JP2000312113A - 発振器 - Google Patents
発振器Info
- Publication number
- JP2000312113A JP2000312113A JP11119455A JP11945599A JP2000312113A JP 2000312113 A JP2000312113 A JP 2000312113A JP 11119455 A JP11119455 A JP 11119455A JP 11945599 A JP11945599 A JP 11945599A JP 2000312113 A JP2000312113 A JP 2000312113A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor substrate
- electrodes
- transistor
- grounded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 半導体基板に内蔵するフードバックコンデン
サの浮遊容量発生を防止し、発振回路のノイズ特性を改
善する。 【解決手段】 半導体基板上に構成されたトランジスタ
2と、インダクタ8と、相対する電極からなるコンデン
サ9を備え、前記コンデンサを構成する電極の内、直流
的に接地する電極を半導体基板に最も近い導体層に構成
し、直流的に接地しない電極を半導体基板に対して反対
側に構成する。
サの浮遊容量発生を防止し、発振回路のノイズ特性を改
善する。 【解決手段】 半導体基板上に構成されたトランジスタ
2と、インダクタ8と、相対する電極からなるコンデン
サ9を備え、前記コンデンサを構成する電極の内、直流
的に接地する電極を半導体基板に最も近い導体層に構成
し、直流的に接地しない電極を半導体基板に対して反対
側に構成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、通信機器などの局
部発振信号の発生に用いられる発振器に関し、特に半導
体集積回路に発振用トランジスタおよびフィードバック
用コンデンサを内蔵した発振器に関するものである。
部発振信号の発生に用いられる発振器に関し、特に半導
体集積回路に発振用トランジスタおよびフィードバック
用コンデンサを内蔵した発振器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図7は、従来の発振器の回路図である。
図7はコレクタ接地型コルピッツ発振器の例を示してい
る。図7を用いて従来の発振器について説明する。
図7はコレクタ接地型コルピッツ発振器の例を示してい
る。図7を用いて従来の発振器について説明する。
【0003】図7において、1は半導体基板上に構成さ
れた回路、2はトランジスタ、3は第1の電極、4は第
2の電極、5は第3の電極、6は第4の電極、8はイン
ダクタ、9はコンデンサ、10は直流接地端子、11は
交流接地端子、12は共振器端子、13は電源、14は
抵抗、15は半導体基板、101は寄生容量成分、10
2は寄生抵抗成分である。
れた回路、2はトランジスタ、3は第1の電極、4は第
2の電極、5は第3の電極、6は第4の電極、8はイン
ダクタ、9はコンデンサ、10は直流接地端子、11は
交流接地端子、12は共振器端子、13は電源、14は
抵抗、15は半導体基板、101は寄生容量成分、10
2は寄生抵抗成分である。
【0004】尚、各電極および半導体基板については、
その位置関係を明確にするために斜視図の表示としてい
る。
その位置関係を明確にするために斜視図の表示としてい
る。
【0005】第1の電極3および第3の電極5は半導体
基板15上に構成されており、第2の電極4および第4
の電極6は、第1の電極3および第3の電極5の上に構
成されている。ここで、半導体基板と第1および第2の
電極、第1の電極と第3の電極、第2の電極と第4の電
極はそれぞれ絶縁層により電気的に絶縁されている。こ
こで、第1の電極3と第2の電極4、第3の電極5と第
4の電極6はそれぞれ互いに相対した位置にあり2つの
コンデンサを構成しており、発振器のフィードバックコ
ンデンサとして働く。
基板15上に構成されており、第2の電極4および第4
の電極6は、第1の電極3および第3の電極5の上に構
成されている。ここで、半導体基板と第1および第2の
電極、第1の電極と第3の電極、第2の電極と第4の電
極はそれぞれ絶縁層により電気的に絶縁されている。こ
こで、第1の電極3と第2の電極4、第3の電極5と第
4の電極6はそれぞれ互いに相対した位置にあり2つの
コンデンサを構成しており、発振器のフィードバックコ
ンデンサとして働く。
【0006】前記2つのコンデンサとトランジスタ2が
半導体基板上に構成され、更に半導体基板上に設けられ
た直流接地端子10は直流的に接地され、交流接地端子
11はコンデンサ9が接続されることにより交流的に接
地されている。また、共振端子12にはインダクタ8お
よびコンデンサ9からなる共振回路が接続されている。
また、抵抗14は、トランジスタの各端子のパイアスを
設定するために挿入されている。
半導体基板上に構成され、更に半導体基板上に設けられ
た直流接地端子10は直流的に接地され、交流接地端子
11はコンデンサ9が接続されることにより交流的に接
地されている。また、共振端子12にはインダクタ8お
よびコンデンサ9からなる共振回路が接続されている。
また、抵抗14は、トランジスタの各端子のパイアスを
設定するために挿入されている。
【0007】図7に示す従来の発振器では、前記2つの
コンデンサ、トランジスタのベースとエミッタの容量、
コンデンサ9の容量、およびインダクタ8で決まる共振
周波数で発振する。そして、図7には示していないが、
トランジスタのエミッタまたはベースから出力信号が取
り出される。
コンデンサ、トランジスタのベースとエミッタの容量、
コンデンサ9の容量、およびインダクタ8で決まる共振
周波数で発振する。そして、図7には示していないが、
トランジスタのエミッタまたはベースから出力信号が取
り出される。
【0008】そしてインダクタ8に並列に接続されたコ
ンデンサ9として可変容量ダイオードを用いることによ
り発振周波数を可変する電圧制御発振器(VCO)とし
て応用されることが多い。
ンデンサ9として可変容量ダイオードを用いることによ
り発振周波数を可変する電圧制御発振器(VCO)とし
て応用されることが多い。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来例に示す発振器では出力信号のノイズ特性が劣化す
るという課題があった。
従来例に示す発振器では出力信号のノイズ特性が劣化す
るという課題があった。
【0010】半導体基板15上に電極を構成した場合に
は、コンデンサの下側電極と半導体基板15との間に寄
生容量成分が発生する。また、前記寄生容量成分に付随
して寄生抵抗成分が存在する。この寄生抵抗成分は半導
体基板15の抵抗も含まれる。図7に示すように、第3
の電極と半導体基板の間に寄生容量成分101と寄生抵
抗成分102が生じている。第1の電極3にも寄生成分
が存在するが、接地端子10を通じて直流的に接地され
てため損失項としては働かない。
は、コンデンサの下側電極と半導体基板15との間に寄
生容量成分が発生する。また、前記寄生容量成分に付随
して寄生抵抗成分が存在する。この寄生抵抗成分は半導
体基板15の抵抗も含まれる。図7に示すように、第3
の電極と半導体基板の間に寄生容量成分101と寄生抵
抗成分102が生じている。第1の電極3にも寄生成分
が存在するが、接地端子10を通じて直流的に接地され
てため損失項としては働かない。
【0011】一般に発振器のノイズ特性は共振周波数を
決定しているインダクタンス成分と容量成分からなる共
振回路のQ値によりに決まるが、上記寄生容量成分10
1は共振周波数を決定する容量の一成分として働く。そ
して、抵抗成分102の存在のために共振回路のQ値が
低下してしまう。
決定しているインダクタンス成分と容量成分からなる共
振回路のQ値によりに決まるが、上記寄生容量成分10
1は共振周波数を決定する容量の一成分として働く。そ
して、抵抗成分102の存在のために共振回路のQ値が
低下してしまう。
【0012】このようにフィードバック用のコンデンサ
を半導体基板上に内蔵した場合には、良好なノイズ特性
を得ることは困難であった。
を半導体基板上に内蔵した場合には、良好なノイズ特性
を得ることは困難であった。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明は、直流的に接地
するコンデンサの電極を最も半導体基板に最も近い導体
層に構成し、直流的に接地しない電極は前記直流的に接
地する電極の前記半導体基板に対して反対側に構成する
ことにより、寄生容量成分および寄生抵抗成分の発生を
防止し、良好なノイズ特性が得られる発振器を実現する
ものである。
するコンデンサの電極を最も半導体基板に最も近い導体
層に構成し、直流的に接地しない電極は前記直流的に接
地する電極の前記半導体基板に対して反対側に構成する
ことにより、寄生容量成分および寄生抵抗成分の発生を
防止し、良好なノイズ特性が得られる発振器を実現する
ものである。
【0014】
【発明の実施の形態】半導体基板上に構成されたトラン
ジスタと、前記半導体基板上に形成された相対する電極
から成るコンデンサと、インダクタを備え、前記コンデ
ンサを構成する電極の内最も前記半導体基板に近い電極
を直流的に接地する構成としたものである。そして、電
極に寄生容量成分および寄生抵抗成分が生じないため、
良好なノイズ特性を得ることができる。
ジスタと、前記半導体基板上に形成された相対する電極
から成るコンデンサと、インダクタを備え、前記コンデ
ンサを構成する電極の内最も前記半導体基板に近い電極
を直流的に接地する構成としたものである。そして、電
極に寄生容量成分および寄生抵抗成分が生じないため、
良好なノイズ特性を得ることができる。
【0015】また、半導体基板上に構成されたトランジ
スタと、前記半導体基板上に形成された第1の電極と、
前記第1の電極に相対し前記第1の電極の上に形成され
た第2の電極と、前記第1または第2の電極に相対し前
記第1または第2の電極の上に形成された第3の電極
と、インダクタを備え、前記第1の電極を直流的に接地
し、前記第2の電極を前記トランジスタのエミッタに接
続し、前記第3の電極を前記トランジスタのベースに接
続したものである。そして、コレクタ接地型コルピッツ
発振器で良好なノイズ特性が得られる。
スタと、前記半導体基板上に形成された第1の電極と、
前記第1の電極に相対し前記第1の電極の上に形成され
た第2の電極と、前記第1または第2の電極に相対し前
記第1または第2の電極の上に形成された第3の電極
と、インダクタを備え、前記第1の電極を直流的に接地
し、前記第2の電極を前記トランジスタのエミッタに接
続し、前記第3の電極を前記トランジスタのベースに接
続したものである。そして、コレクタ接地型コルピッツ
発振器で良好なノイズ特性が得られる。
【0016】また、半導体基板上に構成されたトランジ
スタと、前記半導体基板上に形成された第1の電極と、
前記第1の電極に相対し前記第1の電極の上に形成され
た第2の電極と、前記第1または第2の電極に相対し前
記第1または第2の電極の上に形成された第3の電極
と、インダクタを備え、前記第1の電極を直流的に接地
し、前記第2の電極を前記トランジスタのエミッタに接
続し、前記第3の電極を前記トランジスタのコレクタに
接続したものである。そして、ベース接地型コルピッツ
発振器で良好なノイズ特性が得られる。
スタと、前記半導体基板上に形成された第1の電極と、
前記第1の電極に相対し前記第1の電極の上に形成され
た第2の電極と、前記第1または第2の電極に相対し前
記第1または第2の電極の上に形成された第3の電極
と、インダクタを備え、前記第1の電極を直流的に接地
し、前記第2の電極を前記トランジスタのエミッタに接
続し、前記第3の電極を前記トランジスタのコレクタに
接続したものである。そして、ベース接地型コルピッツ
発振器で良好なノイズ特性が得られる。
【0017】また、半導体基板上に構成されたトランジ
スタと、前記半導体基板上に形成された第1および第2
の電極と、前記第1の電極に相対し前記第1の電極の上
に形成された第3の電極と、前記第2の電極に相対し前
記第2の電極の上に形成された第4の電極と、インダク
タを備え、前記第1および第2の電極を直流的に接地
し、前記第3の電極を前記トランジスタのベースに接続
し、前記第4の電極を前記トランジスタのコレクタに接
続したものである。そして、エミッタ接地型コルピッツ
発振器で良好なノイズ特性が得られる。
スタと、前記半導体基板上に形成された第1および第2
の電極と、前記第1の電極に相対し前記第1の電極の上
に形成された第3の電極と、前記第2の電極に相対し前
記第2の電極の上に形成された第4の電極と、インダク
タを備え、前記第1および第2の電極を直流的に接地
し、前記第3の電極を前記トランジスタのベースに接続
し、前記第4の電極を前記トランジスタのコレクタに接
続したものである。そして、エミッタ接地型コルピッツ
発振器で良好なノイズ特性が得られる。
【0018】また、半導体基板上に構成されたトランジ
スタと、前記半導体基板上に形成された第1および第2
の電極と、前記第1の電極に相対し前記第1の電極の上
に形成された第3の電極と、前記第2の電極に相対し前
記第2の電極の上に形成された第4の電極と、前記第3
および第4の電極に相対し前記第3および第4の電極の
上に形成された第5の電極と、インダクタを備え、前記
第1および第2の電極を直流的に接地し、前記第3の電
極を前記トランジスタのエミッタに接続し、前記第5の
電極を前記トランジスタのベースに接続し、前記第4の
電極を前記インダクタに接続したものである。そして、
コレクタ接地型コルピッツ発振器で共振器用コンデンサ
を内蔵して良好なノイズ特性が得られる。
スタと、前記半導体基板上に形成された第1および第2
の電極と、前記第1の電極に相対し前記第1の電極の上
に形成された第3の電極と、前記第2の電極に相対し前
記第2の電極の上に形成された第4の電極と、前記第3
および第4の電極に相対し前記第3および第4の電極の
上に形成された第5の電極と、インダクタを備え、前記
第1および第2の電極を直流的に接地し、前記第3の電
極を前記トランジスタのエミッタに接続し、前記第5の
電極を前記トランジスタのベースに接続し、前記第4の
電極を前記インダクタに接続したものである。そして、
コレクタ接地型コルピッツ発振器で共振器用コンデンサ
を内蔵して良好なノイズ特性が得られる。
【0019】また、半導体基板上に構成されたトランジ
スタと、前記半導体基板上に形成された第1および第2
の電極と、前記第1の電極に相対し前記第1の電極の上
に形成された第3の電極と、前記第2の電極に相対し前
記第2の電極の上に形成された第4の電極と、前記第3
および第4の電極に相対し前記第3および第4の電極の
上に形成された第5の電極と、インダクタを備え、前記
第1および第2の電極を直流的に接地し、前記第3の電
極を前記トランジスタのエミッタに接続し、前記第5の
電極を前記トランジスタのコレクタに接続し、前記第4
の電極を前記インダクタに接続したものである。そし
て、ベース接地型コルピッツ発振器で共振器用コンデン
サを内蔵して良好なノイズ特性が得られる。
スタと、前記半導体基板上に形成された第1および第2
の電極と、前記第1の電極に相対し前記第1の電極の上
に形成された第3の電極と、前記第2の電極に相対し前
記第2の電極の上に形成された第4の電極と、前記第3
および第4の電極に相対し前記第3および第4の電極の
上に形成された第5の電極と、インダクタを備え、前記
第1および第2の電極を直流的に接地し、前記第3の電
極を前記トランジスタのエミッタに接続し、前記第5の
電極を前記トランジスタのコレクタに接続し、前記第4
の電極を前記インダクタに接続したものである。そし
て、ベース接地型コルピッツ発振器で共振器用コンデン
サを内蔵して良好なノイズ特性が得られる。
【0020】また、半導体基板上に構成されたトランジ
スタと、前記半導体基板上に形成された第1および第2
の電極と、前記第1の電極に相対し前記第1の電極の上
に形成された第3の電極と、前記第2の電極に相対し前
記第2の電極の上に形成された第4の電極と、前記第3
および第4の電極に相対し前記第3および第4の電極の
上に形成された第5の電極と、インダクタを備え、前記
第1および第2の電極を直流的に接地し、前記第3の電
極を前記トランジスタのベースに接続し、前記第4の電
極を前記トランジスタのコレクタに接続し、前記インダ
クタの両端をそれぞれ前記第4および第5の電極また
は、それぞれ前記第3および第5の電極に接続したもの
である。そして、エミッタ接地型コルピッツ発振器で共
振器用コンデンサを内蔵して良好なノイズ特性が得られ
る。
スタと、前記半導体基板上に形成された第1および第2
の電極と、前記第1の電極に相対し前記第1の電極の上
に形成された第3の電極と、前記第2の電極に相対し前
記第2の電極の上に形成された第4の電極と、前記第3
および第4の電極に相対し前記第3および第4の電極の
上に形成された第5の電極と、インダクタを備え、前記
第1および第2の電極を直流的に接地し、前記第3の電
極を前記トランジスタのベースに接続し、前記第4の電
極を前記トランジスタのコレクタに接続し、前記インダ
クタの両端をそれぞれ前記第4および第5の電極また
は、それぞれ前記第3および第5の電極に接続したもの
である。そして、エミッタ接地型コルピッツ発振器で共
振器用コンデンサを内蔵して良好なノイズ特性が得られ
る。
【0021】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。
て説明する。
【0022】(実施例1)図1(a)は、本発明による
発振器の実施例1の構成を示す回路図である。図1
(a)はコレクタ接地型コルピッツ発振器の例を示して
いる。また、図1(b)は実施例1の発振器の原理回路
図である。図1(a)、(b)を用いて本実施例の発振
器について説明する。図1(a)、(b)において、1
は半導体基板上に構成された回路、2はトランジスタ、
3は第1の電極、4は第2の電極、5は第3の電極、8
はインダクタ、9はコンデンサ、10は直流接地端子、
11は交流接地端子、12は共振器端子、13は電源、
14は抵抗、15は半導体基板である。尚、各電極およ
び半導体基板については、その位置関係を明確にするた
めに斜視図の表示としている。
発振器の実施例1の構成を示す回路図である。図1
(a)はコレクタ接地型コルピッツ発振器の例を示して
いる。また、図1(b)は実施例1の発振器の原理回路
図である。図1(a)、(b)を用いて本実施例の発振
器について説明する。図1(a)、(b)において、1
は半導体基板上に構成された回路、2はトランジスタ、
3は第1の電極、4は第2の電極、5は第3の電極、8
はインダクタ、9はコンデンサ、10は直流接地端子、
11は交流接地端子、12は共振器端子、13は電源、
14は抵抗、15は半導体基板である。尚、各電極およ
び半導体基板については、その位置関係を明確にするた
めに斜視図の表示としている。
【0023】図1(a)に示すように、半導体基板15
上には、トランジスタ2、第1、第2および第3の電極
3、4、5、直流接地端子10、交流接地端子11、共
振器端子12が構成されている。ここで、第1の電極3
は半導体基板15上に構成されている。また、第2の電
極4が第1の電極3の上に構成されている。さらに、第
2の電極4の上に第3の電極5が構成されている。ここ
で、第1、第2のおよび第3の電極3、4、5は互いに
相対した位置に配置されており、それぞれ電気的に絶縁
されている。
上には、トランジスタ2、第1、第2および第3の電極
3、4、5、直流接地端子10、交流接地端子11、共
振器端子12が構成されている。ここで、第1の電極3
は半導体基板15上に構成されている。また、第2の電
極4が第1の電極3の上に構成されている。さらに、第
2の電極4の上に第3の電極5が構成されている。ここ
で、第1、第2のおよび第3の電極3、4、5は互いに
相対した位置に配置されており、それぞれ電気的に絶縁
されている。
【0024】そして、第1の電極3は直流接地端子10
を通じて直流的に接地される。また、第2の電極4はト
ランジスタ2のエミッタに接続されている。また、第3
の電極5はトランジスタのベースに接続されている。さ
らに前記トランジスタ2のベースには共振器端子12を
通じてコンデンサ9とインダクタ8から成る共振回路が
接続されている。また、トランジスタ2のコレクタは交
流接地端子11を通じてコンデンサ9により交流的に接
地されている。また、抵抗14はトランジスタ2のバイ
アス設定のために挿入されている。
を通じて直流的に接地される。また、第2の電極4はト
ランジスタ2のエミッタに接続されている。また、第3
の電極5はトランジスタのベースに接続されている。さ
らに前記トランジスタ2のベースには共振器端子12を
通じてコンデンサ9とインダクタ8から成る共振回路が
接続されている。また、トランジスタ2のコレクタは交
流接地端子11を通じてコンデンサ9により交流的に接
地されている。また、抵抗14はトランジスタ2のバイ
アス設定のために挿入されている。
【0025】本実施例1の発振器では、直流的に接地さ
れない電極と半導体基板15との間に寄生容量成分が発
生しない。すなわち、第2および第3の電極4、5と半
導体基板15との間には、第1の電極があり、第1の電
極は直流的に接地されているために、第2および第3の
電極4、5と半導体基板15との間に寄生容量成分が発
生しない。
れない電極と半導体基板15との間に寄生容量成分が発
生しない。すなわち、第2および第3の電極4、5と半
導体基板15との間には、第1の電極があり、第1の電
極は直流的に接地されているために、第2および第3の
電極4、5と半導体基板15との間に寄生容量成分が発
生しない。
【0026】図1(b)の原理回路に示すように、直流
的に接地される電極は※印を付けた電極である。他の電
極は※印の電極の上に配置されている。
的に接地される電極は※印を付けた電極である。他の電
極は※印の電極の上に配置されている。
【0027】従って寄生容量や寄生抵抗により共振回路
のQ値を劣化させることがなく、良好なノイズ特性を得
ることができる。
のQ値を劣化させることがなく、良好なノイズ特性を得
ることができる。
【0028】(実施例2)図2は、本発明による発振器
の実施例2の構成を示す原理回路図である。本実施例
は、ベース接地型コルピッツ発振器の例であり、具体的
な回路は、実施例1と同様に構成することができるた
め、ここでは図2に示す原理図を用いて説明する。
の実施例2の構成を示す原理回路図である。本実施例
は、ベース接地型コルピッツ発振器の例であり、具体的
な回路は、実施例1と同様に構成することができるた
め、ここでは図2に示す原理図を用いて説明する。
【0029】図2において、図1と同じ構成要素に同一
の番号を付けて示した。図2で※印の電極が直流的に接
地される構成であり、他の電極は直流的に接地される電
極の上に配置されている。また、トランジスタ2のベー
スが接地されているが、これは直流的または交流的な接
地のどちらでも良い。
の番号を付けて示した。図2で※印の電極が直流的に接
地される構成であり、他の電極は直流的に接地される電
極の上に配置されている。また、トランジスタ2のベー
スが接地されているが、これは直流的または交流的な接
地のどちらでも良い。
【0030】上記のような構成により直流的に接地され
る電極以外の電極と半導体基板との間に寄生容量および
寄生抵抗が発止しないため、共振回路のQ値を劣化させ
ることがなく、良好なノイズ特性を得ることができる。
る電極以外の電極と半導体基板との間に寄生容量および
寄生抵抗が発止しないため、共振回路のQ値を劣化させ
ることがなく、良好なノイズ特性を得ることができる。
【0031】(実施例3)図3は、本発明による発振器
の実施例3の構成を示す原理回路図である。本実施例
は、エミッタ接地型コルピッツ発振器の例であり、具体
的な回路は、実施例1と同様に構成することができるた
め、ここでは図3に示す原理図を用いて説明する。
の実施例3の構成を示す原理回路図である。本実施例
は、エミッタ接地型コルピッツ発振器の例であり、具体
的な回路は、実施例1と同様に構成することができるた
め、ここでは図3に示す原理図を用いて説明する。
【0032】図3において、図1と同じ構成要素に同一
の番号を付けて示した。図3で、※印の電極が直流的に
接地される構成であり、他の電極は直流的に接地される
電極の上に配置されている。また、トランジスタ2のエ
ミッタが接地されているが、これは直流的または交流的
な接地のどちらでも良い。
の番号を付けて示した。図3で、※印の電極が直流的に
接地される構成であり、他の電極は直流的に接地される
電極の上に配置されている。また、トランジスタ2のエ
ミッタが接地されているが、これは直流的または交流的
な接地のどちらでも良い。
【0033】上記のような構成により直流的に接地され
る電極以外の電極と半導体基板との間に寄生容量および
寄生抵抗が発止しないため、共振回路のQ値を劣化させ
ることがなく、良好なノイズ特性を得ることができる。
る電極以外の電極と半導体基板との間に寄生容量および
寄生抵抗が発止しないため、共振回路のQ値を劣化させ
ることがなく、良好なノイズ特性を得ることができる。
【0034】(実施例4)図4(a)は、本発明による
発振器の実施例4の構成を示す回路図である。図4
(a)はコレクタ接地型コルピッツ発振器の例を示して
いる。また、図4(b)は実施例4の発振器の原理回路
図である。特に、共振器のコンデンサとフィードバック
コンデンサを分けて表示した。図4(a)、(b)を用
いて本実施例の発振器について説明する。図4(a)、
(b)において、6は第4の電極、7は第5の電極であ
る、また、図1と同じ構成要素について同一の番号を付
けて示した。
発振器の実施例4の構成を示す回路図である。図4
(a)はコレクタ接地型コルピッツ発振器の例を示して
いる。また、図4(b)は実施例4の発振器の原理回路
図である。特に、共振器のコンデンサとフィードバック
コンデンサを分けて表示した。図4(a)、(b)を用
いて本実施例の発振器について説明する。図4(a)、
(b)において、6は第4の電極、7は第5の電極であ
る、また、図1と同じ構成要素について同一の番号を付
けて示した。
【0035】図4(a)に示すように、半導体基板15
上に、トランジスタ2、第1、第2、第3、第4および
第5の電極3、4、5、6、7、直流接地端子10、交
流接地端子11、共振器端子12が構成されている。こ
こで、第1および第2の電極3、4は前記半導体基板1
5の上に構成されている。また、第1および第2の電極
3、4の上にそれぞれ第3および第4の電極5、6が構
成されている。さらに、第3および第4の電極5、6の
上に第5の電極7が構成されている。ここで第1の電極
3と第3の電極5が互いに相対した位置に配置され、第
2の電極4と第4の電極6が互いに相対した位置に配置
され、第3および第4の電極と第5の電極が互いに相対
した位置に配置されている。
上に、トランジスタ2、第1、第2、第3、第4および
第5の電極3、4、5、6、7、直流接地端子10、交
流接地端子11、共振器端子12が構成されている。こ
こで、第1および第2の電極3、4は前記半導体基板1
5の上に構成されている。また、第1および第2の電極
3、4の上にそれぞれ第3および第4の電極5、6が構
成されている。さらに、第3および第4の電極5、6の
上に第5の電極7が構成されている。ここで第1の電極
3と第3の電極5が互いに相対した位置に配置され、第
2の電極4と第4の電極6が互いに相対した位置に配置
され、第3および第4の電極と第5の電極が互いに相対
した位置に配置されている。
【0036】そして、第1および第2の電極3、4は直
流接地端子10を通じて直流的に接地される。また、第
3の電極5はトランジスタ2のエミッタに接続されてい
る。また、第4の電極6は共振器端子12を通じてイン
ダクタ8に接続されている。また、第5の電極7はトラ
ンジスタ2のベースに接続されている。
流接地端子10を通じて直流的に接地される。また、第
3の電極5はトランジスタ2のエミッタに接続されてい
る。また、第4の電極6は共振器端子12を通じてイン
ダクタ8に接続されている。また、第5の電極7はトラ
ンジスタ2のベースに接続されている。
【0037】また、トランジスタ2のコレクタは交流接
地端子11を通じてコンデンサ9により交流的に接地さ
れている。抵抗14はトランジスタ2のバイアス設定の
ために挿入されている。
地端子11を通じてコンデンサ9により交流的に接地さ
れている。抵抗14はトランジスタ2のバイアス設定の
ために挿入されている。
【0038】本実施例4の発振器の特徴は、実施例1で
示したフィードバックコンデンサの半導体基板上への内
蔵化に加えて共振回路のコンデンサも内蔵した点であ
る。インダクタとコンデンサから成る共振回路のコンデ
ンサを半導体基板上の電極で構成し、直流的に接地され
る電極(第2の電極4)の上にもう1方の電極(第4の
電極6)を配置している。また、第5の電極7と第4の
電極6で直流成分カットを行っているため、共振器端子
12に接続されるインダクタに直流成分カット用のコン
デンサは不要となっている。
示したフィードバックコンデンサの半導体基板上への内
蔵化に加えて共振回路のコンデンサも内蔵した点であ
る。インダクタとコンデンサから成る共振回路のコンデ
ンサを半導体基板上の電極で構成し、直流的に接地され
る電極(第2の電極4)の上にもう1方の電極(第4の
電極6)を配置している。また、第5の電極7と第4の
電極6で直流成分カットを行っているため、共振器端子
12に接続されるインダクタに直流成分カット用のコン
デンサは不要となっている。
【0039】以上のような構成により、直流的に接地さ
れない電極と半導体基板との間に寄生容量成分が発生し
ない。すなわち、第3、第4および第7の電極5、6、
7と半導体基板との間には、第1および第2の電極があ
り、第1および第2の電極は直流的に接地されているた
めに、第3、第4および第7の電極5、6、7と半導体
基板との間に寄生容量成分が発生しない。
れない電極と半導体基板との間に寄生容量成分が発生し
ない。すなわち、第3、第4および第7の電極5、6、
7と半導体基板との間には、第1および第2の電極があ
り、第1および第2の電極は直流的に接地されているた
めに、第3、第4および第7の電極5、6、7と半導体
基板との間に寄生容量成分が発生しない。
【0040】図4(b)の原理回路に示すように、直流
的に接地される電極は※印を付けた電極である。他の電
極は※印の電極の上に配置されている。従って共振用の
コンデンサを半導体基板に内蔵しても、寄生容量や寄生
抵抗により共振回路のQ値を劣化させることがなく、良
好なノイズ特性を得ることができる。
的に接地される電極は※印を付けた電極である。他の電
極は※印の電極の上に配置されている。従って共振用の
コンデンサを半導体基板に内蔵しても、寄生容量や寄生
抵抗により共振回路のQ値を劣化させることがなく、良
好なノイズ特性を得ることができる。
【0041】尚、第1および第2の電極をそれぞれ、別
々の電極で構成したが、1つの電極にまとめても良い。
また、第2の電極4と第4の電極6で構成される共振用
コンデンサを半導体基板に内蔵したが、外付けとし、第
4の電極6と第5の電極7で構成される直流成分カット
用コンデンサを内蔵とする構成をとることもできる。
々の電極で構成したが、1つの電極にまとめても良い。
また、第2の電極4と第4の電極6で構成される共振用
コンデンサを半導体基板に内蔵したが、外付けとし、第
4の電極6と第5の電極7で構成される直流成分カット
用コンデンサを内蔵とする構成をとることもできる。
【0042】(実施例5)図5は、本発明による発振器
の実施例5の構成を示す原理回路図である。共振器のコ
ンデンサとフィードバックコンデンサを分けて表示し
た。本実施例は、ベース接地型コルピッツ発振器の例で
あるが、具体的な回路は、実施例4と同様に構成するこ
とができるため、ここでは図5に示す原理図を用いて説
明する。
の実施例5の構成を示す原理回路図である。共振器のコ
ンデンサとフィードバックコンデンサを分けて表示し
た。本実施例は、ベース接地型コルピッツ発振器の例で
あるが、具体的な回路は、実施例4と同様に構成するこ
とができるため、ここでは図5に示す原理図を用いて説
明する。
【0043】図5において、図1と同じ構成要素につい
て同一の番号を付けて示した。
て同一の番号を付けて示した。
【0044】本実施例5の発振器も実施例4と同様、フ
ィードバックコンデンサの半導体基板上への内蔵化に加
えて共振回路のコンデンサも内蔵した点を特徴としてい
る。
ィードバックコンデンサの半導体基板上への内蔵化に加
えて共振回路のコンデンサも内蔵した点を特徴としてい
る。
【0045】図5に示すように、直流的に接地される電
極は※印を付けた電極である。他の電極は※印の電極の
上に配置されている。
極は※印を付けた電極である。他の電極は※印の電極の
上に配置されている。
【0046】また、トランジスタ2のベースが接地され
ているが、これは直流的または交流的な接地のどちらで
も良い。
ているが、これは直流的または交流的な接地のどちらで
も良い。
【0047】上記のような構成により直流的に接地され
る電極以外の電極と半導体基板との間に寄生容量および
寄生抵抗が発止しないため、共振回路のQ値を劣化させ
ることがなく、発振器として良好なノイズ特性を得るこ
とができる。
る電極以外の電極と半導体基板との間に寄生容量および
寄生抵抗が発止しないため、共振回路のQ値を劣化させ
ることがなく、発振器として良好なノイズ特性を得るこ
とができる。
【0048】(実施例6)図6(a)および図6(b)
は、本発明による発振器の実施例6の構成を示す原理回
路図である。共振器のコンデンサとフィードバックコン
デンサを分けて表示した。本実施例は、エミッタ接地型
コルピッツ発振器の例であるが、具体的な回路は、実施
例4と同様に構成することができるため、ここでは図6
に示す原理図を用いて説明する。
は、本発明による発振器の実施例6の構成を示す原理回
路図である。共振器のコンデンサとフィードバックコン
デンサを分けて表示した。本実施例は、エミッタ接地型
コルピッツ発振器の例であるが、具体的な回路は、実施
例4と同様に構成することができるため、ここでは図6
に示す原理図を用いて説明する。
【0049】図6(a)および図6(b)において、図
1と同じ構成要素について同一の番号を付けて示した。
1と同じ構成要素について同一の番号を付けて示した。
【0050】本実施例6の発振器も実施例4などと同
様、フィードバックコンデンサの半導体基板上への内蔵
化に加えて共振回路のコンデンサも内蔵した点を特徴と
している。
様、フィードバックコンデンサの半導体基板上への内蔵
化に加えて共振回路のコンデンサも内蔵した点を特徴と
している。
【0051】図6(a)はインダクタ8を第4の電極6
と第5の電極7に接続した構成であり、図6(b)はイ
ンダクタ8を第3の電極5と第5の電極7に接続した構
成である。いずれの場合も、直流的に接地される電極は
※印を付けた電極である。他の電極は※印の電極の上に
配置されている。また、トランジスタ2のエミッタが接
地されているが、これは直流的または交流的な接地のど
ちらでも良い。
と第5の電極7に接続した構成であり、図6(b)はイ
ンダクタ8を第3の電極5と第5の電極7に接続した構
成である。いずれの場合も、直流的に接地される電極は
※印を付けた電極である。他の電極は※印の電極の上に
配置されている。また、トランジスタ2のエミッタが接
地されているが、これは直流的または交流的な接地のど
ちらでも良い。
【0052】上記のような構成により直流的に接地され
る電極以外の電極と半導体基板との間に寄生容量および
寄生抵抗が発止しないため、共振回路のQ値を劣化させ
ることがなく、発振器として良好なノイズ特性を得るこ
とができる。
る電極以外の電極と半導体基板との間に寄生容量および
寄生抵抗が発止しないため、共振回路のQ値を劣化させ
ることがなく、発振器として良好なノイズ特性を得るこ
とができる。
【0053】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明の
発振器によれば、次の効果が得られる。
発振器によれば、次の効果が得られる。
【0054】半導体基板上に構成されたトランジスタ
と、前記半導体基板上に形成された相対する電極から成
るコンデンサと、インダクタを備え、前記コンデンサを
構成する電極の内最も前記半導体基板に近い電極を直流
的に接地する構成としたため、直流的に接地されない電
極に寄生容量成分および寄生抵抗成分が生じず、良好な
ノイズ特性を得ることができる。
と、前記半導体基板上に形成された相対する電極から成
るコンデンサと、インダクタを備え、前記コンデンサを
構成する電極の内最も前記半導体基板に近い電極を直流
的に接地する構成としたため、直流的に接地されない電
極に寄生容量成分および寄生抵抗成分が生じず、良好な
ノイズ特性を得ることができる。
【0055】また、半導体基板上に構成されたトランジ
スタと、前記半導体基板上に形成された第1および第2
の電極と、前記第1の電極に相対し前記第1の電極の上
に形成された第3の電極と、前記第2の電極に相対し前
記第2の電極の上に形成された第4の電極と、前記第3
および第4の電極に相対し前記第3および第4の電極の
上に形成された第5の電極と、インダクタを備え、前記
第1および第2の電極を直流的に接地し、前記第3の電
極を前記トランジスタのエミッタに接続し、前記第5の
電極を前記トランジスタのベースに接続し、前記第4の
電極を前記インダクタに接続したため、共振器用コンデ
ンサを内蔵しても良好なノイズ特性を得ることができ
る。
スタと、前記半導体基板上に形成された第1および第2
の電極と、前記第1の電極に相対し前記第1の電極の上
に形成された第3の電極と、前記第2の電極に相対し前
記第2の電極の上に形成された第4の電極と、前記第3
および第4の電極に相対し前記第3および第4の電極の
上に形成された第5の電極と、インダクタを備え、前記
第1および第2の電極を直流的に接地し、前記第3の電
極を前記トランジスタのエミッタに接続し、前記第5の
電極を前記トランジスタのベースに接続し、前記第4の
電極を前記インダクタに接続したため、共振器用コンデ
ンサを内蔵しても良好なノイズ特性を得ることができ
る。
【図1】(a)本発明の実施例1における発振器の回路
図 (b)同実施例1におけるコレクタ接地型コルピッツ発
振器の原理回路図
図 (b)同実施例1におけるコレクタ接地型コルピッツ発
振器の原理回路図
【図2】本実施例2におけるベース接地型コルピッツ発
振器の原理回路図
振器の原理回路図
【図3】本実施例3におけるエミッタ接地型コルピッツ
発振器の原理回路図
発振器の原理回路図
【図4】(a)本発明の実施例4における発振器の回路
図 (b)同実施例4におけるコレクタ接地型コルピッツ発
振器の原理回路図
図 (b)同実施例4におけるコレクタ接地型コルピッツ発
振器の原理回路図
【図5】本実施例5におけるベース接地型コルピッツ発
振器の原理回路図
振器の原理回路図
【図6】(a)本実施例6におけるエミッタ接地型コル
ピッツ発振器の原理回路図 (b)同エミッタ接地型コルピッツ発振器の別の原理回
路図
ピッツ発振器の原理回路図 (b)同エミッタ接地型コルピッツ発振器の別の原理回
路図
【図7】従来の発振器の回路図
1 半導体基板上に構成された回路 2 トランジスタ 3 第1の電極 4 第2の電極 5 第3の電極 6 第4の電極 7 第5の電極 8 インダクタ 9 コンデンサ 10 直流接地端子 11 交流接地端子 12 共振器端子 15 半導体基板
フロントページの続き Fターム(参考) 5F038 AZ04 BH03 BH19 CD13 DF01 EZ20 5J081 AA03 CC20 CC30 DD03 EE02 EE03 JJ12 LL04 MM01
Claims (7)
- 【請求項1】半導体基板上に構成されたトランジスタ
と、前記半導体基板上に形成され相対する電極から成る
コンデンサと、インダクタを備え、前記コンデンサを構
成する電極の内最も前記半導体基板に近い電極を直流的
に接地する構成とした発振器。 - 【請求項2】半導体基板上に構成されたトランジスタ
と、前記半導体基板上に形成された第1の電極と、前記
第1の電極に相対し前記第1の電極の上に形成された第
2の電極と、前記第1または第2の電極に相対し前記第
1または第2の電極の上に形成された第3の電極と、イ
ンダクタを備え、前記第1の電極を直流的に接地し、前
記第2の電極を前記トランジスタのエミッタに接続し、
前記第3の電極を前記トランジスタのベースに接続した
コレクタ接地型コルピッツ発振器。 - 【請求項3】半導体基板上に構成されたトランジスタ
と、前記半導体基板上に形成された第1の電極と、前記
第1の電極に相対し前記第1の電極の上に形成された第
2の電極と、前記第1または第2の電極に相対し前記第
1または第2の電極の上に形成された第3の電極と、イ
ンダクタを備え、前記第1の電極を直流的に接地し、前
記第2の電極を前記トランジスタのエミッタに接続し、
前記第3の電極を前記トランジスタのコレクタに接続し
たベース接地型コルピッツ発振器。 - 【請求項4】半導体基板上に構成されたトランジスタ
と、前記半導体基板上に形成された第1および第2の電
極と、前記第1の電極に相対し前記第1の電極の上に形
成された第3の電極と、前記第2の電極に相対し前記第
2の電極の上に形成された第4の電極と、インダクタを
備え、前記第1および第2の電極を直流的に接地し、前
記第3の電極を前記トランジスタのベースに接続し、前
記第4の電極を前記トランジスタのコレクタに接続した
エミッタ接地型コルピッツ発振器。 - 【請求項5】半導体基板上に構成されたトランジスタ
と、前記半導体基板上に形成された第1および第2の電
極と、前記第1の電極に相対し前記第1の電極の上に形
成された第3の電極と、前記第2の電極に相対し前記第
2の電極の上に形成された第4の電極と、前記第3およ
び第4の電極に相対し前記第3および第4の電極の上に
形成された第5の電極と、インダクタを備え、前記第1
および第2の電極を直流的に接地し、前記第3の電極を
前記トランジスタのエミッタに接続し、前記第5の電極
を前記トランジスタのベースに接続し、前記第4の電極
を前記インダクタに接続したコレクタ接地型コルピッツ
発振器。 - 【請求項6】半導体基板上に構成されたトランジスタ
と、前記半導体基板上に形成された第1および第2の電
極と、前記第1の電極に相対し前記第1の電極の上に形
成された第3の電極と、前記第2の電極に相対し前記第
2の電極の上に形成された第4の電極と、前記第3およ
び第4の電極に相対し前記第3および第4の電極の上に
形成された第5の電極と、インダクタを備え、前記第1
および第2の電極を直流的に接地し、前記第3の電極を
前記トランジスタのエミッタに接続し、前記第5の電極
を前記トランジスタのコレクタに接続し、前記第4の電
極を前記インダクタに接続したベース接地型コルピッツ
発振器。 - 【請求項7】半導体基板上に構成されたトランジスタ
と、前記半導体基板上に形成された第1および第2の電
極と、前記第1の電極に相対し前記第1の電極の上に形
成された第3の電極と、前記第2の電極に相対し前記第
2の電極の上に形成された第4の電極と、前記第3およ
び第4の電極に相対し前記第3および第4の電極の上に
形成された第5の電極と、インダクタを備え、前記第1
および第2の電極を直流的に接地し、前記第3の電極を
前記トランジスタのベースに接続し、前記第4の電極を
前記トランジスタのコレクタに接続し、前記インダクタ
の両端をそれぞれ前記第4および第5の電極または、そ
れぞれ前記第3および第5の電極に接続したエミッタ接
地型コルピッツ発振器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11119455A JP2000312113A (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | 発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11119455A JP2000312113A (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | 発振器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000312113A true JP2000312113A (ja) | 2000-11-07 |
Family
ID=14761808
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11119455A Pending JP2000312113A (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | 発振器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000312113A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005184502A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波発振器 |
-
1999
- 1999-04-27 JP JP11119455A patent/JP2000312113A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005184502A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波発振器 |
JP4678127B2 (ja) * | 2003-12-19 | 2011-04-27 | 株式会社村田製作所 | 高周波発振器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6047764B2 (ja) | 集積回路化マイクロ波発振器 | |
JPS6223210A (ja) | 局部発振回路 | |
US6469586B1 (en) | Low voltage voltage-controlled oscillator topology | |
US6927643B2 (en) | Oscillator topology for very low phase noise operation | |
US6580331B2 (en) | Voltage controlled oscillator for oscillating signals with high C/N ratio | |
JP3315092B2 (ja) | 電圧制御発振器のための集積回路に関する改良 | |
JPH10284937A (ja) | 発振器共振回路内の寄生発振モードを回避する回路 | |
US20080174377A1 (en) | Third overtone crystal oscillator | |
JPH036107A (ja) | 電圧制御発振器 | |
JP2000312113A (ja) | 発振器 | |
JP4677696B2 (ja) | 平衡型発振回路およびそれを用いた電子装置 | |
JP4678127B2 (ja) | 高周波発振器 | |
JPH02279003A (ja) | トランジスタ式超高周波発振器 | |
JP4365575B2 (ja) | テレビジョンチューナの発振回路 | |
JP2903934B2 (ja) | 発振回路と、この発振回路を用いたbsチューナ | |
JPH11127030A (ja) | 発振回路ic用共振回路及び発振回路 | |
JP3990158B2 (ja) | 高周波電圧制御発振器 | |
JPH0648972Y2 (ja) | 局部発振回路 | |
JP2002185251A (ja) | プッシュプッシュ発振器 | |
JPS6134743Y2 (ja) | ||
JP2003032037A (ja) | 発振器 | |
JPH05145338A (ja) | 誘電体発振回路 | |
JP2003060434A (ja) | 発振器およびそれを用いた電子装置 | |
JPH0722244B2 (ja) | マイクロ波発振器 | |
JP2012216950A (ja) | 電圧制御発振器 |