JP2000285626A - 圧電薄膜、圧電素子及びそれらを用いたアクチュエータ機構と情報記録再生装置 - Google Patents

圧電薄膜、圧電素子及びそれらを用いたアクチュエータ機構と情報記録再生装置

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JP2000285626A
JP2000285626A JP11085811A JP8581199A JP2000285626A JP 2000285626 A JP2000285626 A JP 2000285626A JP 11085811 A JP11085811 A JP 11085811A JP 8581199 A JP8581199 A JP 8581199A JP 2000285626 A JP2000285626 A JP 2000285626A
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piezoelectric thin
piezoelectric
film
substrate
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JP11085811A
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English (en)
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Yasusuke Irie
庸介 入江
Kazuo Yokoyama
和夫 横山
Shinichi Yamamoto
伸一 山本
Isaku Jinno
伊策 神野
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 圧電薄膜は、その化学組成および基板の平滑
性の差による結晶配向のばらつきなどが原因で圧電素子
やアクチュエータとして十分な圧電特性を得ることが困
難であり、実用面においても特性のばらつきが大きいと
いう課題があった。 【解決手段】 基板の凹凸による特性のばらつきを防ぐ
方法としては、成膜する基板表面の表面粗さ（Ｒａ）が
０．０５μｍ以下の母材に成膜する。使用する基板によ
っては、表面性のよい母材を得ることが困難な場合があ
る。そのような場合には、研磨機を用いて研磨した後に
成膜をしたり、表面性改善膜を圧電薄膜を成膜する前に
成膜して、表面性を高める方法を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電薄膜を用いた
圧電素子および圧電アクチュエータとHDD（ハードディ
スクドライブ）で磁気ヘッドの位置決め制御に用いられ
る圧電式アクチュエータ機構とそれらを具備する情報記
録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在一般に使用されている圧電材料とし
ては電界に対して大きな歪が生じる鉛系の誘電体、特に
ＰＺＴと呼ばれるＰｂ（Ｚｒ1-X,ＴｉX）Ｏ3のペロブス
カイト型強誘電体が広く用いられている。特にこれらの
圧電体は電圧を加えて変形を生じさせるアクチュエータ
や、逆に素子の変形から電圧を発生させるセンサとし
て、広く利用されている。
【０００３】一般にこれらの圧電体は、熱処理により得
られた焼結体を切削、研磨などの工程により種々の形状
に加工された後、得られた圧電体の対向する表面に一対
の電極を形成して圧電素子が形成される。
【０００４】また、そのような圧電素子やアクチュエー
タを用いるデバイスとしてはHDD用の衝撃センサーやト
ラックにヘッドを位置決め制御するための微小駆動用ア
クチュエータがあげられる。
【０００５】特にHDD用のアクチュエータはHDD（ハード
ディスクドライブ）の高密度化にともなって、トラック
幅の減少により、磁気ヘッドを媒体のトラックに合わせ
る（位置決めする）ことが困難になりつつある。
【０００６】そのような背景をもとに、位置決め精度を
向上させるためにHDD（ハードディスクドライブ）にお
いて、最近光ディスク関連（ＣＤ、ＭＯ、ＤＶＤなど）
で用いられているような２段式のアクチュエータを使用
する傾向にある。
【０００７】２段式のアクチュエータの方法としては、
静電方法、圧電方法、磁歪方法などが一般的に上げられ
る。
【０００８】この中でも特に圧電式のアクチュエータは
最も優れた特性を示し、２段式のアクチュエータとして
有望され、研究が進められている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】これまでのように圧電
セラミックを切削などの機械的な方法により加工した場
合、素子の小型化において限界があり、その形状も限ら
れたものとなってくる。
【００１０】そこで、圧電体を薄膜化した圧電体薄膜を
用いれば、小型化および任意の形状に加工することが可
能となる。
【００１１】しかし、圧電薄膜は、その化学組成および
基板の平滑性の差による結晶配向のばらつきなどが原因
で圧電素子やアクチュエータとして十分な圧電特性を得
ることが困難であり、実用面においても特性のばらつき
が大きいという問題があった。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の圧電素子および
圧電アクチュエータは以下の手段を用いて圧電特性の解
決を行う。それらに用いられる圧電薄膜を形成する場
合、最も圧電特性（特に圧電定数と圧電特性のばらつ
き）に影響を与える要因は、成膜に使用する基板の凹凸
により生じる結晶の配向性のばらつきである。
【００１３】これらが原因で特性劣化およびばらつきが
生じる。
【００１４】そこで、基板の凹凸による特性のばらつき
を防ぐ方法としては、成膜する基板表面の表面粗さ（Ｒ
ａ）が０．０５μｍ以下の母材に成膜する。
【００１５】使用する基板によっては、表面性のよい母
材を得ることが困難な場合がある。
【００１６】そのような場合には、研磨機を用いて研磨
した後に成膜をしたり、表面性改善膜を圧電薄膜を成膜
する前に成膜して、表面性を高める方法を用いる。
【００１７】圧電素子やアクチュエータの基本的な構成
としては、Ｚｒを含まないペロブスカイト型圧電体薄膜
と、Ｚｒを含むペロブスカイト型圧電体薄膜との積層構
造を有する圧電体薄膜と前記圧電体薄膜に対向する両面
に形成された一対の電極で構成される。
【００１８】Ｚｒを含まないペロブスカイト型圧電体薄
膜としては、ＰＬＴ膜、ＰｂＴｉＯ 3膜、ＳｒＴｉＯ
3膜、ＢａＴｉＯ3膜で構成され、特に（Ｐｂ1-XＬａX）
Ｔｉ1-X /4Ｏ3（0≦X＜1）で構成され、Ｚｒを含むペロ
ブスカイト型圧電体薄膜としては、（Ｐｂ1-XＬａX）
（ＺｒYＴｉ1-Y）1-Y/4Ｏ3（0≦X＜1、0＜Y＜1）の組成
で構成されるＰＺＴ膜であるか、あるいはＺｒとＴｉの
構成比がＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０．２以上であるＰＺ
Ｔ膜が好ましい。
【００１９】また、圧電体薄膜に対向して形成される一
対の電極は、少なくとも一方の電極材料を白金、パラジ
ウム、イリジウム、ルテニウム、金、チタンを含む金属
材料または酸化物材料を用いる。
【００２０】圧電体薄膜、圧電素子、アクチュエータを
形成する基板としては、平滑性の点から考慮して、SUS
(ステンレス)材料またはSi材料、Al2O3/TiC材料、酸化マグネ
シウム（MgO）、サファイヤ（α-Al2O3）、チタン酸ス
トロンチウムを基本とする材料からなる基板を用いる。
【００２１】ただし、一般的に平滑性が得ることが困難
な基板については、研磨、表面性改善膜による平滑性の
改善を行う。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例の形態につ
いて、図１から図３を用いて説明する。
【００２３】（実施の形態１）図１（ａ）に本発明の圧
電薄膜の基本的な構成を示す。基板１の上に下地膜２
（Ｚｒを含まないペロブスカイト型圧電体薄膜）を成膜
し、次に圧電体薄膜３（Ｚｒを含むペロブスカイト型圧
電体薄膜）を形成する。
【００２４】基板１の成膜面は平滑性ができるだけ優れ
たものを用いる。結晶の配向性を高めるために、表面粗
さ（Ｒａ）は０．０５μｍ以下であることが好ましい。
【００２５】成膜面の平滑性が優れた基板１の材料とし
ては、特にSi材料、Al2O3/TiC材料、酸化マグネシウム
（MgO）、サファイヤ（α-Al2O3）Si材料、Al2O3/TiC材
料、酸化マグネシウム（MgO）、サファイヤ（α-Al
2O3）、チタン酸ストロンチウムがあげられる。
【００２６】下地膜２としては、（Ｐｂ1-XＬａX）Ｔｉ
1-X/4Ｏ3（0≦X＜1）、あるいはＰｂＴｉＯ3膜、ＳｒＴ
ｉＯ3膜、ＢａＴｉＯ3膜からなる膜が好ましい。
【００２７】圧電体薄膜３としては、Ｚｒを含むペロブ
スカイト型圧電体薄膜が（Ｐｂ1-XＬａX）（ＺｒYＴｉ
1-Y）1-Y/4Ｏ3（0≦X＜1、0＜Y＜1）の組成で構成され
る膜が好ましい。
【００２８】ただし、表面粗さ（Ｒａ）は０．０５μｍ
以下でない場合や、さらに平滑性が必要とされる場合に
は、研磨機で表面を磨いて整えるか、表面性改善膜４を
基板にあらかじめ成膜し平滑性を整える。
【００２９】図１（ｂ）に本発明の圧電薄膜を成膜する
上で基板表面の平滑性が悪い場合に表面性改善膜４を入
れた構成を示す。
【００３０】基板１の上に表面性改善膜４を成膜して表
面を整える。次に下地膜２（Ｚｒを含まないペロブスカ
イト型圧電体薄膜）を成膜し、次に圧電体薄膜３（Ｚｒ
を含むペロブスカイト型圧電体薄膜）を形成する。
【００３１】表面性改善膜４としてはSiO2、SiN、Al、A
l2O3、Ti、Niなどが用いられる。このように何らかの方
法を用いて、基板表面の平滑性を向上させることによっ
て結晶の配向性が向上し圧電特性の良好な圧電薄膜が得
られる。以上の方法で特性の優れた圧電体薄膜を実現す
る。
【００３２】なお、上記実施例では、下地層２を用いた
が、基板１の表面加工精度が将来的に飛躍的にのびた場
合には、この下地層２は不要となる。
【００３３】（実施の形態２）次に本発明の圧電素子の
基本的な構成を図２（ａ）示す。基板１の上に下部電極
５、下地膜２（Ｚｒを含まないペロブスカイト型圧電体
薄膜）を成膜し、次に圧電体薄膜３（Ｚｒを含むペロブ
スカイト型圧電体薄膜）、その上に上部電極６を形成す
る。圧電素子の例としてカンチレバー形状に加工した場
合の図を図２（ｂ）に示す。被服層７を上部電極６上に
形成した後、リソグラフィー技術を用いてエッチングを
行い、カンチレバー上の圧電素子の下の基板１の一部分
を削り片持ち梁上に加工した。基板１の成膜面は平滑性
ができるだけ優れたものを用いる。結晶の配向性を高め
るために、表面粗さ（Ｒａ）は０．０５μｍ以下である
ことが好ましい。
【００３４】成膜面の平滑性が優れた基板１の材料とし
ては、特にSi材料、Al2O3/TiC材料、酸化マグネシウム
（MgO）、サファイヤ（α-Al2O3）Si材料、Al2O3/TiC材
料、酸化マグネシウム（MgO）、サファイヤ（α-Al
2O3）、チタン酸ストロンチウムがあげられる。
【００３５】圧電素子の下部電極５としては、白金、パ
ラジウム、イリジウム、ルテニウム、金、チタンを含む
金属材料または酸化物材料を用いる。特に白金は圧電薄
膜の結晶配向性を向上させ、圧電特性も向上せせる作用
がある。
【００３６】下地膜２としては、（Ｐｂ1-XＬａX）Ｔｉ
1-X/4Ｏ3（0≦X＜1）、あるいはＰｂＴｉＯ3膜、ＳｒＴ
ｉＯ3膜、ＢａＴｉＯ3膜からなる膜が好ましい。
【００３７】圧電体薄膜３としては、Ｚｒを含むペロブ
スカイト型圧電体薄膜が（Ｐｂ1-XＬａX）（ＺｒYＴｉ
1-Y）1-Y/4Ｏ3（0≦X＜1、0＜Y＜1）の組成で構成され
る膜が好ましい。
【００３８】上部電極６としては、Ｎｉ、ＮｉＣｒ、金
などを使用する。
【００３９】ただし、表面粗さ（Ｒａ）は０．０５μｍ
以下でない場合や、さらに平滑性が必要とされる場合に
は、実施の形態１と同様に研磨機で表面を磨いて整える
か、表面性改善膜４を基板１にあらかじめ成膜し平滑性
を整える。
【００４０】（実施の形態３）図２（Ｃ）に本発明の圧
電薄膜を成膜する上で基板表面の平滑性が悪い場合に表
面性改善膜４を入れた構成を示す。
【００４１】基板１の上に表面性改善膜４を成膜して表
面を整える。次に下部電極５、下地膜２（Ｚｒを含まな
いペロブスカイト型圧電体薄膜）を成膜し、次に圧電体
薄膜３（Ｚｒを含むペロブスカイト型圧電体薄膜）、上
部電極６を形成する。
【００４２】表面性改善膜４としてはSiO2、SiN、Al、A
l2O3、Ti、Niなどが用いられる。
【００４３】このように何らかの方法を用いて、基板表
面の平滑性を向上させることによって結晶の配向性が向
上し圧電特性の良好な圧電素子が得られる。
【００４４】以上の方法で特性の優れた圧電体素子を実
現する。
【００４５】（実施の形態４）本発明の圧電薄膜および
圧電素子をＨＤＤ用アクチュエータ機構と情報記録再生
装置に用いる場合を図３（ａ）、図３（ｂ）に示す。図
３（ａ）はアクチュエータ機構を用いた情報記録再生装
置の斜視図である。
【００４６】磁気ディスク８は、スピンドルモータ９に
より回転駆動される。アクチュエータ機構部１０はＶＣ
Ｍ（ボイスコイルモータ）で駆動される。
【００４７】図３（ｂ）にアクチュエータ機構部１０を
拡大した図を示す。アクチュエータ機構部１０におい
て、スライダー本体１２は支持ばね１１に固定され、微
小駆動機構１３を介して支持機構１５に取り付けられて
いる。微小駆動機構１３部分には圧電素子１６が形成さ
れている。圧電素子１６を形成するアクチュエータ機構
部１３に用いる部材の表面性の優れたものを使用する。
一般的には、ＨＤＤ用アクチュエータとして用いる場合
には、アクチュエータ機構部１０を形成する部材がステ
ンレスであるため、圧電素子１６を形成するアクチュエ
ータ機構部１３に用いる部材としてもステンレスの平滑
性のよいものを用いる。圧電素子１６の下部電極５とし
ては、白金、パラジウム、イリジウム、ルテニウム、
金、チタンを含む金属材料または酸化物材料を用いる。
特に白金は圧電薄膜の結晶配向性を向上させ、圧電特性
も向上せる作用がある。
【００４８】下地膜２としては、（Ｐｂ1-XＬａX）Ｔｉ
1-X/4Ｏ3（0≦X＜1）、あるいはＰｂＴｉＯ3膜、ＳｒＴ
ｉＯ3膜、ＢａＴｉＯ3膜からなる膜が好ましい。
【００４９】圧電体薄膜３としては、Ｚｒを含むペロブ
スカイト型圧電体薄膜が（Ｐｂ1-XＬａX）（ＺｒYＴｉ
1-Y）1-Y/4Ｏ3（0≦X＜1、0＜Y＜1）の組成で構成され
る膜が好ましい。
【００５０】上部電極６としては、Ｎｉ、ＮｉＣｒ、金
などを使用する。
【００５１】ただし、表面粗さ（Ｒａ）は０．０５μｍ
以下でない場合や、さらに平滑性が必要とされる場合に
は、実施の形態１と同様に研磨機で表面を磨いて整える
か、表面性改善膜４を基板１にあらかじめ成膜し平滑性
を整える。
【００５２】このように何らかの方法を用いて、基板表
面の平滑性を向上させることによって結晶の配向性が向
上し圧電特性の良好な圧電素子が得られ、ＨＤＤ用のア
クチュエータとして用いる場合にも優れた特性が得られ
る。以上の方法で特性の優れた圧電アクチュエータを実
現する。
【００５３】
【実施例】以下具体的な実施例により、この発明の効果
の説明を行う。
【００５４】（実施例１）第１の実験として、Ｓｉ基板
表面をエッチングによって変化させ、表面粗さ（Ｒａ）
を０．１〜０．０１μｍまで１０段階に変えたものを用
意して、その上に図２（ｂ）示すような圧電素子（カン
チレバー）を作成した。下地膜にはＰＬＴを形成し、圧
電薄膜にはＰｂ（Ｚｒ0.5Ｔｉ0.5）Ｏ3からなる組成を
用いた。
【００５５】下部電極には白金を使用し、上部電極には
Ｃｒ／Ａｕを使用した。
【００５６】また、圧電素子の支持層（被覆層）として
はポリミド材料を用いた。測定は圧電素子に電圧を加
え、その変化量をレーザードップラー測定器により測定
した。測定周波数は１ＫＨｚとし、正弦波電圧を±１Ｖ
〜±１０Ｖまで変化させて測定した。その結果を表１に
示す。
【００５７】
【表１】
【００５８】また、この結果をもとに圧電定数ｄ31を計
算した結果も表１に示す。これらの結果から、表面粗さ
（Ｒａ）が大きいほど圧電定数ｄ31は小さくなり特性が
劣化する事が明らかになった。
【００５９】（実施例２）第２の実験として、Ｓｉ基板
表面をエッチングによって変化させ、表面粗さ（Ｒａ）
を０．０８μｍにした。その後、ＳｉＯ2膜をスパッタ
して表面粗さを０．０５〜０．０１μｍまで整えた。そ
の上に図２（ｂ）示すような圧電素子（カンチレバー）
を作成した。下部電極には白金を使用し、上部電極には
Ｃｒ／Ａｕを使用した。下地膜にはＰＬＴを形成し、圧
電薄膜にはＰｂ（Ｚｒ0.5Ｔｉ0.5）Ｏ3からなる組成を
用いた。また、圧電素子の支持層（被覆層）としてはポ
リミド材料を用いた。測定は圧電素子に電圧を加え、そ
の変化量をレーザードップラー測定器により測定した。
測定周波数は１ＫＨｚとし、正弦波電圧を±１Ｖ〜±１
０Ｖまで変化させて測定した。その結果を表２に示す。
【００６０】
【表２】
【００６１】また、この結果をもとに圧電定数ｄ31を計
算した結果も表２に示す。これらの結果から、基板の表
面粗さ（Ｒａ）が大きてもその上に表面性改善膜を成膜
する事で圧電特性が改善することが明らかになった。
【００６２】（実施例３）第３の実験として、SUS304
（ステンレス）を研磨機で磨いたもの（表面粗さ０．０
０５μｍ）と、全く研磨してないものを表面粗さ０．０
１〜０．０５μｍまで３種類、合計４種類用いて実験を
行った。
【００６３】その４種類の基板をあらかじめエッチング
でカンチレバー形状に加工し、その後その上に図２
（ｂ）示すような圧電素子（カンチレバー）を作成し
た。下部電極には白金を使用し、上部電極にはＣｒ／Ａ
ｕを使用した。下地膜にはＰＬＴを形成し、圧電薄膜に
はＰｂ（Ｚｒ0.5Ｔｉ0.5）Ｏ3からなる組成を用いた。
測定は圧電素子に電圧を加え、その変化量をレーザード
ップラー測定器により測定した。測定周波数は１ＫＨｚ
とし、正弦波電圧を±１Ｖ〜±１０Ｖまで変化させて測
定した。その結果を表３に示す。
【００６４】
【表３】
【００６５】また、この結果をもとに圧電定数ｄ31を計
算した結果も表３に示す。これらの結果から、基板の表
面粗さ（Ｒａ）を研磨によって小さくしたほうが圧電定
数ｄ31が大きくなることが明らかである。
【００６６】
【発明の効果】この発明によれば、基板表面の平滑性を
整えることで圧電薄膜、圧電素子の特性を向上させ、磁
気ヘッドを高精度に制御可能な圧電アクチュエータと情
報記録再生装置を実現する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の構成を示す図 （ａ）本発明の圧電薄膜の基本的な構成を示す図 （ｂ）本発明の圧電薄膜に表面改善膜を入れた場合の構
成を示す図
【図２】本発明の実施の形態の構成を示す図 （ａ）本発明の圧電素子の基本的な構成を示す図 （ｂ）本発明の圧電素子をカンチレバー状に加工した場
合を示す図 （ｃ）本発明の表面性改善膜を入れた場合の圧電素子の
構成を示す図
【図３】本発明の実施の形態の構成を示す図 （ａ）本発明のアクチュエータ機構を用いた情報記録再
生装置を表す斜示図 （ｂ）本発明のアクチュエータ機構部の拡大図
【符号の説明】
１ 基板 ２ 下地膜 ３ 圧電体薄膜 ４ 表面改善膜 ５ 下部電極 ６ 上部電極 ７ 被覆層 ８ 磁気ディスク ９ スピンドルモータ １０ アクチュエータ機構部 １１ 支持ばね １２ スライダー本体 １３ 微小駆動機構 １４ 支持機構 １５ 圧電素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 伸一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 神野 伊策 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5D059 AA01 BA01 CA05 CA08 DA31 DA33 5D096 AA02 FF06 NN03

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 表面粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ以下の
    基板と、前記基板上に形成された圧電体薄膜からなる圧
    電薄膜。
  2. 【請求項２】 圧電薄膜は、Ｚｒを含まないペロブスカ
    イト型圧電体薄膜と、Ｚｒを含むペロブスカイト型圧電
    体薄膜とで構成される請求項１記載の圧電薄膜。
  3. 【請求項３】 基板は、母材上に成膜された表面性改善
    膜によって表面粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ以下に整え
    られた請求項１記載の圧電薄膜。
  4. 【請求項４】 基板は、研磨機によって表面粗さ（Ｒ
    ａ）が０．０５μｍ以下に整えられた請求項１記載の圧
    電薄膜。
  5. 【請求項５】 Ｚｒを含むペロブスカイト型圧電薄膜の
    厚さが０．０５〜１００μｍであることを特徴とする請
    求項２記載の圧電薄膜。
  6. 【請求項６】 Ｚｒを含まないペロブスカイト型圧電薄
    膜の厚さが０．０１〜０．１μｍであることを特徴とす
    る請求項２記載の圧電薄膜。
  7. 【請求項７】 Ｚｒを含まないペロブスカイト型圧電体
    薄膜が（Ｐｂ1-XＬａX）Ｔｉ1-X/4Ｏ3（0≦X＜1）で構
    成され、Ｚｒを含むペロブスカイト型圧電体薄膜が（Ｐ
    ｂ1-XＬａX）（ＺｒYＴｉ1-Y）1-Y/4Ｏ3（0≦X＜1、0＜
    Y＜1）の組成で構成されることを特徴とする請求項２記
    載の圧電薄膜。
  8. 【請求項８】 Ｚｒを含むペロブスカイト型圧電体薄膜
    のＺｒとＴｉの構成比がＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０．２
    以上であることを特徴とする請求項２記載の圧電薄膜。
  9. 【請求項９】 Ｚｒを含まないペロブスカイト型圧電体
    薄膜がＰＬＴ膜、ＰｂＴｉＯ3膜、ＳｒＴｉＯ3膜、Ｂａ
    ＴｉＯ3膜からなることを特徴とする請求項２記載の圧
    電薄膜。
  10. 【請求項１０】 基板を構成する材料としてSUS(ステンレス)
    材料またはSi材料、Al 2O3/TiC材料、酸化マグネシウム
    （MgO）、サファイヤ（α-Al2O3）、チタン酸ストロン
    チウムを基本とする材料を用いることを特徴とする請求
    項１〜９のいずれかに記載の圧電薄膜。
  11. 【請求項１１】 基板の厚みが０．０５〜５００μｍ以
    下であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに
    記載の圧電薄膜。
  12. 【請求項１２】 請求項１〜１１のいずれかに記載の圧
    電薄膜に加え、さらに前記圧電薄膜を挟むように１対の
    電極を形成してなる圧電素子。
  13. 【請求項１３】 １対の電極の少なくとも一方を主に白
    金、パラジウム、イリジウム、ルテニウム、金、チタン
    を含む金属材料または酸化物材料を用いることを特徴と
    する請求項１２記載の圧電素子。
  14. 【請求項１４】 対向する電極間に電圧を加えることに
    より膜の水平面に対して垂直な変位を発生させることを
    特徴とする請求項１２又は１３に記載の圧電素子の駆動
    方法。
  15. 【請求項１５】固定体と移動体の２つの物質を請求項１
    ２又は１３に記載の圧電素子を挟んで構成されるアクチ
    ュエータ。
  16. 【請求項１６】 ディスク上にデータの記録再生を行う
    複数のヘッドを搭載し、前記ヘッドを前記ディスクの半
    径方向に移動させて目的のトラックに位置決めするため
    のヘッドアクチュエータ機構を備える情報記録再生装置
    であって、前記アクチュエータ機構が前記ヘッドを形成
    するスライダーと、前記スライダーを支持するサスペン
    ションと前記サスペンションを支持して回転駆動力を伝
    達するための支持アームからなる支持アーム体を駆動さ
    せる主駆動制御手段と前記スライダーを微小移動させ、
    前記ヘッドをデスク上のトラックに正確に位置あわせす
    るための圧電式補助駆動制御手段を前記スライダーと前
    記サスペンションの間に具備したアクチュエータと情報
    記録再生装置において、前記圧電式補助駆動制御手段と
    して請求項１２又は１３記載の圧電素子を用いることを
    特徴とする情報記録装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001298220A (ja) * 2000-04-17 2001-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電駆動体及びその製造方法
JP2003046160A (ja) * 2001-04-26 2003-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電素子，アクチュエータ及びインクジェットヘッド
WO2003052840A1 (fr) * 2001-12-18 2003-06-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Element piezoelectrique, tete d'impression a jet d'encre, capteur de vitesse angulaire, procede de fabrication, et appareil d'enregistrement a jet d'encre
US6903491B2 (en) 2001-04-26 2005-06-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Piezoelectric element, actuator, and inkjet head
CN104078560A (zh) * 2013-03-25 2014-10-01 日立金属株式会社 压电体薄膜层叠基板
WO2016203955A1 (ja) * 2015-06-18 2016-12-22 コニカミノルタ株式会社 圧電素子、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ、および圧電素子の製造方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001298220A (ja) * 2000-04-17 2001-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電駆動体及びその製造方法
JP2003046160A (ja) * 2001-04-26 2003-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電素子，アクチュエータ及びインクジェットヘッド
US6903491B2 (en) 2001-04-26 2005-06-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Piezoelectric element, actuator, and inkjet head
WO2003052840A1 (fr) * 2001-12-18 2003-06-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Element piezoelectrique, tete d'impression a jet d'encre, capteur de vitesse angulaire, procede de fabrication, et appareil d'enregistrement a jet d'encre
US7033001B2 (en) 2001-12-18 2006-04-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Piezoelectric element, ink jet head, angular velocity sensor, manufacturing method thereof, and ink jet type recording apparatus
US7478558B2 (en) 2001-12-18 2009-01-20 Panasonic Corporation Piezoelectric element, ink jet head, angular velocity sensor, method for manufacturing the same, and ink jet recording apparatus
CN104078560A (zh) * 2013-03-25 2014-10-01 日立金属株式会社 压电体薄膜层叠基板
JP2014187219A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Hitachi Metals Ltd 圧電体薄膜積層基板
US9299911B2 (en) 2013-03-25 2016-03-29 Sumitomo Chemical Company, Limited Piezoelectric thin-film multilayer body
CN104078560B (zh) * 2013-03-25 2017-12-01 住友化学株式会社 压电体薄膜层叠基板
WO2016203955A1 (ja) * 2015-06-18 2016-12-22 コニカミノルタ株式会社 圧電素子、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ、および圧電素子の製造方法
JPWO2016203955A1 (ja) * 2015-06-18 2018-04-05 コニカミノルタ株式会社 圧電素子、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ、および圧電素子の製造方法

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