JP2000306821A

JP2000306821A - ベーク終了検知装置

Info

Publication number: JP2000306821A
Application number: JP11726499A
Authority: JP
Inventors: Hironobu Kiyomoto; 浩伸清本; Koichi Tsujino; 孝一辻野
Original assignee: Omron Corp; Omron Tateisi Electronics Co
Current assignee: Omron Corp
Priority date: 1999-04-23
Filing date: 1999-04-23
Publication date: 2000-11-02

Abstract

(57)【要約】【目的】レジストや反射防止膜等をベークする工程に
おいて、ベークの終了時点を正確に管理できるようにす
る。【解決手段】ウエハ１３に塗布されたレジスト膜１５
に白色光を垂直投射し、レジスト膜１５で反射した光を
グレーティング２２により分光させ、分光した光をＣＣ
Ｄ等の受光素子２３で受光する。受光素子２３で受光し
た反射光の分光特性からレジスト膜１５の膜質を検知す
る。レジスト膜１５をベークしながら膜質を検知し、目
的とする膜質となると、ベークを終了する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はベーク終了検知装置
に関し、たとえばレジストプロセスにおいてレジスト膜
のベーク終了を検知するためのベーク終了検知装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】レジストプロセス（レジスト膜を用いた
加工工程）は、一般に半導体基板の前処理、レジスト塗
布、プリベーク、露光、露光後ベーク（以下、ＰＥＢと
いう）、現像及びリンス（レジスト膜のパターニン
グ）、ポストベーク、半導体基板等のエッチング加工、
レジスト膜の除去及び洗浄といった工程からなってい
る。

【０００３】上記のように、レジストプロセスにおける
レジストの熱処理工程としては、プリベーク、ＰＥＢ、
ポストベークがあり、ベーク方法としては熱風循環ベー
ク方式、ホットプレート方式などがあるが、ホットプレ
ート方式が温度制御性に優れている。ここで、プリベー
クとは、レジスト塗布後に行われるものであり、熱エネ
ルギーによりレジスト中の残留溶媒を揮発させると同時
に半導体基板との接着性を高め、さらにレジスト特性を
安定化させるために必要とされる。

【０００４】ＰＥＢは露光と現像の中間に行われるもの
であり、たとえば化学増幅系レジストでは、ＰＥＢによ
り熱エネルギーを与え、露光によりレジスト膜中に生じ
た酸を触媒として反応させる。化学増幅系レジストの現
像速度は酸触媒反応量で決まるので、ＰＥＢの条件（温
度、時間、雰囲気等）は化学増幅系レジストの特性（特
にパターン線幅精度）を著しく左右する。

【０００５】ポストベークは、レジスト中または表面に
残留した現像液やリンス液を揮発させることにより、エ
ッチングマスクパターンとしての耐性を向上させ、ウエ
ットエッチング時のサイドエッチング量を低減させ、下
地界面との接着性を強化し、さらにはイオン注入時にレ
ジストからガスが発生するのを防止するために行われ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記のようなプリベー
ク、ＰＥＢ、ポストベークの工程は、一般にベーク温度
と時間（場合によっては、雰囲気等）によって条件管理
されている。特に、所定温度でベークし、ベーク終了ま
でを時間管理することによってベークが行われている。

【０００７】しかし、このような従来のベークの条件管
理にあっては、温度と時間のばらつきにより、レジスト
の特性が一定にならないことがあり、歩留まりの低下を
引き起こすおそれがあった。特に、パターンの微細化に
伴い、最近使用されることが多くなってきた化学増幅系
レジストにおいては、ＰＥＢの条件管理が歩留まりに大
きく影響している。

【０００８】本発明は上述の技術的問題点を解決するた
めになされたものであり、その目的とするところは、レ
ジストや反射防止膜等をベークする工程において、ベー
クを正確に管理できるようにすることにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段とその作用】請求項１に記
載のベーク終了検知装置は、ベーク中の膜の膜質を監視
する手段と、前記膜質監視手段により監視されている膜
質の変化によりベークの終了を検知する手段とを備えた
ことを特徴としている。

【００１０】レジスト等の膜をベークすると、そのベー
クの進行に伴って膜の膜質が次第に変化する。請求項１
に記載したベーク終了検知装置にあっては、リアルタイ
ムでベーク中の膜の膜質を監視し、あらかじめ決められ
ている膜質となったときにベークの終了を検出すること
ができ、正確にベークの終了を決定することができる。

【００１１】請求項２に記載のベーク終了検知装置は、
請求項１に記載したベーク終了検知装置における前記膜
質を監視する手段が、ベーク中の膜の膜厚を検出するこ
とにより膜質を監視するものであることを特徴としてい
る。

【００１２】レジスト等の膜をベークすると、その膜質
の変化に伴って膜厚が変化する場合がある。従って、請
求項２に記載のベーク終了検知装置にあっては、ベーク
中の膜の膜厚を検出することにより、化学分析を行った
りすることなく、非破壊で精度よく膜質を監視すること
ができる。

【００１３】請求項３に記載のベーク終了検知装置は、
請求項１に記載したベーク終了検知装置における前記膜
質を監視する手段が、ベーク中の膜の屈折率を測定する
ことにより膜質を監視するものであることを特徴として
いる。

【００１４】レジスト等の膜をベークすると、その膜質
の変化に伴って屈折率が変化する場合がある。従って、
請求項３に記載のベーク終了検知装置にあっては、ベー
ク中の膜の屈折率を検出することにより、化学分析を行
ったりすることなく、非破壊で精度よく膜質を監視する
ことができる。

【００１５】請求項４に記載のベーク終了検知装置は、
請求項１に記載したベーク終了検知装置において、前記
膜質を監視する手段が、レジスト膜からの光を受けて各
波長毎に順次異なる方向に分光する分光手段と、この分
光手段が分光した光を各画素で受けて電気信号に変換す
る受光手段とを有し、前記ベークの終了を検知する手段
が、前記受光手段の出力の傾きが最大の画素における受
光量と予め記憶しているしきい値と比較することにより
ベークの終了を検知することを特徴としている。

【００１６】請求項４に記載のベーク終了検知装置にあ
っては、膜質を監視する手段は、レジスト膜からの光を
受けて各波長毎に順次異なる方向に分光させたものを受
光手段の各画素で受光しているから、レジスト膜からの
反射光の分光特性に基づいて膜質を監視することができ
る。また、ベークの終了を検知する手段は、受光手段の
出力の傾きが最大の画素における受光量と予め記憶して
いるしきい値と比較することによりベークの終了を検知
しているから、ベーク中において大きな光量変化を観測
でき、検知精度が良好となる。

【００１７】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）図１は本発明
の一実施形態によるベーク終了検知装置を備えたレジス
ト塗布・現像システム１を模式的に表した概略斜視図で
ある。このレジスト塗布・現像システム１は、スピンコ
ータ等のレジスト塗布装置２、ホットプレート等のプリ
ベーク用のベーク装置３、膜厚検査装置４、露光装置
５、ホットプレート等のＰＥＢ用のベーク装置６、現像
装置７、ホットプレート等のポストベーク用のベーク装
置８を連続的に配置して構成されている。

【００１８】たとえば図２（ａ）に示すように表面に被
加工層１４を形成されたウエハ１３（たとえば、Ｓｉウ
エハ）の表面を薬品で前処理を行なった後、前処理され
たウエハ１３を上記レジスト塗布・現像システム１に搬
入する。そして、図２（ｂ）に示すように、レジスト塗
布装置２によりウエハ１３の表面に化学増幅系レジスト
等のレジストを塗布し、ウエハ１３の表面に所定膜厚の
レジスト膜１５を形成する。ついで、ウエハ１３をプリ
ベーク用のベーク装置３へ移動させ、図２（ｃ）に示す
ように、ベーク装置３でレジストをプリベークしてレジ
スト膜１５に残留している溶媒を揮発・除去させる。

【００１９】このプリベーク用のベーク装置３は、本発
明のベーク終了検知装置９を備えており、ウエハ１３の
プリベーク中にベーク終了検知装置９によりレジスト膜
１５の膜質を監視し、膜質の変化からプリベークの完了
を検知し、それによってプリベークを終了する。プリベ
ークによってレジスト中に残留する溶媒が揮発・除去さ
れるので、プリベークの前後で膜質（特に、屈折率や膜
厚）が変化すると考えられる。

【００２０】プリベークが終了すると、ウエハ１３は膜
厚検査装置４へ移動させられ、そこでプリベークされた
レジスト膜１５の膜厚が計測され、膜厚が所定範囲内に
納まっているかどうか検査される。なお、この膜厚検査
装置４にも、図１のようにベーク終了検知装置１０を設
けておき、膜厚検査と同時に再度膜質の検査を行ない、
所定の膜質となるまでプリベークが行なわれていること
を確認するようにしてもよい。

【００２１】膜厚検査の終了したウエハ１３は露光装置
５へ移動させられ、図２（ｄ）に示すように、ウエハ１
３にマスク１６を重ねてレジスト膜１５に露光される。
露光が完了したウエハ１３は、ＰＥＢ用のベーク装置６
へ移動させられ、図２（ｅ）のＰＥＢが行なわれる。化
学増幅系レジストの場合には、ＰＥＢが行なわれると、
露光によりレジスト膜１５中に生じた酸を触媒として酸
触媒反応が行なわれる。

【００２２】このＰＥＢ用のベーク装置６は、本発明の
ベーク終了検知装置１１を備えており、ＰＥＢ中にベー
ク終了検知装置１１によりレジスト膜１５の膜質を監視
し、膜質の変化からＰＥＢの完了を検知し、それによっ
てＰＥＢを終了する。ＰＥＢにおいては（特に、化学増
幅系レジストでは）、ＰＥＢの前後でレジストの化学組
成が変化するため、膜質（特に、屈折率）が変化すると
考えられる。

【００２３】ついで、ウエハ１３は現像装置７へ送ら
れ、図２（ｆ）に示すように、そこで現像される。現像
されたレジスト膜１５は、たとえば露光領域１５ａが溶
解することにより開口１７があけられてパターニングさ
れる。現像処理されたウエハ１３は、リンスした後、ポ
ストベーク用のベーク装置８へ移動させ、図２（ｇ）に
示すように、ベーク装置８でレジストをポストベークし
てレジスト膜１５に残留している現像液やリンス液を揮
発・除去させる。

【００２４】このポストベーク用のベーク装置８は、本
発明のベーク終了検知装置１２を備えており、ウエハ１
３のポストベーク中にベーク終了検知装置１２によりレ
ジスト膜１５の膜質を監視し、膜質の変化からポストベ
ークの完了を検知し、それによってポストベークを終了
する。ポストベークによってレジストに残留する現像液
やリンス液が揮発・除去されるので、ポストベークの前
後で膜質（特に、屈折率や膜厚）が変化すると考えられ
る。

【００２５】こうしてポストベークが完了し、表面にレ
ジスト膜１５がパターニングされたウエハ１３はレジス
ト塗布・現像システム１から搬出され、図２（ｈ）に示
すようにレジスト膜１５の開口１７を通して被加工層１
４がエッチングされ、図２（ｉ）のようにレジスト膜１
５が除去された後洗浄される。

【００２６】図３は上記ベーク装置３、６、８（および
膜厚検査装置４）に用いられていたベーク終了検知装置
（膜質測定器）の一例を示す原理図であって、膜質を監
視するための構成を表わしている。ベーク終了検知装置
９〜１２は、ハロゲンランプ等の白色光源１８、ハーフ
ミラー１９、２ヵ所のレンズ２０、２１、グレーティン
グ２２、フォトダイオードアレイ（ＰＤアレイ）やＣＣ
Ｄ等の１次元又は２次元の受光領域を有する受光素子２
３等によって構成されている。なお、レジスト膜１５の
屈折率をｎ、膜厚をｄとするとき、その膜質とは、屈折
率ｎ、あるいは膜厚ｄ、あるいはその積ｎｄをいう。

【００２７】このベーク終了検知装置においては、ハー
フミラー１９はウエハ１３の表面に対してほぼ４５度の
角度で配置されており、白色光源１８から出射された白
色光は、ハーフミラー１９で反射された後、レンズ２０
で集光またはコリメート化されてウエハ１３表面のレジ
スト膜１５に垂直入射する。レジスト膜１５に垂直入射
した白色光はレジスト膜１５で反射されて元の方向に戻
り、レンズ２０、ハーフミラー１９及びレンズ２１を透
過してグレーティング２２に入射する。グレーティング
２２に入射した光は、グレーティング２２によって分光
されて各波長毎に異なる方向へ出射され、受光素子２３
で受光される。こうして、受光素子２３上には、レジス
ト膜１５で反射された光の分光特性（反射光スペクトラ
ム）が得られ、各波長における光強度は受光素子２３の
各画素によって検出される。よって、この分光特性を分
析することにより、レジスト膜１５の膜質もしくはその
変化を測定することができる。

【００２８】レジスト膜１５で反射した光の受光強度
（あるいは、反射率）の周波数依存性は、レジスト膜１
５の表面で反射した光と裏面で反射した光の干渉による
ものであり、またレジスト膜１５の表面及び裏面におけ
るそれぞれの反射率の周波数依存性によるものである。
特に、レジスト膜１５の表面と裏面で反射した光の干渉
により、反射率は極大と極小を繰り返した波形となる。

【００２９】レジスト膜１５で反射した光の干渉につい
て、以下に述べる。レジスト膜１５に垂直入射した白色
光の一部はレジスト膜１５で反射して戻り、残りはレジ
スト膜１５の裏面で反射して元の方向に戻る。したがっ
て、レジスト膜１５の表面で反射した光成分とレジスト
膜１５の裏面で反射した光成分とが干渉する。レジスト
膜１５の屈折率及び膜厚をそれぞれｎ、ｄとし、レジス
ト膜１５に入射した白色光のうち波長がλの光成分を考
えると、２ｎｄ＝（２Ｍ−１）λ／２を満たすときに干渉光の光強度が極大となり、２ｎｄ＝Ｎλ を満たす時に極小となる。ただし、Ｍ，Ｎ＝１，２，…
（自然数）である。

【００３０】グレーティング２２に入射した光は、各波
長毎に異なる方向へ１次回折光が回折されるので、この
１次回折光を受光するように受光素子２３を配置すれ
ば、受光素子２３の各画素によって波長の異なる光の強
度を分離して計測することができる。よって、グレーテ
ィング２２で分光された反射光においては、λ＝４ｎｄ
／（２Ｍ−１）の波長の光強度は極大となり、λ＝２ｎ
ｄ／Ｎの波長の光強度は極小となり、レジスト膜１５で
反射した光の強度は、波長を連続的に変化させると極大
値と極小値の間で波状に振動する。

【００３１】具体的にいうと、図６は受光素子で受光さ
れた光の分光特性であって、曲線αはＳｉウエハ上に膜
厚５００ｎｍのレジスト膜（屈折率ｎ＝１.７）が形成
されている場合の反射率スペクトラムを表わし、曲線β
はＳｉウエハ上に膜厚５２０ｎｍのレジスト膜（屈折率
ｎ＝１.７）が形成されている場合の反射率スペクトラ
ムを表わしており、いずれも横軸が光の波長λ、縦軸が
レジスト膜の反射率となっている。

【００３２】このように、屈折率が同じであってもレジ
スト膜１５の膜厚によって反射光の分光特性が異なるの
で、その特性カーブの違いを検出することによってレジ
スト膜１５の膜厚ｄを計測することができる。従って、
例えばレジスト膜１５（屈折率ｎ＝１.７）のベーク終
了時には、その膜厚が５００ｎｍとなることが予め実験
的に確認されているとすると、ベーク中のウエハ１３上
に形成されているレジスト膜１５に白色光を照射して反
射光の特性カーブをリアルタイムで監視し、その特性カ
ーブが図１の曲線αと一致した時にベークが終了したこ
とを検知することができる。

【００３３】また、図７も受光素子で受光された光の分
光特性であって、曲線αはＳｉウエハ上に屈折率ｎ＝
１.７のレジスト膜（膜厚５００ｎｍ）が形成されてい
る場合の反射率スペクトラムを表わし、曲線γはＳｉウ
エハ上に屈折率ｎ＝１.６のレジスト膜（膜厚５００ｎ
ｍ）が形成されている場合の反射率スペクトラムを表わ
しており、いずれも横軸が光の波長λ、縦軸がレジスト
膜の反射率となっている。

【００３４】このように、膜厚が同じであってもレジス
ト膜１５の屈折率によって反射光の分光特性が異なるの
で、その特性カーブの違いを検出することによってレジ
スト膜１５の屈折率ｎを計測することができる。従っ
て、例えばレジスト膜１５（膜厚ｄ＝５００ｎｍ）のベ
ーク終了時には、その屈折率が１.７となることが予め
実験的に確認されているとすると、ベーク中のウエハ１
３上に形成されているレジスト膜１５に白色光を照射し
て反射光の特性カーブをリアルタイムで監視し、その特
性カーブが図７の曲線αと一致した時にベークが終了し
たことを検知することができる。

【００３５】ベーク中のレジスト膜１５の膜質（屈折率
ｎ、膜厚ｄ、あるいはその積ｎｄ）の変化は、上述のよ
うに、受光素子２３で受光した光の分光特性を分析する
ことで検出できる。これを監視することにより、レジス
ト膜１５が所望の膜質になった時点でベークの終了時期
とし、ウエハ１３の処理を次工程へと進めることが可能
となる。本発明によれば、ベーク中の変化をリアルタイ
ムに監視することができるので、ベークの温度や時間管
理を厳密にする必要が少なくなり、ベークの終了も実際
の膜質状態で検出できるので、生産歩留りを向上させる
ことができる。また、非破壊的に検査することができ
る。

【００３６】図４はＣＣＤ等の受光素子２３で得られた
分光特性を示す信号に基づいてレジスト膜１５のベーク
終了時点を検知（判断）するための回路を示し、図５は
そのマイクロプロセッサ２６における処理方法を説明す
る図である。受光素子２３からは、一定タイミング毎に
各画素の受光信号をサンプルホールド回路２４へ出力し
ており、サンプルホールド回路２４では、受光信号から
出力された信号をシリアル信号としてＡ／Ｄ変換回路２
５へ送り出している。Ａ／Ｄ変換回路２５は受信した受
光信号（アナログ信号）をデジタル信号に変換した後、
マイクロプロセッサ２６に入力している。こうしてマイ
クロプロセッサ２６に入力された受光信号は、レジスト
膜１５で反射された光の分光特性を表わしている。

【００３７】受光信号（分光特性）を受け取ると、マイ
クロプロセッサ２６はこの信号（時間波形）を取り込ん
でサンプリングする（処理２７）。一方、メモリなどに
は、レジスト膜１５の各膜質（ｎｄ）における分光特性
のデータテーブルが格納されている。マイクロプロセッ
サ２６は、受光信号をサンプリングすると、各膜質のデ
ータテーブルをメモリから読み出し（処理２８）、最小
２乗法等によるカーブフィッティングなどの手法によ
り、取り込んだ受光信号の膜質（ｎｄ）を算出する（処
理２９）。また、メモリには、レジスト膜１５のベーク
が終了したと判断するときの膜質（ｎｄ）のしきい値が
予め記憶させられている（処理３０）。判別比較回路３
１は、受光信号に基づいて算出された膜質の値とメモリ
に記憶されている膜質のしきい値とを比較し、算出され
た膜質の値がしきい値よりも低下すると、ベーク終了検
知信号を出力する。

【００３８】（別な実施形態）図８は、図４に示した処
理回路に用いられているマイクロプロセッサ２６による
別な処理例を示すブロック図である。この処理方法によ
れば、以下に説明するようにしてレジスト膜１５の膜質
ｎｄを監視することにより、レジスト膜１５のベーク終
了を検知することができる。すなわち、Ａ／Ｄ変換回路
２５によりデジタル信号に変換された受光信号（分光特
性）をマイクロプロセッサ２６が受け取ると、マイクロ
プロセッサ２６はこの信号（時間波形）を取り込んでサ
ンプリングし（処理３２）、微分処理することによって
分光特性（各波長における受光量）の傾きを求める（処
理３３）。ついで、微分処理された信号から分光特性の
傾きが最大の画素（あるいは、分光特性の傾きが極大の
画素でもよい）を決定し、その画素における受光量を求
める（処理３４）。一方、メモリなどには、レジスト膜
１５の各膜質（ｎｄ）に対して分光特性の傾きが最大の
画素におけるしきい値を予め計測してデータ化したテー
ブルが格納されている。分光特性の傾きが最大の画素に
おける受光信号が決定されると、判別比較回路３６は、
メモリからしきい値（ベーク終了後の膜質に対応するし
きい値）を読み出し、受光信号に基づいて求めた分光特
性の傾きが最大の画素における受光量とメモリから読み
出したしきい値とを比較し、求めた受光量がしきい値よ
りも低下すると、ベーク終了検知信号を出力する。

【００３９】第１の実施形態のように受光特性の曲線の
すべて波長で検出データと予め求めてあるデータとの違
いを検出していると、データ量が多くなり、高速処理が
困難となる。これに対し、この実施形態のように特定波
長（特定波長は、受光素子の画素を選択することで指定
できる）でのみ検出データと予め決定されているしきい
値とを比較するようにすれば、精度よく検出でき、また
高速な処理が可能になる。

【００４０】また、特定波長の選択の仕方は、受光量が
最大（あるいは極大）の波長なども可能である。しか
し、受光量が最大（極大）の波長を用いるよりも、前述
したように分光特性すなわち受光量の傾きが最大（極
大）の波長を用いるほうが、ベーク中において大きな光
量変化が観測され、精度が良好となる。例えば、膜厚５
００ｎｍの場合、図７から分かるように、５５０ｎｍの
波長（受光量が極大の波長）では屈折率変化による光量
変化はほとんどないが、６００ｎｍの波長（傾きが極大
の波長）では大きな光量変化が見られる。従って、６０
０ｎｍの波長の光だけを監視することにより、レジスト
膜１５の膜質の変化を精度よく監視し、レジスト終了を
検知することができる。

【００４１】特に、化学増幅系のレジストにおいてはＰ
ＥＢでの条件管理が重要であるが、ベーク終了検知装置
で露光前にあらかじめ測定した膜質情報に基づいて、Ｐ
ＥＢ中にモニタすべき波長を決定すれば、精度よく、か
つ高速にベーク終点の検出が可能となる。

【００４２】なお、本発明はレジストのベーク終了のみ
ならず、最近使用されることが多くなったスピンコート
型の反射防止膜をベークする場合にも適用することが可
能である。

【００４３】

【発明の効果】請求項１に記載したベーク終了検知装置
によれば、ベークの進行に伴って次第に変化するベーク
中の膜の膜質をリアルタイムで監視することができるの
で、監視している膜質がベークの終了した膜の膜質にな
った時、ベークが終了したと判定することができ、正確
にベークの終了を決定することができる。従って、レジ
ストパターン等の歩留りを向上させることができる。

【００４４】請求項２に記載のベーク終了検知装置によ
れば、レジスト等の膜をベークした時に膜質の変化に伴
って膜厚が変化する場合には、ベーク中の膜の膜厚を監
視することにより、化学分析を行ったりすることなく、
非破壊で精度よくベークの終了を判定することができ
る。

【００４５】請求項３に記載のベーク終了検知装置によ
れば、レジスト等の膜をベークした時に膜質の変化に伴
って屈折率が変化する場合には、ベーク中の膜の屈折率
を監視することにより、化学分析を行ったりすることな
く、非破壊で精度よくベークの終了を判定することがで
きる。

【００４６】請求項４に記載のベーク終了検知装置によ
れば、膜質を監視する手段は、レジスト膜からの光を受
けて分光手段により各波長毎に順次異なる方向に分光さ
せたものを受光手段の各画素で受光しているから、レジ
スト膜からの反射光の分光特性に基づいて膜質を監視す
ることができる。また、ベークの終了を検知する手段
は、受光手段の出力の傾きが最大の画素における受光量
と予め記憶しているしきい値と比較することによりベー
クの終了を検知しているから、ベーク中において大きな
光量変化を観測でき、検知精度が良好となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかるベーク終了検知装置を備えたレ
ジスト塗布・現像システムを模式的に示す斜視図であ
る。

【図２】レジストプロセスを説明する工程説明図であ
る。

【図３】本発明の一実施形態によるベーク終了検知装置
における膜質監視のための構成を示す図である。

【図４】図３の受光素子から出力される信号を処理する
ための回路（ベークの終了を判定するための回路）を示
すブロック図である。

【図５】図４のマイクロプロセッサによる処理例を表わ
したブロック図である。

【図６】膜厚の異なるレジスト膜で反射した光の反射ス
ペクトラムを示す図である。

【図７】屈折率の異なるレジスト膜で反射した光の反射
スペクトラムを示す図である。

【図８】本発明の別な実施形態によるベーク終了検知装
置のベーク終了判定のための処理例（マイクロプロセッ
サの処理）を示すブロック図である。

【符号の説明】

３プリベーク用のベーク装置６露光後ベーク（ＰＥＢ）用のベーク装置８ポストベーク用のベーク装置９、１０、１１、１２ベーク終了検知装置１３ウエハ１５レジスト膜１８白色光源１９ハーフミラー２２グレーティング２３受光素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H096 AA00 AA25 BA20 DA01 FA01 GB10 HA01 LA17 5F046 KA10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ベーク中の膜の膜質を監視する手段と、
前記膜質監視手段により監視されている膜質の変化によ
りベークの終了を検知する手段とを備えたベーク終了検
知装置。
【請求項２】前記膜質を監視する手段は、ベーク中の
膜の膜厚を検出することにより膜質を監視するものであ
ることを特徴とする、請求項１に記載のベーク終了検知
装置。
【請求項３】前記膜質を監視する手段は、ベーク中の
膜の屈折率を測定することにより膜質を監視するもので
あることを特徴とする、請求項１に記載のベーク終了検
知装置。
【請求項４】前記膜質を監視する手段は、レジスト膜
からの光を受けて各波長毎に順次異なる方向に分光する
分光手段と、この分光手段が分光した光を各画素で受け
て電気信号に変換する受光手段とを有し、前記ベークの終了を検知する手段は、前記受光手段の出
力の傾きが最大の画素における受光量と予め記憶してい
るしきい値と比較することによりベークの終了を検知す
ることを特徴とする、請求項１に記載のベーク終了検知
装置。