JP2000294561A - GaAsウェハの熱処理方法及び熱処理治具 - Google Patents
GaAsウェハの熱処理方法及び熱処理治具Info
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- JP2000294561A JP2000294561A JP10294199A JP10294199A JP2000294561A JP 2000294561 A JP2000294561 A JP 2000294561A JP 10294199 A JP10294199 A JP 10294199A JP 10294199 A JP10294199 A JP 10294199A JP 2000294561 A JP2000294561 A JP 2000294561A
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- Japan
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- heat treatment
- wafer
- gaas
- jig
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハ面内の活性化の不均一を抑えると共
に、熱処理枚数を増やすことができるGaAsウェハの
熱処理方法及び熱処理治具を提供する。 【解決手段】 GaAsウェハの熱処理治具10の各ウ
ェハ装着用のウェハ装着用溝40に裏面を合わせた2枚
のGaAsウェハ5をそれぞれ装着し、ウェハ装着用溝
40同士の間隔W2 を従来の熱処理治具1のウェハ装着
用溝4同士の間隔W1 に等しくすることにより、GaA
sウェハ面内の活性化を均一にすることができると共
に、熱処理枚数を増やすことができる。
に、熱処理枚数を増やすことができるGaAsウェハの
熱処理方法及び熱処理治具を提供する。 【解決手段】 GaAsウェハの熱処理治具10の各ウ
ェハ装着用のウェハ装着用溝40に裏面を合わせた2枚
のGaAsウェハ5をそれぞれ装着し、ウェハ装着用溝
40同士の間隔W2 を従来の熱処理治具1のウェハ装着
用溝4同士の間隔W1 に等しくすることにより、GaA
sウェハ面内の活性化を均一にすることができると共
に、熱処理枚数を増やすことができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、GaAsウェハの
熱処理方法及び熱処理治具に関する。
熱処理方法及び熱処理治具に関する。
【0002】
【従来の技術】イオン注入後のGaAsウェハは、注入
されたイオンを電気的に活性化させるためには、高温熱
処理が必要である。例えばGaAsウェハにn層を形成
するためイオン注入装置を用いてSiイオンを注入した
場合、GaAs基板内でSiイオンをキャリアとして活
性化させるためには、800℃以上の高温の熱処理が必
要となる。
されたイオンを電気的に活性化させるためには、高温熱
処理が必要である。例えばGaAsウェハにn層を形成
するためイオン注入装置を用いてSiイオンを注入した
場合、GaAs基板内でSiイオンをキャリアとして活
性化させるためには、800℃以上の高温の熱処理が必
要となる。
【0003】図2(a)は従来のGaAsウェハの熱処
理治具の外観斜視図であり、図2(b)は図2(a)の
範囲Aの拡大図である。図3(a)は図2(a)に示し
た熱処理治具の平面図であり、図3(b)は図3(a)
に示した熱処理治具にGaAsウェハが装着された状態
を示す平面図である。
理治具の外観斜視図であり、図2(b)は図2(a)の
範囲Aの拡大図である。図3(a)は図2(a)に示し
た熱処理治具の平面図であり、図3(b)は図3(a)
に示した熱処理治具にGaAsウェハが装着された状態
を示す平面図である。
【0004】熱処理工程に用いられる熱処理治具1は、
長方形の枠型の治具本体2と、治具本体2の下側に設け
られた脚部3とで構成されている。治具本体2の長い方
の辺2a、2bには互いに対向するように幅S1 のウェ
ハ装着用溝4が間隔W1 で形成されており、多数のGa
Asウェハ5を1枚ずつ縦方向(治具本体の長手方向)
に等間隔かつ、表裏が一方向に向くように装着できるよ
うになっている。
長方形の枠型の治具本体2と、治具本体2の下側に設け
られた脚部3とで構成されている。治具本体2の長い方
の辺2a、2bには互いに対向するように幅S1 のウェ
ハ装着用溝4が間隔W1 で形成されており、多数のGa
Asウェハ5を1枚ずつ縦方向(治具本体の長手方向)
に等間隔かつ、表裏が一方向に向くように装着できるよ
うになっている。
【0005】この種の熱処理治具1は、熱処理用ヒータ
(図示せず)の均熱長及びウェハ装着用溝の間隔から1
回当たりのウェハ熱処理枚数が決定される。熱処理用ヒ
ータの均熱長が一定の長さに制限されている場合、ウェ
ハ熱処理枚数を増やすためには、ウェハ装着用溝4の間
隔W1 を狭くする必要がある。
(図示せず)の均熱長及びウェハ装着用溝の間隔から1
回当たりのウェハ熱処理枚数が決定される。熱処理用ヒ
ータの均熱長が一定の長さに制限されている場合、ウェ
ハ熱処理枚数を増やすためには、ウェハ装着用溝4の間
隔W1 を狭くする必要がある。
【0006】一方、GaAsウェハ5は、高温における
Asの解離圧が高いので、熱処理中のキャリアガスは、
AsがGaAsウェハ5の表面から解離しないようにA
s解離圧以上のAs分圧を補償する必要がある。
Asの解離圧が高いので、熱処理中のキャリアガスは、
AsがGaAsウェハ5の表面から解離しないようにA
s解離圧以上のAs分圧を補償する必要がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スルー
プットを上げるために、ウェハ装着用溝4の間隔W1 を
狭くすると、キャリアガスはGaAsウェハ全体に均一
に流れなくなり、GaAsウェハ5の表面のAs解離圧
を一定にすることが補償できなくなり、Asが解離する
場所が生じてしまう。この結果、GaAsウェハ面内の
組成の不均一化を起こし、活性化に影響を与えるという
問題があった。
プットを上げるために、ウェハ装着用溝4の間隔W1 を
狭くすると、キャリアガスはGaAsウェハ全体に均一
に流れなくなり、GaAsウェハ5の表面のAs解離圧
を一定にすることが補償できなくなり、Asが解離する
場所が生じてしまう。この結果、GaAsウェハ面内の
組成の不均一化を起こし、活性化に影響を与えるという
問題があった。
【0008】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、GaAsウェハ面内の活性化の不均一を抑えると共
に、熱処理枚数を増やすことができるGaAsウェハの
熱処理方法及び熱処理治具を提供することにある。
し、GaAsウェハ面内の活性化の不均一を抑えると共
に、熱処理枚数を増やすことができるGaAsウェハの
熱処理方法及び熱処理治具を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のGaAsウェハの熱処理方法は、イオン注入
後のGaAsウェハを電気的に活性化させるための熱処
理を行うGaAsウェハの熱処理方法において、熱処理
治具のウェハ装着用溝の一つに対して2枚のGaAsウ
ェハを装着して熱処理を行うものである。
に本発明のGaAsウェハの熱処理方法は、イオン注入
後のGaAsウェハを電気的に活性化させるための熱処
理を行うGaAsウェハの熱処理方法において、熱処理
治具のウェハ装着用溝の一つに対して2枚のGaAsウ
ェハを装着して熱処理を行うものである。
【0010】本発明のGaAsウェハの熱処理治具は、
イオン注入後のGaAsウェハを電気的に活性化させる
ための熱処理に用いられるGaAsウェハの熱処理治具
において、治具本体に、一つの溝に対して2枚のGaA
sウェハを装着することが可能なウェハ装着用溝が形成
されているものである。
イオン注入後のGaAsウェハを電気的に活性化させる
ための熱処理に用いられるGaAsウェハの熱処理治具
において、治具本体に、一つの溝に対して2枚のGaA
sウェハを装着することが可能なウェハ装着用溝が形成
されているものである。
【0011】本発明によれば、GaAsウェハの熱処理
治具のウェハ装着用の各溝にGaAsウェハの裏面を合
わせた2枚のGaAsウェハをそれぞれ装着し、溝間隔
を従来の熱処理治具の溝の間隔に等しくすることによ
り、GaAsウェハ面内の活性化を均一にすることがで
きると共に、熱処理枚数を増やすことができる。
治具のウェハ装着用の各溝にGaAsウェハの裏面を合
わせた2枚のGaAsウェハをそれぞれ装着し、溝間隔
を従来の熱処理治具の溝の間隔に等しくすることによ
り、GaAsウェハ面内の活性化を均一にすることがで
きると共に、熱処理枚数を増やすことができる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【0013】図1(a)は本発明のGaAsウェハの熱
処理治具の一実施の形態を示す平面図であり、図1
(b)は図1(a)に示した熱処理治具にGaAsウェ
ハが装着された状態を示す平面図である。なお、図2及
び図3に示した従来例と同様の部材には共通の符号を用
いた。
処理治具の一実施の形態を示す平面図であり、図1
(b)は図1(a)に示した熱処理治具にGaAsウェ
ハが装着された状態を示す平面図である。なお、図2及
び図3に示した従来例と同様の部材には共通の符号を用
いた。
【0014】本発明のGaAsウェハの熱処理治具10
は、長方形の枠型の治具本体20と、治具本体20の下
側に設けられた脚部3とで構成されている。治具本体2
0の長い方の辺20a、20bには互いに対向するよう
に幅S2 のウェハ装着用溝40が間隔W2 で形成されて
おり、多数のGaAsウェハ5を2枚ずつ縦方向(治具
本体の長手方向)に等間隔に装着できるようになってい
る。
は、長方形の枠型の治具本体20と、治具本体20の下
側に設けられた脚部3とで構成されている。治具本体2
0の長い方の辺20a、20bには互いに対向するよう
に幅S2 のウェハ装着用溝40が間隔W2 で形成されて
おり、多数のGaAsウェハ5を2枚ずつ縦方向(治具
本体の長手方向)に等間隔に装着できるようになってい
る。
【0015】ウェハ装着用溝40の幅S2 は、治具本体
20の長い方の二辺20a、20bに一つのウェハ装着
用溝40に対して2枚のGaAsウェハ5を装着するこ
とが可能な大きさに形成されている。
20の長い方の二辺20a、20bに一つのウェハ装着
用溝40に対して2枚のGaAsウェハ5を装着するこ
とが可能な大きさに形成されている。
【0016】このような熱処理治具10を用いて、イオ
ン注入後のGaAsウェハ5を電気的に活性化させるた
めの熱処理方法は、熱処理治具10のウェハ装着用溝4
0の一つに対して2枚のGaAsウェハ5を裏面同士合
わせた状態で装着して熱処理を行うものである。このよ
うな熱処理を行うことにより、GaAsウェハ面内の活
性化を均一にすることができ、処理枚数を増やすことが
できる。
ン注入後のGaAsウェハ5を電気的に活性化させるた
めの熱処理方法は、熱処理治具10のウェハ装着用溝4
0の一つに対して2枚のGaAsウェハ5を裏面同士合
わせた状態で装着して熱処理を行うものである。このよ
うな熱処理を行うことにより、GaAsウェハ面内の活
性化を均一にすることができ、処理枚数を増やすことが
できる。
【0017】ここで、ウェハ装着用溝40の間隔W2 を
従来の熱処理治具1のウェハ装着用溝4の間隔W1 と同
等とするために、ウェハ装着用溝40の間隔W2 はGa
Asウェハの厚さをtとすると、数1式で表される。
従来の熱処理治具1のウェハ装着用溝4の間隔W1 と同
等とするために、ウェハ装着用溝40の間隔W2 はGa
Asウェハの厚さをtとすると、数1式で表される。
【0018】
【数1】W2 =W1 +t 間隔W2 は間隔W1 に対してGaAsウェハ5の厚さt
分だけ長くなるが、一般にW1 >tであることから、従
来よりもGaAsウェハ5の熱処理枚数を増やすことが
できる。
分だけ長くなるが、一般にW1 >tであることから、従
来よりもGaAsウェハ5の熱処理枚数を増やすことが
できる。
【0019】
【実施例】(実施例)一つのウェハ装着用溝40に対し
て2枚のGaAsウェハ5を装着し、ウェハ装着用溝4
0同士の間隔W2 を、従来の熱処理治具1のウェハ装着
用溝4同士の間隔W1 と同等(5−0.5=4.5m
m)とした場合、(245/(4.5+0.5×2))
×2は略88となり、88枚のGaAsウェハ5の熱処
理が可能となる。
て2枚のGaAsウェハ5を装着し、ウェハ装着用溝4
0同士の間隔W2 を、従来の熱処理治具1のウェハ装着
用溝4同士の間隔W1 と同等(5−0.5=4.5m
m)とした場合、(245/(4.5+0.5×2))
×2は略88となり、88枚のGaAsウェハ5の熱処
理が可能となる。
【0020】(比較例)従来技術で外径φが76mm
で、厚さ0.5mmがGaAsウェハ5、50枚を5m
m間隔で熱処理治具1に装着して熱処理すると仮定した
場合、50枚の連続したGaAsウェハ5の長さは約2
45mm(正確には49間隔×5mm+ウェハ厚)とな
る。
で、厚さ0.5mmがGaAsウェハ5、50枚を5m
m間隔で熱処理治具1に装着して熱処理すると仮定した
場合、50枚の連続したGaAsウェハ5の長さは約2
45mm(正確には49間隔×5mm+ウェハ厚)とな
る。
【0021】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【0022】ウェハ面内の活性化の不均一を抑えると共
に、処理枚数を増やすことができるGaAsウェハの熱
処理方法及び熱処理治具の提供を実現できる。
に、処理枚数を増やすことができるGaAsウェハの熱
処理方法及び熱処理治具の提供を実現できる。
【図1】(a)は本発明のGaAsウェハの熱処理治具
の一実施の形態を示す平面図であり、(b)は(a)に
示した熱処理治具にGaAsウェハが装着された状態を
示す平面図である。
の一実施の形態を示す平面図であり、(b)は(a)に
示した熱処理治具にGaAsウェハが装着された状態を
示す平面図である。
【図2】(a)は従来のGaAsウェハの熱処理治具の
外観斜視図であり、(b)は(a)の範囲Aの拡大図で
ある。
外観斜視図であり、(b)は(a)の範囲Aの拡大図で
ある。
【図3】(a)は図2(a)に示した熱処理治具の平面
図であり、(b)は(a)に示した熱処理治具にGaA
sウェハが装着された状態を示す平面図である。
図であり、(b)は(a)に示した熱処理治具にGaA
sウェハが装着された状態を示す平面図である。
5 GaAsウェハ 20 治具本体 10 熱処理治具 40 ウェハ装着用溝
Claims (2)
- 【請求項1】 イオン注入後のGaAsウェハを電気的
に活性化させるための熱処理を行うGaAsウェハの熱
処理方法において、熱処理治具のウェハ装着用溝の一つ
に対して2枚のGaAsウェハを装着して熱処理を行う
ことを特徴とするGaAsウェハの熱処理方法。 - 【請求項2】 イオン注入後のGaAsウェハを電気的
に活性化させるための熱処理に用いられるGaAsウェ
ハの熱処理治具において、治具本体に、一つの溝に対し
て2枚のGaAsウェハを装着することが可能なウェハ
装着用溝が形成されていることを特徴とするGaAsウ
ェハの熱処理治具。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10294199A JP2000294561A (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | GaAsウェハの熱処理方法及び熱処理治具 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10294199A JP2000294561A (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | GaAsウェハの熱処理方法及び熱処理治具 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000294561A true JP2000294561A (ja) | 2000-10-20 |
Family
ID=14340866
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10294199A Pending JP2000294561A (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | GaAsウェハの熱処理方法及び熱処理治具 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000294561A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8025729B2 (en) | 2005-07-01 | 2011-09-27 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Device and process for heating III-V wafers, and annealed III-V semiconductor single crystal wafer |
-
1999
- 1999-04-09 JP JP10294199A patent/JP2000294561A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8025729B2 (en) | 2005-07-01 | 2011-09-27 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Device and process for heating III-V wafers, and annealed III-V semiconductor single crystal wafer |
US9181633B2 (en) | 2005-07-01 | 2015-11-10 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Device and process for heating III-V wafers, and annealed III-V semiconductor single crystal wafer |
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