JP2000269704A - 高周波回路素子 - Google Patents
高周波回路素子Info
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波回路素子において金属筐体の空間部に
不要高次モードが発生し高周波回路素子の周波数特性に
悪化するという課題を解決し、周波数特性の優れた高性
能な高周波回路素子を提供する。 【解決手段】 高周波回路が形成された基板１５を内包
することにより前記高周波回路を電磁界的にシールドす
る筐体３の内部空間に、この内部空間を略分断する不要
高次モード遮断板１ａ〜１ｃを設けることにより、前記
筐体３の内部空間を伝播する高周波の伝播経路を遮断
し、高周波回路素子の周波数特性に悪影響を及ぼす不要
高次モードの励起・伝播を抑制する。
不要高次モードが発生し高周波回路素子の周波数特性に
悪化するという課題を解決し、周波数特性の優れた高性
能な高周波回路素子を提供する。 【解決手段】 高周波回路が形成された基板１５を内包
することにより前記高周波回路を電磁界的にシールドす
る筐体３の内部空間に、この内部空間を略分断する不要
高次モード遮断板１ａ〜１ｃを設けることにより、前記
筐体３の内部空間を伝播する高周波の伝播経路を遮断
し、高周波回路素子の周波数特性に悪影響を及ぼす不要
高次モードの励起・伝播を抑制する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、通信システムなど
の高周波信号処理装置に用いられるフィルタなどの高周
波回路素子に関する。
の高周波信号処理装置に用いられるフィルタなどの高周
波回路素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波通信システムにおいては、フィル
タや分波器などの高周波回路素子は不可欠の要素である
が、従来から用いられている共振器フィルタなどの高周
波回路素子では、電磁界エネルギーの放射や外界からの
電磁気的ノイズの混入を防ぐために、共振器部分を金属
筐体に納め、電磁気的にシールドする構造をとる場合が
多い。
タや分波器などの高周波回路素子は不可欠の要素である
が、従来から用いられている共振器フィルタなどの高周
波回路素子では、電磁界エネルギーの放射や外界からの
電磁気的ノイズの混入を防ぐために、共振器部分を金属
筐体に納め、電磁気的にシールドする構造をとる場合が
多い。
【０００３】図７および図８に、伝送線路構造を用いた
従来の高周波回路素子の概略構成の一例を示す。なお、
図７では、この高周波回路素子の筐体内部の構造が見え
るように、図８に示した筐体蓋部８１の図示を省略し
た。
従来の高周波回路素子の概略構成の一例を示す。なお、
図７では、この高周波回路素子の筐体内部の構造が見え
るように、図８に示した筐体蓋部８１の図示を省略し
た。
【０００４】図７および図８に示すように、上記従来の
高周波回路素子は、誘電体単結晶などからなる基板８５
の上面に、ストリップ導体パターンによるλ／２共振器
８６ａ〜８６ｄと、入出力線路８７ａ・８７ｂとが形成
されている。λ／２共振器８６ａ〜８６ｄと、入出力線
路８７ａ・８７ｂと、グランドプレーン８８とによっ
て、マイクロストリップ構造の高周波回路が構成されて
いる。この高周波回路は、４つのλ／２共振器８６ａ〜
８６ｄが結合した構造になっており、４段の帯域通過フ
ィルタとして機能する。
高周波回路素子は、誘電体単結晶などからなる基板８５
の上面に、ストリップ導体パターンによるλ／２共振器
８６ａ〜８６ｄと、入出力線路８７ａ・８７ｂとが形成
されている。λ／２共振器８６ａ〜８６ｄと、入出力線
路８７ａ・８７ｂと、グランドプレーン８８とによっ
て、マイクロストリップ構造の高周波回路が構成されて
いる。この高周波回路は、４つのλ／２共振器８６ａ〜
８６ｄが結合した構造になっており、４段の帯域通過フ
ィルタとして機能する。
【０００５】この高周波回路素子の筐体は、導体材料に
よって形成され、図８に示す筐体蓋部８１、筐体枠部８
２、および筐体底部８３からなる。この筐体とグランド
プレーン８８とが電気的に接続されるよう、基板８５が
筐体底部８３に、例えば導電性の接着剤により接着され
ている。
よって形成され、図８に示す筐体蓋部８１、筐体枠部８
２、および筐体底部８３からなる。この筐体とグランド
プレーン８８とが電気的に接続されるよう、基板８５が
筐体底部８３に、例えば導電性の接着剤により接着され
ている。
【０００６】筐体枠部８２の側面には、同軸コネクター
による入出力端子８４ａ・８４ｂが配設されいる。入出
力端子８４ａ・８４ｂの内導体は入出力線路８７ａ・８
７ｂに、入出力端子８４ａ・８４ｂの外導体は筐体に、
それぞれ電気的に接続されている。
による入出力端子８４ａ・８４ｂが配設されいる。入出
力端子８４ａ・８４ｂの内導体は入出力線路８７ａ・８
７ｂに、入出力端子８４ａ・８４ｂの外導体は筐体に、
それぞれ電気的に接続されている。
【０００７】図９および図１０に、ストリップ導体パタ
ーンを使用した従来の高周波素子の他の例を示す。な
お、図９においても、この高周波回路素子の筐体内部の
構造が見えるように、図１０に示した筐体蓋部８１の図
示を省略した。図９および図１０に示す構成では、８つ
のヘアピン型共振器８９ａ〜８９ｈを共振器として使用
し、８段の帯域通過フィルタを構成している。その他の
部分の構造は、図７および図８に示した従来の高周波回
路素子と同様である。
ーンを使用した従来の高周波素子の他の例を示す。な
お、図９においても、この高周波回路素子の筐体内部の
構造が見えるように、図１０に示した筐体蓋部８１の図
示を省略した。図９および図１０に示す構成では、８つ
のヘアピン型共振器８９ａ〜８９ｈを共振器として使用
し、８段の帯域通過フィルタを構成している。その他の
部分の構造は、図７および図８に示した従来の高周波回
路素子と同様である。
【０００８】以上のように構成された従来の高周波回路
素子において、例えば入出力端子８４ａより高周波信号
が入力されると、マイクロストリップ導体伝送線路であ
る入出力線路８７ａを、図１１に示すように、基本モー
ドである準ＴＥＭモードの電磁波が伝播する。なお、図
１１は、入出力線路８７ａに垂直な面に沿って筐体を切
断したときの切断面を示すものであり、３次元電磁界シ
ミュレーション（ヒューレット・パッカード社製のＨＦ
ＳＳ）による解析結果を基に、電界の向きを模式的に表
した図である。
素子において、例えば入出力端子８４ａより高周波信号
が入力されると、マイクロストリップ導体伝送線路であ
る入出力線路８７ａを、図１１に示すように、基本モー
ドである準ＴＥＭモードの電磁波が伝播する。なお、図
１１は、入出力線路８７ａに垂直な面に沿って筐体を切
断したときの切断面を示すものであり、３次元電磁界シ
ミュレーション（ヒューレット・パッカード社製のＨＦ
ＳＳ）による解析結果を基に、電界の向きを模式的に表
した図である。
【０００９】入出力線路８７ａを伝播した準ＴＥＭモー
ドの電磁波が、各共振器８６ａ〜８６ｄあるいは８９ａ
〜８９ｈにおいて共振現象を起こすことにより、帯域通
過フィルタとして動作する。したがって、フィルタの帯
域内信号のみが、入出力線路８７ａ・８７ｂを通過して
出力される。
ドの電磁波が、各共振器８６ａ〜８６ｄあるいは８９ａ
〜８９ｈにおいて共振現象を起こすことにより、帯域通
過フィルタとして動作する。したがって、フィルタの帯
域内信号のみが、入出力線路８７ａ・８７ｂを通過して
出力される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の高周波回路素子では、電磁波がストリップ導体
伝送線路を伝播する準ＴＥＭモードだけでなく、入出力
端子８４ａ・８４ｂから入出力線路８７ａ・８７ｂへの
変換部分の不連続性や、準ＴＥＭモードの放射電界成分
が原因となって、図１２に示すように、筐体蓋部８１と
基板８５との間の空間部を電磁波が伝播する不要な高次
モードである導波管モードも励振され、高周波回路素子
の周波数特性に悪影響を及ぼすという問題がある。な
お、図１２は、図１１と同様に入出力線路８７ａに垂直
な面に沿って筐体を切断したときの切断面を示すもので
あり、３次元電磁界シミュレーションによる解析結果を
示す。
た従来の高周波回路素子では、電磁波がストリップ導体
伝送線路を伝播する準ＴＥＭモードだけでなく、入出力
端子８４ａ・８４ｂから入出力線路８７ａ・８７ｂへの
変換部分の不連続性や、準ＴＥＭモードの放射電界成分
が原因となって、図１２に示すように、筐体蓋部８１と
基板８５との間の空間部を電磁波が伝播する不要な高次
モードである導波管モードも励振され、高周波回路素子
の周波数特性に悪影響を及ぼすという問題がある。な
お、図１２は、図１１と同様に入出力線路８７ａに垂直
な面に沿って筐体を切断したときの切断面を示すもので
あり、３次元電磁界シミュレーションによる解析結果を
示す。
【００１１】こうした導波管モードは、準ＴＥＭモード
と異なり、フィルタの作用とは無関係なため、フィルタ
の通過帯域とは関係なく電磁波を伝播し、高周波回路素
子のフィルタとしての特性を悪化させる。特に、阻止帯
域の減衰量の低下、すなわちバックグラウンドレベルの
上昇が問題であり、フィルタの帯域外信号阻止能力の低
下が起こる。
と異なり、フィルタの作用とは無関係なため、フィルタ
の通過帯域とは関係なく電磁波を伝播し、高周波回路素
子のフィルタとしての特性を悪化させる。特に、阻止帯
域の減衰量の低下、すなわちバックグラウンドレベルの
上昇が問題であり、フィルタの帯域外信号阻止能力の低
下が起こる。
【００１２】こうした導波管モード（不要高次モード）
の影響を低減させるためには、筐体蓋部８１と基板８５
との間の空間部の遮断周波数がフィルタの中心周波数よ
り十分高い周波数になるよう筐体の設計を行うことも考
えられるが、阻止帯域では例えば−８０ｄＢ以下という
大きな減衰量が必要とされるため、わずかな高周波信号
の伝播も問題であり、遮断周波数を考慮した筐体の設計
のみによる対策では不十分である。
の影響を低減させるためには、筐体蓋部８１と基板８５
との間の空間部の遮断周波数がフィルタの中心周波数よ
り十分高い周波数になるよう筐体の設計を行うことも考
えられるが、阻止帯域では例えば−８０ｄＢ以下という
大きな減衰量が必要とされるため、わずかな高周波信号
の伝播も問題であり、遮断周波数を考慮した筐体の設計
のみによる対策では不十分である。
【００１３】また、この問題は、高周波回路素子を小型
化したり、動作周波数を高くしたり、あるいは、低損失
化を図るために超伝導体のような導電率の大きな材料を
用いたりすることが必要な場合に、さらに顕著化する。
化したり、動作周波数を高くしたり、あるいは、低損失
化を図るために超伝導体のような導電率の大きな材料を
用いたりすることが必要な場合に、さらに顕著化する。
【００１４】本発明は、前記した問題を解決するため
に、高周波回路素子の金属筐体の内部空間において不要
高次モードの発生を防止することにより、周波数特性の
優れた高性能な高周波回路素子を提供することを目的と
する。
に、高周波回路素子の金属筐体の内部空間において不要
高次モードの発生を防止することにより、周波数特性の
優れた高性能な高周波回路素子を提供することを目的と
する。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る高周波回路素子の第１の構成は、基板
と、前記基板に形成された高周波回路と、前記基板を内
包することにより前記高周波回路を電磁界的にシールド
する金属筐体と、前記金属筐体に配設され前記高周波回
路に高周波信号を入出力する入出力端子と、前記金属筐
体の内部空間を略分断することにより前記金属筐体の内
部空間における高周波の伝播経路を遮断する少なくとも
一つの不要高次モード遮断板とを有することを特徴とす
る。
め、本発明に係る高周波回路素子の第１の構成は、基板
と、前記基板に形成された高周波回路と、前記基板を内
包することにより前記高周波回路を電磁界的にシールド
する金属筐体と、前記金属筐体に配設され前記高周波回
路に高周波信号を入出力する入出力端子と、前記金属筐
体の内部空間を略分断することにより前記金属筐体の内
部空間における高周波の伝播経路を遮断する少なくとも
一つの不要高次モード遮断板とを有することを特徴とす
る。
【００１６】前記の高周波回路素子の第１の構成によれ
ば、不要高次モード遮断板を有することにより、筐体内
部の空間部分で発生する導波管モードの電磁波の伝播が
抑制されるので、不要な高次モードの励起による周波数
特性の悪化を防ぐことができる。従って、周波数特性の
優れた高性能な高周波回路素子を提供することが可能と
なる。
ば、不要高次モード遮断板を有することにより、筐体内
部の空間部分で発生する導波管モードの電磁波の伝播が
抑制されるので、不要な高次モードの励起による周波数
特性の悪化を防ぐことができる。従って、周波数特性の
優れた高性能な高周波回路素子を提供することが可能と
なる。
【００１７】また、前記の高周波回路素子の第１の構成
において、不要高次モード遮断板が導体により構成され
ていることが望ましい。
において、不要高次モード遮断板が導体により構成され
ていることが望ましい。
【００１８】この構成によれば、導体は電磁波を透過さ
せないことから、不要な高次モードの伝播を抑制する効
果を高めることができる。
せないことから、不要な高次モードの伝播を抑制する効
果を高めることができる。
【００１９】さらに、前記の高周波回路素子の第１の構
成において、導体により構成された不要高次モード遮断
板が、前記金属筐体と電気的に接続されていることが望
ましい。
成において、導体により構成された不要高次モード遮断
板が、前記金属筐体と電気的に接続されていることが望
ましい。
【００２０】この構成によれば、導体の不要高次モード
遮断板が、電磁波に対して電気壁として作用するため、
不要な高次モードの伝播を抑制する効果をよりいっそう
高めることができる。
遮断板が、電磁波に対して電気壁として作用するため、
不要な高次モードの伝播を抑制する効果をよりいっそう
高めることができる。
【００２１】また、前記の高周波回路素子の第１の構成
において、不要高次モード遮断板が高誘電率誘電体によ
り構成されていることが望ましい。
において、不要高次モード遮断板が高誘電率誘電体によ
り構成されていることが望ましい。
【００２２】この構成によれば、誘電体により反射ある
いは吸収されることによって、電磁波が不要高次モード
遮断板を透過できないことから、不要な高次モードの伝
播を抑制する効果を高めることができる。
いは吸収されることによって、電磁波が不要高次モード
遮断板を透過できないことから、不要な高次モードの伝
播を抑制する効果を高めることができる。
【００２３】また、前記の高周波回路素子の第１の構成
において、不要高次モード遮断板が、前記高周波回路の
少なくとも１つの入出力線路に略垂直にかかり、かつ前
記入出力線路と電気的に接触しないように配設されたこ
とが望ましい。
において、不要高次モード遮断板が、前記高周波回路の
少なくとも１つの入出力線路に略垂直にかかり、かつ前
記入出力線路と電気的に接触しないように配設されたこ
とが望ましい。
【００２４】この構成によれば、入出力端子と入出力線
路との接続部が、共振器などの高周波回路の主要回路部
分と隔離されるため、接続部の不連続性が原因で励起さ
れる不要高次モードが高周波回路に悪影響を与えるのを
防ぐことができる。
路との接続部が、共振器などの高周波回路の主要回路部
分と隔離されるため、接続部の不連続性が原因で励起さ
れる不要高次モードが高周波回路に悪影響を与えるのを
防ぐことができる。
【００２５】また、前記の高周波回路素子の第１の構成
において、不要高次モード遮断板が、前記高周波回路の
入出力線路に電気的に接触しないよう切り欠きを有する
ことが望ましい。
において、不要高次モード遮断板が、前記高周波回路の
入出力線路に電気的に接触しないよう切り欠きを有する
ことが望ましい。
【００２６】この構成によれば、不要高次モード遮断板
の下端部を、高周波回路が存在しない部分においては、
基板に接触する位置まで延長できるので、不要高次モー
ドを抑制する能力をよりいっそう高めることができる。
の下端部を、高周波回路が存在しない部分においては、
基板に接触する位置まで延長できるので、不要高次モー
ドを抑制する能力をよりいっそう高めることができる。
【００２７】また、本発明に係る高周波回路素子の第２
の構成は、基板と、前記基板に形成された高周波回路
と、前記基板を内包することにより前記高周波回路を電
磁界的にシールドする金属筐体と、前記金属筐体に配設
され前記高周波回路に高周波信号を入出力する入出力端
子と、前記金属筐体の内部空間において前記高周波回路
の少なくとも１つの入出力線路を覆うことにより高周波
の伝播を抑制する少なくとも１つの不要高次モード遮断
カバーとを有することを特徴とする。
の構成は、基板と、前記基板に形成された高周波回路
と、前記基板を内包することにより前記高周波回路を電
磁界的にシールドする金属筐体と、前記金属筐体に配設
され前記高周波回路に高周波信号を入出力する入出力端
子と、前記金属筐体の内部空間において前記高周波回路
の少なくとも１つの入出力線路を覆うことにより高周波
の伝播を抑制する少なくとも１つの不要高次モード遮断
カバーとを有することを特徴とする。
【００２８】この構成によれば、不要高次モード遮断カ
バーを有することにより、筐体内部の空間部分で発生す
る導波管モードの電磁波の伝播が抑制されるので、不要
な高次モードの励起による周波数特性の悪化を防ぐこと
ができる。従って、周波数特性の優れた高性能な高周波
回路素子を提供することが可能となる。
バーを有することにより、筐体内部の空間部分で発生す
る導波管モードの電磁波の伝播が抑制されるので、不要
な高次モードの励起による周波数特性の悪化を防ぐこと
ができる。従って、周波数特性の優れた高性能な高周波
回路素子を提供することが可能となる。
【００２９】また、前記の高周波回路素子の第２の構成
において、不要高次モード遮断カバーが導体により構成
されていることが望ましい。
において、不要高次モード遮断カバーが導体により構成
されていることが望ましい。
【００３０】この構成によれば、導体は電磁波を透過さ
せないことから、不要な高次モードの伝播を抑制する効
果を高めることができる。
せないことから、不要な高次モードの伝播を抑制する効
果を高めることができる。
【００３１】また、前記の高周波回路素子の第２の構成
において、導体により構成された不要高次モード遮断カ
バーが、前記金属筐体と電気的に接続されていることが
望ましい。
において、導体により構成された不要高次モード遮断カ
バーが、前記金属筐体と電気的に接続されていることが
望ましい。
【００３２】この構成によれば、導体の不要高次モード
遮断カバーが電磁波に対して電気壁として作用するた
め、不要な高次モードの伝播を抑制する効果をよりいっ
そう高めることができる。
遮断カバーが電磁波に対して電気壁として作用するた
め、不要な高次モードの伝播を抑制する効果をよりいっ
そう高めることができる。
【００３３】また、前記の高周波回路素子の第２の構成
において、不要高次モード遮断カバーが高誘電率誘電体
により構成されていることが望ましい。
において、不要高次モード遮断カバーが高誘電率誘電体
により構成されていることが望ましい。
【００３４】この構成によれば、誘電体により反射ある
いは吸収されることにより、電磁波が不要高次モード遮
断カバーを透過できないことから、不要な高次モードの
伝播を抑制する効果を高めることができる。
いは吸収されることにより、電磁波が不要高次モード遮
断カバーを透過できないことから、不要な高次モードの
伝播を抑制する効果を高めることができる。
【００３５】また、前記の高周波回路素子の第１または
第２の構成において、高周波回路が高周波フィルタであ
ることが望ましい。
第２の構成において、高周波回路が高周波フィルタであ
ることが望ましい。
【００３６】この構成によれば、不要高次モード遮断板
に不要な高次モードの励起が抑制されるため、帯域外の
周波数においてフィルタの作用にかからない高次モード
が伝播し出力されてしまうことを防ぐことができるの
で、帯域外の減衰特性の優れたフィルタを実現すること
ができる。
に不要な高次モードの励起が抑制されるため、帯域外の
周波数においてフィルタの作用にかからない高次モード
が伝播し出力されてしまうことを防ぐことができるの
で、帯域外の減衰特性の優れたフィルタを実現すること
ができる。
【００３７】さらに、前記の高周波回路素子の第１また
は第２の構成において、高周波回路の高周波フィルタ
が、互いに結合された複数の平面回路共振器を有するこ
とが望ましい。
は第２の構成において、高周波回路の高周波フィルタ
が、互いに結合された複数の平面回路共振器を有するこ
とが望ましい。
【００３８】この構成によれば、共振器よりの放射で励
起される不要高次モードが入出力線路入射されて入出力
端子より出力されるのを防ぐことができるため、帯域外
の周波数においてフィルタの作用にかからない高次モー
ドが伝播し出力されてしまうことを防ぐことができる。
これにより、帯域外の減衰特性の優れたフィルタを実現
することができる。
起される不要高次モードが入出力線路入射されて入出力
端子より出力されるのを防ぐことができるため、帯域外
の周波数においてフィルタの作用にかからない高次モー
ドが伝播し出力されてしまうことを防ぐことができる。
これにより、帯域外の減衰特性の優れたフィルタを実現
することができる。
【００３９】また、前記の高周波回路素子の第１または
第２の構成において、高周波回路が超伝導高周波フィル
タであることが望ましい。
第２の構成において、高周波回路が超伝導高周波フィル
タであることが望ましい。
【００４０】この構成によれば、共振器での導体損失を
劇的に低減することが可能となり、低損失、かつ、急峻
なスカート特性を実現できる。
劇的に低減することが可能となり、低損失、かつ、急峻
なスカート特性を実現できる。
【００４１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００４２】（実施の形態１）図１および図２に、本発
明の実施の一形態にかかる高周波回路素子の概略構成を
示す。なお、図１において、筐体の内部構造が見えるよ
うに、図２に示した筐体蓋部１１の図示を省略した。
明の実施の一形態にかかる高周波回路素子の概略構成を
示す。なお、図１において、筐体の内部構造が見えるよ
うに、図２に示した筐体蓋部１１の図示を省略した。
【００４３】図１および図２に示すように、本実施形態
の高周波回路素子は、誘電体単結晶などからなる基板１
５の上面に、ストリップ導体パターンによるヘアピン型
共振器１６ａ〜１６ｈおよび入出力線路１７ａ・１７ｂ
が形成されている。これらのヘアピン型共振器１６ａ〜
１６ｈと、入出力線路１７ａ・１７ｂと、グランドプレ
ーン１８により、マイクロストリップ構造の高周波回路
が構成されている。この高周波回路は、８つのヘアピン
型共振器１６ａ〜１６ｈが結合した構造になっており、
８段の帯域通過フィルタとして機能する。
の高周波回路素子は、誘電体単結晶などからなる基板１
５の上面に、ストリップ導体パターンによるヘアピン型
共振器１６ａ〜１６ｈおよび入出力線路１７ａ・１７ｂ
が形成されている。これらのヘアピン型共振器１６ａ〜
１６ｈと、入出力線路１７ａ・１７ｂと、グランドプレ
ーン１８により、マイクロストリップ構造の高周波回路
が構成されている。この高周波回路は、８つのヘアピン
型共振器１６ａ〜１６ｈが結合した構造になっており、
８段の帯域通過フィルタとして機能する。
【００４４】また、本高周波回路素子は、上記の高周波
回路を内包して電磁気的にシールドする筐体を備えてい
る。この筐体は、導体材料により形成され、図２に示す
ように、筐体蓋部１１、筐体枠部１２、および筐体底部
１３から構成される。この筐体とグランドプレーン１８
とが電気的に接続されるように、基板１５が筐体底部１
３に、例えば導電性の接着剤により固定されている。
回路を内包して電磁気的にシールドする筐体を備えてい
る。この筐体は、導体材料により形成され、図２に示す
ように、筐体蓋部１１、筐体枠部１２、および筐体底部
１３から構成される。この筐体とグランドプレーン１８
とが電気的に接続されるように、基板１５が筐体底部１
３に、例えば導電性の接着剤により固定されている。
【００４５】また、筐体枠部１２の側面には、同軸コネ
クターによる入出力端子１４ａ・１４ｂが配設されてい
る。入出力端子１４ａ・１４ｂの内導体は、入出力線路
１７ａ・１７ｂに、入出力端子１４ａ・１４ｂの外導体
は、筐体枠部１２に電気的に接続されている。
クターによる入出力端子１４ａ・１４ｂが配設されてい
る。入出力端子１４ａ・１４ｂの内導体は、入出力線路
１７ａ・１７ｂに、入出力端子１４ａ・１４ｂの外導体
は、筐体枠部１２に電気的に接続されている。
【００４６】また、本高周波回路素子は、導体材料から
なる不要高次モード遮断板１ａ〜１ｃを備えている。不
要高次モード遮断板１ａ〜１ｃは、筐体に電気的に接続
されるよう例えば導電性の接着剤により筐体枠部１２に
固定され、筐体の内部空間を略分断することによって、
高周波の伝播経路を遮断する。
なる不要高次モード遮断板１ａ〜１ｃを備えている。不
要高次モード遮断板１ａ〜１ｃは、筐体に電気的に接続
されるよう例えば導電性の接着剤により筐体枠部１２に
固定され、筐体の内部空間を略分断することによって、
高周波の伝播経路を遮断する。
【００４７】上記の不要高次モード遮断板１ａ〜１ｃの
うち、中央に位置する不要高次モード遮断板１ｂは、ヘ
アピン型共振器１６ａと１６ｈとの間に配置される。こ
のため、不要高次モード遮断板１ｂは、高周波回路のス
トリップ導体（ヘアピン型共振器１６ａ〜１６ｈ）に接
触しないように、基板１５との間に一定の間隙を保っ
て、筐体枠部１２に固定される。
うち、中央に位置する不要高次モード遮断板１ｂは、ヘ
アピン型共振器１６ａと１６ｈとの間に配置される。こ
のため、不要高次モード遮断板１ｂは、高周波回路のス
トリップ導体（ヘアピン型共振器１６ａ〜１６ｈ）に接
触しないように、基板１５との間に一定の間隙を保っ
て、筐体枠部１２に固定される。
【００４８】一方、両端に位置する不要高次モード遮断
板１ａ・１ｃは、ヘアピン型共振器１６ａおよび１６ｈ
のそれぞれよりも外側、すなわち入出力線路１７ａ・１
７ｂを跨ぐように配置される。このため、不要高次モー
ド遮断板１ａ・１ｃは、入出力線路１７ａ・１７ｂに接
触しないように半円形の切り欠き部を持つ。不要高次モ
ード遮断板１ａ・１ｃにおける切り欠き部以外の下端部
は、基板１５との間に間隙が生じないように、基板１５
の表面に密着して配設されている。
板１ａ・１ｃは、ヘアピン型共振器１６ａおよび１６ｈ
のそれぞれよりも外側、すなわち入出力線路１７ａ・１
７ｂを跨ぐように配置される。このため、不要高次モー
ド遮断板１ａ・１ｃは、入出力線路１７ａ・１７ｂに接
触しないように半円形の切り欠き部を持つ。不要高次モ
ード遮断板１ａ・１ｃにおける切り欠き部以外の下端部
は、基板１５との間に間隙が生じないように、基板１５
の表面に密着して配設されている。
【００４９】なお、不要高次モード遮断板１ａ・１ｃ
は、入出力線路１７ａ・１７ｂに対して略垂直に設ける
ことが好ましい。これにより、入出力端子１４ａ・１４
ｂと入出力線路１７ａ・１７ｂとの接続部が、高周波回
路の主要回路であるヘアピン型共振器１６ａおよび１６
ｈと隔離されるので、接続部の不連続性が原因で励起さ
れる不要高次モードの電磁波が高周波回路に悪影響を与
えるのを防止できる。
は、入出力線路１７ａ・１７ｂに対して略垂直に設ける
ことが好ましい。これにより、入出力端子１４ａ・１４
ｂと入出力線路１７ａ・１７ｂとの接続部が、高周波回
路の主要回路であるヘアピン型共振器１６ａおよび１６
ｈと隔離されるので、接続部の不連続性が原因で励起さ
れる不要高次モードの電磁波が高周波回路に悪影響を与
えるのを防止できる。
【００５０】また、前述したように、導体材料からなる
不要高次モード遮断板１ａ〜１ｃを、筐体枠部１２に電
気的に接続した構成とすることにより、不要高次モード
遮断板１ａ〜１ｃが電磁波に対して電気壁として作用す
るため、不要な高次モードの伝播を抑制する効果が向上
する。
不要高次モード遮断板１ａ〜１ｃを、筐体枠部１２に電
気的に接続した構成とすることにより、不要高次モード
遮断板１ａ〜１ｃが電磁波に対して電気壁として作用す
るため、不要な高次モードの伝播を抑制する効果が向上
する。
【００５１】また、不要高次モード遮断板１ａ〜１ｃを
高誘電率誘電体により形成することが好ましい。この構
成によれば、電磁波が誘電体により反射あるいは吸収さ
れて不要高次モード遮断板１ａ〜１ｃを透過できないこ
とから、不要な高次モードの伝播を抑制する効果を高め
ることができる。なお、誘電率が高くなるほど反射係数
が大きくなるので効果が増大し、比誘電率が約１０以上
の高誘電率誘電体を用いれば、誘電体境界上での反射係
数が約０．５以上となり、顕著な効果が得られるので特
に好ましい。
高誘電率誘電体により形成することが好ましい。この構
成によれば、電磁波が誘電体により反射あるいは吸収さ
れて不要高次モード遮断板１ａ〜１ｃを透過できないこ
とから、不要な高次モードの伝播を抑制する効果を高め
ることができる。なお、誘電率が高くなるほど反射係数
が大きくなるので効果が増大し、比誘電率が約１０以上
の高誘電率誘電体を用いれば、誘電体境界上での反射係
数が約０．５以上となり、顕著な効果が得られるので特
に好ましい。
【００５２】次に、以上のように構成された本実施形態
の高周波回路素子の動作について説明する。
の高周波回路素子の動作について説明する。
【００５３】入出力端子１４ａを入力側、入出力端子１
４ｂを出力側としたとすると、入出力端子１４ａから入
力された高周波信号は、同軸線路の基本モードであるＴ
ＥＭモードから、マイクロストリップ線路の基本モード
である準ＴＥＭモード（図１１参照）に変換され、入出
力線路１７ａに沿って伝播し、高周波回路に入力され
る。
４ｂを出力側としたとすると、入出力端子１４ａから入
力された高周波信号は、同軸線路の基本モードであるＴ
ＥＭモードから、マイクロストリップ線路の基本モード
である準ＴＥＭモード（図１１参照）に変換され、入出
力線路１７ａに沿って伝播し、高周波回路に入力され
る。
【００５４】高周波回路は、ヘアピン型共振器１６ａ〜
１６ｈの各々が共振現象を起こすことにより、帯域通過
フィルタとして動作する。従って、入出力線路１７ｂ
に、帯域フィルタの通過帯域に相当する周波数帯域の信
号のみが、準ＴＥＭモードで出力され、再びＴＥＭモー
ドに変換されて入出力端子１４ｂから出力される。
１６ｈの各々が共振現象を起こすことにより、帯域通過
フィルタとして動作する。従って、入出力線路１７ｂ
に、帯域フィルタの通過帯域に相当する周波数帯域の信
号のみが、準ＴＥＭモードで出力され、再びＴＥＭモー
ドに変換されて入出力端子１４ｂから出力される。
【００５５】なお、筐体蓋部１１、筐体枠部１２、およ
び筐体底部１３から構成される筐体は、入出力線路１７
ａ・１７ｂおよび高周波回路を構成するマイクロストリ
ップ導体（ヘアピン型共振器１６ａ〜１６ｈ）からの高
周波信号の放射による電磁界エネルギーの損失や外界か
らの電磁気的ノイズの混入を防ぐ役割を持つ。
び筐体底部１３から構成される筐体は、入出力線路１７
ａ・１７ｂおよび高周波回路を構成するマイクロストリ
ップ導体（ヘアピン型共振器１６ａ〜１６ｈ）からの高
周波信号の放射による電磁界エネルギーの損失や外界か
らの電磁気的ノイズの混入を防ぐ役割を持つ。
【００５６】本高周波回路素子は、以上のように、マイ
クロストリップ導体の基本モードで動作するが、入出力
端子１４ａから入出力線路１７ａへの伝播モード変換
や、マイクロストリップ導体からの電磁波の放射によ
り、基本モード以外の不要な高次モードである、筐体を
矩形導波管とした導波管モード（図１２参照）が発生す
ることを防止する必要がある。
クロストリップ導体の基本モードで動作するが、入出力
端子１４ａから入出力線路１７ａへの伝播モード変換
や、マイクロストリップ導体からの電磁波の放射によ
り、基本モード以外の不要な高次モードである、筐体を
矩形導波管とした導波管モード（図１２参照）が発生す
ることを防止する必要がある。
【００５７】そこで、本実施形態の高周波回路素子で
は、不要高次モード遮断板１ａ〜１ｃが、基板１５と筐
体との間の空間を伝播する電磁波に対して電気壁として
作用することにより、このような不要な高次モードの電
磁波が伝播することを防ぐことができる。
は、不要高次モード遮断板１ａ〜１ｃが、基板１５と筐
体との間の空間を伝播する電磁波に対して電気壁として
作用することにより、このような不要な高次モードの電
磁波が伝播することを防ぐことができる。
【００５８】ここで、不要高次モード遮断板１ａ〜１ｃ
の効果を確かめるための比較実験の結果について、図３
および図４を用いて説明する。
の効果を確かめるための比較実験の結果について、図３
および図４を用いて説明する。
【００５９】まず、比較実験を行うために、本実施形態
の高周波回路素子を、以下のような条件で作成した。
の高周波回路素子を、以下のような条件で作成した。
【００６０】基板１５として、短辺の長さが１２．７ｍ
ｍ、長辺の長さが２５．４ｍｍ、厚さが０．５ｍｍ、誘
電率が２４の高誘電率誘電体であるＬａＡｌ2Ｏ3を用
い、その一方の表面に超伝導体であるＹＢＣＯを蒸着す
ることによりグランドプレーン１８を形成した。また、
基板１５の他の表面に、同じく超伝導体であるＹＢＣＯ
により０．５ｍｍ幅の入出力線路１７ａ・１７ｂおよび
中心周波数１．９ＧＨｚの帯域通過フィルタとして設計
されたヘアピン型共振器１６ａ〜１６ｈを蒸着およびエ
ッチング等により形成した。
ｍ、長辺の長さが２５．４ｍｍ、厚さが０．５ｍｍ、誘
電率が２４の高誘電率誘電体であるＬａＡｌ2Ｏ3を用
い、その一方の表面に超伝導体であるＹＢＣＯを蒸着す
ることによりグランドプレーン１８を形成した。また、
基板１５の他の表面に、同じく超伝導体であるＹＢＣＯ
により０．５ｍｍ幅の入出力線路１７ａ・１７ｂおよび
中心周波数１．９ＧＨｚの帯域通過フィルタとして設計
されたヘアピン型共振器１６ａ〜１６ｈを蒸着およびエ
ッチング等により形成した。
【００６１】また、黄銅を機械加工し、表面を金メッキ
処理することにより、筐体を作成した。なお、筐体の外
形寸法を３７．８ｍｍ×２５．１ｍｍ×１５ｍｍとし、
内側寸法を２５．６ｍｍ×１２．９ｍｍ×４．１ｍｍと
した。
処理することにより、筐体を作成した。なお、筐体の外
形寸法を３７．８ｍｍ×２５．１ｍｍ×１５ｍｍとし、
内側寸法を２５．６ｍｍ×１２．９ｍｍ×４．１ｍｍと
した。
【００６２】さらに、黄銅を機械加工し、表面を金メッ
キ処理することにより、不要高次モード遮断板１ａ・１
ｃを作成した。不要高次モード遮断板１ａ・１ｃの各々
は、長辺の長さを１２．９ｍｍ、短辺の長さを３．６ｍ
ｍ、厚さを０．３ｍｍとし、切り欠き部の半径を２ｍｍ
とした。
キ処理することにより、不要高次モード遮断板１ａ・１
ｃを作成した。不要高次モード遮断板１ａ・１ｃの各々
は、長辺の長さを１２．９ｍｍ、短辺の長さを３．６ｍ
ｍ、厚さを０．３ｍｍとし、切り欠き部の半径を２ｍｍ
とした。
【００６３】また、黄銅を機械加工し、表面を金メッキ
処理することにより、長辺の長さが１２．９ｍｍ、短辺
の長さが３．３ｍｍ、厚さが０．３ｍｍの不要高次モー
ド遮断板１ｂを作成した。
処理することにより、長辺の長さが１２．９ｍｍ、短辺
の長さが３．３ｍｍ、厚さが０．３ｍｍの不要高次モー
ド遮断板１ｂを作成した。
【００６４】不要高次モード遮断板１ａ・１ｃの各々
を、筐体の入出力端子１４ａ・１４ｂが各々設けられた
面の内側面より３ｍｍ離れた位置に設置し、不要高次モ
ード遮断板１ｂを、不要高次モード遮断板１ａ・１ｃの
中央に設置した。
を、筐体の入出力端子１４ａ・１４ｂが各々設けられた
面の内側面より３ｍｍ離れた位置に設置し、不要高次モ
ード遮断板１ｂを、不要高次モード遮断板１ａ・１ｃの
中央に設置した。
【００６５】以上の条件で作成した本実施形態の高周波
回路素子の周波数特性を測定すると、図３に示すとおり
となった。なお、測定は、絶対温度６４Ｋの冷却環境下
で行った。
回路素子の周波数特性を測定すると、図３に示すとおり
となった。なお、測定は、絶対温度６４Ｋの冷却環境下
で行った。
【００６６】そして、比較例として、不要高次モード遮
断板１ａ〜１ｃを設けない以外は、上記した条件と同一
条件によって高周波回路素子を作成し、絶対温度６４Ｋ
の冷却環境下において、周波数特性を測定すると、図４
に示すとおりの結果が得られた。
断板１ａ〜１ｃを設けない以外は、上記した条件と同一
条件によって高周波回路素子を作成し、絶対温度６４Ｋ
の冷却環境下において、周波数特性を測定すると、図４
に示すとおりの結果が得られた。
【００６７】図３と図４とを比較することから明らかな
ように、本実施形態の高周波回路素子は、不要高次モー
ド遮断板１ａ〜１ｃの効果により、阻止帯域の減衰量
が、従来の約−７０ｄＢから約−８０ｄＢへと、−１０
ｄＢ程度改善されており、フィルタとして、帯域外の不
要な周波数帯域の信号を除去する能力が向上したことが
分かる。
ように、本実施形態の高周波回路素子は、不要高次モー
ド遮断板１ａ〜１ｃの効果により、阻止帯域の減衰量
が、従来の約−７０ｄＢから約−８０ｄＢへと、−１０
ｄＢ程度改善されており、フィルタとして、帯域外の不
要な周波数帯域の信号を除去する能力が向上したことが
分かる。
【００６８】以上のように、本実施形態にかかる高周波
回路素子は、不要高次モード遮断板１ａ〜１ｃを備えた
ことにより、周波数特性の改善が達成されている。
回路素子は、不要高次モード遮断板１ａ〜１ｃを備えた
ことにより、周波数特性の改善が達成されている。
【００６９】なお、上記の説明では、不要高次モード遮
断板１ａ〜１ｃを別個に形成し、導電性接着剤等によっ
て筐体枠部１２と接着固定するものとしたが、導電性接
着剤の代わりに導電性のネジを用いてもよい。また、固
定先は筐体枠部１２に限らず、例えば、不要高次モード
遮断板１ａ〜１ｃを筐体蓋部１１に導電性接着剤または
ネジにより固定し、筐体枠部１２に金属接触させて導通
をとる構造とすることも可能である。あるいは、不要高
次モード遮断板１ａ〜１ｃを筐体と一体形成することも
可能である。
断板１ａ〜１ｃを別個に形成し、導電性接着剤等によっ
て筐体枠部１２と接着固定するものとしたが、導電性接
着剤の代わりに導電性のネジを用いてもよい。また、固
定先は筐体枠部１２に限らず、例えば、不要高次モード
遮断板１ａ〜１ｃを筐体蓋部１１に導電性接着剤または
ネジにより固定し、筐体枠部１２に金属接触させて導通
をとる構造とすることも可能である。あるいは、不要高
次モード遮断板１ａ〜１ｃを筐体と一体形成することも
可能である。
【００７０】また、不要高次モード遮断板の枚数および
その設置位置、さらに、切り欠き部の形状や寸法、板
厚、材料の導電率等の最適値は、高周波回路の構造や筐
体の構造により異なるので、上記した具体例にのみ限定
されるものではない。つまり、上記の説明では、直方体
形状の筐体内部空間を不要高次モード遮断板により３つ
に略分断した構成を例示したが、これに限らず、入出力
端子１４ａおよび入出力線路１７ａの接続部分（不連続
部）と、入出力端子１４ｂおよび入出力線路１７ｂの接
続部分（不連続部）とが、互いに異なる空間に属するよ
うに分断あるいは隔離される構成であれば、周波数特性
の改善効果が得られる。
その設置位置、さらに、切り欠き部の形状や寸法、板
厚、材料の導電率等の最適値は、高周波回路の構造や筐
体の構造により異なるので、上記した具体例にのみ限定
されるものではない。つまり、上記の説明では、直方体
形状の筐体内部空間を不要高次モード遮断板により３つ
に略分断した構成を例示したが、これに限らず、入出力
端子１４ａおよび入出力線路１７ａの接続部分（不連続
部）と、入出力端子１４ｂおよび入出力線路１７ｂの接
続部分（不連続部）とが、互いに異なる空間に属するよ
うに分断あるいは隔離される構成であれば、周波数特性
の改善効果が得られる。
【００７１】従って、不要高次モード遮断板の枚数は、
３枚に限られるわけでない。また、不要高次モード遮断
板の形状も、上述した形状に限定されるものではなく、
切り欠き部の形状も半円形に限定されず、例えば三角形
状等であっても効果を発揮し得ることは言うまでもな
い。
３枚に限られるわけでない。また、不要高次モード遮断
板の形状も、上述した形状に限定されるものではなく、
切り欠き部の形状も半円形に限定されず、例えば三角形
状等であっても効果を発揮し得ることは言うまでもな
い。
【００７２】また、不要高次モード遮断板の材質に関し
ても、導体に限られるわけではなく、電磁波を透過させ
ない性質の材料であればよい。従って、電磁波を反射あ
るいは吸収する性質を持つ、高誘電率誘電体を用いても
よい。例えば、誘電率が２４のＬａＡｌ2Ｏ3の板材を基
板と同様に切り出したものを使用しても、同様の効果を
発揮する。
ても、導体に限られるわけではなく、電磁波を透過させ
ない性質の材料であればよい。従って、電磁波を反射あ
るいは吸収する性質を持つ、高誘電率誘電体を用いても
よい。例えば、誘電率が２４のＬａＡｌ2Ｏ3の板材を基
板と同様に切り出したものを使用しても、同様の効果を
発揮する。
【００７３】（実施の形態２）図５および図６に、本発
明の実施の他の形態にかかる高周波回路素子の概略構成
を示す。なお、図５においては、筐体の内部構造が見え
るように、図６に示した筐体蓋部１１の図示を省略し
た。
明の実施の他の形態にかかる高周波回路素子の概略構成
を示す。なお、図５においては、筐体の内部構造が見え
るように、図６に示した筐体蓋部１１の図示を省略し
た。
【００７４】本実施形態の高周波回路素子は、実施の形
態１にかかる高周波回路素子が備える不要高次モード遮
断板１ａ〜１ｃの代わりに、図６に示すように、導体材
料により形成された不要高次モード遮断カバー２ａ・２
ｂを備えている。その他の部分の構造は、図１および図
２に示した実施の形態１にかかる高周波回路素子と同様
であるので、説明は省略する。
態１にかかる高周波回路素子が備える不要高次モード遮
断板１ａ〜１ｃの代わりに、図６に示すように、導体材
料により形成された不要高次モード遮断カバー２ａ・２
ｂを備えている。その他の部分の構造は、図１および図
２に示した実施の形態１にかかる高周波回路素子と同様
であるので、説明は省略する。
【００７５】不要高次モード遮断カバー２ａ・２ｂは、
半円筒形状で、基板１５上の入出力線路１７ａ・１７ｂ
をそれぞれ覆うように配設され、筐体に電気的に接続さ
れるよう、例えば導電性の接着剤により、筐体枠部１２
における入出力端子１４ａ・１４ｂが接続されている面
の内側面にそれぞれ固定されている。
半円筒形状で、基板１５上の入出力線路１７ａ・１７ｂ
をそれぞれ覆うように配設され、筐体に電気的に接続さ
れるよう、例えば導電性の接着剤により、筐体枠部１２
における入出力端子１４ａ・１４ｂが接続されている面
の内側面にそれぞれ固定されている。
【００７６】本実施形態の高周波回路素子も、高周波回
路を構成するヘアピン型共振器１６ａ〜１６ｈの作用に
より、帯域通過フィルタとして動作する点においては、
実施の形態１の高周波回路素子と同様である。また、本
実施形態の高周波回路素子においても、入出力端子１４
ａから入出力線路１７ａへの伝播モード変換の際に励起
される電磁波や、マイクロストリップ導体すなわちヘア
ピン型共振器１６ａ〜１６ｈからの電磁波の放射によ
り、基本モード以外の不要な高次モードである、筐体を
矩形導波管とした導波管モード（図１２参照）の発生を
防止することが必要である。
路を構成するヘアピン型共振器１６ａ〜１６ｈの作用に
より、帯域通過フィルタとして動作する点においては、
実施の形態１の高周波回路素子と同様である。また、本
実施形態の高周波回路素子においても、入出力端子１４
ａから入出力線路１７ａへの伝播モード変換の際に励起
される電磁波や、マイクロストリップ導体すなわちヘア
ピン型共振器１６ａ〜１６ｈからの電磁波の放射によ
り、基本モード以外の不要な高次モードである、筐体を
矩形導波管とした導波管モード（図１２参照）の発生を
防止することが必要である。
【００７７】本実施形態の高周波回路素子では、入出力
端子１４ａを入力側、入出力端子１４ｂを出力側とした
場合、入出力線路１７ａを覆うように設けられた不要高
次モード遮断板カバー２ａが、入出力端子１４ａから入
出力線路１７ａへの伝播モード変換の際に励起される高
次モードの電磁波の放散を抑制する作用を持つ。
端子１４ａを入力側、入出力端子１４ｂを出力側とした
場合、入出力線路１７ａを覆うように設けられた不要高
次モード遮断板カバー２ａが、入出力端子１４ａから入
出力線路１７ａへの伝播モード変換の際に励起される高
次モードの電磁波の放散を抑制する作用を持つ。
【００７８】また、入出力線路１７ｂを覆うように設け
られた不要高次モード遮断カバー２ｂは、マイクロスト
リップ導体であるヘアピン型共振器１６ａ〜１６ｈから
の電磁波の放射により励起される高次モードの電磁波
が、入出力線路１７ｂへ入射することを抑制する作用を
持つ。
られた不要高次モード遮断カバー２ｂは、マイクロスト
リップ導体であるヘアピン型共振器１６ａ〜１６ｈから
の電磁波の放射により励起される高次モードの電磁波
が、入出力線路１７ｂへ入射することを抑制する作用を
持つ。
【００７９】これにより、不要な高次モードによる信号
の伝播を抑制することができるので、フィルタの帯域外
特性が悪化することを防止できるという効果が得られ
る。
の伝播を抑制することができるので、フィルタの帯域外
特性が悪化することを防止できるという効果が得られ
る。
【００８０】例えば、本実施形態の高周波回路素子の基
板１５、ヘアピン型共振器１６ａ〜１６ｈ、筐体蓋部１
１、筐体枠部１２、筐体底部１３、入出力端子１４ａ・
１４ｂの材料、形状、寸法等を、実施の形態１で説明し
た比較実験用の条件と同様の条件とし、不要高次モード
遮断カバー２ａ・２ｂを、黄銅を機械加工して製作した
内径４ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ、長さ３ｍｍの半円筒とし
て周波数特性を測定したところ、図３と同様の結果が得
られた。
板１５、ヘアピン型共振器１６ａ〜１６ｈ、筐体蓋部１
１、筐体枠部１２、筐体底部１３、入出力端子１４ａ・
１４ｂの材料、形状、寸法等を、実施の形態１で説明し
た比較実験用の条件と同様の条件とし、不要高次モード
遮断カバー２ａ・２ｂを、黄銅を機械加工して製作した
内径４ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ、長さ３ｍｍの半円筒とし
て周波数特性を測定したところ、図３と同様の結果が得
られた。
【００８１】すなわち、図４に比較例として示した、不
要高次モード遮断カバー２ａ・２ｂを持たない構成によ
る周波数特性と比較すると、阻止帯域の減衰量が−１０
ｄＢ程度改善され、フィルタとして、帯域外の不要な周
波数帯域の信号を除去する能力が向上していることが分
かる。
要高次モード遮断カバー２ａ・２ｂを持たない構成によ
る周波数特性と比較すると、阻止帯域の減衰量が−１０
ｄＢ程度改善され、フィルタとして、帯域外の不要な周
波数帯域の信号を除去する能力が向上していることが分
かる。
【００８２】このように、本実施形態にかかる高周波回
路素子は、不要高次モード遮断カバー２ａ・２ｂを備え
たことにより、周波数特性の改善が達成されている。
路素子は、不要高次モード遮断カバー２ａ・２ｂを備え
たことにより、周波数特性の改善が達成されている。
【００８３】なお、不要高次モード遮断カバー２ａ・２
ｂを高誘電率誘電体により形成することが好ましい。こ
の構成によれば、電磁波が誘電体により反射あるいは吸
収されて不要高次モード遮断カバー２ａ・２ｂを透過で
きないことから、不要な高次モードの伝播を抑制する効
果を高めることができる。なお、誘電率が高くなるほど
反射係数が大きくなるので効果が増大し、比誘電率が約
１０以上の高誘電率誘電体を用いれば、誘電体境界上で
の反射係数が約０．５以上となり、顕著な効果が得られ
るので特に好ましい。
ｂを高誘電率誘電体により形成することが好ましい。こ
の構成によれば、電磁波が誘電体により反射あるいは吸
収されて不要高次モード遮断カバー２ａ・２ｂを透過で
きないことから、不要な高次モードの伝播を抑制する効
果を高めることができる。なお、誘電率が高くなるほど
反射係数が大きくなるので効果が増大し、比誘電率が約
１０以上の高誘電率誘電体を用いれば、誘電体境界上で
の反射係数が約０．５以上となり、顕著な効果が得られ
るので特に好ましい。
【００８４】なお、上記の説明では、不要高次モード遮
断カバー２ａ・２ｂは別部品とし、筐体に接着すると述
べたが、これに限らず、筐体と一体成形することも可能
である。また、その形状の例として半円筒形状の構成を
図示したが、コの字断面形状など他の形状であっても同
様の効果を発揮し得ることは言うまでもない。
断カバー２ａ・２ｂは別部品とし、筐体に接着すると述
べたが、これに限らず、筐体と一体成形することも可能
である。また、その形状の例として半円筒形状の構成を
図示したが、コの字断面形状など他の形状であっても同
様の効果を発揮し得ることは言うまでもない。
【００８５】なお、不要高次モード遮断カバーの形状、
寸法、および材料の導電率等の最適値は、高周波回路の
構造や、筐体の構造により異なるので、本実施形態に記
述した具体例のみに限定されるものではない。
寸法、および材料の導電率等の最適値は、高周波回路の
構造や、筐体の構造により異なるので、本実施形態に記
述した具体例のみに限定されるものではない。
【００８６】また、上記した各実施形態では、ヘアピン
型共振器を複数結合してなるストリップ導体パターンの
高周波回路を有する高周波回路素子を例にとって説明し
たが、高周波回路はストリップ導体パターンに限らず、
λ／２共振器など、その他の共振器構造を基本とした回
路構造としてもよく、同様の効果を発揮する。
型共振器を複数結合してなるストリップ導体パターンの
高周波回路を有する高周波回路素子を例にとって説明し
たが、高周波回路はストリップ導体パターンに限らず、
λ／２共振器など、その他の共振器構造を基本とした回
路構造としてもよく、同様の効果を発揮する。
【００８７】また、高周波回路構造に関しても、マイク
ロストリップ構造に限られるわけでなく、コプレーナ構
造などの他の平面回路構造やマイクロ波半導体集積回路
構造としてもよく、同様の効果を発揮する。さらに、高
周波回路は、共振器によるフィルタに限られるわけでは
なく、増幅器、アイソレータ等その他の高周波回路であ
ってもよく、同様の効果を発揮する。
ロストリップ構造に限られるわけでなく、コプレーナ構
造などの他の平面回路構造やマイクロ波半導体集積回路
構造としてもよく、同様の効果を発揮する。さらに、高
周波回路は、共振器によるフィルタに限られるわけでは
なく、増幅器、アイソレータ等その他の高周波回路であ
ってもよく、同様の効果を発揮する。
【００８８】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明にかかる
高周波回路素子によれば、不要高次モード遮断板あるい
は不要高次モード遮断カバーを有することにより、筐体
内部の空間部分で発生する導波管モードなどの不要な高
次モードの励起および伝播が抑制されるので、不要な高
次モードによる周波数特性の悪化が少なく、周波数特性
の優れた高性能な高周波回路素子を提供することができ
る。
高周波回路素子によれば、不要高次モード遮断板あるい
は不要高次モード遮断カバーを有することにより、筐体
内部の空間部分で発生する導波管モードなどの不要な高
次モードの励起および伝播が抑制されるので、不要な高
次モードによる周波数特性の悪化が少なく、周波数特性
の優れた高性能な高周波回路素子を提供することができ
る。
【００８９】しかも、不要な高次モードの励起および伝
播を抑制する機能は、動作周波数がより高い場合や高周
波回路の導体材料として低損失な超伝導材料を使う場合
など、より高度な仕様条件下においても有効に機能する
ため、本発明に係る高周波回路素子によれば、ミリ波な
どの超高周波で動作可能で、かつ、よりいっそう低損失
な高周波回路素子を実現することができる。
播を抑制する機能は、動作周波数がより高い場合や高周
波回路の導体材料として低損失な超伝導材料を使う場合
など、より高度な仕様条件下においても有効に機能する
ため、本発明に係る高周波回路素子によれば、ミリ波な
どの超高周波で動作可能で、かつ、よりいっそう低損失
な高周波回路素子を実現することができる。
【図１】 本発明の第一の実施形態にかかる高周波回路
素子の概略構成を示す斜視図
素子の概略構成を示す斜視図
【図２】 上記第一の実施形態にかかる高周波回路素子
の分解斜視図
の分解斜視図
【図３】 上記第一の実施形態にかかる高周波回路素子
の周波数特性を示すグラフ
の周波数特性を示すグラフ
【図４】 上記第一の実施形態にかかる高周波回路素子
との比較のために、不要高次モード遮断板を備えない高
周波回路素子の周波数特性を示すグラフ
との比較のために、不要高次モード遮断板を備えない高
周波回路素子の周波数特性を示すグラフ
【図５】 本発明の第二の実施形態にかかる高周波回路
素子の概略構成を示す斜視図
素子の概略構成を示す斜視図
【図６】 上記第二の実施形態にかかる高周波回路素子
の分解斜視図
の分解斜視図
【図７】 従来の高周波回路素子の一例の概略構成を示
す斜視図
す斜視図
【図８】 上記従来の高周波回路素子の分解斜視図
【図９】 従来の高周波回路素子の他の例の概略構成を
示す斜視図
示す斜視図
【図１０】 上記従来の高周波回路素子の分解斜視図
【図１１】 準ＴＥＭモードにおける電磁波の伝播の様
子を示す説明図
子を示す説明図
【図１２】 導波管モードにおける電磁波の伝播の様子
を示す説明図
を示す説明図
１ａ〜１ｃ 不要高次モード遮断板 ２ａ・２ｂ 不要高次モード遮断カバー １１ 筐体蓋部 １２ 筐体枠部 １３ 筐体底部 １４ａ・１４ｂ 入出力端子 １５ 基板 １６ａ〜１６ｈ ヘアピン型共振器 １７ａ・１７ｂ 入出力線路 １８ グランドプレーン
フロントページの続き (72)発明者 瀬恒 謙太郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5J006 HB03 HB12 HB14 JA01 JA22 JA23 JA31 LA12 NA08 NB10 PA01 PA03 PA04 PA06
Claims (13)
- 【請求項１】 基板と、前記基板に形成された高周波回
路と、前記基板を内包することにより前記高周波回路を
電磁界的にシールドする金属筐体と、前記金属筐体に配
設され前記高周波回路に高周波信号を入出力する入出力
端子と、前記金属筐体の内部空間を略分断することによ
り前記金属筐体の内部空間における高周波の伝播経路を
遮断する少なくとも一つの不要高次モード遮断板とを有
することを特徴とする高周波回路素子。 - 【請求項２】 前記不要高次モード遮断板が導体により
構成されている請求項１に記載の高周波回路素子。 - 【請求項３】 前記不要高次モード遮断板が前記金属筐
体と電気的に接続されている請求項２に記載の高周波回
路素子。 - 【請求項４】 前記不要高次モード遮断板が高誘電率誘
電体により構成されている請求項１に記載の高周波回路
素子。 - 【請求項５】 前記不要高次モード遮断板が、前記高周
波回路の少なくとも１つの入出力線路に略垂直にかか
り、かつ前記入出力線路と電気的に接触しないように配
設された請求項１に記載の高周波回路素子。 - 【請求項６】 前記不要高次モード遮断板が、前記高周
波回路の入出力線路に電気的に接触しないよう切り欠き
を有する請求項５に記載の高周波回路素子。 - 【請求項７】 基板と、前記基板に形成された高周波回
路と、前記基板を内包することにより前記高周波回路を
電磁界的にシールドする金属筐体と、前記金属筐体に配
設され前記高周波回路に高周波信号を入出力する入出力
端子と、前記金属筐体の内部空間において前記高周波回
路の少なくとも１つの入出力線路を覆うことにより高周
波の伝播を抑制する少なくとも１つの不要高次モード遮
断カバーとを有することを特徴とする高周波回路素子。 - 【請求項８】 前記不要高次モード遮断カバーが導体に
より構成されている請求項７に記載の高周波回路素子。 - 【請求項９】 前記不要高次モード遮断カバーが前記金
属筐体と電気的に接続されている請求項８に記載の高周
波回路素子。 - 【請求項１０】 前記不要高次モード遮断カバーが高誘
電率誘電体により構成されている請求項７に記載の高周
波回路素子。 - 【請求項１１】 前記高周波回路が高周波フィルタであ
る請求項１または請求項７に記載の高周波回路素子。 - 【請求項１２】 前記高周波フィルタが、互いに結合さ
れた複数の平面回路共振器を有する請求項１１に記載の
高周波回路素子。 - 【請求項１３】 前記高周波回路が超伝導高周波フィル
タである請求項１または請求項７に記載の高周波回路素
子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07164499A JP3929197B2 (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | 高周波回路素子 |
| US09/523,132 US6741142B1 (en) | 1999-03-17 | 2000-03-10 | High-frequency circuit element having means for interrupting higher order modes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07164499A JP3929197B2 (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | 高周波回路素子 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269704A true JP2000269704A (ja) | 2000-09-29 |
| JP2000269704A5 JP2000269704A5 (ja) | 2005-08-18 |
| JP3929197B2 JP3929197B2 (ja) | 2007-06-13 |
Family
ID=13466556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07164499A Expired - Fee Related JP3929197B2 (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | 高周波回路素子 |
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| JP (1) | JP3929197B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2011035510A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Fujitsu General Ltd | 高周波フィルタ |
| US8938277B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-01-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Planar microstrip filter disposed in a case and having movable structural components spaced at intervals relative to the filter |
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| AU2003259016A1 (en) * | 2002-10-03 | 2004-04-23 | Amplus Communication Pte Ltd | Radio frequency transceivers |
| JP3998602B2 (ja) * | 2003-05-21 | 2007-10-31 | 株式会社東芝 | 超伝導フィルタ |
| KR100598446B1 (ko) * | 2004-12-01 | 2006-07-11 | 한국전자통신연구원 | 밀리미터파 대역 평면형 필터용 에어 캐비티 모듈 |
| US7583165B2 (en) * | 2005-02-07 | 2009-09-01 | Tessera, Inc. | High Q cavity resonators for microelectronics |
| JP4575247B2 (ja) * | 2005-07-11 | 2010-11-04 | 株式会社東芝 | 高周波パッケージ装置 |
| CN103546112B (zh) | 2007-06-27 | 2016-05-18 | 谐振公司 | 低损耗可调射频滤波器 |
| US8198956B2 (en) * | 2008-08-05 | 2012-06-12 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Compact planar microwave blocking filters |
| KR100960044B1 (ko) * | 2008-10-21 | 2010-05-31 | 국방과학연구소 | 전송선로에 3차원 ｄｇｓ를 갖는 공진기 |
| KR101810508B1 (ko) * | 2016-05-12 | 2017-12-20 | 주식회사 케이엠더블유 | 안테나 케이블 연결 모듈 및 안테나 케이블 연결 모듈 제작방법 |
| US20230046599A1 (en) * | 2020-01-24 | 2023-02-16 | Qdevil Aps | A multi channel filter for low electron temperatures |
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| JPS60210853A (ja) * | 1984-03-06 | 1985-10-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JP2685217B2 (ja) * | 1988-04-14 | 1997-12-03 | 株式会社東芝 | 画面表示装置を備えたプロセス計算機システム |
| US5030935A (en) * | 1989-05-11 | 1991-07-09 | Ball Corporation | Method and apparatus for dampening resonant modes in packaged microwave circuits |
| JP2908853B2 (ja) * | 1990-08-15 | 1999-06-21 | 出光興産株式会社 | 除草剤組成物 |
| JPH04113705A (ja) * | 1990-09-03 | 1992-04-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波多段増幅器 |
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-
1999
- 1999-03-17 JP JP07164499A patent/JP3929197B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-03-10 US US09/523,132 patent/US6741142B1/en not_active Expired - Lifetime
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| US7218184B2 (en) | 2004-05-19 | 2007-05-15 | Fujitsu Limited | Superconducting filter |
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| JP3929197B2 (ja) | 2007-06-13 |
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