電力損出になった。 ２）走査回路基板 変調回路基板においての発熱は、Ａ：出力トランジスタ
における電力損出と、Ｂ：ロジック部における電力消費
に起因する。 Ｂ：走査回路基板の、ロジックの動作周波数は、低くほ
とんど問題にならなかった。 Ａ：出力トランジスタによる損出（１トランジスタのＯ
Ｎ抵抗を０．２Ω、一つの基板当り） ＰlosA＝Ron × （ラインIf/2）^2 ＝０．２ × (2556mA / 2)＾2 ＝０．３Ｗ ３）画像データ発生回路 変調回路基板においての発熱は、主に、Ｂ：ロジック部
における電力消費に起因する。ロジック部の消費電力
は、ロジック動作電圧を３．３Ｖ動作させると１０ｗ程
度だった。１）〜３）の結果より、最も発熱の多い変調
回路基板１０７を画像表示部の上端に配し、また画像デ
ータ変換回路基板が変調回路基板の下に配した。また一
対の走査回路基板を画像表示部の右または左端に配し
た。これにより画像表示装置は、駆動電気回路部からの
発熱を効率よく放熱し、安定した動作をした。本実施例
によれば、駆動電気回路部を構成する電気回路基板から
の発熱を、外装部材の上下に設けた空気取り入れ口から
自然対流で充分に放熱することができた。これによりフ
ァンレスが実現され、静粛性の高い画像表示装置が実現
された。特に、画像表示装置の解像度が増加した場合
は、変調回路基板のロジック部の発熱が大きく本実施例
のようなレイアウトが効果が高い。例えば水平方向画素
数１９２０（×３素子数）、走査線１０８０本、６０Ｈ
ｚプログレシブスキャンにおいては、前述のＰＷＭカウ
ンタやシフトクロックを＞20MHZで動かす必要がある。
この場合、ロジックの動作電圧を下げることはできて
も、ＩＣの出力電圧で決まるロジックＩＣのサイズは変
えられないため、ロジックゲート容量が変わらず、ドラ
イバＩＣ１個あたり２Ｗの消費電力が消費され、変調回
路基板の発熱が増えた。That is, 160 driver ICs per driver IC
The shift operation for transferring the 8-bit data and the PWM counter circuit operate. Generally, the power consumption of one logic is Plogic = (1/2) × f × C × (Vlogic) ^ 2 where f is the operating frequency, C is the logic gate capacity, and V
Logic is a logic operating voltage In this embodiment, when the shift counter and the PWM counter clock were operated at 9 MHz, 1 W of power was consumed per driver IC. In all, the driver IC is PlosB = 1w × 16 =
The power loss was 16W. 2) Scanning circuit board Heat generation in the modulation circuit board is caused by A: power loss in the output transistor and B: power consumption in the logic unit. B: The operating frequency of the logic of the scanning circuit board was low and hardly caused any problem. A: Loss due to output transistor (O of one transistor
PlosA = Ron × (line If / 2) ^ 2 = 0.2 × (2556mA / 2) ＾ 2 = 0.3W 3) Image data generation circuit Modulation circuit board Is mainly caused by B: power consumption in the logic unit. The power consumption of the logic section was about 10 W when the logic operation voltage was operated at 3.3 V. According to the results of 1) to 3), the modulation circuit board 107 that generates the most heat was disposed at the upper end of the image display unit, and the image data conversion circuit board was disposed below the modulation circuit board. Further, a pair of scanning circuit boards is arranged on the right or left end of the image display unit. As a result, the image display device efficiently radiated heat generated from the driving electric circuit portion and performed stable operation. According to the present embodiment, the heat generated from the electric circuit board constituting the driving electric circuit portion can be sufficiently radiated from the air intake ports provided above and below the exterior member by natural convection. As a result, fanless operation was realized, and an image display device with high quietness was realized. In particular, when the resolution of the image display device is increased, the heat generated in the logic portion of the modulation circuit board is large, and the layout as in this embodiment is highly effective. For example, the number of pixels in the horizontal direction is 1920 (× 3 elements), 1080 scanning lines, 60H
In the z progressive scan, it is necessary to operate the aforementioned PWM counter and shift clock at> 20 MHz.
In this case, even though the operating voltage of the logic can be reduced, the size of the logic IC determined by the output voltage of the IC cannot be changed. Therefore, the logic gate capacity does not change, and power consumption of 2 W per driver IC is consumed. The heat generated by the modulation circuit board has increased.
【０４８５】（構成２８）装置の組立にかかる構成とし
ては以下の構成を更に挙げることができる。(Structure 28) The following structures can further be mentioned as structures relating to the assembly of the device.
【０４８６】図１４６はこの構成の実施例における表示
パネルのリアプレート側のコネクタの配置を示す図であ
る。１は真空封止された表示パネルである。表示パネル
の詳しい構造および製造方法は後述する。２は列配線端
子となるフレキシブルケーブルおよびコネクタである。
３は行配線端子となるフレキシブルケーブルおよびコネ
クタである。４は加速電圧端子である。FIG. 146 is a diagram showing the arrangement of connectors on the rear plate side of the display panel in this embodiment of the present invention. Reference numeral 1 denotes a vacuum-sealed display panel. The detailed structure and manufacturing method of the display panel will be described later. Reference numeral 2 denotes a flexible cable and a connector serving as column wiring terminals.
Reference numeral 3 denotes a flexible cable and a connector serving as row wiring terminals. 4 is an accelerating voltage terminal.
【０４８７】図１４７は表示パネル１に制御部、駆動
部、電源部等を実装した場合の配置図である。５は変調
駆動部である。６は走査駆動部である。７は加速電圧発
生部である。８は装置全体の制御部である。９は加速電
圧用配線である。１０は装置の電源部である。FIG. 147 is a layout diagram in the case where a control unit, a drive unit, a power supply unit, and the like are mounted on the display panel 1. Reference numeral 5 denotes a modulation driver. Reference numeral 6 denotes a scanning drive unit. Reference numeral 7 denotes an acceleration voltage generator. Reference numeral 8 denotes a control unit for the entire apparatus. Reference numeral 9 denotes an acceleration voltage wiring. Reference numeral 10 denotes a power supply unit of the apparatus.
【０４８８】図１５１は加速電圧端子４の取り付け構造
および行配線、列配線、加速電極との位置関係を示す図
である。１０１はリアプレートで、表示パネル１の裏面
の構造部材である。１１１はフェイスプレートで、表示
パネル１の表面の構造部材である。１０４は支持枠であ
り、フェイスプレート１１１とリアプレート１０１を支
持する構造部材である。１３１は加速電圧を供給するケ
ーブルである。１１６は加速電圧端子である。１３２は
ゴムキャップである。１２２はリアプレートに開けられ
た貫通穴である。１２１は加速電圧端子領域を支持する
中空部材である。１２０は加速電圧の取り出し配線であ
る。１１２は加速電極であり、フェイスプレート１１１
上に形成されており、取り出し配線１２０を通じて加速
電圧端子１１６と電気的に接続されている。１０２は電
子源領域であり、行配線、列配線、電子源が配置されて
おり、リアプレート１０１上に形成されている。FIG. 151 is a diagram showing the mounting structure of the acceleration voltage terminal 4 and the positional relationship among the row wiring, the column wiring, and the accelerating electrode. Reference numeral 101 denotes a rear plate, which is a structural member on the back surface of the display panel 1. Reference numeral 111 denotes a face plate, which is a structural member on the surface of the display panel 1. Reference numeral 104 denotes a support frame, which is a structural member that supports the face plate 111 and the rear plate 101. 131 is a cable for supplying an acceleration voltage. 116 is an acceleration voltage terminal. 132 is a rubber cap. Reference numeral 122 denotes a through hole formed in the rear plate. 121 is a hollow member that supports the acceleration voltage terminal area. Reference numeral 120 denotes a wiring for extracting an acceleration voltage. Reference numeral 112 denotes an acceleration electrode,
It is electrically connected to the accelerating voltage terminal 116 through the extraction wiring 120. Reference numeral 102 denotes an electron source region in which row wiring, column wiring, and an electron source are arranged, and are formed on the rear plate 101.
【０４８９】図１５０は画像を表示するための処理の流
れを示すブロック図である。３１は映像入力部である。
３２はA/Dコンバート部である。３３はタイミング制御
部である。３４は信号処理部である。Ｓ１は入力された
複合映像信号である。Ｓ２は同期分離された映像信号で
ある。Ｓ３は複合映像信号Ｓ１から分離された同期信号
である。Ｓ４はデジタル化された映像信号である。Ｓ５
は変調信号である。Ｓ６は変調駆動部に対するタイミン
グ信号である。Ｓ７は走査信号である。Ｓ８は走査駆動
部に対するタイミング信号である。Ｓ８は加速電圧であ
る。FIG. 150 is a block diagram showing the flow of processing for displaying an image. Reference numeral 31 denotes a video input unit.
Reference numeral 32 denotes an A / D converter. 33 is a timing control unit. 34 is a signal processing unit. S1 is the input composite video signal. S2 is a video signal that has been subjected to synchronization separation. S3 is a synchronization signal separated from the composite video signal S1. S4 is a digitized video signal. S5
Is a modulation signal. S6 is a timing signal for the modulation drive unit. S7 is a scanning signal. S8 is a timing signal for the scan driver. S8 is an acceleration voltage.
【０４９０】映像信号入力部３１は複合映像信号Ｓ１を
入力し、映像信号Ｓ２と同期信号Ｓ３に分離する。Ａ／
Ｄコンバート部３２は映像信号Ｓ２をデジタル化しデジ
タル映像信号Ｓ４を出力する。タイミング制御部３３は
同期信号Ｓ３を基に、装置全体の動作タイミング信号を
出力する。映像信号処理部３４はデジタル映像信号Ｓ４
を処理し、走査信号Ｓ７および変調信号Ｓ５を出力す
る。走査駆動部６は走査タイミング信号Ｓ８と走査信号
Ｓ７に従い、行配線端子３を経由して、表示パネル１の
行配線を±１０Ｖ以下の低電圧で駆動する。変調駆動部
は変調タイミング信号Ｓ６と変調信号Ｓ５に従い、列配
線端子２を経由して表示パネル１の列配線を±１０Ｖ以
下の低電圧で駆動する。加速電圧発生部７は、高電圧を
発生し、表示パネル１に加速電圧Ｓ８を供給する。表示
パネル１の不図示の行配線と列配線の交点には不図示の
電子源が配置されており、行配線と列配線の単純マトリ
ックス駆動により電子ビームが発生し、表示パネル１内
の不図示の蛍光体を発光させて画像を表示する。表示パ
ネル１の構造および電子源の詳細については後述する。[0490] The video signal input section 31 receives the composite video signal S1 and separates it into a video signal S2 and a synchronizing signal S3. A /
The D converter 32 digitizes the video signal S2 and outputs a digital video signal S4. The timing control unit 33 outputs an operation timing signal of the entire apparatus based on the synchronization signal S3. The video signal processing unit 34 outputs the digital video signal S4
And outputs a scanning signal S7 and a modulation signal S5. The scan driver 6 drives the row wiring of the display panel 1 at a low voltage of ± 10 V or less via the row wiring terminal 3 according to the scanning timing signal S8 and the scanning signal S7. The modulation driving unit drives the column wiring of the display panel 1 at a low voltage of ± 10 V or less via the column wiring terminal 2 according to the modulation timing signal S6 and the modulation signal S5. The acceleration voltage generator 7 generates a high voltage and supplies the display panel 1 with an acceleration voltage S8. An electron source (not shown) is disposed at an intersection of a row wiring and a column wiring (not shown) of the display panel 1, and an electron beam is generated by simple matrix driving of the row wiring and the column wiring. The image is displayed by causing the phosphors to emit light. Details of the structure of the display panel 1 and the electron source will be described later.
【０４９１】加速電圧発生手段７の高電圧発生方法とし
ては、フライバック方式あるいはフォワードコンバータ
方式等が用いられる。As a high voltage generating method of the acceleration voltage generating means 7, a flyback method, a forward converter method, or the like is used.
【０４９２】行配線端子３は表示パネル１内の不図示の
行配線の両側に接続されており、２組の走査駆動部６に
よって全く同じ信号によって駆動される。こうする事に
より、行配線に流れる電流が両側に分散され、行配線の
部分的な電圧降下が小さくなる。The row wiring terminals 3 are connected to both sides of a row wiring (not shown) in the display panel 1, and are driven by two sets of scanning driving units 6 by exactly the same signal. By doing so, the current flowing through the row wiring is dispersed on both sides, and the partial voltage drop of the row wiring is reduced.
【０４９３】この装置の内、加速電圧端子４、電源部
７、加速電圧用配線９は数ＫＶ〜２０ＫＶ程度の高電圧
部、その他の部分は５Ｖ〜１５Ｖ程度の低電圧部であ
る。高圧部と低圧部との距離Ｌは、1mm/KV以上離れてい
る事が放電耐圧による安全上は望ましい。図１４７のよ
うに各部をレイアウトする事により低電圧部と高電圧部
の距離Ｌを容易に20mm以上離して配置する事が可能とな
り、放電耐圧が向上し装置の安全性が高まる。In this device, the accelerating voltage terminal 4, the power supply unit 7, and the accelerating voltage wiring 9 are high voltage parts of about several KV to 20 KV, and the other parts are low voltage parts of about 5V to 15V. It is desirable that the distance L between the high-voltage section and the low-voltage section be 1 mm / KV or more from the viewpoint of safety due to discharge withstand voltage. By laying out the parts as shown in FIG. 147, the distance L between the low-voltage part and the high-voltage part can be easily separated by 20 mm or more, thereby improving the discharge withstand voltage and the safety of the device.
【０４９４】さらに、高電圧部は高電圧発生回路による
ノイズの輻射が大きいため、装置の制御部８や駆動部
５、６などの低電圧部を、高電圧部より離れた場所に配
置可能となり、高電圧部の輻射ノイズによる回路の誤動
作の可能性も低減できた。Further, since the high-voltage section has large radiation of noise from the high-voltage generating circuit, the low-voltage section such as the control section 8 and the driving sections 5 and 6 of the apparatus can be arranged at a place remote from the high-voltage section. In addition, the possibility of circuit malfunction due to radiation noise in the high-voltage section could be reduced.
【０４９５】図１５２は表示パネル１のリアプレート１
０１を正面から見た図である。この図では不図示のフレ
キシブルケーブル２、３は列配線１０５、行配線１０６
の端の電極部にＡＣＦによって熱圧着接続される。リア
プレートにおいても、列配線１０５、行配線１０６、不
図示の電子源等からなる低電圧部の電子源領域１０２と
高電圧部の加速電圧端子の中空部１２２との間の距離Ｌ
は0.5mm/KV以上離れている事が放電耐圧による安全上あ
るいは表示パネル１の性能維持のためには望ましく、1m
m/KV以上離れていればさらに望ましい。行配線端子、列
配線端子、加速電圧端子を図１４６のように配置する事
によって、図１５２に示すように低電圧部の電子源領域
と高電圧部の加速電圧端子の中空部１２２を容易に20mm
以上離して配置する事が可能となり、表示パネル１内部
での放電耐圧が向上して、装置の安全性が高まるととも
にパネルの性能を長時間維持する事が容易となる。FIG. 152 shows the rear plate 1 of the display panel 1.
It is the figure which looked at 01 from the front. In this figure, the flexible cables 2 and 3 (not shown) include a column wiring 105 and a row wiring 106.
Is thermocompression-bonded to the electrode portion at the end by the ACF. Also in the rear plate, the distance L between the electron source region 102 of the low voltage part including the column wiring 105, the row wiring 106, the electron source (not shown) and the hollow part 122 of the accelerating voltage terminal of the high voltage part.
0.5 mm / KV or more is desirable for safety due to discharge withstand voltage or for maintaining the performance of the display panel 1.
It is more desirable if the distance is at least m / KV. By arranging the row wiring terminals, column wiring terminals, and accelerating voltage terminals as shown in FIG. 146, the electron source region of the low voltage part and the hollow part 122 of the accelerating voltage terminal of the high voltage part can be easily formed as shown in FIG. 20mm
It is possible to arrange them apart from each other as described above, the discharge withstand voltage inside the display panel 1 is improved, the safety of the device is enhanced, and the performance of the panel can be easily maintained for a long time.
【０４９６】また、以上で述べた安全上望ましい高圧部
と低圧部との距離（高圧部と低圧部が20mm以上離れてい
る）を満たしていれば、図１４８に示したように加速電
圧端子４は必ずしも表示パネル１の辺の中央に配置され
る必要はない。さらに図示はしていないが、同様に列配
線端子１２および行配線端子１３も辺のどの部分に配置
されてもよい。If the distance between the high-pressure section and the low-pressure section, which is desirable for safety, is satisfied (the high-pressure section and the low-pressure section are separated by 20 mm or more), as shown in FIG. Need not necessarily be arranged at the center of the side of the display panel 1. Although not shown, the column wiring terminals 12 and the row wiring terminals 13 may be arranged in any part of the side.
【０４９７】また、本発明を縦形の表示装置に適用する
場合もほぼ同様の構成で実現できる。装置の重心が下方
になるように、図１４９のように電源部７、１０を装置
の下方に配置し、装置内のレイアウトを多少変化させた
点を除いては上記実施例と同様である。Also, when the present invention is applied to a vertical display device, it can be realized with substantially the same configuration. The power supply units 7 and 10 are arranged below the apparatus as shown in FIG. 149 so that the center of gravity of the apparatus is below, and the layout is the same as that of the above embodiment except that the layout in the apparatus is slightly changed.
【０４９８】（構成２９）画像形成装置からの除電を行
う場合には以下の構成が利用できる。(Structure 29) The following structure can be used to eliminate static from the image forming apparatus.
【０４９９】（実施例１）図１５３が本構成の実施例で
の画像表示装置である。この実施例では実際に画像表示
装置として駆動させた場合においての除電駆動を行う時
の方法を述べる。まず、画像表示装置の説明として、画
像表示部１は実施例１と同じである。駆動方法として
は、走査方法を線順次とし、表示画像に階調をつけるた
めに、一水平走査時間（１H）内の電子放出期間を変調
信号の時間幅で制御することにより、蛍光体の発光総量
を制御し階調表現することを基本としている。図１５３
において、信号分離回路12はNTSCなどの映像信号から、
水平同期信号、垂直同期信号、ディジタル映像信号等を
作製するための回路である。この中には映像中間周波数
回路、映像検波回路、同期分離回路、ローパスフィルタ
ー、A／D変換回路、タイミング制御回路等が含まれてい
る。14は、画像表示部の行方向配線を駆動するための走
査信号側ドライバーであり、信号分離回路12で分離作製
された水平同期信号に基づいて、走査信号を出力する回
路である。13は画像表示部の列方向を配線を駆動するた
めの変調信号側ドライバであり、信号分離回路12で分離
作製された水平同期信号、垂直同期信号、ディジタル映
像信号などから変調信号を出力する回路である。(Embodiment 1) FIG. 153 shows an image display apparatus according to an embodiment of the present invention. In this embodiment, a description will be given of a method of performing static elimination driving when the image display apparatus is actually driven. First, as a description of the image display device, the image display unit 1 is the same as that of the first embodiment. As a driving method, the emission method of the phosphor is controlled by controlling the electron emission period within one horizontal scanning time (1H) by the time width of the modulation signal in order to give a gradation to a display image by making the scanning method line-sequential. It is based on controlling the total amount and expressing gradation. FIG.
In, the signal separation circuit 12 converts the video signal such as NTSC from
This is a circuit for producing a horizontal synchronization signal, a vertical synchronization signal, a digital video signal, and the like. These include a video intermediate frequency circuit, a video detection circuit, a synchronization separation circuit, a low-pass filter, an A / D conversion circuit, a timing control circuit, and the like. Reference numeral 14 denotes a scanning signal side driver for driving the row direction wiring of the image display unit, which is a circuit that outputs a scanning signal based on the horizontal synchronization signal separated and produced by the signal separation circuit 12. Reference numeral 13 denotes a modulation signal side driver for driving the wiring in the column direction of the image display unit, and a circuit that outputs a modulation signal from a horizontal synchronization signal, a vertical synchronization signal, a digital video signal, and the like separated and produced by the signal separation circuit 12. It is.
【０５００】１６は本画像表示装置の電源状態を検知す
る回路で、電源ＳＷのＯＮ／ＯＦＦに応じた信号を出力
する。更に、１７ではＳＷ ＯＦＦ信号をもとに表示装
置の除電駆動を行うために信号をコントローラ１１に出
力しているタイマ回路である。タイマ回路17からの信号
がアクティブ状態の時には、Va=0vに対応した信号が出
力されることとなる。又、７、８は実施例１と同様に高
圧電源８とアノード電流検出回路７である。図１５８
は、本発明の画像表示装置の画像表示部を駆動する際
に、行方向配線（すなわち走査信号を供給する側の配
線）、列方向配線（すなわち、変調信号を供給する側の
配線）の引き出し線に印加する電圧のタイミングチャー
トの一例を表している。同図のタイミングチャートは前
記画像表示装置のある行Ｉ，I＋1、I＋2を順々に駆動し
ている時のＩ，I＋1、I＋2行の行方向配線に印加してい
る電圧と、変調信号側である列方向配線J、J＋1、J＋2列
の列方向配線に印加している電圧を表した図である。
（必然的に1＜I＜M−2、1＜JN−2、Mは行方向配線本
数、Nは列方向配線本数である＞同図では、ある1水平走
査期間Kでは、I行目の表示、K+1ではI+1行目の行を表示
K+2ではI+2行目の行を表示している。線順次走査する際
の走査側である、行方向配線は1水平走査期間（以降1H
とする）ごとに順番に選択され、選択された行の行方向
配線には、1Hに相当するパルス幅を持つ波高値−1／2Vf
（Vfはここでは駆動電圧であり、およそVf＝2Vth）の走
査信号が順番に印加されていく。走査は全方向配線に付
いて行われた後は、又始めの行から順番に繰り返され
る。列方向配線には、行方向配線に印加する走査信号と
同期して、選択された行に表示する映像信号に対応した
1／2Vfの波高値を有する。変調信号が全列方向配線に印
加される。変調信号は、操作信号の立ち上がりに同期し
て立ち上がり、映像信号に対応した時間だけ波高値1/2
Ｖｆの状態を維持した後立ち上がる。（以後変調信号が
立ち上がってから、次に立ち上がるまでの期間を単に変
調信号のパルス幅と呼ぶ）変調信号のパルス幅は、選択
された行に表示する映像信号のＲＧＢの3色に分解した
時のそれぞれの輝度に対応しているが、実際には高品位
な画像を表示するためにさまざまな補正をかけるため単
純な比例関係ではない。このように、電圧印加すること
により、選択された行の表面伝導放出型素子には、変調
信号のパルス幅だけ駆動電圧Ｖｆが印加される。表面伝
導放出型素子の放出電流ＩｅはＶｆに対して上述したよ
うな明確な閾値特性をもっているため、この結果として
選択された行には、所望の映像信号に対応した画像が表
示される。さらに、線順次に操作を行っていくことによ
り画像表示部内の全表面伝導型放出素子にわたって画像
の表示が行われる。Reference numeral 16 denotes a circuit for detecting the power state of the image display apparatus, and outputs a signal corresponding to ON / OFF of the power switch. Reference numeral 17 denotes a timer circuit which outputs a signal to the controller 11 in order to drive the display device for static elimination based on the SW OFF signal. When the signal from the timer circuit 17 is in the active state, a signal corresponding to Va = 0v is output. Reference numerals 7 and 8 denote a high-voltage power supply 8 and an anode current detection circuit 7 as in the first embodiment. FIG.
Draws out the row direction wiring (that is, the wiring on the side that supplies the scanning signal) and the column direction wiring (that is, the wiring on the side that supplies the modulation signal) when driving the image display unit of the image display device of the present invention. 4 shows an example of a timing chart of a voltage applied to a line. The timing chart shown in the figure shows the voltages applied to the row-direction wirings of the I, I + 1, and I + 2 rows when a certain row I, I + 1, and I + 2 of the image display device are sequentially driven, and the modulation signal side. FIG. 9 is a diagram illustrating voltages applied to column-direction wirings in certain column-direction wirings J, J + 1, and J + 2.
(Inevitably, 1 <I <M−2, 1 <JN−2, M is the number of wirings in the row direction, and N is the number of wirings in the column direction.) In FIG. Display, display K + 1 row for K + 1
K + 2 displays the I + 2 line. The row direction wiring, which is on the scanning side when performing line-sequential scanning, takes one horizontal scanning period (hereinafter 1H).
Each time, and a peak value of -1 / 2Vf having a pulse width equivalent to 1H is provided in the row direction wiring of the selected row.
(Vf is a drive voltage here, and approximately Vf = 2Vth) scanning signals are sequentially applied. After the scanning is performed on the omnidirectional wiring, the scanning is repeated from the first row again. The column direction wiring has a video signal to be displayed in the selected row in synchronization with the scanning signal applied to the row direction wiring.
It has a peak value of 1/2 Vf. The modulation signal is applied to all column wirings. The modulation signal rises in synchronization with the rise of the operation signal, and has a peak value of 1/2 for a time corresponding to the video signal.
It rises after maintaining the state of Vf. (Hereafter, the period from the rise of the modulation signal to the next rise is simply referred to as the pulse width of the modulation signal.) The pulse width of the modulation signal is obtained when the video signal displayed on the selected row is separated into three colors of RGB of the video signal. However, it is not a simple proportional relationship because various corrections are applied in order to display a high-quality image. As described above, by applying the voltage, the drive voltage Vf is applied to the surface conduction emission type elements in the selected row by the pulse width of the modulation signal. Since the emission current Ie of the surface conduction emission type element has the above-mentioned clear threshold characteristic with respect to Vf, an image corresponding to a desired video signal is displayed on the selected row as a result. Further, by performing operations in a line-sequential manner, an image is displayed over all the surface conduction electron-emitting devices in the image display unit.
【０５０１】次に、本実施例の除電作用について説明す
る。画像表示装置においての除電駆動を行う方法として
は、画像表示中に例えば、Ieの変化率を検知してＶａを
ある時間停止しておくことは画像表示装置として不可能
である。そのため電源状態の変化を検知するためのSW
ON／OFF検知回路16を設けて、画像表示装置のSWがOFFさ
れたことを検知しその信号をタイマ回路15に出力する。
タイマ回路15はSW信号のOFFを認識しコントロール回路1
1に除電駆動を行うためのVa＝０v指示信号を一定時間出
力する。そしてコントロール回路11は、タイマ回路15の
信号をもとに、高圧コントロール信号によって高圧電源
8のVa制御を０Ｖに設定する。Next, the static elimination action of this embodiment will be described. As a method of performing the static elimination drive in the image display device, for example, it is impossible for the image display device to stop the Va for a certain time while detecting the change rate of Ie during the image display. Therefore, SW to detect power status change
An ON / OFF detection circuit 16 is provided to detect that the SW of the image display device has been turned off, and output a signal to the timer circuit 15.
The timer circuit 15 recognizes that the SW signal is OFF, and the control circuit 1
In step 1, a Va = 0v instruction signal for performing the static elimination drive is output for a predetermined time. Then, the control circuit 11 uses the high-voltage control signal to
Set the 8 Va control to 0V.
【０５０２】図１５４に上記の制御に対応したタイミン
グチャートを示した。まず、画像表示装置がＴ１なる時
間においてＳＷがＯＦＦされた場合には、ＳＷ ON/OFF
検知回路よりOFFのロジックレベルの信号が出力され
る。タイマ回路１５は、OFF時での信号の変化，例えば
本実施例２ではH→Lへの信号の立ち下がりをとらえ、タ
イマカウンタを作動させる。タイマカウンタは、タイマ
回路内部で設定されたカウンタ回路によって決定されコ
ントローラ回路１１に対してVa=０に対応したロジック
信号（本実施例２ではＬ→Hレベル）をTaなる時間だけ
出力する。コントローラ回路１１はタイマ回路１３の信
号の変化をとらえ、除電駆動を開始する。FIG. 154 shows a timing chart corresponding to the above control. First, when the SW is turned off at the time T1 of the image display device, SW ON / OFF is performed.
An OFF logic level signal is output from the detection circuit. The timer circuit 15 catches a change in the signal at the time of OFF, for example, the falling of the signal from H to L in the second embodiment, and operates the timer counter. The timer counter outputs a logic signal (L → H level in the second embodiment) determined by a counter circuit set in the timer circuit and corresponding to Va = 0 to the controller circuit 11 for a time period Ta. The controller circuit 11 detects a change in the signal of the timer circuit 13 and starts the charge elimination drive.
【０５０３】除電駆動は、Taの間行われ、コントロール
回路１１から高圧コントロール信号Va=０の設定が高圧
電源８に対してなされ、一方素子駆動のみを行うために
走査側ドライバ１４と変調信号側ドライバ１３はそのま
ま駆動される。そして、タイマカウンタによりTaの時間
が終了する場合には、タイマカウンタの出力信号はH→L
に変化され、コントローラ回路１１はその信号の変化を
とらえることで除電駆動の解除を行い素子駆動も停止さ
れる。以上の制御では、アノード電流検出回路７からの
アノード電流Ieの検出を行わずに除電駆動を行ったが、
アノード電流値Ieの値を取り込んで除電駆動を行っても
よい。具体的には、例えばTaなる時間のタイマカウンタ
の信号が出力された時点で、コントローラ回路１１がア
ノード電流Ieの値を検知し、その値に対して除電駆動を
行うかどうかの判断をしてもよい。判断方法としては、
コンパレータ回路等を用いてIeとの比較を行い、コンパ
レータ回路に設定された設定Ie値以上のIeであれば除電
駆動を行うものとする。そして、Ta時間内でIeが設定値
以下になればその時点で除電駆動は完了する。又Taの時
間が経過してもIeの値が設定値以上であれば引き続き除
電駆動を継続する。この場合、アノード電流Ieは、電気
的な信号として変換されて（アナログ信号または、ADコ
ンバータを通してのデジタル信号）コンパレータ回路に
入力される。更に、コンパレータ回路で設定される設定
Ie値は、画像表示装置で表示駆動される時に印加される
Vaの値に応じて変更される。The discharge drive is performed during the Ta period, and the high-voltage control signal Va = 0 is set from the control circuit 11 to the high-voltage power supply 8. On the other hand, the scanning driver 14 and the modulation signal The driver 13 is driven as it is. When the time of Ta is finished by the timer counter, the output signal of the timer counter becomes H → L
The controller circuit 11 releases the charge elimination drive by catching the change in the signal and stops the element drive. In the above control, the static elimination drive was performed without detecting the anode current Ie from the anode current detection circuit 7.
The charge elimination drive may be performed by taking in the value of the anode current value Ie. Specifically, for example, when a timer counter signal for a time of Ta is output, the controller circuit 11 detects the value of the anode current Ie, and determines whether or not to perform the static elimination driving for the value. Is also good. As a judgment method,
Comparison with Ie is performed using a comparator circuit or the like, and if Ie is equal to or greater than the set Ie value set in the comparator circuit, static elimination driving is performed. Then, if Ie becomes equal to or less than the set value within the Ta time, the charge elimination drive is completed at that time. If the value of Ie is equal to or greater than the set value even after the time of Ta has elapsed, the drive for static elimination is continued. In this case, the anode current Ie is converted as an electrical signal (an analog signal or a digital signal through an AD converter) and input to the comparator circuit. Furthermore, the settings set by the comparator circuit
The Ie value is applied when the display is driven by the image display device.
It is changed according to the value of Va.
【０５０４】更に、別の方法としては、SWの状態時間に
応じてTaの時間設定を行ってもよい。その場合には、タ
イマ回路１３がSW ON/OFF検知回路１６からの信号をも
とにON時間の計測する。画像表示装置のON時間が短い場
合にはTaの時間を短くし、ON時間が長い場合はTaを長く
する。又、この時にもアノード電流Ieを検知して前述し
たようなコンパレート回路を用いた制御を行ってもよ
い。それにより画像表示の駆動時間に応じた除電駆動を
行うことが可能である。As another method, the time of Ta may be set according to the state time of SW. In that case, the timer circuit 13 measures the ON time based on the signal from the SW ON / OFF detection circuit 16. If the ON time of the image display device is short, the time of Ta is shortened, and if the ON time is long, Ta is lengthened. Also at this time, the anode current Ie may be detected and control using the above-described comparator circuit may be performed. Thus, it is possible to perform the charge elimination drive according to the image display drive time.
【０５０５】更に、別の方法として、コントローラ内部
にCPUあるいはシーケンサ等を備え、シーケンス処理に
よって除電駆動を行ってもよい。図１５５に、シーケン
スで行う場合のフローチャートを示したので簡単に説明
する。S10によってSWのON／OFF状態の判定がされる。SW
がOFF状態えあればS11でアノード電流Ieの値を検知して
除電駆動が必要か否かの判断がされる、許容値以上であ
ればS12に進む。次に、除電駆動を行う場合にはS12での
タイマの設定を行う。除電時間は前述したTaの時間に相
当する。次にS13で除電駆動を行う。除電駆動はVa=０
ｖ、素子駆動ONの状態としてS12で設定された時間だけ
除電を行う。除電駆動がS14で完了したことが判断され
ると、S15で再度Ieの値を検知し除電駆動の停止かどう
かの判断がおこなわれる。そして除電駆動停止の場合に
はS16で素子駆動がOFFされる。As another method, a CPU or a sequencer may be provided in the controller, and the static elimination drive may be performed by a sequence process. FIG. 155 shows a flowchart in the case of performing the operation in a sequence, and will be briefly described. At S10, the ON / OFF state of the SW is determined. SW
Is in the OFF state, the value of the anode current Ie is detected in S11 to determine whether or not the drive for static elimination is necessary. Next, when performing the static elimination drive, the timer is set in S12. The neutralization time corresponds to the time of Ta described above. Next, static elimination drive is performed in S13. Va = 0 for static elimination drive
v. Static electricity removal is performed for the time set in S12 as the element drive ON state. When it is determined that the charge elimination drive is completed in S14, the value of Ie is detected again in S15, and it is determined whether or not the charge elimination drive is stopped. Then, in the case of stopping the charge removal drive, the element drive is turned off in S16.
【０５０６】以上、本実施例ではＳＷのＯＮ／ＯＦＦ信
号を検知し除電駆動の制御を可能とした。本実施例によ
って、画像表示装置の表示時間に応じて除電駆動を行う
ことができ除電効果も向上し、真空放電の要因の一つで
ある表面電位上昇をふせぎ表示装置の信頼性も向上し
た。又、短時間の間でSWのON/OFFが繰り返される場合
（例えばＴＶからゲームに切り替える時）などにも本実
施例の方法によって除電駆動が可能である。As described above, in this embodiment, it is possible to control the static elimination drive by detecting the ON / OFF signal of the SW. According to the present embodiment, the charge elimination drive can be performed in accordance with the display time of the image display device, the charge elimination effect is improved, and the reliability of the display device is improved by preventing the surface potential rise which is one of the factors of the vacuum discharge. Further, even when the ON / OFF of the SW is repeated within a short time (for example, when switching from the TV to the game), the static elimination drive can be performed by the method of the present embodiment.
【０５０７】（実施例３）次に本発明の実施例3を説明
する。実施例3は、除電駆動を画像表示中にも行う様に
している。画像表示回路の構成及び、画像表示の制御回
路等はすべて実施例2で同じであることから説明は省略
する。実施例３の制御方法としては、アノード電流検出
回路７によって検知されたIeの値が、設定値Ieをこえた
場合にタイマ回路によって除電駆動を行う時間Taが設定
される。設定されたTaの信号の開始から、水平同期信号
に同期させて数フレームに１回の割合でVa=０の高圧コ
ントロール信号が出力され除電を行うものである。図１
５６にそのタイミングチャートを示したので具体的に説
明する。Embodiment 3 Next, Embodiment 3 of the present invention will be described. In the third embodiment, the charge removal drive is performed even during image display. Since the configuration of the image display circuit, the control circuit for image display, and the like are all the same as in the second embodiment, the description is omitted. As a control method according to the third embodiment, a time Ta for performing the static elimination drive by the timer circuit when the value of Ie detected by the anode current detection circuit 7 exceeds the set value Ie is set. A high-voltage control signal of Va = 0 is output once every several frames in synchronization with the horizontal synchronizing signal from the start of the set Ta signal, and static elimination is performed. FIG.
The timing chart is shown in FIG.
【０５０８】まず、アノード電流検出回路7より常時ア
ノード電流Ieがコントローラ回路11に取り込まれる。コ
ントローラ回路11内では、実施例2と同様にコンパレー
タ回路が用いられ、設定値Ieに対して、検出されたIeが
設定値以上の場合には、コンパレータ回路からコントロ
ーラ回路11を通してタイマ回路15にその信号が入力され
る。タイマ回路15は入力された信号を検知することで、
タイマ信号Taを出力する。Taの出力方法は実施例2と同
様である。タイマ信号Taが出力されると、コントローラ
回路11ではその信号の変化（Ｌ→H）をとらえて、水平
同期信号と同期をとりながらVa＝０の信号を出力する。
水平同期信号は、NTSC信号である場合には60Hzの周期で
同期信号が出力されることから、例えば実施例３では水
平同期信号をカウントするカウンタと、Taの信号と水平
同期信号との同期をとる同期回路によって、2フィール
ド（1フレーム）に1回の割合でVa＝０ｖの信号を高圧電
源８に対して出力されるされるように上記カウンタの設
定を行うようにしている。それによって、高圧電源８へ
の制御は約16msec間Va＝０vとなり、素子駆動のみを行
う除電駆動の期間が１フレームに1回存在することにな
る。以上の様な制御を行うことで、画像表示中において
も表示装置への除電駆動が実現できる。また除電駆動の
設定に関しては水平同期信号をカウントするカウンタの
設定値を変えることで可能である。本実施例３で設定し
た除電駆動周期によって画像の表示に対してフリッカ等
の影響がある場合には、カウンタの設定値を増やして除
電駆動周期を長くしてもよい。その場合には、Taの設定
時間も長くしたほうがよい。更に実施例3においても、I
eの値を検知し、設定されているTaの時間内にIeの値が
設定Ie以下になった場合には、除電駆動を解除すること
も可能である、又Taの時間が終了してもIeの値が設定Ie
値以上の場合には引き続き除電駆動を継続する。更に、
実施例2と同様に別の方法として、コントローラ内部にC
PUあるいはシーケンサ等を備え、シーケンス処理によっ
て除電駆動を行ってもよい。図１５７にシーケンス処理
で行なった場合でのフローチャートを示し、そのフロー
を簡単に説明する。まずS17でアノード電流Ieの判断が
行われ、設定Ie値以上である場合には、S18で除電駆動
のタイマ設定Taがおこなわれる。次にS19で水平同期信
号から予め設定されているカウント値をもとにして所定
の水平同期信号をカウントした後、S20にてVa=０で素子
駆動のみの除電駆動を行う。除電駆動制御は前述した制
御と同じである。次にS21で設定時間Taが終了したかの
判断がなされる。設定時間が終了のであればS22で再度
アノード電流Ieの検知を行い、設定値以下であればS23
でVaを所定の電圧で設定し、水平同期カウンタをディセ
ーブル状態にして、通常の画像表示駆動を行い。Ieの値
が設定以上で除電駆動が必要であれば設定値以下になる
まで引き続き除電駆動が継続される。First, the anode current Ie is always taken into the controller circuit 11 from the anode current detection circuit 7. In the controller circuit 11, a comparator circuit is used as in the second embodiment. When the detected Ie is equal to or more than the set value for the set value Ie, the comparator circuit supplies the timer circuit 15 to the timer circuit 15 through the controller circuit 11. A signal is input. The timer circuit 15 detects the input signal,
Outputs timer signal Ta. The output method of Ta is the same as that of the second embodiment. When the timer signal Ta is output, the controller circuit 11 detects a change in the signal (L → H) and outputs a signal of Va = 0 while synchronizing with the horizontal synchronizing signal.
When the horizontal synchronization signal is an NTSC signal, the synchronization signal is output at a cycle of 60 Hz. For example, in the third embodiment, a counter for counting the horizontal synchronization signal and a synchronization between the Ta signal and the horizontal synchronization signal are provided. The counter is set so that a signal of Va = 0 V is output to the high-voltage power supply 8 once every two fields (one frame) by a synchronization circuit. As a result, the control of the high voltage power supply 8 becomes Va = 0 V for about 16 msec, and the period of the charge removal drive for performing only the element drive exists once in one frame. By performing the control as described above, it is possible to realize the drive to remove electricity from the display device even during image display. The setting of the charge elimination drive can be made by changing the set value of the counter that counts the horizontal synchronization signal. If there is an effect of flicker or the like on the display of an image due to the static elimination drive cycle set in the third embodiment, the counter elimination drive cycle may be lengthened by increasing the set value of the counter. In that case, it is better to set the Ta setting time longer. Furthermore, in Example 3, I
If the value of e is detected and the value of Ie becomes equal to or less than the set Ie within the set time of Ta, it is possible to cancel the static elimination drive. Ie value set Ie
If the value is equal to or more than the value, the static elimination drive is continued. Furthermore,
As another method similar to the second embodiment, C
A PU or a sequencer may be provided, and the static elimination drive may be performed by a sequence process. FIG. 157 shows a flowchart in the case of performing the sequence processing, and the flow will be briefly described. First, in S17, the anode current Ie is determined. If the anode current Ie is equal to or greater than the set Ie value, a timer setting Ta for static elimination drive is performed in S18. Next, in S19, a predetermined horizontal synchronization signal is counted from the horizontal synchronization signal based on a preset count value, and then, in S20, static elimination driving only for element driving is performed at Va = 0 in S20. The static elimination drive control is the same as the control described above. Next, in S21, it is determined whether the set time Ta has ended. If the set time is over, the anode current Ie is detected again in S22, and if it is equal to or less than the set value, S23
To set Va at a predetermined voltage, disable the horizontal synchronization counter, and perform normal image display driving. If the value of Ie is equal to or higher than the set value and the charge elimination drive is required, the charge elimination drive is continued until the value becomes equal to or less than the set value.
【０５０９】以上実施例3では、画像表示中においても
除電駆動を行うことを可能とし、実施例２と同様に真空
放電の要因の一つである表面電位上昇をふせぎ表示装置
の信頼性も向上した。[0509] In the third embodiment, the static elimination drive can be performed even during the image display, and the reliability of the display device can be improved by preventing the surface potential rise, which is one of the factors of the vacuum discharge, as in the second embodiment. did.
【０５１０】（構成３０）画像表示面を分割駆動する構
成について実施例により説明する。(Structure 30) A structure for driving the image display surface in a divided manner will be described with reference to an embodiment.
【０５１１】（実施例１）図１５９は実施例に用いた表
示パネルの斜視図であり、内部構造を示すためにパネル
の１部を切り欠いて示している。前記ＮｘＭ個の表面伝
導型放出素子は、Ｍ本の行方向配線１００３と電気的に
２つの区画に分割したＮ本の列方向配線１００４により
単純マトリクス配線されている。(Example 1) FIG. 159 is a perspective view of a display panel used in an example, in which a part of the panel is cut away to show the internal structure. The N × M surface conduction electron-emitting devices are arranged in a simple matrix by M row-directional wirings 1003 and N column-directional wirings 1004 that are electrically divided into two sections.
【０５１２】次に、前記実施例の表示パネルに用いたマ
ルチ電子ビ−ム源の製造方法について説明する。本発明
の画像表示装置に用いるマルチ電子ビ−ム源は、表面伝
導型放出素子を単純マトリクス配線した電子源であれ
ば、表面伝導型放出素子の材料や形状あるいは製法に制
限はない。しかしながら、発明者らは、表面伝導型放出
素子の中では、電子放出部もしくはその周辺部を微粒子
膜から形成したものが電子放出特性に優れ、しかも製造
が容易に行えることを見いだしている。したがって、高
輝度で大画面の画像表示装置のマルチ電子ビ−ム源に用
いるには、最も好適であると言える。そこで、上記実施
例の表示パネルにおいては、電子放出部もしくはその周
辺部を微粒子膜から形成した表面伝導型放出素子を用い
た。Next, a method of manufacturing a multi-electron beam source used for the display panel of the above embodiment will be described. The multi-electron beam source used in the image display device of the present invention is not limited in terms of the material, shape, or manufacturing method of the surface conduction electron-emitting device as long as it is an electron source in which surface conduction electron-emitting devices are arranged in a simple matrix. However, the inventors have found that among the surface conduction electron-emitting devices, those in which the electron-emitting portion or its peripheral portion is formed of a fine particle film have excellent electron-emitting characteristics and can be easily manufactured. Therefore, it can be said that it is most suitable for use in a multi-electron beam source of a high-luminance, large-screen image display device. Therefore, in the display panel of the above embodiment, a surface conduction electron-emitting device having the electron-emitting portion or its peripheral portion formed of a fine particle film was used.
【０５１３】以下、図１６０を参照しながら本実施例の
マルチ電子ビ−ム源製造方法の一例を説明する。図１６
０は電子源の一部分を拡大して示した図である。まず、
よく洗浄された基板９上に金属材料からなる導電性薄膜
を形成し、そのパターンをフォトリソグラフィーによっ
て微細加工し、一対の素子電極１、２を多数形成する。
ここで、基板９としては、石英ガラス、Ｎａ等の不純物
含有量を減少したガラス、青板ガラス、青板ガラスにス
パッタ法あるいはCVD法等により形成したＳｉＯ2を積層
したガラス基板等、及びアルミナ等のセラミック等があ
げられる。電極1、2の形成方法としては、真空蒸着法、
スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法等の真空系を用い
て成膜した後にリソグラフィー法でパターニングしてエ
ッチングする方法や、有機金属を含有するMOペーストを
ガラス凹版を使ってオフセット印刷する方法を選択する
ことができる。素子電極１、２の材料としては導電性を
有するものであればどのような物であっても構わない
が、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔ
ｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金属あるいは合金、及びＰ
ｄ、Ａｇ、Ａｕ、ＲｕＯ2、Ｐｄ−Ａｇ等の金属あるい
は金属酸化物とガラス等から構成される印刷導体、及び
ポリシリコン等の半導体材料、及びＩｎ2Ｏ3-ＳｎＯ2
等の透明導電体等があげられる。本実施例においては基
板９には青板ガラスを用い、素子電極１と２にはＮｉ薄
膜を用いた。素子電極の厚さは１０００［オングストロ
−ム］、電極間隔は２［マイクロメ−タ−］とした（図
１６０（ａ））。Hereinafter, an example of a method for manufacturing a multi-electron beam source according to this embodiment will be described with reference to FIG. FIG.
0 is an enlarged view of a part of the electron source. First,
A conductive thin film made of a metal material is formed on a well-cleaned substrate 9, and its pattern is finely processed by photolithography to form a large number of device electrodes 1 and 2.
Here, as the substrate 9, quartz glass, glass having a reduced impurity content such as Na, blue plate glass, a glass substrate obtained by laminating SiO 2 formed on a blue plate glass by a sputtering method or a CVD method, alumina, etc. Ceramics and the like can be mentioned. As a method for forming the electrodes 1 and 2, a vacuum evaporation method,
It is possible to select a method of patterning and etching with a lithography method after forming a film using a vacuum system such as a sputtering method or a plasma CVD method, or a method of offset printing an MO paste containing an organic metal using a glass intaglio. it can. Any material may be used as the material of the device electrodes 1 and 2 as long as it has conductivity. For example, Ni, Cr, Au, Mo, W, Pt, T
a metal or alloy such as i, Al, Cu, Pd, and P
d, Ag, Au, RuO 2 , Pd-Ag or other metal or metal oxide and printed conductor composed of glass, etc., semiconductor material such as polysilicon, and In 2 O 3 —SnO 2
And the like. In this embodiment, blue glass is used for the substrate 9 and Ni thin films are used for the device electrodes 1 and 2. The thickness of the device electrode was 1000 [angstrom], and the electrode interval was 2 [micrometer] (FIG. 160 (a)).
【０５１４】次に列方向配線４として導電性ペーストを
印刷形成する。この時列方向配線４は素子電極１と接続
する様に形成する。配線は膜厚が厚い方が電気抵抗を低
減できるため有利である。そのため厚膜印刷法、特にス
クリーン印刷法をもちいるのが好ましく銀、金、銅、ニ
ッケル等の導電性ペーストを用いることができる。図１
６０（ｂ）には、電子源の中央部で列方向配線を断線
し、電気的に２つの区画に分割してある様子を示してい
る。この断線個所の列方向配線の先端は図に示すように
円形の形状にパターンニングを施した。このようにする
ことで、メタルバックに印加されている高電圧による電
位分布が断線部分のエッジ部分において急峻になること
を避けることができ、配線の断線部からメタルバックへ
の放電を起こすことを防ぐことができた。なお、より高
精細なパターンニングが要求された場合には、感光性ペ
ーストを用いて大まかなパターンをスクリーン印刷によ
って形成した後に、露光、現像することによって良好な
配線形状が得られる。なお、所望のパターンを形成した
後にはペースト中のビヒクル成分を除去するために、そ
のペースト、使用ガラス基板の熱特性に応じた温度（４
００〜６５０℃）で焼成される（図１６０（ｂ））。Next, a conductive paste is printed and formed as the column direction wiring 4. At this time, the column direction wiring 4 is formed so as to be connected to the element electrode 1. A thicker wiring is advantageous because the electrical resistance can be reduced. Therefore, it is preferable to use a thick film printing method, particularly a screen printing method, and a conductive paste of silver, gold, copper, nickel or the like can be used. FIG.
FIG. 60 (b) shows a state in which the column direction wiring is disconnected at the center of the electron source and is electrically divided into two sections. The tip of the column direction wiring at the disconnection point was patterned in a circular shape as shown in the figure. By doing so, it is possible to prevent the potential distribution due to the high voltage applied to the metal back from becoming steep at the edge of the broken portion, and to prevent the discharge from the broken portion of the wiring to the metal back. Could be prevented. In the case where higher definition patterning is required, a good wiring shape can be obtained by forming a rough pattern by screen printing using a photosensitive paste, followed by exposure and development. After the desired pattern is formed, in order to remove the vehicle component in the paste, a temperature (4) corresponding to the thermal characteristics of the paste and the glass substrate used is used.
At a temperature of 100 to 650 ° C. (FIG. 160 (b)).
【０５１５】次に層間絶縁膜５を行方向配線と列方向配
線の交差部に形成する。この層間絶縁膜は、例えば酸化
鉛を主成分とするガラス物質、例えばＰｂＯ、Ｂ2Ｏ3、
ＺｎＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等から適宜選ばれる成分の
混合物で形成される。厚さは、絶縁性を確保できれば特
に制限はないが、通常は１０〜１００μｍ、好ましくは
２０〜５０μｍである。この層間絶縁膜の形成は、酸化
鉛を主成分とするフリットガラス、エチルセルロースな
どの適当なポリマーおよび有機溶剤等からビヒクルとを
混合してなるペーストをスクリーン印刷等により所定位
置塗布した後焼成して行う。Next, an interlayer insulating film 5 is formed at the intersection of the row direction wiring and the column direction wiring. This interlayer insulating film is made of, for example, a glass material mainly containing lead oxide, for example, PbO, B2O3,
It is formed of a mixture of components appropriately selected from ZnO, Al2O3, SiO2 and the like. The thickness is not particularly limited as long as insulation can be ensured, but is usually 10 to 100 μm, preferably 20 to 50 μm. This interlayer insulating film is formed by frit glass containing lead oxide as a main component, a paste obtained by mixing a vehicle with an appropriate polymer such as ethyl cellulose and an organic solvent and the like by screen printing or the like, followed by baking. Do.
【０５１６】尚、層間絶縁膜は、少なくとも列方向配線
と行方向配線の交差部を被覆すればよいので、その形状
は図１に限るものではなく、適宜選択することができる
（図１６０（ｃ））。Since the interlayer insulating film only needs to cover at least the intersection of the column wiring and the row wiring, the shape is not limited to FIG. 1 and can be appropriately selected (FIG. 160 (c)). )).
【０５１７】次に行方向配線６を層間絶縁膜上に形成す
る。この配線も電気抵抗を低減したほうが有利であるた
め、膜厚を厚く形成できる厚膜印刷法を用いるのが好適
である。そこで列方向配線形成と同じようにしてスクリ
ーン印刷法で導電性ペーストを用い、配線を形成した後
に焼成する。なお、このとき各配線を素子電極２と接続
する様に形成する(図１６０（ｄ）)。Next, the row direction wiring 6 is formed on the interlayer insulating film. Since it is more advantageous for this wiring to reduce the electric resistance, it is preferable to use a thick film printing method which can form a thick film. Therefore, in the same manner as in the formation of the column-direction wirings, a conductive paste is used by a screen printing method, and after forming the wirings, firing is performed. At this time, each wiring is formed so as to be connected to the element electrode 2 (FIG. 160 (d)).
【０５１８】次に、表面伝導型電子放出素子の導電性薄
膜３を形成する（図１６１）。Next, the conductive thin film 3 of the surface conduction electron-emitting device is formed (FIG. 161).
【０５１９】次に、マルチ電子ビーム源の駆動方法につ
いて詳しく説明する。ここでは、表面伝導型電子放出素
子群を列方向に上下二分割し、同時にライン走査して画
像を形成する、所謂、画面分割駆動法により画像形成を
行う駆動方法について詳しく説明する。図１６２は表示
パネルを駆動する駆動回路の構成例を示すブロック図で
ある。同図において、表示する画像データは、例えばNT
SC信号などのテレビジョン信号から、あるいはパーソナ
ルコンピュータなどで生成されて入力され、画像メモリ
109に格納される。なお、説明を簡単にするため、画像
メモリ109はVRAMとして一般的なデュアルポートRAMであ
るとし、不図示のCPUなどにより画像が展開されている
間でも、その格納内容を読取ることができるものとす
る。また、表示パネル108の上半分の素子を駆動制御す
るためにラインメモリ105a，変調信号発生器107a，走査
回路102aを設け、下半分の素子を駆動制御するためにラ
インメモリ105b，変調信号発生器107b，走査回路102bを
設ける。Next, a method of driving the multi-electron beam source will be described in detail. Here, a driving method for forming an image by a so-called screen division driving method, which divides a surface conduction electron-emitting device group into upper and lower parts in a column direction and simultaneously forms an image by line scanning, will be described in detail. FIG. 162 is a block diagram illustrating a configuration example of a drive circuit for driving a display panel. In the figure, the image data to be displayed is, for example, NT
Image signals are generated and input from television signals such as SC signals or by a personal computer.
Stored in 109. For the sake of simplicity, it is assumed that the image memory 109 is a general dual-port RAM as VRAM, and that the stored contents can be read even while the image is being expanded by a CPU (not shown). I do. Further, a line memory 105a, a modulation signal generator 107a, and a scanning circuit 102a are provided to drive and control the upper half element of the display panel 108, and a line memory 105b and a modulation signal generator to drive and control the lower half element. 107b and a scanning circuit 102b are provided.
【０５２０】さて、制御回路103は、上画面，下画面の
順に画像メモリ109から一ライン分の画像データを取出
すためのアドレス信号を生成するとともに、画像メモリ
109に対してはリード信号を出力し、ラインメモリ105a
と105bに対しては交互に書込信号を出力する。画像メモ
リ109からラインメモリ105aと105bヘの接続は共通にな
っているので、ラインメモリ105aと105bへの書込みは交
互に行う必要がある。制御回路103は、それぞれ一ライ
ン分のデータがラインメモリ105aと105bに格納される
と、メモリロードタイミング信号Tmry-aおよびTmry-bを
出力するとともに、次ラインのデータの読出しを行う。The control circuit 103 generates an address signal for taking out one line of image data from the image memory 109 in the order of the upper screen and the lower screen.
A read signal is output to 109 and the line memory 105a
And 105b are alternately output with a write signal. Since the connection from the image memory 109 to the line memories 105a and 105b is common, writing to the line memories 105a and 105b must be performed alternately. When one line of data is stored in the line memories 105a and 105b, the control circuit 103 outputs the memory load timing signals Tmry-a and Tmry-b and reads the data of the next line.
【０５２１】変調信号発生器107aは、ラインメモリ105a
に格納されたデータに対応する駆動信号を列方向配線端
子Dy1からDynへ出力し、また走査回路102aは、制御回路
103から入力されたTscan-a信号により、端子Dx1からDx
(m/2)に接続された行方向配線のうち表示すべきライン
の配線へ駆動信号を出力する。これと同時に、変調信号
発生器107bは、ラインメモリ105bに格納されたデータに
対応する駆動信号を列方向配線端子Dz1からDznへ出力
し、また走査回路102bは、制御回路103から入力されたT
scan-b信号により、端子Dx((m/2)+1)からDxmに接続され
た行方向配線のうち表示すべきラインの配線へ駆動信号
を出力する。すなわち、表示パネル108の二ラインを同
時に駆動制御しながら、画像を表示するものである。[0521] The modulation signal generator 107a is provided with a line memory 105a.
A driving signal corresponding to the data stored in the column direction wiring terminals Dy1 to Dyn is output to the scanning circuit 102a.
Terminals Dx1 to Dx according to Tscan-a signal input from 103
A drive signal is output to the wiring of the line to be displayed among the row wirings connected to (m / 2). At the same time, the modulation signal generator 107b outputs a drive signal corresponding to the data stored in the line memory 105b to the column direction wiring terminals Dz1 to Dzn, and the scanning circuit 102b outputs the T signal input from the control circuit 103.
In response to the scan-b signal, a drive signal is output from the terminal Dx ((m / 2) +1) to the wiring of the line to be displayed among the row wirings connected to Dxm. That is, an image is displayed while driving and controlling two lines of the display panel 108 at the same time.
【０５２２】このように、画面分割駆動法により表示パ
ネル108を駆動制御することにより、表示パネル108の二
ラインを同時に発光することができ、ラインの走査周波
数を1/2にすることができるので、一ライン当りの発光
時間を二倍にして二倍の輝度を得ることができる。As described above, by controlling the driving of the display panel 108 by the screen division driving method, two lines of the display panel 108 can emit light at the same time and the scanning frequency of the line can be halved. By doubling the emission time per line, twice the luminance can be obtained.
【０５２３】以上説明した本実施例の列側を分割配線と
したマルチ電子ビーム源を用いて駆動する事により、不
要な電子放出を起こさない高輝度で、かつ、品質の良い
画像表示を行う事ができた。By driving using the multi-electron beam source in which the column side of the present embodiment described above is divided wiring, high-quality and high-quality image display that does not cause unnecessary electron emission can be performed. Was completed.
【０５２４】（実施例２）本実施例においても列方向配
線を電気的に２つの区画に分割したマルチ電子ビーム源
に本発明を適用した例を示す。本実施例は、実施例１と
列方向配線の断線部分の構成が異なるのみであるので、
以下実施例１と異なる部分のみについて説明する。図１
６３は本実施例のマルチ電子ビーム源の一部を拡大して
示した図である。図１６３（ｂ）では素子電極１，２お
よび列方向配線４を作成した時点での電子源を示すもの
である。１，２は実施例１で説明したものと同じ素材お
よび構成の素子電極である。４は実施例１で説明したも
のと同じ素材の列方向配線である。実施例１と異なるの
は断線部分にパターンニングの処理していないことであ
る。図１６３（ｃ）は層間絶縁膜５を行方向配線と列方
向配線の交差部に形成した時点での図である。実施例１
と異なるのは、列方向配線４の断線部を覆うように層間
絶縁膜５を形成していることである。このようにするこ
とで、断線部のエッジがフェースプレートの高電圧に対
して電気的に露出することがなくなる。つまり断線部の
エッジ部分での電界集中に伴う、断線部分からフェース
プレートへの放電を防ぐことができる。さらに本実施例
の列方向配線の断線部分の構成では、形状をパターンニ
ングする工程を省くことができる点が有利である。(Embodiment 2) In this embodiment, an example in which the present invention is applied to a multi-electron beam source in which a column-direction wiring is electrically divided into two sections will be described. This embodiment is different from the first embodiment only in the configuration of the disconnection portion of the column direction wiring.
Hereinafter, only portions different from the first embodiment will be described. FIG.
Reference numeral 63 is an enlarged view of a part of the multi-electron beam source according to the present embodiment. FIG. 163 (b) shows the electron source at the time when the device electrodes 1 and 2 and the column wiring 4 have been formed. Reference numerals 1 and 2 denote element electrodes having the same material and configuration as those described in the first embodiment. Reference numeral 4 denotes a column-directional wiring made of the same material as that described in the first embodiment. The difference from the first embodiment is that no patterning processing is performed on the disconnected portion. FIG. 163 (c) is a diagram at the time when the interlayer insulating film 5 is formed at the intersection of the row direction wiring and the column direction wiring. Example 1
The difference is that the interlayer insulating film 5 is formed so as to cover the broken portion of the column wiring 4. By doing so, the edge of the disconnection portion is not electrically exposed to the high voltage of the face plate. That is, it is possible to prevent discharge from the broken portion to the face plate due to electric field concentration at the edge portion of the broken portion. Further, in the configuration of the disconnection portion of the column-directional wiring according to the present embodiment, it is advantageous that the step of patterning the shape can be omitted.
【０５２５】また、配線交差部に断線部分を設けたため
に、マトリクス配線上の配置が単純となり、高画質化の
対応でさらに配線密度を上げる場合にも容易に達成でき
る。[0525] Further, since the disconnection portion is provided at the wiring intersection, the arrangement on the matrix wiring becomes simple, and it can be easily achieved even when the wiring density is further increased in response to high image quality.
【０５２６】なお層間絶縁膜５の素材および形成方法は
実施例１と同じである。図１６３（ｄ）は行方向配線６
を層間絶縁膜上に形成した様子を示している。列方向配
線の素材および形成方法についても実施例１と同じであ
る。以下、表面伝導型放出素子の導電性薄膜の作成方
法、通電フォーミング処理、活性化処理、マルチ電子ビ
ーム源の駆動方法等々は実施例１と同じ物を採用した。
以上説明した本発明の列側を分割配線としたマルチ電子
ビーム源を用いて実施例１と同様の駆動を行う事によ
り、不要な電子放出を起こさない高輝度で、かつ、品質
の良い画像表示を行う事ができた。The material and method of forming the interlayer insulating film 5 are the same as in the first embodiment. FIG. 163 (d) shows the row direction wiring 6
Is formed on an interlayer insulating film. The material and forming method of the column direction wiring are the same as those in the first embodiment. Hereinafter, the same method as in Example 1 was employed for the method of forming the conductive thin film of the surface conduction electron-emitting device, the energization forming process, the activation process, the driving method of the multi-electron beam source, and the like.
By performing the same driving as in the first embodiment using the multi-electron beam source in which the column side of the present invention is divided and divided as described above, high-quality and high-quality image display that does not cause unnecessary electron emission is performed. Was able to do.
【０５２７】（構成３１）実装部と配線取り出しからの
接続の構成としては以下の構成が挙げられる。(Structure 31) The following structure can be cited as the structure of the connection from the mounting section to the wiring extraction.
【０５２８】（実施例１）図１６４にこの構成の一例を
示す。１はマルチ電子ビーム源を形成した電子源基板、
２は電子線照射により発光する蛍光体を備えた表示用基
板、３は電子源基板１の配線部と駆動電源とを接続する
ケーブル、４は駆動電源である。本実施例では行配線側
のフラットケーブル長、列配線側のフラットケーブル長
を、それぞれ約１００ｍｍ、５０ｍｍとした。また、そ
れぞれの誘導成分は約１００ｎＨ、約５０ｎＨとした。(Embodiment 1) FIG. 164 shows an example of this configuration. 1 is an electron source substrate on which a multi-electron beam source is formed,
Reference numeral 2 denotes a display substrate provided with a phosphor that emits light when irradiated with an electron beam. Reference numeral 3 denotes a cable for connecting a wiring portion of the electron source substrate 1 to a driving power source. Reference numeral 4 denotes a driving power source. In this embodiment, the flat cable length on the row wiring side and the flat cable length on the column wiring side are about 100 mm and 50 mm, respectively. In addition, each induction component was about 100 nH and about 50 nH.
【０５２９】このマルチビーム電子源の配線交差部によ
る容量成分をＬＣＲメーターにより測定したところ、交
差部当たり０．０４ｐＦで、ｎ＝３０７２とすると１５
４ｐＦ（＝ｃ）となった。また、行配線の取り出し部及
び電源５００２との接続ケーブル部の誘導成分はＬｒ
は、約３０ｍｍの取り出し電極部での誘導成分約３０ｎ
Ｈ、駆動電極と取り出し電極部を接続するフラットケー
ブル（約１００ｍｍ）での誘導成分約１００ｎＨからな
る。Ｌｒは１３０ｎＨと見積もられる。マトリックス部
での誘導成分（素子間を接続する配線の誘導成分Ｌｍ×
ｎ）は約２８０ｎＨである。列配線の取り出部及び電源
５００３との接続部の誘導成分Ｌｃは約３０ｍｍの取り
出し電極部での誘導成分約３０ｎＨ、駆動電源と取り出
し電極部を接続するフラットケーブル（約５０ｍｍ）で
の誘導成分約５０ｎＨからなる。Ｌｃ／ｎは０，０８ｎ
Ｈと見積もられる。従って、Ｌ＝１３０＋２８０＋０．
０８＝４１０．０８ｎＨ、Ｃ＝１５４ｐＦとなり、パネ
ル特性周波数は２２ＭＨｚと求められた。一方、図１６
５におけるＶｓおよびＶｅの立ち上がり時間を調べたと
ころ、それぞれ約６０ｎｓｅｃおよび８０ｎｓｅｃで、
最高周波数成分として約１７ＭＨｚとなる。したがっ
て、共振周波数を駆動信号の最高周波数よりも高くする
ことができ、リンギングの発生を十分低減することがで
きた。以上は行選択駆動を行った場合のうち多くの電子
放出素子が電子放出動作状態のときに相当する。When the capacitance component at the wiring intersection of this multi-beam electron source was measured by an LCR meter, it was 0.04 pF per intersection and n = 3072.
It was 4 pF (= c). The inductive component of the row wiring take-out part and the connection cable part with the power supply 5002 is Lr
Is an induction component of about 30 mm at an extraction electrode section of about 30 mm.
H, consisting of an induction component of about 100 nH in a flat cable (about 100 mm) connecting the drive electrode and the extraction electrode section. Lr is estimated to be 130 nH. Inductive component in matrix part (inductive component Lm of wiring connecting elements)
n) is about 280 nH. The inductive component Lc of the extraction part of the column wiring and the connection part with the power supply 5003 is about 30 nH at the extraction electrode part of about 30 mm, and the induction component at the flat cable (about 50 mm) connecting the driving power supply and the extraction electrode part. Consists of about 50 nH. Lc / n is 0.008n
H is estimated. Therefore, L = 130 + 280 + 0.
08 = 410.08 nH, C = 154 pF, and the panel characteristic frequency was determined to be 22 MHz. On the other hand, FIG.
The rise time of Vs and Ve at 5 was examined at about 60 nsec and 80 nsec, respectively.
The highest frequency component is about 17 MHz. Therefore, the resonance frequency can be made higher than the highest frequency of the drive signal, and the occurrence of ringing can be sufficiently reduced. The above description corresponds to the case where many electron-emitting devices are in the electron emission operation state in the case where the row selection drive is performed.
【０５３０】一方、特定の画像を表示する場合、つま
り、選択行のうちのわずかの素子数しか電子放出状態に
なる場合には、Ｌの式のうち実質的にｎが小さな数字と
なるため、Ｌｃ成分はむしできなくなる場合がる。最
大、Ｌｃ／ｎ成分が８０ｎＨ（列配線１列分の誘導成
分）となり、共振周波数１８．３ＭＨｚと求められる。
この場合も共振周波数を駆動信号の最高周波数よりも高
くすることができ、リンギングの発生を十分低減するこ
とができた。On the other hand, when a specific image is displayed, that is, when only a small number of elements in the selected row are in the electron emission state, n in the expression of L is a substantially small number. In some cases, the Lc component cannot be used. The maximum Lc / n component is 80 nH (the induction component for one column wiring), and the resonance frequency is determined to be 18.3 MHz.
Also in this case, the resonance frequency could be made higher than the highest frequency of the drive signal, and the occurrence of ringing could be sufficiently reduced.
【０５３１】本実施例では、行・列配線端部と駆動電源
の接続部としてフラットケーブルとしたが、これに限定
されるものではなく、タブやフレキキシブル配線などを
用いてもよい。In this embodiment, a flat cable is used as the connection between the end of the row / column wiring and the drive power supply. However, the present invention is not limited to this. For example, a tab or a flexible wiring may be used.
【０５３２】（実施例２）本実施例では、マトリクスは
配線部を２つの群に分割した電子源基板を用いた例を示
す。Ｎ×Ｍ個の表面伝導型電子放出素子は、２つの群に
分割され、各群をＭ／２本の行方向配線１００３とｎ本
の行方向配線１００４により単純マトリックス配線され
ている。図１６６に斜視図を示す。本実施例では、行配
線のフラットケーブル長、列配線のフラットケーブル長
を、それぞれ約１００ｍｍ、約５０ｍｍとした。またそ
れぞれの誘導成分を約１００ｎＨ、約５０ｎＨとした。
この場合、行配線側のフラットケーブル長、列配線側の
フラットケーブル長を、このマルチビーム電子源の配線
交差部による容量成分をＬＣＲメーターにより測定した
ところ、交差部当たり０．０４ｐＦで、ｎ＝３０７２と
すると１５４ｐＦ（＝ｃ）となった。また、行配線の取
り出し部及び電源５００２との接続ケーブル部の誘導成
分はＬｒは、約３０ｍｍの取り出し電極部での誘導成分
約３０ｎＨ、駆動電極と取り出し電極部を接続するフラ
ットケーブル（約１００ｍｍ）での誘導成分約１００ｎ
Ｈからなる。Ｌｒは１３０ｎＨと見積もられる。マトリ
ックス部での誘導成分（素子間を接続する配線の誘導成
分Ｌｍ×ｎ）は約２８０ｎＨである。列配線の取り出部
及び電源５００３との接続部の誘導成分Ｌｃは約３０ｍ
ｍの取り出し電極部での誘導成分約３０ｎＨ、駆動電源
と取り出し電極部を接続するフラットケーブル（約５０
ｍｍ）での誘導成分約５０ｎＨからなる。Ｌｃ／ｎは
０，０８ｎＨと見積もられる。従って、Ｌ＝１３０＋２
８０＋０．０８＝４１０．０８ｎＨ、Ｃ＝１５４ｐＦと
なり、パネル特性周波数は２２ＭＨｚと求められた。一
方、図１６５におけるＶｓおよびＶｅの立ち上がり時間
を調べたところ、それぞれ約６０ｎｓｅｃおよび８０ｎ
ｓｅｃで、最高周波数成分として約１７ＭＨｚとなる。
したがって、共振周波数を駆動信号の最高周波数よりも
高くすることができ、リンギングの発生を十分低減する
ことができた。以上は行選択駆動を行った場合のうち多
くの電子放出素子が電子放出動作状態のときに相当す
る。(Embodiment 2) In this embodiment, the matrix shows an example in which an electron source substrate in which a wiring portion is divided into two groups is used. The N × M surface conduction electron-emitting devices are divided into two groups, and each group is simply matrix-wired by M / 2 row-directional wirings 1003 and n row-directional wirings 1004. FIG. 166 is a perspective view. In this embodiment, the flat cable length of the row wiring and the flat cable length of the column wiring are about 100 mm and about 50 mm, respectively. In addition, each induction component was set to about 100 nH and about 50 nH.
In this case, the length of the flat cable on the row wiring side and the length of the flat cable on the column wiring side were measured by using an LCR meter for a capacitance component at a wiring intersection of the multi-beam electron source. Assuming 3072, it was 154 pF (= c). The induction component Lr of the extraction portion of the row wiring and the connection cable portion to the power supply 5002 is about 30 nH of the induction component at the extraction electrode portion of about 30 mm, and a flat cable (about 100 mm) connecting the drive electrode and the extraction electrode portion. Induction component about 100n
H. Lr is estimated to be 130 nH. The induction component (the induction component Lm × n of the wiring connecting the elements) in the matrix portion is about 280 nH. The inductive component Lc of the column wiring take-out part and the connection part with the power supply 5003 is about 30 m.
m, about 30 nH at the extraction electrode section, and a flat cable (about 50 n) connecting the driving power supply and the extraction electrode section.
mm) of about 50 nH. Lc / n is estimated to be 0.008 nH. Therefore, L = 130 + 2
80 + 0.08 = 410.08 nH, C = 154 pF, and the panel characteristic frequency was determined to be 22 MHz. On the other hand, when the rise times of Vs and Ve in FIG. 165 were examined, they were about 60 nsec and 80 nsec, respectively.
In seconds, the highest frequency component is about 17 MHz.
Therefore, the resonance frequency can be made higher than the highest frequency of the drive signal, and the occurrence of ringing can be sufficiently reduced. The above description corresponds to the case where many electron-emitting devices are in the electron emission operation state in the case where the row selection drive is performed.
【０５３３】一方、特定の画像を表示する場合、つま
り、選択行のうちのわずかの素子数しか電子放出状態に
なる場合には、Ｌの式のうち実質的にｎが小さな数字と
なるため、Ｌｃ成分はむしできなくなる場合がる。最
大、Ｌｃ／ｎ成分が８０ｎＨ（列配線１列分の誘導成
分）となり、共振周波数１８．３ＭＨｚと求められる。
この場合も共振周波数を駆動信号の最高周波数よりも高
くすることができ、リンギングの発生を十分低減するこ
とができた。On the other hand, when a specific image is displayed, that is, when only a small number of elements in the selected row are in an electron emission state, n in the equation of L is a substantially small number. In some cases, the Lc component cannot be used. The maximum Lc / n component is 80 nH (the induction component for one column wiring), and the resonance frequency is determined to be 18.3 MHz.
Also in this case, the resonance frequency could be made higher than the highest frequency of the drive signal, and the occurrence of ringing could be sufficiently reduced.
【０５３４】本実施例では、行・列配線端部と駆動電源
の接続部としてフラットケーブルとしたが、これに限定
されるものではなく、タブやフレキキシブル配線などを
用いてもよい。In this embodiment, a flat cable is used as the connection between the end of the row / column wiring and the drive power supply. However, the present invention is not limited to this. For example, a tab or a flexible wiring may be used.
【０５３５】以上のように、マトリクスが上記のように
分割されている場合にも、本構成は有効である。As described above, this configuration is also effective when the matrix is divided as described above.
【０５３６】（構成３２）画像装置内における各部材の
配置については以下の構成を採ることができる。(Structure 32) The following structure can be adopted for the arrangement of each member in the image apparatus.
【０５３７】（実施例１）本構成の画像表示装置を図１
６７を参照して説明する。図１６７は、画像装置の構成
を示す模式的な断面図である。図１６７の画像表示装置
は、外装ケース１１５中に表示パネル１００を収容して
構成されている。表示パネル１００は蛍光体を配したフ
ェースプレート１００７と、電子放出素子１００２を配
したリアプレート１００５とを対向させて構成されてい
る。１０１はパネル内の暖った空気を自然対流によって
流し出す空気取り出し口であり、同じく１０２は空気導
入口である。また、１０３はフェースプレート１００７
を外部から防護し、破壊することを防ぐため設置してあ
る透明な樹脂などで作られた前面板である。前面板１０
３には、光学的なフィルターを入れてコントラスト改善
などの機能を付加しても良い。次に１０４は表示パネル
１００を電気的に駆動するための駆動回路部であり、フ
レキシブル配線（不図示）などによって表示パネルの取
り出し配線ＤＸ１〜ＤＸｍ、ＤＹ１〜ＤＹｎに電気的に
接続されている。本例における表示パネル１００のフェ
ースプレート１００７、リアプレート１００５の温度に
ついて図１６７及び図１６８を用いて以下に説明する。
まず、フェースプレート１００７は前述のようにリアプ
レート１００５の電子源１００２から放出された電子ビ
ームがフェースプレート１００７上のメタルバックに印
加された高電圧（アノード電圧：Ｖａ）によって加速さ
れ、フェースプレート1007上に設けられた蛍光体に衝突
し、一部は発光し、大部分は熱に変わる。この発熱量
は、画像の種類などによっても変わるが、時間的に平均
するとほぼ一定と考えられ、これを単位面積あたりでＱ
ｆ（Ｗ／ｍ2）とする。また、リアプレート１００５上
においてはマトリクス配線を通って駆動回路１０４に戻
り、その間にリアプレート上に配線、及び素子電極、電
子放出部で熱に変わる。フェースプレートと同様にこの
発熱量も時間的に平均するとほぼ一定と考えられ、これ
をＱｒ（Ｗ／ｍ2）とした。次に、駆動回路部１０４で
はリアプレート１００５上の電子源を駆動するために、
電流を出している。こちらの電流を駆動するに当たって
電気回路上に内部損失が発生するためにこれらが発熱源
となる。これについても時間的に平均するとほぼ一定に
考えられ、Ｑｄ（Ｗ／ｍ2）とした。これらの関係を模
式的な回路図で表わしたのが図１６８である。本実施例
の場合は、Ｑｆ＝１００（Ｗ／ｍ2）、Ｑｒ＝２０（Ｗ
／ｍ2）、Ｑｄ＝４０（Ｗ／ｍ2）であり、この時、ｄ＝
５ｍｍとした際に、フェースプレート１００７とリアプ
レート１００５の温度がほぼ同じになることがわかった
（周辺温度２０℃の時、約４０℃）。これはフェースプ
レート１００７とリアプレート００５はそれぞれ異なる
発熱量をもっているため、これらだけの関係で温度が決
まる場合はそれぞれ異なって温度になるのは自明である
が、また別の発熱源である駆動回路部１０４をｄ＝５ｍ
ｍの位置に配置することで特にリアプレート１００５の
温度に影響を与え（より具体的には暖める）フェースプ
レート１００７とリアプレート１００５の温度が同じに
なったと考えられる。これにより、両プレートの熱膨張
量の差が減少して熱歪みが減少し、画像歪みや色ずれが
実質的には生じなくなる。本実施例のような構成は、フ
ァンなどの可動部分が無いため静粛性が要求される家庭
用デスプレイやコンピュータ用デスプレイとして好適と
いえる。(Embodiment 1) An image display apparatus having this configuration is shown in FIG.
This will be described with reference to FIG. FIG. 167 is a schematic sectional view illustrating the configuration of the image device. The image display device in FIG. 167 is configured by housing the display panel 100 in the outer case 115. The display panel 100 is configured such that a face plate 1007 on which a phosphor is disposed and a rear plate 1005 on which an electron-emitting device 1002 is disposed are opposed to each other. Reference numeral 101 denotes an air outlet through which warm air in the panel flows out by natural convection, and reference numeral 102 denotes an air inlet. 103 is a face plate 1007
This is a front panel made of transparent resin, etc., which is installed to protect the device from the outside and prevent it from being destroyed. Front panel 10
A function such as contrast improvement may be added to 3 by inserting an optical filter. Next, reference numeral 104 denotes a drive circuit unit for electrically driving the display panel 100, which is electrically connected to take-out wirings DX1 to DXm and DY1 to DYn of the display panel by flexible wiring (not shown) or the like. The temperature of the face plate 1007 and the rear plate 1005 of the display panel 100 in this example will be described below with reference to FIGS. 167 and 168.
First, the face plate 1007 is accelerated by the high voltage (anode voltage: Va) applied to the metal back on the face plate 1007 by the electron beam emitted from the electron source 1002 of the rear plate 1005 as described above. When it collides with the phosphor provided above, part emits light and most of it turns into heat. This heat value varies depending on the type of image and the like, but is considered to be substantially constant when averaged over time.
f (W / m2). In addition, on the rear plate 1005, the light returns to the driving circuit 104 through the matrix wiring, and during that time, the wiring, the element electrode, and the electron emission portion turn into heat on the rear plate. Similar to the face plate, this heat generation amount is considered to be substantially constant when averaged over time, and is defined as Qr (W / m 2). Next, in the drive circuit unit 104, in order to drive the electron source on the rear plate 1005,
The current is being output. When driving this current, internal loss occurs in the electric circuit, and these become heat sources. This is also considered to be almost constant when averaged over time, and was set to Qd (W / m2). FIG. 168 shows these relationships in a schematic circuit diagram. In the case of this embodiment, Qf = 100 (W / m 2) and Qr = 20 (W
/ M 2) and Qd = 40 (W / m 2), where d =
It was found that the temperature of the face plate 1007 and the temperature of the rear plate 1005 became almost the same when the distance was 5 mm (about 40 ° C. when the ambient temperature was 20 ° C.). This is because the face plate 1007 and the rear plate 005 generate different amounts of heat, and when the temperature is determined only by these factors, it is obvious that the temperatures are different from each other. D = 5 m for part 104
It is considered that the arrangement at the position of m particularly affects the temperature of the rear plate 1005 (more specifically, warms up), and the temperature of the face plate 1007 and the temperature of the rear plate 1005 become the same. As a result, the difference in the amount of thermal expansion between the two plates is reduced, and the thermal distortion is reduced, so that image distortion and color misregistration substantially do not occur. The configuration as in this embodiment can be said to be suitable as a home display or a computer display that requires quietness because there are no moving parts such as fans.
【０５３８】（実施例２）本実施例における外装ケース
を含めた構成は実施例１と同様である。本実施例におい
て異なるのは表示パネルの設計としてＶａを下げ、同じ
輝度を確保するために素子長を大きくして素子電流（Ｉ
ｆ、Ｉｅ）を大きく取れるようにした場合である。本実
施例の場合は、Ｑｆ＝１００（Ｗ／ｍ2）、Ｑｒ＝８０
（Ｗ／ｍ2）、Ｑｄ＝４０（Ｗ／ｍ2）であり、この時、
ｄ＝３０ｍｍとした時、フェースプレート１００７とリ
アプレート１００５の温度がほぼ同じになることがわか
った。（周辺温度が２０℃の時、約４０℃）。このよう
に、表面伝導型電子放出素子を用いたデスプレイの場合
パネルの設計値を変えることでフェースプレートでの発
熱とリアプレートでの発熱との比率が変わってしまう。
これにより、実施例１と同様に両プレートの熱膨張量の
差が減少して熱歪みが減少し、画像歪みや色ずれが実質
的に生じなくなる。(Embodiment 2) The structure of this embodiment including an outer case is the same as that of Embodiment 1. This embodiment differs from the first embodiment in that Va is reduced as a display panel design, and the element length is increased to secure the same luminance.
f, Ie). In the case of this embodiment, Qf = 100 (W / m 2) and Qr = 80
(W / m 2), Qd = 40 (W / m 2)
It was found that when d = 30 mm, the temperatures of the face plate 1007 and the rear plate 1005 were almost the same. (Approximately 40 ° C when the ambient temperature is 20 ° C). As described above, in the case of the display using the surface conduction electron-emitting device, changing the design value of the panel changes the ratio of the heat generated by the face plate to the heat generated by the rear plate.
As a result, similarly to the first embodiment, the difference in the amount of thermal expansion between the two plates is reduced, the thermal distortion is reduced, and image distortion and color misregistration substantially do not occur.
【０５３９】（実施例３）本実施例の構成について図１
６９に示す。図１６９において実施例と異なるのは外装
ケース１１５に開けられた空気口１０１、１０２内に強
制対流用ファン３０１、３０２を設けたことである。３
０１は空気取り出し用ファンで図面の上方向に軸流が発
生するものである。また３０２は空気取り込み用ファン
で同じく上方向に軸流が発生するものである。これら２
つのファンで外装ケース内横断面積に平均して０．９ｍ
／ｓの流速が選られた。各発熱量はＱｆ＝１００（Ｗ／
ｍ2）、Ｑｒ＝２０（Ｗ／ｍ2）、Ｑｄ＝４０（Ｗ／ｍ
2）であり、この場合ｄ＝１０ｍｍにした時にフェース
プレート１００７と１００５の温度が同じになった。
（周辺温度が２０℃のとき、約３０℃）。この理由につ
いては強制対流にすることでフェースプレート側の温度
がより大きく下がり、駆動回路部１０４の発熱のリアプ
レート１００５への影響が小さくなる配置にした結果で
あると考えられる。これにより実施例１と同様、両プレ
ートの熱膨張量の差が減少して熱歪みが減少し、画像歪
みや色ずれが実質的になくなる。本実施例のような構成
は、周辺温度が上がるような環境下においてもパネル温
度を上げないようにできるため工場や野外と外気が遮断
されないような場所での使用に好適といえよう。(Embodiment 3) The structure of this embodiment is shown in FIG.
Shown at 69. FIG. 169 differs from the embodiment in that forced convection fans 301 and 302 are provided in air ports 101 and 102 opened in the outer case 115. 3
Reference numeral 01 denotes an air take-out fan which generates an axial flow in the upward direction in the drawing. An air intake fan 302 also generates an axial flow in the upward direction. These two
0.9m on average for the cross-sectional area inside the outer case with two fans
/ S flow rate was chosen. Each heating value is Qf = 100 (W /
m2), Qr = 20 (W / m2), Qd = 40 (W / m
2) In this case, when d = 10 mm, the temperatures of the face plates 1007 and 1005 became the same.
(When the ambient temperature is 20 ° C., about 30 ° C.). The reason for this is considered to be the result of the arrangement in which the temperature on the face plate side is further reduced by the forced convection, and the influence of heat generated by the drive circuit unit 104 on the rear plate 1005 is reduced. Thus, similarly to the first embodiment, the difference between the thermal expansion amounts of the two plates is reduced, the thermal distortion is reduced, and the image distortion and the color shift are substantially eliminated. The configuration as in the present embodiment can be said to be suitable for use in a factory or a place where the outside air is not shut off because the panel temperature can be prevented from increasing even in an environment where the ambient temperature increases.
【０５４０】（実施例４）本実施例の構成について図１
７０に示す。図１７０において実施例３と異なるのは外
装ケース１１５の空気口に防塵フェルタ４０１を付加し
たことである。各発熱量は本実施例においては実施例１
と同様、Ｑｆ＝１００（Ｗ／ｍ2）、Ｑｒ＝２０（Ｗ／
ｍ2）、Ｑｄ＝４０（Ｗ／ｍ2）である。フェルターを設
けたため、コンダクタンスが悪くなり平均流速が下がっ
て約０．４５ｍ／ｓと実施例３の半分程度になった。こ
の場合、ｄ＝７．５ｍｍとした時、フェースプレート１
００７とリアプレート１００５の温度がほぼ同じになる
ことがわかった。（周辺温度が２０℃の時、約３５
℃）。これにより、実施例１と同様、両プレートの熱膨
張量の差が減少して熱歪みが減少し、画像歪みや色ずれ
が実質的に生じなくなる。本実施例のような構成は、環
境に多少の塵埃があってもフィルタでブロックされるた
め、屋外に近い場所での使用に好適といえる。(Embodiment 4) The structure of this embodiment is shown in FIG.
70. FIG. 170 differs from Example 3 in that a dustproof felter 401 is added to the air port of the outer case 115. In the present embodiment, each calorific value is obtained in the first embodiment.
Qf = 100 (W / m 2) and Qr = 20 (W /
m2) and Qd = 40 (W / m2). Due to the provision of the felter, the conductance became poor, and the average flow velocity was reduced to about 0.45 m / s, which was about half that of Example 3. In this case, when d = 7.5 mm, the face plate 1
007 and the temperature of the rear plate 1005 became almost the same. (When the ambient temperature is 20 ° C, about 35
° C). As a result, similarly to the first embodiment, the difference in the amount of thermal expansion between the two plates is reduced, the thermal distortion is reduced, and image distortion and color misregistration substantially do not occur. The configuration as in this embodiment can be said to be suitable for use in a place close to the outdoors because even if there is some dust in the environment, it is blocked by the filter.
【０５４１】以上に実施例で説明した以外にも、種々の
設計のディスプレイを実際に作製したり、あるいは実測
のデータに基づく熱シミュレーションを行い、フェース
プレート１００７とリアプレート１００５の温度差がな
くなるような駆動回路部１０４の配置を検討したとこ
ろ、画像面積３０インチから１００インチの大きさの画
像形成装置において、ｄの値を５ｍｍ〜３０ｍｍに配置
することで、概ね温度差がなくなることが判明した。[0541] In addition to those described in the above embodiments, displays of various designs are actually produced, or thermal simulation is performed based on actually measured data so that the temperature difference between the face plate 1007 and the rear plate 1005 is eliminated. When the arrangement of the drive circuit unit 104 was examined, it was found that by setting the value of d to 5 mm to 30 mm in the image forming apparatus having an image area of 30 inches to 100 inches, the temperature difference was substantially eliminated. .
【０５４２】[0542]
【発明の効果】本発明によれば、大画面化に対応可能で
あり、かつ表示品位の優れた構成を有する画像形成装置
を提供することができる。According to the present invention, it is possible to provide an image forming apparatus which can cope with a large screen and has a configuration with excellent display quality.
【図１】本発明の画像形成装置の構成を説明するための
図である。FIG. 1 is a diagram for explaining a configuration of an image forming apparatus of the present invention.
【図２】本発明の画像形成装置の構成を説明するための
図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of an image forming apparatus according to the present invention.
【図３】本発明の画像形成装置の構成を説明するための
図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of an image forming apparatus according to the present invention.
【図４】本発明の画像形成装置の構成を説明するための
図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration of an image forming apparatus according to the present invention.
【図５】本発明の画像形成装置の構成を説明するための
図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration of an image forming apparatus according to the present invention.
【図６】本発明の画像形成装置の構成を説明するための
図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of an image forming apparatus according to the present invention.
【図７】本発明の画像形成装置の構成を説明するための
図である。FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration of an image forming apparatus according to the present invention.
【図８】本発明の画像形成装置の構成を説明するための
図である。FIG. 8 is a diagram illustrating a configuration of an image forming apparatus according to the present invention.
【図９】本発明の画像形成装置の構成を説明するための
図である。FIG. 9 is a diagram for explaining the configuration of the image forming apparatus of the present invention.
【図１０】本発明の画像形成装置の構成を説明するため
の図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a configuration of an image forming apparatus according to the present invention.
【図１１】本発明の画像形成装置の構成を説明するため
の図である。FIG. 11 is a diagram illustrating a configuration of an image forming apparatus according to the present invention.
【図１２】本発明の画像形成装置の構成を説明するため
の図である。FIG. 12 is a diagram illustrating a configuration of an image forming apparatus according to the present invention.
【図１３】本発明の画像形成装置の構成を説明するため
の図である。FIG. 13 is a diagram illustrating a configuration of an image forming apparatus according to the present invention.
【図１４】本発明の画像形成装置の構成を説明するため
の図である。FIG. 14 is a diagram illustrating a configuration of an image forming apparatus according to the present invention.
【図１５】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 15 is a diagram for explaining an example of the present invention.
【図１６】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 16 is a diagram for explaining an example of the present invention.
【図１７】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 17 is a diagram for explaining an embodiment of the present invention.
【図１８】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 18 is a diagram for explaining an example of the present invention.
【図１９】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 19 is a diagram for explaining an example of the present invention.
【図２０】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 20 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図２１】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 21 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図２２】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 22 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図２３】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 23 is a diagram for explaining an example of the present invention.
【図２４】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 24 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図２５】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 25 is a diagram for explaining an example of the present invention.
【図２６】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 26 is a diagram for explaining an example of the present invention.
【図２７】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 27 is a diagram for explaining an example of the present invention.
【図２８】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 28 is a diagram for explaining an example of the present invention.
【図２９】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 29 is a diagram for explaining an example of the present invention.
【図３０】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 30 is a diagram for explaining an example of the present invention.
【図３１】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 31 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図３２】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 32 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図３３】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 33 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図３４】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 34 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図３５】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 35 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図３６】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 36 is a diagram for explaining an example of the present invention.
【図３７】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 37 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図３８】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 38 is a diagram for explaining an example of the present invention.
【図３９】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 39 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図４０】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 40 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図４１】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 41 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図４２】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 42 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図４３】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 43 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図４４】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 44 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図４５】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 45 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図４６】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 46 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図４７】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 47 is a diagram for explaining an example of the present invention.
【図４８】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 48 is a diagram for explaining an example of the present invention.
【図４９】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 49 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図５０】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 50 is a diagram for explaining an example of the present invention.
【図５１】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 51 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図５２】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 52 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図５３】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 53 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図５４】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 54 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図５５】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 55 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図５６】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 56 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図５７】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 57 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図５８】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 58 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図５９】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 59 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図６０】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 60 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図６１】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 61 is a diagram for explaining an example of the present invention.
【図６２】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 62 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図６３】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 63 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図６４】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 64 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図６５】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 65 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図６６】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 66 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図６７】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 67 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図６８】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 68 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図６９】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 69 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図７０】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 70 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図７１】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 71 is a diagram for explaining an example of the present invention.
【図７２】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 72 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図７３】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 73 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図７４】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 74 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図７５】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 75 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図７６】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 76 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図７７】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 77 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図７８】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 78 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図７９】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 79 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図８０】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 80 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図８１】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 81 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図８２】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 82 is a view illustrating an example of the present invention.
【図８３】本発明の実施例を説明するための図である。Fig. 83 is a diagram for describing the example of the present invention.
【図８４】本発明の実施例を説明するための図である。Fig. 84 is a diagram for describing the example of the present invention.
【図８５】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 85 is a view for explaining an example of the present invention.
【図８６】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 86 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図８７】本発明の実施例を説明するための図である。Fig. 87 is a diagram for describing the example of the present invention.
【図８８】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 88 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図８９】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 89 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図９０】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 90 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図９１】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 91 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図９２】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 92 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図９３】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 93 is a view for explaining an example of the present invention.
【図９４】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 94 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図９５】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 95 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図９６】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 96 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図９７】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 97 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図９８】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 98 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図９９】本発明の実施例を説明するための図である。FIG. 99 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１００】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 100 is a diagram for explaining an example of the present invention.
【図１０１】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 101 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図１０２】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 102 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図１０３】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 103 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図１０４】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 104 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図１０５】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 105 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図１０６】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 106 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図１０７】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 107 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図１０８】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 108 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図１０９】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 109 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１１０】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 110 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図１１１】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 111 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図１１２】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 112 is a diagram for describing the example of the present invention.
【図１１３】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 113 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図１１４】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 114 is a diagram for describing the example of the present invention.
【図１１５】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 115 is a diagram for describing the example of the present invention.
【図１１６】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 116 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１１７】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 117 is a diagram for describing the example of the present invention.
【図１１８】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 118 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図１１９】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 119 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１２０】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 120 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１２１】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 121 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図１２２】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 122 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図１２３】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 123 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図１２４】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 124 is a diagram for describing the example of the present invention.
【図１２５】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 125 is a diagram for describing the example of the present invention.
【図１２６】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 126 is a diagram for describing an embodiment of the present invention.
【図１２７】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 127 is a diagram for describing the example of the present invention.
【図１２８】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 128 is a diagram for describing an embodiment of the present invention.
【図１２９】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 129 is a diagram for describing an embodiment of the present invention.
【図１３０】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 130 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１３１】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 131 is a diagram for describing the example of the present invention.
【図１３２】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 132 is a diagram for describing the example of the present invention.
【図１３３】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 133 is a diagram for describing the example of the present invention.
【図１３４】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 134 is a diagram for describing the example of the present invention.
【図１３５】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 135 is a diagram for describing the example of the present invention.
【図１３６】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 136 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１３７】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 137 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１３８】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 138 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１３９】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 139 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１４０】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 140 is a diagram for explaining an example of the present invention.
【図１４１】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 141 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図１４２】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 142 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図１４３】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 143 is a diagram for describing the example of the present invention.
【図１４４】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 144 is a diagram illustrating an example of the present invention.
【図１４５】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 145 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１４６】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 146 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１４７】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 147 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１４８】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 148 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１４９】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 149 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１５０】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 150 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１５１】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 151 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図１５２】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 152 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図１５３】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 153 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１５４】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 154 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１５５】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 155 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１５６】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 156 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１５７】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 157 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１５８】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 158 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１５９】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 159 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１６０】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 160 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図１６１】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 161 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１６２】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 162 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１６３】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 163 is a diagram for describing the example of the present invention.
【図１６４】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 164 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１６５】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 165 is a diagram for describing the example of the present invention.
【図１６６】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 166 is a diagram for describing the example of the present invention.
【図１６７】本発明の実施例を説明するための図であ
る。Fig. 167 is a diagram for describing the example of the present invention.
【図１６８】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 168 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１６９】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 169 is a diagram for describing an example of the present invention.
【図１７０】本発明の実施例を説明するための図であ
る。FIG. 170 is a diagram for explaining the example of the present invention.
【図１７１】従来技術を説明するための図である。FIG. 171 is a diagram for explaining a conventional technique.
１ 前カバー ３ 左上板 ４ 右上板 ５ 左前面断熱部材 ６ 右前面断熱部材 ７ 画像表示パネル ８ 左後面断熱材 ９ 右後面断熱材 １０ 左下板 １１ 右下板 １２ フレキシブルケーブルの左押え １３ 右押え １４ Ｘ字状のフレーム（Ｘフレーム） １５ スタンドユニット １６ ボード取付け板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Front cover 3 Upper left plate 4 Upper right plate 5 Left front heat insulating member 6 Right front heat insulating member 7 Image display panel 8 Left rear heat insulating material 9 Right rear heat insulating material 10 Lower left plate 11 Lower right plate 12 Flexible cable left presser 13 Right presser 14 X-shaped frame (X frame) 15 Stand unit 16 Board mounting plate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 29/04 Ｈ０１Ｊ 29/04 ５Ｇ４３５ 29/32 29/32 29/86 29/86 Ｚ 29/87 29/87 29/88 29/88 29/92 29/92 Ｚ 29/94 29/94 (72)発明者 外處 泰之 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 長谷川 光利 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 光武 英明 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 山口 英司 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 山田 修嗣 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 5C031 DD09 DD17 5C032 AA01 BB16 BB18 CC05 CC10 CD04 DD10 DE01 DE02 DG02 DG10 JJ08 JJ13 5C036 EE02 EE09 EE15 EF01 EF06 EF09 EG01 EG12 EG50 EH08 EH10 EH26 5C080 AA08 BB05 CC03 DD05 DD07 DD10 DD29 EE30 FF10 GG08 HH17 JJ06 KK02 KK43 5C094 AA04 AA14 AA47 AA54 AA55 BA04 BA32 BA34 CA19 DA07 DA12 EA04 EA05 EA10 EC03 EC04 FA01 FA02 FB02 FB03 FB12 GA10 JA01 5G435 AA07 AA14 AA16 BB02 CC09 EE05 EE09 EE11 FF11 HH02 HH06 HH12 HH18 KK05 LL04──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI theme coat ゛ (Reference) H01J 29/04 H01J 29/04 5G435 29/32 29/32 29/86 29/86 Z 29/87 29 / 87 29/88 29/88 29/92 29/92 Z 29/94 29/94 (72) Inventor Yasuyuki Sotochi 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Hasegawa Kouri 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Hideaki Mitsutake 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Eiji Yamaguchi, inventor Tokyo 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku Canon Inc. (72) Inventor Shuji Yamada 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. F-term (reference) 5C031 DD09 DD17 5C032 AA01 BB16 BB18 CC05 CC10 CD04 DD10 DE 01 DE02 DG02 DG10 JJ08 JJ13 5C036 EE02 EE09 EE15 EF01 EF06 EF09 EG01 EG12 EG50 EH08 EH10 EH26 5C080 AA08 BB05 CC03 DD05 DD07 DD10 DD29 EE30 FF10 GG08 HH17 JJ06 KA04 A04 BA03 A04 BA03 A04 BA04A04 EC04 FA01 FA02 FB02 FB03 FB12 GA10 JA01 5G435 AA07 AA14 AA16 BB02 CC09 EE05 EE09 EE11 FF11 HH02 HH06 HH12 HH18 KK05 LL04
Claims (37)
間に配置された外枠とで構成された外囲器内に、前記一
対の基板のうちの、一方の基板上に配置された電子源
と、他方の基板上に配置された画像形成部材と、前記基
板間に配置されたスペーサとを備える画像形成装置であ
って、前記スペーサ前記外枠とが導電性を有し、前記ス
ペーサと前記外枠との間の等電位面が、駆動時に略平行
となるように、前記スペーサと前記外枠とを電気的に接
続する手段を有することを特徴とする画像形成装置。A first substrate disposed on one of the pair of substrates in an envelope formed by a pair of substrates disposed to face each other and an outer frame disposed between the two substrates; An image forming apparatus including an electron source, an image forming member disposed on the other substrate, and a spacer disposed between the substrates, wherein the outer frame has conductivity and the spacer An image forming apparatus, comprising: means for electrically connecting the spacer and the outer frame so that an equipotential surface between the outer frame and the equipotential surface is substantially parallel during driving.
間に配置された外枠とで構成された外囲器内に、前記一
対の基板のうちの、一方の基板上に配置された電子源
と、他方の基板上に配置された画像形成部材と、前記基
板間に配置されたスペーサとを備える画像形成装置であ
って、前記スペーサと前記外枠とが導電性を有し、駆動
時に、前記スペーサの上端と前記外枠の上端とに略等し
い電位Ｖ1が与えられ、前記スペーサの下端と前記外枠
の下端とに略等しい、前記電位Ｖ1とは異なる電位Ｖ2が
与えられることを特徴とする画像形成装置。2. An enclosure formed by a pair of substrates disposed opposite to each other and an outer frame disposed between the two substrates, and is disposed on one of the pair of substrates. An image forming apparatus including an electron source, an image forming member disposed on the other substrate, and a spacer disposed between the substrates, wherein the spacer and the outer frame have conductivity, and are driven. Sometimes, a potential V1 substantially equal to the upper end of the spacer and the upper end of the outer frame is applied, and a potential V2 different from the potential V1 substantially equal to the lower end of the spacer and the lower end of the outer frame is applied. Characteristic image forming apparatus.
方向配線とでマトリクス配線された複数の電子放出素子
を備える電子源基板であって、前記複数の電子放出素子
の各々が、前記行方向配線と前記列方向配線とで囲まれ
ており、且つ、前記行方向配線と前記列方向配線の非交
差領域における配線幅が、前記行方向配線と前記列方向
配線の交差領域における配線幅よりも広いことを特徴と
する電子源基板。3. An electron source substrate comprising a plurality of electron-emitting devices arranged on a substrate in a matrix with a plurality of row-direction wirings and a plurality of column-direction wirings, wherein each of the plurality of electron-emitting devices is: A wiring in a non-intersecting region between the row direction wiring and the column direction wiring, which is surrounded by the row direction wiring and the column direction wiring, has a wiring width in an intersection region between the row direction wiring and the column direction wiring. An electron source substrate characterized by being wider than the width.
方向配線とでマトリクス配線された複数の電子放出素子
を備える電子源基板と、前記複数の電子放出素子から放
出される電子の照射により画像を形成する画像形成部材
とを備える画像形成装置であって、前記複数の電子放出
素子の各々が、前記行方向配線と前記列方向配線とで囲
まれており、且つ、前記行方向配線と前記列方向配線の
非交差領域における配線幅が、前記行方向配線と前記列
方向配線の交差領域における配線幅よりも広いことを特
徴とする画像形成装置。4. An electron source substrate comprising: a plurality of electron-emitting devices arranged on a substrate in a matrix with a plurality of row wirings and a plurality of column wirings; An image forming apparatus comprising: an image forming member that forms an image by irradiation, wherein each of the plurality of electron-emitting devices is surrounded by the row direction wiring and the column direction wiring, and An image forming apparatus, wherein a wiring width in a non-intersecting region between a wiring and the column-directional wiring is wider than a wiring width in an intersecting region between the row-directional wiring and the column-directional wiring.
配置された基板と、前記電子放出素子から放出される電
子の照射により画像を形成する画像形成部材が配置され
た基板と、前記両基板間に配置されたスペーサと、ゲッ
タとを備える画像形成装置であって、前記スペーサは前
記配線上に配置されており、前記ゲッタは前記スペーサ
が配置されていない配線上に配置されていることを特徴
とする画像形成装置。5. A substrate on which a plurality of wirings to which electron-emitting devices are connected are arranged; a substrate on which an image forming member for forming an image by irradiation of electrons emitted from the electron-emitting devices is arranged; An image forming apparatus including a spacer disposed between substrates and a getter, wherein the spacer is disposed on the wiring, and the getter is disposed on a wiring on which the spacer is not disposed. An image forming apparatus comprising:
配置された基板と、前記電子放出素子から放出される電
子の照射により画像を形成する画像形成部材が配置され
た基板と、前記両基板間に配置された複数のスペーサ
と、ゲッタとを備える画像形成装置であって、前記複数
のスペーサは前記配線上に配置されており、前記ゲッタ
は、前記複数のスペーサ間の配線上に配置されているこ
とを特徴とする画像形成装置。6. A substrate on which a plurality of wirings to which electron-emitting devices are connected are arranged; a substrate on which an image forming member for forming an image by irradiation of electrons emitted from the electron-emitting devices is arranged; An image forming apparatus comprising: a plurality of spacers disposed between substrates; and a getter, wherein the plurality of spacers are disposed on the wiring, and the getter is disposed on a wiring between the plurality of spacers. An image forming apparatus, comprising:
れた基板と、前記電子放出素子から放出される電子の照
射により画像を形成する画像形成部材が配置された基板
と、前記両基板間に配置されたスペーサとを備える画像
形成装置であって、前記配線はアーチ状の断面を有し、
前記スペーサは前記配線上に配置され、前記配線と接触
する端部の角がまるまっていることを特徴とする画像形
成装置。7. A substrate on which a wiring to which an electron-emitting device is connected is provided, a substrate on which an image forming member for forming an image by irradiation of electrons emitted from the electron-emitting device is provided, and a substrate between the two substrates. An image forming apparatus comprising: a spacer disposed in the wiring, wherein the wiring has an arch-shaped cross section,
The image forming apparatus according to claim 1, wherein the spacer is disposed on the wiring, and an end of the spacer that contacts the wiring is rounded.
れた基板と、前記電子放出素子から放出される電子の照
射により画像を形成する画像形成部材が配置された基板
と、前記両基板間に配置されたスペーサとを備える画像
形成装置であって、前記画像形成部材はアーチ状の断面
を有する非発光部材を有し、前記スペーサは前記非発光
部材上に配置され、前記非発光部材と接触する端部の角
がまるまっていることを特徴とする画像形成装置。8. A substrate on which a wiring to which an electron-emitting device is connected is disposed; a substrate on which an image forming member for forming an image by irradiation of electrons emitted from the electron-emitting device is disposed; An image forming apparatus comprising: a spacer disposed on the image forming member, wherein the image forming member has a non-light-emitting member having an arch-shaped cross section, the spacer is disposed on the non-light-emitting member, An image forming apparatus, wherein a corner of a contacting end is rounded.
方向配線とでマトリクス配線された複数の電子放出素子
を備える電子源基板であって、前記行方向配線と前記列
方向配線の非交差領域に電位規定部を有することを特徴
とする電子源基板。9. An electron source substrate comprising a plurality of electron-emitting devices arranged on a substrate in a matrix with a plurality of row-direction wirings and a plurality of column-direction wirings, wherein the plurality of electron-emitting devices are arranged in a matrix. An electron source substrate having a potential regulating portion in a non-crossing region.
れている請求項９に記載の電子源基板。10. The electron source substrate according to claim 9, wherein said potential regulating section is connected to said wiring.
電極である請求項９または１０に記載の電子源基板。11. The electron source substrate according to claim 9, wherein the potential regulating section is an extraction electrode of the wiring.
に形成されている請求項９〜１１のいずれかに記載の電
子源基板。12. The electron source substrate according to claim 9, wherein said matrix wiring is formed on a single substrate.
列方向配線とでマトリクス配線された複数の電子放出素
子を備える電子源基板と、前記複数の電子放出素子から
放出される電子の照射により画像を形成する画像形成部
材とを備える画像形成装置であって、前記行方向配線と
前記列方向配線の非交差領域に電位規定部を有すること
を特徴とする画像形成装置。13. An electron source substrate comprising: a plurality of electron-emitting devices arranged on a substrate in a matrix with a plurality of row-direction wirings and a plurality of column-direction wirings; What is claimed is: 1. An image forming apparatus comprising: an image forming member for forming an image by irradiation, wherein a potential regulating unit is provided in a non-intersecting region of the row direction wiring and the column direction wiring.
れている請求項１３に記載の画像形成装置。14. The image forming apparatus according to claim 13, wherein said potential regulating section is connected to said wiring.
線で電極である請求項１３または１４に記載の画像形成
装置。15. The image forming apparatus according to claim 13, wherein the potential regulating section is an electrode at a lead line of the wiring.
に形成されている請求項１３〜１５のいずれかに記載の
画像形成装置。16. The image forming apparatus according to claim 13, wherein said matrix wiring is formed on a single substrate.
ルバックにて被覆された蛍光体及び非発光部材が前記電
子源と対向するように配置された第２基板とを備える画
像形成装置であって、前記蛍光体と前記非発光部材とは
互いに異なる厚さを有しており、前記第２基板の、前記
蛍光体及び前記非発光部材が配置された側面とは反対側
面に、前記第１基板の前記電子源が配置された側面に駆
動時に印加される電位に近い電位を印加する手段を有す
ることを特徴とする画像形成装置。17. An image forming apparatus comprising: a first substrate on which an electron source is disposed; and a second substrate on which a phosphor and a non-light emitting member covered with a metal back are disposed so as to face the electron source. Wherein the phosphor and the non-light-emitting member have different thicknesses from each other, and the second substrate has a side opposite to a side on which the phosphor and the non-light-emitting member are arranged, An image forming apparatus comprising: means for applying a potential close to a potential applied during driving to a side surface of the first substrate on which the electron source is arranged.
うメタルバックと、前記メタルバックと電気的に接続さ
れた高圧引出し端子とが配置された画像形成基板であっ
て、前記メタルバックと前記高圧引出し端子との間を継
ぐ帯状の中継導電膜を備えることを特徴とする画像形成
装置。18. An image forming substrate on which a phosphor, a metal back covering the phosphor, and a high voltage lead-out terminal electrically connected to the metal back are arranged on a substrate, wherein the metal back is provided. An image forming apparatus, comprising: a band-shaped relay conductive film that connects between the power supply terminal and the high-voltage extraction terminal.
記電子源基板に対向は位置され、蛍光体と、前記蛍光体
を覆うメタルバックと、前記メタルバックと電気的に接
続された高圧引出し端子とが配置された画像形成基板と
を備える画像形成装置であって、前記画像形成基板が、
前記メタルバックと前記高圧引出し端子との間を継ぐ帯
状の中継導電膜を備えることを特徴とする画像形成装
置。19. An electron source substrate on which an electron source is arranged, a phosphor, a metal back covering the phosphor, and a high voltage electrically connected to the metal back. An image forming apparatus comprising: an image forming substrate on which a lead terminal is arranged; and
An image forming apparatus comprising: a band-shaped relay conductive film that connects between the metal back and the high-voltage extraction terminal.
記電子源から放出される電子の照射により画像を形成す
る画像形成部材が配置された画像形成基板とを有する外
囲器と、前記外囲器の挟持部を有する筐体とを備える画
像形成装置であって、前記挟持部は、前記画像形成基板
を介さずに前記電子源基板を挟持していることを特徴と
する画像形成装置。20. An envelope comprising: an electron source substrate on which an electron source is disposed; and an image forming substrate on which an image forming member for forming an image by irradiation of electrons emitted from the electron source is disposed. An image forming apparatus comprising: a housing having a holding portion of an envelope, wherein the holding portion holds the electron source substrate without interposing the image forming substrate. .
画像形成基板と重なり合わない部位を挟持している請求
項２０に記載の画像形成装置。21. The image forming apparatus according to claim 20, wherein the holding portion holds a portion of the electron source substrate that does not overlap with the image forming substrate.
れたフレキ部とともに前記電子源基板を挟持している請
求項２０または２１に記載の画像形成装置。22. The image forming apparatus according to claim 20, wherein the holding portion holds the electron source substrate together with a flexible portion disposed on the electron source substrate.
が配置された基板と、前記電子放出素子から放出される
電子の照射により画像を形成する画像形成部材が配置さ
れた基板と、前記両基板間に配置された複数のスペーサ
とを備える画像形成装置であって、前記複数のスペーサ
は、スペーサ間の配線数が５〜５０の範囲となるように
離散的に前記配線上に配置されていることを特徴とする
画像形成装置。23. A substrate on which a plurality of wirings to which electron-emitting devices are connected are arranged; a substrate on which an image forming member for forming an image by irradiation of electrons emitted from the electron-emitting devices is arranged; An image forming apparatus comprising: a plurality of spacers disposed between substrates; wherein the plurality of spacers are discretely disposed on the wirings such that the number of wirings between the spacers is in a range of 5 to 50. An image forming apparatus.
外枠とで外囲器が構成されており、前記両基板のいずれ
か一方の基板面に水平な面で切った断面における外囲器
内部面積Ａと、前記断面における前記複数のスペーサの
総断面積Ｓとの比Ｓ／Ａが、０．０１８％〜７．８％の
範囲である請求項２３に記載の画像形成装置。24. An envelope formed by the substrate and an outer frame arranged between the two substrates, and an outer envelope in a cross section taken along a plane parallel to one of the two substrates. 24. The image forming apparatus according to claim 23, wherein a ratio S / A of a container internal area A to a total cross-sectional area S of the plurality of spacers in the cross section is in a range of 0.018% to 7.8%.
た外枠とで外囲器が構成されており、前記外枠の幅Ｗと
厚さＴとの比Ｗ／Ｔが、１．５〜３０の範囲である請求
項２３に記載の画像形成装置。25. An envelope comprising the two substrates and an outer frame disposed between the two substrates, wherein a ratio W / T of a width W to a thickness T of the outer frame is 1. The image forming apparatus according to claim 23, wherein the number is in a range of 5 to 30.
板間に配された外枠とで構成された外囲器内に、電子源
と、前記電子源から放出される電子の照射により画像を
形成する画像形成部材とを備える画像形成装置であっ
て、前記外枠が、打ち抜きで形成されたものであること
を特徴とする画像形成装置。26. An image formed by irradiating an electron source and electrons emitted from the electron source into an envelope formed by a pair of substrates disposed to face each other and an outer frame disposed between the two substrates. An image forming apparatus comprising: an image forming member for forming an image; and wherein the outer frame is formed by punching.
板間に配された外枠とで構成された外囲器内に、電子源
と、前記電子源から放出される電子の照射により画像を
形成する画像形成部材とを備える画像形成装置であっ
て、前記外枠の隅部は、外囲器の内外側で円弧形状を有
し、前記円弧形状は、前記内側と前記外側とで異なる曲
率を有していることを特徴とする画像形成装置。27. An image formed by irradiating an electron source and electrons emitted from the electron source into an envelope formed by a pair of substrates disposed to face each other and an outer frame disposed between the two substrates. An image forming apparatus comprising: an image forming member for forming an image; wherein the corner of the outer frame has an arc shape inside and outside the envelope, and the arc shape differs between the inside and the outside. An image forming apparatus having a curvature.
接続された配線と、ゲッタとが配置された電子源基板で
あって、前記ゲッタは前記配線上に配置されており、前
記ゲッタ及び前記配線はいずれもアーチ状の断面形状を
有していることを特徴とする電子源基板。28. An electron source substrate on which an electron-emitting device, a wiring connected to the electron-emitting device, and a getter are arranged, wherein the getter is arranged on the wiring, and the getter and the getter are provided. An electron source substrate, wherein each of the wirings has an arch-shaped cross section.
る請求項２８に記載の電子源基板。29. The electron source substrate according to claim 28, wherein the getter is a non-evaporable getter.
幅は、前記配線の幅よりも狭い請求項２８または２９に
記載の電子源基板。30. The electron source substrate according to claim 28, wherein a width of the getter arranged on the wiring is smaller than a width of the wiring.
接続された配線と、ゲッタとが配置された基板と、前記
電子放出素子から放出される電子の照射により画像を形
成する画像形成部材とを外囲器内に備える画像形成装置
であって、前記ゲッタは前記配線上に配置されており、
前記ゲッタ及び前記配線はいずれもアーチ状の断面形状
を有していることを特徴とする画像形成装置。31. A substrate on which an electron-emitting device, a wiring connected to the electron-emitting device, and a getter are arranged, and an image forming member for forming an image by irradiation of electrons emitted from the electron-emitting device. An image forming apparatus having an envelope inside, wherein the getter is arranged on the wiring,
An image forming apparatus, wherein each of the getter and the wiring has an arch-shaped cross section.
る請求項３１に記載の画像形成装置。32. The image forming apparatus according to claim 31, wherein the getter is a non-evaporable getter.
幅は、前記配線の幅よりも狭い請求項３１または３２に
記載の画像形成装置。33. The image forming apparatus according to claim 31, wherein a width of the getter arranged on the wiring is smaller than a width of the wiring.
された高圧電源とを備える画像形成装置であって、前記
高圧電源が、前記表示パネルの重心よりも下方に配置さ
れていることを特徴とする画像形成装置。34. An image forming apparatus including a display panel and a high-voltage power supply connected to the display panel, wherein the high-voltage power supply is disposed below a center of gravity of the display panel. Image forming apparatus.
示面側と反対側の背面に配置されている請求項３４に記
載の画像形成装置。35. The image forming apparatus according to claim 34, wherein the high-voltage power supply is disposed on a back surface of the display panel opposite to a display surface.
隔をもって配置されている請求項３４または３５に記載
の画像形成装置。36. The image forming apparatus according to claim 34, wherein the display panel and the high-voltage power supply are arranged at an interval.
基板と、電子放出素子が配された第２の基板とを対向配
置した画像形成装置であって、該電子放出素子の電子放
出部直上に、前記黒色部材が配されたことを特徴とする
画像形成装置。37. An image forming apparatus comprising: a first substrate on which a phosphor and a black member are disposed; and a second substrate on which an electron-emitting device is disposed. An image forming apparatus, wherein the black member is disposed immediately above a discharge unit.
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Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6614167B1 (en) | 1999-02-25 | 2003-09-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron source, image forming apparatus, and manufacture method for electron source |
| JP2005316373A (en) * | 2004-04-29 | 2005-11-10 | Samsung Sdi Co Ltd | Grounding separation type field emission display device |
| JP2006066279A (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Hitachi Displays Ltd | Spontaneous light-emitting planar display device |
| JP2006202553A (en) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Hitachi Displays Ltd | Image display device and its manufacturing method |
| JP2007053001A (en) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Sony Corp | Flat display device |
| JP2007128882A (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-24 | Samsung Sdi Co Ltd | Electron emitting display |
| JP2007149410A (en) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Sony Corp | Flat display device |
| WO2009069743A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Canon Anelva Corporation | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| CN109285740A (en) * | 2018-11-12 | 2019-01-29 | 北京大学 | A kind of on piece micro electric component and its manufacturing method |
| US10964474B2 (en) | 2019-02-07 | 2021-03-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Capacitor and capacitor module |
| CN113959917A (en) * | 2021-10-26 | 2022-01-21 | 广东电网有限责任公司 | Direct current screen dust monitoring system that charges |
| JP2022511709A (en) * | 2018-11-12 | 2022-02-01 | 北京大学 | On-chip miniature electron source and its manufacturing method |
-
1999
- 1999-04-05 JP JP9820799A patent/JP2000323076A/en not_active Withdrawn
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6794813B2 (en) | 1999-02-25 | 2004-09-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron source, image forming apparatus, and manufacture method for electron source |
| US6614167B1 (en) | 1999-02-25 | 2003-09-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron source, image forming apparatus, and manufacture method for electron source |
| JP2005316373A (en) * | 2004-04-29 | 2005-11-10 | Samsung Sdi Co Ltd | Grounding separation type field emission display device |
| JP2006066279A (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Hitachi Displays Ltd | Spontaneous light-emitting planar display device |
| JP2006202553A (en) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Hitachi Displays Ltd | Image display device and its manufacturing method |
| JP2007053001A (en) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Sony Corp | Flat display device |
| US7816852B2 (en) | 2005-10-31 | 2010-10-19 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Electron emission display device with anode terminal |
| JP2007128882A (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-24 | Samsung Sdi Co Ltd | Electron emitting display |
| JP4500298B2 (en) * | 2005-10-31 | 2010-07-14 | 三星エスディアイ株式会社 | Electron emission display |
| JP2007149410A (en) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Sony Corp | Flat display device |
| WO2009069743A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Canon Anelva Corporation | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| CN109285740A (en) * | 2018-11-12 | 2019-01-29 | 北京大学 | A kind of on piece micro electric component and its manufacturing method |
| JP2022511709A (en) * | 2018-11-12 | 2022-02-01 | 北京大学 | On-chip miniature electron source and its manufacturing method |
| JP7152813B2 (en) | 2018-11-12 | 2022-10-13 | 北京大学 | ON-CHIP MINIATURE ELECTRON SOURCE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
| CN109285740B (en) * | 2018-11-12 | 2024-02-09 | 北京大学 | On-chip miniature electron source and manufacturing method thereof |
| US10964474B2 (en) | 2019-02-07 | 2021-03-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Capacitor and capacitor module |
| US11551864B2 (en) | 2019-02-07 | 2023-01-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Capacitor and capacitor module |
| CN113959917A (en) * | 2021-10-26 | 2022-01-21 | 广东电网有限责任公司 | Direct current screen dust monitoring system that charges |
| CN113959917B (en) * | 2021-10-26 | 2023-12-29 | 广东电网有限责任公司 | DC charging screen dust monitoring system |
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