JP2000301372A - 透明材料のレーザ加工方法 - Google Patents

透明材料のレーザ加工方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 低出力のレーザ光を用いて様々なガラスなど
の透明材料に微細な深穴を高速かつ安価に、高品質・高
精度に形成し得る産業上実用的な透明材料のレーザ加工
方法を提供する。 【解決手段】 ガラス基板６表面に顔料８を均一な厚さ
に付着させ、該表面に向けて基本波、第２高調波、又は
第３高調波でシングルモードビームのＱスイッチパルス
発振ＹＡＧレーザＢを照射する。顔料が最初の１つ又は
いくつかのパルスのレーザエネルギを吸収して、ガラス
基板表面に高温・高圧のプラズマ状態が発生し、表面層
のガラスを溶融・除去して凹所９を形成し、かつその周
辺部をレーザ光を吸収し易い組成に変質させる。この変
質層１０が、その後に連続して照射されるレーザ光を吸
収して溶融・除去されることにより、ガラス基板を貫通
する微細穴１１が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を用いて
ガラス、結晶などの透明材料に微細な穴、特に貫通穴を
形成することができるレーザ加工方法に関する。特に本
発明は、例えばガラス板に多数の整列した微細穴を開設
してインクジェットプリンタ用の噴射孔を形成したり、
液晶パネルのガラス板に、電子部品と電極などを接続す
るためのスルーホールを形成するために使用される産業
上実用的な透明材料のレーザ加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ガラスなどの透明材料に微細
な穴あけ加工を行うために、回転砥石、ドリル、超音波
などを用いた加工方法又は砥粒を噴射するマイクロブラ
スト法などの機械的加工方法や、溶液を用いるウェット
エッチングなどの化学的方法が一般に採用されている。
また最近は、電子ビームやイオンビーム、レーザ光を照
射するエネルギビーム加工が行われている。
【０００３】レーザ加工では、一般に紫外光であるエキ
シマレーザやＣＯ2 レーザなどの遠赤外線レーザが使用
されている。更に、ジャイアントパルスと呼ばれる高ピ
ーク出力のレーザを用いると、可視光や近赤外光による
加工が可能であるとの研究報告がある。他方、比較的安
価で操作性が良く、取扱いも簡単なために幅広い用途に
利用されているＹＡＧレーザは、一般にガラス材料に対
する吸収率が低いので加工できないとされている。
【０００４】ＹＡＧレーザに関する池野順一らの論文
「溶液を用いた石英ガラスのＹＡＧレーザ加工」（精密
工学会誌 55/2/1989、第93〜98頁）によれば、金属イオ
ン含有溶液を厚さ１．５mmの透明石英ガラス板の表面に
滴下し、又はその裏面に接触させてパルス発振ＹＡＧレ
ーザを照射すると、該溶液がレーザ光を吸収して高熱を
発生し、石英ガラスを溶融させて貫通穴を形成できるこ
とが報告されている。また同論文には、不純物を含む一
般ガラスの場合、その表面にマジックインキを塗布する
だけで、上述した溶液なしで同様に貫通穴をレーザ加工
可能なことが記載されている。
【０００５】また、池野らの別の報告（「結晶化ガラス
のＹＡＧレーザ加工」、1997年度精密工学会秋季大会学
術講演会論文集、第232頁）によれば、結晶化ガラスの
表面に焦点を合わせてレーザ光を照射した場合、ガラス
内部に溶融部が形成されるため、その出力が閾値を超え
た途端にクラックが発生してガラスが破壊される。そこ
で、ガラス表面に顔料を塗布し、これにパルス発振ＹＡ
Ｇレーザ光を照射して該表面に溶融部を形成し、外部に
飛散除去することにより、このクラック発生の問題を解
消して、厚さ４mmの結晶化ガラス板に貫通穴を形成して
いる。
【０００６】この加工メカニズムについて、同じく池野
順一の論文「ＹＡＧレーザを用いたガラスの３次元穴あ
け加工」（レーザ学会研究会報告、No.ＲＴＭ-98-4、社
団法人レーザ学会、1998年１月30日発行、第23〜27頁）
によれば、加工穴に加工変質層が観察されることから、
顔料がＹＡＧレーザを吸収してガラスが溶融することに
より加工変質層が形成され、この加工変質層が次のレー
ザ光を吸収して加工が進行すると分析している。
【０００７】また、高木茂行らの論文「ＦＨＧ−ＹＡＧ
レーザによるアブレーション加工」（社団法人電気学
会、光・量子デバイス研究会資料、資料番号ＯＱＤ-95-
５、第37〜46頁、1995年３月10日発行）には、ＣＷ励起
Acoustic Ｑスイッチ動作のＹＡＧレーザをベースとし
たパルス励起第４高調波（ＦＨＧ）のＹＡＧレーザは、
ピークパワーは低いが、ｋＨｚオーダーの高繰り返し励
振が可能で、制御性が良く、装置の信頼性・使い易さ・
メンテナンス性が高いなどの利点があり、高分子材料の
ポリイミドやソーダガラスに対して高精度な微細加工が
可能なことが報告されている。高木らによれば、エキシ
マレーザでソーダガラスを加工するとマイクロクラック
が発生するのに対し、ＦＨＧ−ＹＡＧレーザは、入射径
３０μｍでソーダガラスに深さ４０mmの穴を加工するこ
とができた。
【０００８】更に、林健一の論文「Ｎd:ＹＬＦレーザー
第５高調波によるガラスの高アスペクト比加工」（レー
ザー研究、1997年11月）には、ソーダ石灰ガラスや液晶
ディスプレイ（ＬＣＤ）に用いられる無アルカリガラス
などのガラス基板に対し、Ｎd:ＹＬＦレーザー第５高調
波を用いてアブレーション加工を行ったところ、入射側
穴径１０μｍ、出射側穴径４μｍでアスペクト比１００
を超える深穴加工を実現できたこと、及び入射側・出射
側とも加工表面にクラックの発生は認められなかったこ
とが記載されている。また、林によれば、菊地薫によっ
てＮd:ＹＡＧレーザの基本波を用いたガラスの穴あけ加
工が報告されている（機械研ニュース１０（1995）
６）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の加工方法には次のような問題がある。先ず、マ
イクロブラスト法などの機械的加工方法では、加工穴の
微細化に限度があり、かつ加工穴の開口周辺にチッピン
グ即ち微小な欠けが生じ易いなど、品質上の問題を生じ
る虞がある。また、ウェットエッチングは、被加工物の
材質により使用可能なエッチング液が制限される場合が
あり、また微細な深穴を加工することが困難で、加工速
度が遅いなどの不都合がある。同様に、電子ビームやイ
オンビームなどの加工装置は一般に高額であり、かつ加
工速度が非常に遅い。
【００１０】レーザ加工の場合、エキシマレーザは装置
が高額でランニングコストが高く、かつ装置のメンテナ
ンス性が悪いなどの問題がある。ＣＯ2 レーザは、熱的
加工を行ないかつ出力が大きいために、加工部周辺の広
範囲に亘って熱歪みによるクラックを発生させ易く品質
を損なう虞があり、また波長が長いために集光性が低
く、微細加工には不向きである。ジャイアントパルスレ
ーザも同様に装置が高額で、しかもピーク出力が高過ぎ
るために光学系にダメージを与える虞がある。
【００１１】上述した池野らによるパルス発振型ＹＡＧ
レーザの穴あけ加工は、或る程度高いレーザ出力を必要
とするために、加工対象のガラス材料や加工条件によっ
てはクラックが発生し易く、加工安定性を欠く虞が生じ
る。また、ビームの品質が低く、集光特性がよくないた
め、直径１００μｍ以下の穴あけ加工は困難である。一
方、高木らのＦＨＧ−ＹＡＧレーザは、第４高調波を得
るために、２個の非線形結晶をレーザ共振器の内部と外
側とに配置し、かつそれらを狭い温度整合許容幅に制御
する必要があるので、装置自体が複雑かつ高価になり、
加工安定性を損なう虞がある。また、紫外光を使用する
ため、非線形結晶やミラー、レンズ等の劣化を招く虞が
ある。
【００１２】また、上述した林の論文によれば、菊地薫
のＮd:ＹＡＧレーザの基本波によるガラスの穴あけ加工
は、ガラス内部にレーザビームを集光して多光子吸収に
よりガラスの裏面から表面に向かって穴を開けるもの
で、加工歪みが残るために、機械研磨や熱処理などの後
処理が必要である。更に、Ｎd:ＹＬＦレーザーの第５高
調波を採用した理由として、第４高調波では数回の照射
でガラス表面にクラックが生じるので、産業応用上、加
工表面にクラックのない良好な加工を実現するために
は、更に短波長の光源が必要と考えられるからであると
している。しかしながら、このような短波長の光源を用
いたレーザ加工は、同様に装置及び加工のコストが高く
なるという問題がある。
【００１３】そこで、本発明は、上述した従来の問題点
に鑑みてなされたものであり、その目的は、例えばせい
ぜい数ワット程度の低出力のレーザ光を用いて、従来レ
ーザ加工が困難であるとされてきたガラスを含む様々な
ガラスや結晶などの透明材料に、微細な深穴を高速かつ
安価に、高品質・高精度に形成できる産業上実用的な透
明材料のレーザ加工方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の透明材料のレー
ザ加工方法は、上述した目的を達成するために、透明材
料からなる被加工物の表面に吸光物質を付着させ、該吸
光物質を付着させた被加工物表面に向けてＱスイッチパ
ルス発振レーザを照射して、該表面に穴を形成すること
を特徴とする。
【００１５】Ｑスイッチパルス発振レーザは、レーザの
蓄積エネルギを一旦ためて一気に出力させ、数Ｗ程度の
低い出力でも数百ｋＷ程度の高いパルスエネルギを得る
ことができる。最初の１つ又はいくつかのパルスが照射
されると、そのレーザエネルギを吸光物質が吸収して、
従来はレーザ加工が困難であったガラス材料であって
も、被加工物表面に高温・高圧のプラズマ状態が発生す
ることにより、該表面のガラスを溶融・除去して凹所を
形成しかつその周辺部をレーザ光を吸収し易い組成に変
質させ、又は、被加工物表面に凹所を形成することなく
変質層のみが形成される。この変質層が、その後に続け
て照射されるレーザ光を吸収して溶融・除去されること
により、微細な穴を加工することができる。
【００１６】使用する前記レーザのビームがシングルモ
ードであると、光の回折限度までレーザ光を絞ることが
できることから、低出力でもレーザビームの集光径を１
０μｍ以下にしてパワー密度を大きくすることができ、
微細穴をより容易にかつ高精度に加工できるので好都合
である。
【００１７】本発明によれば、このように低出力で高パ
ワー密度が得られるので、使用するレーザは、従来のよ
うな第４高調波以上の短波長でなくても、基本波、第２
高調波、又は第３高調波を用いて、クラックの無い又は
少ない高品質の深穴を形成することができる。
【００１８】Ｑスイッチパルス発振レーザであっても、
パルスエネルギが過大であれば、被加工物にクラックが
生じ易いので、或る実施例では、レーザの最初に照射す
る１つ又は複数のパルスのエネルギ又はピークパワー
を、それより後のパルスのエネルギ又はピークパワーよ
り小さくする。これにより、最初の１つ又は一連のパル
スでは、透明材料を溶融・除去できなくても、前記変質
層が形成され、これを後のレーザパルスで溶融・除去す
ることにより穴あけ加工を進めることができ、かつ加工
開始時に被加工物表面に作用する熱応力を軽減できるの
で、クラックの発生が抑制される。
【００１９】また、レーザ光が直線偏光の場合、特に入
射部付近にクラックが発生し易く、加工穴は磁場の振動
面方向に曲がり易い性質があるため、いずれかの方向に
偏って加工が促進されて穴が曲がったり、穴径が拡大す
る虞がある。そこで、別の実施例では、前記レーザを円
偏光又はランダム偏光にして被加工物表面に照射するこ
とにより、加工穴の曲がりや穴径の拡大、及び特に入射
部周辺でのクラックの発生が抑制され、加工精度及び品
質が向上する。
【００２０】或る実施例では、前記レーザを位相格子に
より分岐させて被加工物表面に照射することにより、該
表面に複数の穴を同時に加工することができ、加工時間
の大幅な短縮を図ることができる。
【００２１】更に別の実施例では、適当な手段を用いて
前記被加工物を予め加熱する過程を更に含むことによ
り、被加工物内部においてレーザ光の照射による急激な
温度上昇を回避し、その熱応力の影響を少なくして、ク
ラックの発生を有効に抑制することができる。
【００２２】また、前記吸光物質は、被加工物表面に均
質にかつ均一な厚さに付着させることにより、多数の穴
を加工する場合に、同じレーザ条件で均一な穴を形成で
き、加工のばらつきを防止することができる。
【００２３】本発明の別の側面によれば、吸光物質を含
む透明材料からなる被加工物の表面に向けてＱスイッチ
パルス発振レーザを照射し、該表面に穴を形成すること
を特徴とする透明材料のレーザ加工方法が提供される。
【００２４】この場合、被加工物の表面層に含まれる吸
光物質がレーザ光を吸収するので、従来より低出力のレ
ーザであっても、被加工物表面に吸光物質を付着させる
ことなく、表面層の透明材料を溶融・除去して凹所を形
成しかつその周辺部をレーザ光をより吸収し易い組成に
変質させることができる。更に、形成された凹所の内壁
付近に含まれる吸光物質及び前記変質層が、その後に続
けて照射されるレーザ光を吸収して溶融・除去されるこ
とにより、よりスムーズに微細な穴あけ加工を行うこと
ができる。
【００２５】本発明を適用する透明材料には、ガラス又
は結晶材料が好ましい。特に、Ａｌ 2Ｏ3（アルミナ）を
２０重量％以上含むガラスやソーダガラスなどが好都合
である。また、結晶材料としては、ニオブ酸リチウム、
タンタル酸リチウムなどが好適に用いられる。
【００２６】また、本発明に使用するレーザは、Ｑスイ
ッチパルス発振のＹＡＧレーザ、ＹＬＦレーザ又はＹＶ
Ｏレーザが好ましい。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下に、添付図面を参照しつつ本
発明をその好適な実施例を用いて詳細に説明する。図１
は、本発明のレーザ加工方法を用いてガラスに微細穴を
形成するのに適したレーザ加工装置の実施例を概略的に
示している。このレーザ加工装置は、Ｑスイッチパルス
発振のＹＡＧレーザを発生させるためのＱスイッチユニ
ットを内蔵したレーザ発振器１と、ミラー２と、集光レ
ンズ３と、前記レーザ発振器とミラー間のレーザ光の光
路内に配置された機械的シャッタ手段４とを備える。レ
ーザ発振器１とシャッタ手段４とは、これらの動作を制
御するコンピュータ５に電気的に接続されている。
【００２８】レーザ発振器１から発振されたレーザ光Ｂ
は、シャッタ手段４を通過してミラー２で反射され、集
光レンズ３で集光して被加工物６に照射される。本発明
によれば、レーザ発振器１はシングルモードのビームを
出力する。シングルモードビームは集光性に優れ、その
ビームスポット径を１０μｍ以下に絞ることができ、ビ
ーム形状が円形でその中心にパワー密度が集中するの
で、低出力で大きいパワー密度が得られ、微細加工に適
している。また、レーザ光Ｂの波長は基本波（１０６４
μｍ）であるが、非線形結晶７（例えば、ＬＢＯ）をレ
ーザ発振器１とシャッタ手段４間の光路内に又はレーザ
発振器内部に配置することにより、第２高調波（５３２
μｍ）又は第三高調波（３５５μｍ）を得ることができ
る。
【００２９】コンピュータ５は、所定のパルス幅のレー
ザ発振信号をレーザ発振器１に出力し、レーザ発振器１
は、前記レーザ発振信号に対応した大きさのピーク出力
のレーザ光を連続してパルス発振する。ピーク出力の大
小は、その待機時間の長短に依存し、従ってコンピュー
タ５が出力する前記レーザ発振信号のパルス幅は、形成
しようとする加工穴の深さ等の加工条件によって決定さ
れる。このようにＱスイッチパルス発振のＹＡＧレーザ
は、ランプ出力が数ワット程度の低い出力で、数ｋＷ程
度の大きなピーク出力又は照射エネルギが得られ、しか
も被加工物６への熱影響が少ない。また、Ｑスイッチパ
ルス発振のＹＬＦレーザ及びＹＶＯレーザを同様に用い
ることができる。
【００３０】上述したようにピーク出力の大小はその待
機時間の長短に依存するから、各パルス列の最初のパル
スはピーク出力が過大になる。そこで、コンピュータ５
は、前記レーザ発振信号に同期させてそのパルス列の最
初のパルスにタイミングを合わせて、シャッタ信号をシ
ャッタ手段４に出力し、そのオンオフ動作によりレーザ
光Ｂを選択的に遮断又は通過させて、各パルス列の最初
のパルスのみをカットし、一定のピーク出力に制御され
たレーザ光を連続的にパルス発振させる。
【００３１】図２（ａ）〜（ｄ）は、図１のレーザ加工
装置を用いて本発明のレーザ加工方法により被加工物６
に微細穴を形成する過程を示している。本実施例におい
て、被加工物６はガラス基板である。このガラス基板
は、一般に利用されているソーダ石灰ガラス、パイレッ
クス（商標）などの硬質ガラス、鉛又はクリスタルガラ
ス、結晶化ガラス、無アルカリガラスなど、従来はレー
ザ加工が困難であったものを含む様々なガラス材料であ
って良い。
【００３２】先ず、図２（ａ）に示すように、ガラス基
板６の表面に吸光物質として、マジックインキ等に使用
される合成樹脂インク等の顔料８を、例えばスピンコー
トにより或る均一な厚さに塗布する。顔料以外の吸光物
質として、照射するレーザ光（本実施例では、波長１０
６４μｍ）を吸収し易い塗料等公知の様々な材料を用い
ることができる。顔料８の厚さを均一にすることによ
り、ガラス基板６に複数の穴を加工する場合に加工のば
らつきを抑制することができ、またそのために、顔料は
より均質で高純度な材料であることが好ましい。
【００３３】次に、ガラス基板６表面に焦点を合わせて
レーザ光Ｂを照射する。レーザ発振器１から発振される
パルス列の最初のパルスはピークが過大になるので、上
述したようにコンピュータ５からのシャッタ信号により
シャッタ手段１３をオンオフ動作させてカットし、照射
される各パルスのピーク出力を一定にする。最初のパル
スが照射されると、その部分の顔料８がレーザエネルギ
を吸収して、高温・高圧のプラズマ状態をガラス基板表
面に生成する。このプラズマによりガラス基板６は、図
２（ｂ）に示すように、その表面層が部分的に溶融し、
蒸発又は飛散して凹所９が形成される。
【００３４】凹所９の開口部、内壁面、先端等の周辺部
分には、加工変質層１０が形成される。この加工変質層
は、前記プラズマの高熱により凹所９の周辺部分が溶融
し、かつ該部分のガラス材料に含まれる比較的揮発し易
い成分が先に蒸発して、その組成が変化し、元のガラス
材料よりアルミナ等のＹＡＧレーザを吸収し易い成分の
割合が多くなったものである。従って、２番目以降のパ
ルスが照射されると、加工変質層１０がそのレーザエネ
ルギを吸収して蒸発又は飛散し、図２（ｃ）のように加
工穴１１が成長する。加工穴１１の内壁面、先端には、
同様に加工変質層１０が形成される。従って、更にパル
ス照射を続けることにより、最終的に図２（ｄ）に示す
ような貫通穴が完成する。実際に、レーザの集光径を１
０μｍ程度に絞ることにより、直径約２０〜３０μｍの
貫通穴を形成できた。
【００３５】或る実施例では、レーザ光の照射以前にガ
ラス基板６を例えば２００〜３００℃程度の温度に予め
加熱しておく。これにより、レーザ光の照射時に、ガラ
ス基板内部における急激な温度上昇が回避されるので、
クラックの発生を有効に抑制することができる。
【００３６】ガラス基板６表面に残存する顔料８の大部
分は、適当な溶剤により洗浄することができる。しか
し、一部の顔料は、照射レーザの高熱によってガラス基
板表面に焼き付き、溶剤では容易に除去できない。ま
た、加工穴１１から飛散した溶融物の一部は、加工穴の
入射側及び出射側開口周辺に再付着してドロスとなる。
このような顔料の焼き付き及びドロスは、加工穴１１の
形成後にガラス基板の両面を公知の方法で研磨加工する
ことにより除去することができる。同時に、この研磨加
工によってガラス基板６表面に残る加工変質層を除去す
ることができる。
【００３７】別の実施例では、図３に示すように、コン
ピュータ５から異なるパルス幅のレーザ発振信号Ｓ1 、
Ｓ2 が出力され、これに対応して前記レーザ発振器は、
最初のパルス列ｐ1 のピーク出力がその後に続くパルス
列ｐ2 のピーク出力より小さいパルスＹＡＧレーザを出
力する。上述したように、最初のパルス列ｐ1 の最初の
パルスｐ11はピークが過大になるので、コンピュータか
らのシャッタ信号ＳQによりシャッタ手段４をオンオフ
動作させてカットする。このようにして被加工物表面
に、最初にピーク出力の小さい３つのパルスｐ1 が照射
され、その後にピーク出力の大きいパルスｐ2 が連続し
て照射される。
【００３８】図２の実施例と同様に、最初のパルス列ｐ
1 が照射されると、そのレーザエネルギを顔料が吸収し
て高温・高圧のプラズマ状態を被加工物表面に発生させ
る。しかし、図２の実施例に比して照射されるエネルギ
が小さいので、被加工物表面層は、部分的に溶融して加
工変質層を形成するだけで、凹所は形成されない。この
後に連続してパルスｐ2 が照射されると、そのレーザエ
ネルギを加工変質層が吸収して蒸発又は飛散することに
より、図２の実施例と同様に加工穴が成長し、最終的に
貫通穴を完成させることができる。この実施例では、最
初の照射エネルギを小さくしたので、加工開始時に被加
工物表面に作用する熱応力が幾分軽減され、クラックの
発生が抑制される。
【００３９】尚、ピーク出力の小さい最初のパルスｐ1
は３つに限定されるものでなく、被加工物表面層に加工
変質層が形成される限り、１つであってもいくつであっ
ても良い。
【００４０】また、或る実施例では、レーザ光を直線偏
光ではなく、ランダム偏光又は円偏光に変換して照射す
る。直線偏光では、加工穴内壁に対してｐ偏光で入射す
る場合に、加工穴内壁に対してｓ偏光で入射する場合よ
りもガラス材料の光吸収率が大きいため、ｐ偏光の入射
方向に加工がより促進され、入射部付近にクラックが発
生し易く、かつ加工穴が真っ直ぐ形成されずに曲がって
しまう虞がある。これに対し、ランダム偏光及び円偏光
では、ｓ偏光・ｐ偏光がランダムに照射されたりｓ偏光
・ｐ偏光の偏りがないので、図４（ａ）、（ｂ）に示す
ように、加工穴が真っ直ぐに形成されると共に、入射部
付近でのクラック発生が抑制される。
【００４１】また、上記実施例では、基本波（１０６４
μｍ）のＱスイッチＹＡＧレーザを使用したが、図１に
関連して上述したように非線形結晶を配置することによ
り、第２高調波（５３２μｍ）又は第三高調波（３５５
μｍ）のＱスイッチＹＡＧレーザを用いることができ
る。この場合にも、比較的低い出力で高いパワー密度が
得られ、これを顔料を付着させた被加工物表面に照射す
ることによって、ガラスに微細穴を加工することができ
る。
【００４２】更に別の実施例では、図１のレーザ加工装
置において、図５に示すように、集光レンズ３の手前の
光路内に公知の位相格子１２を追加し、レーザ光Ｂを該
位相格子を通過した後に集光レンズ３に入射させること
ができる。レーザ光Ｂは、位相格子１２を通過すると、
元の１本のビームが複数のビームに分岐され、各分岐ビ
ームがそれぞれ集光レンズ３により集光されて被加工物
６表面に照射される。従って、被加工物６表面の前記分
岐ビームに対応する複数の位置に微細穴を同時に加工す
ることができ、加工時間が短縮されて生産性が向上す
る。
【００４３】図６は、本発明の第２実施例の方法により
ガラス基板に微細穴を形成する過程を概略的に示してい
る。この実施例では、ガラス基板１３が、使用するレー
ザ光を吸収し易い吸光物質を予め含む組成のガラスで形
成されている。そのため、ガラス基板１３表面に顔料を
付着させる必要がなく、図６（ａ）に示すようにレーザ
光Ｂを直接照射する。このようなガラスとして、例えば
ネオセラムがあり、吸光物質であるアルミナを２０数％
含んでいる。その他に、ソーダガラスなどのガラスや、
ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムなどの結晶を含
む透明材料に適用することができる。
【００４４】使用するレーザは、上記第１実施例と同じ
基本波、第二高調波又は第三高調波のＱスイッチパルス
ＹＡＧレーザであり、その他の加工条件も全く同じであ
る。最初のパルスが照射されると、その部分の表面層に
含まれる前記吸光物質がレーザエネルギを吸収して高熱
を発生し、それによりその部分のガラスが溶融し、蒸発
又は飛散して図６（ｂ）に示すような凹所９と、その周
辺部分に加工変質層１０とを形成する。そして、２番目
以降のパルスのレーザエネルギを加工変質層１０が吸収
して蒸発又は飛散することにより、加工穴１１が図６
（ｃ）に示すように成長し、最終的に図６（ｄ）に示す
ような貫通穴が形成される。
【００４５】
【実施例】本発明の第１実施例によるレーザ加工方法を
用いて、硬質ガラスの一種で「パイレックス」（商標）
の商品名で市販されているホウケイ酸ガラスの薄板（厚
さ１mm）に微細穴あけ加工を行った。顔料として、市販
のマジックインキに使用されている合成樹脂インクを使
用し、スピンコートによりガラス薄板表面に付着させ
た。発振周波数１ｋＨｚ、平均出力４００ｍＷ、波長５
３２μｍのＱスイッチパルスＹＡＧレーザ、ｆ１００mm
の集光レンズを使用した。その他の加工条件は次の３通
りである。
【００４６】（実施例１） レーザのパルスエネルギ： ４００ｍＪ 照射パルス数 ： ４００／秒 （実施例２） レーザのパルスエネルギ： ４００ｍＪ 照射パルス数 ： ２００／秒 （実施例３） レーザのパルスエネルギ： ４００ｍＪ 照射パルス数 ： ３００／秒
【００４７】これら実施例１〜３のいずれの場合にも、
ガラス基板に真っ直ぐな微細穴を加工することができ
た。また、ガラス基板の入射面を加工後に洗浄したとこ
ろ、加工穴の開口は概ね円形で、その周囲にクラックは
ほとんど認められなかった。この結果から、本発明のレ
ーザ加工方法によれば、低出力のレーザを用いて高品質
な微細穴を高速で加工し得ることが分かる。
【００４８】
【発明の効果】本発明は、以上のように構成されている
ので、以下に記載されるような効果を奏する。本発明の
透明材料のレーザ加工方法によれば、集光性の高いＱス
イッチパルス発振レーザを用いてパワー密度を大きく
し、かつガラスなどの透明材料からなる被加工物の表面
に付着させた吸光物質にレーザ光を吸収させることによ
り、数ワット程度の低いレーザ出力で、従来はレーザ加
工が困難であった材質を含む様々な透明材料に対して、
産業上実用的で高品質な微細深穴を高速かつ高精度に形
成することができ、しかもレーザ装置及び加工コストの
低減させることができる。
【００４９】また、本発明の別の側面によれば、同様に
Ｑスイッチパルス発振レーザを使用し、ガラスなどの透
明材料からなる被加工物に含まれる吸光物質にレーザ光
を吸収させることにより、低いレーザ出力で微細な穴あ
け加工をよりスムーズに行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施に適したレーザ加工装置の典型例
を示す概略構成図。
【図２】（ａ）図〜（ｄ）図は、本発明の第１実施例の
方法によりガラス基板に微細穴を形成する過程を概略的
に示す断面図。
【図３】図１の装置においてレーザ光を発振させるレー
ザ発振信号、発振パルス、シャッタ信号、照射パルスを
示す線図。
【図４】（ａ）図及び（ｂ）図は、それぞれレーザ光を
円偏光及びランダム偏光にした場合の加工穴の状態を示
す断面図。
【図５】位相格子を用いた光学系による微細穴あけ加工
を示す概略図。
【図６】（ａ）図〜（ｄ）図は、本発明の第２実施例の
方法によりガラス基板に微細穴を形成する過程を概略的
に示す断面図。
【符号の説明】
１ レーザ発振器 ２ ミラー ３ 集光レンズ ４ シャッタ手段 ５ コンピュータ ６ 被加工物 ７ 非線形結晶 ８ 顔料 ９ 凹所 １０ 加工変質層 １１ 加工穴 １２ 位相格子 １３ ガラス基板
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０３Ｃ 23/00 Ｃ０３Ｃ 23/00 Ｄ ５Ｆ０７２ Ｇ０２Ｂ 5/30 Ｇ０２Ｂ 5/30 Ｈ０１Ｓ 3/11 Ｈ０１Ｓ 3/11 // Ｂ４１Ｊ 2/135 Ｂ４１Ｊ 3/04 １０３Ｎ Ｆターム(参考） 2C057 AF93 AG12 AP13 AP22 AP23 AP43 AP57 AQ01 2H049 BA03 BA06 BA13 BC21 4E068 AA03 AF01 AF02 AJ03 CA02 CA03 CA04 CD04 CD05 CK01 DA09 DB13 4G015 FA09 FB01 FB02 FC10 FC14 4G059 AA08 AB02 AB05 AB07 AC30 5F072 AB01 HH07 KK12 QQ02

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 透明材料からなる被加工物の表面に吸光
    物質を付着させ、前記吸光物質を付着させた前記被加工
    物表面に向けてＱスイッチパルス発振レーザを照射し
    て、該表面に穴を形成することを特徴とする透明材料の
    レーザ加工方法。
  2. 【請求項２】 前記レーザのビームがシングルモードで
    あることを特徴とする請求項１に記載の透明材料のレー
    ザ加工方法。
  3. 【請求項３】 前記レーザの基本波を用いることを特徴
    とする請求項１又は２に記載の透明材料のレーザ加工方
    法。
  4. 【請求項４】 前記レーザの第２高調波を用いることを
    特徴とする請求項１又は２に記載の透明材料のレーザ加
    工方法。
  5. 【請求項５】 前記レーザの第３高調波を用いることを
    特徴とする請求項１又は２に記載の透明材料のレーザ加
    工方法。
  6. 【請求項６】 前記レーザの最初の１つ又は複数のパル
    スのエネルギがそれより後のパルスのエネルギより小さ
    いことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の
    透明材料のレーザ加工方法。
  7. 【請求項７】 前記レーザを円偏光して前記被加工物表
    面に照射することを特徴とする請求項１乃至６のいずれ
    かに記載の透明材料のレーザ加工方法。
  8. 【請求項８】 前記レーザをランダム偏光して前記被加
    工物表面に照射することを特徴とする請求項１乃至６の
    いずれかに記載の透明材料のレーザ加工方法。
  9. 【請求項９】 前記レーザを位相格子により分岐させて
    前記被加工物表面に照射することを特徴とする請求項１
    乃至８のいずれかに記載の透明材料のレーザ加工方法。
  10. 【請求項１０】 前記被加工物を予め加熱する過程を更
    に含むことを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記
    載の透明材料のレーザ加工方法。
  11. 【請求項１１】 前記吸光物質を前記被加工物表面に均
    質にかつ均一な厚さに付着させることを特徴とする請求
    項１乃至１０のいずれかに記載の透明材料のレーザ加工
    方法。
  12. 【請求項１２】 前記被加工物表面に穴を形成した後、
    該穴の開口周辺部分を研磨する過程を更に含むことを特
    徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の透明材料
    のレーザ加工方法。
  13. 【請求項１３】 吸光物質を含む透明材料からなる被加
    工物の表面に向けてＱスイッチパルス発振レーザを照射
    し、該表面に穴を形成することを特徴とする透明材料の
    レーザ加工方法。
  14. 【請求項１４】 前記透明材料がガラス又は結晶である
    ことを特徴とする請求項１又は１３に記載の透明材料の
    レーザ加工方法。
  15. 【請求項１５】 前記Ｑスイッチパルス発振レーザがＱ
    スイッチパルス発振のＹＡＧレーザ、ＹＬＦレーザ又は
    ＹＶＯレーザであることを特徴とする請求項１又は１３
    に記載の透明材料のレーザ加工方法。
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Cited By (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002081142A1 (fr) * 2001-04-02 2002-10-17 Taiyo Yuden Co., Ltd. Procede d'usinage de materiau translucide par faisceau laser et materiau translucide usine
JP2004528984A (ja) * 2001-03-12 2004-09-24 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド 準ｃｗダイオードポンプ固体ｕｖレーザシステム及びそれを使用する方法
JP2005066687A (ja) * 2003-08-28 2005-03-17 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 透明材料の微細アブレーション加工方法
JP2005097107A (ja) * 2003-09-25 2005-04-14 Schott Ag ガラス／ガラスセラミック体のある部位に開口を製造する方法
DE10351226A1 (de) * 2003-10-27 2005-06-09 Baublys Control Laser Gmbh Verfahren zum Beschriften von Glas mittels Laser
WO2005084874A1 (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Olympus Corporation レーザ加工装置
JP2006082232A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Fujitsu Ltd レーザ加工方法
JP2006212698A (ja) * 2005-02-07 2006-08-17 Ricoh Co Ltd 加工方法、加工装置、回折光学素子の加工方法、回折光学素子、フォトニック結晶の加工方法、フォトニック結晶、及びインクジェットプリンタのヘッド
US7880117B2 (en) 2002-12-24 2011-02-01 Panasonic Corporation Method and apparatus of drilling high density submicron cavities using parallel laser beams
JP2011067873A (ja) * 2010-12-06 2011-04-07 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd レーザ光によるライン加工方法およびレーザ加工装置
WO2012014815A1 (ja) * 2010-07-27 2012-02-02 旭硝子株式会社 半導体チップ実装用のガラス基板へのアブレーション加工の方法
CN102528289A (zh) * 2010-11-04 2012-07-04 株式会社迪思科 激光加工装置
EP2488324A1 (de) * 2009-10-15 2012-08-22 BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH Verfahren zum erzeugen von informationen auf einer oberfläche und/oder im inneren eines glaskeramikkörpers, und kochfeld mit einer glaskeramikplatte
JP2012521808A (ja) * 2009-03-27 2012-09-20 エーエムエス・リサーチ・コーポレーション 凝固に対するレーザー変調
JP2013063468A (ja) * 2012-11-19 2013-04-11 Laser System:Kk レーザ加工装置
JP2013081951A (ja) * 2011-10-06 2013-05-09 Disco Corp ガラス基板のアブレーション加工方法
JP2013529137A (ja) * 2010-05-04 2013-07-18 イ−エスアイ−パイロフォトニクス レーザーズ インコーポレイテッド レーザパルスの系列を用いて穿孔する方法及び装置
JP2013212519A (ja) * 2012-04-02 2013-10-17 Disco Corp レーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP2013545308A (ja) * 2010-11-04 2013-12-19 バイオレイズ，インク． 高強度の先頭サブパルスを有する医療用レーザにおけるランプアップパルスパワーのための始動シーケンス
CN103521933A (zh) * 2013-10-14 2014-01-22 江苏大学 一种激光诱导冲击波辅助激光打孔方法
WO2014085660A1 (en) * 2012-11-29 2014-06-05 Corning Incorporated Sacrificial cover layers for laser drilling substrates and methods thereof
KR101407838B1 (ko) * 2006-08-24 2014-06-17 코닝 인코포레이티드 플렉서블 디스플레이 어플리케이션을 위한 얇은 적층 유리 기판의 레이저 분리
KR101409419B1 (ko) 2012-05-17 2014-06-19 주식회사 포스코 방향성 전기강판의 자구 미세화 방법
WO2014154342A3 (de) * 2013-03-26 2014-11-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. Verfahren zum abtragen von sprödhartem material mittels laserstrahlung
WO2015113302A1 (zh) * 2014-01-30 2015-08-06 西门子公司 用于激光钻孔工艺的仿真***和方法
US9346706B2 (en) 2012-11-29 2016-05-24 Corning Incorporated Methods of fabricating glass articles by laser damage and etching
EP3072628A1 (en) * 2015-03-26 2016-09-28 Pratt & Whitney Canada Corp. Laser drilling through multi-layer components using pulse in the millisecond range and having varying energy over time
JP2016222485A (ja) * 2015-05-29 2016-12-28 ビアメカニクス株式会社 レーザ加工方法
CN106808091A (zh) * 2015-11-27 2017-06-09 南京魔迪多维数码科技有限公司 针对二维和三维脆性材料基板进行加工的激光***
JP2018035067A (ja) * 2015-10-01 2018-03-08 旭硝子株式会社 パルスレーザを用いてガラス基板に孔を形成する方法、および孔を有するガラス基板を製造する方法
US9938186B2 (en) 2012-04-13 2018-04-10 Corning Incorporated Strengthened glass articles having etched features and methods of forming the same
CN109848587A (zh) * 2017-11-30 2019-06-07 株式会社迪思科 晶片的加工方法
JP2019206460A (ja) * 2018-05-30 2019-12-05 Ａｇｃ株式会社 レーザを用いて孔を有するガラス基板を製造する方法
US10756003B2 (en) 2016-06-29 2020-08-25 Corning Incorporated Inorganic wafer having through-holes attached to semiconductor wafer
US11062986B2 (en) 2017-05-25 2021-07-13 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US11114309B2 (en) 2016-06-01 2021-09-07 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
JP2021526724A (ja) * 2018-06-15 2021-10-07 アセンド ダイアグノスティクス リミテッド 光をアブレーションすることによって洗浄を改善したイオン源
CN114933407A (zh) * 2022-05-18 2022-08-23 常州亚玛顿股份有限公司 一种mini LED背光结构用通孔玻璃基板的制备方法及背光结构
CN114981220A (zh) * 2019-11-20 2022-08-30 康宁公司 切割玻璃基板与吸光板的组合结构的方法
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness
US11774233B2 (en) 2016-06-29 2023-10-03 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes

Cited By (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004528984A (ja) * 2001-03-12 2004-09-24 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド 準ｃｗダイオードポンプ固体ｕｖレーザシステム及びそれを使用する方法
CN100443241C (zh) * 2001-04-02 2008-12-17 太阳诱电株式会社 利用激光的透光材料的加工方法
WO2002081142A1 (fr) * 2001-04-02 2002-10-17 Taiyo Yuden Co., Ltd. Procede d'usinage de materiau translucide par faisceau laser et materiau translucide usine
US7880117B2 (en) 2002-12-24 2011-02-01 Panasonic Corporation Method and apparatus of drilling high density submicron cavities using parallel laser beams
JP2005066687A (ja) * 2003-08-28 2005-03-17 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 透明材料の微細アブレーション加工方法
JP2005097107A (ja) * 2003-09-25 2005-04-14 Schott Ag ガラス／ガラスセラミック体のある部位に開口を製造する方法
JP4511295B2 (ja) * 2003-09-25 2010-07-28 ショット アクチエンゲゼルシャフト ガラスセラミック体のある部位に開口を製造する方法
DE10351226A1 (de) * 2003-10-27 2005-06-09 Baublys Control Laser Gmbh Verfahren zum Beschriften von Glas mittels Laser
KR100813350B1 (ko) * 2004-03-05 2008-03-12 올림푸스 가부시키가이샤 레이저 가공 장치
WO2005084874A1 (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Olympus Corporation レーザ加工装置
JP2006082232A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Fujitsu Ltd レーザ加工方法
JP2006212698A (ja) * 2005-02-07 2006-08-17 Ricoh Co Ltd 加工方法、加工装置、回折光学素子の加工方法、回折光学素子、フォトニック結晶の加工方法、フォトニック結晶、及びインクジェットプリンタのヘッド
JP4690066B2 (ja) * 2005-02-07 2011-06-01 株式会社リコー 加工方法、加工装置、回折光学素子の加工方法及びフォトニック結晶の加工方法
KR101407838B1 (ko) * 2006-08-24 2014-06-17 코닝 인코포레이티드 플렉서블 디스플레이 어플리케이션을 위한 얇은 적층 유리 기판의 레이저 분리
JP2012521808A (ja) * 2009-03-27 2012-09-20 エーエムエス・リサーチ・コーポレーション 凝固に対するレーザー変調
EP2488324A1 (de) * 2009-10-15 2012-08-22 BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH Verfahren zum erzeugen von informationen auf einer oberfläche und/oder im inneren eines glaskeramikkörpers, und kochfeld mit einer glaskeramikplatte
JP2013529137A (ja) * 2010-05-04 2013-07-18 イ−エスアイ−パイロフォトニクス レーザーズ インコーポレイテッド レーザパルスの系列を用いて穿孔する方法及び装置
WO2012014815A1 (ja) * 2010-07-27 2012-02-02 旭硝子株式会社 半導体チップ実装用のガラス基板へのアブレーション加工の方法
CN102528289A (zh) * 2010-11-04 2012-07-04 株式会社迪思科 激光加工装置
JP2013545308A (ja) * 2010-11-04 2013-12-19 バイオレイズ，インク． 高強度の先頭サブパルスを有する医療用レーザにおけるランプアップパルスパワーのための始動シーケンス
JP2011067873A (ja) * 2010-12-06 2011-04-07 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd レーザ光によるライン加工方法およびレーザ加工装置
JP2013081951A (ja) * 2011-10-06 2013-05-09 Disco Corp ガラス基板のアブレーション加工方法
JP2013212519A (ja) * 2012-04-02 2013-10-17 Disco Corp レーザー加工方法およびレーザー加工装置
US9938186B2 (en) 2012-04-13 2018-04-10 Corning Incorporated Strengthened glass articles having etched features and methods of forming the same
US11001523B2 (en) 2012-04-13 2021-05-11 Corning Incorporated Strengthened glass articles having etched features and methods of forming the same
KR101409419B1 (ko) 2012-05-17 2014-06-19 주식회사 포스코 방향성 전기강판의 자구 미세화 방법
JP2013063468A (ja) * 2012-11-19 2013-04-11 Laser System:Kk レーザ加工装置
WO2014085660A1 (en) * 2012-11-29 2014-06-05 Corning Incorporated Sacrificial cover layers for laser drilling substrates and methods thereof
US10435796B2 (en) 2012-11-29 2019-10-08 Corning Incorporated Work piece including a sacrificial cover layer for laser drilling substrates
US9656910B2 (en) 2012-11-29 2017-05-23 Corning Incorporated Methods of fabricating glass articles by laser damage and etching
US9346706B2 (en) 2012-11-29 2016-05-24 Corning Incorporated Methods of fabricating glass articles by laser damage and etching
US9758876B2 (en) 2012-11-29 2017-09-12 Corning Incorporated Sacrificial cover layers for laser drilling substrates and methods thereof
KR20150136502A (ko) * 2013-03-26 2015-12-07 프라운호퍼-게젤샤프트 추르 푀르더룽 데어 안게반텐 포르슝 에.베. 레이저 방사선을 이용한 취성 경질 재료의 제거 방법
KR102168334B1 (ko) 2013-03-26 2020-10-21 프라운호퍼-게젤샤프트 추르 푀르더룽 데어 안게반텐 포르슝 에.베. 레이저 방사선을 이용한 취성 경질 재료의 제거 방법
WO2014154342A3 (de) * 2013-03-26 2014-11-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. Verfahren zum abtragen von sprödhartem material mittels laserstrahlung
CN103521933A (zh) * 2013-10-14 2014-01-22 江苏大学 一种激光诱导冲击波辅助激光打孔方法
WO2015113302A1 (zh) * 2014-01-30 2015-08-06 西门子公司 用于激光钻孔工艺的仿真***和方法
EP3072628A1 (en) * 2015-03-26 2016-09-28 Pratt & Whitney Canada Corp. Laser drilling through multi-layer components using pulse in the millisecond range and having varying energy over time
EP3072628B1 (en) 2015-03-26 2017-12-20 Pratt & Whitney Canada Corp. Method of drilling a hole in a component with a laser having layers using pulse in the millisecond range and having varying energy over time
JP2016222485A (ja) * 2015-05-29 2016-12-28 ビアメカニクス株式会社 レーザ加工方法
US10442720B2 (en) 2015-10-01 2019-10-15 AGC Inc. Method of forming hole in glass substrate by using pulsed laser, and method of producing glass substrate provided with hole
JP2018035067A (ja) * 2015-10-01 2018-03-08 旭硝子株式会社 パルスレーザを用いてガラス基板に孔を形成する方法、および孔を有するガラス基板を製造する方法
CN106808091B (zh) * 2015-11-27 2018-12-07 南京魔迪多维数码科技有限公司 针对二维和三维脆性材料基板进行加工的激光***
CN106808091A (zh) * 2015-11-27 2017-06-09 南京魔迪多维数码科技有限公司 针对二维和三维脆性材料基板进行加工的激光***
US11114309B2 (en) 2016-06-01 2021-09-07 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
US11774233B2 (en) 2016-06-29 2023-10-03 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
US10756003B2 (en) 2016-06-29 2020-08-25 Corning Incorporated Inorganic wafer having through-holes attached to semiconductor wafer
US11972993B2 (en) 2017-05-25 2024-04-30 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US11062986B2 (en) 2017-05-25 2021-07-13 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
CN109848587B (zh) * 2017-11-30 2022-05-17 株式会社迪思科 晶片的加工方法
CN109848587A (zh) * 2017-11-30 2019-06-07 株式会社迪思科 晶片的加工方法
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness
JP2019206460A (ja) * 2018-05-30 2019-12-05 Ａｇｃ株式会社 レーザを用いて孔を有するガラス基板を製造する方法
JP7091846B2 (ja) 2018-05-30 2022-06-28 Ａｇｃ株式会社 レーザを用いて孔を有するガラス基板を製造する方法
JP7130783B2 (ja) 2018-06-15 2022-09-05 アセンド ダイアグノスティクス リミテッド 光をアブレーションすることによって洗浄を改善したイオン源
JP2021526724A (ja) * 2018-06-15 2021-10-07 アセンド ダイアグノスティクス リミテッド 光をアブレーションすることによって洗浄を改善したイオン源
CN114981220A (zh) * 2019-11-20 2022-08-30 康宁公司 切割玻璃基板与吸光板的组合结构的方法
CN114933407A (zh) * 2022-05-18 2022-08-23 常州亚玛顿股份有限公司 一种mini LED背光结构用通孔玻璃基板的制备方法及背光结构

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