JP2000277610A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
を防止し、安定したトランジスタ特性を得ることを可能
にした半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板101上にポリシリコン膜1
03、絶縁膜104を成膜した後、このポリシリコン膜
103、絶縁膜104を所定の形状にエッチングしてゲ
ート電極を形成し、その後、エッチングストッパ105
を全面に成膜する。
Description
方法に係わり、特に、オーバエッチングをなくして安定
したトランジスタ特性を得ることを可能にした半導体装
置の製造方法に関する。
た配線技術、特に、シリコン窒化膜をエッチングストッ
パーとして自己整合コンタクトを形成する方法に関し、
従来の方法では以下に示す問題があった。図8は一般的
な自己整合コンタクトプロセスをメモリデバイスに適用
した場合を説明した工程断面図である。
基板401、素子分離領域402上にゲート電極403
及びシリコン窒化膜からなる絶縁膜404を形成し、ゲ
ート及びシリコン基板を覆うように、セルフアラインコ
ンタクトのストッパとして、シリコン窒化膜405を成
膜し、更に、層間絶縁膜としてBPSG膜406を形成
した後、セルフアラインコンタクトエッチングをおこな
うことで、コンタクトプラグ410を形成する。その
後、層間絶縁膜411をCVD法により成膜した後フォ
トレジスト412にコンタクトパターンを形成し、これ
をマスクにしてBPSG膜のエッチングを行う。
コン膜405のエッチングを行うが、このときCF4 等
のフロロカーボンガスを用いる通常の窒化膜エッチング
では、シリコン基板との選択比がとれないため、シリコ
ン基板401も同時にエッチングされてしまう。図9に
トランジスタ構造の概略図を示すように、例えばp型の
シリコン基板414の各トランジスタがフィールド酸化
膜415で素子分離されており、トランジスタはゲート
電極416及びソース、ドレインとなるn型拡散層41
8及びコンタクト電極417から構成されている場合、
シリコンからなるn型拡散層が過剰にエッチングされる
と、図9のAの方向に電流がリークするため、安定した
トランジスタ特性を得ることができない。
コン窒化膜の場合であるが、ゲート電極上の絶縁膜40
4がシリコン酸化膜の場合であっても、上記と同じよう
な理由でフィールド酸化膜415がエッチングされ、こ
の場合、図9のB方向、或いはC方向に電流のリークが
発生するため、やはり安定したトランジスタ特性を得る
ことができない。
は、ゲート上のシリコン窒化膜をあらかじめ除去する方
法が示されているが、この技術は余分にリソグラフィ工
程が必要であり、工程数が増加するという欠点があっ
た。
した従来技術の欠点を改良し、特に、リソグラフィ工程
数を増加することなくオーバエッチングを防止し、安定
したトランジスタ特性を得ることを可能にした新規な半
導体装置の製造方法を提供するものである。
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わる半
導体装置の第1態様は、コンタクトプラグを有する半導
体装置の製造方法であって、半導体基板上にポリシリコ
ン膜、絶縁膜を成膜した後、このポリシリコン膜、絶縁
膜を所定の形状にエッチングしてゲート電極を形成し、
その後、エッチングストッパを全面に成膜し、更に、全
面に層間絶縁膜を成膜する第1の工程と、前記層間絶縁
膜に前記半導体基板に達するコンタクトホールを開口
し、前記半導体基板上のエッチングストッパを露出せし
める第2の工程と、前記露出した半導体基板上のエッチ
ングストッパを除去する第3の工程と、前記コンタクト
ホールを埋め込みコンタクトプラグを形成する第4の工
程と、前記コンタクトプラグを形成する際、前記層間絶
縁膜上に堆積した膜を除去し、コンタクトプラグを露出
させる第5の工程と、前記層間絶縁膜をエッチングする
と共に、前記ゲート電極上のエッチングストッパを除去
する第6の工程と、全面に層間絶縁膜を形成する第7の
工程と、前記層間絶縁膜をエッチングし、前記拡散層上
のエッチングストッパを露出すると共に、前記ゲート電
極の絶縁膜をエッチングして、前記拡散層上及びゲート
電極上にコンタクトホールを形成する第8の工程と、前
記拡散層上に露出したエッチングストッパを除去する第
9の工程と、前記第8、9の工程で形成したコンタクト
ホールを埋め込みコンタクトプラグを形成する第10の
工程と、を含むことを特徴とするものであり、又、第2
態様は、前記第6の工程では、エッチングガスとして、
CF4 /CHF3 ガスを用いることを特徴とするもので
あり、又、第3態様は、前記第6の工程では、前記層間
絶縁膜、エッチングストッパのエッチングレートが、前
記第4の工程で構成したコンタクトプラグのエッチング
レートに比べて大きいことを特徴とするものであり、
又、第4態様は、前記第8の工程では、エッチングガス
として、C4 F8 /Ar/CO/O2 ガスを用いること
を特徴とするものであり、又、第5態様は、前記第8の
工程では、前記層間絶縁膜のエッチングレートが、エッ
チングストッパのエッチングレートに比べて大きいこと
を特徴とするものであり、又、第6態様は、前記第9の
工程では、エッチングガスとして、CHF3 /Ar/O
2 ガスを用いることを特徴とするものである。
方法は、図1に示すとおり、半導体基板101上にポリ
シリコン膜103、絶縁膜104を成膜した後、このポ
リシリコン膜、絶縁膜を所定の形状にエッチングしてゲ
ート電極を形成し、その後、エッチングストッパ105
を全面に成膜し、更に、全面に層間絶縁膜106を成膜
する第1の工程と、前記層間絶縁膜106に前記半導体
基板101に達するコンタクトホールを開口し、前記半
導体基板上のエッチングストッパ105を露出せしめる
第2の工程と、前記露出した半導体基板上のエッチング
ストッパ105を除去する第3の工程と、前記コンタク
トホールを埋め込みコンタクトプラグ108を形成する
第4の工程と、前記コンタクトプラグ108を形成する
際、前記層間絶縁膜106上に堆積した膜を除去し、コ
ンタクトプラグ108を露出させる第5の工程と、前記
層間絶縁膜106をエッチングすると共に、前記ゲート
電極上のエッチングストッパ105を除去する第6の工
程と、全面に層間絶縁膜109を形成する第7の工程
と、前記層間絶縁膜109、106をエッチングし、前
記拡散層上のエッチングストッパ105を露出すると共
に、前記ゲート電極の絶縁膜104をエッチングして、
前記拡散層上及びゲート電極上にコンタクトホール11
1を形成する第8の工程と、前記拡散層上に露出したエ
ッチングストッパ105を除去する第9の工程と、前記
第8、9の工程で形成したコンタクトホール111を埋
め込みコンタクトプラグを形成する第10の工程と、を
含むことを特徴とするものである。
にはエッチングストッパが存在しないため、コンタクト
エッチング時に拡散層及びフィールド酸化膜の過剰なエ
ッチングを防ぎ、安定した素子分離特性を持つデバイス
を形成することができる。
法の具体例を図面を参照しながら詳細に説明する。図2
乃至図6は、本発明に係わる半導体装置の製造方法の具
体例の構造を示す図であって、これらの図には、コンタ
クトプラグを有する半導体装置の製造方法であって、半
導体基板201上にポリシリコン膜203、絶縁膜20
4を成膜した後、このポリシリコン膜203、絶縁膜2
04を所定の形状にエッチングしてゲート電極を形成
し、その後、エッチングストッパ205を全面に成膜
し、更に、全面に層間絶縁膜206を成膜する第1の工
程(図2(a))と、前記層間絶縁膜206に前記半導
体基板に達するコンタクトホール208を開口し、前記
半導体基板201上のエッチングストッパ205を露出
せしめる第2の工程(図2(c))と、前記露出した半
導体基板201上のエッチングストッパ205を除去す
る第3の工程(図3(a))と、前記コンタクトホール
208を埋め込みコンタクトプラグ210を形成する第
4の工程(図3(b))と、前記コンタクトプラグ21
0を形成する際、前記層間絶縁膜206上に堆積した膜
を除去し、コンタクトプラグ210を露出させる第5の
工程(図3(c))と、前記層間絶縁膜206をエッチ
ングすると共に、前記ゲート電極上のエッチングストッ
パ205を除去する第6の工程(図4(a))と、全面
に層間絶縁膜211を形成する第7の工程(図4
(b))と、前記層間絶縁膜211、206をエッチン
グし、前記拡散層上のエッチングストッパ205を露出
すると共に、前記ゲート電極の絶縁膜204をエッチン
グして、前記拡散層上及びゲート電極上にコンタクトホ
ール213を形成する第8の工程(図5(a))と、前
記拡散層上に露出したエッチングストッパ205を除去
する第9の工程(図5(b))と、前記第8、9の工程
で形成したコンタクトホール213を埋め込みコンタク
トプラグ215を形成する第10の工程(図6(a))
と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が示
されている。
導体装置の製造手順を図2〜図6に示す。なお、図はメ
モリデバイスの断面図である。図2(a)に示すよう
に、シリコン基板201、素子分離領域202上の、例
えば、メモリセル部には幅が0.2μm、高さ200n
mのゲート電極203及びシリコン酸化膜、シリコン窒
化膜あるいは酸窒化膜からなる高さ200nmの絶縁膜
204を電極間隔0.2μmで形成する。又、周辺回路
部には最小幅が0.3μmのゲート電極203を電極間
隔0.8μmで形成する。ゲート及びシリコン基板を覆
うように、セルフアラインコンタクトのストッパとして
シリコン窒化膜205を一般的なCVD法で成長し、B
PSG膜206を層間絶縁膜として形成する。このとき
シリコン基板から層間絶縁膜上面までの厚さは、例えば
800nmである。
グラフィ技術をもちいてフォトレジスト207に、例え
ば、ゲート電極間隔よりも大きい0.3μmのコンタク
トホールのパターニングを行う。そして、図2(c)に
示すように、酸化膜エッチング装置を用いて、酸化膜対
窒化膜選択比の大きいエッチングを行った後、図3
(a)に示すように、半導体基板上のシリコン窒化膜2
05のエッチング及びフォトレジスト207の剥離を行
い、コンタクトホール208を形成する。
たポリシリコンをCVD法によりコンタクトホール20
8内及び層間膜206上に成膜する。層間膜206上の
ポリシリコンを除去するために、塩素、酸素等をエッチ
ングガスとするシリコンエッチング装置を用いて全面に
エッチングを行い、図3(c)に示すようにコンタクト
プラグ210を形成する。
06が露出した状態において、酸化膜ドライエッチング
装置を用いてBPSG膜及びエッチングストッパのシリ
コン窒化膜205をゲート電極203に達する前までエ
ッチングする。ドライエッチング装置としては、例え
ば、プラズマ生成に用いるRFの周波数が13.56M
Hzである平行平板のRIE装置を用い、エッチング条
件としては、圧力5Pa、ガス流量CF4 /CHF3 =
50/10sccm、電極温度50℃、RFパワー12
00Wの条件を用い、シリコン酸化膜、シリコン窒化
膜、ポリシリコンのエッチレートがそれぞれ600nm
/min、500nm/min、100nm/minで
ある。エッチング量を制御するために、プラズマからの
発光変化をモニタするエンドポイントディテクタを用
い、例えばCOの発光波長である483nm、CNの発
光波長である388nmの光の強度変化をモニタするこ
とで、ゲート電極203に達する前までエッチングす
る。
ように、ゲート上には窒化膜205が残らず、拡散層上
には窒化膜が残った状態になる。また、ポリシリコンの
エッチレートが低いため、コンタクトプラグ210は略
元の形状を保つことになる。なお、ドライエッチングの
方法として、シリコン窒化膜に対してシリコン酸化膜の
エッチレートが高い条件を用いてBPSG膜206をエ
ッチングした後、シリコン窒化膜のエッチングを行って
も良い。
G膜をCVD法により成膜し、窒素雰囲気中で熱処理を
行うことでリフローし、層間絶縁膜211を形成した
後、フォトレジスト212を塗布し、コンタクトプラグ
210上、ゲート上及び拡散層上にリソグラフィ技術を
用いてコンタクトパターンの形成を行う。この後、例え
ば、図7に示すように、上部にガス供給機構、下部にガ
ス排気口を有するチャンバー301の内部に相対向する
2つの電極、上部電極302,下部電極303を備え、
それぞれの電極にマッチングボックス305,306を
介してRF電源307,308が接続されているエッチ
ング装置を用いて、図5(a)に示すようにBPSG膜
211、206、シリコン酸化膜204をエッチングす
る。この時、例えば、エッチング装置のそれぞれのRF
周波数は、上部側が27MHz、下部側が800kHz
であり、RF電力は上部電極が2000W、下部電極が
1400W、圧力25mTorr、ガス流量はC4 F8
/Ar/CO/O2 がそれぞれ20/300/100/
10sccmであり、下部電極温度が−20℃であるよ
うなエッチング条件を用いる。このときのBPSG膜、
シリコン窒化膜のエッチレートはそれぞれ600nm/
min、50nm/minである。このエッチレートの
差を利用すると、シリコン基板201上のシリコン窒化
膜205でエッチングを止めることが可能である。
て、例えば、上部及び下部のRF電力がそれぞれ150
0W、1400W、圧力50mTorr、ガス流量はC
HF 3 /Ar/O2 がそれぞれ30/200/10sc
cm、下部電極温度が−20℃であるようなエッチング
条件を用いて、シリコン窒化膜205のエッチングを行
い、図5(b)に示すようにシリコン基板201を露出
させる。この場合、シリコン基板201及び素子分離領
域202は過剰にエッチングされないように制御するこ
とができ、素子分離特性の悪化及びコンタクトリークを
防ぐことが可能である。
導通を得るために図6(a)に示すように、バリアメタ
ルをスパッタし、タングステン214をCVD法により
成膜することでコンタクトプラグを形成する。この後、
図6(b)に示すように、配線のパターニング及びエッ
チングによりコンタクトプラグ215、金属配線216
を形成することによりゲート電極、コンタクトプラグ及
び拡散層が電気的に接続される。
び各種の数値が上記に限定されるものではない。
は、上述のように構成したので、PR工程の増加をまね
くことなく、シリコン基板上の拡散層及びフィールド酸
化膜を過剰にエッチングすることを防止することができ
るため、コンタクトリークのないデバイスを安定して形
成することができるという優れた効果を有する。
形態を示す図である。
を示す断面図である。
である。
Claims (6)
- 【請求項1】 コンタクトプラグを有する半導体装置の
製造方法であって、 半導体基板上にポリシリコン膜、絶縁膜を成膜した後、
このポリシリコン膜、絶縁膜を所定の形状にエッチング
してゲート電極を形成し、その後、エッチングストッパ
を全面に成膜し、更に、全面に層間絶縁膜を成膜する第
1の工程と、 前記層間絶縁膜に前記半導体基板に達するコンタクトホ
ールを開口し、前記半導体基板上のエッチングストッパ
を露出せしめる第2の工程と、 前記露出した半導体基板上のエッチングストッパを除去
する第3の工程と、 前記コンタクトホールを埋め込みコンタクトプラグを形
成する第4の工程と、 前記コンタクトプラグを形成する際、前記層間絶縁膜上
に堆積した膜を除去し、コンタクトプラグを露出させる
第5の工程と、 前記層間絶縁膜をエッチングすると共に、前記ゲート電
極上のエッチングストッパを除去する第6の工程と、 全面に層間絶縁膜を形成する第7の工程と、 前記層間絶縁膜をエッチングし、前記拡散層上のエッチ
ングストッパを露出すると共に、前記ゲート電極の絶縁
膜をエッチングして、前記拡散層上及びゲート電極上に
コンタクトホールを形成する第8の工程と、 前記拡散層上に露出したエッチングストッパを除去する
第9の工程と、 前記第8、9の工程で形成したコンタクトホールを埋め
込みコンタクトプラグを形成する第10の工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 前記第6の工程では、エッチングガスと
して、CF4 /CHF3 ガスを用いることを特徴とする
請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項3】 前記第6の工程では、前記層間絶縁膜、
エッチングストッパのエッチングレートが、前記第4の
工程で構成したコンタクトプラグのエッチングレートに
比べて大きいことを特徴とする請求項1又は2に記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項4】 前記第8の工程では、エッチングガスと
して、C4 F8 /Ar/CO/O2 ガスを用いることを
特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項5】 前記第8の工程では、前記層間絶縁膜の
エッチングレートが、エッチングストッパのエッチング
レートに比べて大きいことを特徴とする請求項1又は4
に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項6】 前記第9の工程では、エッチングガスと
して、CHF3 /Ar/O2 ガスを用いることを特徴と
する請求項1記載の半導体装置の製造方法。
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