JP2000262996A - エアロゾル洗浄装置 - Google Patents

エアロゾル洗浄装置

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JP2000262996A
JP2000262996A JP11072119A JP7211999A JP2000262996A JP 2000262996 A JP2000262996 A JP 2000262996A JP 11072119 A JP11072119 A JP 11072119A JP 7211999 A JP7211999 A JP 7211999A JP 2000262996 A JP2000262996 A JP 2000262996A
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JP
Japan
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aerosol
cleaning
nozzle
wafer
axis direction
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JP11072119A
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English (en)
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Yuzuru Sonoda
譲 園田
Akihiko Munakata
昭彦 宗像
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Sumitomo Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Heavy Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 エアロゾルの洗浄能力を格段に向上させて、
強固に付着した汚染物を除去可能とする。 【解決手段】 微細径のノズル孔22を多数有するエア
ロゾルノズル20から略垂直方向(Y軸方向)に吹き出
したエアロゾル24でウェハ10の表面全面を洗浄する
際に、エアロゾル24の吹き出し方向(Y軸方向)にウ
ェハ10の長さL分スキャンさせながら、徐々にノズル
孔22のピッチP分、エアロゾルノズル20の中心軸方
向(X軸方向)にスキャンさせる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、エアロゾル洗浄装
置に係り、特に、半導体用ウェハのような基板の表面を
洗浄する際に用いるのに好適な、強い付着力を持つ汚染
物やエッチング残滓を除去することが可能な、エアロゾ
ル洗浄装置に関する。
【0002】
【従来の技術】LSI製造工程における半導体用ウェハ
の表面上や、液晶(LCD)あるいは太陽電池等の表面
上の微粒子(パーティクル)や汚れは、最終製品の歩留
りを大きく低下させるため、前記ウェハ等の表面洗浄が
極めて重要である。
【0003】従って従来から、種々の表面洗浄方法が提
案されており、半導体製造を例に採ると、超音波併用の
純水洗浄、純水中に薬液(例えばアンモニア過酸化水素
液や硫酸過酸化水素液)を加えた溶液中に被洗浄物を浸
漬し、洗浄する等の湿式洗浄方式が用いられている。
【0004】しかしながら、この種の湿式洗浄方式は、
各種設備の設置面積が大きく、廃液処理も必要であると
いう問題がある。
【0005】一方、液体を用いない乾式洗浄方式とし
て、ガスを加え化学反応を利用したドライクリーニング
があるが、パーティクル状の汚染物が除去できないとい
う問題がある。
【0006】更に、ドライアイスや氷、アルゴン固体等
の微粒子を、被洗浄物表面に衝突させて、パーティクル
を除去することも考えられているが、氷を用いた場合に
は、被洗浄物の表面が損傷を受ける恐れがあり、ドライ
アイスを用いた場合には、特に鉄鋼や石油精製の廃ガス
を原料とする市販品では、ドライアイス自体が汚れてい
るため、不純物汚染の問題がある。
【0007】これらに対して、特開平6−252114
や特開平6−295895に記載された、アルゴン固体
の微粒子を含むエアロゾル(アルゴンエアロゾルと称す
る)を減圧零囲気中で衝突させて表面洗浄を行う方法に
よれば、上記のような問題は存在しない。
【0008】このアルゴンエアロゾルを用いた表面洗浄
装置においては、図1に示す如く、微細径のノズル孔2
2を多数有するエアロゾルノズル20から略垂直方向
(Y軸方向とする)に吹き出したエアロゾル(アルゴン
エアロゾル)24で被洗浄物(例えばウェハ)10の表
面全面を洗浄する場合、エアロゾルノズル20の中心軸
方向(X軸方向とする)、及び、これと垂直なエアロゾ
ル吹き出し方向(Y軸方向)に、各々ノズル孔22のピ
ッチP分、被洗浄物10の長さL分、該被洗浄物10を
エアロゾル24の下でスキャンさせる必要がある。
【0009】このような装置における洗浄能力は、洗浄
力(不純物除去率)と不純物の再付着数により評価され
る。この洗浄能力を決定するパラメータとしては、主に
エアロゾルノズル内の温度・圧力、洗浄室内の圧力、パ
ージガス量、及び、エアロゾルノズル20とウェハ10
間の距離、ウェハ10のスキャン方法等が考えられる
が、これらは複雑に関与して、その洗浄能力が決定され
る。
【0010】不純物の再付着防止に着目した場合、多量
の不純物が付着したウェハ10を、エアロゾル24を吹
き出しているエアロゾルノズル20の下流側に最初移動
させ、それから洗浄を開始して、図1に実線Aで示す如
く、ノズル孔22のピッチP分X軸方向にスキャンさせ
ながら、徐々にY軸方向にウェハ10の長さL分スキャ
ンさせる方法が望ましいと考えられる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなX軸方向スキャンを主とする洗浄方法(以下、X軸
スキャン洗浄と称する)の場合、X軸方向へのスキャン
を小刻みに繰り返す必要があり、洗浄時間がかかるため
に、かえって不純物の再付着の機会を与えてしまった
り、被洗浄物とエアロゾルの相対速度や被洗浄物表面の
温度変化等により、不純物の再付着数のみならず、洗浄
力にも影響を与え、十分な洗浄能力を発揮することがで
きないという問題点を有していた。
【0012】本発明は、前記従来の問題点を解消するべ
くなされたもので、スキャン方法を工夫して、エアロゾ
ルによる洗浄能力を格段に向上させ、強固に付着した汚
染物を迅速に除去可能とすることを課題とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明は、微細径のノズ
ル孔を多数有するエアロゾルノズルから略垂直方向(Y
軸方向)に吹き出したエアロゾルで被洗浄物の表面全面
を洗浄するエアロゾル洗浄装置において、エアロゾルの
吹き出し方向(Y軸方向)に被洗浄物の長さ分スキャン
させながら、徐々にノズル孔のピッチ分、エアロゾルノ
ズルの中心軸方向(X軸方向)にスキャンさせるように
して、前記課題を解決したものである。
【0014】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施形態を詳細に説明する。
【0015】本発明が適用された、エアロゾルによるウ
ェハ洗浄装置の実施形態の全体構成の管路図を図2に、
同じく平面図を図3に示す。
【0016】本実施形態において、マスフローコントロ
ーラ30、32によりその流量を制御されたアルゴンガ
スと窒素ガスは、フィルタ34を通過した後、例えばヘ
リウム(He)クライオ冷凍機36を用いた熱交換器3
8内で冷却されてから、エアロゾルノズル20に開けら
れた多数の微細なノズル孔22より、エアロゾル24と
なって、真空ポンプ40で真空引きされている、ウェハ
洗浄用の洗浄室42内に噴出する。
【0017】ウェハ10は、ウェハスキャン機構44に
よりX軸方向及びY軸方向にスキャンされるXYスキャ
ンステージ(プロセスハンドとも称する)46上に載っ
ており、ウェハ全面が洗浄可能となっている。
【0018】洗浄力を向上させるために加速ノズル56
が設置されており、マスフローコントローラ52及びフ
ィルタ54を介して該加速ノズル56に供給され、その
ノズル孔から吹き出す窒素ガス(加速ガス58と称す
る)が、前記エアロゾルノズル20から噴出されたエア
ロゾル24を加速する。
【0019】又、本実施形態では、パーティクルのウェ
ハ面への再付着防止の目的で、洗浄室42の一端(図2
の左端)から、マスフローコントローラ62及びフィル
タ64を介して流入される窒素ガスをパージガス66と
して、洗浄室42内に供給している。
【0020】図3に示す如く、カセット交換用に2つ設
けられた、装置外部からカセット72に収容されたウェ
ハ10を搬入するための、真空状態に排気されるカセッ
ト室70内のウェハ10は、ウェハ10をハンドリング
するロボット室(搬送室とも称する)80内に配設され
た真空内搬送ロボット(真空ロボットと称する)82の
ロボットアーム84の先端に取付けられたロボットハン
ド86により、ゲートバルブ74、76を通過して、洗
浄室42へのウェハ10の受け渡しをするバッファ室9
0内の前記XYスキャンステージ46上に移送される。
図において、73は、カセット72が載置されるカセッ
トステージである。
【0021】ウェハスキャン機構44により駆動される
XYスキャンステージ46上のウェハ10は、図4に実
線Bで示す如く、エアロゾルノズル20の下で、その直
径L分、Y軸方向にスキャンされると同時に、ノズル孔
22のピッチP分、徐々にX軸方向にスキャンされる。
【0022】このようにして表面全面が洗浄されたウェ
ハ10は、バッファ室90に搬入された経路を逆に辿っ
て、カセット室70に戻される。
【0023】本実施形態においては、洗浄能力を決定す
る重要なパラメータの一つである被洗浄物のスキャン
を、図4に実線Bで示した如く、Y軸方向に被洗浄物の
長さL分(ウェハの場合、ウェハの直径分)スキャンさ
せながら、徐々にノズル孔22のピッチP分、X軸方向
にスキャンさせている。
【0024】このようなY軸方向スキャンを主とする洗
浄方法(Y軸スキャン洗浄と称する)の場合、図1に示
したX軸スキャン洗浄に比べて、ウェハ10とエアロゾ
ル24の相対移動量、従って、相対速度が大きくなるこ
とによる洗浄効果の向上が期待できる。
【0025】又、X軸スキャン洗浄に比べて、洗浄時間
が短時間で済む。即ち、例えば直径150mmのウェハ
をスキャンする場合、X軸スキャン洗浄では、X軸方向
への送りピッチが1mmの場合、直径150mm分だけ
ウェハをX軸方向に送るには、150回×往復2回=3
00回のX軸方向での加減速が必要であり、スキャン速
度が遅く不均一になるだけでなく、加減速に時間がかか
る。これに対して、本発明によるY軸スキャン洗浄で
は、ウェハの直径150mm分のY軸方向への走査を、
例えば13回X軸方向に高速、且つ、ほぼ一定速で移動
させながら繰り返せばよく、加減速が13回×往復2回
=26回で済み、時間がかかる加減速回数を1/10以
下にできる。
【0026】従って、被洗浄物表面の温度変化を、被洗
浄物表面全体にわたり、より均一にでき、且つ、被洗浄
物表面を過冷却とせずに済む。更には、短時間であるた
め、不純物再付着の機会も少なくて済み、十分な洗浄能
力を発揮することができる。
【0027】なお、エアロゾルノズル内の温度・圧力、
洗浄室内の圧力、パージガス量、加速ガス量、エアロゾ
ルノズル・加速ノズル・被洗浄物表面間の相対距離等を
各々の値に設定したとき、被洗浄物表面でのエアロゾル
の強さや、洗浄に寄与する有効投影面積(スポット径)
は、各々の条件で変化するので、Y軸方向及びX軸方向
のスキャン速度と増分量を各々最適に設定すれば、より
短時間で、且つ最強の洗浄能力を発揮することが可能と
なる。
【0028】
【実施例】ウェハを、希釈したCMP(化学機械研磨)
用シリカスラリ溶液に浸漬させてから自然乾燥させたサ
ンプルを、図1に示したようなX軸スキャン洗浄と、図
4に示したような本発明によるY軸スキャン洗浄により
洗浄した結果を、それぞれ図5及び図6に比較して示
す。
【0029】両者間では、エアロゾルノズル内の温度・
圧力、洗浄室内の圧力、パージガス量、加速ガス量、エ
アロゾルノズル・加速ノズル・ウェハ表面間の相対距離
等は、ほぼ同一の条件に設定されており、スキャン方法
のみが異なっている。
【0030】X軸スキャン洗浄を行った図5と、Y軸ス
キャン洗浄を行った図6を比較すると、洗浄前のシリカ
粒子の付着量は、パーティクルマップではほぼ同程度で
あるが、ヘイズマップでは、図6の方が多いにも関わら
ず、洗浄後の結果を見ると、図6ではヘイズは0%であ
り、且つ残留パーティクル数も図5より格段に少なく、
Y軸スキャン洗浄の方が、X軸スキャン洗浄より、洗浄
能力が優れていることは明らかである。
【0031】なお、本実施例では、Y軸スキャン洗浄で
の洗浄後の残留パーティクル数が約600個程度であっ
たが、エアロゾルノズル内の温度・圧力、洗浄室内の圧
力、パージガス量、加速ガス量、エアロゾルノズル・加
速ノズル・ウェハ表面間の相対距離、洗浄時間、洗浄回
数等を適切に設定すれば、洗浄後の残留パーティクル数
を10個程度に減らすことも可能である。
【0032】なお、前記説明においては、エアロゾルと
してアルゴンエアロゾルが用いられ、加速ガス及びパー
ジガスとして窒素ガスが用いられていたが、エアロゾル
や加速ガスやパージガスの種類は、これらに限定されな
い。
【0033】又、前記説明においては、本発明が、半導
体用ウェハの洗浄に適用されていたが、本発明の適用対
象は、これに限定されず、半導体用マスク、フラットパ
ネル用基板、磁気ディスク基板、フライイングヘッド用
基板等の洗浄にも同様に適用できることは明らかであ
る。
【0034】
【発明の効果】本発明によれば、エアロゾルによる洗浄
能力を格段に向上させて、短時間で且つ強力な洗浄能力
を発揮することができ、強固に付着した汚染物を迅速に
除去することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のスキャン方法を説明するための平面図
【図2】本発明が採用された、エアロゾルによるウェハ
洗浄装置の実施形態の全体構成を示す管路図
【図3】同じく平面図
【図4】本発明によるスキャン方法を説明するための平
面図
【図5】X軸スキャン洗浄による洗浄前後のパーティク
ルマップ及びヘイズマップを比較して示す線図
【図6】本発明に係るY軸スキャン洗浄による洗浄前後
のパーティクルマップ及びヘイズマップを比較して示す
線図
【符号の説明】
10…ウェハ(被洗浄物) 20…エアロゾルノズル 22…ノズル孔 24…エアロゾル 42…洗浄室 44…ウェハスキャン機構 46…XYスキャンステージ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】微細径のノズル孔を多数有するエアロゾル
    ノズルから略垂直方向に吹き出したエアロゾルで被洗浄
    物の表面全面を洗浄するエアロゾル洗浄装置において、 エアロゾルの吹き出し方向に被洗浄物の長さ分スキャン
    させながら、徐々にノズル孔のピッチ分、エアロゾルノ
    ズルの中心軸方向にスキャンさせることを特徴とするエ
    アロゾル洗浄装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8707974B2 (en) 2009-12-11 2014-04-29 United Microelectronics Corp. Wafer cleaning device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8707974B2 (en) 2009-12-11 2014-04-29 United Microelectronics Corp. Wafer cleaning device
US9539621B2 (en) 2009-12-11 2017-01-10 United Microelectronics Corp. Wafer cleaning device and method thereof

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