JP2000275646A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 配向分割を用いた液晶表示装置であって、表
示特性に優れ、高速応答が可能で、配向分割領域の境界
部の配向不良を容易に低減できる液晶表示装置を提供す
る。 【解決手段】 負の誘電率異方性を有する液晶１４〜１
６を用いた配向分割型の垂直配向方式の液晶表示装置で
あって、表面に電極３，４が形成されその上に配向膜１
０，１１が形成されている２枚の基板１，２を配向膜１
０，１１どうしが対向するように配置しており、これら
配向膜１０，１１どうしの間に液晶１４〜１６が配置さ
れており、基板１に形成された電極３には配向分割によ
り形成される分割領域Ａ，Ｂどうしの境界に沿って延在
する開口部５が形成されている。開口部５の幅は、電極
３の上に形成された配向膜１０の境界近傍での配向不良
領域の幅６より大きい。
示特性に優れ、高速応答が可能で、配向分割領域の境界
部の配向不良を容易に低減できる液晶表示装置を提供す
る。 【解決手段】 負の誘電率異方性を有する液晶１４〜１
６を用いた配向分割型の垂直配向方式の液晶表示装置で
あって、表面に電極３，４が形成されその上に配向膜１
０，１１が形成されている２枚の基板１，２を配向膜１
０，１１どうしが対向するように配置しており、これら
配向膜１０，１１どうしの間に液晶１４〜１６が配置さ
れており、基板１に形成された電極３には配向分割によ
り形成される分割領域Ａ，Ｂどうしの境界に沿って延在
する開口部５が形成されている。開口部５の幅は、電極
３の上に形成された配向膜１０の境界近傍での配向不良
領域の幅６より大きい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、画像表示の技術分
野に属するものであり、特に液晶表示装置に関するもの
である。
野に属するものであり、特に液晶表示装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
液晶表示装置としてツイスティッドネマティック(ＴＮ)
方式を採用したもの、もしくは、電界制御複屈折(ＥＣ
Ｂ)方式を採用したものが広く知られている。しかし、
電圧印加時の液晶分子の配向方向が画素内で一様なた
め、視角により色調が異なるという問題がある。この視
角特性を改善する方法として、一画素内の液晶分子の配
向方向を異ならせる（配向分割する）技術がある。配向
分割により、各領域の視角特性を互いに補償させ、広視
野角な表示特性を得ることができる。特に、ＥＣＢ方式
の１つである垂直配向方式を採用することにより、ＴＮ
方式より応答速度の高速化を図ることができ、また、良
好な黒色表示が行えることから、垂直配向方式による配
向分割技術が注目されている。
液晶表示装置としてツイスティッドネマティック(ＴＮ)
方式を採用したもの、もしくは、電界制御複屈折(ＥＣ
Ｂ)方式を採用したものが広く知られている。しかし、
電圧印加時の液晶分子の配向方向が画素内で一様なた
め、視角により色調が異なるという問題がある。この視
角特性を改善する方法として、一画素内の液晶分子の配
向方向を異ならせる（配向分割する）技術がある。配向
分割により、各領域の視角特性を互いに補償させ、広視
野角な表示特性を得ることができる。特に、ＥＣＢ方式
の１つである垂直配向方式を採用することにより、ＴＮ
方式より応答速度の高速化を図ることができ、また、良
好な黒色表示が行えることから、垂直配向方式による配
向分割技術が注目されている。
【０００３】液晶分子の配向方向を規制する方法とし
て、ラビングや光配向等がある。ラビングは、配向膜を
布で擦るという接触による処理を行うものであるため、
静電気による素子の破壊やゴミ発生よる基板の汚染等の
問題を生じやすいのに対し、光配向は、配向膜に対し非
接触の処理により配向規制を行うものであるため、ラビ
ングの場合の上記のような問題がなく、優れた方式とし
て注目されている。
て、ラビングや光配向等がある。ラビングは、配向膜を
布で擦るという接触による処理を行うものであるため、
静電気による素子の破壊やゴミ発生よる基板の汚染等の
問題を生じやすいのに対し、光配向は、配向膜に対し非
接触の処理により配向規制を行うものであるため、ラビ
ングの場合の上記のような問題がなく、優れた方式とし
て注目されている。
【０００４】光配向により垂直配向方式での配向分割を
行う方法として、特開平9-211468号や特開平10-142608
号の公報記載の技術が考案されている。これらの技術は
いずれも、フォトマスクを使用し、配向分割する各領域
を各々の照射条件により配向処理するものである。
行う方法として、特開平9-211468号や特開平10-142608
号の公報記載の技術が考案されている。これらの技術は
いずれも、フォトマスクを使用し、配向分割する各領域
を各々の照射条件により配向処理するものである。
【０００５】ここで、上記特開平9-211468号公報記載の
技術について説明する。
技術について説明する。
【０００６】まず、本技術の光配向の原理を、図９を参
照して説明する。図９（Ａ）に示すように、基板１上
に、紫外線に感応する配向膜１８（ここでは、ポリイミ
ドからなる垂直配向膜）が塗布されている。配向膜１８
は表面にＣＨ鎖１９を有し、ＣＨ鎖の平均方向２０は基
板法線方向に向いている。ただし、個々のＣＨ鎖の方向
にはばらつきがあり、基板面に平行な面内であるゆる方
向を向いていると考えられる。この配向層１８に対して
斜め方向２２から紫外線を照射すると、ＣＨ鎖が紫外線
を吸収して分解もしくは切断される。紫外線の吸収は、
配向膜１８のＣＨ鎖の方向と紫外線の照射方向とに依存
し、紫外線の電気ベクトルの方向２３がＣＨ鎖の方向と
一致する時に最も強い吸収が生じると考えられる。
照して説明する。図９（Ａ）に示すように、基板１上
に、紫外線に感応する配向膜１８（ここでは、ポリイミ
ドからなる垂直配向膜）が塗布されている。配向膜１８
は表面にＣＨ鎖１９を有し、ＣＨ鎖の平均方向２０は基
板法線方向に向いている。ただし、個々のＣＨ鎖の方向
にはばらつきがあり、基板面に平行な面内であるゆる方
向を向いていると考えられる。この配向層１８に対して
斜め方向２２から紫外線を照射すると、ＣＨ鎖が紫外線
を吸収して分解もしくは切断される。紫外線の吸収は、
配向膜１８のＣＨ鎖の方向と紫外線の照射方向とに依存
し、紫外線の電気ベクトルの方向２３がＣＨ鎖の方向と
一致する時に最も強い吸収が生じると考えられる。
【０００７】紫外線照射後の配向膜１８においては、あ
る方向のＣＨ鎖（図９（Ａ）に×印で示すもの）が分解
もしくは切断され、図９（Ｂ）に示すように、残ったＣ
Ｈ鎖（図９（Ａ）に○印で示すもの）の平均方向２１は
基板法線方向から傾くことになる。
る方向のＣＨ鎖（図９（Ａ）に×印で示すもの）が分解
もしくは切断され、図９（Ｂ）に示すように、残ったＣ
Ｈ鎖（図９（Ａ）に○印で示すもの）の平均方向２１は
基板法線方向から傾くことになる。
【０００８】図９（Ｃ）に示すように、この配向膜１８
の表面に液晶分子２４が接触すると、残ったＣＨ鎖１９
の傾斜方向に沿うように、液晶分子２４が傾斜する。２
つの基板について同様な処置を行い、各基板の配向膜界
面での液晶分子の傾き方向が互いにほぼ平行になるよう
に、一定間隔を保持させて両基板を対向配置させる。基
板間に充填する液晶として負の誘電率異方性を有する液
晶を使用する。各基板上に設置される電極に電圧を印加
することにより、液晶分子２４が初期の傾斜方向から基
板に対して平行になるように基板面法線方向に対する傾
斜角を増しながら基板面と平行な面内の方向に関しては
一方向に配向する。つまり、一様配向が実現できる。
の表面に液晶分子２４が接触すると、残ったＣＨ鎖１９
の傾斜方向に沿うように、液晶分子２４が傾斜する。２
つの基板について同様な処置を行い、各基板の配向膜界
面での液晶分子の傾き方向が互いにほぼ平行になるよう
に、一定間隔を保持させて両基板を対向配置させる。基
板間に充填する液晶として負の誘電率異方性を有する液
晶を使用する。各基板上に設置される電極に電圧を印加
することにより、液晶分子２４が初期の傾斜方向から基
板に対して平行になるように基板面法線方向に対する傾
斜角を増しながら基板面と平行な面内の方向に関しては
一方向に配向する。つまり、一様配向が実現できる。
【０００９】次に、配向分割の方法について説明する。
上述したように、配向方向は、光の照射条件、主に照射
角度や偏光条件に依存する。従って、各領域の配向方向
を異ならせるために、各領域での照射条件を変える必要
がある。各領域に特定の光照射のみを行うため、特定外
の照射光を遮光するためにフォトマスクを使用するのが
一般的である。配向方向の分割数に応じて、フォトマス
クで遮光しながら光照射を繰り返すことにより、配向分
割を行うことができる。
上述したように、配向方向は、光の照射条件、主に照射
角度や偏光条件に依存する。従って、各領域の配向方向
を異ならせるために、各領域での照射条件を変える必要
がある。各領域に特定の光照射のみを行うため、特定外
の照射光を遮光するためにフォトマスクを使用するのが
一般的である。配向方向の分割数に応じて、フォトマス
クで遮光しながら光照射を繰り返すことにより、配向分
割を行うことができる。
【００１０】尚、特開平10-142608号公報には、上記技
術の他、配向膜材料や光照射条件（偏光条件、照射角
度、照射回数）、液晶分子の配向方向、液晶モードに関
する技術が記載されているが、配向分割を行う方法につ
いては上記技術と同様である。
術の他、配向膜材料や光照射条件（偏光条件、照射角
度、照射回数）、液晶分子の配向方向、液晶モードに関
する技術が記載されているが、配向分割を行う方法につ
いては上記技術と同様である。
【００１１】しかし、上記従来技術には、配向分割領域
の境界における配向が不安定になりやすいという問題が
ある。その理由は、フォトマスクの目合わせ精度により
境界部に光重複照射領域もしくは光未照射領域が発生す
ることがあり、この光重複照射領域や光未照射領域では
液晶分子の配向方向を規制できないため、配向不良とな
りやすいからである。更には、その配向不良の部分が核
となって、正常な光照射領域の液晶分子の配向が乱され
ることもある。この問題について、図１０及び図１１を
参照して、以下に説明する。
の境界における配向が不安定になりやすいという問題が
ある。その理由は、フォトマスクの目合わせ精度により
境界部に光重複照射領域もしくは光未照射領域が発生す
ることがあり、この光重複照射領域や光未照射領域では
液晶分子の配向方向を規制できないため、配向不良とな
りやすいからである。更には、その配向不良の部分が核
となって、正常な光照射領域の液晶分子の配向が乱され
ることもある。この問題について、図１０及び図１１を
参照して、以下に説明する。
【００１２】前述したように、光配向は配向膜に斜め方
向から紫外線を照射することで行われる。従って、配向
分割を行う場合にはフォトマスクを使用する。つまり、
図１０( Ａ) に示すように、基板２５上の配向層２６の
左側の領域を配向処理する場合は、右側の領域をフォト
マスク２７により遮光し、第一の条件で紫外線３１を斜
め方向２９から照射する。次に、図１０( Ｂ) に示すよ
うに、基板２５上の配向膜２６の右側の領域を配向処理
する場合は、左側の領域をフォトマスク２８により遮光
し、第二の条件で紫外線３２を斜め方向３０から照射す
る。これにより、配向膜表面の液晶分子は、配向膜の左
側の領域では左側に傾斜し、配向膜右側の領域では右側
に傾斜して、２分割の配向分割ができる。
向から紫外線を照射することで行われる。従って、配向
分割を行う場合にはフォトマスクを使用する。つまり、
図１０( Ａ) に示すように、基板２５上の配向層２６の
左側の領域を配向処理する場合は、右側の領域をフォト
マスク２７により遮光し、第一の条件で紫外線３１を斜
め方向２９から照射する。次に、図１０( Ｂ) に示すよ
うに、基板２５上の配向膜２６の右側の領域を配向処理
する場合は、左側の領域をフォトマスク２８により遮光
し、第二の条件で紫外線３２を斜め方向３０から照射す
る。これにより、配向膜表面の液晶分子は、配向膜の左
側の領域では左側に傾斜し、配向膜右側の領域では右側
に傾斜して、２分割の配向分割ができる。
【００１３】しかし、配向分割された配向膜の各領域の
境界では次のような問題がある。即ち、図１１( Ａ) に
示すように、配向膜２６に異なる照射条件の紫外線３
３，３４が重複して照射される重複照射領域３５が発生
する場合と、図１１( Ｂ) に示すように、配向膜２６に
異なる照射条件の紫外線３３，３４のいずれもが照射さ
れない未照射領域３６が発生する場合とがある。前者
は、フォトマスクの目合わせ精度や斜め照射による光の
回り込みが原因と考えられ、後者は、フォトマスクの目
合わせ精度が原因と考えられる。重複照射領域３５で
は、液晶分子は、前述の光配向の原理から、左右のいず
れかに傾斜する場合より、他の方向に傾斜する可能性が
大きい。また、未照射領域３６では、液晶分子は、垂直
配向を保つことになる。従って、図１１の( Ａ) ，(
Ｂ) のどちらの場合も、電圧印加した時に予定の方向と
は異なる方向に液晶分子が傾斜する要因となる。この配
向不良は光照射不良の領域内だけに留まらず、正常な光
照射領域の配向にも影響し、配向不良を拡大させる要因
ともなり得る。
境界では次のような問題がある。即ち、図１１( Ａ) に
示すように、配向膜２６に異なる照射条件の紫外線３
３，３４が重複して照射される重複照射領域３５が発生
する場合と、図１１( Ｂ) に示すように、配向膜２６に
異なる照射条件の紫外線３３，３４のいずれもが照射さ
れない未照射領域３６が発生する場合とがある。前者
は、フォトマスクの目合わせ精度や斜め照射による光の
回り込みが原因と考えられ、後者は、フォトマスクの目
合わせ精度が原因と考えられる。重複照射領域３５で
は、液晶分子は、前述の光配向の原理から、左右のいず
れかに傾斜する場合より、他の方向に傾斜する可能性が
大きい。また、未照射領域３６では、液晶分子は、垂直
配向を保つことになる。従って、図１１の( Ａ) ，(
Ｂ) のどちらの場合も、電圧印加した時に予定の方向と
は異なる方向に液晶分子が傾斜する要因となる。この配
向不良は光照射不良の領域内だけに留まらず、正常な光
照射領域の配向にも影響し、配向不良を拡大させる要因
ともなり得る。
【００１４】この他に、配向分割境界の問題として、基
板の重ね合わせ精度の問題がある。即ち、一対の基板
は、各々配向処理され、配向方向が適合するように対向
配置されるが、重ね合わせの精度により基板配置にずれ
を生じると、対をなす基板の配向膜との界面での液晶分
子の配向方向が適合しない領域が発生する場合があり、
前述の場合と同様に配向不良となり得る。
板の重ね合わせ精度の問題がある。即ち、一対の基板
は、各々配向処理され、配向方向が適合するように対向
配置されるが、重ね合わせの精度により基板配置にずれ
を生じると、対をなす基板の配向膜との界面での液晶分
子の配向方向が適合しない領域が発生する場合があり、
前述の場合と同様に配向不良となり得る。
【００１５】配向分割を行い、配向分割の境界部に電極
の開口部を配置した技術として、特許第2778500号公報
記載の技術がある。しかし、この技術は、液晶に電圧を
印加した場合に液晶のダイレクタが互いに離れて立ち上
がる方向にある電極に開口部を設ける構成となってお
り、特にＴＮ方式に関する技術であり、垂直配向方式に
ついてのものではない。
の開口部を配置した技術として、特許第2778500号公報
記載の技術がある。しかし、この技術は、液晶に電圧を
印加した場合に液晶のダイレクタが互いに離れて立ち上
がる方向にある電極に開口部を設ける構成となってお
り、特にＴＮ方式に関する技術であり、垂直配向方式に
ついてのものではない。
【００１６】この他に、光配向やラビング等の配向処理
を行わない状態で、電極に開口部を設けることのみで垂
直配向した液晶分子の配向方向を規制するという特開平
6-043461号公報記載の技術がある。しかし、この技術は
応答速度の点で問題がある。即ち、この技術では、配向
制御は、電極の開口部近傍のみで行われ、開口部から遠
い領域へは伝搬により伝わる。しかも、液晶分子は、初
期状態でほぼ垂直に配向しているため、電圧印加された
瞬間にランダムな方向に傾斜しようとする。このため、
伝搬による配向規制は更に遅くなり、前記配向処理を行
ったものと比較すると応答速度が遅くなる。この差は、
開口部から遠い領域が広くなるほど、つまり、画素が大
きくなるほど顕著になる。
を行わない状態で、電極に開口部を設けることのみで垂
直配向した液晶分子の配向方向を規制するという特開平
6-043461号公報記載の技術がある。しかし、この技術は
応答速度の点で問題がある。即ち、この技術では、配向
制御は、電極の開口部近傍のみで行われ、開口部から遠
い領域へは伝搬により伝わる。しかも、液晶分子は、初
期状態でほぼ垂直に配向しているため、電圧印加された
瞬間にランダムな方向に傾斜しようとする。このため、
伝搬による配向規制は更に遅くなり、前記配向処理を行
ったものと比較すると応答速度が遅くなる。この差は、
開口部から遠い領域が広くなるほど、つまり、画素が大
きくなるほど顕著になる。
【００１７】本発明は、以上のような従来技術の問題点
に鑑みて、配向分割を用いた液晶表示装置であって、表
示特性に優れ、高速応答が可能で、配向分割領域の境界
部の配向不良を容易に低減できる、新規構造の液晶表示
装置を提供することを目的とするものである。
に鑑みて、配向分割を用いた液晶表示装置であって、表
示特性に優れ、高速応答が可能で、配向分割領域の境界
部の配向不良を容易に低減できる、新規構造の液晶表示
装置を提供することを目的とするものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、以上の
如き目的を達成するものとして、負の誘電率異方性を有
する液晶を用いた配向分割型の垂直配向方式の液晶表示
装置であって、表面に電極が形成されその上に配向膜が
形成されている２枚の基板を前記配向膜どうしが対向す
るように配置しており、これら配向膜どうしの間に前記
液晶が配置されており、前記２枚の基板のうちの少なく
とも一方に形成された電極には配向分割により形成され
る分割領域どうしの境界において開口部が形成されてい
ることを特徴とする液晶表示装置、が提供される。
如き目的を達成するものとして、負の誘電率異方性を有
する液晶を用いた配向分割型の垂直配向方式の液晶表示
装置であって、表面に電極が形成されその上に配向膜が
形成されている２枚の基板を前記配向膜どうしが対向す
るように配置しており、これら配向膜どうしの間に前記
液晶が配置されており、前記２枚の基板のうちの少なく
とも一方に形成された電極には配向分割により形成され
る分割領域どうしの境界において開口部が形成されてい
ることを特徴とする液晶表示装置、が提供される。
【００１９】本発明の一態様においては、前記開口部は
前記境界に沿って延在している。本発明の一態様におい
ては、前記開口部は前記境界に沿ってとびとびに配置さ
れた複数の小開口部からなる。この場合、前記小開口部
の境界に沿った長さの合計を前記境界の長さの１／３以
上とすることができる。本発明の一態様においては、前
記開口部の幅は、該開口部が形成されている電極の上に
形成された配向膜の前記境界近傍での配向不良領域の幅
より大きい。本発明の一態様においては、前記配向分割
は光配向によるものである。
前記境界に沿って延在している。本発明の一態様におい
ては、前記開口部は前記境界に沿ってとびとびに配置さ
れた複数の小開口部からなる。この場合、前記小開口部
の境界に沿った長さの合計を前記境界の長さの１／３以
上とすることができる。本発明の一態様においては、前
記開口部の幅は、該開口部が形成されている電極の上に
形成された配向膜の前記境界近傍での配向不良領域の幅
より大きい。本発明の一態様においては、前記配向分割
は光配向によるものである。
【００２０】本発明の一態様においては、前記境界のう
ちの少なくとも１つにおいて、該境界の両側での前記分
割領域の配向方向は、前記開口部の形成されている電極
から基板面法線方向に遠ざかるにつれて基板面内方向に
前記開口部から遠ざかる方向とされている。また、本発
明の一態様においては、前記境界のうちの少なくとも１
つにおいて、該境界の両側での前記分割領域の配向方向
は、前記開口部の形成されている電極から基板面法線方
向に遠ざかるにつれて基板面内方向に前記開口部に近づ
く方向とされている。
ちの少なくとも１つにおいて、該境界の両側での前記分
割領域の配向方向は、前記開口部の形成されている電極
から基板面法線方向に遠ざかるにつれて基板面内方向に
前記開口部から遠ざかる方向とされている。また、本発
明の一態様においては、前記境界のうちの少なくとも１
つにおいて、該境界の両側での前記分割領域の配向方向
は、前記開口部の形成されている電極から基板面法線方
向に遠ざかるにつれて基板面内方向に前記開口部に近づ
く方向とされている。
【００２１】本発明の一態様においては、前記２枚の基
板の双方に形成された電極に前記開口部が形成されてお
り、前記境界のそれぞれには前記２枚の基板のうちの一
方の電極開口部が配置されている。
板の双方に形成された電極に前記開口部が形成されてお
り、前記境界のそれぞれには前記２枚の基板のうちの一
方の電極開口部が配置されている。
【００２２】本発明の一態様においては、前記配向分割
は複数の画素のそれぞれにおいてなされている。本発明
の一態様においては、前記２枚の基板のそれぞれには外
側の面に偏光板が付設されている。この場合、前記基板
の外側の面と前記偏光板との間に光学補償板を介在させ
ることができる。本発明の一態様においては、液晶表示
装置はアクティブマトリクス駆動方式のものである。
は複数の画素のそれぞれにおいてなされている。本発明
の一態様においては、前記２枚の基板のそれぞれには外
側の面に偏光板が付設されている。この場合、前記基板
の外側の面と前記偏光板との間に光学補償板を介在させ
ることができる。本発明の一態様においては、液晶表示
装置はアクティブマトリクス駆動方式のものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の液晶表示装置の実
施の形態について図面を参照しながら説明する。
施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２４】（第１の実施形態）図１は本発明による液
晶表示装置の第１の実施形態の１画素に対応する部分を
示す模式的断面図であり、図２はその液晶層内の液晶分
子の配向方向を示す模式的平面図である。以下、本実施
形態の液晶表示装置の構成について、その製造方法とと
もに説明する。
晶表示装置の第１の実施形態の１画素に対応する部分を
示す模式的断面図であり、図２はその液晶層内の液晶分
子の配向方向を示す模式的平面図である。以下、本実施
形態の液晶表示装置の構成について、その製造方法とと
もに説明する。
【００２５】本実施形態の液晶表示装置では、ガラス等
の透明な基板１上に、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる電
極３をスパッタリングにより形成し、フォトリソグラフ
ィー工程により図１の紙面に垂直な方向に延在する開口
部５を形成している。
の透明な基板１上に、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる電
極３をスパッタリングにより形成し、フォトリソグラフ
ィー工程により図１の紙面に垂直な方向に延在する開口
部５を形成している。
【００２６】開口部５は、配向分割する各領域の境界に
配置しており、光配向による基板１の配向不良領域の幅
６が約２μｍ以下であるとし、基板１と対向配置される
後述の基板２での光配向による配向不良領域の幅７が約
２μｍ以下であるとし、且つ基板１と基板２との重ね合
わせ精度が約４μｍ以下であるとして、開口部幅（Ｗ）
８を６μｍとし、基板１，２を重ね合わせた時の配向不
良領域Ｃの幅（ｘ）９( この場合６μｍ以下) 以上とな
るように設定している。
配置しており、光配向による基板１の配向不良領域の幅
６が約２μｍ以下であるとし、基板１と対向配置される
後述の基板２での光配向による配向不良領域の幅７が約
２μｍ以下であるとし、且つ基板１と基板２との重ね合
わせ精度が約４μｍ以下であるとして、開口部幅（Ｗ）
８を６μｍとし、基板１，２を重ね合わせた時の配向不
良領域Ｃの幅（ｘ）９( この場合６μｍ以下) 以上とな
るように設定している。
【００２７】電極３の形成された基板１上に、液晶分子
を膜面に対し垂直配向させる透明な絶縁膜からなる配向
膜１０を形成する。配向膜１０は、例えば、ポリイミド
ＪＡＬＳ−６８２(ＪＳＲ社製) をオフセット印刷後、
１８０℃、１時間の焼成を行って形成することができ
る。光配向処理は上記図１０に関し説明したようにして
行われ、この光配向処理において、左側の領域には左４
５度の角度から紫外線照射を行い、この時、右側の領域
はフォトマスクにより遮光する。同様に、右側の領域に
は、右４５度の角度から紫外線照射を行い、この時、左
側の領域はフォトマスクにより遮光する。これにより、
電極の開口部５を境界として、２分割の配向分割を行う
のであるが、前述したように、フォトマスクの目合わせ
精度により、約２μｍ以下の配向不良領域幅６が発生す
る。
を膜面に対し垂直配向させる透明な絶縁膜からなる配向
膜１０を形成する。配向膜１０は、例えば、ポリイミド
ＪＡＬＳ−６８２(ＪＳＲ社製) をオフセット印刷後、
１８０℃、１時間の焼成を行って形成することができ
る。光配向処理は上記図１０に関し説明したようにして
行われ、この光配向処理において、左側の領域には左４
５度の角度から紫外線照射を行い、この時、右側の領域
はフォトマスクにより遮光する。同様に、右側の領域に
は、右４５度の角度から紫外線照射を行い、この時、左
側の領域はフォトマスクにより遮光する。これにより、
電極の開口部５を境界として、２分割の配向分割を行う
のであるが、前述したように、フォトマスクの目合わせ
精度により、約２μｍ以下の配向不良領域幅６が発生す
る。
【００２８】次に、基板１と対向配置させる基板２につ
いて説明する。ガラス等の透明な基板２上に、ＩＴＯ等
の透明導電膜からなる電極４をスパッタリングにより形
成する。電極４には、開口部を形成することなく、フォ
トリソグラフィー工程により５００μｍ角にパターニン
グする。電極４の形成された基板２上に、液晶分子を膜
面に対し垂直配向させる透明な絶縁膜からなる配向膜１
１を形成する。配向膜１１は、配向膜１０と同様に、例
えばポリイミドＪＡＬＳ−６８２(ＪＳＲ社製)をオフセ
ット印刷後、１８０℃、１時間の焼成を行って形成する
ことができる。光配向処理は、５００μｍ角の電極４の
対向する２辺の中央を通り該２辺と直交する線（図１の
紙面に垂直な方向の線）を境界として２等分して形成さ
れた各領域について行う。この光配向処理では、上記図
１０に示される方向とは反対の方向より照射を行う。即
ち、左側の領域には、右４５度の角度から紫外線照射を
行い、この時、右側の領域はフォトマスクにより遮光す
る。同様に、右側の領域には、左４５度の角度から紫外
線照射を行い、この時、左側の領域はフォトマスクによ
り遮光する。前述したように、フォトマスクの目合わせ
精度により、約２μｍ以下の配向不良領域幅７が発生す
る。
いて説明する。ガラス等の透明な基板２上に、ＩＴＯ等
の透明導電膜からなる電極４をスパッタリングにより形
成する。電極４には、開口部を形成することなく、フォ
トリソグラフィー工程により５００μｍ角にパターニン
グする。電極４の形成された基板２上に、液晶分子を膜
面に対し垂直配向させる透明な絶縁膜からなる配向膜１
１を形成する。配向膜１１は、配向膜１０と同様に、例
えばポリイミドＪＡＬＳ−６８２(ＪＳＲ社製)をオフセ
ット印刷後、１８０℃、１時間の焼成を行って形成する
ことができる。光配向処理は、５００μｍ角の電極４の
対向する２辺の中央を通り該２辺と直交する線（図１の
紙面に垂直な方向の線）を境界として２等分して形成さ
れた各領域について行う。この光配向処理では、上記図
１０に示される方向とは反対の方向より照射を行う。即
ち、左側の領域には、右４５度の角度から紫外線照射を
行い、この時、右側の領域はフォトマスクにより遮光す
る。同様に、右側の領域には、左４５度の角度から紫外
線照射を行い、この時、左側の領域はフォトマスクによ
り遮光する。前述したように、フォトマスクの目合わせ
精度により、約２μｍ以下の配向不良領域幅７が発生す
る。
【００２９】基板１と基板２とは、配向処理面どうしが
互いに対向するようにして、４．５μｍ径の球形状のス
ペーサー(図示せず)多数を使用し、一定間隔に保持させ
る。この時、基板１と基板２との配向分割境界どうしが
一致するように重ね合わせを行うが、前述したように、
その精度は約４μｍ以下である。基板間には、誘電率異
方性が負である液晶を充填する。このような液晶とし
て、例えばＭＬＣ−６６０８（メルク社製）を使用する
ことができる。
互いに対向するようにして、４．５μｍ径の球形状のス
ペーサー(図示せず)多数を使用し、一定間隔に保持させ
る。この時、基板１と基板２との配向分割境界どうしが
一致するように重ね合わせを行うが、前述したように、
その精度は約４μｍ以下である。基板間には、誘電率異
方性が負である液晶を充填する。このような液晶とし
て、例えばＭＬＣ−６６０８（メルク社製）を使用する
ことができる。
【００３０】以上のようにして基板１と基板２との間に
配置された液晶層において、液晶分子は図１に示すよう
に配向する。即ち、配向分割により上記幅ｘの配向不良
領域Ｃを介して２つの分割領域Ａ，Ｂが形成されてお
り、領域Ａと領域Ｂとでは液晶層内の液晶分子１４〜１
６の配向方向が異なっている。領域Ａでは、配向膜１
０，１１の配向方向に従って液晶分子１４〜１６は右下
から左上へと斜めに配向し、領域Ｂでは、配向膜１０，
１１の配向方向に従って液晶分子１４〜１６は左下から
右上へと斜めに配向する。即ち、分割領域Ａ，Ｂを含む
全体として見た場合、液晶分子１４〜１６は、略ハの字
形（図１ではハの字を上下逆にした形）に配向してい
る。そして、液晶分子１４〜１６は、電極３の開口部５
の両側の領域において、基板法線方向に関して配向膜１
０からの距離が大きくなるにつれて基板面内方向に関し
て開口部５からの距離が大きくなるような姿勢で配向し
ている。換言すれば、上記液晶分子配向のハの字形の頂
点側にある電極３に開口部５が配置された構成となって
いる。
配置された液晶層において、液晶分子は図１に示すよう
に配向する。即ち、配向分割により上記幅ｘの配向不良
領域Ｃを介して２つの分割領域Ａ，Ｂが形成されてお
り、領域Ａと領域Ｂとでは液晶層内の液晶分子１４〜１
６の配向方向が異なっている。領域Ａでは、配向膜１
０，１１の配向方向に従って液晶分子１４〜１６は右下
から左上へと斜めに配向し、領域Ｂでは、配向膜１０，
１１の配向方向に従って液晶分子１４〜１６は左下から
右上へと斜めに配向する。即ち、分割領域Ａ，Ｂを含む
全体として見た場合、液晶分子１４〜１６は、略ハの字
形（図１ではハの字を上下逆にした形）に配向してい
る。そして、液晶分子１４〜１６は、電極３の開口部５
の両側の領域において、基板法線方向に関して配向膜１
０からの距離が大きくなるにつれて基板面内方向に関し
て開口部５からの距離が大きくなるような姿勢で配向し
ている。換言すれば、上記液晶分子配向のハの字形の頂
点側にある電極３に開口部５が配置された構成となって
いる。
【００３１】また、図２に示すように、領域Ａ，Ｂの液
晶層の液晶分子の配向方向を開口部５を配置した電極３
側の基板１に投影した場合の各液晶分子の配向方向（基
板投影配向方向：基板に近い側の液晶分子端部からら遠
い側の液晶分子端部へと向かう方向）１７は、開口部か
ら遠ざかる向き(矢印方向)となり、開口部５の延在方向
（図２の上下方向）となす角度θａ，θｂは、いずれも
０°を越え１８０°未満である。以上の関係が満たされ
ていれば、液晶分子はツイスト配向を有していても良
い。即ち、各分割領域Ａ，Ｂにおいて、基板１側から基
板２側へと液晶分子の基板投影配向方向が次第に変化し
ていてもよい（基板１側の液晶分子１４と中間の液晶分
子１６と基板２側の液晶分子１５とで基板投影配向方向
が異なる）。
晶層の液晶分子の配向方向を開口部５を配置した電極３
側の基板１に投影した場合の各液晶分子の配向方向（基
板投影配向方向：基板に近い側の液晶分子端部からら遠
い側の液晶分子端部へと向かう方向）１７は、開口部か
ら遠ざかる向き(矢印方向)となり、開口部５の延在方向
（図２の上下方向）となす角度θａ，θｂは、いずれも
０°を越え１８０°未満である。以上の関係が満たされ
ていれば、液晶分子はツイスト配向を有していても良
い。即ち、各分割領域Ａ，Ｂにおいて、基板１側から基
板２側へと液晶分子の基板投影配向方向が次第に変化し
ていてもよい（基板１側の液晶分子１４と中間の液晶分
子１６と基板２側の液晶分子１５とで基板投影配向方向
が異なる）。
【００３２】図１に示すように、基板１の外側の面及び
基板２の外側の面には、それぞれ光学フィルム１２、１
３を貼付する。これらの光学フィルムは、偏光板、また
は、偏光板と光学補償板とから構成することができる。
例えば、各基板１，２に偏光板を貼付し、これらの偏光
板の吸収軸が互いに直交し、かつ、液晶層の液晶分子の
基板投影配向方向と各吸収軸とが４５度をなすように配
置する。そして、基板２側の偏光板の基板２側には、負
の一軸（Δｎｄ＝−４００ｎｍ）の光学補償板を貼付す
る。
基板２の外側の面には、それぞれ光学フィルム１２、１
３を貼付する。これらの光学フィルムは、偏光板、また
は、偏光板と光学補償板とから構成することができる。
例えば、各基板１，２に偏光板を貼付し、これらの偏光
板の吸収軸が互いに直交し、かつ、液晶層の液晶分子の
基板投影配向方向と各吸収軸とが４５度をなすように配
置する。そして、基板２側の偏光板の基板２側には、負
の一軸（Δｎｄ＝−４００ｎｍ）の光学補償板を貼付す
る。
【００３３】本実施形態の液晶表示装置の動作の際に
は、基板１，２上の電極３，４間に電圧を印加すること
により、液晶分子は基板面とのなす角度が小さくなるよ
うに傾斜配向する。電極間の電位差に応じて、液晶分子
１４〜１６の傾斜角度は変化し、これにより光透過率が
変化する。本実施形態においては、配向分割の境界に電
極開口部５が形成されているので、電圧印加時において
該開口部５の近傍における電界の影響を受けて各領域
Ａ，Ｂの境界部の位置は安定に維持され（即ち、配向分
割境界線は安定に固定され）、配向分割の各領域Ａ，Ｂ
の面積比を再現性良く一定に維持することが可能であ
る。垂直配向方式の液晶表示装置の場合には、電圧印加
とともに液晶分子の方向が基板面と平行に近くなるので
電圧印加時の配向方向の維持に困難性があるが、以上の
ような本発明実施形態によれば、開口部５を設けること
によって、配向不良領域を拡大させることなく各分割領
域Ａ，Ｂでの所定の配向を維持することができる。
は、基板１，２上の電極３，４間に電圧を印加すること
により、液晶分子は基板面とのなす角度が小さくなるよ
うに傾斜配向する。電極間の電位差に応じて、液晶分子
１４〜１６の傾斜角度は変化し、これにより光透過率が
変化する。本実施形態においては、配向分割の境界に電
極開口部５が形成されているので、電圧印加時において
該開口部５の近傍における電界の影響を受けて各領域
Ａ，Ｂの境界部の位置は安定に維持され（即ち、配向分
割境界線は安定に固定され）、配向分割の各領域Ａ，Ｂ
の面積比を再現性良く一定に維持することが可能であ
る。垂直配向方式の液晶表示装置の場合には、電圧印加
とともに液晶分子の方向が基板面と平行に近くなるので
電圧印加時の配向方向の維持に困難性があるが、以上の
ような本発明実施形態によれば、開口部５を設けること
によって、配向不良領域を拡大させることなく各分割領
域Ａ，Ｂでの所定の配向を維持することができる。
【００３４】以上のようにして、本実施形態では、配向
分割した各領域Ａ，Ｂの配向を安定的に規制し、各領域
の配置の偏りを抑制することができる。従って、各画素
における分割比が一定に保たれ、主に視角を変えた場合
に観測される画素単位での階調のばらつきを抑制するこ
とができ、良好な広視野角特性を得ることができる。更
に、良好な応答速度特性が得られる。
分割した各領域Ａ，Ｂの配向を安定的に規制し、各領域
の配置の偏りを抑制することができる。従って、各画素
における分割比が一定に保たれ、主に視角を変えた場合
に観測される画素単位での階調のばらつきを抑制するこ
とができ、良好な広視野角特性を得ることができる。更
に、良好な応答速度特性が得られる。
【００３５】上記実施形態において配向不良領域Ｃの幅
ｘを約５０μｍと広くすることもできる。この場合に
は、開口部５と領域Ａ，Ｂとが隔てられることになる
が、電圧印加時には該開口部５の近傍における電界の影
響に基づき、領域Ａ，Ｂの境界部の位置の移動は制限を
受け、配向分割境界線はほぼ安定に固定される。
ｘを約５０μｍと広くすることもできる。この場合に
は、開口部５と領域Ａ，Ｂとが隔てられることになる
が、電圧印加時には該開口部５の近傍における電界の影
響に基づき、領域Ａ，Ｂの境界部の位置の移動は制限を
受け、配向分割境界線はほぼ安定に固定される。
【００３６】また、上記実施形態において開口部５とし
て長さ１０μｍの短冊形状の小開口部を延在方向に１０
μｍおきに配置した破線状のものとする（即ち、開口部
５に延在方向に沿って一定距離ごとに導通部を形成す
る）こともできる。この場合には、電圧印加時に開口部
５の延在方向に沿って一定距離ごとに開口部近傍におけ
る電界の影響を受けるので、領域Ａ，Ｂの境界部の位置
の移動は制限を受け、配向分割境界線は安定に固定され
る。小開口部の長さの合計は、例えば境界の長さの１／
３以上とすることができる。
て長さ１０μｍの短冊形状の小開口部を延在方向に１０
μｍおきに配置した破線状のものとする（即ち、開口部
５に延在方向に沿って一定距離ごとに導通部を形成す
る）こともできる。この場合には、電圧印加時に開口部
５の延在方向に沿って一定距離ごとに開口部近傍におけ
る電界の影響を受けるので、領域Ａ，Ｂの境界部の位置
の移動は制限を受け、配向分割境界線は安定に固定され
る。小開口部の長さの合計は、例えば境界の長さの１／
３以上とすることができる。
【００３７】尚、比較のために、電極３に開口部を形成
しないこと以外は上記本発明実施形態と同様な構成をも
つ液晶表示装置を作製したところ、配向分割境界の大き
な移動が発生し、配向分割比の一定維持の再現性は低か
った。
しないこと以外は上記本発明実施形態と同様な構成をも
つ液晶表示装置を作製したところ、配向分割境界の大き
な移動が発生し、配向分割比の一定維持の再現性は低か
った。
【００３８】また、比較のために、光配向処理を行わな
いこと以外は上記本発明実施形態と同様な構成をもつ液
晶表示装置を作製したところ、開口部の延在方向と垂直
に交わる画素電極辺の近傍に配向不良領域が発生しやす
く、応答速度も本発明実施形態のものと比較して１０％
以上遅くなる傾向にあった。
いこと以外は上記本発明実施形態と同様な構成をもつ液
晶表示装置を作製したところ、開口部の延在方向と垂直
に交わる画素電極辺の近傍に配向不良領域が発生しやす
く、応答速度も本発明実施形態のものと比較して１０％
以上遅くなる傾向にあった。
【００３９】（第２の実施形態）図３は本発明による液
晶表示装置の第２の実施形態の１画素に対応する部分を
示す模式的断面図である。本図において、上記図１及び
図２と同様の機能を有する部材及び部分には同一の符号
が付されている。
晶表示装置の第２の実施形態の１画素に対応する部分を
示す模式的断面図である。本図において、上記図１及び
図２と同様の機能を有する部材及び部分には同一の符号
が付されている。
【００４０】本実施形態は、基板２上の電極４にも開口
部５’を配置した点が、上記第１の実施形態と異なる。
図３に示されているように、基板１上の電極３の開口部
５と基板２上の電極４の開口部５’とは、基板面と平行
な方向に関して互いにずれて配置されている。各開口部
５，５’の両側の領域では、液晶分子は互いに異なる配
向方向とされており、これにより隣接領域どうしで液晶
分子配向方向の互いに異なる４つの分割領域が形成され
ている。
部５’を配置した点が、上記第１の実施形態と異なる。
図３に示されているように、基板１上の電極３の開口部
５と基板２上の電極４の開口部５’とは、基板面と平行
な方向に関して互いにずれて配置されている。各開口部
５，５’の両側の領域では、液晶分子は互いに異なる配
向方向とされており、これにより隣接領域どうしで液晶
分子配向方向の互いに異なる４つの分割領域が形成され
ている。
【００４１】同様にして、１画素の面積が大きい場合に
は、分割数を更に増加させることができる。
は、分割数を更に増加させることができる。
【００４２】本実施形態では開口部５，５’を設けた分
割線は互いに平行に延びているが、互いに直交する分割
線により分割することも可能である。その場合には、基
板投影配向方向がいずれの分割線に対しても非平行とな
る（例えば４５度の角度をなす）ように配向方向を設定
することで、上記実施形態と同様の効果を得ることがで
きる。
割線は互いに平行に延びているが、互いに直交する分割
線により分割することも可能である。その場合には、基
板投影配向方向がいずれの分割線に対しても非平行とな
る（例えば４５度の角度をなす）ように配向方向を設定
することで、上記実施形態と同様の効果を得ることがで
きる。
【００４３】（第３の実施形態）図４は本発明による液
晶表示装置の第３の実施形態の１画素に対応する部分を
示す模式的断面図であり、図５はその一部除去模式的平
面図である。尚、図４は図５のＡ−Ａ’の断面に対応す
る図である。本実施形態は、上記第１の実施形態をＴＦ
Ｔ素子によるアクティブマトリクス型液晶表示装置に応
用したものである。
晶表示装置の第３の実施形態の１画素に対応する部分を
示す模式的断面図であり、図５はその一部除去模式的平
面図である。尚、図４は図５のＡ−Ａ’の断面に対応す
る図である。本実施形態は、上記第１の実施形態をＴＦ
Ｔ素子によるアクティブマトリクス型液晶表示装置に応
用したものである。
【００４４】図４及び図５を参照すると、ガラス等の透
明な基板４０１上に、Ｃｒ、ＩＴＯ等の金属の単層膜も
しくは多層膜からなるゲート電極４０３及びゲート配線
５０１をスパッタリングとフォトリソグラフィーの工程
により形成する。その上に、窒化シリコン及び酸化シリ
コンの２層からなるゲート絶縁膜４０４をＣＶＤにより
形成する。更に、その上に、アモルファスシリコン（ａ
−Ｓｉ，ｎ+ ａ−Ｓｉ）からなる半導体層４０５をＣＶ
Ｄとフォトリソグラフィーの工程により形成し、かつＣ
ｒ、ＩＴＯ等の金属の単層膜もしくは多層膜からなるド
レイン電極４０６、ソース電極４０７及びドレイン配線
５０２をスパッタリングとフォトリソグラフィーの工程
により形成する。ここまでの工程により、ゲート配線と
ドレイン配線、及びその交点に配置するスイッチング用
のＴＦＴ素子が形成される。次に、ＩＴＯ等の透明導電
膜からなる画素電極４０８をスパッタリングとフォトリ
ソグラフィーの工程により形成する。その上に、窒化シ
リコンからなるパッシベーション膜４０９をＣＶＤとフ
ォトリソグラフィーの工程により形成する。その上に、
ポリイミド等の有機膜からなる配向膜４１４を形成し、
光配向処理を行う。
明な基板４０１上に、Ｃｒ、ＩＴＯ等の金属の単層膜も
しくは多層膜からなるゲート電極４０３及びゲート配線
５０１をスパッタリングとフォトリソグラフィーの工程
により形成する。その上に、窒化シリコン及び酸化シリ
コンの２層からなるゲート絶縁膜４０４をＣＶＤにより
形成する。更に、その上に、アモルファスシリコン（ａ
−Ｓｉ，ｎ+ ａ−Ｓｉ）からなる半導体層４０５をＣＶ
Ｄとフォトリソグラフィーの工程により形成し、かつＣ
ｒ、ＩＴＯ等の金属の単層膜もしくは多層膜からなるド
レイン電極４０６、ソース電極４０７及びドレイン配線
５０２をスパッタリングとフォトリソグラフィーの工程
により形成する。ここまでの工程により、ゲート配線と
ドレイン配線、及びその交点に配置するスイッチング用
のＴＦＴ素子が形成される。次に、ＩＴＯ等の透明導電
膜からなる画素電極４０８をスパッタリングとフォトリ
ソグラフィーの工程により形成する。その上に、窒化シ
リコンからなるパッシベーション膜４０９をＣＶＤとフ
ォトリソグラフィーの工程により形成する。その上に、
ポリイミド等の有機膜からなる配向膜４１４を形成し、
光配向処理を行う。
【００４５】次に、基板４０１と対向して配置される基
板４０２について説明する。ガラス等の透明な基板４０
２上には、カラー表示を行う場合、色層４１０が形成さ
れる。その上に、透明導電膜例えばＩＴＯ膜からなる共
通電極（複数の画素にわたって形成されている電極）４
１１をスパッタリングとフォトリソグラフィーの工程に
より形成する。そして、図５に示す配向分割の境界線Ｂ
−Ｂ’上に共通電極４１１の開口部４１２，４１３を形
成する。図５に示されているように、本実施形態では、
配向分割の境界線の一部に開口部４１２，４１３を配置
する構成としている。もちろん、境界線Ｂ−Ｂ’上の大
部分に開口部を配置する構成としても良い。その上に、
ポリイミド等の有機膜からなる配向層４１５を形成し、
光配向処理を行う。
板４０２について説明する。ガラス等の透明な基板４０
２上には、カラー表示を行う場合、色層４１０が形成さ
れる。その上に、透明導電膜例えばＩＴＯ膜からなる共
通電極（複数の画素にわたって形成されている電極）４
１１をスパッタリングとフォトリソグラフィーの工程に
より形成する。そして、図５に示す配向分割の境界線Ｂ
−Ｂ’上に共通電極４１１の開口部４１２，４１３を形
成する。図５に示されているように、本実施形態では、
配向分割の境界線の一部に開口部４１２，４１３を配置
する構成としている。もちろん、境界線Ｂ−Ｂ’上の大
部分に開口部を配置する構成としても良い。その上に、
ポリイミド等の有機膜からなる配向層４１５を形成し、
光配向処理を行う。
【００４６】配向膜４１４，４１５の形成及び光配向処
理は、上記第１の実施形態で説明したようにして行われ
る。但し、図４は、図１とは１対の基板の上下関係が逆
になっている点が異なる。
理は、上記第１の実施形態で説明したようにして行われ
る。但し、図４は、図１とは１対の基板の上下関係が逆
になっている点が異なる。
【００４７】次に、配向膜４１４，４１５が互いに対向
するようにして基板４０１と４０２とを一定の間隔を保
って互いに平行に配置し、その間に液晶を充填する。各
基板４０１，４０２の外側には、それぞれ光学フィルム
４１６，４１７を貼付する。この１対の基板の対向配置
及び光学フィルムの貼付も、上記第１の実施形態で説明
したようにして行われる。但し、液晶層の液晶分子４１
８の配向方向は、開口部４１２を形成した電極４１１が
上側に配置されていることにより、図１の構成に対して
上下逆になり、図２に示した基板投影配向方向は、対向
基板４０２上に投影したものと一致する。
するようにして基板４０１と４０２とを一定の間隔を保
って互いに平行に配置し、その間に液晶を充填する。各
基板４０１，４０２の外側には、それぞれ光学フィルム
４１６，４１７を貼付する。この１対の基板の対向配置
及び光学フィルムの貼付も、上記第１の実施形態で説明
したようにして行われる。但し、液晶層の液晶分子４１
８の配向方向は、開口部４１２を形成した電極４１１が
上側に配置されていることにより、図１の構成に対して
上下逆になり、図２に示した基板投影配向方向は、対向
基板４０２上に投影したものと一致する。
【００４８】本実施形態においても、第１の実施形態と
同等な効果を得ることができる。
同等な効果を得ることができる。
【００４９】（第４の実施形態）図６は本発明による液
晶表示装置の第４の実施形態の１画素に対応する部分を
示す模式的断面図であり、図７はその一部除去模式的平
面図である。尚、図６は図７のＣ−Ｃ’の断面に対応す
る図である。
晶表示装置の第４の実施形態の１画素に対応する部分を
示す模式的断面図であり、図７はその一部除去模式的平
面図である。尚、図６は図７のＣ−Ｃ’の断面に対応す
る図である。
【００５０】本実施形態は、上記第３の実施形態とは、
以下の点が異なる。即ち、 １．図６、図７に示すように、電極開口部６０１，６０
２を画素電極６０３に形成する点： ２．図７に示すように、配向分割の境界線Ｄ−Ｄ’をゲ
ート配線５０１と平行な方向とし、配向分割境界線Ｄ−
Ｄ’の一部に切欠状の開口部６０１，６０２を配置する
点： ３．配向分割は図７における上下方向に関する２分割と
されており（光配向処理方向もこれに準ずる）、図８に
示すように、配向分割により形成された２つの領域Ｄ，
Ｅにおける液晶層の液晶分子６０４の開口部６０１，６
０２を形成した基板４０１への基板投影配向方向８０１
は、開口部に向かう向き( 矢印方向)となり、開口部６
０１，６０２の延在方向（図２の左右方向）となす角度
θｄ，θｅは、いずれも０°を越え１８０°未満であ
る。
以下の点が異なる。即ち、 １．図６、図７に示すように、電極開口部６０１，６０
２を画素電極６０３に形成する点： ２．図７に示すように、配向分割の境界線Ｄ−Ｄ’をゲ
ート配線５０１と平行な方向とし、配向分割境界線Ｄ−
Ｄ’の一部に切欠状の開口部６０１，６０２を配置する
点： ３．配向分割は図７における上下方向に関する２分割と
されており（光配向処理方向もこれに準ずる）、図８に
示すように、配向分割により形成された２つの領域Ｄ，
Ｅにおける液晶層の液晶分子６０４の開口部６０１，６
０２を形成した基板４０１への基板投影配向方向８０１
は、開口部に向かう向き( 矢印方向)となり、開口部６
０１，６０２の延在方向（図２の左右方向）となす角度
θｄ，θｅは、いずれも０°を越え１８０°未満であ
る。
【００５１】本実施形態においても、第１の実施形態と
同等な効果を得ることができる。
同等な効果を得ることができる。
【００５２】本発明は、アクティブマトリクス駆動、単
純マトリクス駆動、セグメント駆動等のあらゆる駆動方
式に応用できることは言うまでもない。
純マトリクス駆動、セグメント駆動等のあらゆる駆動方
式に応用できることは言うまでもない。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置においては、負の誘電率異方性を有する液晶を用い
た配向分割型の垂直配向方式を採用し、基板上に形成さ
れた電極には、その上に形成される配向膜での配向分割
により形成される分割領域どうしの境界において開口部
を形成しているので、配向分割領域どうしの境界での配
向不良領域を拡大させることなく各分割領域の配向を安
定的に規制し、各領域の配置の偏りを抑制することがで
き、従って、分割比が一定に保たれ、主に視角を変えた
場合に観測される画素単位での階調のばらつきを抑制す
ることができ、良好な広視野角特性を得ることができ、
更に良好な応答速度特性が得られる。
装置においては、負の誘電率異方性を有する液晶を用い
た配向分割型の垂直配向方式を採用し、基板上に形成さ
れた電極には、その上に形成される配向膜での配向分割
により形成される分割領域どうしの境界において開口部
を形成しているので、配向分割領域どうしの境界での配
向不良領域を拡大させることなく各分割領域の配向を安
定的に規制し、各領域の配置の偏りを抑制することがで
き、従って、分割比が一定に保たれ、主に視角を変えた
場合に観測される画素単位での階調のばらつきを抑制す
ることができ、良好な広視野角特性を得ることができ、
更に良好な応答速度特性が得られる。
【図１】本発明による液晶表示装置の第１の実施形態の
１画素に対応する部分を示す模式的断面図である。
１画素に対応する部分を示す模式的断面図である。
【図２】図１の液晶表示装置の液晶層内の液晶分子の配
向方向を示す模式的平面図である。
向方向を示す模式的平面図である。
【図３】本発明による液晶表示装置の第２の実施形態の
１画素に対応する部分を示す模式的断面図である。
１画素に対応する部分を示す模式的断面図である。
【図４】本発明による液晶表示装置の第３の実施形態の
１画素に対応する部分を示す模式的断面図である。
１画素に対応する部分を示す模式的断面図である。
【図５】図４の液晶表示装置の一部除去模式的平面図で
ある。
ある。
【図６】本発明による液晶表示装置の第４の実施形態の
１画素に対応する部分を示す模式的断面図である。
１画素に対応する部分を示す模式的断面図である。
【図７】図６の液晶表示装置の一部除去模式的平面図で
ある。
ある。
【図８】図６の液晶表示装置の液晶層内の液晶分子の配
向方向を示す模式的平面図である。
向方向を示す模式的平面図である。
【図９】光配向の原理の説明図である。
【図１０】光配向分割の説明図である。
【図１１】光配向分割で生ずる配向不良の説明図であ
る。
る。
１，２ 基板 ３，４ 電極 ５，５’ 開口部 １０，１１ 配向膜 １２，１３ 光学フィルム １４〜１６ 液晶分子 １７ 基板投影配向方向 ４０１，４０２ 基板 ４０３ ゲート電極 ４０４ ゲート絶縁膜 ４０５ 半導体層 ４０６ ドレイン電極 ４０７ ソース電極 ４０８ 画素電極 ４０９ パッシベーション膜 ４１０ 色層 ４１４，４１５ 配向膜 ４１１ 共通電極 ４１２，４１３ 開口部 ４１６，４１７ 光学フィルム ４１８ 液晶分子 ５０１ ゲート配線 ５０２ ドレイン配線 ６０１，６０２ 開口部 ６０３ 画素電極 ６０４ 液晶分子 ８０１ 基板投影配向方向
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H090 HB08Y HC06 HD14 LA02 LA04 LA06 LA09 MA01 MA15 MB14 2H092 GA05 HA04 JA24 KA05 MA05 MA13 NA01 NA04 PA02 PA10 PA11
Claims (13)
- 【請求項１】 負の誘電率異方性を有する液晶を用いた
配向分割型の垂直配向方式の液晶表示装置であって、表
面に電極が形成されその上に配向膜が形成されている２
枚の基板を前記配向膜どうしが対向するように配置して
おり、これら配向膜どうしの間に前記液晶が配置されて
おり、前記２枚の基板のうちの少なくとも一方に形成さ
れた電極には配向分割により形成される分割領域どうし
の境界において開口部が形成されていることを特徴とす
る液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記開口部は前記境界に沿って延在して
いることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項３】 前記開口部は前記境界に沿ってとびとび
に配置された複数の小開口部からなることを特徴とす
る、請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記小開口部の境界に沿った長さの合計
は前記境界の長さの１／３以上であることを特徴とす
る、請求項３に記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記開口部の幅は、該開口部が形成され
ている電極の上に形成された配向膜の前記境界近傍での
配向不良領域の幅より大きいことを特徴とする、請求項
１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記配向分割は光配向によるものである
ことを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の液
晶表示装置。 - 【請求項７】 前記境界のうちの少なくとも１つにおい
て、該境界の両側での前記分割領域の配向方向は、前記
開口部の形成されている電極から基板面法線方向に遠ざ
かるにつれて基板面内方向に前記開口部から遠ざかる方
向とされていることを特徴とする、請求項１〜６のいず
れかに記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 前記境界のうちの少なくとも１つにおい
て、該境界の両側での前記分割領域の配向方向は、前記
開口部の形成されている電極から基板面法線方向に遠ざ
かるにつれて基板面内方向に前記開口部に近づく方向と
されていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか
に記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】 前記２枚の基板の双方に形成された電極
に前記開口部が形成されており、前記境界のそれぞれに
は前記２枚の基板のうちの一方の電極開口部が配置され
ていることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記
載の液晶表示装置。 - 【請求項１０】 前記配向分割は複数の画素のそれぞれ
においてなされていることを特徴とする、請求項１〜９
のいずれかに記載の液晶表示装置。 - 【請求項１１】 前記２枚の基板のそれぞれには外側の
面に偏光板が付設されていることを特徴とする、請求項
１〜１０のいずれかに記載の液晶表示装置。 - 【請求項１２】 前記基板の外側の面と前記偏光板との
間に光学補償板が介在していることを特徴とする、請求
項１１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１３】 アクティブマトリクス駆動方式である
ことを特徴とする、請求項１〜１２のいずれかに記載の
液晶表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11080184A JP2000275646A (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | 液晶表示装置 |
| TW089105200A TW542934B (en) | 1999-03-24 | 2000-03-22 | LCD and manufacturing method thereof |
| US09/533,075 US6714271B1 (en) | 1999-03-24 | 2000-03-22 | Liquid crystal display having an in a pixel electrode along a boundary of differently oriented regions |
| KR1020000014704A KR100358872B1 (ko) | 1999-03-24 | 2000-03-23 | Ｌｃｄ 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11080184A JP2000275646A (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000275646A true JP2000275646A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13711290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11080184A Pending JP2000275646A (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | 液晶表示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6714271B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000275646A (ja) |
| KR (1) | KR100358872B1 (ja) |
| TW (1) | TW542934B (ja) |
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| JP2005309431A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-11-04 | Samsung Electronics Co Ltd | アレイ基板及びこれの製造方法と、これを有する液晶表示装置 |
| JP2008058998A (ja) * | 2007-11-16 | 2008-03-13 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置および電子機器 |
| JP2009003484A (ja) * | 2008-10-06 | 2009-01-08 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| US7586573B2 (en) | 2002-04-15 | 2009-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate for liquid crystal display and liquid crystal display having the same |
| JP2010033013A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-02-12 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示板および液晶表示装置 |
| US8189152B2 (en) | 2007-04-20 | 2012-05-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Production method of liquid crystal display device and liquid crystal display device |
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| FR2874446B1 (fr) * | 2004-08-17 | 2007-01-12 | Nemoptic Sa | Afficheur a cristal liquide perfectionne notamment par suppression d'effets nefastes sur les bords de zones adressees |
| KR20060057956A (ko) * | 2004-11-24 | 2006-05-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 홀을 구비하는 대향전극을 포함하는 액정표시장치 및 그의제조방법 |
| KR101157977B1 (ko) * | 2005-11-29 | 2012-06-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시패널의 제조방법 |
| JP4260219B2 (ja) * | 2006-05-16 | 2009-04-30 | シャープ株式会社 | 表示パネルの製造方法、表示パネルの製造装置、及び表示パネル |
| US20070268294A1 (en) * | 2006-05-16 | 2007-11-22 | Stephen Troy Eagen | Apparatus and method for topology navigation and change awareness |
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| KR101576982B1 (ko) | 2008-12-22 | 2015-12-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| KR101829778B1 (ko) * | 2011-06-29 | 2018-02-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 노광 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법 |
| TWI467293B (zh) | 2011-12-09 | 2015-01-01 | Chimei Innolux Corp | 液晶顯示器與其製法 |
| KR101937446B1 (ko) | 2012-04-19 | 2019-01-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
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1999
- 1999-03-24 JP JP11080184A patent/JP2000275646A/ja active Pending
-
2000
- 2000-03-22 US US09/533,075 patent/US6714271B1/en not_active Expired - Lifetime
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- 2000-03-23 KR KR1020000014704A patent/KR100358872B1/ko active IP Right Grant
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030716 |