JP2000304804A - Burn-in device and burn-in method - Google Patents

Burn-in device and burn-in method

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JP2000304804A
JP2000304804A JP11117401A JP11740199A JP2000304804A JP 2000304804 A JP2000304804 A JP 2000304804A JP 11117401 A JP11117401 A JP 11117401A JP 11740199 A JP11740199 A JP 11740199A JP 2000304804 A JP2000304804 A JP 2000304804A
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burn
temperature
heat block
heat
socket
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JP11117401A
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Japanese (ja)
Inventor
Kyosuke Nakao
恭介 中尾
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DENKEN ENG KK
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DENKEN ENG KK
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Publication date
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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a burn-in device capable of individually controlling temperature of a plurality of devices to be measured, and of making quick their temperature change response to the temperature control so as to precisely control the temperatures. SOLUTION: A burn-in socket 7 is provided which is mounted on a burn-in board and formed with an engaging opening in its top surface to hold a device 9 to be measured. A heat block 8 is provided which is detachably fitted in a fitting opening so as to contact a top surface of the device 9 to be measured stored in the opening. A heater is provide which is disposed inside the heat block 8 to heat it. A heat block temperature sensor is provided which is disposed inside the heat block 8 to detect temperature θh the heat block 8.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣやＬＳＩ等の
集積回路、トランジスタ、コンデンサ、表示デバイス
（フラットデバイス、液晶パネル、プラズマディスプレ
イ等）、等の温度試験を行うためのバーンイン装置及び
バーンイン方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a burn-in apparatus and a burn-in method for performing a temperature test on integrated circuits such as ICs and LSIs, transistors, capacitors, display devices (flat devices, liquid crystal panels, plasma displays, etc.). It is about.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来から、ＩＣやＬＳＩ等の集積回路、
トランジスタ、表示デバイス（フラットデバイス、液晶
パネル、プラズマディスプレイ等）、等（以下、デバイ
スと呼ぶ。）の生産工程においては、生産直後の初期不
良を減少させるため、使用時の環境温度以上に温度を上
昇させ不良原因のあるデバイスに対し加速的に不良を発
生させることによりデバイスの選別を行うバーンイン試
験が行われている。一般に、このようなバーンイン試験
は、１つのデバイスに対し、連続して数時間から数十時
間加熱することにより行われる。2. Description of the Related Art Conventionally, integrated circuits such as ICs and LSIs,
In the production process of transistors, display devices (flat devices, liquid crystal panels, plasma displays, etc.), etc. (hereinafter referred to as devices), in order to reduce initial failures immediately after production, the temperature must be higher than the ambient temperature during use. 2. Description of the Related Art Burn-in tests have been performed in which devices are sorted out by causing the devices having a cause of failure to rise to cause failures at an accelerated rate. Generally, such a burn-in test is performed by heating one device continuously for several hours to several tens of hours.

【０００３】近年、デバイスの小型化、集積化により、
デバイスの耐熱性が低下し、より厳しい温度管理が求め
られるようになってきている。従って、上記のようなバ
ーンイン試験において、試験時に過剰な熱を与えると正
常な部品まで熱的破壊が生じる事故が発生しやすいた
め、正確な加熱温度制御を行うことができることの可能
なバーンイン装置が求められている。In recent years, with the miniaturization and integration of devices,
As the heat resistance of devices has decreased, stricter temperature control has been required. Therefore, in the burn-in test as described above, if excessive heat is applied at the time of the test, an accident in which a normal part is thermally damaged is likely to occur, so a burn-in device capable of performing accurate heating temperature control is required. It has been demanded.

【０００４】また、近年では半導体プロセスルールが微
細化し同じデバイスでも製造上の偏差による消費電力の
差が大きくなってきている。このような消費電力の差を
もった複数のデバイスを一度に試験しようとする場合、
各デバイスに対し個別に温度管理を行う必要があり、個
別の温度管理の可能なバーンイン装置が求められてい
る。Further, in recent years, semiconductor process rules have become finer, and the difference in power consumption due to manufacturing variations has increased even for the same device. If you are testing multiple devices with such power differences at once,
It is necessary to individually manage the temperature of each device, and there is a need for a burn-in device capable of performing individual temperature management.

【０００５】正確な温度管理を行うことの可能なバーン
イン装置又はバーンイン方法としては、従来、特開平１
１−２３６５４号公報（以下イ号公報と呼ぶ。）や特開
平５−２９４１７号公報（以下ロ号公報と呼ぶ。）に開
示されたものが知られている。As a burn-in apparatus or a burn-in method capable of performing accurate temperature control, a conventional burn-in apparatus is disclosed in
Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 1-26544 (hereinafter referred to as "A") and Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-29417 (hereinafter referred to as "B") are known.

【０００６】イ号公報に開示のバーンイン方法及びバー
ンイン装置では、バーンイン試験を行うデバイス（以
下、被測定デバイスと呼ぶ。）に対し予め被測定デバイ
スの素子部と周囲間の熱抵抗値Ｒh3を予め測定してお
き、バーンイン試験に際しては、被測定デバイスの周囲
温度θaと、被測定デバイスに印加する電源電圧Ｖ1と、
被測定デバイスに供給される電源電流Ｉdとを検出し、
熱抵抗値Ｒh2，被測定デバイスの周囲温度θa，電源電
圧Ｖ1，電源電流Ｉdから被測定デバイスの素子部の現在
温度θdを求め、現在温度θdがバーンイン試験時の目標
とする温度θd0とが等しくなるように周囲温度θaを制
御するものである。この際、現在の被測定デバイスの素
子部の現在温度θdは、θd＝Ｖ1×Ｉd×Ｒh2＋θaによ
り推定している。In the burn-in method and burn-in apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. H07-115, the thermal resistance value R h3 between the element portion of the device to be measured and its surroundings is previously determined for the device to be subjected to the burn-in test (hereinafter referred to as the device to be measured). Measured in advance, and during the burn-in test, the ambient temperature θ a of the device under test, the power supply voltage V 1 applied to the device under test,
Detecting a power source current I d fed to the device under test,
Thermal resistance R h2, ambient temperature theta a of the device under test, the power supply voltage V 1, obtains a current temperature theta d of the active element of the device under test from the electrical current I d, and the current temperature theta d is burn-in test target temperature theta d0 to is one which controls the ambient temperature theta a to be equal. At this time, the current temperature θ d of the element portion of the device under measurement is estimated by θ d = V 1 × I d × R h2 + θ a .

【０００７】ロ号公報に開示のバーンイン方法及びバー
ンイン装置では、被測定デバイスの半導体チップ自体に
温度センサを設け、この温度センサの検出温度をモニタ
し、その結果に基づき周囲温度θaと半導体チップに通
電する電力とを制御するというものである。[0007] In the burn process and burn-in apparatus disclosed in Russian Patent Publication No., the temperature sensor provided in the semiconductor chip itself of the measuring device, monitoring the detected temperature of the temperature sensor, the ambient temperature theta a semiconductor chip on the basis of the result And the power supplied to the power supply.

【０００８】また、各被測定デバイスに対し個別の温度
管理の可能なバーンイン方法又はバーンイン装置として
は、ソケットの蓋部にヒータなどの温度制御装置を備え
たものとして実開平６０−４８６８９号公報（以下ハ号
公報と呼ぶ。）に開示されたものが知られており、ソケ
ットの底部にヒータなどの温度制御装置を備えたものと
して実開平１−８４０７５号公報（以下ニ号公報と呼
ぶ。）、及び特開平１−１６１１７１号公報（以下ホ号
公報と呼ぶ。）に開示されたものが知られており、複数
の被測定デバイスに対し共通の加熱ブロックを備えたも
のとして、特開平７−８３９９６号公報（以下ヘ号公報
と呼ぶ。）、及び特開平１０−２１３６２４号公報（以
下ト号公報と呼ぶ。）が開示されたものが知られてい
る。As a burn-in method or a burn-in device capable of individually controlling the temperature of each device to be measured, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 60-48689 discloses a device provided with a temperature control device such as a heater on a cover of a socket. Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-84075 (hereinafter, referred to as Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 1-84075) is known as a device provided with a temperature control device such as a heater at the bottom of a socket. And Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-161171 (hereinafter referred to as Japanese Patent Application Laid-Open No. HEI 11-161171) are known, and Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-161171 discloses a device provided with a common heating block for a plurality of devices to be measured. Japanese Patent Application Laid-Open No. 83996 (hereinafter referred to as "F") and Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-213624 (hereinafter referred to as "G") are known.

【０００９】ヘ号公報に開示のバーンイン装置では、複
数の被測定デバイスに対し共通の加熱ブロックを接触さ
せ、加熱ブロックと各被測定デバイスとの接触部に温度
センサを配設し、各被測定デバイスの温度を検出可能と
した構成とし、バーンイン試験時には加熱ブロックを加
熱することにより各被測定デバイスを加熱し、各温度セ
ンサの検出する温度を監視し、温度センサの検出温度が
バーンイン試験時の設定温度になった被測定デバイスに
テスト信号を送り、バーンイン試験を行うというもので
ある。In the burn-in apparatus disclosed in the above publication, a common heating block is brought into contact with a plurality of devices to be measured, and a temperature sensor is provided at a contact portion between the heating block and each device to be measured. The temperature of the device can be detected.The device under test is heated by heating the heating block during the burn-in test, and the temperature detected by each temperature sensor is monitored. A test signal is sent to the device under test that has reached the set temperature, and a burn-in test is performed.

【００１０】また、ト号公報に開示のバーンイン方法及
びバーンイン装置では、バーンインボード上に搭載され
た被測定デバイスに対し、共通の面発熱体を熱伝導絶縁
体を介して接触させ、各被測定デバイスを集中的に加熱
するというものである。In the burn-in method and the burn-in apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-209, a common surface heating element is brought into contact with a device to be measured mounted on a burn-in board via a heat conductive insulator, so that each of the devices to be measured can be measured. The device is heated intensively.

【００１１】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記イ号
公報又はロ号公報に開示のバーンイン装置及びバーンイ
ン方法では、以下のような課題を有していた。 （１）実際のデバイスの生産工程においては、多数のデ
バイスを一度に数時間から数十時間バーンイン試験を行
う。このような場合、個々のデバイスには抵抗値等の公
差により、各デバイスの消費電力は異なり、デバイス自
体の発熱量も異なる。また、バーンイン試験を行うチャ
ンバ内の温度は一様ではなく、チャンバ内の位置により
温度が異なる。このように複数のデバイスを一度にバー
ンイン試験を行う場合、それぞれのデバイスに対し正確
な温度制御を行うことができないという課題を有してい
た。 （２）バーンイン試験を行う際、被測定デバイスの温度
を上昇させるためには被測定デバイスの搭載されたバー
ンインボード全体を加熱する必要があるが、バーンイン
ボード全体を加熱する場合、デバイスの試験を行うため
にバーンインボード上に搭載された部品やバーンインボ
ード自体も温度試験にかけられた状態となり、バーンイ
ンボードの部品に対して高い耐熱性が要求され、バーン
インボードの半田付けや配線等にも長時間加熱に対する
耐久性が求められるため、装置が高価となり、装置コス
トが高く信頼性も低いという課題を有していた。 （３）バーンイン試験を行う際、被測定デバイスの温度
を上昇させるために被測定デバイスの搭載されたバーン
インボード全体を加熱する必要があるため、バーンイン
ボードを恒温槽のチャンバ内に収納し、チャンバ内の温
度を数時間から数十時間の長時間、高温に保つ必要があ
る。従って、バーンイン試験に対しエネルギーを多量に
消費し、省エネルギー性に関して問題があると共に、バ
ーンイン試験にかかるコストが高く経済性に劣るという
課題を有していた。 （４）バーンイン試験を行う際、被測定デバイスの温度
を上昇や下降に時間がかかり、その分、バーンイン試験
時間に要する時間が長くなるという課題を有していた。 （５）動的バーンインを行う場合、被測定デバイスに入
力する信号により被測定デバイスの消費電力が変化する
ため、被測定デバイスの素子部の温度を精度よく制御し
ようとした場合、温度制御に対する温度の上昇や下降の
応答を速くする必要があるが、被測定デバイスの温度を
上昇させるために被測定デバイスの周囲温度θaを制御
しているため、温度制御に対する温度の上昇や下降の応
答が遅く、温度制御の精度が低いという課題を有してい
た。However, the burn-in apparatus and the burn-in method disclosed in the above publications A and B have the following problems. (1) In an actual device production process, a burn-in test is performed on many devices at a time for several hours to several tens of hours. In such a case, the power consumption of each device differs and the amount of heat generated by the device itself differs depending on the tolerance of the resistance value or the like of each device. Further, the temperature in the chamber where the burn-in test is performed is not uniform, and the temperature varies depending on the position in the chamber. Thus, when performing a burn-in test on a plurality of devices at once, there is a problem that accurate temperature control cannot be performed on each device. (2) When performing a burn-in test, it is necessary to heat the entire burn-in board on which the device to be measured is mounted in order to raise the temperature of the device to be measured. In order to perform, the components mounted on the burn-in board and the burn-in board itself are also subjected to a temperature test, and high heat resistance is required for the components of the burn-in board, and it takes a long time to solder and wire the burn-in board. Since durability against heating is required, there has been a problem that the apparatus becomes expensive, the apparatus cost is high, and the reliability is low. (3) When performing a burn-in test, it is necessary to heat the entire burn-in board on which the device-under-test is mounted in order to raise the temperature of the device-under-test. It is necessary to keep the inside temperature high for several hours to several tens of hours. Therefore, there is a problem that a large amount of energy is consumed in the burn-in test, there is a problem in energy saving, and the cost for the burn-in test is high and the economic efficiency is inferior. (4) When performing the burn-in test, it takes time to raise or lower the temperature of the device to be measured, and accordingly, there is a problem that the time required for the burn-in test time becomes longer. (5) When dynamic burn-in is performed, the power consumption of the device under test changes according to the signal input to the device under test. it is necessary to increase the rise and descent response but, for controlling the ambient temperature theta a of the measuring device to increase the temperature of the device under test, the response of the temperature rise and descent for temperature control There was a problem that it was slow and the accuracy of temperature control was low.

【００１２】また、上記のハ号公報に開示のソケットの
蓋部にヒータなどの温度制御装置を備えたバーンイン装
置、及びニ号公報又はホ号公報に開示のソケットの底部
にヒータなどの温度制御装置を備えたバーンイン装置、
並びにヘ号公報，ト号公報に開示のバーンイン装置又は
バーンイン方法では、以下のような課題を有していた。 （１）ソケットに装着されたデバイスを加熱又は冷却す
るのみのものであり、デバイスの発熱やデバイスの熱抵
抗などを考慮した温度制御を行うことができないという
課題を有していた。 （２）ハ号公報又はホ号公報に開示のバーンイン試験用
の半導体装置用ソケットでは、デバイスの脱着の際に、
ソケットの上蓋を回動させて開閉させる機構であり、デ
バイスの脱着の自動化が難しいという課題を有してい
た。 （３）ニ号公報，ヘ号公報，ト号公報に開示のバーンイ
ン装置では、デバイスが外部に露出した状態で上方又は
下方から加熱ブロック等を接触させバーンイン試験を行
うものであるが、このような構成ではデバイスから外部
の空気への熱の伝達における熱抵抗が外部の空気の気流
による外的要因により大きく変化するため、被測定デバ
イス内の素子部の正確な温度制御ができないという課題
を有していた。 （４）ヘ号公報，ト号公報に開示のバーンイン装置又は
バーンイン方法では、複数の被測定デバイスに一様な温
度で加熱するため、デバイスの公差によるデバイス自体
の発熱量のばらつきによる温度誤差が大きく、被測定デ
バイス内の素子部の正確な温度制御ができないという課
題を有していた。Also, a burn-in device having a temperature control device such as a heater on the cover of the socket disclosed in the above-mentioned publication C, and a temperature control device such as a heater provided on the bottom of the socket disclosed in the publications D and E. Burn-in device with device,
In addition, the burn-in apparatus or the burn-in method disclosed in the above publications have the following problems. (1) The device only heats or cools the device mounted in the socket, and has a problem that temperature control cannot be performed in consideration of heat generation of the device, thermal resistance of the device, and the like. (2) In the semiconductor device socket for the burn-in test disclosed in Japanese Patent Application Publication No.
This is a mechanism that opens and closes the socket by rotating the upper lid, and has a problem that it is difficult to automatically attach and detach the device. (3) In the burn-in apparatus disclosed in Japanese Patent Application Publication Nos. D, F, and G, a burn-in test is performed by contacting a heating block or the like from above or below with the device exposed to the outside. In a simple configuration, the thermal resistance in the transfer of heat from the device to the outside air greatly changes due to external factors due to the airflow of the outside air, so there is a problem that accurate temperature control of the element section in the device under test cannot be performed. Was. (4) In the burn-in apparatus or the burn-in method disclosed in the above publications, a plurality of devices to be measured are heated at a uniform temperature. There is a problem that the temperature of the element portion in the device to be measured cannot be accurately controlled.

【００１３】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、バーンイン試験時に複数の被測定デバイスの温度制
御を個々に正確に行うことが可能であり、温度制御に対
する被測定デバイスの温度変化の応答が速く、デバイス
の脱着が自動化に適し、装置の信頼性が高く、省エネル
ギー性に優れ、バーンイン装置自体を安価に構成するこ
とが可能で経済性に優れたバーンイン装置を提供するこ
とを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned conventional problems. It is possible to individually and accurately control the temperature of a plurality of devices under test during a burn-in test, and to respond to a temperature change of the device under test to the temperature control. It is an object of the present invention to provide a burn-in device which is fast, is suitable for automation of device attachment / detachment, has high reliability of the device, is excellent in energy saving, can configure the burn-in device itself at low cost, and is economical. .

【００１４】また、本発明は上記従来の課題を解決する
もので、バーンイン試験時に複数の被測定デバイスの温
度制御を個々に正確に行うことが可能であり、温度制御
に対する被測定デバイスの温度変化の応答が速く、省エ
ネルギー性に優れたバーンイン方法を提供することを目
的とする。Further, the present invention solves the above-mentioned conventional problems. In the burn-in test, the temperature of a plurality of devices to be measured can be individually and accurately controlled, and the temperature change of the device to be measured with respect to the temperature control. The object of the present invention is to provide a burn-in method which has a quick response and is excellent in energy saving.

【００１５】[0015]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明のバーンイン装置は、バーンインボード上に搭
載され上面に被測定デバイスが収納される嵌合口が形成
されたバーンインソケットと、嵌合口に脱着自在に嵌合
し嵌合口に収納された被測定デバイスの上面に接触する
ヒートブロックと、ヒートブロックの内部に配設されヒ
ートブロックを加熱するヒータと、ヒートブロックの内
部に配設されヒートブロックの温度θhを検出するヒー
トブロック温度センサと、を備えた構成より成る。To solve the above-mentioned problems, a burn-in apparatus according to the present invention comprises a burn-in socket mounted on a burn-in board and having a fitting port for receiving a device to be measured formed on an upper surface thereof; A heat block that is detachably fitted to and is in contact with the upper surface of the device under test stored in the fitting opening; a heater that is disposed inside the heat block to heat the heat block; and a heat that is disposed inside the heat block. and the heat block temperature sensor for detecting the temperature theta h of the block, consisting of configurations with.

【００１６】この構成により、バーンイン試験時の複数
の被測定デバイスの温度制御を個々に正確に行うことが
可能であり、温度制御に対する被測定デバイスの温度変
化の応答が速く、デバイスの脱着が自動化に適し、装置
の信頼性が高く、省エネルギー性に優れ、バーンイン装
置自体を安価に構成することが可能で経済性に優れたバ
ーンイン装置を提供することができる。With this configuration, the temperature of a plurality of devices to be measured during the burn-in test can be individually and accurately controlled, the response of the temperature change of the device to be measured to the temperature control is fast, and the attachment / detachment of the devices is automated. It is possible to provide a burn-in device which has high reliability, is excellent in energy saving, can be constructed at a low cost, and is economical.

【００１７】また、本発明のバーンイン方法は、バーン
インボード上に搭載され上面中央に被測定デバイスが収
納される嵌合口が形成されたバーンインソケットに被測
定デバイスを収納し、被測定デバイスの上面に内部にヒ
ータとヒートブロック温度センサとを備えたヒートブロ
ックを接触させ、電源より被測定デバイスに電力を供給
するとともに、ヒータに電力を印加することによりヒー
タを発熱させ、ヒータの発熱をヒートブロックを介して
被測定デバイスに伝熱することにより被測定デバイスを
直接加熱するハーンイン方法であって、温度センサによ
りヒートブロックの温度θhを検出するヒートブロック
温度検出手順と、被測定デバイスに供給される電力値Ｐ
dを検出する電力値検出手順と、バーンインソケットの
周囲の空気の温度θaを検出する周囲温度検出センサに
よりバーンインソケットの周囲の空気の温度θaを検出
する周囲温度検出手順と、ヒートブロックの温度θhと
周囲の空気の温度θaと電力値Ｐdと予め測定されたヒー
トブロックから被測定デバイス内の素子部への熱伝導の
際の熱抵抗値Ｒh1と予め測定された素子部から外界への
放熱の際の熱抵抗値Ｒh3とに基づき素子部の推定素子温
度θdを決定する素子温度推定手順と、素子部の推定素
子温度θdと素子部の目標温度θd0とに基づきヒータ電
力印加手段がヒータに印加する電力を制御するヒータ制
御手順と、を備えた構成より成る。Further, according to the burn-in method of the present invention, the device to be measured is housed in a burn-in socket which is mounted on a burn-in board and has a fitting opening formed in the center of the upper surface for housing the device to be measured. A heat block having a heater and a heat block temperature sensor inside is brought into contact with each other, and power is supplied from a power supply to a device under test, and power is applied to the heater to cause the heater to generate heat. A method for directly heating a device under test by transferring heat to the device under test via a heat block, comprising: a heat block temperature detection procedure for detecting a temperature θ h of the heat block by a temperature sensor; Power value P
a power detection step of detecting a d, and the ambient temperature detecting step of detecting a temperature theta a of the air around the burn-in socket by ambient temperature sensor for detecting the temperature theta a of the air around the burn-in socket, the heat block The temperature θ h , the temperature θ a of the surrounding air, the power value P d , the previously measured heat resistance R h1 when conducting heat from the heat block to the element portion in the device under test, and the previously measured element portion An element temperature estimation procedure for determining an estimated element temperature θ d of the element section based on the thermal resistance value R h3 at the time of heat radiation from the outside to the outside world, and an estimated element temperature θ d of the element section and a target temperature θ d0 of the element section. And a heater control procedure for controlling the power applied to the heater by the heater power applying means based on the above.

【００１８】この構成により、バーンイン試験時の複数
の被測定デバイスの温度制御を個々に正確に行うことが
可能であり、温度制御に対する被測定デバイスの温度変
化の応答が速く、省エネルギー性に優れたバーンイン方
法を提供することができる。With this configuration, the temperature of a plurality of devices to be measured during the burn-in test can be individually and accurately controlled, the response of the temperature change of the device to be measured to the temperature control is fast, and the energy saving is excellent. A burn-in method can be provided.

【００１９】[0019]

【発明の実施の形態】上記目的を達成するために本発明
の請求項１に記載のバーンイン装置は、バーンインボー
ド上に搭載され上面に被測定デバイスが収納される嵌合
口が形成されたバーンインソケットと、嵌合口に脱着自
在に嵌合し嵌合口に収納された被測定デバイスの上面に
接触するヒートブロックと、ヒートブロックの内部に配
設されヒートブロックを加熱するヒータと、ヒートブロ
ックの内部に配設されヒートブロックの温度θhを検出
するヒートブロック温度センサと、を備えた構成とした
ものである。In order to achieve the above object, a burn-in apparatus according to a first aspect of the present invention is a burn-in socket which is mounted on a burn-in board and has a fitting opening for accommodating a device to be measured on an upper surface thereof. A heat block detachably fitted to the fitting opening and in contact with the upper surface of the device under test housed in the fitting opening; a heater disposed inside the heat block for heating the heat block; And a heat block temperature sensor for detecting the temperature θ h of the heat block.

【００２０】この構成により、以下のような作用が得ら
れる。 （１）被測定デバイスのバーンイン試験を行うに際し、
被測定デバイスをバーンインソケットの嵌合口内に嵌合
した後、ヒートブロックをバーンインソケットの嵌合口
に嵌合し、ヒートブロックを被測定デバイスの上面に接
触させる。この状態で、ヒータに通電しヒータを発熱さ
せ、ヒートブロックを加熱し、熱伝導により被測定デバ
イスの上面から加熱する。 （２）ヒートブロックが被測定デバイスの上面に直接接
触するため、ヒートブロックから被測定デバイス内の素
子部への熱伝達の熱抵抗が小さい。そのため、温度制御
に対する被測定デバイスの温度変化の応答が速く、被測
定デバイス内の素子部の温度制御を正確に行うことが可
能となる。 （３）被測定デバイスをバーンインソケットの嵌合口内
に嵌合させ上方からヒートブロックにより封止されるた
め、被測定デバイスはバーンインソケット内部に封入さ
れた状態でバーンイン試験が行われるため、被測定デバ
イス内の素子部から外部の空気への放熱の熱抵抗が大き
くなり、外部の温度変化や風速などの影響を抑止するこ
とができ、被測定デバイス内の素子部の温度制御を正確
に行うことが可能となる。 （４）被測定デバイス毎に温度制御しながらバーンイン
試験を行うことが可能であり、バーンイン試験時の複数
の被測定デバイスの温度制御を個々に正確に行うことが
可能となる。また、これにより、デバイスの生産工程に
おいて、複数のデバイスを同時に正確な温度制御でバー
ンイン試験を行うことが可能となり、デバイスのバーン
イン試験の作業性が向上し、バーンイン試験時間の短縮
化が可能となる。 （５）ヒートブロックをバーンインソケットの嵌合口か
ら抜脱させ、被測定デバイスをバーンインソケットの嵌
合口に脱着することが可能であり、被測定デバイスの脱
着が容易で、バーンイン試験時に被測定デバイスを脱着
する工程の自動化が容易となる。 （６）被測定デバイスのみを局所的に加熱してバーンイ
ン試験を行うため、バーンイン試験時においてバーンイ
ンボード全体の温度は低い状態に維持することが可能で
あり、バーンインボードの平均故障間隔（ＭＴＢＦ）が
加熱により短縮されることが防止され、装置の信頼性を
高める。 （７）バーンイン試験時においてバーンインボード全体
の温度は低い状態に維持することが可能であるため、バ
ーンインボードに高い耐熱性が要求されず、バーンイン
装置自体を安価に構成することが可能となる。 （８）被測定デバイスのみを局所的に加熱してバーンイ
ン試験を行うため、バーンイン試験時の余分な熱の放散
が少なく、バーンイン試験における消費エネルギーを低
く抑えることが可能となる。With this configuration, the following operation can be obtained. (1) When performing a burn-in test on a device under test,
After fitting the device under test into the fitting opening of the burn-in socket, the heat block is fitted into the fitting opening of the burn-in socket, and the heat block is brought into contact with the upper surface of the device under test. In this state, the heater is energized to generate heat, the heat block is heated, and the device is heated from the upper surface by heat conduction. (2) Since the heat block is in direct contact with the upper surface of the device under test, the thermal resistance of heat transfer from the heat block to the element in the device under test is small. Therefore, the response of the temperature change of the device under test to the temperature control is fast, and the temperature control of the element section in the device under test can be accurately performed. (3) Since the device to be measured is fitted into the fitting opening of the burn-in socket and sealed from above by a heat block, the device to be measured is subjected to a burn-in test while being sealed in the burn-in socket. The thermal resistance of heat radiation from the element part in the device to the outside air increases, the influence of external temperature change and wind speed can be suppressed, and accurate temperature control of the element part in the device under test Becomes possible. (4) The burn-in test can be performed while controlling the temperature of each device to be measured, and the temperature of a plurality of devices to be measured during the burn-in test can be individually and accurately controlled. In addition, this allows burn-in tests to be performed on multiple devices simultaneously with accurate temperature control in the device production process, improving the workability of the burn-in test for devices and shortening the burn-in test time. Become. (5) The device under test can be detached from the fitting opening of the burn-in socket by removing the heat block from the fitting opening of the burn-in socket. Automation of the desorption process is facilitated. (6) Since the burn-in test is performed by locally heating only the device under test, the temperature of the entire burn-in board can be kept low during the burn-in test, and the mean time between failures (MTBF) of the burn-in board Is prevented from being shortened by heating, and the reliability of the apparatus is increased. (7) Since the temperature of the entire burn-in board can be kept low during the burn-in test, high heat resistance is not required for the burn-in board, and the burn-in apparatus itself can be configured at low cost. (8) Since the burn-in test is performed by locally heating only the device to be measured, excessive heat dissipation during the burn-in test is small, and the energy consumption in the burn-in test can be reduced.

【００２１】ここで、ヒータとしては、巻線抵抗やニク
ロム線等の抵抗体、面ヒータ等が使用される。ヒートブ
ロック温度センサとしては、測温抵抗体、サーミスタ、
熱電対等が使用される。Here, as the heater, a resistor such as a winding resistor or a nichrome wire, a surface heater or the like is used. Heat block temperature sensors include resistance temperature detectors, thermistors,
A thermocouple or the like is used.

【００２２】また、ヒートブロックの下面にはテフロン
等の合成樹脂によるコーティングを行い、ヒートブロッ
ク下面と被測定デバイスとの密着性を向上させることに
より、ヒートブロックから被測定デバイスへの熱伝導率
を向上させるように構成するのが好適である。ヒートブ
ロックの温度変化に対する被測定デバイスの温度変化の
応答が速まり、更に正確な温度制御が可能となるからで
ある。The lower surface of the heat block is coated with a synthetic resin such as Teflon to improve the adhesion between the lower surface of the heat block and the device to be measured, thereby reducing the heat conductivity from the heat block to the device to be measured. It is preferable to configure so as to improve. This is because the response of the temperature change of the device to be measured to the temperature change of the heat block is accelerated, and more accurate temperature control becomes possible.

【００２３】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
のバーンイン装置であって、ヒータに電力を印加するヒ
ータ電力印加手段と、被測定デバイスに電力を供給する
電源と、被測定デバイスに供給される電力値Ｐdを検出
する電力検出手段と、バーンインソケットの周囲の空気
の温度θaを検出する周囲温度検出センサと、ヒートブ
ロックの温度θhと周囲の空気の温度θaと電力値Ｐdと
予め測定されたヒートブロックから被測定デバイス内の
素子部への熱伝導の際の熱抵抗値Ｒh1と予め測定された
素子部から外界への放熱の際の熱抵抗値Ｒh3とに基づき
素子部の推定素子温度θdを決定する素子温度推定手段
と、素子部の推定素子温度θdと素子部の目標温度θd0
とに基づきヒータ電力印加手段がヒータに印加する電力
を制御するヒータ制御手段と、を備えた構成としたもの
である。According to a second aspect of the present invention, there is provided the burn-in apparatus according to the first aspect, wherein the heater power application means for applying power to the heater, a power supply for supplying power to the device under test, and a device under test. a power detection means for detecting a power value P d to be supplied to, and the ambient temperature detection sensor for detecting the temperature theta a of the air around the burn-in socket, a temperature theta a in air at ambient temperature theta h of the heat block thermal resistance R at the time of heat radiation to the outside world from the power value P d and previously measured previously measured element and the thermal resistance R h1 during heat conduction from the heat block to the element of the device under test element temperature estimating means for determining an estimated element temperature θ d of the element section based on h3 , an estimated element temperature θ d of the element section and a target temperature θ d0 of the element section
And a heater control means for controlling the power applied to the heater by the heater power application means based on the above.

【００２４】この構成により、請求項１で得られる作用
の他、以下のような作用が得られる。 （１）バーンイン試験時において、ヒータにはヒータ電
力印加手段により電力が印加され、ヒータは発熱する。
また、被測定デバイスには電源より電力が供給される。
電源により被測定デバイスに印加される電力値Ｐdは電
力検出手段により検出される。ヒートブロックの温度θ
hはヒートブロック温度センサにより検出される。一方
で、バーンインソケットの周囲の空気の温度θaは周囲
温度検出センサにより検出される。素子温度推定手段
は、ヒートブロックの温度θhと、周囲の空気の温度θa
と、電力値Ｐdと、予め測定されたヒートブロックから
被測定デバイス内の素子部への熱伝導の際の熱抵抗値Ｒ
h1と、予め測定された素子部から外界への放熱の際の熱
抵抗値Ｒh3とに基づき素子部の推定素子温度θdを決定
する。ヒータ制御手段は、この決定された素子部の推定
素子温度θdと素子部の目標温度θd0とに基づきヒータ
電力印加手段がヒータに印加する電力を制御する。 （２）被測定デバイスの素子部の温度を予測した正確な
ヒータの温度制御が可能となり、被測定デバイス内の素
子部の温度制御を正確に行うことが可能となる。 （３）バーンインソケットの周囲の空気の温度θaとヒ
ートブロックの温度θhとの２つの温度で被測定デバイ
スの素子部の温度を制御することが可能であり、被測定
デバイス内の素子部の温度制御を正確に行うことが可能
となる。According to this configuration, the following operation is obtained in addition to the operation obtained in the first aspect. (1) During the burn-in test, electric power is applied to the heater by the heater power application unit, and the heater generates heat.
The device under test is supplied with power from a power supply.
Power value P d to be applied to the DUT by the power source is detected by the power detecting means. Heat block temperature θ
h is detected by the heat block temperature sensor. On the other hand, the temperature theta a of the air around the burn-in socket is detected by the ambient temperature sensor. Element temperature estimation means, and the temperature theta h of the heat block, the temperature theta a surrounding air
, A power value Pd, and a thermal resistance value R at the time of heat conduction from the heat block measured in advance to the element portion in the device under test.
and h1, determining an estimated element temperature theta d of the active element based from a previously measured element to the thermal resistance R h3 during the heat radiation to the outside world. The heater control means controls the power applied by the heater power application means to the heater based on the determined estimated element temperature θ d of the element part and the target temperature θ d0 of the element part. (2) It is possible to accurately control the temperature of the heater by predicting the temperature of the element portion of the device to be measured, and to accurately control the temperature of the element portion in the device to be measured. (3) it is possible to control the temperature of the active element of the DUT at two temperatures and the temperature theta h temperature theta a and the heat block of the air surrounding the burn-in socket, the element portion of the device under test Temperature control can be performed accurately.

【００２５】ここで、ヒータ制御手段は、素子部の推定
素子温度θdと素子部の目標温度θd 0との温度差θd−θ
d0や温度比θd／θd0に基づくＯＮ／ＯＦＦ制御、Ｐ制
御、ＰＩ制御、ＰＩＤ制御等の制御方法によりヒータ電
力印加手段を制御する。また、電力を制御する手段とし
ては、電圧制御、電流制御、デューティ制御等が用いら
れる。ヒータ電力印加手段としては、定電圧電源、スイ
ッチング電源、ＰＷＭ制御可能な電源、シリーズレギュ
レータ等が使用される。Here, the heater control means estimates the element portion.
Element temperature θdAnd the target temperature θ of the element sectiond 0Temperature difference θd−θ
d0And temperature ratio θd/ Θd0ON / OFF control based on P, P control
Control, PI control, PID control, etc.
Control the force application means. Also, as a means for controlling power
Voltage control, current control, duty control, etc.
It is. The heater power application means includes a constant voltage power supply and a switch.
Switching power supply, PWM controllable power supply, series regulation
A lator or the like is used.

【００２６】周囲温度検出センサは、サーミスタ、熱電
対、測温抵抗体等が使用され、バーンインボードを収納
するチャンバ内やバーンインボード上の１乃至複数の箇
所に配設される。The ambient temperature detection sensor uses a thermistor, a thermocouple, a resistance temperature detector, and the like, and is disposed in a chamber for accommodating the burn-in board or at one or more locations on the burn-in board.

【００２７】被測定デバイスには、電源のみを供給し静
的バーンインを行うようにしてもよいし、被測定デバイ
スへのテスト信号を送受信可能とし、バーンイン試験中
に被測定デバイスをテスト信号により動作させる動的バ
ーンインを行うようにしてもよい。The device under test may be supplied with power only to perform static burn-in, or a test signal to the device under test may be transmitted and received, and the device under test is operated by the test signal during the burn-in test. Dynamic burn-in may be performed.

【００２８】請求項３に記載の発明は、請求項１又は２
に記載のバーンイン装置であって、ヒートブロックの左
右両側方に延出するように配設された板バネと、バーン
インソケット左右両側部に板バネを係止する係止部と、
を備えた構成としたものである。The invention described in claim 3 is the first or second invention.
The burn-in device according to the above, a plate spring disposed to extend to the left and right sides of the heat block, and a locking portion that locks the plate spring to the left and right sides of the burn-in socket,
Is provided.

【００２９】この構成により、請求項１又は２で得られ
る作用の他、以下のような作用が得られる。 （１）ヒートブロックをバーンインソケットの嵌合口に
嵌合し、ヒートブロックを被測定デバイスの上面に接触
させる際、板バネを係止部により係止することにより、
ヒートブロックを被測定デバイスの上面に押圧し、ヒー
トブロックを被測定デバイスの上面に密着させる。 （２）板バネによりヒートブロックが被測定デバイスの
上面に密着するため、ヒートブロックから被測定デバイ
ス内の素子部への熱伝達の熱抵抗が小さく、ヒータに印
加する電力を制御することにより、被測定デバイス内の
素子部の温度制御を正確に行うことが可能となる。According to this configuration, the following operation can be obtained in addition to the operation obtained in claim 1 or 2. (1) When the heat block is fitted into the fitting opening of the burn-in socket and the heat block is brought into contact with the upper surface of the device to be measured, the leaf spring is locked by the locking portion.
The heat block is pressed against the upper surface of the device to be measured, and the heat block is brought into close contact with the upper surface of the device to be measured. (2) Since the heat block is brought into close contact with the upper surface of the device to be measured by the leaf spring, the thermal resistance of heat transfer from the heat block to the element portion in the device to be measured is small, and by controlling the power applied to the heater, It is possible to accurately control the temperature of the element section in the device under test.

【００３０】ここで、係止部としては、フック、プッシ
ュホック等が使用される。Here, a hook, a push hook, or the like is used as the locking portion.

【００３１】請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３
の何れか一項に記載のバーンイン装置であって、ヒート
ブロックの上面に形成され上面に複数の放熱羽を有する
放熱フィンを備えた構成としたものである。The invention according to claim 4 is the invention according to claims 1 to 3
The burn-in device according to any one of the above, further comprising a radiating fin formed on an upper surface of the heat block and having a plurality of radiating wings on the upper surface.

【００３２】この構成により、請求項１乃至３の何れか
一で得られる作用の他、以下のような作用が得られる。 （１）ヒートブロックの熱は放熱フィンにより外気に放
熱されることにより、ヒートブロックの熱的インピーダ
ンスが下がる。 （２）ヒートブロックの外気による冷却効率が向上し、
ヒータによる温度制御に対するヒートブロックの温度変
化の応答速度が向上し、ヒートブロックのより精密な温
度制御を行うことが可能となる。According to this configuration, the following operation is obtained in addition to the operation obtained in any one of the first to third aspects. (1) The heat of the heat block is radiated to the outside air by the radiation fins, so that the thermal impedance of the heat block decreases. (2) The cooling efficiency of the heat block by the outside air is improved,
The response speed of the temperature change of the heat block to the temperature control by the heater is improved, and more precise temperature control of the heat block can be performed.

【００３３】ここで、放熱フィンの冷却効率を向上させ
るため、放熱フィンを冷却するファンを配設してもよ
い。これにより、放熱フィンによる放熱作用が向上し、
ヒータの温度制御に対するヒートブロックの温度変化の
応答性が更に向上し、更に精度よい温度制御を行うこと
が可能となる。Here, in order to improve the cooling efficiency of the radiation fin, a fan for cooling the radiation fin may be provided. This improves the heat radiation effect of the radiation fins,
Responsiveness of the temperature change of the heat block to the temperature control of the heater is further improved, and more accurate temperature control can be performed.

【００３４】請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４
の何れか一項に記載のバーンイン装置であって、ヒート
ブロック下面に形設されヒータとヒートブロック温度セ
ンサとの端子の各々に接続する通電自在な複数の電極部
と、ソケットに配設されヒートブロック下面の電極部に
接触し又は接続する通電自在な接続部と、を備え、接続
部は、先端部に押圧スプリングを備えたコンタクトピン
である構成としたものである。[0034] The invention according to claim 5 provides the invention according to claims 1 to 4.
The burn-in apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein a plurality of electrode portions formed on the lower surface of the heat block and connected to each of terminals of a heater and a heat block temperature sensor and capable of conducting electricity, And a connection portion that can be electrically connected to and contact the electrode portion on the lower surface of the block, wherein the connection portion is a contact pin having a pressing spring at a distal end portion.

【００３５】この構成により、請求項１乃至４の何れか
一で得られる作用の他、以下のような作用が得られる。 （１）ヒートブロックに対し、ヒータに電力を供給する
電源用の線やヒートブロック温度センサの温度検出用の
線を電気的に確実に接触させることが可能となり、バー
ンイン試験工程における接触不良による事故を防止でき
る。 （２）ヒートブロック温度センサの温度検出用の線の接
触抵抗が減少し、ヒートブロックの温度の検知精度が向
上する。With this configuration, in addition to the function obtained in any one of the first to fourth aspects, the following function can be obtained. (1) A power line for supplying electric power to the heater and a temperature detection line of the heat block temperature sensor can be reliably brought into electrical contact with the heat block, resulting in an accident due to poor contact in the burn-in test process. Can be prevented. (2) The contact resistance of the temperature detection wire of the heat block temperature sensor is reduced, and the accuracy of detecting the temperature of the heat block is improved.

【００３６】請求項６に記載の発明は、請求項５に記載
のバーンイン装置であって、コンタクトピンの先端部に
形成され電極部に圧接され電極部に圧接される際に電極
部の表面を摺動する接触摺動部を備えた構成としたもの
である。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the burn-in device according to the fifth aspect, wherein the surface of the electrode portion is formed at the tip portion of the contact pin and is pressed against the electrode portion and pressed against the electrode portion. This is a configuration having a contact sliding portion that slides.

【００３７】この構成により、請求項５で得られる作用
の他、以下のような作用が得られる。 （１）ヒートブロックをバーンインソケットに装着する
際に、接触摺動部が電極部の表面を摺動するため、電極
部表面の錆やゴミが掃拭（ワイピング）され、コンタク
トピンと電極部との接触不良が防止される。 （２）電極部表面の錆やゴミが掃拭され、コンタクトピ
ンと電極部との接触抵抗が減少し、ヒートブロック温度
センサの温度検出用の線の付加抵抗が減少するため、ヒ
ートブロックの温度の検知精度が向上する。According to this configuration, the following operation can be obtained in addition to the operation obtained in the fifth aspect. (1) When the heat block is mounted on the burn-in socket, the contact sliding portion slides on the surface of the electrode portion, so that rust and dust on the surface of the electrode portion are wiped (wiping), and the contact pin and the electrode portion are separated. Poor contact is prevented. (2) Rust and dust on the surface of the electrode are wiped off, the contact resistance between the contact pin and the electrode is reduced, and the additional resistance of the temperature detection wire of the heat block temperature sensor is reduced. The detection accuracy is improved.

【００３８】請求項７に記載の発明は、請求項３乃至６
の何れか一項に記載のバーンイン装置であって、係止部
は、バーンインソケットの左右両側面に回転軸により回
動自在に軸支されたヒートブロック係止フックにより構
成され、ヒートブロック係止フックは、下端が回動軸に
軸支された状態で立設された回動部と、回動部の上端部
にバーンインソケット側の側面がバーンインソケット側
に向かって下方に傾斜した鉤状に形成された掛止爪と、
一端が回動部の下端部に略直角に連設され外方向に向か
って略水平に延設された拡開ハンドルと、回動部をバー
ンインソケット側に回動付勢するスプリングと、を備え
た構成としたものである。The invention according to claim 7 is the invention according to claims 3 to 6
The burn-in device according to any one of the above, wherein the locking portion is constituted by a heat block locking hook rotatably supported by a rotating shaft on both left and right side surfaces of the burn-in socket, The hook has a rotating portion that is erected with its lower end pivotally supported by a rotating shaft, and a hook-like shape in which the side surface on the burn-in socket side is inclined downward toward the burn-in socket side at the upper end portion of the rotating portion. With a formed hook,
An expanding handle having one end connected to the lower end of the rotating portion at a substantially right angle and extending substantially horizontally toward the outside, and a spring for biasing the rotating portion to the burn-in socket side are provided. The configuration is as follows.

【００３９】この構成により、請求項３乃至６の何れか
一で得られる作用の他、以下のような作用が得られる。 （１）ヒートブロックをバーンインソケットに装着する
際、板バネの左右端部を左右のヒートブロック係止フッ
クの掛止爪の内側面に滑らせながら押し込む。ヒートブ
ロックが押し込まれるのに伴い、左右のヒートブロック
係止フックは拡開方向に回動する。板バネの左右端部が
鉤状となった掛止爪の下部まで摺動すると、スプリング
により左右のヒートブロック係止フックはバーンインソ
ケットの方向に戻され、板バネの左右端部は掛止爪によ
り係止される。 （２）ヒートブロックをバーンインソケットから抜脱す
る際、拡開ハンドルを上方から下方に向かって押圧し、
ヒートブロック係止フックを拡開方向に回動させる。こ
れにより、掛止爪は板バネの左右端部から外れ、ヒート
ブロックが脱着自在となる。 （３）簡単な操作により、ヒートブロックをバーンイン
ソケットに脱着することが可能であり、被測定デバイス
の脱着の自動化が容易となる。According to this configuration, the following operation is obtained in addition to the operation obtained in any one of the third to sixth aspects. (1) When attaching the heat block to the burn-in socket, slide the left and right end portions of the leaf spring into the inner surfaces of the hooking claws of the left and right heat block locking hooks and push it. As the heat block is pushed in, the left and right heat block locking hooks rotate in the expanding direction. When the left and right ends of the leaf spring slide to the bottom of the hooked hook, the springs return the left and right heat block locking hooks toward the burn-in socket, and the left and right ends of the leaf spring lock the hooks. Is locked by. (2) When pulling out the heat block from the burn-in socket, the expansion handle is pressed downward from above,
The heat block locking hook is rotated in the expanding direction. As a result, the hooking claws come off the left and right ends of the leaf spring, and the heat block becomes detachable. (3) The heat block can be attached to and detached from the burn-in socket by a simple operation, and automation of attachment and detachment of the device to be measured is facilitated.

【００４０】請求項８に記載の発明は、請求項１乃至７
の何れか一項に記載のバーンイン装置であって、素子温
度推定手段は、ヒートブロックの温度θhと周囲の空気
の温度θaと電力値Ｐdと予め測定されたヒートブロック
から被測定デバイス内の素子部への熱伝導の際の熱抵抗
値Ｒh1と予め測定された素子部から外界への放熱の際の
熱抵抗値Ｒh3とに基づき（数３）により素子部の推定素
子温度θdを決定する構成としたものである。The invention described in claim 8 is the invention according to claims 1 to 7
Wherein the element temperature estimating means comprises a device to be measured from the heat block temperature θ h , the ambient air temperature θ a , the power value P d, and the previously measured heat block. Estimated element temperature of the element part based on ( Equation 3) based on the thermal resistance value R h1 at the time of heat conduction to the element part inside and the previously measured thermal resistance value R h3 at the time of heat radiation from the element part to the outside. The configuration is such that θ d is determined.

【数３】 (Equation 3)

【００４１】この構成により、請求項１乃至７の何れか
一で得られる作用の他、以下のような作用が得られる。 （１）ヒートブロックの温度θhと周囲の空気の温度θa
と電力値Ｐdと予め測定されたヒートブロックから被測
定デバイス内の素子部への熱伝導の際の熱抵抗値Ｒh1と
予め測定された素子部から外界への放熱の際の熱抵抗値
Ｒh3とから簡単な計算により素子部の推定素子温度θd
を決定することが可能となる。With this configuration, the following operation can be obtained in addition to the operation obtained in any one of the first to seventh aspects. (1) Heat block temperature θ h and ambient air temperature θ a
A power value P d and previously measured thermal resistance at the time of heat radiation from the heat block to the outside world from the previously measured element and the thermal resistance R h1 during heat transfer to the element portion of the device under test Estimated element temperature θ d of element part by simple calculation from R h3
Can be determined.

【００４２】請求項９に記載のバーンイン方法は、バー
ンインボード上に搭載され上面中央に被測定デバイスが
収納される嵌合口が形成されたバーンインソケットに被
測定デバイスを収納し、被測定デバイスの上面に内部に
ヒータとヒートブロック温度センサとを備えたヒートブ
ロックを接触させ、電源より被測定デバイスに電力を供
給するとともに、ヒータに電力を印加することによりヒ
ータを発熱させ、ヒータの発熱をヒートブロックを介し
て被測定デバイスに伝熱することにより被測定デバイス
を直接加熱するハーンイン方法であって、温度センサに
よりヒートブロックの温度θhを検出するヒートブロッ
ク温度検出手順と、被測定デバイスに供給される電力値
Ｐdを検出する電力値検出手順と、バーンインソケット
の周囲の空気の温度θaを検出する周囲温度検出センサ
によりバーンインソケットの周囲の空気の温度θaを検
出する周囲温度検出手順と、ヒートブロックの温度θh
と周囲の空気の温度θaと電力値Ｐdと予め測定されたヒ
ートブロックから被測定デバイス内の素子部への熱伝導
の際の熱抵抗値Ｒh1と予め測定された素子部から外界へ
の放熱の際の熱抵抗値Ｒh3とに基づき素子部の推定素子
温度θdを決定する素子温度推定手順と、素子部の推定
素子温度θdと素子部の目標温度θd0とに基づきヒータ
電力印加手段がヒータに印加する電力を制御するヒータ
制御手順と、を備えた構成としたものである。According to a ninth aspect of the present invention, in the burn-in method, the device to be measured is housed in a burn-in socket which is mounted on a burn-in board and has a fitting opening for accommodating the device to be measured in the center of the upper surface. A heat block having a heater and a heat block temperature sensor inside is brought into contact with the device, and power is supplied from a power supply to the device under test, and the heater is heated by applying power to the heater to generate heat. A method for heating the device under test directly by transferring heat to the device under test via a heat block, a heat block temperature detection procedure for detecting the temperature θ h of the heat block by a temperature sensor, a power detection step of detecting a power value P d that, the temperature of the air surrounding the burn-in socket and the ambient temperature detecting step of detecting a temperature theta a of the air around the burn-in socket by ambient temperature sensor for detecting the a, the heat block temperature theta h
And the ambient air temperature θ a , the power value P d , the previously measured heat resistance R h1 when conducting heat from the heat block to the element part in the device under test, and the previously measured element part to the outside. An element temperature estimating procedure for determining an estimated element temperature θ d of the element section based on the thermal resistance value R h3 at the time of heat radiation, and a heater based on the estimated element temperature θ d of the element section and the target temperature θ d0 of the element section. And a heater control procedure for controlling the power applied to the heater by the power applying means.

【００４３】この構成により、以下のような作用が得ら
れる。 （１）被測定デバイスに接触しているヒートブロックの
温度をヒータにより直接制御するため、ヒータから被測
定デバイス内の素子部への熱抵抗が小さく、温度制御に
対する被測定デバイスの温度変化の応答が速く、被測定
デバイス内の素子部の温度制御を正確に行うことが可能
となる。 （２）ヒートブロックにより、被測定デバイスを個別に
温度制御しながらバーンイン試験を行うことが可能であ
り、バーンイン試験時の複数の被測定デバイスの温度制
御を個々に正確に行うことが可能となる。また、これに
より、デバイスの生産工程において、複数のデバイスを
同時に正確な温度制御でバーンイン試験を行うことが可
能となり、デバイスのバーンイン試験の作業性が向上
し、バーンイン試験時間の短縮化が可能となる。 （３）被測定デバイスのみを局所的に加熱してバーンイ
ン試験を行うため、バーンイン試験時の余分な熱の放散
が少なく、バーンイン試験における消費エネルギーを低
く抑えることが可能となる。With this configuration, the following operation is obtained. (1) Since the temperature of the heat block in contact with the device to be measured is directly controlled by the heater, the thermal resistance from the heater to the element in the device to be measured is small, and the response of the temperature change of the device to be measured to the temperature control. And the temperature of the element section in the device under test can be accurately controlled. (2) The heat block allows the burn-in test to be performed while individually controlling the temperature of the device under test, and enables the temperature control of a plurality of devices under test during the burn-in test to be individually and accurately performed. . In addition, this allows burn-in tests to be performed on multiple devices simultaneously with accurate temperature control in the device production process, improving the workability of the burn-in test for devices and shortening the burn-in test time. Become. (3) Since the burn-in test is performed by locally heating only the device under test, excess heat is not dissipated during the burn-in test, and the energy consumption in the burn-in test can be reduced.

【００４４】請求項１０に記載の発明は、請求項９に記
載のバーンイン方法であって、素子温度推定手順におい
て、ヒートブロックの温度θhと周囲の空気の温度θaと
電力値Ｐdと予め測定されたヒートブロックから被測定
デバイス内の素子部への熱伝導の際の熱抵抗値Ｒh1と予
め測定された素子部から外界への放熱の際の熱抵抗値Ｒ
h3とに基づき（数４）により素子部の推定素子温度θd
を決定する構成としたものである。The invention described in claim 10 is the burn process according to claim 9, in element temperature estimation procedure, the temperature theta a and the power value P d of ambient air and temperature theta h of the heat block The previously measured thermal resistance R h1 when conducting heat from the heat block to the element section in the device under test and the previously measured thermal resistance R when dissipating heat from the element section to the outside world
Based on h3 and ( Equation 4), the estimated element temperature θ d of the element section is
Is determined.

【数４】 (Equation 4)

【００４５】この構成により、請求項９で得られる作用
の他、以下のような作用が得られる。 （１）ヒートブロックの温度θhと周囲の空気の温度θa
と電力値Ｐdと予め測定されたヒートブロックから被測
定デバイス内の素子部への熱伝導の際の熱抵抗値Ｒh1と
予め測定された素子部から外界への放熱の際の熱抵抗値
Ｒh3とから簡単な計算により素子部の推定素子温度θd
を決定することが可能となる。According to this configuration, the following operation can be obtained in addition to the operation obtained in the ninth aspect. (1) Heat block temperature θ h and ambient air temperature θ a
A power value P d and previously measured thermal resistance at the time of heat radiation from the heat block to the outside world from the previously measured element and the thermal resistance R h1 during heat transfer to the element portion of the device under test Estimated element temperature θ d of element part by simple calculation from R h3
Can be determined.

【００４６】以下に本発明の一実施の形態について、図
面を参照しながら説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の実施の形態１のバーン
イン装置の斜視透視図である。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. (First Embodiment) FIG. 1 is a perspective perspective view of a burn-in device according to a first embodiment of the present invention.

【００４７】図１において、１はバーンイン装置、２は
内部に形成された内室が断熱壁により囲繞されたチャン
バ、２ａはチャンバ２の前面に開閉自在に配設され断熱
材で構成されたドア、３はチャンバ２の側壁に複数個貫
設されチャンバ２内の温度調節用の送風を行うための送
風口、４はチャンバ２の内室に水平に抜き差し自在に配
設され上面に被測定デバイスを装着しバーンイン試験を
行うためのバーンインボード、４ａはバーンインボード
４の一端部に突出形成されたカードエッジ、５はチャン
バ２の内室の奥部側面に配設されカードエッジ４ａと接
続するコネクタ、６はチャンバ２の外側背面に配設され
バーンイン装置１の制御を行うための制御回路が搭載さ
れたバーンイン制御基板、７はバーンインボード４上面
に複数個配設され被測定デバイスを装着するバーンイン
ソケット、８はバーンインソケット７の上部に嵌着され
バーンインソケット７内に装着された被測定デバイスの
上面に当接し被測定デバイスを上面から加熱するヒート
ブロックである。In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a burn-in device, 2 denotes a chamber in which an inner chamber formed is surrounded by a heat insulating wall, and 2a denotes a door which is disposed on the front surface of the chamber 2 so as to be openable and closable and is made of a heat insulating material. Numeral 3 denotes a plurality of air vents which penetrate a plurality of side walls of the chamber 2 for blowing air for temperature adjustment in the chamber 2, and numeral 4 denotes a device which is horizontally removably inserted into an inner chamber of the chamber 2 and has a device to be measured on an upper surface thereof. A burn-in board for mounting a burn-in test and a card edge 4a protrudingly formed at one end of the burn-in board 4 and a connector 5 disposed on the inner side surface of the inner chamber of the chamber 2 and connected to the card edge 4a , 6 are burn-in control boards which are arranged on the outer backside of the chamber 2 and on which a control circuit for controlling the burn-in apparatus 1 is mounted. Burn in socket for mounting the measuring device, 8 is a heat block for heating the contact device under test from the upper surface to the upper surface of the measuring device mounted on the burn-in socket 7 top is fitted into the burn-in socket 7 of.

【００４８】バーンインボード４には各バーンインソケ
ット７に対してプリント配線がされており、カードエッ
ジ４ａから各バーンインソケット７へ電源及び制御信号
用の線が配線されている。カードエッジ４ａはコネクタ
５に嵌合し、バーンインボード４とバーンイン制御基板
６とを電気的に接続する。On the burn-in board 4, printed wiring is provided for each burn-in socket 7, and power supply and control signal lines are provided from the card edge 4a to each burn-in socket 7. The card edge 4a is fitted to the connector 5, and electrically connects the burn-in board 4 and the burn-in control board 6.

【００４９】図２は図１のバーンインソケット及びヒー
トブロック並びに被測定デバイスの分解斜視図であり、
図３（ａ）は図１のバーンインソケット・ヒートブロッ
ク組立体の平面図であり、図３（ｂ）は図１のバーンイ
ンソケット・ヒートブロック組立体の左側破断面図であ
り、図４は図１のバーンインソケット・ヒートブロック
組立体の正面破断面図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of the burn-in socket and heat block of FIG. 1 and a device under test.
3A is a plan view of the burn-in socket / heat block assembly of FIG. 1, FIG. 3B is a left side sectional view of the burn-in socket / heat block assembly of FIG. 1, and FIG. 1 is a front sectional view of a burn-in socket / heat block assembly of FIG.

【００５０】図２〜図４において、４はバーンインボー
ド、７はソケット、８はヒートブロックであり、これら
は図１と同様のものであるので、同一の符号を付して説
明を省略する。2 to 4, reference numeral 4 denotes a burn-in board, reference numeral 7 denotes a socket, and reference numeral 8 denotes a heat block, which are the same as those in FIG.

【００５１】９は温度試験を行う被測定デバイス、２０
は耐熱性の合成樹脂で構成され中央部に方形状の開口部
を有する枠体からなるソケットベース枠体、２０ａはソ
ケットベース枠体２０の左右両側面に突出形成されソケ
ットベース枠体２０の左右側面に平行に軸受け孔が穿設
された軸受け部、２０ｂはソケットベース枠体２０の前
後側面に突出形成され上部がソケットベース枠体２０の
上面から上方に延出し上方に向かって開口する倒コの字
型に形成された突起部、２０ｃは突起部２０ｂの上面中
央に凹設された方形溝状の凹部、２０ｄは突起部２０ｂ
の左右の突起の何れか一方に突設された位置決めピン、
２１はソケットベース枠体２０の中央の開口部に抜脱自
在に嵌設され中央に被測定デバイス９のサイズ及び電極
（ＩＣパッケージ等のリードフレームやＢＧＡ（Ball G
rid Array）パッケージの端子等）に合わせて形成され
た嵌合口２１ａが形設されたソケットアダプタ、２２は
ソケットベース枠体２０の対向する左右２側面に該側面
に平行に軸受け部２０ａに回動自在に軸承されたヒート
ブロック係止フック、２２ａは円柱形の棒状体からなり
ソケットベース枠体２０の左右側辺外側に平行に軸受け
部２０ａに回転自在に軸承されたヒートブロック係止フ
ック２２の回動軸、２２ｂは下端が回動軸２２ａに軸支
された状態で回動自在に立設された回動部、２２ｃは回
動部２２ｂの上端部にソケットベース枠体２０側の内側
面２２ｆがソケットベース枠体２０側に向かって下方に
傾斜した鉤状に形成された掛止爪、２２ｄは一端が回動
部２２ｂの下端部に略直角に連設され左右外方向に向か
って略水平に延設された拡開ハンドル、２２ｅは回動軸
２２ａに環装され回動部２２ｂをソケットベース枠体２
０の方向に回動付勢するねじりコイルバネ等からなるス
プリング、２２ｇ（図４参照）はヒートブロック係止フ
ック２２の回動軸２２ａが軸着された軸着部に形成され
ヒートブロック係止フック２２の回動範囲を制限するス
トッパ、２３は凹部２０ｃに嵌設されたコンタクトピン
収納部、２３ａはコンタクトピン収納部２３の上面に開
口しソケットベース枠体２０の前後側面に平行に等間隔
で３つ並べて形成されたコンタクトピン収納穴、２４は
各コンタクトピン収納穴２３ａ内に配設され上部がコン
タクトピン収納穴２３ａの上方開口端から僅かに突出す
るジグザグバネ状に形成され下部がコンタクトピン収納
部２３の下面から突出して配設された導体からなるコン
タクトピンである。Reference numeral 9 denotes a device under test for performing a temperature test;
Is a socket base frame made of a heat-resistant synthetic resin and has a square opening at the center, and 20a is formed on both right and left sides of the socket base frame 20 so as to protrude therefrom. A bearing portion 20b having a bearing hole formed in parallel with the side surface thereof is formed on the front and rear side surfaces of the socket base frame 20 and has a top extending upward from the upper surface of the socket base frame 20 and opening upward. , A projection 20b is formed in a rectangular groove-like recess formed in the center of the upper surface of the projection 20b, and 20d is an projection 20b.
A positioning pin protruding from one of the left and right protrusions,
Reference numeral 21 is removably fitted in the center opening of the socket base frame 20, and the size and electrodes of the device 9 to be measured (lead frame such as IC package or BGA (Ball G
rid Array) a socket adapter having a fitting opening 21a formed in conformity with the terminal of the package, etc., and 22 pivotally mounted on the bearing portion 20a on two opposite left and right side surfaces of the socket base frame 20 in parallel with the side surfaces. The heat block locking hook 22a is freely rotatably supported. The heat block locking hook 22a is formed of a cylindrical rod-shaped body and is rotatably supported by the bearing portion 20a in parallel to the left and right outer sides of the socket base frame 20. A rotating shaft, 22b is a rotating portion which is rotatably erected with its lower end pivotally supported by the rotating shaft 22a, and 22c is an inner surface on the socket base frame 20 side at the upper end of the rotating portion 22b. Reference numeral 22f denotes a hook-shaped hook claw inclined downward toward the socket base frame 20, and one end of the hook claw 22d is provided substantially at a right angle to the lower end of the rotating portion 22b and substantially extends in the left-right outward direction. Extend horizontally Spreading the handle, 22e is mounted around the pivot shaft 22a rotating portion 22b of the socket base frame 2
A spring 22g (see FIG. 4) made of a torsion coil spring or the like that rotates and urges in the direction of 0 is formed on a shaft attachment portion of the heat block engagement hook 22 on which the rotation shaft 22a is attached. A stopper for restricting the rotation range of 22, 23 is a contact pin storage portion fitted in the concave portion 20 c, 23 a is opened on the upper surface of the contact pin storage portion 23, and is equidistantly parallel to the front and rear side surfaces of the socket base frame 20. Three contact pin storage holes 24 formed side by side are arranged in each contact pin storage hole 23a, and the upper portion is formed in a zigzag spring shape slightly protruding from the upper opening end of the contact pin storage hole 23a, and the lower portion is formed as a contact pin storage hole. It is a contact pin made of a conductor arranged to protrude from the lower surface of the portion 23.

【００５２】各々のコンタクトピン収納穴２３ａ内にコ
ンタクトピン２４が配設され、コンタクトピン組立体が
構成されている。前後の突起部２０ｂに突設された位置
決めピン２０ｄは各々ソケットベース枠体２０の中心に
対して点対称となるように配設されている。The contact pins 24 are arranged in the respective contact pin storage holes 23a to form a contact pin assembly. The positioning pins 20d protruding from the front and rear protrusions 20b are respectively disposed so as to be point-symmetric with respect to the center of the socket base frame 20.

【００５３】３０はヒートブロック８の上面に形成され
放熱を行う放熱フィン、３０ａは放熱フィン３０の上面
に放熱フィン３０の前後側辺に対して平行に複数枚突出
形成された放熱羽、３０ｂは放熱フィン３０の上面の対
向する２つの側辺付近に放熱羽３０ａと平行に突出形成
され先端部が外側に向かって曲折する掛合鉤、３０ｃは
放熱フィン３０の上面前後端部付近の位置決めピン２０
ｄと対向する位置に貫設された位置決め孔、３１はヒー
トブロック８の下面に固定され内部にヒータとヒートブ
ロック温度センサとが配設されており嵌合口２１ａ内に
嵌着される被測定デバイス９の上面に当接しヒータの熱
を伝達する伝熱ブロック、３２は放熱フィン３０と伝熱
ブロック３１との間に固設され両端部が放熱フィン３０
の左右両端に突出して配設された板バネ、３３は放熱フ
ィン３０と伝熱ブロック３１との間の板バネ３２の下部
に固設されヒータ及びヒートブロック温度センサ用の通
電線がプリント配線された配線基板、３４は放熱フィン
３０の上面４箇所に放熱フィン３０の上面から伝熱ブロ
ック３１にかけて螺嵌され伝熱ブロック３１，板バネ３
２，配線基板３３を放熱フィン３０に固定する固定ネジ
である。配線基板３３には位置決め孔３０ｃと同位置に
嵌設された位置決め孔３３ａ（図５（ｄ）参照）が嵌設
されている。Reference numeral 30 denotes a heat dissipating fin formed on the upper surface of the heat block 8 to dissipate heat, 30a denotes a plurality of heat dissipating wings formed on the upper surface of the heat dissipating fin 30 in parallel with the front and rear sides of the heat dissipating fin 30, and 30b denotes Hooks are formed near two opposing sides of the upper surface of the radiating fin 30 in parallel with the radiating wings 30a, and the leading ends are bent outward. 30c is a positioning pin 20 near the front and rear ends of the upper surface of the radiating fin 30.
A positioning hole 31 penetrated at a position facing d, a device to be measured which is fixed to the lower surface of the heat block 8, has a heater and a heat block temperature sensor disposed therein, and is fitted in the fitting opening 21a. A heat transfer block 32 which is in contact with the upper surface of the heat transfer member 9 and which transfers the heat of the heater;
The leaf springs 33 projecting from both left and right ends are fixed below the leaf springs 32 between the radiating fins 30 and the heat transfer block 31, and energized wires for a heater and a heat block temperature sensor are printed and wired. The wiring board 34 is screwed into the upper surface of the radiating fin 30 at four places from the upper surface of the radiating fin 30 to the heat transfer block 31.
2. Fixing screws for fixing the wiring board 33 to the radiation fins 30. A positioning hole 33a (see FIG. 5D) fitted in the same position as the positioning hole 30c is fitted in the wiring board 33.

【００５４】ヒートブロック８のバーンインソケット７
への装着は、板バネ３２の左右端部を左右のヒートブロ
ック係止フック２２の掛止爪２２ｃの内側面２２ｆに滑
らせながら押し込む。ヒートブロック８が押し込まれる
のに伴い、左右のヒートブロック係止フック２２の回動
部２２ｂは拡開方向（左右の回動部２２ｂ，２２ｂが互
いに離れる方向）に回動する。板バネ３２の左右端部が
鉤状となった掛止爪２２ｃの下部まで摺動すると、スプ
リング２２ｅにより左右のヒートブロック係止フック２
２はバーンインソケットのソケットアダプタ２１の方向
に戻され、板バネ３２の左右端部は掛止爪２２ｃにより
係止される。Burn-in socket 7 of heat block 8
For the mounting on the left and right sides, the left and right ends of the leaf spring 32 are pushed into the inner surface 22f of the hook 22c of the left and right heat block locking hooks 22 while sliding. As the heat block 8 is pushed in, the turning portions 22b of the left and right heat block locking hooks 22 turn in the expanding direction (the direction in which the left and right turning portions 22b, 22b move away from each other). When the left and right ends of the leaf spring 32 slide to the lower portion of the hook-shaped hooking claw 22c, the left and right heat block locking hooks 2 are moved by the spring 22e.
2 is returned in the direction of the socket adapter 21 of the burn-in socket, and the left and right ends of the leaf spring 32 are locked by the locking claws 22c.

【００５５】逆に、ヒートブロック８のバーンインソケ
ット７からの抜脱は、拡開ハンドル２２ｄを上方から下
方に向かって押圧し、ヒートブロック係止フックの回動
部２２ｂを拡開方向に回動させる。これにより、掛止爪
２２ｃは板バネ３２の左右端部から外れ、ヒートブロッ
ク８が脱着自在となる。Conversely, when the heat block 8 is pulled out of the burn-in socket 7, the expanding handle 22d is pressed downward from above, and the rotating portion 22b of the heat block locking hook is rotated in the expanding direction. Let it. As a result, the hook 22c comes off the left and right ends of the leaf spring 32, and the heat block 8 becomes detachable.

【００５６】バーンインソケット７へのヒートブロック
８の装着は、バーンインソケット７の突起部２０ｂ上面
に突設された位置決めピン２０ｄはヒートブロック８の
位置決め孔３０ｃに嵌合することにより、所定の位置に
正確に装着される。When the heat block 8 is mounted on the burn-in socket 7, the positioning pin 20d protruding from the upper surface of the protrusion 20b of the burn-in socket 7 is fitted into the positioning hole 30c of the heat block 8 so that the heat block 8 is positioned at a predetermined position. Mounted correctly.

【００５７】また、このとき、コンタクトピン２４の上
面はヒートブロック８の配線基板３３に当接し、押圧さ
れ押し下げられる。コンタクトピン２４はコンタクトピ
ン収納穴２３ａ内がジグザグバネ状に形成されており
（図６参照）、コンタクトピンの上端部は配線基板３３
に押圧付勢された状態となる。At this time, the upper surface of the contact pin 24 comes into contact with the wiring board 33 of the heat block 8, and is pressed down. The contact pins 24 are formed in a zigzag spring shape in the contact pin storage holes 23a (see FIG. 6).
Is pressed and urged.

【００５８】図５（ａ）は図１乃至図４のヒートブロッ
クの平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）の側面図で
あり、図５（ｃ）は図１乃至図４のヒートブロックの正
面図であり、図５（ｄ）は図１乃至図４のヒートブロッ
クの底面図である。FIG. 5A is a plan view of the heat block shown in FIGS. 1 to 4, FIG. 5B is a side view of FIG. 5A, and FIG. FIG. 5D is a front view of the heat block of FIG. 4, and FIG. 5D is a bottom view of the heat block of FIGS.

【００５９】図５において、８はヒートブロック、３０
は放熱フィン、３０ａは放熱羽、３０ｂは掛合鉤、３０
ｃは位置決め孔、３１は伝熱ブロック、３２は板バネ、
３３は配線基板、３４は固定ネジであり、これらは図１
乃至図４で説明したものと同様のものであり、同一の符
号を付して説明は省略する。In FIG. 5, reference numeral 8 denotes a heat block;
Is a radiation fin, 30a is a radiation wing, 30b is a hook, 30
c is a positioning hole, 31 is a heat transfer block, 32 is a leaf spring,
33 is a wiring board, 34 is a fixing screw, these are shown in FIG.
4 to FIG. 4, the same reference numerals are given and the description is omitted.

【００６０】３３ａは配線基板３３の板面の位置決め孔
３０ｃに対向する位置に貫設された位置決め孔、４０は
伝熱ブロック３１の上面に前後方向に形成されたヒータ
収納溝、４０ａはヒータ収納溝４０の中央部に突設され
た突起や突条からなる突起部、４１，４１’はヒータ収
納溝４０内の突起部４０ａの左右底部に配設されたヒー
タ、４２は突起部４０ａ上面に配設されたヒートブロッ
ク温度センサ、４３，４３’は配線基板３３下面にプリ
ント配線されたヒータ用電源ライン、４３ａ，４３ａ’
はヒートブロック８の中心（配線基板３３の下面の対角
線の交点）に対して点対称の位置に形成されコンタクト
ピン２４が当接するヒータ電極用パット、４４，４５は
配線基板３３下面にプリント配線されヒートブロック温
度センサ４２の２本の端子の各々が接続するヒートブロ
ック温度センサ用ライン、４４ａ，４４ｂはヒートブロ
ック温度センサ用ライン４４の両端に形成されコンタク
トピン２４が当接するヒートブロック温度センサ用パッ
ト、４５ａ，４５ｂはヒートブロック温度センサ用ライ
ン４５の両端に形成されコンタクトピン２４が当接する
ヒートブロック温度センサ用パットである。Reference numeral 33a denotes a positioning hole formed in a position facing the positioning hole 30c on the plate surface of the wiring board 33, reference numeral 40 denotes a heater housing groove formed on the upper surface of the heat transfer block 31 in the front-rear direction, and reference numeral 40a denotes a heater housing. The protrusions 41 and 41 ′ are provided at the left and right bottoms of the protrusions 40 a in the heater storage groove 40, and the protrusions 42 are provided on the upper surface of the protrusions 40 a. The disposed heat block temperature sensors 43 and 43 ′ are heater power supply lines printed on the lower surface of the wiring board 33 and 43 a and 43 a ′.
Are heater electrode pads formed at point-symmetric positions with respect to the center of the heat block 8 (intersections of diagonal lines on the lower surface of the wiring board 33) and contacted with the contact pins 24, and 44 and 45 are printed wiring on the lower surface of the wiring board 33. Lines for the heat block temperature sensor to which each of the two terminals of the heat block temperature sensor 42 is connected. Pads 44a and 44b are formed at both ends of the line 44 for the heat block temperature sensor and the pads for the heat block temperature sensor to which the contact pins 24 contact. Reference numerals 45a and 45b denote heat block temperature sensor pads formed at both ends of the heat block temperature sensor line 45 and contacting the contact pins 24.

【００６１】ヒートブロック温度センサ用パット４４ａ
とヒートブロック温度センサ用パット４５ｂ、及びヒー
トブロック温度センサ用パット４５ａとヒートブロック
温度センサ用パット４４ｂとはヒートブロック８の中心
（配線基板３３の下面の対角線の交点）に対して点対称
の位置に形成されている。また、ヒータ電極用パット４
３ａ，４３ａ’もヒートブロック８の中心（配線基板３
３の下面の対角線の交点）に対して点対称の位置に形成
されているため、ヒートブロック８をバーンインソケッ
ト７に前後逆付けしても、ヒータ電極はヒータ電極用の
ヒートブロック温度センサ用パット４４ａ，４４ｂ，４
５ａ，４５ｂに正常に接続され、ヒートブロック温度セ
ンサ用電極はヒートブロック温度センサ用のヒータ用電
源ライン４３に正常に接続される。Heat block temperature sensor pad 44a
The heat block temperature sensor pad 45b and the heat block temperature sensor pad 45a and the heat block temperature sensor pad 44b are point-symmetric with respect to the center of the heat block 8 (the intersection of diagonal lines on the lower surface of the wiring board 33). Is formed. In addition, the heater electrode pad 4
3a and 43a 'are also located at the center of the heat block 8 (wiring board 3
3 is formed at a point symmetrical position with respect to a diagonal line on the lower surface of the heat sink 3, even if the heat block 8 is mounted on the burn-in socket 7 in the front-rear direction, the heater electrode is used as a heat block temperature sensor pad for the heater electrode. 44a, 44b, 4
The electrodes for the heat block temperature sensor are normally connected to the heater power supply line 43 for the heat block temperature sensor.

【００６２】本実施の形態においてはヒートブロック温
度センサ４２としては白金、銅、ニッケル等の測温抵抗
体が使用されるが、ヒートブロック温度センサ４２とし
てはこれに限られたものではなく、サーミスタや熱電対
等を使用してもよい。In this embodiment, a temperature measuring resistor made of platinum, copper, nickel, or the like is used as the heat block temperature sensor 42. However, the heat block temperature sensor 42 is not limited to this. Or a thermocouple may be used.

【００６３】図６（ａ）は図２〜図４のコンタクトピン
組立体の斜視図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−
Ａ線矢視断面図であり、図６（ｃ）は図６（ａ）のＢ−
Ｂ線矢視断面図である。FIG. 6A is a perspective view of the contact pin assembly shown in FIGS. 2 to 4, and FIG.
FIG. 6C is a cross-sectional view taken along the line A, and FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line B.

【００６４】図６において、２３はコンタクトピン収納
部、２３ａはコンタクトピン収納穴、２４はコンタクト
ピンであり、これらは図２〜図４と同様のものであるた
め、同一の符号を付して説明は省略する。In FIG. 6, reference numeral 23 denotes a contact pin storage portion, reference numeral 23a denotes a contact pin storage hole, and reference numeral 24 denotes a contact pin. These are the same as those shown in FIGS. Description is omitted.

【００６５】２４ａはコンタクトピン収納穴２３ａの底
面からコンタクトピン収納部２３の底面に貫設されたコ
ンタクトピン２４の基端部、２４ｂはコンタクトピン２
４の中央から先端にかけて形設されたジグザグバネから
なる押圧スプリング、２４ｃはコンタクトピン２４の先
端部付近に形成されコンタクトピン収納部２３の内壁面
に当接し直線状に形成された摺動部、２４ｄは最上端が
コンタクトピン収納穴２３ａから突出するように摺動部
２４ｃの先端に曲折形成されヒータ電極用パット４３
ａ，４３ａ’，ヒートブロック温度センサ用パット４４
ａ，４４ｂ，４５ａ，４５ｂ（以下、これらをまとめて
電極部と呼ぶ。）に接触し電気的に接続する接触部、２
４ｅは接触部２４ｄの先端に形設され摺動部２４ｃの接
触するコンタクトピン収納穴２３ａ内壁と対向する内壁
に当接し直線状に形成された先端摺動部である。Reference numeral 24a denotes a base end of the contact pin 24 penetrating from the bottom of the contact pin storage hole 23a to the bottom of the contact pin storage 23, and 24b denotes a contact pin 2
A pressing spring 24c formed of a zigzag spring formed from the center to the tip of 4; a sliding portion 24c formed near the tip of the contact pin 24 and abutting against the inner wall surface of the contact pin housing 23 and formed linearly; The heater electrode pad 43 is bent at the tip of the sliding portion 24c so that the uppermost end protrudes from the contact pin housing hole 23a.
a, 43a ', pad 44 for heat block temperature sensor
a, 44b, 45a, and 45b (hereinafter, these are collectively referred to as an electrode unit), and a contact portion that is electrically connected to the contact portion;
Reference numeral 4e denotes a distal end sliding portion which is formed at the distal end of the contact portion 24d and linearly contacts the inner wall of the sliding portion 24c which is in contact with the inner wall of the contact pin housing hole 23a.

【００６６】尚、コンタクトピン２４の先端には、先端
摺動部２４ｅはなくてもよい。先端摺動部２４ｅをなく
し、コンタクトピン２４の先端の接触部２４ｄを水平方
向に可動自在とすると、コンタクトピン２４の先端の接
触部２４ｄが電極部に接触し押圧される際に、接触部２
４ｄが電極部の表面を摺動（ワイピング）する構造とす
ることができ、接触部２４ｄと電極部との接触抵抗を低
くすることができる。It is to be noted that the leading end of the contact pin 24 may not have the leading end sliding portion 24e. If the tip sliding portion 24e is eliminated and the contact portion 24d at the tip of the contact pin 24 is movable in the horizontal direction, the contact portion 24d at the tip of the contact pin 24 contacts the electrode portion and is pressed when the contact portion 24d is pressed.
4d can be configured to slide (wiping) the surface of the electrode portion, and the contact resistance between the contact portion 24d and the electrode portion can be reduced.

【００６７】図７はコンタクトピンの先端が接触時に接
触面を摺動するように構成した場合のコンタクトピン組
立体の要部断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of a main part of a contact pin assembly in a case where the tip of the contact pin slides on the contact surface at the time of contact.

【００６８】図７において、２３ａはコンタクトピン収
納穴、２４はコンタクトピン、２４ａは基端部、２４ｂ
は押圧スプリング、２４ｃは摺動部であり、これらは図
６と同様のものであり、同一の符号を付して説明は省略
する。In FIG. 7, reference numeral 23a denotes a contact pin receiving hole, 24 denotes a contact pin, 24a denotes a base end, and 24b
Denotes a pressing spring, and 24c denotes a sliding portion, which are the same as those in FIG. 6, and are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

【００６９】２４ｄ’は最上端がコンタクトピン収納穴
２３ａから突出するように摺動部２４ｃの先端に曲折形
成され電極部に接触し電気的に接続する接触摺動部であ
る。接触摺動部２４ｄ’は、電極部に圧接される際に電
極部の表面を摺動する。これにより、電極部表面の錆や
ゴミが掃拭され、コンタクトピン２４と電極部との接触
不良が防止される。また、電極部表面の錆やゴミが掃拭
され、コンタクトピン２４と電極部との接触抵抗が減少
する。Reference numeral 24d 'denotes a contact sliding portion which is bent at the tip of the sliding portion 24c so that the uppermost end protrudes from the contact pin housing hole 23a, and comes into contact with the electrode portion and is electrically connected thereto. The contact sliding portion 24d 'slides on the surface of the electrode portion when pressed against the electrode portion. As a result, rust and dust on the surface of the electrode portion are wiped, and poor contact between the contact pin 24 and the electrode portion is prevented. Further, rust and dust on the surface of the electrode portion are wiped off, and the contact resistance between the contact pin 24 and the electrode portion is reduced.

【００７０】図８は実施の形態１のバーンイン装置の制
御回路の構成を表すブロック図である。図８において、
４はバーンインボード、４ａはカードエッジ、５はコネ
クタ、７はバーンインソケット、８はヒートブロック、
９は被測定デバイス、４１，４１’はヒータ、４２はヒ
ートブロック温度センサであり、これらは図１で示した
ものと同様のものであり、同一の符号を付して説明を省
略する。FIG. 8 is a block diagram showing a configuration of a control circuit of the burn-in device according to the first embodiment. In FIG.
4 is a burn-in board, 4a is a card edge, 5 is a connector, 7 is a burn-in socket, 8 is a heat block,
Reference numeral 9 denotes a device to be measured, 41 and 41 'denote heaters, and 42 denotes a heat block temperature sensor. These are the same as those shown in FIG.

【００７１】なお、図８においては、代表として被測定
デバイスの組み込まれたバーンインソケット・ヒートブ
ロック組立体を１つ示しているが、バーンインボード４
上には、複数のバーンインソケット・ヒートブロック組
立体が配設されており、各々のバーンインソケット・ヒ
ートブロック組立体について図８と同様の温度制御回路
が構成されている。FIG. 8 shows one burn-in socket / heat block assembly in which the device to be measured is incorporated as a representative.
Above, a plurality of burn-in socket / heat block assemblies are provided, and a temperature control circuit similar to that of FIG. 8 is configured for each burn-in socket / heat block assembly.

【００７２】６０はバーンイン制御基板６及びパソコン
等により構成されるバーンイン装置１の制御回路であ
る。制御回路６０はコネクタ５及びカードエッジ４ａを
通してバーンインボード４に電気的に接続される。６１
はヒートブロック温度センサ４２に接続されヒートブロ
ック温度センサ４２によりヒートブロック８の温度を検
出し温度検出信号を出力する温度検出回路、６２は温度
検出回路６１から入力される温度検出信号を増幅して出
力するアンプ、６３は被測定デバイス９に印加する電圧
を発生する定電圧電源、６４は一端が定電圧電源６３の
出力端子に接続され他端が被測定デバイス９の電源端子
に接続され定電圧電源６３が被測定デバイス９に供給す
る電流を電圧値として検出するために配設された電流検
出抵抗、６５は定電圧電源６３の発生する電圧を設定す
る電圧制御部、６６は２つの入力側端子が電流検出抵抗
６４の両端に接続され電流検出抵抗６４の両端電圧を増
幅し電流検出信号として出力する差動アンプ、６７はマ
ルチプレクサ等の切り換え回路により構成されアンプ６
２及び差動アンプ６６から入力される信号を選択的に切
り換えて出力する入力切換部、６８は入力切換部６７か
ら入力されるアナログ信号を量子化して出力するＡ／Ｄ
変換器（アナログ−デジタル変換器）、６９はチャンバ
２内又はバーンインボード４上に配設され被測定デバイ
ス９の周辺の空気の温度を測定する周囲温度検出セン
サ、７０はＡ／Ｄ変換器６８から入力される温度検出信
号及び電流検出信号並びに周囲温度検出センサ６９によ
り検出される被測定デバイス９の周囲の空気の温度の検
出信号の値に基づきヒータ４１，４１’の出力を制御す
る制御部、７１は制御部７０の設定によりヒータ４１，
４１’に加える電圧のデューティ制御を行うＰＷＭ回
路、７２は三極双方向性サイリスタ等により構成されＰ
ＷＭ回路７１の制御によりヒータ４１，４１’に印加す
る電圧のオン・オフを行うヒータ電源スイッチング部で
ある。Reference numeral 60 denotes a control circuit of the burn-in apparatus 1 composed of the burn-in control board 6 and a personal computer. The control circuit 60 is electrically connected to the burn-in board 4 through the connector 5 and the card edge 4a. 61
Is a temperature detection circuit which is connected to the heat block temperature sensor 42, detects the temperature of the heat block 8 by the heat block temperature sensor 42, and outputs a temperature detection signal, and 62 amplifies the temperature detection signal input from the temperature detection circuit 61. An output amplifier, 63 is a constant voltage power supply for generating a voltage to be applied to the device under test 9, 64 is a constant voltage having one end connected to the output terminal of the constant voltage power supply 63 and the other end connected to the power supply terminal of the device under test 9. A current detection resistor provided for detecting a current supplied from the power supply 63 to the device under test 9 as a voltage value, a voltage control unit 65 for setting a voltage generated by the constant-voltage power supply 63, and two input sides 66 A differential amplifier having terminals connected to both ends of the current detection resistor 64 and amplifying the voltage between both ends of the current detection resistor 64 and outputting it as a current detection signal. It is constituted by Rikae circuit amplifier 6
2 and an input switching unit 68 for selectively switching and outputting a signal input from the differential amplifier 66, and an A / D 68 for quantizing and outputting an analog signal input from the input switching unit 67.
A converter (analog-digital converter) 69 is an ambient temperature detection sensor that is disposed in the chamber 2 or on the burn-in board 4 and measures the temperature of air around the device 9 to be measured. 70 is an A / D converter 68. A control unit that controls the outputs of the heaters 41 and 41 ′ based on the values of the temperature detection signal and the current detection signal input from the CPU and the detection signal of the temperature of the air around the device under test 9 detected by the ambient temperature detection sensor 69. , 71 are heaters 41,
A PWM circuit for controlling the duty of the voltage applied to 41 ′, 72 is constituted by a three-pole bidirectional thyristor, etc.
A heater power supply switching unit for turning on / off a voltage applied to the heaters 41 and 41 'under the control of the WM circuit 71.

【００７３】本実施の形態において、ヒータ電力印加手
段はＰＷＭ回路７１，ヒータ電源スイッチング部７２に
より構成され、電力検出手段は電流検出抵抗６４，差動
アンプ６６，Ａ／Ｄ変換器６８，制御部７０により構成
され、素子温度推定手段及びヒータ制御手段は制御部７
０により構成されている。In the present embodiment, the heater power application means comprises a PWM circuit 71 and a heater power supply switching section 72, and the power detection means comprises a current detection resistor 64, a differential amplifier 66, an A / D converter 68, a control section. 70, the element temperature estimating means and the heater controlling means
0.

【００７４】図９（ａ）は実施の形態１のバーンイン装
置のヒートブロックの配線を示す回路構成図であり、図
９（ｂ）は実施の形態１のバーンイン装置の温度検出回
路の構成を表す回路構成図である。FIG. 9A is a circuit diagram showing the wiring of the heat block of the burn-in device of the first embodiment, and FIG. 9B shows the structure of the temperature detection circuit of the burn-in device of the first embodiment. It is a circuit block diagram.

【００７５】図９において、８はヒートブロック、４
１，４１’はヒータ、４２はヒートブロック温度セン
サ、４３ａ，４３ａ’はヒータ電極用パット、４４ａ，
４４ｂ，４５ａ，４５ｂはヒートブロック温度センサ用
パット、６１は温度検出回路、６２はアンプであり、こ
れらは図５又は図８と同様なものなので、同一の符号を
付して説明を省略する。In FIG. 9, reference numeral 8 denotes a heat block,
1, 41 'are heaters, 42 is a heat block temperature sensor, 43a, 43a' are heater electrode pads, 44a,
Reference numerals 44b, 45a, and 45b denote pads for a heat block temperature sensor, 61 denotes a temperature detection circuit, and 62 denotes an amplifier. These are the same as those in FIG. 5 or FIG.

【００７６】ヒータ４１，４１’の一端はヒータ電極用
パット４３ａに共通接続され、他端はヒータ電極用パッ
ト４３ａ’に共通接続されている。また、ヒートブロッ
ク温度センサ４２の一端はヒートブロック温度センサ用
パット４４ａ，４４ｂに共通接続されており、他端はヒ
ートブロック温度センサ用パット４５ａ，４５ｂに共通
接続されている。また、ヒータ電極用パット４３ａとヒ
ータ電極用パット４３ａ’、ヒートブロック温度センサ
用パット４４ａとヒートブロック温度センサ用パット４
５ｂ、ヒートブロック温度センサ用パット４５ａとヒー
トブロック温度センサ用パット４４ｂとはヒートブロッ
ク８の中心に対し点対称な位置にあるため、仮にヒート
ブロック８をバーンインソケット７に装着する際に前後
を逆に装着しても機械的に正常に装着され、回路的にも
対称な構成となっているため、回路的にも正常に接続さ
れる。One end of each of the heaters 41 and 41 'is commonly connected to a heater electrode pad 43a, and the other end is commonly connected to a heater electrode pad 43a'. One end of the heat block temperature sensor 42 is commonly connected to the heat block temperature sensor pads 44a, 44b, and the other end is commonly connected to the heat block temperature sensor pads 45a, 45b. Also, the heater electrode pad 43a and the heater electrode pad 43a ', the heat block temperature sensor pad 44a and the heat block temperature sensor pad 4a.
5b, since the pad 45a for the heat block temperature sensor and the pad 44b for the heat block temperature sensor are located at point-symmetric positions with respect to the center of the heat block 8, when the heat block 8 is mounted on the burn-in socket 7, the front and rear are reversed. Even if it is mounted, it is normally mounted mechanically and has a symmetrical configuration with respect to the circuit, so that the circuit is normally connected.

【００７７】ヒートブロック温度センサ４２には測温抵
抗体やサーミスタが用いられるため、ヒートブロック８
の温度を正確に検出するには、ヒートブロック温度セン
サ４２の抵抗値Ｒsを正確に検出する必要がある。一
方、ヒートブロック８の配線基板３３上やバーンインボ
ード４上のプリント配線材の線材の抵抗値等も温度によ
り変化するため、温度検出回路６１はこれらの配線材の
抵抗値の温度変化に影響されない抵抗値検出回路とする
必要がある。このような温度検出回路６１として、回路
構成の単純化及び高精度化の点から図９（ｂ）に示した
ような４端子法による抵抗値検出回路が好適に用いられ
る。The heat block temperature sensor 42 uses a resistance temperature detector or a thermistor.
To detect the temperature accurately, it is necessary to accurately detect the resistance value R s of the heat block temperature sensor 42. On the other hand, since the resistance of the printed wiring material on the wiring board 33 of the heat block 8 and the burn-in board 4 also changes with temperature, the temperature detection circuit 61 is not affected by the temperature change of the resistance of these wiring materials. It is necessary to use a resistance value detection circuit. As such a temperature detection circuit 61, a resistance value detection circuit using a four-terminal method as shown in FIG. 9B is preferably used in terms of simplification of the circuit configuration and high accuracy.

【００７８】図９（ｂ）において、８１はヒートブロッ
ク温度センサ４２に一定の電流Ｉ1を供給する定電流
源、８２，８３，８４及び８５はコネクタの接触抵抗，
プリントパターンの抵抗等の配線抵抗である。ここで
は、配線抵抗８２，８３，８４，８５の各々抵抗値はそ
れぞれＲ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4で表す。[0078] In FIG. 9 (b), 81 is a constant current source for supplying a constant current I 1 to a heat block temperature sensor 42, 82, 83, 84 and 85 contact resistance of the connector,
This is the wiring resistance such as the resistance of the printed pattern. Here, each of the respective resistance value of the wiring resistance 82, 83, 84, and 85 represented by R 1, R 2, R 3 , R 4.

【００７９】アンプ６２の入力インピーダンスは極めて
大きいため、定電流源８１からの電流は、殆ど全てがヒ
ートブロック温度センサ４２に流れる。従って、配線抵
抗８４，８５には殆ど電流は流れず、ここでの電圧低下
は、ほぼ０Ｖとなる。これにより、アンプ６２の入力端
子Ｏ1，Ｏ2にはヒートブロック温度センサ４２の両端電
圧Ｖsが直接現れ、これにより、線抵抗や接触抵抗等に
影響されず正確にヒートブロック温度センサ４２の抵抗
値Ｒsを測定することが可能となる。検出されたヒート
ブロック温度センサ４２の両端電圧Ｖsはアンプ６２に
より増幅され、入力切換部６７からＡ／Ｄ変換器６８，
制御部７０へと出力される。Since the input impedance of the amplifier 62 is extremely large, almost all of the current from the constant current source 81 flows to the heat block temperature sensor 42. Therefore, almost no current flows through the wiring resistances 84 and 85, and the voltage drop here becomes almost 0V. Thus, the input terminals O 1, O 2 of the amplifier 62 appears across the voltage V s of the heat block temperature sensor 42 is directly a result, without being affected by the line resistance and the contact resistance or the like accurately in the heat block temperature sensor 42 it is possible to measure the resistance value R s. End voltage V s is amplified by the amplifier 62, the input switching unit 67 A / D converter 68 of the heat block temperature sensor 42 is detected,
It is output to the control unit 70.

【００８０】以上のように構成された本実施の形態のバ
ーンイン装置において、以下そのバーンイン方法につい
て説明する。The burn-in method of the burn-in apparatus of the present embodiment having the above-described configuration will be described below.

【００８１】図１０は本発明の実施の形態１のバーンイ
ン方法の全体の流れを示すフローチャートであり、図１
１は実施の形態１における温度制御における熱伝達モデ
ルを表す図である。FIG. 10 is a flowchart showing the entire flow of the burn-in method according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 1 is a diagram illustrating a heat transfer model in temperature control according to the first embodiment.

【００８２】図１１において、７はバーンインソケッ
ト、８はヒートブロック、９は被測定デバイス、９ａは
被測定デバイス９の内部に配設された素子部、９ｂは素
子部９ａを保護するために素子部９ａを被覆する樹脂や
セラミック等からなるパッケージ、θaは被測定デバイ
ス９の周囲の空気の温度（外気温度）、θhはヒートブ
ロック８の温度、θdは素子部９ａの温度、Ｒh1はヒー
トブロック８から素子部９ａへの熱伝達時の熱抵抗、Ｒ
h3は素子部９ａから外部への熱放出の際の熱抵抗、Ｐd
は被測定デバイス９に加えられる電力である。In FIG. 11, 7 is a burn-in socket, 8 is a heat block, 9 is a device to be measured, 9a is an element disposed inside the device 9 to be measured, and 9b is an element for protecting the element 9a. packages made of a resin or ceramic for covering the parts 9a, theta a air temperature (outside air temperature) around the measured device 9, theta h the temperature of the heat block 8, theta d is the temperature of the active element 9a, R h1 is the thermal resistance when heat is transferred from the heat block 8 to the element section 9a, R
h3 is the thermal resistance at the time of heat release from the element section 9a to the outside, P d
Is the power applied to the device under test 9.

【００８３】本実施の形態においては、素子部９ａの温
度θdは、素子部９ａに印加される電力Ｐdにより発生す
る発熱量と、ヒートブロック８より素子部９ａに伝達さ
れる熱量と、素子部９ａから外部に放熱される熱量によ
り定まると仮定する。In the present embodiment, the temperature θ d of the element section 9a is determined by the amount of heat generated by the electric power P d applied to the element section 9a, the amount of heat transmitted from the heat block 8 to the element section 9a, It is assumed that it is determined by the amount of heat radiated from the element section 9a to the outside.

【００８４】まず、バーンイン試験が開始されると、図
１に示すように、送風口３より所定の温度の空気をチャ
ンバ２内に送風し、制御部７０はこれから行うバーンイ
ン時間Ｔ1、バーンイン温度θ1、被測定デバイスへの印
加電圧Ｖ1を内部のメモリに設定し、電圧制御部６５に
より定電圧電源６３の被測定デバイスへの印加電圧Ｖ 1
を設定する（Ｓ１）。次いで、制御部７０は予め測定し
ておいた熱抵抗値Ｒh1，Ｒh3の値を内部のメモリに設定
する（Ｓ２）。ここで、バーンイン時間Ｔ1、バーンイ
ン温度θ1、被測定デバイス９への印加電圧Ｖ1，熱抵抗
値Ｒh1，Ｒh3の設定は、制御部７０にＲＯＭやＦＲＡＭ
等の記憶装置を備えておき、予め記憶装置に記憶させた
値を読み出してもよいし、制御部７０にパソコン等の端
末装置を接続し、直接設定するようにしてもよい。First, when the burn-in test is started,
As shown in FIG. 1, air at a predetermined temperature is
The control unit 70 blows air into the
Time T1, Burn-in temperature θ1, Mark on device under test
Applied voltage V1Is set in the internal memory, and the voltage control unit 65
The voltage V applied to the device under test by the constant voltage power supply 63 1
Is set (S1). Next, the control unit 70 performs measurement in advance.
Thermal resistance value Rh1, Rh3Is set to internal memory
(S2). Here, the burn-in time T1, Baan Yi
Temperature θ1, The voltage V applied to the device under test 91,Thermal resistance
Value Rh1, Rh3Is set in the control unit 70 by using ROM or FRAM.
Etc. are provided and stored in the storage device in advance.
The value may be read out, or the controller 70
A terminal device may be connected and set directly.

【００８５】次に、制御部７０は、内部に備えたタイマ
の計時値ｔ1をリセットしタイマをスタートさせる（Ｓ
３）。次いで、制御部７０は周囲温度検出センサ６９に
より被測定デバイス９の周囲の外気温度θaを検出し
（Ｓ４）、電流検出抵抗６４，差動アンプ６６により被
測定デバイス９に流れる電流値Ｉdを検出し（Ｓ５）、
被測定デバイス９の印加電力Ｐd＝Ｖ1×Ｉ1を計算する
（Ｓ６）。次に、制御部７０はヒートブロック温度セン
サ４２により検出されるヒートブロック８の温度θhを
検出する（Ｓ７）。Next, the control unit 70 resets the counted value t 1 of the timer provided therein and starts the timer (S
3). Next, the controller 70 detects the ambient temperature θ a around the device under test 9 by the ambient temperature detection sensor 69 (S4), and the current value I d flowing through the device 9 under test by the current detection resistor 64 and the differential amplifier 66. Is detected (S5),
The applied power P d = V 1 × I 1 of the device under test 9 is calculated (S6). Next, the controller 70 detects the temperature θ h of the heat block 8 detected by the heat block temperature sensor 42 (S7).

【００８６】次に、制御部７０は、温度θa，θh，印加
電力Ｐd，熱抵抗値Ｒh1，Ｒh3から被測定デバイス９内
の素子部９ａの温度θdを計算により推定する（Ｓ
８）。ステップＳ８における素子部９ａの温度θdの推
定方法については後述する。Next, the control unit 70 estimates the temperature θ d of the element unit 9 a in the device 9 from the calculation from the temperatures θ a and θ h , the applied power P d , and the thermal resistance values R h1 and R h3. (S
8). It will be described later method of estimating the temperature theta d of the element portion 9a in step S8.

【００８７】次に、制御部７０は、推定された素子部９
ａの温度θdとバーンイン試験を行う際の目標とする素
子部９ａの温度θd0とに基づきヒータ４１，４１’の制
御量を決定しＰＷＭ回路７１に制御信号を出力する（Ｓ
９）。ここで、本実施の形態の場合にはヒータ４１，４
１’の制御はＰＷＭ制御により行っているため、ヒータ
４１，４１’の制御量としてはテューティである。温度
θd，θd0からのデューティの決定方法としては、温度
差θd−θd0や温度比θd／θd0等に基づくＰ制御、ＰＩ
制御、ＰＩＤ制御等の一般によく知られた制御方法が用
いられる。ＰＷＭ回路７１は、制御部７０より制御信号
が入力されると、ヒータ電源スイッチング部７２により
デューティコントロールを行い、ヒータ４１，４１’の
温度制御を行う（Ｓ１０）。Next, the control unit 70 controls the estimated element unit 9.
determining the control value of the heater 41, 41 'based on the temperature theta d0 of the element portion 9a of the target when performing the temperature theta d and burn-in test of a outputs a control signal to the PWM circuit 71 (S
9). Here, in the case of the present embodiment, the heaters 41, 4
Since the control of 1 ′ is performed by the PWM control, the control amount of the heaters 41 and 41 ′ is a duty. Methods for determining the duty from the temperatures θ d and θ d0 include P control based on the temperature difference θ d −θ d0 and the temperature ratio θ d / θ d0 ,
A generally well-known control method such as control and PID control is used. When the control signal is input from the control unit 70, the PWM circuit 71 performs duty control by the heater power supply switching unit 72 and controls the temperature of the heaters 41 and 41 '(S10).

【００８８】次に、制御部７０は内部のタイマの計時値
ｔ1と設定されたバーンイン時間Ｔ1とを比較し（Ｓ１
１）、計時値ｔ1がバーンイン時間Ｔ1に達していない場
合にはステップＳ４に戻る。Next, the control unit 70 compares the count value t 1 of the internal timer with the set burn-in time T 1 (S1).
1) If the measured time t 1 has not reached the burn-in time T 1 , the process returns to step S4.

【００８９】ステップＳ１１において、内部のタイマの
計時値ｔ1がバーンイン時間Ｔ1に達している場合、制御
部７０は電圧制御部６５に電源を切る信号を出力し被測
定デバイス９への電源を切断し、ヒートブロック８の電
源も切断し（Ｓ１２）、バーンイン試験を終了する。In step S 11, when the count value t 1 of the internal timer has reached the burn-in time T 1 , the control unit 70 outputs a signal to turn off the power to the voltage control unit 65 and turns on the power to the device under test 9. Then, the power of the heat block 8 is also turned off (S12), and the burn-in test ends.

【００９０】次に、ステップＳ８におけるヒートブロッ
ク８の目標温度の推定方法について説明する。Next, a method of estimating the target temperature of the heat block 8 in step S8 will be described.

【００９１】本実施の形態においては、ヒートブロック
８の目標温度の推定は、図１１に示したような最も簡単
化した熱平衡条件を仮定した熱伝達モデルに基づく温度
推定により行う。In the present embodiment, the target temperature of the heat block 8 is estimated by a temperature estimation based on a heat transfer model assuming the simplest thermal equilibrium condition as shown in FIG.

【００９２】ヒートブロック８から素子部９ａに流れる
熱量Ｐ1は、ヒートブロック８の温度θhと素子部９ａの
温度θdの差に比例し熱抵抗値Ｒh1に逆比例し、（数
５）により表される。The amount of heat P 1 flowing from the heat block 8 to the element section 9a is proportional to the difference between the temperature θ h of the heat block 8 and the temperature θ d of the element section 9a, and is inversely proportional to the thermal resistance value R h1. ).

【数５】 (Equation 5)

【００９３】また、素子部９ａから電極やパッケージ９
ｂを通して外部に放熱される熱量Ｐ 3は、素子部９ａの
温度θdと外気温度θaとの差に比例し熱抵抗値Ｒh3に逆
比例し、（数６）により表される。Further, the electrodes 9 and the package 9 are separated from the element portion 9a.
The amount of heat P radiated to the outside through b ThreeOf the element section 9a
Temperature θdAnd outside air temperature θaAnd the thermal resistance Rh3Reverse to
It is proportional and expressed by (Equation 6).

【数６】 (Equation 6)

【００９４】素子部９ａは印加される電力によりそれ自
体が発熱するため、熱平衡の状態では、Ｐ3＝Ｐ1＋Ｐd
という平衡条件が成り立つ。従って、素子部９ａの温度
θdは（数７）により推定することができる。The element portion 9a itself generates heat by the applied power, and therefore, in a state of thermal equilibrium, P 3 = P 1 + P d
The equilibrium condition holds. Therefore, the temperature theta d of the element portion 9a can be estimated by equation (7).

【数７】 (Equation 7)

【００９５】（数７）においてε＝Ｒh1／Ｒh3である。
すなわち、素子部９ａの温度θdは、検出される温度
θh，θa、被測定デバイス９の消費電力Ｐd、及び予め
測定しておいた熱抵抗Ｒh1，Ｒh3の値により推定するこ
とが可能である。In (Equation 7), ε = R h1 / R h3 .
That is, the temperature θ d of the element section 9a is estimated from the detected temperatures θ h and θ a , the power consumption P d of the device 9 to be measured, and the previously measured values of the thermal resistances R h1 and R h3. It is possible.

【００９６】（数７）において、熱抵抗値Ｒh3はチャン
バ２内の風速やバーンインボード４の配線の太さやチャ
ンバ２自体の熱伝導率，面積等の条件により変わるた
め、常に安定した値に保つことが難しい。特に、チャン
バ２内の風速に影響されやすく、チャンバ２内の風の流
れの不均一性により、熱抵抗値Ｒh3はチャンバ２内の場
所により異なる。一方、熱抵抗値Ｒh1はヒートブロック
８やパッケージ９ｂの熱伝導率，ヒートブロック８と被
測定デバイス９との接触面積等により決まり、比較的一
定の値とすることが可能である。また、被測定デバイス
９の周囲の空気の温度θaは、チャンバ２内の風の流れ
によりチャンバ２内で均一でなく多少の誤差が現れる。
従って、素子部９ａの温度制御を正確に行うためには、
（数７）において外的要因に影響されやすい熱抵抗値Ｒ
h3及び温度θaの影響を極力小さくすれば、より正確な
温度制御を行うことが可能となる。すなわち、Ｒh3＞＞
Ｒh1とすれば、（数７）は（数８）のように近似される
ため、外的要因の影響を抑えることが可能となる。In the equation (7), the thermal resistance value R h3 varies depending on the conditions such as the wind speed in the chamber 2, the thickness of the wiring of the burn-in board 4, the thermal conductivity and the area of the chamber 2 itself, so that it is always a stable value. Difficult to keep. In particular, the thermal resistance value R h3 is easily affected by the wind speed in the chamber 2, and the thermal resistance value R h3 varies depending on the location in the chamber 2 due to the non-uniformity of the wind flow in the chamber 2. On the other hand, the thermal resistance R h1 is determined by the thermal conductivity of the heat block 8 and the package 9b, the contact area between the heat block 8 and the device under test 9, and can be a relatively constant value. Further, the temperature θ a of the air around the device 9 to be measured is not uniform in the chamber 2 due to the flow of the wind in the chamber 2 and some errors appear.
Therefore, in order to accurately control the temperature of the element section 9a,
In equation (7), the thermal resistance R easily affected by external factors
If h3 and the influence of temperature theta a minimized, it is possible to perform more accurate temperature control. That is, R h3 >>>
If R h1 , ( Equation 7) is approximated as (Equation 8), so that the influence of external factors can be suppressed.

【数８】 (Equation 8)

【００９７】Ｒh3は、主として被測定デバイス９の電極
からバーンインボード４の配線への熱伝導に支配され、
これを大きな値とするためには被測定デバイス９の電極
に接続する配線の断面積を細くする必要がある。しかし
ながら、被測定デバイス９の電極に接続する配線の断面
積を細くした場合、配線の抵抗値が大きくなり、好まし
くない。従って、外的要因の影響を小さくするためには
熱抵抗値Ｒh1を小さくすればよいことが分かる。熱抵抗
値Ｒh1を小さくするためには、ヒートブロック８の被測
定デバイス９との接触面に耐熱性の合成樹脂（テフロン
等）のコーティングを行い、ヒートブロック８と被測定
デバイス９との密着性を高め、熱抵抗値Ｒ h1が小さくな
るように構成することが好ましい。また、ヒートブロッ
ク８の下面中央に凹部を形成し、被測定デバイス９を凹
部に嵌合するように構成することが好ましい。これによ
り熱抵抗値Ｒh1が小さくなり、バーンイン試験時の素子
部９ａの温度をより正確に制御することが可能となる。Rh3Are mainly the electrodes of the device under test 9
From the heat conduction to the wiring of the burn-in board 4
To increase this value, the electrode of the device under test 9 must be
It is necessary to reduce the cross-sectional area of the wiring connected to the wiring. However
The cross section of the wiring connected to the electrodes of the device under test 9
If the product is made thinner, the resistance value of the wiring will increase,
I don't. Therefore, to reduce the effects of external factors
Thermal resistance value Rh1It can be seen that it is only necessary to reduce. Thermal resistance
Value Rh1In order to reduce the
Heat-resistant synthetic resin (Teflon)
Etc.), heat block 8 and measured object
Increases the adhesion to the device 9 and increases the thermal resistance R h1Is small
It is preferred to be configured so that: In addition, heat block
A recess is formed in the center of the lower surface of the workpiece 8, and the device under test 9 is recessed.
It is preferable to configure so as to fit into the portion. This
Heat resistance Rh1Is smaller and the device
It is possible to more accurately control the temperature of the portion 9a.

【００９８】図１２は下部に凹部を形成し被測定デバイ
スを凹部に遊嵌させるように構成したヒートブロックの
要部断面図である。FIG. 12 is a sectional view of a main part of a heat block in which a concave portion is formed in a lower portion and a device to be measured is loosely fitted in the concave portion.

【００９９】図１２において、８はヒートブロック、３
０は放熱フィン、３０ａは放熱羽、３０ｂは掛合鉤、３
１は伝熱ブロック、３２は板バネ、３３は配線基板、３
４は固定ネジであり、これらは図５と同様の物であり、
同一の符号を付して説明を省略する。In FIG. 12, 8 is a heat block, 3
0 is a radiation fin, 30a is a radiation wing, 30b is a hook, 3
1 is a heat transfer block, 32 is a leaf spring, 33 is a wiring board, 3
Reference numeral 4 denotes fixing screws, which are the same as those in FIG.
The same reference numerals are given and the description is omitted.

【０１００】９１は伝熱ブロック３１の下面中央に形設
され被測定デバイスと嵌合する凹部、９２は伝熱ブロッ
ク３１の下面全体にコーティングされたテフロン薄板で
ある。Reference numeral 91 denotes a concave portion formed at the center of the lower surface of the heat transfer block 31 and fitted to the device to be measured. 92 denotes a Teflon thin plate coated on the entire lower surface of the heat transfer block 31.

【０１０１】このようにヒートブロック８の下面中央に
凹部９１を形設し、伝熱ブロック３１の下面で被測定デ
バイス９の上部を包囲することで、伝熱ブロック３１か
ら被測定デバイス９への伝熱の熱抵抗値Ｒh1を小さくす
ることができる。また、伝熱ブロック３１の下面全体に
テフロン薄板をコーティングし、伝熱ブロック３１と被
測定デバイス９との密着性を高めることで、伝熱ブロッ
ク３１から被測定デバイス９への伝熱の熱抵抗値Ｒh1を
小さくすることができる。これにより、より正確に素子
部９ａの温度制御を行うことが可能となる。As described above, the recess 91 is formed at the center of the lower surface of the heat block 8, and the lower surface of the heat transfer block 31 surrounds the upper part of the device 9 to be measured. The heat resistance R h1 of the heat transfer can be reduced. In addition, the entire lower surface of the heat transfer block 31 is coated with a Teflon thin plate to increase the adhesion between the heat transfer block 31 and the device under test 9, so that the thermal resistance of heat transfer from the heat transfer block 31 to the device under test 9 is improved. The value R h1 can be reduced. Thereby, it is possible to more accurately control the temperature of the element section 9a.

【０１０２】また、ヒートブロック８の温度変化の応答
を速くするため、ヒートブロック８の上面には放熱フィ
ン３０が形成されている。これにより、被測定デバイス
９のデューティ制御に対するヒートブロック８の温度変
化の応答が速まり、素子部９ａに対する正確なバーンイ
ン温度の制御が可能となる。更に、正確な温度制御が要
求される場合には、放熱フィン３０の上面に小型のファ
ンを配設し放熱フィン３０の強制冷却を行うように構成
してもよい。Further, in order to make the response of the temperature change of the heat block 8 quick, a heat radiation fin 30 is formed on the upper surface of the heat block 8. Thereby, the response of the temperature change of the heat block 8 to the duty control of the device under test 9 is quickened, and the burn-in temperature of the element section 9a can be accurately controlled. Further, when accurate temperature control is required, a small fan may be provided on the upper surface of the radiating fin 30 to perform forced cooling of the radiating fin 30.

【０１０３】また、更に正確な温度制御が要求される場
合には、ヒートブロック８内にヒータと並べてペルチェ
素子を内設し、ヒータの発熱とペルチェ素子の吸熱／発
熱により更に正確な温度制御を行うことが可能なように
構成してもよい。この場合、ヒートブロック８の内部か
ら加熱／冷却が行われるため、更にヒートブロック８の
温度変化の応答を速くすることができ、更に正確な温度
制御を可能とする。When more accurate temperature control is required, a Peltier element is provided inside the heat block 8 in parallel with the heater, and more accurate temperature control is performed by heat generation of the heater and heat absorption / heat generation of the Peltier element. You may comprise so that it can perform. In this case, since heating / cooling is performed from the inside of the heat block 8, the response of the temperature change of the heat block 8 can be further accelerated, and more accurate temperature control can be performed.

【０１０４】尚、本実施の形態において、熱伝達モデル
として図１１のようなモデルを用いたが、熱伝達モデル
としては図１１のものに限られるものではない。In the present embodiment, a model as shown in FIG. 11 is used as a heat transfer model, but the heat transfer model is not limited to that shown in FIG.

【０１０５】図１３は温度制御における熱伝達モデルの
他の例を表す図である。FIG. 13 is a diagram showing another example of the heat transfer model in the temperature control.

【０１０６】図１３において、７はバーンインソケッ
ト、８はヒートブロック、９は被測定デバイス、９ａは
素子部、９ｂはパッケージ、θhはヒートブロックの温
度、θaは周囲の空気の温度、θdは素子温度、Ｒh1はヒ
ートブロックから被測定デバイス内の素子部への熱伝導
の際の熱抵抗値、Ｒh3は素子部から外界への放熱の際の
熱抵抗値、Ｐｄは電力値であり、これらは図１１と同様
である。Ｒh4は素子部９ａとパッケージ９ｂの間の熱抵
抗値である。[0106] In FIG. 13, the burn-in socket 7, 8 heat block, the device under test 9, 9a the element portion, 9b package, theta h the temperature of the heat block, theta a temperature of ambient air, theta d is the element temperature, R h1 is the thermal resistance value when conducting heat from the heat block to the element part in the device under test, R h3 is the thermal resistance value when dissipating heat from the element part to the outside, and Pd is the power value These are the same as in FIG. R h4 is a thermal resistance value between the element section 9a and the package 9b.

【０１０７】図１３は、素子部９ａとパッケージ９ｂの
間の熱抵抗値Ｒh4を考慮したモデルを示しており、この
場合の素子部９ａの推定素子温度θdの計算式は（数
９）となる。FIG. 13 shows a model in which the thermal resistance value R h4 between the element section 9a and the package 9b is taken into consideration. In this case, the equation for calculating the estimated element temperature θ d of the element section 9a is (Equation 9) Becomes

【数９】 (Equation 9)

【０１０８】また、ヒータ４１，４１’の制御として
は、ＰＷＭ制御に限られるものではなく、ＯＮ／ＯＦＦ
制御や電圧制御、電流制御等の制御としてもよい。この
場合、制御部７０の制御量としては、ＯＮ／ＯＦＦ制御
の場合にはθh−θh’≧０の場合にはオフ信号，θh−
θh’＜０のときはオン信号であり、電圧制御の場合に
は電圧設定値、電流制御の場合には電流設定値となる。Further, the control of the heaters 41 and 41 'is not limited to the PWM control, but may be ON / OFF.
Control such as control, voltage control, and current control may be used. In this case, the control amount of the control section 70, the off signal when in the case of ON / OFF control of θ h -θ h '≧ 0, θ h -
When θ h ′ <0, the signal is an ON signal. In the case of voltage control, it is a voltage set value, and in the case of current control, it is a current set value.

【０１０９】[0109]

【発明の効果】以上のように本発明のバーンイン装置に
よれば、以下のような有利な効果を得ることができる。According to the burn-in device of the present invention as described above, the following advantageous effects can be obtained.

【０１１０】請求項１に記載の発明によれば、 （１）ヒートブロックから被測定デバイス内の素子部へ
の熱伝達の熱抵抗が小さいため、温度制御に対する被測
定デバイスの温度変化の応答が速く、被測定デバイス内
の素子部の温度制御を正確に行うことが可能となり、バ
ーンイン試験の温度精度が向上する。 （２）被測定デバイスをバーンインソケットの嵌合口内
に嵌合させ上方からヒートブロックにより封止されるた
め、被測定デバイスはバーンインソケット内部に封入さ
れた状態でバーンイン試験が行われるため、被測定デバ
イス内の素子部から外部の空気への放熱の熱抵抗が大き
くなり、外部の温度変化や風速などの影響を抑止するこ
とができ、被測定デバイス内の素子部の温度制御を正確
に行うことが可能となり、バーンイン試験の温度精度が
向上する。 （３）被測定デバイスを個別に温度制御しながらバーン
イン試験を行うことが可能であり、バーンイン試験時の
複数の被測定デバイスの温度制御を個々に正確に行うこ
とが可能となり、バーンイン試験の温度精度が向上す
る。 （４）ヒートブロックをバーンインソケットの嵌合口か
ら抜脱させ、被測定デバイスをバーンインソケットの嵌
合口に脱着することができ、被測定デバイスの脱着が容
易で、バーンイン試験時に被測定デバイスを脱着する工
程の自動化が容易となる。 （５）被測定デバイスのみを局所的に加熱してバーンイ
ン試験を行うため、バーンイン試験時においてバーンイ
ンボード全体の温度は低い状態に維持することが可能で
あり、バーンインボードの平均故障間隔が加熱により短
縮されることが防止され、装置の信頼性が向上する。 （６）バーンイン試験時においてバーンインボード全体
の温度は低い状態に維持することが可能であるため、バ
ーンインボードに高い耐熱性が要求されず、バーンイン
装置自体を安価に構成することが可能となり、経済性に
優れる。 （７）被測定デバイスのみを局所的に加熱してバーンイ
ン試験を行うため、バーンイン試験時の余分な熱の放散
が少なく、バーンイン試験における消費エネルギーを低
く抑えることが可能となり、省エネルギー性に優れる。According to the first aspect of the present invention, (1) Since the thermal resistance of heat transfer from the heat block to the element in the device under test is small, the response of the temperature change of the device under test to the temperature control is small. It is possible to quickly and accurately control the temperature of the element portion in the device under test, thereby improving the temperature accuracy of the burn-in test. (2) Since the device to be measured is fitted into the fitting opening of the burn-in socket and sealed from above by a heat block, the device to be measured is subjected to a burn-in test while being sealed in the burn-in socket. The thermal resistance of the heat radiation from the element part in the device to the outside air increases, the influence of external temperature change and wind speed can be suppressed, and the temperature control of the element part in the device under test is accurately controlled. And the temperature accuracy of the burn-in test is improved. (3) The burn-in test can be performed while individually controlling the temperature of the device under test, and the temperature of a plurality of devices under test during the burn-in test can be individually and accurately controlled. The accuracy is improved. (4) The heat block can be removed from the fitting opening of the burn-in socket, and the device to be measured can be attached to and detached from the fitting opening of the burn-in socket, and the device to be measured can be easily attached and detached. Automation of the process becomes easy. (5) Since the burn-in test is performed by locally heating only the device under test, the temperature of the entire burn-in board can be kept low during the burn-in test, and the average failure interval of the burn-in board is reduced by the heating. This is prevented from being shortened, and the reliability of the device is improved. (6) Since the temperature of the entire burn-in board can be kept low during the burn-in test, high heat resistance is not required for the burn-in board, and the burn-in apparatus itself can be configured at a low cost, which is economical. Excellent in nature. (7) Since the burn-in test is performed by locally heating only the device under test, excess heat is not dissipated during the burn-in test, and the energy consumption in the burn-in test can be suppressed low, resulting in excellent energy saving.

【０１１１】請求項２に記載の発明によれば、請求項１
で得られる効果の他、（１）被測定デバイスの素子部の
温度を予測した正確なヒータの温度制御が可能となり、
被測定デバイス内の素子部の温度制御を正確に行うこと
が可能となり、バーンイン試験の温度精度が向上する。
（２）バーンインソケットの周囲の空気の温度θaとヒ
ートブロックの温度θhとの２つの温度で被測定デバイ
スの素子部の温度を制御することが可能であり、被測定
デバイス内の素子部の温度制御を正確に行うことが可能
となり、バーンイン試験の温度精度が向上する。According to the invention described in claim 2, according to claim 1
In addition to the effects obtained in (1), it becomes possible to accurately control the temperature of the heater by predicting the temperature of the element portion of the device under test,
Temperature control of the element portion in the device under test can be accurately performed, and the temperature accuracy of the burn-in test is improved.
(2) it is possible to control the temperature of the active element of the DUT at two temperatures and the temperature theta h temperature theta a and the heat block of the air surrounding the burn-in socket, the element portion of the device under test Temperature control can be performed accurately, and the temperature accuracy of the burn-in test is improved.

【０１１２】請求項３に記載の発明によれば、請求項１
又は２で得られる効果の他、（１）板バネによりヒート
ブロックが被測定デバイスの上面に密着するため、ヒー
トブロックから被測定デバイス内の素子部への熱伝達の
熱抵抗が小さく、ヒータに印加する電力を制御すること
で、被測定デバイス内の素子部の温度制御を正確に行う
ことが可能となり、バーンイン試験の温度精度が向上す
る。According to the third aspect of the present invention, the first aspect
Or (2) In addition to the effects obtained in (2), since the heat block adheres to the upper surface of the device to be measured by the leaf spring, the heat resistance of heat transfer from the heat block to the element portion in the device to be measured is small, By controlling the applied power, it becomes possible to accurately control the temperature of the element portion in the device under test, and the temperature accuracy of the burn-in test is improved.

【０１１３】請求項４に記載の発明によれば、請求項１
乃至３の何れか一で得られる効果の他、（１）ヒートブ
ロックの外気による冷却効率が向上し、ヒータによる温
度制御に対するヒートブロックの温度変化の応答速度が
向上し、ヒートブロックのより精密な温度制御を行うこ
とが可能となり、バーンイン試験の温度精度が向上す
る。According to the invention set forth in claim 4, according to claim 1
In addition to the effects obtained by any one of (1) to (3), (1) the cooling efficiency of the heat block by the outside air is improved, the response speed of the temperature change of the heat block to the temperature control by the heater is improved, and the heat block is more precise. Temperature control can be performed, and the temperature accuracy of the burn-in test is improved.

【０１１４】請求項５に記載の発明によれば、請求項１
乃至４の何れか一で得られる効果の他、（１）ヒートブ
ロックに対し、ヒータに電力を供給する電源用の線やヒ
ートブロック温度センサの温度検出用の線を電気的に確
実に接触させることが可能となり、バーンイン試験工程
における接触不良による事故を防止できる。（２）ヒー
トブロック温度センサの温度検出用の線の接触抵抗が減
少し、ヒートブロックの温度の検知精度が向上し、バー
ンイン試験の温度精度が向上する。According to the invention set forth in claim 5, claim 1 is provided.
In addition to the effects obtained by any one of (1) to (4), (1) a power supply line for supplying electric power to the heater and a temperature detection line of the heat block temperature sensor are reliably brought into electrical contact with the heat block. It is possible to prevent an accident due to poor contact in the burn-in test process. (2) The contact resistance of the temperature detection wire of the heat block temperature sensor is reduced, the accuracy of detecting the temperature of the heat block is improved, and the temperature accuracy of the burn-in test is improved.

【０１１５】請求項６に記載の発明によれば、請求項５
で得られる効果の他、（１）ヒートブロックをバーンイ
ンソケットに装着する際に、接触摺動部が電極部の表面
を摺動するため、電極部表面の錆やゴミが掃拭され、コ
ンタクトピンと電極部との接触不良が防止される。
（２）電極部表面の錆やゴミが掃拭され、コンタクトピ
ンと電極部との接触抵抗が減少し、ヒートブロック温度
センサの温度検出用の線の付加抵抗が減少するため、ヒ
ートブロックの温度の検知精度が向上し、バーンイン試
験の温度精度が向上する。According to the invention described in claim 6, according to claim 5,
In addition to the effects obtained in (1), when the heat block is mounted on the burn-in socket, the contact sliding portion slides on the surface of the electrode portion. Poor contact with the electrode portion is prevented.
(2) Rust and dust on the surface of the electrode are wiped off, the contact resistance between the contact pin and the electrode is reduced, and the additional resistance of the temperature detection wire of the heat block temperature sensor is reduced. The detection accuracy is improved, and the temperature accuracy of the burn-in test is improved.

【０１１６】請求項７に記載の発明によれば、請求項３
乃至６の何れか一で得られる効果の他、（１）簡単な操
作により、ヒートブロックをバーンインソケットに脱着
することが可能であり、被測定デバイスの脱着の自動化
が容易となる。According to the invention described in claim 7, claim 3 is provided.
In addition to the effects obtained by any one of (1) to (6), (1) the heat block can be attached to and detached from the burn-in socket by a simple operation, and the attachment and detachment of the device to be measured can be easily automated.

【０１１７】請求項８に記載の発明によれば、請求項１
乃至７の何れか一で得られる効果の他、（１）簡単な計
算により素子部の推定素子温度θdを決定することが可
能となり、ヒートブロックから被測定デバイス内の素子
部への熱伝導、素子部の発熱、素子部から外界への放熱
を考慮した素子部の推定素子温度θdを決定することが
可能であり、バーンイン試験の温度精度が向上する。According to the invention described in claim 8, claim 1 is provided.
In addition to the effects obtained by any one of (1) to (7), (1) it is possible to determine the estimated element temperature θ d of the element part by a simple calculation, and to conduct heat from the heat block to the element part in the device under test. In addition, it is possible to determine the estimated element temperature θ d of the element section in consideration of heat generation of the element section and heat radiation from the element section to the outside world, thereby improving the temperature accuracy of the burn-in test.

【０１１８】また、本発明のバーンイン方法によれば、
以下のような有利な効果を得ることができる。Further, according to the burn-in method of the present invention,
The following advantageous effects can be obtained.

【０１１９】請求項９に記載の発明によれば、（１）ヒ
ートブロックから被測定デバイス内の素子部への熱伝達
の熱抵抗が小さいため、温度制御に対する被測定デバイ
スの温度変化の応答が速く、被測定デバイス内の素子部
の温度制御を正確に行うことが可能となり、バーンイン
試験の温度精度が向上する。（２）ヒートブロックによ
り、被測定デバイスを個別に温度制御しながらバーンイ
ン試験を行うことが可能であり、バーンイン試験時の複
数の被測定デバイスの温度制御を個々に正確に行うこと
が可能となり、バーンイン試験の温度精度が向上する。
（３）被測定デバイスのみを局所的に加熱してバーンイ
ン試験を行うため、バーンイン試験時の余分な熱の放散
が少なく、バーンイン試験における消費エネルギーを低
く抑えることが可能となり、省エネルギー性に優れる。According to the ninth aspect of the present invention, (1) Since the thermal resistance of heat transfer from the heat block to the element portion in the device under test is small, the response of the temperature change of the device under test to the temperature control is small. It is possible to quickly and accurately control the temperature of the element portion in the device under test, thereby improving the temperature accuracy of the burn-in test. (2) With the heat block, it is possible to perform a burn-in test while individually controlling the temperature of the device under test, and it is possible to accurately and individually control the temperature of a plurality of devices under test during the burn-in test. The temperature accuracy of the burn-in test is improved.
(3) Since the burn-in test is performed by locally heating only the device to be measured, excess heat is not dissipated during the burn-in test, and the energy consumption in the burn-in test can be suppressed low, resulting in excellent energy saving.

【０１２０】請求項１０に記載の発明によれば、請求項
９で得られる効果の他、（１）簡単な計算により素子部
の推定素子温度θdを決定することが可能となり、ヒー
トブロックから被測定デバイス内の素子部への熱伝導、
素子部の発熱、素子部から外界への放熱を考慮した素子
部の推定素子温度θdを決定することが可能であり、バ
ーンイン試験の温度精度が向上する。According to the tenth aspect of the present invention, in addition to the effects obtained in the ninth aspect, (1) it is possible to determine the estimated element temperature θ d of the element part by a simple calculation. Heat conduction to the element part in the device under test,
It is possible to determine the estimated element temperature θ d of the element section in consideration of heat generation of the element section and heat radiation from the element section to the outside, and the temperature accuracy of the burn-in test is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の実施の形態１のバーンイン装置の斜視
透視図FIG. 1 is a perspective perspective view of a burn-in device according to a first embodiment of the present invention.

【図２】図１のバーンインソケット及びヒートブロック
並びに被測定デバイスの分解斜視図FIG. 2 is an exploded perspective view of the burn-in socket and the heat block of FIG. 1 and a device to be measured.

【図３】（ａ）図１のバーンインソケット・ヒートブロ
ック組立体の平面図 （ｂ）図１のバーンインソケット・ヒートブロック組立
体の左側破断面図3A is a plan view of the burn-in socket / heat block assembly of FIG. 1; FIG. 3B is a left side sectional view of the burn-in socket / heat block assembly of FIG.

【図４】図１のバーンインソケット・ヒートブロック組
立体の正面破断面図FIG. 4 is a front sectional view of the burn-in socket / heat block assembly of FIG. 1;

【図５】（ａ）図１乃至図４のヒートブロックの平面図 （ｂ）図５（ａ）の側面図 （ｃ）図１乃至図４のヒートブロックの正面図 （ｄ）図１乃至図４のヒートブロックの底面図5A is a plan view of the heat block shown in FIGS. 1 to 4; FIG. 5B is a side view of FIG. 5A; FIG. 5C is a front view of the heat block shown in FIGS. Bottom view of heat block 4

【図６】（ａ）図２〜図４のコンタクトピン組立体の斜
視図 （ｂ）図６（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図 （ｃ）図６（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図6A is a perspective view of the contact pin assembly of FIGS. 2 to 4; FIG. 6B is a sectional view taken along line AA of FIG. 6A; FIG. 6C is a view of line BB of FIG. 6A; Arrow cross section

【図７】コンタクトピンの先端が接触時に接触面を摺動
するように構成した場合のコンタクトピン組立体の要部
断面図FIG. 7 is a cross-sectional view of a main part of the contact pin assembly in a case where the tip of the contact pin slides on the contact surface at the time of contact;

【図８】実施の形態１のバーンイン装置の制御回路の構
成を表すブロック図FIG. 8 is a block diagram illustrating a configuration of a control circuit of the burn-in device according to the first embodiment.

【図９】（ａ）実施の形態１のバーンイン装置のヒート
ブロックの配線を示す回路構成図 （ｂ）実施の形態１のバーンイン装置の温度検出回路の
構成を表す回路構成図9A is a circuit configuration diagram showing wiring of a heat block of the burn-in device according to the first embodiment. FIG. 9B is a circuit configuration diagram showing a configuration of a temperature detection circuit of the burn-in device according to the first embodiment.

【図１０】本発明の実施の形態１のバーンイン方法の全
体の流れを示すフローチャートFIG. 10 is a flowchart showing an overall flow of a burn-in method according to the first embodiment of the present invention;

【図１１】実施の形態１における温度制御における熱伝
達モデルを表す図FIG. 11 is a diagram showing a heat transfer model in temperature control according to the first embodiment.

【図１２】下部に凹部を形成し被測定デバイスを凹部に
遊嵌させるように構成したヒートブロックの要部断面図FIG. 12 is a sectional view of a main part of a heat block in which a concave portion is formed in a lower portion and a device to be measured is loosely fitted in the concave portion.

【図１３】温度制御における熱伝達モデルの他の例を表
す図FIG. 13 is a diagram illustrating another example of a heat transfer model in temperature control.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ バーンイン装置 ２ チャンバ ２ａ ドア ３ 送風口 ４ バーンインボード ４ａ カードエッジ ５ コネクタ ６ バーンイン制御基板 ７ バーンインソケット ８ ヒートブロック ９ 被測定デバイス ９ａ 素子部 ９ｂ パッケージ ２０ ソケットベース枠体 ２０ａ 軸受け部 ２０ｂ 突起部 ２０ｃ 凹部 ２０ｄ 位置決めピン ２１ ソケットアダプタ ２１ａ 嵌合口 ２２ ヒートブロック係止フック ２２ａ 回動軸 ２２ｂ 回動部 ２２ｃ 掛止爪 ２２ｄ 拡開ハンドル ２２ｅ スプリング ２２ｆ 内側面 ２２ｇ ストッパ ２３ コンタクトピン収納部 ２３ａ コンタクトピン収納穴 ２４ コンタクトピン ２４ａ 基端部 ２４ｂ 押圧スプリング ２４ｃ 摺動部 ２４ｄ 接触部 ２４ｄ’ 接触摺動部 ２４ｅ 先端摺動部 ３０ 放熱フィン ３０ａ 放熱羽 ３０ｂ 掛合鉤 ３０ｃ 位置決め孔 ３１ 伝熱ブロック ３２ 板バネ ３３ 配線基板 ３３ａ 位置決め孔 ３４ 固定ネジ ４０ ヒータ収納溝 ４０ａ 突起部 ４１，４１’ ヒータ ４２ ヒートブロック温度センサ ４３，４３’ ヒータ用電源ライン ４３ａ，４３ａ’ ヒータ電極用パット ４４，４５ ヒートブロック温度センサ用ライン ４４ａ，４４ｂ，４５ａ，４５ｂ ヒートブロック温度
センサ用パット ６０ 制御回路 ６１ 温度検出回路 ６２ アンプ ６３ 定電圧電源 ６４ 電流検出抵抗 ６５ 電圧制御部 ６６ 差動アンプ ６７ 入力切換部 ６８ Ａ／Ｄ変換器 ６９ 周囲温度検出センサ ７０ 制御部 ７１ ＰＷＭ回路 ７２ ヒータ電源スイッチング部 ９１ 凹部 ９２ テフロン薄板DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Burn-in apparatus 2 Chamber 2a Door 3 Blow-out port 4 Burn-in board 4a Card edge 5 Connector 6 Burn-in control board 7 Burn-in socket 8 Heat block 9 Device under test 9a Element part 9b Package 20 Socket base frame 20a Bearing part 20b Projection part 20c Concave part 20d Positioning Pin 21 Socket Adapter 21a Fitting Port 22 Heat Block Locking Hook 22a Rotating Axis 22b Rotating Portion 22c Locking Claw 22d Expanding Handle 22e Spring 22f Inner Surface 22g Stopper 23 Contact Pin Storage 23a Contact Pin Storage 24 Contact Pin 24a Base end 24b Press spring 24c Sliding part 24d Contact part 24d 'Contact sliding part 24e Tip sliding part 30 Radiator fin 30a Radiator wing 30b Hook 30 Positioning hole 31 Heat transfer block 32 Leaf spring 33 Wiring board 33a Positioning hole 34 Fixing screw 40 Heater storage groove 40a Projection 41, 41 'Heater 42 Heat block temperature sensor 43, 43' Power supply line for heater 43a, 43a 'For heater electrode Pads 44, 45 Heat block temperature sensor lines 44a, 44b, 45a, 45b Heat block temperature sensor pads 60 Control circuit 61 Temperature detection circuit 62 Amplifier 63 Constant voltage power supply 64 Current detection resistor 65 Voltage control unit 66 Differential amplifier 67 Input Switching section 68 A / D converter 69 Ambient temperature detection sensor 70 Control section 71 PWM circuit 72 Heater power supply switching section 91 Depression 92 Teflon thin plate

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】バーンインボード上に搭載され上面に被測
定デバイスが収納される嵌合口が形成されたバーンイン
ソケットと、前記嵌合口に脱着自在に嵌合し前記嵌合口
に収納された前記被測定デバイスの上面に接触するヒー
トブロックと、前記ヒートブロックの内部に配設され前
記ヒートブロックを加熱するヒータと、前記ヒートブロ
ックの内部に配設され前記ヒートブロックの温度θhを
検出するヒートブロック温度センサと、を備えたことを
特徴とするバーンイン装置。A burn-in socket mounted on a burn-in board and having an upper surface formed with a fitting opening for accommodating a device to be measured, and the measured device removably fitted to the fitting opening and housed in the fitting opening. A heat block that contacts the top surface of the device, a heater that is disposed inside the heat block and heats the heat block, and a heat block temperature that is disposed inside the heat block and detects a temperature θ h of the heat block. A burn-in device comprising: a sensor. 【請求項２】前記ヒータに電力を印加するヒータ電力印
加手段と、前記被測定デバイスに電力を供給する電源
と、前記被測定デバイスに供給される電力値Ｐdを検出
する電力検出手段と、前記バーンインソケットの周囲の
空気の温度θaを検出する周囲温度検出センサと、前記
ヒートブロックの温度θhと前記周囲の空気の温度θaと
前記電力値Ｐdと予め測定された前記ヒートブロックか
ら前記被測定デバイス内の素子部への熱伝導の際の熱抵
抗値Ｒh1と予め測定された前記素子部から外界への放熱
の際の熱抵抗値Ｒh3とに基づき前記素子部の推定素子温
度θdを決定する素子温度推定手段と、前記素子部の推
定素子温度θdと前記素子部の目標温度θd0とに基づき
前記ヒータ電力印加手段が前記ヒータに印加する電力を
制御するヒータ制御手段と、を備えたことを特徴とする
請求項１に記載のバーンイン装置。2. A heater power applying means for applying power to said heater, said a power supply for supplying power to the device under test, a power detection means for detecting a power value P d to be supplied to the device under test, and ambient temperature detection sensor for detecting the temperature theta a of the air around the burn-in socket, said heat block which is previously measured temperature theta h and the temperature theta a of the ambient air and the power value P d of the heat block From the thermal resistance R h1 when conducting heat to the element in the device under test and the previously measured thermal resistance R h3 when dissipating heat from the element to the outside. heater controlling device temperature estimation means for determining a device temperature theta d, the power which the heater power applying means based on the target temperature theta d0 of the element unit and the estimated element temperature theta d of the element unit is applied to the heater Control means and Burn-in apparatus according to claim 1, further comprising a. 【請求項３】前記ヒートブロックの左右両側方に延出す
るように配設された板バネと、前記バーンインソケット
左右両側部に前記板バネを係止する係止部と、を備えた
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のバーンイン装
置。3. The apparatus according to claim 1, further comprising: a leaf spring disposed so as to extend to both left and right sides of the heat block; and locking portions for locking the leaf spring on both right and left sides of the burn-in socket. The burn-in device according to claim 1 or 2, 【請求項４】前記ヒートブロックの上面に形成され上面
に複数の放熱羽を有する放熱フィンを備えたことを特徴
とする請求項１乃至３の何れか一項に記載のバーンイン
装置。4. The burn-in device according to claim 1, further comprising a radiating fin formed on an upper surface of the heat block and having a plurality of radiating wings on the upper surface. 【請求項５】前記ヒートブロック下面に形設され前記ヒ
ータと前記ヒートブロック温度センサとの端子の各々に
接続する通電自在な複数の電極部と、前記ソケットに配
設され前記ヒートブロック下面の前記電極部に接触し又
は接続する通電自在な接続部と、を備え、前記接続部
は、先端部に押圧スプリングを備えたコンタクトピンで
あることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記
載のバーンイン装置。5. A plurality of electrode portions formed on the lower surface of the heat block and connected to respective terminals of the heater and the heat block temperature sensor and capable of conducting electricity, and the plurality of electrode portions provided on the socket are provided on the lower surface of the heat block. 5. An electrically conductive connection portion that contacts or connects to the electrode portion, wherein the connection portion is a contact pin having a pressing spring at a distal end portion. 6. 4. The burn-in device according to 1. 【請求項６】前記コンタクトピンの先端部に形成され前
記電極部に圧接され前記電極部に圧接される際に前記電
極部の表面を摺動する接触摺動部を備えたことを特徴と
する請求項５に記載のバーンイン装置。6. A contact sliding portion formed at a tip portion of said contact pin and slidable on a surface of said electrode portion when pressed against said electrode portion and pressed against said electrode portion. The burn-in device according to claim 5. 【請求項７】前記係止部は、前記バーンインソケットの
左右両側面に回転軸により回動自在に軸支されたヒート
ブロック係止フックにより構成され、前記ヒートブロッ
ク係止フックは、下端が前記回動軸に軸支された状態で
立設された回動部と、前記回動部の上端部に前記バーン
インソケット側の側面が前記バーンインソケット側に向
かって下方に傾斜した鉤状に形成された掛止爪と、一端
が前記回動部の下端部に略直角に連設され外方向に向か
って略水平に延設された拡開ハンドルと、前記回動部を
前記バーンインソケット側に回動付勢するスプリング
と、を備えたことを特徴とする請求項３乃至６の何れか
一項に記載のバーンイン装置。7. The locking portion is constituted by a heat block locking hook rotatably supported by a rotating shaft on both left and right side surfaces of the burn-in socket. A rotating portion that is erected while being supported by a rotating shaft, and a burn-in socket side surface is formed at an upper end portion of the rotating portion with a side surface on the burn-in socket side inclined downward toward the burn-in socket side. A latching claw, an expanding handle having one end connected to the lower end of the rotating part at a substantially right angle and extending substantially horizontally outward, and rotating the rotating part toward the burn-in socket. The burn-in device according to any one of claims 3 to 6, further comprising: a spring that urges the burn-in. 【請求項８】前記素子温度推定手段は、前記ヒートブロ
ックの温度θhと前記周囲の空気の温度θaと前記電力値
Ｐdと予め測定された前記ヒートブロックから前記被測
定デバイス内の素子部への熱伝導の際の熱抵抗値Ｒh1と
予め測定された前記素子部から外界への放熱の際の熱抵
抗値Ｒh3とに基づき（数１）により前記素子部の推定素
子温度θdを決定することを特徴とする請求項１乃至７
の何れか一項に記載のバーンイン装置。 【数１】 8. The device temperature estimating means calculates an element in the device under measurement from the temperature of the heat block θ h , the temperature of the surrounding air θ a , the power value P d, and the previously measured heat block. Estimated element temperature θ of the element part based on the thermal resistance value R h1 when conducting heat to the part and the previously measured thermal resistance value R h3 when dissipating heat from the element part to the outside world. 8. The method according to claim 1, wherein d is determined.
The burn-in device according to any one of the above. (Equation 1) 【請求項９】バーンインボード上に搭載され上面中央に
被測定デバイスが収納される嵌合口が形成されたバーン
インソケットに前記被測定デバイスを収納し、前記被測
定デバイスの上面に内部にヒータとヒートブロック温度
センサとを備えたヒートブロックを接触させ、電源より
前記被測定デバイスに電力を供給するとともに、前記ヒ
ータに電力を印加することによりヒータを発熱させ、前
記ヒータの発熱を前記ヒートブロックを介して前記被測
定デバイスに伝熱することにより前記被測定デバイスを
直接加熱するハーンイン方法であって、前記温度センサ
により前記ヒートブロックの温度θhを検出するヒート
ブロック温度検出手順と、前記被測定デバイスに供給さ
れる電力値Ｐdを検出する電力値検出手順と、前記バー
ンインソケットの周囲の空気の温度θaを検出する周囲
温度検出センサにより前記バーンインソケットの周囲の
空気の温度θaを検出する周囲温度検出手順と、前記ヒ
ートブロックの温度θhと前記周囲の空気の温度θaと前
記電力値Ｐdと予め測定された前記ヒートブロックから
前記被測定デバイス内の素子部への熱伝導の際の熱抵抗
値Ｒh1と予め測定された前記素子部から外界への放熱の
際の熱抵抗値Ｒh3とに基づき前記素子部の推定素子温度
θdを決定する素子温度推定手順と、前記素子部の推定
素子温度θdと前記素子部の目標温度θd0とに基づき前
記ヒータ電力印加手段が前記ヒータに印加する電力を制
御するヒータ制御手順と、を備えたことを特徴とするバ
ーンイン方法。9. A device to be measured is housed in a burn-in socket which is mounted on a burn-in board and has a fitting opening in the center of the upper surface for housing the device to be measured, and a heater and a heat are provided inside the upper surface of the device to be measured. A heat block provided with a block temperature sensor is brought into contact with the power supply, and power is supplied to the device under test from a power supply, and the heater is heated by applying power to the heater to generate heat. A method of directly heating the device under test by transferring heat to the device under test, comprising: a heat block temperature detection step of detecting the temperature θ h of the heat block by the temperature sensor; and a power detection step of detecting a power value P d to be supplied to the peripheral of the burn-in socket And the ambient temperature detecting step of detecting a temperature theta a of the air around the burn-in socket by ambient temperature sensor for detecting the temperature theta a of the air, temperature theta a of air in the ambient temperature theta h of the heat block And the power value P d and the previously measured thermal resistance value R h1 when conducting heat from the heat block to the element portion in the device under test and the previously measured heat value R h1 when radiating heat from the element portion to the outside world. An element temperature estimating procedure for determining an estimated element temperature θ d of the element section based on the thermal resistance value R h3 of the element section, and the heater based on an estimated element temperature θ d of the element section and a target temperature θ d0 of the element section. A heater control procedure for controlling power applied to the heater by a power applying unit. 【請求項１０】前記素子温度推定手順において、前記ヒ
ートブロックの温度θhと前記周囲の空気の温度θaと前
記電力値Ｐdと予め測定された前記ヒートブロックから
前記被測定デバイス内の素子部への熱伝導の際の熱抵抗
値Ｒh1と予め測定された前記素子部から外界への放熱の
際の熱抵抗値Ｒh3とに基づき（数２）により前記素子部
の推定素子温度θdを決定することを特徴とする請求項
９に記載のバーンイン方法。 【数２】 10. The said element temperature estimation procedure, the temperature theta h and the ambient air temperature theta a and the power value P d and previously measured elements in the device under test from the heating block of the heat block Based on the thermal resistance value R h1 when conducting heat to the portion and the previously measured thermal resistance value R h3 when dissipating heat from the element portion to the outside, the estimated element temperature θ of the element portion is obtained by ( Equation 2). The burn-in method according to claim 9, wherein d is determined. (Equation 2)
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