JP2000288882A - Both-sided simultaneous grinding apparatus, cup-type grinding wheel and both-sided simultaneous grinding method - Google Patents

Both-sided simultaneous grinding apparatus, cup-type grinding wheel and both-sided simultaneous grinding method

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JP2000288882A
JP2000288882A JP11096263A JP9626399A JP2000288882A JP 2000288882 A JP2000288882 A JP 2000288882A JP 11096263 A JP11096263 A JP 11096263A JP 9626399 A JP9626399 A JP 9626399A JP 2000288882 A JP2000288882 A JP 2000288882A
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grinding
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Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Nagano Electronics Industrial Co Ltd
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Shin Etsu Handotai Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent local expansion of the central part of a plate-like workpiece and machine a plate-like workpiece having both sides with high flatness by providing a means for cooling the central part of a plate-like workpiece in the course of both- sided simultaneous grinding. SOLUTION: A pair of cup-type grinding wheels 2 are made approach to clamp a work W from both sides while being rotated, and with the outer periphery of a grinding wheel part 2b brought into contact with the work W, the work W and the cup-like grinding wheel 2 are rotated in the opposite directions to grind the work. During grinding, a coolant such as a cooling liquid, compressed gas or the like is injected from a pair of cooling nozzles 6 toward the central part of the work W and the contact part of the grinding wheel 2 to directly cool the central part of the work W. Thus, the cooling effect to the central part of the work is enough heightened so that the central part is inhibited from being elevated to high temperature due to frictional heat to restrain local thermal expansion of the central part. The in-plane expansion of the work is equalized so that after grinding, a recessed part is not formed in the central part, and the whole surface of the work can be machined with high flatness.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ、
露光原版用石英基板等の板状被加工物の両面同時研削装
置及び研削方法並びにこれに用いられるカップ型砥石に
関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor wafer,
The present invention relates to a double-sided simultaneous grinding apparatus and a grinding method for a plate-like workpiece such as a quartz substrate for an exposure master, and a cup-type grindstone used for the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から半導体ウェーハや石英基板等の
板状被加工物の精密加工において平面研削が用いられて
いる。平面研削では、片面研削または両面研削が行われ
る。両面研削でも、片面ずつ研削し、反転させもう一方
の面を研削する方法や、同時に両面を研削する両面同時
研削または両頭研削といわれる研削方法もある。ウェー
ハの表面を同時に研削する両頭研削方式にも幾つかの方
式があるが、2つの対になる円筒砥石の間にウェーハを
通すことによって研削するクリープフィード研削や、一
対のカップ型砥石を用い、砥石がウェーハ中心を通過す
るようにカップ型砥石とウェーハとが共に回転しながら
研削するインフィード研削方式が主流である。
2. Description of the Related Art Conventionally, surface grinding has been used in precision processing of a plate-like workpiece such as a semiconductor wafer or a quartz substrate. In the surface grinding, single-side grinding or double-side grinding is performed. In the double-side grinding, there is also a method of grinding one side at a time, turning over and grinding the other side, and a grinding method called simultaneous double-sided grinding or double-sided grinding in which both sides are simultaneously ground. There are several types of double-head grinding methods that simultaneously grind the surface of the wafer, but creep-feed grinding, which involves grinding the wafer by passing the wafer between two paired cylindrical grindstones, or a pair of cup-type grindstones, An in-feed grinding method in which a cup-type grindstone and a wafer rotate and grind together so that the grindstone passes through the center of the wafer is mainly used.

【0003】図8に例示した半導体ウエーハの研削に用
いられるインフィード型両面同時研削装置1aは、同方
向に回転する一対のカップ型砥石2とワークWを両面か
ら支持する二対のワーク押えローラ4、ワークWの円周
を支持する4個のワークガイドローラ5とワークWを砥
石と反対方向に回転駆動する一対のワーク駆動ローラ3
から構成されている。カップ型砥石2はカップ状基台2
aと砥石部2bと砥石回転軸2cから成り、砥石部2b
の研削面には砥石セグメント(不図示)が接合されてい
る。ワークWとカップ型砥石2は所定の回転速度で回転
される。研削用スラリは、通常、砥石回転軸2cの中心
孔(不図示)から供給するか、砥石の外周または内側に
掛け流すようになっている。
An infeed-type double-sided simultaneous grinding apparatus 1a used for grinding a semiconductor wafer illustrated in FIG. 8 is a pair of work holding rollers for supporting a pair of cup-type grindstones 2 and a work W rotating in the same direction from both sides. 4. Four work guide rollers 5 for supporting the circumference of the work W and a pair of work drive rollers 3 for rotating the work W in the direction opposite to the grindstone
It is composed of The cup-shaped grindstone 2 is a cup-shaped base 2
a, a grinding wheel portion 2b and a grinding wheel rotating shaft 2c.
A grinding wheel segment (not shown) is joined to the ground surface. The work W and the cup-shaped grindstone 2 are rotated at a predetermined rotation speed. The grinding slurry is usually supplied from a center hole (not shown) of the grinding wheel rotating shaft 2c, or flows around or around the grinding wheel.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】近年、上記インフィー
ド型の研削方法がクリープフィード型に比べ高い平坦度
が得られ易いという利点から一般的に用いられている
が、この方法では、ウェーハ中心と砥石が常に接触する
ことになりクーラント等によるウェーハ中心部の冷却効
果が十分受けられない。そのため、ウェーハ中心部は熱
膨張した状態で研削されていると考えられ、研削後の板
状被加工物の形状は中心部が凹んだ形状となる。この凹
みは研削の後工程では除去されにくいことから、一層の
高平坦度を追求する上で、研削工程で解決すべき問題と
なっている。
In recent years, the above-mentioned in-feed type grinding method is generally used because of its advantage that a higher flatness can be easily obtained as compared with the creep-feed type grinding method. The grinding stone always comes into contact, and the cooling effect of the coolant or the like at the center of the wafer cannot be sufficiently obtained. Therefore, it is considered that the central portion of the wafer is ground in a thermally expanded state, and the shape of the plate-like workpiece after the grinding has a concave shape at the central portion. Since the dent is difficult to remove in the post-grinding process, it is a problem to be solved in the grinding process in pursuing higher flatness.

【0005】そこで、本発明は、上記問題点に鑑みてな
されたもので、カップ型砥石を使用するインフィード型
両面同時研削装置において、カップ型砥石が常に接触し
ている板状被加工物の中心部の局所的な膨張を防ぎつつ
研削し、両面が高平坦度な板状被加工物に加工すること
ができる両面同時研削装置とカップ型砥石および研削方
法を提供することを主たる目的とする。
In view of the above, the present invention has been made in view of the above problems, and in an infeed type double-sided simultaneous grinding apparatus using a cup-type grindstone, a plate-shaped workpiece to which a cup-type grindstone is always in contact. A main object of the present invention is to provide a double-sided simultaneous grinding device, a cup-type grindstone, and a grinding method capable of performing grinding while preventing local expansion of a central portion and processing both surfaces into a plate-shaped workpiece having high flatness. .

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明の請求項1に記載した発明は、カップ型砥石を用
いた板状被加工物のインフィード型両面同時研削装置に
おいて、両面同時研削中の板状被加工物の中心部を冷却
する手段を具備することを特徴とする両面同時研削装置
である。
Means for Solving the Problems In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 of the present invention is directed to an in-feed type double-sided simultaneous grinding apparatus for a plate-shaped workpiece using a cup-type grindstone. A double-sided simultaneous grinding apparatus comprising means for cooling a central portion of a plate-like workpiece during grinding.

【0007】このように、板状被加工物(以下、ワーク
ということがある)の両面の中心部を積極的に冷却する
手段を設けた装置とすれば、研削中のワークの中心部は
常に冷却されて局所的な熱膨張が抑制され、ワーク面内
の膨張は均一となり、中心部の過度な研削が防止できる
ので研削後の中心部の凹んだ形状は除去され高平坦度を
確保することができる両面同時研削装置となる。
As described above, if the apparatus is provided with means for actively cooling the central portions on both sides of a plate-like workpiece (hereinafter, sometimes referred to as a workpiece), the central portion of the workpiece during grinding is always kept at a constant level. Cooling suppresses local thermal expansion, uniform expansion within the work surface, and prevents excessive grinding of the central part, so the concave shape of the central part after grinding is removed and high flatness is secured. It is a double-sided simultaneous grinding device that can perform.

【0008】この場合、請求項2に記載したように、前
記インフィード型両面同時研削装置において、中心部を
冷却する手段を、板状被加工物の両面の中心部に水性ま
たは油性のクーラント等の冷却液または空気または窒素
等の圧縮気体を噴射させる手段とすることができる。
In this case, in the infeed-type double-sided simultaneous grinding apparatus, the means for cooling the central portion is provided with a coolant such as an aqueous or oil-based coolant at the central portion on both sides of the plate-like workpiece. Means for injecting a compressed gas such as a cooling liquid or air or nitrogen.

【0009】このように、ワークの両面の中心部に冷却
液または圧縮気体等の冷却媒体を噴射させる手段を設け
た装置とすれば、容易にワーク中心部を冷却することが
でき、ワーク中心部の局所的な熱膨張を強制的に抑える
ことができる。従って、ワーク面内の膨張は平均化さ
れ、ワーク両面の全面を高平坦度に加工することができ
る装置となる。
As described above, if the apparatus is provided with means for injecting a cooling medium such as a cooling liquid or a compressed gas into the center of both sides of the work, the center of the work can be easily cooled, and the center of the work can be easily cooled. Local thermal expansion can be forcibly suppressed. Therefore, the expansion in the work surface is averaged, and the entire surface on both surfaces of the work can be machined with high flatness.

【0010】そして、本発明の請求項3に記載した発明
は、カップ型砥石を用いた板状被加工物のインフィード
型両面同時研削装置において、カップ型砥石および/ま
たは板状被加工物を砥石幅以上の幅に揺動させる手段を
設けたことを特徴とする両面同時研削装置である。
According to a third aspect of the present invention, there is provided an infeed type double-side simultaneous grinding apparatus for a plate-like workpiece using a cup-type grindstone, wherein the cup-type grindstone and / or the plate-like workpiece is removed. A double-sided simultaneous grinding apparatus characterized in that a means for swinging to a width equal to or greater than the width of the grindstone is provided.

【0011】このように、カップ型砥石および/または
板状被加工物を砥石幅以上の幅に揺動させる手段を設け
た装置とすれば、砥石がワーク中心部を通過しない状態
を周期的に作り出すことができ、ワーク中心部との接触
時間が短縮され、摩擦熱による高温化が抑制され、中心
部の熱膨張が抑えられてワーク面内の膨張は平均化さ
れ、ワーク両面の全面を高平坦度に加工することができ
る装置となる。
As described above, if the apparatus provided with the means for swinging the cup-shaped grindstone and / or the plate-shaped workpiece to a width equal to or larger than the grindstone width is provided, the state in which the grindstone does not pass through the center of the work is periodically changed. Can be created, the contact time with the center of the work is reduced, the temperature rise due to frictional heat is suppressed, the thermal expansion at the center is suppressed, the expansion in the work surface is averaged, and the entire surface of the work The device can be processed to have a flatness.

【0012】さらに、本発明の請求項4に記載した発明
では、請求項1または請求項2に記載したカップ型砥石
を用いた板状被加工物のインフィード型両面同時研削装
置において、カップ型砥石および/または板状被加工物
を砥石幅以上の幅に揺動させる手段を設けた。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an infeed-type double-sided simultaneous grinding apparatus for a plate-like workpiece using the cup-type grindstone according to the first or second aspect. A means is provided for swinging the grindstone and / or plate-shaped workpiece to a width equal to or greater than the grindstone width.

【0013】このように、カップ型砥石および/または
ワークを砥石幅以上の幅に揺動させる手段と、両面同時
研削中のワークの中心部を冷却する手段あるいは中心部
を冷却する手段としてワークの両面の中心部に冷却液ま
たは圧縮気体を噴射させる手段を併設した両面同時研削
装置とすれば、砥石がワーク中心部を通過しない状態を
周期的に作り出すことができ、ワーク中心部との接触時
間が大幅に短縮され、摩擦熱による高温化が抑制される
と共にクーラントが直接ワーク中心部に当たるようにな
って冷却効果が高まり、中心部の熱膨張が効果的に抑え
られてワーク面内の膨張は平均化され、ワーク両面の全
面を一層高平坦度に加工することができる装置となる。
As described above, the means for swinging the cup-type grindstone and / or the work to a width equal to or greater than the width of the grindstone and the means for cooling the center of the work during simultaneous double-side grinding or the means for cooling the center are provided. If a simultaneous double-sided grinding device equipped with a means for injecting a cooling liquid or a compressed gas to the center of both surfaces is used, a state where the grinding stone does not pass through the center of the work can be periodically created, and the contact time with the center of the work can be reduced. Is greatly shortened, the temperature rise due to frictional heat is suppressed, and the coolant directly hits the center of the work, increasing the cooling effect.The thermal expansion of the center is effectively suppressed, and the expansion in the work surface is reduced. This is an apparatus that is averaged and can process the entire surface of both surfaces of the work to a higher flatness.

【0014】次に、本発明の請求項5に記載した発明
は、インフィード型両面同時研削装置で使用するカップ
型砥石であって、砥石の形状が、砥石幅以上に偏心させ
た円形砥石または砥石幅以上に変形させた楕円形砥石で
あることを特徴とするカップ型砥石である。
Next, the invention described in claim 5 of the present invention is a cup-type grindstone used in an infeed-type double-sided simultaneous grinding device, wherein the shape of the grindstone is a circular grindstone or an eccentricity greater than the grindstone width. A cup-type grindstone characterized by being an elliptical grindstone deformed to a width equal to or greater than the grindstone width.

【0015】このように、カップ型砥石の形状を砥石幅
以上に偏心させた円形砥石または砥石幅以上に変形させ
た楕円形砥石とすれば、円形砥石を機械的に揺動させる
のと同様の軌跡を描いて揺動するので、砥石がワーク中
心部を通過しない状態を周期的に作り出すことができ、
ワーク中心部との接触時間が短縮され、摩擦熱による高
温化が抑制され、中心部の熱膨張が抑えられてワーク面
内の膨張は平均化され、ワーク両面の全面を高平坦度に
加工することができるカップ型砥石となる。
As described above, if the shape of the cup-type grindstone is a circular grindstone eccentrically larger than the grindstone width or an elliptical grindstone deformed beyond the grindstone width, it is the same as mechanically swinging the circular grindstone. Since it oscillates in a trajectory, it is possible to periodically create a state where the whetstone does not pass through the center of the work,
The contact time with the center of the work is shortened, the temperature rise due to frictional heat is suppressed, the thermal expansion of the center is suppressed, the expansion within the work surface is averaged, and the entire surface of both surfaces of the work is processed with high flatness A cup-shaped whetstone that can be used.

【0016】そして、請求項6に記載した発明は、イン
フィード型両面同時研削装置で使用するカップ型砥石で
あって、砥石の形状が、多角形であることを特徴とする
カップ型砥石である。このように、カップ型砥石の形状
を、三角形、四角形、……多角形としても、前記楕円形
砥石等と同様に揺動させるのと同じ効果が発揮され、ワ
ーク両面の全面を高平坦度に加工することができるカッ
プ型砥石となる。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a cup-type grindstone used in an infeed type double-sided simultaneous grinding apparatus, wherein the shape of the grindstone is polygonal. . As described above, even when the shape of the cup-shaped grindstone is triangular, quadrangular,..., Polygonal, the same effect as swinging as in the case of the elliptical grindstone and the like is exerted, and the entire surface of both surfaces of the work is made to have high flatness. A cup-shaped grindstone that can be machined.

【0017】さらに、請求項7に記載した発明は、イン
フィード型両面同時研削装置で使用するカップ型砥石で
あって、砥石がセグメントの間隔を空けた櫛歯状である
ことを特徴とするカップ型砥石であって、この場合、請
求項8に記載したように、前記砥石のセグメントの全長
が、砥石全周の3/4以下、1/4以上であることが望
ましい。
Further, according to the present invention, there is provided a cup-type grindstone used in an infeed-type double-sided simultaneous grinding apparatus, wherein the grindstone has a comb-teeth shape with a space between segments. In this case, it is desirable that the entire length of the segment of the grinding stone is not more than / and not less than 4 of the entire circumference of the grinding stone.

【0018】このように、例えばカップ型砥石の円周上
に空間部を全周の25〜75%程度設ければ、砥石を揺
動させしなくても、砥石がワーク中心部を通過しない状
態をほぼ連続的に作り出すことができ、ワーク中心部と
の接触時間が短縮され、摩擦熱による高温化が抑制さ
れ、中心部の熱膨張が抑えられてワーク面内の膨張は均
一化され、ワーク面内の平坦度を高精度に加工すること
ができるカップ型砥石となる。
As described above, for example, if the space portion is provided on the circumference of the cup-type grindstone by about 25 to 75% of the entire circumference, the grindstone does not pass through the center portion of the work without swinging the grindstone. Can be produced almost continuously, the contact time with the center of the work is reduced, the temperature rise due to frictional heat is suppressed, the thermal expansion of the center is suppressed, and the expansion within the work surface is uniform, A cup-type grindstone capable of processing the in-plane flatness with high accuracy.

【0019】ここで、本発明の請求項9に記載した発明
は、請求項1ないし請求項4のいずれか1項の装置にお
いて、カップ型砥石を請求項5ないし請求項8のいずれ
か1項のものとすることを特徴とする両面同時研削装置
である。このように、請求項1ないし請求項4のいずれ
か1項の装置において、請求項5ないし請求項8のいず
れか1項のカップ型砥石を装着してワークを研削すれ
ば、ワーク中心部の強制冷却と砥石またはワークの揺動
により、ワーク中心部の熱膨張は一層抑制され研削後の
中心部に凹部が形成されることなく、高平坦度の両面同
時研削が可能な装置となる。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided the apparatus according to any one of the first to fourth aspects, wherein the cup-type grindstone is provided as any one of the fifth to eighth aspects. And a double-sided simultaneous grinding apparatus. As described above, in the apparatus according to any one of claims 1 to 4, when the workpiece is ground by mounting the cup-type grindstone according to any one of claims 5 to 8, the center of the workpiece can be formed. Due to the forced cooling and the rocking of the grindstone or the work, the thermal expansion of the work center is further suppressed, and the flat surface can be simultaneously ground without forming a recess in the center after the grinding.

【0020】次に、本発明の請求項10に記載した発明
は、カップ型砥石を用いたインフィード型の両面同時研
削において、板状被加工物の中心部を冷却しつつ研削す
ることを特徴とする両面同時研削方法であり、この場
合、請求項11に記載したように、請求項10のインフ
ィード型の両面同時研削において、板状被加工物の両面
の中心部に冷却液または圧縮気体を噴射しながら研削す
ることを特徴とする両面同時研削方法である。
Next, the invention according to claim 10 of the present invention is characterized in that in the infeed type simultaneous double-side grinding using a cup-type grinding wheel, grinding is performed while cooling a central portion of a plate-shaped workpiece. In this case, as described in claim 11, in the infeed-type double-sided simultaneous grinding of claim 10, a cooling liquid or a compressed gas is applied to the center of both surfaces of the plate-shaped workpiece. This is a double-sided simultaneous grinding method characterized by grinding while spraying.

【0021】このように、ワークの両面の中心部に冷却
液または圧縮気体を噴射する等して、常時ワーク中心部
を集中的に冷却させれば、ワーク中心部の熱膨張を強制
的に抑えることができるので、ワーク面内の膨張は平均
化され、ワーク両面の全面を高平坦度に加工することが
できる。従って、研削工程における歩留り、生産性の向
上を図ることができ、コストを改善することができる。
As described above, if the central portion of the work is constantly intensively cooled by injecting the cooling liquid or the compressed gas into the central portions of both surfaces of the work, the thermal expansion of the central portion of the work is forcibly suppressed. Therefore, the expansion in the work surface is averaged, and the entire surface on both surfaces of the work can be processed with high flatness. Therefore, the yield and productivity in the grinding process can be improved, and the cost can be improved.

【0022】本発明の請求項12に記載した発明は、カ
ップ型砥石を用いたインフィード型の両面同時研削にお
いて、カップ型砥石および/または板状被加工物を砥石
幅以上に揺動させながら研削する事を特徴とする両面同
時研削方法である。
According to a twelfth aspect of the present invention, in the infeed type double-sided simultaneous grinding using a cup-shaped grindstone, the cup-shaped grindstone and / or the plate-shaped workpiece is oscillated more than the grindstone width. This is a double-sided simultaneous grinding method characterized by grinding.

【0023】このように、カップ型砥石および/または
板状被加工物を砥石幅以上の幅に揺動させながら研削す
れば、砥石がワーク中心部を通過しない状態を周期的に
作り出すことができ、ワーク中心部との接触時間が短縮
され、また研削用スラリや冷却液または圧縮気体等の冷
却媒体が空間部に入り込むことによって、中心部の摩擦
熱による高温化が抑制され、熱膨張が抑えられてワーク
面内の膨張は平均化され、ワーク両面の全面を高平坦度
に加工することができる。
As described above, by grinding the cup-shaped grindstone and / or the plate-shaped workpiece while swinging it to a width not less than the width of the grindstone, a state in which the grindstone does not pass through the center of the work can be periodically created. The contact time with the center of the work is shortened, and the cooling medium such as grinding slurry, cooling liquid, or compressed gas enters the space, which suppresses the increase in temperature due to frictional heat at the center and suppresses thermal expansion. As a result, the expansion in the work surface is averaged, and the entire surface on both surfaces of the work can be processed to a high flatness.

【0024】そして、本発明の請求項13に記載した発
明は、請求項10または請求項11に記載したカップ型
砥石を用いたインフィード型の両面同時研削において、
カップ型砥石および/または板状被加工物を砥石幅以上
に揺動させながら研削する両面同時研削方法である。
According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided an infeed type double-sided simultaneous grinding using a cup type grinding wheel according to the tenth or eleventh aspect.
This is a double-sided simultaneous grinding method in which a cup-type grindstone and / or a plate-like workpiece is ground while swinging the grindstone more than the width of the grindstone.

【0025】このように、カップ型砥石および/または
ワークを砥石幅以上の幅に揺動させながら研削する方法
に、両面同時研削中のワークの中心部を冷却する方法あ
るいは中心部を冷却する方法としてワークの両面の中心
部に冷却液または圧縮気体を噴射させる方法を併用して
両面同時研削を行えば、砥石がワーク中心部を通過しな
い状態を周期的に作り出すことができ、ワーク中心部と
の接触時間が大幅に短縮され、摩擦熱による高温化が抑
制されると共にクーラントが直接ワーク中心部に当たる
ようになって冷却効果が高まり、中心部の局所的な熱膨
張が抑えられてワーク面内の膨張は平均化され、ワーク
両面の全面を一層高平坦度に加工することができる。
As described above, the method of grinding while swinging the cup-type grindstone and / or the work to a width equal to or greater than the width of the grindstone includes a method of cooling the central portion of the work during simultaneous double-side grinding or a method of cooling the central portion. If simultaneous grinding is performed on both sides of the work using a method of spraying a cooling liquid or compressed gas to the center of both sides of the work, a state where the grinding stone does not pass through the work center can be created periodically, and the work center and the work center can be created. Contact time is greatly reduced, the temperature rise due to frictional heat is suppressed, and the coolant directly hits the center of the work, increasing the cooling effect. Expansion is averaged, and the entire surface of both surfaces of the work can be processed to a higher flatness.

【0026】そして、本発明の請求項14に記載した発
明は、カップ型砥石を用いたインフィード型の両面同時
研削において、請求項5ないし請求項8のいずれかのカ
ップ型砥石を用いて研削することを特徴とする両面同時
研削方法である。
According to a fourteenth aspect of the present invention, there is provided an infeed type double-sided simultaneous grinding using a cup type grinding wheel, wherein the grinding is performed using the cup type grinding wheel according to any one of the fifth to eighth aspects. And a simultaneous double-sided grinding method.

【0027】このように、請求項5ないし請求項8のい
ずれか1項のカップ型砥石を用いてワークを研削すれ
ば、砥石の揺動あるいは砥石の空間部により、ワーク中
心部と砥石の接触時間が短縮され発熱が減り、ワーク中
心部の熱膨張は抑制され研削後の中心部に凹部が形成さ
れることなく、高平坦度の両面同時研削が可能となる。
In this way, when the work is ground using the cup-shaped grindstone according to any one of claims 5 to 8, the contact between the center of the work and the grindstone is caused by the oscillation of the grindstone or the space of the grindstone. Time is reduced, heat generation is reduced, and thermal expansion of the central portion of the work is suppressed, so that simultaneous grinding of both surfaces with high flatness is possible without forming a concave portion in the central portion after grinding.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。前
述のように板状被加工物の両面同時研削に際し、従来の
インフィード型の両面同時研削方法では、ワーク中心と
砥石が常に接触することになりクーラントによるウェー
ハ中心部の冷却効果が十分受けられない。そのため、ワ
ーク中心部は熱膨張した状態で研削されることになり、
研削後の形状は中心部が凹んだ形状となる。この凹みは
研削の後工程では除去されにくいことから、高平坦度を
求める上で、研削工程で解決すべき問題であった。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these embodiments. As described above, when simultaneously grinding both sides of a plate-like workpiece, the conventional infeed type simultaneous double-side grinding method always brings the center of the workpiece into contact with the grindstone, so that the cooling effect of the coolant at the center of the wafer by the coolant can be sufficiently received. Absent. Therefore, the center of the work will be ground in a thermally expanded state,
The shape after grinding is a shape with a concave central portion. This dent is difficult to be removed in a post-grinding process, and thus is a problem to be solved in the grinding process in order to obtain high flatness.

【0029】研削中の温度を正確に測定することは困難
であるが、砥石とワークが接触する時に発生する熱量は
恐らく800℃以上の高温になると考えられる。ワーク
の中心部以外ではワークおよび砥石が回転しているた
め、研削で発生した熱はクーラント等で除去され易い。
しかしワーク中心部は常に砥石が接触しているため、ワ
ーク外周部から間接的に冷却されるものの、熱が蓄熱さ
れやすく、研削中にかなりの高温になる。
Although it is difficult to accurately measure the temperature during grinding, the amount of heat generated when the grinding wheel comes into contact with the work is considered to be as high as 800 ° C. or more. Since the work and the grindstone are rotating except at the center of the work, the heat generated by the grinding is easily removed by a coolant or the like.
However, since the grindstone is always in contact with the central part of the work, although it is indirectly cooled from the outer peripheral part of the work, heat is easily stored, and the temperature becomes considerably high during grinding.

【0030】一方、ワークが例えばシリコンウエーハで
ある場合は、Siの熱膨張係数が2.6×10-6/℃程
度であり、ウエーハ厚さが800μmであれば1μmの
膨張をするには500℃程度の温度差が必要となること
が予想される。実際に、研削中のウエーハ中心部の温度
が何度になるかは測定できないが、このようなレベルの
状態が起きる可能性が示唆された。
On the other hand, when the work is, for example, a silicon wafer, the coefficient of thermal expansion of Si is about 2.6 × 10 −6 / ° C., and when the thickness of the wafer is 800 μm, it takes 500 μm to expand it by 1 μm. It is expected that a temperature difference of about ° C will be required. Actually, it is not possible to measure how much the temperature of the center of the wafer during grinding is, but it was suggested that such a level might occur.

【0031】そこで、本発明者らは、これらの問題点を
解決するために、カップ型砥石を使用するインフィード
型両面同時研削装置の構造、カップ型砥石の構造、形状
等を調査、検討した結果、カップ型砥石が常に接触して
いるワークの中心部を積極的に冷却して局所的な熱膨張
を防ぎつつ研削すれば、ワークの中心部に凹部のない両
面が高平坦度なワークに加工できることを見出し、諸条
件を見極めて本発明を完成させた。
In order to solve these problems, the present inventors investigated and examined the structure of an in-feed double-side simultaneous grinding device using a cup-type grindstone, the structure and shape of a cup-type grindstone, and the like. As a result, if the center of the work that the cup-shaped grindstone is always in contact with is actively cooled and ground while preventing local thermal expansion, a work with no recess at the center of the work and high flatness on both sides can be obtained. They found that they could be processed and ascertained various conditions to complete the present invention.

【0032】先ず、本発明のカップ型砥石を使用する研
削装置を図面に基づいて説明する。ここで図1は本発明
の一例として両面同時研削装置の構成概要を説明するた
めの概略説明図である。
First, a grinding apparatus using the cup-type grindstone of the present invention will be described with reference to the drawings. Here, FIG. 1 is a schematic explanatory view for explaining an outline of a configuration of a double-sided simultaneous grinding apparatus as an example of the present invention.

【0033】本発明のインフィード型両面同時研削装置
は、ワーク例えば半導体ウェーハの両面を同時に研削す
る装置として構成され、図1に示すように、両面同時研
削装置1は、同方向に回転する一対のカップ型砥石2と
ワークWを両面から支持する二対のワーク押えローラ
4、ワークWの円周を支持する4個のワークガイドロー
ラ5とワークWを砥石と反対方向に回転駆動する一対の
ワーク駆動ローラ3から構成されている。カップ型砥石
2はカップ状基台2aと砥石部2bと砥石回転軸2cか
ら成り、砥石部2bの研削面には砥石セグメント(不図
示)が接合されている。本実施形態では、カップ型砥石
の形状は、四角形としている。ワークWとカップ型砥石
2は所定の回転速度で回転される。そして、一対の冷却
ノズル6をその先端をワークの中心部と砥石の接触部に
向けて設けている。別にワークWまたはカップ型砥石2
を揺動させる揺動機構(不図示)を付設することもでき
る。研削用スラリは、通常、砥石回転軸2cの中心孔
(不図示)から供給するか、砥石の内側に掛け流す。
The infeed type double-sided simultaneous grinding device of the present invention is configured as a device for simultaneously grinding both sides of a work, for example, a semiconductor wafer. As shown in FIG. A pair of work holding rollers 4 supporting the cup-shaped grindstone 2 and the work W from both sides, and a pair of work guide rollers 5 supporting the circumference of the work W and a pair of rotating the work W in a direction opposite to the grindstone. It is composed of a work drive roller 3. The cup-type grindstone 2 includes a cup-shaped base 2a, a grindstone portion 2b, and a grindstone rotating shaft 2c, and a grindstone segment (not shown) is joined to a grinding surface of the grindstone portion 2b. In this embodiment, the shape of the cup-shaped grindstone is a quadrangle. The work W and the cup-shaped grindstone 2 are rotated at a predetermined rotation speed. And a pair of cooling nozzles 6 are provided with their tips directed toward the contact portion between the center of the work and the grindstone. Separately, work W or cup type grinding wheel 2
A swinging mechanism (not shown) for swinging can be provided. The slurry for grinding is usually supplied from a center hole (not shown) of the grinding wheel rotating shaft 2c or is flowed inside the grinding wheel.

【0034】次に、上記両面同時研削装置1によるワー
クWの研削方法について説明する。ワークWを装置にセ
ットし、二対のワーク押えローラ4で両面を支持し、4
個のワークガイドローラ5でワークWの円周を支持し、
ワーク駆動ローラ3でワークWを回転させる。次に、一
対のカップ型砥石2を回転させながら、ワークWの両面
から挟み込むようにして近づけ、砥石部2bの外周をワ
ークWに接触させ、ワークWとカップ型砥石2を互いに
反対方向に回転させて研削する。そして、研削中は、一
対の冷却ノズル6からワークWの中心部と砥石2の接触
部に向けて冷却液、圧縮気体等のクーラントを噴射して
ワークWの中心部を直接冷却する。研削用スラリは、砥
石回転軸2cの中心孔(不図示)から供給するか砥石の
内側に掛け流す。別に設けたワークWまたはカップ型砥
石2を揺動させる揺動機構(不図示)を動かしてワーク
Wまたはカップ型砥石2を揺動させながら研削すること
もできる。
Next, a method of grinding the work W by the double-sided simultaneous grinding apparatus 1 will be described. The work W is set on the apparatus, and both sides are supported by two pairs of work holding rollers 4.
The circumference of the work W is supported by the work guide rollers 5,
The work W is rotated by the work drive roller 3. Next, while rotating the pair of cup-shaped grindstones 2, the work W is sandwiched from both sides and brought close to each other, the outer periphery of the grindstone portion 2 b is brought into contact with the work W, and the work W and the cup-shaped grindstone 2 are rotated in opposite directions. Let it grind. During the grinding, a coolant such as a cooling liquid or a compressed gas is injected from the pair of cooling nozzles 6 toward the contact portion between the center portion of the work W and the grindstone 2 to directly cool the center portion of the work W. The slurry for grinding is supplied from a center hole (not shown) of the grinding wheel rotating shaft 2c or is flowed inside the grinding wheel. Grinding can also be performed while swinging the work W or the cup-shaped grindstone 2 by moving a swing mechanism (not shown) that swings the separately provided work W or the cup-shaped grindstone 2.

【0035】以上のような、本発明の実施形態では、冷
却ノズルから冷却液、圧縮気体等のクーラントを直接ワ
ークの中心部に噴射するので、ワーク中心部に対する冷
却効果は十分挙がり、摩擦熱による中心部の高温化が抑
制されて中心部の局所的な熱膨張が抑えられる。そして
ワーク面内の膨張は平均化され、研削後の中心部に凹部
が形成されることはなくなり、ワーク両面の全面を高平
坦度に加工することができる。この場合、具体的にはワ
ークの中心付近を中心に、ワークのR/2(R:ワーク
の半径)以内を積極的に冷却するようにすれば効果的で
ある。
In the embodiment of the present invention as described above, a coolant such as a cooling liquid or a compressed gas is directly injected from the cooling nozzle to the center of the work. Higher temperature at the center is suppressed, and local thermal expansion at the center is suppressed. Then, the expansion in the work surface is averaged, and no concave portion is formed in the central portion after the grinding, so that the entire surface of both surfaces of the work can be processed with high flatness. In this case, specifically, it is effective to actively cool the work within R / 2 (R: radius of the work) around the center of the work.

【0036】さらに、図2に示したように、ワークまた
はカップ型砥石を揺動する揺動機構を付加した場合は、
一層中心部の冷却作用が発揮され、ワーク両面の面内を
高平坦度に加工することができる。すなわち、ワークW
または砥石2を揺動してワークの中心部fから砥石2の
砥石部2bを一定周期でズラすようにする。揺動の大き
さ(揺動幅:e)は、砥石幅d以上とし、好ましくは砥
石幅dの1.5〜2倍程度がよい。このようにすれば完
全に砥石2がウェーハ中心fを通らない状態を作りだす
ことができる。
Further, as shown in FIG. 2, when a swing mechanism for swinging a work or a cup-shaped grindstone is added,
The cooling effect of the central portion is further exerted, and the inside of both surfaces of the work can be processed to a high flatness. That is, the work W
Alternatively, the grindstone 2 is rocked so that the grindstone portion 2b of the grindstone 2 is displaced from the center portion f of the work at a constant period. The magnitude of the swing (oscillation width: e) is set to be equal to or more than the grindstone width d, and preferably about 1.5 to 2 times the grindstone width d. In this manner, a state in which the grindstone 2 does not completely pass through the wafer center f can be created.

【0037】次に、本発明の実施形態として、カップ型
砥石の構造、形状について図3ないし図7に基づいて説
明する。カップ型砥石の砥石部を変形させることによ
り、研削中に一定の割合でワークの中心部を通らないよ
うにした。こうしたことにより、ワーク中心部との接触
時間が大幅に短縮されると共に、周期的に中心部が露出
するため、摩擦熱による高温化が抑制され、中心部の熱
膨張が抑えられてワーク面内の膨張は平均化され、ワー
ク両面の全面を高平坦度に加工することができるように
なった。この変形したカップ型砥石を、前記冷却ノズ
ル、揺動装置を備えた両面同時研削装置に取り付けて研
削すれば、クーラントによる冷却効果が一層高まり、ワ
ーク面内の膨張は均一化され、ワーク両面の全面を高平
坦度に加工することができる。
Next, as an embodiment of the present invention, the structure and shape of a cup-type grindstone will be described with reference to FIGS. By deforming the grindstone portion of the cup-type grindstone, the grindstone was prevented from passing through the center of the work at a fixed rate during grinding. As a result, the contact time with the center of the work is greatly reduced, and the center is periodically exposed. Therefore, the temperature rise due to frictional heat is suppressed, the thermal expansion of the center is suppressed, and the in-plane surface of the work is suppressed. Expansion is averaged, and the entire surface of both surfaces of the work can be processed with high flatness. If this deformed cup-shaped grindstone is ground by attaching it to the cooling nozzle, a double-sided simultaneous grinding device equipped with a swinging device, the cooling effect by the coolant is further enhanced, the expansion within the work surface is uniformed, The entire surface can be processed with high flatness.

【0038】まず、図3に示したような楕円形のカップ
型砥石2を試作した。8インチ(直径200mm)ウェ
ーハを研削する場合、楕円の長軸長は、ウエーハの半径
である100mm以上あればよく、例えばウェーハ直径
よりやや小さい150mmの大きさの砥石とすることが
できる。そして、砥石幅dを5mmとした場合、短軸長
は143mm程度とした楕円形の砥石とすることができ
る。
First, an elliptical cup-shaped grindstone 2 as shown in FIG. When grinding an 8-inch (200 mm diameter) wafer, the major axis length of the ellipse may be 100 mm or more, which is the radius of the wafer, and for example, a grindstone with a size of 150 mm slightly smaller than the wafer diameter can be used. When the grindstone width d is 5 mm, an elliptical grindstone having a minor axis length of about 143 mm can be obtained.

【0039】また、図4に三角形カップ型砥石を示し
た。直径200mmの円に内接する大きさの三角形の砥
石を作製した。砥石中心から頂点までの最長長さgと砥
石中心から辺までの最短長さhとの差が砥石幅dよりや
や大きくなるようにした。砥石幅dを5mmの連続した
砥石(セグメント方式ではない砥石)とし、三角形の辺
・頂点は適度にR(丸み)を持たせた。これは円に近づ
けることによって、回転時のバランスをとるためであ
る。 この三角形の頂点がウェーハの中心部にくるよう
に設定し、両頭研削を行ったところ、高平坦度のウエー
ハが得られた。
FIG. 4 shows a triangular cup-shaped grindstone. A triangular whetstone having a size inscribed in a circle having a diameter of 200 mm was produced. The difference between the longest length g from the center of the grindstone to the vertex and the shortest length h from the center of the grindstone to the side was set to be slightly larger than the grindstone width d. A continuous grindstone having a grindstone width d of 5 mm (a non-segmented grindstone) was used, and the sides and vertices of the triangle were moderately R (rounded). The reason for this is to achieve balance during rotation by approaching a circle. When the apex of the triangle was set to be at the center of the wafer and double-sided grinding was performed, a wafer with high flatness was obtained.

【0040】図5に示したように、直径200mmの円
に内接する大きさの四角形のカップ型砥石2を試作し
た。砥石幅dを7mmのセグメント方式で、四角形の周
辺部を囲むように作製した。中心から頂点までの最長長
さgと中心から辺までの最短長さhとの差が砥石幅dよ
りやや大きくなるようにした。四角形の辺・頂点は適度
にR(丸み)を持たせた。このとき、砥石中心からの最
長長さgは100mm、最も近い位置は丸みの持たせ方
によっても異なるが、最短長さhは約70mm〜90m
mであり、その差は最小10mmはあり、砥石の幅dを
7mmとしてもg−h>dは成立し、砥石が十分にウェ
ーハ中心部を通らない条件を作り出すことができる。こ
の四角形の頂点がウェーハの中心部にくるように設定
し、両頭研削を行ったところ、高平坦度のウエーハが得
られた。
As shown in FIG. 5, a square cup-shaped grindstone 2 having a size inscribed in a circle having a diameter of 200 mm was experimentally manufactured. It was manufactured so as to surround a square peripheral part by a segment method with a grindstone width d of 7 mm. The difference between the longest length g from the center to the vertex and the shortest length h from the center to the side was set to be slightly larger than the grindstone width d. The sides and vertices of the square were moderately rounded (R). At this time, the longest length g from the center of the grindstone is 100 mm, and the closest position varies depending on how the roundness is provided, but the shortest length h is about 70 mm to 90 m.
m, the difference is at least 10 mm, and gh> d is satisfied even when the width d of the grindstone is 7 mm, which can create a condition that the grindstone does not sufficiently pass through the center of the wafer. When the apex of the square was set to be at the center of the wafer and double-head grinding was performed, a wafer with high flatness was obtained.

【0041】図6に示したように、直径200mmの円
に内接する大きさの八角形のカップ型砥石2を試作し
た。砥石幅dを3mmのセグメント方式で、八角形の周
辺部を囲むように作製した。このとき、八角形の各辺は
ほぼ直線状で、頂点には適度にR(まるみ)を持たせ、
最長長さgと最短長さhとの差が砥石幅dよりやや大き
くなるようにした。このとき、砥石中心からの最長長さ
gは100mm、最短長さhは、93mmであり、その
差は7mmあり、砥石の幅dを3mmとしてもg−h>
dは成立し、砥石が十分にウェーハ中心部を通らない条
件を作り出すことができ、この部分に冷却液を積極的に
供給すれば容易に除熱することができる。この八角形の
頂点がウェーハの中心部にくるように設定し、両面頭研
削を行ったところ、高平坦度のウエーハが得られた。
As shown in FIG. 6, an octagonal cup-shaped grindstone 2 having a size inscribed in a circle having a diameter of 200 mm was prototyped. It was manufactured so as to surround the octagonal peripheral portion in a segment system with a grindstone width d of 3 mm. At this time, each side of the octagon is almost linear, and the vertices have a moderate R (roundness).
The difference between the longest length g and the shortest length h was made slightly larger than the grindstone width d. At this time, the longest length g from the center of the grindstone is 100 mm, the shortest length h is 93 mm, and the difference is 7 mm. Even if the width d of the grindstone is 3 mm, g−h>
The condition d is satisfied, and a condition can be created in which the grindstone does not sufficiently pass through the central portion of the wafer. If the coolant is actively supplied to this portion, the heat can be easily removed. When the apexes of the octagon were set to be at the center of the wafer and double-sided head grinding was performed, a wafer with high flatness was obtained.

【0042】以上三角形から八角形まで、いわゆる多角
形に変形したカップ型砥石について説明したが、これら
に共通した仕様は、次のようになる。 これら変形カップ型砥石の砥石部は、セグメント式の
ものでも連続式のものでもかまわない。 いずれの砥石形状の場合でも、砥石の最長長さgと
最短長さhの差が砥石幅d以上あればよい。 両面同時研削の場合、砥石の左右のバランスが均一で
ある方が好ましく、特に砥石形状は、円形(真円)に近
い方が、左右のバランス及び左右の同期が取り易く好ま
しい。従って、多角形、特に八角形程度にする方が多少
の同期のズレが生じても左右のバランスのズレを吸収で
きる。但し、三角形等の砥石でも左右の同期をとるよう
に設定すれば問題は無い。 上記、多角形の場合、砥石全体の直径や砥石幅などによ
り、砥石の最長長さgと最短長さhの関係は決まってし
まうが、例えば、前記した楕円形砥石あるいは砥石幅以
上に偏心させた円形砥石であればもっと自由にワーク中
心部に接触する割合を調節することができる。
The cup-shaped grindstone transformed from a triangle to an octagon into a so-called polygon has been described above. The specifications common to these are as follows. The grindstone portion of these deformed cup-type grindstones may be either a segment type or a continuous type. Whatever the shape of the grindstone, the difference between the longest length g and the shortest length h of the grindstone only needs to be at least the grindstone width d. In the case of simultaneous double-side grinding, it is preferable that the left and right balance of the grindstone is uniform. In particular, it is preferable that the shape of the grindstone be close to a circle (true circle) because the right and left balance and the right and left synchronization can be easily obtained. Therefore, it is possible to absorb the deviation of the right and left balance by making the polygon, especially the octagon, even if a slight deviation occurs in synchronization. However, there is no problem if the setting is made such that the right and left are synchronized even with a grindstone such as a triangle. In the case of the polygon described above, the relationship between the longest length g and the shortest length h of the grindstone is determined by the diameter of the whole grindstone, the grindstone width, and the like. With a round whetstone, the ratio of contact with the workpiece center can be adjusted more freely.

【0043】次に、図7に示したような、円形櫛歯状の
カップ型砥石を試作した。砥石幅5mm、セグメントの
長さ30mmの砥石セグメント7を30mm間隔(空間
部8)で直径200mmの円形砥石に接合した(砥石部
の割合:50%)。このように真円の砥石を使用する場
合、セグメント式の砥石を用い、セグメントの割合を実
験的に求めた結果、砥石部を約3/4以下(つまり空間
部を約1/4以上)にすることにより、円形砥石であっ
てもワーク中心部の発熱を抑えられることがわかった。
しかし砥石の割合を少なくし過ぎると研削能力が低下す
るため、砥石部は全体の約1/4以上存在することが好
ましい。また、回転中に十分に冷却して発熱を抑えるに
は、セグメント7の長さを10〜50mm程度とし、空
間部8は広めにとる方が好ましい。この円形櫛歯状砥石
の外周がウェーハの中心部にくるように設定し、両面同
時研削を行ったところ、高平坦度のウエーハが得られ
た。
Next, a cup-shaped grindstone having a circular comb tooth shape as shown in FIG. 7 was experimentally manufactured. A grindstone segment 7 having a grindstone width of 5 mm and a segment length of 30 mm was joined to a circular grindstone having a diameter of 200 mm at intervals of 30 mm (space portion 8) (ratio of the grindstone portion: 50%). As described above, when using a true circle whetstone, a segment type whetstone is used, and the ratio of the segments is experimentally obtained. As a result, the whetstone part is reduced to about 3/4 or less (that is, the space part is set to about 1/4 or more). As a result, it has been found that even with a circular grindstone, heat generation at the center of the work can be suppressed.
However, if the ratio of the grindstone is too small, the grinding ability is reduced, so that it is preferable that the grindstone portion is present in about 1/4 or more of the whole. Further, in order to sufficiently cool the heat during rotation to suppress heat generation, it is preferable that the length of the segment 7 is about 10 to 50 mm and the space 8 is wide. When the outer periphery of the circular comb-shaped grindstone was set to be at the center of the wafer, and the both surfaces were simultaneously ground, a wafer with high flatness was obtained.

【0044】以上詳述したように、本発明のように、ワ
ークまたは砥石を揺動させる方法や、冷却液を中心部に
噴射させる方法、変形カップ型砥石を使用し中心部の冷
却を行う方法及びこれらの組合せにより、ウェーハの平
坦度(中心部の凹み)は大きく改善され、片面で0.5
μm以下に改善された。
As described in detail above, as in the present invention, a method of oscillating a work or a grindstone, a method of injecting a cooling liquid to a central portion, and a method of cooling a central portion using a deformed cup-type grindstone. And the combination thereof greatly improves the flatness (dent at the center) of the wafer by 0.5% on one side.
It was improved to below μm.

【0045】[0045]

【実施例】以下、本発明の実施例と比較例を挙げて本発
明を詳細に説明するが、これらによって本発明が限定さ
れるものではない。 (実施例1)図1に示した両面同時研削装置に図7に示
した円形櫛歯状のカップ型砥石を取り付けて、半導体シ
リコンウエーハの研削を行った。シリコンウエーハは、
インゴットよりワイヤーソーを用いスライスされた厚さ
約800μm、直径200mm(8インチ)のものを使
用した。円形櫛歯状のカップ型砥石は、砥石幅5mm、
セグメントの長さ30mmの砥石セグメントを約30m
m間隔(空間部)で直径200mmの円形砥石に接合し
た(砥石部の割合:約50%)(砥石はビトリファイド
#2000番)。中心部を冷やすための冷却水は、温度
25℃のものを両面で10L/minの流量で常時ウエ
ーハ中心部と砥石の接触部に掛け流した。その他の研削
条件、つまり砥石の送り速度やウェーハ、砥石の回転速
度は、ウェーハの面状態、平坦度などが最適になるよう
に設定した。本実施例では、砥石の送り速度を50〜2
00μm/min、砥石回転数を1000〜3000r
pm、ワークの回転数を10〜30rpm、スパークア
ウト10〜20secの範囲で行った。通常の研削スラ
リ(研削水)は砥石の中心位置より両面で10L/mi
n掛けている。この円形櫛歯状砥石の外周がウェーハの
中心部にくるように設定し、両面同時研削を行ったとこ
ろ、片面で凹みが0.3μm以下の高平坦度のウエーハ
が得られた。すなわち、この実施例1では、全体で20
L/minの研削水及び冷却水をウエーハ両面にかけて
いる。冷却液として冷却水を用いる場合は、本実施例で
は研削水と合わせて全体で20〜30L/minにする
と冷却効果が十分にあった。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples and Comparative Examples of the present invention, but these are not intended to limit the present invention. Example 1 A circular comb tooth-shaped cup-shaped grindstone shown in FIG. 7 was attached to the double-sided simultaneous grinding apparatus shown in FIG. 1 to grind a semiconductor silicon wafer. Silicon wafers
An ingot having a thickness of about 800 μm and a diameter of 200 mm (8 inches) sliced using a wire saw was used. Circular comb-shaped cup-shaped grindstone has a grindstone width of 5 mm,
Approximately 30m for a 30mm long whetstone segment
It was joined to a circular grindstone having a diameter of 200 mm at m intervals (space portion) (ratio of the grindstone portion: about 50%) (the grindstone was Vitrified # 2000). The cooling water for cooling the central portion was a solution having a temperature of 25 ° C., and was constantly flowed on both sides at a flow rate of 10 L / min to the contact portion between the central portion of the wafer and the grindstone. Other grinding conditions, that is, the feed speed of the grindstone and the rotation speed of the wafer and the grindstone were set so that the surface state and flatness of the wafer were optimized. In this embodiment, the feed speed of the grindstone is set to 50 to 2
00 μm / min, whetstone rotation speed 1000-3000r
pm, the number of rotations of the work was in the range of 10 to 30 rpm, and the spark out was in the range of 10 to 20 sec. Normal grinding slurry (grinding water) is 10 L / mi on both sides from the center of the grinding wheel
n times. When the outer periphery of the circular comb tooth-shaped grindstone was set to be at the center of the wafer and simultaneous grinding was performed on both sides, a wafer with a high flatness with a dent of 0.3 μm or less on one side was obtained. That is, in the first embodiment, a total of 20
L / min of grinding water and cooling water are applied to both surfaces of the wafer. In the case of using cooling water as the cooling liquid, in this embodiment, the cooling effect was sufficient when the total was set to 20 to 30 L / min together with the grinding water.

【0046】(実施例2)次に、ワークWを揺動させる
機構を備えた図1に示す両面同時研削装置において、半
導体シリコンウエーハの研削を行った。ウエーハは実施
例1と同じものを用いた。ワークを揺動させる機構(不
図示)は、ワークの円周を保持している4個のワークガ
イドローラを上下方向に同時に移動可能にする機構を用
いた。カップ型砥石は、砥石幅3mmのメタルボンド砥
石(#600)で、直径200mmの円形状の砥石を用
いた。その他の研削条件は実施例1と同様である。そし
て、砥石の部分がウエーハの中心部にくるように設定し
た。揺動は、上記揺動機構により保持されたウエーハを
上方向(ウエーハの中心と砥石の中心が離れる方向)に
6mm動かし、また元の位置に戻る往復運動とし、1分
間に10〜60回程度の周期で揺動させた。冷却用の冷
却水は、温度25℃のものを両面で5L/minの流量
でウエーハ中心部に掛け流した。この結果、片面での凹
みが0.4μm以下の高平坦度のウエーハが得られた。
(Example 2) Next, a semiconductor silicon wafer was ground by a double-sided simultaneous grinding apparatus shown in FIG. 1 equipped with a mechanism for swinging the work W. The same wafer as in Example 1 was used. As a mechanism for swinging the work (not shown), a mechanism for simultaneously moving the four work guide rollers holding the circumference of the work in the vertical direction was used. The cup-type grindstone was a metal-bonded grindstone (# 600) having a grindstone width of 3 mm, and a circular grindstone having a diameter of 200 mm was used. Other grinding conditions are the same as in the first embodiment. Then, the setting was made so that the grindstone portion was located at the center of the wafer. The rocking is a reciprocating motion in which the wafer held by the rocking mechanism is moved upward by 6 mm (in a direction in which the center of the wafer is separated from the center of the grindstone), and the wafer is returned to the original position, about 10 to 60 times per minute. Rocked in a cycle of Cooling water having a temperature of 25 ° C. was flowed around the center of the wafer at a flow rate of 5 L / min on both sides. As a result, a wafer having a high flatness with a depression on one side of 0.4 μm or less was obtained.

【0047】(実施例3)砥石として、砥石幅が3mm
で6mm偏心させた直径200mmの円形砥石、砥石幅
が3mmであり、長軸長200mm、短軸長190mm
の楕円砥石、砥石幅が3mmであり、直径200mmの
円に内接する砥石の形状が多角形(三角形、四角形、八
角形)の砥石を用いて研削した。これらの砥石の頂点が
ウエーハの中心部に位置するように設定し、実施例1と
同様の条件で研削した。これらのどの砥石を用いても中
心部を冷やす効果があり、ウエーハ中心部の凹みは片面
で0.3μm以下の高平坦度ウエーハが得られた。
(Embodiment 3) As a grindstone, the grindstone width is 3 mm.
200mm diameter circular whetstone eccentric with 6mm, whetstone width is 3mm, long axis length 200mm, short axis length 190mm
, A grinding stone having a width of 3 mm and a grinding stone inscribed in a circle having a diameter of 200 mm and having a polygonal shape (triangle, square, octagon) was ground. The vertices of these grinding wheels were set so as to be located at the center of the wafer, and grinding was performed under the same conditions as in Example 1. The use of any of these grindstones had an effect of cooling the central portion, and a wafer having a high flatness of 0.3 μm or less on one side of the recess at the central portion of the wafer was obtained.

【0048】(比較例)図8に示した両面同時研削装置
を使用し、砥石の全周に砥石部を有する円形のカップ型
砥石(ビトリファイド#2000番)を用い、ウエーハ
中心部に冷却水を掛けなかった以外は、実施例1と同一
条件で研削した。その結果、図9に示したように、研削
したウェーハの形状としてはウェーハのR/2(Rはウ
ェーハの半径)付近から徐々に凹み始め、中心部分で深
くなっている。この深さは片面で0.5μmから1μm
程度(両面で1μm〜2μm)のものであるが、このよ
うな凹みが形成されていると後工程、例えばエッチング
や研磨によっても平坦な状態に回復させることができな
い。
(Comparative Example) Using a double-sided simultaneous grinding apparatus shown in FIG. 8, a circular cup-type grindstone (vitrified # 2000) having a grindstone portion all around the grindstone, and cooling water was supplied to the center of the wafer. Grinding was performed under the same conditions as in Example 1 except that the grinding was not performed. As a result, as shown in FIG. 9, the shape of the polished wafer gradually starts to be recessed from around R / 2 (R is the radius of the wafer) of the wafer and becomes deep at the center. This depth is 0.5 μm to 1 μm on one side
Although it is of the order of magnitude (1 μm to 2 μm on both sides), if such a dent is formed, it cannot be recovered to a flat state by a subsequent process, for example, etching or polishing.

【0049】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
The present invention is not limited to the above embodiment. The above embodiment is an exemplification, and has substantially the same configuration as the technical idea described in the scope of the claims of the present invention. It is included in the technical scope of the invention.

【0050】例えば、両面同時研削装置は、ワークを縦
に保持する形式のものや、横に保持する形式のものがあ
るが、本発明は特にこれらの形式にとらわれるものでは
なく、どのような形式にも適用することができる。
For example, the double-sided simultaneous grinding apparatus includes a type that holds a work vertically and a type that holds the work horizontally, but the present invention is not particularly limited to these types. Can also be applied.

【0051】[0051]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
板状被加工物の中心部に砥石が接触しない時に集中冷却
することにより、中心部の局所的な膨張が無くなり、ワ
ーク面内の熱膨張は均一となり、両面を同時に研削した
ワークは高平坦度を有するものとなり、中心部の凹みの
形成を防止することができる。従って、板状被加工物の
両面同時研削における歩留り、生産性の向上を図ること
ができると共にコストを改善することができる。
As described above, according to the present invention,
Concentrated cooling when the grindstone is not in contact with the center of the plate-shaped workpiece eliminates local expansion at the center, makes the thermal expansion in the work surface uniform, and the work that has been ground simultaneously on both sides has high flatness And the formation of a dent at the center can be prevented. Therefore, it is possible to improve the yield and productivity in simultaneous double-side grinding of the plate-shaped workpiece, and to improve the cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の両面同時研削装置の一例を示す概略説
明図である。 (a)平面図、(b)正面図、(c)側面図。
FIG. 1 is a schematic explanatory view showing an example of a double-sided simultaneous grinding apparatus according to the present invention. (A) Plan view, (b) Front view, (c) Side view.

【図2】本発明のワークを揺動させた場合の作用説明図
である。
FIG. 2 is an operation explanatory view when the work of the present invention is swung.

【図3】本発明の楕円形のカップ型砥石の概略図であ
る。
FIG. 3 is a schematic view of an elliptical cup-shaped grindstone of the present invention.

【図4】本発明の三角形のカップ型砥石の概略図であ
る。
FIG. 4 is a schematic view of a triangular cup-shaped grindstone of the present invention.

【図5】本発明の四角形のカップ型砥石の概略図であ
る。
FIG. 5 is a schematic view of a square cup-shaped grindstone of the present invention.

【図6】本発明の八角形のカップ型砥石の概略図であ
る。
FIG. 6 is a schematic view of an octagonal cup-shaped grindstone of the present invention.

【図7】本発明の櫛歯状カップ型砥石の概略図である。FIG. 7 is a schematic view of a comb-shaped cup-shaped grindstone of the present invention.

【図8】従来の両面同時研削装置のー例を示す概略説明
図である。 (a)平面図、(b)正面図、(c)側面図。
FIG. 8 is a schematic explanatory view showing an example of a conventional double-sided simultaneous grinding apparatus. (A) Plan view, (b) Front view, (c) Side view.

【図9】従来の両面同時研削装置で研削した結果図であ
る。 (a)ワークの縦断面図、(b)ワークの拡大図。
FIG. 9 is a diagram showing the result of grinding with a conventional double-sided simultaneous grinding device. (A) The longitudinal section of a work, (b) The enlarged view of a work.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、1a…両面同時研削装置、2…カップ型砥石、2a
…カップ状基台、2b…砥石部、2c…砥石回転軸、3
…ワーク駆動ローラ、4…ワーク押えローラ、5…ワー
クガイドローラ、6…冷却ノズル、7…砥石セグメン
ト、8…空間部、d…砥石幅、e…揺動幅、f…ワーク
中心、g…砥石中心からの最長長さ、h…砥石中心から
の最短長さ、W…ワーク。
1, 1a: Double-sided simultaneous grinding device, 2: Cup-type grindstone, 2a
... cup-shaped base, 2b ... grindstone part, 2c ... grindstone rotating shaft, 3
... Work drive roller, 4 ... Work holding roller, 5 ... Work guide roller, 6 ... Cooling nozzle, 7 ... Whetstone segment, 8 ... Space, d ... Whetstone width, e ... Swing width, f ... Work center, g ... The longest length from the center of the grindstone, h: the shortest length from the center of the grindstone, W: Work.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 591037498 長野電子工業株式会社 長野県更埴市大字屋代1393番地 (72)発明者 加藤 忠弘 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社半導体白河 研究所内 (72)発明者 池田 俊一 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社半導体白河 研究所内 (72)発明者 大嶋 久 新潟県中頸城郡頸城村大字城野腰新田596 番地2 直江津電子工業株式会社内 Fターム(参考) 3C043 BC04 CC04 CC11 DD05 DD06 EE04  ──────────────────────────────────────────────────の Continuing from the front page (71) Applicant 591037498 Nagano Electronics Industry Co., Ltd. 1393 Yashiro, Oji, Shohan-shi, Nagano (72) Inventor Tadahiro Kato 150 Odakura, Odakura, Ogokura, Nishigo-mura, Nishishirakawa-gun, Fukushima Semiconductor 150 Inside Shirakawa Laboratory (72) Inventor Shunichi Ikeda 150 Odakura Osaikura, Nishigo-mura, Nishishirakawa-gun, Fukushima Prefecture Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd.Semiconductor Semiconductor Shirakawa Laboratory (72) Inventor Hisashi Oshima 596, Joshino Koshida Nitta, Niigata Prefecture Address 2 Naoetsu Electronics Co., Ltd. F term (reference) 3C043 BC04 CC04 CC11 DD05 DD06 EE04

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 カップ型砥石を用いた板状被加工物のイ
ンフィード型両面同時研削装置において、両面同時研削
中の板状被加工物の中心部を冷却する手段を具備するこ
とを特徴とする両面同時研削装置。
1. An in-feed double-side simultaneous grinding apparatus for a plate-like workpiece using a cup-type grindstone, comprising means for cooling a central portion of the plate-like workpiece during simultaneous double-side grinding. Double-sided simultaneous grinding machine.
【請求項2】 請求項1のインフィード型両面同時研削
装置において、中心部を冷却する手段が、板状被加工物
の両面の中心部に冷却液または圧縮気体を噴射させる手
段であることを特徴とする両面同時研削装置。
2. The infeed-type double-side simultaneous grinding apparatus according to claim 1, wherein the means for cooling the central portion is a means for injecting a cooling liquid or a compressed gas into the central portions on both surfaces of the plate-shaped workpiece. Features Double-sided simultaneous grinding machine.
【請求項3】 カップ型砥石を用いた板状被加工物のイ
ンフィード型両面同時研削装置において、カップ型砥石
および/または板状被加工物を砥石幅以上の幅に揺動さ
せる手段を設けたことを特徴とする両面同時研削装置。
3. An infeed type double-side simultaneous grinding apparatus for a plate-shaped workpiece using a cup-shaped grindstone, wherein a means for swinging the cup-shaped grindstone and / or the plate-shaped workpiece to a width equal to or larger than the width of the grindstone is provided. Simultaneous double-sided grinding machine.
【請求項4】 カップ型砥石を用いた板状被加工物のイ
ンフィード型両面同時研削装置において、カップ型砥石
および/または板状被加工物を砥石幅以上の幅に揺動さ
せる手段を設けたことを特徴とする請求項1または請求
項2に記載した両面同時研削装置。
4. An infeed-type double-side simultaneous grinding apparatus for a plate-shaped workpiece using a cup-shaped grindstone, wherein means for swinging the cup-shaped grindstone and / or the plate-shaped workpiece to a width equal to or greater than the width of the grindstone is provided. The double-sided simultaneous grinding apparatus according to claim 1 or 2, wherein:
【請求項5】 インフィード型両面同時研削装置で使用
するカップ型砥石であって、砥石の形状が、砥石幅以上
に偏心させた円形砥石または砥石幅以上に変形させた楕
円形砥石であることを特徴とするカップ型砥石。
5. A cup-shaped grindstone used in an infeed-type double-sided simultaneous grinding apparatus, wherein the shape of the grindstone is a circular grindstone decentered more than the grindstone width or an elliptical grindstone deformed to a greater than the grindstone width. A cup-shaped whetstone characterized by the following.
【請求項6】 インフィード型両面同時研削装置で使用
するカップ型砥石であって、砥石の形状が、多角形であ
ることを特徴とするカップ型砥石。
6. A cup-type grindstone used in an infeed-type double-sided simultaneous grinding apparatus, wherein the shape of the grindstone is polygonal.
【請求項7】 インフィード型両面同時研削装置で使用
するカップ型砥石であって、砥石がセグメントの間隔を
空けた櫛歯状であることを特徴とする請求項5または請
求項6に記載したカップ型砥石。
7. A cup-type grindstone used in an infeed-type double-sided simultaneous grinding apparatus, wherein the grindstone has a comb-tooth shape with a space between segments. Cup type whetstone.
【請求項8】 前記砥石のセグメントの全長が、砥石全
周の3/4以下、1/4以上であることを特徴とする請
求項7に記載したカップ型砥石。
8. The cup-type grindstone according to claim 7, wherein the entire length of the segment of the grindstone is 3/4 or less and 1/4 or more of the whole circumference of the grindstone.
【請求項9】 請求項1ないし請求項4のいずれか1項
の装置において、カップ型砥石を請求項5ないし請求項
8のいずれか1項のものとすることを特徴とする両面同
時研削装置。
9. The double-sided simultaneous grinding apparatus according to claim 1, wherein the cup-type grindstone is one according to any one of claims 5 to 8. .
【請求項10】 カップ型砥石を用いたインフィード型
の両面同時研削において、板状被加工物の中心部を冷却
しつつ研削することを特徴とする両面同時研削方法。
10. A double-sided simultaneous grinding method in which in-feed double-sided simultaneous grinding using a cup-type grinding wheel is performed while cooling a central portion of a plate-shaped workpiece.
【請求項11】 請求項10のインフィード型の両面同
時研削において、板状被加工物の両面の中心部に冷却液
または圧縮気体を噴射しながら研削することを特徴とす
る両面同時研削方法。
11. The simultaneous double-side grinding method according to claim 10, wherein the grinding is performed while spraying a cooling liquid or a compressed gas onto the center of both sides of the plate-shaped workpiece.
【請求項12】 カップ型砥石を用いたインフィード型
の両面同時研削において、カップ型砥石および/または
板状被加工物を砥石幅以上に揺動させながら研削する事
を特徴とする両面同時研削方法。
12. An infeed-type simultaneous double-side grinding using a cup-type grindstone, wherein the cup-type grindstone and / or the plate-like workpiece is ground while swinging more than the grindstone width. Method.
【請求項13】 カップ型砥石を用いたインフィード型
の両面同時研削において、カップ型砥石および/または
板状被加工物を砥石幅以上に揺動させながら研削するこ
とを特徴とする請求項10または請求項11に記載した
両面同時研削方法。
13. The infeed-type double-sided simultaneous grinding using a cup-type grindstone, wherein the cup-type grindstone and / or the plate-like workpiece is ground while being rocked more than the grindstone width. Or the double-sided simultaneous grinding method according to claim 11.
【請求項14】 カップ型砥石を用いたインフィード型
の両面同時研削において、請求項5ないし請求項8のい
ずれか1項のカップ型砥石を用いて研削することを特徴
とする両面同時研削方法。
14. A double-sided simultaneous grinding method, characterized in that in the infeed-type double-sided simultaneous grinding using a cup-type grinding wheel, grinding is performed using the cup-type grinding wheel according to any one of claims 5 to 8. .
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003257906A (en) * 2002-03-05 2003-09-12 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp Method for polishing semiconductor wafer
JP2004181536A (en) * 2002-11-29 2004-07-02 Nippon Tokushu Kento Kk Grinding wheel for polishing gravure process roller and polishing method using grinding wheel
JP2005034931A (en) * 2003-07-18 2005-02-10 Allied Material Corp Cup type superabrasive wheel and method of surface grinding for wafer
CN1316578C (en) * 2002-02-25 2007-05-16 精工爱普生株式会社 Semiconductor device and its producing method, curcuit board and electronic instrument
CN101745854A (en) * 2008-12-15 2010-06-23 上海日进机床有限公司 Method for grinding four sides and four corners of polycrystalline silicon
CN101745850A (en) * 2008-12-15 2010-06-23 上海日进机床有限公司 Method for rolling grinding of ground surface of single crystal silicon
JP2016060031A (en) * 2014-09-22 2016-04-25 株式会社ディスコ Grinding wheel
JP2017071040A (en) * 2015-10-09 2017-04-13 株式会社Sumco Carrier ring, grinding device, and grinding method
JP2018043312A (en) * 2016-09-14 2018-03-22 株式会社ミズホ Cup type vitrified grind stone for grind stone
US10086499B2 (en) 2015-03-04 2018-10-02 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Abrasive article and method of use
JP2019111618A (en) * 2017-12-22 2019-07-11 住友金属鉱山株式会社 Method for processing single crystal substrate
KR102489972B1 (en) * 2022-07-15 2023-01-18 주식회사 비에스씨 Buffing apparatus

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1316578C (en) * 2002-02-25 2007-05-16 精工爱普生株式会社 Semiconductor device and its producing method, curcuit board and electronic instrument
JP2003257906A (en) * 2002-03-05 2003-09-12 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp Method for polishing semiconductor wafer
JP2004181536A (en) * 2002-11-29 2004-07-02 Nippon Tokushu Kento Kk Grinding wheel for polishing gravure process roller and polishing method using grinding wheel
JP2005034931A (en) * 2003-07-18 2005-02-10 Allied Material Corp Cup type superabrasive wheel and method of surface grinding for wafer
CN101745854A (en) * 2008-12-15 2010-06-23 上海日进机床有限公司 Method for grinding four sides and four corners of polycrystalline silicon
CN101745850A (en) * 2008-12-15 2010-06-23 上海日进机床有限公司 Method for rolling grinding of ground surface of single crystal silicon
JP2016060031A (en) * 2014-09-22 2016-04-25 株式会社ディスコ Grinding wheel
US10086499B2 (en) 2015-03-04 2018-10-02 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Abrasive article and method of use
JP2017071040A (en) * 2015-10-09 2017-04-13 株式会社Sumco Carrier ring, grinding device, and grinding method
CN108349058A (en) * 2015-10-09 2018-07-31 胜高股份有限公司 Load-carrying ring, grinding attachment and method for grinding
CN108349058B (en) * 2015-10-09 2021-02-19 胜高股份有限公司 Bearing ring, grinding device and grinding method
US11052506B2 (en) 2015-10-09 2021-07-06 Sumco Corporation Carrier ring, grinding device, and grinding method
JP2018043312A (en) * 2016-09-14 2018-03-22 株式会社ミズホ Cup type vitrified grind stone for grind stone
JP2019111618A (en) * 2017-12-22 2019-07-11 住友金属鉱山株式会社 Method for processing single crystal substrate
KR102489972B1 (en) * 2022-07-15 2023-01-18 주식회사 비에스씨 Buffing apparatus

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