JP2000305096A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
止する。 【解決手段】 ブラックマトリックスと、このブラック
マトリックスの開口部の対向する各辺のそれぞれに沿っ
て形成されている各電極と、を備え、前記各電極は、前
記ブラックマトリックスの該電極の幅方向における位置
ずれにもかかわらず、該ブラックマトリックスの開口部
内の光透過領域がほぼ不変となるパターンとして形成さ
れている。
Description
り、例えば横電界方式の液晶表示装置に関する。
して互いに対向配置される各透明基板のうちの一方の透
明基板の液晶側の画素領域に、互いに離間させて配置さ
せた一対の電極を形成し、これら電極の間に発生する電
界によって、これら電極の間を透過する光に対する液晶
の光透過率を制御させるようになっている。すなわち、
信号線に囲まれた領域に画素電極と対向電極とが形成さ
れ、これら各電極の間の領域に透明基板と平行に電界を
発生せしめるようになっている。ここで、前記各電極の
うち対向電極は、画素領域の両脇に、換言すれば信号線
(ドレイン線)と隣接するようにして配置され、一方の
対向電極に隣接して画素電極、この画素電極に隣接して
対向電極、この対向電極に対向して画素電極、この画素
電極に隣接して他方の対向電極というようにして配置さ
れている。ドレイン線からの映像信号による電界が画素
電極にではなく隣接する対向電極に終端できるようにし
て、ノイズの侵入を防止せんとするためである。
には、ブラックマトリックスが形成され、このブラック
マトリックスは、前記ドレイン線とともにこのドレイン
線に隣接する対向電極との間の領域をも遮光するように
して形成されている。ドレイン線とこのドレイン線に隣
接する対向電極との間は、上述したように電界が発生
し、これによる液晶の光透過率の変化を目視できないよ
うにするためである。このことから、ドレイン線に隣接
する各対向電極は、ブラックマトリックスの開口からそ
の一対の対向辺側において、その一部が露出されるよう
にして配置されていることが認識できる。
対向配置させる各透明基板に僅かな位置ずれ(特に、ド
レイン信号線に対して交差する方向への位置ずれ)が生
じている場合に、ブラックマトリックスと各対向電極と
の位置関係は、上述した通りにいかない場合が生じる。
この場合、前記各対向電極のうち一方の対向電極が、ブ
ラックマトリックスから必要以上に露出する方向に現出
してしまうとともに、他方の対向電極がブラックマトリ
ックスから完全に遮蔽される方向に退却してしまうこと
になる。すなわち、各透明基板の位置ずれに応じて、ブ
ラックマトリックスの開口を透過する光の領域が狭くな
り、実質的に開口率の低下を招来する不都合が生じてし
まう。本発明は、このような事情に基づいてなされたも
のであり、その目的は、基板の位置ずれにも拘らず、開
口率の低下を防止できる液晶表示装置を提供することに
ある。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。すなわち、ブラックマトリックス
と、このブラックマトリックスの開口部の対向する各辺
のそれぞれに沿って形成されている各電極と、を備え、
前記各電極は、前記ブラックマトリックスの該電極の幅
方向における位置ずれにもかかわらず、該ブラックマト
リックスの開口部内の光透過領域がほぼ不変となるパタ
ーンとして形成されていることを特徴とするものであ
る。
の実施例を図面を用いて説明する。 〔実施例1〕図1は、いわゆる横電界方式と称される液
晶表示装置の各画素のうちの一つの画素を示す平面図で
ある。各画素はマトリックス状に配置されて表示部を構
成している。このため、図1に示す画素の構成はその左
右及び上下に隣接する画素の構成と同様となっている。
まず、液晶を介して対向配置される透明基板のうち、一
方の透明基板1の液晶側の面において図中x方向に延在
する走査信号線(ゲート線)2が例えばクロム層によっ
て形成されている。このゲート線2は、図中に示すよう
に、例えば画素領域の下側に形成され、実質的に画素と
して機能する領域をできるだけ大きくとるようになって
いる。このゲート線2は表示部外からゲート信号が供給
されるようになっており、後述の薄膜トランジスタTF
Tを駆動させるようになっている。また、画素領域のほ
ぼ中央には図中x方向に延在する対向電圧信号線4が例
えばゲート線2と同じ材料によって形成されている。対
向電圧信号線4には複数の対向電極4Aが一体的に形成
され、これら対向電極4Aは画素領域内において図中y
方向に延在され図中x方向に例えば3本並設されるよう
になっている。この場合、対向電圧信号線4は各対向電
極4Aの中央に位置づけられるようになっている。これ
ら対向電極4Aは、後述する画素電極5に供給される映
像信号に対して基準となる信号が該対向電圧信号線4を
介して供給されるようになっており、該画素電極5との
間に前記映像信号に対応した強度の電界を発生せしめる
ようになっている。この電界は透明基板1面に対して平
行な成分をもち、この成分からなる電界によって液晶の
光透過率を制御するようになっている。この実施例で説
明する液晶表示装置がいわゆる横電界方式と称される所
以となっている。
基準信号が供給されるようになっている。そして、この
ようにゲート線2及び対向電圧信号線4が形成された透
明基板1面には、該ゲート線2及び対向電圧信号線4を
も含んで例えばシリコン窒化膜からなる絶縁膜(図示せ
ず)が形成されている。この絶縁膜は、後述の薄膜トラ
ンジスタTFTの形成領域においてはそのゲート絶縁膜
としての機能、後述の映像信号線(ドレイン線)3の形
成領域においてはゲート線2及び対向電圧信号線4に対
する層間絶縁膜としての機能、後述の容量素子Cadd
の形成領域においてはその誘電体膜としての機能を有す
るようになっている。このような絶縁膜において、ゲー
ト線2と重畳して薄膜トランジスタTFTが形成され、
その部分には例えばアモルファスSiからなる半導体層
6が形成されている。そして、半導体層6の上面にドレ
イン電極3A及びソース電極5Aが形成されることによ
って、前記ゲート線2の一部をゲート電極とするいわゆ
る逆スタガ構造の薄膜トランジスタが構成される。ここ
で、半導体層6上のドレイン電極3A及びソース電極5
Aは、例えばドレイン線3の形成時に画素電極5ととも
に同時に形成されるようになっている。すなわち、図中
y方向に延在して例えばクロム層からなるドレイン線3
が形成され、このドレイン線3に一体的に形成されるド
レイン電極3Aが半導体層6上に形成されている。ここ
で、ドレイン線3は、図中に示すように、例えば画素領
域の左側に形成され、実質的に画素として機能する領域
をできるだけ大きくとるようになっている。また、ソー
ス電極5Aは、ドレイン線3と同時に形成され、この
際、画素電極5と一体的に形成されるようになってい
る。この画素電極5は、前述した対向電極4Aの間を走
行するようにして図中y方向に延在し図中x方向に例え
ば2本形成されている。換言すれば、画素電極5の両脇
にほぼ等間隔に対向電極4Aが配置されるようになって
おり、この画素電極5と対向電極4Aとの間に電界を発
生せしめるようになっている。ここで、図中からも明ら
かとなるように、画素電極5は、その長手方向に沿っ
て’く’字状のパターンが繰り返される屈曲された電極
として形成され、これにともない、該画素電極5と対向
する各対向電極4Aも画素電極5に対して平行に離間さ
れるように’く’字状のパターンが繰り返される屈曲さ
れた電極(中央の電極)として、あるいはその幅が変化
する電極(ドレイン線3に隣接する電極)として形成さ
れている。これにより、画素電極5と対向電極4Aとの
間に発生する電界Eの方向が、図中x方向に対して、
(−)θとなる領域と、(+)θとなる領域とが存在す
ることになる。このように、一画素の領域内(必ずしも
一画素の領域内に限らず、他の画素との関係であっても
よい)において、電界Eの方向を異ならしめているの
は、一定の初期配向方向に対して液晶分子をそれぞれ逆
方向へ回転させて光透過率を変化させることにある。こ
のようにすることによって、液晶表示パネルの主視角方
向に対して視点を斜めに傾けると輝度の逆転現象を引き
起こすという液晶表示パネルの視角依存性による不都合
を解消した構成となっている。このような構成はいわゆ
るマルチドメイン方式と称されている。
配向方向はドレイン線3の延在方向(y方向)に対して
角度θ3(例えば15°程度)を有するようになってい
る。すなわち、後述する配向膜におけるラビング方向は
この初期配向方向に一致づけられるように形成されてい
る。すなわち、液晶分子の初期配向方向は、特に、ドレ
イン線3(あるいはゲート線2)の延在方向と一致づけ
られるのを回避して設定されている。この理由は、後述
の配向膜を形成する際に、そのラビング方向がドレイン
線3と同方向となっている場合、該ラビング処理におい
て行われるローラの走行によって、各ゲート線2のそれ
ぞれに該ローラからの静電気が一度に侵入してしまう恐
れがあり、該ゲート線2の上に形成されている薄膜トラ
ンジスタTFTが静電破壊するのを未然に防止せんとす
るためである。つまり、本実施例のように、ラビング処
理におけるローラの走行がゲート線2に対して角度を有
してなされる限り、特定のゲート線2上におけるローラ
の走行は一端側から他端にかけて除々になされることか
ら、たとえ該ローラからの静電気が侵入しても薄膜トラ
ンジスタTFTの静電破壊には到らないようにできると
いう効果を奏する。また、他の理由として、図4に示す
ように、配向膜のラビング処理をする際に、画素の集合
体である表示領域に開口がなされたマスク50が配置さ
れ、このマスク50を介して液晶の初期配向方向(図中
矢印A)に沿ったラビング処理がなされるが、このマス
ク50自体が極めて薄い(0.1mm〜0.3mm程度)材料で形
成されているにも拘らず、該ローラ60の走行(1000〜
1500回転/分)によってこのマスク50の剥がれを生じ
難くするためである。つまり、ドレイン線3に沿ってラ
ビング処理をする場合、ローラはマスクの開口の一辺か
らその対向辺にかけて走行させなければならず、該対向
辺が剥がれ易くなるのに対して、該ドレイン線3に対し
て角度を有してラビング処理をする場合、ローラ60は
マスク50の開口の一角からその対向角にかけて走行
し、該開口を構成する各辺を押さえつけながら走行させ
ることができるようになるからである。
の電界方向は、表示特性から適正な値に設定するように
なっている。このため、液晶の初期配向方向が上述のよ
うにドレイン線3に対して角度θ3を有するように設定
された場合、上述の電界方向θ、及び(−)θは、それ
に応じて適正な値に設定されるようになっている。そし
て、前記画素電極5において、その対向電圧信号線4に
重畳する部分はその面積を大ならしめるように形成さ
れ、該対向電圧信号線4との間に容量素子Caddが形
成されている。この場合の誘電体膜は前述した絶縁膜と
なっている。この容量素子Caddは例えば画素電極5
に供給される映像信号を比較的長く蓄積させるために形
成されるようになっている。すなわち、ゲート線2から
走査信号が供給されることによって薄膜トランジスタT
FTがオンし、ドレイン線3からの映像信号がこの薄膜
トランジスタTFTを介して画素電極5に供給される。
その後、薄膜トランジスタTFTがオフした場合でも、
画素電極5に供給された映像信号は該容量素子Cadd
によって蓄積されるようになっている。そして、このよ
うに形成された透明基板1の表面の全域には、例えばシ
リコン窒化膜からなる保護膜(図示せず)が形成され、
例えば薄膜トランジスタTFTの液晶への直接の接触を
回避できるようになっている。さらに、この保護膜の上
面には、液晶の初期配向方向を決定づける配向膜(図示
せず)が形成されている。この配向膜は、例えば合成樹
脂膜を被服し、その表面に前述したようにドレイン線3
の延在方向に対して角度θ3を有した方向にラビング処
理がなされることによって形成されている。このように
して表面加工がなされた透明基板はいわゆるTFT基板
1Aと称され、その配向膜が形成された面に液晶を介在
させていわゆるフィルタ基板と称される透明基板を対向
配置させることによって液晶表示パネルが完成されるこ
とになる。フィルタ基板には、その液晶側の面に画素領
域の輪郭を画するブラックマトリックス、このブラック
マトリックスの開口部(画素領域の周辺を除く中央部に
相当する)に形成されたカラーフィルタ、及び液晶と接
触するようして形成された配向膜等が形成されている。
ここで、フィルタ基板側の配向膜は、TFT基板1A側
のそれと同様、例えば合成樹脂膜を被服し、その表面に
前述したようにドレイン線3の延在方向に沿ったラビン
グ処理がなされることによって形成されている。いわゆ
る横電界方式の液晶表示装置においては、液晶を介して
配置されるそれぞれの配向膜における配向方向はいずれ
もほぼ同方向で、その方向は、本実施例の場合、ドレイ
ン線3の延在方向に対して角度θ3を有するようになっ
ている。以上説明したように、この実施例による液晶表
示装置によれば、薄膜トランジスタTFTの静電破壊を
回避でき、また、配向膜のラビング処理の際においてそ
のマスクの剥がれを防止できるようになる。
示装置の他の実施例を示す平面図で、図1と対応した図
面となっている。図1と異なる構成は、画素電極5及び
対向電極4Aのパターンが異なるだけで、他は液晶の初
期配向方向の角度θ3を含めて同じ構成となっている。
すなわち、画素電極5と対向電極4Aとの間に発生する
電界の方向は二種類存在し、その一方はゲート線2に対
してθ1の角度を有し、他方はθ2(≠θ1)の角度を有
するようになっている。そして、液晶の適正な表示特性
を得るため、これら電界方向θ1、θ2(≠θ1)と液晶
の初期配向方向の角度θ3の関係は次式(1)が満足さ
れるように設定されている。
れぞれ、20°、10°、85°に設定することができ
る。この場合においても、液晶の初期配向方向は、実施
例1と同様にドレイン線3の延在方向に一致することな
く設定されていることから、薄膜トランジスタTFTの
静電破壊を回避でき、また、配向膜のラビング処理に支
障をきたすことを防止することができるようになる。な
お、上述した式(1)は、ドレイン線3と直交する方向
(ゲート線2の延在方向)に対する液晶の初期配向方向
θ3、電界の方向θ1、θ2の関係を示したものである。
しかし、液晶の初期配向方向をドレイン線3の延在方向
に対してθ3'(≠0)を定め、この液晶の初期配向方向
に対して電界の方向θ1'、θ2'をそれぞれ定めるように
設定してもよいことはいうまでもない。この場合の関係
式は、次式(2)のように表せる。
実施例を示す平面図で、図2に対応した図面となってい
る。同図は、画素電極5と対向電極4Aとの間に発生す
る二種の電界方向θ1、θ2(≠θ1)と液晶の初期配向
方向の角度θ3の関係が上記式(1)を満足するように
設定されていることは同様であるが、特に、θ2=0°
となっていることに相違を有する。従って、θ1=30
°とした場合、θ3=75°となり、θ1=10°とした
場合、θ3=85°となる。そして、θ2=0°とするこ
とによって、画素電極5と対向電極4Aは、そのいずれ
においても他方の電極と対向する辺がドレイン線3の延
在方向と平行に形成されることになる。このことは、画
素電極5あるいは対向電極4Aのフォトリソグラフ技術
による選択エッチングによる形成においてパターン残り
が生じ難くなり、製品の歩留まりを向上させる効果を奏
するようになる。
は、液晶の初期配向方向をドレイン線3に対して約15
°の角度に設定した場合を説明したものである。しか
し、ゲート線2に対して約15°の角度に設定するよう
にした場合にも適用できることはいうまでもない。この
場合、液晶の初期配向方向に応じて二種の電界方向の角
度(図2においてθ1、θ2に相当する)を適切な値に設
定できるように画素電極5及び対向電極4Aのパターン
が変更されることはいうまでもない。
示装置の他の実施例を示す平面図で、図1と対応した図
面となっている。図5において、図1と異なる構成は、
ドレイン線3に隣接して配置される対向電極4Aに対し
てフィルタ基板側のブラックマトリックスBMの配置関
係を明確にしているところにある。すなわち、ドレイン
線3に隣接して配置される対向電極4Aは、画素領域に
おいてその図中左右側にそれぞれ位置づけられている。
このような位置に対向電極4Aを配置することによっ
て、ドイレン線3からの映像信号による電界が画素電極
5ではなく前記対向電極4Aに終端し易くしノイズの発
生を抑制させるためである。そして、これら一対の対向
電極4A(画素領域の中央側に配置される対向電極は対
象となっていない)のそれぞれは、他方の対向電極4A
側の辺と互いに噛み合う関係の凹凸パターンで形成され
ている。この凹凸パターンは、例えば同図に示すよう
に、その山と谷との部分で屈曲点を有する直線の組み合
わせからなり、いわゆるジグザグ状となっている。この
実施例の場合、単位画素に画素電極5と対向電極4Aの
間の電界の方向が二種類存在するいわゆるマルチドメイ
ン方式を採用している関係から、前記対向電極4Aの凹
凸パターンは、それ以外の対向電極4A及び画素電極5
のジグザグパターンに合わせ、すなわち、該各電極の幅
がそれぞれ等しくなるように形成されている。
接する対向電極4Aのそれぞれにおいて、該ドレイン線
3側の辺は上述したような凹凸パターンは形成されてお
らず、該ドレイン線3と平行に形成されている。ドレイ
ン線3とこのドレイン線3に隣接する対向電極4Aの間
の領域は極力狭くし、これらの間に発生する電界によっ
て生じる光漏れを後述のブラックマトリックスBMで遮
光し易くするためである。そして、フィルタ基板側に形
成されているブラックマトリックスBMは、ドレイン線
3と平行な関係にある開口辺(境界)が、ドレイン線3
に隣接する各対向電極4Aの凹凸パターンの山と谷の間
に位置づけられるようになっている。換言すれば、ブラ
ックマトリックスBMは、ドレイン線3に隣接する対向
電極4Aに形成された凹凸のうち凸の部分を露出させ、
凹の部分を遮蔽するようにして形成されている。このよ
うな該各対向電極4AとブラックマトリックスBMとの
位置関係は、理想的には、それぞれの対向電極BMの凹
凸パターンの中心軸上に該ブラックマトリックスBMの
開口部の辺が位置づけられていることが望ましい。
FT基板1Aとフィルタ基板との位置合わせをする際に
おいて、図6に示すように、特にドレイン線3と直角な
方向(ゲート線3の延在方向)に微小な位置ずれを生じ
させた場合でも、開口率の大幅な変動を生じさせるのを
回避できる効果を奏するようになる。換言すれば、ブラ
ックマトリックスBMの開口部内の光透過領域をほぼ不
変に維持させることができるようになる。さらに、換言
すれば、ブラックマトリックスBMの開口部を透過する
光の最大量をほぼ不変に維持させることができるように
なる。この理由は、TFT基板1Aに対してフィルタ基
板に位置ずれが生じた場合、図6に示すように、一方の
対向電極4A側において凸の部分がブラックマトリック
スの開口部からより多く露出するようになっても(この
部分だけを見ると開口率の減少)、同時に、他方の対向
電極4A側において凸の部分がブラックマトリックスの
開口部からより多く遮蔽されてしまう(この部分だけを
見ると開口率の増大)という関係が生じるからである。
電極4Aのパターンを図中に示したものに限定されるこ
とはなく、各対向電極4Aにおいて、それぞれ、ブラッ
クマトリックスから露出する部分と遮蔽される部分とを
備えていることを満足する限り、種々のパターンを採用
することができる。例えば、凹凸パターンが正弦波ある
いはパルス波に類似するような形状であってもよい。
示装置の他の実施例を示す平面図で、図5と対応した図
面となっている。図5と比較して異なる構成は、ブラッ
クマトリックスBMにおいても、ドレイン線3に隣接す
る対向電極4Aに沿った開口辺に凹凸パターンが形成さ
れていることにある。この場合、ブラックマトリックス
BMの凹凸パターンは、それが形成された一対の辺が互
い噛み合うようにして形成され、対向電極4Aの場合と
同様に、屈曲点を有する線分の組み合わせからなるジグ
ザク状となっている。そして、ブラックマトリックスB
Mは、その凹部において対向電極4Aの凸部が露出さ
れ、凸部において対向電極4Aの凹部が遮蔽されるよう
にして配置されている。このように構成した場合にも、
TFT基板1Aに対してフィルタ基板に位置ずれが生じ
た場合、一方の対向電極4A側において凸の部分がブラ
ックマトリックスの開口部からより多く露出するように
なっても、同時に、他方の対向電極4A側において凸の
部分がブラックマトリックスの開口部からより多く遮蔽
されてしまうようになり、実質的な開口率の変化を大幅
に減少させることができるようになる。
示装置の他の実施例を示す平面図である。上述の実施例
4及び実施例5は、そのいずれにおいても、マルチドメ
ンイン方式を適用させているものであるが、この実施例
においては該方式を適用させていない液晶表示装置を示
している。すなわち、画素電極5及び対向電極4Aは、
そのいずれにおいても、一方向(図ではy方向)に沿っ
て延在され、各電極の間に生じる電界の方向は単一の方
向(図ではx方向)に設定されている。このため、ドレ
イン線3に隣接する対向電極4Aは、そのいずれも、他
の電極と同様にy方向に延在され、その延在方向の辺は
直線状となっている。一方、フィルタ基板側のブラック
マトリックスBMは、ドレイン線3に隣接する対向電極
4Aに沿う各開口辺において、それらが互いに噛み合う
関係で凹凸パターンが形成されている。そして、この凹
凸パターンは屈曲点を有する線分の組み合わせからなる
ジグザク状となっている。このようにした場合にも、T
FT基板1Aに対してフィルタ基板に位置ずれが生じた
場合、一方の対向電極4AがブラックマトリックスBM
の凹部からより多く露出するようになっても、同時に、
他方の対向電極4AがブラックマトリックスBMの凸部
によってより多く遮蔽されてしまうようになる。
示装置の他の実施例を示す平面図で、図8と対応した図
面となっている。図8と比較して異なる構成は、フィル
タ基板側のブラックマトリックスBMは、ドレイン線3
に隣接する対向電極4Aに沿う各開口辺において、それ
らが噛み合うことのない関係で凹凸パターンが形成され
ていることにある。すなわち、一方の開口辺に形成され
ている凹部は他方の開口辺の対向する個所に形成された
凹部と対向し、また、他方の開口辺に形成されている凹
部は一方の開口辺の対向する個所に形成された凹部と対
向した関係にある。このようにした場合でも、TFT基
板1Aに対してフィルタ基板に位置ずれが生じた場合、
一方の対向電極4AがブラックマトリックスBMの凹部
からより多く露出するようになっても、同時に、他方の
対向電極4AがブラックマトリックスBMの凸部によっ
てより多く遮蔽されてしまうようになる。
れにおいても、電極が形成されている透明基板と反対側
の透明基板側にブラックマトリックスが形成されている
ものについて説明したものである。しかし、ブラックマ
トリックスが、電極の形成されている透明基板側に、そ
の一部あるいは全部が形成されている場合においても、
該電極あるいはブラックマトリックスを上述したような
パターンとして構成することによって効果を奏すること
はいうまでもない。このようにした場合、電極とブラッ
クマトリックスのマスクの位置ずれによる弊害を解消す
ることができるからである。
表示装置の他の実施例を示す平面図で、図1に示す点線
丸Aの部分を拡大した図面となっている。すなわち、延
在方向の途中で屈曲部を有して形成された画素電極5
と、この画素電極5を平行シフトした位置に形成された
対向電極4Aとを示している。このように、図中に示し
た線(仮想線α)を境にして各電極の延在方向を異なら
しめているのは、上述したように、画素電極5と対向電
極4Aとの間に発生する電界の方向を異ならしめ、液晶
表示パネルの主視角方向に対して視点を斜めに傾けると
輝度の逆転現象を引き起こすという液晶表示パネルの視
角依存性による不都合を解消した、いわゆるマルチドメ
イン方式を採用しているからである。そして、この実施
例では、画素電極5の屈曲部における対向電極4Aの側
の辺が180°以上の開き角度θ5を有しているが、こ
の部分にて、前記対向電極4Aの屈曲部における画素電
極5の側の辺の屈曲点Oを中心とした円弧状となってい
る。このようにすることによって、画素電極5と対向電
極4Aの間であって、光が透過し得る電界発生領域EA
はその長手方向に沿って全て幅(電極間の最短距離l:
電界の方向に相当する)が等しくなる。換言すれば、画
素電極5の屈曲部において円弧状のパターンとすること
によって、その部分における電界発生領域の電界強度
は、他の部分における電界発生領域の電界強度とほぼ等
しくすることができる。従来では、図中の点線に示した
パターンで画素電極5が形成されていため、該屈曲部に
おける電極間の最短距離が他の部分のそれよりも大きく
なり、図中の散点領域で示す電界発生領域EA’の電界
強度は、それ以外の部分の電界発生領域EAの電界強度
よりも弱くなっていた。このため、用いる液晶がいわゆ
るノーマリホワイト(電界が印加されない状態で白表
示)の場合、黒表示しようとしても、該部分が明るくな
りコントラストが低下するという現象が生じていた。ま
た、液晶がいわゆるノーマリブラック(電界が印加され
ない状態で黒表示)の場合、白表示しようとしても、こ
の部分が暗くなり、光透過率が低下してしまうという現
象が生じていた。上述した実施例では、画素電極5の屈
曲部に円弧状のパターンを形成したものであるが、画素
電極5と対向電極4Aとの位置が入れ替わり、対向電極
4Aが図中左側に、画素電極5が図中右側に位置づけら
れている場合には、対向電極の屈曲部に円弧状のパター
ンを形成するようにすればよいことはいうまでもない。
表示装置の他の実施例を示す平面図で、図10と対応し
た図面となっている。同図は、画素電極5の屈曲部にお
いて、対向電極4Aの側の辺を該対向電極4A側へ張り
出させたパターンとすることによって、換言すれば、対
向電極4Aの屈曲点Oを頂点とする三角形の底辺に相当
する直線パターンとすることによって、この部分の電極
間の幅を小さくするようにしたものである。この場合、
実施例9のように、屈曲部における画素電極5と対向電
極4Aの離間距離は、それ以外の部分の画素電極5と対
向電極4Aの離間距離と厳密には一致しなくなり、この
屈曲部における画素電極5と対向電極4Aの間の電界の
強度が強まることになる。このように、屈曲部の電界を
それ以外の部分のそれよりも特に強くするのは、この部
分にて電界の方向が異なり、他の部分より液晶が回転し
難い状態にあることから、それを解済し、コントラスト
の低下、あるいは光透過率の低下を抑制するようにして
いる。
晶表示装置の他の実施例を示す平面図で、図10と対応
した図面となっている。同図は、図10と比較して、対
向電極4Aの屈曲部における画素電極5側の辺の角部も
円弧状となっていることにある。すなわち、各電極の屈
曲部において、それぞれの電極の他の電極と対向する辺
が滑らかな円弧形を描くように形成されている。換言す
れば、画素電極5と対向電極4Aの間の電界発生領域E
Aは、その途中で湾曲するようにして延在方向を異なら
しめ、その幅lは該延在方向に沿って均一に形成される
ようになっている。このようにした場合、図10と同様
に、画素電極5と対向電極4Aに発生する電界の強度は
その全てにおいて均一にすることができるようになる。
そして、それぞれの電極のうち他の電極と対向する辺に
角部がないことから、この角部における電界集中の発生
を回避することができるようになる。
は、それぞれ、一対の電極の屈曲部における電界強度を
該屈曲部以外の部分の電界強度とほぼ等しくすることに
ついて説明したものである。しかし、このことを目的と
することなく、一対の電極の屈曲部に形成される180
°以下の角部を円弧状のパターンに形成するようにして
もよいことはもちろんである。このようにすることによ
って、電界の集中を回避できるという効果を奏するから
である。
本発明による液晶表示装置によれば、基板の位置ずれに
も拘らず、開口率の低下を防止できるようになる。
示す平面図である。
を示す平面図である。
を示す平面図である。
である。
を示す平面図である。
を示す平面図である。
を示す平面図である。
を示す平面図である。
を示す平面図である。
を示す平面図である。
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
ドレイン線、4…対向電圧信号線、4A…対向電極、5
…画素電極、6…半導体層、TFT…薄膜トランジス
タ、Cadd…容量素子、BM…ブラックマトリック
ス。
Claims (19)
- 【請求項1】 ブラックマトリックスと、このブラック
マトリックスの開口部の対向する各辺のそれぞれに沿っ
て形成されている各電極と、を備え、 前記各電極は、前記ブラックマトリックスの該電極の幅
方向における位置ずれにもかかわらず、 該ブラックマトリックスの開口部内の光透過領域がほぼ
同じとなるパターンとして形成されていることを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項2】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板側にブラックマトリックスが形成され、他
方の基板側に電極が形成されているとともに、 前記ブラックマトリックス及び電極のうち少なくとも一
方の辺に凹部及び凸部の繰り返されるパターンが形成さ
れ、 前記ブラックマトリックス及び電極のうち一方の辺から
他方の辺の前記凸部が露出され、前記一方の辺によって
他方の辺の前記凹部が遮蔽されていることを特徴とする
液晶表示装置。 - 【請求項3】 一方の基板側に形成されたブラックマト
リックスと、このブラックマトリックスの開口部の対向
する各辺のそれぞれに沿って他方の基板側に形成された
各電極と、を備え、 前記各電極及びブラックマトリックスのうち少なくとも
いずれか一方は、前記ブラックマトリックスの該電極の
幅方向における微小移動にかかわらず、該ブラックマト
リックスの開口部を透過する光の最大量がほぼ不変とな
るパターンとして形成されていることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項4】 一方の基板側に形成され画素領域の両脇
にそれぞれ位置づけられる各電極と、他方の基板側に形
成されたブラックマトリックスと、を備え、 前記各電極は、その一方がブラックマトリックスから露
呈される部分を有するとともに、他方の対応する個所が
ブラックマトリックスから遮蔽される部分を有するパタ
ーンとなっていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項5】 一方の基板側に形成され画素領域の両脇
にそれぞれ位置づけられる各電極と、他方の基板側に形
成され該画素領域を画するブラックマトリックスと、を
備え、 前記各電極は、それぞれ、その他方の電極側の辺にて互
いに噛み合う関係で凹凸が形成されているとともに、 前記ブラックマトリックスの境界は前記各電極の凹凸の
山と谷の間に位置づけられていることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項6】 画素領域の両脇にそれぞれ位置づけられ
る各電極と、該画素領域を画するブラックマトリックス
と、を備え、 前記各電極は、その一方がブラックマトリックスから露
呈される部分を有するとともに、他方の対応する個所が
ブラックマトリックスから遮蔽される部分を有するパタ
ーンとなっていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項7】 画素領域の両脇にそれぞれ位置づけられ
る一対の電極と、ブラックマトリックスと、を備え、 前記各電極は、それぞれ、他方の電極側の辺において、
互いに噛み合う凹凸がそれらの長手方向に沿って形成さ
れているとともに、 前記ブラックマトリックスの開口部の辺が前記各電極の
凹凸のほぼ中心線上に位置づけられていることを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項8】 一方の基板側に画素領域を画する第1遮
光膜と、他方の基板側に光透過部を画するとともに前記
第1遮光膜の相対向する辺に沿って配置される一対の第
2遮光膜と、を備え、 該第2遮光膜は、その対向する第2遮光膜側の辺にて互
いに噛み合い前記第1遮光膜から露出する部分と隠れる
部分を有する凹凸パターンが形成されていることを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項9】 第1遮光膜はブラックマトリックスであ
ることを特徴とする請求項8記載の液晶表示装置。 - 【請求項10】 第2遮光膜は電極であることを特徴と
する請求項8記載の液晶表示装置。 - 【請求項11】 液晶を介して互いに対向する透明基板
のうち一方の透明基板側の画素領域に形成された画素電
極と対向電極と、 他方の透明基板側の画素領域を画するブラックマトリッ
クスと、を備え、 前記対向電極は前記ブラックマトリックスの一対の開口
辺のそれぞれに沿って形成され、 各対向電極の一方の対向電極側の辺が互いに噛み合う関
係の凹凸パターンとなっているとともに、 前記ブラックマトリックスの境界は前記各対向電極の凹
凸の山と谷の間に位置づけられていることを特徴とする
液晶表示装置。 - 【請求項12】 各対向電極の前記凹凸パターンはその
山と谷との部分で屈曲点を有する直線の組み合わせから
なっていることを特徴とする請求項11記載の液晶表示
装置。 - 【請求項13】 隣接する画素領域の間に画素電極に映
像信号を供給するドレイン線が形成され、このドレイン
線に隣接されて対向電極が形成されていることを特徴と
する請求項11記載の液晶表示装置。 - 【請求項14】 画素領域の両脇にそれぞれ位置づけら
れる各電極と、該画素画素領域を画するブラックマトリ
ックスと、を備え、 前記ブラックマトリックスは、その前記電極のうち一方
の電極に沿う辺にて該電極の一部を露出させているとと
もに、他方の対向する個所がブラックマトリックスに遮
蔽されているパターンとなっていることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項15】 画素領域の両脇にそれぞれ位置づけら
れる一対の電極と、該画素領域を画するブラックマトリ
ックスと、を備え、 該ブラックマトリックスは、その開口辺にて、前記電極
の一部を露出及び遮蔽させる凹凸が形成されているパタ
ーンとなっていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項16】 一方の基板側に画素領域を画する第1
遮光膜と、他方の基板側に光透過部を画するとともに前
記第1遮光膜の相対向する辺に沿って配置される一対の
第2遮光膜と、を備え、 前記第1遮光膜は、その対向する開口辺にて、互いに噛
み合い前記第2遮光膜を露出及び遮蔽させる凹凸が形成
されているパターンとなっていることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項17】 第1遮光膜はブラックマトリックスで
あることを特徴とする請求項16記載の液晶表示装置。 - 【請求項18】 第2遮光膜は電極であることを特徴と
する請求項16記載の液晶表示装置。 - 【請求項19】 電極は、その凹凸のパターンが形成さ
れた側にて等間隔に配置される画素電極との間に電界を
発生せしめる対向電極であることを特徴とする請求項1
ないし7、14、15記載の液晶表示装置。
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KR1020000019433A KR100743039B1 (ko) | 1999-04-16 | 2000-04-14 | 액정표시장치 |
TW089107025A TWI255956B (en) | 1999-04-16 | 2000-04-14 | Liquid crystal display device |
US10/338,008 US6795150B2 (en) | 1999-04-16 | 2003-03-11 | Liquid crystal display device with V-shaped electrodes having different widths between electrodes |
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JP2002156642A (ja) * | 2000-11-16 | 2002-05-31 | Nec Corp | 液晶表示装置とその製造方法及び液晶表示方法 |
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-
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- 1999-04-16 JP JP10884399A patent/JP4021584B2/ja not_active Expired - Fee Related
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