JP2000285438A

JP2000285438A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2000285438A
Application number: JP11086779A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Yatagai; 洋谷田貝; Shinichi Matsumura; 伸一松村
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1999-03-29
Filing date: 1999-03-29
Publication date: 2000-10-13

Abstract

(57)【要約】【課題】非磁性支持体を薄型化した場合でもカッピン
グ等の発生を防止するとともに優れた電磁変換特性を達
成する。【解決手段】非磁性支持体は、少なくとも、他主面を
構成する第１の芳香族ポリアミドフィルムと、上記第１
の芳香族ポリアミドフィルム上に形成された第２の芳香
族ポリアミドフィルムとを有するとともに、上記第１の
芳香族ポリアミドフィルム中に含有される不活性粒子が
上記第２の芳香族ポリアミドフィルム中に含有される不
活性粒子と比較して大とされてなり、上記非磁性支持体
は、上記第１の芳香族ポリアミドフィルムを除いた厚み
が２．０μｍ以上であり、上記非磁性支持体の他主面に
バックコート層が形成されたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、非磁性支持体の一
主面上に金属磁性膜が成膜されてなる磁気記録媒体に関
し、特に大容量のテープストリーマーとして用いて好適
な磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ミニコンピュータ、パーソナルコ
ンピュータなどのオフィスコンピュータの普及に伴っ
て、外部記憶媒体としてコンピュータデータを記録する
ための磁気テープ（いわゆる、テープストリーマー）の
研究が盛んに行われている。このような用途の磁気テー
プの実用化に際しては、特にコンピュータの小型化、情
報処理能力の増大と相まって記録の大容量化、小型化を
達成するために記録容量の向上が強く要求される。

【０００３】一方、ビデオカセット用の磁気記録媒体と
しては、ビデオカセットの小型化に伴い、より一層のコ
ンパクト化と長時間記録化が望まれている。

【０００４】また、磁気テープの使用環境の広がりによ
る幅広い環境条件下（特に、変動の激しい温湿度条件下
など）での使用、データ保存に対する信頼性、更に高速
での繰り返し使用による多数回走行におけるデータの安
定した記録、読み出し等の性能に対する信頼性なども従
来にまして要求されている。

【０００５】一般に、磁気テープは、合成樹脂などの可
撓性材料の非磁性支持体上に磁性層が設けられた構成で
ある。そして、上述したような大きい記録容量（体積記
録容量）を達成するためには、磁性層を強磁性金属薄膜
にすることにより磁性層自体の記録密度を高めると共
に、磁気テープの全厚を薄くすることが有効な方法であ
るとされている。すなわち、磁気テープとしては、非磁
性支持体上に、金属磁性薄膜を成膜してなる、いわゆる
蒸着テープが有効である。

【０００６】この蒸着テープにおいて、非磁性支持体と
しては、ポリエステル、主としてポリエチレンテレフタ
レートフィルムが用いられている。特に、ホームビデオ
カセットテープ、例えば、８ｍｍテープに用いられる非
磁性支持体としては、７〜１０μｍ程度のポリエチレン
テレフタレートフィルムが用いられ、コンピュータのデ
ータバックアップ用のテープストリーマーには５〜７μ
ｍ程度のポリエチレンフィルムが用いられている。

【０００７】また、ビデオテープに使用される磁気記録
媒体の記録時間を延長するための方法としては、例え
ば、特開平６−２１５３５０号公報に記載されるよう
に、非磁性支持体としてポリエステルを主成分とし、更
に具体的にはポリエチレンナフタレートを用いるのが望
ましいとされている。一方、上述したようなポリエチレ
ンテレフタレートやポリエチレンナフタレートフィルム
に比べ強度が高いポリアミドフィルムを用いる検討もな
されている。このポリアミドフィルムを非磁性支持体と
して用いた磁気記録媒体は、非磁性支持体の強度が高い
ため、非磁性支持体の厚さを薄くすることが可能であ
り、ビデオカセットテープの長時間記録化、テープスト
リーマーの大容量化に対応した磁気記録媒体として注目
されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、特に、テー
プストリーマーの分野では、容量が高密度化される傾向
にあり、それに伴って益々磁気テープの更なる薄型化が
望まれる。しかしながら、非磁性支持体の厚さを半分に
した場合、磁気テープのスティフネスが全厚の３乗に比
例することを考慮すると、同等のスティフネスを得るた
めには、非磁性支持体の材料のヤング率を８倍にしなけ
ればならない。したがって、非磁性支持体を単に薄くし
ただけでは、磁気テープの機械的強度が不十分となって
しまう。

【０００９】また、磁気テープでは、非磁性支持体の厚
さを薄くすると、いわゆるカッピングが大きくなる傾向
にある。このように、磁気テープにカッピングが生ずる
と、磁気ヘッドとの当たりが取れにくくなり、電磁変換
特性の大幅な低下を引き起こしたり、磁気ヘッドと接触
しやすい縁部は摩耗しやすく、ドロップアウトの原因と
なったり、出力低下やエラーレート劣化を起こしたする
ことがある。

【００１０】このように、磁気テープでは、記録容量を
向上させるのに伴って、機械的強度及びカッピングとい
った不都合が生じている。すなわち、従来の磁気テープ
には、薄型化して記録容量を向上させると、機械的強度
が低下してしまったり、出力低下やエラーレート劣化を
生じさせてしまったりするといった問題点かあった。

【００１１】そこで、本発明は、このような技術的背景
に基づいて創案されたものであり、非磁性支持体を薄型
化した場合でもカッピング等の発生を防止することがで
き、優れた電磁変換特性を有する磁気記録媒体を提供す
ることを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成した
本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性支持体の一主面上
に、少なくとも金属磁性膜が成膜されてなる磁気記録媒
体において、上記非磁性支持体は、少なくとも、他主面
を構成する第１の芳香族ポリアミドフィルムと、上記第
１の芳香族ポリアミドフィルム上に形成された第２の芳
香族ポリアミドフィルムとを有するとともに、上記第１
の芳香族ポリアミドフィルム中に含有される不活性粒子
が上記第２の芳香族ポリアミドフィルム中に含有される
不活性粒子と比較して大とされてなり、上記非磁性支持
体は、上記第１の芳香族ポリアミドフィルムを除いた厚
みが２．０μｍ以上であり、上記非磁性支持体の他主面
にバックコート層が形成されたことを特徴とする。

【００１３】以上のように構成された本発明に係る磁気
記録媒体は、非磁性支持体における金属磁性膜が形成さ
れた面と反対側の他主面の表面が、第１の芳香族ポリア
ミドフィルムに含有される不活性粒子の影響を受けるこ
ととなる。このため、この磁気記録媒体においては、こ
の他主面が所望の表面粗度を示す。また、この磁気記録
媒体では、第１の芳香族ポリアミドフィルムと金属磁性
膜との間に、少なくとも第２の芳香族ポリアミドフィル
ムを有している。このため、金属磁性膜が形成される一
主面の表面に対しては、第１の芳香族ポリアミドフィル
ムに含有される比較的大きな不活性粒子の影響が小とな
っている。したがって、この磁気記録媒体では、金属磁
性膜の表面が所望の優れた表面性を有することとなる。

【００１４】また、この磁気記録媒体では、他主面にバ
ックコート層が形成されているため、非磁性支持体のカ
ッピングを防止することができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る磁気記録媒体
の好適な実施の形態を、図面を参照して詳細に説明す
る。

【００１６】本実施の形態として示す磁気記録媒体は、
図１に示すように、非磁性支持体１と、この非磁性支持
体１の一主面１ａ上に成膜された金属磁性膜２と、非磁
性支持体１の他主面１ｂ上に形成されたバックコート層
４とを備えるものである。また、この磁気記録媒体にお
いて、非磁性支持体１は、少なくとも、比較的大きな不
活性粒子を有し、他主面１ｂを構成する第１の芳香族ポ
リアミドフィルム５と、比較的小さな不活性粒子を有
し、第１の芳香族ポリアミドフィルム５上に形成された
第２の芳香族ポリアミドフィルム６とから構成されてい
る。さらに、この磁気記録媒体において、非磁性支持体
１は、第１の芳香族ポリアミドフィルム５を除いた厚み
が２．０μｍ以上とされなる。

【００１７】以下、非磁性支持体１、金属磁性膜２及び
バックコート層４、並びに、これら各層に用いられる結
合剤及び添加剤について順に詳述する。

【００１８】非磁性支持体１先ず、非磁性支持体１は、上述したように、第１の芳香
族ポリアミドフィルム５及び第２の芳香族ポリアミドフ
ィルム６から構成されている。この非磁性支持体１は、
芳香族ポリアミドフィルムを用いることにより、引っ張
り強度などの物性において優れており、全体としての厚
みが非常に薄い場合でも充分耐え得る強度を有してい
る。

【００１９】第１の芳香族ポリアミドフィルム５及び第
２の芳香族ポリアミドフィルム６は、例えば、下記式
（Ｉ）及び／又は（II）で表される芳香族ポリアミド
を、５０％モル以上、好ましくは７０モル％以上含有し
ている。

【００２０】

【化１】

【００２１】なお、上記式において、Ｘ、Ｙは、−Ｏ
−，−ＣＨ₂−，−ＣＯ−，−ＳＯ₂−，−Ｓ−，−Ｃ
（ＣＨ₃）₂−等から選ばれるが、これに限定されるもの
ではない。さらに、上記式において、芳香環上の水素原
子の一部が、ハロゲン基（特に、塩素）、ニトロ基、炭
素数１から３のアルキル基（特に、メチル基）、炭素数
１から３のアルコキシ基などの置換基で置換されている
ものであってもよく、また、重合体を構成するアミド結
合中の水素が他の置換基によって置換されていても良
い。

【００２２】また、第１の芳香族ポリアミドフィルム５
及び第２のポリアミドフィルム６は、剛性を高くする観
点から、芳香環がパラ位で結合されたものが、全芳香環
の６０％以上、より好ましくは８０％以上を占める重合
体であることが好ましい。また、吸湿性を小さくする観
点から芳香環上の水素原子の一部がハロゲン基（特に、
塩素原子）、ニトロ基、炭素数１から３のアルキル基
（特に、メチル基）、炭素数１から３のアルコキシ基な
どで置換された芳香環が全体の３０％以上を占める重合
体であることが好ましい。

【００２３】さらに、芳香族ポリアミドとしては、上記
式（Ｉ）及び／又は上記式（ＩＩ）で表される繰り返し
単位を５０モル％以上含むものであって、５０モル％未
満は他の繰り返し単位、例えば、芳香族ポリイミド単位
や他の芳香族ポリアミド単位などが共重合、またはブレ
ンドしてなる重合体を使用することができるが、全芳香
族ポリアミド（アラミド）を用いることが好ましい。

【００２４】さらにまた、この非磁性支持体１において
は、芳香族ポリアミドフィルムの構成は少なくとも２層
以上からなる複合構造であり、各層が上記式で表される
重合体を主体とするものであれば、各層が同一組成であ
っても、異なっていても差し支えない。しかしながら、
生産性の観点から、各層が同一組成である方が有利であ
る。

【００２５】さらにまた、第１の芳香族ポリアミドフィ
ルム５及び第２の芳香族ポリアミドフィルム６を形成す
るには、第１の芳香族ポリアミドフィルム５に相当する
原液と、第２の芳香族ポリアミドフィルム６に相当する
原液の２種類を公知の方法、例えば、特開昭５６−１６
２６１７号公報に記載されるように、合流管で積層した
り、口金内で積層して形成することができる。

【００２６】一方、この非磁性支持体１中に添加する不
活性粒子としては、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｃａ
ＳＯ₄、ＢａＳＯ₄、ＣａＣＯ₃、カ−ボンブラック、ゼ
オライト、その他の金属微粉末などの無機粒子や、シリ
コン粒子、ポリイミド粒子、架橋共重合体粒子、架橋ポ
リエステル粒子、テフロン粒子などの有機高分子などを
使用することができる。なかでも、耐熱性の観点から
は、上述した無機粒子を使用することが好ましい。

【００２７】この不活性粒子の添加方法としては、粒子
を予め溶媒中に十分スラリ−化した後、重合用溶媒また
は希釈用溶媒として使用する方法や、各層を形成する原
液を調製した後に直接添加する方法などがある。

【００２８】また、この磁気記録媒体において、第１の
芳香族ポリアミドフィルム５中に含有される不活性粒子
は、その平均一次粒径が第２の芳香族ポリアミドフィル
ム６に含有される不活性粒子と比較して大となってい
る。

【００２９】具体的に、第１の芳香族ポリアミドフィル
ム５に含有される不活性粒子の平均粒径は、０．０３〜
１．５μｍであることが好ましい。第１の芳香族ポリア
ミドフィルム５に含有される不活性粒子の添加量は、
０．０５〜２．０ｗｔ％であることが好ましく、更に
は、０．１μｍ〜１．０μｍであることがより好まし
い。

【００３０】このように、第１の芳香族ポリアミドフィ
ルム５に含有される不活性粒子の平均粒径及び含有量を
規定することによって、バックコート層４が形成される
面の表面を所望の表面粗さとすることができる。これに
より、磁気記録媒体は、ハンドリング特性に優れたもの
となる。また、この非磁性支持体１を使用した磁気記録
媒体では、走行性に優れたものとなり、長期に亘って良
好に走行することができる。

【００３１】また、第２の芳香族ポリアミドフィルム６
に含有される不活性粒子は、金属磁性膜２表面の平滑性
と易滑性を向上させるため、平均粒径が、０．０３〜
０．１５μｍ、添加量が、０．０１ｗｔ％〜１ｗｔ％で
あることが好ましい。

【００３２】第２の芳香族ポリアミドフィルムに含有さ
れる不活性粒子の平均粒径が０．０３未満の場合には、
易滑性を向上するための十分な突起が形成されないとい
った不都合が生じる虞がある。また、この不活性粒子の
平均粒径が０．１５μｍより大である場合には、金属磁
性膜の平滑性を劣化させる虞がある。さらに、第２の芳
香族ポリアミドフィルムにおける不活性粒子の添加量が
０．０１ｗｔ％未満の場合には、易滑性を向上するため
の十分な突起数を確保することができないといった不都
合が生じる虞があり、また、１ｗｔ％より大の場合に
は、突起数が過剰となり金属磁性膜の表面性に悪影響を
及ぼすといった不都合を生じる虞がある。

【００３３】更に一方、この非磁性支持体１において
は、第１の芳香族ポリアミドフィルム５を除いた全厚が
２．０μｍ以上とされている。また、好ましくは、２．
５μｍ以上とされている。ここで、本実施の形態では、
非磁性支持体１が第１の芳香族ポリアミドフィルム５及
び第２の芳香族ポリアミドフィルム６からなるため、第
１の芳香族ポリアミドフィルムを除く全厚とは、第２の
芳香族ポリアミドフィルムの厚みと同義である。

【００３４】なお、本発明において、非磁性支持体１
は、このような構成に限定されず、３層以上の芳香族ポ
リアミドフィルムからなるような構成であってもよい。
この場合、第１の芳香族ポリアミドフィルムを除く全厚
とは、バックコート層４が形成される面を構成する芳香
族ポリアミドフィルムを除いた非磁性支持体１の厚みの
ことを示している。

【００３５】このように、第１の芳香族ポリアミドフィ
ルム５を除いた全厚が２．０μｍ以上と規定することに
よって、第１の芳香族ポリアミドフィルム５に含有され
る比較的大きな不活性粒子が第２の芳香族ポリアミドフ
ィルム６の表面に対して与える影響を極力小とすること
ができる。言い換えると、第１の芳香族ポリアミドフィ
ルム５を除いた全厚が２．０μｍ以上と規定すると、第
２の芳香族ポリアミドフィルム６における表面性（うね
り等）の劣化、第２の芳香族ポリアミドフィルム６中の
ボイドの形成、或いは第２の芳香族ポリアミドフィルム
６表面における粗大突起の形成を防止することができ
る。したがって、この第２の芳香族ポリアミドフィルム
６上方に形成される金属磁性膜２は、所望の表面性を有
し、電磁変換特性に優れたものとなり、ドロップアウト
の発生が減少して信頼性に優れたものとなる。

【００３６】また、この非磁性支持体１では、金属磁性
膜２を成膜する一主面表面における、０．１２μｍ以上
の粗大突起が２５０個／１００ｃｍ²以下であることが
好ましく、更には、２００個／ｃｍ²以下であることが
より好ましい。なお、この粗大突起は、非磁性支持体１
の一主面を３Ｄ−ＭＩＲＡＵ法により測定することがで
きる。

【００３７】このように、金属磁性膜２を成膜する一主
面表面における、０．１２μｍ以上の粗大突起が２５０
個／１００ｃｍ²以下とすることによって、金属磁性膜
２表面には、この粗大突起に起因した表面性の劣化等が
発生し難くなる。このため、この磁気記録媒体では、ド
ロップアウトの原因となる突起等を減少させることがで
きる。

【００３８】さらに、この非磁性支持体１では、金属磁
性膜２を成膜する一主面表面の表面粗さ（ＳＲａ）が
１．５ｎｍ〜５．０ｎｍであることが好ましく、更に
は、２．０〜３．５ｎｍであることがより好ましい。こ
の表面粗さ（ＳＲａ）は、第２の芳香族ポリアミドフィ
ルム６中に添加される不活性粒子の大きさや添加量、或
いは非磁性支持体１の層構成によって調節される。この
ように、金属磁性膜２を成膜する一主面表面の表面粗さ
（ＳＲａ）を１．５ｎｍ〜５．０ｎｍとすることによっ
て、磁気記録媒体の良好な電磁変換特性と走行耐久性を
確保することができる。

【００３９】さらにまた、この非磁性支持体１では、金
属磁性膜２を成膜する一主面表面の表面うねりが２．５
ｎｍ以下であることが好ましく、更には２．０ｎｍ以下
であることがより好ましい。この表面うねりは、表面粗
さ（ＳＲａ）を測定した際に得られたデータをＦＦＴ
（ＦａｓｔＦｏｕｒｉｅｒｔｒａｎｓｆｅｒ）解析
することにより測定することができる。すなわち、（Ｓ
Ｒａ）測定時に得られたデータをＦＦＴ解析し、波長２
０μｍ以下の振幅値を求めることによって、非磁性支持
体１の一主面の表面うねりを測定する。このように、金
属磁性膜２を成膜する一主面表面の表面うねりを２．５
ｎｍ以下とすることによって、磁気記録媒体の良好な電
磁変換特性と走行耐久性を確保することができる。

【００４０】さらに、この非磁性支持体１において、バ
ックコート層４形成面側の表面の表面粗さ（ＳＲａ）
は、第１の芳香族ポリアミドフィルム５中に添加される
不活性粒子の大きさ及び添加量によって調節され、生産
工程におけるハンドリング性の観点から、できるだけ大
きい方が望ましい。しかしながら、この表面粗さ（ＳＲ
ａ）が大きすぎると、金属磁性層２を成膜した後、巻き
取ってロール状にした際の裏移りの影響が大きくなるた
め、４ｎｍ〜１５ｎｍ、好ましくは５ｎｍ〜１０ｎｍと
される。

【００４１】さらにまた、この非磁性支持体１は、厚さ
２．５μｍ〜５．０μｍとすることにより、必要な強度
が得られるとともに、磁気記録媒体の厚みを薄くして大
容量化に対応させることができる。

【００４２】さらにまた、この非磁性支持体１は、金属
磁性膜２が成膜される一主面側の表面に１０³〜１０⁵個
／ｍｍ²の密度で突起が形成されていることが好まし
い。

【００４３】このように、一主面側の表面に１０³〜１
０⁵個／ｍｍ²の密度で突起が形成されることによって、
金属磁性膜の表面性を所望な状態とすることができる。
言い換えると、一主面側の表面に１０³〜１０⁵個／ｍｍ
²の密度で突起が形成されることによって、金属磁性膜
２の表面は、所望の表面粗さを有することになる。これ
により、磁気記録媒体は、走行耐久性及び電磁変換特性
に優れたものとなる。

【００４４】金属磁性膜２次に、金属磁性膜２は、上述した非磁性支持体１におけ
る第２の芳香族ポリアミドフィルム上に成膜されるもの
である。

【００４５】このとき、金属磁性膜２は、例えば、図２
に示すような連続巻き取り式の真空蒸着装置等を用いて
形成される。

【００４６】この真空蒸着装置１１は、いわゆる斜方蒸
着用として構成され、内部が例えば約１０^-3（Ｐａ）程
度の真空状態とされた真空室１２内に、例えば−２０℃
程度に冷却され、図中の反時計回り方向（矢印Ａ方向）
に回転する冷却キャン１３と対向するように金属磁性膜
２用の蒸着源１４とが配置されている。

【００４７】蒸着源１４は坩堝等の容器にＣｏ等の強磁
性金属材料が収容されたものであり、この蒸着源１４
（強磁性金属材料）に対し、電子ビーム発生源１５から
電子ビーム１６を加速照射して強磁性金属材料を加熱、
蒸発させ、これを図中の反時計回り方向に回転する供給
ロール１８から図中の矢印Ｂ方向に繰り出され、冷却キ
ャン１３の周面に沿って走行する非磁性支持体１上に付
着（蒸着）させることによって金属磁性膜２を形成す
る。そして、金属磁性膜２が形成された非磁性支持体１
は、巻取りロール１９に巻き取られる。

【００４８】このとき、蒸着源１４と冷却キャン１３と
の間には防着板２０を設け、この防着板２０にシャッタ
２１を位置調整可能に設けて、非磁性支持体１に対して
所定の角度で入射する蒸着粒子のみを通過させる。こう
して斜め蒸着法によって金属磁性膜２が形成されるよう
になされている。

【００４９】なお、供給ロール１８と冷却キャン１３と
の間、及び冷却キャン１３と巻取りロール１９との間に
はそれぞれガイドローラー２２、２３が配置され、供給
ロール１８から冷却キャン１３、及びこの冷却キャン１
３から巻取りロール１９に従って走行する非磁性支持体
１に所定のテンションをかけ、非磁性支持体１が円滑に
走行するようになされている。

【００５０】さらに、このような金属磁性膜２の蒸着に
際し、図示しない酸素ガス導入口を介して非磁性支持体
１の表面に酸素ガスが供給され、これによって金属磁性
膜２の磁気特性、耐久性及び耐候性の向上が図られてい
る。また、蒸着源１４を加熱するためには、上述のよう
な電子ビームによる加熱手段の他、例えば、抵抗加熱手
段、高周波加熱手段、レーザ加熱手段等の公知の手段を
使用できる。

【００５１】以上は、斜め蒸着法によりＣｏ等からなる
強磁性金属材料を用いて成膜する例について説明した
が、強磁性金属材料を用いて成膜する方法としては、こ
の例の他に垂直蒸着法やスパッタリング法等の公知の薄
膜形成法が適用でき、また、強磁性金属材料としては、
Ｃｏの他にＮｉ、Ｆｅ等やこれらの合金を使用すること
ができる。ただし、非磁性支持体１との付着強度改善、
あるいは金属磁性膜自体の耐性、耐摩耗性改善等の目的
から、蒸着時の雰囲気を酸素ガスが支配的となる雰囲気
としたとき得られる酸素を含む金属磁性膜２を使用する
ことが望ましい。また、金属磁性膜２の厚さは、０．０
１〜０．２μｍ程度、好ましくは、０．１〜０．２μｍ
程度である。

【００５２】また、この磁気記録媒体は、金属磁性膜２
の摩耗を防止するため、金属磁性膜２上に、図３に示す
ようなマグネトロンスパッタ装置３０等を用いて、カー
ボン保護膜を形成することが望ましい。

【００５３】このマグネトロンスパッタ装置３０は、外
側がチャンバ３１にて覆われている。そして、チャンバ
３１内は、真空ポンプ３２にて約１０^-4（Ｐａ）まで減
圧された後、真空ポンプ３２側へ廃棄するバルブ３３の
角度を全開状態から１０度まで絞ることにより排気速度
を落とし、ガス導入管３４からＡｒガスを導入して、真
空度が約０．８Ｐａとされる。

【００５４】マグネトロンスパッタ装置３０は、このチ
ャンバ３１内に、例えば−４０℃程度に冷却され、図中
の反時計回り方向（矢印Ａ方向）に回転する冷却キャン
３５と、この冷却キャン３５と対向配置されるターゲッ
ト３６とがそれぞれ設けられている。

【００５５】ターゲット３６は、カーボン保護膜の材料
となるものであり、カソード電極を構成するバッキング
プレート３７に支持されている。そして、バッキングプ
レート３７の裏側には、磁場を形成するマグネット３８
が配設されている。このマグネトロンスパッタ装置３０
によりカーボン保護膜を形成する際は、ガス導入管３４
からＡｒガスを導入するとともに、冷却キャン３５をア
ノード、バッキングプレート３７をカソードとして約３
０００（Ｖ）の電圧を印加し、１．４Ａの電流が流れる
状態を保つようにする。

【００５６】この電圧の印加により、Ａｒガスがプラズ
マ化し、電離されたイオンがターゲット３６に衝突する
ことにより、ターゲット３６の原子がはじき出される。
このとき、バッキングプレート３７の裏側にはマグネッ
ト３８が配設されており、ターゲット３６の近傍に磁場
が形成されるので、電離されたイオンはターゲット３６
の近傍に集中されることになる。

【００５７】ターゲット３６からはじき出された原子
は、図中の反時計回り方向に回転する供給ロール３９か
ら図中の矢印Ｂ方向に繰り出され、冷却キャン３５の周
面に沿って走行する金属磁性膜２が成膜された非磁性支
持体１上に付着し、カーボン保護膜が形成される。そし
て、カーボン保護膜が形成された非磁性支持体１は、巻
取りロール４１に巻き取られる。

【００５８】このカーボン保護膜は、スペーシングロス
を小さくし、かつ、金属磁性膜２の摩耗防止の効果を得
ることができるように、その厚さを３〜１５ｎｍ程度、
特に５〜１０ｎｍ程度とすることが好ましい。

【００５９】以上は、マグネトロンスパッタによりカー
ボン保護膜を形成する例について説明したが、カーボン
保護膜を形成する方法としては、この例の他に、イオン
ビームスパッタやイオンビームプレーティング法、ＣＶ
Ｄ法等の公知の薄膜形成方法を用いることができる。

【００６０】また、この磁気記録媒体は、カーボン保護
膜の表面に滑剤を存在せしめることが望ましい。これに
より、磁気記録媒体は、微細突起の形状に基づく走行性
改善効果をさらに高めることが可能である。

【００６１】さらに、この磁気記録媒体は、その表面、
裏面、またはそれらの近傍あるいはカーボン保護膜、金
属磁性膜２内の空隙、カーボン保護膜と金属磁性膜２と
の界面、金属磁性膜２と非磁性支持体１との界面、非磁
性支持体１内等に、必要に応じて公知の手段で防錆剤、
帯電防止剤、防かび剤等の各種添加剤を存在せしめるこ
とができる。

【００６２】バックコート層４この磁気記録媒体では、非磁性支持体１における金属磁
性膜２が形成される面とは反対側の面にバックコート層
４が形成されている。このバックコート層４は、電子線
硬化型樹脂を含有する電子線硬化膜からなる、或いは、
有機プラズマ重合型樹脂を含有する有機プラズマ重合膜
からなることが好ましい。

【００６３】まず、バックコート層４が電子線硬化膜か
らなる場合を説明する。

【００６４】電子線硬化膜とは、電子線により重合可能
な化合物を含む層を電子線照射することによって得られ
た層である。ここで、電子線による重合が可能な化合物
とは、一般に、「電子線硬化型樹脂」と呼ばれるものを
指し、電子線を照射することにより重合が可能なπ結合
を有する化合物のことを指す。例示するならば、電子線
硬化型樹脂としては、ビニル及びビニリデン等の炭素−
炭素二重結合を複数個有する化合物が好ましく、アクリ
ロイル基、メタクリロイル基、アクリルアミド基、アリ
ル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基等を含
む化合物及び不飽和ポリエステル等の化合物を挙げるこ
とができる。

【００６５】特に好ましくは、電子線硬化型樹脂として
は、アクリロイル基、メタクロイル基を直鎖の両末端に
有し、骨格がポリエステル、ポリウレタン、エポキシ樹
脂、ポリエーテル、ポリカーボネートである化合物が挙
げられる。また、電子線硬化型樹脂の分子量は約５００
〜２００００が好ましい。

【００６６】さらに、電子線硬化型樹脂には、不飽和の
炭素−炭素結合を分子内に有するモノマーを添加するこ
とができる。このモノマーとしては、例えば、アクリル
酸、メタクリル酸、イタコン酸、アクリル酸メチル及び
その同族体であるアクリル酸アルキルエステル、メタク
リル酸メチル及びその同族体であるメタクリル酸アルキ
ルエステル、スチレン及びその同族体であるα―メチル
スチレン、β―クロルスチレンなど、アクリロニトリ
ル、メタクリロニトリル、アクリルアミド、メタクリル
アミド、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルなどが挙げら
れる。このモノマーでは、分子内に不飽和結合が２個以
上あってもよい。特に、ポリオールの不飽和エステル
類、例えばエチレンジアクリレート、ジエチレングリコ
ールジアクリレート、グリセロールトリメタクリレー
ト、エチレンジメタクリレート、ペンタエリスリトール
テトラメタクリレートなど及びエポキシ環を有するグリ
シジルメタクリレートなどを使用することがが好まし
い。

【００６７】さらにまた、電子線硬化型樹脂としては、
分子内に単数の不飽和結合を有する化合物と２個以上の
不飽和結合を有する化合物とを混合して用いてもよい。
モノマーではを添加する場合、ポリマーとの比は、ポリ
マー/モノマー＝２／８以上であるのが好ましい。この
範囲を外れると、紫外線硬化型樹脂の硬化に多大なエネ
ルギーが必要となる。

【００６８】そして、このような電子線硬化型樹脂に対
しては、電子線加速器等を用いて電子線を照射する。電
子線加速器としては、バンデグラーフ型のスキャニング
方式、ダブルスキャニング方式あるいはカーテンビーム
方式のものが使用できるが、好ましいのは比較的安価で
大出力が得られるカーテンビーム方式である。電子線特
性としては、加速電圧が１００〜１０００（ｋＶ）、好
ましくは１５０〜３００（ｋＶ）であり、吸収線量とし
ては０．５〜２０メガラッド、好ましくは２〜１０メガ
ラッドである。加速電圧が１００ｋＶより小さい場合
は、エネルギーの透過量が不足し十分な硬化反応が進行
せず、１０００ｋＶを超えると重合に使われるエネルギ
ー効率が低下し経済的ではない。また、吸収線量とし
て、０．５メガラッド未満では硬化反応が不十分で、所
望の塗膜強度が得られず、２０メガラッドを超えると硬
化に使用されるエネルギー効率が低下したり、被照射体
が発熱し、特に非磁性支持体１が変形する虞があり好ま
しくない。

【００６９】さらに、このバックコート層４には、通常
の結合剤を単独あるいは混合して加えてもよい。ここで
結合剤としては、例えば、塩化ビニル−酢酸ビニル共重
合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重
合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合体、
塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−ア
クリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリ
ロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニリ
デン共重合体、メタクリル酸エステル−スチレン共重合
体、熱可塑性ポリウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリ
フッ化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重
合体、ブタジエン−アクリロニトリル−メタクリル酸共
重合体、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体、ス
チレン−ブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、フェ
ノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱
硬化性ポリウレタン樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、ア
ルキッド樹脂、尿素−ホルムアルデヒド樹脂等が挙げら
れる。

【００７０】さらにまた、バックコート層４には、無機
顔料粉末を必要に応じて添加することができる。無機顔
料粉末としては、カーボンブラック、グラファイト、酸
化亜鉛、酸化チタン、硫酸バリウム、タルク、カオリ
ン、酸化クロム、硫化カドミウム、ゲータイト、シリカ
アエロジル、無水アルミナ微粉末、炭酸カルシウム、二
硫化モリブデン等が用いられる。同様に、バックコート
層内には必要に応じて帯電防止剤、潤滑剤等を含有させ
ることも可能である。

【００７１】さらににまた、バックコート層４の厚さと
しては、０．１〜０．６μｍであるのが好ましい。バッ
クコート層４の厚みが０．１μｍ未満では、カッピング
を小さくすることができず、カッピングを防止する効果
が得られない虞がある。また、バックコート層の厚みが
１．０μｍを超えると、逆向きのカッピングが大きくな
る虞があり、また、磁気記録媒体の厚み自体が厚くな
り、磁気記録媒体の薄型化が困難となる虞がある。

【００７２】次に、バックコート層４が有機プラズマ重
合膜からなる場合を説明する。

【００７３】有機プラズマ重合体膜は、非常に薄く且つ
均一に付着することができ、三次元に発達した緻密な膜
であり、非磁性支持体に密着した強固な組織であるとい
う特徴を有する。これにより、有機プラズマ重合体膜を
バックコート層４として使用することによって、カッピ
ングの発生を抑制することができる。

【００７４】この有機プラズマ重合体膜は、いわゆるプ
ラズマ重合法により形成される。プラズマ重合法とは、
Ａｒ、Ｈｅ、Ｈ₂、Ｎ₂等のキャリアガスの放電プラズマ
とモノマーガスとを混合し、被処理基体表面にこれら混
合ガスを接触させることにより形成するものである。

【００７５】以下にプラズマ重合法の原理を説明する。

【００７６】先ず、キャリアガスを低圧に保ちながら電
場を作用させると、常圧に比べ分子間距離が非常に大き
いため、キャリアガス中に少量存在する自由電子が電界
加速を受け、５〜１０ｅＶ程度の速度エネルギー（電子
温度）を獲得する。そして、この速度エネルギを獲得し
た自由電子が混合ガス中の原子や分子に衝突すると、原
子や分子は、原子軌道や分子軌道が分断されて電子、イ
オン、中性ラジカル等の不安定な化学種に解離する。ま
た、解離した電子は、再び電界加速を受けて別の原子や
分子を解離させるといった連鎖反応を生じさせる。この
連鎖作用によれば、混合ガスは、高度の電離状態とな
り、これはプラズマガスと呼ばれる状態となる。しかし
ながら、気体分子と電子との衝突頻度が少ない場合に
は、気体分子がエネルギーをあまり吸収せず、常温に近
い温度に保たれている。このように電子の速度エネルギ
ー（電子温度）と分子の熱運動（ガス温度）が分離した
系は低温プラズマと呼ばれ、この低温プラズマの状態で
は、化学種が比較的原形を保ったまま重合等の加成的化
学反応を進めることができる。そして、上述した混合ガ
スを低温プラズマの状態とすることにより、非磁性支持
体１の他主面上に有機プラズマ重合体膜を形成すること
ができる。このように、低温プラズマを利用する場合に
は、非磁性支持体１の他主面に対する熱影響は殆どない
といった利点がある。

【００７７】ここで、モノマーガスとしては、プラズマ
重合性を有する、炭素−水素系、炭素−水素−酸素系、
炭素−ハロゲン系、炭素−酸素−ハロゲン系、炭素−水
素−ハロゲン系、有機金属等を含めて有機化合物一般が
いずれも使用できるが、特にエチレン、アセチレン、ス
チレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート、ブ
タジエン、ベンゼン等の不飽和結合を有する有機化合物
が好ましい。この他、シロキサン結合を有する各種シラ
ン等の有機珪素化合物や、硫黄あるいは窒素を含有する
各種有機化合物を使用しても良い。

【００７８】また、プラズマ発生源としては、高周波放
電の他に、マイクロ波放電、直流放電、交流放電等いず
れも使用できる。またプラズマ重合時の真空度は１〜１
０００Ｐａ程度であるのが好ましい。

【００７９】さらに、有機プラズマ重合体膜の厚さは、
０．１〜１．０μｍであるのが好ましい。有機プラズマ
重合体膜の厚みが０．１μｍ未満ではカッピングを小さ
くすることができない虞がある。有機プラズマ重合体膜
の厚みが１．０μｍを超えると、逆向きのカッピングが
大きくなる虞があり、磁気記録媒体の厚み自体が厚くな
り、磁気記録媒体の薄型化が困難となる虞がある。

【００８０】

【実施例】以下、上述した磁気記録媒体の具体的な実施
例及び比較例を記載し、本発明を更に具体的に説明す
る。なお、本実施例における種々の物性値及び特性は以
下に示す方法により測定したものである。

【００８１】＜フィルム厚の測定＞フィルム厚の測定は
ミクロトーム法により、フィルム断面の切片を切り出
し、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用い、倍率５千倍で
１０箇所撮影し、１０箇所の平均値をもって層厚とし
た。

【００８２】＜表面粗度の測定＞ＳＲａとは下記式にて
定義されるもので、

【００８３】

【数１】

【００８４】バックコート層を形成する面の表面粗さ
（ＳＲａ）を測定する際には、小坂研究所製の表面粗さ
測定器「ＥＴ−３０ＨＫ」を用い、触針径２μｍＲ、触
針圧１０ｍｇ、カットオフ値０．２５ｍｍ、Ｘ方向測定
長は、０．８ｍｍ、Ｙ方向は０．１２μｍの条件で測定
して求めた。

【００８５】また、金属磁性膜を形成する面の表面粗さ
（ＳＲａ）を測定する際には、小坂研究所製の表面粗さ
測定器「ＥＴ−３０ＨＫ」を用いた非接触方式による測
定を行い、カットオフ値０．０８μｍ、Ｘ方向測定長
は、０．１ｍｍ、Ｙ方向は０．０２μｍの条件で測定し
て求めた。なお、この非接触方式による測定とは、一般
的に高度に平坦化された面の表面粗さを測定する際に用
いられ、臨界角焦点エラー検出方式を利用した光学式意
匠変位センサーによる測定のことである。

【００８６】＜表面突起個数＞ポリアミドフィルム中に
不活性粒子を添加することにより形成される突起の個数
は、高走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用い、倍率５千倍
以上にてカウントし、１ｍｍ²当たりの個数に換算し
た。

【００８７】＜テープ特性＞実施例及び比較例における
磁気記録媒体の特性評価は、ソニー株式会社製のＡＩＴ
ドライブＳＤＸ−Ｓ３００Ｃ（商品名）を改造したもの
を用いて行った。記録は、相対速度１０．０４ｍ／ｓｅ
ｃ、最短記録波長０．３５μｍで行った。

【００８８】ドロップアウトの測定ドロップアウトの測定は、出力減衰が６ｄＢ、継続時間
が１μｓｅｃ以上のドロップアウトを１分間ドロップア
ウトカウンターで測定した。

【００８９】走行耐久性走行耐久性としては、１７０ｍ長を１００パス走行さ
せ、１パス走行後のエラーレート、１００パス走行後の
エラーレートを評価した。

【００９０】＜ヘッドとの当たり特性＞ヘッドとの当た
り特性としては、磁気テープ１７０ｍを１００００パス
走行させ、テープ再生時の出力信号（当たり波形）を１
トラック分で見た場合の出力信号の最小値／最大値
（％）を１パス走行後および１００００パス走行後それ
ぞれ測定した。

【００９１】＜カッピングの測定＞カッピングの測定
は、図４に示すような光学顕微鏡５０を有するカッピン
グ測定装置を用いて行った。このカッピング測定装置で
は、先ず、所定のテンションが負荷された磁気テープ５
１を一対のロール５２に掛け渡す。次に、光学顕微鏡５
０（倍率１００倍）を駆動手段５３にて、磁気テープ５
１の幅方向の中心部又は両端部に位置決めする。そし
て、このカッピング測定装置では、光学顕微鏡５０が上
下方向に駆動することによって、磁気テープ５１の幅方
向の中心部或いは両端部において、それぞれ焦点を合わ
せる。このとき、カッピング測定装置では、光学顕微鏡
５０の上下駆動に連動するマイクロメータ５４にて、磁
気テープ５１の幅方向の中心部と両端部との高さ違いを
測定する。

【００９２】このとき、金属磁性膜を凸とする状態を負
のカッピングとし、逆に、金属磁性膜を凹とする状態を
正のカッピングとする。

【００９３】実施例１先ず、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）中で平均
粒径０．１μｍの乾式シリカ粒子を分散させたスラリー
を用意した。

【００９４】次に、重合槽にＮＭＰと上記スラリーを仕
込み、この中に芳香族ジアミン成分として８０モル％に
相当する２−クロルパラフェニレンジアミンと、２０モ
ル％に相当する４、４’−ジアミノジフェニルエ−テル
とを溶解させ、これに１００モル％に相当する２−クロ
ルテレフタル酸クロリドを添加し、２時間攪拌して重合
を完了した。これを水酸化リチウムで中和して、金属磁
性膜が成膜される側の層、すなわち第２の芳香族ポリア
ミドフィルム用のポリマー溶液（Ａ液を呼ぶ。）を得
た。なお、粒子の含有量は芳香族ポリアミドに対して
０．１ｗｔ％であった。

【００９５】また、同様の方法で平均粒径１．５μｍの
シリカ粒子を芳香族ポリアミドに対して０．０５ｗｔ％
含有するバックコート形成面側の層、すなわち第１のポ
リアミドフィルム用のポリマ−溶液（Ｂ液と呼ぶ。）を
調整した。

【００９６】Ａ液及びＢ液も、ポリマー濃度１０重量
％、３０℃での溶液粘度を３０００ポイズに調整して製
膜原液とした。

【００９７】そして、これらＡ液及びＢ液の製膜原液を
５μｍカットのフィルタ−を通した後、２層に積層して
金属ベルト上に流延してフィルムを作製した。押し出し
量を同量にして最終フィルムの厚みが４μｍになるよう
にした。この流延されたフィルムを１８０℃の熱風で２
分間加熱して溶媒を蒸発させ、自己保持性を得たフィル
ムをベルトから連続的に剥離した。

【００９８】次に、ＮＭＰの濃度勾配をつけた水槽内へ
フィルムを導入して残存溶媒と中和で生じた無機塩の水
抽出を行ない、テンターで水分の乾燥と熱処理を行なっ
た。この間にフィルム長手方向と幅方向に各々１．１
倍、１．５倍延伸を行ない、２８０℃で１．５分間乾燥
と熱処理を行なった後、２０℃／秒の速度で徐冷し、非
磁性支持体を得た。

【００９９】次に、このようにして作製された非磁性支
持体を用いて、下記のような手法にて、磁気テープ原反
を作製した。

【０１００】すなわち、図２に示したような連続巻き取
り式の蒸着装置を、その内部が１０^-3（Ｐａ）程度の真
空状態となるように排気し、高分子被膜が形成された非
磁性支持体を、この蒸着装置にセッティングした。そし
て、連続真空斜め蒸着法により、微量の酸素存在下にお
いて、この非磁性支持体における第２の芳香族ポリアミ
ドフィルム表面にＣｏからなる金属磁性膜を形成した。
蒸着の入射角は、非磁性支持体の法線方向が９０〜４５
度までであり、非磁性支持体の走行速度が５０ｍ／分
で、金属磁性膜の厚さが０．１８μｍとなるように、電
子ビームの強さを調節して作製した。

【０１０１】次に、図３に示したようなマグネトロンス
パッタリング装置を、その内部が１０^-4（Ｐａ）程度に
なるまでまで減圧した後、Ａｒガスを導入し、０．８Ｐ
ａ程度にした。そして、このマグネトロンスパッタリン
グ装置に金属磁性膜が形成された非磁性支持体をセッテ
ィングし、−４０℃に冷却した冷却キャン上を５ｍ／分
の速度で走行させて金属磁性膜上にカーボン保護膜を形
成した。

【０１０２】次に、下記の組成に準じてバックコート塗
料を調製した。

【０１０３】＜バック塗料組成＞カーボンブラック：１００重量部ポリウレタン樹脂：５０重量部エステルアクリレートオリゴマー：２０重量部ジエチレングリコールジアクリレート：２０重量部ブトシキエチルアクリレート：２０重量部メチルエチルケトン８０％、トルエン２０％：３００重量部そして、このバックコート塗料を、非磁性支持体の強磁
性金属薄膜が形成された面とは反対側の面に塗布し、吸
収線量が５メガラドになるように電子線を照射し、厚さ
０．４μｍのバックコート層を形成した。

【０１０４】次に、カーボン保護膜上に、潤滑剤として
パーフルオロポリエーテルを塗布した。このようにして
得られたテープ原反を、８ｍｍ幅にスリットした後にカ
セット本体に収納してカセットテープを作製した。

【０１０５】実施例２及び実施例３実施例２及び実施例３では、Ａ液の押し出し量とＢ液の
押し出し量と調節して、全厚が４μｍとなるように非磁
性支持体を作製した以外は、実施例１と同様にして磁気
テープを作製した。

【０１０６】その結果、実施例２では、第２の芳香族ポ
リアミドフィルムの厚みが２．２μｍとなっており、実
施例３では、第２の芳香族ポリアミドフィルムの厚みが
３．０μｍとなっている。

【０１０７】実施例４実施例４では、Ｂ液に添加されるシリカ粒子として平均
粒径０．５μｍのものを用い、０．１ｗｔ％となるよう
に調整した以外は実施例１と同様にして磁気テープを作
製した。

【０１０８】実施例５及び実施例６実施例５及び実施例６では、Ａ液の押し出し量とＢ液の
押し出し量と調節して、全厚が４μｍとなるように非磁
性支持体を作製した以外は、実施例４と同様にして磁気
テープを作製した。

【０１０９】その結果、実施例５では、第２の芳香族ポ
リアミドフィルムの厚みが２．５μｍとなっており、実
施例３では、第２の芳香族ポリアミドフィルムの厚みが
３．１μｍとなっている。

【０１１０】実施例７実施例７では、非磁性支持体の強磁性金属薄膜が形成さ
れた面とは反対側の面に以下の条件で厚さ０．３μｍの
プラズマ重合膜を形成した以外は実施例１と同様にして
磁気テープを作製した。

【０１１１】モノマーガス：エチレンモノマーガス流量：３０ml/分キャリアーガス：アルゴンキャリアーガス流量：７０ml/分真空度：７０Pa 高周波電源：１３．５６ＭＨｚ、３００Ｗ

【０１１２】実施例８及び実施例９実施例８及び実施例９では、Ａ液の押し出し量とＢ液の
押し出し量と調節して、全厚が４μｍとなるように非磁
性支持体を作製した以外は、実施例７と同様にして磁気
テープを作製した。

【０１１３】その結果、実施例８では、第２の芳香族ポ
リアミドフィルムの厚みが２．２μｍとなっており、実
施例９では、第２の芳香族ポリアミドフィルムの厚みが
３．０μｍとなっている。

【０１１４】実施例１０実施例１０では、Ｂ液に添加されるシリカ粒子として平
均粒径０．５μｍのものを用い、０．１ｗｔ％となるよ
うに調整した以外は実施例７と同様にして磁気テープを
作製した。

【０１１５】実施例１１及び実施例１２実施例１１及び実施例１２では、Ａ液の押し出し量とＢ
液の押し出し量と調節して、全厚が４μｍとなるように
非磁性支持体を作製した以外は、実施例１０と同様にし
て磁気テープを作製した。

【０１１６】その結果、実施例１１では、第２の芳香族
ポリアミドフィルムの厚みが２．５μｍとなっており、
実施例１２では、第２の芳香族ポリアミドフィルムの厚
みが３．１μｍとなっている。

【０１１７】比較例１比較例１では、非磁性支持体の強磁性金属薄膜が形成さ
れた面とは反対側の面に、下記の組成に準じて調製され
たバックコート塗料を塗布して乾燥後の厚みが０．４μ
ｍとなるようにバックコート層を形成した以外は実施例
１と同様にして磁気テープを作製した。

【０１１８】カーボンブラック（旭社製，＃５０）１００重量部ポリエステルポリウレタン１００重量部（ニッポラン社製商品名Ｎ−２３０４）溶剤：メチルエチルケトン５００重量部トルエン５００重量部

【０１１９】比較例２及び比較例３比較例２及び比較例３では、Ａ液の押し出し量とＢ液の
押し出し量と調節して、全厚が４μｍとなるように非磁
性支持体を作製した以外は、比較例１１と同様にして磁
気テープを作製した。

【０１２０】その結果、比較例２では、第２の芳香族ポ
リアミドフィルムの厚みが２．２μｍとなっており、比
較例３では、第２の芳香族ポリアミドフィルムの厚みが
３．０μｍとなっている。

【０１２１】比較例４比較例４では、Ｂ液に添加されるシリカ粒子として平均
粒径０．５μｍのものを用い、０．１ｗｔ％となるよう
に調整した以外は比較例１と同様にして磁気テープを作
製した。

【０１２２】比較例５及び比較例６比較例５及び比較例６では、Ａ液の押し出し量とＢ液の
押し出し量と調節して、全厚が４μｍとなるように非磁
性支持体を作製した以外は、比較例４と同様にして磁気
テープを作製した。

【０１２３】その結果、比較例５では、第２の芳香族ポ
リアミドフィルムの厚みが２．５μｍとなっており、比
較例６では、第２の芳香族ポリアミドフィルムの厚みが
３．１μｍとなっている。

【０１２４】特性評価以上のように作製された実施例１乃至実施例１２に関し
て、金属磁性膜を成膜する面の表面粗さ（ＳＲａ）、波
長２０μｍ以下のうねりの最大振幅値及び０．１２μｍ
以上の粗大突起の密度を測定した。これらの測定結果
を、表１に示す。

【０１２５】

【表１】

【０１２６】この表１に示した結果から、実施例１乃至
実施例１２では、優れた表面性を有していることが解っ
た。このことから、非磁性支持体の他主面にバックコー
ト層として電子線硬化膜或いは有機プラズマ重合体膜を
形成しても、金属磁性膜を成膜する面の表面粗さ（ＳＲ
ａ）に影響を及ぼさないことがわかる。

【０１２７】また、これら実施例１乃至実施例１２と比
較例１乃至比較例６に関して、上述したような特性を評
価した結果を表２に示す。

【０１２８】

【表２】

【０１２９】この表２に示した結果から、実施例１乃至
実施例１２、比較例１乃至比較例６ともに、第１の香族
族ポリアミドフィルム中の不活性粒子が第２の芳香族ポ
リアミドフィルム中の不活性粒子と比較して大であっ
て、第２の芳香族ポリアミドフィルムの厚さが２．０μ
ｍ以上である場合には、十分な走行耐久性を有するとと
もに優れた信頼性を有していることがわかる。

【０１３０】また、バックコート層として、実施例１乃
至実施例６のように電子線硬化型膜或いは実施例７乃至
実施例１２のように有機プラズマ重合体膜を有する場合
には、比較例１乃至比較例６と比較して、多数回走行後
のエラーレート及びヘッドとの当たり特性が大幅に優れ
ていることがわかる。このことから、実施例１乃至実施
例１２では、４．０μｍといった薄型化された非磁性支
持体を用いた場合でもカッピングが発生していないこと
がわかる。実施例１乃至実施例１２では、カッピングが
発生しないことから、磁気ヘッドとの当たりが良好なも
のとなるために電磁変換特性に優れたものとなる。ま
た、実施例１乃至実施例１２では、カッピングが発生し
ないことから、磁気テープ幅方向の両端部における偏摩
耗が防止されるため、ドロップアウト発生の防止、出力
低下やエラーレート劣化の防止を達成することができ
る。

【０１３１】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係る磁気記録媒体では、非磁性支持体における金属磁性
膜が成膜される面とは反対側の面に所定のバックコート
層を形成することによって、カッピングを防止すること
ができる。このため、この磁気記録媒体では、走行耐久
性及び電磁変換特性に優れ、且つ、ハンドリング特性に
も優れたものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る磁気記録媒体の要部断面図であ
る。

【図２】金属磁性膜を成膜する際に用いられる連続巻き
取り式の真空蒸着装置の概略構成図である。

【図３】カーボン保護膜を形成する際に用いられるマグ
ネトロンスパッタ装置の概略構成図である。

【図４】カッピング測定装置の概略構成図である。

【符号の説明】

１非磁性支持体、２金属磁性膜、４バックコート
層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ０８Ｋ 3/00 Ｃ０８Ｋ 3/00 ５Ｄ００６Ｃ０８Ｌ 77/10 Ｃ０８Ｌ 77/10 Ｃ０９Ｄ 5/23 Ｃ０９Ｄ 5/23 177/10 177/10 Ｃ２３Ｃ 14/12 Ｃ２３Ｃ 14/12 // Ｃ０８Ｊ 5/18 ＣＦＧＣ０８Ｊ 5/18 ＣＦＧＦターム(参考） 4F071 AA56 AB03 AB18 AB21 AB24 AB26 AD06 AH14 BC01 BC10 BC14 BC16 4F100 AA20H AA37 AA37H AB01A AK01D AK17 AK25 AK47B AK47C AK51 AK54 AL05 BA04 BA05 BA07 BA10A BA10D BA13 CA21 CA23B CA23C CC00D DD06C DD07B DD07C DE01B DE01C DE01H EH66 EJ61D GB41 JB14D JG06A JL00 JL04 JL05 YY00 YY00B YY00C YY00H 4J002 CL061 DA036 DE136 DE146 DE236 DG046 DJ016 GS01 4J038 FA041 FA061 FA081 FA091 FA101 FA121 FA171 FA191 FA241 FA251 FA261 FA271 FA281 NA22 PA17 PB11 PC08 4K029 AA11 AA21 AA25 BA01 BA06 BA34 BA43 BA62 BB02 BD11 CA01 CA02 CA05 CA12 CA15 DB21 DC39 5D006 BB01 CB03 CB06 CB07 CB08 CC01 EA03 FA05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性支持体の一主面上に、少なくとも
金属磁性膜が成膜されてなる磁気記録媒体において、上記非磁性支持体は、少なくとも、他主面を構成する第
１の芳香族ポリアミドフィルムと、上記第１の芳香族ポ
リアミドフィルム上に形成された第２の芳香族ポリアミ
ドフィルムとを有するとともに、上記第１の芳香族ポリ
アミドフィルム中に含有される不活性粒子が上記第２の
芳香族ポリアミドフィルム中に含有される不活性粒子と
比較して大とされてなり、上記非磁性支持体は、上記第１の芳香族ポリアミドフィ
ルムを除いた厚みが２．０μｍ以上であり、上記非磁性支持体の他主面にバックコート層が形成され
たことを特徴とする磁気記媒体。
【請求項２】上記バックコート層は、電子線硬化型樹
脂を含有することを特徴とする請求項１記載の磁気記録
媒体。
【請求項３】上記バックコート層は、有機プラズマ重
合型樹脂を含有することを特徴とする請求項１記載の磁
気記録媒体。
【請求項４】上記非磁性支持体は、上記金属磁性膜が
成膜される一主面の０．１２μｍ以上の突起の密度が２
５０個／１００ｃｍ²以下であることを特徴とする請求
項１記載の磁気記録媒体。
【請求項５】上記非磁性支持体は、上記金属磁性膜が
成膜される一主面の表面粗さ（ＳＲａ）が１．５〜５．
０ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録
媒体。
【請求項６】上記非磁性支持体は、上記金属磁性膜が
成膜される一主面の表面うねりが、波長２０μｍ以下の
うねりの最大振幅値が２．５ｎｍ以下であることを特徴
とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項７】上記第１の芳香族ポリアミドフィルムに
含有される不活性粒子の平均粒径は、０．０３〜１．５
μｍであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒
体。
【請求項８】上記第１の芳香族ポリアミドフィルムの
不活性粒子は、０．０５〜２．０ｗｔ％となるように含
有されたことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒
体。
【請求項９】上記第２の芳香族ポリアミドフィルムの
不活性粒子は、上記第１の芳香族ポリアミドフィルムに
含有される不活性粒子の平均粒径よりも小であり、且
つ、その平均粒径が０．０３〜０．１５μｍであり、
０．０１〜１．０ｗｔ％となるように含有されたことを
特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】上記非磁性支持体の厚みが２．５〜
５．０μｍであることを特徴とする請求項１記載の磁気
記録媒体。
【請求項１１】上記非磁性支持体は、金属磁性膜が成
膜される一主面と反対側に位置する他主面の表面粗さ
（ＳＲａ）が４〜２０ｎｍであることを特徴とする請求
項１記載の磁気記録媒体。