JP2000284305A - 液晶パネル基板およびその製造方法ならびに液晶パネル基板を用いた液晶表示装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 表示が暗くなることなく光を散乱させる機能
を備え、しかも、特別な製造装置を用いることなく製造
できる液晶パネル基板を提供する。 【解決手段】 液晶パネル基板３０は、基板３１上に表
示用電極３２を備えて形成されている。表示用電極３２
は、下層膜３６と、下層膜３６上に形成された上層膜３
４とを備える。下層膜３６は、粒状体３７が積層されて
形成されたＩＴＯ膜からなる。上層膜は３４、アルミニ
ウムまたは銀を主成分とする金属からなり、開口部３５
を備える。下層膜３６を形成する粒状体３７は、１〜１
０μｍ程度のピッチで配置され、高さが０．１〜１．５
μｍ程度である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶パネル基板お
よびその製造方法ならびに液晶パネル基板を用いた液晶
表示装置および電子機器に関する。

【０００２】

【背景技術および発明が解決しようとする課題】反射型
あるいは半透過反射型の液晶表示装置においては、使用
者や背景などの写り込みを減少させ、また鏡面状の表示
となることを避け、そして広い視野角における明るさを
確保することを目的として散乱層を備えて構成されるこ
とが一般的である。

【０００３】しかしながら、液晶表示装置に散乱層を加
えると、その層による光吸収も発生してしまうため、表
示が暗くなってしまうという問題があった。

【０００４】また、例えば、特開平７−３３３５９８号
公報に開示されているように、偏光子に散乱層の機能も
兼ねさせることによって、散乱層を設けることによる光
の吸収を減少させることも考えられる。しかし、この公
報に開示された技術においては、樹脂からなる透明膜の
追加とその加工を伴うものであり、液晶表示装置の製造
には通常用いられていなかった特別な製造装置が必要と
なる。

【０００５】本発明は、上記のような点に鑑みてなされ
たものであって、その目的は、表示が暗くなることなく
光を散乱させる機能を備え、しかも、特別な製造装置を
用いることなく製造できる液晶パネル基板およびその製
造方法ならびに液晶パネル基板を用いた液晶表示装置お
よび電子機器を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】（１） 本発明に係る液
晶パネル基板は、基板と、前記基板上に形成された表示
用電極と、を備える液晶パネル基板であって、前記表示
用電極は、粒状体が積層されて形成された、導電性の下
層膜と、金属からなり、前記下層膜上に形成された上層
膜とを有することを特徴とする。

【０００７】本発明に係る液晶パネル基板は、粒状体が
積層されて形成された導電性の下層膜上に、金属からな
る上層膜が形成されて表示用電極が構成されている。し
たがって、粒状体が積層されて形成されていることによ
って生じる下層膜の凹凸が、下層膜上に形成された上層
膜にも現れる。そのため、表示用電極は、表面に凹凸を
有する反射層としても機能することができ、入射された
光を反射すると共に散乱させることができる。

【０００８】このような表示用電極を有する液晶パネル
基板を、背面側の液晶パネル基板として液晶表示装置を
形成すると、光散乱層を追加することなく光を散乱させ
ることができるため、散乱層を追加して光を散乱させる
場合のように、散乱層による光の吸収のために表示が暗
くなることがなく、明るい液晶表示装置が得られる。ま
た、液晶に近接する表示用電極が、反射層としても機能
するため、光の透過量を制御する液晶層と反射層とが接
近し、斜めから見る場合における視差に起因する表示品
質の低下が少ない液晶表示装置を形成することができ
る。

【０００９】さらに、表示用電極は、液晶パネル基板を
製造する際に用いられる通常の製造装置を用いて形成す
ることができ、特別の設備を必要としない。

【００１０】（２） 本発明に係る液晶パネル基板は、
前記下層膜は、透明材料からなり、前記上層膜には、開
口部が形成されていることを特徴とする。

【００１１】本発明によれば、このような液晶パネル基
板は、金属で形成された上層膜が開口部を備え、下層膜
が透明材料からなるため、表示用電極は、上層膜に形成
された開口部を介して光の一部を透過させ、上層膜の開
口部以外の部分で光の一部を反射することができる。し
たがって、表示用電極が半透過反射膜を兼ねることがで
き、このような液晶パネル基板を背面側の液晶パネル基
板として用いて半透過反射型の液晶表示装置を形成する
ことができる。

【００１２】（３） 本発明に係る液晶パネル基板は、
前記下層膜は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から形成さ
れていることを特徴とする。

【００１３】本発明によれば、液晶パネル基板でごく一
般的に用いられ、導電性の高いＩＴＯによって表示用電
極の下層膜が形成される。したがって、液晶パネル基板
に通常用いられる製造装置を用いて下層膜を製造するこ
とができる。また、抵抗の小さい表示用電極を形成する
ことができる。

【００１４】（４） 本発明に係る液晶パネル基板は、
前記上層膜は、アルミニウムまたは銀を主成分とする金
属で形成されていることを特徴とする。

【００１５】本発明によれば、アルミニウムまたは銀
は、良導電性であり、着色が少なく反射率の高い反射膜
を形成することができるため、抵抗の小さい表示用電極
を形成することができると共に、反射率の高い反射層と
しても機能する表示用電極が得られる。

【００１６】（５） 本発明に係る液晶パネル基板は、
前記下層膜は、前記粒状体が１〜１０μｍ程度のピッチ
で配置され、前記粒状体の高さが０．１〜１．５μｍ程
度であることを特徴とする。

【００１７】本発明によれば、散乱層として適切に機能
することが実験的に確認された表示用電極を備える液晶
パネル基板が得られる。

【００１８】（６） 本発明に係る液晶表示装置は、前
記いずれかの液晶パネル基板と、前記液晶パネル基板の
電極と対向する側に透明電極が設けられ、前記液晶パネ
ル基板の前面側に配置された前面側液晶パネル基板と、
前記液晶パネル基板と前記前面側液晶パネル基板との間
に封入された液晶と、を備えることを特徴とする。

【００１９】本発明に係る液晶表示装置は、光散乱層を
追加することなく光を前方に散乱させることができるた
め、散乱層を追加して光を散乱させる場合のように、散
乱層による光の吸収のために表示が暗くなることがな
く、明るい表示を行うことができる。また、液晶に近接
する電極が、反射層としても機能するため、光の透過量
を制御する液晶層と反射層とが接近し、斜めから表示面
を見る場合における視差に起因する表示品質の低下が少
ない液晶表示装置を形成することができる。

【００２０】（７） 本発明に係る電子機器は、前記液
晶表示装置を表示手段として有することを特徴とする。

【００２１】（８） 本発明に係る液晶パネル基板の製
造方法は、基板上に粒状体が積層されて形成されたＩＴ
Ｏ膜を蒸着により成膜する工程と、前記ＩＴＯ膜を表示
用電極の形状にパターニングする工程と、前記ＩＴＯ膜
上にアルミニウムまたは銀を主成分とする金属からなる
上層膜を成膜する工程と、前記上層膜を、開口部を有す
る表示用電極の形状にパターニングする工程と、を有
し、前記ＩＴＯ膜成膜工程における蒸着は、酸素分圧、
ＳｎＯ₂濃度、および蒸着スピードの少なくともいずれ
か一つを、通常条件とは異なる粒状体肥大化条件のもと
で行い、ここで、通常条件とは、 酸素分圧が、１×１０^―３〜５×１０^―３Ｐａ程度 ＳｎＯ₂濃度が、３〜７ｗｔ％程度 蒸着スピードが、３０〜５０ｎｍ／ｓ程度 であり、粒状体肥大化条件とは、 酸素分圧では、１×１０^―４〜３×１０^―３Ｐａ程度 ＳｎＯ₂濃度では、５〜１５ｗｔ％程度 蒸着スピードでは、４０〜２００ｎｍ／ｓ程度 であることを特徴とする。

【００２２】本発明によれば、ＩＴＯ膜を形成する粒状
体が、通常条件のもとでの蒸着による場合に比し、大型
化し適切な大きさとなるため、ＩＴＯ膜上に形成される
上層膜が光を散乱させるために適切な凹凸を備えること
ができる。

【００２３】また、上層膜に開口部が形成されるため、
半透過反射膜として機能させることが可能な表示用電極
を形成することができる。

【００２４】（９） 本発明に係る液晶パネル基板の製
造方法は、基板上に粒状体が積層されて形成されたＩＴ
Ｏ膜を蒸着により成膜する工程と、前記ＩＴＯ膜上にア
ルミニウムまたは銀を主成分とする金属からなる上層膜
を成膜する工程と、前記ＩＴＯ膜および前記上層膜を表
示用電極の形状にパターニングする工程と、を有し、前
記ＩＴＯ膜成膜工程における蒸着は、酸素分圧、ＳｎＯ
₂濃度、および蒸着スピードの少なくともいずれか一つ
を、通常条件とは異なる粒状体肥大化条件のもとで行
い、ここで、通常条件とは、 酸素分圧が、１×１０^―３〜５×１０^―３Ｐａ程度 ＳｎＯ₂濃度が、３〜７ｗｔ％程度 蒸着スピードが、３０〜５０ｎｍ／ｓ程度 であり、粒状体肥大化条件とは、 酸素分圧では、１×１０^―４〜３×１０^―３Ｐａ程度 ＳｎＯ₂濃度では、５〜１５ｗｔ％程度 蒸着スピードでは、４０〜２００ｎｍ／ｓ程度 であることを特徴とする。

【００２５】本発明によれば、ＩＴＯ膜を形成する粒状
体が、通常条件のもとでの蒸着による場合に比し、大型
化し適切な大きさとなるため、ＩＴＯ膜上に形成される
アルミニウム膜が光を散乱させるために適切な凹凸を備
えることができる。

【００２６】また、ＩＴＯのパターニングと、アルミニ
ウムのパターニングが、同時に行われるため、少ない工
程数で液晶パネル基板を製造することができる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて、図面を参照しながら、さらに具体的に説明す
る。

【００２８】１． ＜第１実施形態＞ １．１ 液晶表示装置の構造および作用 図１は、本実施形態の液晶表示装置１０を示す模式的な
断面図である。この図に示すように、液晶表示装置１０
は、液晶セル１８の前面側（表示面側）に偏光子１４と
位相差板１６とを配置し、液晶セル１８の背面側には偏
光子６０と照明装置としての導光板６４とを配置して形
成されている。なお、図１および同様な他の図面におい
ては、液晶表示装置を構成する各要素間に隙間があるよ
うに描かれているが、これは図示の便宜上のものであ
り、実際には各要素が互いにほぼ密着する状態となって
いる。

【００２９】位相差板１６は、ＳＴＮ型の液晶セル１８
の屈折率異方性に起因する着色を解消するためのもので
ある。位相差板１６は、ポリスチレンやポリカーボネー
トなどの高分子材料を延伸して形成された高分子フィル
ムとして形成され、屈折率異方性を持つ。

【００３０】導光板６４は、光源６６からの光が例えば
パネル固定枠６８内などを導かれて端面６５に入射さ
れ、その光を液晶セル１８に向けて出射するものであ
る。導光板６４は、光学的にほぼ等方な例えばポリオレ
フィン樹脂で形成されている。また、光源６６からの光
を導光板６４まで導くパネル固定枠６８は、光学的に等
方なポリオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ある
いはアクリル樹脂などから構成されている。光源６６か
ら出射された光は、パネル固定枠６８によって導光板６
４の端面６５まで導かれて導光板６４内に導入され、液
晶セル１８に向かって出射される。なお、光源５２とし
ては、ＬＥＤ（発光ダイオード）または蛍光管などが用
いられる。

【００３１】液晶セル１８は、基板２１上にストライプ
状の透明電極２２が片面に形成された前面側液晶パネル
基板としての表示面側の液晶パネル基板２０と、基板３
１上にやはりストライプ状の表示用電極３２が片面に形
成された液晶パネル基板３０とが、ギャップ材（図示せ
ず）などによって所定間隔離され、液晶パネル基板２０
の透明電極２２と液晶パネル基板３０の表示用電極３２
とが格子状に対向する単純マトリックス型の液晶セル１
８となっている。これら一対の液晶パネル基板２０，３
０の間にはＳＴＮ型の液晶５０が充填され、それら液晶
パネル基板２０，３０の対向する周縁がシール材５２に
よって封止されている。なお、図１においては、一対の
液晶パネル基板２０，３０の間を広く離して描いてある
が、これは図示を明確化するためであり、実際には一対
の液晶パネル基板２０，３０は数μｍないし十数μｍの
狭いギャップを隔てて対向している。また、ストライプ
状の透明電極２２および表示用電極３２は、図１におい
ては数本しか描かれていないが、実際にはマトリックス
表示の分解能に対応して、それぞれ多数のストライプ状
の透明電極および表示用電極として設けられている。

【００３２】さらに、表示面側の液晶パネル基板２０に
は、図１に模式的に示すように、カラーフィルタ２４が
設けられており、カラーフィルタ２４の表面は平坦化膜
（top coat）２６で覆われている。平坦化膜２６の表面
には、前述したストライプ状の透明電極２２が設けられ
ている。

【００３３】なお、背面側の液晶パネル基板３０につい
ては、次に詳述する。

【００３４】また、液晶表示装置１０は、図１に図示し
た構成要素以外にも、液晶２４に面して設けられる配向
膜、そして電極２２，３２を駆動する駆動回路なども備
えている。

【００３５】１．２ 液晶パネル基板 液晶セル１８を構成する２枚の液晶パネル基板のうち、
表示面から遠い側すなわち背面側の液晶パネル基板３０
を、図２に模式的な平面図として示し、図３に液晶パネ
ル基板３０の表示面側の表面付近をさらに詳細に示す模
式的な断面図として示す。これらの図に示すように、液
晶パネル基板３０は、基板３１と、基板３１上に形成さ
れた表示用電極３２と、やはり基板３１上に形成され、
それぞれ対応する表示用電極３２に接続された接続端子
４０とを備えて形成されている。なお、図２における点
線は、多数設けられている表示用電極３２または接続端
子４０を省略して描いてあることを示している。

【００３６】表示用電極３２は、図１および図３に示す
ように、基板３１上に形成された下層膜３６、および下
層膜３６上に形成された上層膜３４の２層から形成され
ている。

【００３７】下層膜３６は、図３に示すように、粒状体
３７が積層された構造を持つＩＴＯ（Indium Tin Oxid
e）膜であり、透明で導電性を有する。このように、Ｉ
ＴＯからなる下層膜３６は、粒状体３７が積層されて形
成された構造となっているため、表面に凹凸を備えてい
る。また、図３を更に拡大した図４に示すように、下層
膜３６は、粒状体３７が１〜１０μｍ程度のピッチＰで
配置され、粒状体３７の高さＨが０．１〜１．５μｍ程
度となっている。粒状体３７を、このようなピッチおよ
び高さに形成することによって、散乱層として適切に機
能することが実験的に確認された表示用電極３２を備え
る液晶パネル基板が得られる。また、液晶パネル基板に
おいて一般的に用いられ導電性の高いＩＴＯによって形
成される下層膜３６は、液晶パネル基板の製造に通常用
いられる製造装置を用いて製造することができる。

【００３８】上層膜３４は、アルミニウムまたは銀を主
成分とする金属によって形成されている。アルミニウム
または銀は、良導電性であり、着色が少なく反射率の高
い反射膜を形成することができるため、抵抗の小さい表
示用電極３２を形成できると共に、反射率の高い反射層
としても機能する表示用電極３２が得られる。また、粒
状体３７が積層されて形成されていることによって生じ
る下層膜３６の凹凸が、下層膜３６上に形成された上層
膜３４にも現れる。そのため、表示用電極３２は、表面
に凹凸を有する反射層としても機能することができ、入
射された光を反射すると共に散乱させることができる。
なお、上層膜３４の凹凸は、図４に示したように、下層
膜３６を形成する粒状体３７が１〜１０μｍ程度のピッ
チＰで配置され、粒状体３７の高さＨが０．１〜１．５
μｍ程度となっているために発生する下層膜３６表面の
凹凸に対応した形状となっている。このような形状の凹
凸を有する上層膜３４は、散乱層として適切に機能する
ことが実験的に確認されている。

【００３９】上述のような表示用電極３２を有する液晶
パネル基板３０を、背面側の液晶パネル基板３０として
液晶表示装置１０を形成すると、光散乱層を追加するこ
となく光を散乱させることができるため、散乱層を追加
して光を散乱させる場合のように、散乱層による光の吸
収のために表示が暗くなることがなく、明るい液晶表示
装置１０が得られる。また、液晶に近接する表示用電極
３２が、反射層としても機能するため、光の透過量を制
御する液晶５０と反射層とが接近し、斜めから見る場合
における視差に起因する表示品質の低下が少ない液晶表
示装置１０を形成することができる。

【００４０】また、上層膜には、図２および図３に示す
ように開口部３５が設けられている。なお、表示用電極
３２は上層膜３４および下層膜３６からなり、開口部３
５の部分にも透明な導電材料であるＩＴＯからなる下層
膜３６が存在するため、上層膜３４に設けられた開口部
３５の存在によって、液晶５０に対して電界の印加が行
われない領域が生じることはない。このような液晶パネ
ル基板３０は、金属で形成された上層膜３４が開口部３
５を備え、下層膜３６が透明材料であるＩＴＯからなる
ため、表示用電極３２は、上層膜３４に形成された開口
部３５を介して光を透過させ、上層膜３４の開口部３５
以外の部分で光を反射することができる。したがって、
表示用電極３２が半透過反射膜を兼ねることができ、こ
のような液晶パネル基板３０を背面側の液晶パネル基板
３０として半透過反射型の液晶表示装置１０を形成する
と、半透過反射型の液晶表示装置１０が得られる。

【００４１】以上のように、本実施形態の液晶表示装置
１０においては、反射層としても機能する表示用電極３
２によって、液晶表示装置１０に入射した光が散乱され
るため、散乱層を別に設ける場合のように散乱層による
吸収に伴って表示が暗くなることなく、使用者や背景な
どの写り込みが少なくなるとともに、鏡面状の表示とな
ることを避けることができる。

【００４２】１．３ 液晶パネル基板の製造方法 次に、液晶セル１８を構成する２枚の液晶パネル基板の
うち、表示面から遠い側すなわち背面側の液晶パネル基
板３０の製造方法について述べる。

【００４３】まず、基板３１上に下層膜３６としてのＩ
ＴＯ膜を蒸着により成膜する。この蒸着においては、Ｉ
ＴＯ膜の蒸着における３つの主要条件、すなわち酸素分
圧、ＳｎＯ₂濃度、および蒸着スピードの内、２つの条
件を通常条件とし、１つの条件を粒状体を肥大化させる
ために適切な条件（粒状体肥大化条件）とすることによ
って、ＩＴＯ膜の表面に凹凸を形成する。例えば、酸素
分圧を４×１０^―３Ｐａ、ＳｎＯ₂濃度を５ｗｔ％と
し、蒸着スピードを通常の３倍程度である１５０ｎｍ／
ｓとすることによって、ＩＴＯ膜を形成する粒状体が通
常条件の場合より肥大化させて、粒状体３７が１〜１０
μｍ程度のピッチＰで配置され、粒状体の高さＨが０．
１〜１．５μｍ程度となるようにすることができ、図４
とともに前述したような凹凸を、ＩＴＯ膜の表面に形成
することができる。

【００４４】なお、このように粒状体を肥大化させてＩ
ＴＯ膜の表面に適切な凹凸を形成するためには、ＩＴＯ
蒸着における３つの主要条件のうちいずれか１つの条件
を粒状体肥大化条件とし、他の２つの条件を通常条件と
することによって形成することができる。

【００４５】ここで、通常条件とは、 酸素分圧が、１×１０^―３〜５×１０^―３Ｐａ程度 ＳｎＯ₂濃度が、３〜７ｗｔ％程度 蒸着スピードが、３０〜５０ｎｍ／ｓ程度 であり、粒状体肥大化条件とは、 酸素分圧では、１×１０^―４〜３×１０^―３Ｐａ程度 ＳｎＯ₂濃度では、５〜１５ｗｔ％程度 蒸着スピードでは、４０〜２００ｎｍ／ｓ程度 である。

【００４６】次に、下層膜３６としてのＩＴＯ膜に対し
てフォトリソグラフィーおよびエッチングを施すことに
よって、ＩＴＯ膜を表示用電極３２の形状にパターニン
グする。

【００４７】次に、下層膜３６が形成された基板３１上
にアルミニウムまたは銀を主成分とする上層膜３４を成
膜する。この成膜は、例えば、１０^−１Ｐａ程度の真空
度におけるスパッタ法によって、アルミニウムを堆積さ
せることによって行われる。

【００４８】その後、上層膜３４に対してフォトリソグ
ラフィーおよびエッチングを施すことによって、上層膜
３４を開口部３５を有する表示用電極３２の形状にパタ
ーニングする。これによって、所定形状の表示用電極３
２が基板３１上に形成された液晶パネル基板３０が得ら
れる。

【００４９】本実施形態の液晶パネル基板３０の製造方
法によれば、下層膜３６としてのＩＴＯ膜を形成する粒
状体３７が、通常条件のもとでの蒸着による場合に比
し、大型化し適切な大きさとなるため、下層膜３６すな
わちＩＴＯ膜上に形成される上層膜３４が光を散乱させ
るために適切な凹凸を備えることができる。

【００５０】また、アルミニウムまたは銀を主成分とす
る金属からなる上層膜３４に開口部３５が形成されるた
め、半透過反射膜として機能させることが可能な表示用
電極３２を形成することができる。

【００５１】１．４ 液晶表示装置を備えた電子機器 図５（Ａ）、（Ｂ）、および（Ｃ）は、本実施形態の液
晶表示装置１０を表示部として用いた電子機器の例を示
す外観図である。図５（Ａ）は、携帯電話機８８であ
り、その前面上方に液晶表示装置１０を備えている。図
５（Ｂ）は、腕時計９２であり、本体の前面中央に液晶
表示装置１０を用いた表示部が設けられている。図５
（Ｃ）は、携帯情報機器９６であり、液晶表示装置１０
からなる表示部と入力部９８とを備えている。これらの
電子機器は、液晶表示装置１０の他に、図示しないが、
表示情報出力源、表示情報処理回路、クロック発生回路
などの様々な回路や、それらの回路に電力を供給する電
源回路などからなる表示信号生成部を含んで構成され
る。表示部には、例えば携帯情報機器の場合にあっては
入力部９８から入力された情報等に基づき表示信号生成
部によって生成された表示信号が供給されることによっ
て表示画像が形成される。

【００５２】なお、本実施形態の液晶表示装置１０が組
み込まれる電子機器としては、携帯電話機、腕時計、お
よび携帯情報機器に限らず、ノート型パソコン、電子手
帳、ページャ、電卓、ＰＯＳ端末、ＩＣカード、ミニデ
ィスクプレーヤなど様々な電子機器が考えられる。

【００５３】１．５ 第１実施形態の変形例 本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、
本発明の要旨の範囲内または特許請求の範囲の均等範囲
内で各種の変形実施が可能である。

【００５４】１．５．１ 上記においては、下層膜とし
てＩＴＯ膜を用いる例を示したが、粒状体が積層された
構造によって表面に適切な形状の凹凸が形成できる透明
膜であれば、下層膜は他の導電体、例えばＳｎＯ_２、ま
たはＺｎＯ_２であってもよい。なお、この場合、粒状体
を適切な大きさとするための膜形成方法は、蒸着には限
らず、例えばＣＶＤ、またはスパッタであってもよい。
また、蒸着を用いた場合でも、その条件は使用した導電
体に対して適切な条件を選択する必要がある。

【００５５】１．５．２ 前記においては、表示用電極
３２の上層膜３４に開口部３５を設けて、光の一部の透
過を可能とすることによって、半透過反射型の液晶表示
装置１０を形成する例を示した。しかしながら、表示用
電極３２の上層膜３４を十分薄い膜厚（例えばアルミニ
ウムで形成する場合は１０〜３０ｎｍ）で形成すること
によっても、表示用電極３２は光の一部を反射し、一部
を透過する。したがって、このような膜厚で表示用電極
３２の上層膜３４を形成すれば、前述の例のように表示
用電極３２の上層膜３４に開口部３５を設けることな
く、半透過反射型の液晶表示装置を形成することができ
る。

【００５６】１．５．３ 前記においては、ＳＴＮ型の
液晶を用いた液晶セル１８が持つ光学異方性に起因する
着色を解消するために、位相差板１６を使用する例を示
したが、そのような着色が問題とならない場合、あるい
は光学異方性が少ない液晶例えばＴＮ型の液晶を用いた
液晶セルとした場合には、必ずしも位相差板１６は設け
る必要はない。

【００５７】１．５．４ 前記においては、カラーフィ
ルタ２４およびそれを覆う平坦化膜２６を設ける例を示
したが、モノクロ表示の液晶表示装置とする場合は、カ
ラーフィルタ２４および平坦化膜２６は設けなくともよ
い。

【００５８】１．５．５ 前記においては、ＳＴＮ型の
液晶を用いた単純マトリクス液晶表示装置の例を示した
が、液晶表示装置としては、駆動方式で言えば、スタテ
ィック駆動液晶表示装置、また、スイッチング素子を用
いたＴＦＴ(Thin Film Transistor)で代表される三端子
型薄膜トランジスタ素子あるいはＴＦＤ(Thin Film Dio
de)で代表される二端子型非線形素子を用いたアクティ
ブマトリックス液晶表示装置、電気光学特性で言えば、
ＴＮ型、ゲストホスト型、相転移型、強誘電型など、種
々のタイプの液晶表示装置を用いることができる。

【００５９】２． ＜第２実施形態＞ 第２実施形態は、背面側の液晶パネル基板において、表
示用電極の上層膜に開口部が設けられてない点、それに
伴って、液晶パネル基板の製造方法がいくぶん簡略化さ
れている点、そして液晶表示装置が反射型として形成さ
れている点が、第１実施形態とは異なる。それ以外の点
は、第１実施形態と同様であるので、その説明を省略す
る。また、図面において対応する部分には第１実施形態
と同一の符号を付す。

【００６０】２．１ 液晶表示装置および液晶パネル基
板 図６は、本実施形態の液晶表示装置７０を示す模式的な
断面図である。この図に示すように、液晶表示装置７０
は、反射型の液晶表示装置であるため、第１実施形態の
液晶表示装置１０において液晶セル１８の背面側に位置
する偏光子６０および導光板６４は設けられていない。
液晶表示装置７０は、液晶セル１８の前面側（表示面
側）に偏光子１４と位相差板１６とを配置して形成され
ている。

【００６１】図７は本実施形態の本実施形態の液晶表示
装置７０を構成する背面側の液晶パネル基板７２を示す
模式的な平面図であり、第１実施形態における図２に対
応している。この図に示すように、本実施形態の液晶表
示装置７０を構成する背面側の液晶パネル基板７２は、
表示用電極７４に開口部が形成されていない点が第１実
施形態における背面側の液晶パネル基板と異なる。

【００６２】２．２ 液晶パネル基板の製造方法 液晶セル７１を構成する２枚の液晶パネル基板２０，７
２のうち、表示面から遠い側すなわち背面側の液晶パネ
ル基板７２の製造方法について述べる。

【００６３】まず、基板３１上にＩＴＯ膜を蒸着により
成膜する。この蒸着は、第１実施形態の場合と同様に行
われ、ＩＴＯ膜を形成する粒状体３７を通常条件の場合
より肥大化させて、図４に示したように、粒状体３７が
１〜１０μｍ程度のピッチＰで配置され、粒状体３７の
高さＨが０．１〜１．５μｍ程度として形成される。

【００６４】次に、下層膜３６としてのＩＴＯ膜に対し
てフォトリソグラフィーおよびエッチングを施すことに
よって、ＩＴＯ膜を表示用電極７４の形状にパターニン
グする。

【００６５】次のステップとしては、第１実施形態で示
したＩＴＯ膜のパターニングは行わずに、下層膜３６が
形成された基板３１上にアルミニウムまたは銀を主成分
とする金属からなる上層膜３４の成膜を行う。この成膜
は、例えば、１０^−１Ｐａ程度の真空度におけるスパッ
タ法によって、アルミニウムを堆積させることによって
行われる。

【００６６】その後、上層膜３４および下層膜３６に対
してフォトリソグラフィーおよびエッチングを施して、
上層膜３４および下層膜３６の２層を同時に表示用電極
７４の形状にパターニングする。これによって、所定形
状の表示用電極７４が基板３１上に形成された液晶パネ
ル基板７２が得られる。

【００６７】本実施形態の液晶パネル基板３０の製造方
法においても、下層膜３６としてのＩＴＯ膜を形成する
粒状体３７が、通常条件のもとでの蒸着による場合に比
し、大型化し適切な大きさとなるため、下層膜３６上に
形成される上層膜３４が光を散乱させるために適切な凹
凸を備えることができる。

【００６８】２．３ 第２実施形態の変形例 第２実施形態においても、前述した第１実施形態に対す
る変形例１．５．３、１．５．４、および１．５．５が
同様に実施できる。本実施形態においては、さらに次の
ような変形例も可能である。

【００６９】２．２．１ 上記においては、下層膜とし
て透明なＩＴＯ膜を用いる例を示した。しかし、粒状体
が積層された構造によって表面に適切な形状の凹凸が形
成できるのであれば、下層膜は、他の透明な導電体、例
えばＳｎＯ_２またはＺｎＯ_２であってもよいし、不透明
な導電体であってもよい。なお、この場合、粒状体を適
切な大きさとするための膜形成方法は、蒸着には限ら
ず、例えばＣＶＤ、またはスパッタであってもよい。ま
た、蒸着を用いた場合でもその条件は使用した導電体に
対して適切な条件を選択する必要がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態の液晶表示装置を示す模式的な断
面図である。

【図２】第１実施形態の背面側の液晶パネル基板を示す
模式的な平面図である。

【図３】図２に示した液晶パネル基板の表面付近におけ
る詳細を示す模式的な断面図である。

【図４】図３を更に拡大して示す模式的な断面図であ
る。

【図５】第１実施形態の液晶表示装置を用いた電子機器
を示す外観図であり、（Ａ）は携帯電話機であり、
（Ｂ）は腕時計であり、（Ｃ）は携帯情報機器である。

【図６】第２実施形態の液晶表示装置を示す模式的な断
面図である。

【図７】第２実施形態の背面側の液晶パネル基板を示す
模式的な平面図である。

【符号の説明】

１０，７０ 液晶表示装置 １８，７１ 液晶セル ２０ 液晶パネル基板（表示面側） ２２ 透明電極 ３０，７２ 液晶パネル基板（背面側） ３１ 基板 ３２，７４ 表示用電極 ３４，７５ 上層膜 ３５ 開口部 ３６ 下層膜 ３７ 粒状体 ５０ 液晶

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H088 EA03 FA10 FA18 FA30 GA02 HA02 HA12 HA15 JA13 MA06 MA07 2H092 GA05 GA16 GA17 GA19 HA02 HA05 MA04 MA13 MA17 MA35 MA37 NA01 NA25 PA08 PA10 PA12 QA10 5C094 AA07 AA12 AA22 AA43 BA45 CA19 CA23 DA13 DB04 EA04 EA05 EA06 EB02 EB04 ED03 ED11 ED13 FA01 FA02 FB02 FB12 GB10 JA01 JA08 JA20

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板と、前記基板上に形成された表示用
   電極と、を備える液晶パネル基板であって、 前記表示用電極は、 粒状体が積層されて形成された、導電性の下層膜と、 金属からなり、前記下層膜上に形成された上層膜とを有
   することを特徴とする液晶パネル基板。
2. 【請求項２】 請求項１において、 前記下層膜は、透明材料からなり、 前記上層膜には、開口部が形成されていることを特徴と
   する液晶パネル基板。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２において、 前記下層膜は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から形成さ
   れていることを特徴とする液晶パネル基板。
4. 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれかにお
   いて、 前記上層膜は、アルミニウムまたは銀を主成分とする金
   属で形成されていることを特徴とする液晶パネル基板。
5. 【請求項５】 請求項１ないし請求項４のいずれかにお
   いて、 前記下層膜は、前記粒状体が１〜１０μｍ程度のピッチ
   で配置され、前記粒状体の高さが０．１〜１．５μｍ程
   度であることを特徴とする液晶パネル基板。
6. 【請求項６】 請求項１ないし請求項５のいずれかに記
   載の液晶パネル基板と、 前記液晶パネル基板の電極と対向する側に透明電極が設
   けられ、前記液晶パネル基板の前面側に配置された前面
   側液晶パネル基板と、 前記液晶パネル基板と前記前面側液晶パネル基板との間
   に封入された液晶と、 を備えることを特徴とする液晶表示装置。
7. 【請求項７】 請求項６に記載の液晶表示装置を表示手
   段として有することを特徴とする電子機器。
8. 【請求項８】 基板上に粒状体が積層されて形成された
   ＩＴＯ膜を蒸着により成膜する工程と、 前記ＩＴＯ膜を表示用電極の形状にパターニングする工
   程と、 前記ＩＴＯ膜上にアルミニウムまたは銀を主成分とする
   金属からなる上層膜を成膜する工程と、 前記上層膜を、開口部を有する表示用電極の形状にパタ
   ーニングする工程と、 を有し、 前記ＩＴＯ膜成膜工程における蒸着は、酸素分圧、Ｓｎ
   Ｏ₂濃度、および蒸着スピードの少なくともいずれか一
   つを、通常条件とは異なる粒状体肥大化条件のもとで行
   い、 ここで、通常条件とは、 酸素分圧が、１×１０^―３〜５×１０^―３Ｐａ程度 ＳｎＯ₂濃度が、３〜７ｗｔ％程度 蒸着スピードが、３０〜５０ｎｍ／ｓ程度 であり、 粒状体肥大化条件とは、 酸素分圧では、１×１０^―４〜３×１０^―３Ｐａ程度 ＳｎＯ₂濃度では、５〜１５ｗｔ％程度 蒸着スピードでは、４０〜２００ｎｍ／ｓ程度 であることを特徴とする液晶パネル基板の製造方法。
9. 【請求項９】 基板上に粒状体が積層されて形成された
   ＩＴＯ膜を蒸着により成膜する工程と、 前記ＩＴＯ膜上にアルミニウムまたは銀を主成分とする
   金属からなる上層膜を成膜する工程と、 前記ＩＴＯ膜および前記上層膜を表示用電極の形状にパ
   ターニングする工程と、を有し、 前記ＩＴＯ膜成膜工程における蒸着は、酸素分圧、Ｓｎ
   Ｏ₂濃度、および蒸着スピードの少なくともいずれか一
   つを、通常条件とは異なる粒状体肥大化条件のもとで行
   い、 ここで、通常条件とは、 酸素分圧が、１×１０^―３〜５×１０^―３Ｐａ程度 ＳｎＯ₂濃度が、３〜７ｗｔ％程度 蒸着スピードが、３０〜５０ｎｍ／ｓ程度 であり、 粒状体肥大化条件とは、 酸素分圧では、１×１０^―４〜３×１０^―３Ｐａ程度 ＳｎＯ₂濃度では、５〜１５ｗｔ％程度 蒸着スピードでは、４０〜２００ｎｍ／ｓ程度 であることを特徴とする液晶パネル基板の製造方法。