JP2000294561A - ＧａＡｓウェハの熱処理方法及び熱処理治具 - Google Patents
ＧａＡｓウェハの熱処理方法及び熱処理治具Info
- Publication number
- JP2000294561A JP2000294561A JP10294199A JP10294199A JP2000294561A JP 2000294561 A JP2000294561 A JP 2000294561A JP 10294199 A JP10294199 A JP 10294199A JP 10294199 A JP10294199 A JP 10294199A JP 2000294561 A JP2000294561 A JP 2000294561A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- wafer
- gaas
- jig
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハ面内の活性化の不均一を抑えると共
に、熱処理枚数を増やすことができるＧａＡｓウェハの
熱処理方法及び熱処理治具を提供する。 【解決手段】 ＧａＡｓウェハの熱処理治具１０の各ウ
ェハ装着用のウェハ装着用溝４０に裏面を合わせた２枚
のＧａＡｓウェハ５をそれぞれ装着し、ウェハ装着用溝
４０同士の間隔Ｗ2 を従来の熱処理治具１のウェハ装着
用溝４同士の間隔Ｗ1 に等しくすることにより、ＧａＡ
ｓウェハ面内の活性化を均一にすることができると共
に、熱処理枚数を増やすことができる。
に、熱処理枚数を増やすことができるＧａＡｓウェハの
熱処理方法及び熱処理治具を提供する。 【解決手段】 ＧａＡｓウェハの熱処理治具１０の各ウ
ェハ装着用のウェハ装着用溝４０に裏面を合わせた２枚
のＧａＡｓウェハ５をそれぞれ装着し、ウェハ装着用溝
４０同士の間隔Ｗ2 を従来の熱処理治具１のウェハ装着
用溝４同士の間隔Ｗ1 に等しくすることにより、ＧａＡ
ｓウェハ面内の活性化を均一にすることができると共
に、熱処理枚数を増やすことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＧａＡｓウェハの
熱処理方法及び熱処理治具に関する。
熱処理方法及び熱処理治具に関する。
【０００２】
【従来の技術】イオン注入後のＧａＡｓウェハは、注入
されたイオンを電気的に活性化させるためには、高温熱
処理が必要である。例えばＧａＡｓウェハにｎ層を形成
するためイオン注入装置を用いてＳｉイオンを注入した
場合、ＧａＡｓ基板内でＳｉイオンをキャリアとして活
性化させるためには、８００℃以上の高温の熱処理が必
要となる。
されたイオンを電気的に活性化させるためには、高温熱
処理が必要である。例えばＧａＡｓウェハにｎ層を形成
するためイオン注入装置を用いてＳｉイオンを注入した
場合、ＧａＡｓ基板内でＳｉイオンをキャリアとして活
性化させるためには、８００℃以上の高温の熱処理が必
要となる。
【０００３】図２（ａ）は従来のＧａＡｓウェハの熱処
理治具の外観斜視図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）の
範囲Ａの拡大図である。図３（ａ）は図２（ａ）に示し
た熱処理治具の平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）
に示した熱処理治具にＧａＡｓウェハが装着された状態
を示す平面図である。
理治具の外観斜視図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）の
範囲Ａの拡大図である。図３（ａ）は図２（ａ）に示し
た熱処理治具の平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）
に示した熱処理治具にＧａＡｓウェハが装着された状態
を示す平面図である。
【０００４】熱処理工程に用いられる熱処理治具１は、
長方形の枠型の治具本体２と、治具本体２の下側に設け
られた脚部３とで構成されている。治具本体２の長い方
の辺２ａ、２ｂには互いに対向するように幅Ｓ1 のウェ
ハ装着用溝４が間隔Ｗ1 で形成されており、多数のＧａ
Ａｓウェハ５を１枚ずつ縦方向（治具本体の長手方向）
に等間隔かつ、表裏が一方向に向くように装着できるよ
うになっている。
長方形の枠型の治具本体２と、治具本体２の下側に設け
られた脚部３とで構成されている。治具本体２の長い方
の辺２ａ、２ｂには互いに対向するように幅Ｓ1 のウェ
ハ装着用溝４が間隔Ｗ1 で形成されており、多数のＧａ
Ａｓウェハ５を１枚ずつ縦方向（治具本体の長手方向）
に等間隔かつ、表裏が一方向に向くように装着できるよ
うになっている。
【０００５】この種の熱処理治具１は、熱処理用ヒータ
（図示せず）の均熱長及びウェハ装着用溝の間隔から１
回当たりのウェハ熱処理枚数が決定される。熱処理用ヒ
ータの均熱長が一定の長さに制限されている場合、ウェ
ハ熱処理枚数を増やすためには、ウェハ装着用溝４の間
隔Ｗ1 を狭くする必要がある。
（図示せず）の均熱長及びウェハ装着用溝の間隔から１
回当たりのウェハ熱処理枚数が決定される。熱処理用ヒ
ータの均熱長が一定の長さに制限されている場合、ウェ
ハ熱処理枚数を増やすためには、ウェハ装着用溝４の間
隔Ｗ1 を狭くする必要がある。
【０００６】一方、ＧａＡｓウェハ５は、高温における
Ａｓの解離圧が高いので、熱処理中のキャリアガスは、
ＡｓがＧａＡｓウェハ５の表面から解離しないようにＡ
ｓ解離圧以上のＡｓ分圧を補償する必要がある。
Ａｓの解離圧が高いので、熱処理中のキャリアガスは、
ＡｓがＧａＡｓウェハ５の表面から解離しないようにＡ
ｓ解離圧以上のＡｓ分圧を補償する必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スルー
プットを上げるために、ウェハ装着用溝４の間隔Ｗ1 を
狭くすると、キャリアガスはＧａＡｓウェハ全体に均一
に流れなくなり、ＧａＡｓウェハ５の表面のＡｓ解離圧
を一定にすることが補償できなくなり、Ａｓが解離する
場所が生じてしまう。この結果、ＧａＡｓウェハ面内の
組成の不均一化を起こし、活性化に影響を与えるという
問題があった。
プットを上げるために、ウェハ装着用溝４の間隔Ｗ1 を
狭くすると、キャリアガスはＧａＡｓウェハ全体に均一
に流れなくなり、ＧａＡｓウェハ５の表面のＡｓ解離圧
を一定にすることが補償できなくなり、Ａｓが解離する
場所が生じてしまう。この結果、ＧａＡｓウェハ面内の
組成の不均一化を起こし、活性化に影響を与えるという
問題があった。
【０００８】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、ＧａＡｓウェハ面内の活性化の不均一を抑えると共
に、熱処理枚数を増やすことができるＧａＡｓウェハの
熱処理方法及び熱処理治具を提供することにある。
し、ＧａＡｓウェハ面内の活性化の不均一を抑えると共
に、熱処理枚数を増やすことができるＧａＡｓウェハの
熱処理方法及び熱処理治具を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のＧａＡｓウェハの熱処理方法は、イオン注入
後のＧａＡｓウェハを電気的に活性化させるための熱処
理を行うＧａＡｓウェハの熱処理方法において、熱処理
治具のウェハ装着用溝の一つに対して２枚のＧａＡｓウ
ェハを装着して熱処理を行うものである。
に本発明のＧａＡｓウェハの熱処理方法は、イオン注入
後のＧａＡｓウェハを電気的に活性化させるための熱処
理を行うＧａＡｓウェハの熱処理方法において、熱処理
治具のウェハ装着用溝の一つに対して２枚のＧａＡｓウ
ェハを装着して熱処理を行うものである。
【００１０】本発明のＧａＡｓウェハの熱処理治具は、
イオン注入後のＧａＡｓウェハを電気的に活性化させる
ための熱処理に用いられるＧａＡｓウェハの熱処理治具
において、治具本体に、一つの溝に対して２枚のＧａＡ
ｓウェハを装着することが可能なウェハ装着用溝が形成
されているものである。
イオン注入後のＧａＡｓウェハを電気的に活性化させる
ための熱処理に用いられるＧａＡｓウェハの熱処理治具
において、治具本体に、一つの溝に対して２枚のＧａＡ
ｓウェハを装着することが可能なウェハ装着用溝が形成
されているものである。
【００１１】本発明によれば、ＧａＡｓウェハの熱処理
治具のウェハ装着用の各溝にＧａＡｓウェハの裏面を合
わせた２枚のＧａＡｓウェハをそれぞれ装着し、溝間隔
を従来の熱処理治具の溝の間隔に等しくすることによ
り、ＧａＡｓウェハ面内の活性化を均一にすることがで
きると共に、熱処理枚数を増やすことができる。
治具のウェハ装着用の各溝にＧａＡｓウェハの裏面を合
わせた２枚のＧａＡｓウェハをそれぞれ装着し、溝間隔
を従来の熱処理治具の溝の間隔に等しくすることによ
り、ＧａＡｓウェハ面内の活性化を均一にすることがで
きると共に、熱処理枚数を増やすことができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００１３】図１（ａ）は本発明のＧａＡｓウェハの熱
処理治具の一実施の形態を示す平面図であり、図１
（ｂ）は図１（ａ）に示した熱処理治具にＧａＡｓウェ
ハが装着された状態を示す平面図である。なお、図２及
び図３に示した従来例と同様の部材には共通の符号を用
いた。
処理治具の一実施の形態を示す平面図であり、図１
（ｂ）は図１（ａ）に示した熱処理治具にＧａＡｓウェ
ハが装着された状態を示す平面図である。なお、図２及
び図３に示した従来例と同様の部材には共通の符号を用
いた。
【００１４】本発明のＧａＡｓウェハの熱処理治具１０
は、長方形の枠型の治具本体２０と、治具本体２０の下
側に設けられた脚部３とで構成されている。治具本体２
０の長い方の辺２０ａ、２０ｂには互いに対向するよう
に幅Ｓ2 のウェハ装着用溝４０が間隔Ｗ2 で形成されて
おり、多数のＧａＡｓウェハ５を２枚ずつ縦方向（治具
本体の長手方向）に等間隔に装着できるようになってい
る。
は、長方形の枠型の治具本体２０と、治具本体２０の下
側に設けられた脚部３とで構成されている。治具本体２
０の長い方の辺２０ａ、２０ｂには互いに対向するよう
に幅Ｓ2 のウェハ装着用溝４０が間隔Ｗ2 で形成されて
おり、多数のＧａＡｓウェハ５を２枚ずつ縦方向（治具
本体の長手方向）に等間隔に装着できるようになってい
る。
【００１５】ウェハ装着用溝４０の幅Ｓ2 は、治具本体
２０の長い方の二辺２０ａ、２０ｂに一つのウェハ装着
用溝４０に対して２枚のＧａＡｓウェハ５を装着するこ
とが可能な大きさに形成されている。
２０の長い方の二辺２０ａ、２０ｂに一つのウェハ装着
用溝４０に対して２枚のＧａＡｓウェハ５を装着するこ
とが可能な大きさに形成されている。
【００１６】このような熱処理治具１０を用いて、イオ
ン注入後のＧａＡｓウェハ５を電気的に活性化させるた
めの熱処理方法は、熱処理治具１０のウェハ装着用溝４
０の一つに対して２枚のＧａＡｓウェハ５を裏面同士合
わせた状態で装着して熱処理を行うものである。このよ
うな熱処理を行うことにより、ＧａＡｓウェハ面内の活
性化を均一にすることができ、処理枚数を増やすことが
できる。
ン注入後のＧａＡｓウェハ５を電気的に活性化させるた
めの熱処理方法は、熱処理治具１０のウェハ装着用溝４
０の一つに対して２枚のＧａＡｓウェハ５を裏面同士合
わせた状態で装着して熱処理を行うものである。このよ
うな熱処理を行うことにより、ＧａＡｓウェハ面内の活
性化を均一にすることができ、処理枚数を増やすことが
できる。
【００１７】ここで、ウェハ装着用溝４０の間隔Ｗ2 を
従来の熱処理治具１のウェハ装着用溝４の間隔Ｗ1 と同
等とするために、ウェハ装着用溝４０の間隔Ｗ2 はＧａ
Ａｓウェハの厚さをｔとすると、数１式で表される。
従来の熱処理治具１のウェハ装着用溝４の間隔Ｗ1 と同
等とするために、ウェハ装着用溝４０の間隔Ｗ2 はＧａ
Ａｓウェハの厚さをｔとすると、数１式で表される。
【００１８】
【数１】Ｗ2 ＝Ｗ1 ＋ｔ 間隔Ｗ2 は間隔Ｗ1 に対してＧａＡｓウェハ５の厚さｔ
分だけ長くなるが、一般にＷ1 ＞ｔであることから、従
来よりもＧａＡｓウェハ５の熱処理枚数を増やすことが
できる。
分だけ長くなるが、一般にＷ1 ＞ｔであることから、従
来よりもＧａＡｓウェハ５の熱処理枚数を増やすことが
できる。
【００１９】
【実施例】（実施例）一つのウェハ装着用溝４０に対し
て２枚のＧａＡｓウェハ５を装着し、ウェハ装着用溝４
０同士の間隔Ｗ2 を、従来の熱処理治具１のウェハ装着
用溝４同士の間隔Ｗ1 と同等（５−０．５＝４．５ｍ
ｍ）とした場合、（２４５／（４．５＋０．５×２））
×２は略８８となり、８８枚のＧａＡｓウェハ５の熱処
理が可能となる。
て２枚のＧａＡｓウェハ５を装着し、ウェハ装着用溝４
０同士の間隔Ｗ2 を、従来の熱処理治具１のウェハ装着
用溝４同士の間隔Ｗ1 と同等（５−０．５＝４．５ｍ
ｍ）とした場合、（２４５／（４．５＋０．５×２））
×２は略８８となり、８８枚のＧａＡｓウェハ５の熱処
理が可能となる。
【００２０】（比較例）従来技術で外径φが７６ｍｍ
で、厚さ０．５ｍｍがＧａＡｓウェハ５、５０枚を５ｍ
ｍ間隔で熱処理治具１に装着して熱処理すると仮定した
場合、５０枚の連続したＧａＡｓウェハ５の長さは約２
４５ｍｍ（正確には４９間隔×５ｍｍ＋ウェハ厚）とな
る。
で、厚さ０．５ｍｍがＧａＡｓウェハ５、５０枚を５ｍ
ｍ間隔で熱処理治具１に装着して熱処理すると仮定した
場合、５０枚の連続したＧａＡｓウェハ５の長さは約２
４５ｍｍ（正確には４９間隔×５ｍｍ＋ウェハ厚）とな
る。
【００２１】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００２２】ウェハ面内の活性化の不均一を抑えると共
に、処理枚数を増やすことができるＧａＡｓウェハの熱
処理方法及び熱処理治具の提供を実現できる。
に、処理枚数を増やすことができるＧａＡｓウェハの熱
処理方法及び熱処理治具の提供を実現できる。
【図１】（ａ）は本発明のＧａＡｓウェハの熱処理治具
の一実施の形態を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に
示した熱処理治具にＧａＡｓウェハが装着された状態を
示す平面図である。
の一実施の形態を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に
示した熱処理治具にＧａＡｓウェハが装着された状態を
示す平面図である。
【図２】（ａ）は従来のＧａＡｓウェハの熱処理治具の
外観斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の範囲Ａの拡大図で
ある。
外観斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の範囲Ａの拡大図で
ある。
【図３】（ａ）は図２（ａ）に示した熱処理治具の平面
図であり、（ｂ）は（ａ）に示した熱処理治具にＧａＡ
ｓウェハが装着された状態を示す平面図である。
図であり、（ｂ）は（ａ）に示した熱処理治具にＧａＡ
ｓウェハが装着された状態を示す平面図である。
５ ＧａＡｓウェハ ２０ 治具本体 １０ 熱処理治具 ４０ ウェハ装着用溝
Claims (2)
- 【請求項１】 イオン注入後のＧａＡｓウェハを電気的
に活性化させるための熱処理を行うＧａＡｓウェハの熱
処理方法において、熱処理治具のウェハ装着用溝の一つ
に対して２枚のＧａＡｓウェハを装着して熱処理を行う
ことを特徴とするＧａＡｓウェハの熱処理方法。 - 【請求項２】 イオン注入後のＧａＡｓウェハを電気的
に活性化させるための熱処理に用いられるＧａＡｓウェ
ハの熱処理治具において、治具本体に、一つの溝に対し
て２枚のＧａＡｓウェハを装着することが可能なウェハ
装着用溝が形成されていることを特徴とするＧａＡｓウ
ェハの熱処理治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10294199A JP2000294561A (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | ＧａＡｓウェハの熱処理方法及び熱処理治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10294199A JP2000294561A (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | ＧａＡｓウェハの熱処理方法及び熱処理治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000294561A true JP2000294561A (ja) | 2000-10-20 |
Family
ID=14340866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10294199A Pending JP2000294561A (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | ＧａＡｓウェハの熱処理方法及び熱処理治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000294561A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8025729B2 (en) | 2005-07-01 | 2011-09-27 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Device and process for heating III-V wafers, and annealed III-V semiconductor single crystal wafer |
-
1999
- 1999-04-09 JP JP10294199A patent/JP2000294561A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8025729B2 (en) | 2005-07-01 | 2011-09-27 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Device and process for heating III-V wafers, and annealed III-V semiconductor single crystal wafer |
| US9181633B2 (en) | 2005-07-01 | 2015-11-10 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Device and process for heating III-V wafers, and annealed III-V semiconductor single crystal wafer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0926719A3 (en) | Method and apparatus for heat-treating an SOI substrate and method of preparing an SOI substrate by using the same | |
| JPH11176822A (ja) | 半導体処理装置 | |
| US10297464B2 (en) | Process for the manufacture of a semiconductor element comprising a layer for trapping charges | |
| JP2000294561A (ja) | ＧａＡｓウェハの熱処理方法及び熱処理治具 | |
| JP2016058643A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JPWO2005024916A1 (ja) | Ｓｏｉウェーハの作製方法 | |
| KR970072120A (ko) | 기판 처리방법 및 처리장치 | |
| KR100254318B1 (ko) | 갈륨비소 가열냉각 보트 설계 및 그 이용방법 | |
| JP2005129575A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPS6037122A (ja) | 半導体基板のアニ−ル方法 | |
| JPH10289883A (ja) | 半絶縁性ＧａＡｓウェハの熱処理方法及び熱処理装置 | |
| JPS60173844A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH01296618A (ja) | ３−ｖ族半導体基板の熱処理方法 | |
| KR20010109791A (ko) | 실리콘웨이퍼 내의 금속 불순물 제거 방법 | |
| JP2002075898A (ja) | 円形ランプによる試料均熱方法 | |
| JPH01274420A (ja) | 半導体基板の熱処理方法 | |
| JPS60216542A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6118126A (ja) | ｐ−ｎ接合の形成方法 | |
| JPH02249227A (ja) | 短時間熱処理方法 | |
| KR20020039129A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| JPS59161828A (ja) | 反応装置 | |
| JP2002134593A (ja) | 半導体ウェーハの支持構造 | |
| JPS62291025A (ja) | 半導体基板のアニ−ル方法 | |
| JPS63120430A (ja) | 結晶欠陥発生防止方法 | |
| JPH0487327A (ja) | 半導体の製造方法 |