JP2000269704A - 高周波回路素子 - Google Patents
高周波回路素子Info
- Publication number
- JP2000269704A JP2000269704A JP11071644A JP7164499A JP2000269704A JP 2000269704 A JP2000269704 A JP 2000269704A JP 11071644 A JP11071644 A JP 11071644A JP 7164499 A JP7164499 A JP 7164499A JP 2000269704 A JP2000269704 A JP 2000269704A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency circuit
- frequency
- order mode
- unnecessary
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/16—Auxiliary devices for mode selection, e.g. mode suppression or mode promotion; for mode conversion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
- H01L2924/1616—Cavity shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
不要高次モードが発生し高周波回路素子の周波数特性に
悪化するという課題を解決し、周波数特性の優れた高性
能な高周波回路素子を提供する。 【解決手段】 高周波回路が形成された基板15を内包
することにより前記高周波回路を電磁界的にシールドす
る筐体3の内部空間に、この内部空間を略分断する不要
高次モード遮断板1a〜1cを設けることにより、前記
筐体3の内部空間を伝播する高周波の伝播経路を遮断
し、高周波回路素子の周波数特性に悪影響を及ぼす不要
高次モードの励起・伝播を抑制する。
Description
の高周波信号処理装置に用いられるフィルタなどの高周
波回路素子に関する。
タや分波器などの高周波回路素子は不可欠の要素である
が、従来から用いられている共振器フィルタなどの高周
波回路素子では、電磁界エネルギーの放射や外界からの
電磁気的ノイズの混入を防ぐために、共振器部分を金属
筐体に納め、電磁気的にシールドする構造をとる場合が
多い。
従来の高周波回路素子の概略構成の一例を示す。なお、
図7では、この高周波回路素子の筐体内部の構造が見え
るように、図8に示した筐体蓋部81の図示を省略し
た。
高周波回路素子は、誘電体単結晶などからなる基板85
の上面に、ストリップ導体パターンによるλ/2共振器
86a〜86dと、入出力線路87a・87bとが形成
されている。λ/2共振器86a〜86dと、入出力線
路87a・87bと、グランドプレーン88とによっ
て、マイクロストリップ構造の高周波回路が構成されて
いる。この高周波回路は、4つのλ/2共振器86a〜
86dが結合した構造になっており、4段の帯域通過フ
ィルタとして機能する。
よって形成され、図8に示す筐体蓋部81、筐体枠部8
2、および筐体底部83からなる。この筐体とグランド
プレーン88とが電気的に接続されるよう、基板85が
筐体底部83に、例えば導電性の接着剤により接着され
ている。
による入出力端子84a・84bが配設されいる。入出
力端子84a・84bの内導体は入出力線路87a・8
7bに、入出力端子84a・84bの外導体は筐体に、
それぞれ電気的に接続されている。
ーンを使用した従来の高周波素子の他の例を示す。な
お、図9においても、この高周波回路素子の筐体内部の
構造が見えるように、図10に示した筐体蓋部81の図
示を省略した。図9および図10に示す構成では、8つ
のヘアピン型共振器89a〜89hを共振器として使用
し、8段の帯域通過フィルタを構成している。その他の
部分の構造は、図7および図8に示した従来の高周波回
路素子と同様である。
素子において、例えば入出力端子84aより高周波信号
が入力されると、マイクロストリップ導体伝送線路であ
る入出力線路87aを、図11に示すように、基本モー
ドである準TEMモードの電磁波が伝播する。なお、図
11は、入出力線路87aに垂直な面に沿って筐体を切
断したときの切断面を示すものであり、3次元電磁界シ
ミュレーション(ヒューレット・パッカード社製のHF
SS)による解析結果を基に、電界の向きを模式的に表
した図である。
ドの電磁波が、各共振器86a〜86dあるいは89a
〜89hにおいて共振現象を起こすことにより、帯域通
過フィルタとして動作する。したがって、フィルタの帯
域内信号のみが、入出力線路87a・87bを通過して
出力される。
た従来の高周波回路素子では、電磁波がストリップ導体
伝送線路を伝播する準TEMモードだけでなく、入出力
端子84a・84bから入出力線路87a・87bへの
変換部分の不連続性や、準TEMモードの放射電界成分
が原因となって、図12に示すように、筐体蓋部81と
基板85との間の空間部を電磁波が伝播する不要な高次
モードである導波管モードも励振され、高周波回路素子
の周波数特性に悪影響を及ぼすという問題がある。な
お、図12は、図11と同様に入出力線路87aに垂直
な面に沿って筐体を切断したときの切断面を示すもので
あり、3次元電磁界シミュレーションによる解析結果を
示す。
と異なり、フィルタの作用とは無関係なため、フィルタ
の通過帯域とは関係なく電磁波を伝播し、高周波回路素
子のフィルタとしての特性を悪化させる。特に、阻止帯
域の減衰量の低下、すなわちバックグラウンドレベルの
上昇が問題であり、フィルタの帯域外信号阻止能力の低
下が起こる。
の影響を低減させるためには、筐体蓋部81と基板85
との間の空間部の遮断周波数がフィルタの中心周波数よ
り十分高い周波数になるよう筐体の設計を行うことも考
えられるが、阻止帯域では例えば−80dB以下という
大きな減衰量が必要とされるため、わずかな高周波信号
の伝播も問題であり、遮断周波数を考慮した筐体の設計
のみによる対策では不十分である。
化したり、動作周波数を高くしたり、あるいは、低損失
化を図るために超伝導体のような導電率の大きな材料を
用いたりすることが必要な場合に、さらに顕著化する。
に、高周波回路素子の金属筐体の内部空間において不要
高次モードの発生を防止することにより、周波数特性の
優れた高性能な高周波回路素子を提供することを目的と
する。
め、本発明に係る高周波回路素子の第1の構成は、基板
と、前記基板に形成された高周波回路と、前記基板を内
包することにより前記高周波回路を電磁界的にシールド
する金属筐体と、前記金属筐体に配設され前記高周波回
路に高周波信号を入出力する入出力端子と、前記金属筐
体の内部空間を略分断することにより前記金属筐体の内
部空間における高周波の伝播経路を遮断する少なくとも
一つの不要高次モード遮断板とを有することを特徴とす
る。
ば、不要高次モード遮断板を有することにより、筐体内
部の空間部分で発生する導波管モードの電磁波の伝播が
抑制されるので、不要な高次モードの励起による周波数
特性の悪化を防ぐことができる。従って、周波数特性の
優れた高性能な高周波回路素子を提供することが可能と
なる。
において、不要高次モード遮断板が導体により構成され
ていることが望ましい。
せないことから、不要な高次モードの伝播を抑制する効
果を高めることができる。
成において、導体により構成された不要高次モード遮断
板が、前記金属筐体と電気的に接続されていることが望
ましい。
遮断板が、電磁波に対して電気壁として作用するため、
不要な高次モードの伝播を抑制する効果をよりいっそう
高めることができる。
において、不要高次モード遮断板が高誘電率誘電体によ
り構成されていることが望ましい。
いは吸収されることによって、電磁波が不要高次モード
遮断板を透過できないことから、不要な高次モードの伝
播を抑制する効果を高めることができる。
において、不要高次モード遮断板が、前記高周波回路の
少なくとも1つの入出力線路に略垂直にかかり、かつ前
記入出力線路と電気的に接触しないように配設されたこ
とが望ましい。
路との接続部が、共振器などの高周波回路の主要回路部
分と隔離されるため、接続部の不連続性が原因で励起さ
れる不要高次モードが高周波回路に悪影響を与えるのを
防ぐことができる。
において、不要高次モード遮断板が、前記高周波回路の
入出力線路に電気的に接触しないよう切り欠きを有する
ことが望ましい。
の下端部を、高周波回路が存在しない部分においては、
基板に接触する位置まで延長できるので、不要高次モー
ドを抑制する能力をよりいっそう高めることができる。
の構成は、基板と、前記基板に形成された高周波回路
と、前記基板を内包することにより前記高周波回路を電
磁界的にシールドする金属筐体と、前記金属筐体に配設
され前記高周波回路に高周波信号を入出力する入出力端
子と、前記金属筐体の内部空間において前記高周波回路
の少なくとも1つの入出力線路を覆うことにより高周波
の伝播を抑制する少なくとも1つの不要高次モード遮断
カバーとを有することを特徴とする。
バーを有することにより、筐体内部の空間部分で発生す
る導波管モードの電磁波の伝播が抑制されるので、不要
な高次モードの励起による周波数特性の悪化を防ぐこと
ができる。従って、周波数特性の優れた高性能な高周波
回路素子を提供することが可能となる。
において、不要高次モード遮断カバーが導体により構成
されていることが望ましい。
せないことから、不要な高次モードの伝播を抑制する効
果を高めることができる。
において、導体により構成された不要高次モード遮断カ
バーが、前記金属筐体と電気的に接続されていることが
望ましい。
遮断カバーが電磁波に対して電気壁として作用するた
め、不要な高次モードの伝播を抑制する効果をよりいっ
そう高めることができる。
において、不要高次モード遮断カバーが高誘電率誘電体
により構成されていることが望ましい。
いは吸収されることにより、電磁波が不要高次モード遮
断カバーを透過できないことから、不要な高次モードの
伝播を抑制する効果を高めることができる。
第2の構成において、高周波回路が高周波フィルタであ
ることが望ましい。
に不要な高次モードの励起が抑制されるため、帯域外の
周波数においてフィルタの作用にかからない高次モード
が伝播し出力されてしまうことを防ぐことができるの
で、帯域外の減衰特性の優れたフィルタを実現すること
ができる。
は第2の構成において、高周波回路の高周波フィルタ
が、互いに結合された複数の平面回路共振器を有するこ
とが望ましい。
起される不要高次モードが入出力線路入射されて入出力
端子より出力されるのを防ぐことができるため、帯域外
の周波数においてフィルタの作用にかからない高次モー
ドが伝播し出力されてしまうことを防ぐことができる。
これにより、帯域外の減衰特性の優れたフィルタを実現
することができる。
第2の構成において、高周波回路が超伝導高周波フィル
タであることが望ましい。
劇的に低減することが可能となり、低損失、かつ、急峻
なスカート特性を実現できる。
て、図面を参照しながら説明する。
明の実施の一形態にかかる高周波回路素子の概略構成を
示す。なお、図1において、筐体の内部構造が見えるよ
うに、図2に示した筐体蓋部11の図示を省略した。
の高周波回路素子は、誘電体単結晶などからなる基板1
5の上面に、ストリップ導体パターンによるヘアピン型
共振器16a〜16hおよび入出力線路17a・17b
が形成されている。これらのヘアピン型共振器16a〜
16hと、入出力線路17a・17bと、グランドプレ
ーン18により、マイクロストリップ構造の高周波回路
が構成されている。この高周波回路は、8つのヘアピン
型共振器16a〜16hが結合した構造になっており、
8段の帯域通過フィルタとして機能する。
回路を内包して電磁気的にシールドする筐体を備えてい
る。この筐体は、導体材料により形成され、図2に示す
ように、筐体蓋部11、筐体枠部12、および筐体底部
13から構成される。この筐体とグランドプレーン18
とが電気的に接続されるように、基板15が筐体底部1
3に、例えば導電性の接着剤により固定されている。
クターによる入出力端子14a・14bが配設されてい
る。入出力端子14a・14bの内導体は、入出力線路
17a・17bに、入出力端子14a・14bの外導体
は、筐体枠部12に電気的に接続されている。
なる不要高次モード遮断板1a〜1cを備えている。不
要高次モード遮断板1a〜1cは、筐体に電気的に接続
されるよう例えば導電性の接着剤により筐体枠部12に
固定され、筐体の内部空間を略分断することによって、
高周波の伝播経路を遮断する。
うち、中央に位置する不要高次モード遮断板1bは、ヘ
アピン型共振器16aと16hとの間に配置される。こ
のため、不要高次モード遮断板1bは、高周波回路のス
トリップ導体(ヘアピン型共振器16a〜16h)に接
触しないように、基板15との間に一定の間隙を保っ
て、筐体枠部12に固定される。
板1a・1cは、ヘアピン型共振器16aおよび16h
のそれぞれよりも外側、すなわち入出力線路17a・1
7bを跨ぐように配置される。このため、不要高次モー
ド遮断板1a・1cは、入出力線路17a・17bに接
触しないように半円形の切り欠き部を持つ。不要高次モ
ード遮断板1a・1cにおける切り欠き部以外の下端部
は、基板15との間に間隙が生じないように、基板15
の表面に密着して配設されている。
は、入出力線路17a・17bに対して略垂直に設ける
ことが好ましい。これにより、入出力端子14a・14
bと入出力線路17a・17bとの接続部が、高周波回
路の主要回路であるヘアピン型共振器16aおよび16
hと隔離されるので、接続部の不連続性が原因で励起さ
れる不要高次モードの電磁波が高周波回路に悪影響を与
えるのを防止できる。
不要高次モード遮断板1a〜1cを、筐体枠部12に電
気的に接続した構成とすることにより、不要高次モード
遮断板1a〜1cが電磁波に対して電気壁として作用す
るため、不要な高次モードの伝播を抑制する効果が向上
する。
高誘電率誘電体により形成することが好ましい。この構
成によれば、電磁波が誘電体により反射あるいは吸収さ
れて不要高次モード遮断板1a〜1cを透過できないこ
とから、不要な高次モードの伝播を抑制する効果を高め
ることができる。なお、誘電率が高くなるほど反射係数
が大きくなるので効果が増大し、比誘電率が約10以上
の高誘電率誘電体を用いれば、誘電体境界上での反射係
数が約0.5以上となり、顕著な効果が得られるので特
に好ましい。
の高周波回路素子の動作について説明する。
4bを出力側としたとすると、入出力端子14aから入
力された高周波信号は、同軸線路の基本モードであるT
EMモードから、マイクロストリップ線路の基本モード
である準TEMモード(図11参照)に変換され、入出
力線路17aに沿って伝播し、高周波回路に入力され
る。
16hの各々が共振現象を起こすことにより、帯域通過
フィルタとして動作する。従って、入出力線路17b
に、帯域フィルタの通過帯域に相当する周波数帯域の信
号のみが、準TEMモードで出力され、再びTEMモー
ドに変換されて入出力端子14bから出力される。
び筐体底部13から構成される筐体は、入出力線路17
a・17bおよび高周波回路を構成するマイクロストリ
ップ導体(ヘアピン型共振器16a〜16h)からの高
周波信号の放射による電磁界エネルギーの損失や外界か
らの電磁気的ノイズの混入を防ぐ役割を持つ。
クロストリップ導体の基本モードで動作するが、入出力
端子14aから入出力線路17aへの伝播モード変換
や、マイクロストリップ導体からの電磁波の放射によ
り、基本モード以外の不要な高次モードである、筐体を
矩形導波管とした導波管モード(図12参照)が発生す
ることを防止する必要がある。
は、不要高次モード遮断板1a〜1cが、基板15と筐
体との間の空間を伝播する電磁波に対して電気壁として
作用することにより、このような不要な高次モードの電
磁波が伝播することを防ぐことができる。
の効果を確かめるための比較実験の結果について、図3
および図4を用いて説明する。
の高周波回路素子を、以下のような条件で作成した。
m、長辺の長さが25.4mm、厚さが0.5mm、誘
電率が24の高誘電率誘電体であるLaAl2O3を用
い、その一方の表面に超伝導体であるYBCOを蒸着す
ることによりグランドプレーン18を形成した。また、
基板15の他の表面に、同じく超伝導体であるYBCO
により0.5mm幅の入出力線路17a・17bおよび
中心周波数1.9GHzの帯域通過フィルタとして設計
されたヘアピン型共振器16a〜16hを蒸着およびエ
ッチング等により形成した。
処理することにより、筐体を作成した。なお、筐体の外
形寸法を37.8mm×25.1mm×15mmとし、
内側寸法を25.6mm×12.9mm×4.1mmと
した。
キ処理することにより、不要高次モード遮断板1a・1
cを作成した。不要高次モード遮断板1a・1cの各々
は、長辺の長さを12.9mm、短辺の長さを3.6m
m、厚さを0.3mmとし、切り欠き部の半径を2mm
とした。
処理することにより、長辺の長さが12.9mm、短辺
の長さが3.3mm、厚さが0.3mmの不要高次モー
ド遮断板1bを作成した。
を、筐体の入出力端子14a・14bが各々設けられた
面の内側面より3mm離れた位置に設置し、不要高次モ
ード遮断板1bを、不要高次モード遮断板1a・1cの
中央に設置した。
回路素子の周波数特性を測定すると、図3に示すとおり
となった。なお、測定は、絶対温度64Kの冷却環境下
で行った。
断板1a〜1cを設けない以外は、上記した条件と同一
条件によって高周波回路素子を作成し、絶対温度64K
の冷却環境下において、周波数特性を測定すると、図4
に示すとおりの結果が得られた。
ように、本実施形態の高周波回路素子は、不要高次モー
ド遮断板1a〜1cの効果により、阻止帯域の減衰量
が、従来の約−70dBから約−80dBへと、−10
dB程度改善されており、フィルタとして、帯域外の不
要な周波数帯域の信号を除去する能力が向上したことが
分かる。
回路素子は、不要高次モード遮断板1a〜1cを備えた
ことにより、周波数特性の改善が達成されている。
断板1a〜1cを別個に形成し、導電性接着剤等によっ
て筐体枠部12と接着固定するものとしたが、導電性接
着剤の代わりに導電性のネジを用いてもよい。また、固
定先は筐体枠部12に限らず、例えば、不要高次モード
遮断板1a〜1cを筐体蓋部11に導電性接着剤または
ネジにより固定し、筐体枠部12に金属接触させて導通
をとる構造とすることも可能である。あるいは、不要高
次モード遮断板1a〜1cを筐体と一体形成することも
可能である。
その設置位置、さらに、切り欠き部の形状や寸法、板
厚、材料の導電率等の最適値は、高周波回路の構造や筐
体の構造により異なるので、上記した具体例にのみ限定
されるものではない。つまり、上記の説明では、直方体
形状の筐体内部空間を不要高次モード遮断板により3つ
に略分断した構成を例示したが、これに限らず、入出力
端子14aおよび入出力線路17aの接続部分(不連続
部)と、入出力端子14bおよび入出力線路17bの接
続部分(不連続部)とが、互いに異なる空間に属するよ
うに分断あるいは隔離される構成であれば、周波数特性
の改善効果が得られる。
3枚に限られるわけでない。また、不要高次モード遮断
板の形状も、上述した形状に限定されるものではなく、
切り欠き部の形状も半円形に限定されず、例えば三角形
状等であっても効果を発揮し得ることは言うまでもな
い。
ても、導体に限られるわけではなく、電磁波を透過させ
ない性質の材料であればよい。従って、電磁波を反射あ
るいは吸収する性質を持つ、高誘電率誘電体を用いても
よい。例えば、誘電率が24のLaAl2O3の板材を基
板と同様に切り出したものを使用しても、同様の効果を
発揮する。
明の実施の他の形態にかかる高周波回路素子の概略構成
を示す。なお、図5においては、筐体の内部構造が見え
るように、図6に示した筐体蓋部11の図示を省略し
た。
態1にかかる高周波回路素子が備える不要高次モード遮
断板1a〜1cの代わりに、図6に示すように、導体材
料により形成された不要高次モード遮断カバー2a・2
bを備えている。その他の部分の構造は、図1および図
2に示した実施の形態1にかかる高周波回路素子と同様
であるので、説明は省略する。
半円筒形状で、基板15上の入出力線路17a・17b
をそれぞれ覆うように配設され、筐体に電気的に接続さ
れるよう、例えば導電性の接着剤により、筐体枠部12
における入出力端子14a・14bが接続されている面
の内側面にそれぞれ固定されている。
路を構成するヘアピン型共振器16a〜16hの作用に
より、帯域通過フィルタとして動作する点においては、
実施の形態1の高周波回路素子と同様である。また、本
実施形態の高周波回路素子においても、入出力端子14
aから入出力線路17aへの伝播モード変換の際に励起
される電磁波や、マイクロストリップ導体すなわちヘア
ピン型共振器16a〜16hからの電磁波の放射によ
り、基本モード以外の不要な高次モードである、筐体を
矩形導波管とした導波管モード(図12参照)の発生を
防止することが必要である。
端子14aを入力側、入出力端子14bを出力側とした
場合、入出力線路17aを覆うように設けられた不要高
次モード遮断板カバー2aが、入出力端子14aから入
出力線路17aへの伝播モード変換の際に励起される高
次モードの電磁波の放散を抑制する作用を持つ。
られた不要高次モード遮断カバー2bは、マイクロスト
リップ導体であるヘアピン型共振器16a〜16hから
の電磁波の放射により励起される高次モードの電磁波
が、入出力線路17bへ入射することを抑制する作用を
持つ。
の伝播を抑制することができるので、フィルタの帯域外
特性が悪化することを防止できるという効果が得られ
る。
板15、ヘアピン型共振器16a〜16h、筐体蓋部1
1、筐体枠部12、筐体底部13、入出力端子14a・
14bの材料、形状、寸法等を、実施の形態1で説明し
た比較実験用の条件と同様の条件とし、不要高次モード
遮断カバー2a・2bを、黄銅を機械加工して製作した
内径4mm、厚さ0.5mm、長さ3mmの半円筒とし
て周波数特性を測定したところ、図3と同様の結果が得
られた。
要高次モード遮断カバー2a・2bを持たない構成によ
る周波数特性と比較すると、阻止帯域の減衰量が−10
dB程度改善され、フィルタとして、帯域外の不要な周
波数帯域の信号を除去する能力が向上していることが分
かる。
路素子は、不要高次モード遮断カバー2a・2bを備え
たことにより、周波数特性の改善が達成されている。
bを高誘電率誘電体により形成することが好ましい。こ
の構成によれば、電磁波が誘電体により反射あるいは吸
収されて不要高次モード遮断カバー2a・2bを透過で
きないことから、不要な高次モードの伝播を抑制する効
果を高めることができる。なお、誘電率が高くなるほど
反射係数が大きくなるので効果が増大し、比誘電率が約
10以上の高誘電率誘電体を用いれば、誘電体境界上で
の反射係数が約0.5以上となり、顕著な効果が得られ
るので特に好ましい。
断カバー2a・2bは別部品とし、筐体に接着すると述
べたが、これに限らず、筐体と一体成形することも可能
である。また、その形状の例として半円筒形状の構成を
図示したが、コの字断面形状など他の形状であっても同
様の効果を発揮し得ることは言うまでもない。
寸法、および材料の導電率等の最適値は、高周波回路の
構造や、筐体の構造により異なるので、本実施形態に記
述した具体例のみに限定されるものではない。
型共振器を複数結合してなるストリップ導体パターンの
高周波回路を有する高周波回路素子を例にとって説明し
たが、高周波回路はストリップ導体パターンに限らず、
λ/2共振器など、その他の共振器構造を基本とした回
路構造としてもよく、同様の効果を発揮する。
ロストリップ構造に限られるわけでなく、コプレーナ構
造などの他の平面回路構造やマイクロ波半導体集積回路
構造としてもよく、同様の効果を発揮する。さらに、高
周波回路は、共振器によるフィルタに限られるわけでは
なく、増幅器、アイソレータ等その他の高周波回路であ
ってもよく、同様の効果を発揮する。
高周波回路素子によれば、不要高次モード遮断板あるい
は不要高次モード遮断カバーを有することにより、筐体
内部の空間部分で発生する導波管モードなどの不要な高
次モードの励起および伝播が抑制されるので、不要な高
次モードによる周波数特性の悪化が少なく、周波数特性
の優れた高性能な高周波回路素子を提供することができ
る。
播を抑制する機能は、動作周波数がより高い場合や高周
波回路の導体材料として低損失な超伝導材料を使う場合
など、より高度な仕様条件下においても有効に機能する
ため、本発明に係る高周波回路素子によれば、ミリ波な
どの超高周波で動作可能で、かつ、よりいっそう低損失
な高周波回路素子を実現することができる。
素子の概略構成を示す斜視図
の分解斜視図
の周波数特性を示すグラフ
との比較のために、不要高次モード遮断板を備えない高
周波回路素子の周波数特性を示すグラフ
素子の概略構成を示す斜視図
の分解斜視図
す斜視図
示す斜視図
子を示す説明図
を示す説明図
Claims (13)
- 【請求項1】 基板と、前記基板に形成された高周波回
路と、前記基板を内包することにより前記高周波回路を
電磁界的にシールドする金属筐体と、前記金属筐体に配
設され前記高周波回路に高周波信号を入出力する入出力
端子と、前記金属筐体の内部空間を略分断することによ
り前記金属筐体の内部空間における高周波の伝播経路を
遮断する少なくとも一つの不要高次モード遮断板とを有
することを特徴とする高周波回路素子。 - 【請求項2】 前記不要高次モード遮断板が導体により
構成されている請求項1に記載の高周波回路素子。 - 【請求項3】 前記不要高次モード遮断板が前記金属筐
体と電気的に接続されている請求項2に記載の高周波回
路素子。 - 【請求項4】 前記不要高次モード遮断板が高誘電率誘
電体により構成されている請求項1に記載の高周波回路
素子。 - 【請求項5】 前記不要高次モード遮断板が、前記高周
波回路の少なくとも1つの入出力線路に略垂直にかか
り、かつ前記入出力線路と電気的に接触しないように配
設された請求項1に記載の高周波回路素子。 - 【請求項6】 前記不要高次モード遮断板が、前記高周
波回路の入出力線路に電気的に接触しないよう切り欠き
を有する請求項5に記載の高周波回路素子。 - 【請求項7】 基板と、前記基板に形成された高周波回
路と、前記基板を内包することにより前記高周波回路を
電磁界的にシールドする金属筐体と、前記金属筐体に配
設され前記高周波回路に高周波信号を入出力する入出力
端子と、前記金属筐体の内部空間において前記高周波回
路の少なくとも1つの入出力線路を覆うことにより高周
波の伝播を抑制する少なくとも1つの不要高次モード遮
断カバーとを有することを特徴とする高周波回路素子。 - 【請求項8】 前記不要高次モード遮断カバーが導体に
より構成されている請求項7に記載の高周波回路素子。 - 【請求項9】 前記不要高次モード遮断カバーが前記金
属筐体と電気的に接続されている請求項8に記載の高周
波回路素子。 - 【請求項10】 前記不要高次モード遮断カバーが高誘
電率誘電体により構成されている請求項7に記載の高周
波回路素子。 - 【請求項11】 前記高周波回路が高周波フィルタであ
る請求項1または請求項7に記載の高周波回路素子。 - 【請求項12】 前記高周波フィルタが、互いに結合さ
れた複数の平面回路共振器を有する請求項11に記載の
高周波回路素子。 - 【請求項13】 前記高周波回路が超伝導高周波フィル
タである請求項1または請求項7に記載の高周波回路素
子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07164499A JP3929197B2 (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | 高周波回路素子 |
US09/523,132 US6741142B1 (en) | 1999-03-17 | 2000-03-10 | High-frequency circuit element having means for interrupting higher order modes |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07164499A JP3929197B2 (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | 高周波回路素子 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000269704A true JP2000269704A (ja) | 2000-09-29 |
JP2000269704A5 JP2000269704A5 (ja) | 2005-08-18 |
JP3929197B2 JP3929197B2 (ja) | 2007-06-13 |
Family
ID=13466556
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07164499A Expired - Fee Related JP3929197B2 (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | 高周波回路素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6741142B1 (ja) |
JP (1) | JP3929197B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1309117C (zh) * | 2004-05-19 | 2007-04-04 | 富士通株式会社 | 超导滤波器 |
JP2011035510A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Fujitsu General Ltd | 高周波フィルタ |
US8938277B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-01-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Planar microstrip filter disposed in a case and having movable structural components spaced at intervals relative to the filter |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2003259016A1 (en) * | 2002-10-03 | 2004-04-23 | Amplus Communication Pte Ltd | Radio frequency transceivers |
JP3998602B2 (ja) * | 2003-05-21 | 2007-10-31 | 株式会社東芝 | 超伝導フィルタ |
KR100598446B1 (ko) * | 2004-12-01 | 2006-07-11 | 한국전자통신연구원 | 밀리미터파 대역 평면형 필터용 에어 캐비티 모듈 |
US7583165B2 (en) * | 2005-02-07 | 2009-09-01 | Tessera, Inc. | High Q cavity resonators for microelectronics |
JP4575247B2 (ja) * | 2005-07-11 | 2010-11-04 | 株式会社東芝 | 高周波パッケージ装置 |
CN103546112B (zh) | 2007-06-27 | 2016-05-18 | 谐振公司 | 低损耗可调射频滤波器 |
US8198956B2 (en) * | 2008-08-05 | 2012-06-12 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Compact planar microwave blocking filters |
KR100960044B1 (ko) * | 2008-10-21 | 2010-05-31 | 국방과학연구소 | 전송선로에 3차원 dgs를 갖는 공진기 |
KR101810508B1 (ko) * | 2016-05-12 | 2017-12-20 | 주식회사 케이엠더블유 | 안테나 케이블 연결 모듈 및 안테나 케이블 연결 모듈 제작방법 |
US20230046599A1 (en) * | 2020-01-24 | 2023-02-16 | Qdevil Aps | A multi channel filter for low electron temperatures |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3638148A (en) * | 1970-06-25 | 1972-01-25 | Collins Radio Co | Lid interaction protected shield enclosed dielectric mounted microstrip |
US4268803A (en) * | 1979-05-24 | 1981-05-19 | Communications Satellite Corporation | Periodic lid for integrated circuit |
JPS60210853A (ja) * | 1984-03-06 | 1985-10-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JP2685217B2 (ja) * | 1988-04-14 | 1997-12-03 | 株式会社東芝 | 画面表示装置を備えたプロセス計算機システム |
US5030935A (en) * | 1989-05-11 | 1991-07-09 | Ball Corporation | Method and apparatus for dampening resonant modes in packaged microwave circuits |
JP2908853B2 (ja) * | 1990-08-15 | 1999-06-21 | 出光興産株式会社 | 除草剤組成物 |
JPH04113705A (ja) * | 1990-09-03 | 1992-04-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波多段増幅器 |
US5164358A (en) * | 1990-10-22 | 1992-11-17 | Westinghouse Electric Corp. | Superconducting filter with reduced electromagnetic leakage |
US5222294A (en) * | 1990-12-03 | 1993-06-29 | Motorola, Inc. | High isolation packaging method |
JPH057101A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 電子回路用容器 |
-
1999
- 1999-03-17 JP JP07164499A patent/JP3929197B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-03-10 US US09/523,132 patent/US6741142B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1309117C (zh) * | 2004-05-19 | 2007-04-04 | 富士通株式会社 | 超导滤波器 |
US7218184B2 (en) | 2004-05-19 | 2007-05-15 | Fujitsu Limited | Superconducting filter |
JP2011035510A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Fujitsu General Ltd | 高周波フィルタ |
US8938277B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-01-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Planar microstrip filter disposed in a case and having movable structural components spaced at intervals relative to the filter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6741142B1 (en) | 2004-05-25 |
JP3929197B2 (ja) | 2007-06-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1394892B1 (en) | Waveguide type ortho mode transducer | |
US6700461B2 (en) | Dielectric resonator filter | |
KR101010401B1 (ko) | 유전체 모노-블럭 트리플-모드 마이크로웨이브 딜레이 필터 | |
JP3929197B2 (ja) | 高周波回路素子 | |
WO2002058185A1 (fr) | Element de circuit haute frequence et module de circuit haute frequence | |
US11063330B2 (en) | Filter | |
JP2005260570A (ja) | マイクロストリップ線路導波管変換器 | |
CN112928409A (zh) | 具有宽阻带和高选择性的微带带通滤波器 | |
KR20060048273A (ko) | Finline 타입의 마이크로파 대역통과 필터 | |
JP3786031B2 (ja) | 高周波回路装置および送受信装置 | |
KR100401964B1 (ko) | 필터, 멀티플렉서 및 통신 장치 | |
JP4042800B2 (ja) | 高周波回路装置および送受信装置 | |
JPH1013105A (ja) | 高周波フィルタ | |
JP3013798B2 (ja) | 交差線路 | |
JP4262192B2 (ja) | 非導波管線路−導波管変換器 | |
JPH0785521B2 (ja) | 低域フイルタ導波管型ダイオ−ドリミツタ | |
CA2332758A1 (en) | Sheet-metal filter | |
EP1581980B1 (en) | Waveguide e-plane rf bandpass filter with pseudo-elliptic response | |
JP6144456B2 (ja) | 高周波モジュール | |
Vincent et al. | Meandered line microstrip filter with suppression of harmonic passband response | |
JP2000091806A (ja) | バンドエリミネーションフィルタ | |
JP2004228891A (ja) | 誘電体フィルタ | |
CN114824703B (zh) | 基于缺陷地结构的双通带宽阻带滤波器 | |
JP2019102886A (ja) | 分岐回路 | |
JP2001358501A (ja) | ストリップ線路フィルタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050131 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050131 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060524 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060529 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060926 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061031 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070227 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070306 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100316 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110316 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110316 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120316 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130316 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130316 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140316 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |