JP2000315685A - 高アスペクト比開口部の反応性プラズマエッチクリーニング - Google Patents
高アスペクト比開口部の反応性プラズマエッチクリーニングInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高アスペクト比の開口部の底部又は側部から
自然酸化物を除去し、酸化物が再堆積しない方法。 【解決手段】 反応性ハロゲン含有ガスとヘリウム等の
キャリヤガスのプラズマガス先駆物質混合物を使用し
て、高アスペクト比の開口部を有する基板から、自然酸
化物を除去する。プラズマ中に発生した軽量のイオンが
酸素と反応して、揮発性の酸素含有核種を生じ、これを
プラズマチャンバの排気システムから除去することが出
来、開口部の側壁又は底部上に酸化物が再度堆積するの
を防止する。基板の上にプラズマを形成でき、また基板
にバイアスを与えられる二重電源を有するプラズマチャ
ンバ内に基板を取付けると、テーパ付き開口部が迅速に
形成され、これはボイドを形成せずに容易に充填するこ
とが出来る。
自然酸化物を除去し、酸化物が再堆積しない方法。 【解決手段】 反応性ハロゲン含有ガスとヘリウム等の
キャリヤガスのプラズマガス先駆物質混合物を使用し
て、高アスペクト比の開口部を有する基板から、自然酸
化物を除去する。プラズマ中に発生した軽量のイオンが
酸素と反応して、揮発性の酸素含有核種を生じ、これを
プラズマチャンバの排気システムから除去することが出
来、開口部の側壁又は底部上に酸化物が再度堆積するの
を防止する。基板の上にプラズマを形成でき、また基板
にバイアスを与えられる二重電源を有するプラズマチャ
ンバ内に基板を取付けると、テーパ付き開口部が迅速に
形成され、これはボイドを形成せずに容易に充填するこ
とが出来る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自然酸化物を除去
する改善された方法に関し、より詳しくは、本発明は、
高アスペクト比の開口部からに自然酸化物を除去するこ
とに関する。
する改善された方法に関し、より詳しくは、本発明は、
高アスペクト比の開口部からに自然酸化物を除去するこ
とに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造において、シリコ
ンウェハ等の１つの半導体基板上により多くのデバイス
を設けようとして、誘電体層で分離された幾つかのデバ
イスの層が作られた。誘電体層に開口部が作られ、次に
それに導電性材料を充填し、異なる層にあるデバイス間
の電気接触するようにした。これらの開口部は小さく保
たれるが、比較的厚い誘電体層を通過しなければならな
い。深さと幅の比はアスペクト比（ＡＲ）と呼ばれ、直
径が小さく深い開口部は、高アスペクト比の開口部とい
われる。より小さいデバイスが作られるようになると、
このような開口部のＡＲは増加する。
ンウェハ等の１つの半導体基板上により多くのデバイス
を設けようとして、誘電体層で分離された幾つかのデバ
イスの層が作られた。誘電体層に開口部が作られ、次に
それに導電性材料を充填し、異なる層にあるデバイス間
の電気接触するようにした。これらの開口部は小さく保
たれるが、比較的厚い誘電体層を通過しなければならな
い。深さと幅の比はアスペクト比（ＡＲ）と呼ばれ、直
径が小さく深い開口部は、高アスペクト比の開口部とい
われる。より小さいデバイスが作られるようになると、
このような開口部のＡＲは増加する。
【０００３】材料を非常に少量の酸素に晒すことによ
り、開口部の底部に自然酸化物が容易に形成される。薄
い「自然酸化物(native oxide)」層が形成される反応は
自発性である。シリコン、アルミニウム、銅等の材料
は、開口部をエッチングするのに使用するチャンバ内に
存在しうるあらゆる酸素から容易に自然酸化物を形成す
る。これは、基板を空気に、又はエッチングステップ中
に発生しえる任意の酸素を含有する核種に晒すことによ
る。酸化物は誘電性なので、シリコン、アルミニウム、
銅等の導電性材料が酸化してそれらの酸化物が形成され
ると、堆積された導電性層の導電率が減少し、次に堆積
される導電性薄膜との間に接触抵抗の高い界面を生じ
る。このため、デバイスの性能が低下する。従って、デ
バイスの低下を防止するため、高アスペクト比の開口部
は、導電性コンタクト材料を充填する前に、これらの自
然酸化物を清掃しなければならない。
り、開口部の底部に自然酸化物が容易に形成される。薄
い「自然酸化物(native oxide)」層が形成される反応は
自発性である。シリコン、アルミニウム、銅等の材料
は、開口部をエッチングするのに使用するチャンバ内に
存在しうるあらゆる酸素から容易に自然酸化物を形成す
る。これは、基板を空気に、又はエッチングステップ中
に発生しえる任意の酸素を含有する核種に晒すことによ
る。酸化物は誘電性なので、シリコン、アルミニウム、
銅等の導電性材料が酸化してそれらの酸化物が形成され
ると、堆積された導電性層の導電率が減少し、次に堆積
される導電性薄膜との間に接触抵抗の高い界面を生じ
る。このため、デバイスの性能が低下する。従って、デ
バイスの低下を防止するため、高アスペクト比の開口部
は、導電性コンタクト材料を充填する前に、これらの自
然酸化物を清掃しなければならない。
【０００４】これまでは、ＨＦとフッ化アンモニウム等
の緩衝性酸化物エッチング液、即ち「ＢＯＥ」エッチン
グ液に基板を浸漬することにより、及び／又はアルゴン
でスパッタエッチングすることにより、自然酸化物は、
事前清掃ステップで除去されてきた。しかし、自然酸化
物を除去した後、基板をあらゆる酸素、又は酸素を含有
するガスに晒すことは出来なかった。そうでないと、自
然酸化物が再度形成されるからである。
の緩衝性酸化物エッチング液、即ち「ＢＯＥ」エッチン
グ液に基板を浸漬することにより、及び／又はアルゴン
でスパッタエッチングすることにより、自然酸化物は、
事前清掃ステップで除去されてきた。しかし、自然酸化
物を除去した後、基板をあらゆる酸素、又は酸素を含有
するガスに晒すことは出来なかった。そうでないと、自
然酸化物が再度形成されるからである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、真空中で自然
酸化物を有効に事前に清掃し、即ち除去し、高アスペク
ト比の開口部の底部又は側部に沿って酸化物が再度堆積
しない方法が求められていた。さらに、このような方法
は、ＡＲが４又はそれ以上の高アスペクト比の開口部の
底部から、自然酸化物を完全に除去し、開口部の側壁に
沿って自然酸化物が再度堆積しないように出来なければ
ならない。
酸化物を有効に事前に清掃し、即ち除去し、高アスペク
ト比の開口部の底部又は側部に沿って酸化物が再度堆積
しない方法が求められていた。さらに、このような方法
は、ＡＲが４又はそれ以上の高アスペクト比の開口部の
底部から、自然酸化物を完全に除去し、開口部の側壁に
沿って自然酸化物が再度堆積しないように出来なければ
ならない。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、高アスペクト
比の開口部の底部から、自然酸化物(native oxide)を完
全に除去し、再堆積がない、即ち開口部の側壁に沿って
酸素含有材料が堆積しない方法を提供する。高アスペク
ト比の開口部をプラズマでエッチングし、これにより、
チャンバに存在する酸素を揮発性の酸素含有、又はハロ
ゲン含有ガスに変え、これらのガスは、真空チャンバの
排気システムを通って容易に又完全に除去することが出
来る。
比の開口部の底部から、自然酸化物(native oxide)を完
全に除去し、再堆積がない、即ち開口部の側壁に沿って
酸素含有材料が堆積しない方法を提供する。高アスペク
ト比の開口部をプラズマでエッチングし、これにより、
チャンバに存在する酸素を揮発性の酸素含有、又はハロ
ゲン含有ガスに変え、これらのガスは、真空チャンバの
排気システムを通って容易に又完全に除去することが出
来る。
【０００７】特に、ヘリウムとハロゲン含有ガスのプラ
ズマは、好適なプラズマエッチングチャンバ内で形成さ
れる。このエッチング液混合物が、存在する自然酸化物
を元素状態の酸素と揮発性のハロゲン含有ガスに変え
る。これらのガスは、容易に完全にチャンバから排気
し、高アスペクト比の開口部の底部又は側壁上に酸素含
有化合物が再堆積するのを防止する。エッチングチャン
バの壁面と固定物に再堆積した材料は、良く固着しない
ので、壁面と固定物から微粒子が落下し、それが基板上
に堆積する場合がある。本発明により、このような再堆
積も防止することが出来る。
ズマは、好適なプラズマエッチングチャンバ内で形成さ
れる。このエッチング液混合物が、存在する自然酸化物
を元素状態の酸素と揮発性のハロゲン含有ガスに変え
る。これらのガスは、容易に完全にチャンバから排気
し、高アスペクト比の開口部の底部又は側壁上に酸素含
有化合物が再堆積するのを防止する。エッチングチャン
バの壁面と固定物に再堆積した材料は、良く固着しない
ので、壁面と固定物から微粒子が落下し、それが基板上
に堆積する場合がある。本発明により、このような再堆
積も防止することが出来る。
【０００８】
【発明の実施の形態及び実施例】図１に、本発明に有用
な二重電力エッチングチャンバを示す。このチャンバ
は、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリ
アルズ社からプレクリーンＩＩチャンバとして商業的に
入手できる。一般に、エッチング／プレクリーン（前洗
浄）チャンバ40は、囲壁72と、チャンバ40内に配置され
た基板支持具42と、囲壁72に接続されたガス入口76と、
囲壁72に接続されたガス出口78と、ガス入口76を通って
チャンバ内に入ったガスから囲壁72内にプラズマを発生
するため、誘導コイル98に接続されたＲＦ電源74と、基
板支持具42に接続された電源80とを備える。
な二重電力エッチングチャンバを示す。このチャンバ
は、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリ
アルズ社からプレクリーンＩＩチャンバとして商業的に
入手できる。一般に、エッチング／プレクリーン（前洗
浄）チャンバ40は、囲壁72と、チャンバ40内に配置され
た基板支持具42と、囲壁72に接続されたガス入口76と、
囲壁72に接続されたガス出口78と、ガス入口76を通って
チャンバ内に入ったガスから囲壁72内にプラズマを発生
するため、誘導コイル98に接続されたＲＦ電源74と、基
板支持具42に接続された電源80とを備える。
【０００９】囲壁72は、側壁82と、底部84と、頂部86と
を備える。取外し可能なアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）ドーム88
が、頂部86の下で処理領域90の上に取り付けられてい
る。誘導コイル98が、アルミナドーム88の周りに配置さ
れ、ＲＦ電源74に接続されて、処理領域90内にプラズマ
を誘導結合する。ガス入口76は、処理ガス供給源92に接
続され、処理中、処理ガス混合物をチャンバ40内に導入
する。ガス出口78は、サーボ制御スロットル弁94と、真
空ポンプ96とを備えるのが好ましい。真空ポンプ96は、
処理前と処理中チャンバ40を真空排気し、真空ポンプ96
とスロットル弁94とにより、チャンバ40内を所望の圧力
を保持する。
を備える。取外し可能なアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）ドーム88
が、頂部86の下で処理領域90の上に取り付けられてい
る。誘導コイル98が、アルミナドーム88の周りに配置さ
れ、ＲＦ電源74に接続されて、処理領域90内にプラズマ
を誘導結合する。ガス入口76は、処理ガス供給源92に接
続され、処理中、処理ガス混合物をチャンバ40内に導入
する。ガス出口78は、サーボ制御スロットル弁94と、真
空ポンプ96とを備えるのが好ましい。真空ポンプ96は、
処理前と処理中チャンバ40を真空排気し、真空ポンプ96
とスロットル弁94とにより、チャンバ40内を所望の圧力
を保持する。
【００１０】基板支持具42は、一般にアルミナ絶縁プレ
ート48の上面の凹部46内に配置されたペデスタルプレー
ト44を備える。ペデスタルプレート44の上面は、絶縁プ
レート48の上面52より少し上まで延び、基板54の底面即
ち裏面58の中央部分と接触している。ペデスタルプレー
ト44は、アルミナで出来ていて、電源80に接続され、基
板54にバイアスを与えるのが好ましい。基板54の外辺部
は、絶縁プレート48の上側環状表面52の上に延び、基板
54の裏面58と絶縁プレート48の上面52との間にギャップ
56形成する。ギャップ56の高さは、約５ミルから約１５
ミルで、プラズマが基板54の裏面58にプラズマが到達し
ないようにするのが好ましい。絶縁プレート48の上面52
の外縁部の直径は、少なくとも基板54の外縁部の直径と
同じ大きさであり、裏面58はペデスタルプレート44に接
触するようになっている。
ート48の上面の凹部46内に配置されたペデスタルプレー
ト44を備える。ペデスタルプレート44の上面は、絶縁プ
レート48の上面52より少し上まで延び、基板54の底面即
ち裏面58の中央部分と接触している。ペデスタルプレー
ト44は、アルミナで出来ていて、電源80に接続され、基
板54にバイアスを与えるのが好ましい。基板54の外辺部
は、絶縁プレート48の上側環状表面52の上に延び、基板
54の裏面58と絶縁プレート48の上面52との間にギャップ
56形成する。ギャップ56の高さは、約５ミルから約１５
ミルで、プラズマが基板54の裏面58にプラズマが到達し
ないようにするのが好ましい。絶縁プレート48の上面52
の外縁部の直径は、少なくとも基板54の外縁部の直径と
同じ大きさであり、裏面58はペデスタルプレート44に接
触するようになっている。
【００１１】アルミナの絶縁プレート48の斜面部分60
は、絶縁プレートの上面52の外縁部から下向きの傾斜で
延びる。斜面部分60の傾斜は、水平面から約１０〜６０
°が好ましい。図１に示すように、傾斜は約４５°であ
る。オプションとして、基板支持具42は、温度制御器又
はヒーター（図示せず）を備え、処理中基板の温度を制
御する。
は、絶縁プレートの上面52の外縁部から下向きの傾斜で
延びる。斜面部分60の傾斜は、水平面から約１０〜６０
°が好ましい。図１に示すように、傾斜は約４５°であ
る。オプションとして、基板支持具42は、温度制御器又
はヒーター（図示せず）を備え、処理中基板の温度を制
御する。
【００１２】動作において、基板支持具42の上に基板54
を置き、チャンバ40を真空排気して、真空環境をつく
る。キャリヤガスとしてのヘリウムと、ハロゲン含有ガ
スからなる処理ガスを、ガス入口76から処理領域90へ導
入する。反応性ガスのガスの流速は、後述するように調
節される。反応を開始するため、誘導結合、及び／又は
容量結合により、処理領域90内で処理ガス混合物のプラ
ズマを発生する。初期のプラズマは、約１Ｗから約５０
０Ｗ、好ましくは５０から３００Ｗの電力を、約１００
ｋＨｚから約１００ＭＨｚの周波数で約３秒間等の短時
間、基板支持具42に供給することにより生成される。初
期のプラズマは、また誘導コイル98に電力をかけること
によっても発生させることができる。処理中、約１Ｗか
ら約１０００Ｗ、好ましくは１００から４００Ｗの電力
を、約１００ｋＨｚから約６０ＭＨｚの周波数でかける
と、誘導により処理領域90内にプラズマが維持される。
チャンバ40内のプラズマは、誘導結合のみによっても、
又は容量結合のみによっても維持できるが、この2つの
組合わせによるのが好ましい。
を置き、チャンバ40を真空排気して、真空環境をつく
る。キャリヤガスとしてのヘリウムと、ハロゲン含有ガ
スからなる処理ガスを、ガス入口76から処理領域90へ導
入する。反応性ガスのガスの流速は、後述するように調
節される。反応を開始するため、誘導結合、及び／又は
容量結合により、処理領域90内で処理ガス混合物のプラ
ズマを発生する。初期のプラズマは、約１Ｗから約５０
０Ｗ、好ましくは５０から３００Ｗの電力を、約１００
ｋＨｚから約１００ＭＨｚの周波数で約３秒間等の短時
間、基板支持具42に供給することにより生成される。初
期のプラズマは、また誘導コイル98に電力をかけること
によっても発生させることができる。処理中、約１Ｗか
ら約１０００Ｗ、好ましくは１００から４００Ｗの電力
を、約１００ｋＨｚから約６０ＭＨｚの周波数でかける
と、誘導により処理領域90内にプラズマが維持される。
チャンバ40内のプラズマは、誘導結合のみによっても、
又は容量結合のみによっても維持できるが、この2つの
組合わせによるのが好ましい。
【００１３】基板の開口部の底部から自然酸化物を除去
するように、エッチング時間を調節する。開口部の底部
から約１００〜５００オングストロームの材料を除去す
ると、自然酸化物は全て除去されるが、開口部の側壁上
には酸素含有核種はなにもスパッタリングされない。導
電性層を堆積する前に、バリヤー層を使用して開口部を
満たせば、公知のように、側壁に存在する酸化物のた
め、バリヤー層とデバイスの品質が劣化する。上述のプ
レクリーンＩＩチャンバは、マルチチャンバシステムの
一部として使用することが出来る。マルチチャンバシス
テムでは、基板を真空中から取出さずに、従って基板を
酸素に晒さずに、基板を1つの処理チャンバから他へ移
送することが出来る。このようなシステムは、メイダン
らの米国特許第4,951,601号に開示されていて、この特
許をここに参照する。
するように、エッチング時間を調節する。開口部の底部
から約１００〜５００オングストロームの材料を除去す
ると、自然酸化物は全て除去されるが、開口部の側壁上
には酸素含有核種はなにもスパッタリングされない。導
電性層を堆積する前に、バリヤー層を使用して開口部を
満たせば、公知のように、側壁に存在する酸化物のた
め、バリヤー層とデバイスの品質が劣化する。上述のプ
レクリーンＩＩチャンバは、マルチチャンバシステムの
一部として使用することが出来る。マルチチャンバシス
テムでは、基板を真空中から取出さずに、従って基板を
酸素に晒さずに、基板を1つの処理チャンバから他へ移
送することが出来る。このようなシステムは、メイダン
らの米国特許第4,951,601号に開示されていて、この特
許をここに参照する。
【００１４】本発明によれば、反応性ハロゲン含有ガス
をヘリウム等のキャリヤガスと混合した、非常に反応性
のエッチングガスを用いて、酸化珪素等の自然酸化物を
除去する。好適な反応性ハロゲン含有ガスには、三フッ
化窒素、四フッ炭素、六フッ化硫黄、四塩化炭素、三塩
化ホウ素等がある。上述したチャンバのプラズマ領域で
は、ハロゲン含有ガスが軽量のイオンとラジカルに分解
し、それが自然酸化物と迅速に反応する。ヘリウム原子
はまた、プラズマ中でイオン化し、ハロゲン含有分子を
ますます励起し、解離を促進する。１例として、三フッ
化窒素とヘリウム等の本発明のエッチング混合物と酸化
珪素の間のプラズマ中で起こる反応は、下記の反応に要
約することが出来る。
をヘリウム等のキャリヤガスと混合した、非常に反応性
のエッチングガスを用いて、酸化珪素等の自然酸化物を
除去する。好適な反応性ハロゲン含有ガスには、三フッ
化窒素、四フッ炭素、六フッ化硫黄、四塩化炭素、三塩
化ホウ素等がある。上述したチャンバのプラズマ領域で
は、ハロゲン含有ガスが軽量のイオンとラジカルに分解
し、それが自然酸化物と迅速に反応する。ヘリウム原子
はまた、プラズマ中でイオン化し、ハロゲン含有分子を
ますます励起し、解離を促進する。１例として、三フッ
化窒素とヘリウム等の本発明のエッチング混合物と酸化
珪素の間のプラズマ中で起こる反応は、下記の反応に要
約することが出来る。
【００１５】1) ＮＦn＋ｅ → ＮＦn-1＋Ｆ− 2) Ｆ−＋ｅ− → Ｆ＋２ｅ− 3) ４Ｆ＋ＳｉＯ2 → ＳｉＦ4↑＋Ｏ↑2 従って、全体の反応は、 4) ３ＳｉＯ2＋４ＮＦ3 → ３ＳｉＦ4↑＋２Ｎ2↑＋
３Ｏ2↑
３Ｏ2↑
【００１６】エッチング混合物からプラズマ中に形成さ
れたイオンは軽量なので、スパッタリングは殆ど起こら
ず、プレクリーンステップでは、ハロゲン含有プラズマ
中のイオン及びとラジカルと、基板上の酸化珪素の間で
反応が起こる。三フッ化窒素等の反応性ハロゲン含有ガ
スの相対的な量は、低く、一般に約２０％より低く保た
れ、低いエッチング速度を保ち、自然酸化物を除去する
のに必要なより多く材料を除去することがないようにす
る。ハロゲン含有ガスとヘリウム分子が軽量なので、ス
パッタリングは殆ど起こらない。
れたイオンは軽量なので、スパッタリングは殆ど起こら
ず、プレクリーンステップでは、ハロゲン含有プラズマ
中のイオン及びとラジカルと、基板上の酸化珪素の間で
反応が起こる。三フッ化窒素等の反応性ハロゲン含有ガ
スの相対的な量は、低く、一般に約２０％より低く保た
れ、低いエッチング速度を保ち、自然酸化物を除去する
のに必要なより多く材料を除去することがないようにす
る。ハロゲン含有ガスとヘリウム分子が軽量なので、ス
パッタリングは殆ど起こらない。
【００１７】しかし、上述のプロセスを更に助けるた
め、a)アルゴン、b)ハロゲンガスとアルゴンの混合物を
追加すると、酸化物、及び／又は酸化物のスパッタリン
グを減少することが出来、急速に反応するようにし、非
常に高アスペクト比の開口部の底部と側壁から除去する
のを助ける。本発明は、次の実施例により示されるが、
本発明はここに記載したことに限定することを意図する
ものではない。
め、a)アルゴン、b)ハロゲンガスとアルゴンの混合物を
追加すると、酸化物、及び／又は酸化物のスパッタリン
グを減少することが出来、急速に反応するようにし、非
常に高アスペクト比の開口部の底部と側壁から除去する
のを助ける。本発明は、次の実施例により示されるが、
本発明はここに記載したことに限定することを意図する
ものではない。
【００１８】実施例 図１に示した反応器で、自然酸化物層を有し、上面に１
２：１の高アスペクト比の開口部を有するシリコン基板
が、プラズマに晒された。このプラズマは、１０原子％
濃度の三フッ化窒素と９０原子％濃度のヘリウムの混合
物から形成され、この混合物は５０ｓｃｃｍの流速でチ
ャンバ内に導入された。チャンバの圧力は、５０ミリト
ールであった。基板へのバイアスを変化させ、基板から
５００オングストロームの材料を除去するまでエッチン
グを継続した。酸化物を除去するのに必要な時間を測定
した。その結果を表Ｉに示す。
２：１の高アスペクト比の開口部を有するシリコン基板
が、プラズマに晒された。このプラズマは、１０原子％
濃度の三フッ化窒素と９０原子％濃度のヘリウムの混合
物から形成され、この混合物は５０ｓｃｃｍの流速でチ
ャンバ内に導入された。チャンバの圧力は、５０ミリト
ールであった。基板へのバイアスを変化させ、基板から
５００オングストロームの材料を除去するまでエッチン
グを継続した。酸化物を除去するのに必要な時間を測定
した。その結果を表Ｉに示す。
【００１９】表Ｉ ＊アルゴンガスのみ
【００２０】従って、本発明の反応性エッチング混合物
を使用すると、エッチング時間は殆ど半分に減少し、開
口部の頂部からと開口部の底部から除去された材料の量
は、エッチングガスとしてアルゴンのスパッタリングガ
スを使用したときと比較して、はるかに等しかった。
を使用すると、エッチング時間は殆ど半分に減少し、開
口部の頂部からと開口部の底部から除去された材料の量
は、エッチングガスとしてアルゴンのスパッタリングガ
スを使用したときと比較して、はるかに等しかった。
【００２１】図２は、実施例１で形成された深さ２．８
ミクロン、開口部の底部で直径０．２５ｍｍ、ＡＲが１
２：１のテーパ付きで清浄化された開口部を示す。この
テーパ付きの形状のために、開口部に、ボイドを形成せ
ずに、導電性材料を充填することが出来る。全ての酸化
物又は誘電性材料が、開口部の底部から除去され、開口
部の側壁上に材料の堆積がないことは明らかである。
ミクロン、開口部の底部で直径０．２５ｍｍ、ＡＲが１
２：１のテーパ付きで清浄化された開口部を示す。この
テーパ付きの形状のために、開口部に、ボイドを形成せ
ずに、導電性材料を充填することが出来る。全ての酸化
物又は誘電性材料が、開口部の底部から除去され、開口
部の側壁上に材料の堆積がないことは明らかである。
【００２２】基板の上面から除去された材料の量（オン
グストロームで表す）（フィールドエッチング量とい
う）と、開口部の底面から除去された材料の量（底部エ
ッチング量という）もまた、上述の例と対照標準につい
て測定した。データは、表ＩＩに要約される。
グストロームで表す）（フィールドエッチング量とい
う）と、開口部の底面から除去された材料の量（底部エ
ッチング量という）もまた、上述の例と対照標準につい
て測定した。データは、表ＩＩに要約される。
【００２３】表ＩＩ
【００２４】従って、開口部の底部でのエッチング除去
は、実施例のエッチング混合物を使用してかなり改善さ
れた。図３Ａは、対照標準として酸化珪素に形成された
開口部の輪郭を示す。図３Ｂは、酸化珪素に形成され、
スパッタエッチングされて自然酸化物が除去された開口
部の輪郭を示す。図３Ｃと３Ｄは、本発明により清浄化
された反応性エッチングされた開口部を示す（それぞ
れ、例の１と２）。図３Ｃと３Ｄのテーパ付き側壁は、
導電性材料を充填するのがずっと容易である。
は、実施例のエッチング混合物を使用してかなり改善さ
れた。図３Ａは、対照標準として酸化珪素に形成された
開口部の輪郭を示す。図３Ｂは、酸化珪素に形成され、
スパッタエッチングされて自然酸化物が除去された開口
部の輪郭を示す。図３Ｃと３Ｄは、本発明により清浄化
された反応性エッチングされた開口部を示す（それぞ
れ、例の１と２）。図３Ｃと３Ｄのテーパ付き側壁は、
導電性材料を充填するのがずっと容易である。
【００２５】本発明を特定の反応チャンバと反応性ガス
について記述したが、当業者は、他のプレクリーンチャ
ンバと、他のエッチング混合物で置き換えることが出来
ることを理解でき、これらは本発明に含まれる。
について記述したが、当業者は、他のプレクリーンチャ
ンバと、他のエッチング混合物で置き換えることが出来
ることを理解でき、これらは本発明に含まれる。
【図１】 本発明のクリーニングステップを実行できる
プラズマ真空チャンバの断面図。
プラズマ真空チャンバの断面図。
【図２】 本発明により深いテーパの付いた開口部が清
掃されることを示す図。
掃されることを示す図。
【図３Ａ】 開口部の底部に自然酸化物がある開口部を
示す図。
示す図。
【図３Ｂ】 従来技術によりスパッタエッチングされた
開口部を示す図。
開口部を示す図。
【図３Ｃ】 本発明のプロセスにより反応性エッチング
された開口部を示す図。
された開口部を示す図。
【図３Ｄ】 本発明のプロセスにより反応性エッチング
された開口部を示す図。
された開口部を示す図。
40 エッチング／プレクリーンチャンバ 42 基板支持具 44 ペデスタルプレート 48 絶縁プレート 52 上面 54 基板 58 裏面 60 斜面 72 囲壁 74 ＲＦ電源 76 ガス入口 78 ガス出口 80 電源 82 側壁 84 底部 86 頂部 88 アルミナドーム 90 処理領域 92 ガス源 94 スロットル弁 96 真空ポンプ 98 誘導コイル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） (72)発明者 バーニー エム コーエン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95051 サンタ クララ マリエッタ ド ライヴ 2931 (72)発明者 インガン スー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94087 サニーヴェイル クレッセント アベニュー 455 アパートメント 23 (72)発明者 ケニー キン タイ ンガン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94539 フリーモント カメロン ヒルズ ドライヴ 43793
Claims (17)
- 【請求項１】 高アスペクト比コンタクト開口部の底部
から、自然酸化物材料を除去する方法において、 真空チャンバ内で、反応性ハロゲン含有ガスとキャリヤ
ガスの先駆物質混合物から形成された反応性プラズマに
より、開口部をエッチングし、軽量の酸素含有反応生成
物を形成し、 前記酸素含有反応生成物を前記チャンバから排気するす
ることを特徴とする方法。 - 【請求項２】 前記ハロゲン含有ガスは、三フッ化窒
素、四フッ炭素、六フッ化硫黄、四塩化炭素、三塩化ホ
ウ素からなる群から選択される請求項１に記載した方
法。 - 【請求項３】 前記ハロゲン含有ガスは、三フッ化窒素
である請求項２に記載した方法。 - 【請求項４】 前記プラズマは、ヘリウムキャリヤガス
中の約１から約５０原子％のハロゲン含有ガスから形成
される請求項１に記載した方法。 - 【請求項５】 前記プラズマ先駆物質ガスは、水素を含
む請求項１に記載した方法。 - 【請求項６】 前記プラズマ先駆物質ガスは、アルゴン
を含む請求項３に記載した方法。 - 【請求項７】 高アスペクト比コンタクト開口部の底部
から、自然酸化物材料を除去する方法において、 a) プラズマチャンバ内の基板支持具上に、高アスペク
ト比の開口部を有する基板を取り付け、該プラズマチャ
ンバは、前記プラズマチャンバにプラズマを発生するた
めＲＦ電源に接続された外部コイルと、前記基板にバイ
アスを与えるため前記基板支持具に接続された電源と、
排気システムとを備え、 b) ハロゲン含有ガスとキャリヤガスからなるプラズマ
先駆物質ガス混合物を前記チャンバへ入れ、 c) 前記酸素含有反応生成物を前記チャンバから排気す
るすることを特徴とする方法。 - 【請求項８】 前記ハロゲン含有ガスは、三フッ化窒
素、四フッ炭素、六フッ化硫黄、四塩化炭素、三塩化ホ
ウ素からなる群から選択される請求項７に記載した方
法。 - 【請求項９】 前記ハロゲン含有ガスは、三フッ化窒素
である請求項８に記載した方法。 - 【請求項１０】 前記キャリヤガスはヘリウムである請
求項７に記載した方法。 - 【請求項１１】 かけられる前記バイアス電力は、約１
から５００ワットである請求項７に記載した方法。 - 【請求項１２】 前記コイルにかけられる前記ＲＦ電力
は、約１から１０００ワットである請求項７に記載した
方法。 - 【請求項１３】 前記プラズマ先駆物質ガスは、水素を
含む請求項７に記載した方法。 - 【請求項１４】 前記プラズマ先駆物質ガスは、アルゴ
ンを含む請求項１０に記載した方法。 - 【請求項１５】 前記プラズマ先駆物質ガスは、アルゴ
ンを含む請求項７に記載した方法。 - 【請求項１６】 高アスペクト比コンタクト開口部の底
部から、自然酸化物材料を除去する方法において、 a) プラズマチャンバ内の基板支持具上に、高アスペク
ト比の開口部を有する基板を取り付け、該プラズマチャ
ンバは、前記プラズマチャンバにプラズマを発生するた
めＲＦ電源に接続された外部コイルと、前記基板にバイ
アスを与えるため前記基板支持具に接続された電源と、
排気システムとを備え、 b) ハロゲン含有ガスとキャリヤガスからなるプラズマ
先駆物質ガス混合物を前記チャンバへ入れ、 c) ５０から３００ワットの電力を前記基板支持具に、
また１００から４００ワットの電力を前記外部コイルに
かけて、前記チャンバ内にプラズマを形成し、 d) 前記酸素含有反応生成物を前記チャンバから排気す
るすることを特徴とする方法。 - 【請求項１７】 ヘリウム中の三フッ化窒素の濃度は、
１から約５０％である請求項１６に記載した方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/298065 | 1999-04-22 | ||
| US09/298,065 US6110836A (en) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | Reactive plasma etch cleaning of high aspect ratio openings |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000315685A true JP2000315685A (ja) | 2000-11-14 |
Family
ID=23148860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000120310A Withdrawn JP2000315685A (ja) | 1999-04-22 | 2000-04-21 | 高アスペクト比開口部の反応性プラズマエッチクリーニング |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6110836A (ja) |
| EP (1) | EP1047123A2 (ja) |
| JP (1) | JP2000315685A (ja) |
| KR (1) | KR20010049274A (ja) |
| SG (1) | SG78415A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11223162B2 (en) | 2017-12-26 | 2022-01-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Air cleaner and home appliance |
Families Citing this family (168)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4910231B2 (ja) * | 2000-10-25 | 2012-04-04 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6573181B1 (en) | 2000-10-26 | 2003-06-03 | Applied Materials, Inc. | Method of forming contact structures using nitrogen trifluoride preclean etch process and a titanium chemical vapor deposition step |
| KR100382725B1 (ko) * | 2000-11-24 | 2003-05-09 | 삼성전자주식회사 | 클러스터화된 플라즈마 장치에서의 반도체소자의 제조방법 |
| TW511135B (en) * | 2000-12-06 | 2002-11-21 | Angstron Systems Inc | Method for integrated in-situ cleaning and subsequent atomic layer deposition within a single processing chamber |
| US6949450B2 (en) | 2000-12-06 | 2005-09-27 | Novellus Systems, Inc. | Method for integrated in-situ cleaning and subsequent atomic layer deposition within a single processing chamber |
| JP3580255B2 (ja) * | 2001-01-10 | 2004-10-20 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理方法 |
| US6803309B2 (en) * | 2002-07-03 | 2004-10-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method for depositing an adhesion/barrier layer to improve adhesion and contact resistance |
| US20050230350A1 (en) * | 2004-02-26 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication |
| US7789965B2 (en) * | 2006-09-19 | 2010-09-07 | Asm Japan K.K. | Method of cleaning UV irradiation chamber |
| US20080289650A1 (en) * | 2007-05-24 | 2008-11-27 | Asm America, Inc. | Low-temperature cleaning of native oxide |
| US7871937B2 (en) | 2008-05-16 | 2011-01-18 | Asm America, Inc. | Process and apparatus for treating wafers |
| US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
| US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
| US8771539B2 (en) | 2011-02-22 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Remotely-excited fluorine and water vapor etch |
| US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
| US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
| US8771536B2 (en) | 2011-08-01 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films |
| US8679982B2 (en) | 2011-08-26 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen |
| US8679983B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen |
| US8927390B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-01-06 | Applied Materials, Inc. | Intrench profile |
| US8808563B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination |
| WO2013070436A1 (en) | 2011-11-08 | 2013-05-16 | Applied Materials, Inc. | Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing |
| US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
| US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
| US9034770B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
| US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
| US9390937B2 (en) | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
| US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
| US8765574B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-07-01 | Applied Materials, Inc. | Dry etch process |
| US8969212B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch selectivity |
| US9064816B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective oxidation removal |
| US8980763B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective tungsten removal |
| US9111877B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Non-local plasma oxide etch |
| US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
| US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
| US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
| US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
| US8801952B1 (en) | 2013-03-07 | 2014-08-12 | Applied Materials, Inc. | Conformal oxide dry etch |
| US10170282B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Insulated semiconductor faceplate designs |
| US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
| US8895449B1 (en) | 2013-05-16 | 2014-11-25 | Applied Materials, Inc. | Delicate dry clean |
| US9114438B2 (en) | 2013-05-21 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Copper residue chamber clean |
| US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
| US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
| US9051655B2 (en) | 2013-09-16 | 2015-06-09 | Applied Materials, Inc. | Boron ionization for aluminum oxide etch enhancement |
| US8956980B1 (en) | 2013-09-16 | 2015-02-17 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon nitride |
| US8951429B1 (en) | 2013-10-29 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Tungsten oxide processing |
| US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
| US9236265B2 (en) | 2013-11-04 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon germanium processing |
| US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
| US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
| US9117855B2 (en) | 2013-12-04 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Polarity control for remote plasma |
| US9287095B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
| US9263278B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-02-16 | Applied Materials, Inc. | Dopant etch selectivity control |
| US9190293B2 (en) | 2013-12-18 | 2015-11-17 | Applied Materials, Inc. | Even tungsten etch for high aspect ratio trenches |
| US9287134B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium oxide etch |
| US9396989B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Air gaps between copper lines |
| US9293568B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of fin patterning |
| US9385028B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Air gap process |
| US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
| US9299575B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase tungsten etch |
| US9299557B2 (en) | 2014-03-19 | 2016-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma pre-clean module and process |
| US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9299538B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9136273B1 (en) | 2014-03-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Flash gate air gap |
| US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
| US9269590B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Spacer formation |
| US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
| US9847289B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-12-19 | Applied Materials, Inc. | Protective via cap for improved interconnect performance |
| US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
| US9378969B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature gas-phase carbon removal |
| US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
| US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
| US9159606B1 (en) | 2014-07-31 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Metal air gap |
| US9378978B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide recess and floating gate fin trimming |
| US9165786B1 (en) | 2014-08-05 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures |
| US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
| US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
| US9355856B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | V trench dry etch |
| US9368364B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials |
| US9478434B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-10-25 | Applied Materials, Inc. | Chlorine-based hardmask removal |
| US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
| US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
| US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
| US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
| US9299583B1 (en) | 2014-12-05 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Aluminum oxide selective etch |
| US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
| US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
| US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
| US9474163B2 (en) | 2014-12-30 | 2016-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Germanium oxide pre-clean module and process |
| US9343272B1 (en) | 2015-01-08 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned process |
| US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
| US9373522B1 (en) | 2015-01-22 | 2016-06-21 | Applied Mateials, Inc. | Titanium nitride removal |
| US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
| US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
| US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
| US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
| US10373850B2 (en) | 2015-03-11 | 2019-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Pre-clean chamber and process with substrate tray for changing substrate temperature |
| US9576788B2 (en) * | 2015-04-24 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Cleaning high aspect ratio vias |
| US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
| US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
| TW201711077A (zh) * | 2015-09-04 | 2017-03-16 | 漢辰科技股份有限公司 | 電漿基礎處理系統及其運作方法 |
| TWI692799B (zh) * | 2015-12-18 | 2020-05-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 清潔方法 |
| US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
| US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
| US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
| US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
| US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
| US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
| US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
| US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
| US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
| US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
| US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
| US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
| US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
| US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
| US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
| US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
| US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
| US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
| US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
| US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
| US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
| US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
| US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
| US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
| US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
| US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
| US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
| US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
| US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
| US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
| US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
| US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
| US10544519B2 (en) * | 2017-08-25 | 2020-01-28 | Aixtron Se | Method and apparatus for surface preparation prior to epitaxial deposition |
| US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
| US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
| US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
| US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
| US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
| US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
| US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
| US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
| TWI766433B (zh) | 2018-02-28 | 2022-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
| US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
| US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
| US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
| US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
| US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
| US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
| US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
| US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
| US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
| US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
| US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
| US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
| US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
| US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
| US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
| US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
| US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
| US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
| US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4951601A (en) * | 1986-12-19 | 1990-08-28 | Applied Materials, Inc. | Multi-chamber integrated process system |
| US5413670A (en) * | 1993-07-08 | 1995-05-09 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for plasma etching or cleaning with diluted NF3 |
| JP3347203B2 (ja) * | 1993-12-27 | 2002-11-20 | 富士通株式会社 | 微細空洞形成方法及び微細空洞を有する微小装置 |
| US5888906A (en) * | 1996-09-16 | 1999-03-30 | Micron Technology, Inc. | Plasmaless dry contact cleaning method using interhalogen compounds |
-
1999
- 1999-04-22 US US09/298,065 patent/US6110836A/en not_active Expired - Lifetime
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2000
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11223162B2 (en) | 2017-12-26 | 2022-01-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Air cleaner and home appliance |
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